JP5611602B2 - サブミリメートルの格子を製造するためにサブミリメートルの開口部を有するマスクを製造するためのプロセス、およびサブミリメートルの格子 - Google Patents

サブミリメートルの格子を製造するためにサブミリメートルの開口部を有するマスクを製造するためのプロセス、およびサブミリメートルの格子 Download PDF

Info

Publication number
JP5611602B2
JP5611602B2 JP2009554074A JP2009554074A JP5611602B2 JP 5611602 B2 JP5611602 B2 JP 5611602B2 JP 2009554074 A JP2009554074 A JP 2009554074A JP 2009554074 A JP2009554074 A JP 2009554074A JP 5611602 B2 JP5611602 B2 JP 5611602B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
layer
mask
grid
lattice
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009554074A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010524810A (ja
Inventor
バランタン，エマニユエル
ヌジエム，ベルナール
ユイニヤール，アルノー
ザグドウン，ジヨルジユ
ロワイエ，エデイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Saint Gobain Glass France SAS
Original Assignee
Saint Gobain Glass France SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saint Gobain Glass France SAS filed Critical Saint Gobain Glass France SAS
Publication of JP2010524810A publication Critical patent/JP2010524810A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5611602B2 publication Critical patent/JP5611602B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00—Compositions for glass with special properties
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/80—Constructional details
    • H10K10/82—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/25—Metals
    • C03C2217/251—Al, Cu, Mg or noble metals
    • C03C2217/252—Al
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
    • C03C2218/116—Deposition methods from solutions or suspensions by spin-coating, centrifugation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/34—Masking
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153—Constructional details
    • G02F1/155—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153—Constructional details
    • G02F1/155—Electrodes
    • G02F2001/1555—Counter electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

