JP5611602B2 - サブミリメートルの格子を製造するためにサブミリメートルの開口部を有するマスクを製造するためのプロセス、およびサブミリメートルの格子 - Google Patents
サブミリメートルの格子を製造するためにサブミリメートルの開口部を有するマスクを製造するためのプロセス、およびサブミリメートルの格子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5611602B2 JP5611602B2 JP2009554074A JP2009554074A JP5611602B2 JP 5611602 B2 JP5611602 B2 JP 5611602B2 JP 2009554074 A JP2009554074 A JP 2009554074A JP 2009554074 A JP2009554074 A JP 2009554074A JP 5611602 B2 JP5611602 B2 JP 5611602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- mask
- grid
- lattice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 57
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 33
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 14
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 4
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000037361 pathway Effects 0.000 claims description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 description 1
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000012538 light obscuration Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011206 morphological examination Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/25—Metals
- C03C2217/251—Al, Cu, Mg or noble metals
- C03C2217/252—Al
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
- C03C2218/116—Deposition methods from solutions or suspensions by spin-coating, centrifugation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/34—Masking
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/155—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/155—Electrodes
- G02F2001/1555—Counter electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
一般には規則的および周期的形状(正方形、長方形)であるこれらの格子に特徴的な寸法は、例えば300μmの間隔をあけた幅20から30μmの金属ストランドの網状組織を形成するが、これらは点光源によって照明された場合の回折図形の原因である。
マスク層は、溶媒中で安定化して分散しているコロイド粒子の溶液から基板自体もしくは下層上に堆積させられる工程、および
マスク層の乾燥は、少なくとも一つの方向にランダムで非周期的な間隙の網目を備える、マスクを形成する実質的に直線状のエッジの間隙の二次元網状組織が得られるまで実施される工程を含むプロセスである。
ユニットBの(平均)サイズは、ミリメートルもしくはサブミリメートル、詳細には5から500μm、または100から250μmでさえある;
B/A比は、詳細には、特に7から20または40さえの粒子の性質の関数として調節可能である;
開口部の最大幅と開口部の最小幅との差は、マスクの所与領域内、もしくは表面の大部分もしくは全体にわたってさえ4未満、または2以下でさえある;
最大網目(ユニット)寸法と最小網目寸法との差は、マスクの所与領域内、もしくは表面の大部分もしくは全体にわたってさえ4未満、または2以下でさえある;
目の粗い網目(「固定」の開口部のない間隙)の量は、マスクの所与領域内、または表面の大部分もしくは全体にわたってさえ5%未満、または2%以下でさえあり、このために場合により減少させられ、網状組織破断は網状組織のエッチングによって抑制できる、限定される、またはほぼゼロにさえ抑えられる;
所与の網目、表面の所与領域内もしくは全体にわたって網目の大部分もしくは全部についてさえ、網目に特徴的である最大寸法と網目に特徴的である最小寸法との差は、等方性を強化するために2未満である;
網状組織の区分の大部分もしくは全部についてさえ、エッジは、特に(例えば倍率200倍の光学顕微鏡を用いて観察される。)10nmのスケール上で平行な一定の間隔をあけている。
これらの分散を促進するために、好ましくは10から300nm、もしくは50から150nmさえの特徴的な(平均)サイズを備える、限定されたサイズの粒子(ナノ粒子)を選択すること、および
これらが一緒に凝集すること、重力に起因する沈降および/または落下を防止するために、溶媒中で(特に表面電荷による処置によって、例えば界面活性剤、pHの制御によって)粒子を安定化させることの両方が必要である。
または、例えば含水量および/または温度を局所的に修飾することによる、マスクの分別乾燥。
シリコンオキシド、シリコンオキシカーバイドをベースとする、一般式SiOCの層であってよい、
シリコンニトリド、シリコンオキシニトリド、シリコンオキシカーボニトリドをベースとする、一般式SiNOC、詳細にはSiN、特にSi3N4の層であってよい。
格子材料の堆積は、マスク開口部の画分を満たし、さらにマスクの表面を被覆する、および
格子材料の堆積は、特にプラズマ、真空下での堆積、スパッタリング、蒸発による大気圧堆積である、の一つおよび/またはその他を場合により頼ることが可能である。
ストランド(B)間の(平均)間隔対ストランド(A)のサブミリメートル(平均)幅の比率は7から40である、
格子のユニットはランダム(不規則)であり、様々な形状および/またはサイズである、
ストランドによって境界が定められた網目は、三つおよび/または四つおよび/または五つの辺、例えば大部分は四つの辺を有している、
格子は、少なくとも一つの方向、好ましくは二つの方向に不規則(もしくはランダム)構造を有する、
