DE3632209C2

DE3632209C2 -

Info

Publication number: DE3632209C2
Application number: DE3632209A
Authority: DE
Inventors: Katsuki Sakai Osaka Jp Furukawa; Akira Nara Jp Suzuki; Mitsuhiro Tenri Nara Jp Shigeta; Atsuko Nara Jp Uemoto
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1985-09-24
Filing date: 1986-09-23
Publication date: 1993-05-27
Also published as: DE3632209A1; JPS6271271A; JPH0582991B2; US4990994A

Description

Die Erfindung betrifft eine Elektrodenstruktur für einen Siliciumcarbid-Einkristallhalbleiter, wobei die Oberfläche des Siliciumcarbid-Einkristalls mit einer Elektrodenschicht laminiert ist, welche eine Metallschicht aus Titan oder Molybdän und eine auf derselben als elektrisch leitfähige Schutzschicht ausgebildete weitere Metallschicht umfaßt, die eine Ohm′sche Elektrode bilden. Außerdem betrifft die Er findung eine Elektrodenstruktur für einen Siliciumcarbid- Einkristallhalbleiter, wobei die Oberfläche des Silicium carbid-Einkristalls mit einer eine Ohm′sche Elektrode bil denden Elektrodenschicht laminiert ist, welche eine Metall schicht aus Chrom aufweist.

Diese Elektrodenstruktur kann insbesondere bei solchen Si liciumcarbid-Einkristallhalbleitern vorgesehen werden, die als bei hohen Temperaturen operierende Vorrichtungen, Vor richtungen zur Verwendung mit großer elektrischer Kraft, strahlungsbeständige Vorrichtungen, photoelektrische Umwand lungsvorrichtungen etc. geeignet sind.

Es gibt verschiedenste Kristallstrukturen von SiC, das Bandabstände von 2,2 bis 3,3 eV je nach der Kristall struktur besitzt. SiC ist weiterhin thermisch, chemisch und mechanisch sehr stabil, und es kann im p-Typ und n-Typ, in beiden Fällen mit hoher Stabilität, vorliegen, was bei Halbleitern mit großem Bandabstand selten der Fall ist. Demgemäß finden Halb leitervorrichtungen, die einen SiC-Einkristall aufweisen, der mit einer Elektrode für einen elektrischen Anschluß an äußere Stromkreise versehen ist, auf verschiedenen Gebieten der elektronischen Technik weite Anwendung.

Aus der DE-AS 20 28 076 ist eine Elektrodenstruktur der ersten eingangs genannten gattungsgemäßen Art bekannt, bei der die Metallschicht durch thermische Zersetzung aus einer Fluor-Verbindung auf dem Siliciumcarbid-Halbleiterkörper ab geschieden wird und die elektrisch leitfähige Schutzschicht aus Edelmetall besteht. Eine derartige Edelmetallschicht er füllt zwar die ihr nach der DE-AS 20 28 076 zugedachte Auf gabe, die gesamte Kontaktfläche auch für hohe Temperaturen oxidationsbeständig zu machen. Jedoch hat diese Edelmetall schicht den Nachteil, daß es schwierig ist, ein gewünschtes Elektrodenmuster mittels eines konventionellen Ätzverfahrens unter Verwendung einer Ätzsäurelösung aus Phosphorsäure, Salpetersäure oder Schwefelsäure auszubilden, weil die Edel metallschicht, welche die darunterliegende Metallschicht aus Titan oder Molybdän abdeckt, chemisch stabil ist und der Ätz lösung widersteht. Es ist daher erforderlich, bei dem Auf bringen der Metallschichten auf den Siliciumcarbid-Halbleiter körper entsprechende Masken zu verwenden, was das Verfahren des Herstellens einer solchen Elektrodenstruktur erschwert.

Weiterhin ist aus der DE-AS 11 06 875 eine Elektrodenstruk tur der zweiten eingangs genannten gattungsgemäßen Art be kannt, bei der die Metallschicht auf dem Siliciumcarbid-Halb leiterkörper aufgeschmolzen wird und keine Schutzschicht be sitzt. Es sind zwar eventuell noch weitere Metalle vorgesehen, diese befinden sich aber als Donatoren oder Ak zeptoren in der vorgenannten Metallschicht, bilden also keine eigene Schicht.

Außerdem ist es aus dem Artikel "Breakdown Field in Vapor- Grown Silicon Carbide P-N Junctions", im Journal of Applied Physics, Bd. 48, Nr. 11, Seiten 4831 bis 4833 (1977) be kannt, die Metallschicht durch Vakuumaufdampfen auf dem Si liciumcarbid abzuscheiden, wobei die auf den SiC-Halbleitern zu bildende Elektrode aus Nickel (Ni) für SiC vom n-Typ oder einem eutektischen Kristall von Aluminium (Al) und Silicium (Si) für SiC vom p-Typ hergestellt und der abgeschiedene Film in Kontakt mit dem SiC bei einer hohen Temperatur von etwa 1100°C in eine Legierung umgewandelt wird.

Wenn daher die Elektrode auf SiC-Halbleitern auf diese Wei se gebildet werden soll, erfordert der abgeschiedene Elektrodenfilm eine Wärmebehandlung bei hoher Temperatur von etwa 1100°C, um eine Legierung zu bilden. Da das Elektroden material während der Umwandlung eine Agglomerierung er fährt, wird es schwierig, eine gleichförmige ohm′sche Elek trode herzustellen. Weiterhin bewirkt die Agglomeration des Elektrodenmetalls Spannungen im SiC-Einkristall, der sich mit ihm in Kontakt befindet, was aufgrund von Ver werfungen im Kristall, einer erhöhten Dislokation, etc. zu einer niedrigeren Kristallinität führt. Dies verschlechtert den elektrischen Kontakt zwischen dem SiC-Einkristall und der Elektrode. Weiterhin werden dadurch Schwierigkeiten, wie die Ablösung der Elektrode von dem SiC-Halbleiter, wenn die Vorrichtung eine große Fläche hat, hervorgerufen, wodurch die Zuverlässigkeit des Halbleiters gefährdet ist.

Eine Elektrode, die durch Abscheidung von Ti, Al oder der gleichen auf einem SiC-Halbleiter durch Vakuumverdampfen abgeschieden wird, ist bislang noch nicht beschrieben worden.

Spekulativ wurde schon angenommen, daß aufgrund der Eigen schaften, die von Ti, Al oder dergleichen bei Aufbringen auf Si zu erwarten sind, ein solches Element einen Schottky′schen Kontakt er geben wird, um als eine Schottky-Elektrode zu wirken (SEMI- CONDUCTORS HANDBOOK, überarbeitete Auflage, Seiten 315 bis 317, gedruckt von OHM Corporation, Japan (1984)).

Untersuchungen haben jedoch gezeigt, daß es schwierig ist, eine Metallschicht aus Titan, Molybdän oder auch Chrom in einer solchen ausreichenden Dicke mittels konventioneller Techniken, wie es beispielsweise ein Ablagerungsprozeß unter Vakuum ist, auf Siliciumcarbid-Einkristallen zu erzeugen, und daß eine derartige Titan-, Molybdän- oder Chromschicht nicht sehr wider standsfähig gegen Schlageinwirkungen oder dergleichen ist, wie sie bei der Weiterbehandlung der Elektrodenstruktur, bei spielsweise beim Löten oder beim Herstellen von Elektroden mustern, auftreten können. Eine derartig dünne Titan-, Molyb dän- oder Chromschicht, wie sie durch Vakuumverdampfen her gestellt wird, kann tatsächlich durch Schlageinwirkungen, wie es zum Beispiel bei der weiteren Bearbeitung auftretende Stöße sind, Brüche bekommen, durch welche die Betriebszuver lässigkeit der Elektrodenstruktur beeinträchtigt wird.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Elektrodenstruktur der ersten und zweiten eingangs genannten gattungsgemäßen Art zur Verfügung zu stellen, deren Metallschicht bei guter Ohm'scher Charakteristik keine den Siliciumcarbid-Einkristall schädigende und verschlechternde Hochtemperaturerhitzung beim Aufbringen derselben erfordert, und deren Schutzschicht bei guter Ätzbarkeit in Verbindung mit der Metallschicht eine hohe Zuverlässigkeit und Betriebssicherheit der Elek trodenstruktur auch bei äußeren Schlageinwirkungen, wie sie bei der Weiterbehandlung der Elektrodenstruktur, beispielsweise beim Löten oder beim Herstellen von Elektro denmustern, auftreten können, gewährleistet.

Diese Aufgabe wird, ausgehend von einer Elektrodenstruktur der ersten eingangs genannten gattungsgemäßen Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Schutzschicht aus Aluminium, Kupfer und/oder Nickel in einer Dicke von 100 bis 300 nm auf der durch Vakuumverdampfung in einer Dicke von 20 bis 80 nm auf gebrachten Metallschicht ausgebildet ist.

Ausgehend von einer Elektrodenstruktur der zweiten eingangs genannten gattungsgemäßen Art wird die vorstehende Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf der durch Vakuumver dampfung in einer Dicke von 20 bis 80 nm aufgebrachten Me tallschicht eine weitere Metallschicht aus Aluminium, Kupfer und/oder Nickel in einer Dicke von 100 bis 300 nm als elek trisch leitfähige Schutzschicht ausgebildet ist.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen dargestellt.

Die durch Vakuumverdampfung als Unterlageschicht ausgebilde te Metallschicht der erfindungsgemäßen Elektrodenstruktur hat eine gute Homogenität selbst bei einer derartig niedrigen Dicke von 20 bis 80 nm, was ausgezeichnete Ohm′sche Charakteristika der Elektrodenstruktur zur Folge hat. Weiter hin wird, da die Vakuumverdampfung keine Hochtemperaturer hitzung auf dem als Substrat dienenden Silicumcarbid-Ein kristallhalbleiter erfordert, wie sie bei dem Verfahren der thermischen Zersetzung gemäß der DE-AS 20 28 076 oder beim Aufschmelzen gemäß der DE-AS 11 06 875 angewandt wird, in der erfindungsgemäßen Elektrodenstruktur keinerlei thermi sche Verschlechterung oder Schädigung des Siliciumcarbid- Einkristallhalbleiters verursacht. Dabei sind die Grenzen des Dickenbereichs der Metallschicht dadurch bedingt, daß eine Dicke von unter 20 nm dazu führt, daß es sehr schwie rig wird, eine Metallschicht guter Homogenität zu er zielen, was wiederum zur Folge hat, daß dann keine Ohm′sche Elektrode mit ausgezeichneten Charakteristika mehr erwartet werden kann; eine Dicke der Metallschicht von mehr als 80 nm hat eine so lange Kontaktzeit des Siliciumcarbid-Ein kristallhalbleiters mit dem Metalldampf hoher Temperatur zur Folge, daß eine thermische Verschlechterung oder Schädigung des Siliciumcarbid-Einkristallhalbleiters her vorgerufen werden kann.

Die auf der Metallschicht vorgesehene Schutzschicht aus Alu minium, Kupfer und/oder Nickel mit einer Dicke im Bereich von 100 bis 300 nm führt zu einer hohen Zuverlässigkeit und Betriebssicherheit der erfindungsgemäßen Elektrodenstruktur, ohne daß sie irgendeinen Nachteil bewirkt, insbesondere hin sichtlich des Ätzens und der Widerstandsfähigkeit gegen äuße re Schlageinwirkungen, wie sie bei der Weiterbehandlung der Elektrodenstruktur, beispielsweise beim Löten oder beim Her stellen von Elektrodenmustern, auftreten können. So kann die Schutzschicht durch eine konventionelle Ätzlösung, beispiels weise aus Phosphorsäure, Salpetersäure oder Schwefelsäure, leicht und vorteilhaft zusammen mit der darunterliegenden Metallschicht aus Titan oder Molybdän entfernt werden, so daß Elektrodenmuster in einer für den Herstellungsprozeß der Elektrodenstruktur arbeits- und kostengünstigen Weise er zeugt werden können, ohne daß es erforderlich ist, beim Auf bringen der Elektrodenschicht in relativ schwieriger Weise Masken anzuwenden.

Weiter ist es wichtig, daß Aluminium, Kupfer und Nickel im Gegensatz zu einem gemäß der DE-AS 20 28 076 als Oxidations schutz vorgesehenen Edelmetall, jeweils chemisch sehr reaktionsfähig sind und daher die Schutzschicht eine hervorragende Haftung an der darunterliegenden Metallschicht im Vergleich mit der Haftung hat, die in der Halbleiteranordnung nach der DE-AS 20 28 076 erhalten wird. Dadurch wird bei der erfindungsgemäßen Elektroden struktur ein Ablösen der als obere Schicht vorgesehenen Schutzschicht verhindert, so daß dadurch auch in sofern eine hohe Zuverlässigkeit und Betriebssicherheit der Elektrodenstruktur sichergestellt wird. Die Grenzen des ange gebenen Dickenbereichs der Schutzschicht von 100 bis 300 nm sind dadurch bedingt, daß eine Dicke von unter 100 nm im wesentlichen keinen erwähnenswerten mechanischen Schutz für die darunterliegende Metallschicht erbringt; und daß eine Dicke der Schutzschicht von mehr als 300 nm zu dem Nachteil führt, daß eine Musterbildung in der Elektrode durch Ätzen aufgrund einer derart großen Dicke schwierig wird.

Insgesamt stellt die Erfindung daher eine ausgezeichnet wei terverarbeitbare, insbesondere gegen Lötstöße geschützte und gut ätzbare Elektrodenstruktur zur Verfügung, deren Sili ciumcarbid-Einkristallhalbleiter wegen des Verhinderns von thermischer Schädigung und Verschlechterung optimale Kenn daten hat und die im praktischen Betrieb eine hohe Zuver lässigkeit und Betriebssicherheit aufweist.

Es sei schließlich noch erwähnt, daß durch umfangreiche Untersuchungen festgestellt wurde, daß, wenn Ti, Al oder der gleichen auf einem SiC-Halbleiter durch Vakuumverdampfen ab geschieden werden, ein kompakter Film mit ausgezeichneter Haftung und Dichte gebildet werden kann. Es wurde weiterhin überraschenderweise gefunden, daß der Film als Ohm′sche Elektrode wirkt.

Die Erfindung wird anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert; es zeigen:

Fig. 1(A) eine schematische Darstellung einer Vorstufe einer erfindungsgemäßen Elektrodenstruktur, bei der zunächst nur die Metallschicht auf gebracht ist;

Fig. 1(B) eine schematische Darstellung einer fertigen Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Elektrodenstruktur; und

Fig. 2 eine Darstellung der Stromstärke-Spannungs abhängigkeit der Elektrodenstruktur gemäß Beispiel 1.

Der verwendete SiC-Einkristall ist gewöhnlich auf einem SiC-Einkristallsubstrat durch Kristallwachstum gebildet worden. Das Kristall wachstumsverfahren ist keinen speziellen Beschränkungen un terworfen. Es wurde jedoch gefunden, daß ein epitaxiales Wachstum durch den chemischen Dampfabscheidungsprozeß (CVD- Prozeß) zu einem SiC-Kristall mit kubischer Struktur (ß-Typ) führt, die für die Ziele der vorliegenden Erfindung geeignet ist. Von A. Suzuki et al., Journal of Crystal Growth, 70 (1984), S. 287 bis 290, wird ein CVD-Prozeß beschrie ben, der für die Zwecke der vorliegenden Erfindung besonders geeignet ist und bei dem ein SiC-Einkristall in zwei voneinander ge trennten Stufen, d. h. in einem Niedertemperaturbereich (800 bis 1200°C) und einem Hochtemperaturbereich (1200 bis 1400°C) gezüchtet wird.

Der SiC-Einkristall kann entweder vom n-Typ oder vom p-Typ sein. Er kann so hergestellt werden, daß er die Struktur einer Halbleiter-Bauelements, z. B. eines Feldeffekt transistors, besitzt, indem man ihn mit Verunreinigungen vom n-Typ und p-Typ dotiert. Vom Standpunkt der Haftung an Ti, Al oder dergleichen hat der SiC-Einkristall vorzugswei se winzige Oberflächenunregelmäßigkeiten (winzige Vertiefungen oder Vorsprünge). Wenn der Kristall keine solchen Ober flächenunregelmäßigkeiten hat, weil er beispielsweise durch Kristallwachstum gebildet worden ist, dann ist es zweck mäßig, den Kristall an der Oberfläche aufzurauhen, was bei spielsweise durch Bestrahlen mit einem Ionenstrahl unter Verwendung von Argongas oder durch Plasmaätzen geschehen kann.

Die Metallschicht, die auf der Oberfläche des SiC-Einkri stalls gebildet wird, ist eine Schicht von Titan, Chrom oder Molybdän. Von diesen wird eine Titanschicht bevorzugt. Die Metallschicht wird, vorzugsweise aus einem Metallpulver oder -stück, durch Vakuumverdampfung, d. h. durch Verdampfen des Metallmaterials, durch Widerstandserhitzen oder Erhitzen mit einem Elektronenstrahl hergestellt. Für diesen Zweck können bekannte Einrichtungen und Maßnahmen Anwendung fin den. Der anzuwendende Grad des Vakuums ist vorzugsweise bis zu 0,133 mPa. Die Metallschicht wird somit dadurch gebildet, daß ein Metall auf der Oberfläche des SiC-Einkristalls durch Vakuumverdampfung abgeschieden wird. Die Metallschicht weist eine Dicke von 20 bis 80 nm auf. Die Elektrode kann in der Form eines Musters hergestellt werden, was gewöhnlich durch Ätzen der durch Vakuumverdampfung erhaltenen Metallschicht oder durch Verwendung einer Maske für die Verdampfung ge schehen kann. Die durch Vakuumverdampfung gebildete Metall schicht hat eine gute Haftung an dem SiC-Einkristall und eine sehr kompakte Struktur. Sie kann daher so, wie sie ist, an einen äußeren Draht, beispielsweise durch Löten, ange schlossen werden. Auf diese Weise ist eine Ohm′sche Elektro denstruktur verfügbar.

Eine elektrisch leitfähige Schutzschicht wird auf der Metall schicht aus Al, Cu und/oder Ni ausgebildet. Insbesondere dann, wenn die Metallschicht eine Ti-Schicht ist, wird eine Al-Schutzschicht bevorzugt. Wie die Metallschicht kann die Schutzschicht durch Vakuumverdampfung mit Widerstandser hitzen oder mittels eines Elektronenstrahls gebildet wer den. Die Schutzschicht weist eine Dicke von 100 bis 300 nm auf. Die Schutzschicht kann auch zwei Schichten umfassen. Die so hergestellte Schutzschicht gewährleistet eine Zuver lässigkeit gegenüber äußeren Schlageinwirkungen und der gleichen.

Beispiel 1 Herstellung einer Elektrodenstruktur zunächst ohne Schutzschicht

Ein Substrat aus einem Si-Einkristall (Durchmesser 5,08 cm) wurde auf 1050°C erhitzt, und Monosilan (SiH₄) und Propan (C₃H₈) als Quellengase wurden dem Substrat mit Fließgeschwin digkeiten von 2,2 cm³/min bzw. 0,4 cm³/min 1 Minute lang zu geführt. Die Gase wurden von Wasserstoff(H₂)-Gas als Träger gas mitgeführt, welches mit einer Fließgeschwindigkeit von 3 l/min zugeführt wurde. Auf diese Weise wurde eine poly kristalline SiC-Schicht mit einer Dicke von etwa 25 nm auf dem Substrat gebildet. Danach wurde die Zuführung der Quellengase abgebrochen, ohne daß der Strom des Wasserstoff gases abgebrochen wurde, und das Si-Substrat wurde auf 1350°C erhitzt. Danach wurden SiH₄ und C₃H₈ mit Fließge schwindigkeiten von 0,04 cm³/min und 0,02 cm³/min 2 Stunden lang eingeführt, wodurch ein dünner Film eines SiC-Einkristalls vom β-Typ mit einer Dicke von 2,5 µm auf dem gebildeten Si- Substrat mit einer sehr dünnen polykristallinen SiC-Schicht wachsen gelassen wurde.

Sodann wurde Ti auf der gesamten Oberfläche des SiC-Ein kristallfilms durch Vakuumverdampfung mit Widerstandserhitzen abgeschieden, wobei feinverteiltes Ti als Material verwen det wurde. Der Vakuumgrad betrug etwa 0,133 mPa. Die gebildete Ti-Schicht hatte eine Dicke von etwa 50 nm. Hierauf wurde eine Ti-Elektrode in Gestalt eines Musters gebildet, indem die Ti-Schicht mit Fluorwasserstoffsäure (HF) durch Photolithographie geätzt wurde (vgl. Fig. 1(A)). In der Zeichnung bedeutet 1 den SiC-Einkristall, 2 die Metall schicht und 4 das Si-Einkristallsubstrat.

Die durch Vakuumaufdampfen gebildete Metallschicht 2 aus Ti haftete fest an dem darunterliegenden SiC-Einkristall 1, und sie war sehr kompakt. Diese Metallschicht 2 kann daher sofort zum Anschluß an einen Stromkreis mit einem Draht versehen werden, um als einen Ohm′schen Kontakt bildende Elektrode zu wirken.

Zur Bestätigung der Tatsache, daß die Metallschicht 2 einen Ohm′schen Kontakt bildet, wurden ein SiC-Einkristall (in Fig. 1 (A) durch 1 angegeben) und eine Ti-Schicht auf der Vorder- und Rückseite eines Si-Einkristalls in der gleichen Weise wie oben beschrieben gebildet. Das Produkt wurde auf die Strom stärke-Spannungs-Charakteristik untersucht. Das Ergebnis ist in Fig. 2 dargestellt. Die Fig. 2 zeigt, daß der Wert der Stromstärke sich linear mit der Spannung ändert, während der betreffende Widerstand niedrig ist. Dies weist darauf hin, daß die Ti-Schicht als Ohm′sche Elektrode wirkt.

Beispiel 2 Herstellung der vollständigen Elektrodenstruktur

Wie in Fig. 1(B) dargestellt, wurde auf eine gemäß der Art und Weise des Beispiels 1 hergestellte, noch keine Schutz schicht aufweisende Elektrodenstruktur eine Schutzschicht 3 aus Al auf die Metallschicht 2 aus Ti gleichfalls durch Vakuum verdampfung mit Widerstandserhitzen aufgebracht. Der Grad des Vakuums betrug etwa 0,133 mPa, und die Metallschicht 2 und die Schutzschicht 3 hatten eine Dicke von etwa 30 nm bzw. etwa 100 nm. Auf diese Weise wurde eine vollständige Elektroden struktur mit einer Ti-Al-Zweischichtstruktur auf dem SiC- Einkristall 1 gebildet.

Bei der Elektrodenstruktur dieses Beispiels ist eine Metall schicht 2 aus Ti an dem darunterliegenden SiC - Einkristall 1 und in innigem Kontakt mit ihm gebunden, wodurch ein Ohm′scher Kontakt erhalten wird, während die Schutzschicht 3 aus A1 eine Oberfläche ergibt, die ohne weiteres an ein äußeres System angeschlossen werden kann. Die Zweischichtelektrode, bestehend aus der Metallschicht 2 und der Schutzschicht 3, wirkt daher als stabile Ohm′sche Elektrode für den SiC-Ein kristall 1. Die dicke Schutzschicht 3 aus Al, die die Elek trodenstruktur schützt, gewährleistet eine verbesserte Be triebssicherheit gegen äußere Schlageinwirkungen und der gleichen.

Die Ti-Al-Elektrode dieses Beispiels wurde auf die Strom stärke-Spannungscharakteristik wie im Zusammenhang mit Bei spiel 1 getestet. Das Ergebnis ist ähnlich dem in Fig. 2 ge zeigten, was darauf hinweist, daß die Elektrode eine zufrie denstellende Ohm′sche Elektrode ist.

Es sei darauf hingewiesen, daß die Haftung einer Metallschicht aus Ti gemäß dem folgenden

Beispiel 3

verbessert werden kann:

Der gleiche SiC-Einkristall wie im Beispiel 1 verwendet und ein SiC-Einkristall (5 mm×5 mm), hergestellt durch den Sublimationsprozeß, wurden auf ihren Oberflächen mit einem lonenstrahl bzw. einem Ionenbündel bestrahlt (Beschleunigungsspannung 3 kV, Emissionsstromstärke 20 mA), wobei Argongas verwen det wurde, um Vertiefungen mit ungefähr 30 nm in den Oberflächen zu bilden. Eine Ti-Schicht wurde auf den Kristallen in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 gebildet. Die Oberflächen unregelmäßigkeiten resultierten in einer verbesserten Haf tung und höherer Betriebssicherheit. Die erhaltenen Elektro den zeigten die gleiche Stromstärke-Spannungscharakteristik wie diejenigen in Fig. 2. Sie waren daher als Ohm′sche Elek troden geeignet.

Claims

1. Elektrodenstruktur für einen Siliciumcarbid-Einkristall halbleiter, wobei die Oberfläche des Siliciumcarbid-Ein kristalls (1) mit einer Elektrodenschicht (2, 3) laminiert ist, welche eine Metallschicht (2) aus Titan oder Molybdän und eine auf derselben als elektrisch leitfähige Schutz schicht (3) ausgebildete weitere Metallschicht umfaßt, die eine Ohm′sche Elektrode bilden, dadurch gekenn zeichnet, daß die Schutzschicht (3) aus Aluminium, Kupfer und/oder Nickel in einer Dicke von 100 bis 300 nm auf der durch Vakuumverdampfung in einer Dicke von 20 bis 80 nm aufgebrachten Metallschicht (2) ausgebildet ist.

2. Elektrodenstruktur für einen Siliciumcarbid-Einkristall halbleiter, wobei die Oberfläche des Siliciumcarbid-Ein kristalls (1) mit einer eine Ohm′sche Elektrode bildenden Elektrodenschicht (2, 3) laminiert ist, welche eine Metall schicht (2) aus Chrom aufweist, dadurch gekenn zeichnet, daß auf der durch Vakuumverdampfung in einer Dicke von 20 bis 80 nm aufgebrachten Metallschicht (2) eine weitere Metallschicht aus Aluminium, Kupfer und/oder Nickel in einer Dicke von 100 bis 300 nm als elektrisch leit fähige Schutzschicht (3) ausgebildet ist.

3. Elektrodenstruktur nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliciumcarbid-Ein kristall (1) durch einen chemischen Dampfphasen-Abschei dungsprozeß gebildet worden ist.

4. Elektrodenstruktur nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliciumcarbid-Ein kristall (1) Oberflächenunregelmäßigkeiten aufweist.

5. Elektrodenstruktur nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, daß der Siliciumcarbid-Ein kristall (1) auf einem Silicium-Einkristallsubstrat (4) ge bildet ist.

6. Elektrodenstruktur nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (3) zwei Schichten umfaßt.