本発明の一つの課題は、特に可変光学的および／またはエネルギー特性を有するグレージングタイプの電気化学的および／または電気的に制御可能な装置、または光電池装置、または発光装置、または加熱装置、または場合によってはフラットランプ装置のための、場合により導電性格子を製造するための視野を備えるサブミリメートルの開口部を有するマスクを製造するためのプロセスである。
ミクロンサイズの金属格子を入手することを可能にする製造技術は公知である。これらは、およそ７５から８５％の光透過率（ＴＬ）を保持しながら１Ω／スクエア未満の表面抵抗を達成するという利点を有する。しかし、これらの格子は、以下の欠点の所定数を有している。
これらの製造プロセスは、液体経路による化学的浸食のプロセスと結合したフォトリソグラフィープロセスまたはレーザーアブレーション技術のいずれかによって金属層をエッチングする技術に基づいている。いずれのプロセスが使用されても、想定された用途とは適合しない高額の製造コストが生じる、および
一般には規則的および周期的形状（正方形、長方形）であるこれらの格子に特徴的な寸法は、例えば３００μｍの間隔をあけた幅２０から３０μｍの金属ストランドの網状組織を形成するが、これらは点光源によって照明された場合の回折図形の原因である。
これらの先行技術の製造技術は、さらにおよそ数十μｍの解像限界を有し、審美的に視認できる図形を残す。
文献ＵＳ ７１７２８２２は、亀裂の入ったシリカゾル−ゲルマスクの使用に基づく不規則な網状導体の製造について記載している。実施された実施例では、水、アルコールおよびシリカ前駆体（ＴＥＯＳ）をベースとするゾルが蒸着させられ、溶媒は蒸発させられ、厚さ０．４μｍの亀裂入りゾル−ゲルマスクを形成するために３０分間にわたり１２０℃でアニーリングされた。
この文献ＵＳ ７１７２８２２からの図３は、シリカゾル−ゲルマスクの形態を明らかにしている。これは、弾性材料の破壊現象に特徴的な分岐点を備える、好ましい方向に沿って方向付けられた微細な亀裂線の形状で現れている。これらの主要な亀裂線は、時には分岐点によって一緒に結合されている。
亀裂線間の領域は、非対称性であり、二つの特徴的な寸法を備える。一つは亀裂伝播方向に平行な０．８から１ｍｍであり、もう一つは水平な１００から２００μｍである。
さらに、溶液中の粒子をベースとすると思われるマスクは、大まかに言及されており、明確な例示的実施形態は提供されていない。
ゾル−ゲルマスクに亀裂を入れる工程によって電極を製造するためのこのプロセスは、例えばフォトリソグラフィ（放射線／光線への樹脂の曝露および現像）に依存することを排除することによって網状導体を製造するための進歩を構成するが、それでもまだ、特に工業的要件（信頼性、単純性および／または製造工程の減少、費用の減少など）に適合するために改良することができる。
さらに、この不規則な網状電極の電気的および／または光学的特性は改良することができる。
本製造プロセスは、さらにまた（例えば金属コロイドの）好ましい接着を許容する、または金属後成長のための触媒移植を許容するいずれかのために間隙での（化学的もしくは物理的に）修飾可能な下層の堆積を不可避的に必要とすることも観察できるので、このためこの下層は網状組織の成長プロセスにおいて機能的役割を有する。
さらに、亀裂の断面は弾性材料の破壊力学に起因してＶ形であり、これは金属網状組織をＶの底部に位置するコロイド粒子から出発して成長させるためのポストマスクプロセスの使用を含んでいる。
米国特許第７，１７２，８２２号明細書
従って本発明は、不規則である、詳細には導電性の経済的、再現可能な、および制御された、およびこの光学特性および／または伝導特性が先行技術の特性と少なくとも匹敵するサブミリメートルの網状組織を製造するためのプロセスを提供することによって、先行技術のプロセスの欠点を克服することを目的としている。
このため、本発明の第１の課題は、一つの基板、詳細にはガラス機能を有する基板の表面部分上にサブミリメートルの開口部を有するマスクを製造するためのプロセスであって、以下の
マスク層は、溶媒中で安定化して分散しているコロイド粒子の溶液から基板自体もしくは下層上に堆積させられる工程、および
マスク層の乾燥は、少なくとも一つの方向にランダムで非周期的な間隙の網目を備える、マスクを形成する実質的に直線状のエッジの間隙の二次元網状組織が得られるまで実施される工程を含むプロセスである。
平均幅Ａは、サブミリメートルである。
間隙の網状組織は、亀裂の入ったシリカゾル−ゲルマスクより実質的に多い相互連結部を有する。本発明によるプロセスによって、表面全体にわたって分散していてよい開口部の網目は、そこで等方特性を入手することを可能にするように形成される。
このようにしてマスクは、少なくとも一つの方向に、または二つの（全）方向にさえランダムな非周期的構造を有する。
この特定のプロセスのおかげで、より低いコストで、（形状および／またはサイズが）ランダムな、以下の適切な特徴的寸法の非周期的ユニットから構成されるマスクを入手することが可能である。
網状組織Ａの（平均）幅はミクロンサイズ、もしくはナノスケールでさえあり、詳細には数百ナノメートルから数十ミクロン、特に２００ｎｍから５０μｍである；
ユニットＢの（平均）サイズは、ミリメートルもしくはサブミリメートル、詳細には５から５００μｍ、または１００から２５０μｍでさえある；
Ｂ／Ａ比は、詳細には、特に７から２０または４０さえの粒子の性質の関数として調節可能である；
開口部の最大幅と開口部の最小幅との差は、マスクの所与領域内、もしくは表面の大部分もしくは全体にわたってさえ４未満、または２以下でさえある；
最大網目（ユニット）寸法と最小網目寸法との差は、マスクの所与領域内、もしくは表面の大部分もしくは全体にわたってさえ４未満、または２以下でさえある；
目の粗い網目（「固定」の開口部のない間隙）の量は、マスクの所与領域内、または表面の大部分もしくは全体にわたってさえ５％未満、または２％以下でさえあり、このために場合により減少させられ、網状組織破断は網状組織のエッチングによって抑制できる、限定される、またはほぼゼロにさえ抑えられる；
所与の網目、表面の所与領域内もしくは全体にわたって網目の大部分もしくは全部についてさえ、網目に特徴的である最大寸法と網目に特徴的である最小寸法との差は、等方性を強化するために２未満である；
網状組織の区分の大部分もしくは全部についてさえ、エッジは、特に（例えば倍率２００倍の光学顕微鏡を用いて観察される。）１０ｎｍのスケール上で平行な一定の間隔をあけている。
幅Ａは、例えば１から２０μｍ、または１から１０μｍでさえあってよく、およびＢは５０から２００μｍであってよい。
これは、その後に実質的に開口部の幅と同一である平均ストランド幅および（網目の）開口部間の間隔と実質的に同一のストランド間の（平均）間隔によって規定される格子を製造することを可能にする。特に、ストランドのサイズは、好ましくは数十ミクロンから数百ナノメートルであってよい。Ｂ／Ａ比は、７から２０の間、または３０から４０の間でさえ選択されてよい。
開口部によって範囲が限定される網目は、典型的には三、四もしくは五つの辺、例えば主として四つの辺を備える様々な形状の、および／またはランダムおよび不規則に分布した様々なサイズの網目である。
網目の大部分もしくは全部について、一つの網目の二つの隣辺間の角度は６０°から１１０°、詳細には８０°から１００°であってよい。
一つの構成では、間隙（場合によりほぼ平行）を備える主網状組織、および（場合により平行網状組織に対してほぼ垂直な）間隙の第２網状組織が入手されるが、これらの場所および間隔はランダムである。第２間隙は、例えば主間隙より小さい幅を有する。
乾燥は、表面でのマスク層の収縮およびナノ粒子の摩擦を引き起こし、結果として層内の引張応力を生じさせ、弛緩によって間隙を形成する。
シリカゾル−ゲルとは相違して、この溶液は既に形成されているナノ粒子とともに当然ながら安定性であり、好ましくはポリマー前駆体タイプの反応性素子を含有していない（または、ほんの微量しか含有していない。）。