所与の領域内もしくは表面の全体の上方での網目の大部分もしくは全部についてさえ、網目に特徴的である最大寸法と網目に特徴的である最小寸法との差は、2未満である、
網目の大部分もしくは全部についてさえ、一つの網目の二つの隣辺間の角度は60°から110°、詳細には80°から100°である、
ストランドの最大幅とストランドの最小幅との差は、所与領域内、もしくは表面の大部分もしくは全体にわたってさえ4未満、または2以下でさえある、
最大網目寸法(網目を形成するストランド間の間隔)と最小網目寸法との差は、所与の格子領域内、もしくは表面の大部分もしくは全体にわたってさえ4未満、または2以下でさえある、
閉鎖されていない網目および/またはカットストランド(「ブラインド」)区分の含量は、所与格子領域内、または表面の大部分もしくは全体にわたってさえ5%未満、または2%以下であり、即ち網状組織破断は限定される、またはほぼゼロでさえある、
大部分について、ストランドのエッジは、詳細には実質的に直線状の、10μmの規模で平行に一定の間隔をあけている(例えば倍率200倍を備える光学顕微鏡を用いて観察される。)、のうちの一つ以上を有していてよい。
光透過率勾配、および
電力勾配(熱の適用、除氷、非長方形表面上方での均質な熱流量の産生)を備えるゾーンを作り出すことが可能である。
可変性光学および/またはエネルギー特性を有する電気化学的および/または電気的に制御可能な装置、例えば液晶装置もしくは太陽光発電装置、または有機発光装置、フラットランプ装置における能動層(単層もしくは多層電極)、
加熱装置の能動(加熱)層、
電磁遮蔽装置、または
(場合により(半)透明の)導電層を必要とする任意の他の装置として、上記に記載したような格子の使用を目的とする。
詳細には単一工程で、大きな厚さの材料を堆積させる工程、および
マスクを取り外した後に、マスクに適合する特に大きな厚さの図形を保持する、といった特定の利点を有する。
Claims (32)
- 不規則なサブミリメートルの格子を製造するためのプロセスであって、格子材料の堆積はマスクの間隙を通して該間隙の深さ当たり少なくとも1部が充填されるまで実施され、
マスク層は、溶媒中で安定化して分散しているコロイド粒子の溶液から堆積させられ、
該コロイド溶液は、ポリマーナノ粒子および/または鉱物ナノ粒子を含み、
該マスクはマスク層の堆積および乾燥によりガラス機能を有する基板の表面部分上にサブミリメートルの開口部を有しており、
マスク層を乾燥する工程は、少なくとも一つの方向に間隙のランダムな網目を備える、マスクを形成する実質的に直線状のエッジの間隙の二次元網状組織が得られるまで実施され
該網目の大部分は該表面の全体に亘り、網目に特徴的である最大寸法と網目に特徴的である最小寸法との比は2より小さく、
該粒子は所与のガラス転移温度Tgを有しており、堆積および乾燥が前記ガラス転移温度Tgより低い温度で実施され、
該堆積および乾燥は周囲温度で実施され、粒子の所与のガラス転移温度Tgおよび乾燥温度との差は10℃より大きく、
該堆積および乾燥は、実質的に大気圧で実施される、該プロセス。 - コロイド溶液は、アクリルコポリマー、スチレン、ポリスチレン、ポリ(メタ)アクリレート、ポリエステルまたはこれらの混合物のポリマーナノ粒子を含むことを特徴とする、請求項1に記載のプロセス。
- 溶液は、シリカ、アルミナ、もしくは酸化鉄の鉱物ナノ粒子を含むことを特徴とする、請求項1または2の一項に記載のプロセス。
- 溶液は水性であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載のプロセス。
- 基板のナノ構造化による圧縮コロイドと基板の表面との間の摩擦係数、ナノ粒子のサイズ、蒸発率、初期粒子濃度、溶媒の性質、堆積技術に依存する厚さ、および含水量から選択される制御パラメータを修飾することによって、格子の幅であるA、網目の寸法であるBおよび/またはB/A比が調節されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載のプロセス。
- 乾燥する工程後、マスクは、Tgを上回り、溶融温度Tmを下回る温度で少なくとも局所的に加熱されることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載のプロセス。
- 堆積は、基板上で直接的に実施されることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記基板はガラスから製造されている基板である、請求項1から7のいずれか一項に記載のプロセス。
- マスク層の堆積前に、基板上には親水性層、障壁層、格子材料を接着させるための層、または修飾層から選択される下層が堆積させられることを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載のプロセス。
- マスク層は、前記格子材料をベースとする格子を曝露させるために除去されることを特徴とする、請求項1から9のいずれか一項に記載のプロセス。
- マスク層は、液体経路によって除去されることを特徴とする、請求項1から10に記載のプロセス。
- 該液体経路は溶媒である、請求項11に記載のプロセス。
- 間隙の網状組織は、格子材料の堆積が実施される前にクリーニングされることを特徴とする、請求項1から12に記載のプロセス。
- 間隙の網状組織は、大気圧プラズマ源を用いてクリーニングされることを特徴とする、請求項1から13の一項に記載のプロセス。
- 格子材料の堆積は、プラズマによる、または真空下で、スパッタリングによる、蒸発による大気圧堆積であることを特徴とする、請求項1から14の一項に記載のプロセス。
- 間隙内に蒸着された格子材料は、導電性材料から選択されることを特徴とする、請求項1から15の一項に記載のプロセス。
- 格子材料は導電性であり、導電性材料は電気分解によって格子材料上へ堆積させられることを特徴とする、請求項1から16の一項に記載の格子を製造するためのプロセス。
- 請求項1から17の一項に記載の製造プロセスによって入手される不規則なサブミリメートルの格子を有する基板。
- 少なくとも一方向にランダムである不規則なサブミリメートルの格子を有する基板であって、サブミリメートル幅を有する第1ストランドを備える主網状組織および第1ストランドより小さな幅を有する第2ストランドの第2網状組織を含む基板。
- 請求項18または19の一項に記載の不規則な格子を有する基板であって、格子はストランド(B)間の間隔対ストランド(A)のサブミリメートル幅の7から40の比を有することを特徴とする基板。
- 請求項18から20の一項に記載の格子を有する基板であって、格子のユニットはランダム、非周期的、および様々な形状および/またはサイズであることを特徴とする基板。
- 請求項18から21の一項に記載の格子を有する基板であって、格子は、少なくとも一方向に非周期的またはランダムな構造を有することを特徴とする基板。
- 請求項18から21の一項に記載の格子を有する基板であって、格子は、二方向に非周期的またはランダムな構造を有することを特徴とする基板。
