JP4621506B2 - 光学素子及び光スイッチ - Google Patents
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Description
しかしながら、光スイッチを構成する光学素子の材料、要素部分の寸法誤差、実装時の寄生容量などに起因して、電気光学効果膜への印加電圧と屈折率変化量との関係を一意に決定することができず、装置ごとに厳格な調整が必要となり、製品の歩留まり低下を惹起し、装置の更なる小型化の要請を阻害する主原因の1つとなっている。
本発明の基本骨子を説明するにあたり、先ず、本発明の比較例について説明する。この比較例は、言わばアナログ的性質を有する電気光学効果膜による屈折率の制御方法である。この場合、図1(a)に示すように、電気光学効果膜を有する光導波路の上下に設けられた一対の電極(図示の便宜上、上部電極のみ示す)に印加する電圧を調節する。このとき、図1(b)に示すように、連続的に変化する印加電圧に対応して連続的に変化し、各屈折率に対応した所望の出力チャネルへ出力する。このように、印加電圧に対して屈折率がアナログ的に変化し、印加電圧の微小な変化が屈折率に影響するため、光学素子の材料、要素部分の寸法誤差、実装時の寄生容量などに起因して、電気光学効果膜への印加電圧と屈折率変化量との関係を一意に決定することができない。
図2に示すように、上部電極を一対のプリズム電極で構成し、プリズム電極101aの電圧を高くすることにより負方向へ光を偏光し、プリズム型電極101bの電圧を高くすることでにより正方向へ光を偏光する。このように、プリズム型電極101a,101bに印加する電圧を微調整して出力位置を調節する。しかしながら、上記のようなトラッキング制御においては、2つのプリズム電極をそれぞれ制御することが必要であり、制御が複雑となることや、トラッキング制御のための微調整機構を設ける必要がある等の問題がある。
以下、本発明を適用した具体的な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
本実施形態では、本発明を光学素子である光偏向素子に適用した例を開示する。光偏向素子とは、入射光を所望の角度で偏向させて出力する光学素子である。
この光偏向素子は、基板1上に形成された応力緩和層2と、応力緩和層2上に形成された下部電極3と、下部電極3上に積層された電気光学材料からなる光導波路4と、光導波路4を介して下部電極3と対向するように光導波路4上に設けられた上部電極5と、下部電極3と上部電極5との間に可変の電圧を印加する電圧制御手段6とを備えて構成されている。
下部電極3は、例えばSrRuO3、CaRuO3、LaNiO3、(LaxSr1-x)CoO3(0≦x≦1)、及び(LaxSr1-x)MnO3(0≦x≦1)から選ばれた少なくとも1種を主成分とする膜が少なくとも1層形成されてなるものであり、電圧制御手段6の一端と接続されている。
電圧制御手段6は、下部電極3と上部電極5との間に可変の電圧を印加し、光導波路4における光の屈折率を変化させて制御するものである。ここで、光導波路4のコア層12において、反強誘電体相転移点に対応した所定電圧を境界(としてディジタル的に屈折率が大きく変化し、当該所定電圧の前後で屈折率がほぼ一定値となることを利用して、電圧制御手段6は、当該所定電圧の前後における第1の電圧と第2の電圧との2値で光導波路4における光の屈折率を制御する。なおこの場合、実際には、反強誘電体相転移点は、ある程度の幅(上記したPbZrTiO3の例では30V/μm程度〜40V/μm程度の範囲)のある境界領域内に存在するため、第1の電圧を当該境界領域の最小値以下の値、第2の電圧を当該幅の最大値以上の値とする。
図6は、第1の実施形態による光偏向素子の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
先ず、図6(a)に示すように、基板1上に応力緩和層2及び下部電極3を順次形成する。
具体的には、主成長面の結晶方位が(100)であるNb1%−SrTiO3からなる基板1上に、例えばPbMg0.5W0.5O3を材料としてスパッタ法により堆積し、膜厚100nm程度の応力緩和層2を形成する。
次に、応力緩和層2上に、SrRuO3、CaRuO3、LaNiO3、(LaxSr1-x)CoO3(0≦x≦1)、及び(LaxSr1-x)MnO3(0≦x≦1)から選ばれた少なくとも1種を主材料とした少なくとも1層の膜を成膜し、これに所定の加工を施すことにより、下部電極3を形成する。
下部及び上部クラッド層11,13としては、材料を(PbLa)ZrO3とし、ゾル−ゲル法により形成する。(PbLa)ZrO3用のゾル−ゲル溶液としては、構成金属元素の有機化合物であるPb(CH3COO)2・3H2O〔酢酸鉛〕、La(i−OC3H7)3〔ランタンイソプロポキシド〕、Zr(OC3H7)4〔ジルコニウムプロポキシド〕、及び安定剤としてのCH3COCH2COCH3〔(2,4−ペンタンジオン)を溶剤であるCH3C2H4OH〔2−メトキシエタノール〕で還流により合成する。
先ず、主成長面の結晶方位が(100)であるNb1%−SrTiO3からなる基板1上に、(Pb0.97La0.02)ZrO3組成のゾル−ゲル前駆体をスピンコート法で塗布する。次に、塗布されたゾル−ゲル前駆体をホットプレート上において例えば140℃で5分間、350℃で5分間のベークを行う。次に、赤外線炉を使用して、酸素雰囲気中において基板1を700℃で焼成する。以上の工程により形成される膜は100nm〜200nm程度の膜厚となる。膜厚が例えば3μm程度となるまで上記の工程を繰り返し行い、(Pb0.97La0.02)ZrO3組成の下部クラッド層11を形成する。
具体的には、図6(c)に示すように、上部クラッド層13上に、例えばCu/W膜を三角形状にマスク蒸着することにより、上部電極5を形成する。
そして、下部電極3と上部電極5とに電圧制御手段6を接続し、本実施形態の光偏向素子を完成させる。
ここで、第1の実施形態の変形例について説明する。
この変形例では、第1の実施形態と同様に光偏向素子を開示するが、上部電極が異なる点で相違する。なお、第1の実施形態による光偏向素子の構成部材と同一のものについては同符号を付して説明を省略する。
この光偏向素子は、基板1上に形成された応力緩和層2と、応力緩和層2上に積層された電気光学材料からなる光導波路4と、光導波路4上に設けられた上部電極7と、上部電極7に可変の電圧を印加する電圧制御手段6とを備えて構成されている。
本実施形態では、本発明を適用した光スイッチの具体的構成を開示する。
図8は、第2の実施形態による光スイッチの概略構成を示す模式図であり、(a)が光スイッチの主要構成部のみの概略平面図、(b)が(a)中の一点鎖線I−Iに沿った光スイッチの概略断面図である。なお、第1の実施形態と同様の構成部材等については、同符号を付して詳しい説明は省略する。また、図示の便宜上、図8(b)では電圧制御手段6の記載を省略する。
この光スイッチは、2×2配列の光スイッチであり、光偏向機構を備えた主要構成部21と、主要構成部21が配設されるチャネル形成部22とを備えて構成されている。
チャネル導波路32は、下部クラッド層41と上部クラッド層43との間に、光路が形成されるコア層42が挟持されており、光信号の入力チャネルI1,I2及び出力チャネルO1,O2を備えている。入力チャネルI1,I2は、それぞれ先端部位に信号光をコリメートするマイクロレンズ44が設けられており、各々等間隔に並設されている。出力チャネルO1,O2も同様に、それぞれ後端部位にマイクロレンズ44が設けられており、各々等間隔に並設されている。このチャネル導波路32には、主要構成部21が実装される溝45が形成されており、チャネル基板31表面の溝45の底部に露出する部位には、各種配線層46がパターン形成されている。
ここでは、入力チャネルI1から出力チャネルO1へ、入力チャネルI1から出力チャネルO2へ信号光を送る場合をそれぞれ例示する。
ここで、第2の実施形態の変形例について説明する。
この変形例では、第2の実施形態と同様に光スイッチを開示するが、複数の主要構成部を直列に接続してなる点で相違する。本変形例の光スイッチは、nを1以上の整数として、n個の主要構成部が直列に接続されており、1段目の主要構成部には2個の入力チャネルが、n段目の主要構成部には2n個の出力チャネルがそれぞれ配されてなるものである。なお、第2の実施形態による光スイッチの構成部材と同一のものについては同符号を付して説明を省略する。
ここでは、k=2の場合を例示する。即ちこの光スイッチは、第2の実施形態で開示した入力チャネル及び出力チャネルがそれぞれ2個ずつ設けられた2×2配列の主要構成部21と、入力チャネル及び出力チャネルがそれぞれ4個ずつ設けられた4×4配列の主要構成部51とが直列に接続されて構成されている。
ここでは、主要構成部21の入力チャネルI1から主要構成部51の出力チャネルO'2へ、主要構成部21の入力チャネルI1から主要構成部51の出力チャネルO'3へ、主要構成部21の入力チャネルI1から主要構成部51の出力チャネルO'4へ信号光を送る場合をそれぞれ例示する。
前記基板の上方に形成されており、電気光学効果を有する少なくとも1層の反強誘電体材料からなる電気光学効果膜と、
前記電気光学効果膜に可変の電圧を印加して前記電気光学効果膜を通過する光の屈折率を制御する電圧制御手段と
を含み、
前記電圧制御手段は、前記電気光学効果膜における反強誘電体相転移点となる電圧を基準値として、前記基準値よりも小さい第1の電圧と、前記基準値よりも大きい第2の電圧との2値により前記屈折率を制御することを特徴とする光学素子。
前記基板の上方に形成されており、電気光学効果を有する少なくとも1層の反強誘電体材料からなる電気光学効果膜と、
前記電気光学効果膜に可変の電圧を印加して前記電気光学効果膜を通過する光の屈折率を制御する電圧制御手段と
を含み、
印加電圧に対して略一定の屈折率となる第1の電圧領域と、印加電圧に対して屈折率が急激に変化する第2の電圧領域とを有することを特徴とする光学素子。
前記光導波路上の一端に並列して形成されており、光信号を入力する複数の入力チャネルと、
前記光導波路上の他端に並列して形成されており、光信号を出力する複数の出力チャネルと、
前記電気光学効果膜に可変の電圧を印加して、前記入力チャネルに入力した光の屈折率を制御する電圧制御手段と
を含み、
前記電圧制御手段は、前記電気光学効果膜における反強誘電体相転移点となる電圧を基準値として、前記基準値よりも小さい第1の電圧と、前記基準値よりも大きい第2の電圧との2値により前記屈折率を制御することを特徴とする光スイッチ。
n個の前記光導波路が直列に接続されており、1段目の前記光導波路には2個の前記入力チャネルが、n段目の前記光導波路には2n個の前記出力チャネルがそれぞれ配されてなることを特徴とする付記15〜18のいずれか1項に記載の光スイッチ。
2 応力緩和層
3 下部電極
4 光導波路
5,7 上部電極
6 電圧制御手段
11,41 下部クラッド層
12,42 コア層
13,43 上部クラッド層
20 光スイッチ
21,51 主要構成部
22 チャネル形成部
31 チャネル基板
32 チャネル導波路
44 マイクロレンズ
45 溝
46 配線層
47 半田ボール
I1,I2,I'1〜'4 入力チャネル
O1〜O4 出力チャネル
Claims (7)
- 基板と、
前記基板の上方に形成されており、電気光学効果を有する少なくとも1層の反強誘電体材料からなり、印加電圧を初期値に戻すと屈折率が初期値に戻る性質を有する、少なくとも1層の電気光学効果膜を含む光導波路と、
前記電気光学効果膜に可変の電圧を印加して前記電気光学効果膜を通過する光の屈折率を制御する電圧制御手段と
を含み、
前記光導波路は、前記電気光学効果膜からなるコア層を強誘電体材料からなる下部及び上部クラッド層により挟持してなり、前記コア層と前記クラッド層との屈折率が異なり、
印加電圧が所定の範囲で変化しても屈折率が初期値の屈折率と略同一である第1の電圧領域と、印加電圧が所定の範囲で変化しても初期値の屈折率と異なる屈折率で略同一である第2の電圧領域とを有しており、
前記電圧制御手段は、前記第1の電圧領域内の第1の電圧と、前記第2の電圧領域内の第2の電圧との2値により前記電気光学効果膜の屈折率を制御することを特徴とする光学素子。 - 前記基板と前記電気光学効果膜との間に、前記電圧制御手段により電圧を印加するための下部電極が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光学素子。
- 前記電気光学効果膜上に、前記電圧制御手段により電圧を印加するための上部電極が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光学素子。
- 基板の上方に、電気光学効果を有する少なくとも1層の反強誘電体材料からなり、印加電圧を初期値に戻すと屈折率が初期値に戻る性質を有する電気光学効果膜を有して構成された光導波路と、
前記光導波路上の一端に並列して形成されており、光信号を入力する複数の入力チャネルと、
前記光導波路上の他端に並列して形成されており、光信号を出力する複数の出力チャネルと、
前記電気光学効果膜に可変の電圧を印加して、前記入力チャネルに入力した光の屈折率を制御する電圧制御手段と
を含み、
前記光導波路は、前記電気光学効果膜からなるコア層を強誘電体材料からなる下部及び上部クラッド層により挟持してなり、前記コア層と前記クラッド層との屈折率が異なり、
印加電圧が所定の範囲で変化しても屈折率が初期値の屈折率と略同一である第1の電圧領域と、印加電圧が所定の範囲で変化しても初期値の屈折率と異なる屈折率で略同一である第2の電圧領域とを有しており、
前記電圧制御手段は、前記第1の電圧領域内の第1の電圧と、前記第2の電圧領域内の第2の電圧との2値により前記電気光学効果膜の屈折率を制御することを特徴とする光スイッチ。 - 前記基板と前記光導波路との間に、前記電圧制御手段により電圧を印加するための下部電極が設けられていることを特徴とする請求項4に記載の光スイッチ。
- 前記光導波路上に、前記電圧制御手段により電圧を印加するための上部電極が設けられていることを特徴とする請求項4又は5に記載の光スイッチ。
- nを1以上の整数として、
n個の前記光導波路が直列に接続されており、1段目の前記光導波路には2個の前記入力チャネルが、n段目の前記光導波路には2n個の前記出力チャネルがそれぞれ配されてなることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の光スイッチ。
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---|---|---|---|---|
US8546898B2 (en) * | 2009-10-29 | 2013-10-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optoelectronic light exposure memory |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4933200A (ja) * | 1972-07-31 | 1974-03-27 | ||
JPS536058A (en) * | 1976-07-06 | 1978-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | Photo switching element |
JPS54136118A (en) * | 1978-04-14 | 1979-10-23 | Ricoh Co Ltd | Recording device |
JPS63256921A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-24 | Mitsubishi Kasei Corp | 電気光学素子 |
JPH01319733A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-26 | Canon Inc | 光導波素子 |
JPH0429219A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-01-31 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 高分子液晶組成物、それを用いた液晶光学素子及び液晶光学素子の駆動方法 |
JPH05307170A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-11-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