乾燥は、１工程で溶媒の除去および間隙の形成を生じさせる。
そこで乾燥後には、様々なサイズの、これ自体が可変サイズの間隙によって分離される群である、ナノ粒子の群が入手される。
全厚を通る開口部を得るためには、
これらの分散を促進するために、好ましくは１０から３００ｎｍ、もしくは５０から１５０ｎｍさえの特徴的な（平均）サイズを備える、限定されたサイズの粒子（ナノ粒子）を選択すること、および
これらが一緒に凝集すること、重力に起因する沈降および／または落下を防止するために、溶媒中で（特に表面電荷による処置によって、例えば界面活性剤、ｐＨの制御によって）粒子を安定化させることの両方が必要である。
さらに、粒子の濃度は、好ましくは５重量％から、もしくは１０重量％さえから６０重量％、より好ましくは２０重量％から４０重量％さえに調節される。結合剤の添加は回避される。
溶媒は、好ましくは水をベースとする、または完全に水性でさえある。
第１実施形態では、コロイド溶液は、ポリマーナノ粒子（および好ましくは水をベースとする、または完全に水性でさえある溶媒）を含んでいる。
例えばアクリルコポリマー、スチレン、ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリレート、ポリエステルもしくはこれらの混合物が選択される。
第２実施形態では、溶液は、好ましくはシリカ、アルミナもしくは酸化鉄のミネラルナノ粒子を含んでいる。
粒子は所与のガラス転移温度Ｔｇを有するので、堆積および乾燥は、格子マスクの形態をより明確に制御するために前記温度Ｔｇを下回る温度で実施することができる。
本プロセスの堆積および乾燥する工程は、詳細には（実質的に）周囲温度で、典型的には２０℃から２５℃で実施することができる。アニーリングは必要とされない。
粒子の所与のガラス転移温度Ｔｇと乾燥温度との差は、好ましくは１０℃超、または２０℃超でさえある。
本プロセスの堆積および乾燥する工程は、例えば真空下で乾燥させるより、むしろ実質的に大気圧下で実施することができる。
コロイドの（水性もしくは非水性）溶液は、標準液体経路技術によって堆積させることが可能である。
湿性経路技術としては、スピンコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スプレーコーティングおよびフローコーティングがある。
Ｂ、Ａ、および／またはＢ／Ａ比を調節するために、乾燥パラメータ（制御パラメータ）、特に含水量および乾燥速度を修飾することが可能である。
水分量が高いほど（その他全ては同等である。）、Ａは低くなる。
温度が高いほど（その他全ては同等である。）、Ｂは高くなる。
詳細には基板のナノ構造化による圧縮コロイド間の摩擦係数、および基板の表面、ナノ粒子のサイズおよび初期粒子濃度、溶媒の性質ならびに堆積技術に依存する厚さから選択された他の制御パラメータは、Ｂ、Ａおよび／またはＢ／Ａ比を調節するために修飾することが可能である。
マスクの厚さは、数十ミクロンまでのサブミクロンサイズであってよい。マスク層が厚いほど、Ａ（各々Ｂ）が大きくなる。
濃度が高いほど（その他全ては同等である。）、Ｂ／Ａは低くなる。
マスクのエッジは実質的に直線状であり、即ち表面に対して中間点に沿って８０°から１００°、または８５°から９５°でさえある。
直線状のエッジであるために、堆積された層が中断するので（エッジに沿った堆積が全く、またはほとんど生じない。）、格子を損傷させずにコーティング済みマスクを取り外すことが可能である。単純性のために、格子材料を堆積させる指向性技術が好ましい可能性がある。堆積は、間隙を通して、およびマスクの上方の両方で実施することができる。
大気圧プラズマ源を用いて間隙の網状組織をクリーニングすることが可能である。
さらに、以下を実施することができる。
乾燥後、Ｔｇを超える温度、特にＴｇの３倍から５倍、および自然には溶融温度Ｔｍでの熱処理（局所的であっても局所的でなくてもよい。）、
または、例えば含水量および／または温度を局所的に修飾することによる、マスクの分別乾燥。
このマスクは、局所的もしくは表面全体にわたって、ユニットの形状および／または開口部のサイズを修飾することを可能にする。
スタッドは、一群のナノ粒子から構成される。温度の作用下では、これらのスタッドは圧縮することができる。圧縮後、スタッド（Ｂ）のサイズが減少する。これらの表面およびさらに厚さが減少する。このようにして、この熱処理によって、マスクの特徴的な寸法である網目開口部対網目幅の比の修飾が生じる。
第２の利点としてマスクの圧縮は、このマスクの基板への接着の改良を引き起こすが、これは可能性のあるリフトオフ工程（コロイドが水溶液から堆積させられている場合は水を用いた単純な洗浄）を維持しながらより操作可能にさせる（これがチッピングすることを防止する。）。
このためコロイドマスクを圧縮するための熱処理によって、局所的もしくは表面全体にわたって、新規マスクを頼ることなくこの特徴的な寸法を修飾することが可能である（フォトリソグラフィもしくはエッチングの場合のように）。次に、網目の形状（幅、高さ）を局所的に修飾することが、および導電性網状組織の場合には導電率勾配を有するゾーンを作り出すことが可能である。残りを低温で維持しながら、局所的に加熱することができる。
好ましくは加熱時間は、処置温度の関数として調節される。典型的には、時間は１時間未満、好ましくは１分間から２０分間である。
修飾されたゾーンは、辺縁もしくは中心、および任意の形状であってよい。
マスク層を堆積するための表面は、フィルム形成表面であり、特に溶媒が水性である場合は親水性表面である。これは基板：ガラス、プラスチック（例えばポリカーボネート）または場合により機能的に加えられた下層：親水性層（シリカ層、例えばプラスチック上）および／またはアルカリ金属障壁層および／または格子材料の接着を促進するための層、および／または（透明な）導電層、および／または修飾的な着色もしくは不透明層の表面である。
この下層は、必ずしも格子材料を電解性堆積するための成長層ではない。
マスク層間には、幾つかの下層があってよい。
このようにして本発明による基板は、連続的であり、アルカリ金属への障壁となり得る下層（特に、基板に最も近い基層）を含むことができる。
基板は、任意の汚染（層間剥離などの機械的欠陥を引き起こす可能性がある汚染）から格子材料を保護し、（詳細には電極を形成するための）導電性堆積の場合には、追加してこの導電性を保存する。
基層は、頑丈であり、様々な技術によって迅速および容易に堆積させることができる。基層は、特に気相内で、例えば熱分解技術（「化学蒸着」についての略称ＣＶＤによって表示されることが多い技術）によって蒸着させることができる。この技術は、蒸着パラメータの適切な調節は強化された障壁のための超緻密層を入手することを可能にするので、本発明のために有益である。
基層は、真空下でこの蒸着をより安定性にさせるために、アルミニウムおよび／またはホウ素で場合によりドープすることができる。基層（場合によりドープされた、単層もしくは多層）は、１０から１５０ｎｍ、より好ましくは１５から５０ｎｍさえの厚さを有していてよい。
基層は、好ましくは、
シリコンオキシド、シリコンオキシカーバイドをベースとする、一般式ＳｉＯＣの層であってよい、
シリコンニトリド、シリコンオキシニトリド、シリコンオキシカーボニトリドをベースとする、一般式ＳｉＮＯＣ、詳細にはＳｉＮ、特にＳｉ３Ｎ４の層であってよい。
最も特に、（主として）ドープもしくは非ドープシリコンニトリドＳｉ３Ｎ４から製造された基層が好ましい可能性がある。シリコンニトリドは、極めて迅速に堆積され、アルカリ金属への極めて優れた障壁を形成する。
金属格子材料（銀、金）の特にガラス上への接着を促進する層として、例えば５ｎｍ以下の厚さを有する層である、ＮｉＣｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌをベースとする、単一もしくは混合金属酸化物（ＩＴＯなど）のドープもしくは非ドープの層を選択することが可能である。