- 請求項18から23の一項に記載の格子を有する基板であって、網目の大部分について、網目に特徴的な最大寸法と網目に特徴的な最小寸法との差は2以下であることを特徴とする基板。
- 請求項18から24の一項に記載の格子を有する基板であって、最大ストランド幅と最小ストランド幅との差は、所与の格子領域内では4未満であること、および/または最大網目寸法と最小網目寸法との差は所与の格子領域内では4未満であることを特徴とする基板。
- 請求項18から25の一項に記載の格子を有する基板であって、網目の大部分について、網目および/またはカットストランドの破断度は、5%未満、または2%以下でさえあることを特徴とする基板。
- 請求項18から26のいずれか一項に記載の格子を有する基板であって、導電性格子は、0.1から30Ω/スクエアのシート抵抗を有することを特徴とする基板。
- 請求項18から27のいずれか一項に記載の格子を有する基板であって、格子は、プラスチックもしくは無機材料から製造されたガラス機能を有する基板の少なくとも一つの表面部分上に直接的もしくは間接的に蒸着させられることを特徴とする基板。
- 請求項18から28のいずれか一項に記載の格子を有する基板であって、格子は、親水性シリカ層である下層、および/または、格子材料の接着を促進するためのNiCr、Ti、ITO、Al若しくはNb層および/またはSi 3 N 4 若しくはSiO 2 の障壁層、および/または修飾層上に蒸着させられることを特徴とする基板。
- 請求項18から29の一項に記載の格子を有する基板であって、格子で被覆された基板の光透過率は70%から86%であることを特徴とする基板。
- 請求項18から30の一項に記載の格子基板を含む多重積層グレージングユニット。
- 可変性光学的および/またはエネルギー特性を有する電気化学および/または電気的に調節可能な装置、液晶を有する電気的に調節可能な装置、太陽光発電装置、発光装置、有機発光装置、加熱装置、フラットランプ装置、電磁遮蔽装置、または任意の他の導電性の透明な層を必要とする装置における、能動層、加熱層もしくは電極としての請求項18から31のいずれか一項に記載の導電性格子の使用。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0753972 | 2007-03-21 | ||
FR0753972A FR2913972B1 (fr) | 2007-03-21 | 2007-03-21 | Procede de fabrication d'un masque pour la realisation d'une grille |
PCT/FR2008/050505 WO2008132397A2 (fr) | 2007-03-21 | 2008-03-21 | Procede de fabrication d'un masque a ouvertures submillimetriques pour la realisation d'une grille submillimetrique, grille submillimetrique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010524810A JP2010524810A (ja) | 2010-07-22 |
JP5611602B2 true JP5611602B2 (ja) | 2014-10-22 |
Family
ID=38537888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009554074A Expired - Fee Related JP5611602B2 (ja) | 2007-03-21 | 2008-03-21 | サブミリメートルの格子を製造するためにサブミリメートルの開口部を有するマスクを製造するためのプロセス、およびサブミリメートルの格子 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100059365A1 (ja) |
EP (1) | EP2129632A2 (ja) |
JP (1) | JP5611602B2 (ja) |
KR (1) | KR101496980B1 (ja) |
CN (1) | CN101636361B (ja) |
FR (1) | FR2913972B1 (ja) |
TW (1) | TWI478886B (ja) |
WO (1) | WO2008132397A2 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090129927A (ko) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | 주식회사 엘지화학 | 발열체 및 이의 제조방법 |
US10412788B2 (en) * | 2008-06-13 | 2019-09-10 | Lg Chem, Ltd. | Heating element and manufacturing method thereof |
CN101983181B (zh) * | 2008-06-13 | 2015-10-14 | Lg化学株式会社 | 加热件及其制备方法 |
FR2936241B1 (fr) * | 2008-09-24 | 2011-07-15 | Saint Gobain | Electrode avant pour cellule solaire avec revetement antireflet. |
FR2936360B1 (fr) * | 2008-09-24 | 2011-04-01 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'un masque a ouvertures submillimetriques pour grille electroconductrice submillimetrique, masque et grille electroconductrice submillimetrique. |
FR2936361B1 (fr) * | 2008-09-25 | 2011-04-01 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une grille submillimetrique electroconductrice, grille submillimetrique electroconductrice |
EP2244316A1 (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-27 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | An electronic device and a method of manufacturing the same |
KR20110054841A (ko) | 2009-11-18 | 2011-05-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US20120261404A1 (en) * | 2009-12-29 | 2012-10-18 | Hyeon Choi | Heating element and manufacturing method thereof |
