KR20110097470A - 온도센서 - Google Patents

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KR20110097470A KR1020100017327A KR20100017327A KR20110097470A KR 20110097470 A KR20110097470 A KR 20110097470A KR 1020100017327 A KR1020100017327 A KR 1020100017327A KR 20100017327 A KR20100017327 A KR 20100017327A KR 20110097470 A KR20110097470 A KR 20110097470A
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Abstract

온도센서는 구동전압을 전압분배하여 기준전압을 생성하는 기준전압생성부와, 구동전압과 비선형전압이 출력되는 제1 노드 사이에 연결된 제1 저항소자와, 상기 제1 노드와 접지전압 사이에 연결되어 상기 기준전압에 응답하여 턴온되는 제1 스위치소자와, 상기 구동전압과 가변전압이 출력되는 제2 노드 사이에 연결된 제2 저항소자와, 상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 연결되어 상기 비선형전압에 응답하여 턴온되는 제2 스위치소자와, 상기 제3 노드와 상기 접지전압 사이에 연결된 제3 저항소자 및 상기 기준전압과 상기 가변전압을 비교하여 온도코드를 생성하는 온도코드생성부를 포함한다.

Description

온도센서{TEMPERATURE SENSOR}
본 발명은 온도센서에 관한 것이다.
일반적으로, 개인용 컴퓨터나 전자 통신 기기 등과 같은 전자적 시스템의 고성능화에 부응하여, 메모리로서 탑재되는 디램 등과 같은 휘발성 반도체 메모리 장치도 나날이 고속화 및 고집적화되고 있다. 핸드폰이나 노트북 컴퓨터 등과 같이 배터리로 동작하는 시스템에 탑재되는 반도체 메모리 장치의 경우에는 특히 저전력 소모 특성이 절실히 요구되므로, 동작(오퍼레이팅) 전류 및 스탠바이 전류를 감소시키기 위한 노력과 연구가 활발히 진행되고 있다.
하나의 트랜지스터와 하나의 스토리지 커패시터로 구성되는 디램 메모리 셀의 데이터 리텐션(retention) 특성은 온도에 따라서도 매우 민감하게 나타난다. 따라서, 주변온도의 변화에 따라서 반도체 집적회로 내에 있는 회로 블럭들의 동작조건을 조절할 필요가 생길 수 있다. 예를 들어, 모바일 제품에 사용되는 디램(DRAM, Dynamic Random Access Memory)의 경우에는 주위온도의 변화에 따라 리프레쉬 주기(refresh period)를 조절하고 있다. 이와 같은 주변온도 변화에 따른 동작 조건 조절에는 DTSR(Digital Temperature Sensor Regulator), ATSR(Analog Temp Sensor Regulator) 및 DTCSR(Digital Temperature Compensated Self Refresh) 등의 온도센서가 사용된다.
DTCSR은 주변 온도를 감지하여 메모리셀들의 리프레쉬 주기를 결정하는 데 사용하는 온도센서이다. 일반적인 DTCSR은 주변온도를 감지하여 가변전압을 생성하고, 가변전압을 기준전압과 비교하여 코드신호를 생성한다. 그런데, DTCSR에서 생성되는 가변전압은 NMOS 트랜지스터, PMOS 트랜지스터 및 저항등의 소자로 구현된 회로에서 생성되므로, 온도 변화에 따라 비선형적으로 변화하고, 공정 변화에 따른 전압 변동의 예측이 힘들며, 온도 변화에 따른 전압 변화의 기울기가 완만하여 정확한 온도 측정을 어렵게 한다.
본 발명은 정확한 온도를 측정하여 반도체 메모리 장치의 정상 동작을 유지할 수 있도록 한 온도센서를 개시한다.
이를 위해 본 발명은 구동전압을 전압분배하여 기준전압을 생성하는 기준전압생성부와, 구동전압과 비선형전압이 출력되는 제1 노드 사이에 연결된 제1 저항소자와, 상기 제1 노드와 접지전압 사이에 연결되어 상기 기준전압에 응답하여 턴온되는 제1 스위치소자와, 상기 구동전압과 가변전압이 출력되는 제2 노드 사이에 연결된 제2 저항소자와, 상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 연결되어 상기 비선형전압에 응답하여 턴온되는 제2 스위치소자와, 상기 제3 노드와 상기 접지전압 사이에 연결된 제3 저항소자 및 상기 기준전압과 상기 가변전압을 비교하여 온도코드를 생성하는 온도코드생성부를 포함하는 온도센서를 제공한다.
또한, 본 발명은 구동전압을 전압분배하여 기준전압을 생성하는 기준전압생성부와, 테스트모드신호 또는 퓨즈커팅에 응답하여 저항값이 설정되는 바이어스저항과 상기 기준전압에 응답하여 비선형전압을 생성하고, 상기 비선형전압으로부터 가변전압을 생성하는 가변전압생성부 및 상기 기준전압과 가변전압을 비교하여 온도코드를 생성하는 온도코드생성부를 포함하는 온도센서를 제공한다.
또한, 본 발명은 구동전압을 전압분배하여 제1 및 제2 기준전압을 생성하는 기준전압생성부와, 상기 제1 기준전압 및 바이어스저항에 응답하여 가변전압을 생성하는 가변전압생성부와, 상기 제1 기준전압과 상기 가변전압을 비교하여 제1 온도코드를 생성하는 제1 온도코드생성부 및 상기 제2 기준전압과 상기 가변전압을 비교하여 제2 온도코드를 생성하는 제2 온도코드생성부를 포함하는 온도센서를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 온도센서의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 2는 도 1에 도시된 온도센서에 포함된 기준전압생성부의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 3은 도 1에 도시된 온도센서에 포함된 가변전압생성부의 일실시예에 따른 회로도이다.
도 4는 도 3에 도시된 가변전압생성부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 1에 도시된 온도센서에 포함된 가변전압생성부의 다른 실시예에 따른 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 가변전압생성부에 포함된 디코딩신호생성부의 회로도이다.
도 7은 도 5에 도시된 가변전압생성부에 포함된 바이어스저항설정부의 회로도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 온도센서의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 9는 도 8에 도시된 온도센서에 포함된 기준전압생성부의 구성을 도시한 블럭도이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 권리 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 온도센서의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 온도센서는 기준전압생성부(1), 가변전압생성부(2) 및 온도코드생성부(3)를 포함한다.
기준전압생성부(1)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 구동전압(VDRV)과 접지전압(VSS) 사이에 연결된 저항소자들(R11, R12)로 구성되어, 구동전압(VDRV)을 전압분배하여 기준전압(VREF)을 생성한다. 기준전압(VREF)은 특정 온도에 대응하는 레벨로 생성된다.
가변전압생성부(2)의 일 실시예는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 비선형전압생성부(20) 및 제1 선형전압생성부(21)를 포함한다. 제1 비선형전압생성부(20)는 구동전압(VDRV)과 제1 비선형전압(VN1)이 출력되는 노드(nd20) 사이에 연결된 저항소자(R20)와, 노드(nd20)와 접지전압(VSS) 사이에 연결되어 기준전압(VREF)에 응답하여 턴온되는 스위치소자로 동작하는 NMOS 트랜지스터(N20)로 구성된다. 여기서, NMOS 트랜지스터(N20)는 온도가 증가함에 따라 턴온 전류가 적게 흐르는 특성을 갖는 것이 바람직하다. 제1 선형전압생성부(21)는 가변전압(VTEMP)이 출력되는 노드(nd21)와 구동전압(VDRV) 사이에 연결된 저항소자(R21)와, 노드(nd21)와 노드(nd22) 사이에 연결되어 제1 비선형전압(VN1)에 응답하여 턴온되는 스위치소자로 동작하는 NMOS 트랜지스터(N21)와, 노드(nd22)와 접지전압(VSS) 사이에 연결된 저항소자(R22)로 구성된다. 여기서, NMOS 트랜지스터(N21)는 온도가 증가함에 따라 턴온 전류가 많이 흐르는 특성을 갖는 것이 바람직하다.
도 3에 도시된 가변전압생성부(2)의 동작을 도 4를 참고하여 설명하면 다음과 같다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제1 비선형전압생성부(20)는 기준전압(VREF)을 입력받아 온도가 증가함에 따라 비선형적으로 레벨이 증가하는 제1 비선형전압(VN1)을 생성한다. 제1 비선형전압생성부(20)에서 생성되는 제1 비선형전압(VN1)이 비선형적인 특성을 갖는 이유는 온도가 증가함에 따라 턴온 전류가 적게 흐르는 특성을 갖는 NMOS 트랜지스터(N20)에 의해 제1 비선형전압(VN1)의 온도 증가에 따른 레벨 상승 기울기가 감소하기 때문이다.
다음으로, 제1 선형전압생성부(21)는 제1 비선형전압(VN1)을 입력받아 가변전압(VTEMP)을 생성한다. 앞서, 살펴본 바와 같이, 제1 선형전압생성부(21)에 포함된 NMOS 트랜지스터(N21)의 온도 특성은 NMOS 트랜지스터(N20)와 반대이고, 제1 비선형전압(VN1)의 비선형 특성에 의해 가변전압(VTEMP)은 온도 증가에 따라 선형적으로 레벨이 감소한다.
가변전압생성부(2)의 다른 실시예는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 비선형전압생성부(22) 및 제2 선형전압생성부(25)를 포함한다.
제2 비선형전압생성부(22)는 디코딩신호생성부(23), 바이어스저항제어부(24) 및 NMOS 트랜지스터(N22)로 구성된다. 여기서, NMOS 트랜지스터(N22)는 노드(nd23)과 접지전압(VSS) 사이에 연결되어 기준전압(VREF)에 응답하여 턴온되는 스위치소자로 동작하고, 온도가 증가함에 따라 턴온 전류가 적게 흐르는 특성을 갖는 것이 바람직하다.
디코딩신호생성부(23)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 퓨즈신호생성부(230) 및 선택출력부(231)를 포함한다.
퓨즈신호생성부(230)는 전원전압(VDD)과 노드(nd200) 사이에 연결되어 인버터(IV20)를 통해 파워업신호(PWRUP)의 반전신호를 입력받아 노드(nd200)를 풀업 구동하는 PMOS 트랜지스터(P20)와, 노드(nd200)와 노드(nd201) 사이에 연결된 제1 퓨즈(F20)와, 노드(nd200)와 노드(nd202) 사이에 연결된 제2 퓨즈(F21)를 포함한다. 이와 같이 구성된 디코딩신호생성부(23)는 파워업 구간이 종료된 후 하이레벨로 천이되는 파워업신호(PWRUP)에 응답하여 전원전압(VDD)을 공급받아 제1 퓨즈신호(FUSE1) 및 제2 퓨즈신호(FUSE2)를 생성한다. 제1 퓨즈신호(FUSE1) 및 제2 퓨즈신호(FUSE2)의 레벨은 제1 퓨즈(F20) 및 제2 퓨즈(F21)의 커팅여부에 따라 결정된다. 즉, 제1 퓨즈신호(FUSE1)는 제1 퓨즈(F20)가 커팅되지 않는 경우 하이레벨로 생성되고, 제1 퓨즈(F20)가 커팅되는 경우 로우레벨로 생성된다. 또한, 제2 퓨즈신호(FUSE2)는 제2 퓨즈(F21)가 커팅되지 않는 경우 하이레벨로 생성되고, 제2 퓨즈(F21)가 커팅되는 경우 로우레벨로 생성된다.
선택출력부(231)는 테스트인에이블신호(TMEN) 및 반전테스트인에이블신호(TMENB)에 응답하여 제1 퓨즈신호(FUSE1)를 제1 디코딩신호(DEC1)로 전달하는 제1 전달게이트(T20)와, 테스트인에이블신호(TMEN) 및 반전테스트인에이블신호(TMENB)에 응답하여 제1 테스트모드신호(TM1)를 제1 디코딩신호(DEC1)로 전달하는 제2 전달게이트(T21)와, 테스트인에이블신호(TMEN) 및 반전테스트인에이블신호(TMENB)에 응답하여 제2 퓨즈신호(FUSE2)를 제2 디코딩신호(DEC2)로 전달하는 제3 전달게이트(T22)와, 테스트인에이블신호(TMEN) 및 반전테스트인에이블신호(TMENB)에 응답하여 제2 테스트모드신호(TM2)를 제2 디코딩신호(DEC2)로 전달하는 제4 전달게이트(T23)를 포함한다. 이와 같은 구성의 선택출력부(231)는 테스트인에이블신호(TMEN)가 하이레벨인 경우 제1 테스트모드신호(TM1)를 제1 디코딩신호(DEC1)로 전달하고, 제2 테스트모드신호(TM2)를 제2 디코딩신호(DEC2)로 전달한다. 또한, 테스트인에이블신호(TMEN)가 로우레벨인 경우 제1 퓨즈신호(FUSE1)를 제1 디코딩신호(DEC1)로 전달하고, 제2 퓨즈신호(FUSE2)를 제2 디코딩신호(DEC2)로 전달한다. 여기서, 제1 테스트모드신호(TM1) 및 제2 테스트모드신호(TM2)는 내부적으로 생성되거나 외부에서 인가되는 것이 바람직하다.
바이어스저항제어부(24)는 도 7에 도시된 바와 같이, 구동전압(VDRV)과 노드(nd240) 사이에 연결된 저항소자(R240)와, 노드(nd240) 및 노드(nd241) 사이에 연결된 저항소자(R241)와, 노드(nd240) 및 노드(nd241) 사이에서 저항소자(R241)와 병렬 연결되어 제1 디코딩신호(DEC1)에 응답하여 턴온되는 NMOS 트랜지스터(N200)와, 노드(nd241) 및 노드(nd23) 사이에 연결된 저항소자(R242)와, 노드(nd23) 및 접지전압(VSS) 사이에서 저항소자(R242)와 병렬 연결되어 제2 디코딩신호(DEC2)에 응답하여 턴온되는 NMOS 트랜지스터(N201)를 포함한다.
제2 선형전압생성부(25)는 가변전압(VTEMP)이 출력되는 노드(nd24)와 구동전압(VDRV) 사이에 연결된 저항소자(R23)와, 노드(nd24)와 노드(nd25) 사이에 연결되어 제2 비선형전압(VN2)에 응답하여 턴온되는 스위치소자로 동작하는 NMOS 트랜지스터(N23)와, 노드(nd25)와 접지전압(VSS) 사이에 연결된 저항소자(R24)로 구성된다. 여기서, NMOS 트랜지스터(N23)는 온도가 증가함에 따라 턴온 전류가 많이 흐르는 특성을 갖는 것이 바람직하다.
이상 살펴본 도 5에 도시된 가변전압생성부(2)는 제1 테스트모드신호(TM1) 및 제2 테스트모드신호(TM2) 또는 제1 퓨즈(F20) 및 제2 퓨즈(F21)의 커팅여부에 따라 구동전압(VDRV)과 노드(nd23) 사이의 바이어스저항을 조절할 수 있다는 것에 구성적 특징이 있다.
온도코드생성부(3)는 기준전압(VREF)과 가변전압(VTEMP)을 비교하여 온도코드(TQ_CODE)를 생성하기 위해 차등증폭회로 등으로 구현되는 것이 바람직하다. 온도코드(TQ_CODE)는 가변전압(VTEMP)이 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨인 경우 인에이블되고, 가변전압(VTEMP)이 기준전압(VREF)보다 높은 레벨인 경우 디스에이블된다. 가변전압(VTEMP)은 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 감소하므로, 가변전압(VTEMP)이 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨로 생성되는 경우 온도가 기준전압(VREF)의 레벨에 대응하는 특정온도보다 높음을 의미한다.
이상을 정리하면 본 실시예의 온도센서는 저항소자와 NMOS 트랜지스터들로 구현된 가변전압생성부(2)에서 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 감소하는 가변전압(VTEMP)을 생성하고, 가변전압(VTEMP)과 기준전압(VREF)의 레벨을 비교하여 온도코드(TQ_CODE)를 생성한다. 본 실시예의 온도센서에서 생성되는 가변전압(VTEMP)은 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 감소하고, 공정 변화에 따른 전압 변동의 예측이 쉽고, 정확한 온도 측정을 가능하게 한다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 온도센서의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 온도센서는 기준전압생성부(4), 가변전압생성부(5), 제1 온도코드생성부(6) 및 제2 온도코드생성부(7)를 포함한다.
기준전압생성부(4)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 구동전압(VDRV)과 접지전압(VSS) 사이에 연결된 저항소자들(R40, R41, R42)로 구성되어, 구동전압(VDRV)을 전압분배하여 제1 기준전압(VREF1) 및 제2 기준전압(VREF2)을 생성한다. 제1 기준전압(VREF1) 및 제2 기준전압(VREF2)은 각각의 특정 온도에 대응하는 레벨로 생성된다.
가변전압생성부(5)는 제1 기준전압(VREF1)을 입력받아 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 감소하는 가변전압(VTEMP)을 생성한다. 가변전압생성부(5)는 앞서, 도 3 내지 도 8에서 설명한 회로들로 구현할 수 있다.
제1 온도코드생성부(6)는 제1 기준전압(VREF1)과 가변전압(VTEMP)을 비교하여 제1 온도코드(TQ_CODE1)를 생성하기 위해 차등증폭회로 등으로 구현되는 것이 바람직하다. 제1 온도코드(TQ_CODE1)는 가변전압(VTEMP)이 제1 기준전압(VREF1)보다 낮은 레벨인 경우 인에이블되고, 가변전압(VTEMP)이 제1 기준전압(VREF1)보다 높은 레벨인 경우 디스에이블된다.
제2 온도코드생성부(7)는 제2 기준전압(VREF2)과 가변전압(VTEMP)을 비교하여 제2 온도코드(TQ_CODE2)를 생성하기 위해 차등증폭회로 등으로 구현되는 것이 바람직하다. 제2 온도코드(TQ_CODE2)는 가변전압(VTEMP)이 제2 기준전압(VREF2)보다 낮은 레벨인 경우 인에이블되고, 가변전압(VTEMP)이 제2 기준전압(VREF2)보다 높은 레벨인 경우 디스에이블된다.
이상을 정리하면 본 실시예의 온도센서는 온도가 상승함에 따라 레벨이 선형적으로 감소하는 가변전압(VTEMP)을 생성하고, 가변전압(VTEMP)과 제1 기준전압(VREF1) 및 제2 기준전압(VREF2)의 레벨을 비교하여 제1 온도코드(TQ_CODE1) 및 제2 온도코드(TQ_CODE2)를 생성한다. 따라서, 본 실시예의 온도센서에 의하면 온도를 보다 세밀하게 측정할 수 있다.
1: 기준전압생성부 2: 가변전압생성부
20: 제1 비선형전압생성부 21: 제1 선형전압생성부
22: 제2 비선형전압생성부 23: 디코딩신호생성부
230: 퓨즈신호생성부 231: 선택출력부
24: 바이어스저항설정부 25: 제2 선형전압생성부
3: 온도코드생성부

Claims (25)

  1. 구동전압을 전압분배하여 기준전압을 생성하는 기준전압생성부;
    구동전압과 비선형전압이 출력되는 제1 노드 사이에 연결된 제1 저항소자;
    상기 제1 노드와 접지전압 사이에 연결되어 상기 기준전압에 응답하여 턴온되는 제1 스위치소자;
    상기 구동전압과 가변전압이 출력되는 제2 노드 사이에 연결된 제2 저항소자;
    상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 연결되어 상기 비선형전압에 응답하여 턴온되는 제2 스위치소자;
    상기 제3 노드와 상기 접지전압 사이에 연결된 제3 저항소자; 및
    상기 기준전압과 상기 가변전압을 비교하여 온도코드를 생성하는 온도코드생성부를 포함하는 온도센서.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 비선형전압은 온도변화에 따라 비선형적으로 증가하는 레벨특성을 갖는 온도센서.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 가변전압은 상기 온도변화에 따라 선형적으로 감소하는 레벨특성을 갖는 온도센서.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제1 스위치소자는 온도가 증가함에 따라 턴온 전류가 적게 흐르는 NMOS 트랜지스터이고, 제2 스위치소자는 온도가 증가함에 따라 턴온 전류가 많이 흐르는 NMOS 트랜지스터인 온도센서.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 온도코드생성부는 상기 가변전압이 상기 기준전압보다 낮은 레벨인 경우 인에이블되는 상기 온도코드를 생성하는 온도센서.
  6. 구동전압을 전압분배하여 기준전압을 생성하는 기준전압생성부;
    테스트모드신호 또는 퓨즈커팅에 응답하여 저항값이 설정되는 바이어스저항과 상기 기준전압에 응답하여 비선형전압을 생성하고, 상기 비선형전압으로부터 가변전압을 생성하는 가변전압생성부; 및
    상기 기준전압과 가변전압을 비교하여 온도코드를 생성하는 온도코드생성부를 포함하는 온도센서.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 가변전압생성부는
    테스트인에이블신호에 응답하여 상기 퓨즈커팅에 의해 생성되는 퓨즈신호 또는 테스트모드신호를 선택적으로 디코딩신호로 출력하는 디코딩신호생성부;
    상기 디코딩신호에 응답하여 구동전압과 상기 비선형전압이 출력되는 출력노드 사이의 바이어스저항을 제어하는 바이어스저항제어부; 및
    상기 출력노드와 접지전압 사이에 연결되어, 상기 기준전압에 응답하여 턴온되는 제1 스위치소자를 포함하는 온도센서.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 디코딩신호생성부는
    제1 및 제2 퓨즈의 커팅여부에 따라 제1 및 제2 퓨즈신호를 생성하는 퓨즈신호생성부; 및
    상기 테스트인에이블신호에 응답하여 상기 제1 퓨즈신호 또는 제1 테스트모드신호를 제1 디코딩신호로 선택적으로 출력하고, 상기 테스트인에이블신호에 응답하여 상기 제2 퓨즈신호 또는 제2 테스트모드신호를 제2 디코딩신호로 선택적으로 출력하는 선택출력부를 포함하는 온도센서.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 퓨즈신호생성부는
    전원전압과 제1 노드 사이에 연결되어, 파워업신호에 응답하여 상기 제1 노드를 풀업구동하는 풀업소자;
    상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결된 제1 퓨즈; 및
    상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 연결된 제2 퓨즈를 포함하는 온도센서.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 선택출력부는
    상기 테스트인에이블신호에 응답하여 상기 제1 퓨즈신호를 상기 제1 디코딩신호로 전달하는 제1 전달게이트;
    상기 테스트인에이블신호에 응답하여 상기 제1 테스트모드신호를 상기 제1 디코딩신호로 전달하는 제2 전달게이트;
    상기 테스트인에이블신호에 응답하여 상기 제2 퓨즈신호를 상기 제2 디코딩신호로 전달하는 제3 전달게이트; 및
    상기 테스트인에이블신호에 응답하여 상기 제2 테스트모드신호를 상기 제2 디코딩신호로 전달하는 제4 전달게이트를 포함하는 온도센서.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 바이어스저항제어부는 상기 구동전압과 상기 출력노드 사이에 직렬 연결된 제1 및 제2 저항소자를 포함하되, 상기 제1 및 제2 저항소자 중 적어도 하나는 상기 디코딩신호에 응답하여 양단이 단락되는 온도센서.
  12. 제 7 항에 있어서, 상기 가변전압생성부는
    상기 구동전압과 상기 가변전압이 출력되는 제1 노드 사이에 연결된 제1 저항소자;
    상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되어, 상기 비선형전압에 응답하여 턴온되는 제2 스위치소자; 및
    상기 제2 노드와 접지전압 사이에 연결된 제2 저항소자를 더 포함하는 온도센서.
  13. 제 6 항에 있어서, 상기 온도코드생성부는 상기 가변전압이 상기 기준전압보다 낮은 레벨인 경우 인에이블되는 상기 온도코드를 생성하는 온도센서.
  14. 구동전압을 전압분배하여 제1 및 제2 기준전압을 생성하는 기준전압생성부;
    상기 제1 기준전압 및 바이어스저항에 응답하여 가변전압을 생성하는 가변전압생성부;
    상기 제1 기준전압과 상기 가변전압을 비교하여 제1 온도코드를 생성하는 제1 온도코드생성부; 및
    상기 제2 기준전압과 상기 가변전압을 비교하여 제2 온도코드를 생성하는 제2 온도코드생성부를 포함하는 온도센서.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 가변전압생성부는
    상기 구동전압과 비선형전압이 출력되는 제1 노드 사이에 연결된 제1 저항소자;
    상기 제1 노드와 접지전압 사이에 연결되어 상기 제1 기준전압에 응답하여 턴온되는 제1 스위치소자;
    상기 구동전압과 가변전압이 출력되는 제2 노드 사이에 연결된 제2 저항소자;
    상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 연결되어 상기 비선형전압에 응답하여 턴온되는 제2 스위치소자; 및
    상기 제3 노드와 상기 접지전압 사이에 연결된 제3 저항소자를 포함하는 온도센서.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 비선형전압은 온도변화에 따라 비선형적으로 증가하는 레벨특성을 갖는 온도센서.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 가변전압은 상기 온도변화에 따라 선형적으로 감소하는 레벨특성을 갖는 온도센서.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 제1 스위치소자는 온도가 증가함에 따라 턴온 전류가 적게 흐르는 NMOS 트랜지스터이고, 제2 스위치소자는 온도가 증가함에 따라 턴온 전류가 많이 흐르는 NMOS 트랜지스터인 온도센서.
  19. 제 14 항에 있어서, 상기 가변전압생성부는
    테스트인에이블신호에 응답하여 퓨즈커팅에 의해 생성되는 퓨즈신호 또는 테스트모드신호를 선택적으로 디코딩신호로 출력하는 디코딩신호생성부;
    상기 디코딩신호에 응답하여 구동전압과 상기 비선형전압이 출력되는 출력노드 사이의 바이어스저항을 제어하는 바이어스저항제어부; 및
    상기 출력노드와 접지전압 사이에 연결되어, 상기 기준전압에 응답하여 턴온되는 제1 스위치소자를 포함하는 온도센서.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 디코딩신호생성부는
    제1 및 제2 퓨즈의 커팅여부에 따라 제1 및 제2 퓨즈신호를 생성하는 퓨즈신호생성부; 및
    상기 테스트인에이블신호에 응답하여 상기 제1 퓨즈신호 또는 제1 테스트모드신호를 제1 디코딩신호로 선택적으로 출력하고, 상기 테스트인에이블신호에 응답하여 상기 제2 퓨즈신호 또는 제2 테스트모드신호를 제2 디코딩신호로 선택적으로 출력하는 선택출력부를 포함하는 온도센서.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 퓨즈신호생성부는
    전원전압과 제1 노드 사이에 연결되어, 파워업신호에 응답하여 상기 제1 노드를 풀업구동하는 풀업소자;
    상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결된 제1 퓨즈; 및
    상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 연결된 제2 퓨즈를 포함하는 온도센서.
  22. 제 20 항에 있어서, 상기 선택출력부는
    상기 테스트인에이블신호에 응답하여 상기 제1 퓨즈신호를 상기 제1 디코딩신호로 전달하는 제1 전달게이트;
    상기 테스트인에이블신호에 응답하여 상기 제1 테스트모드신호를 상기 제1 디코딩신호로 전달하는 제2 전달게이트;
    상기 테스트인에이블신호에 응답하여 상기 제2 퓨즈신호를 상기 제2 디코딩신호로 전달하는 제3 전달게이트; 및
    상기 테스트인에이블신호에 응답하여 상기 제2 테스트모드신호를 상기 제2 디코딩신호로 전달하는 제4 전달게이트를 포함하는 온도센서.
  23. 제 19 항에 있어서, 상기 바이어스저항제어부는 상기 구동전압과 상기 출력노드 사이에 직렬 연결된 제1 및 제2 저항소자를 포함하되, 상기 제1 및 제2 저항소자 중 적어도 하나는 상기 디코딩신호에 응답하여 양단이 단락되는 온도센서.
  24. 제 19 항에 있어서, 상기 가변전압생성부는
    상기 구동전압과 상기 가변전압이 출력되는 제1 노드 사이에 연결된 제1 저항소자;
    상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되어, 상기 비선형전압에 응답하여 턴온되는 제2 스위치소자; 및
    상기 제2 노드와 접지전압 사이에 연결된 제2 저항소자를 더 포함하는 온도센서.
  25. 제 14 항에 있어서, 상기 제1 온도코드생성부는 상기 가변전압이 상기 제1 기준전압보다 낮은 레벨인 경우 인에이블되는 상기 제1 온도코드를 생성하고, 상기 제2 온도코드생성부는 상기 가변전압이 상기 제2 기준전압보다 낮은 레벨인 경우 인에이블되는 상기 제2 온도코드를 생성하는 온도센서.
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