基板が疎水性である場合は、例えばシリカ層などの親水性層を加えることが可能である。
このため本発明によるマスクは、より安価なコストで、既に公知ではあるが格子を形成しない導電性網状組織の不規則な性質を保持しながら、幾何学的図形を有する規則的格子とは相違する格子の形状およびサイズを想定することを可能にする。
例えば以前に規定されたようなマスクから格子を製造するためには、格子材料として公知の材料の堆積が、（特に）間隙の深さの画分が充填されるまで前記マスクの間隙を通して実施される。
マスキング層（場合により第１層）は、前記格子材料（一つ以上の層）をベースとする格子を曝露させるために除去される。
次にストランドの配列は、実質的に開口部の網状組織の配列の複製であってよい。
好ましくは除去は液体経路を通して、格子に対しては不活性である溶媒によって、例えば水、アセトンもしくはアルコール（場合により、高温の場合、および／または超音波によって支援して）を用いて実施される。格子材料の堆積が実施される前に間隙の網状組織をクリーニングすることが可能である。
本発明の好ましい実施形態では、さらに、以下の処理、
格子材料の堆積は、マスク開口部の画分を満たし、さらにマスクの表面を被覆する、および
格子材料の堆積は、特にプラズマ、真空下での堆積、スパッタリング、蒸発による大気圧堆積である、の一つおよび／またはその他を場合により頼ることが可能である。
従って、次に周囲温度で実施できる、および／または単純である（特に、不可避的に触媒を必要とする触媒堆積よりはるかに単純である。）および／または高密度沈着物を生じさせる技術のうちの一つ以上の堆積技術を選択することが可能である。
間隙内に堆積された材料は、導電性材料から選択されてよい。
格子材料は導電性であってよく、導電性材料は電気分解によって格子材料上に堆積させられる。
従って堆積は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕまたは高導電性を備えるまた別の使用可能な金属から製造された電極を用いて電解性再充電によって場合により完了しなければならない。
基板が絶縁性である場合は、電解性堆積は、マスクの除去の前後のいずれかに実施されてよい。
Ｂ／Ａ比（ストランド（Ｂ）からストランド（Ａ）の幅の間隔（ストランドのサイズ））を変化させることによって、格子については１から２０％のヘイズ値が入手される。
本発明は、不規則格子を有する、即ちランダムな不規則網目（閉鎖されたユニット）を備える二次元のストランドの網状組織を有する基板にさらに関する。
この格子は、特に、既に上記で規定されているマスクから形成することができる。
格子は、以下の特徴、
ストランド（Ｂ）間の（平均）間隔対ストランド（Ａ）のサブミリメートル（平均）幅の比率は７から４０である、
格子のユニットはランダム（不規則）であり、様々な形状および／またはサイズである、
ストランドによって境界が定められた網目は、三つおよび／または四つおよび／または五つの辺、例えば大部分は四つの辺を有している、
格子は、少なくとも一つの方向、好ましくは二つの方向に不規則（もしくはランダム）構造を有する、
所与の領域内もしくは表面の全体の上方での網目の大部分もしくは全部についてさえ、網目に特徴的である最大寸法と網目に特徴的である最小寸法との差は、２未満である、
網目の大部分もしくは全部についてさえ、一つの網目の二つの隣辺間の角度は６０°から１１０°、詳細には８０°から１００°である、
ストランドの最大幅とストランドの最小幅との差は、所与領域内、もしくは表面の大部分もしくは全体にわたってさえ４未満、または２以下でさえある、
最大網目寸法（網目を形成するストランド間の間隔）と最小網目寸法との差は、所与の格子領域内、もしくは表面の大部分もしくは全体にわたってさえ４未満、または２以下でさえある、
閉鎖されていない網目および／またはカットストランド（「ブラインド」）区分の含量は、所与格子領域内、または表面の大部分もしくは全体にわたってさえ５％未満、または２％以下であり、即ち網状組織破断は限定される、またはほぼゼロでさえある、
大部分について、ストランドのエッジは、詳細には実質的に直線状の、１０μｍの規模で平行に一定の間隔をあけている（例えば倍率２００倍を備える光学顕微鏡を用いて観察される。）、のうちの一つ以上を有していてよい。
本発明による格子は、等方性電気特性を有していてよい。
好都合の方向を備える網状組織導体とは相違して、本発明による不規則な格子は、点光源を回折しない可能性がある。
ストランドの厚さは、実質的に一定でよい、または基部ではより広くなってよい。
格子は、ストランド（場合によりほぼ平行である。）を備える主網状組織およびストランド（場合により平行網状組織に対してほぼ垂直である。）の第２網状組織を含んでいてよい。
格子は、基板の少なくとも一つの表面部分、特に既に言及したように、プラスチックもしくは無機材料から製造されたガラス機能を有する基板の上方に堆積させることができる。
格子は、既に言及したように、親水性層である下層および／または接着を促進する層および／または障壁層および／または修飾層上に堆積させることができる。
導電性格子は、０．１から３０Ω／スクエアのシート抵抗を有していてよい。有利には、本発明による導電性格子は、詳細には１μｍ以上、および好ましくは１０μｍ未満もしくは５μｍ以下さえの格子厚に対して５Ω／スクエア以下、または１Ω／スクエア以下さえ、または０．５Ω／スクエアさえのシート抵抗を有していてよい。
格子でコーティングされた基板の光透過率は、５０％以上、より好ましくは７０％以上、特に７０％から８６％である。
Ｂ／Ａ比は、第１格子領域および第２格子領域では、例えば少なくとも２倍相違してよい。
第１および第２領域は、相違する、もしくは同等の形状であってよい、および／または相違する、もしくは同等のサイズであってよい。
このため可変性の網目開口部／ストランドサイズ比を用いると、
光透過率勾配、および
電力勾配（熱の適用、除氷、非長方形表面上方での均質な熱流量の産生）を備えるゾーンを作り出すことが可能である。
網状組織の光透過率は、ストランドＢ間の平均間隔対ストランドＡの平均幅のＢ／Ａ比に左右される。
好ましくはＢ／Ａ比は、透明性を容易に保持して製造を促進するためには、５から１５であり、より好ましくはさらにほぼ１０である。例えばＢおよびＡは、各々ほぼ５０μｍおよび５μｍと同等である。
詳細には、平均ストランド幅Ａは、これらの視認性を制限するためには１００ｎｍから３０μｍ、好ましくは１０μｍ以下、または５μｍ以下でさえ、および製造を促進するため、および高い導電性および透明性を容易に保持するためには１μｍ以上で選択される。
詳細には、透明性を容易に保持するためには、５μｍから３００μｍ、または２０から１００μｍさえのＡより大きいストランドＢ間の平均間隔を選択することもさらに可能である。
ストランドの厚さは、透明性および高導電性を容易に維持するためには、１００ｎｍから５μｍ、特にミクロンサイズ、より好ましくはさらに０．５から３μｍであってよい。
本発明による格子は、大きな表面積、例えば０．０２ｍ２以上、または０．５ｍ２から１ｍ２以上さえの表面積の上方にあってよい。
基板は、平面もしくは湾曲していてよく、さらに剛性、屈曲性もしくは半屈曲性であってよい。
この主面は、長方形、正方形または任意の他の形状（円形、楕円形、多角形など）でさえあってよい。この基板は、例えば０．０２ｍ２超、または０．５ｍ２もしくは１ｍ２さえの表面積を有し、（構造化ゾーンから離れて）この表面を実質的に占める下方電極を備える大きなサイズの基板であってよい。
基板は、実質的に透明で、無機、または例えばポリカーボネートＰＣもしくはポリメチルメタクリレートＰＭＭＡ、またはＰＥＴ、ポリビニルブチラールＰＶＢ、ポリウレタンＰＵ、ポリテトラフルオロエチレンＰＴＦＥなどのプラスチックから製造されてよい。
基板は、好ましくは詳細にはソーダ−ライム−シリカガラスから製造されたガラスである。
本発明の意味の中では、基板は、これが実質的に透明である場合、これが鉱物（例えばソーダ−ライム−シリカガラス）をベースとする場合、またはこれがプラスチック（例えばポリカーボネートＰＣもしくはポリメチルメタクリレートＰＭＭＡ）をベースとする場合にはガラス機能を有している。
本発明による格子は、詳細には、有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）、特に下面発光ＯＬＥＤもしくは下面および上面発光ＯＬＥＤのための下方電極（基板の最も近くにある。）として使用できる。
複数の積層ガラスユニット（ＥＶＡ、ＰＵ、ＰＶＢなどのタイプの積層中間層）は、本発明による格子を有する基板を組み込むことができる。
本発明のさらにまた別の態様によると、
可変性光学および／またはエネルギー特性を有する電気化学的および／または電気的に制御可能な装置、例えば液晶装置もしくは太陽光発電装置、または有機発光装置、フラットランプ装置における能動層（単層もしくは多層電極）、
加熱装置の能動（加熱）層、
電磁遮蔽装置、または
（場合により（半）透明の）導電層を必要とする任意の他の装置として、上記に記載したような格子の使用を目的とする。
以下では、非限定的実施例および図面を用いて本発明をより詳細に説明する。
本発明によるプロセスによって入手されるマスクの実施例を示す。 本発明によるプロセスによって入手されるマスクの実施例を示す。 本発明によるプロセスによって入手されるマスクの実施例を示す。 本発明によるプロセスによって入手されるマスクの実施例を示す。 本発明によるプロセスによって入手されるマスクの実施例を示す。 本発明によるプロセスによって入手されるマスクの実施例を示す。 本発明によるプロセスによって入手されるマスクの実施例を示す。 亀裂の断面を示しているＳＥＭ画像である。 格子の上面図である。 相違する乾燥正面を備えるマスクを示す。 相違する乾燥正面を備えるマスクを示す。 格子の部分ＳＥＭ画像を示す。 格子の部分ＳＥＭ画像を示す。 格子の上面図である。 格子の上面図である。
ガラス機能を有する基板の一部分の上には、湿性経路技術、スピンコーティングによって、濃度４０重量％、５．１のｐＨ、および１５ｍＰａ．ｓに等しい粘度を有する水中で安定化させたアクリルコポリマーをベースとするコロイド粒子の単純エマルジョンが堆積させられた。コロイド粒子は、８０から１００ｎｍの特徴的な寸法を有しており、名称ＮＥＯＣＲＹＬ ＸＫ５２（登録商標）を付けてＤＳＭ社によって販売され、１１５℃に等しいＴｇを有していた。
次に、コロイド粒子を組み込んでいる層の乾燥は、溶媒を蒸発させて間隙を形成できるように実施した。この乾燥は、任意の適切なプロセスによって、好ましくはＴｇ未満の温度（温風中での乾燥など）、例えば周囲温度で実施することができる。
この乾燥する工程中には、本システムは自然に配列されて図形を形成するが、この例示的実施形態は図１および２（４００μｍ×５００μｍの画像）に示されている。
後にＡ（実際にはストランドのサイズ）と呼ばれる（平均）ストランド幅および後にＢと呼ばれるストランド間の（平均）間隔を特徴とする構造を有する安定性マスクは、アニーリングに頼らずに入手される。その後にこの安定化されたマスクは、Ｂ／Ａ比によって規定される。
網目の破断をほとんど伴わずに網目状にされた間隙の二次元網状組織が入手される。
乾燥に温度が及ぼす影響を評価した。２０％ ＲＨ下の１０℃での乾燥は８０μｍの網目を生じさせたが（図２ａ）、２０％ ＲＨ下での３０℃での乾燥は１３０μｍの網目を生じさせた（図２ｂ）。
乾燥条件、特に湿度が及ぼす影響を評価した。ＸＫ５２をベースとする層は、今度はフローコーティングによって堆積させられ、これはサンプルの底部と上部との間の厚さの変動（１０μｍから２０μｍ）を生じさせ、これは網目サイズの変動を生じさせた。湿度が高いほど、Ｂは小さかった。
Figure 0005611602
このＢ／Ａ比は、例えば高密度コロイドと基板の表面との間の摩擦係数、またはナノ粒子のサイズさえ、または蒸発率さえ、または初期粒子濃度、または溶媒の性質、または堆積技術に依存した厚さなどを調節することによっても修飾された。
これらの様々な可能性を例示するために、コロイド溶液の二つの濃度（Ｃ０および０．５×Ｃ０）ならびにディップコーターの上昇速度を調節することによって堆積させられる様々な厚さを備える実験設計を以下に示す。濃度および／または乾燥速度を変化させることによってＢ／Ａ比を変化させることも可能であることが観察されている。結果は以下の表に示した。
Figure 0005611602
コロイド溶液は、様々な厚さのフィルムドローワー（ｆｉｌｍ−ｄｒａｗｅｒ）を使用することによってＣ０＝４０％の濃度で堆積させた。これらの実験は、ストランドのサイズおよびストランド間の間隔が、コロイド層の初期厚さを調節することによって変化させられることを示している。
Figure 0005611602
最後に、基板の表面粗さは、Ａｇ粒のマスクを通してガラスの表面を大気プラズマを用いるエッチングによって修飾した。この粗さは、コロイドとの接触ゾーンのサイズの指標であり、これはこれらのコロイドと基板との摩擦係数を増加させた。下記の表は、Ｂ／Ａ比およびマスクの形態に摩擦係数の変化が及ぼす作用を示している。初期の厚さが同一の場合には網目のサイズが小さいほど増大するＢ／Ａ比が得られると思われる。
Figure 0005611602
また別の例示的実施形態では、一つおよび上記に記載したコロイド粒子を含有する同一エマルジョンのスピンコーティングによって得られる間隙の網状組織の寸法パラメータを以下に示す。スピンコーティング装置の様々な回転速度は、マスクの構造を修飾する。
Figure 0005611602
マスクの形態に乾燥正面の伝播が及ぼす作用（例、図５および６）について試験した。乾燥正面の存在は、ほぼ平行の間隙の網状組織を作り出すことを可能にしたが、この方向はこの乾燥正面に対して垂直であった。他方、この平行網状組織にほぼ垂直な間隙の第２網状組織が存在し、これについての位置およびストランド間の間隔はランダムであった。
本プロセスのこの実行段階で、マスクが入手された。
マスクについての形態学的試験は、間隙が直線状の亀裂断面を有することを示した。ＳＥＭを用いて入手されたマスクの横断面図である図３を参照されたい。
図３に示した亀裂断面は、
詳細には単一工程で、大きな厚さの材料を堆積させる工程、および
マスクを取り外した後に、マスクに適合する特に大きな厚さの図形を保持する、といった特定の利点を有する。
このようにして得られたマスクは、そのままで使用できる、または様々な後処理によって修飾することができる。例えばこの構成によると、亀裂の底部にはコロイド粒子は存在しない；このために亀裂（これは本文書において後に詳細に記載する。）を充填するために導入される材料とガラス機能を有する基板との最大接着が生じる。
本発明者らはさらに、亀裂の底部に位置する有機粒子をクリーニングするための起源としてのプラズマ源の使用が、その後に格子として使用される材料の接着を改良することを可能にしたことを見出した。
例示的実施形態として、酸素およびヘリウムの混合液をベースとするプラズマスプレーを有する大気圧でプラズマ源を使用するクリーニングは、間隙の底部に堆積させた材料の接着の改善および間隙の拡大の両方を可能にした。Ｓｕｒｆｘ社によって販売される商標ＡＴＯＭＦＬＯＷのプラズマ源が使用できる。
また別の実施形態では、５０重量％の濃度、３のｐＨおよび２００ｍＰａ．ｓに等しい粘度で水中で安定化させたアクリルコポリマーをベースとするコロイド粒子の単純なエマルジョンを堆積させた。コロイド粒子は、およそ１１８ｎｍの特徴的な寸法を有しており、商標ＮＥＯＣＲＹＬ ＸＫ３８（登録商標）でＤＳＭ社によって販売され、７１℃に等しいＴｇを有していた。入手した網状組織は図２ｃに示されている。
網状組織パラメータにアニーリングが及ぼす作用は、以下の表にまとめたように評価した。
Figure 0005611602
圧縮によって、ストランドの幅は、２倍、または図２ｄに示したように３倍にさえなる（１００℃で１５分間にわたり処置したサンプル）。
局所的に、例えば中央で集束ＩＲランプを用いてマスクを修飾することが可能である。従って、ＬＴ勾配を備える格子を入手することが可能である。
また別の実施形態では、およそ１０から２０ｎｍの特徴的な寸法を有するコロイドシリカの４０％溶液、例えばＳｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ社によって販売された製品ＬＵＤＯＸ（登録商標）ＡＳ４０を堆積させた。Ｂ／Ａ比は、図２ｅに示したように、約３０であった。
典型的には、有機（特に水性）溶媒中にコロイドシリカの１５％から５０％を堆積させることが可能である。
本発明によるマスクから出発して、格子が製造される。これを行うために、材料は、間隙が充填されるまで、マスクを通して堆積させられる。材料は、好ましくはアルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロミウム、これらの金属の合金などの導電性材料、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ：Ａｌ；ＺｎＯ：Ｇａ；ＺｎＯ：Ｂ；ＳｎＯ２：Ｆ；ＳｎＯ２：Ｓｂ；チタニウムニトリドなどのニトリド類、例えばシリコンカーバイドなどのカーバイド類から特別に選択された導電性酸化物から選択される。
この堆積相は、例えばマグネトロンスパッタリングまたは堆積によって実施できる。材料は、亀裂を充填できるように間隙の網状組織の内側に堆積させられるが、充填は、例えばマスクの高さのほぼ半分の厚さへ実施される。
マスクからの格子構造を曝露させるために、「リフトオフ」作業が実施される。この作業は、コロイドの凝集が弱いファンデルワールス（ｖａｎ ｄｅｒ Ｗａａｌｓ）タイプの力（結合剤なし、またはアニーリングによる結合が生じない。）の結果として生じるという事実によって促進される。次にコロイドマスクは、水およびアセトンを含有する溶液中に浸漬させられ（クリーニング溶液は、コロイド粒子の性質の関数として選択される。）、次にコロイドが塗布された全ての部分を除去できるように洗い流される。この現象は、コロイド粒子のマスクを分解させ、および格子を形成する補完的パーツ（材料によって充填された間隙の網状組織）を出現させるための超音波の使用に起因して加速することができる。
図４に示したのは、このようにして得られた格子の、ＳＥＭを用いて入手された写真である。
以下に示すのは、アルミニウムをベースとする格子について得られた電気的および光学的特性である。
Figure 0005611602
この特定の格子構造のために、より低コストで、高い導電特性を有しながら電気的に制御可能なシステムと適合する電極を入手することが可能である。
図７および８は、上記からのＳＥＭ画像（透視図）および詳細にはアルミニウム格子のストランドを示している。ストランドが比較的に平滑で平行なエッジを有することが観察されている。
本発明による格子を組み込んでいる電極は、０．１から３０Ω／スクエアの電気抵抗および７０から８６％のＬＴを有しており、これは透明な電極としてのこの使用を完全に満足できるものにする。
好ましくは詳細にはこの抵抗性のレベルを達成するために、金属格子は１００ｎｍから５μｍの全厚を有する。
これらの厚さ範囲では、電極は透明なままである、つまり可視範囲内で、格子（この網状組織は、この寸法のためにほとんど目に見えない。）の存在下でさえ低い吸光率を有する。
格子は、少なくとも一つの方向において不規則もしくはランダムな構造を有しており、回折現象を回避することを可能にして１５から２５％の光掩蔽を生じさせる。
例えば１０μｍの間隔をあけた幅７００ｎｍの金属ストランドを有する図４に示した網状組織は、被覆されていない場合は９２％の光透過率と比較した８０％の光透過率を基板に与える。
この実施形態のまた別の利点は、格子の反射におけるヘイズ値を調節することが可能であることからなる。
例えば１５μｍ未満のストランド間の間隔（寸法Ｂ）については、ヘイズ値はおよそ４から５％である。
１００μｍの間隔に対しては、ヘイズ値は１％未満であり、Ｂ／Ａは一定である。
およそ５μｍのストランド間隔（Ｂ）および０．３μｍのストランドサイズに対しては、およそ２０％のヘイズ値が入手される。５％のヘイズ値を越えて、界面での光線を除去する手段または光線を捕捉する手段としてこの現象を使用することが可能である。
マスク材料を堆積させる前に、特に真空堆積によって格子材料の接着を促進する下層を堆積させることが可能である。
例えばニッケル、および格子材料としてアルミニウムが堆積させられる。この格子は、図９に示されている。
例えばＩＴＯ、ＮｉＣｒまたはＴｉ、および格子材料として銀が堆積させられる。
金属層の厚さを増加させるため、従って格子の電気抵抗を減少させるために、堆積は、銀格子上の銅のカバー層の電気分解（可溶性陽極法）によって実施した。
マグネトロンスパッタリングによる接着促進下層および銀格子を用いて被覆したガラスは、実験装置の陰極を構成する；陽極は、銅板によって形成される。陽極は、溶解されることによって、Ｃｕ２＋イオンの濃度、および従って全容着プロセス中は一定である堆積率を維持するという役割を有する。
電解液（浴）は、これに硫酸（１０Ｎ Ｈ２ＳＯ４）５０ｍＬが加えられた硫酸銅の水溶液（ＣｕＳＯ４．５Ｈ２Ｏ＝７０ｇ／ｌ）から形成された。電気分解中の溶液の温度は、２３±２℃であった。
堆積条件は、次の通りであった。電圧≦１．５Ｖおよび電流≦１Ａ。
３から５ｃｍの間隔をあけており、同一サイズを有する陽極および陰極は、垂直力線を得るために平行に配置した。
銅層は、銀格子上で均質であった。堆積の厚さは、電気分解時間および電流密度およびさらに堆積の形態に伴って増加した。これらの結果は、下記の表および図１０に示す。
Figure 0005611602
これらの格子上で実施されたＳＥＭ観察所見は、網目のサイズが３０μｍ±１０μｍであり、ストランドのサイズが２から５μｍであったことを示している。
上記で言及したように、本発明は、この中で格子を能動層（例えば電極として）として統合できる様々なタイプの電気化学的または電気的に制御可能なシステムに適用することができる。本発明は、より特に、エレクトロクロミックシステム、特に「全固体」システム（用語「全固体」は、本発明の状況内では、これのための全層が無機性である多層スタックに関して規定されている。）または「全ポリマー」システム（用語「全ポリマー」は、本発明の状況内では、これのための全層が有機性である多層スタックに関して規定されている。）、または混合もしくはハイブリッドエレクトロクロミックシステム（この中ではスタックの層が有機性および無機性である。）、または液晶もしくはビオロゲンシステム、または発光システムおよびフラットランプに関する。このようにして製造された金属格子は、さらにまた風防内、または電磁遮蔽内で加熱素子を形成できる。
本発明は、透過において機能する、グレージングにおいて以前に記載したマスクの製造から得られるような格子の組込みにもさらに関する。用語「グレージング」は、広義に理解すべきであり、ガラス機能を有する、ガラスおよび／またはポリマー材料（例えばポリカーボネートＰＣまたはポリメチルメタクリレートＰＭＭＡ）から製造される任意の本質的に透明な材料を含んでいる。キャリア基板および／またはカウンター基板、即ち能動システムの側面に位置する基板は、剛性、屈曲性もしくは半屈曲性であってよい。
本発明は、主としてグレージングもしくは鏡としての、これらの装置のために見出すことのできる様々な用途にも関する。これらは、建築用グレージング、特に屋外グレージング、屋内仕切りもしくはガラス張りのドアを製造するために使用できる。これらはさらにまた、電車、航空機、自動車、船舶および工事車両などの輸送手段の窓、屋根または内部仕切りのためにも使用できる。これらは、映写スクリーン、テレビ画面もしくはコンピュータモニタ、タッチパネル、照明面および加熱グレージングなどのディスプレイ画面のためにも使用できる。