FR2954856B1 (fr) | 2009-12-30 | 2012-06-15 | Saint Gobain | Cellule photovoltaique organique et module comprenant une telle cellule |
FR2955101B1 (fr) * | 2010-01-11 | 2012-03-23 | Saint Gobain | Materiau photocatalytique et vitrage ou cellule photovoltaique comprenant ce materiau |
FR2964254B1 (fr) * | 2010-08-30 | 2013-06-14 | Saint Gobain | Support de dispositif a diode electroluminescente organique, un tel dispositif a diode electroluminescente organique et son procede de fabrication |
FR2965407A1 (fr) | 2010-09-27 | 2012-03-30 | Saint Gobain | Procédé de connexion(s) électrique(s) d'un dispositif a diode électroluminescente organique encapsule et un tel dispositif oled |
FR2979340B1 (fr) * | 2011-08-30 | 2013-08-23 | Saint Gobain | Electrode supportee transparente |
FR2993707B1 (fr) * | 2012-07-17 | 2015-03-13 | Saint Gobain | Electrode supportee transparente pour oled |
US9313896B2 (en) * | 2013-02-04 | 2016-04-12 | Nanchang O-Film Tech. Co., Ltd. | Double-layered transparent conductive film and manufacturing method thereof |
FR3023932B1 (fr) * | 2014-07-16 | 2016-07-08 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif electrochrome comprenant un systeme de chauffage integre |
CN106465487B (zh) * | 2015-01-26 | 2019-07-16 | 法国圣戈班玻璃厂 | 可加热的层压侧玻璃板 |
US10597097B2 (en) | 2015-09-07 | 2020-03-24 | Sabic Global Technologies B.V. | Aerodynamic features of plastic glazing of tailgates |
CN108025469B (zh) | 2015-09-07 | 2020-12-25 | 沙特基础工业全球技术公司 | 后栏板的塑料玻璃的成型 |
US10434846B2 (en) | 2015-09-07 | 2019-10-08 | Sabic Global Technologies B.V. | Surfaces of plastic glazing of tailgates |
WO2017042703A1 (en) | 2015-09-07 | 2017-03-16 | Sabic Global Technologies B.V. | Lighting systems of tailgates with plastic glazing |
CN108367702B (zh) | 2015-11-23 | 2021-06-01 | 沙特基础工业全球技术公司 | 用于具有塑料玻璃的窗的照明系统 |
USD804830S1 (en) * | 2016-06-30 | 2017-12-12 | Nta Enterprises | Textile sheet with a camouflage pattern |
US11936109B2 (en) | 2020-01-17 | 2024-03-19 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | mmWave dielectric waveguide beam former/redirector |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001023130A1 (en) * | 1999-09-28 | 2001-04-05 | Jetek, Inc. | Atmospheric process and system for controlled and rapid removal of polymers from high depth to width aspect ratio holes |
JP2003055000A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-26 | Mitsuboshi Belting Ltd | 曇化ガラスとその製造方法 |
JP3988935B2 (ja) * | 2002-11-25 | 2007-10-10 | 富士フイルム株式会社 | 網目状導電体及びその製造方法並びに用途 |
JP4479572B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2010-06-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体用ディスク基板の製造方法、垂直磁気記録媒体用ディスク基板及び垂直磁気記録媒体 |
KR100632510B1 (ko) * | 2004-04-30 | 2006-10-09 | 엘지전자 주식회사 | 와이어 그리드 편광자 및 그 제조 방법 |
DE102005056879A1 (de) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel | Verfahren zur Erzeugung einer Mehrzahl regelmäßig angeordneter Nanoverbindungen auf einem Substrat |
CN1827546B (zh) * | 2006-02-16 | 2012-06-20 | 雷亚林 | 一种屏蔽红外、远红外线及导电玻璃、陶瓷膜的制备方法 |
-
2007
