JPH01226139A - 積層セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
積層セラミック電子部品の製造方法Info
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- JPH01226139A JPH01226139A JP63052859A JP5285988A JPH01226139A JP H01226139 A JPH01226139 A JP H01226139A JP 63052859 A JP63052859 A JP 63052859A JP 5285988 A JP5285988 A JP 5285988A JP H01226139 A JPH01226139 A JP H01226139A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ビデオテープレコーダ、液晶テレビ、OA機
器等の電気製品に広く用いられている積層セラミックコ
ンデンサ等の積層セラミック電子部品の製造方法に関す
るものであり、他にも、広く多層セラミック基板、積層
バリスタ、積層圧電素子等の積層セラミック電子部品を
製造する際においても、利用可能なものである。
器等の電気製品に広く用いられている積層セラミックコ
ンデンサ等の積層セラミック電子部品の製造方法に関す
るものであり、他にも、広く多層セラミック基板、積層
バリスタ、積層圧電素子等の積層セラミック電子部品を
製造する際においても、利用可能なものである。
従来の技術
近年、電子部品の分野においても、回路部品の高密度化
にともない、積層セラミックコンデンサ等のますますの
微小化及び高性能化が望まれている。ここでは、積層セ
ラミックコンデンサを例に採り説明する。
にともない、積層セラミックコンデンサ等のますますの
微小化及び高性能化が望まれている。ここでは、積層セ
ラミックコンデンサを例に採り説明する。
第7図は、積層セラミックコンデンサの一部を断面゛に
て示す図である。第7図において、1はセラミック誘電
体層、2は内部電極、3は外部電極である。前記内部電
極2ば、2ケの外部電極3に交互に接続されている。
て示す図である。第7図において、1はセラミック誘電
体層、2は内部電極、3は外部電極である。前記内部電
極2ば、2ケの外部電極3に交互に接続されている。
最近、電子部品のチップ化は著しく、前述した通りこの
ような積層セラミックコンデンサにおいても微小化が望
まれている。この積層セラミックコンデンサにおいて、
単なる面積の小型化はそのまま電気的容量の減少につな
がってしまう。このため積層セラミックコンデンサの小
型化と同時に高容量化が行われなくてはならない。
ような積層セラミックコンデンサにおいても微小化が望
まれている。この積層セラミックコンデンサにおいて、
単なる面積の小型化はそのまま電気的容量の減少につな
がってしまう。このため積層セラミックコンデンサの小
型化と同時に高容量化が行われなくてはならない。
そして、積層セラミックコンデンサの高容量化の方法と
して、誘電体の高誘電率化の他に、誘電体層の薄層化、
誘電体層及び内部電極の多層化が考えられている。
して、誘電体の高誘電率化の他に、誘電体層の薄層化、
誘電体層及び内部電極の多層化が考えられている。
まず、誘電体層の薄層化について説明する。この誘電体
の薄層化は、非常に難しい。まず、積層セラミックコン
デンサの※2造方法について簡単に説明する。ここで、
初めにセラミック生シートの製造方法について説明する
。この積層セラミックコンデンサを製造する際に使われ
るセラミック生シートは、誘電体となる金属酸化物粉末
をポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール、ポI
) 7クリロイド等の樹脂をキシレン等の溶剤中に溶解
して作ったビヒクル中に均一に分散させ、こf’L全ス
ラリーとした後、連続的に高速でキャスチング法(溶液
流延)を用いて、十数ミクロンから数十ミクロンの厚さ
のセラミック生シートとして成膜する。ここで用いられ
ているキャスチング法とは、金属またはポリエチレンテ
レフタレートフィルム(以下、PETフィルムと呼ぶ)
等の有機フィルムを支持体とし、この支持体の上にスラ
リーをドクターブレード等を用いて、均一な膜厚に塗布
し、スラリー中の溶剤を温風乾燥もしくは自然乾燥によ
り蒸発させ、セラミック生シートとするものである0 そして、積層セラミックコンデンサk 92造する場合
は、次にこのセラミック生シートを所定の大きさに切断
した後、電極をセラミック生シート上に印刷し、この印
刷したセラミック生シートヲ含む複数枚のセラミック生
シートを積層圧着、切断、焼成の1程を経て作製される
こととなる。
の薄層化は、非常に難しい。まず、積層セラミックコン
デンサの※2造方法について簡単に説明する。ここで、
初めにセラミック生シートの製造方法について説明する
。この積層セラミックコンデンサを製造する際に使われ
るセラミック生シートは、誘電体となる金属酸化物粉末
をポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール、ポI
) 7クリロイド等の樹脂をキシレン等の溶剤中に溶解
して作ったビヒクル中に均一に分散させ、こf’L全ス
ラリーとした後、連続的に高速でキャスチング法(溶液
流延)を用いて、十数ミクロンから数十ミクロンの厚さ
のセラミック生シートとして成膜する。ここで用いられ
ているキャスチング法とは、金属またはポリエチレンテ
レフタレートフィルム(以下、PETフィルムと呼ぶ)
等の有機フィルムを支持体とし、この支持体の上にスラ
リーをドクターブレード等を用いて、均一な膜厚に塗布
し、スラリー中の溶剤を温風乾燥もしくは自然乾燥によ
り蒸発させ、セラミック生シートとするものである0 そして、積層セラミックコンデンサk 92造する場合
は、次にこのセラミック生シートを所定の大きさに切断
した後、電極をセラミック生シート上に印刷し、この印
刷したセラミック生シートヲ含む複数枚のセラミック生
シートを積層圧着、切断、焼成の1程を経て作製される
こととなる。
ここで、誘電体層を薄層化するためには、セラミック生
シートの薄層化が必要になるが、セラミック生シートを
薄層化するほど、セラミック生シートにピンホール等が
発生しやすくなる。このためにセラミック生シートの薄
層化によジ、急激に積層セラミックコンデンサの歩留v
を落としてしまう。また、電極インキもセラミック生シ
ートも同じように樹脂全溶剤中に溶解してたものがビヒ
クルとなっている。このため、セラミック生シート上に
電極インキを印刷すると、電極インキ中の溶剤がセラミ
ック生シートの樹脂を溶解してし1う。このため、セラ
ミック生シート上に印刷した電極インキがセラミック生
シートヲ侵食し、膨潤を起こしてしまい、ショートラ起
こしやすくなる。
シートの薄層化が必要になるが、セラミック生シートを
薄層化するほど、セラミック生シートにピンホール等が
発生しやすくなる。このためにセラミック生シートの薄
層化によジ、急激に積層セラミックコンデンサの歩留v
を落としてしまう。また、電極インキもセラミック生シ
ートも同じように樹脂全溶剤中に溶解してたものがビヒ
クルとなっている。このため、セラミック生シート上に
電極インキを印刷すると、電極インキ中の溶剤がセラミ
ック生シートの樹脂を溶解してし1う。このため、セラ