Claims (32)

  1. 不規則なサブミリメートルの格子を製造するためのプロセスであって、格子材料の堆積はマスクの間隙を通して該間隙の深さ当たり少なくとも１部が充填されるまで実施され、
    マスク層は、溶媒中で安定化して分散しているコロイド粒子の溶液から堆積させられ、
    該コロイド溶液は、ポリマーナノ粒子および／または鉱物ナノ粒子を含み、
    該マスクはマスク層の堆積および乾燥によりガラス機能を有する基板の表面部分上にサブミリメートルの開口部を有しており、
    マスク層を乾燥する工程は、少なくとも一つの方向に間隙のランダムな網目を備える、マスクを形成する実質的に直線状のエッジの間隙の二次元網状組織が得られるまで実施され
    該網目の大部分は該表面の全体に亘り、網目に特徴的である最大寸法と網目に特徴的である最小寸法との比は２より小さく、
    該粒子は所与のガラス転移温度Ｔｇを有しており、堆積および乾燥が前記ガラス転移温度Ｔｇより低い温度で実施され、
    該堆積および乾燥は周囲温度で実施され、粒子の所与のガラス転移温度Ｔｇおよび乾燥温度との差は１０℃より大きく、
    該堆積および乾燥は、実質的に大気圧で実施される、該プロセス。
  2. コロイド溶液は、アクリルコポリマー、スチレン、ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリレート、ポリエステルまたはこれらの混合物のポリマーナノ粒子を含むことを特徴とする、請求項１に記載のプロセス。
  3. 溶液は、シリカ、アルミナ、もしくは酸化鉄の鉱物ナノ粒子を含むことを特徴とする、請求項１または２の一項に記載のプロセス。
  4. 溶液は水性であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載のプロセス。
  5. 基板のナノ構造化による圧縮コロイドと基板の表面との間の摩擦係数、ナノ粒子のサイズ、蒸発率、初期粒子濃度、溶媒の性質、堆積技術に依存する厚さ、および含水量から選択される制御パラメータを修飾することによって、格子の幅であるＡ、網目の寸法であるＢおよび／またはＢ／Ａ比が調節されることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセス。
  6. 乾燥する工程後、マスクは、Ｔｇを上回り、溶融温度Ｔｍを下回る温度で少なくとも局所的に加熱されることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載のプロセス。
  7. 堆積は、基板上で直接的に実施されることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載のプロセス。
  8. 前記基板はガラスから製造されている基板である、請求項１から７のいずれか一項に記載のプロセス。
  9. マスク層の堆積前に、基板上には親水性層、障壁層、格子材料を接着させるための層、または修飾層から選択される下層が堆積させられることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載のプロセス。
  10. マスク層は、前記格子材料をベースとする格子を曝露させるために除去されることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載のプロセス。
  11. マスク層は、液体経路によって除去されることを特徴とする、請求項１から１０に記載のプロセス。
  12. 該液体経路は溶媒である、請求項１１に記載のプロセス。
  13. 間隙の網状組織は、格子材料の堆積が実施される前にクリーニングされることを特徴とする、請求項１から１２に記載のプロセス。
  14. 間隙の網状組織は、大気圧プラズマ源を用いてクリーニングされることを特徴とする、請求項１から１３の一項に記載のプロセス。
  15. 格子材料の堆積は、プラズマによる、または真空下で、スパッタリングによる、蒸発による大気圧堆積であることを特徴とする、請求項１から１４の一項に記載のプロセス。
  16. 間隙内に蒸着された格子材料は、導電性材料から選択されることを特徴とする、請求項１から１５の一項に記載のプロセス。
  17. 格子材料は導電性であり、導電性材料は電気分解によって格子材料上へ堆積させられることを特徴とする、請求項１から１６の一項に記載の格子を製造するためのプロセス。
  18. 請求項１から１７の一項に記載の製造プロセスによって入手される不規則なサブミリメートルの格子を有する基板。
  19. 少なくとも一方向にランダムである不規則なサブミリメートルの格子を有する基板であって、サブミリメートル幅を有する第１ストランドを備える主網状組織および第１ストランドより小さな幅を有する第２ストランドの第２網状組織を含む基板。
  20. 請求項１８または１９の一項に記載の不規則な格子を有する基板であって、格子はストランド（Ｂ）間の間隔対ストランド（Ａ）のサブミリメートル幅の７から４０の比を有することを特徴とする基板。
  21. 請求項１８から２０の一項に記載の格子を有する基板であって、格子のユニットはランダム、非周期的、および様々な形状および／またはサイズであることを特徴とする基板。
  22. 請求項１８から２１の一項に記載の格子を有する基板であって、格子は、少なくとも一方向に非周期的またはランダムな構造を有することを特徴とする基板。
  23. 請求項１８から２１の一項に記載の格子を有する基板であって、格子は、二方向に非周期的またはランダムな構造を有することを特徴とする基板。
  24. 請求項１８から２３の一項に記載の格子を有する基板であって、網目の大部分について、網目に特徴的な最大寸法と網目に特徴的な最小寸法との差は２以下であることを特徴とする基板。
  25. 請求項１８から２４の一項に記載の格子を有する基板であって、最大ストランド幅と最小ストランド幅との差は、所与の格子領域内では４未満であること、および／または最大網目寸法と最小網目寸法との差は所与の格子領域内では４未満であることを特徴とする基板。
  26. 請求項１８から２５の一項に記載の格子を有する基板であって、網目の大部分について、網目および／またはカットストランドの破断度は、５％未満、または２％以下でさえあることを特徴とする基板。
  27. 請求項１８から２６のいずれか一項に記載の格子を有する基板であって、導電性格子は、０．１から３０Ω／スクエアのシート抵抗を有することを特徴とする基板。
  28. 請求項１８から２７のいずれか一項に記載の格子を有する基板であって、格子は、プラスチックもしくは無機材料から製造されたガラス機能を有する基板の少なくとも一つの表面部分上に直接的もしくは間接的に蒸着させられることを特徴とする基板。
  29. 請求項１８から２８のいずれか一項に記載の格子を有する基板であって、格子は、親水性シリカ層である下層、および／または、格子材料の接着を促進するためのＮｉＣｒ、Ｔｉ、ＩＴＯ、Ａｌ若しくはＮｂ層および／またはＳｉ ３ Ｎ ４ 若しくはＳｉＯ ２ の障壁層、および／または修飾層上に蒸着させられることを特徴とする基板。
  30. 請求項１８から２９の一項に記載の格子を有する基板であって、格子で被覆された基板の光透過率は７０％から８６％であることを特徴とする基板。
  31. 請求項１８から３０の一項に記載の格子基板を含む多重積層グレージングユニット。
  32. 可変性光学的および／またはエネルギー特性を有する電気化学および／または電気的に調節可能な装置、液晶を有する電気的に調節可能な装置、太陽光発電装置、発光装置、有機発光装置、加熱装置、フラットランプ装置、電磁遮蔽装置、または任意の他の導電性の透明な層を必要とする装置における、能動層、加熱層もしくは電極としての請求項１８から３１のいずれか一項に記載の導電性格子の使用。
JP2009554074A 2007-03-21 2008-03-21 サブミリメートルの格子を製造するためにサブミリメートルの開口部を有するマスクを製造するためのプロセス、およびサブミリメートルの格子 Expired - Fee Related JP5611602B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0753972 2007-03-21
FR0753972A FR2913972B1 (fr) 2007-03-21 2007-03-21 Procede de fabrication d'un masque pour la realisation d'une grille
PCT/FR2008/050505 WO2008132397A2 (fr) 2007-03-21 2008-03-21 Procede de fabrication d'un masque a ouvertures submillimetriques pour la realisation d'une grille submillimetrique, grille submillimetrique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010524810A JP2010524810A (ja) 2010-07-22
JP5611602B2 true JP5611602B2 (ja) 2014-10-22