JPH06250234A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-09 | Ricoh Co Ltd | 薄膜光制御素子 |
JPH09133904A (ja) * | 1995-11-07 | 1997-05-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光偏向スイッチ |
JPH1020269A (ja) * | 1996-07-05 | 1998-01-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学素子、フォトカプラー及びその駆動方法 |
JP2000284223A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 立体表示方法および立体表示装置 |
JP2002229079A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-08-14 | Agilent Technol Inc | 双安定の光導波路装置 |
JP2003098559A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Fujitsu Ltd | 光偏向素子及び光スイッチ |
JP2003177262A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Fujitsu Ltd | 光導波路装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5179533A (en) * | 1989-07-31 | 1993-01-12 | Radiant Technologies | Read/write optical memory |
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Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4933200A (ja) * | 1972-07-31 | 1974-03-27 | ||
JPS536058A (en) * | 1976-07-06 | 1978-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | Photo switching element |
JPS54136118A (en) * | 1978-04-14 | 1979-10-23 | Ricoh Co Ltd | Recording device |
JPS63256921A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-24 | Mitsubishi Kasei Corp | 電気光学素子 |
JPH01319733A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-26 | Canon Inc | 光導波素子 |
JPH0429219A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-01-31 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 高分子液晶組成物、それを用いた液晶光学素子及び液晶光学素子の駆動方法 |
JPH05307170A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-11-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
JPH06250234A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-09 | Ricoh Co Ltd | 薄膜光制御素子 |
JPH09133904A (ja) * | 1995-11-07 | 1997-05-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光偏向スイッチ |
JPH1020269A (ja) * | 1996-07-05 | 1998-01-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学素子、フォトカプラー及びその駆動方法 |
JP2000284223A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 立体表示方法および立体表示装置 |
JP2002229079A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-08-14 | Agilent Technol Inc | 双安定の光導波路装置 |
JP2003098559A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Fujitsu Ltd | 光偏向素子及び光スイッチ |
JP2003177262A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Fujitsu Ltd | 光導波路装置及びその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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