ミック生シート上に印刷した電極インキがセラミック生
シートヲ侵食し、膨潤を起こしてしまい、ショートラ起
こしやすくなる。
これを、以下に第8図を用いて説明する。
第8図は、セラミック生シート上に電極インキをスクリ
ーン印刷方法により印刷している様子を示す図である。
ーン印刷方法により印刷している様子を示す図である。
第8図において、4はスクリーン枠、5はスクリーン、
6は電極インキ、7はスキージ、8は台、9はベースフ
ィルム、10はセラミック生シート、11は前記セラミ
ック生シート10上に印刷された電極インキである。第
8図において、スクリーン枠4に張られたスクリーン6
全通して、電極インキ6がスキージ7によって、台8の
上に固定されたベースフィルム9表面のセラミック生シ
ート10上に印刷される。この時、印刷された電極イン
キ11がセラミック生シート10に染み込み、ショート
奮起こしゃすくなる。
6は電極インキ、7はスキージ、8は台、9はベースフ
ィルム、10はセラミック生シート、11は前記セラミ
ック生シート10上に印刷された電極インキである。第
8図において、スクリーン枠4に張られたスクリーン6
全通して、電極インキ6がスキージ7によって、台8の
上に固定されたベースフィルム9表面のセラミック生シ
ート10上に印刷される。この時、印刷された電極イン
キ11がセラミック生シート10に染み込み、ショート
奮起こしゃすくなる。
これに対してセラミック生シート中の樹脂の種類、量等
を変えて、侵食、膨潤の少ない組合せが検討さnている
が、セラミック生シートの厚みが例えば30ミクロン以
下のように薄くなると、侵食、膨潤の起こらない組合せ
はほとんどない。また、侵食、膨潤の起こりにくいセラ
ミック生シートの組合せも、電極インキを印刷する時に
インキの乾燥が早すぎて印刷時での作業性が悪かったり
、電極インキが印刷後の乾燥工程中にクラックを生じた
り、あるいは圧着した積層体を焼結した時にクラックが
発生する等の現象を生じ、実用になる組合せを得ること
は難しい状態にある。
を変えて、侵食、膨潤の少ない組合せが検討さnている
が、セラミック生シートの厚みが例えば30ミクロン以
下のように薄くなると、侵食、膨潤の起こらない組合せ
はほとんどない。また、侵食、膨潤の起こりにくいセラ
ミック生シートの組合せも、電極インキを印刷する時に
インキの乾燥が早すぎて印刷時での作業性が悪かったり
、電極インキが印刷後の乾燥工程中にクラックを生じた
り、あるいは圧着した積層体を焼結した時にクラックが
発生する等の現象を生じ、実用になる組合せを得ること
は難しい状態にある。
このために実用的には、誘電体層及び内部電極の多層化
が行われている。しかし、従来の積層方法では、多層化
した時に内部電極における部分的な積層数の違いによる
部分的な厚みムラあるいは段差が発生してしまう。この
厚みムラによる凹凸により、積層セラミックコンデンサ
としての均一な厚みの積層ができず、デラミネーシヨン
(層間剥離)やクラック(割れ)等の問題を発生してし
まう問題がるる。
が行われている。しかし、従来の積層方法では、多層化
した時に内部電極における部分的な積層数の違いによる
部分的な厚みムラあるいは段差が発生してしまう。この
厚みムラによる凹凸により、積層セラミックコンデンサ
としての均一な厚みの積層ができず、デラミネーシヨン
(層間剥離)やクラック(割れ)等の問題を発生してし
まう問題がるる。
第9図は、多積層化した時の積層セラミックコンデンサ
の断面図である。ここで、積層セラミックコンデンサの
中心部(内部電極2の積層数が多い)の厚みAに比べ、
周辺部(内部電極2の積層数が少ない)の厚みBが小さ
いことが解る。
の断面図である。ここで、積層セラミックコンデンサの
中心部(内部電極2の積層数が多い)の厚みAに比べ、
周辺部(内部電極2の積層数が少ない)の厚みBが小さ
いことが解る。
第10図は、積層数に対する中心部と周辺部の厚与の差
を説明する図である。ここで、用いたセラミック生シー
トの厚みは20ミクロン、内部電極の厚みは4ミクロン
である。第10図よジ、積層数が10層を超えると中心
部と周辺部の厚みの差が20ミクロン、つまり用いたセ
ラミック生シートの厚みを超えてしまうことが解る。
を説明する図である。ここで、用いたセラミック生シー
トの厚みは20ミクロン、内部電極の厚みは4ミクロン
である。第10図よジ、積層数が10層を超えると中心
部と周辺部の厚みの差が20ミクロン、つまり用いたセ
ラミック生シートの厚みを超えてしまうことが解る。
従来より、この問題に対して、いくつかのアプローチが
採られていた。まず、特開昭52−135050号公報
、特開昭52−133563号公報では、段差部つまり
周辺部に新しく内部電極の分だけ取り除いたセラミック
生シート全介挿し、これを積層後、焼成する方法が提案
されている。しかし、この方法によるとセラミック生シ
ートを精度よく、例えば3.5X1.0ミリメートルの
大きさに数百側以上取り除く必要がある。特に、セラミ
ック生シート単体では、その薄さ、やわらかさ等により
、機械的に取り扱うことははとんどできない。たとえ、
取り扱えたとしても、精度良くパンチング等で切抜き加
工することは難しい。
採られていた。まず、特開昭52−135050号公報
、特開昭52−133563号公報では、段差部つまり
周辺部に新しく内部電極の分だけ取り除いたセラミック
生シート全介挿し、これを積層後、焼成する方法が提案
されている。しかし、この方法によるとセラミック生シ
ートを精度よく、例えば3.5X1.0ミリメートルの
大きさに数百側以上取り除く必要がある。特に、セラミ
ック生シート単体では、その薄さ、やわらかさ等により
、機械的に取り扱うことははとんどできない。たとえ、
取り扱えたとしても、精度良くパンチング等で切抜き加
工することは難しい。
同様に、特開昭61−102%9号公報のように、セラ
ミック生シート及び電極シートの両方全パンチングで打
ち抜き、順次積層するという積、層セラミックコンデン
サの製造方法もあるが、これも量産性に問屋がある。例
えば、−度に多数パンチングすることは、印刷するより
、コスト的にも精度的にも不利である。さらに、電極シ
ートの厚さを5ミクロン以下にした場合、電極シートの
物理的な強度がパンチングやハンドリングに耐えら扛な
いことにもなる。
ミック生シート及び電極シートの両方全パンチングで打
ち抜き、順次積層するという積、層セラミックコンデン
サの製造方法もあるが、これも量産性に問屋がある。例
えば、−度に多数パンチングすることは、印刷するより
、コスト的にも精度的にも不利である。さらに、電極シ
ートの厚さを5ミクロン以下にした場合、電極シートの
物理的な強度がパンチングやハンドリングに耐えら扛な
いことにもなる。
また、特開昭52−136061号公報では、セラミッ
ク生シート上にまず内部電極インキを塗布し、さらに内
部電極インキ全塗布した残りの部分に誘電体インキを塗
布し、これを内部電極インキの取り出し位置に異ならせ
、積み重ね、加圧、焼成する方法が提案されている。し
かし、この場合には、新しく印刷した誘電体インキに含
まれる溶剤により、下の積層体が侵される問題が残る。
ク生シート上にまず内部電極インキを塗布し、さらに内
部電極インキ全塗布した残りの部分に誘電体インキを塗
布し、これを内部電極インキの取り出し位置に異ならせ
、積み重ね、加圧、焼成する方法が提案されている。し
かし、この場合には、新しく印刷した誘電体インキに含
まれる溶剤により、下の積層体が侵される問題が残る。
このために、セラミック生シートが薄いほど、ショート
や耐電圧特性を劣化させやすい。
や耐電圧特性を劣化させやすい。
また、電極インキに溶剤を用いない方法として、特開昭
53−61458号公報等の電極形成方法がある。また
、特開昭67−102166号公報のように活性化ペー
ストラ用いた無′1π解メッキ法による方法もあるが、
電極形成を無重解メッキ技術を用いて行うために、セラ
ミック生シートをメッキ液に浸すことから、新たな問題
が発生する。
53−61458号公報等の電極形成方法がある。また
、特開昭67−102166号公報のように活性化ペー
ストラ用いた無′1π解メッキ法による方法もあるが、
電極形成を無重解メッキ技術を用いて行うために、セラ
ミック生シートをメッキ液に浸すことから、新たな問題
が発生する。
他にも、特開昭53−42353号公報のようにセラミ
ック生シー) ’i−it分的に打ち抜くか、凹状に加
工することも考えられているが、実用的ではない。
ック生シー) ’i−it分的に打ち抜くか、凹状に加
工することも考えられているが、実用的ではない。
また、特開昭56−94%9号公報も同様なものであり
、積層体上に生じfc膜段差箇所にセラミック生シート
を形成しようとするもので、量産性が良いとは考えにく
い。
、積層体上に生じfc膜段差箇所にセラミック生シート
を形成しようとするもので、量産性が良いとは考えにく
い。
その他にも電極インキ中の溶剤のセラミック生シートへ
の悪影響を防止するために、いくつかの方法が提案され
ている。
の悪影響を防止するために、いくつかの方法が提案され
ている。
例えば、特開昭56−106244号公報のように、ベ
ースフィルム上に電極のみをまず印刷形成しておき、次
にこの上にキャスチング法でセラミック生シートを形成
する方法がある。また、特公昭40−19975号公報
のように、電極ペイン)?塗布、乾燥後、連続的に誘電
体スラリーを塗布し、これを支持体から剥離することに
より、電極付きセラミック未焼成薄膜を得る方法がある
。
ースフィルム上に電極のみをまず印刷形成しておき、次
にこの上にキャスチング法でセラミック生シートを形成
する方法がある。また、特公昭40−19975号公報
のように、電極ペイン)?塗布、乾燥後、連続的に誘電
体スラリーを塗布し、これを支持体から剥離することに
より、電極付きセラミック未焼成薄膜を得る方法がある
。
しかし、これらの方法によシ作った電極埋め込みセラミ
ック生シートは、膜厚が6〜20ミクロン程度まで薄く
なると、機械的強度が極端に減少するために、もはやそ
れ自体で取り扱いできなくなる。このために、20ミク
ロン以下の薄層化は行えなかった。
ック生シートは、膜厚が6〜20ミクロン程度まで薄く
なると、機械的強度が極端に減少するために、もはやそ
れ自体で取り扱いできなくなる。このために、20ミク
ロン以下の薄層化は行えなかった。
発明が解決しようとする課題
したがって、前記のような積層セラミックコンデンサの
構成では、セラミック生シート上に電極を印刷する積層
セラミックコンデンサの製造方法においては、電極イン
キ中に含まれる溶剤によりセラミック生シートが侵食、
膨潤を起こしてしまい、セラミック生シートが薄くなる
ほどショートしやすくなる。一方、電極をセラミック生
シートに埋め込み、この電極埋め込みセラミック生シー
トを用いる積層セラミックコンデンサの製造方法では、
前記電極埋め込みセラミック生シートを支持体上より剥
離して用いることにより、薄層化に限度があった。また
、特に誘電体層及び内部電極の多層化を行う場合におい
ては、積層セラミックコンデンサの中心部と周辺部とで
の、内部電極により発生する段差を取り除くことはでき
ないという問題点を有していた。
構成では、セラミック生シート上に電極を印刷する積層
セラミックコンデンサの製造方法においては、電極イン
キ中に含まれる溶剤によりセラミック生シートが侵食、
膨潤を起こしてしまい、セラミック生シートが薄くなる
ほどショートしやすくなる。一方、電極をセラミック生
シートに埋め込み、この電極埋め込みセラミック生シー
トを用いる積層セラミックコンデンサの製造方法では、
前記電極埋め込みセラミック生シートを支持体上より剥
離して用いることにより、薄層化に限度があった。また
、特に誘電体層及び内部電極の多層化を行う場合におい
ては、積層セラミックコンデンサの中心部と周辺部とで
の、内部電極により発生する段差を取り除くことはでき
ないという問題点を有していた。
本発明は、前記問題点に鑑み、メッキ方法もしくは物理
的蒸着方法によって支持体上に金属薄膜からなる電極を
形成することより、電極が間頭となる溶剤を含まず、ま
た電極自身も溶剤に侵されないことで溶剤等によるショ
ート’(z起こしにくく、′1コ極全セラミック生シー
ト中に埋め込むことにより、誘電体層及び内部電極の多
層化された積層セラミックコンデンサを製造する際に用
いても、積層セラミックコンデンサの中心部と周辺部と
での内部電極により発生する段差を低減し、20ミクロ
ン程度以下の薄いセラミック生シートにおいても機械的
強度を保ちながら取り扱いでき、転写することができる
積層セラミック電子部品の製造方法を提供するものであ
る。
的蒸着方法によって支持体上に金属薄膜からなる電極を
形成することより、電極が間頭となる溶剤を含まず、ま
た電極自身も溶剤に侵されないことで溶剤等によるショ
ート’(z起こしにくく、′1コ極全セラミック生シー
ト中に埋め込むことにより、誘電体層及び内部電極の多
層化された積層セラミックコンデンサを製造する際に用
いても、積層セラミックコンデンサの中心部と周辺部と
での内部電極により発生する段差を低減し、20ミクロ
ン程度以下の薄いセラミック生シートにおいても機械的
強度を保ちながら取り扱いでき、転写することができる
積層セラミック電子部品の製造方法を提供するものであ
る。
課題を解決するための手段
前・記問題点を解決するために、本発明の積層セラミッ
ク電子部品の製造方法は、メッキ方法もしくは物理的蒸
着方法によって形成された金属薄膜からなる電極を支持
体上に形成し、前記支持体及び前記電極上に、乾燥後に
熱可塑性樹脂が10重量%以上40重量%以下になるよ
うに配合したセラミックスのスラリーを塗布した後、前
記セラミックスのスラリー全乾燥させ、前記支持体上に
電極埋め込みセラミック生シートを作り、次に前記電極
埋め込みセラミック生シートヲ前記支持体より剥離する
ことなく、他のセラミック生シートもしくは他の′LE
極の上に熱圧着させた後、前記支持体のみを剥離し、前
記電極埋め込みセラミック生シートヲ前記他のセラミッ
ク生シートもしくは他の電極上に転写するという構成を
備えたものである。
ク電子部品の製造方法は、メッキ方法もしくは物理的蒸
着方法によって形成された金属薄膜からなる電極を支持
体上に形成し、前記支持体及び前記電極上に、乾燥後に
熱可塑性樹脂が10重量%以上40重量%以下になるよ
うに配合したセラミックスのスラリーを塗布した後、前
記セラミックスのスラリー全乾燥させ、前記支持体上に
電極埋め込みセラミック生シートを作り、次に前記電極
埋め込みセラミック生シートヲ前記支持体より剥離する
ことなく、他のセラミック生シートもしくは他の′LE
極の上に熱圧着させた後、前記支持体のみを剥離し、前
記電極埋め込みセラミック生シートヲ前記他のセラミッ
ク生シートもしくは他の電極上に転写するという構成を
備えたものである。
作用
本発明は前記した構成によって、電極がメッキ方法もし
くは物理的蒸着方法によって形成された金属薄膜からな
る電極を用いることによジ、電極中に含まれる溶剤によ
ってセラミック生シートが侵食、膨潤を起こし、ショー
トするといったことがなく、多層化された積層セラミッ
クコンデンサを製造する際に用いても、電極をセラミッ
ク生シートに埋め込むことにより、電極により発生する
段差を低減することができることになる。壕だ、電極の
埋め込まれたセラミック生シートは、支持体より剥離す
ることなく、他のセラミック生シートもしくは他の電極
の上に熱圧着させた後、支持体のみを剥離し、前記電極
埋め込みセラミック生シートを転写することになる。
くは物理的蒸着方法によって形成された金属薄膜からな
る電極を用いることによジ、電極中に含まれる溶剤によ
ってセラミック生シートが侵食、膨潤を起こし、ショー
トするといったことがなく、多層化された積層セラミッ
クコンデンサを製造する際に用いても、電極をセラミッ
ク生シートに埋め込むことにより、電極により発生する
段差を低減することができることになる。壕だ、電極の
埋め込まれたセラミック生シートは、支持体より剥離す
ることなく、他のセラミック生シートもしくは他の電極
の上に熱圧着させた後、支持体のみを剥離し、前記電極
埋め込みセラミック生シートを転写することになる。
実施例
(実施例1)
以下、本発明の第1の実施例の積層セラミックコンデン
サの製造方法及び積層方法について、図面を参照しなが
ら説明する。
サの製造方法及び積層方法について、図面を参照しなが
ら説明する。
第1図及び第2図は、本発明の第1の実施例における電
極埋め込みセラミック生シートを積層する様子を説明す
るための図である。第1四、第2図において、20は台
、21.21&はベースフィルム、22はセラミック生
積層体、23.23&は電極であり、メッキ方法もしく
は物理的蒸着方法によ−)て形成された金属薄膜から形
成されている。24はセラミック生シート、25は電極
埋め込みセラミック生シートであり、電極23&とセラ
ミック生シート24より構成されている。26゜はヒー
タ、27は黙然、28は転写された電極、29は転写さ
れた電極埋め込みセラミック生シート、30は転写され
た電極埋め込みセラミック生シートであり、転写さ才し
た電極28と転写されたセラミック生シート29より構
成されている。また、矢印は黙然27の動く方向を示す
。
極埋め込みセラミック生シートを積層する様子を説明す
るための図である。第1四、第2図において、20は台
、21.21&はベースフィルム、22はセラミック生
積層体、23.23&は電極であり、メッキ方法もしく
は物理的蒸着方法によ−)て形成された金属薄膜から形
成されている。24はセラミック生シート、25は電極
埋め込みセラミック生シートであり、電極23&とセラ
ミック生シート24より構成されている。26゜はヒー
タ、27は黙然、28は転写された電極、29は転写さ
れた電極埋め込みセラミック生シート、30は転写され
た電極埋め込みセラミック生シートであり、転写さ才し
た電極28と転写されたセラミック生シート29より構
成されている。また、矢印は黙然27の動く方向を示す
。
まず、第1図を用いて説明する。まず、ベースフィルム
21aの電極埋め込みセラミック生シート25が形成さ
れていない側に、ヒータ26により加熱された黙然27
を置く。一方、ベースフィルム21aの電極埋め込みセ
ラミック生シート25の形成された側に、台20上に固
定したベースフィルム21及びセラミック生積層体22
を置く。
21aの電極埋め込みセラミック生シート25が形成さ
れていない側に、ヒータ26により加熱された黙然27
を置く。一方、ベースフィルム21aの電極埋め込みセ
ラミック生シート25の形成された側に、台20上に固
定したベースフィルム21及びセラミック生積層体22
を置く。
この時、セラミック生積層体22の表面に転写、印刷等
の適宜の方法により電極23を形成しておく。ここで、
セラミック生積層体22の表面には必ずしも電極23が
形成されている必要はない、っ次に、この第1図に示す
状態から、黙然27によりセラミック生積層体220表
面に、ベースフィルム21&の表面に形成された電極埋
め込みセラミンク生シート25を加熱圧着させる。
の適宜の方法により電極23を形成しておく。ここで、
セラミック生積層体22の表面には必ずしも電極23が
形成されている必要はない、っ次に、この第1図に示す
状態から、黙然27によりセラミック生積層体220表
面に、ベースフィルム21&の表面に形成された電極埋
め込みセラミンク生シート25を加熱圧着させる。
次に、第2図を用いて説明する。この第2図は、第1図
に示す電極埋め込みセラミック生シート25を転写した
後の図である。すなわち、第2図のように、黙然27に
よってベースフィルム2Ia上の電極埋め込みセラミッ
ク生シート26は、セラミック生積層体22の表面に転
写され、これにより転写された電極28及び転写された
セラミック生シート29より構成された転写されfc電
極埋め込みセラミック生シート30を形成する。
に示す電極埋め込みセラミック生シート25を転写した
後の図である。すなわち、第2図のように、黙然27に
よってベースフィルム2Ia上の電極埋め込みセラミッ
ク生シート26は、セラミック生積層体22の表面に転
写され、これにより転写された電極28及び転写された
セラミック生シート29より構成された転写されfc電
極埋め込みセラミック生シート30を形成する。
また、第3図及び第4Nは、前記第1の実施例の変形例
を示し、電極23の形成さnfCセラミック生積層体2
2の表面に、ベースフィルム21bの上に形成されたセ
ラミツク生シート24&’i加熱圧着させ、転写された
セラミック生シート29&を形成した後に、電極埋め込
みセラミック生シート26を加熱圧着する様子を示す。
を示し、電極23の形成さnfCセラミック生積層体2
2の表面に、ベースフィルム21bの上に形成されたセ
ラミツク生シート24&’i加熱圧着させ、転写された
セラミック生シート29&を形成した後に、電極埋め込
みセラミック生シート26を加熱圧着する様子を示す。
ここで、第1図、第2図の工程や、第3図、第4図の工
程を繰り返すことで多層にわたり積層することも可能で
ある。
程を繰り返すことで多層にわたり積層することも可能で
ある。
次に、さらに詳しく説明するQまず、金属薄膜全無電界
メッキ方法によって支持体上で所望する形状に形成し、
電極とした。まず、電極23&(及びセラミック生シー
ト24)用のベースフィルム212Lとして、フィルム
幅200ミリメートル、フィルム膜厚76ミクロン、中
心コア径3インチ、長さ約100メートルのロール状の
ポリエチレンテレフタレートフィルム(以下、PETフ
ィルムと呼ぶ)を用いて、この上にまず、スクリーン印
刷により樹脂インキをレジストマスクとして印刷した。
メッキ方法によって支持体上で所望する形状に形成し、
電極とした。まず、電極23&(及びセラミック生シー
ト24)用のベースフィルム212Lとして、フィルム
幅200ミリメートル、フィルム膜厚76ミクロン、中
心コア径3インチ、長さ約100メートルのロール状の
ポリエチレンテレフタレートフィルム(以下、PETフ
ィルムと呼ぶ)を用いて、この上にまず、スクリーン印
刷により樹脂インキをレジストマスクとして印刷した。
次に、応力発生の少ない組成による無電界メッキ方法?
用いて、この上にパラジウム薄膜を約2ミクロンの膜厚
にメッキした。次に、これを有機溶剤中に浸し、レジス
トインキとしての樹脂インキを除去し、同時に不要部分
のパラジウム薄膜も除去した。このように、通称リフト
オフ法を用いることにより、応力の発生を抑えながら3
.5X1.Oミリメートルの電極形状を得ることができ
た。また、所望する電極の形状を得るためには、特にリ
フトオフ法を用いなくとも、金属薄膜表面の必要な部分
のみに樹脂インキを印刷し、これをエツチングし、不要
部分を除去するエツチング法を用いても良い。
用いて、この上にパラジウム薄膜を約2ミクロンの膜厚
にメッキした。次に、これを有機溶剤中に浸し、レジス
トインキとしての樹脂インキを除去し、同時に不要部分
のパラジウム薄膜も除去した。このように、通称リフト
オフ法を用いることにより、応力の発生を抑えながら3
.5X1.Oミリメートルの電極形状を得ることができ
た。また、所望する電極の形状を得るためには、特にリ
フトオフ法を用いなくとも、金属薄膜表面の必要な部分
のみに樹脂インキを印刷し、これをエツチングし、不要
部分を除去するエツチング法を用いても良い。
次に、誘電体スラリーの作り方について説明する。まず
、ポリビニルブチラール樹脂(積水化学株式会社製、B
L−2ブチラール樹脂)6.0重量部を、フタル酸ジプ
チル0.6重量部、エチルアルコール25.0重量部、
トルエン36.0重量部よりなる樹脂溶液中に、粒径1
ミクロンのチタン酸バリウム粉末31.0重量部と共に
加え、よく攪はんした0次に、これをポリエチレン製の
瓶に入れ、ジルコニアビーズを加え、適当な分散状態に
なるまで混合分散した。次に、これを仮ろ過した後、1
0ミクロンのメンブレンフィルタを用いて加圧ろ過して
、誘電体スラリーとした。
、ポリビニルブチラール樹脂(積水化学株式会社製、B
L−2ブチラール樹脂)6.0重量部を、フタル酸ジプ
チル0.6重量部、エチルアルコール25.0重量部、
トルエン36.0重量部よりなる樹脂溶液中に、粒径1
ミクロンのチタン酸バリウム粉末31.0重量部と共に
加え、よく攪はんした0次に、これをポリエチレン製の
瓶に入れ、ジルコニアビーズを加え、適当な分散状態に
なるまで混合分散した。次に、これを仮ろ過した後、1
0ミクロンのメンブレンフィルタを用いて加圧ろ過して
、誘電体スラリーとした。
次に、この誘電体スラリーヲアブリケータを用いて、電
極23aの形成されたベースフィルム21&上に連続的
に塗布した。次に、これを乾燥させ電極埋め込みセラミ
ック生シート25とし、マイクロメータで膜厚を測定し
たところ、セラミツク生シート25の膜厚は18ミクロ
ンであった。
極23aの形成されたベースフィルム21&上に連続的
に塗布した。次に、これを乾燥させ電極埋め込みセラミ
ック生シート25とし、マイクロメータで膜厚を測定し
たところ、セラミツク生シート25の膜厚は18ミクロ
ンであった。
次に、この電極埋め込みセラミック生シート26を用い
た積層セラミックコンデンサの製造方法について説明す
る。まず、厚み2o○ミクロンの′1ヒ極の形成されて
いないセラミック生積層体22f、ベースフィルム21
ごと第3図の台2〇−上に固定した。この上に第3図及
び第4図のように、必要な積層数だけ電極埋め込みセラ
ミック生シート25を転写した。ここで、転写は温度1
80°C1圧力15キログラム毎平方センナメートルの
条件下で、ベースフィルム212Lの餌から黙諾27を
用いて行い、電極埋め込みセラミック生シート25を転
写した後、ベースフィルム21&を剥して行−)た。こ
れは、第3図のようにセラミック生シート242Lを転
写し、次に第4図のようにこの上に′直接(23,23
1L )?一定のピッチだけずらせた状態で、次の電極
埋め込みセラミック生シートを、黙諾27を用いてベー
スフィルム218L側から加熱することにより転写した
。
た積層セラミックコンデンサの製造方法について説明す
る。まず、厚み2o○ミクロンの′1ヒ極の形成されて
いないセラミック生積層体22f、ベースフィルム21
ごと第3図の台2〇−上に固定した。この上に第3図及
び第4図のように、必要な積層数だけ電極埋め込みセラ
ミック生シート25を転写した。ここで、転写は温度1
80°C1圧力15キログラム毎平方センナメートルの
条件下で、ベースフィルム212Lの餌から黙諾27を
用いて行い、電極埋め込みセラミック生シート25を転
写した後、ベースフィルム21&を剥して行−)た。こ
れは、第3図のようにセラミック生シート242Lを転
写し、次に第4図のようにこの上に′直接(23,23
1L )?一定のピッチだけずらせた状態で、次の電極
埋め込みセラミック生シートを、黙諾27を用いてベー
スフィルム218L側から加熱することにより転写した
。
以下、これを繰り返し′二極が第7図のように交互にず
れるようにし、電極を51層になるようにした。そして
、最後に焼成時のソリ対策や機械的強度に上げるために
、厚み200ミクロンの電極が形成されていないセラミ
ック生シートを転写した。このようにして得た積層体を
2.4X1.6ミリメードルのチップ状に切断した後、
焼成条件全調整しながら、最終的に1000°Cで1時
間焼成したQ 比較のために、従来法として前述と同じ組成、厚みから
なるセラミック生シート上に同じ電極を直接第8図のよ
うにスクリーン印刷法により内部電極として形成し、そ
の上にセラミック生シートを、膜厚が同じになるように
転写し、以下これ全繰り返した。なお、積層時の圧力、
切断、焼成等の各条件はすべて前述と同じにした0ここ
で、電極インキは市販のパラジウムペースト(昭栄化学
株式会社ルソのML−3724インキ)を用いた。
れるようにし、電極を51層になるようにした。そして
、最後に焼成時のソリ対策や機械的強度に上げるために
、厚み200ミクロンの電極が形成されていないセラミ
ック生シートを転写した。このようにして得た積層体を
2.4X1.6ミリメードルのチップ状に切断した後、
焼成条件全調整しながら、最終的に1000°Cで1時
間焼成したQ 比較のために、従来法として前述と同じ組成、厚みから
なるセラミック生シート上に同じ電極を直接第8図のよ
うにスクリーン印刷法により内部電極として形成し、そ
の上にセラミック生シートを、膜厚が同じになるように
転写し、以下これ全繰り返した。なお、積層時の圧力、
切断、焼成等の各条件はすべて前述と同じにした0ここ
で、電極インキは市販のパラジウムペースト(昭栄化学
株式会社ルソのML−3724インキ)を用いた。
また、電極インキの印刷は、40oメツシユ、乳剤厚1
0ミクロンのSUSスクリーンを用いたスクリーン印刷
法により行った。ここで、電極の乾燥後の膜厚は、約1
0ミクロンであった。
0ミクロンのSUSスクリーンを用いたスクリーン印刷
法により行った。ここで、電極の乾燥後の膜厚は、約1
0ミクロンであった。
ここで、試料数は、n=100とした。次に、外部電極
を通常の方法を用いて形成し、ショート発生率に調べた
。その結果を下記の第1表に示す。
を通常の方法を用いて形成し、ショート発生率に調べた
。その結果を下記の第1表に示す。
く第 1 表ジ
以上のように、不発明による積層セラミックコンデンサ
の製造方法を用いれば、ショート発生率、デラミネーシ
ョン発生率ともに、従来法に比較して大さく改善されて
いることが解る。ここで、本発明におけるショート全土
の原因2調べると、その多くは、セラミック生シートの
ピンホールによるものと考えらnた。また同時に、本発
明では電極をセラミック生シート中に埋め込んだために
、積層セラミックコンデンサの中心部と周辺部とでの厚
みの差が大幅に改善されており、これがデラミネーショ
ンの発生率を低下させていると推測された。
の製造方法を用いれば、ショート発生率、デラミネーシ
ョン発生率ともに、従来法に比較して大さく改善されて
いることが解る。ここで、本発明におけるショート全土
の原因2調べると、その多くは、セラミック生シートの
ピンホールによるものと考えらnた。また同時に、本発
明では電極をセラミック生シート中に埋め込んだために
、積層セラミックコンデンサの中心部と周辺部とでの厚
みの差が大幅に改善されており、これがデラミネーショ
ンの発生率を低下させていると推測された。
なおここで、本発明に用いた電極埋め込みセラミック生
シートのセラミック生シート部は、それ自体に含むポリ
ビニルブチラール樹脂の性質により、熱による転写性を
有する。また、この熱による転写性は、セラミック生シ
ート中に含まれているポリビニルブチラール樹脂(以下
、PVB樹脂と呼ぶ)が少ないほど、転写性が悪くなり
、逆に含まnているPVB樹脂の量が多いほど、転写性
が良くなる。ここで用いたセラミック生シート中に含ま
するPVB樹脂は、セラミック粉末100グラ、ムに対
し、20グラム程度含まれているものが転写性が良かっ
た。しかし、ここで転写に必要なPVB樹脂量は、スラ
リー原料のセラミック粉末の粒径によ−)ても、PVB
樹脂の重合度、種類等によっても、あるいは転写時の温
度によっても、転写に必要な樹脂量は変化すると考えら
れる。そして、樹脂量が不足すると、転写温度を上げる
必要がある。
シートのセラミック生シート部は、それ自体に含むポリ
ビニルブチラール樹脂の性質により、熱による転写性を
有する。また、この熱による転写性は、セラミック生シ
ート中に含まれているポリビニルブチラール樹脂(以下
、PVB樹脂と呼ぶ)が少ないほど、転写性が悪くなり
、逆に含まnているPVB樹脂の量が多いほど、転写性
が良くなる。ここで用いたセラミック生シート中に含ま
するPVB樹脂は、セラミック粉末100グラ、ムに対
し、20グラム程度含まれているものが転写性が良かっ
た。しかし、ここで転写に必要なPVB樹脂量は、スラ
リー原料のセラミック粉末の粒径によ−)ても、PVB
樹脂の重合度、種類等によっても、あるいは転写時の温
度によっても、転写に必要な樹脂量は変化すると考えら
れる。そして、樹脂量が不足すると、転写温度を上げる
必要がある。
次に、実験に用いた粒径のチタン酸バリウム粉末につい
て、セラミック生シート中に含まれる樹脂量と、このセ
ラミック生シートの転写性について実験した結果を下記
の第2表に示す。ここで、セラミック生シートは前述の
ようにチタン酸バリウム粉末、可塑剤としてのフタル酸
ジプチル、及びPVB樹脂よりできており、ここに含ま
れるPVB樹脂の重量パーセントラ変化させた場合の転
写性を調べた。ここで、セラミック生シート中に加えた
フタル酸ジプチルの量は、PVB樹脂の10重量%と固
定した。また、セラミック生シートの転写性については
、第1図のように表面に電極が形成されたセラミック生
積層体の上に、電極埋め込みセラミック生シートを転写
することで実験した。また、転写はベースフィルム側か
ら、転写圧力15キログラム毎平万センチメートルの圧
力で、温度180’Cに加熱した黙然を押し当てること
で行った。また、PvB樹脂量は、セラミック生シート
中の重量γで表した。
て、セラミック生シート中に含まれる樹脂量と、このセ
ラミック生シートの転写性について実験した結果を下記
の第2表に示す。ここで、セラミック生シートは前述の
ようにチタン酸バリウム粉末、可塑剤としてのフタル酸
ジプチル、及びPVB樹脂よりできており、ここに含ま
れるPVB樹脂の重量パーセントラ変化させた場合の転
写性を調べた。ここで、セラミック生シート中に加えた
フタル酸ジプチルの量は、PVB樹脂の10重量%と固
定した。また、セラミック生シートの転写性については
、第1図のように表面に電極が形成されたセラミック生
積層体の上に、電極埋め込みセラミック生シートを転写
することで実験した。また、転写はベースフィルム側か
ら、転写圧力15キログラム毎平万センチメートルの圧
力で、温度180’Cに加熱した黙然を押し当てること
で行った。また、PvB樹脂量は、セラミック生シート
中の重量γで表した。
く第 2 表ン・
次に、前記第2表のセラミック生ンーif用い、前記第
1表の場合の実施例と同じようにして、積層セラミック
コンデンサ全製造した。この時のセラミック生シート中
に含まれるPVB樹脂量とデラミネーションの発生率と
の関係を下記の第3表に示す。
1表の場合の実施例と同じようにして、積層セラミック
コンデンサ全製造した。この時のセラミック生シート中
に含まれるPVB樹脂量とデラミネーションの発生率と
の関係を下記の第3表に示す。
く第 3 表〉
この第3表より、PVB樹脂量は10〜40重量%程度
のものがデラミネーションを起こしにくいことが解る。
のものがデラミネーションを起こしにくいことが解る。
以上より、PVB樹脂量はセラミック生シートの10〜
40重量%、特に15重量%前後のものが転写性も良く
、デラミネーションの発生も少ないことが解る。
40重量%、特に15重量%前後のものが転写性も良く
、デラミネーションの発生も少ないことが解る。
ここで、PVB樹脂のような転写性を有する樹脂として
は、他にもアクリル樹脂、ビニル樹脂、セルロース誘導
体樹脂等の熱可塑性樹脂がある。
は、他にもアクリル樹脂、ビニル樹脂、セルロース誘導
体樹脂等の熱可塑性樹脂がある。
また、熱可塑性樹脂以外に、硬化型樹脂、重合型樹脂で
あっても、その硬化条件、重合条件を適当にし、例えば
ゴム状にすることで、表面に粘着性を持たせることによ
って転写でき、セラミック生シート用の樹脂として用い
ることができる。
あっても、その硬化条件、重合条件を適当にし、例えば
ゴム状にすることで、表面に粘着性を持たせることによ
って転写でき、セラミック生シート用の樹脂として用い
ることができる。
さらに、第3図及び第4図のような場合に、セラミック
生シート24aに、チタン酸バリウム100重量部に対
して、樹脂が5重量部枠度しか含1れでいない転写性の
ないセラミック生シートを用いても、交互に本発明の転
写性の優れた電極埋め込みシートラ用いることによって
積層できる。
生シート24aに、チタン酸バリウム100重量部に対
して、樹脂が5重量部枠度しか含1れでいない転写性の
ないセラミック生シートを用いても、交互に本発明の転
写性の優れた電極埋め込みシートラ用いることによって
積層できる。
また、無電界メッキ法の代わりに、電子ビームを用いた
真空蒸着機を用いてパラジウム薄膜を耐熱性のポリイミ
ドフィルム上に形成したものも、同様に用いることがで
きた。ここで、蒸着中のポリイミドフィルム1200’
Cに加熱し、十のマイナス6乗トールの真空下で同様に
約2ミクロンのパラジウム薄膜を形成したものを用いた
。
真空蒸着機を用いてパラジウム薄膜を耐熱性のポリイミ
ドフィルム上に形成したものも、同様に用いることがで
きた。ここで、蒸着中のポリイミドフィルム1200’
Cに加熱し、十のマイナス6乗トールの真空下で同様に
約2ミクロンのパラジウム薄膜を形成したものを用いた
。
(実施例2)
次に、第5図は本発明の第2の実施例における熱ローラ
を用いて電極埋め込みセラミック生シートを転写するフ
j法を説明するための図である。第2図において、31
は熱ローラであり、ヒータ261Lにより一定温度に設
定されている。そして、電極埋め込みセラミック生シー
ト25がセラミック生積層体22と熱ローラ31の間を
通る時、電極埋め込みセラミック生シート26は、セラ
ミック生積層体22表面に転写され、転写された電極埋
め込みセラミック生シート30となる。この方法による
と、電極埋め込みセラミック生シートの転写を連続的に
行うことができる。
を用いて電極埋め込みセラミック生シートを転写するフ
j法を説明するための図である。第2図において、31
は熱ローラであり、ヒータ261Lにより一定温度に設
定されている。そして、電極埋め込みセラミック生シー
ト25がセラミック生積層体22と熱ローラ31の間を
通る時、電極埋め込みセラミック生シート26は、セラ
ミック生積層体22表面に転写され、転写された電極埋
め込みセラミック生シート30となる。この方法による
と、電極埋め込みセラミック生シートの転写を連続的に
行うことができる。
次に、第6図は、電翫埋め込みセラミック生シートの製
造方法の一例を説明するための図であるQ第6図におい
て、32はアプリケータ、33は誹′市体スラリーであ
り、アプリケータ32の中にセーットされている。また
、矢印はベースフィルム21&の動く方向を示す。第6
図において、予め電極2.3Lが形成されたベースフィ
ルム21&が、誘電体スラリー33のセットされたアプ
リケータ32によって、表面に誘電体スラリー33が塗
布され、セラミック生シート25を形成する。ここで、
アプリケータ32は、5〜20ミクロン程度の塗膜を形
成できるものが良い。また、ベースフィルム21&を固
定しておいて、アプリケータ32を動かしても良い。
造方法の一例を説明するための図であるQ第6図におい
て、32はアプリケータ、33は誹′市体スラリーであ
り、アプリケータ32の中にセーットされている。また
、矢印はベースフィルム21&の動く方向を示す。第6
図において、予め電極2.3Lが形成されたベースフィ
ルム21&が、誘電体スラリー33のセットされたアプ
リケータ32によって、表面に誘電体スラリー33が塗
布され、セラミック生シート25を形成する。ここで、
アプリケータ32は、5〜20ミクロン程度の塗膜を形
成できるものが良い。また、ベースフィルム21&を固
定しておいて、アプリケータ32を動かしても良い。
また、本発明において、物理的蒸着方法として、電子ビ
ーム全周いた真空蒸着法以外に、スッパソタ法、MBI
C法等の真空を用いた導電薄膜形成方法を用いた導電薄
膜形成方法等を用いることができる。
ーム全周いた真空蒸着法以外に、スッパソタ法、MBI
C法等の真空を用いた導電薄膜形成方法を用いた導電薄
膜形成方法等を用いることができる。
なお、本発明において、転写時には熱、光、電子線、マ
イクロウェーブ、X線等を使用して転写2行っても艮い
。また、PVB樹脂の種類、可塑剤の種類や添加量音度
えることにより室温での転写も可能である。
イクロウェーブ、X線等を使用して転写2行っても艮い
。また、PVB樹脂の種類、可塑剤の種類や添加量音度
えることにより室温での転写も可能である。
さらに、本発明方法は、前記実施例で述べた積層セラク
ックコンデンサに適用する以外に、多層セラミック基板
、積層バリスタ等のその他の積層セラミック電子部品に
おいても適用できるものである0 発明の効果 以上のように本発明は、メッキ方法もしくは物理的蒸着
方法によって形成された金属薄膜からなる’、Wffl
’!r支持体上に形成し、前記支持体及び前記電極上に
、乾燥後に熱可塑性樹脂が10重量%以上40重量%以
下になるように配合したセラミックスのスラリーを塗布
した後、前記セラミックスのスラリーを乾燥させて、前
記支持体上に電極埋め込みセラミック生シートを作り、
次に前記電極埋め込みセラミック生ンートヲ前記支持体
より剥離することすく、他のセラミック生シートもしく
は他の電極の上に熱圧着させた後、支持体のみを剥離し
、前記電極埋め込みセラミック生シートを前記他のセラ
ミック生シートもしくは他の電極上に転写することによ
り、1ず電極が溶剤を含まないために、溶剤の悪影響は
ない。さらに、電極の厚みもスクリーン印刷方法に比べ
簡単に薄層化もできる。また、セラミック生シートヲ支
持体と共に取扱うために取扱時に破損することなく、電
極を埋め込むことにより内部電極による凹凸の発生を低
減しながら、歩留り良く積層セラミックコンデンサ等の
積層セラミック電子部品を装造することができる。
ックコンデンサに適用する以外に、多層セラミック基板
、積層バリスタ等のその他の積層セラミック電子部品に
おいても適用できるものである0 発明の効果 以上のように本発明は、メッキ方法もしくは物理的蒸着
方法によって形成された金属薄膜からなる’、Wffl
’!r支持体上に形成し、前記支持体及び前記電極上に
、乾燥後に熱可塑性樹脂が10重量%以上40重量%以
下になるように配合したセラミックスのスラリーを塗布
した後、前記セラミックスのスラリーを乾燥させて、前
記支持体上に電極埋め込みセラミック生シートを作り、
次に前記電極埋め込みセラミック生ンートヲ前記支持体
より剥離することすく、他のセラミック生シートもしく
は他の電極の上に熱圧着させた後、支持体のみを剥離し
、前記電極埋め込みセラミック生シートを前記他のセラ
ミック生シートもしくは他の電極上に転写することによ
り、1ず電極が溶剤を含まないために、溶剤の悪影響は
ない。さらに、電極の厚みもスクリーン印刷方法に比べ
簡単に薄層化もできる。また、セラミック生シートヲ支
持体と共に取扱うために取扱時に破損することなく、電
極を埋め込むことにより内部電極による凹凸の発生を低
減しながら、歩留り良く積層セラミックコンデンサ等の
積層セラミック電子部品を装造することができる。
第1図及び第2図は本発明の第1の実施例における電極
埋め込みセラミック生シートを積層する様子を説明する
ための図、第3図及び第4図は前記第1の実施例の変形
例を説明するための図、第5図は本発明の第2の実施例
における熱ローラを用いて電極埋め込みセラミック生シ
ーH−転写する方法全説明するための図、第6図は本発
明において電極埋め込みセラミック生シートの装造方法
の−例を説明するための図、第7図は積層セラミックコ
ンデンサの一部全断面にて示す図、第8図は従来例にお
いてセラミック生シート上に電極インキをスクリーン印
刷方法により印刷している様子を示す図、第9図は同じ
く多積層化した時の積層セラミックコンデンサの断面図
、第10図は同じく積層数に対する中心部と周辺部の厚
みの差を説明する図である。 20・川・・台、21.21&、21b・・・・・・ベ
ースフィルム、22・・・・・・セラミック生積層体、
23゜23&・・・・・・′成極、24.24&・・・
・・・セラミック生シート、25・・・・・・電極埋め
込みセラミック生シート、26・旧・・ヒータ、27・
・・・・・熱溶% 28・旧・・転写された電極、29
・・・・・・転写された電極埋め込みセラミック生シー
ト、30・−・・・・転写された電極埋め込みセラミッ
ク生シート、31・・・・・・熱ローラ、32・・・・
・・アプリケータ、33・・印・誘電体スラリー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名20
−m= 台 21、 ?1a −ベースフィルム ?? −セラミック生積1隷 23− 重 毬 23a−一一党 & 24− セラミック生シート 25− 電蓮埋め込みセラミック生シートど6− ヒ
ータ 27− 熟 盤 第1図 20− 台 21.21α−ベースフィルム ??−セラミック生積/V炊 23− 電 極 z6− ヒータ 27− 塾 盤 28− 転写さ九た置忘 27− 起工さ、fしたtラミック生シート30−*
¥さ丸た電き埋め込み 20−m= 台 21、21b−−−ぺ−ズフィルム 22− セラミック往積層恢 23− 叢 括 24a−m−セラミック生シート 26− ヒータ 27− 熱 盤 第3図 20− 合 21.?1α−ベースフィルム 22 〜 セラミツフケ積層体、 23、23a−−一覚 糧 24 〜 セラミック生シート 25− 電5埋め込みセラミック生シート2乙−ヒー
タ 27− 熱 嚢 20− 台 21 、21a−−−ベースフィルム 22− セラミック生aN体 23− 電 極 23a−一一部 極 24− セラミ・・ツク生シート 25− 電凝埋め込みセラミック生シート26a−一
−ヒータ 2F! −−4転写された叢糧 29−一一私工さ丸たセラミック生シート30− 転
写さ九たt糧埋め込み セラミック生シート 31− 熱ローラ 纂5図 第 6 図 第7図 第8図
埋め込みセラミック生シートを積層する様子を説明する
ための図、第3図及び第4図は前記第1の実施例の変形
例を説明するための図、第5図は本発明の第2の実施例
における熱ローラを用いて電極埋め込みセラミック生シ
ーH−転写する方法全説明するための図、第6図は本発
明において電極埋め込みセラミック生シートの装造方法
の−例を説明するための図、第7図は積層セラミックコ
ンデンサの一部全断面にて示す図、第8図は従来例にお
いてセラミック生シート上に電極インキをスクリーン印
刷方法により印刷している様子を示す図、第9図は同じ
く多積層化した時の積層セラミックコンデンサの断面図
、第10図は同じく積層数に対する中心部と周辺部の厚
みの差を説明する図である。 20・川・・台、21.21&、21b・・・・・・ベ
ースフィルム、22・・・・・・セラミック生積層体、
23゜23&・・・・・・′成極、24.24&・・・
・・・セラミック生シート、25・・・・・・電極埋め
込みセラミック生シート、26・旧・・ヒータ、27・
・・・・・熱溶% 28・旧・・転写された電極、29
・・・・・・転写された電極埋め込みセラミック生シー
ト、30・−・・・・転写された電極埋め込みセラミッ
ク生シート、31・・・・・・熱ローラ、32・・・・
・・アプリケータ、33・・印・誘電体スラリー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名20
−m= 台 21、 ?1a −ベースフィルム ?? −セラミック生積1隷 23− 重 毬 23a−一一党 & 24− セラミック生シート 25− 電蓮埋め込みセラミック生シートど6− ヒ
ータ 27− 熟 盤 第1図 20− 台 21.21α−ベースフィルム ??−セラミック生積/V炊 23− 電 極 z6− ヒータ 27− 塾 盤 28− 転写さ九た置忘 27− 起工さ、fしたtラミック生シート30−*
¥さ丸た電き埋め込み 20−m= 台 21、21b−−−ぺ−ズフィルム 22− セラミック往積層恢 23− 叢 括 24a−m−セラミック生シート 26− ヒータ 27− 熱 盤 第3図 20− 合 21.?1α−ベースフィルム 22 〜 セラミツフケ積層体、 23、23a−−一覚 糧 24 〜 セラミック生シート 25− 電5埋め込みセラミック生シート2乙−ヒー
タ 27− 熱 嚢 20− 台 21 、21a−−−ベースフィルム 22− セラミック生aN体 23− 電 極 23a−一一部 極 24− セラミ・・ツク生シート 25− 電凝埋め込みセラミック生シート26a−一
−ヒータ 2F! −−4転写された叢糧 29−一一私工さ丸たセラミック生シート30− 転
写さ九たt糧埋め込み セラミック生シート 31− 熱ローラ 纂5図 第 6 図 第7図 第8図
Claims (1)
- メッキ方法もしくは物理的蒸着方法によって形成され
た金属薄膜からなる電極を支持体上に形成し、前記支持
体及び前記電極上に、乾燥後に熱可塑性樹脂が10重量
%以上40重量%以下になるように配合したセラミック
スのスラリーを塗布した後、前記セラミックスのスラリ
ーを乾燥させ、前記支持体上に電極埋め込みセラミック
生シートを作り、次に前記電極埋め込みセラミック生シ
ートを前記支持体より剥離することなく、他のセラミッ
ク生シートもしくは他の電極の上に熱圧着させた後、前
記支持体のみを剥離し、前記電極埋め込みセラミック生
シートを前記他のセラミック生シートもしくは他の電極
上に転写することを特徴とする積層セラミック電子部品
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63052859A JPH01226139A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63052859A JPH01226139A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01226139A true JPH01226139A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12926590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63052859A Pending JPH01226139A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01226139A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6967163B2 (en) | 2001-06-08 | 2005-11-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Metal film and manufacturing method therefor, and laminated ceramic electronic component and manufacturing method therefor |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP63052859A patent/JPH01226139A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6967163B2 (en) | 2001-06-08 | 2005-11-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Metal film and manufacturing method therefor, and laminated ceramic electronic component and manufacturing method therefor |
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