Family

ID=38537888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009554074A Expired - Fee Related JP5611602B2 (ja) 2007-03-21 2008-03-21 サブミリメートルの格子を製造するためにサブミリメートルの開口部を有するマスクを製造するためのプロセス、およびサブミリメートルの格子

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20100059365A1 (ja)
EP (1) EP2129632A2 (ja)
JP (1) JP5611602B2 (ja)
KR (1) KR101496980B1 (ja)
CN (1) CN101636361B (ja)
FR (1) FR2913972B1 (ja)
TW (1) TWI478886B (ja)
WO (1) WO2008132397A2 (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090129927A (ko) * 2008-06-13 2009-12-17 주식회사 엘지화학 발열체 및 이의 제조방법
US10412788B2 (en) * 2008-06-13 2019-09-10 Lg Chem, Ltd. Heating element and manufacturing method thereof
CN101983181B (zh) * 2008-06-13 2015-10-14 Lg化学株式会社 加热件及其制备方法
FR2936241B1 (fr) * 2008-09-24 2011-07-15 Saint Gobain Electrode avant pour cellule solaire avec revetement antireflet.
FR2936360B1 (fr) * 2008-09-24 2011-04-01 Saint Gobain Procede de fabrication d'un masque a ouvertures submillimetriques pour grille electroconductrice submillimetrique, masque et grille electroconductrice submillimetrique.
FR2936361B1 (fr) * 2008-09-25 2011-04-01 Saint Gobain Procede de fabrication d'une grille submillimetrique electroconductrice, grille submillimetrique electroconductrice
EP2244316A1 (en) * 2009-04-22 2010-10-27 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO An electronic device and a method of manufacturing the same
KR20110054841A (ko) 2009-11-18 2011-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20120261404A1 (en) * 2009-12-29 2012-10-18 Hyeon Choi Heating element and manufacturing method thereof
FR2954856B1 (fr) 2009-12-30 2012-06-15 Saint Gobain Cellule photovoltaique organique et module comprenant une telle cellule
FR2955101B1 (fr) * 2010-01-11 2012-03-23 Saint Gobain Materiau photocatalytique et vitrage ou cellule photovoltaique comprenant ce materiau
FR2964254B1 (fr) * 2010-08-30 2013-06-14 Saint Gobain Support de dispositif a diode electroluminescente organique, un tel dispositif a diode electroluminescente organique et son procede de fabrication
FR2965407A1 (fr) 2010-09-27 2012-03-30 Saint Gobain Procédé de connexion(s) électrique(s) d'un dispositif a diode électroluminescente organique encapsule et un tel dispositif oled
FR2979340B1 (fr) * 2011-08-30 2013-08-23 Saint Gobain Electrode supportee transparente
FR2993707B1 (fr) * 2012-07-17 2015-03-13 Saint Gobain Electrode supportee transparente pour oled
US9313896B2 (en) * 2013-02-04 2016-04-12 Nanchang O-Film Tech. Co., Ltd. Double-layered transparent conductive film and manufacturing method thereof
FR3023932B1 (fr) * 2014-07-16 2016-07-08 Commissariat Energie Atomique Dispositif electrochrome comprenant un systeme de chauffage integre
CN106465487B (zh) * 2015-01-26 2019-07-16 法国圣戈班玻璃厂 可加热的层压侧玻璃板
US10597097B2 (en) 2015-09-07 2020-03-24 Sabic Global Technologies B.V. Aerodynamic features of plastic glazing of tailgates
CN108025469B (zh) 2015-09-07 2020-12-25 沙特基础工业全球技术公司 后栏板的塑料玻璃的成型
US10434846B2 (en) 2015-09-07 2019-10-08 Sabic Global Technologies B.V. Surfaces of plastic glazing of tailgates
WO2017042703A1 (en) 2015-09-07 2017-03-16 Sabic Global Technologies B.V. Lighting systems of tailgates with plastic glazing
CN108367702B (zh) 2015-11-23 2021-06-01 沙特基础工业全球技术公司 用于具有塑料玻璃的窗的照明系统
USD804830S1 (en) * 2016-06-30 2017-12-12 Nta Enterprises Textile sheet with a camouflage pattern
US11936109B2 (en) 2020-01-17 2024-03-19 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) mmWave dielectric waveguide beam former/redirector

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001023130A1 (en) * 1999-09-28 2001-04-05 Jetek, Inc. Atmospheric process and system for controlled and rapid removal of polymers from high depth to width aspect ratio holes
JP2003055000A (ja) * 2001-08-08 2003-02-26 Mitsuboshi Belting Ltd 曇化ガラスとその製造方法
JP3988935B2 (ja) * 2002-11-25 2007-10-10 富士フイルム株式会社 網目状導電体及びその製造方法並びに用途
JP4479572B2 (ja) * 2005-04-08 2010-06-09 富士電機デバイステクノロジー株式会社 垂直磁気記録媒体用ディスク基板の製造方法、垂直磁気記録媒体用ディスク基板及び垂直磁気記録媒体
KR100632510B1 (ko) * 2004-04-30 2006-10-09 엘지전자 주식회사 와이어 그리드 편광자 및 그 제조 방법
DE102005056879A1 (de) * 2005-11-28 2007-05-31 Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel Verfahren zur Erzeugung einer Mehrzahl regelmäßig angeordneter Nanoverbindungen auf einem Substrat
CN1827546B (zh) * 2006-02-16 2012-06-20 雷亚林 一种屏蔽红外、远红外线及导电玻璃、陶瓷膜的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20100059365A1 (en) 2010-03-11
CN101636361A (zh) 2010-01-27
KR101496980B1 (ko) 2015-03-03
TW200902466A (en) 2009-01-16
FR2913972B1 (fr) 2011-11-18
KR20100015787A (ko) 2010-02-12
FR2913972A1 (fr) 2008-09-26
WO2008132397A2 (fr) 2008-11-06
WO2008132397A3 (fr) 2009-01-29
TWI478886B (zh) 2015-04-01
CN101636361B (zh) 2014-07-02
EP2129632A2 (fr) 2009-12-09
JP2010524810A (ja) 2010-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5611602B2 (ja) サブミリメートルの格子を製造するためにサブミリメートルの開口部を有するマスクを製造するためのプロセス、およびサブミリメートルの格子
US20110247859A1 (en) Method for manufacturing a submillimetric electrically conductive grid, and submillimetric electrically conductive grid
US9114425B2 (en) Method for manufacturing a mask having submillimetric apertures for a submillimetric electrically conductive grid, mask having submillimetric apertures and submillimetric electrically conductive grid
JP6050118B2 (ja) イオンエロージョンによる表面構造化方法
US8808790B2 (en) Method for manufacturing a submillimetric electrically conductive grid coated with an overgrid
US8697186B2 (en) Method for manufacturing a mask having submillimetric apertures for a submillimetric electrically conductive grid, and mask and submillimetric electrically conductive grid
Yan et al. Fabrication of 2D and 3D ordered porous ZnO films using 3D opal templates by electrodeposition
EP3170214B1 (fr) Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication
JP6630269B2 (ja) 発光装置用積層体及びその作製方法
JP5343133B2 (ja) トップコートの機能を向上させるアンダーコーティング層
WO2014064939A1 (ja) 透明導電体
FR2964254A1 (fr) Support de dispositif a diode electroluminescente organique, un tel dispositif a diode electroluminescente organique et son procede de fabrication
JP6689584B2 (ja) 透明導電性積層体及び透明導電性積層体の製造方法
JP3879540B2 (ja) 導電膜および導電膜の製造方法
KR20230050055A (ko) 투명 전도성 전극

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110318

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20121126

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20130130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130430

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130716

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130723

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131224

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140319

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140327

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140623

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140805

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140903

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5611602

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees