JP2003151364A

JP2003151364A - 導電膜および導電膜の製造方法

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Publication number: JP2003151364A
Application number: JP2002060117A
Authority: JP
Inventors: Toru Okubo; 透大久保; Hisamitsu Kameshima; 久光亀島
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2001-08-31
Filing date: 2002-03-06
Publication date: 2003-05-23
Anticipated expiration: 2022-03-06
Also published as: JP3879540B2

Abstract

(57)【要約】【課題】細い線幅で高い導電性を示す導電膜およびその
製造方法を提供することを課題とする。また、微細なパ
ターン形状を有する導電膜およびその製造方法を提供す
ることを課題とする。さらには、高い透明性を有しかつ
視認性に優れた透明な導電膜およびその製造方法を提供
することを課題とする。【解決手段】少なくとも基材上にと導電層を有する導
電膜であって、該導電層が表面凹凸層を含み、かつ該表
面凹凸層の片面にパターニングされた疎水性部分を具備
し、かつ該疎水性部分が形成されていない部分に導電部
分が形成されてなることを特徴とする導電膜及びその製
造方法を提供するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電膜及びその製
造方法に関するものである。特にＥＬ，ＰＤＰ，ＬＣ
Ｄ，ＣＲＴ等の各種表示装置の電磁波遮蔽膜および透明
電極、あるいは太陽電池の透明電極として有用な透明な
導電膜およびその製造方法に関する。さらには、高い導
電性と透明性を示しかつ視認性に優れた透明導電膜およ
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、高透明性かつ高導電性を有する透
明導電膜として、金属ワイヤーやカーボンワイヤーで形
成されたメッシュ状の導電性構造体を透明基材の表面に
設け、透明性と導電性を高いレベルで両立させる試みが
なされてきたが、メッシュ状構造体の線幅を小さくする
には限界がありワイヤーが目視できてしまうため、上記
各種表示装置に用いられた場合、著しい視認性の低下は
避けられなかった。これに対し、金属微粒子を含む塗布
液をメッシュ状にパターン塗布し熱処理することで、よ
り微細なメッシュ状構造体を形成する試みがなされてき
ている。しかしながら、前記各種用途に十分な導電性を
確保しようとした場合、前記塗布液の塗布量が大きくな
る結果、遮光性の金属微粒子がメッシュの開口部にまで
及んでしまうため、透明性および視認性の悪化が問題と
なっている。

【０００３】また、プリント配線体などのパターニング
された導電膜では、導電性の塗布液と基材とのぬれ特性
のために、十分な導電性を出そうとすると線幅が太くな
ってしまい、線幅を細くすると十分な導電性を確保する
ことは困難であった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おける上記問題点を鑑みてなされたものであり、細い線
幅で高い導電性を示す導電膜およびその製造方法を提供
することを課題とする。また、微細なパターン形状を有
する導電膜およびその製造方法を提供することを課題と
する。さらには、高い透明性を有しかつ視認性に優れた
透明な導電膜およびその製造方法を提供することを課題
とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
少なくとも基材上にと導電層を有する導電膜であって、
該導電層が表面凹凸層を含み、かつ該表面凹凸層の片面
にパターニングされた疎水性部分を具備し、かつ該疎水
性部分が形成されていない部分に導電部分が形成されて
なることを特徴とする導電膜である。

【０００６】請求項２記載の発明は、前記表面凹凸層の
疎水性部分が形成されている部分の純水に対する接触角
が９０度以上、疎水性部分が形成されていない部分の純
水に対する接触角が９０度未満であることを特徴とする
請求項１記載の導電膜である。

【０００７】請求項３記載の発明は、前記表面凹凸層の
平均表面粗さＲａが２ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の導電膜である。

【０００８】請求項４記載の発明は、前記表面凹凸層が
バインダと微粒子を含み、かつ微粒子が該表面凹凸層の
表面から突出していることを特徴とする請求項１〜３の
いずれかに記載の導電膜である。

【０００９】請求項５記載の発明は、前記導電部分が導
電材料を含み、かつ該導電材料が、平均粒径が１００ｎ
ｍ以下の金属微粒子および／または導電性酸化物微粒子
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載
の導電膜である。

【００１０】請求項６記載の発明は、前記金属微粒子が
Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、ある
いはそれらの２種類以上の組み合わせまたは合金である
ことを特徴とする請求項５記載の導電膜である。

【００１１】請求項７記載の発明は、前記導電性酸化物
微粒子が酸化錫、アンチモン錫酸化物またはインジウム
錫酸化物から選択された一種類以上を含むことを特徴と
する請求項５または６記載の導電膜である。

【００１２】請求項８記載の発明は、前記疎水性部分が
パターン形成されていない部分の形状が線幅５μｍ以下
の網目状であり、かつ該疎水性部分の面積が前記表面凹
凸層全体の面積に対して６０％以上であり、かつ膜全体
可視光域の光線透過率が５０％以上であることを特徴と
する請求項１〜７のいずれかに記載の導電膜である。

【００１３】請求項９記載の発明は、基材上に表面凹凸
層を形成する工程、表面凹凸層上に疎水性部分をパター
ン形成する工程、さらに導電材料を含む塗布液を塗布す
る工程を有することを特徴とする導電膜の製造方法であ
る。

【００１４】請求項１０記載の発明は、前記表面凹凸層
の疎水性部分が形成されている部分の純水に対する接触
角が９０度以上、疎水性部分が形成されていない部分の
純水に対する接触角が９０度未満であることを特徴とす
る請求項９記載の導電膜の製造方法である。

【００１５】請求項１１記載の発明は、前記表面凹凸層
の平均表面粗さＲａが２ｎｍ以上５００ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項９または１０記載の導電膜の製
造方法である。

【００１６】請求項１２記載の発明は、前記表面凹凸層
がバインダと微粒子を含み、かつ微粒子が該表面凹凸層
の表面から突出していることを特徴とする請求項９〜１
１のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。

【００１７】請求項１３記載の発明は、前記導電材料が
平均粒径が１００ｎｍ以下の金属微粒子および／または
導電性酸化物微粒子であることを特徴とする請求項９〜
１２のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。

【００１８】請求項１４記載の発明は、前記金属微粒子
がＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あ
るいはそれらの２種類以上の組み合わせまたは合金であ
ることを特徴とする請求項１３記載の導電膜の製造方法
である。

【００１９】請求項１５記載の発明は、前記導電性酸化
物微粒子が酸化錫、アンチモン錫酸化物またはインジウ
ム錫酸化物から選択された一種類以上を含むことを特徴
とする請求項１３または１４記載の導電膜の製造方法で
ある。

【００２０】請求項１６記載の発明は、前記表面凹凸層
の疎水性部分が形成されていない部分の形状が、線幅５
μｍ以下の網目状であり、かつ該疎水性部分の面積が前
記表面凹凸層全体の面積に対して６０％以上であること
を特徴とする請求項９〜１５のいずれかに記載の導電膜
の製造方法である。

【００２１】請求項１７記載の発明は、前記疎水性部分
をマイクロコンタクト印刷法で形成することを特徴とす
る請求項９〜１６のいずれかに記載の導電膜の製造方法
である。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明者らは鋭意検討の結果、導
電膜を後述の図１に代表される構成とすることで、細く
かつ十分な導電性を有する導電パターンを形成できるこ
とを見いだした。また、導電パターンを網目状とするこ
とで、導電部と開口部をコントラスト良く形成すること
が可能となり、従来より透明性と視認性が優れた導電膜
が得られることを見いだした。

【００２３】本実施形態における導電膜２は基材１と導
電層４を含み、導電層４は片面に疎水性部分５がパター
ン形成された表面凹凸層３を含む。また、表面凹凸層３
はバインダと微粒子３１を含み、かつ微粒子３１は表面
凹凸層３の表面から突出している。また、表面凹凸層３
の疎水性部分５が形成された面における疎水性部分５が
形成されていない部分に、導電材料６１を含む塗布液を
塗布する操作を含む工程により形成された導電部分６が
形成されている。透明導電膜２の製造方法は、疎水性部
分５が片面にパターン形成された表面凹凸層３を形成す
る「疎水パターン形成表面凹凸層形成工程」、およびそ
れに引き続く、表面凹凸層３の疎水性部分５がパターン
形成された面に、導電材料６１を少なくとも含む塗布液
を塗布する操作を含む方法で、疎水性部分５が形成され
ていない部分に導電部分６を形成する［導電部形成工
程］を含む。以下に各工程別に詳細な説明を行う。

【００２４】「疎水パターン形成表面凹凸層形成工程」
疎水パターン形成表面凹凸層は、透明基材１に形成した
表面凹凸層３上に疎水性部分５をパターン形成すること
で形成される。

【００２５】導電膜２は基材１と導電層４を含むが、必
要に応じこれら以外の機能層を設けることも可能であ
る。例として、機械強度付与を目的としたハードコート
層、あるいは低反射性付与を目的とした単層または多層
構成の反射防止層など挙げられるが、特に、機械強度と
低反射性を同時に付与できるものとして、表面硬度が高
く屈折率の比較的小さいシリカ層が好適に用いられる。
シリカ層の形成は、例えば各種アルコキシシランの加水
分解物を含む塗布液を、導電層４上に均一に塗布して成
膜する方法により行うことができる。シリカ層の塗布形
成方法は特に限定されるものではなく、スピンコート、
ナイフコート、スプレーコート、ディップコート等の公
知の塗布技術を用いることが可能である。塗布後は塗膜
を乾燥し、好ましくは焼き付け処理を行うことにより強
固な膜が形成される。

【００２６】基材１は、特に限定されるものではない
が、透明導電膜とする場合、透明な基材を用いると良
い。各種ガラス基材をはじめ適当な機械的剛性をもつ公
知のプラスチックフィルムもしくはシートの中から適宜
選択して用いることができる。具体例としては、ポリエ
ステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、トリアセチル
セルロース、ジアセチルセルロース等のフィルムが挙げ
られる。

【００２７】表面凹凸層３は、その形成物質としてバイ
ンダと微粒子３１を含むが、これら以外を含んでいても
よい。例えば、導電材料が金属微粒子の場合、メルカプ
ト基、アミノ基、シアノ基等の金属親和性官能基を有す
る化合物を添加すると、前記コントラスト改善効果の若
干の向上が認められる。バインダは表面凹凸層３の純水
に対する接触角が９０度以下となるものであれば特に限
定されるものではなく、有機系のものとしてはポリエス
テル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂
等、無機系のものとしてはケイ素、ジルコニウム、チタ
ン等の金属アルコキシドの加水分解物が例として挙げら
れるが、特にケイ素アルコキシドの加水分解物が好適に
用いられる。

【００２８】表面凹凸層３の形成は、前記表面凹凸層３
を形成する物質を含む塗布液を透明基材１上に均一に塗
布して成膜する方法により行うことができる。塗布方法
は特に限定されるものではなく、前記シリカ層形成と同
様の方法で可能である。

【００２９】微粒子３１は、必要な表面粗さを表面凹凸
層に付与することが可能なものであれば特に限定される
ものではなく、無機有機を問わず様々な微粒子を用いる
ことが可能であり、具体例としては、Ｓｉ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｚｒ等の無機酸化物微粒子あるいはポリメタクリル
酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等の樹脂
微粒子などが挙げられる。透明な導電膜とする場合、表
面凹凸層３の表面粗さは、平均表面粗さＲａが２ｎｍ以
上かつ５００ｎｍ以下であることが好ましい。平均表面
粗さＲａが２ｎｍ以下であると、前記コントラスト改善
効果が得られず、５００ｎｍ以上であるとヘーズが発生
し易くなり視認性を低下させる原因となるため好ましく
ない。

【００３０】疎水性部分５は、表面凹凸層３に結合可能
かつ表面凹凸層３に結合時の結合部分の表面の純水に対
する接触角が９０度以上を示すものから形成される。疎
水性部分５の形成成分としては、長鎖アルキル基あるい
は長鎖フルオロアルキル基などの疎水性官能基と加水分
解基、極性基あるいは不飽和結合などの表面凹凸層３と
結合する官能基を有する種々の化合物が挙げられる。

【００３１】疎水性部分５のパターン形状は、目的に応
じて所望のパターンとすることができる。例えば、プリ
ント配線板とする場合には、所望の配線パターンとなる
ように形成できる。また、透明導電膜とする場合には、
疎水性部分５のパターン形状の面積占有率が、表面凹凸
層３全体の面積に対して６０％以上であることが必要で
あり、かつ疎水性部分がパターン形成されていない部分
の形状を線幅５μｍ以下好ましくは１μｍ以下のメッシ
ュ状とすることが可能なものとすることが必要である。
前記面積占有率が６０％以下であると、後述の［導電部
形成工程］において遮光性の導電部分となる部分が大き
すぎるため十分な透明性を確保できない。また、前記線
幅が５μｍ以上であると十分は視認性が得られない。

【００３２】疎水性部分５を形成する方法は、特に限定
されるものではないが、マイクロコンタクト印刷等の印
刷方法が好適に用いられる。疎水性部分のパターンが凸
に形成されているシリコーン樹脂製スタンプを用い、前
記表面凹凸層３上に前記疎水性部分形成成分を転写する
ことが可能である。

【００３３】［導電部形成工程］導電部分６は、疎水性
部分５がパターン形成された前記表面凹凸層３上に、導
電材料６１とバインダおよび分散媒を含む塗布液を均一
に塗布後、乾燥および熱処理を行うことで形成される。
塗布方法は特に限定されるものではなく、前記シリカ層
形成と同様の方法で可能である。また、バインダも特に
限定されるものではなく、前記表面凹凸層３と同様の物
質を用いることが可能である。

【００３４】導電材料６１としては、金属微粒子、導電
性酸化物微粒子、あるいはその両者を用いることが可能
であるが、透明導電膜の導電性を重視する場合は金属微
粒子、透明性を重視する場合は導電性酸化物微粒子を用
いることが好ましい。金属微粒子としてはＡｇ，Ａｌ，
Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるいはそれらの
２種類以上の組み合わせまたは合金を用いることが可能
であるが、特に導電性と透明性の観点からＡｇを主体と
することが好ましく、さらに色調や化学的安定性の観点
からＡｕもしくはＰｄを含むことが特に好ましい。金属
微粒子はＣａｒｅｙＬｅａが１８８９年に発表した方法
（Ａｍ．Ｊ．Ｓｃｉ．，ｖｏｌ．３７，ｐｐ．４９１，
１８８９）に代表される数多くの公知技術により比較的
容易に製造可能である。例えばＰｄとＡｇの合金微粒子
は、ＰｄとＡｇの硝酸塩水溶液をクエン酸等の分散安定
剤の存在下において硫酸第一鉄等の還元剤で還元するこ
とで得られる。その他の金属微粒子についても、原理的
には、分散安定剤の存在下で金属イオンを還元する方法
により製造可能である。

【００３５】導電性酸化物微粒子としては、酸化錫、ア
ンチモン錫酸化物またはインジウム錫酸化物のいずれ
か、あるいはそれらの組み合わせを用いることが可能で
あるが、導電性の観点からインジウム錫酸化物が好まし
い。本発明で用いるインジウム錫酸化物微粒子は、例え
ば、インジウムと錫の各塩化物水溶液とアルカリ水溶液
とを反応させて共沈水酸化物を得、これを焼成する方法
などの公知の方法で製造可能であるが、市販品としても
一般に広く入手可能である。透明導電膜とする場合、前
記各種導電性微粒子の粒径は透明性の観点から一次粒径
１００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下で
あることが特に好ましい。一次粒径が１００ｎｍ以上で
あると、透明性の低下のみならずヘーズが発生しやすく
なり、視認性の悪化につながる。

【００３６】熱処理の目的は、バインダの硬化と金属微
粒子同士の融着による導電性の向上であるが、熱処理温
度は各種フィルム基材の耐熱性の点から１５０℃以下が
好ましく、特に１２０℃以下が好ましい。また、導電性
の向上を目的として、前記表面凹凸層に形成された導電
部における導電性微粒子の表面にＡｕ，Ｐｄ等の貴金属
を還元析出させることも可能である。貴金属の還元析出
は貴金属イオンと水および必要に応じ還元剤を含む処理
溶液で処理することでなされ、その結果、隣接する導電
性微粒子同士が貴金属により架橋されることで導電性の
向上がみられる。

【００３７】

【実施例】以下、実施例により本発明を導電膜、透明導
電膜に用いた例により具体的に説明するが、本発明はこ
れらの実施例によって制限されるものではない。まず、
各実施例および比較例に共通な各種溶液の調製方法およ
び各種評価方法について示す。

【００３８】［Ａｇ微粒子分散液の調製］硫酸第一鉄７
水和物１１ｇ、クエン酸ナトリウム２水和物１２．８
ｇ、水酸化ナトリウム０．５ｇを蒸留水に溶解させた溶
液５３ｇに、硝酸銀２ｇを蒸留水に溶解させた溶液２０
ｇを加え、コロイド状銀微粒子を生成させた。生成した
銀微粒子を遠心分離により回収し、硝酸アンモニウム水
溶液で洗浄し不純物を除去した後、蒸留水に再分散さ
せ、Ａｇ微粒子分散液（Ａｇ濃度＝４重量％）を得た。
ＴＥＭ観察の結果、平均粒径が約７ｎｍであることが確
認された。［導電部形成用塗布液の調製］テトラエトキシシラン１
０．４ｇに１Ｎ塩酸６．８ｇを添加し加水分解を行った
後、エタノールを添加し、濃度がシリカ換算で４重量％
のバインダ溶液を調製した。このバインダ溶液に前記調
製したＡｇ微粒子分散液を、Ａｇ：バインダ中のシリカ
＝９５：５の重量比となるよう添加し、導電部形成用塗
布液を調製した。［表面凹凸層形成用塗布液の調製］テトラエトキシシラ
ン５．２１ｇに、０．１Ｎ塩酸３．３８ｇを添加し加水
分解を行った後、エタノールを添加し濃度がシリカ換算
で４重量％のバインダ溶液を調製した。このバインダ溶
液にエタノールおよびコロイダルシリカ（平均粒径３０
ｎｍ）をコロイダルシリカ：バインダ中のシリカ＝６
０：４０の重量比かつシリカ換算の固形分濃度が４重量
％となるよう添加し、表面凹凸層形成用塗布液を調製し
た。［ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）スタンプ形成］
公知の手法を用い、疎水性部分非形成部のパターンが凹
に形成されているシリコーン樹脂製スタンプを形成し
た。実施例１、比較例１では幅1μｍ、長さ５ｃｍの細
線状の凹パターンとし、実施例２、３、比較例２、３で
は格子状の凹パターンとした。なお、格子状凹パターン
形状は、線幅を１μｍかつ全体に対する面積占有率を１
５％とした。

【００３９】［透明導電膜の評価］（表面抵抗率）三菱化学（株）製ロレスタＡＰ（ＭＣ
Ｐ−Ｔ４００）を用い４端針法にて測定を行った。（透過率）（株）村上色彩技術研究所製反射・透過率
計（ＨＲ−１００）を用い測定を行った。各実施例およ
び比較例の評価結果は全て表１に示した。

【００４０】＜実施例１＞（表面凹凸層の形成）前記表面凹凸層形成用塗布液をス
ピンコータでガラス基材上に塗布乾燥後、１００℃で１
分間の熱処理を行い硬化させ表面凹凸層を形成した。平
均表面粗さＲａをＡＦＭを利用し計測すると、Ｒａ＝５
ｎｍであった。また、純水に対する接触角は１０度であ
った。（疎水性部分のパターン形成）１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ
−パーフルオロオクチルトリクロロシランの０．２％ヘ
キサン溶液を塗布した前記ＰＤＭＳスタンプを、前記表
面凹凸層が形成されたガラス基材の前記表面凹凸層が形
成された面に数秒間押しつけ、疎水性部分をパターン形
成した。表面凹凸層上で疎水性パターンが形成された部
分の純水に対する接触角は１３１゜であった。（導電部分の形成）前記導電部形成用塗布液をスピンコ
ータを用い前記疎水性部分がパターン形成されたガラス
基材に上に塗布乾燥後１５０℃で１０分間の熱処理を行
い、導電部分が細線状にパターン形成された導電膜を
得、実施例１の導電膜とした。

【００４１】＜実施例２＞（表面凹凸層の形成）実施例１と同様に表面凹凸層を形
成した。（疎水性部分のパターン形成）実施例１と同様に疎水性
部分をパターン形成した。なお、ＰＤＭＳスタンプはメ
ッシュ状の凹パターンのものを用い、疎水性部分のパタ
ーン形状をメッシュの逆パターンにした。（導電部分の形成）実施例1と同様に導電部分がメッシ
ュ状にパターン形成されたを得、実施例２の透明な導電
膜とした。

【００４２】＜実施例３＞（表面凹凸層の形成）実施例１と同様に表面凹凸層を形
成した。（疎水性部分のパターン形成）実施例１と同様に疎水性
部分をパターン形成した。（導電部分の形成）前記導電部形成用塗布液のＡｇ微粒
子分散液において、Ａｇ微粒子分散液をＩＴＯ微粒子分
散液に置き換え、かつＩＴＯ微粒子：バインダ中のシリ
カ＝８０：２０の重量比とした導電部形成用塗布液を用
いた以外は全て実施例２と同様の操作を行い、導電部分
がメッシュ状にパターン形成された透明導電膜を得、実
施例３の透明導電膜とした。

【００４３】＜比較例１＞（表面凹凸層の形成）前記表面凹凸層形成用塗布液のコ
ロイダルシリカ添加量をコロイダルシリカ：バインダ中
のシリカ＝１０：９０の重量比とした以外は全て実施例
１と同様に表面凹凸層を形成した。平均表面粗さＲａを
ＡＦＭを利用し計測すると、Ｒａ＝０．８ｎｍであっ
た。また、純水に対する接触角は６０度であった。（疎水性部分のパターン形成）表面凹凸層として前記の
ものを用いた以外は全て実施例１と同様に疎水性部分を
パターン形成した。表面凹凸層上で疎水性パターンが形
成された部分の純水に対する接触角は１１１゜であっ
た。（導電部分の形成）疎水性パターンが形成された表面凹
凸層として前記のものを用いた以外は全て実施例１と同
様の操作を行い、導電部分が細線状にパターン形成され
た導電膜を得、比較例１の透明導電膜とした。

【００４４】＜比較例２＞（表面凹凸層の形成）比較例１と同様に表面凹凸層を形
成した。（疎水性部分のパターン形成）比較例１と同様に疎水性
部分をパターン形成した。なお、ＰＤＭＳスタンプはメ
ッシュ状の凹パターンのものを用い、疎水性部分のパタ
ーン形状をメッシュの逆パターンにした。（導電部分の形成）比較例1と同様に導電部分がメッシ
ュ状にパターン形成されたを得、比較例２の透明な導電
膜とした。

【００４５】＜比較例３＞（表面凹凸層の形成）比較例１と同様に表面凹凸層を形
成した。（疎水性部分のパターン形成）比較例１と同様に疎水性
部分をパターン形成した。（導電部分の形成）導電部形成用塗布液としてを実施例
３のものを用いた以外は全て比較例２と同様の操作を行
い、導電部分がメッシュ状にパターン形成された透明導
電膜を得、比較例３の透明導電膜とした。。

【００４６】

【表１】

【００４７】［評価結果］表１に示された結果から明ら
かなように、本発明で得られた透明導電膜は、導電性と
視認性が良好でありかつ透明性に優れている。

【００４８】

【発明の効果】本発明の透明導電膜は、疎水性部分がパ
ターン形成された表面凹凸層上に導電材料を含む塗布液
を塗布することにより、低温プロセスで、高い導電性を
示す導電膜とすることができる。また、導電部分を、導
電材料の微細なメッシュ状構造体とすることにより、メ
ッシュ状構造体の導電部分と開口部分がコントラスト良
く形成されているため、高い透明性を示しかつ視認性に
優れている導電膜とすることができる。

【００４９】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透明導電膜の一例を表す断面図であ
る。

【符号の説明】１基材２導電膜３表面凹凸層３１微粒子４導電層５疎水性部分６導電部分６１導電材料

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも基材上にと導電層を有する導電
膜であって、該導電層が表面凹凸層を含み、かつ該表面
凹凸層の片面にパターニングされた疎水性部分を具備
し、かつ該疎水性部分が形成されていない部分に導電部
分が形成されてなることを特徴とする導電膜。
【請求項２】前記表面凹凸層の疎水性部分が形成されて
いる部分の純水に対する接触角が９０度以上、疎水性部
分が形成されていない部分の純水に対する接触角が９０
度未満であることを特徴とする請求項１記載の導電膜。
【請求項３】前記表面凹凸層の平均表面粗さＲａが２ｎ
ｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１
または２記載の導電膜。
【請求項４】前記表面凹凸層がバインダと微粒子を含
み、かつ微粒子が該表面凹凸層の表面から突出している
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の導電
膜。
【請求項５】前記導電部分が導電材料を含み、かつ該導
電材料が、平均粒径が１００ｎｍ以下の金属微粒子およ
び／または導電性酸化物微粒子であることを特徴とする
請求項１〜４のいずれかに記載の導電膜。
【請求項６】前記金属微粒子がＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるいはそれらの２種類以
上の組み合わせまたは合金であることを特徴とする請求
項５記載の導電膜。
【請求項７】前記導電性酸化物微粒子が酸化錫、アンチ
モン錫酸化物またはインジウム錫酸化物から選択された
一種類以上を含むことを特徴とする請求項５または６記
載の導電膜。
【請求項８】前記疎水性部分がパターン形成されていな
い部分の形状が線幅５μｍ以下の網目状であり、かつ該
疎水性部分の面積が前記表面凹凸層全体の面積に対して
６０％以上であり、かつ膜全体の可視光域の光線透過率
が５０％以上であることを特徴とする請求項１〜７のい
ずれかに記載の導電膜。
【請求項９】少なくとも基材上に表面凹凸層を形成する
工程、表面凹凸層上に疎水性部分をパターン形成する工
程、さらに導電材料を含む塗布液を塗布する工程を有す
ることを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項１０】前記表面凹凸層の疎水性部分が形成され
ている部分の純水に対する接触角が９０度以上、疎水性
部分が形成されていない部分の純水に対する接触角が９
０度未満であることを特徴とする請求項９記載の導電膜
の製造方法。
【請求項１１】前記表面凹凸層の平均表面粗さＲａが２
ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項
９または１０記載の導電膜の製造方法。
【請求項１２】前記表面凹凸層がバインダと微粒子を含
み、かつ微粒子が該表面凹凸層の表面から突出している
ことを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の導
電膜の製造方法。
【請求項１３】前記導電材料が平均粒径が１００ｎｍ以
下の金属微粒子および／または導電性酸化物微粒子であ
ることを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の
導電膜の製造方法。
【請求項１４】前記金属微粒子がＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるいはそれらの２種類以
上の組み合わせまたは合金であることを特徴とする請求
項１３記載の導電膜の製造方法。
【請求項１５】前記導電性酸化物微粒子が酸化錫、アン
チモン錫酸化物またはインジウム錫酸化物から選択され
た一種類以上を含むことを特徴とする請求項１３または
１４記載の導電膜の製造方法。
【請求項１６】前記表面凹凸層の疎水性部分が形成され
ていない部分の形状が、線幅５μｍ以下の網目状であ
り、かつ該疎水性部分の面積が前記表面凹凸層全体の面
積に対して６０％以上であることを特徴とする請求項９
〜１５のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項１７】前記疎水性部分をマイクロコンタクト印
刷法で形成することを特徴とする請求項９〜１６のいず
れかに記載の導電膜の製造方法。