KR20080092508A - 온도 정보 출력장치 - Google Patents

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KR20080092508A
KR20080092508A KR1020070035857A KR20070035857A KR20080092508A KR 20080092508 A KR20080092508 A KR 20080092508A KR 1020070035857 A KR1020070035857 A KR 1020070035857A KR 20070035857 A KR20070035857 A KR 20070035857A KR 20080092508 A KR20080092508 A KR 20080092508A
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Abstract

개시된 본 발명은 온도 정보 출력장치로서, 온도변화에 상응하는 온도전압 및 온도전류를 생성하여 출력하는 기준전위회로; 상기 온도전압을 이용하여 제 1 온도 정보를 생성하는 제 1 온도정보 생성부; 상기 온도전류를 이용하여 제 2 온도 정보를 생성하는 제 2 온도정보 생성부; 및 상기 제 1 온도 정보와 제 2 온도 정보 중 하나를 선택하여 출력하기 위한 스위칭부를 포함한다.
기준전위회로, ADC

Description

온도 정보 출력장치{Temperature Data Output Apparatus}
도 1은 종래의 기술에 따른 전압유형의 온도 정보 출력장치의 블록도,
도 2는 종래의 기술에 따른 전류유형의 온도 정보 출력장치의 블록도,
도 3은 본 발명에 따른 온도 정보 출력장치의 블록도,
도 4는 도 3의 추적형 ADC(Analog to Digital Converter)의 블록도,
도 5는 도 3의 축사근사형 ADC(Analog to Digital Converter)의 블록도,
도 6은 도 3의 축사근사형 ADC의 동작을 설명하기 위한 그래프, 및
도 7은 도 3의 기준전위회로의 상세회로도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
300 : 기준전위회로 310 : 온도전류 생성부
320 : 온도전압 생성부 330 : 기준전압 생성부
340 : 범위제한용 기준전압 생성부 400 : 스위칭부
본 발명은 온도 정보 출력장치에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 반도체 메모리 장치의 동작을 위해 필요한 온도 정보를 출력하는 온도 정보 출력장치에 관 한 것이다.
종래의 기술에 따른 전압유형의 온도 정보 출력장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 전압 모드 밴드 갭 레퍼런스 회로(BGR:Band Gap Reference)(110), 및 추적형 아날로그/디지털 변환부(Tracking ADC : Analog to Digital Converter 이하, 추적형 ADC)(120)를 포함한다.
상기 전압 모드 밴드 갭 레퍼런스회로(110)는 바이폴라 졍션 트랜지스터의 에미터-베이스 전압(VBE)을 증폭하여 온도전압(VTEMP)을 출력한다. 이때 VBE는 -1.8mV/℃ 특성을 가진다. 상기 전압 모드 밴드 갭 레퍼런스회로(110)는 상기 온도전압(VTEMP)의 상한과 하한을 정하기 위한 범위제한용 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 출력한다. 상기 범위제한용 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)은 여러 가지 환경요인에 의하여 옵셋이 발생할 수 있다.
종래의 기술에 따른 전류유형의 온도 정보 출력장치(200)는 도 2에 도시된 바와 같이, 전류 모드 밴드 갭 레퍼런스회로(BGR:Band Gap Reference)(210), 및 축사근사형 아날로그/디지털 변환부(Succcessive Approximation Analog to Digital Converter 이하, 축사근사형 ADC)(220)를 포함한다.
상기 전류 모드 밴드 갭 레퍼런스회로(210)는 PTAT(Proportional To the Absolute Temperature), CTAT(Complimentary To the Absolute Temperature) 전류 생성기를 이용하여 구현하였다. 상기 전류 모드 밴드 갭 레퍼런스회로(210)는 온도에 비례하는 온도 비례전류(I0)와 온도에 반비례하는 온도 반비례전류(I1,I2)를 출력한다. 상기 축사근사형 ADC(220)는 상기 온도 비례전류(I0)와 온도 반비례전 류(I1,I2)를 입력받아 온도 정보(Temp_code)로 변환하여 출력한다.
상기 전압유형의 온도 정보 출력장치(100)는 온도에 따라 전압이 변하는 특성을 이용하였다. 상기 전압유형의 온도 정보 출력장치(100)는 상기 추적형 ADC(120)에서 발생되는 뱅뱅 에러(Bang-Bang Error)와 상기 추적형 ADC(120) 내부에 구비된 DAC(Digital to Analog Converter)를 사용함에 따른 옵셋성분이 존재한다. 여기서, 상기 뱅뱅 에러란 피드백루프(Feedback loop)에 의해 순차적으로 트래킹(tracking)을 하는 회로(DLL, PLL, Tracking ADC 등)에서 발생하는 에러이다. 상기 뱅뱅 에러는 트래킹(Tracking) 동작이 완료된 후에도 계속적으로 레퍼런스(reference)값과 피드백(feedback)값을 계속적으로 비교하는 동작을 하면서 피드백 값이 증가와 감소를 반복하는 현상이다. 상기 뱅뱅 에러는 ±1LSB만큼의 양자화에라(quantization error)를 갖는 것이 가장 이상적이나, 실제는 여러 요인에 따라 이보다 크다. 상기 추적형 ADC(120)의 비교기의 게인(Gain)이 낮은 경우, 미세전압에 대한 비교가 잘 이루어지지 못하기 때문에 상기 뱅뱅 에러가 발생한다. 여기서 LSB라 함은 최하위 비트를 칭한다. 상기와 같은 전압유형의 온도 정보 출력장치(100)는 외부전압의 변화에 강한 반면 상기 뱅뱅 에러가 발생할 수 있고 상기 옵셋에 취약하다.
이에 반하여 전류유형의 온도 정보 출력장치(200)는 온도에 따른 전류가 변하는 특성을 이용한 것으로, 상기 DAC를 구비하지 않아 상기 옵셋은 없지만 외부전압의 변화에 취약하다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 안정적이고 정밀도가 높은 온도 정보 출력이 가능하도록 한 온도 정보 출력장치를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명은 온도 정보 출력장치로서 온도 변화에 상응하는 온도전압 및 온도전류를 생성하여 출력하는 기준전위회로; 상기 온도전압을 이용하여 제 1 온도 정보를 생성하는 제 1 온도정보 생성부; 상기 온도전류를 이용하여 제 2 온도 정보를 생성하는 제 2 온도정보 생성부; 및 상기 제 1 온도 정보와 제 2 온도 정보 중 하나를 선택하여 출력하기 위한 스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위히여, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 온도 정보 출력장치는 도 3에 도시된 바와 같이, 기준전위회로(300), 제 1 온도정보 생성부로 사용되는 추적형 ADC(120), 제 2 온도정보 생성부로 사용되는 축사근사형 ADC(220), 및 스위칭부(400)를 포함한다.
상기 기준전위회로(300)는 온도전압(VTEMP), 범위제한용 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT), 온도 비례전류(I0), 및 온도 반비례전류(I1,I2)를 생성하여 출력한다.
본 발명에 따른 추적형 ADC(120)는 도 4에 도시된 바와 같이 비교기(121), 필터(122), 카운터(123), 디코더(124) 및 DAC(Digital To Analog Converter)(125)를 구비한다.
상기 비교기(121)는 아날로그 전압 형태인 상기 온도전압(VTEMP)과 코드전압(DACOUT)을 비교하여 그 비교결과신호(INC, DEC)를 출력한다.
상기 필터(122)는 상기 비교기(121)에서 출력된 상기 비교결과신호(INC, DEC)를 출력한다. 즉, 상기 비교결과신호(INC, DEC)가 급격하게 변할 경우 외부 노이즈로 인한 고주파성분이므로 업 카운팅 신호(UP) 또는 다운 카운팅 신호(DN)가 출력되지 않도록 한다.
상기 카운터(123)는 상기 업 카운팅신호(UP)와 상기 다운 카운팅신호(DN)에 따라 초기 온도 정보(Temp_code)를 증가 또는 감소시켜 출력한다.
상기 디코더(124)는 상기 카운터(123)의 출력을 디코딩하여 출력한다.
상기 DAC(125)는 상기 디코더(124)의 출력을 상기 범위제한용 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 초과하지 않는 범위내에서 코드전압(DACOUT)으로 변환하여 상기 비교기(121)로 출력한다.
또한, 상기 비교기(121), 상기 필터(122) 및 상기 카운터(123)가 동기되도록 딜레이(DLY)를 거쳐 샘플클럭(sample CLK)이 공급된다.
상기 축사근사형 ADC(220)는 도 5에 도시된 바와 같이 비교기(221) 클럭발생기(222), 및 레지스터(223)를 구비한다.
상기 비교기(221)는 상기 기준전위회로(300)에서 생성된 온도 비례전류(I0), 및 온도 반비례전류(I1,I2)를 입력받아 비교결과를 출력한다.
상기 클럭발생기(222)는 클럭신호를 생성하여 출력한다.
상기 레지스터(222)는 상기 클럭신호를 이용하여 상기 비교기(221)의 출력에 따라 온도 정보(Temp_code)를 출력한다.
상기 비교기(221)는 상기 레지스터(223)를 통해 피드백된 값에 따라 상기 온도 반비례전류(I1,I2) 중 하나를 선택하고 상기 온도 비례전류(I0)와 비교하여 그 비교결과를 출력한다.
상기 축사근사형 ADC(220)의 동작을 도 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 상기 온도 비례전류(I0)는 온도에 비례하는 전류이며, 온도에 대해 고정된 값이다. 상기 온도 반비례전류(I1,I2)는 온도에 반비례하는 전류이며, 온도에 대해 가변되는 값이다. 상기 온도 비례전류(I0)와 상기 온도 반비례전류(I1)의 교차점은 온도 영역의 최저점(T1)이라 하고, 상기 온도 비례전류(I0)와 상기 온도 반비례전류(I2)의 교차점은 상기 온도 영역의 최고점(T2)이라 한다. 또한, 온도에 따른 상기 온도 정보(Temp_code)는 상기 온도영역의 최고점(T2)에서 '11111111'이고, 상기 온도영역의 최저점(T1)에서 '00000000'으로 셋팅이 된다. 상기 축사근사형 ADC(220)는 초기값(10000000)으로 상기 최저점(T1)과 상기 최고점(T2)의 중간온도를 셋팅하고, 이어서 1/2, 1/4 1/8..의 순으로 순차적으로 등분하여 온도 정보(Temp_code)를 찾을 수 있다.
상기 스위칭부(400)는 퓨즈(F1,F2)를 구비한다. 상기 스위칭(400)는 상기 추적형 ADC(120)와 연결된 퓨즈(F1), 및 상기 축사근사형 ADC(220)와 연결된 퓨즈(F2), 및 상기 퓨즈(F1,F2)와 공통 연결된 온도 정보출력라인을 포함한다. 상기 스위칭부(400)는 상기 퓨즈(F1,F2)와 공통 연결된 온도 정보출력라인을 통해 동작 환경에 맞게 선택적으로 온도 정보(Temp_code)를 출력한다.
본 발명에 따른 기준전위회로(300)는 도시된 도 7과 같이 온도전류 생성부(310), 온도전압 생성부(320), 기준전압 생성부(330), 및 범위제한용 기준전압 생성부(340)을 포함한다.
상기 온도전류 생성부(310)는 제 1 트랜지스터그룹(P1,P2,P3,P4), 제 2 트랜지스터그룹(P5,P6,P7,P8,P9), 제 3 트랜지스터그룹(N1,N2), 전류제어기(OP1,OP2), 저항(R1), 및 바이폴라 트랜지스터(Q2)를 포함한다.
상기 제 1 트랜지스터그룹(P1,P2,P3,P4)의 트랜지스터는 소오스가 전원단과 연결되고, 게이트에 제 1 전류제어기(OP1)의 출력을 입력받는다. 상기 제 2 트랜지스터그룹(P5,P6,P7,P8,P9)의 트랜지스터는 소오스가 전원단과 연결되고, 게이트에 제 2 전류제어기(OP2)의 출력을 입력받는다. 상기 제 3 트랜지스터그룹(N1,N2)의 제 1 NMOS 트랜지스터(N1)는 드레인과 게이트가 연결되어 다이오드형태로 동작한다. 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(N1)의 드레인이 상기 제 4 내지 제 6 PMOS 트랜지스터(P4,P5,P6)의 드레인과 공통 연결되고 소오스가 접지단과 연결된다. 상기 제 4 내지 제 6 PMOS 트랜지스터(P4,P5,P6)와 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(N1)의 연결노드를 통해 상기 온도 반비례전류(I2)가 출력된다. 상기 제 2 NMOS 트랜지스터(N2)는 드레인이 상기 제 7 PMOS 트랜지스터(P7)의 드레인과 연결되고, 소오스가 접지단과 연결된다. 상기 제 7 PMOS 트랜지스터(P7)와 상기 제 2 NMOS 트랜지스터(N2)의 연결노드를 통해 상기 온도 반비례전류(I1)가 출력된다. 상기 제 1 전류제어기(OP1)는 입력단이 각각 상기 제 8 PMOS 트랜지스터(P8)와 상기 저항(R1)에 연결되고, 출력단이 상기 제 1 트랜지스터그룹(P1,P2,P3,P4)의 게이트에 공통 연결된 다. 상기 제 2 전류제어기(OP2)는 입력단이 상기 제 1 PMOS 트랜지스터(P1)와 상기 제 2 PMOS 트랜지스터(P2)에 연결되고 출력단이 상기 제 2 트랜지스터그룹(P5,P6,P7,P8,P9)의 게이트에 공통 연결된다. 상기 저항(R1)은 상기 제 8 PMOS 트랜지스터(P8)와 접지단 사이에 연결된다. 상기 바이폴라 트랜지스터(Q2)는 제 2 PMOS 트랜지스터(P2)와 접지단 사이에 연결된다. 상기 제 2 PMOS 트랜지스터(P2)와 상기 바이폴라 트랜지스터(Q1)의 연결노드를 통해 상기 온도 비례전류(I0)가 출력된다.
상기 제 1 트랜지스터그룹(P1,P2,P3,P4)과 제 2 트랜지스터그룹(P5,P6,P7,P8,P9)의 트랜지스터들은 소정의 배율을 갖도록 서로 다른 사이즈로 설계된다. 즉, 제 1 전류제어기(OP1)의 제어를 받는 제 1 PMOS 트랜지스터(P1)의 사이즈 비율인 X1을 기본 배율이라 할 때, Xa는 X1의 a배가 되며, XK는 X1의 K배가 된다. 사이즈 배율이 X1인 제 1 및 제 2 PMOS 트랜지스터(P1,P2)를 통해 흐르는 전류는 IPTAT이고 사이즈 비율이 XK인 제 3 PMOS 트랜지스터(P3)를 통해 흐르는 전류는 K*IPTAT이며, 사이즈 비율이 Xa인 제 4 PMOS 트랜지스터(P4)를 통해 흐르는 전류는 a*IPTAT가 된다. 또한, 제 2 전류제어기(OP2)의 제어를 받는 상기 제 8 PMOS 트랜지스터(P8)의 사이즈 배율인 Y1을 기본배율이라 할 때, Yb는 Y1의 b배가 되며, YM은 Y1의 M배가 된다. 사이즈 배율이 Y1인 상기 제 6 내지 상기 제 8 PMOS 트랜지스터(P6,P7,P8)를 통해 흐르는 전류는 ICTAT이고, 사이즈 배율이 Yb인 상기 제 5 PMOS 트랜지스터(P5)를 통해 흐르는 전류는 b*ICTAT이며, 사이즈 배율이 YK인 상기 제 9 PMOS 트랜지스터(P9)를 통해 흐르는 전류는 K*ICTAT이다.
상기 온도전압 생성부(320)는 바이폴라 트랜지스터(Q1)와 저항(R2)을 포함한다. 상기 바이폴라 트랜지스터(Q1)는 상기 저항(R2)과 접지단 사이에 연결된다. 상기 저항(R2)은 상기 바이폴라 트랜지스터(Q1)와 상기 제 1 PMOS 트랜지스터(P1)사이에 연결된다. 또한 상기 바이폴라 트랜지스터(Q1)는 에미터_베이스(Vbe)의 차이를 증폭하여 상기 저항(R2)과 연결된 노드를 통해 온도전압(VTEMP)을 출력한다.
상기 기준전압 생성부(330)는 상기 온도전류 생성부(310)의 상기 제 1 전류제어기(OP1)의 출력을 입력받는 복수의 전류 패스 중 한 패스와, 상기 제 2 전류제어기(OP2)의 출력을 입력받는 복수의 전류 패스 중 한 패스와 공통연결된 저항(R3)을 구비한다. 이때 상기 저항(R3)에 연결된 두 전류 패스는 전류의 합이 온도에 상관없이 일정한 것을 선택하여 연결한 것이다. 즉, 상기 저항(R3)은 일단이 상기 두 전류 패스인 상기 제 3 및 제 9 PMOS 트랜지스터(P3,P9)의 드레인에 공통 연결되고 타단이 접지단에 연결된다. 상기 제 3 및 제 9 PMOS 트랜지스터(P3,P9)의 드레인과 상기 저항(R3)의 연결노드를 통해 기준전압(VREF)이 출력된다. 상기 기준전압(VREF)은 온도 정보 출력장치에 영향을 주므로 PVT(Process, Voltage, Temperature)변동에 상관없이 일정하게 유지되어야 한다. 따라서, 두 트랜지스터(P3, P9)의 전류량 변동폭이 동일한 예로서, 사이즈 배율을 XK과 YM을 선택하였다.
상기 범위제한용 기준전압 생성부(340)는 제 3 및 제 4 전류제어기(OP3, OP4), 제 10 및 제 11 PMOS 트랜지스터(P10,P11), 제 1 저항그룹(R4,R5), 및 제 2 저항그룹(R6,R7,R8)으로 구성된다. 상기 범위제한용 기준전압 생성부(340)는 소오 스가 전원단에 연결된 제 10 PMOS 트랜지스터(P10), 상기 제 10 PMOS 트랜지스터(P10)의 드레인과 접지단 사이에 연결된 제 1 저항그룹(R4,R5), 상기 제 1 저항그룹(R4,R5)을 통해 분배된 분배전압과 상기 기준전압(VREF)의 차이를 증폭하고 상기 제 10 PMOS 트랜지스터(P10)의 게이트에 인가함으로서, 상기 제 10 PMOS 트랜지스터(P10)의 전류량을 제어하는 전류제어기(OP3), 소오스가 전원단에 연결된 제 11 PMOS 트랜지스터(P11), 상기 제 11 PMOS 트랜지스터(P11)와 접지단 사이에 연결된 제 2 저항그룹(R6,R7,R8), 트리밍 전압(Vref_trim)과 상기 제 2 저항그룹(R6,R7,R8)을 통해 분배된 분배전압의 차이를 증폭하여 상기 제 11 PMOS 트랜지스터(P11)의 게이트에 인가함으로서, 상기 제 11 PMOS 트랜지스터(P11)의 전류량을 제어하는 전류제어기(OP4)를 포함한다. 상기 제 11 PMOS 트랜지스터(P11)와 상기 제 8 저항(R8)의 연결노드를 통해 범위제한용 기준전압(VULIMIT)이 출력되고, 상기 제 7 저항(R7)과 상기 제 8 저항(R8)의 연결노드를 통해 범위제한용 기준전압(VLLIMIT)이 출력된다. 상기 제 4 저항(R4), 상기 제 7 저항(R4), 및 상기 제 8 저항(R8)은 가변저항으로서, 상기 제 7 저항(R7), 및 상기 제 8 저항(R8)의 저항값 조정을 통해 상기 범위제한용 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)의 레벨을 조절할 수 있다. 상기 제 4 저항(R4)의 저항값 조정을 통해 상기 범위제한용 기준전압(VULIMIT, VULIMIT)의 옵셋을 조절할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 온도 정보 출력장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.
상기 기준전위회로(300)는 온도전압(VTEMP), 및 범위제한용 기준전 압(VULIMIT, VLLIMIT)을 상기 추적형 ADC(120)에 인가하고 상기 추적형 ADC(120)는 상기 온도전압(VTEMP), 및 상기 범위제한용 기준전압(VULIMIT, VLLIMIT)을 이용하여 온도 정보(Temp_code)를 출력한다. 또한 상기 기준전위회로(300)는 온도 비례전류(I0), 및 온도 반비례전류(I1, I2)를 상기 축사근사형 ADC(220)에 인가하고 상기 축사근사형 ADC(220)는 상기 온도 비례전류(I0), 및 상기 온도 반비례전류(I1,I2)를 이용하여 온도 정보(Temp_code)를 출력한다. 이때, 동작 환경에 따라 상기 스위칭부(400)의 퓨즈(F1,F2)를 커팅하여 상기 추적형 ADC(120) 또는 상기 축사근사형 ADC) 중 어느 하나의 온도 정보(Temp_code)가 출력되도록 할 수 있다.
만약 동작 환경에서 전압 변화가 심할 경우, 상기 스위칭부(400)의 퓨즈(F2)를 커팅하여 전압 변화에 강한 상기 추적형 ADC(120)의 출력이 온도 정보(Temp_code)로써 출력되도록 한다.
만약 동작 환경에서 전압 변화가 심하지 않을 경우, 상기 스위칭부(400)의 퓨즈(F1)를 커팅하여 상기 뱅뱅에러나 옵셋에 강한 상기 축사형 ADC(220)의 출력이 온도 정보(Temp_code)로써 출력되도록 한다.
따라서, 본 발명에 따른 온도 정보 출력장치는 동작 환경에 맞는 온도 정보(Temp_code)를 선택 출력되도록 하므로 안정적이고 정밀도가 높다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세 한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명에 따른 온도 정보 출력장치는 동작환경에 상관없이 항상 안정적이고 정밀도가 높은 온도 정보 출력장치를 제공할 수 있는 효과가 있다.

Claims (16)

  1. 온도변화에 상응하는 온도전압 및 온도전류를 생성하여 출력하는 기준전위회로;
    상기 온도전압을 이용하여 제 1 온도 정보를 생성하는 제 1 온도정보 생성부;
    상기 온도전류를 이용하여 제 2 온도 정보를 생성하는 제 2 온도정보 생성부; 및
    상기 제 1 온도 정보와 제 2 온도 정보 중 하나를 선택하여 출력하기 위한 스위칭부를 구비하는 온도 정보 출력장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기준전위회로는
    복수개의 전류 패스를 통해 온도변화에 비례하는 온도 비례전류, 및 온도변화에 반비례하는 온도 반비례전류를 생성하는 온도전류 생성부,
    온도변화를 감지하여 상기 온도전압을 출력하는 온도전압 생성부,
    상기 복수의 전류 패스 중 적어도 두 개의 전류 패스를 통해 흐르는 전류를 조합하여 기준전압을 생성하는 기준전압 생성부, 및
    상기 기준전압을 이용하여 상기 온도전압의 변동폭을 제한하는 범위제한용 기준전압을 생성하는 범위제한용 기준전압 생성부를 포함하는 온도 정보 출력장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 온도전류 생성부는
    전원단에 공통 연결되어 상기 복수의 전류 패스를 형성하는 제 1 및 제 2 트랜지스터그룹;
    상기 제 2 트랜지스터그룹 중 일부와 접지단 사이에 연결된 제 3 트랜지스터그룹;
    상기 제 1 트랜지스터그룹 중 일부와 접지단 사이에 연결된 제 4 트랜지스터; 및
    상기 복수의 전류 패스 중 일부의 전압차를 이용하여 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터그룹을 제어하는 복수의 전류제어기를 포함하는 온도 정보 출력장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터그룹의 트랜지스터들은 소정 배율을 갖도록 사이즈가 다르게 설계되는 것을 특징으로 하는 온도 정보 출력장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 전류 패스 중 상기 제 3 트랜지스터그룹과 연결된 전류 패스를 통해 상기 온도 반비례전류가 생성되는 것을 특징으로 하는 온도 정보 출력장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 전류 패스 중 상기 제 4 트랜지스터와 연결된 전류 패스를 통해 상기 온도 비례전류가 생성되는 것을 특징으로 하는 온도 정보 출력장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 온도전압 생성부는 상기 복수의 전류 패스 중 하나와 접지단 사이에 연결된 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 정보 출력장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 기준전압 생성부는 복수의 전류 패스 중 하나와 접지단 사이에 연결된 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 정보 출력장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 범위제한용 기준전압 생성부는
    전원단과 연결된 제 1 트랜지스터,
    상기 제 1 트랜지스터와 접지단 사이에 연결된 제 1 저항그룹,
    상기 제 1 저항그룹에서 분배된 분배전압과 상기 기준전압 생성부의 기준전압을 이용하여 상기 제 1 트랜지스터를 제어하는 제 1 전류제어기,
    상기 전원단과 연결된 제 2 트랜지스터,
    상기 제 2 트랜지스터와 접지단 사이에 연결된 상기 제 2 저항그룹, 및
    상기 제 1 저항그룹에 인가된 전압과 상기 제 2 저항그룹에 분배된 분배전압을 이용하여 상기 제 2 트랜지스터를 제어하는 제 2 전류제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 정보 출력장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 저항그룹과 상기 제 2 저항그룹은 적어도 하나의 가변저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 정보 출력장치.
  11. 제 3 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 전류제어기는 차동증폭기임을 특징으로 하는 온도 정보 출력장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 온도정보 생성부는 추적형 ADC(Analog To Digital Converter)를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 정보 출력장치.
  13. 상기 제 2 온도 정보 생성부는 축사근사형 ADC(Analog To Digital Converter)를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 정보 출력장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 추적형 ADC는
    상기 온도전압과 아날로그전압을 비교하여 비교결과신호를 출력하는 비교기,
    상기 비교결과신호의 노이즈 성분을 차단하여 출력하는 필터,
    상기 필터의 출력을 입력받아 온도 정보를 증가 또는 감소시키는 카운터,
    상기 카운터의 출력을 디코딩하여 디코딩 신호를 출력하는 디코더, 및
    상기 디코딩 신호를 상기 아날로그 전압으로 변환하여 출력하는 디지털/아날로그 변환기를 구비하는 것을 특징으로 하는 온도 정보 출력장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 축사근사형 ADC는
    온도 정보에 따라 온도 비례전류와 온도 반비례전류를 비교하여 출력하는 비교기, 및
    상기 비교기의 출력에 따라 상기 온도 정보를 출력하는 레지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 정보 출력장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭부는
    상기 제 1 온도정보 생성부와 연결된 제 1 퓨즈,
    상기 제 2 온도정보 생성부와 연결된 제 2 퓨즈, 및
    상기 제 1 퓨즈 및 제 2 퓨즈와 공통연결된 온도 정보 출력라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 정보 출력장치.
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KR101043730B1 (ko) * 2009-05-20 2011-06-24 포항공과대학교 산학협력단 반도체 장치의 온도정보 출력회로 및 온도정보 출력방법
CN105444916A (zh) * 2015-11-28 2016-03-30 江苏吟春碧芽股份有限公司 茶果园气象逆温环境动态监测方法及其监测装置

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