DE10220328A1 - Schaltung zur Taktsignalerzeugung, zugehörige integrierte Schaltkreisbauelemente und Auffrischtaktsteuerverfahren - Google Patents
Schaltung zur Taktsignalerzeugung, zugehörige integrierte Schaltkreisbauelemente und AuffrischtaktsteuerverfahrenInfo
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zur Erzeugung eines Taktsignals für ein integriertes Schaltkreisbauelement, auf zugehörige Schaltkreisbauelemente und zugehörige Auffrischtaktsteuerverfahren. DOLLAR A Erfindungsgemäß ist ein Temperaturfühlerschaltkreis vorgesehen, der einen auf ein Temperaturcodesignal und einen Temperaturfühler ansprechenden Kalibrierschaltkreis umfasst und zwei Zustände einnehmen kann. In einem ersten Zustand basiert sein Ausgangssignal auf einem Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal, in einem zweiten Zustand auf dem Temperaturfühler und dem Kalibrierschaltkreis. Des Weiteren ist ein Taktdauersteuerschaltkreis mit einem auf ein Taktdauercodiersignal ansprechenden Kalibrierschaltkreis vorgesehen. Der Taktdauersteuerschaltkreis generiert ein Taktdauersteuersignal, basierend auf einem Temperaturausgangssignal und dem Kalibrierschaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises. Ein Taktgeneratorschaltkreis erzeugt ein Taktsignal, basierend auf dem Taktdauersteuersignal. DOLLAR A Verwendung z. B. für dynamische Speicherbauelemente mit wahlfreiem Zugriff (DRAM).
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zur Taktsig
nalerzeugung für integrierte Schaltkreisbauelemente, entsprechende
Schaltkreisbauelemente und Verfahren zur Steuerung eines Auffrisch
taktes.
Es ist bekannt, Daten in integrierten Halbleiterspeicherbauelementen
abzuspeichern, einschließlich Speicherbausteinen, die die Daten als ei
ne elektrische Ladung in einem Kondensator speichern. Solche Spei
cherbausteine frischen typischerweise die abgespeicherten Daten auf,
weil die elektrische Ladung ansonsten verloren gehen könnte, bei
spielsweise durch Leckströme aus einem Kondensator. Eine bekannte
Vorgehensweise wird als Auffrischvorgang bezeichnet, in welchem die
gespeicherten Daten komplett gelöscht werden und die Daten wiederholt
abgerufen und wieder geschrieben werden. Ein Beispiel für ein solches
Bauelement ist ein dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff
(DRAM). Auf DRAMs dieses Typs kann üblicherweise während der Auf
frischungsoperation nicht zugegriffen werden. Die Zeit, während der auf
ein DRAM nicht zugegriffen werden kann, wird üblicherweise Besetztra
te genannt. Vorzugsweise wird die Besetztrate so kurz wie möglich
gehalten.
Es ist auch bekannt, Computersysteme oder andere Vorrichtungen mit
solchen DRAMs mit einem Schlafmodus zu versehen, in welchem viele
der elektronischen Schaltkreise des Computers abgeschaltet sind, um
den Stromverbrauch zu reduzieren. DRAMs des oben beschriebenen
Typs werden in der Regel jedoch nicht ausgeschaltet, weil sie
kontinuierlich aufzufrischen sind, um Daten zu halten. Deshalb wird
üblicherweise das Fließen eines Selbstauffrischstroms über die DRAMs
auch dann erlaubt, wenn der Schlafmodus des Computersystems
aktiviert ist. Deshalb ist es wünschenswert, den Auffrischstrom zu
reduzieren, insbesondere wenn das Computersystem batteriebetrieben
ist.
Unterschiedliche Vorgehensweisen wurden vorgeschlagen, um den Auf
frischstrom, der durch ein DRAM fließt, zu verringern. Eine solche Vor
gehensweise besteht darin, die Auffrischungsperiode des DRAMs basie
rend auf der Temperatur der DRAMs zu verändern, wobei die Tempera
tur in mehrere Temperaturbereiche eingeteilt ist. Insbesondere kann ei
ne relativ langsamere Periodendauer eines Auffrischtaktes bei niedrige
ren Temperaturen benutzt werden, weil typischerweise bei niedrigeren
Temperaturen das DRAM die Daten für eine längere Zeit behält.
Ein Problem mit der Veränderung der Auffrischungsperiode ist, dass
sich die Charakteristiken des Temperatursensors, der benutzt wird, um
die Temperatur der Vorrichtung zu messen, signifikant aufgrund von
Streuungen während der Herstellung des Temperatursensors verändern
können. Als Folge davon können fehlerhafte Temperaturmessungen für
das DRAM zur Verfügung gestellt werden. So kann beispielsweise ein
DRAM bei 60°C arbeiten und deshalb einen relativ hochfrequenten Auf
frischtakt benötigen, aber der Temperatursensor kann fälschlicherweise
eine Temperatur von nur 45°C messen und daher einen niederfrequen
ten Auffrischtakt auswählen. In diesem Fall können Auffrischungsfehler
auftreten, die möglicherweise zu einem Datenverlust führen. Während
das Problem der Temperatursensorschwankung durch Sensoren besse
rer Leistung verringert werden kann, führt dies üblicherweise zu einer
Erhöhung der Größe des Temperatursensors. Zusätzlich können ande
re, durch den Herstellungsprozess bedingte Schwankungen in dem
DRAM die Zeitdauer verändern, während der das DRAM Daten bei un
terschiedlichen Temperaturen halten kann. Zusätzlich zu diesen
Schwankungsquellen kann sich eine DRAM-Zelle über die Zeit hinweg
übermäßig verschlechtern, und ein Teil oder alle DRAM-Zellen können
nicht mehr erfolgreich aufgefrischt werden, was dazu führen kann, dass
ein Computersystem eine Fehlfunktion der Auffrischung der gesamten
DRAM-Zelle erfahren kann.
Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung einer
Taktsignalerzeugungsschaltung, eines entsprechenden Schaltkreisbau
elements und eines zugehörigen Auffrischtaktsteuerverfahrens zugrun
de, mit denen sich die oben genannten Schwierigkeiten mit relativ gerin
gem Aufwand wenigstens teilweise vermeiden lassen und die insbeson
dere eine Verringerung des Stromverbrauchs und der Besetztrate erlau
ben und gegenüber Temperaturdetektionsschwankungen vergleichswei
se unempfindlich sind.
Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung einer Takt
signalerzeugungsschaltung mit den Merkmalen des Anspruchs 1, eines
integrierten Speicherschaltkreisbauelements mit den Merkmalen des
Anspruchs 12, eines Halbleiterspeicherbauelements mit den Merkmalen
des Anspruchs 14 und eines Verfahrens zur Auffrischtaktsteuerung mit
den Merkmalen des Anspruchs 23 oder 24.
Ausführungsformen der Erfindung beinhalten Schaltungen zur Erzeu
gung eines Taktsignals für ein integriertes Schaltkreisbauelement ein
schließlich eines Temperaturfühlerschaltkreises, der einen Kalibrier
schaltkreis beinhaltet, der auf ein Temperaturcodiersignal und einen
Temperatursensor anspricht. Der Temperaturfühlerschaltkreis hat einen
ersten oder Testmoduszustand, in welchem ein Temperaturausgangs
signal des Temperatursensorschaltkreises auf einem Temperatursensor-
Ausgangssteuersignal basiert, und einen zweiten oder normalen Zu
stand, in welchem das Temperaturausgangssignal auf dem Temperatur
sensor und dem Kalibrierschaltkreis beruht. Ein Taktdauersteuerschalt
kreis enthält einen Kalibrierschaltkreis, der auf ein Periodendauercode
signal anspricht. Der Taktdauersteuerschaltkreis generiert ein Takt
dauersteuersignal basierend auf dem Temperaturausgangssignal und
dem Kalibrierschaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises. Ein Taktge
neratorschaltkreis erzeugt ein Taktsignal basierend auf dem Taktdauer
signal.
Gemäß weiterführender Ausgestaltungen der Erfindung beinhaltet der
Kalibrierschaltkreis des Temperaturfühlerschaltkreises eine Mehrzahl
von Schmelzsicherungen, und das Temperaturcodesignal wählt den Sta
tus der Mehrzahl von Schmelzsicherungen, um das Temperaturaus
gangssignal bezüglich der Ausgabe des Temperatursensors zu kalibrie
ren. Der Kalibrierschaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises kann
auch eine Mehrzahl von Schmelzsicherungen beinhalten, und das Takt
dauercodesignal kann den Zustand der Vielzahl von Schmelzsicherun
gen nutzen, um das Taktdauersteuersignal zu kalibrieren.
Gemäß anderen Ausführungsformen der Erfindung wird der Zustand des
Temperaturfühlerschaltkreises basierend auf dem Temperatursensor-
Ausgangssteuersignal ausgewählt. Das Temperaturausgangssignal
kann ein digitales Signal mit einer Vielzahl von Zuständen sein, von de
nen jeder einem Betriebstemperaturbereich des integrierten Schaltkreis
bauelementes entspricht. Der erste Zustand kann ein Testmodus und
der zweite Zustand ein normaler Betriebsmodus sein. Das Temperatur
fühler-Ausgangssteuersignal kann eine Mehrzahl von Bits beinhalten,
die jeweils einen der Temperaturarbeitsbereiche in dem Testmodus be
zeichnen. Das digitale Temperaturausgangssignal zeigt eine detektierte
Temperatur des integrierten Schaltkreisbauelements an. Der Tempera
turfühlerschaltkreis kann auch einen Multiplexer beinhalten, der das
Temperaturausgangssignal basierend auf dem digitalen Temperatursig
nal vom Temperaturfühler und dem Temperaturcodesignal abgibt.
In weiteren Ausgestaltungen der Erfindung kann der Taktdauersteuer
schaltkreis eine Mehrzahl von Taktdauersteuereinheiten beinhalten, die
durch den Kalibrierschaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises basie
rend auf dem Taktdauercodesignal kalibriert werden. Eine der mehreren
Taktdauersteuereinheiten wird durch das Temperaturausgangssignal
ausgewählt, um das Taktdauersteuersignal zu erzeugen. Der Taktgene
ratorschaltkreis kann einen Oszillator beinhalten, der das Taktsignal mit
einer Taktdauer basierend auf dem Taktdauersteuersignal erzeugt. Das
integrierte Schaltkreisbauelement kann ein Speicherelement und das
Taktsignal ein Auffrischungstakt sein.
Gemäß weiteren Ausgestaltungen der Erfindung werden integrierte
Speicherschaltkreisbauelemente bereitgestellt, die einen Temperaturfüh
lerschaltkreis beinhalten, welcher einen Kalibrierschaltkreis, der auf ein
Temperaturcodesignal anspricht, und einen Temperaturfühler aufweist,
der ein Arbeitstemperatursignal in Abhängigkeit der Temperatur des
Speicherbauelements und des Kalibrierschaltkreises erzeugt. Der Tem
peraturfühlerschaltkreis hat einen ersten Zustand, in welchem ein Tem
peraturausgangssignal des Temperaturfühlerschaltkreises auf einem
Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal beruht, und einen zweiten Zu
stand, in welchem das Temperaturausgangssignal das Arbeitstempera
tursignal ist. Der erste Zustand oder der zweite Zustand wird durch das
Temperatursensor-Ausgangssteuersignal ausgewählt. Ein Taktdauer
steuerschaltkreis mit einem Kalibrierschaltkreis, der auf ein Taktdauer
codesignal anspricht, erzeugt ein Taktdauersteuersignal basierend auf
dem Temperaturausgangssignal und dem Kalibrierschaltkreis des Takt
dauersteuerschaltkreises. Ein Taktgeneratorschaltkreis erzeugt einen
Auffrischungstakt des Speicherbauelements basierend auf dem Takt
dauersteuersignal. Das Arbeitstemperatursignal und das Temperaturfüh
ler-Ausgangssteuersignal können beide eine Mehrzahl von Bits beinhal
ten, von denen jedes einem jeweiligen Arbeitstemperaturbereich des
Speicherbauelements entspricht.
Weitere Ausführungsformen der Erfindung beinhalten Verfahren, um den
Auffrischungstakt eines integrierten Speicherschaltkreisbauelementes zu
steuern. Ein Temperaturfühlerschaltkreis des Speicherbauelements wird
kalibriert, um ein Arbeitstemperatursignal, welches einer Arbeits
temperatur des Speicherbauelements entspricht, durch Zuführen eines
ausgewählten Temperaturcodesignals zu dem Temperatursensorschalt
kreis zu erzeugen. Ein Testmodus des Temperaturfühlerschaltkreises, in
welchem ein Temperaturausgangssignal des Temperaturfühlerschalt
kreises auf einem Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal basiert, oder
ein normaler Zustand des Temperaturfühlerschaltkreises wird ausge
wählt, in welchem das Temperaturausgangssignal das Arbeitstempera
tursignal ist. Der erste oder der zweite Zustand wird durch das Tempera
turfühler/Ausgangssteuersignal ausgewählt. Ein Taktdauersteuerschalt
kreis der Speichervorrichtung wird kalibriert, um ein Taktdauersteuersig
nal mit einer gewünschten Taktdauer zu erzeugen, indem ein Taktdau
ercodesignal dem Taktdauersteuerschaltkreis zugeführt wird, wobei das
Taktdauersteuersignal auf dem Temperaturausgangssignal beruht. Ein
Auffrischungstakt des Speicherbauelements wird erzeugt, dessen Takt
dauer auf dem Taktdauersteuersignal beruht.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den betref
fenden Unteransprüchen angegeben.
Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den beigefügten
Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben. Hierbei
zeigen:
Fig. 1 ein Blockdiagramm eines Taktgeneratorschaltkreises für ein
integriertes Speicherschaltkreisbauelement, in welchem eine
Auffrischungstaktdauer erfindungsgemäß gesteuert wird,
Fig. 2 ein Blockdiagramm eines erfindungsgemäß z. B. im Schaltkreis
von Fig. 1 verwendbaren Temperaturfühlers und
Fig. 3 ein Blockdiagramm einer erfindungsgemäß z. B. im Schaltkreis
von Fig. 1 verwendbaren Taktdauersteuereinheit.
Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die Ausführungsform der
Erfindung beschrieben, die in Fig. 1 dargestellt ist. Speziell zeigt Fig. 1
einen Taktgeneratorschaltkreis 100 eines integrierten Speicherschalt
kreisbauelements. Wie in Fig. 1 gezeigt, beinhaltet der Taktgenerator
schaltkreis 100 des integrierten (Halbleiter-)Speicherschaltkreisbau
elements einen Temperaturfühlerschaltkreis 110, einen Taktdauersteu
erschaltkreis 120 und einen Taktgeneratorschaltkreis 130. Der Tempera
turfühlerschaltkreis 110 beinhaltet einen Kalibrierschaltkreis, wie eine
Mehrzahl von auswählbaren Schmelzsicherungen, wobei der Zustand
der Sicherungen ausgewählt wird, um den Temperaturfühlerschaltkreis
110 zu kalibrieren. Wie in Fig. 2 dargestellt, beinhaltet der Temperatur
fühlerschaltkreis 110 darüber hinaus einen Temperaturfühler 210.
Der Temperaturfühlerschaltkreis 110 beinhaltet einen ersten Zustand
oder Testmodus, welcher auch als MRS-Modus bezeichnet ist, in wel
chem der Schaltkreis 110 in Abhängigkeit eines Temperaturcodesignals
TEMPCODES kalibriert werden kann. TEMPCODES kann beispielswei
se ein digitales Signal sein, das eine Mehrzahl von Bits beinhaltet, wel
ches eines der Mehrzahl von Sicherungen bezeichnet, die durchtrennt
werden, um ein Temperaturausgangssignal TEMPS bezüglich einer
ausgegebenen Temperatur des Temperatursensors 210 zu kalibrieren,
so dass das Temperaturausgangssignal TEMPS korrekt den Arbeits
temperaturbereich des integrierten Speicherschaltkreisbauelements an
zeigt, das den Taktgeneratorschaltkreis 100 beinhaltet. In dem Testmo
dus basiert das Temperaturausgangssignal TEMPS auf dem Tempera
tursensor-Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST, wie nachfolgend
bezüglich Fig. 2 beschrieben. Der Temperaturfühlerschaltkreis 110 hat
auch einen zweiten Zustand oder normalen Betriebsmodus, in welchem
das Temperaturausgangssignal TEMPS auf einem Fühlerausgangssig
nal SENOUT des Temperatursensors 210 beruht, wie es durch den Ka
librierschaltkreis des Temperaturfühlerschaltkreises 110 kalibriert wurde.
In dem Test- oder MRS-Modus wird, wie oben gesagt, das Ausgangs
signal TEMPS in Abhängigkeit von dem Temperaturfühler-Ausgangs
steuersignal TEMPSELECT_TEST bestimmt. Hierdurch kann das Aus
gangssignal TEMPS selektiv dafür festgelegt werden, einen bestimmten
Temperaturbereich des integrierten Speicherschaltkreisbauelements
unabhängig von dem Sensorausgangssignal SENOUT des Temperatur
fühlers 210 anzugeben. Wie nachfolgend bezüglich der Fig. 2 beschrie
ben, kann das Signal TEMPSELECT_TEST auch benutzt werden, den
zweiten Zustand oder normalen Arbeitsmodus des Temperatursensors
110 auszuwählen, in welchem das Temperaturausgangssignal TEMPS
auf das Ausgangssignal SENOUT des Temperaturfühlers 210 anspricht.
Der Taktdauersteuerschaltkreis 120 generiert ein periodisches Steuer
signal PRDCTRLS basierend auf dem Temperaturausgangssignal
TEMPS. Beispielsweise kann die Ausgabe des Taktdauersteuerschalt
kreises 120 benutzt werden, um einen Auffrischtakt RFRCK zu generie
ren, der in dem entsprechenden Arbeitstemperaturbereich des integrier
ten Speicherschaltkreisbauelements geeignet ist, wie durch das Tempe
raturausgangssignal TEMPS angegeben ist. Der Taktdauersteuerschalt
kreis 120 beinhaltet auch einen Kalibrierschaltkreis zum Kalibrieren des
Taktdauersteuersignales PRDCTRLS in einem oder mehreren der Ar
beitstemperaturbereiche, welche durch das Temperaturausgangssignal
TEMPS angegeben werden. Der Kalibrierschaltkreis kann beispielswei
se eine Mehrzahl von Sicherungen beinhalten, deren Zustand durch ein
Taktdauercodiersignal PRDCODES derart ausgewählt werden kann,
dass die ausgewählten aus der Mehrzahl von Sicherungen durchtrennt
werden, um das Taktdauersteuersignal PRDCTRLS zu kalibrieren. In
solchen Ausführungsformen kann das Taktdauercodiersignal
PRDCODES eine Mehrzahl von Bits beinhalten, die dem Zustand der
entsprechenden Sicherungen des Kalibrierschaltkreises der Taktdauer
steuereinheit 120 entsprechen. Der Taktgeneratorschaltkreis 130 gene
riert ein Taktsignal, wie einen Auffrischungstakt RFRCK, basierend auf
dem Taktdauersteuersignal PRDCTRLS.
Arbeitsweisen des Takterzeugungsschaltkreises 100 gemäß Ausfüh
rungsformen der Erfindung werden nun mit Bezug auf die Fig. 1 näher
beschrieben. Es wird zugrundegelegt, dass die Temperaturfühlercharak
teristika des Temperaturfühlers 210 aufgrund von Variationen in dem
Herstellungsprozess zur Herstellung des Taktgeneratorschaltkreises 100
veränderlich sind. Als Ergebnis davon können Fehler in dem angegebe
nen Arbeitstemperaturbereich auftreten. Beispielsweise kann die Tem
peratur eines integrierten (Halbleiter-)Speicherschaltkreisbauelements,
das den Taktgeneratorschaltkreis 100 beinhaltet, so wie er ursprünglich
hergestellt wurde, in fehlerhafter Weise einen Arbeitstemperaturbereich
um 80°C angeben, während der reale Arbeitstemperaturbereich in ei
nem Bereich von ungefähr 100°C liegt. Diesem Zustand kann in dem
Testmodus dadurch Rechnung getragen werden, dass der Wert des
Temperaturcodiersignals TEMPCODES zum Unterbrechen entspre
chender der Mehrzahl von Sicherungen des Kalibrierschaltkreises des
Temperatursensorschaltkreises 110 so ausgewählt wird, dass der Tem
peratursensor 110 genauer den Arbeitstemperaturbereich angibt. Dabei
können die Sicherungen Teil des Temperaturfühlers 210 sein, so dass
das Ausgangssignal SENOUT durch den Kalibrierschaltkreis des Tem
peraturfühlerschaltkreises 110 kalibriert wird, wie in der Ausführungs
form der Fig. 2 gezeigt, oder dass der Kalibrierschaltkreis vom Tempera
turfühler 210 getrennt ist und das Ausgangssignal TEMPS bezüglich des
Ausgangssignals SENOUT kalibriert wird.
Ein Beispiel für das Temperaturcodiersignal TEMPCODES, in welchem
es ein digitales Signal mit einer Vielzahl von Zuständen, wie Bits, ist,
wird nachfolgend beschrieben. Dabei kann das Temperaturcodiersignal
TEMPCODES z. B. Bits beinhalten, die zu Sicherungen gehören, die den
Kalibrierschaltkreis definieren. Für dieses Beispiel kann ein spezifischer
Arbeitstemperaturbereich, wie beispielsweise ungefähr 100°C, als Kalib
riertemperatur ausgewählt werden. Werte für das Temperaturcodiersig
nal TEMPCODES können von 000000 bis 111111 variieren, um das kor
respondierende gewünschte Ausgangssignal TEMPS bei der Kalibrier
temperatur zu bilden, wobei das Temperaturcodiersignal TEMPCODES
aus sechs Bits besteht. Die Sicherungen in dem Kalibrierschaltkreis des
Temperatursensorschaltkreises 110 werden in Abhängigkeit vom zuge
führten Temperaturcodiersignal TEMPCODES während des Kalibrier
modus durchtrennt, wie z. B. in dem Testmodus. Als Ergebnis erzeugt
der reale Arbeitstemperaturbereich des integrierten Speicherschaltkreis
bauelementes, wie er durch den Temperaturfühler 210 detektiert wird,
das korrekte Temperaturausgangssignal TEMPS, wenn der normale Ar
beitsmodus durch das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal
TEMPSELECT_TEST ausgewählt wird.
Bei diesem dargestellten Beispiel beinhaltet das Temperaturfühler-
Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST eine Mehrzahl von Bits,
wobei jedes Bit einen von einer Mehrzahl möglicher Arbeitstemperatur
bereiche des integrierten Speicherschaltkreisbauelementes auswählt.
Beispielsweise kann die Arbeitstemperaturbedingung des integrierten
Speicherschaltkreisbauelements in drei Bereiche von ungefähr 100°C,
ungefähr 70°C bzw. ungefähr 40°C eingeteilt werden. Ein
TEMPSELECT-Signal mit drei Bits kann dann benutzt werden, wobei
jedes Bit zu einem der drei Bereiche gehört. Ähnlich kann das Tempera
turausgangssignal TEMPS drei Bits aufweisen, von denen jedes einem
zugehörigen Arbeitstemperaturbereich des integrierten Speicherschalt
kreisbauelements entspricht.
Der Taktdauersteuerschaltkreis 120 erhält ein ausgewähltes Taktdauer
codiersignal PRDCODES zu Kalibrierzwecken und generiert das Takt
dauersteuersignal PRDCTRLS, um die Taktdauer des Auffrischtaktes
RFRCK zu steuern. Wie in den Ausführungsformen der Fig. 1 und 3 ge
zeigt, ist das Taktdauersteuersignal PRDCTRLS auch abhängig von den
aktivierten Bits der Mehrzahl (drei) von Bits des Temperaturausgangs
signals TEMPS.
Wie bezüglich des Kalibrierschaltkreises des Temperaturfühlerschalt
kreises 110 beschrieben, kann das Taktdauercodiersignal PRDCODES
eine Mehrzahl von Bits beinhalten, welche den Taktdauersteuerschalt
kreis 120 kalibrieren, um ein gewünschtes Taktdauersteuersignal
PRDCTRLS auszugeben. Beispielsweise kann ein sechs Bit langes
Taktdauercodiersignal PRDCODES benutzt werden, um das Taktdauer
steuersignal PRDCTRLS zu verändern, indem das Taktdauercodiersig
nal PRDCODES so verändert wird, dass die gewünschte Taktdauer des
Auffrischtaktes RFRCK eingestellt wird. Der Takterzeugungsschaltkreis
100 kann beispielsweise so kalibriert sein, dass er 6K Byte an Speicher
in Auffrischtakten in einem Bereich von etwa 10 ms bis zu ungefähr
100 ms auffrischt, wenn das Taktdauercodiersignal PRDCODES zwi
schen 000000 und 111111 variiert. Wie in der Fig. 3 gezeigt, kann ein
Kalibrieren für jeden der drei Temperaturbereiche unter Verwendung
einer gemeinsamen PRDCODES-Eingabe erfolgen. Für jeden Tempera
turbereich, der mit dem TEMPS-Signal verknüpft ist, können zugeordne
te Sicherungen oder andere Kalibrierschaltkreismittel in dem Taktdauer
steuerschaltkreis 120 durchtrennt werden, um die gewünschte Auffrisch
taktrate für den Auffrischtakt RFRCK zu erhalten. Alternativ kann das
PRDCODES-Signal ein Eingabesignal sein, das die Ausgabe
PRDCTRLS aufgrund eines aktuellen Zustands des Signals
PRDCODES steuert, um eine Kalibrierung der Taktdauersteuereinheit
120 anstelle der Codierung der zugehörigen Sicherungen zu erreichen.
Der Taktgenerator 130 erhält das Taktdauersteuersignal PRDCTRLS
und generiert einen Auffrischtakt RFRCK, der für den angegebenen Ar
beitstemperaturbereich des integrierten Speicherschaltkreisbauelements
geeignet ist. In verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung enthält
der Taktgenerator 130 einen Oszillator, der das Taktdauersteuersignal
PRDCTRLS empfängt und den Auffrischtakt RFRCK mit der gewünsch
ten Taktrate erzeugt. Der Oszillator kann kontinuierlich die Taktdauer
des Auffrischungstaktes RFRCK verändern. Der Taktgenerator 130 ent
hält alternativ einen Zähler. Es ist möglich, die Taktdauer des Auffrisch
taktes RFRCK unter Verwendung eines Zählers rascher zu steuern als
mit einem Oszillator. Der Zähler kann kontinuierlich die Taktdauer des
Auffrischtaktes RFRCK um Vielfache, wie das Zwei- oder Vierfache ei
ner Basisperiode, verändern.
Die Vorrichtung gemäß der Erfindung wird nun nachfolgend unter Be
zugnahme auf die Ausführungsformen, die in der Fig. 2 dargestellt sind,
näher erläutert. Wie in der Fig. 2 bezüglich der Ausführungsform darge
stellt, enthält der Temperaturfühlerschaltkreis 110 einen Multiplexer 220
sowie den Temperaturfühler 210. Für die Zwecke dieser Erläuterung
wird das Sensorausgangssignal SENOUT des Temperatursensors 210
als ein Signal angesehen, das eine Mehrzahl von Bits (drei) entspre
chend dem Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST
und dem Temperaturausgangssignal TEMPS in dem oben beschriebe
nen Beispiel aufweist, die drei Arbeitsbereichen des integrierten Spei
cherschaltkreisbauelementes (wie beispielsweise 100°C, 70°C bzw.
40°C) entsprechen. Die Bits müssen nicht individuell je einem dieser
Temperaturbereiche entsprechen. Als Beispiel kann das Sensoraus
gangssignal SENOUT "111" für den Temperaturbereich von ca. 100°C
sein. Analog kann für die Bereiche von 70°C und 40°C das Sensoraus
gangssignal SENOUT "011" bzw. "001" sein.
Der Multiplexer 220 empfängt ein Sensorausgangssignal SENOUT und
das Temperatur-Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST und er
zeugt das Temperaturausgangssignal TEMPS. In besonderen Ausfüh
rungsformen der Erfindung steuert das Temperaturfühler-Ausgangs
steuersignal TEMPSELECT_TEST die durch den Multiplexer 220 aus
gewählte Ausgabe mittels einer Mehrzahl von Bits, was nachfolgend mit
Bezug auf eine Ausführungsform mit drei Bit beschrieben wird. Das
Temperaturausgangssignal TEMPS wird nur durch das Temperaturfüh
ler-Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST bestimmt, welches
nicht von dem Sensorausgangssignal SENOUT des Temperatursensors
210 abhängig ist, wenn eines der Bits des Temperaturfühler-
Ausgangssteuersignals TEMPSELECT_TEST einen hohen Logikpegel
und die anderen zwei Bits niedrige Logikpegel aufweisen. Das Tempera
turausgangssignal TEMPS wird von dem Sensorausgangssignal
SENOUT bestimmt, wenn alle Bits des Temperaturfühler-Ausgangs
steuersignal TEMPSELECT_TEST niedrige Logikpegel haben. So wird
der normale Arbeitsmodus ausgewählt, wenn das TEMPSELECT_TEST
in allen Bits auf niedrige Logikpegel gesetzt wird, so dass die Ausgabe
des Temperaturfühlers 210 das TEMPS-Signal dazu ansteuert, den ak
tuellen Arbeitstemperaturbereich des integrierten Speicherschaltkreis
bauelements anzugeben.
Nunmehr bezugnehmend auf die Fig. 3 werden Ausführungsformen des
Taktdauersteuerschaltkreises 120 näher beschrieben. Wie in Fig. 3 ge
zeigt, beinhaltet der Taktdauersteuerschaltkreis 120 eine Mehrzahl von
Taktdauersteuereinheiten 310, 320 und 330, die das Taktdauercodesig
nal PRDCODES empfangen und das Taktdauersteuersignal
PRDCTRLS erzeugen, um die Dauer des Auffrischtaktes RFRCK zu
steuern. Es versteht sich, dass der Taktdauersteuerschaltkreis 120 mehr
oder weniger als drei Taktdauersteuereinheiten enthalten kann. Nur eine
der Taktdauersteuereinheiten 310, 320 und 330, die in der Fig. 3 darge
stellt sind, wird durch das Temperaturausgangssignal TEMPS aktiviert.
Beispielsweise hat, wenn das Temperaturausgangssignal TEMPS ein
Arbeiten in dem Bereich von ca. 100°C anzeigt, ein Arbeitstemperatur
signal TEMPS1 (beispielsweise entsprechend einem der drei Bits des
TEMPS-Signals, das diesem Temperaturbereich zugeordnet ist), das
der ersten Taktdauersteuereinheit 310 zugeführt wird, einen hohen Lo
gikpegel, während die anderen Arbeitstemperatursignale TEMPS2 und
TEMPS3 (die anderen zwei Bits des TEMPS-Signals entsprechend den
anderen beiden Arbeitstemperaturbereichen) niedrige Logikpegel haben.
Als Ergebnis davon wird nur die erste Taktdauersteuereinheit 310 akti
viert, die anderen Taktdauersteuereinheiten 320 und 330 sind deakti
viert. Deshalb erzeugt die erste Taktdauersteuereinheit 310 ein erstes
Taktdauersteuersignal PRDCTRLS1. Das erste Taktdauersteuersignal
PRDCTRLS1 wird dann als das Taktdauersteuersignal PRDCTRLS
verwendet.
Wie vorstehend bezüglich unterschiedlicher Ausführungsformen be
schrieben, kann der Taktgeneratorschaltkreis 100 einen Auffrischungs
takt zur Verfügung stellen, der unabhängig von Veränderungen in der
Temperaturmessung und prozessinduzierten Veränderungen in einem
integrierten Speicherschaltkreisbauelement ist. Dies kann somit den
Stromverbrauch und die Besetztrate des integrierten Speicherschalt
kreisbauelements, beispielsweise eines DRAM, reduzieren.
Claims (30)
1. Schaltung zur Erzeugung eines Taktsignals für ein integriertes
Schaltkreisbauelement, gekennzeichnet durch
einen Temperaturfühlerschaltkreis (110), der einen Kalibrierschalt kreis, welcher auf ein Temperaturcodesignal anspricht, und einen Temperaturfühler (210) aufweist, wobei der Temperaturfühler schaltkreis einen ersten Zustand, in welchem ein Temperaturaus gangssignal (TEMPS) des Temperaturfühlerschaltkreises auf ei nem Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal (TEMPSELECT_TEST) basiert, und einen zweiten Zustand hat, in welchem das Tempera turausgangssignal auf dem Temperaturfühler und dem Kalibrier schaltkreis basiert,
einen Taktdauersteuerschaltkreis (120) mit einem Kalibrierschalt kreis, der auf ein Taktdauercodiersignal (PRDCODES) anspricht und ein Taktdauersteuersignal (PRDCTRLS) basierend auf dem Temperaturausgangssignal und dem Kalibrierschaltkreis des Takt dauersteuerschaltkreises generiert, und
einen Taktgeneratorschaltkreis (130), der ein Taktsignal (RFRCK) basierend auf dem Taktdauersteuersignal erzeugt.
einen Temperaturfühlerschaltkreis (110), der einen Kalibrierschalt kreis, welcher auf ein Temperaturcodesignal anspricht, und einen Temperaturfühler (210) aufweist, wobei der Temperaturfühler schaltkreis einen ersten Zustand, in welchem ein Temperaturaus gangssignal (TEMPS) des Temperaturfühlerschaltkreises auf ei nem Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal (TEMPSELECT_TEST) basiert, und einen zweiten Zustand hat, in welchem das Tempera turausgangssignal auf dem Temperaturfühler und dem Kalibrier schaltkreis basiert,
einen Taktdauersteuerschaltkreis (120) mit einem Kalibrierschalt kreis, der auf ein Taktdauercodiersignal (PRDCODES) anspricht und ein Taktdauersteuersignal (PRDCTRLS) basierend auf dem Temperaturausgangssignal und dem Kalibrierschaltkreis des Takt dauersteuerschaltkreises generiert, und
einen Taktgeneratorschaltkreis (130), der ein Taktsignal (RFRCK) basierend auf dem Taktdauersteuersignal erzeugt.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
Kalibrierschaltkreis des Temperaturfühlerschaltkreises eine Mehr
zahl von Sicherungen beinhaltet und das Temperaturcodesignal
einen der Zustände gemäß der Mehrzahl von Sicherungen zum
Kalibrieren des Temperaturausgangssignals bezüglich einer Aus
gabe des Temperaturfühlers auswählt.
3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass
der Kalibrierschaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises eine
Mehrzahl von Sicherungen beinhaltet und das Taktdauercodesig
nal einen der Zustände gemäß der Mehrzahl von Sicherungen
zum Kalibrieren des Taktdauersteuersignals auswählt.
4. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, dass der erste Zustand oder der zweite Zustand des
Temperaturfühlerschaltkreises basierend auf dem Temperaturfüh
ler-Ausgangssteuersignal ausgewählt wird.
5. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn
zeichnet, dass das Temperaturausgangssignal ein digitales Signal
mit einer Mehrzahl von Zuständen beinhaltet, welchen jeweils ein
Arbeitstemperaturbereich des integrierten Schaltkreisbauelements
zugeordnet ist.
6. Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der
erste Zustand einen Testzustand und der zweite Zustand einen
Normalarbeitszustand beinhaltet und das Temperaturfühler-
Ausgangssteuersignal eine Mehrzahl von Bits beinhaltet, die je
weils einen der Temperaturarbeitsbereiche in dem Testmodus be
zeichnen.
7. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn
zeichnet, dass der Temperaturfühler ein digitales Temperatursig
nal ausgibt, das auf der gemessenen Temperatur des integrierten
Schaltkreisbauelements basiert, und der Temperaturfühlerschalt
kreis darüber hinaus einen Multiplexer beinhaltet, der ein Tempe
raturausgangssignal ausgibt, das auf dem digitalen Temperatur
signal des Temperaturfühlers und dem Temperaturcodiersignal
basiert.
8. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das
digitale Temperatursignal des Temperaturfühlers und das Tempe
raturfühler-Ausgangssteuersignal jeweils eine Mehrzahl von Bits
beinhalten, welche jeweils einem Temperaturarbeitsbereich des
integrierten Schaltkreisbauelements entsprechen.
9. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekenn
zeichnet, dass der Taktdauersteuerschaltkreis eine Mehrzahl von
Taktdauersteuereinheiten beinhaltet, die durch den Kalibrier
schaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises basierend auf dem
Taktdauercodiersignal kalibriert werden, wobei mindestens eine
der Mehrzahl von Taktdauersteuereinheiten durch das Tempera
turausgangssignal zum Erzeugen des Taktdauersteuersignals
ausgewählt wird.
10. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekenn
zeichnet, dass der Taktgeneratorschaltkreis einen Oszillator bein
haltet, der das Taktsignal mit einer auf dem Taktdauersteuersignal
basierenden Taktdauer erzeugt.
11. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekenn
zeichnet, dass das integrierte Schaltkreisbauelement ein Spei
cherbauelement beinhaltet und das Taktsignal einen Auffri
schungstakt beinhaltet.
12. Integriertes Speicherschaltkreisbauelement, gekennzeichnet
durch eine Taktsignalerzeugungsschaltung nach einem der An
sprüche 1 bis 11, wobei der Temperaturfühler ein Arbeitstempera
tursignal in Reaktion auf eine Temperatur des Speicherbauele
ments und des Kalibrierschaltkreises des Temperaturfühlerschalt
kreises erzeugt und der erste oder zweite Zustand durch das
Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal ausgewählt wird.
13. Speicherschaltkreisbauelement nach Anspruch 12, dadurch ge
kennzeichnet, dass das Arbeitstemperatursignal und das Tempe
raturfühler-Ausgangssteuersignal jeweils eine Mehrzahl von Bits
beinhalten, die jeweils einem Arbeitstemperaturbereich des Spei
cherbauelements entsprechen.
14. Halbleiterspeicherbauelement, gekennzeichnet durch
einen Temperaturfühler (110) mit einer Mehrzahl von Sicherun gen, wobei der Temperaturfühler ein Sensorcodiersignal (TEMPCODES), wodurch bestimmte von den Sicherungen durch trennt werden, und in Abhängigkeit von einem Temperaturfühler- Ausgangssteuersignal ein Arbeitstemperatursignal erzeugt, wel ches die tatsächliche Temperatur angibt, bei welcher das Halblei terspeicherbauelement arbeitet,
eine Taktdauersteuereinheit (120) mit einer Mehrzahl von Siche rungen, wobei die Taktdauersteuereinheit ein Taktdauercodiersig nal (PRDCODES) empfängt, wodurch bestimmte der mehreren Sicherungen durchtrennt werden, und ein Taktdauersteuersignal in Abhängigkeit von dem Arbeitstemperatursignal erzeugt, und
einen Taktgenerator (130), der das Taktdauersteuersignal emp fängt und einen Auffrischungstakt (RFRCK) erzeugt, dessen Dau er in Abhängigkeit von der Arbeitstemperatur des Halbleiterspei cherbauelements gesteuert wird.
einen Temperaturfühler (110) mit einer Mehrzahl von Sicherun gen, wobei der Temperaturfühler ein Sensorcodiersignal (TEMPCODES), wodurch bestimmte von den Sicherungen durch trennt werden, und in Abhängigkeit von einem Temperaturfühler- Ausgangssteuersignal ein Arbeitstemperatursignal erzeugt, wel ches die tatsächliche Temperatur angibt, bei welcher das Halblei terspeicherbauelement arbeitet,
eine Taktdauersteuereinheit (120) mit einer Mehrzahl von Siche rungen, wobei die Taktdauersteuereinheit ein Taktdauercodiersig nal (PRDCODES) empfängt, wodurch bestimmte der mehreren Sicherungen durchtrennt werden, und ein Taktdauersteuersignal in Abhängigkeit von dem Arbeitstemperatursignal erzeugt, und
einen Taktgenerator (130), der das Taktdauersteuersignal emp fängt und einen Auffrischungstakt (RFRCK) erzeugt, dessen Dau er in Abhängigkeit von der Arbeitstemperatur des Halbleiterspei cherbauelements gesteuert wird.
15. Halbleiterspeicherbauelement nach Anspruch 14, dadurch ge
kennzeichnet, dass das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal
eine Mehrzahl von Bits beinhaltet und anzeigt, ob das Halbleiter
speicherbauelement in einem Testmodus oder einem normalen
Arbeitsmodus ist, und den Temperaturbereich anzeigt, in welchem
das Halbleiterspeicherbauelement arbeitet.
16. Halbleiterspeicherbauelement nach Anspruch 15, dadurch ge
kennzeichnet, dass der Temperaturfühler folgende Komponenten
aufweist:
- - ein Temperaturfühlerelement zur Ausgabe eines Fühlerausgangs signals mit einer Mehrzahl von Bits durch Empfang des Sensorco diersignals und Abtasten der tatsächlichen Arbeitstemperatur des Halbleiterspeicherbauelements und
- - einen Multiplexer zum Empfang des Fühlerausgangssignals und zum Generieren des Arbeitstemperatursignals gemäß logischen Werten der Mehrzahl von Bits des Fühlerausgangssignals in Ab hängigkeit von dem Temperaturfühlerausgangssignal.
17. Halbleiterspeicherbauelement nach einem der Ansprüche 14 bis
16, dadurch gekennzeichnet, dass das Sensorcodiersignal eine
Mehrzahl von Bits beinhaltet und die vom Temperaturfühler ge
messene Temperatur verändert.
18. Halbleiterspeicherbauelement nach Anspruch 16 oder 17, dadurch
gekennzeichnet, dass die Anzahl an Bits des Fühlerausgangssig
nals gleich der Anzahl an Bits des Temperaturfühler-Ausgangs
steuersignals ist.
19. Halbleiterspeicherbauelement nach einem der Ansprüche 14 bis
18, dadurch gekennzeichnet, dass die Taktdauersteuereinheit
durch das Arbeitstemperatursignal aktiviert wird und eine Mehr
zahl von Taktdauersteuereinheiten beinhaltet, welche das Takt
dauersteuersignal durch Empfang des Taktdauercodiersignals er
zeugen.
20. Halbleiterspeicherbauelement nach einem der Ansprüche 14 bis
19, dadurch gekennzeichnet, dass das Taktdauercodiersignal eine
Mehrzahl von Bits enthält und das Taktdauersteuersignal verän
dert, das von der Taktdauersteuereinheit erzeugt wird.
21. Halbleiterspeicherbauelement nach einem der Ansprüche 14 bis
20, dadurch gekennzeichnet, dass der Taktgenerator einen Oszil
lator beinhaltet, welcher einen Auffrischungstakt erzeugt, dessen
Taktdauer durch das Taktdauersteuersignal gesteuert wird.
22. Halbleiterspeicherbauelement nach einem der Ansprüche 14 bis
21, dadurch gekennzeichnet, dass der Taktgenerator zusätzlich
einen Zähler beinhaltet, der die Taktdauer des Auffrischungstaktes
durch Empfang eines Ausgangssignals eines Oszillators verän
dert.
23. Verfahren zum Steuern des Auffrischungstaktes eines integrierten
Speicherschaltkreisbauelementes, gekennzeichnet durch folgende
Schritte:
- - Kalibrieren eines Temperaturfühlerschaltkreises des Speicher bauelements, um ein Arbeitstemperatursignal, das einer Arbeits temperatur des Speicherbauelements entspricht, zu erzeugen, in dem dem Temperaturfühlerschaltkreis ein ausgewähltes Tempera turkodiersignal zugeführt wird,
- - Auswählen eines Testmodus des Temperaturfühlerschaltkreises, in welchem ein Temperaturausgangssignal des Temperaturfühler schaltkreises auf einem Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal beruht, oder eines normalen Arbeitsmodus des Temperaturfühler schaltkreises, in welchem das Temperaturausgangssignal das Ar beitstemperatursignal ist, wobei der Testmodus oder der normale Arbeitsmodus durch das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal ausgewählt wird,
- - Kalibrieren eines Taktdauersteuerschaltkreises des Speicherbau elements, um ein Taktdauersteuersignal mit einer gewünschten Taktdauer zu erzeugen, indem ein Taktdauercodiersignal dem Taktdauersteuerschaltkreis zugeführt wird, wobei das Taktdauer steuersignal des weiteren auf dem Temperaturausgangssignal basiert, und
- - Erzeugen eines Auffrischungstaktes des Speicherbauelements, wobei die Taktdauer des Auffrischungstaktes auf dem Taktdauer steuersignal beruht.
24. Verfahren zum Steuern der Taktdauer eines Auffrischungstaktes
in Abhängigkeit von Veränderungen in der Arbeitstemperatur ei
nes Halbleiterspeicherbauelements, welches einen Temperatur
fühler beinhaltet, der eine Mehrzahl von Sicherungen und eine
Taktdauersteuereinheit beinhaltet, gekennzeichnet durch folgende
Schritte:
- a) Empfangen eines Sensorcodiersignals, wodurch bestimmte von einer Mehrzahl von Sicherungen des Temperatursensors durchtrennt werden, und Erzeugen eines Arbeitstemperatursig nals, welches die tatsächliche Temperatur angibt, bei welcher das Halbleiterspeicherbauelement arbeitet,
- b) Empfangen eines Taktdauercodiersignals, wodurch be stimmte einer Mehrzahl von Sicherungen der Taktdauersteuerein heit durchtrennt werden, und Erzeugen eines Taktdauersteuersig nals in Abhängigkeit des Arbeitstemperatursignal und
- c) Empfangen des Taktdauersteuersignals und Erzeugen des Auffrischungstaktes, dessen Taktdauer in Abhängigkeit der Ar beitstemperatur des Halbleiterspeicherbauelements gesteuert wird.
25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass das
Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal eine Mehrzahl von Bits
enthält und den Temperaturbereich angibt, in welchem das Halb
leiterspeicherbauelement arbeitet, und angibt, ob das Halbleiter
speicherbauelement in einem Testmodus oder einem normalen
Arbeitsmodus ist.
26. Verfahren nach Anspruch 24 oder 25, dadurch gekennzeichnet,
dass der Schritt (a) folgende Schritte beinhaltet:
- 1. Ausgeben eines Sensorausgangssignals, das eine Mehrzahl von Bits beinhaltet, durch Empfangen des Sensorcodiersignals und Messen der tatsächlichen Arbeitstemperatur und
- 2. Erzeugen des Arbeitstemperatursignals entsprechend den logischen Werten einer Mehrzahl von Bits des Sensorausgangs signals durch Empfangen des Sensorausgangssignals und Abtas ten des Temperaturfühler-Ausgangssteuersignals.
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 26, dadurch
gekennzeichnet, dass das Sensorcodiersignal eine Mehrzahl von
Bits enthält und die vom Temperaturfühler gemessene
Temperatur verändert.
28. Verfahren nach Anspruch 26 oder 27, dadurch gekennzeichnet,
dass die Anzahl an Bits des Sensorausgangssignals gleich der
Anzahl an Bits des Temperaturfühler-Ausgangssteuersignals ist.
29. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 28, dadurch
gekennzeichnet, dass der Schritt (b) folgende Schritte beinhaltet:
- 1. Freigeben eines Bits des Arbeitstemperatursignals und
- 2. Generieren eines Taktdauersteuersignals durch Empfangen des Taktdauercodesignals, welches die Taktdauer des Auffri schungstaktes steuert, in Abhängigkeit von dem freigegebenen Arbeitstemperatursignal.
30. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, dass das
Taktdauercodesignal eine Mehrzahl von Bits beinhaltet und das
von der Taktdauersteuereinheit erzeugte Taktdauersteuersignal
verändert.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR01-30522 | 2001-05-31 | ||
KR10-2001-0030522A KR100413761B1 (ko) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | 온도와 공정에 따라 리프레시 사이클이 조절되는 반도체메모리 장치 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10220328A1 true DE10220328A1 (de) | 2002-12-19 |
DE10220328B4 DE10220328B4 (de) | 2009-12-10 |
Family
ID=19710238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10220328A Expired - Fee Related DE10220328B4 (de) | 2001-05-31 | 2002-04-30 | Schaltung zur Taktsignalerzeugung, zugehörige integrierte Schaltkreisbauelemente und Auffrischtaktsteuerverfahren |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6756856B2 (de) |
JP (1) | JP4050537B2 (de) |
KR (1) | KR100413761B1 (de) |
CN (1) | CN1297006C (de) |
DE (1) | DE10220328B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006032243B4 (de) * | 2005-07-22 | 2015-09-24 | Infineon Technologies Ag | Deaktivieren eines getakteten Standby-Modus basierend auf einer Vorrichtungstemperatur |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7027343B2 (en) * | 2003-09-22 | 2006-04-11 | Micron Technology | Method and apparatus for controlling refresh operations in a dynamic memory device |
KR100611775B1 (ko) | 2003-12-29 | 2006-08-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도변화에 따라 최적의 리프레쉬 주기를 가지는 반도체메모리 장치 |
US7304905B2 (en) | 2004-05-24 | 2007-12-04 | Intel Corporation | Throttling memory in response to an internal temperature of a memory device |
JP4237109B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2009-03-11 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置及びリフレッシュ周期制御方法 |
US8122187B2 (en) * | 2004-07-02 | 2012-02-21 | Qualcomm Incorporated | Refreshing dynamic volatile memory |
KR100610011B1 (ko) * | 2004-07-29 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 셀프 리프레쉬 주기 제어회로 |
US7523285B2 (en) * | 2004-08-20 | 2009-04-21 | Intel Corporation | Thermal memory control |
KR100559731B1 (ko) | 2004-10-11 | 2006-03-15 | 삼성전자주식회사 | 온도 센서의 불량을 감지하는 온도 보상형 셀프 리프레쉬반도체 메모리 장치 및 이를 이용한 테스트 방법 |
TWI351818B (en) | 2005-01-11 | 2011-11-01 | Altera Corp | Power management of components having clock proces |
KR100655076B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법 및그에 따른 내부 온도 데이터 출력회로 |
US7135909B1 (en) * | 2005-05-17 | 2006-11-14 | Sigmatel, Inc. | Temperature sensor circuit and system |
DE102005025168B4 (de) * | 2005-06-01 | 2013-05-29 | Qimonda Ag | Elektronische Speichervorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer elektronischen Speichervorrichtung |
US7451053B2 (en) * | 2005-09-29 | 2008-11-11 | Hynix Semiconductor Inc. | On die thermal sensor of semiconductor memory device and method thereof |
KR100675293B1 (ko) | 2005-10-17 | 2007-01-29 | 삼성전자주식회사 | 온도 감지 회로 |
KR100666178B1 (ko) | 2005-11-16 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로 |
US7441949B2 (en) * | 2005-12-16 | 2008-10-28 | Micron Technology, Inc. | System and method for providing temperature data from a memory device having a temperature sensor |
US8018323B2 (en) * | 2006-01-30 | 2011-09-13 | Baohua Qi | RFID sensor device based on pulse-processing |
US8013714B2 (en) * | 2006-03-27 | 2011-09-06 | Baohua Qi | RFID sensor using pulse processing |
DE102006018921A1 (de) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Infineon Technologies Ag | Integrierter Halbleiterspeicher mit Auffrischung von Speicherzellen |
US7286377B1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-10-23 | Mosaid Technologies Incorporated | Dynamic random access memory device and method for self-refreshing memory cells with temperature compensated self-refresh |
KR100776748B1 (ko) | 2006-05-09 | 2007-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 리프레쉬 제어 회로 및 방법 |
JP4850578B2 (ja) * | 2006-05-19 | 2012-01-11 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体記憶装置及びリフレッシュ周期制御方法 |
KR100846387B1 (ko) * | 2006-05-31 | 2008-07-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 온도 정보 출력 장치 |
US7512029B2 (en) | 2006-06-09 | 2009-03-31 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for managing behavior of memory devices |
US9262326B2 (en) * | 2006-08-14 | 2016-02-16 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus to enable the cooperative signaling of a shared bus interrupt in a multi-rank memory subsystem |
JP4205744B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2009-01-07 | エルピーダメモリ株式会社 | キャリブレーション回路及びこれを備える半導体装置、並びに、半導体装置の出力特性調整方法 |
KR100832029B1 (ko) | 2006-09-28 | 2008-05-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도 정보 출력 장치 및 그를 갖는 반도체 소자 |
KR100810061B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2008-03-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 온도 정보 출력장치 및 내부온도 측정방법 |
DE102006056560A1 (de) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Qimonda Ag | Verfahren zum Trimmen eines Halbleiter-Bauelements, insbesondere DRAMs, und Halbleiter-Bauelement |
US8026795B2 (en) * | 2007-02-22 | 2011-09-27 | Baohua Qi | RFID sensor array and sensor group based on pulse-processing |
KR100856060B1 (ko) * | 2007-04-06 | 2008-09-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체메모리소자의 내부리프레쉬신호 생성장치 |
US7561979B2 (en) * | 2007-05-10 | 2009-07-14 | Mediatek Inc. | Device and method for calibrating data processing apparatus by tuning firmware trim value |
KR100861374B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2008-10-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도센서 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치 |
US8016482B2 (en) * | 2007-07-20 | 2011-09-13 | International Business Machines Corporation | Method and systems of powering on integrated circuit |
KR101596281B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2016-02-22 | 삼성전자 주식회사 | 온도 관련 공유 제어회로를 갖는 반도체 메모리 장치 |
US9658678B2 (en) * | 2011-03-31 | 2017-05-23 | Intel Corporation | Induced thermal gradients |
KR20130048650A (ko) | 2011-11-02 | 2013-05-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 집적회로 시스템 및 메모리 시스템 |
WO2014059181A2 (en) * | 2012-10-12 | 2014-04-17 | Accusilicon USA Inc. | Oscillator compensation circuits |
KR102098248B1 (ko) | 2013-06-03 | 2020-04-07 | 삼성전자 주식회사 | 온도에 따라 완화된 타이밍 요건으로 사용되는 메모리 장치 및 이를 이용하는 메모리 콘트롤러 |
KR20150051471A (ko) * | 2013-11-04 | 2015-05-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그의 구동방법 |
TWI543540B (zh) * | 2014-01-06 | 2016-07-21 | 南亞科技股份有限公司 | 積體電路以及調整其工作週期的方法 |
US9018980B1 (en) * | 2014-06-12 | 2015-04-28 | Xilinx, Inc. | Bimodal clock generator |
KR102432457B1 (ko) * | 2015-10-21 | 2022-08-12 | 삼성전자주식회사 | 디스큐 기능을 갖는 클락 발생 회로 및 상기 회로를 포함하는 반도체 집적회로 장치 |
CN106205660B (zh) * | 2016-07-18 | 2019-05-28 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 非易失性存储器时钟频率的调节方法及非易失性存储器 |
KR20180106492A (ko) * | 2017-03-20 | 2018-10-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 |
CN108931580A (zh) * | 2017-05-23 | 2018-12-04 | 富士电机株式会社 | 传感器及传感器的控制方法 |
KR20190064893A (ko) * | 2017-12-01 | 2019-06-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 디지털 온도 센싱 회로 |
US20190378564A1 (en) * | 2018-06-11 | 2019-12-12 | Nanya Technology Corporation | Memory device and operating method thereof |
JP2019215944A (ja) | 2018-06-12 | 2019-12-19 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体集積回路および検査方法 |
US11988565B2 (en) * | 2021-05-06 | 2024-05-21 | Apple Inc. | Process-insensitive sensor circuit |
CN113672450B (zh) * | 2021-07-19 | 2022-11-22 | 荣耀终端有限公司 | 固态硬盘的处理方法和装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3217225A1 (de) * | 1982-05-07 | 1983-11-10 | Franz Morat KG Elektro-Feinmechanik & Maschinenbau (GmbH & Co), 7821 Eisenbach | Messschaltung fuer ein verbrennungs-kalorimeter |
GB8801472D0 (en) * | 1988-01-22 | 1988-02-24 | Int Computers Ltd | Dynamic random-access memory |
US5278796A (en) * | 1991-04-12 | 1994-01-11 | Micron Technology, Inc. | Temperature-dependent DRAM refresh circuit |
KR950010624B1 (ko) * | 1993-07-14 | 1995-09-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리장치의 셀프리프레시 주기조절회로 |
KR0129197B1 (ko) * | 1994-04-21 | 1998-10-01 | 문정환 | 메모리셀어레이의 리플레쉬 제어회로 |
CN1153563A (zh) * | 1994-04-28 | 1997-07-02 | 文鲁奈克斯技术公司 | 集成电路的温度管理 |
US5451892A (en) * | 1994-10-03 | 1995-09-19 | Advanced Micro Devices | Clock control technique and system for a microprocessor including a thermal sensor |
JP3489906B2 (ja) * | 1995-04-18 | 2004-01-26 | 松下電器産業株式会社 | 半導体メモリ装置 |
US5784328A (en) * | 1996-12-23 | 1998-07-21 | Lsi Logic Corporation | Memory system including an on-chip temperature sensor for regulating the refresh rate of a DRAM array |
JP4246812B2 (ja) * | 1997-06-12 | 2009-04-02 | パナソニック株式会社 | 半導体回路及びその制御方法 |
US6108804A (en) * | 1997-09-11 | 2000-08-22 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for testing adjustment of a circuit parameter |
KR100546164B1 (ko) * | 1998-10-19 | 2007-12-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 셀프 리프레쉬 주기 제어장치 |
KR100363105B1 (ko) * | 1998-12-23 | 2003-02-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 셀 리키지 커런트 보상용 셀프 리프레쉬 장치 |
KR100287889B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2001-05-02 | 김영환 | 셀프 리프레쉬 회로 |
US6453218B1 (en) * | 1999-03-29 | 2002-09-17 | Intel Corporation | Integrated RAM thermal sensor |
US6483764B2 (en) * | 2001-01-16 | 2002-11-19 | International Business Machines Corporation | Dynamic DRAM refresh rate adjustment based on cell leakage monitoring |
-
2001
- 2001-05-31 KR KR10-2001-0030522A patent/KR100413761B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-01-17 US US10/051,916 patent/US6756856B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-26 JP JP2002085426A patent/JP4050537B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-30 DE DE10220328A patent/DE10220328B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-29 CN CNB021217335A patent/CN1297006C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006032243B4 (de) * | 2005-07-22 | 2015-09-24 | Infineon Technologies Ag | Deaktivieren eines getakteten Standby-Modus basierend auf einer Vorrichtungstemperatur |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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JP4050537B2 (ja) | 2008-02-20 |
US6756856B2 (en) | 2004-06-29 |
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CN1297006C (zh) | 2007-01-24 |
CN1389917A (zh) | 2003-01-08 |
DE10220328B4 (de) | 2009-12-10 |
KR100413761B1 (ko) | 2003-12-31 |
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