JP3879540B2

JP3879540B2 - 導電膜および導電膜の製造方法

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Publication number: JP3879540B2
Application number: JP2002060117A
Authority: JP
Inventors: 透大久保; 久光亀島
Original assignee: Toppan Inc
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2001-08-31
Filing date: 2002-03-06
Publication date: 2007-02-14
Anticipated expiration: 2022-03-06
Also published as: JP2003151364A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電膜及びその製造方法に関するものである。特にＥＬ，ＰＤＰ，ＬＣＤ，ＣＲＴ等の各種表示装置の電磁波遮蔽膜および透明電極、あるいは太陽電池の透明電極として有用な透明な導電膜およびその製造方法に関する。さらには、高い導電性と透明性を示しかつ視認性に優れた透明導電膜およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、高透明性かつ高導電性を有する透明導電膜として、金属ワイヤーやカーボンワイヤーで形成されたメッシュ状の導電性構造体を透明基材の表面に設け、透明性と導電性を高いレベルで両立させる試みがなされてきたが、メッシュ状構造体の線幅を小さくするには限界がありワイヤーが目視できてしまうため、上記各種表示装置に用いられた場合、著しい視認性の低下は避けられなかった。これに対し、金属微粒子を含む塗布液をメッシュ状にパターン塗布し熱処理することで、より微細なメッシュ状構造体を形成する試みがなされてきている。しかしながら、前記各種用途に十分な導電性を確保しようとした場合、前記塗布液の塗布量が大きくなる結果、遮光性の金属微粒子がメッシュの開口部にまで及んでしまうため、透明性および視認性の悪化が問題となっている。
【０００３】
また、プリント配線体などのパターニングされた導電膜では、導電性の塗布液と基材とのぬれ特性のために、十分な導電性を出そうとすると線幅が太くなってしまい、線幅を細くすると十分な導電性を確保することは困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来技術における上記問題点を鑑みてなされたものであり、細い線幅で高い導電性を示す導電膜およびその製造方法を提供することを課題とする。また、微細なパターン形状を有する導電膜およびその製造方法を提供することを課題とする。さらには、高い透明性を有しかつ視認性に優れた透明な導電膜およびその製造方法を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、少なくとも基材上にと導電層を有する導電膜であって、該導電層が平均表面粗さＲａが２ｎｍ以上５００ｎｍ以下である表面凹凸層を含み、かつ該表面凹凸層の片面にパターニングされた疎水性部分を具備し、かつ該疎水性部分が形成されていない部分に導電部分が形成されてなることを特徴とする導電膜である。
【０００６】
請求項２記載の発明は、前記表面凹凸層の疎水性部分が形成されている部分の純水に対する接触角が９０度以上、疎水性部分が形成されていない部分の純水に対する接触角が９０度未満であることを特徴とする請求項１記載の導電膜である。
【０００８】
請求項３記載の発明は、前記表面凹凸層がバインダと微粒子を含み、かつ微粒子が該表面凹凸層の表面から突出していることを特徴とする請求項１または２に記載の導電膜である。
【０００９】
請求項４記載の発明は、前記導電部分が導電材料を含み、かつ該導電材料が、平均粒径が１００ｎｍ以下の金属微粒子および／または導電性酸化物微粒子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の導電膜である。
【００１０】
請求項５記載の発明は、前記金属微粒子がＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるいはそれらの２種類以上の組み合わせまたは合金であることを特徴とする請求項４記載の導電膜である。
【００１１】
請求項６記載の発明は、前記導電性酸化物微粒子が酸化錫、アンチモン錫酸化物またはインジウム錫酸化物から選択された一種類以上を含むことを特徴とする請求項４または５記載の導電膜である。
【００１２】
請求項７記載の発明は、前記疎水性部分がパターン形成されていない部分の形状が線幅５μｍ以下の網目状であり、かつ該疎水性部分の面積が前記表面凹凸層全体の面積に対して６０％以上であり、かつ膜全体の可視光域の光線透過率が５０％以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の導電膜である。
【００１３】
請求項８記載の発明は、少なくとも基材上に平均表面粗さＲａが２ｎｍ以上５００ｎｍ以下である表面凹凸層を形成する工程、表面凹凸層上に疎水性部分をパターン形成する工程、さらに導電材料を含む塗布液を塗布する工程を有することを特徴とする導電膜の製造方法である。
【００１４】
請求項９記載の発明は、前記表面凹凸層の疎水性部分が形成されている部分の純水に対する接触角が９０度以上、疎水性部分が形成されていない部分の純水に対する接触角が９０度未満であることを特徴とする請求項８記載の導電膜の製造方法である。
【００１６】
請求項１０記載の発明は、前記表面凹凸層がバインダと微粒子を含み、かつ微粒子が該表面凹凸層の表面から突出していることを特徴とする請求項８または９に記載の導電膜の製造方法である。
【００１７】
請求項１１記載の発明は、前記導電材料が平均粒径が１００ｎｍ以下の金属微粒子および／または導電性酸化物微粒子であることを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
【００１８】
請求項１２記載の発明は、前記金属微粒子がＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるいはそれらの２種類以上の組み合わせまたは合金であることを特徴とする請求項１１記載の導電膜の製造方法である。
【００１９】
請求項１３記載の発明は、前記導電性酸化物微粒子が酸化錫、アンチモン錫酸化物またはインジウム錫酸化物から選択された一種類以上を含むことを特徴とする請求項１１または１２記載の導電膜の製造方法である。
【００２０】
請求項１４記載の発明は、前記表面凹凸層の疎水性部分が形成されていない部分の形状が、線幅５μｍ以下の網目状であり、かつ該疎水性部分の面積が前記表面凹凸層全体の面積に対して６０％以上であることを特徴とする請求項８〜１３のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
【００２１】
請求項１５記載の発明は、前記疎水性部分をマイクロコンタクト印刷法で形成することを特徴とする請求項８〜１４のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明者らは鋭意検討の結果、導電膜を後述の図１に代表される構成とすることで、細くかつ十分な導電性を有する導電パターンを形成できることを見いだした。また、導電パターンを網目状とすることで、導電部と開口部をコントラスト良く形成することが可能となり、従来より透明性と視認性が優れた導電膜が得られることを見いだした。
【００２３】
本実施形態における導電膜２は基材１と導電層４を含み、導電層４は片面に疎水性部分５がパターン形成された表面凹凸層３を含む。また、表面凹凸層３はバインダと微粒子３１を含み、かつ微粒子３１は表面凹凸層３の表面から突出している。また、表面凹凸層３の疎水性部分５が形成された面における疎水性部分５が形成されていない部分に、導電材料６１を含む塗布液を塗布する操作を含む工程により形成された導電部分６が形成されている。透明導電膜２の製造方法は、疎水性部分５が片面にパターン形成された表面凹凸層３を形成する「疎水パターン形成表面凹凸層形成工程」、およびそれに引き続く、表面凹凸層３の疎水性部分５がパターン形成された面に、導電材料６１を少なくとも含む塗布液を塗布する操作を含む方法で、疎水性部分５が形成されていない部分に導電部分６を形成する［導電部形成工程］を含む。以下に各工程別に詳細な説明を行う。
【００２４】
「疎水パターン形成表面凹凸層形成工程」
疎水パターン形成表面凹凸層は、透明基材１に形成した表面凹凸層３上に疎水性部分５をパターン形成することで形成される。
【００２５】
導電膜２は基材１と導電層４を含むが、必要に応じこれら以外の機能層を設けることも可能である。例として、機械強度付与を目的としたハードコート層、あるいは低反射性付与を目的とした単層または多層構成の反射防止層など挙げられるが、特に、機械強度と低反射性を同時に付与できるものとして、表面硬度が高く屈折率の比較的小さいシリカ層が好適に用いられる。シリカ層の形成は、例えば各種アルコキシシランの加水分解物を含む塗布液を、導電層４上に均一に塗布して成膜する方法により行うことができる。シリカ層の塗布形成方法は特に限定されるものではなく、スピンコート、ナイフコート、スプレーコート、ディップコート等の公知の塗布技術を用いることが可能である。塗布後は塗膜を乾燥し、好ましくは焼き付け処理を行うことにより強固な膜が形成される。
【００２６】
基材１は、特に限定されるものではないが、透明導電膜とする場合、透明な基材を用いると良い。各種ガラス基材をはじめ適当な機械的剛性をもつ公知のプラスチックフィルムもしくはシートの中から適宜選択して用いることができる。具体例としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース等のフィルムが挙げられる。
【００２７】
表面凹凸層３は、その形成物質としてバインダと微粒子３１を含むが、これら以外を含んでいてもよい。例えば、導電材料が金属微粒子の場合、メルカプト基、アミノ基、シアノ基等の金属親和性官能基を有する化合物を添加すると、前記コントラスト改善効果の若干の向上が認められる。バインダは表面凹凸層３の純水に対する接触角が９０度以下となるものであれば特に限定されるものではなく、有機系のものとしてはポリエステル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等、無機系のものとしてはケイ素、ジルコニウム、チタン等の金属アルコキシドの加水分解物が例として挙げられるが、特にケイ素アルコキシドの加水分解物が好適に用いられる。
【００２８】
表面凹凸層３の形成は、前記表面凹凸層３を形成する物質を含む塗布液を透明基材１上に均一に塗布して成膜する方法により行うことができる。塗布方法は特に限定されるものではなく、前記シリカ層形成と同様の方法で可能である。
【００２９】
微粒子３１は、必要な表面粗さを表面凹凸層に付与することが可能なものであれば特に限定されるものではなく、無機有機を問わず様々な微粒子を用いることが可能であり、具体例としては、Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｒ等の無機酸化物微粒子あるいはポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等の樹脂微粒子などが挙げられる。
透明な導電膜とする場合、表面凹凸層３の表面粗さは、平均表面粗さＲａが２ｎｍ以上かつ５００ｎｍ以下であることが好ましい。平均表面粗さＲａが２ｎｍ以下であると、前記コントラスト改善効果が得られず、５００ｎｍ以上であるとヘーズが発生し易くなり視認性を低下させる原因となるため好ましくない。
【００３０】
疎水性部分５は、表面凹凸層３に結合可能かつ表面凹凸層３に結合時の結合部分の表面の純水に対する接触角が９０度以上を示すものから形成される。疎水性部分５の形成成分としては、長鎖アルキル基あるいは長鎖フルオロアルキル基などの疎水性官能基と加水分解基、極性基あるいは不飽和結合などの表面凹凸層３と結合する官能基を有する種々の化合物が挙げられる。
【００３１】
疎水性部分５のパターン形状は、目的に応じて所望のパターンとすることができる。例えば、プリント配線板とする場合には、所望の配線パターンとなるように形成できる。また、透明導電膜とする場合には、疎水性部分５のパターン形状の面積占有率が、表面凹凸層３全体の面積に対して６０％以上であることが必要であり、かつ疎水性部分がパターン形成されていない部分の形状を線幅５μｍ以下好ましくは１μｍ以下のメッシュ状とすることが可能なものとすることが必要である。前記面積占有率が６０％以下であると、後述の［導電部形成工程］において遮光性の導電部分となる部分が大きすぎるため十分な透明性を確保できない。また、前記線幅が５μｍ以上であると十分は視認性が得られない。
【００３２】
疎水性部分５を形成する方法は、特に限定されるものではないが、マイクロコンタクト印刷等の印刷方法が好適に用いられる。疎水性部分のパターンが凸に形成されているシリコーン樹脂製スタンプを用い、前記表面凹凸層３上に前記疎水性部分形成成分を転写することが可能である。
【００３３】
［導電部形成工程］
導電部分６は、疎水性部分５がパターン形成された前記表面凹凸層３上に、導電材料６１とバインダおよび分散媒を含む塗布液を均一に塗布後、乾燥および熱処理を行うことで形成される。塗布方法は特に限定されるものではなく、前記シリカ層形成と同様の方法で可能である。また、バインダも特に限定されるものではなく、前記表面凹凸層３と同様の物質を用いることが可能である。
【００３４】
導電材料６１としては、金属微粒子、導電性酸化物微粒子、あるいはその両者を用いることが可能であるが、透明導電膜の導電性を重視する場合は金属微粒子、透明性を重視する場合は導電性酸化物微粒子を用いることが好ましい。
金属微粒子としてはＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるいはそれらの２種類以上の組み合わせまたは合金を用いることが可能であるが、特に導電性と透明性の観点からＡｇを主体とすることが好ましく、さらに色調や化学的安定性の観点からＡｕもしくはＰｄを含むことが特に好ましい。金属微粒子はＣａｒｅｙＬｅａが１８８９年に発表した方法（Ａｍ．Ｊ．Ｓｃｉ．，ｖｏｌ．３７，ｐｐ．４９１，１８８９）に代表される数多くの公知技術により比較的容易に製造可能である。例えばＰｄとＡｇの合金微粒子は、ＰｄとＡｇの硝酸塩水溶液をクエン酸等の分散安定剤の存在下において硫酸第一鉄等の還元剤で還元することで得られる。その他の金属微粒子についても、原理的には、分散安定剤の存在下で金属イオンを還元する方法により製造可能である。
【００３５】
導電性酸化物微粒子としては、酸化錫、アンチモン錫酸化物またはインジウム錫酸化物のいずれか、あるいはそれらの組み合わせを用いることが可能であるが、導電性の観点からインジウム錫酸化物が好ましい。本発明で用いるインジウム錫酸化物微粒子は、例えば、インジウムと錫の各塩化物水溶液とアルカリ水溶液とを反応させて共沈水酸化物を得、これを焼成する方法などの公知の方法で製造可能であるが、市販品としても一般に広く入手可能である。
透明導電膜とする場合、前記各種導電性微粒子の粒径は透明性の観点から一次粒径１００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることが特に好ましい。一次粒径が１００ｎｍ以上であると、透明性の低下のみならずヘーズが発生しやすくなり、視認性の悪化につながる。
【００３６】
熱処理の目的は、バインダの硬化と金属微粒子同士の融着による導電性の向上であるが、熱処理温度は各種フィルム基材の耐熱性の点から１５０℃以下が好ましく、特に１２０℃以下が好ましい。
また、導電性の向上を目的として、前記表面凹凸層に形成された導電部における導電性微粒子の表面にＡｕ，Ｐｄ等の貴金属を還元析出させることも可能である。貴金属の還元析出は貴金属イオンと水および必要に応じ還元剤を含む処理溶液で処理することでなされ、その結果、隣接する導電性微粒子同士が貴金属により架橋されることで導電性の向上がみられる。
【００３７】
【実施例】
以下、実施例により本発明を導電膜、透明導電膜に用いた例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって制限されるものではない。まず、各実施例および比較例に共通な各種溶液の調製方法および各種評価方法について示す。
【００３８】
［Ａｇ微粒子分散液の調製］
硫酸第一鉄７水和物１１ｇ、クエン酸ナトリウム２水和物１２．８ｇ、水酸化ナトリウム０．５ｇを蒸留水に溶解させた溶液５３ｇに、硝酸銀２ｇを蒸留水に溶解させた溶液２０ｇを加え、コロイド状銀微粒子を生成させた。生成した銀微粒子を遠心分離により回収し、硝酸アンモニウム水溶液で洗浄し不純物を除去した後、蒸留水に再分散させ、Ａｇ微粒子分散液（Ａｇ濃度＝４重量％）を得た。ＴＥＭ観察の結果、平均粒径が約７ｎｍであることが確認された。
［導電部形成用塗布液の調製］
テトラエトキシシラン１０．４ｇに１Ｎ塩酸６．８ｇを添加し加水分解を行った後、エタノールを添加し、濃度がシリカ換算で４重量％のバインダ溶液を調製した。このバインダ溶液に前記調製したＡｇ微粒子分散液を、Ａｇ：バインダ中のシリカ＝９５：５の重量比となるよう添加し、導電部形成用塗布液を調製した。
［表面凹凸層形成用塗布液の調製］
テトラエトキシシラン５．２１ｇに、０．１Ｎ塩酸３．３８ｇを添加し加水分解を行った後、エタノールを添加し濃度がシリカ換算で４重量％のバインダ溶液を調製した。このバインダ溶液にエタノールおよびコロイダルシリカ（平均粒径３０ｎｍ）をコロイダルシリカ：バインダ中のシリカ＝６０：４０の重量比かつシリカ換算の固形分濃度が４重量％となるよう添加し、表面凹凸層形成用塗布液を調製した。
［ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）スタンプ形成］
公知の手法を用い、疎水性部分非形成部のパターンが凹に形成されているシリコーン樹脂製スタンプを形成した。実施例１、比較例１では幅1μｍ、長さ５ｃｍの細線状の凹パターンとし、実施例２、３、比較例２、３では格子状の凹パターンとした。なお、格子状凹パターン形状は、線幅を１μｍかつ全体に対する面積占有率を１５％とした。
【００３９】
［透明導電膜の評価］
（表面抵抗率）
三菱化学（株）製ロレスタＡＰ（ＭＣＰ−Ｔ４００）を用い４端針法にて測定を行った。
（透過率）
（株）村上色彩技術研究所製反射・透過率計（ＨＲ−１００）を用い測定を行った。
各実施例および比較例の評価結果は全て表１に示した。
【００４０】
＜実施例１＞
（表面凹凸層の形成）
前記表面凹凸層形成用塗布液をスピンコータでガラス基材上に塗布乾燥後、１００℃で１分間の熱処理を行い硬化させ表面凹凸層を形成した。平均表面粗さＲａをＡＦＭを利用し計測すると、Ｒａ＝５ｎｍであった。また、純水に対する接触角は１０度であった。
（疎水性部分のパターン形成）
１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリクロロシランの０．２％ヘキサン溶液を塗布した前記ＰＤＭＳスタンプを、前記表面凹凸層が形成されたガラス基材の前記表面凹凸層が形成された面に数秒間押しつけ、疎水性部分をパターン形成した。表面凹凸層上で疎水性パターンが形成された部分の純水に対する接触角は１３１゜であった。
（導電部分の形成）
前記導電部形成用塗布液をスピンコータを用い前記疎水性部分がパターン形成されたガラス基材に上に塗布乾燥後１５０℃で１０分間の熱処理を行い、導電部分が細線状にパターン形成された導電膜を得、実施例１の導電膜とした。
【００４１】
＜実施例２＞
（表面凹凸層の形成）
実施例１と同様に表面凹凸層を形成した。
（疎水性部分のパターン形成）
実施例１と同様に疎水性部分をパターン形成した。なお、ＰＤＭＳスタンプはメッシュ状の凹パターンのものを用い、疎水性部分のパターン形状をメッシュの逆パターンにした。
（導電部分の形成）
実施例1と同様に導電部分がメッシュ状にパターン形成されたを得、実施例２の透明な導電膜とした。
【００４２】
＜実施例３＞
（表面凹凸層の形成）
実施例１と同様に表面凹凸層を形成した。
（疎水性部分のパターン形成）
実施例１と同様に疎水性部分をパターン形成した。
（導電部分の形成）
前記導電部形成用塗布液のＡｇ微粒子分散液において、Ａｇ微粒子分散液をＩＴＯ微粒子分散液に置き換え、かつＩＴＯ微粒子：バインダ中のシリカ＝８０：２０の重量比とした導電部形成用塗布液を用いた以外は全て実施例２と同様の操作を行い、導電部分がメッシュ状にパターン形成された透明導電膜を得、実施例３の透明導電膜とした。
【００４３】
＜比較例１＞
（表面凹凸層の形成）
前記表面凹凸層形成用塗布液のコロイダルシリカ添加量をコロイダルシリカ：バインダ中のシリカ＝１０：９０の重量比とした以外は全て実施例１と同様に表面凹凸層を形成した。平均表面粗さＲａをＡＦＭを利用し計測すると、Ｒａ＝０．８ｎｍであった。また、純水に対する接触角は６０度であった。
（疎水性部分のパターン形成）
表面凹凸層として前記のものを用いた以外は全て実施例１と同様に疎水性部分をパターン形成した。表面凹凸層上で疎水性パターンが形成された部分の純水に対する接触角は１１１゜であった。
（導電部分の形成）
疎水性パターンが形成された表面凹凸層として前記のものを用いた以外は全て実施例１と同様の操作を行い、導電部分が細線状にパターン形成された導電膜を得、比較例１の透明導電膜とした。
【００４４】
＜比較例２＞
（表面凹凸層の形成）
比較例１と同様に表面凹凸層を形成した。
（疎水性部分のパターン形成）
比較例１と同様に疎水性部分をパターン形成した。なお、ＰＤＭＳスタンプはメッシュ状の凹パターンのものを用い、疎水性部分のパターン形状をメッシュの逆パターンにした。
（導電部分の形成）
比較例1と同様に導電部分がメッシュ状にパターン形成されたを得、比較例２の透明な導電膜とした。
【００４５】
＜比較例３＞
（表面凹凸層の形成）
比較例１と同様に表面凹凸層を形成した。
（疎水性部分のパターン形成）
比較例１と同様に疎水性部分をパターン形成した。
（導電部分の形成）
導電部形成用塗布液としてを実施例３のものを用いた以外は全て比較例２と同様の操作を行い、導電部分がメッシュ状にパターン形成された透明導電膜を得、比較例３の透明導電膜とした。。
【００４６】
【表１】

【００４７】
［評価結果］
表１に示された結果から明らかなように、本発明で得られた透明導電膜は、導電性と視認性が良好でありかつ透明性に優れている。
【００４８】
【発明の効果】
本発明の透明導電膜は、疎水性部分がパターン形成された表面凹凸層上に導電材料を含む塗布液を塗布することにより、低温プロセスで、高い導電性を示す導電膜とすることができる。また、導電部分を、導電材料の微細なメッシュ状構造体とすることにより、メッシュ状構造体の導電部分と開口部分がコントラスト良く形成されているため、高い透明性を示しかつ視認性に優れている導電膜とすることができる。
【００４９】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の透明導電膜の一例を表す断面図である。
【符号の説明】
１基材
２導電膜
３表面凹凸層
３１微粒子
４導電層
５疎水性部分
６導電部分
６１導電材料

Claims

少なくとも基材上に導電層を有する導電膜であって、該導電層が平均表面粗さＲａが２ｎｍ以上５００ｎｍ以下である表面凹凸層を含み、かつ該表面凹凸層の片面にパターニングされた疎水性部分を具備し、かつ該疎水性部分が形成されていない部分に導電部分が形成されてなることを特徴とする導電膜。
前記表面凹凸層の疎水性部分が形成されている部分の純水に対する接触角が９０度以上、疎水性部分が形成されていない部分の純水に対する接触角が９０度未満であることを特徴とする請求項１記載の導電膜。
前記表面凹凸層がバインダと微粒子を含み、かつ微粒子が該表面凹凸層の表面から突出していることを特徴とする請求項１または２に記載の導電膜。
前記導電部分が導電材料を含み、かつ該導電材料が、平均粒径が１００ｎｍ以下の金属微粒子および／または導電性酸化物微粒子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の導電膜。
前記金属微粒子がＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるいはそれらの２種類以上の組み合わせまたは合金であることを特徴とする請求項４記載の導電膜。
前記導電性酸化物微粒子が酸化錫、アンチモン錫酸化物またはインジウム錫酸化物から選択された一種類以上を含むことを特徴とする請求項４または５記載の導電膜。
前記疎水性部分がパターン形成されていない部分の形状が線幅５μｍ以下の網目状であり、かつ該疎水性部分の面積が前記表面凹凸層全体の面積に対して６０％以上であり、かつ膜全体の可視光域の光線透過率が５０％以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の導電膜。
少なくとも基材上に平均表面粗さＲａが２ｎｍ以上５００ｎｍ以下である表面凹凸層を形成する工程、表面凹凸層上に疎水性部分をパターン形成する工程、さらに導電材料を含む塗布液を塗布する工程を有することを特徴とする導電膜の製造方法。
前記表面凹凸層の疎水性部分が形成されている部分の純水に対する接触角が９０度以上、疎水性部分が形成されていない部分の純水に対する接触角が９０度未満であることを特徴とする請求項８記載の導電膜の製造方法。
前記表面凹凸層がバインダと微粒子を含み、かつ微粒子が該表面凹凸層の表面から突出していることを特徴とする請求項８または９に記載の導電膜の製造方法。
前記導電材料が平均粒径が１００ｎｍ以下の金属微粒子および／または導電性酸化物微粒子であることを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
前記金属微粒子がＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるいはそれらの２種類以上の組み合わせまたは合金であることを特徴とする請求項１１記載の導電膜の製造方法。
前記導電性酸化物微粒子が酸化錫、アンチモン錫酸化物またはインジウム錫酸化物から選択された一種類以上を含むことを特徴とする請求項１１または１２記載の導電膜の製造方法。
前記表面凹凸層の疎水性部分が形成されていない部分の形状が、線幅５μｍ以下の網目状であり、かつ該疎水性部分の面積が前記表面凹凸層全体の面積に対して６０％以上であることを特徴とする請求項８〜１３のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
前記疎水性部分をマイクロコンタクト印刷法で形成することを特徴とする請求項８〜１４のいずれかに記載の導電膜の製造方法。