- 2007-03-21 FR FR0753972A patent/FR2913972B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-21 CN CN200880009031.6A patent/CN101636361B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-21 US US12/531,699 patent/US20100059365A1/en not_active Abandoned
- 2008-03-21 EP EP08775743A patent/EP2129632A2/fr not_active Withdrawn
- 2008-03-21 WO PCT/FR2008/050505 patent/WO2008132397A2/fr active Application Filing
- 2008-03-21 TW TW097110102A patent/TWI478886B/zh active
- 2008-03-21 KR KR1020097022043A patent/KR101496980B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-03-21 JP JP2009554074A patent/JP5611602B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100059365A1 (en) | 2010-03-11 |
CN101636361A (zh) | 2010-01-27 |
KR101496980B1 (ko) | 2015-03-03 |
TW200902466A (en) | 2009-01-16 |
FR2913972B1 (fr) | 2011-11-18 |
KR20100015787A (ko) | 2010-02-12 |
FR2913972A1 (fr) | 2008-09-26 |
WO2008132397A2 (fr) | 2008-11-06 |
WO2008132397A3 (fr) | 2009-01-29 |
TWI478886B (zh) | 2015-04-01 |
CN101636361B (zh) | 2014-07-02 |
EP2129632A2 (fr) | 2009-12-09 |
JP2010524810A (ja) | 2010-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5611602B2 (ja) | サブミリメートルの格子を製造するためにサブミリメートルの開口部を有するマスクを製造するためのプロセス、およびサブミリメートルの格子 | |
US20110247859A1 (en) | Method for manufacturing a submillimetric electrically conductive grid, and submillimetric electrically conductive grid | |
US9114425B2 (en) | Method for manufacturing a mask having submillimetric apertures for a submillimetric electrically conductive grid, mask having submillimetric apertures and submillimetric electrically conductive grid | |
JP6050118B2 (ja) | イオンエロージョンによる表面構造化方法 | |
US8808790B2 (en) | Method for manufacturing a submillimetric electrically conductive grid coated with an overgrid | |
US8697186B2 (en) | Method for manufacturing a mask having submillimetric apertures for a submillimetric electrically conductive grid, and mask and submillimetric electrically conductive grid | |
Yan et al. | Fabrication of 2D and 3D ordered porous ZnO films using 3D opal templates by electrodeposition | |
EP3170214B1 (fr) | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication | |
JP6630269B2 (ja) | 発光装置用積層体及びその作製方法 | |
JP5343133B2 (ja) | トップコートの機能を向上させるアンダーコーティング層 | |
WO2014064939A1 (ja) | 透明導電体 | |
FR2964254A1 (fr) | Support de dispositif a diode electroluminescente organique, un tel dispositif a diode electroluminescente organique et son procede de fabrication | |
JP6689584B2 (ja) | 透明導電性積層体及び透明導電性積層体の製造方法 | |
JP3879540B2 (ja) | 導電膜および導電膜の製造方法 | |
KR20230050055A (ko) | 투명 전도성 전극 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110318 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20121126 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20130130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130430 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130716 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131224 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140319 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140623 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140805 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5611602 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |