KR100666178B1

KR100666178B1 - 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로

Info

Publication number: KR100666178B1
Application number: KR1020050109811A
Authority: KR
Inventors: 남정식; 박철우
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-11-16
Filing date: 2005-11-16
Publication date: 2007-01-09
Also published as: US7414455B2; TWI309039B; US20070110123A1; TW200733109A

Abstract

반도체 장치의 디지털 온도 검출회로가 게시된다. 본 발명의 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로는, 내부온도에 따른 감지데이터를 발생하는 디지털 온도감지 블락 및 상기 감지데이터를 표준 데이터로 변환하여 출력하는 데이터 변환 블락을 구비한다. 이때, 상기 표준데이터는 내부온도 1℃ 변화에 대하여 데이터값이 "1"만큼 변화된다. 따라서, 본 발명의 반도체 장치의 디지털 온도 검출 회로에 의하면, 실제 사용자가 출력되는 표준데이터를 이용하여, 용이하게 내부온도를 검출할 수 있다. 또한, 본 발명의 디지털 온도 검출회로에서, 감지데이터가 인식데이터 또는 표준데이터로 변환될 때, 실제의 내부온도에 따른 감지데이터와 동일한 데이터값을 가지는 제1 및 제2 샘플데이터가 이용된다. 따라서, 본 발명의 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로에 의하면, 설계시의 내부온도와 측정된 내부온도 사이의 차이가 완화될 수 있다.

반도체, 내부온도, 검출, 데이터, 디지털

Description

반도체 장치의 디지털 온도 검출회로{DIGTAL TEMPERATURE DETECTING CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE}

본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.

도 1의 본 발명의 일실시예 따른 반도체 장치의 온도검출회로를 개략적으로 나타내는 블락도이다.

도 2는 도 1의 온도 감지기의 일예를 구체적으로 나타내는 회로도이다.

도 3은 반도체 장치의 내부온도에 따른 도 2의 온도감지신호의 전압레벨의 변화를 설명하기 위한 도면이다.

도 4는 도 1의 아날로그-디지털 변환기의 일예를 나타내는 블락도이다.

도 5는 온도감지신호의 전압레벨에 따른 감지데이터의 데이터값을 설명하기 위한 도면이다.

도 6은 도 1의 데이터 변환기를 자세히 나타내는 블락도이다.

도 7은 도 6의 중심데이터 및 이산데이터를 설명하기 위한 도면이다.

도 8은 도 5의 연산부(310)를 보다 자세히 나타내는 블락도이다.

도 9는 중심데이터를 구하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.

도 10a 및 도 10b는 이산데이터를 구하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.

도 11은 내부온도에 따른 인식데이터의 데이터값들의 변화를 설명하기 위한 도면이다.

도 12는 내부온도에 따른 인식데이터의 데이터값들의 변화를 설명하기 위한 도면이다.

도 13은 본 발명의 디지털 온도 검출회로를 이용하여 내부온도를 검출하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

ITEMP: 내부온도 VTEM: 온도감지신호

SDAT1, SDAT2: 샘플데이터

DTDAT: 감지데이터 PEDAT: 인식데이터

SDDAT: 표준데이터

MEDAT: 중앙데이터 DFDAT: 이산데이터

DGTEMDT: 디지털 온도 감지블락

DATCV: 데이터 변환 블락

본 발명은 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로에 관한 것으로서, 특히 내부온도를 디지털화된 데이터로 검출하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로에 관한 것이다.

반도체 장치에서는, 여러가지 목적을 위하여 내부온도의 검출이 요구된다. 예를 들면, 디램의 경우, 저장된 데이터를 유효하게 보존하기 위하여 셀프 리프레쉬 동작이 요구되는데, 이때, 셀프 리프레쉬 주기는 내부온도에 따라 적절히 조정될 수 있다. 다시 기술하면, 내부 온도가 높은 경우에는, 디램 메모리셀에서의 누설전류는 상대적으로 크다. 이 경우에는, 셀프 리프레쉬 주기는 상대적으로 짧게 설정되어야, 저장된 데이터의 손상을 방지할 수 있다. 반면에, 내부 온도가 낮은 경우에는, 디램 메모리셀의 누설전류는 상대적으로 작다. 이 경우에는, 셀프 리프레쉬 주기를 상대적으로 길게 하여도, 저장된 데이터를 유효하게 보존할 수 있다. 이와 같이, 셀프 리프레쉬 주기를 길게 하면, 소모되는 저력이 감소될 수 있다.

일반적으로, 반도체 장치는 내부온도의 검출을 위한 온도검출회로를 내장한다. 온도검출회로에서의 온도검출원리를 간략히 기술하면, 다음과 같다. 온도검출회로의 설계시에, 임계온도가 미리 설정된다. 그리고, 반도체 장치의 내부온도가 설정된 임계온도와 비교되며, 그 비교된 결과에 따라 논리상태가 결정되는 온도감지신호가 발생된다. 그리고, 소위 '디지털 온도검출회로'에서는, 2ⁿ개의 임계온도가 설정된다. 이 경우, n비트의 디지털 데이터값을 가지는 출력데이터가 발생될 것이다. 이와 같은 출력데이터를 통하여, 반도체 장치의 내부온도가 검출될 수 있다.

그런데, 종래의 디지털 온도검출회로에서는, 반도체 장치의 설계시에 설정된 임계온도들과 실제로 제조 완료된 반도체 장치의 임계온도들 사이에, 공정조건의 차이 등으로 인하여 온도 갭(gap)이 존재할 수 있다. 따라서, 실제 내부온도와 측정된 내부온도 사이에는 상당한 차이가 발생될 수 있다.

또한, 종래의 디지털 온도검출회로에서는, 출력데이터의 데이터 코드와 실제 사용자가 의도하는 데이터 코드가 서로 상이하게 될 수 있다. 다시 기술하자면, 실제 사용자의 입장에서는, 1의 데이터값의 변화가 1℃의 온도변화를 나타내는 응답간격(본 명세서에서, '응답간격'이란 1의 데이터값의 변화에 의하여 나타나는 온도변화의 폭을 말한다.)을 가지는 데이터 코드가 내부온도를 인식하기에 유리하다. 그러나, 종래의 디지털 온도검출회로에서의 출력데이터의 데이터 코드는, 1의 데이터값의 변화가 0.4℃, 1.4℃ 등의 온도변화를 나타내는 것과 같이, 공정조건에 따라 응답간격이 상이하게 된다. 즉, 종래의 디지털 온도 검출회로는 내부온도를 인식하기가 매우 어렵다는 문제점을 지닌다.

따라서, 실제 내부온도와 측정된 내부온도 사이에 차이가 완화될 수 있으며, 실제 사용자가 인식하기에 편리한 데이터 코드의 출력 데이터를 발생하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로가 요구된다.

따라서, 본 발명의 목적은 실제 내부온도와 측정된 내부온도 사이에 차이가 완화될 수 있으며, 실제 사용자가 인식하기에 편리한 데이터 코드의 출력 데이터를 발생하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로를 제공하는 데 있다.

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따른 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로는 상기 반도체 장치의 내부온도를 감지하여, 소정의 감지데이터 코드 상의 감지데이터를 발생하는 디지털 온도감지 블락으로서, 상기 감지데이터 코드는 감지된 상기 내부온도에 따라 변환되는 데이터값들로 이루어지는 상기 디지털 온도감지 블락; 및 외부의 제어에 따른 데이터값을 가지는 제1 및 제2 샘플데이터를 이용하여, 상기 감지데이터를 표준 데이터 코드 상의 표준 데이터로 변환하여 출력하는 데이터 변환 블락으로서, 상기 표준 데이터 코드는 특정의 응답간격을 가지는 상기 데이터 변환 블락을 구비한다.

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 일면은 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로에 관한 것이다. 본 발명의 다른 일면에 따른 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로는 상기 반도체 장치의 내부온도에 따라 일방향으로 변화되는 전압레벨을 가지는 온도감지신호를 발생하는 온도감지기; 상기 온도감지신호의 전압레벨을, 대응하는 데이터값의 상기 감지데이터로 전환하는 아날로그-디지털 변환기; 및 외부의 제어에 따른 데이터값을 가지는 제1 및 제2 샘플데이터를 이용하여, 상기 감지데이터를 표준 데이터 코드 상의 표준데이터로 변환하는 데이터 변환기로서, 상기 표준 데이터 코드는 특정의 응답간격을 가지는 상기 데이터 변환 기를 구비한다.

본 발명과 본 발명의 동작상의 잇점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의해야 한다. 그리고, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.

본 명세서에서, '데이터 코드'는 소정의 입력값들에 대응하여 출력될 수 있는 데이터값들의 집합으로 정의한다. 만약, '데이터 코드'가 상이(相異)한 경우에는, 동일한 일력값에 대하여 서로 상이한 데이터값들로 출력될 수 있다. 또한, 입력값의 동일한 변화폭에 대하여, 출력되는 데이터값들은 데이터 코드에 따라 서로 상이한 변화폭을 가진다.

본 실시예에서, '데이터 코드'가 상이한 경우, 일반적으로 동일한 내부온도에 따른 데이터값이 상이하다. 또한, '데이터 코드'가 상이한 경우, 동일한 폭의 내부온도의 변화에 대하여, 데이터값의 변화폭이 서로 상이하다.

한편, 본 명세서에서, 데이터는 다수개(예를 들면, 8개)의 비트의 그룹을 말한다. 그리고, 데이터값은 데이터를 구성하는 다수개의 비트들의 논리상태의 특정의 조합을 지칭한다. 따라서, 상기 데이터값은 2진수 또는 10진수 등으로 수치화될 수 있다.

또한, 본 명세서에서, 데이터와 데이터 코드는 동일한 고유명칭이 부가된다. 예를 들어, 표준데이터는 표준 데이터 코드 상의 내부온도에 대응하는 데이터값을 가지며, 감지데이터는 감지 데이터 코드 상의 내부온도에 대응하는 데이터값을 가지며,

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 디지털 온도검출회로는 디지털 온도감지 블락(DGTEMDT)과 데이터 변환 블락(DATCV)을 구비한다. 상기 디지털 온도감지 블락(DGTEMDT)은 반도체 장치의 내부온도(ITEMP)를 감지하여, 소정의 감지데이터 코드 상의 감지데이터(DTDAT<1:8>)를 발생한다. 상기 감지데이터 코드에는, 감지된 상기 내부온도(ITEMP)에 따라 변환되는 데이터값들이 미리 설정된다. 본 실시예에서, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)는 8비트의 데이터값을 가지는 것으로 한다.

상기 데이터 변환 블락(DATCV)은 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)를 제1 및 제2 샘플데이터(SDAT1<1:8> 및 SDAT2<1:8>)를 이용하여, 표준 데이터 코드 상의 표준 데이터(SDDAT<1:8>)로 변환하여 출력한다. 여기서, 상기 표준 데이터 코드는 실제 사용자가 인식하기에 용이한 특정의 응답간격을 가진다. 본 명세서에서, '응답간격'이란 1의 데이터값의 변화에 의하여 나타나는 온도변화의 폭을 말함은 전술한 바와 같다. 본 실시예의 경우, 1의 데이터값의 변화가 1℃의 온도변화를 나타낸다.

그리고, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)를 상기 표준 데이터(SDDAT<1:8>)로 변 환하기 위한 상기 제1 및 제2 샘플데이터(SDAT1<1:8> 및 SDAT2<1:8>)의 데이터값은 특정의 내부온도들에 따른 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값이다.

바람직한 실시예에 따른 본 발명의 디지털 온도 검출회로는 상기 제1 및 제2 샘플데이터(SDAT1<1:8> 및 SDAT2<1:8>)를 생성하기 위한 샘플데이터 발생블락(SAMDAT)을 더 구비한다. 상기 샘플데이터 발생블락(SMDAT)은 구체적으로 외부에서 절단가능한 퓨즈들(미도시)을 각각 포함하는 제1 및 제2 퓨즈세트(FU1, FU2)를 구비한다. 상기 제1 및 제2 샘플데이터(SDAT1<1:8> 및 SDAT2<1:8>)는 각각 상기 제1 및 제2 퓨즈세트(FU1, FU2)에 내장되는 퓨즈들의 절단여부에 따라 소정의 데이터값을 가진다.

본 실시예에서는, 상기 제1 및 제2 샘플데이터(SDAT1<1:8> 및 SDAT2<1:8>)의 데이터값은 각각 내부온도(ITEM)가 85℃ 및 -5℃에서의 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값으로 한다.

또한, 다른 실시예에서는, 상기 제1 및 제2 샘플데이터(SDAT1<1:8> 및 SDAT2<1:8>)는 MRS(미도시)로부터 제공될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1 및 제2 샘플데이터(SDAT1<1:8> 및 SDAT2<1:8>)의 데이터값은 외부에서 제어가능하다.

계속 도 1을 참조하면, 상기 온도감지 블락(DGTEMDT)은 온도감지기(100) 및 아날로그-디지털 변환기(200)를 구비한다. 상기 온도감지기(100)는 상기 반도체 장치의 내부온도(ITEMP)를 감지하여 온도감지신호(VTEM)를 발생한다. 상기 온도감지신호(VTEM)의 전압레벨은 상기 반도체 장치의 내부온도(ITEMP)에 따라 일방향으로 변환된다. 본 실시예에서, 상기 온도감지신호(VTEM)의 전압레벨은 상기 반도체 장 치의 내부온도(ITEMP)가 증가됨에 따라 상승하게 된다.

도 2는 도 1의 온도 감지기(100)의 일예를 구체적으로 나타내는 회로도이다. 도 2를 참조하면, 상기 온도감지기(100)는 구체적으로 오피앰프(OP AMP., 101), 제1 및 제2 앤모스 트랜지스터(103, 105), 제1 및 제2 피모스 트랜지스터(107, 109) 및 저항(R111)을 구비한다.

상기 오피앰프(101)는 제1 입력단(N113)과 제2 입력단(N115) 사이의 전압차를 증폭하여, 상기 온도감지신호(VTEM)을 출력한다. 상기 제1 및 제2 앤모스 트랜지스터(103, 105)는 각각 상기 입력단들(N113, N115)들과 접지전압(VSS) 사이에 다이오드 형태로 구현된다. 그리고, 상기 제2 입력단(N115)과 상기 제2 앤모스 트랜지스터(105) 사이에 저항이 배치된다.

바람직하기로는, 상기 제2 앤모스 트랜지스터(105)는 추가적인 불순물 주입 공정 등에 의하여, 온도 변화에 대하여 제1 앤모스 트랜지스터(103)보다 낮은 문턱전압 변화율을 가진다.

제1 및 제2 피모스 트랜지스터(107, 109)의 게이트 단자는 상기 오피앰프(101)의 출력신호인 상기 온도감지신호(VTEM)에 공통 접속되며, 소오스 단자는 각각 제1 입력단(N113)과 제2 입력단(N115)에 접속된다.

도 2와 같은 상기 온도감지기(100)에서는, 반도체 장치의 내부온도(ITEMP)가 증가하는 경우에는, 상기 제2 앤모스 트랜지스터(105)를 통하여 흐르는 전류의 증가량은 상기 제1 앤모스 트랜지스터(103)를 통하여 흐르는 전류의 증가량보다 작게 된다. 그러므로, 상기 오피앰프(101)의 출력 신호인 상기 온도감지신호(VTEM)의 전 압레벨은 상승하게 된다.

비슷한 원리로, 반도체 장치의 내부온도(ITEMP)가 하강하는 경우에는, 상기 제2 앤모스 트랜지스터(105)를 통하여 흐르는 전류의 감소량은 상기 제1 앤모스 트랜지스터(103)를 통하여 흐르는 전류의 감소량보다 작게 된다. 그러므로, 상기 오피앰프(101)의 출력 신호인 상기 온도감지신호(VTEM)의 전압레벨은 하강하게 된다.

즉, 상기 온도감지신호(VTEM)의 전압레벨은, 도 3에 도시되는 바와 같이, 상기 반도체 장치의 내부온도(ITEMP)에 따라 일방향으로 변환된다.

도 3에서, 내부온도(ITEM)가 85℃ 및 -5℃에서의 상기 온도감지신호(VTEM)의 전압레벨은 각각 V1, V2이다.

다시 도 1을 참조하면, 상기 아날로그-디지털 변환기(200)는 상기 온도감지신호(VTEM)의 전압레벨을 감지데이터(DTDAT<1:8>)로 변환한다. 이때, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)는 상기 온도감지신호(VTEM)의 전압레벨에 대응하는 데이터값을 가진다.

바람직하기로는, 아날로그-디지털 변환기(200)는, SAR(Successive Approximation Register) 방식을 이용하여, 아날로그 데이터값인 상기 온도감지신호(VTEM)의 전압레벨을 디지털 데이터값인 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)로 변환한다.

도 4는 도 1의 아날로그-디지털 변환기(200)의 일예를 나타내는 블락도이다. 도 4를 참조하면, 상기 아날로그-디지털 변환기(200)는 구체적으로 비교부(210), SAR(Successive-Approximation Register, 230), 디지털-아날로그 변환부(250)를 구 비한다.

상기 비교부(220)는 상기 온도감지신호(VTEM)를 비반전 단자(+)로 입력하고, 아날로그 기준신호(VREF)을 반전단자(-)로 입력한다. 그리고, 상기 비교부(220)는 상기 온도감지신호(VTEM)와 상기 아날로그 기준신호(VREF)의 전압레벨을 비교하여, 비교된 결과에 따른 논리상태를 가지는 전압전압비교신호(VCOM)를 발생한다. 상기 SAR(230)는 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)를 생성하며, 저장한다. 이때, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값은, 상기 전압전압비교신호(VCOM)의 논리상태를 이용하여, 소정의 규칙에 따라 변화된다.

상기 디지털-아날로그 변환부(250)는 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값에 대응하는 전압레벨을 가지는 상기 아날로그 기준신호(VREF)를 생성하여, 상기 비교부(210)의 반전단자(-)로 제공한다.

이와 같이 구성되는 SAR 방식의 아날로그-디지털 변환기(200)의 동작을 설명하면, 다음과 같다. 우선 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 8비트를 모두 '0'으로 초기화한다. 그리고, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 최상위 비트인 첫번째 비트(DTDAT<1>)에 '1'을 할당하고, 이에 따른 아날로그 기준신호(VREF)를 발생한다. 그리고, 상기 비교부(210)에서, 아날로그 기준신호(VREF)를 상기 온도감지신호(VTEM)와 전압레벨을 비교한다.

만약, 상기 온도감지 신호(VTEM)의 전압레벨이 상기 아날로그 기준신호(VREF)의 전압레벨보다 높은 경우에는, 상기 SAR(230)는 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 첫번째 비트(DTDAT<1>)를 '1'로 저장한다. 반면에, 상기 온도감지 신호(VTEM)의 전압레벨이 상기 아날로그 기준신호(VREF)의 전압레벨보다 낮은 경우에는, 상기 SAR(230)는 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 첫번째 비트(DTDAT<1>)를 '0'으로 클리어(Clear)한다. 결과적으로, 상기 온도감지 신호(VTEM)의 전압레벨이 상기 아날로그 기준신호(VREF)의 전압레벨보다 높은 경우에, SAR(230)에 저장되는 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값이 변경되는 것이다.

이와 같은 방법에 따라, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 최하위 비트(DTDAT<8>)까지 순차적으로, 상기 아날로그 기준신호(VREF)와 상기 온도감지 신호(VTEM)의 전압레벨이 비교되는 과정이 반복 수행된다.

예를 들어, 온도감지신호(VTEM)의 전압레벨이 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값 '11001101'에 해당되는 경우를 가정하자. 그러면, 상기 전압전압비교신호(VCOM)의 논리상태는 (H, H, L, L, H, H, L, H)의 순으로 천이될 것이다. 그 결과, 1번째 사이클에서부터 7번째 사이클까지의 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값은 각각 10000000, 11000000, 11000000, 11000000, 11001000, 11001100, 11001100으로 된다. 그리고, 8번째 싸이클이 진행된 후에는, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)는 상기 온도감지 신호(VTEM)의 전압레벨과 등가적인 데이터값인 '11001101'으로 된다.

결과적으로, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값은, 상기 온도감지신호(VTEM)의 전압레벨에 따라, 도 5에 도시되는 바와 같이, 변화된다.

도 5의 예에서는, 상기 온도감지신호(VTEM)의 전압레벨이 V1일 때, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값은 (10011010)이다. 그리고, 상기 온도감지신호 (VTEM)의 전압레벨이 V2일 때, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값은 (01010110)이다. 즉, 내부온도가 85℃일 때, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값은 (10011010)이고, 내부온도가 -5℃일 때, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값은 (01010110)이다.

다시 도 1을 참조하면, 상기 데이터 변환블락(DATCV)은 데이터 변환기(300) 및 먹서(400)를 구비한다. 상기 데이터 변환기(300)는, 상기 제1 샘플데이터(SDAT1<1:8>) 및 상기 제2 샘플데이터(SDAT2<1:8>)를 이용하여, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)를 상기 표준데이터(SDDAT<1:8>)로 변환한다.

본 실시예에서, 상기 제1 샘플데이터(SDAT1<1:8>) 및 상기 제2 샘플데이터(SDAT2<1:8>)는, 각각 내부온도(ITEMP)가 85℃ 및 -5℃일 때의 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값과 동일하다. 그러므로, 본 실시예의 경우, 상기 제1 샘플데이터(SDAT1<1:8>) 및 상기 제2 샘플데이터(SDAT2<1:8>)는 각각 (10011010), (01010110)이다.

상기 먹서(400)는 먹서제어신호(MCON)의 논리상태에 따라, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)와 상기 표준데이터(SDDAT<1:8>) 중의 어느 하나를 선택적으로 출력한다. 본 실시예에서는, 상기 먹서제어신호(MCON)의 논리상태가 "L"일 때, 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)가 출력된다. 그리고, 상기 먹서제어신호(MCON)의 논리상태가 "H"일 때, 상기 표준데이터(SDDAT<1:8>)가 출력된다.

바람직한 실시예에 의한 본 발명의 디지털 온도 검출회로는 상기 먹서제어신호(MCON)를 발생하는 마스터 퓨즈 블락(500)을 더 구비한다. 이때, 상기 마스터 퓨 즈 블락(500)에 내장되는 퓨즈(미도시)의 절단여부에 따라, 상기 먹서제어신호(MCON)의 논리상태의 논리상태가 "H" 또는 "L"로 결정된다.

또한, 다른 실시예에서는, 상기 먹서제어신호(MCON)는 MRS(미도시)로부터 제공될 수도 있다. 이 경우, 상기 먹서제어신호(MCON)의 논리상태는 외부에서 제어가능하다.

도 6은 도 1의 데이터 변환기(300)를 자세히 나타내는 블락도이다. 도 6을 참조하면, 상기 데이터 변환기(300)는 연산부(310), 데이터 발생부(330) 및 비교부(350)를 구비한다.

상기 연산부(310)는, 상기 제1 및 제2 샘플데이터(SDAT1<1:8>, SDAT2<1:8>)를 이용하여, 중심데이터(MEDAT<1:8>) 및 이산데이터(DFDAT<1:8>)를 생성한다. 여기서, 상기 중심데이터(MEDAT<1:8>)는 상기 제1 및 제2 샘플데이터(SDAT1<1:8>, SDAT2<1:8>)의 중앙값이다(도 7의 t1 참조). 그리고, 상기 이산데이터(DFDAT<1:8>)는 상기 감지데이터 코드 상에서 특정의 변화폭에 대응하는 데이터값이다. 본 실시예에서, 상기 이산데이터(DFDAT<1:8>)는, 내부온도(ITEM)가 64℃ 변화됨에 따라 변화되는 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값에 해당된다(도 7의 d1 및 d2 참조).

도 8은 도 5의 연산부(310)를 보다 자세히 나타내는 블락도이다. 도 8을 참조하면, 상기 연산부(310)는 중심데이터 생성수단(311) 및 이산데이터 생성수단(316)을 구비한다.

상기 중심데이터 생성수단(311)은 상기 제1 샘플데이터(SDAT1<1:8>)의 데이 터값 및 제2 샘플데이터(SDAT2<1:8>)의 데이터값의 합을 이용하여, 상기 중심데이터(MEDAT<1:8>)를 생성한다.

상기 중심데이터 생성수단(311)은 더욱 구체적으로 합산유닛(311a) 및 쉬프팅 유닛(311b)을 구비한다. 상기 합산유닛(311a)는 상기 제1 샘플데이터(SDAT1<1:8>) 및 상기 제2 샘플데이터(SDAT2<1:8>)의 데이터값을 합산하여 합산데이터(SMDAT<1:8>)를 생성한다. 본 실시예의 경우, 상기 제1 샘플데이터(SDAT1<1:8>) 및 상기 제2 샘플데이터(SDAT2<1:8>)는 각각 (10011010), (01010110)이므로, 상기 합산데이터(SMDAT<1:8>)는 (11110000)이다.

그리고, 쉬프팅 유닛(311b)는 상기 합산유닛(311a)에 제공되는 상기 합산데이터(SMDAT<1:8>)의 데이터 자리수를, 도 9에 도시되는 바와 같이, 1자리 하향 쉬프팅시켜, 상기 중심데이터(MEDAT<1:8>)를 시킨다. 이와 같이, 데이터 자리수의 쉬프팅에 의하여, 상기 중심데이터(MEDAT<1:8>)는 상기 합산데이터(SMDAT<1:8>)를 2로 나눈값으로 된다.

본 실시예에서, 상기 합산데이터(SMDAT<1:8>)가 (11110000)이므로, 상기 중심데이터(MEDAT<1:8>)는 (01111000)이다. 그리고, 상기 중심데이터(MEDAT<1:8>)는 40℃에서의 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값으로 유추될 수 있다.

그리고, 도 8의 상기 이산데이터 생성수단(316)은 상기 제1 샘플데이터(SDAT1)의 데이터값과 상기 제2 샘플데이터(SDAT2)의 데이터값의 차를 이용하여, 상기 이산데이터(DFDAT<1:8>)를 생성한다.

상기 이산데이터 생성수단(316)은 더욱 구체적으로 감산유닛(316a), 멀티 쉬 프팅 유닛(316b) 및 누적유닛(316c)을 구비한다. 상기 감산유닛(316a)은 상기 제1 샘플데이터(SDAT1<1:8>)의 데이터값과 상기 제2 샘플데이터(SDAT2<1:8>)의 데이터값의 차이를 계산하여, 감산데이터(STDAT<1:8>)를 생성한다.

본 실시예의 경우, 상기 제1 샘플데이터(SDAT1<1:8>) 및 상기 제2 샘플데이터(SDAT2<1:8>)는 각각 (10011010), (01010110)이므로, 상기 감산데이터(STDAT<1:8>)는 (01000100)(10진수 68)이다. 그리고, 상기 감산데이터(STDAT<1:8>)의 데이터값은 상기 감지 데이터 코드 상에서, 90℃(즉, 85℃-(-5)℃)의 내부온도 변화에 따른 데이터값의 변화폭을 나타낸다.

상기 멀티 쉬프팅 유닛(316b)은 소정의 제어클락(TCLK)에 응답하여, 상기 감산데이터(STDAT<1:8>)의 데이터 자리를, 도 10a에 도시되는 바와 같이, 순차적으로 하향이동시켜 이산 쉬프팅 데이터(SFDAT<1:8>)를 발생한다. 이때, 이산 쉬프팅 데이터(SFDAT<1:8>)의 첫번째 비트(SFDAT<1>)는 소수점 아래의 첫번째 데이터로 활용될 수 있다. 도 9a에서, 클락1에서의 상기 이산 쉬프팅 데이터(SFDAT<1:8>)의 데이터값은 상기 감산데이터(STDAT<1:8>)의 데이터 1/2의 데이터값에 해당된다. 그리고, 클락 2 내지 클락 8에서의 상기 이산 쉬프팅 데이터(SFDAT<1:8>)의 데이터값들은 각각 상기 감산데이터(STDAT<1:8>)의 데이터 1/4, 1/8, 1/16, 1/32, 1/64, 1/128, 1/256의 데이터값에 해당된다.

다시 도 8을 참조하면, 상기 누적유닛(316c)은 누적제어신호(TCON)에 의하여 선택되는 상기 이산 쉬프팅 데이터(SFDAT<1:8>)의 데이터값을 누적한다. 그리고, 상기 누적유닛(316c)에 의하여 누적된 데이터값은 상기 이산데이터(DFDAT<1:8>)의 데이터값이 된다.

이때, 상기 누적제어신호(TCON)에 의하여, 선택되는 상기 이산 쉬프팅 데이터(SFDAT<1:8>)는 구하고자 하는 상기 감지데이터 코드 상에서 특정의 변화폭에 따라 결정된다.

본 실시예에서는, 내부온도(ITEM)가 64℃ 변화됨에 따라 변화되는 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값이 상기 이산데이터(DFDAT<1:8>)의 데이터값이다.

계속하여, 상기 이산데이터(DFDAT<1:8>)의 데이터값을 살펴본다.

먼저, 45에 대한 64의 비를 살펴보면, (수학식 1)과 같다.

(수학식 1)

64/45 =(64/8192)*(8192/45)

=(1/128)*(182.04)

=(1/128)*(128+32+16+4+2+0.04)

=1+1/4+1/8+1/32+64+0.04/128

여기서, (수학식 1)의 우변의 마지막 항인 0.04/128는 오차로 인정하여 무시될 수 있다.

그러므로, 본 실시예에서, 상기 이산데이터(DFDAT<1:8>)는, (수학식 2)에서와 같이 구해질 수 있다.

(수학식 2)

DFDAT<1:8> = (SDAT1<1:8> - SDAT2<1:8>)*(1/2)*(64/45)

= STDAT<1:8>*(1/2+1/8+1/16+1/64+1/128)

즉, 상기 이산데이터(DFDAT<1:8>)의 생성을 위하여, 도 10b에 도시되는 바와 같이, 클락1, 클락3, 클락4, 클락6 및 클락7에서의 상기 이산 쉬프팅 데이터(SFDAT<1:8>)가 선택된다.

상기와 같은 방법으로, 상기 이산 쉬프팅 데이터(SFDAT<1:8>)가 선택적으로 누적되어, 상기 이산데이터(DFDAT<1:8>)가 생성된다.

본 실시예에서, 상기 이산데이터(DFDAT<1:8>)의 데이터값은 (00011001)(10진수로 29)이다.

다시 도 6을 참조하면, 상기 데이터 발생부(330)는 상기 중심데이터(MEDAT<1:8>) 및 상기 이산데이터(DFDAT<1:8>)를 이용하여, 기준데이터(RFDAT<1:8>)와 인식데이터(PEDAT<1:8>)를 발생한다.

상기 기준데이터(RFDAT<1:8>)를 위한 기준 데이터 코드는 상기 중심데이터(MEDAT<1:8>) 및 상기 이산데이터(MEDAT<1:8>)에 의하여 보간되는 데이터값들을 가진다. 그리고, 상기 인식데이터(PEDAT<1:8>)를 위한 인식 데이터 코드는 표준데이터(SDDAT<1:8>)을 위한 상기 표준 데이터 코드와 동일한 응답간격의 데이터값들을 가진다.

상기 기준데이터(RFDAT<1:8>)와 상기 인식데이터(PEDAT<1:8>)의 데이터값은 상기 기준 데이터 코드 및 상기 인식 데이터 코드 상에서, 소정의 데이터 비교신호(VDCM)에 따라 규칙적으로 선택된다.

상기 데이터 발생부(330)는 구체적으로 기준 데이터 발생수단(331) 및 인식 레지스터(333)를 구비한다. 상기 기준 데이터 발생수단(331)은 상기 중심데이터 (MEDAT<1:8>) 및 상기 이산데이터(DFDAT<1:8>)에 따른 상기 기준 데이터 코드 상에서, 상기 데이터 비교신호(VDCM)에 따라 선택되는 데이터값을 가지는 상기 기준데이터(RFDAT)를 생성한다.

그리고, 상기 인식 레지스터(333)는 상기 인식 데이터 코드 상에서, 상기 데이터 비교신호(VDCM)에 따라 선택되는 데이터값을 가지는 상기 인식데이터(PEDAT<1:8>)를 저장한다.

그리고, 비교부(350)는 상기 기준데이터(RFDAT<1:8>)와 상기 감지데이터(DTDAT<1:8>)를 비교하여 상기 디지털 비교신호(VDCM)를 발생한다. 상기 디지털 비교신호(VDCM)는 상기 비교부(350)의 비교된 결과에 따른 논리상태를 가진다. 그리고, 상기 디지털 비교신호(VDCM)는 상기 데이터 발생부(331)에 피드백된다.

본 실시예에서, 내부온도에 따른 상기 인식데이터(PEDAT<1:8>)의 데이터값들의 변화방법은 도 11에 도시된다. 도 11에서, 박스안의 숫자는 데이터값을 나타낸다. 이때, 괄호밖의 숫자는 2진수로 표시되는 데이터값이며, 괄호안의 숫자는 10진수로 표시되는 데이터값이다. 그리고, 도 11의 온도의 표시에서, 괄호밖의 온도는 이전의 온도로부터의 증감폭을 나타내며, 괄호안의 온도는 증감된 후의 현재의 온도를 나타낸다. 즉, 내부온도(ITEMP)가 40℃인 경우에는, p1에서와 같이, 상기 인식데이터(PEDAT<1:8>)의 데이터값은 (10000000)이다. 그리고, 상기 p1으로부터 64℃만큼 높은 경우에는, p2에서와 같이, 상기 인식데이터(PEDAT<1:8>)의 데이터값은 (11000000)이다. 다시 상기 p2로부터 32℃만큼 낮은 경우에는, p3에서와 같이, 상기 인식데이터(PEDAT<1:8>)의 데이터값은 (10100000)이다.

즉, 도 11에 도시되는 바와 같이, 내부온도(ITEMP)가 40℃인 경우에는, 상기 인식데이터(PEDAT<1:8>)의 데이터값은 10진수 128에 해당한다. 그리고, 내부온도(ITEMP)가 1℃만큼 증감됨에 따라, 상기 인식데이터(PEDAT<1:8>)의 데이터값은 10진수 1만큼 증감된다.

다시 도 6을 참조하면, 상기 데이터 변환기(300)는 데이터값 이동부(370)를 더 구비한다. 상기 데이터값 이동부(370)는 상기 인식 데이터(PEDAT<1:8>)의 데이터값을 소정의 이동폭으로 이동시켜, 상기 표준 데이터(SDDAT<1:8>)의 데이터값을 발생한다.

본 실시예의 경우, 상기 이동폭은 -88이다. 그러므로, 상기 표준 데이터(SDDAT<1:8>)의 데이터값은 10진수로, 도 12에 도시되는 바와 같이 나타난다. 도 12의 온도의 표시에서, 괄호밖의 온도는 이전의 온도로부터의 증감폭을 나타내며, 괄호안의 온도는 증감된 후의 현재의 온도를 나타낸다. 그리고, 도 12에서, 박스안의 숫자는 1w수로 표시되는 데이터값을 나타낸다. 이때, 괄호밖의 숫자는 2진수로 표시되는 데이터값이며, 괄호안의 숫자는 10진수로 표시되는 데이터값이다. 즉, 내부온도(ITEMP)가 40℃인 경우, 상기 표준데이터(SDDAT<1:8>)의 데이터값은 40이다. 즉, 내부온도(ITEMP)가 x℃인 경우, 상기 표준데이터(SDDAT<1:8>)의 데이터값은 x이다. 이와 같이, 표준데이터(SDDAT<1:8>)의 데이터값을 통하여, 실제 사용자는 내부온도를 용이하게 검출할 수 있다.

바람직하기로, 도 6의 데이터 변환기(300)는 이동값 퓨즈 세트(390)를 더 구비한다. 상기 이동값 퓨즈 세트(390)에 내장되는 퓨즈들(미도시)을 절단을 통하여, 상기 데이터값 이동부(370)의 이동폭이 제어될 수 있다.

또한, 다른 실시예에서는, 상기 데이터값 이동부(370)의 이동폭은 MRS(미도시)에 의하여 제어될 수 있다. 이 경우, 상기 MRS에 내장되는 저장값들이 외부에서 제어될 수 있으며, 궁극적으로 상기 데이터값 이동부(370)의 이동폭도 외부에서 제어가능하게 된다.

도 13은 본 발명의 디지털 온도 검출회로를 이용하여 내부온도를 검출하는 과정을 설명하기 위한 도면이다. 도 13을 참조하면, 내부온도를 검출하는 과정은 다음과 같이 정리된다.

먼저, S10단계에서, 내부온도(ITEMP)가 85℃ 및 -5℃로 셋팅되며, 이에 따른 감지데이터(DTDAT<1:8>)의 데이터값이 출력된다.

S20단계에서, 상기 제1 및 제2 퓨즈세트(FU1, FU2, 도 1 참조)의 퓨즈들이 선택적으로 절단되어, 내부온도(ITEMP)가 85℃ 및 -5℃일 때의 감지데이터(DTDAT<1:8>)와 동일한 데이터값을 가지는 제1 및 제2 샘플데이터(SDAT1<1:8> 및 SADT2<1:8>)가 생성된다.

S30단계에서, 제1 및 제2 샘플데이터(SDAT1<1:8> 및 SADT2<1:8>)의 합과 차를 이용하여, 중심데이터(MEDAT<1:8>)와 이산데이터(DFDAT<1:8>)가 생성된다.

S40단계에서, 상기 중심데이터(MEDAT<1:8>)와 상기 이산데이터(DFDAT<1:8>)를 이용하여, 인식데이터(PEDAT<1:8>)가 생성된다.

S50단계에서, 상기 인식데이터(PEDAT<1:8>)의 데이터값이 이동되어, 표준데이터(SDDAT<1:8>)가 생성된다. 그리고, S60단계에서, 표준데이터(SDDAT<1:8>)가 출 력되며, 출력된 상기 표준데이터(SDDAT<1:8>)를 통하여 내부온도가 확인된다.

상기와 같은 본 발명의 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로는, 내부온도에 따른 감지데이터를 발생하는 디지털 온도감지 블락 및 상기 감지데이터를 표준 데이터로 변환하여 출력하는 데이터 변환 블락을 구비한다. 이때, 상기 표준데이터는 내부온도 1℃ 변화에 대하여 데이터값이 "1"만큼 변화된다. 따라서, 본 발명의 반도체 장치의 디지털 온도 검출 회로에 의하면, 실제 사용자가 출력되는 표준데이터를 이용하여, 용이하게 내부온도를 검출할 수 있다.

또한, 본 발명의 디지털 온도 검출회로에서, 감지데이터가 인식데이터 또는 표준데이터로 변환될 때, 실제의 내부온도에 따른 감지데이터와 동일한 데이터값을 가지는 제1 및 제2 샘플데이터가 이용된다. 따라서, 본 발명의 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로에 의하면, 설계시의 내부온도와 측정된 내부온도 사이의 차이가 완화될 수 있다.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims

반도체 장치의 디지털 온도 검출회로에 있어서,

상기 반도체 장치의 내부온도를 감지하여, 소정의 감지데이터 코드 상의 감지데이터를 발생하는 디지털 온도감지 블락으로서, 상기 감지데이터 코드는 감지된 상기 내부온도에 따라 변환되는 데이터값들로 이루어지는 상기 디지털 온도감지 블락; 및

외부의 제어에 따른 데이터값을 가지는 제1 및 제2 샘플데이터를 이용하여, 상기 감지데이터를 표준 데이터 코드 상의 표준 데이터로 변환하여 출력하는 데이터 변환 블락으로서, 상기 표준 데이터 코드는 특정의 응답간격을 가지는 상기 데이터 변환 블락을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제1 항에 있어서, 상기 디지털 온도감지 블락은

상기 반도체 장치의 내부온도에 따라 일방향으로 변화되는 전압레벨을 가지는 온도감지신호를 발생하는 온도감지기; 및

상기 온도감지신호의 전압레벨을, 대응하는 데이터값의 상기 감지데이터로 전환하는 아날로그-디지털 변환기를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제2 항에 있어서, 상기 아날로그-디지털 변환기는

SAR 변환 방식을 적용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제1 항에 있어서, 상기 데이터 변환블락은

상기 감지데이터를 상기 표준데이터로 변환하는 데이터 변환기; 및

소정의 먹서제어신호에 따라, 상기 감지데이터와 상기 표준데이터 중의 어느 하나를 선택적으로 출력하는 먹서를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제1 항에 있어서, 상기 데이터 변환기는

상기 제1 및 제2 샘플데이터를 이용하여, 소정의 중심데이터 및 이산데이터를 생성하는 연산부로서, 상기 중심데이터는 상기 제1 및 제2 샘플데이터의 중앙값이며, 상기 이산데이터는 상기 감지데이터 코드 상에서 특정의 변화폭에 대응하는 데이터값인 상기 연산부;

소정의 기준 데이터 코드 상의 기준데이터 및 소정의 인식 데이터 코드 상의 인식데이터를 발생하는 데이터 발생부로서, 상기 기준 데이터 코드는 상기 중심데이터 및 상기 이산데이터를 따라 보간되는 데이터값들로 이루어지고, 상기 인식 데이터 코드는 상기 표준 데이터 코드와 동일한 응답간격의 데이터값들로 이루어지며, 상기 기준데이터 및 상기 인식데이터의 데이터값은 소정의 데이터 비교신호에 따라 규칙적으로 선택되는 상기 데이터 발생부; 및

상기 기준데이터와 상기 감지데이터를 비교하여, 그 결과에 따른 논리상태를 가지는 상기 데이터 비교신호를 상기 데이터 발생부에 피드백하는 비교부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제5 항에 있어서, 상기 데이터 발생부는

상기 중심데이터 및 상기 이산데이터에 따른 상기 기준 데이터 코드 상에서, 상기 데이터 비교신호에 따라 선택되는 데이터값을 가지는 상기 기준데이터를 생성하는 기준데이터 발생수단; 및

상기 인식 데이터 코드 상에서, 상기 데이터 비교신호에 따라 선택되는 데이터값을 가지는 상기 인식데이터를 저장하는 인식 레지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 내부 온도 디지털 검출회로.
제5 항에 있어서, 상기 연산부는

상기 제1 샘플데이터의 데이터값 및 제2 샘플데이터의 데이터값의 합을 이용하여, 상기 중심데이터를 생성하는 중심데이터 생성수단; 및

상기 제1 샘플데이터의 데이터값과 상기 제2 샘플데이터의 데이터값의 차를 이용하여, 상기 이산데이터를 생성하는 이산데이터 생성수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제7 항에 있어서, 상기 중심데이터 생성수단은

상기 제1 샘플데이터 및 상기 제2 샘플데이터의 데이터값을 합산하여 합산데이터를 생성하는 합산유닛; 및

상기 합산데이터를 2로 나누기 위하여, 상기 합산데이터의 데이터 자리수를 1데이터 자리 하향 쉬프팅시키는 쉬프팅 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제7 항에 있어서, 상기 이산데이터 생성수단은

상기 제1 샘플데이터의 데이터값과 상기 제2 샘플데이터의 데이터값의 차이를 계산하여, 감산데이터를 생성하는 감산유닛; 및

소정의 제어클락에 응답하여, 상기 감산데이터의 데이터 자리를 순차적으로 하향이동시켜 이산 쉬프팅 데이터를 발생하는 멀티 쉬프팅 유닛; 및

소정의 누적제어신호에 따라 선택되는 상기 이산 쉬프팅 데이터의 데이터값을 누적하여 상기 이산데이터를 발생하는 누적유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제5 항에 있어서, 상기 데이터 변환기는

상기 표준 데이터의 데이터값을 발생하기 위하여, 상기 인식 데이터의 데이터값을 소정의 이동폭으로 이동시키는 데이터값 이동부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제10 항에 있어서, 상기 데이터 변환기는

상기 이동폭을 제어하기 위한 이동값 퓨즈 세트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제4 항에 있어서, 상기 디지털 온도 검출회로는

상기 먹서제어신호를 발생하기 위하여, 외부에서 절단가능한 마스터 퓨즈 블락를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제1 항에 있어서, 상기 디지털 온도 검출 회로는

상기 제1 및 제2 샘플데이터를 생성하기 위한 샘플데이터 발생블락을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제13 항에 있어서, 상기 샘플데이터 발생블락은

상기 제1 및 제2 샘플데이터를 생성하기 위하여, 외부에서 절단가능한 퓨즈들을 각각 포함하는 제1 및 제2 퓨즈세트를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
반도체 장치의 디지털 온도 검출회로에 있어서,

상기 반도체 장치의 내부온도에 따라 일방향으로 변화되는 전압레벨을 가지는 온도감지신호를 발생하는 온도감지기;

상기 온도감지신호의 전압레벨을, 대응하는 데이터값의 상기 감지데이터로 전환하는 아날로그-디지털 변환기; 및

외부의 제어에 따른 데이터값을 가지는 제1 및 제2 샘플데이터를 이용하여, 상기 감지데이터를 표준 데이터 코드 상의 표준데이터로 변환하는 데이터 변환기로서, 상기 표준 데이터 코드는 특정의 응답간격을 가지는 상기 데이터 변환기를 구 비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제 15항에 있어서,

소정의 먹서제어신호에 따라, 상기 감지데이터와 상기 표준데이터 중의 어느 하나를 선택적으로 출력하는 먹서를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제15 항에 있어서, 상기 아날로그-디지털 변환기는

SAR 변환 방식을 적용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제15 항에 있어서, 상기 데이터 변환기는

상기 제1 및 제2 샘플데이터를 이용하여, 소정의 중심데이터 및 이산데이터를 생성하는 연산부로서, 상기 중심데이터는 상기 제1 및 제2 샘플데이터의 중앙값이며, 상기 이산데이터는 상기 감지데이터 코드 상에서 특정의 변화폭에 대응하는 데이터값인 상기 연산부;

소정의 기준 데이터 코드 상의 기준데이터 및 소정의 인식 데이터 코드 상의 인식데이터를 발생하는 데이터 발생부로서, 상기 기준 데이터 코드는 상기 중심데이터 및 상기 이산데이터를 따라 보간되는 데이터값들로 이루어지고, 상기 인식 데이터 코드는 상기 표준 데이터 코드와 동일한 응답간격의 데이터값들을 이루어지며, 상기 기준데이터 및 상기 인식데이터의 데이터값은 소정의 데이터 비교신호에 따라 규칙적으로 선택되는 상기 데이터 발생부; 및

상기 기준데이터와 상기 감지데이터를 비교하여, 그 결과에 따른 논리상태를 가지는 상기 데이터 비교신호를 상기 데이터 발생부에 피드백하는 비교부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제18 항에 있어서, 상기 데이터 발생부는

상기 중심데이터 및 상기 이산데이터에 따른 상기 기준 데이터 코드 상에서, 상기 데이터 비교신호에 따라 선택되는 데이터값을 가지는 상기 기준데이터를 생성하는 기준데이터 발생수단; 및

상기 인식 데이터 코드 상에서, 상기 데이터 비교신호에 따라 선택되는 데이터값을 가지는 상기 인식데이터를 저장하는 인식 레지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 내부 온도 디지털 검출회로.
제18 항에 있어서, 상기 연산부는

상기 제1 샘플데이터의 데이터값 및 제2 샘플데이터의 데이터값의 합을 이용하여, 상기 중심데이터를 생성하는 중심데이터 생성수단; 및

상기 제1 샘플데이터의 데이터값과 상기 제2 샘플데이터의 데이터값의 차를 이용하여, 상기 이산데이터를 생성하는 이산데이터 생성수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제20 항에 있어서, 상기 중심데이터 생성수단은

상기 제1 샘플데이터 및 상기 제2 샘플데이터의 데이터값을 합산하여 합산데이터를 생성하는 합산유닛; 및

상기 합산데이터를 2로 나누기 위하여, 상기 합산데이터의 데이터 자리수를 1데이터 자리 하향 쉬프팅시키는 쉬프팅 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제20 항에 있어서, 상기 이산데이터 생성수단은

상기 제1 샘플데이터의 데이터값과 상기 제2 샘플데이터의 데이터값의 차이를 계산하여, 감산데이터를 생성하는 감산유닛; 및

소정의 제어클락에 응답하여, 상기 감산데이터의 데이터 자리를 순차적으로 하향이동시켜 이산 쉬프팅 데이터를 발생하는 멀티 쉬프팅 유닛; 및

소정의 누적제어신호에 따라 선택되는 상기 이산 쉬프팅 데이터의 데이터값을 누적하여 상기 이산데이터를 발생하는 누적유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제15 항에 있어서, 상기 데이터 변환기는

상기 표준 데이터의 데이터값을 발생하기 위하여, 상기 인식 데이터의 데이터값을 소정의 이동폭으로 이동시키는 데이터값 이동부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제23 항에 있어서, 상기 데이터 변환기는

상기 이동폭을 제어하기 위한 이동값 퓨즈 세트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제15 항에 있어서, 상기 디지털 온도 검출 회로는

상기 제1 및 제2 샘플데이터를 생성하기 위한 샘플데이터 발생블락을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.
제25 항에 있어서, 상기 샘플데이터 발생블락은

상기 제1 및 제2 샘플데이터를 생성하기 위하여, 외부에서 절단가능한 퓨즈들을 각각 포함하는 제1 및 제2 퓨즈세트를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로.