KR100851989B1

KR100851989B1 - 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로 및 방법

Info

Publication number: KR100851989B1
Application number: KR1020060099180A
Authority: KR
Inventors: 정춘석; 이강설
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2006-10-12
Filing date: 2006-10-12
Publication date: 2008-08-13
Also published as: JP2008097805A; US7643889B2; CN101162604A; TW200818208A; CN101162604B; TWI363353B; US20080091378A1; KR20080033588A

Abstract

본 발명은 온도변화에 상응하는 온도전압을 생성하여 출력하는 온도 감지 회로, 상기 온도전압을 제 1 온도 코드로 변환하여 출력하는 아날로그-디지털 변환부, 및 보정 코드를 이용하여 상기 제 1 온도 코드의 오차를 보정한 제 2 온도 코드를 출력하는 온도정보 보정부를 포함한다.

온도 감지 회로, 코드 포멧, 온도 코드

Description

반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로 및 방법{Circuit and Method for Outputting Temperature Data of Semiconductor Memory Apparatus}

도 1은 종래의 기술에 따른 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로의 블록도,

도 2는 도 1의 아날로그-디지털 변환부의 블록도

도 3은 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로의 블록도,

도 4는 도 3의 온도 감지 회로의 회로도,

도 5는 도 3의 아날로그-디지털 변환부의 블록도,

도 6은 도 3의 온도정보 보정부의 블록도이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

100, 500: 온도 감지 회로 110: 온도 센서

111: 온도 비례 전류 생성부 112: 온도전압 출력부

113: 온도 반비례 전류 생성부 114: 전류-전압 변환부

120: 전압 조정부 130, 420: 퓨즈 셋(Fuse Set)

300: 아날로그-디지털 변환부 310: 비교기

320: 필터 330: 카운터

340: 오실레이터 350: 역다중화부(Demultiplexer)

360, 430, 510: 다중화부(Multiplexer) 370: 디코더

380: 디지털-아날로그 변환부(Digital-Analog Converter)

DLY: 딜레이 400: 온도정보 보정부

410: 코드 포멧 변환부 440: 연산부

본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로 및 방법에 관한 것이다.

종래의 기술에 따른 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로는 도 1에 도시된 바와 같이, 온도 감지 회로(Band Gap Reference Circuit)(100), 및 아날로그-디지털 변환부(200)를 포함하여 구성된다.

상기 온도 감지 회로(100)는 밴드 갭 레퍼런스(Band Gap Reference) 회로를 이용할 수 있으며, 그 구성을 살펴보면, 온도센서(110), 전압 조정부(120), 및 퓨즈 셋(130)을 구비한다.

상기 온도센서(110)는 BJT(Bipolar Junction Transistor)의 온도특성을 이용하여 반도체 메모리 장치의 내부 온도에 반비례하는 온도전압(VTEMP)과 온도변화에 상관없이 일정한 제 1 기준전압(VREF)을 출력한다.

상기 전압 조정부(120)는 상기 제 1 기준전압(VREF)을 복수개의 저항을 통해 분배하여 상기 온도전압(VTEMP)의 상한 및 하한을 정하기 위한 제 2 기준전 압(VULIMIT, VLLIMIT)을 출력한다. 이때 복수개의 저항은 가변저항을 포함하며, 상기 가변저항의 저항값은 퓨즈 코드(FS_CODE)값에 따라 가변된다.

상기 퓨즈 셋(130)은 복수개의 퓨즈(Fuse)를 포함하며, 상기 퓨즈들의 컷팅(Cutting) 상태에 따라 상기 퓨즈 코드(FS_CODE)를 상기 전압 조정부(120)로 출력한다.

상기 아날로그-디지털 변환부(200)는 상기 온도전압(VTEMP)을 디지털 형태의 온도 코드(TEMP_CODE)로 변환하여 출력한다. 그리고 그 내부구성을 살펴보면, 도 2에 도시된 바와 같이, 비교기(210), 필터(220), 카운터(230), 오실레이터(240), 다중화부(250), 디코더(260), 및 디지털-아날로그 변환부(Digital-Analog Converter)(270)를 포함한다. 상기 비교기(210)는 온도전압(VTEMP)과 디지털-아날로그 변환부(270)에서 출력된 아날로그 전압(DACOUT)을 비교하여 그 비교결과(INC, DEC)를 출력한다. 상기 필터(220)는 상기 INC와 DEC가 급격하게 변할 경우 즉, 고주파 성분이 포함된 경우 외부 노이즈로 인한 것이므로 출력되지 않도록 하고 완만한 변화를 갖는 경우 즉, 저주파 성분에 대해서만 각각 상기 카운터(230)의 업 카운팅을 위한 UP과 다운 카운팅을 위한 DN으로 출력한다. 상기 카운터(230)는 상기 UP과 DN에 따라 초기의 온도 코드(TEMP_CODE)(예를 들어, 100000)를 증가 또는 감소시켜 출력한다. 상기 오실레이터(240)는 소정 주기를 갖는 클럭신호를 발생시키고 이를 딜레이(DLY)를 거쳐 필터(220), 및 카운터(230)에 공급한다. 상기 다중화부(250)는 테스트 모드 신호(TM)에 따라 테스트 코드(TEST_CODE) 또는 상기 온도 코드(TEMP_CODE)를 출력한다. 상기 디코더(260)는 상기 다중화부(250)의 출력을 디 코딩한 디코딩 신호(SW<0:N>)를 출력한다. 상기 디지털-아날로그 변환부(270)는 상기 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)의 전압레벨 범위 내에서 상기 디코딩 신호(SW<0:N>)를 상기 아날로그 전압(DACOUT)으로 변환하여 출력한다.

이와 같이 구성된 종래 기술에 따른 반도체 메모리의 온도정보 출력회로의 동작을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 온도 감지 회로(100)가 동작하여 온도 검출을 수행하고 그에 따른 온도전압(VTEMP), 및 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 출력한다.

상기 아날로그-디지털 변환부(200)가 상기 온도전압(VTEMP), 및 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 이용하여 온도전압(VTEMP)과 일치되는 온도 코드(TEMP_CODE)를 찾기 위한 트랙킹(Tracking) 동작을 수행한다.

상기 카운터(230)의 출력을 아날로그 전압으로 변환한 디지털-아날로그 변환부(270)의 아날로그 전압(DACOUT)과 온도전압(VTEMP)의 레벨이 같아지면 트랙킹이 완료되고 그에 따라, 아날로그-디지털 변환부(200)는 최종 온도 코드(TEMP_CODE)를 출력한다. 이때 최종 온도 코드(TEMP_CODE)는 별도의 레지스터(도시 생략)에 저장되고, 반도체 메모리 장치의 내부 또는 외부 구성들 중에서 상기 온도 코드(TEMP_CODE)를 필요로 하는 구성에서 사용한다.

한편, 종래의 기술에 따른 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로가 정확히 동작하는지 판단하기 위한 테스트 모드를 수행할 수 있다.

먼저, 반도체 메모리 장치의 내부 온도를 테스트 코드(TEST_CODE)에 해당하는 특정 온도로 맞춘 다음, 테스트 모드 신호(TM)를 인에이블시킨다.

상기 테스트 모드 신호(TM)가 인에이블됨에 따라 상기 다중화부(250)는 카운터(230)의 출력 대신 온도 코드(TEMP_CODE)를 선택하여 디코더(260)로 출력하고, 상기 디코더(260)의 출력은 디지털-아날로그 변환부(270)를 통해 아날로그 전압(DACOUT)으로 변환되어 비교기(210)로 입력된다.

이어서 필터(220), 및 카운터(230)를 통해 출력되는 온도 코드(TEMP_CODE)가 상기 테스트 코드(TEST_CODE)와 일치하면 온도정보 출력회로의 출력에 오차가 존재하지 않는 것이며, 그렇지 않으면 온도정보 출력회로의 출력에 오차가 존재하는 것이다.

이때 온도정보 출력회로의 출력 오차는 디지털-아날로그 변환부(270)의 출력범위를 결정하는 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT) 중 적어도 하나의 레벨이 요구되는 값에 비해 크거나 작기 때문이다.

따라서 온도 감지 회로(100)의 퓨즈 셋(130)의 퓨즈를 선택적으로 컷팅하여 퓨즈 코드(FS_CODE)를 변화시키고 그에 따라 상기 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)의 레벨을 변화시켜 온도 코드(TEMP_CODE)를 모니터링(Monitoring)하는 과정을 반복하여 온도정보 출력회로의 오차를 줄일 수 있다.

그러나 상술한 종래의 기술에 따른 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로는 다음과 같은 문제점이 있다.

첫째, 원하는 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)이 출력될 수 있는 퓨즈 코드값을 알 수 없어 원하는 기준전압에 근접하도록 단순하게 퓨즈 코드값을 단계적으로 바꿔가는 방식을 사용하므로 온도정보 출력회로의 오차를 정확하게 보정하기가 거의 불가능하다.

둘째, 원하는 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)이 출력되도록 하기 위해 퓨즈 컷팅과 출력값 모니터링 과정을 반복해야 하므로 보정 작업이 매우 불편하고 작업시간도 증가한다.

셋째, 퓨즈 컷팅을 통해 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 조정하는 아날로그 방식의 특성상, 보정이 완료되더라도 기준전압 자체의 단위 전압 증가량(해상도) 차이와, 테스트를 수행하기 위한 특정 온도의 변화로 인해 온도정보 출력회로의 오차가 여전히 남아 있을 수 있으며, 이러한 보정을 반복하더라도 온도정보 출력회로의 오차를 완벽하게 제거하는 것은 불가능하다.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 출력 오차를 실질적으로 완벽하게 제거할 수 있도록 한 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로 및 방법을 제공함에 그 목적이 있다.

본 발명은 간단하고 신속하게 오차 보정을 수행할 수 있도록 한 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로 및 방법을 제공함에 또 다른 목적이 있다.

본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로는 온도변화에 상응하는 온도전압을 생성하여 출력하는 온도 감지 회로; 상기 온도전압을 제 1 온도 코드로 변환하여 출력하는 아날로그-디지털 변환부; 및 보정 코드를 이용하여 상기 제 1 온도 코드의 오차를 보정한 제 2 온도 코드를 출력하는 온도정보 보정부를 포 함함을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로는 온도변화에 상응하는 온도전압을 생성하여 출력하고 외부에서 입력된 조정 코드에 따라 자신의 출력전압 레벨 보정이 가능한 온도 감지 회로; 상기 온도전압을 제 1 온도 코드로 변환하여 출력하고 소정 제어신호에 따라 상기 온도 감지 회로로 상기 조정 코드를 출력하는 아날로그-디지털 변환부; 및 보정 코드를 이용하여 상기 제 1 온도 코드의 오차를 보정한 제 2 온도 코드를 출력하는 온도정보 보정부를 포함함을 또 다른 특징으로 한다.

본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력방법은 온도변화에 상응하는 온도전압과 상기 온도전압을 제 1 온도 코드로 변환하기 위한 범위를 설정하는 기준전압을 출력하는 온도 감지 회로, 상기 기준전압을 이용하여 상기 온도전압을 상기 제 1 온도 코드로 변환하는 아날로그-디지털 변환수단을 구비한 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법으로서, 상기 제 1 온도 코드와 기설정된 테스트 코드를 이용하여 상기 제 1 온도 코드의 오차를 보정하기 위한 보정 코드를 생성하는 단계; 및 상기 제 1 온도 코드와 상기 보정 코드를 연산하여 보정된 제 2 온도 코드를 출력하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력방법은 온도변화에 상응하는 온도전압과 상기 온도전압을 제 1 온도 코드로 변환하기 위한 범위를 설정하는 기준전압을 출력하는 온도 감지 회로, 상기 온도전압을 디지털 코드로 변환하고 상기 디지털 코드를 상기 기준전압을 이용하여 변환한 아날로그 전압이 상기 온도 전압과 일치하도록 상기 디지털 코드값을 변화시켜 상기 제 1 온도 코드로 출력하는 아날로그-디지털 변환수단을 구비한 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법으로서, 테스트 코드를 변환한 아날로그 전압이 상기 온도전압과 일치하도록 상기 제 1 온도 코드를 변화시키고, 상기 변화된 제 1 온도 코드로 상기 기준전압을 변화시킴으로서 상기 아날로그 전압이 변화되도록 하여 상기 제 1 온도 코드를 보정하는 보정 단계(a); 및 상기 제 1 온도 코드와 기설정된 테스트 코드를 이용하여 상기 제 1 온도 코드의 오차를 보정하기 위한 보정 코드를 생성하고, 상기 보정 코드를 이용하여 상기 제 1 온도 코드를 제 2 온도 코드로 보정하는 보정 단계(b)를 구비하며, 상기 보정 단계(a) 및 보정 단계(b)를 선택적으로 수행하여 상기 제 2 온도 코드를 출력하는 것을 또 다른 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로 및 방법의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.

본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로는 도 3에 도시된 바와 같이, 온도변화에 상응하는 온도전압(VTEMP)을 생성하여 출력하고 조정 코드(TRIM_CODE)에 따라 자신의 출력전압 레벨 보정이 가능한 온도 감지 회로(500), 상기 온도전압(VTEMP)을 온도 코드(TEMP_CODE)로 변환하여 출력하고 소정 제어신호에 따라 제 1 테스트 모드 구간동안 상기 온도 코드(TEMP_CODE)를 조정 코드(TRIM_CODE)로서 상기 온도 감지 회로(500)로 출력하는 아날로그-디지털 변환부(300), 및 제 2 테스트 모드 구간동안 보정 코드(FS2_CODE)(도 6 참조)를 생성하고, 상기 생성된 보정 코드(FS2_CODE)를 이용하여 상기 온도 코드(TEMP_CODE)의 오차를 보정한 제 2 온도 코드(TEMP_CODE_C)를 출력하는 온도정보 보정부(400)를 구비한다.

상기 온도 감지 회로(500)는 밴드 갭 레퍼런스(Band Gap Reference) 회로를 이용할 수 있으며, 온도센서(110), 전압 조정부(120), 퓨즈 셋(130), 및 다중화부(510)를 구비한다. 상기 온도센서(110)는 반도체 메모리 장치의 내부 온도에 반비례하는 온도전압(VTEMP)과 온도변화에 상관없이 일정한 제 1 기준전압(VREF)을 출력한다. 상기 전압 조정부(120)는 상기 제 1 기준전압(VREF)을 복수개의 저항을 통해 분배하여 상기 온도전압의 상한 및 하한을 정하기 위한 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 출력하고, 상기 조정 코드(TRIM_CODE)에 따라 상기 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)의 레벨을 조정한다. 상기 퓨즈 셋(130)은 복수개의 퓨즈(Fuse)를 구비하며, 상기 퓨즈들의 컷팅(Cutting) 상태에 따라 상기 전압 조정부(120)의 복수개의 저항값을 조정하기 위한 퓨즈 코드(FS_CODE)를 출력한다. 상기 다중화부(510)는 제어신호 즉, 제 1 테스트 모드 신호(TM)에 따라 상기 퓨즈 코드(FS_CODE)와 상기 조정 코드(TRIM_CODE) 중에서 하나를 선택하여 상기 전압 조정부(120)로 출력한다.

상기 온도 센서(110)는 도 4에 도시된 바와 같이, 온도변화에 비례하는 전류를 복수개의 전류 패스(Path)를 통해 생성하는 온도 비례 전류 생성부(111), 상기 온도 비례 전류 생성부(111)의 온도계수 특성전압을 이용하여 온도 변화에 대응되는 온도전압(VTEMP)을 출력하는 온도전압 출력부(112), 온도변화에 반비례하는 전류를 복수개의 전류 패스를 통해 생성하는 온도 반비례 전류 생성부(113), 및 상기 온도 비례 전류 생성부(111)의 전류와 상기 온도 반비례 전류 생성부(113)의 전류를 이용하여 온도변화에 상관없이 일정한 상기 제 1 기준전압(VREF)을 생성하 는 전류-전압 변환부(114)를 구비한다.

상기 온도 비례 전류 생성부(111)는 소오스가 전원단에 공통 연결된 복수개의 FET(Field Effect Transistor)로 이루어진 제 1 트랜지스터 그룹(M1 ~ M3), 상기 제 1 트랜지스터 그룹(M1 ~ M3)의 트랜지스터 중 M1, M2 각각과 접지단 사이에 각각 연결되며 부(Negative) 온도계수 특성을 갖는 Diode Connected BJT(Bipolar Junction Transistor)로 이루어진 제 2 트랜지스터 그룹(Q1, Q2), 및 상기 제 2 트랜지스터 그룹(Q1, Q2)의 에미터-베이스 전압(VEB1, VEB2)의 차이를 증폭하고 상기 제 1 트랜지스터 그룹(M1 ~ M3)의 게이트에 공통 인가하여 제 1 트랜지스터 그룹(M1 ~ M3)의 전류량을 제어하는 전류 제어기 즉, 차동 증폭기(OP11)를 구비한다. 이때 제 1 트랜지스터 그룹(M1 ~ M3)과 제 2 트랜지스터 그룹(Q1, Q2)은 소정 배율을 갖도록 서로 다른 사이즈로 설계되며 도 4의 각 트랜지스터 우측에 배율이 표시되어 있다. 즉, 트랜지스터(M1)의 사이즈 배율인 X1을 기본 배율이라 할 때, Xa는 X1의 a배가 되며, XM은 X1의 M배가 되는 것이며, 그에 따라 사이즈 배율이 X1인 트랜지스터(M1)를 통해 흐르는 전류가 IPTAT이고 사이즈 배율이 XM인 트랜지스터(M4)를 통해 흐르는 전류는 M*IPTAT가 된다. 그리고 Diode Connected BJT(Bipolar Junction Transistor)로 이루어진 제 2 트랜지스터 그룹(Q1, Q2)의 에미터 - 베이스 전압이 부 온도계수 특성을 갖는다. 즉, 온도 증가에 따라 전압이 낮아진다.

상기 온도전압 출력부(112)는 소오스가 전원단에 연결된 트랜지스터(M4), 상기 트랜지스터(M4)의 드레인과 접지단 사이에 연결된 분배저항(R2, R3), 및 상기 분배저항(R2, R3)을 통해 분배된 전압과 VEB2의 차이를 증폭하고 상기 트랜지스 터(M4)의 게이트에 인가하여 상기 트랜지스터(M4)의 전류량을 제어하는 전류 제어기 즉, 차동 증폭기(OP12)를 포함한다. 이때 트랜지스터(M4)와 저항(R3)의 연결노드에서 온도전압(VTEMP)이 출력된다.

상기 온도 반비례 전류 생성부(113)는 소오스가 전원단에 공통 연결된 복수개의 트랜지스터(M5, M6), 및 상기 트랜지스터(M5)를 통해 흐르는 전류에 따른 전압과 VEB1의 차이를 증폭하고 상기 복수개의 트랜지스터(M5, M6)의 게이트에 공통 인가하여 상기 복수개의 트랜지스터(M5, M6)의 전류량을 제어하는 전류 제어기 즉, 차동 증폭기(OP13)를 포함한다. 이때 복수개의 트랜지스터(M5, M6)는 소정 배율을 갖도록 서로 다른 사이즈로 설계되며 각 트랜지스터 우측에 배율이 표시되어 있다.

상기 전류-전압 변환부(114)는 상기 온도 비례 전류 생성부(111)의 전류 패스들 중 하나와, 상기 온도 반비례 전류 생성부(113)의 전류 패스들 중 하나에 공통 연결된 저항(R5)으로 구성된다. 이때 저항(R5)에 연결된 두 전류 패스는 두 전류 패스의 전류의 합이 온도에 상관없이 일정한 것을 선택하여 연결한 것이다. 즉, 일단이 트랜지스터(M3, M6)의 드레인에 공통 연결되고 타단이 접지된 저항(R5)으로 구성되며, 상기 트랜지스터(M3, M6)의 드레인과 상기 저항(R5)의 연결노드에서 제 1 기준전압(VREF)이 출력된다. 이때 제 1 기준전압(VREF)은 온도 정보 출력장치의 출력에 영향을 주므로 PVT(Process, Voltage, Temperature) 변동에 상관없이 일정하게 유지되어야 한다. 따라서 두 트랜지스터(M3, M6)의 사이즈 배율을 XM과 XK로 정하여 전류량 변동폭이 동일하도록 한 것이다.

상기 전압 조정부(120)는 소오스가 전원단에 연결된 제 1 트랜지스터(M7), 상기 제 1 트랜지스터(M7)와 접지단 사이에 연결된 제 1 분배저항(R6, R7), 상기 제 1 분배저항(R6, R7)의 분배전압과 상기 제 1 기준전압(VREF)의 차이를 증폭하고 상기 제 1 트랜지스터(M7)의 게이트에 인가하여 상기 제 1 트랜지스터(M7)의 전류량을 제어하는 제 1 전류 제어기 즉, 차동 증폭기(OP14), 소오스가 상기 전원단에 연결된 제 2 트랜지스터(M8), 상기 제 2 트랜지스터(M8)와 접지단 사이에 연결된 제 2 분배저항(R8 ~ R10), 상기 제 1 트랜지스터(M7)와 상기 제 1 분배저항(R6, R7)의 연결노드 전압(VREF_TRIM)과 상기 제 2 분배저항(R8 ~ R10)의 분배전압과의 차이를 증폭하고 상기 제 2 트랜지스터(M8)의 게이트에 인가하여 상기 제 2 트랜지스터(M8)의 전류량을 제어하는 제 2 전류 제어기 즉, 차동 증폭기(OP15)를 포함한다. 이때 제 2 트랜지스터(M8)와 저항(R10)의 연결노드, 및 상기 저항(R9, R10)의 연결노드에서 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)이 출력된다. 그리고 R7, R9, R10은 가변저항으로서, 상기 퓨즈 코드(FS_CODE) 또는 상기 조정 코드(TRIM_CODE)를 이용하여 R9, R10의 저항값을 조정함으로써 상기 제 2 기준전압(VLLIMIT, VULIMIT)의 레벨을 조정할 수 있다.

상기 아날로그-디지털 변환부(300)는 도 5에 도시된 바와 같이, 비교기(310), 필터(320), 카운터(330), 오실레이터(340), 역다중화부(350), 다중화부(360), 디코더(370), 및 디지털-아날로그 변환부(380)를 포함한다.

상기 비교기(310)는 온도전압(VTEMP)과 상기 디지털-아날로그 변환부(380)에서 출력된 아날로그 전압(DACOUT)을 비교하여 그 비교결과(INC, DEC)를 출력한다. 상기 필터(320)는 상기 비교결과(INC, DEC)가 급격하게 변할 경우 즉, 고주파 성분 이 포함된 경우 외부 노이즈로 인한 것이므로 출력되지 않도록 하고 완만한 변화를 갖는 경우 즉, 저주파 성분일 경우에만 상기 카운터(330)의 업 카운팅을 위한 UP과 다운 카운팅을 위한 DN을 출력한다. 상기 카운터(330)는 상기 UP과 DN에 따라 초기 온도 코드(TEMP_CODE)(예를 들어, 100000)를 증가 또는 감소시켜 출력한다. 상기 오실레이터(340)는 소정 주기를 갖는 클럭신호를 발생시키고 딜레이(DLY)를 거쳐 필터(320), 및 카운터(330)로 공급한다. 상기 역다중화부(350)는 제 1 테스트 모드 신호(TM)에 따라 상기 온도 코드(TEMP_CODE)를 상기 조정 코드(TRIM_CODE)로서 상기 온도 감지 회로(500)로 출력하거나 상기 온도 코드(TEMP_CODE)를 상기 다중화부(360)로 출력한다. 상기 다중화부(360)는 상기 제 1 테스트 모드 신호(TM)에 따라 테스트 코드(TEST_CODE) 또는 상기 온도 코드(TEMP_CODE)를 출력한다. 상기 디코더(370)는 상기 다중화부(360)의 출력을 디코딩한 디코딩 신호(SW<0:N>)를 출력한다. 상기 디지털-아날로그 변환부(380)는 상기 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)의 범위내에서 상기 디코딩 신호(SW<0:N>)를 상기 아날로그 전압(DACOUT)으로 변환하여 출력한다.

상기 온도정보 보정부(400)는 도 6에 도시된 바와 같이, 코드 포멧 변환부(410), 퓨즈 셋(420), 다중화부(430), 및 연산부(440)를 구비한다.

상기 코드 포멧 변환부(410)는 2의 보수(2' complement) 로직을 구비하며, 온도 코드(TEMP_CODE)의 포멧(Format)을 온도 정보 출력회로 외부에서 사용 가능하도록 상기 2의 보수(2' complement) 형태로 변환한다.

상기 퓨즈 셋(420)은 복수개의 퓨즈(Fuse)를 구비하며, 제 2 테스트 모드를 통해 생성된 보정 코드(FS2_CODE)를 출력할 수 있도록 퓨즈 컷팅이 이루어진다.

상기 다중화부(430)는 제어신호 즉, 제 2 테스트 모드 신호(TM2)에 따라 상기 퓨즈 셋(420)에 설정된 보정 코드(FS2_CODE)와 테스트 코드(TEST_CODE) 중 하나를 선택하여 출력한다.

상기 연산부(440)는 감산(Subtraction) 로직을 구비하며, 상기 코드 포멧 변환부(410)의 출력에서 상기 다중화부(430)의 출력을 감산하여 제 2 온도 코드(TEMP_CODE_C)를 출력한다.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력방법을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 본 발명은 제 1 테스트 모드 신호(TM)를 이용한 제 1 테스트 모드 구간동안 상기 아날로그-디지털 변환부(300)를 제어하여 아날로그 전압 즉, 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 조정함으로써 온도 코드(TEMP_CODE)의 오차를 최소화하는 1차 보정을 수행한다. 그리고 본 발명은 제 2 테스트 모드 신호(TM2)를 이용한 제 2 테스트 모드 구간동안 상기 온도정보 보정부(400)를 제어하여 상기 1차 보정 수행후에도 남아 있는 온도 코드(TEMP_CODE)의 오차가 완벽하게 제거되도록 온도 코드(TEMP_CODE)값 자체를 조정하는 2차 보정을 수행한다. 상기 제 1 테스트 모드 신호(TM)는 상기 제 1 테스트 모드 구간 동안만 인에이블되고 그 이외의 구간에서는 디스에이블된다. 한편, 제 2 테스트 모드 신호(TM2)는 상기 제 2 테스트 모드 구간 동안만 인에이블되고 그 이외의 구간에서는 디스에이블된다.

