DE10220328B4 - Schaltung zur Taktsignalerzeugung, zugehörige integrierte Schaltkreisbauelemente und Auffrischtaktsteuerverfahren - Google Patents

Schaltung zur Taktsignalerzeugung, zugehörige integrierte Schaltkreisbauelemente und Auffrischtaktsteuerverfahren Download PDF

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Abstract

Schaltung zur Erzeugung eines temperaturabhängigen Taktsignals für ein integriertes Schaltkreisbauelement, gekennzeichnet durch
– einen Temperaturfühlerschaltkreis (110), der einen Abgleichschaltkreis, welcher auf ein Temperaturcodesignal (TEMPOCODES) anspricht, und einen Temperaturfühler (210) aufweist, wobei der Temperaturfühlerschaltkreis in einem ersten Zustand ein Temperaturausgangssignal (TEMPS) abhängig von einem zugeführten Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal (TEMPSELECT_TEST) abgibt und dabei ein Temperaturfühlerausgangssignal (SENOUT) abgleicht, und in einem zweiten Zustand das Temperaturausgangssignal abhängig vom abgeglichenen Temperaturfühlerausgangssignal abgibt,
– einen Taktdauersteuerschaltkreis (120), der einen Abgleichschaltkreis, der auf ein Taktdauercodiersignal (PRDCODES) anspricht, aufweist und ein Taktdauersteuersignal (PRDCTRLS) abhängig vom zugeführten Temperaturausgangssignal unter Abgleich durch den Abgleichschaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises generiert, und
– einen Taktgeneratorschaltkreis (130), der ein Taktsignal (RFRCK) basierend auf dem Taktdauersteuersignal erzeugt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zur Taktsignalerzeugung für integrierte Schaltkreisbauelemente, entsprechende Schaltkreisbauelemente und Verfahren zur Steuerung eines Auffrischtaktes.
  • Es ist bekannt, Daten in integrierten Halbleiterspeicherbauelementen abzuspeichern, einschließlich Speicherbausteinen, die die Daten als eine elektrische Ladung in einem Kondensator speichern. Solche Speicherbausteine frischen typischerweise die abgespeicherten Daten auf, weil die elektrische Ladung ansonsten verloren gehen könnte, beispielsweise durch Leckströme aus einem Kondensator. Eine bekannte Vorgehensweise wird als Auffrischvorgang bezeichnet, in welchem die gespeicherten Daten komplett gelöscht werden und die Daten wiederholt abgerufen und wieder geschrieben werden. Ein Beispiel für ein solches Bauelement ist ein dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAM). Auf DRAMs dieses Typs kann üblicherweise während der Auffrischungsoperation nicht zugegriffen werden. Die Zeit, während der auf ein DRAM nicht zugegriffen werden kann, wird üblicherweise Besetztra te genannt. Vorzugsweise wird die Besetztrate so kurz wie möglich gehalten.
  • Es ist auch bekannt, Computersysteme oder andere Vorrichtungen mit solchen DRAMs mit einem Schlafmodus zu versehen, in welchem viele der elektronischen Schaltkreise des Computers abgeschaltet sind, um den Stromverbrauch zu reduzieren. DRAMs des oben beschriebenen Typs werden in der Regel jedoch nicht ausgeschaltet, weil sie kontinuierlich aufzufrischen sind, um Daten zu halten. Deshalb wird üblicherweise das Fließen eines Selbstauffrischstroms über die DRAMs auch dann erlaubt, wenn der Schlafmodus des Computersystems aktiviert ist. Deshalb ist es wünschenswert, den Auffrischstrom zu reduzieren, insbesondere wenn das Computersystem batteriebetrieben ist.
  • Unterschiedliche Vorgehensweisen wurden vorgeschlagen, um den Auffrischstrom, der durch ein DRAM fließt, zu verringern. Eine solche Vorgehensweise besteht darin, die Auffrischungsperiode des DRAMs basierend auf der Temperatur der DRAMs zu verändern, wobei die Temperatur in mehrere Temperaturbereiche eingeteilt ist. Insbesondere kann eine relativ langsamere Periodendauer eines Auffrischtaktes bei niedrigeren Temperaturen benutzt werden, weil typischerweise bei niedrigeren Temperaturen das DRAM die Daten für eine längere Zeit behält.
  • Ein Problem mit der Veränderung der Auffrischungsperiode ist, dass sich die Charakteristiken des Temperatursensors, der benutzt wird, um die Temperatur der Vorrichtung zu messen, signifikant aufgrund von Streuungen während der Herstellung des Temperatursensors verändern können. Als Folge davon können fehlerhafte Temperaturmessungen für das DRAM zur Verfügung gestellt werden. So kann beispielsweise ein DRAM bei 60°C arbeiten und deshalb einen relativ hochfrequenten Auffrischtakt benötigen, aber der Temperatursensor kann fälschlicherweise eine Temperatur von nur 45°C messen und daher einen niederfrequen ten Auffrischtakt auswählen. In diesem Fall können Auffrischungsfehler auftreten, die möglicherweise zu einem Datenverlust führen. Während das Problem der Temperatursensorschwankung durch Sensoren besserer Leistung verringert werden kann, führt dies üblicherweise zu einer Erhöhung der Größe des Temperatursensors. Zusätzlich können andere, durch den Herstellungsprozess bedingte Schwankungen in dem DRAM die Zeitdauer verändern, während der das DRAM Daten bei unterschiedlichen Temperaturen halten kann. Zusätzlich zu diesen Schwankungsquellen kann sich eine DRAM-Zelle über die Zeit hinweg übermäßig verschlechtern, und ein Teil oder alle DRAM-Zellen können nicht mehr erfolgreich aufgefrischt werden, was dazu führen kann, dass ein Computersystem eine Fehlfunktion der Auffrischung der gesamten DRAM-Zelle erfahren kann.
  • Die Offenlegungsschrift DE 195 02 557 A1 offenbart eine Selbstwiederauffrisch-Steuerschaltung für ein Speicherzellenfeld, die dafür eingerichtet ist, abhängig von einer erfassten Speicherchiptemperatur eine von mehreren möglichen Selbstwiederauffrischungsperioden auszuwählen.
  • Die Offenlegungsschrift DE 32 17 225 A1 offenbart eine Messschaltung für ein Verbrennungs-Kalorimeter mit einer Messschaltung, die dafür eingerichtet ist, einen Messwert hinsichtlich einer etwaigen Restwärmekorrektur abzugleichen.
  • Die Patentschrift US 6.108.804 A offenbart ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Testabgleich einer Schaltungskomponente, wie eines Spannungsreglers, als Teil einer integrierten Schaltung, wie eines Halbleiterspeicherbauelements, unter Verwendung von durchtrennbaren Schmelzsicherungen.
  • Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung einer Taktsignalerzeugungsschaltung, eines entsprechenden Schaltkreisbauelements und eines zugehörigen Auffrischtaktsteuerverfahrens zugrunde, mit denen sich die oben genannten Schwierigkeiten mit relativ geringem Aufwand wenigstens teilweise vermeiden lassen und die insbesondere eine Verringerung des Stromverbrauchs und der Besetztrate erlauben und gegenüber Temperaturdetektionsschwankungen vergleichsweise unempfindlich sind.
  • Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung einer Taktsignalerzeugungsschaltung mit den Merkmalen des Anspruchs 1, eines integrierten Speicherschaltkreisbauelements mit den Merkmalen des Anspruchs 12 und eines Verfahrens zur Auffrischtaktsteuerung mit den Merkmalen des Anspruchs 23.
  • Ausführungsformen der Erfindung beinhalten Schaltungen zur Erzeugung eines Taktsignals für ein integriertes Schaltkreisbauelement einschließlich eines Temperaturfühlerschaltkreises, der einen Abgleichschaltkreis beinhaltet, der auf ein Temperaturcodiersignal und einen Temperatursensor anspricht. Der Temperaturfühlerschaltkreis hat einen ersten oder Testmoduszustand, in welchem ein Temperaturausgangssignal des Temperatursensorschaltkreises auf einem Temperatursensor-Ausgangssteuersignal basiert, und einen zweiten oder normalen Zu stand, in welchem das Temperaturausgangssignal auf dem Temperatursensor und dem Abgleichschaltkreis beruht. Ein Taktdauersteuerschaltkreis enthält einen Abgleichschaltkreis, der auf ein Periodendauercodesignal anspricht. Der Taktdauersteuerschaltkreis generiert ein Taktdauersteuersignal basierend auf dem Temperaturausgangssignal und dem Abgleichschaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises. Ein Taktgeneratorschaltkreis erzeugt ein Taktsignal basierend auf dem Taktdauersignal.
  • Gemäß weiterführender Ausgestaltungen der Erfindung beinhaltet der Abgleichschaltkreis des Temperaturfühlerschaltkreises eine Mehrzahl von Schmelzsicherungen, und das Temperaturcodesignal wählt den Status der Mehrzahl von Schmelzsicherungen, um das Temperaturausgangssignal bezüglich der Ausgabe des Temperatursensors zu kalibrieren. Der Abgleichschaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises kann auch eine Mehrzahl von Schmelzsicherungen beinhalten, und das Taktdauercodesignal kann den Zustand der Vielzahl von Schmelzsicherungen nutzen, um das Taktdauersteuersignal abzugleichen.
  • Gemäß anderen Ausführungsformen der Erfindung wird der Zustand des Temperaturfühlerschaltkreises basierend auf dem Temperatursensor-Ausgangssteuersignal ausgewählt. Das Temperaturausgangssignal kann ein digitales Signal mit einer Vielzahl von Zuständen sein, von denen jeder einem Betriebstemperaturbereich des integrierten Schaltkreisbauelementes entspricht. Der erste Zustand kann ein Testmodus und der zweite Zustand ein normaler Betriebsmodus sein. Das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal kann eine Mehrzahl von Bits beinhalten, die jeweils einen der Temperaturarbeitsbereiche in dem Testmodus bezeichnen. Das digitale Temperaturausgangssignal zeigt eine detektierte Temperatur des integrierten Schaltkreisbauelements an. Der Temperaturfühlerschaltkreis kann auch einen Multiplexer beinhalten, der das Temperaturausgangssignal basierend auf dem digitalen Temperatursignal vom Temperaturfühler und dem Temperaturcodesignal abgibt.
  • In weiteren Ausgestaltungen der Erfindung kann der Taktdauersteuerschaltkreis eine Mehrzahl von Taktdauersteuereinheiten beinhalten, die durch den Abgleichschaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises basierend auf dem Taktdauercodesignal abgeglichen werden. Eine der mehreren Taktdauersteuereinheiten wird durch das Temperaturausgangssignal ausgewählt, um das Taktdauersteuersignal zu erzeugen. Der Taktgeneratorschaltkreis kann einen Oszillator beinhalten, der das Taktsignal mit einer Taktdauer basierend auf dem Taktdauersteuersignal erzeugt. Das integrierte Schaltkreisbauelement kann ein Speicherelement und das Taktsignal ein Auffrischungstakt sein.
  • Gemäß weiteren Ausgestaltungen der Erfindung werden integrierte Speicherschaltkreisbauelemente bereitgestellt, die einen Temperaturfühlerschaltkreis beinhalten, welcher einen Abgleichschaltkreis, der auf ein Temperaturcodesignal anspricht, und einen Temperaturfühler aufweist, der ein Arbeitstemperatursignal in Abhängigkeit der Temperatur des Speicherbauelements und des Abgleichschaltkreis erzeugt. Der Temperaturfühlerschaltkreis hat einen ersten Zustand, in welchem ein Temperaturausgangssignal des Temperaturfühlerschaltkreises auf einem Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal beruht, und einen zweiten Zustand, in welchem das Temperaturausgangssignal das Arbeitstemperatursignal ist. Der erste Zustand oder der zweite Zustand wird durch das Temperatursensor-Ausgangssteuersignal ausgewählt. Ein Taktdauersteuerschaltkreis mit einem Abgleichschaltkreis, der auf ein Taktdauercodesignal anspricht, erzeugt ein Taktdauersteuersignal basierend auf dem Temperaturausgangssignal und dem Abgleichschaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises. Ein Taktgeneratorschaltkreis erzeugt einen Auffrischungstakt des Speicherbauelements basierend auf dem Taktdauersteuersignal. Das Arbeitstemperatursignal und das Temperaturfühler- Ausgangssteuersignal können beide eine Mehrzahl von Bits beinhalten, von denen jedes einem jeweiligen Arbeitstemperaturbereich des Speicherbauelements entspricht.
  • Weitere Ausführungsformen der Erfindung beinhalten Verfahren, um den Auffrischungstakt eines integrierten Speicherschaltkreisbauelementes zu steuern. Ein Temperaturfühlerschaltkreis des Speicherbauelements wird kalibriert, um ein Arbeitstemperatursignal, welches einer Arbeitstemperatur des Speicherbauelements entspricht, durch Zuführen eines ausgewählten Temperaturcodesignals zu dem Temperatursensorschaltkreis zu erzeugen. Ein Testmodus des Temperaturfühlerschaltkreises, in welchem ein Temperaturausgangssignal des Temperaturfühlerschaltkreises auf einem Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal basiert, oder ein normaler Zustand des Temperaturfühlerschaltkreises wird ausgewählt, in welchem das Temperaturausgangssignal das Arbeitstemperatursignal ist. Der erste oder der zweite Zustand wird durch das Temperaturfühler Ausgangssteuersignal ausgewählt. Ein Taktdauersteuerschaltkreis der Speichervorrichtung wird kalibriert, um ein Taktdauersteuersignal mit einer gewünschten Taktdauer zu erzeugen, indem ein Taktdauercodesignal dem Taktdauersteuerschaltkreis zugeführt wird, wobei das Taktdauersteuersignal auf dem Temperaturausgangssignal beruht. Ein Auffrischungstakt des Speicherbauelements wird erzeugt, dessen Taktdauer auf dem Taktdauersteuersignal beruht.
  • Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den betreffenden Unteransprüchen angegeben.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den beigefügten Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben. Hierbei zeigen:
  • 1 ein Blockdiagramm eines Taktgeneratorschaltkreises für ein integriertes Speicherschaltkreisbauelement, in welchem eine Auffrischungstaktdauer erfindungsgemäß gesteuert wird,
  • 2 ein Blockdiagramm eines erfindungsgemäß z. B. im Schaltkreis von 1 verwendbaren Temperaturfühlers und
  • 3 ein Blockdiagramm einer erfindungsgemäß z. B. im Schaltkreis von 1 verwendbaren Taktdauersteuereinheit.
  • Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die Ausführungsform der Erfindung beschrieben, die in 1 dargestellt ist. Speziell zeigt 1 einen Taktgeneratorschaltkreis 100 eines integrierten Speicherschaltkreisbauelements. Wie in 1 gezeigt, beinhaltet der Taktgeneratorschaltkreis 100 des integrierten (Halbleiter-)Speicherschaltkreisbauelements einen Temperaturfühlerschaltkreis 110, einen Taktdauersteuerschaltkreis 120 und einen Taktgeneratorschaltkreis 130. Der Temperaturfühlerschaltkreis 110 beinhaltet einen Kalibrierschaltkreis, wie eine Mehrzahl von auswählbaren Schmelzsicherungen, wobei der Zustand der Sicherungen ausgewählt wird, um den Temperaturfühlerschaltkreis 110 zu kalibrieren (wobei vorliegend der Begriff „Kalibrieren” im Sinne eines Abgleichs zu verstehen ist). Wie in 2 dargestellt, beinhaltet der Temperaturfühlerschaltkreis 110 darüber hinaus einen Temperaturfühler 210.
  • Der Temperaturfühlerschaltkreis 110 beinhaltet einen ersten Zustand oder Testmodus, welcher auch als MRS-Modus bezeichnet ist, in welchem der Schaltkreis 110 in Abhängigkeit eines Temperaturcodesignals TEMPCODES kalibriert werden kann. TEMPCODES kann beispielsweise ein digitales Signal sein, das eine Mehrzahl von Bits beinhaltet, wel ches eines der Mehrzahl von Sicherungen bezeichnet, die durchtrennt werden, um ein Temperaturausgangssignal TEMPS bezüglich einer ausgegebenen Temperatur des Temperatursensors 210 zu kalibrieren, so dass das Temperaturausgangssignal TEMPS korrekt den Arbeitstemperaturbereich des integrierten Speicherschaltkreisbauelements anzeigt, das den Taktgeneratorschaltkreis 100 beinhaltet. In dem Testmodus basiert das Temperaturausgangssignal TEMPS auf dem Temperatursensor-Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST, wie nachfolgend bezüglich 2 beschrieben. Der Temperaturfühlerschaltkreis 110 hat auch einen zweiten Zustand oder normalen Betriebsmodus, in welchem das Temperaturausgangssignal TEMPS auf einem Fühlerausgangssignal SENOUT des Temperatursensors 210 beruht, wie es durch den Kalibrierschaltkreis des Temperaturfühlerschaltkreises 110 kalibriert wurde.
  • In dem Test- oder MRS-Modus wird, wie oben gesagt, das Ausgangssignal TEMPS in Abhängigkeit von dem Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST bestimmt. Hierdurch kann das Ausgangssignal TEMPS selektiv dafür festgelegt werden, einen bestimmten Temperaturbereich des integrierten Speicherschaltkreisbauelements unabhängig von dem Sensorausgangssignal SENOUT des Temperaturfühlers 210 anzugeben. Wie nachfolgend bezüglich der 2 beschrieben, kann das Signal TEMPSELECT_TEST auch benutzt werden, den zweiten Zustand oder normalen Arbeitsmodus des Temperatursensors 110 auszuwählen, in welchem das Temperaturausgangssignal TEMPS auf das Ausgangssignal SENOUT des Temperaturfühlers 210 anspricht.
  • Der Taktdauersteuerschaltkreis 120 generiert ein periodisches Steuersignal PRDCTRLS basierend auf dem Temperaturausgangssignal TEMPS. Beispielsweise kann die Ausgabe des Taktdauersteuerschaltkreises 120 benutzt werden, um einen Auffrischtakt RFRCK zu generieren, der in dem entsprechenden Arbeitstemperaturbereich des integrierten Speicherschaltkreisbauelements geeignet ist, wie durch das Tempe raturausgangssignal TEMPS angegeben ist. Der Taktdauersteuerschaltkreis 120 beinhaltet auch einen Kalibrierschaltkreis zum Kalibrieren des Taktdauersteuersignales PRDCTRLS in einem oder mehreren der Arbeitstemperaturbereiche, welche durch das Temperaturausgangssignal TEMPS angegeben werden. Der Kalibrierschaltkreis kann beispielsweise eine Mehrzahl von Sicherungen beinhalten, deren Zustand durch ein Taktdauercodiersignal PRDCODES derart ausgewählt werden kann, dass die ausgewählten aus der Mehrzahl von Sicherungen durchtrennt werden, um das Taktdauersteuersignal PRDCTRLS zu kalibrieren. In solchen Ausführungsformen kann das Taktdauercodiersignal PRDCODES eine Mehrzahl von Bits beinhalten, die dem Zustand der entsprechenden Sicherungen des Kalibrierschaltkreises der Taktdauersteuereinheit 120 entsprechen. Der Taktgeneratorschaltkreis 130 generiert ein Taktsignal, wie einen Auffrischungstakt RFRCK, basierend auf dem Taktdauersteuersignal PRDCTRLS.
  • Arbeitsweisen des Takterzeugungsschaltkreises 100 gemäß Ausführungsformen der Erfindung werden nun mit Bezug auf die 1 näher beschrieben. Es wird zugrundegelegt, dass die Temperaturfühlercharakteristika des Temperaturfühlers 210 aufgrund von Variationen in dem Herstellungsprozess zur Herstellung des Taktgeneratorschaltkreises 100 veränderlich sind. Als Ergebnis davon können Fehler in dem angegebenen Arbeitstemperaturbereich auftreten. Beispielsweise kann die Temperatur eines integrierten (Halbleiter-)Speicherschaltkreisbauelements, das den Taktgeneratorschaltkreis 100 beinhaltet, so wie er ursprünglich hergestellt wurde, in fehlerhafter Weise einen Arbeitstemperaturbereich um 80°C angeben, während der reale Arbeitstemperaturbereich in einem Bereich von ungefähr 100°C liegt. Diesem Zustand kann in dem Testmodus dadurch Rechnung getragen werden, dass der Wert des Temperaturcodiersignals TEMPCODES zum Unterbrechen entsprechender der Mehrzahl von Sicherungen des Kalibrierschaltkreises des Temperatursensorschaltkreises 110 so ausgewählt wird, dass der Tem peratursensor 110 genauer den Arbeitstemperaturbereich angibt. Dabei können die Sicherungen Teil des Temperaturfühlers 210 sein, so dass das Ausgangssignal SENOUT durch den Kalibrierschaltkreis des Temperaturfühlerschaltkreises 110 kalibriert wird, wie in der Ausführungsform der 2 gezeigt, oder dass der Kalibrierschaltkreis vom Temperaturfühler 210 getrennt ist und das Ausgangssignal TEMPS bezüglich des Ausgangssignals SENOUT kalibriert wird.
  • Ein Beispiel für das Temperaturcodiersignal TEMPCODES, in welchem es ein digitales Signal mit einer Vielzahl von Zuständen, wie Bits, ist, wird nachfolgend beschrieben. Dabei kann das Temperaturcodiersignal TEMPCODES z. B. Bits beinhalten, die zu Sicherungen gehören, die den Kalibrierschaltkreis definieren. Für dieses Beispiel kann ein spezifischer Arbeitstemperaturbereich, wie beispielsweise ungefähr 100°C, als Kalibriertemperatur ausgewählt werden. Werte für das Temperaturcodiersignal TEMPCODES können von 000000 bis 111111 variieren, um das korrespondierende gewünschte Ausgangssignal TEMPS bei der Kalibriertemperatur zu bilden, wobei das Temperaturcodiersignal TEMPCODES aus sechs Bits besteht. Die Sicherungen in dem Kalibrierschaltkreis des Temperatursensorschaltkreises 110 werden in Abhängigkeit vom zugeführten Temperaturcodiersignal TEMPCODES während des Kalibriermodus durchtrennt, wie z. B. in dem Testmodus. Als Ergebnis erzeugt der reale Arbeitstemperaturbereich des integrierten Speicherschaltkreisbauelementes, wie er durch den Temperaturfühler 210 detektiert wird, das korrekte Temperaturausgangssignal TEMPS, wenn der normale Arbeitsmodus durch das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST ausgewählt wird.
  • Bei diesem dargestellten Beispiel beinhaltet das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST eine Mehrzahl von Bits, wobei jedes Bit einen von einer Mehrzahl möglicher Arbeitstemperaturbereiche des integrierten Speicherschaltkreisbauelementes auswählt.
  • Beispielsweise kann die Arbeitstemperaturbedingung des integrierten Speicherschaltkreisbauelements in drei Bereiche von ungefähr 100°C, ungefähr 70°C bzw. ungefähr 40°C eingeteilt werden. Ein TEMPSELECT-Signal mit drei Bits kann dann benutzt werden, wobei jedes Bit zu einem der drei Bereiche gehört. Ähnlich kann das Temperaturausgangssignal TEMPS drei Bits aufweisen, von denen jedes einem zugehörigen Arbeitstemperaturbereich des integrierten Speicherschaltkreisbauelements entspricht.
  • Der Taktdauersteuerschaltkreis 120 erhält ein ausgewähltes Taktdauercodiersignal PRDCODES zu Kalibrierzwecken und generiert das Taktdauersteuersignal PRDCTRLS, um die Taktdauer des Auffrischtaktes RFRCK zu steuern. Wie in den Ausführungsformen der 1 und 3 gezeigt, ist das Taktdauersteuersignal PRDCTRLS auch abhängig von den aktivierten Bits der Mehrzahl (drei) von Bits des Temperaturausgangssignals TEMPS.
  • Wie bezüglich des Kalibrierschaltkreises des Temperaturfühlerschaltkreises 110 beschrieben, kann das Taktdauercodiersignal PRDCODES eine Mehrzahl von Bits beinhalten, welche den Taktdauersteuerschaltkreis 120 kalibrieren, um ein gewünschtes Taktdauersteuersignal PRDCTRLS auszugeben. Beispielsweise kann ein sechs Bit langes Taktdauercodiersignal PRDCODES benutzt werden, um das Taktdauersteuersignal PRDCTRLS zu verändern, indem das Taktdauercodiersignal PRDCODES so verändert wird, dass die gewünschte Taktdauer des Auffrischtaktes RFRCK eingestellt wird. Der Takterzeugungsschaltkreis 100 kann beispielsweise so kalibriert sein, dass er 6 K Byte an Speicher in Auffrischtakten in einem Bereich von etwa 10 ms bis zu ungefähr 100 ms auffrischt, wenn das Taktdauercodiersignal PRDCODES zwischen 000000 und 111111 variiert. Wie in der 3 gezeigt, kann ein Kalibrieren für jeden der drei Temperaturbereiche unter Verwendung einer gemeinsamen PRDCODES-Eingabe erfolgen. Für jeden Tempera turbereich, der mit dem TEMPS-Signal verknüpft ist, können zugeordnete Sicherungen oder andere Kalibrierschaltkreismittel in dem Taktdauersteuerschaltkreis 120 durchtrennt werden, um die gewünschte Auffrischtaktrate für den Auffrischtakt RFRCK zu erhalten. Alternativ kann das PRDCODES-Signal ein Eingabesignal sein, das die Ausgabe PRDCTRLS aufgrund eines aktuellen Zustands des Signals PRDCODES steuert, um eine Kalibrierung der Taktdauersteuereinheit 120 anstelle der Codierung der zugehörigen Sicherungen zu erreichen.
  • Der Taktgenerator 130 erhält das Taktdauersteuersignal PRDCTRLS und generiert einen Auffrischtakt RFRCK, der für den angegebenen Arbeitstemperaturbereich des integrierten Speicherschaltkreisbauelements geeignet ist. In verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung enthält der Taktgenerator 130 einen Oszillator, der das Taktdauersteuersignal PRDCTRLS empfängt und den Auffrischtakt RFRCK mit der gewünschten Taktrate erzeugt. Der Oszillator kann kontinuierlich die Taktdauer des Auffrischungstaktes RFRCK verändern. Der Taktgenerator 130 enthält alternativ einen Zähler. Es ist möglich, die Taktdauer des Auffrischtaktes RFRCK unter Verwendung eines Zählers rascher zu steuern als mit einem Oszillator. Der Zähler kann kontinuierlich die Taktdauer des Auffrischtaktes RFRCK um Vielfache, wie das Zwei- oder Vierfache einer Basisperiode, verändern.
  • Die Vorrichtung gemäß der Erfindung wird nun nachfolgend unter Bezugnahme auf die Ausführungsformen, die in der 2 dargestellt sind, näher erläutert. Wie in der 2 bezüglich der Ausführungsform dargestellt, enthält der Temperaturfühlerschaltkreis 110 einen Multiplexer 220 sowie den Temperaturfühler 210. Für die Zwecke dieser Erläuterung wird das Sensorausgangssignal SENOUT des Temperatursensors 210 als ein Signal angesehen, das eine Mehrzahl von Bits (drei) entsprechend dem Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST und dem Temperaturausgangssignal TEMPS in dem oben beschriebe nen Beispiel aufweist, die drei Arbeitsbereichen des integrierten Speicherschaltkreisbauelementes (wie beispielsweise 100°C, 70°C bzw. 40°C) entsprechen. Die Bits müssen nicht individuell je einem dieser Temperaturbereiche entsprechen. Als Beispiel kann das Sensorausgangssignal SENOUT ”111” für den Temperaturbereich von ca. 100°C sein. Analog kann für die Bereiche von 70°C und 40°C das Sensorausgangssignal SENOUT ”011” bzw. ”001” sein.
  • Der Multiplexer 220 empfängt ein Sensorausgangssignal SENOUT und das Temperatur-Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST und erzeugt das Temperaturausgangssignal TEMPS. In besonderen Ausführungsformen der Erfindung steuert das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST die durch den Multiplexer 220 ausgewählte Ausgabe mittels einer Mehrzahl von Bits, was nachfolgend mit Bezug auf eine Ausführungsform mit drei Bit beschrieben wird. Das Temperaturausgangssignal TEMPS wird nur durch das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST bestimmt, welches nicht von dem Sensorausgangssignal SENOUT des Temperatursensors 210 abhängig ist, wenn eines der Bits des Temperaturfühler-Ausgangssteuersignals TEMPSELECT_TEST einen hohen Logikpegel und die anderen zwei Bits niedrige Logikpegel aufweisen. Das Temperaturausgangssignal TEMPS wird von dem Sensorausgangssignal SENOUT bestimmt, wenn alle Bits des Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal TEMPSELECT_TEST niedrige Logikpegel haben. So wird der normale Arbeitsmodus ausgewählt, wenn das TEMPSELECT_TEST in allen Bits auf niedrige Logikpegel gesetzt wird, so dass die Ausgabe des Temperaturfühlers 210 das TEMPS-Signal dazu ansteuert, den aktuellen Arbeitstemperaturbereich des integrierten Speicherschaltkreisbauelements anzugeben.
  • Nunmehr bezugnehmend auf die 3 werden Ausführungsformen des Taktdauersteuerschaltkreises 120 näher beschrieben. Wie in 3 ge zeigt, beinhaltet der Taktdauersteuerschaltkreis 120 eine Mehrzahl von Taktdauersteuereinheiten 310, 320 und 330, die das Taktdauercodesignal PRDCODES empfangen und das Taktdauersteuersignal PRDCTRLS erzeugen, um die Dauer des Auffrischtaktes RFRCK zu steuern. Es versteht sich, dass der Taktdauersteuerschaltkreis 120 mehr oder weniger als drei Taktdauersteuereinheiten enthalten kann. Nur eine der Taktdauersteuereinheiten 310, 320 und 330, die in der 3 dargestellt sind, wird durch das Temperaturausgangssignal TEMPS aktiviert. Beispielsweise hat, wenn das Temperaturausgangssignal TEMPS ein Arbeiten in dem Bereich von ca. 100°C anzeigt, ein Arbeitstemperatursignal TEMPS1 (beispielsweise entsprechend einem der drei Bits des TEMPS-Signals, das diesem Temperaturbereich zugeordnet ist), das der ersten Taktdauersteuereinheit 310 zugeführt wird, einen hohen Logikpegel, während die anderen Arbeitstemperatursignale TEMPS2 und TEMPS3 (die anderen zwei Bits des TEMPS-Signals entsprechend den anderen beiden Arbeitstemperaturbereichen) niedrige Logikpegel haben. Als Ergebnis davon wird nur die erste Taktdauersteuereinheit 310 aktiviert, die anderen Taktdauersteuereinheiten 320 und 330 sind deaktiviert. Deshalb erzeugt die erste Taktdauersteuereinheit 310 ein erstes Taktdauersteuersignal PRDCTRLS1. Das erste Taktdauersteuersignal PRDCTRLS1 wird dann als das Taktdauersteuersignal PRDCTRLS verwendet.
  • Wie vorstehend bezüglich unterschiedlicher Ausführungsformen beschrieben, kann der Taktgeneratorschaltkreis 100 einen Auffrischungstakt zur Verfügung stellen, der unabhängig von Veränderungen in der Temperaturmessung und prozessinduzierten Veränderungen in einem integrierten Speicherschaltkreisbauelement ist. Dies kann somit den Stromverbrauch und die Besetztrate des integrierten Speicherschaltkreisbauelements, beispielsweise eines DRAM, reduzieren.

Claims (30)

  1. Schaltung zur Erzeugung eines temperaturabhängigen Taktsignals für ein integriertes Schaltkreisbauelement, gekennzeichnet durch – einen Temperaturfühlerschaltkreis (110), der einen Abgleichschaltkreis, welcher auf ein Temperaturcodesignal (TEMPOCODES) anspricht, und einen Temperaturfühler (210) aufweist, wobei der Temperaturfühlerschaltkreis in einem ersten Zustand ein Temperaturausgangssignal (TEMPS) abhängig von einem zugeführten Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal (TEMPSELECT_TEST) abgibt und dabei ein Temperaturfühlerausgangssignal (SENOUT) abgleicht, und in einem zweiten Zustand das Temperaturausgangssignal abhängig vom abgeglichenen Temperaturfühlerausgangssignal abgibt, – einen Taktdauersteuerschaltkreis (120), der einen Abgleichschaltkreis, der auf ein Taktdauercodiersignal (PRDCODES) anspricht, aufweist und ein Taktdauersteuersignal (PRDCTRLS) abhängig vom zugeführten Temperaturausgangssignal unter Abgleich durch den Abgleichschaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises generiert, und – einen Taktgeneratorschaltkreis (130), der ein Taktsignal (RFRCK) basierend auf dem Taktdauersteuersignal erzeugt.
  2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Abgleichschaltkreis des Temperaturfühlerschaltkreises eine Mehrzahl von Sicherungen beinhaltet und das Temperaturcodesignal einen der Zustände gemäß der Mehrzahl von Sicherungen zum Abgleichen des Temperaturausgangssignals bezüglich einer Ausgabe des Temperaturfühlers auswählt.
  3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Abgleichschaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises eine Mehrzahl von Sicherungen beinhaltet und das Taktdauercodesignal einen der Zustände gemäß der Mehrzahl von Sicherungen zum Abgleichen des Taktdauersteuersignals auswählt.
  4. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Zustand oder der zweite Zustand des Temperaturfühlerschaltkreises basierend auf dem Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal ausgewählt wird.
  5. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Temperaturausgangssignal ein digitales Signal mit einer Mehrzahl von Zuständen beinhaltet, welchen jeweils ein Arbeitstemperaturbereich des integrierten Schaltkreisbauelements zugeordnet ist.
  6. Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Zustand einen Testzustand und der zweite Zustand einen Normalarbeitszustand beinhaltet und das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal eine Mehrzahl von Bits beinhaltet, die je weils einen der Temperaturarbeitsbereiche in dem Testmodus bezeichnen.
  7. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Temperaturfühler ein digitales Temperatursignal ausgibt, das auf der gemessenen Temperatur des integrierten Schaltkreisbauelements basiert, und der Temperaturfühlerschaltkreis darüber hinaus einen Multiplexer beinhaltet, der ein Temperaturausgangssignal ausgibt, das auf dem digitalen Temperatursignal des Temperaturfühlers und dem Temperaturcodiersignal basiert.
  8. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das digitale Temperatursignal des Temperaturfühlers und das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal jeweils eine Mehrzahl von Bits beinhalten, welche jeweils einem Temperaturarbeitsbereich des integrierten Schaltkreisbauelements entsprechen.
  9. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Taktdauersteuerschaltkreis eine Mehrzahl von Taktdauersteuereinheiten beinhaltet, die durch den Abgleichschaltkreis des Taktdauersteuerschaltkreises basierend auf dem Taktdauercodiersignal abgeglichen werden, wobei mindestens eine der Mehrzahl von Taktdauersteuereinheiten durch das Temperaturausgangssignal zum Erzeugen des Taktdauersteuersignals ausgewählt wird.
  10. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Taktgeneratorschaltkreis einen Oszillator beinhaltet, der das Taktsignal mit einer auf dem Taktdauersteuersignal basierenden Taktdauer erzeugt.
  11. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das integrierte Schaltkreisbauelement ein Speicherbauelement beinhaltet und das Taktsignal einen Auffrischungstakt beinhaltet.
  12. Integriertes Speicherschaltkreisbauelement, gekennzeichnet durch eine Taktsignalerzeugungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei der Temperaturfühler ein Arbeitstemperatursignal in Reaktion auf eine Temperatur des Speicherbauelements und des Abgleichschaltkreises des Temperaturfühlerschaltkreises erzeugt und der erste oder zweite Zustand durch das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal ausgewählt wird.
  13. Speicherschaltkreisbauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Arbeitstemperatursignal und das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal jeweils eine Mehrzahl von Bits beinhalten, die jeweils einem Arbeitstemperaturbereich des Speicherbauelements entsprechen.
  14. Speicherschaltkreisbauelement nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass es ein Halbleiterspeicherbauelement ist, wobei – der Taktdauersteuerschaltkreis (120) das Taktdauersteuersignal in Abhängigkeit von dem Arbeitstemperatursignal erzeugt und – der Taktgeneratorschaltkreis (130) einen Auffrischungstakt (RFRCK) erzeugt, dessen Dauer in Abhängigkeit von der Arbeitstemperatur des Halbleiterspeicherbauelements gesteuert wird.
  15. Speicherschaltkreisbauelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal eine Mehrzahl von Bits beinhaltet und anzeigt, ob das Halbleiterspeicherbauelement in einem Testmodus oder einem normalen Arbeitsmodus ist, und den Temperaturbereich anzeigt, in welchem das Halbleiterspeicherbauelement arbeitet.
  16. Speicherschaltkreisbauelement nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Temperaturfühlerschaltkreis folgende Komponenten aufweist: – ein Temperaturfühlerelement (210) als Temperaturfühler zur Ausgabe eines Fühlerausgangssignals mit einer Mehrzahl von Bits durch Empfang des Sensorcodiersignals und Abtasten der tatsächlichen Arbeitstemperatur des Halbleiterspeicherbauelements und – einen Multiplexer (220) zum Empfang des Fühlerausgangssignals und zum Generieren des Arbeitstemperatursignals gemäß logischen Werten der Mehrzahl von Bits des Fühlerausgangssignals in Abhängigkeit von dem Temperaturfühlerausgangssignal.
  17. Speicherschaltkreisbauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Sensorcodiersignal eine Mehrzahl von Bits beinhaltet und die vom Temperaturfühler gemessene Temperatur verändert.
  18. Speicherschaltkreisbauelement nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl an Bits des Fühlerausgangssignals gleich der Anzahl an Bits des Temperaturfühler-Ausgangssteuersignals ist.
  19. Speicherschaltkreisbauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Taktdauersteuerschaltkreis durch das Arbeitstemperatursignal aktiviert wird und eine Mehrzahl von Taktdauersteuereinheiten beinhaltet, welche das Taktdauersteuersignal durch Empfang des Taktdauercodiersignals erzeugen.
  20. Speicherschaltkreisbauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Taktdauercodiersignal eine Mehrzahl von Bits enthält und das Taktdauersteuersignal verändert, das von der Taktdauersteuereinheit erzeugt wird.
  21. Speicherschaltkreisbauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Taktgenerator einen Oszillator beinhaltet, welcher einen Auffrischungstakt erzeugt, dessen Taktdauer durch das Taktdauersteuersignal gesteuert wird.
  22. Speicherschaltkreisbauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass der Taktgenerator zusätzlich einen Zähler beinhaltet, der die Taktdauer des Auffrischungstaktes durch Empfang eines Ausgangssignals eines Oszillators verändert.
  23. Verfahren zum Steuern des Auffrischungstaktes eines integrierten Speicherschaltkreisbauelementes, gekennzeichnet durch folgende Schritte: – Abgleichen eines Temperaturfühlerschaltkreises des Speicherbauelements, um ein Arbeitstemperatursignal, das einer Arbeitstemperatur des Speicherbauelements entspricht, zu erzeugen, indem dem Temperaturfühlerschaltkreis ein ausgewähltes Temperaturkodiersignal zugeführt wird, – Auswählen eines Testmodus des Temperaturfühlerschaltkreises, in welchem ein Temperaturausgangssignal des Temperaturfühlerschaltkreises auf einem Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal beruht, oder eines normalen Arbeitsmodus des Temperaturfühlerschaltkreises, in welchem das Temperaturausgangssignal das Arbeitstemperatursignal ist, wobei der Testmodus oder der normale Arbeitsmodus durch das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal ausgewählt wird, – Abgleichen eines Taktdauersteuerschaltkreises des Speicherbauelements, um ein Taktdauersteuersignal mit einer gewünschten Taktdauer in Abhängigkeit vom Temperaturausgangssignal und einem dem Taktdauersteuerschaltkreis zugeführten Taktdauercodiersignal zu erzeugen und – Erzeugen eines Auffrischungstaktes des Speicherbauelements, wobei die Taktdauer des Auffrischungstaktes auf dem Taktdauersteuersignal beruht.
  24. Verfahren nach Anspruch 23, wobei der Temperaturfühlerschaltkreis eine Mehrzahl von Sicherungen beinhaltet, die abhängig von einem Sensorcodiersignal durchtrennt werden, um den Temperaturfühlerschaltkreis abzugleichen, und der Taktdauersteuerschaltkreis eine Mehrzahl von Sicherungen enthält, die abhängig vom Taktdauercodiersignal durchtrennt werden, um den Taktdauersteuerschaltkreis abzugleichen.
  25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Temperaturfühler-Ausgangssteuersignal eine Mehrzahl von Bits enthält und den Temperaturbereich angibt, in welchem das Halbleiterspeicherbauelement arbeitet, und angibt, ob das Halbleiterspeicherbauelement in einem Testmodus oder einem normalen Arbeitsmodus ist.
  26. Verfahren nach Anspruch 24 oder 25, dadurch gekennzeichnet, dass der Abgleich des Temperaturfühlerschaltkreises folgende Schritte beinhaltet: (a1) Ausgeben eines Sensorausgangssignals, das eine Mehrzahl von Bits beinhaltet, durch Empfangen des Sensorcodiersignals und Messen der tatsächlichen Arbeitstemperatur und (a2) Erzeugen des Arbeitstemperatursignals entsprechend den logischen Werten einer Mehrzahl von Bits des Sensorausgangssignals durch Empfangen des Sensorausgangssignals und Abtasten des Temperaturfühler-Ausgangssteuersignals.
  27. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass das Sensorcodiersignal eine Mehrzahl von Bits enthält und die vom Temperaturfühler gemessene Temperatur verändert.
  28. Verfahren nach Anspruch 26 oder 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl an Bits des Sensorausgangssignals gleich der Anzahl an Bits des Temperaturfühler-Ausgangssteuersignals ist.
  29. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass der Abgleich des Taktdauersteuerschaltkreises folgende Schritte beinhaltet: (b1) Freigeben eines Bits des Arbeitstemperatursignals und (b2) Generieren eines Taktdauersteuersignals durch Empfangen des Taktdauercodesignals, welches die Taktdauer des Auffrischungstaktes steuert, in Abhängigkeit von dem freigegebenen Arbeitstemperatursignal.
  30. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, dass das Taktdauercodesignal eine Mehrzahl von Bits beinhaltet und das von der Taktdauersteuereinheit erzeugte Taktdauersteuersignal verändert.
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7027343B2 (en) * 2003-09-22 2006-04-11 Micron Technology Method and apparatus for controlling refresh operations in a dynamic memory device
KR100611775B1 (ko) 2003-12-29 2006-08-10 주식회사 하이닉스반도체 온도변화에 따라 최적의 리프레쉬 주기를 가지는 반도체메모리 장치
US7304905B2 (en) 2004-05-24 2007-12-04 Intel Corporation Throttling memory in response to an internal temperature of a memory device
JP4237109B2 (ja) * 2004-06-18 2009-03-11 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置及びリフレッシュ周期制御方法
US8122187B2 (en) * 2004-07-02 2012-02-21 Qualcomm Incorporated Refreshing dynamic volatile memory
KR100610011B1 (ko) * 2004-07-29 2006-08-09 삼성전자주식회사 셀프 리프레쉬 주기 제어회로
US7523285B2 (en) * 2004-08-20 2009-04-21 Intel Corporation Thermal memory control
KR100559731B1 (ko) 2004-10-11 2006-03-15 삼성전자주식회사 온도 센서의 불량을 감지하는 온도 보상형 셀프 리프레쉬반도체 메모리 장치 및 이를 이용한 테스트 방법
TWI351818B (en) 2005-01-11 2011-11-01 Altera Corp Power management of components having clock proces
KR100655076B1 (ko) * 2005-01-20 2006-12-08 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법 및그에 따른 내부 온도 데이터 출력회로
US7135909B1 (en) * 2005-05-17 2006-11-14 Sigmatel, Inc. Temperature sensor circuit and system
DE102005025168B4 (de) * 2005-06-01 2013-05-29 Qimonda Ag Elektronische Speichervorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer elektronischen Speichervorrichtung
US7177219B1 (en) * 2005-07-22 2007-02-13 Infineon Technologies Ag Disabling clocked standby mode based on device temperature
US7451053B2 (en) * 2005-09-29 2008-11-11 Hynix Semiconductor Inc. On die thermal sensor of semiconductor memory device and method thereof
KR100675293B1 (ko) 2005-10-17 2007-01-29 삼성전자주식회사 온도 감지 회로
KR100666178B1 (ko) 2005-11-16 2007-01-09 삼성전자주식회사 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로
US7441949B2 (en) * 2005-12-16 2008-10-28 Micron Technology, Inc. System and method for providing temperature data from a memory device having a temperature sensor
US8018323B2 (en) * 2006-01-30 2011-09-13 Baohua Qi RFID sensor device based on pulse-processing
US8013714B2 (en) * 2006-03-27 2011-09-06 Baohua Qi RFID sensor using pulse processing
DE102006018921A1 (de) * 2006-04-24 2007-11-08 Infineon Technologies Ag Integrierter Halbleiterspeicher mit Auffrischung von Speicherzellen
US7286377B1 (en) * 2006-04-28 2007-10-23 Mosaid Technologies Incorporated Dynamic random access memory device and method for self-refreshing memory cells with temperature compensated self-refresh
KR100776748B1 (ko) 2006-05-09 2007-11-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 리프레쉬 제어 회로 및 방법
JP4850578B2 (ja) * 2006-05-19 2012-01-11 富士通セミコンダクター株式会社 半導体記憶装置及びリフレッシュ周期制御方法
KR100846387B1 (ko) * 2006-05-31 2008-07-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 온도 정보 출력 장치
US7512029B2 (en) 2006-06-09 2009-03-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for managing behavior of memory devices
US9262326B2 (en) * 2006-08-14 2016-02-16 Qualcomm Incorporated Method and apparatus to enable the cooperative signaling of a shared bus interrupt in a multi-rank memory subsystem
JP4205744B2 (ja) * 2006-08-29 2009-01-07 エルピーダメモリ株式会社 キャリブレーション回路及びこれを備える半導体装置、並びに、半導体装置の出力特性調整方法
KR100832029B1 (ko) 2006-09-28 2008-05-26 주식회사 하이닉스반도체 온도 정보 출력 장치 및 그를 갖는 반도체 소자
KR100810061B1 (ko) * 2006-11-02 2008-03-05 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 온도 정보 출력장치 및 내부온도 측정방법
DE102006056560A1 (de) * 2006-11-30 2008-06-05 Qimonda Ag Verfahren zum Trimmen eines Halbleiter-Bauelements, insbesondere DRAMs, und Halbleiter-Bauelement
US8026795B2 (en) * 2007-02-22 2011-09-27 Baohua Qi RFID sensor array and sensor group based on pulse-processing
KR100856060B1 (ko) * 2007-04-06 2008-09-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체메모리소자의 내부리프레쉬신호 생성장치
US7561979B2 (en) * 2007-05-10 2009-07-14 Mediatek Inc. Device and method for calibrating data processing apparatus by tuning firmware trim value
KR100861374B1 (ko) * 2007-06-27 2008-10-02 주식회사 하이닉스반도체 온도센서 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치
US8016482B2 (en) * 2007-07-20 2011-09-13 International Business Machines Corporation Method and systems of powering on integrated circuit
KR101596281B1 (ko) * 2008-12-19 2016-02-22 삼성전자 주식회사 온도 관련 공유 제어회로를 갖는 반도체 메모리 장치
US9658678B2 (en) * 2011-03-31 2017-05-23 Intel Corporation Induced thermal gradients
KR20130048650A (ko) 2011-11-02 2013-05-10 에스케이하이닉스 주식회사 집적회로 시스템 및 메모리 시스템
WO2014059181A2 (en) * 2012-10-12 2014-04-17 Accusilicon USA Inc. Oscillator compensation circuits
KR102098248B1 (ko) 2013-06-03 2020-04-07 삼성전자 주식회사 온도에 따라 완화된 타이밍 요건으로 사용되는 메모리 장치 및 이를 이용하는 메모리 콘트롤러
KR20150051471A (ko) * 2013-11-04 2015-05-13 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 그의 구동방법
TWI543540B (zh) * 2014-01-06 2016-07-21 南亞科技股份有限公司 積體電路以及調整其工作週期的方法
US9018980B1 (en) * 2014-06-12 2015-04-28 Xilinx, Inc. Bimodal clock generator
KR102432457B1 (ko) * 2015-10-21 2022-08-12 삼성전자주식회사 디스큐 기능을 갖는 클락 발생 회로 및 상기 회로를 포함하는 반도체 집적회로 장치
CN106205660B (zh) * 2016-07-18 2019-05-28 北京兆易创新科技股份有限公司 非易失性存储器时钟频率的调节方法及非易失性存储器
KR20180106492A (ko) * 2017-03-20 2018-10-01 에스케이하이닉스 주식회사 반도체장치
CN108931580A (zh) * 2017-05-23 2018-12-04 富士电机株式会社 传感器及传感器的控制方法
KR20190064893A (ko) * 2017-12-01 2019-06-11 에스케이하이닉스 주식회사 디지털 온도 센싱 회로
US20190378564A1 (en) * 2018-06-11 2019-12-12 Nanya Technology Corporation Memory device and operating method thereof
JP2019215944A (ja) 2018-06-12 2019-12-19 東芝メモリ株式会社 半導体集積回路および検査方法
US11988565B2 (en) * 2021-05-06 2024-05-21 Apple Inc. Process-insensitive sensor circuit
CN113672450B (zh) * 2021-07-19 2022-11-22 荣耀终端有限公司 固态硬盘的处理方法和装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3217225A1 (de) * 1982-05-07 1983-11-10 Franz Morat KG Elektro-Feinmechanik & Maschinenbau (GmbH & Co), 7821 Eisenbach Messschaltung fuer ein verbrennungs-kalorimeter
DE19502557A1 (de) * 1994-04-21 1995-10-26 Gold Star Electronics Selbstrefresh-Steuerschaltung für ein Speicherzellenfeld
US6108804A (en) * 1997-09-11 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for testing adjustment of a circuit parameter

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8801472D0 (en) * 1988-01-22 1988-02-24 Int Computers Ltd Dynamic random-access memory
US5278796A (en) * 1991-04-12 1994-01-11 Micron Technology, Inc. Temperature-dependent DRAM refresh circuit
KR950010624B1 (ko) * 1993-07-14 1995-09-20 삼성전자주식회사 반도체 메모리장치의 셀프리프레시 주기조절회로
CN1153563A (zh) * 1994-04-28 1997-07-02 文鲁奈克斯技术公司 集成电路的温度管理
US5451892A (en) * 1994-10-03 1995-09-19 Advanced Micro Devices Clock control technique and system for a microprocessor including a thermal sensor
JP3489906B2 (ja) * 1995-04-18 2004-01-26 松下電器産業株式会社 半導体メモリ装置
US5784328A (en) * 1996-12-23 1998-07-21 Lsi Logic Corporation Memory system including an on-chip temperature sensor for regulating the refresh rate of a DRAM array
JP4246812B2 (ja) * 1997-06-12 2009-04-02 パナソニック株式会社 半導体回路及びその制御方法
KR100546164B1 (ko) * 1998-10-19 2007-12-31 주식회사 하이닉스반도체 셀프 리프레쉬 주기 제어장치
KR100363105B1 (ko) * 1998-12-23 2003-02-19 주식회사 하이닉스반도체 셀 리키지 커런트 보상용 셀프 리프레쉬 장치
KR100287889B1 (ko) * 1998-12-31 2001-05-02 김영환 셀프 리프레쉬 회로
US6453218B1 (en) * 1999-03-29 2002-09-17 Intel Corporation Integrated RAM thermal sensor
US6483764B2 (en) * 2001-01-16 2002-11-19 International Business Machines Corporation Dynamic DRAM refresh rate adjustment based on cell leakage monitoring

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3217225A1 (de) * 1982-05-07 1983-11-10 Franz Morat KG Elektro-Feinmechanik & Maschinenbau (GmbH & Co), 7821 Eisenbach Messschaltung fuer ein verbrennungs-kalorimeter
DE19502557A1 (de) * 1994-04-21 1995-10-26 Gold Star Electronics Selbstrefresh-Steuerschaltung für ein Speicherzellenfeld
US6108804A (en) * 1997-09-11 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for testing adjustment of a circuit parameter

Also Published As

Publication number Publication date
US20020180543A1 (en) 2002-12-05
KR20020091657A (ko) 2002-12-06
JP4050537B2 (ja) 2008-02-20
US6756856B2 (en) 2004-06-29
DE10220328A1 (de) 2002-12-19
JP2003005861A (ja) 2003-01-08
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KR100413761B1 (ko) 2003-12-31

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