예를 들어, 보정이 이루어지지 않은 경우 온도 오차가 대략 20℃ 정도라면, 1차 보정을 통해 이를 5℃ 이내로 감소시키고, 2차 보정을 통해 오차가 완전히 제거되도록 하는 것이다.

본 발명은 상기 1차 보정과 2차 보정을 선택적으로 수행할 수 있다. 즉, 1차 보정 후 2차 보정을 수행하는 방법, 1차 보정만을 수행하는 방법, 또는 2차 보정만을 수행하는 방법 중 어느 것도 가능하다. 단, 각각의 방법은 온도 감지 회로(500) 및 아날로그-디지털 변환부(300)의 동작 특성에 따라 선택될 수 있다. 물론, 상기 1차 보정과 2차 보정을 모두 수행할 경우 온도정보 출력회로의 오차 제거 성능이 가장 좋다.

따라서 상기 1차 보정, 2차 보정, 및 보정 완료 후 일반 동작 모드에서의 온도정보 출력동작을 각각 설명하기로 한다.

먼저, 제 1 테스트 모드 구간에서의 1차 보정 방법을 설명하면 다음과 같다.

도 3의 온도 감지 회로(500)의 온도센서(110)가 반도체 메모리 장치의 내부 온도에 따른 온도전압(VTEMP)과 제 1 기준전압(VREF)을 출력한다. 이때 다중화부(510)는 제 1 테스트 모드 신호(TM)가 인에이블된 상태이므로 아날로그-디지털 변환부(300)에서 출력되는 조정 코드(TRIM_CODE)를 전압 조정부(120)로 출력한다. 따라서 전압 조정부(120)는 상기 조정 코드(TRIM_CODE)에 따라 설정된 레벨의 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 출력한다. 이때 조정 코드(TRIM_CODE)는 아날로그-디지털 변환부(300)의 온도 코드(TEMP_CODE) 초기값이다.

이어서 도 5의 아날로그-디지털 변환부(300)가 상기 온도전압(VTEMP), 및 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 이용하여 온도전압(VTEMP)과 일치되는 온도 코 드(TEMP_CODE)를 찾기 위한 트랙킹(Tracking) 동작을 수행한다.

이때 제 1 테스트 모드 신호(TM)가 인에이블된 상태이므로 다중화부(360)는 온도 코드(TEMP_CODE) 대신 테스트 코드(TEST_CODE)를 선택하여 디코더(370)로 출력한다. 또한 역다중화부(350)는 온도 코드(TEMP_CODE)를 조정 코드(TRIM_CODE)로 선택하여 상기 도 3의 다중화부(510)로 출력한다. 상기 테스트 코드(TEST_CODE)는 온도별로 기설정된 코드들 중의 하나로서, 상기 제 1 테스트 모드를 상기 테스트 코드(TEST_CODE)에 해당하는 온도에서 진행한다.

상기 도 4의 전압 조정부(120)의 가변 저항(R9, R10)은 상기 조정 코드(TRIM_CODE)에 따른 저항값으로 조정되고, 그에 따라 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)의 레벨이 조정된다.

상기 아날로그-디지털 변환부(300)가 상기 조정된 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 이용하여 온도 코드(TEMP_CODE)를 변경해가며 트랙킹을 진행한다.

상기 온도전압(VTEMP)과 아날로그 전압(DACOUT)이 같아져 ADC 트랙킹이 완료되면, 그 시점의 조정 코드(TRIM_CODE)에 맞도록 도 3의 퓨즈 셋(130)의 퓨즈를 컷팅함으로서 1차 보정이 완료된다.

상기 1차 보정이 완료되고 제 1 테스트 모드가 종료되면 도 3의 다중화부(510)는 퓨즈 셋(130)에서 출력되는 퓨즈 코드(FS_CODE)를 선택하여 전압 조정부(120)로 출력한다. 또한 도 5의 역다중화부(350)는 온도 코드(TEMP_CODE)를 다중화부(360)로 출력하고, 다중화부(360)는 테스트 코드(TEST_CODE) 대신 상기 역다중화부(350)에서 출력된 온도 코드(TEMP_CODE)를 선택하여 디코더(370)로 출력한다.

다음으로, 제 2 테스트 모드 구간에서의 2차 보정 방법을 설명하면 다음과 같다.

도 3의 온도 감지 회로(500)의 온도센서(110)가 반도체 메모리 장치의 내부 온도에 따른 온도전압(VTEMP)과 제 1 기준전압(VREF)을 출력한다. 이때 다중화부(510)는 제 1 테스트 모드 신호(TM)가 디스에이블된 상태이므로 퓨즈 셋(130)에서 출력되는 퓨즈 코드(FS_CODE)를 전압 조정부(120)로 출력한다. 따라서 전압 조정부(120)는 상기 퓨즈 코드(FS_CODE)에 따라 설정된 레벨의 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 출력한다.

이어서 도 5의 아날로그-디지털 변환부(300)가 상기 온도전압(VTEMP), 및 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 이용하여 온도전압(VTEMP)과 일치되는 온도 코드(TEMP_CODE)를 찾기 위한 트랙킹(Tracking) 동작을 수행한다.

이때 제 1 테스트 모드 신호(TM)가 디스에이블된 상태이므로 역다중화부(350)는 온도 코드(TEMP_CODE)를 상기 도 3의 다중화부(510)로 출력한다. 또한 다중화부(360)는 상기 역다중화부(350)에서 출력된 온도 코드(TEMP_CODE)를 선택하여 디코더(370)로 출력한다.

상기 아날로그-디지털 변환부(300)는 상기 온도전압(VTEMP)과 아날로그 전압(DACOUT)이 같아져 트랙킹이 완료되면, 그 시점의 온도 코드(TEMP_CODE)를 온도정보 보정부(400)로 출력한다.

그리고 도 6에 도시된, 온도정보 보정부(400)의 코드 포멧 변환부(410)가 상 기 온도 코드(TEMP_CODE)의 포멧(Format)을 온도 정보 출력회로 외부에서 사용 가능하도록 2의 보수(2' complement) 형태로 변환하며, 그 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.

상기 아날로그-디지털 변환부(300)에서 출력되는 온도 코드(TEMP_CODE)는 온도정보 출력회로 내부의 신호처리 부하를 최소화하기 위하여 실제 외부에서 필요한 비트수에 비해 적은 비트수를 갖는다. 또한 상기 아날로그-디지털 변환부(300)에서 출력되는 온도 코드(TEMP_CODE)는 온도값 자체를 표현하는 형식이고 실제 외부에서 필요한 온도 코드(TEMP_CODE)는 특정 온도와 현재 온도의 차이값 만을 표시하는 형식이다. 이때 비트 수 및 변환 형식은 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)과 같은 규약에 따라 변할 수 있다.

따라서 온도정보 보정부(400)는 아날로그-디지털 변환부(300)에서 출력되는 온도 코드(TEMP_CODE)의 비트 수를 변경하고, 2의 보수 형태로 변환하여 연산부(440)로 출력한다.

이때 아날로그-디지털 변환부(300)에서 출력되는 온도 코드(TEMP_CODE)가 6 비트이고 외부에서는 8비트가 필요하며, 특정 온도가 45℃라고 가정한다.

이 경우 상기 코드 포멧 변환부(410)는 아날로그-디지털 변환부(300)에서 출력되는 온도 코드(TEMP_CODE)에 2 비트 즉, 사인(Sign) 비트와 더미(Dummy) 비트를 추가하고, 2의 보수 형태로 변환한다. 이때 사인 비트는 부호를 표시하기 위해 사용되고 더미 비트는 코드 확장에 대비하기 위해 추가된 비트이다.

예를 들어, 현재 온도가 48℃인 경우 +3℃를 표현해야 하고, 현재 온도가 42 ℃인 경우 -3℃를 표현해야 하는데 2진수로 부호를 표시하기 위해서는 사인 비트 추가 및 2의 보수 형태로의 변환이 필수적이기 때문이다.

한편, 다중화부(430)는 제 2 테스트 모드 신호(TM2)가 인에이블된 상태이므로 테스트 코드(TEST_CODE)를 선택하여 연산부(440)로 출력한다.

상기 테스트 코드(TEST_CODE)는 온도별로 기설정된 코드들 중의 하나로서, 상기 코드 포멧 변환부(410)에서 출력되는 코드와 동일한 형식을 갖는다. 또한 상기 제 2 테스트 모드를 상기 테스트 코드(TEST_CODE)에 해당하는 온도에서 진행하며, 그 온도는 상기 특정 온도인 45℃라고 가정한다.

이어서 연산부(440)는 상기 코드 포멧 변환부(410)의 출력에서 상기 다중화부(430)의 출력을 감산하여 제 2 온도 코드(TEMP_CODE_C)를 출력한다.

이때 제 2 테스트 모드가 특정 온도인 45℃에서 진행되고, 상기 테스트 코드(TEST_CODE)는 상기 2진 보수 형태의 45℃의 해당하는 코드이다. 따라서 온도 코드(TEMP_CODE) 자체에 오차가 없다면 상기 코드 포멧 변환부(410)는 45℃에 해당하는 2진 보수 형태의 코드를 출력할 것이고, 그에 따라 연산부(440)는 오차가 0℃에 해당하는 코드(00000000)를 출력할 것이다.

그러나 온도 코드(TEMP_CODE)에 오차(예를 들어, +2℃)가 존재하는 경우, 상기 코드 포멧 변환부(410)는 47℃에 해당하는 2진 보수 형태의 코드를 출력하므로 연산부(440)는 +2℃에 해당하는 코드(00000010)를 출력된다.

이때 온도 코드(TEMP_CODE)의 오차는 일반 동작 모드에서도 계속 옵셋으로 작용하게 된다.

따라서 연산부(440)에서 출력된 제 2 온도 코드(TEMP_CODE_C)에 맞도록 퓨즈 셋(420)의 퓨즈를 컷팅하여 퓨즈 셋(420)에 보정 코드(FS2_CODE)가 저장되도록 하여 2차 보정이 완료된다.

상기 2차 보정이 완료되고 제 2 테스트 모드가 종료되면, 다중화부(430)는 퓨즈 셋(420)의 보정 코드(FS2_CODE)를 선택하여 연산부(440)로 출력한다.

상술한 제 1 및 제 2 테스트 모드를 통한 1차 및 2차 보정이 완료되고, 일반 동작 모드로 진입하면, 도 3의 온도 감지 회로(500)가 온도전압(VTEMP) 및 1차 보정을 통해 퓨즈 셋(130)에 저장된 퓨즈 코드(FS_CODE)를 이용하여 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 출력한다.

이어서 아날로그-디지털 변환부(300)가 상기 제 2 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 이용하여 상기 온도전압(VTEMP)을 온도 코드(TEMP_CODE)로 변환하여 출력한다.

이때 온도 코드(TEMP_CODE)는 오차가 완벽하게 보정되거나, 미세한 오차가 남아있을 수 있다.

그리고 온도정보 보정부(400)가 상기 온도 코드(TEMP_CODE)의 미세한 오차가 완벽하게 제거된 제 2 온도 코드(TEMP_CODE_C)를 출력한다.

한편, 반도체 메모리 장치 외부의 시스템은 미리 정해진 규약에 따라 특정 온도를 알고 있다. 따라서 특정온도와 현재온도의 차이값을 나타내는 상기 제 2 온도 코드(TEMP_CODE_C)를 읽어 들여 현재 온도를 알 수 있다.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로 및 방법은 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, 아날로그 전압의 1차 보정을 통해 큰 범위의 출력오차를 제거하고, 온도 코드의 2차 보정을 통해 미세 범위의 출력오차를 제거하므로 출력오차가 완벽하게 제거된 온도정보 출력이 가능하다.

둘째, 아날로그 전압의 1차 보정과 온도 코드의 2차 보정 작업이 테스트 모드를 통해 자동으로 이루어지고 반복적인 출력 모니터링 작업이 필요 없으므로 보정 작업이 매우 간소화되고 작업시간을 줄일 수 있다.

Claims

온도변화에 상응하는 온도전압을 생성하여 출력하는 온도 감지 회로;

상기 온도전압을 제 1 온도 코드로 변환하여 출력하는 아날로그-디지털 변환부; 및

보정 코드를 이용하여 상기 제 1 온도 코드의 오차를 보정한 제 2 온도 코드를 출력하는 온도정보 보정부를 포함하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 1 항에 있어서,

상기 온도 감지 회로는

반도체 메모리 장치의 내부 온도에 반비례하는 온도전압과 온도변화에 상관없이 일정한 제 1 기준전압을 출력하는 온도 센서, 및

상기 제 1 기준전압을 복수개의 저항을 통해 분배하여 상기 온도전압의 상한 및 하한을 정하기 위한 제 2 기준전압을 출력하는 전압 조정부, 및

복수개의 퓨즈(Fuse)를 구비하며, 상기 퓨즈들의 컷팅(Cutting) 상태에 따라 상기 복수개의 저항값을 조정하기 위한 퓨즈 코드를 출력하는 퓨즈 셋을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 2 항에 있어서,

상기 전압 조정부는

전원단에 연결된 제 1 트랜지스터,

상기 제 1 트랜지스터와 접지단 사이에 연결된 제 1 분배저항,

상기 제 1 분배저항의 분배전압과 상기 제 1 기준전압을 이용하여 상기 제 1 트랜지스터를 제어하는 제 1 전류 제어기,

상기 전원단에 연결된 제 2 트랜지스터,

상기 제 2 트랜지스터와 접지단 사이에 연결된 제 2 분배저항, 및

상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 1 분배저항의 연결노드 전압과 상기 제 2 분배저항의 분배전압을 이용하여 상기 제 2 트랜지스터를 제어하는 제 2 전류 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 3 항에 있어서,

상기 제 1 분배저항과 제 2 분배저항은 각각 적어도 하나의 가변저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 1 항에 있어서,

상기 아날로그-디지털 변환부는

상기 온도전압과 내부 아날로그 전압을 비교하여 그 비교결과를 출력하는 비교기,

상기 비교결과에 따라 제 1 온도 코드를 증가 또는 감소시켜 출력하는 카운터,

테스트 모드 신호에 따라 테스트 코드 또는 상기 제 1 온도 코드를 출력하는 다중화부,

상기 다중화부의 출력을 디코딩한 디코딩 신호를 출력하는 디코더, 및

상기 디코딩 신호를 상기 내부 아날로그 전압으로 변환하여 출력하는 디지털-아날로그 변환부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 5 항에 있어서,

상기 비교결과의 고주파 성분을 차단하여 출력하는 필터, 및

상기 아날로그-디지털 변환부의 내부 구성들의 동작을 위한 클럭신호를 제공하는 오실레이터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 1 항에 있어서,

상기 온도정보 보정부는

상기 제 1 온도 코드의 포멧(Format)을 온도 정보 출력회로 외부에서 사용 가능한 형태로 변환하는 코드 포멧 변환부,

상기 보정 코드를 설정하기 위한 퓨즈 셋,

소정 제어신호에 따라 상기 퓨즈 셋에 설정된 보정 코드와 테스트 코드 중 하나를 선택하여 출력하는 다중화부, 및

상기 코드 포멧 변환부의 출력과 상기 다중화부의 출력을 이용하여 상기 제 2 온도 코드를 출력하는 연산부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 7 항에 있어서,

상기 코드 포멧 변환부는

입력정보를 2의 보수(2' complement)로 변환하는 로직 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 7 항에 있어서,

상기 제어신호는 테스트 모드 신호인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 7 항에 있어서,

상기 연산부는

두 입력 정보를 감산(Subtraction)하는 로직 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
온도변화에 상응하는 온도전압을 생성하여 출력하고 외부에서 입력된 조정 코드에 따라 자신의 출력전압 레벨 보정이 가능한 온도 감지 회로;

상기 온도전압을 제 1 온도 코드로 변환하여 출력하고 소정 제어신호에 따라 상기 온도 감지 회로로 상기 조정 코드를 출력하는 아날로그-디지털 변환부; 및

보정 코드를 이용하여 상기 제 1 온도 코드의 오차를 보정한 제 2 온도 코드를 출력하는 온도정보 보정부를 포함하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 11 항에 있어서,

상기 온도 감지 회로는

반도체 메모리 장치의 내부 온도에 반비례하는 온도전압과 온도변화에 상관없이 일정한 제 1 기준전압을 출력하는 온도 센서, 및

상기 제 1 기준전압을 복수개의 저항을 통해 분배하여 상기 온도전압의 상한 및 하한을 정하기 위한 제 2 기준전압을 출력하며, 상기 조정 코드에 따라 상기 제 2 기준전압 레벨을 조정하는 전압 조정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 2 항 또는 제 12 항에 있어서,

상기 온도 센서는

온도변화에 비례하는 전류를 복수개의 전류 패스(Path)를 통해 생성하는 온도 비례 전류 생성부,

상기 온도 비례 전류 생성부의 온도계수 특성전압을 이용하여 온도 변화에 대응되는 온도전압을 출력하는 온도전압 출력부,

온도변화에 반비례하는 전류를 복수개의 전류 패스를 통해 생성하는 온도 반비례 전류 생성부, 및

상기 온도 비례 전류 생성부의 전류와 상기 온도 반비례 전류 생성부의 전류를 이용하여 온도변화에 상관없이 일정한 상기 제 1 기준전압을 생성하는 전류-전압 변환부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 13 항에 있어서,

상기 온도 비례 전류 생성부는

서로의 사이즈가 다르며 전원단에 공통 연결된 복수개의 트랜지스터로 이루어진 제 1 트랜지스터 그룹,

상기 제 1 트랜지스터 그룹의 트랜지스터 중 일부와 접지단 사이에 각각 연결되며 부 온도계수 특성을 갖는 제 2 트랜지스터 그룹, 및

상기 제 2 트랜지스터 그룹의 트랜지스터들에 인가된 전압을 이용하여 상기 제 1 트랜지스터 그룹을 제어하는 전류 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 14 항에 있어서,

상기 제 2 트랜지스터 그룹의 트랜지스터들은 다이오드로 동작하며, 상기 다 이오드 양단 전압이 부 온도계수 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 13 항에 있어서,

상기 온도전압 출력부는

상기 온도전압을 출력하는 노드,

상기 노드와 전원단 사이에 연결된 트랜지스터,

상기 노드와 접지단 사이에 연결된 분배저항, 및

상기 분배저항을 통해 분배된 전압과 상기 온도 비례 전류 생성부의 내부전압을 이용하여 상기 트랜지스터를 제어하는 전류 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 13 항에 있어서,

상기 온도 반비례 전류 생성부는

서로의 사이즈가 다르며 전원단에 공통 연결된 복수개의 트랜지스터, 및

상기 복수개의 트랜지스터 중 하나를 통해 흐르는 전류에 따른 전압과 상기 온도 비례 전류 생성부의 내부전압을 이용하여 상기 복수개의 트랜지스터를 제어하는 전류 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 13 항에 있어서,

상기 전류-전압 변환부는

상기 온도 비례 전류 생성부의 전류 패스들과 상기 온도 반비례 전류 생성부의 전류 패스들 중에서 각각 하나의 패스를 통해 흐르는 전류의 합이 온도에 상관없이 일정한 두 전류 패스와 공통 연결된 저항소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 12 항에 있어서,

상기 전압 조정부는

전원단에 연결된 제 1 트랜지스터,

상기 제 1 트랜지스터와 접지단 사이에 연결된 제 1 분배저항,

상기 제 1 분배저항의 분배전압과 상기 제 1 기준전압을 이용하여 상기 제 1 트랜지스터를 제어하는 제 1 전류 제어기,

상기 전원단에 연결된 제 2 트랜지스터,

상기 제 2 트랜지스터와 접지단 사이에 연결된 제 2 분배저항, 및

상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 1 분배저항의 연결노드 전압과 상기 제 2 분배저항의 분배전압을 이용하여 상기 제 2 트랜지스터를 제어하는 제 2 전류 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 19 항에 있어서,

상기 제 1 분배저항과 제 2 분배저항은 각각 적어도 하나의 가변저항을 구비하며 상기 가변저항의 저항값이 상기 조정 코드에 따라 가변되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 19 항에 있어서,

상기 전류 제어기는 차동 증폭기인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 12 항에 있어서,

복수개의 퓨즈(Fuse)를 구비하며, 상기 퓨즈들의 컷팅(Cutting) 상태에 따라 상기 복수개의 저항값을 조정하기 위한 퓨즈 코드를 출력하는 퓨즈 셋, 및

제어신호에 따라 상기 퓨즈 코드와 상기 조정 코드 중에서 하나를 선택하여 상기 전압 조정부로 출력하는 다중화부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 22 항에 있어서,

상기 제어신호는 테스트 모드 신호인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 11 항에 있어서,

상기 아날로그-디지털 변환부는

상기 온도전압과 내부 아날로그 전압을 비교하여 그 비교결과를 출력하는 비교기,

상기 비교결과에 따라 제 1 온도 코드를 증가 또는 감소시켜 출력하는 카운터,

테스트 모드 신호에 따라 상기 제 1 온도 코드를 상기 조정 코드로서 상기 온도 감지 회로로 출력하거나 상기 제 1 온도 코드를 아날로그-디지털 변환부 내부로 출력하는 역다중화부,

테스트 모드 신호에 따라 테스트 코드 또는 상기 제 1 온도 코드를 출력하는 다중화부,

상기 다중화부의 출력을 디코딩한 디코딩 신호를 출력하는 디코더, 및

상기 디코딩 신호를 상기 내부 아날로그 전압으로 변환하여 출력하는 디지털-아날로그 변환부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 24 항에 있어서,

상기 디지털 코드의 고주파 성분을 차단하여 출력하는 필터, 및

상기 아날로그-디지털 변환부의 내부 구성들의 동작을 위한 클럭신호를 제공하는 오실레이터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 11 항에 있어서,

상기 온도정보 보정부는

상기 제 1 온도 코드의 포멧(Format)을 온도 정보 출력회로 외부에서 사용 가능한 형태로 변환하는 코드 포멧 변환부,

보정 코드를 설정하기 위한 퓨즈 셋,

소정 제어신호에 따라 상기 퓨즈 셋에 설정된 보정 코드와 테스트 코드 중 하나를 선택하여 출력하는 다중화부, 및

상기 코드 포멧 변환부의 출력과 상기 다중화부의 출력을 이용하여 상기 제 2 온도 코드를 출력하는 연산부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 26 항에 있어서,

상기 코드 포멧 변환부는

입력정보를 2의 보수(2' complement)로 변환하는 로직 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 26 항에 있어서,

상기 제어신호는 테스트 모드 신호인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
제 26 항에 있어서,

상기 연산부는

두 입력 정보를 감산(Subtraction)하는 로직 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로.
온도변화에 상응하는 온도전압과 상기 온도전압을 제 1 온도 코드로 변환하기 위한 범위를 설정하는 기준전압을 출력하는 온도 감지 회로, 상기 기준전압을 이용하여 상기 온도전압을 상기 제 1 온도 코드로 변환하는 아날로그-디지털 변환수단을 구비한 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법으로서,

상기 제 1 온도 코드와 기설정된 테스트 코드를 이용하여 상기 제 1 온도 코드의 오차를 보정하기 위한 보정 코드를 생성하는 단계; 및

상기 제 1 온도 코드와 상기 보정 코드를 연산하여 보정된 제 2 온도 코드를 출력하는 단계를 포함하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법.
제 30 항에 있어서,

상기 보정 코드를 생성하는 단계는 테스트 모드 구간동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법.
제 30 항에 있어서,

상기 테스트 코드는 온도별로 기설정된 코드 중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법.
제 30 항에 있어서,

상기 보정 코드를 생성하는 단계는

상기 제 1 온도 코드를 상기 테스트 코드와 동일한 포멧으로 변환하는 단계, 및

상기 변환된 제 1 온도 코드에서 상기 테스트 코드를 감산하여 상기 보정 코드를 생성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법.
제 30 항에 있어서,

상기 보정된 제 2 온도 코드를 출력하는 단계는

상기 제 1 온도 코드를 상기 테스트 코드와 동일한 포멧으로 변환하는 단계, 및

상기 변환된 제 1 온도 코드에서 상기 보정 코드를 감산하여 보정된 온도 코드를 상기 제 2 온도 코드로서 출력하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법.
온도변화에 상응하는 온도전압과 상기 온도전압을 제 1 온도 코드로 변환하 기 위한 범위를 설정하는 기준전압을 출력하는 온도 감지 회로, 상기 온도전압을 디지털 코드로 변환하고 상기 디지털 코드를 상기 기준전압을 이용하여 변환한 아날로그 전압이 상기 온도전압과 일치하도록 상기 디지털 코드값을 변화시켜 상기 제 1 온도 코드로 출력하는 아날로그-디지털 변환수단을 구비한 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법으로서,

테스트 코드를 변환한 아날로그 전압이 상기 온도전압과 일치하도록 상기 제 1 온도 코드를 변화시키고, 상기 변화된 제 1 온도 코드로 상기 기준전압을 변화시킴으로서 상기 아날로그 전압이 변화되도록 하여 상기 제 1 온도 코드를 보정하는 보정 단계(a); 및

상기 제 1 온도 코드와 기설정된 테스트 코드를 이용하여 상기 제 1 온도 코드의 오차를 보정하기 위한 보정 코드를 생성하고, 상기 보정 코드를 이용하여 상기 제 1 온도 코드를 제 2 온도 코드로 보정하는 보정 단계(b)를 구비하며,

상기 보정 단계(a) 및 보정 단계(b)를 선택적으로 수행하여 상기 제 2 온도 코드를 출력하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법.
제 35 항에 있어서,

상기 보정 단계(a) 및 보정 단계(b)는 별도의 테스트 모드를 통해 수행됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법.
제 35 항에 있어서,

상기 테스트 코드는 온도별로 기설정된 코드 중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법.
제 35 항에 있어서,

상기 보정 단계(b)에서 상기 보정 코드를 생성하는 단계는

상기 제 1 온도 코드를 상기 테스트 코드와 동일한 포멧으로 변환하는 단계, 및

상기 변환된 제 1 온도 코드에서 상기 테스트 코드를 감산하여 상기 보정 코드를 생성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법.
제 35 항에 있어서,

상기 보정 단계(b)에서 상기 제 1 온도 코드를 제 2 온도 코드로 보정하는 단계는

상기 제 1 온도 코드를 상기 테스트 코드와 동일한 포멧으로 변환하는 단계, 및

상기 변환된 제 1 온도 코드에서 상기 보정 코드를 감산함으로써 상기 제 2 온도 코드로 보정하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법.
제 33 항, 제 34 항, 제 38 항 또는 제 39 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 1 온도 코드를 상기 테스트 코드와 동일한 포멧으로 변환하는 단계는 2의 보수(2' complement)를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력 방법.