DE102020111636B4 - Integrierte Schaltungsvorrichtung mit Stützstruktur für Elektroden - Google Patents

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Abstract

Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) aufweisend:eine untere Elektrode (LE), die auf einem Substrat (110) ausgebildet ist; undeine obere Stützstruktur (USS), die derart eingerichtet ist, dass sie die untere Elektrode (LE) stützt, wobei die obere Stützstruktur (USS) um die untere Elektrode (LE) herum angeordnet ist,wobei die obere Stützstruktur (USS) aufweist:ein oberes Stützmuster (144P), welches die untere Elektrode (LE) umgibt und sich in einer lateralen Richtung parallel zu dem Substrat (110) erstreckt, wobei das obere Stützmuster (144P) ein Loch aufweist, durch das die untere Elektrode (LE) verläuft; undein oberes Abstandhalter-Stützmuster (146P), das sich zwischen dem oberen Stützmuster (144P) und der unteren Elektrode (LE) in dem Loch befindet und das eine äußere Seitenwand aufweist, die mit dem oberen Stützmuster (144P) in Kontakt ist, und das eine innere Seitenwand aufweist, die mit der unteren Elektrode (LE) in Kontakt ist, wobei sich eine Breite des oberen Abstandhalter-Stützmusters (146P) in der lateralen Richtung in einer Richtung zum Substrat (110) hin verringert, wobeidas obere Abstandhalter-Stützmuster (146P) einen Siliciumcarbonitrid-Film, einen borhaltigen Siliciumnitrid-Film, oder eine Kombination daraus aufweist.

Description

  • Hintergrund
  • Das erfinderische Konzept betrifft eine integrierte Schaltungs(IC)-Vorrichtung und ein Herstellungsverfahren hierfür, sowie insbesondere eine IC-Vorrichtung, die einen Kondensator umfasst, und ein Herstellungsverfahren hierfür.
  • Durch die Entwicklung elektronischer Technik ist das Verkleinern von Halbleitervorrichtungen schnell fortgeschritten und daher wurden Muster bzw. Strukturen, die elektronische Vorrichtungen bilden, verkleinert. Entsprechend besteht ein Bedarf, eine Struktur zu entwickeln, die einen verkleinerten Kondensator umfassen kann, der eine verbesserte Kapazität aufweist und gewünschte elektrische Eigenschaften beibehält.
  • Die folgenden Patentdokumente 1 bis 3 offenbaren Strukturen für Halbleitervorrichtungen aus dem Stand der Technik.
    • Patentdokument 1: US 2019 / 0 131 386 A1
    • Patentdokument 2: US 2014 / 0 065 784 A1
    • Patentdokument 3: US 2014 / 0 145 306 A1
  • Kurzfassung
  • Das erfinderische Konzept schafft eine integrierte Schaltungs(IC)-Vorrichtung, die verhindern kann, dass eine Mehrzahl unterer Elektroden einer Mehrzahl von Kondensatoren kippen bzw. neigen oder zusammenfallen, selbst wenn Höhen der unteren Elektroden vergrößert werden oder Seitenverhältnisse der unteren Elektroden relativ erhöht werden, sodass das Auftreten von ungewünschten Kurzschlüssen zwischen benachbarten unteren Elektroden reduziert/verhindert werden kann.
  • Das erfinderische Konzept schafft auch ein Verfahren zur Herstellung einer IC-Vorrichtung, das verhindern kann, dass eine Mehrzahl unterer Elektroden einer Mehrzahl von Kondensatoren neigen oder zusammenfallen, selbst wenn Höhen der unteren Elektroden vergrößert werden oder Seitenverhältnisse der unteren Elektroden relativ erhöht werden, sodass die Zuverlässigkeit und Massenproduktionseffizienz der IC-Vorrichtung verbessert werden kann.
  • Gemäß einem Aspekt des erfinderischen Konzepts wird eine IC-Vorrichtung geschaffen umfassend eine untere Elektrode, die auf einem Substrat ausgebildet ist, und eine obere Stützstruktur, die derart eingerichtet ist, dass sie die untere Elektrode stützt, wobei die obere Stützstruktur um die untere Elektrode herum angeordnet ist. Die obere Stützstruktur umfasst ein oberes Stützmuster, welches die untere Elektrode umgibt und sich in einer lateralen Richtung parallel zu dem Substrat erstreckt. Das obere Stützmuster hat ein Loch, durch das die untere Elektrode verläuft. Ein oberes Abstandhalter-Stützmuster ist zwischen dem oberen Stützmuster und der unteren Elektrode in dem Loch eingefügt. Das obere Abstandhalter-Stützmuster hat eine äußere Seitenwand, die mit dem oberen Stützmuster in Kontakt ist, und eine innere Seitenwand, die mit der unteren Elektrode in Kontakt ist. Eine Breite des oberen Abstandhalter-Stützmusters in der lateralen Richtung verringert sich in eine Richtung in Richtung des Substrats. Das obere Abstandhalter-Stützmuster weist einen Siliciumcarbonitrid-Film, einen borhaltigen Siliciumnitrid-Film, oder eine Kombination daraus auf.
  • Es versteht sich, dass, wenn ein Element als mit einem anderen Element „verbunden“, „gekoppelt“ oder „auf“ diesem beschrieben wird, dieses direkt mit dem anderen Element verbunden/gekoppelt oder auf diesem sein kann oder Zwischenelemente vorhanden sein können. Wenn dagegen ein Element als mit einem anderen „direkt verbunden“ oder „direkt gekoppelt“ oder als ein anderes Element „kontaktierend“ oder mit diesem „in Kontakt sein“ bezeichnet wird, sind keine Zwischenelemente vorhanden.
  • Gemäß einem anderen Aspekt des erfinderischen Konzepts wird eine IC-Vorrichtung geschaffen, die eine Mehrzahl unterer Elektroden umfasst, die auf einem Substrat und voneinander beabstandet angeordnet sind. Ein oberes Stützmuster erstreckt sich in einer lateralen Richtung parallel zu dem Substrat. Das obere Stützmuster hat eine Mehrzahl von Löchern, durch die die Mehrzahl von unteren Elektroden verläuft. Eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster ist eins-zu-eins in der Mehrzahl von Löchern angeordnet. Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster umfasst eine äußere Seitenwand in Kontakt mit dem oberen Stützmuster und eine innere Seitenwand in Kontakt mit einer entsprechenden der Mehrzahl unterer Elektroden. Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster hat eine Breite in der lateralen Richtung, wobei sich die Breite in einer Richtung in Richtung des Substrats verringert. Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster weist jeweils eine Siliciumcarbonitrid-Schicht, eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht, oder eine Kombination daraus auf.
  • Gemäß einem anderen Aspekt des erfinderischen Konzepts wird eine IC-Vorrichtung geschaffen, die eine Mehrzahl unterer Elektroden umfasst, die auf einem Substrat und voneinander beabstandet angeordnet sind. Eine obere Stützstruktur umfasst ein oberes Stützmuster und eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster. Das obere Stützmuster erstreckt sich in einer lateralen Richtung parallel zu dem Substrat und weist eine Mehrzahl an Löchern auf, durch die die Mehrzahl unterer Elektroden verläuft. Die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster ist eins-zu-eins in der Mehrzahl von Löchern angeordnet. Ein unteres Stützmuster erstreckt sich in der lateralen Richtung zwischen dem Substrat und der oberen Stützstruktur und ist in Kontakt mit der Mehrzahl unterer Elektroden. Eine dielektrische Schicht ist mit der Mehrzahl unterer Elektroden, dem oberen Stützmuster, der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster und dem unteren Stützmuster in Kontakt. Eine obere Elektrode befindet sich gegenüber von der Mehrzahl unterer Elektroden, wobei die dielektrische Schicht dazwischen liegt. Jedes der Mehrzahl von oberen Abstandhalter-Stützmustern weist eine äußere Seitenwand in Kontakt mit dem oberen Stützmuster in einem entsprechenden der Mehrzahl von Löcher auf und eine innere Seitenwand in Kontakt mit einer entsprechenden der Mehrzahl unterer Elektroden. Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster hat eine Breite in der lateralen Richtung, wobei sich die Breite in einer Richtung in Richtung des Substrats verringert.
  • Gemäß einem anderen Aspekt des erfinderischen Konzepts wird ein Verfahren zur Herstellung einer IC-Vorrichtung geschaffen. Das Verfahren umfasst Ausbilden eines Formstrukturmusters, das ein Formmuster und ein oberes Stützmuster umfasst, welche sequenziell auf einem Substrat gestapelt sind. Das Formstrukturmuster hat eine Mehrzahl von Löchern. Eine obere Abstandhalter-Stützschicht wird derart ausgebildet, dass sie eine Seitenwand und eine obere Fläche des oberen Stützmusters bedeckt. Eine Mehrzahl unterer Elektroden wird jeweils innerhalb der Mehrzahl von Löchern derart ausgebildet, dass sie mit der oberen Abstandhalter-Stützschicht und dem Formmuster in Kontakt sind. Eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster wird ausgebildet, indem Abschnitte der oberen Abstandhalter-Stützschicht entfernt werden, um eine obere Fläche des oberen Stützmusters freizulegen. Die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster ist jeweils zwischen den oberen Stützmustern und der Mehrzahl unterer Elektroden eingefügt. Das Formmuster wird entfernt, um eine Seitenwand von jeder der Mehrzahl unteren Elektroden freizulegen.
  • Gemäß einem anderen Aspekt des erfinderischen Konzepts wird ein Verfahren zur Herstellung einer IC-Vorrichtung geschaffen. Das Verfahren umfasst ein Ausbilden einer Formstruktur auf einem Substrat. Die Formstruktur umfasst eine Formschicht und eine obere Stützschicht, die die Formschicht bedeckt. Eine Mehrzahl von Löchern ist durch die Formstruktur ausgebildet, um ein Formstrukturmuster auszubilden. Das Formstrukturmuster umfasst ein Formmuster sowie ein oberes Stützmuster, welche die Mehrzahl von Löchern definieren. Eine obere Abstandhalter-Stützschicht ist derart ausgebildet, dass sie einen oberen Abschnitt des Formstrukturmusters in jedem der Mehrzahl von Löchern bedeckt. Eine Mehrzahl unterer Elektroden ist jeweils in der Mehrzahl von Löchern ausgebildet. Eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster wird ausgebildet, indem Abschnitte der oberen Abstandhalter-Stützschicht entfernt werden, um eine obere Fläche des oberen Stützmusters freizulegen. Die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster ist jeweils zwischen den oberen Stützmustern und der Mehrzahl unterer Elektroden eingefügt. Abschnitte der oberen Stützmuster werden entfernt, um eine Mehrzahl oberer Löcher auszubilden, welche das Formmuster freilegen. Das Formmuster wird durch die Mehrzahl oberer Löcher entfernt, um die Mehrzahl unterer Elektroden zwischen dem Substrat und der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster freizulegen. eine dielektrische Schicht wird derart ausgebildet, dass sie mit einer Fläche jeder der Mehrzahl oberer Elektroden, einer Fläche des oberen Stützmusters und jedem der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster in Kontakt ist. Auf der dielektrischen Schicht ist eine obere Elektrode ausgebildet.
  • Gemäß einem anderen Aspekt des erfinderischen Konzepts wird ein Verfahren zur Herstellung einer IC-Vorrichtung geschaffen. Das Verfahren umfasst Ausbilden eines Formstrukturmusters, das ein Formmuster und ein oberes Stützmuster umfasst, welche sequenziell auf einem Substrat gestapelt sind. Das Formstrukturmuster hat eine Mehrzahl von Löchern. Eine obere Abstandhalter-Stützschicht wird derart ausgebildet, dass sie eine Seitenwand und eine obere Fläche des oberen Stützmusters bedeckt. Die obere Abstandhalter-Stützschicht hat einen Kohlenstoffatomgehalt, der höher ist als ein Kohlenstoffatomgehalt eines Materials, das in dem oberen Stützmuster umfasst ist. Eine Mehrzahl unterer Elektroden ist jeweils in der Mehrzahl von Löchern derart ausgebildet, dass sie mit der oberen Abstandhalter-Stützschicht in Kontakt ist. Eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster wird ausgebildet, indem Abschnitte der oberen Abstandhalter-Stützschicht entfernt werden, um die obere Fläche des oberen Stützmusters freizulegen. Die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster ist jeweils zwischen den oberen Stützmustern und der Mehrzahl unterer Elektroden eingefügt. Das Formmuster wird entfernt, um eine Seitenwand von jeder der Mehrzahl unterer Elektroden freizulegen.
  • Figurenliste
  • Ausführungsformen des erfinderischen Konzepts werden deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen verstanden werden, in welchen:
    • 1 ein schematisches Layout in einer Draufsicht einiger Komponenten einer Speicherzellenanordnungsregion einer integrierten Schaltungs(IC)-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform ist;
    • 2A eine Draufsicht einiger Komponenten einer IC-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform ist;
    • 2B eine schematische Querschnittsansicht einiger Komponenten der IC-Vorrichtung ist, die entlang einer Linie 1X-1X' aus 2A vorgenommen wurde;
    • 3 eine schematische Querschnittsansicht einiger Komponenten einer IC-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform ist;
    • 4 eine schematische Querschnittsansicht einiger Komponenten einer IC-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform ist;
    • 5A eine Draufsicht einiger Komponenten einer IC-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform ist;
    • 5B eine schematische, perspektivische Ansicht einiger Komponenten der in 5A gezeigten IC-Vorrichtung ist;
    • 6A eine Draufsicht einiger Komponenten einer IC-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform ist;
    • 6B eine schematische Querschnittsansicht einiger Komponenten der IC-Vorrichtung ist, die entlang einer Linie 5X-5X' aus 6A vorgenommen wurde;
    • 7 eine Querschnittsansicht einiger Komponenten einer IC-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform ist; und
    • 8A bis 8H Querschnittsansichten einer Prozessabfolge eines Verfahrens zur Herstellung einer IC-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform sind.
  • Detaillierte Beschreibung der Ausführungsformen
  • Ausführungsformen werden nun vollständiger unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, in denen einige Ausführungsformen gezeigt sind. In der gesamten Zeichnung werden die gleichen Bezugszeichen verwendet, um die gleichen Elemente zu kennzeichnen; auf wiederholte Beschreibungen derselben kann verzichtet worden sein.
  • 1 ist ein schematisches Layout in einer Draufsicht einiger Komponenten einer Speicherzellenanordnungsregion einer integrierten Schaltungs(IC)-Vorrichtung 10 gemäß einer Ausführungsform.
  • Bezugnehmend auf 1 kann die IC-Vorrichtung 10 eine Mehrzahl aktiver Regionen AC umfassen, die sich parallel zueinander in einem Winkel zu jeweils einer X-Richtung und einer Y-Richtung auf einer Ebene erstrecken. Eine Mehrzahl von Wortleitungen WL kann sich über die Mehrzahl aktiver Regionen AC hinweg parallel zueinander in der X-Richtung erstrecken. Eine Mehrzahl von Bit-Leitungen BL kann sich über die Mehrzahl von Wortleitungen WL parallel zueinander in der Y-Richtung, welche die X-Richtung schneidet, erstrecken. Zum Beispiel können die X- und Y-Richtungen rechtwinklig zueinander sein. Jede der Mehrzahl von Bit-Leitungen BL kann mit der aktiven Region AC durch einen direkten Kontakt DC verbunden sein.
  • Eine Mehrzahl vergrabener Kontakte BC kann zwischen zwei benachbarten der Mehrzahl von Bit-Leitungen BL ausgebildet sein. Eine Mehrzahl von leitfähigen Landing-Pads LP kann jeweils auf der Mehrzahl von vergrabenen Kontakten BC ausgebildet sein. Jedes der Mehrzahl von leitfähigen Landing-Pads LP kann so angeordnet sein, dass es den vergrabenen Kontakt BC zumindest teilweise überlappt. Eine Mehrzahl unterer Elektroden LE kann jeweils auf der Mehrzahl von leitfähigen Landing-Pads LP ausgebildet sein. Die Mehrzahl unterer Elektroden LE kann mit der Mehrzahl aktiver Regionen AC durch die Mehrzahl vergrabener Kontakte BC und die Mehrzahl leitfähiger Landing-Pads LP verbunden sein.
  • 2A ist eine Draufsicht einiger Komponenten einer IC-Vorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform. 2B ist eine schematische Querschnittsansicht einiger Komponenten der IC-Vorrichtung 100, die entlang einer Linie 1X-1X' aus 2A vorgenommen wurde.
  • Bezugnehmend auf 2A und 2B kann die IC-Vorrichtung 100 einen Abschnitt der in 1 gezeigten IC-Vorrichtung 10 bilden. Einige Komponenten der IC-Vorrichtung 100 wurden in den 2A und 2B ausgelassen oder kurz dargestellt. Allerdings ist die Konfiguration der IC-Vorrichtung 100 nicht auf die in 2A und 2B gezeigten beschränkt, und wird als unten beschriebene charakteristische Konfigurationen umfassend interpretiert.
  • Die IC-Vorrichtung 100 kann ein Substrat 110 umfassen, das eine Mehrzahl aktiver Regionen AC und eine untere Struktur 120 ausgebildet auf dem Substrat 110 umfasst. Eine Mehrzahl leitfähiger Regionen 124 kann durch die untere Struktur 120 verlaufen und jeweils mit der Mehrzahl aktiver Regionen AC verbunden sein.
  • Das Substrat 110 kann ein Halbleiterelement, wie beispielsweise Silicium (Si) und Germanium (Ge), oder eine Halbleiterverbindung, wie beispielsweise Siliciumcarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs), Indiumarsenid (InAs) und Indiumphosphid (InP) umfassen. Das Substrat 110 kann ein Halbleitersubstrat umfassen und mindestens eine Isolierschicht oder Strukturen umfassend mindestens eine leitfähige Region, die auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist. Die leitfähige Region kann zum Beispiel eine dotierte Wanne oder eine dotierte Struktur umfassen. Eine Vorrichtungsisolationsregion 112 kann in dem Substrat 110 ausgebildet sein, um die Mehrzahl aktiver Regionen AC zu definieren. Die Vorrichtungsisolationsregion 112 kann eine Oxidschicht, eine Nitridschicht oder eine Kombination aus denselben umfassen.
  • In einigen Ausführungsformen kann die untere Struktur 120 eine Isolierschicht umfassen, die eine Siliciumoxid-Schicht, eine Siliciumnitrid-Schicht oder eine Kombination aus denselben umfasst. In einigen anderen Ausführungsformen kann die untere Struktur 120 verschiedene leitfähige Regionen, zum Beispiel eine Zwischenverbindungsschicht, einen Kontaktstopfen, einen Transistor sowie eine Isolierschicht, die derart eingerichtet ist, dass sie die Zwischenverbindungsschicht, den Kontaktstopfen und den Transistor voneinander isoliert, umfassen. Die Mehrzahl leitfähiger Regionen 124 kann Polysilicium, ein Metall, ein leitfähiges Metallnitrid, ein Metallsilicid oder eine Kombination aus denselben umfassen. Die untere Struktur 120 kann die Mehrzahl von Bit-Leitungen BL umfassen, die unter Bezugnahme auf 1 beschrieben sind. Jede der Mehrzahl von leitfähigen Regionen 124 kann den vergrabenen Kontakt BC und das leitfähige Landing-Pad LP umfassen, die unter Bezugnahme auf 1 beschrieben sind.
  • Ein Isoliermuster 126P mit einer Mehrzahl von Öffnungen 126H kann auf der unteren Struktur 120 und der Mehrzahl leitfähiger Regionen 124 angeordnet sein. Das Isoliermuster 126P kann eine Siliciumnitrid-Schicht, eine Siliciumcarbonitrid-Schicht, eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht oder eine Kombination aus denselben umfassen.
  • Eine Mehrzahl von Kondensatoren CP1 umfassend eine Mehrzahl unterer Elektroden LE, eine dielektrische Schicht 160 und eine obere Elektrode UE können auf der Mehrzahl leitfähiger Regionen 124 angeordnet sein. Jede der Mehrzahl unterer Elektroden LE kann eine Säulenform aufweisen, die sich längs von einer oberen Fläche der leitfähigen Region 124 durch die Öffnung 126H des Isoliermusters 126P in einer Richtung weg von dem Substrat 110 in einer vertikalen Richtung (Z-Richtung) erstreckt. Die Z-Richtung ist zum Beispiel rechtwinklig zu der X- und der Y-Richtung. Die dielektrische Schicht 160 und die obere Elektrode UE können sequenziell auf der Mehrzahl unterer Elektroden LE ausgebildet sein. Obwohl 2A und 2B ein Beispiel darstellen, in dem jede der Mehrzahl unterer Elektroden LE eine Säulenform aufweist, ist das erfinderische Konzept nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann jede der Mehrzahl unterer Elektroden LE eine Querschnittsstruktur mit einer Becherform oder einer zylindrischen Form mit einem blockierten Boden bzw. Unterseite aufweisen. Zum Beispiel kann jede der unteren Elektroden eine U-förmige Querschnittsansicht aufweisen. Die Mehrzahl unterer Elektroden LE kann gegenüber von der oberen Elektrode UE sein, wobei die dielektrische Schicht 160 dazwischen ist.
  • Jede der Mehrzahl unterer Elektroden LE sowie die obere Elektrode UE kann eine Metallschicht, eine leitfähige Metalloxidschicht, eine leitfähige Metallnitridschicht, eine leitfähige Metalloxinitridschicht oder eine Kombination aus denselben umfassen. In einigen Ausführungsformen kann jede der Mehrzahl unterer Elektroden LE und die obere Elektrode UE Titan (Ti), Ti-Oxid, Ti-Nitrid, Ti-Oxinitrid, Cobalt (Co), Co-Oxid, Co-Nitrid, Co-Oxinitrid, Niob (Nb), Nb-Oxid, Nb-Nitrid, Nb-Oxinitrid, Zinn (Sn), Sn-Oxid, Sn-Nitrid, Sn-Oxinitrid, oder eine Kombination aus denselben umfassen. Zum Beispiel kann jede der unteren Elektroden LE und der oberen Elektroden UE TiN, CoN, NbN, SnO2 oder eine Kombination aus denselben umfassen, sie ist aber nicht darauf beschränkt. Die dielektrische Schicht 160 kann HfO2, ZrO2, Al2O3, La2O3, Ta2O3, Nb2O5, CeO2, TiO2, GeO2 oder eine Kombination aus denselben umfassen, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Mehrzahl unterer Elektroden LE kann durch eine unteres Stützmuster 142P und ein oberes Stützstruktur USS gestützt werden.
  • Die obere Stützstruktur USS kann ein oberes Stützmuster 144P und eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P umfassen. Das obere Stützmuster 144P kann sich in einer lateralen Richtung parallel zu dem Substrat 110 erstrecken, während es ein oberes Ende von jedem der Mehrzahl unterer Elektroden LE an einer Position, die von der Mehrzahl unterer Elektroden LE beabstandet ist, umgibt. Eine Mehrzahl von Löchern 144H (z. B. in 8C gezeigt), durch die die Mehrzahl unterer Elektroden LE verlaufen, kann in dem oberen Stützmuster 144P ausgebildet sein. Die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P kann eins-zu-eins in der Mehrzahl von Löchern 144H, die in dem oberen Stützmuster 144P ausgebildet sind, angeordnet sein. Zum Beispiel kann sich jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P zwischen dem oberen Stützmuster 144P und einer entsprechenden unteren Elektrode LE in dem Loch 144H, das in dem oberen Stützmuster 144P ausgebildet ist, befinden. Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P kann eine äußere Seitenwand in Kontakt mit dem oberen Stützmuster 144P und eine innere Seitenwand in Kontakt mit der entsprechenden unteren Elektrode LE aufweisen. Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P kann eine kleinere Breite in Richtung des Substrats 110 in der lateralen Richtung aufweisen. Zum Beispiel kann sich die Breite oder eine Dicke jedes der oberen Abstandhalter-Stützmuster 146P in einer horizontalen/lateralen Richtung parallel zu der oberen Fläche des Substrats 110 von oben nach unten des oberen Abstandhalter-Stützmusters 146P verringern. Zum Beispiel können die oberen Abstandhalter-Stützmuster 146P unterschiedliche Breiten in der horizontalen/lateralen Richtung aufweisen.
  • Eine innere Seitenwand der Mehrzahl von Löchern 144H, die in dem oberen Stützmuster 144P ausgebildet sind, kann eine geneigte Seitenwand SSW umfassen, die sich beabstandet von und gegenüber von der entsprechenden unteren Elektrode LE befindet, wobei das entsprechende obere Abstandhalter-Stützmuster 146P dazwischen liegt. Zum Beispiel kann die geneigte Seitenwand SSW einen spitzen Winkel bezüglich der oberen Fläche des Substrats 110 aufweisen. Die schräge Seitenwand SSW kann derart geneigt sein, dass sich die geneigte Seitenwand SSW an die untere Elektrode LE in einer Richtung zu dem Substrat 110 hin annähert. Zum Beispiel können sich laterale Abstände zwischen der unteren Elektrode LE und der geneigten Seitenwand SSW allmählich entlang der Richtung zu dem Substrat 110 hin verringern. Das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P kann einen Abschnitt umfassen, der eine umgekehrt trapezförmige Querschnittgestalt aufweist, dessen Breite zum Substrat 110 hin reduziert ist. Zum Beispiel kann die umgekehrt trapezförmige Querschnittgestalt des oberen Abstandhalter-Stützmusters 146P eine untere Seite haben, die sich in einer lateralen Richtung erstreckt, eine obere Seite, die sich in der lateralen Richtung erstreckt, und zwei andere Seiten, die jeweils Enden der unteren und oberen Seiten verbinden, wobei eine Länge der oberen Seite größer als jene der unteren Seite ist. Eine obere Fläche von jeweils der Mehrzahl unterer Elektroden LE, eine obere Fläche des oberen Stützmusters 144P und eine obere Fläche von jedem der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P kann koplanar sein.
  • Das untere Stützmuster 142P kann sich in der lateralen Richtung parallel zu dem Substrat 110 zwischen dem Substrat 110 und der oberen Stützstruktur USS erstrecken und in Kontakt mit der Mehrzahl unterer Elektroden LE sein. Eine Mehrzahl von Löchern 142H durch die die Mehrzahl unterer Elektroden LE verlaufen, und eine Mehrzahl unterer Löcher (siehe LH in 8G) können in dem unteren Stützmuster 142P ausgebildet sein. Die Mehrzahl unterer Elektroden LE kann durch die Mehrzahl von Löchern 144H, die in dem oberen Stützmuster 144P ausgebildet sind, und die Mehrzahl von Löchern 142H, die in dem unteren Stützmuster 142P ausgebildet sind, verlaufen und kann sich in einer vertikalen Richtung (Z-Richtung) erstrecken.
  • Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P kann sich in einem Freiraum zwischen dem oberen Stützmuster 144P und der unteren Elektrode LE befinden und umfasst möglicherweise nicht einen Abschnitt, der sich in einem Freiraum zwischen einer oberen Ebene LV1 des unteren Stützmusters 142P und einer unteren Ebene LV2 des oberen Stützmusters 144P befindet. Zum Beispiel kann die untere Fläche jedes der oberen Abstandhalter-Stützmuster 146P auf der gleichen oder einer höheren Ebene sein als die untere Fläche seines entsprechenden oberen Stützmusters 144P. Wie vorliegend verwendet, bezeichnet ein Begriff „Ebene“ einen Abstand von einer oberen Fläche des Substrats 110 in einer vertikalen Richtung (Z-Richtung oder -Z-Richtung).
  • Eine Mehrzahl oberer Löcher UH kann in der oberen Stützstruktur USS ausgebildet sein, welche das obere Stützmuster 144P und die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P umfasst. Wie in 2A dargestellt, kann eine planare Form jeder der Mehrzahl oberer Löcher UH eine ungefähr rautenförmige planare Form mit vier benachbarten unteren Elektroden LE als Eckpunkte sein. Zum Beispiel können die Längen der vier Seiten der rautenförmigen planaren Form, die vier benachbarte untere Elektroden LE verbinden, gleich sein. Allerdings ist die planare Form jedes der Mehrzahl oberer Löcher UH nicht auf das in 2A gezeigte Beispiel beschränkt und kann im Rahmen des erfinderischen Konzepts auf verschiedene Art und Weise abgewandelt und verändert werden. Eine Mehrzahl unterer Löcher (siehe LH in 8G), von denen jedes eine planare Form entsprechend der planaren Form von jedem der Mehrzahl oberer Löcher UH aufweist, kann in dem unteren Stützmuster 142P ausgebildet sein.
  • Begriffe wie „etwa“ oder „ungefähr“, die vorliegend verwendet werden, geben Beträge, Größen, Ausrichtungen oder Anordnungen wieder, die nur auf relativ geringe Art und Weise variieren und/oder auf eine Art und Weise, die den Betrieb, die Funktion oder Struktur bestimmter Elemente nicht wesentlich verändert. Zum Beispiel kann ein Bereich von „etwa 0,1 bis etwa 1“ einen Bereich wie beispielsweise eine Abweichung von 0 % bis 5 % von 0,1 und eine Abweichung von 0 % bis 5 % von 1 miteinschließen, insbesondere wenn eine solche Abweichung den gleichen Effekt wie der aufgelistete Bereich aufrechterhält.
  • Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P kann eine Ringform aufweisen, die konzentrisch zu der unteren Elektrode LE angeordnet ist und das obere Ende der unteren Elektrode LE umgibt. Allerdings ist es möglich, dass jedes der mindestens einigen der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P nicht die untere Elektrode LE in einer geschlossenen Ringform umgibt, sondern es kann die untere Elektrode LE in einer offenen Ringform umgeben, bei der ein Abschnitt eines geschlossenen Rings entfernt wurde. Ein offener Abschnitt, der aus einem Ring ausgelassen wurde, welcher das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P ausbildet, kann in dem oberen Loch UH umfasst sein. Zum Beispiel kann der offene Abschnitt, der aus dem oberen Abstandhalter-Stützmuster 146P ausgelassen wurde, integral mit dem oberen Loch UH ausgebildet sein. Zum Beispiel kann der offene Abschnitt, der aus dem oberen Abstandhalter-Stützmuster 146P ausgelassen wurde, ein einheitlicher Raum mit dem oberen Loch UH sein.
  • Sowohl das untere Stützmuster 142P als auch das obere Stützmuster 144P kann eine Siliciumcarbonitrid-Schicht, eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht oder eine Kombination aus denselben umfassen. In einigen Ausführungsformen können das untere Stützmuster 142P und das obere Stützmuster 144P das gleiche Material umfassen. In einigen anderen Ausführungsformen können das untere Stützmuster 142P und das obere Stützmuster 144P unterschiedliche Materialien umfassen. In einem Beispiel kann das untere Stützmuster 142P und das obere Stützmuster 144P jeweils eine Siliciumcarbonitrid-Schicht umfassen. In einem anderen Beispiel kann das untere Stützmuster 142P eine Siliciumcarbonitrid-Schicht umfassen und das obere Stützmuster 144P kann eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht umfassen. Allerdings sind gemäß Ausführungsformen Materialien, die in einer unteren Stützschicht 142 und einer oberen Stützschicht 144 umfasst sind, nicht auf die oben beschriebenen Beispiele beschränkt und können im Rahmen des erfinderischen Konzepts auf unterschiedliche Art und Weise abgewandelt und verändert werden. Die untere Stützschicht 142 und die obere Stützschicht 144 sind Schichten bzw. Lagen, die jeweils in den oberen und unteren Stützmustern 142P und 144P ausgebildet sind.
  • Das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P umfasst eine Siliciumcarbonitrid-Schicht, eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht, oder eine Kombination daraus.
  • In einigen Ausführungsformen können das untere Stützmuster 142P, das obere Stützmuster 144P und das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P das gleiche Material umfassen. Zum Beispiel kann sowohl das untere Stützmuster 142P als auch das obere Stützmuster 144P und das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P eine Siliciumcarbonitrid-Schicht umfassen.
  • In einigen anderen Ausführungsformen können das untere Stützmuster 142P, das obere Stützmuster 144P und das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P ein erstes Material umfassen, das die gleichen Elemente (z. B. die gleichen chemischen Elemente) umfasst. Allerdings können mindestens einige bzw. ein Teil des unteren Stützmusters 142P, des oberen Stützmusters 144P und des oberen Abstandhalter-Stützmusters 146P die Elemente, die in dem ersten Material umfasst sind, in unterschiedlichen Gehalten umfassen. Zum Beispiel kann sowohl das untere Stützmuster 142P als auch das obere Stützmuster 144P und das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P eine Siliciumcarbonitrid-Schicht umfassen. In diesem Fall kann die Siliciumcarbonitrid-Schicht, die in dem unteren Stützmuster 142P und dem oberen Stützmuster 144P umfasst ist, einen ersten Kohlenstoffatomgehalt aufweisen, und die Siliciumcarbonitrid-Schicht, die in dem oberen Abstandhalter-Stützmuster 146P umfasst ist, kann einen zweiten Kohlenstoffatomgehalt aufweisen. Hier kann der zweite Kohlenstoffatomgehalt höher sein als der erste Kohlenstoffatomgehalt. In einigen Ausführungsformen kann ein Kohlenstoffgehalt von jeweils dem unteren Stützmuster 142P und dem oberen Stützmuster 144P aus dem Bereich von etwa 3,5 Atomprozent (At.-%) bis etwa 4,5 At.-% ausgewählt werden, und ein Kohlenstoffgehalt von dem oberen Abstandhalter-Stützmuster 146P kann aus dem Bereich von etwa 4,5 At.-% bis etwa 5,5 At.-% ausgewählt werden. Zum Beispiel kann jeweils das untere Stützmuster 142P und das obere Stützmuster 144P eine Siliciumcarbonitrid-Schicht mit einem Kohlenstoffgehalt von etwa 3,7 At.-% bis etwa 4,3 At.-% umfassen, und das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P kann eine Siliciumcarbonitrid-Schicht mit einem Kohlenstoffgehalt von etwa 4,7 At.-% bis etwa 5,3 At.-% umfassen.
  • In einigen anderen Ausführungsformen können mindestens einige der unteren Stützmuster 142P, der oberen Stützmuster 144P und der oberen Abstandhalter-Stützmuster 146P unterschiedliche Dichten aufweisen. Zum Beispiel können das untere Stützmuster 142P, das obere Stützmuster 144P und das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P jeweils ein Material umfassen, das die gleichen Elemente (z. B. die gleichen chemischen Elemente) umfasst. In diesem Fall kann eine Dichte des Materials, das in dem unteren Stützmuster 142P und dem oberen Stützmuster 144P umfasst ist, höher sein als eine Dichte des Materials, das in dem oberen Abstandhalter-Stützmuster 146P umfasst ist. Zum Beispiel können das untere Stützmuster 142P und das obere Stützmuster 144P eine Siliciumcarbonitrid-Schicht mit einer ersten Dichte umfassen und das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P kann eine Siliciumcarbonitrid-Schicht mit einer zweiten Dichte umfassen, wobei die zweite Dichte niedriger ist als die erste Dichte.
  • In weiteren Ausführungsformen kann sich ein Material, das in dem unteren Stützmuster 142P und dem oberen Stützmuster 144P umfasst ist, von einem Material unterscheiden, das in dem oberen Abstandhalter-Stützmuster 146P umfasst ist. In einem Beispiel kann das untere Stützmuster 142P und das obere Stützmuster 144P eine Siliciumcarbonitrid-Schicht umfassen und das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P kann eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht umfassen. In einem anderen Beispiel können das untere Stützmuster 142P und das obere Stützmuster 144P eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht umfassen und das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P kann eine Siliciumcarbonitrid-Schicht umfassen.
  • In der unter Bezugnahme auf 2A und 2B beschriebenen IC-Vorrichtung 100 können Freiräume zwischen den oberen Enden der Mehrzahl unterer Elektroden LE mit dem oberen Stützmuster 144P und dem oberen Abstandhalter-Stützmuster 146P ausgefüllt sein. So kann ein ausreichender Trennabstand zwischen der Mehrzahl unterer Elektroden LE durch das obere Stützmuster 144P und das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P sichergestellt werden. Entsprechend kann, selbst falls Höhen der Mehrzahl unterer Elektroden LE vergrößert sind und Seitenverhältnisse der Mehrzahl unterer Elektroden LE relativ vergrößert sind, um Kapazitäten der Mehrzahl von Kondensatoren CP1 zu verbessern, die Mehrzahl unterer Elektroden LE daran gehindert werden, zu kippen oder zusammenzufallen. Folglich kann das Auftreten ungewünschter Kurzschlüsse zwischen benachbarten unteren Elektroden LE verhindert/reduziert werden.
  • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht einiger Komponenten einer IC-Vorrichtung 200 gemäß einer Ausführungsform. In 3 werden die gleichen Bezugszeichen verwendet, um die gleichen Elemente wie in 2A und 2B zu kennzeichnen und auf wiederholte Beschreibungen derselben kann verzichtet worden sein.
  • Bezugnehmend auf 3 kann die IC-Vorrichtung 200 im Wesentlichen die gleiche Konfiguration wie die IC-Vorrichtung 100 aufweisen, die unter Bezugnahme auf 2A und 2B beschrieben wurde. Allerdings kann die IC-Vorrichtung 200 eine obere Stützstruktur USS2 umfassen, die derart eingerichtet ist, dass sie eine Mehrzahl unterer Elektroden LE stützt.
  • Die obere Stützstruktur USS2 kann ein oberes Stützmuster 144P und eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 246P umfassen. Die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 246P kann im Wesentlichen die gleiche Konfiguration wie das obere Abstandhalter-Stützmuster 146P haben, das unter Bezugnahme auf 2A und 2B beschrieben wurde. Allerdings kann jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 246P einen Vorsprung PR2 umfassen, der sich zu einer Ebene LV3, die niedriger ist als eine untere Ebene LV2 des oberen Stützmusters 144P, zu einem Substrat 110 hin erstreckt, um eine Seitenwand der unteren Elektrode LE zwischen einer oberen Ebene LV1 eines unteren Stützmusters 142P und der unteren Ebene LV2 des oberen Stützmusters 144P zu bedecken. Der Vorsprung PR2 kann zwischen der unteren Elektrode LE und einer dielektrischen Schicht 160 sein. Zum Beispiel kann der Vorsprung PR2 einen Abschnitt der Seitenwand der unteren Elektrode LE zwischen der unteren Elektrode LE und der dielektrischen Schicht 160 bedecken. In einigen Ausführungsformen kann der Vorsprung PR2 des oberen Abstandhalter-Stützmusters 246P eine invertierte, dreieckige Querschnittgestalt aufweisen.
  • 4 ist eine schematische Querschnittsansicht einiger Komponenten einer IC-Vorrichtung 300 gemäß einer Ausführungsform. In 4 werden die gleichen Bezugszeichen verwendet, um die gleichen Elemente wie in 2A und 2B zu kennzeichnen und auf wiederholte Beschreibungen derselben kann verzichtet worden sein.
  • Bezugnehmend auf 4 kann die IC-Vorrichtung 300 im Wesentlichen die gleiche Konfiguration wie die IC-Vorrichtung 100 aufweisen, die unter Bezugnahme auf 2A und 2B beschrieben wurde. Allerdings kann die IC-Vorrichtung 300 eine obere Stützstruktur USS3 umfassen, die derart eingerichtet ist, dass sie eine Mehrzahl unterer Elektroden LE stützt.
  • Die obere Stützstruktur USS3 kann ein oberes Stützmuster 144P und eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 346P umfassen. Die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 346P können im Wesentlichen die gleichen Konfigurationen wie die oberen Abstandhalter-Stützmuster 146P haben, die unter Bezugnahme auf 2A und 2B beschrieben wurden. Allerdings kann jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 346P eine untere Fläche RS3 aufweisen, die auf einer Ebene LV4 ist, welche höher ist als die untere Ebene LV2 des oberen Stützmusters 144P.
  • Eine dielektrische Schicht 160 kann einen Abschnitt in Kontakt mit der unteren Fläche RS3 jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 346P umfassen. Der Abschnitt der dielektrischen Schicht 160, der in Kontakt mit der unteren Fläche RS3 des oberen Abstandhalter-Stützmusters 346P ist, kann zwischen der unteren Elektrode LE und dem oberen Stützmuster 144P liegen.
  • 5A ist eine Draufsicht einiger Komponenten einer IC-Vorrichtung 400 gemäß einer Ausführungsform. 5B ist eine schematische, perspektivische Ansicht einiger Komponenten der in 5A gezeigten IC-Vorrichtung 400. In 5A und 5B werden die gleichen Bezugszeichen verwendet, um die gleichen Elemente wie in 2A und 2B zu kennzeichnen, und auf wiederholte Beschreibungen derselben kann verzichtet worden sein.
  • Bezugnehmend auf 5A und 5B kann die IC-Vorrichtung 400 im Wesentlichen die gleiche Konfiguration wie die IC-Vorrichtung 100 aufweisen, die unter Bezugnahme auf 2A und 2B beschrieben wurde. Allerdings kann die IC-Vorrichtung 400 eine obere Stützstruktur USS4 umfassen, die derart eingerichtet ist, dass sie eine Mehrzahl unterer Elektroden LE stützt.
  • Die obere Stützstruktur USS4 kann ein oberes Stützmuster 444P und eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 446P umfassen. Eine Mehrzahl von Löchern 444H, durch die die Mehrzahl unterer Elektroden LE verlaufen, kann in dem oberen Stützmuster 444P ausgebildet sein. Die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 446P kann eins-zu-eins in der Mehrzahl von Löchern 444H, die in dem oberen Stützmuster 444P ausgebildet sind, angeordnet sein. Zum Beispiel kann sich jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 446P zwischen dem oberen Stützmuster 444P und einer entsprechenden unteren Elektrode LE in dem Loch 444H, das in dem oberen Stützmuster 444P ausgebildet ist, befinden. Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 446P kann eine äußere Seitenwand in Kontakt mit dem oberen Stützmuster 444P und eine innere Seitenwand in Kontakt mit der unteren Elektrode LE aufweisen. Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 446P kann eine kleinere Breite in Richtung eines Substrats 110 in einer lateralen Richtung aufweisen. Zum Beispiel kann die Dicke jedes der oberen Abstandhalter-Stützmuster 446P in der lateralen Richtung von oben nach unten des oberen Abstandhalter-Stützmusters 446P abnehmen.
  • Eine Mehrzahl oberer Löcher UH4 kann in dem oberen Stützmuster 444P ausgebildet sein. Eine planare Form jeder der Mehrzahl oberer Löcher UH4 kann annähernd eine Parallelogrammform mit vier benachbarten, unteren Elektroden LE als Eckpunkte aufweisen und zwei diagonale Linien der annähernden Parallelogrammform, welche diagonale der vier unteren Elektroden LE verbinden, können unterschiedliche Längen aufweisen. Zum Beispiel kann jedes der oberen Löcher UH4 zwei Paar parallele Seiten in einer Draufsicht aufweisen. Zum Beispiel können diagonale Linien jeder der oberen Löcher UH4, die gegenüberliegende Eckpunkte des Parallelogramms in einer Draufsicht verbinden, voneinander unterschiedliche Längen aufweisen. In bestimmten Ausführungsformen können die Seiten der Parallelogrammform jedes der oberen Löcher UH4 in einer Draufsicht unterschiedliche Längen aufweisen. Zum Beispiel kann ein Paar gegenüberliegender Seiten, die parallel zueinander sind, in dem Parallelogramm von jedem der oberen Löcher UH4 andere Längen als das andere Paar Seiten des Parallelogramms des oberen Lochs UH4 in einer Draufsicht aufweisen.
  • Die anderen, detaillierten Konfigurationen des oberen Stützmusters 444P und der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 446P können im Wesentlichen gleich jenen des oberen Stützmusters 144P und des oberen Abstandhalter-Stützmusters 146P sein, die unter Bezugnahme auf 2A und 2B beschrieben sind.
  • 6A ist eine Draufsicht einiger Komponenten einer IC-Vorrichtung 500 gemäß einer Ausführungsform. 6B ist eine schematische Querschnittsansicht einiger Komponenten der IC-Vorrichtung 500, die entlang einer Linie 5X-5X' aus 6A vorgenommen wurde. In 6A und 6B werden die gleichen Bezugszeichen verwendet, um die gleichen Elemente wie in 2A und 2B zu kennzeichnen und auf wiederholte Beschreibungen derselben kann verzichtet worden sein.
  • Bezugnehmend auf 6A und 6B kann die IC-Vorrichtung 500 im Wesentlichen die gleiche Konfiguration wie die IC-Vorrichtung 100 aufweisen, die unter Bezugnahme auf 2A und 2B beschrieben wurde. Allerdings kann die IC-Vorrichtung 500 eine Mehrzahl von Kondensatoren CP5 umfassen, die eine Mehrzahl unterer Elektroden LE, eine dielektrische Schicht 160 und eine obere Elektrode UE umfassen, und kann ein unteres Stützmuster 542P und eine obere Stützstruktur USS5 umfassen, welche die Mehrzahl unterer Elektroden LE stützen.
  • Die obere Stützstruktur USS5 kann ein oberes Stützmuster 544P und eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 546P umfassen. Eine Mehrzahl von Löchern 544H, durch die die Mehrzahl unterer Elektroden LE verlaufen, kann in dem oberen Stützmuster 544P ausgebildet sein. Die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 546P kann eins-zu-eins in der Mehrzahl von Löchern 544H, die in dem oberen Stützmuster 544P ausgebildet sind, angeordnet sein. Zum Beispiel kann sich jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 546P zwischen dem oberen Stützmuster 544P und der entsprechenden unteren Elektrode LE in dem Loch 544H, das in dem oberen Stützmuster 544P ausgebildet ist, befinden. Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 546P kann eine äußere Seitenwand in Kontakt mit dem oberen Stützmuster 544P und eine innere Seitenwand in Kontakt mit der unteren Elektrode LE aufweisen. Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 546P kann eine kleinere Breite in Richtung eines Substrats 110 in einer lateralen Richtung aufweisen. Zum Beispiel kann die Dicke jedes der oberen Abstandhalter-Stützmuster 546P in der lateralen Richtung allmählich von oben nach unten des oberen Abstandhalter-Stützmusters 546P abnehmen.
  • Eine Mehrzahl oberer Löcher UH5 kann in dem oberen Stützmuster 544P ausgebildet sein. Jedes der Mehrzahl oberer Löcher UH5 kann eine ungefähr rechtwinklige planare Form aufweisen und fünf untere Elektroden LE können an einem oberen Loch UH5 freiliegen. Eine Mehrzahl unterer Löcher LH5, von denen jedes eine planare Form entsprechend der planaren Form jedes der Mehrzahl oberer Löcher UH5 aufweist, kann in dem unteren Stützmuster 542P ausgebildet sein.
  • Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 546P kann eine Ringform aufweisen, die konzentrisch zu der unteren Elektrode LE, z. B. in einer Draufsicht, angeordnet ist und ein oberes Ende der unteren Elektrode LE umgibt. Einige der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 546P kann die untere Elektrode LE in einer geschlossenen Ringform an einer Position umgeben, die von der Mehrzahl oberer Löcher UH5 in der lateralen Richtung beabstandet ist. Einige andere der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 546P umgeben möglicherweise nicht die untere Elektrode LE in einer geschlossenen Ringform, sondern umgeben die untere Elektrode LE in einer offenen Ringform, bei der ein Abschnitt eines geschlossenen Rings entfernt wurde. Ein offener Abschnitt, der aus einem Ring ausgelassen wurde, welcher jeweils die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 546P ausbildet, kann in dem oberen Loch UH5 umfasst sein. Zum Beispiel können die offenen Abschnitte, die aus den oberen Abstandhalter-Stützmustern 546P ausgelassen wurden, integral mit dem oberen Löchern UH5 ausgebildet sein.
  • Die anderen, detaillierten Konfigurationen des unteren Stützmusters 542P, des oberen Stützmusters 544P und der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 546P können im Wesentlichen gleich jenen des unteren Stützmusters 142P, des oberen Stützmusters 144P und des oberen Abstandhalter-Stützmusters 146P sein, die unter Bezugnahme auf 2A und 2B beschrieben sind.
  • 7 ist eine Querschnittsansicht einiger Komponenten einer IC-Vorrichtung 600 gemäß einer Ausführungsform. Einige Komponenten eines Abschnitts, der einem Querschnitt entspricht, welcher entlang Linie 1X-1X' aus 2A vorgenommen wurde, sind in 7 schematisch dargestellt. In 7 werden die gleichen Bezugszeichen verwendet, um die gleichen Elemente wie in 2A und 2B zu kennzeichnen und auf wiederholte Beschreibungen derselben kann verzichtet worden sein.
  • Bezugnehmend auf 7 kann die IC-Vorrichtung 600 im Wesentlichen die gleiche Konfiguration wie die IC-Vorrichtung 100 aufweisen, die unter Bezugnahme auf 2A und 2B beschrieben wurde. Allerdings kann die IC-Vorrichtung 600 eine Mehrzahl von Kondensatoren CP6 umfassen, die eine Mehrzahl unterer Elektroden LE6, eine dielektrische Schicht 160 und eine obere Elektrode UE umfassen, und kann ein unteres Stützmuster 142P und eine obere Stützstruktur USS6 umfassen, welche die Mehrzahl unterer Elektroden LE6 stützt.
  • Die obere Stützstruktur USS6 kann ein oberes Stützmuster 644P und eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 646P umfassen. Das obere Stützmuster 644P und die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 646P können im Wesentlichen die gleichen Konfigurationen aufweisen wie das obere Stützmuster 144P und die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P, die unter Bezugnahme auf 2A und 2B beschrieben sind. Allerdings können eine obere Fläche 644T und eine untere Fläche 644B des oberen Stützmusters 644P jeweils eine gekrümmte Fläche umfassen. Die gekrümmte Fläche der oberen Fläche 644T des oberen Stützmusters 644P kann in einer Richtung von einem Substrat 110 weg konvex sein, während die gekrümmte Fläche der unteren Fläche 644B des oberen Stützmusters 644P in Richtung des Substrats 110 konvex sein kann. Zum Beispiel können sowohl die obere Fläche als auch die untere Fläche des oberen Stützmusters 644P konvex sein, z. B. zwischen zwei unteren Elektroden LE6, z. B. in einer Querschnittsansicht. Ein Krümmungsradius der oberen Fläche 644T kann geringer sein als ein Krümmungsradius der unteren Fläche 644B. Zum Beispiel kann die obere Fläche des oberen Stützmusters 644P konvexer sein (z. B. kleinerer Krümmungsradius) als die untere Fläche des oberen Stützmusters 644P, z. B. zwischen zwei unteren Elektroden LE6, z. B. in einer Querschnittsansicht, wie in 7 gezeigt. Jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 646P kann eine obere Fläche 646T aufweisen, die auf einer Ebene liegt, die niedriger ist als ein oberster Abschnitt der oberen Fläche 644T des oberen Stützmusters 644P, und eine untere Fläche 646B, die auf einer Ebene liegt, die höher ist als ein unterster Abschnitt der unteren Fläche 644B des oberen Stützmusters 644P. Eine vertikale Länge von jedem der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 646P kann geringer sein als eine vertikale Länge des oberen Stützmusters 644P.
  • Die Mehrzahl unterer Elektroden LE6 kann im Wesentlichen die gleichen Konfigurationen aufweisen wie die Mehrzahl unterer Elektroden LE, die unter Bezugnahme auf 2A und 2B beschrieben wurden. Allerdings kann jede der Mehrzahl unterer Elektroden LE6 eine obere Fläche LE6T aufweisen, die eine in einer Richtung von dem Substrat 110 weg konvex gekrümmte Fläche umfasst. Die dielektrische Schicht 160 kann Flächen der Mehrzahl unterer Elektroden LE6, das untere Stützmuster 142P, das obere Stützmuster 644P und die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 646P konform bedecken.
  • 8A bis 8H sind Querschnittsansichten einer Prozessabfolge (Schritte) eines Verfahrens zur Herstellung einer IC-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform. In 8A bis 8H werden die gleichen Bezugszeichen verwendet, um die gleichen Elemente wie in 2A bis 6B zu kennzeichnen und auf wiederholte Beschreibungen derselben kann verzichtet worden sein.
  • Bezugnehmend auf 8A kann eine untere Struktur 120 und eine leitfähige Region 124 auf einem Substrat 110 ausgebildet werden, bei dem eine aktive Region AC durch eine Vorrichtungsisolationsregion 112 definiert ist. Die leitfähige Region 124 kann durch die untere Struktur 120 verlaufen und mit der aktiven Region AC verbunden sein. Danach kann eine Isolierschicht 126 ausgebildet werden, um die untere Struktur 120 und die leitfähige Region 124 zu bedecken.
  • Die Isolierschicht 126 kann als Ätzstoppschicht während eines nachfolgenden Prozesses verwendet werden. Die Isolierschicht 126 kann ein Isoliermaterial mit einer Ätzselektivität bezüglich der unteren Struktur 120 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Isolierschicht 126 eine Siliciumnitrid-Schicht, eine Siliciumcarbonitrid-Schicht, eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht oder eine Kombination aus denselben umfassen.
  • Bezugnehmend auf 8B kann eine Formstruktur MST auf der Isolierschicht 126 ausgebildet werden.
  • Die Formstruktur MST kann eine Mehrzahl von Formschichten und eine Mehrzahl von Stützschichten umfassen. Zum Beispiel kann die Formstruktur MST eine erste Formschicht 132, eine untere Stützschicht 142, eine zweite Formschicht 134, eine dritte Formschicht 136 und eine obere Stützschicht 144 umfassen, die aufeinanderfolgend auf der Isolierschicht 126 gestapelt werden. Die erste Formschicht 132, die zweite Formschicht 134 und die dritte Formschicht 136 können jeweils ein Material umfassen, das eine relativ hohe Ätzrate bezüglich eines Ätzmittels aufweist, das Ammoniumfluorid (NH4F), Fluorwasserstoffsäure (HF) und Wasser enthält, und können durch einen Abhebeprozess unter Verwendung des Ätzmittels entfernt werden. In einigen Ausführungsformen kann die erste Formschicht 132, die zweite Formschicht 134 und die dritte Formschicht 136 eine Oxidschicht, eine Nitridschicht oder eine Kombination aus denselben umfassen. Zum Beispiel kann die erste Formschicht 132 eine Bor-Phosphor-Silikatglas(BPSG)-Schicht umfassen. Die BPSG-Schicht kann mindestens einen Abschnitt umfassen, in dem eine Konzentration eines Dotierstoffs B (oder Bor) in einer Dickenrichtung der BPSG-Schicht variiert, und einen zweiten Abschnitt, in dem eine Konzentration eines Dotierstoffs P (oder Phosphor) in der Dickenrichtung der BPSG-Schicht variiert. Die zweite Formschicht 134 kann eine mehrschichtige Isolierschicht umfassen, die erhalten wird, indem abwechselnd und wiederholt eine Siliciumoxid-Schicht und eine Siliciumnitrid-Schicht, die jeweils eine relativ geringe Dicke haben, mehrmals aufeinander gestapelt werden. Die dritte Formschicht 136 kann eine Siliciumnitrid-Schicht umfassen. Allerdings ist ein Material, das in jeweils der ersten Formschicht 132, der zweiten Formschicht 134 und der dritten Formschicht 136 umfasst ist, nicht auf die oben beschriebenen Beispiele beschränkt, und kann innerhalb des Umfangs des erfinderischen Konzepts unterschiedlich abgewandelt und verändert werden. Auch ist eine Stapelreihenfolge der Formstruktur MST nicht auf die in 8B gezeigten Beispiele beschränkt und kann innerhalb des Umfangs des erfinderischen Konzepts unterschiedlich abgewandelt und verändert werden.
  • Sowohl die untere Stützschicht 142 als auch die obere Stützschicht 144 kann eine Siliciumcarbonitrid-Schicht, eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht oder eine Kombination aus denselben umfassen. In einigen Ausführungsformen können die untere Stützschicht 142 und die obere Stützschicht 144 das gleiche Material umfassen. In einigen anderen Ausführungsformen können die untere Stützschicht 142 und die obere Stützschicht 144 unterschiedliche Materialien umfassen. In einem Beispiel können sowohl die untere Stützschicht 142 als auch die obere Stützschicht 144 eine Siliciumcarbonitrid-Schicht umfassen. In einem anderen Beispiel kann die untere Stützschicht 142 eine Siliciumcarbonitrid-Schicht umfassen und die obere Stützschicht 144 kann eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht umfassen. Allerdings sind gemäß Ausführungsformen Materialien, die in der unteren Stützschicht 142 und der oberen Stützschicht 144 umfasst sind, nicht auf die oben beschriebenen Beispiele beschränkt und können im Rahmen des erfinderischen Konzepts auf unterschiedliche Art und Weise abgewandelt und geändert werden.
  • Bezugnehmend auf 8C kann ein Maskenmuster MP auf der Formstruktur MST in der resultierenden Struktur aus 8B ausgebildet werden, und die Formstruktur MST kann unter Verwendung des Maskenmusters MP als Ätzmaske und unter Verwendung der Isolierschicht 126 als Ätzstoppschicht anisotropisch geätzt werden, um eine Mehrzahl von Löchern BH auszubilden. Das Maskenmuster MP kann eine Nitridschicht, eine Oxidschicht, eine Polysiliciumschicht, eine Photoresistschicht oder eine Kombination aus denselben umfassen.
  • Der Prozess zur Ausbildung der Mehrzahl von Löchern BH kann ferner einen Nassätzprozess umfassen, der die resultierende Struktur ätzt/verarbeitet, welche durch das anisotropische Ätzen der Formstruktur MST erhalten wurde. Während des Prozesses zum anisotropischen Ätzen der Formstruktur MST und Nassätzprozesses, der die resultierende Struktur ätzt/verarbeitet, kann ein Abschnitt der Isolierschicht 126 ebenfalls geätzt werden, um ein Isoliermuster 126P auszubilden, welches eine Mehrzahl von Öffnungen 126H aufweist, die eine Mehrzahl von leitfähigen Regionen 124 freilegen.
  • Als Beispiel für einen Nassätzprozess, bei dem die resultierende Struktur geätzt/verarbeitet wird, die durch anisotropisches Ätzen der Formstruktur MST erhalten wird, kann ein Ätzmittel verwendet werden, das eine verdünnte Lösung aus Schwefelsäure und Peroxid (DSP) umfasst. Während die resultierende Struktur, die erhalten wird, indem die Formstruktur MST anisotropisch geätzt wird, unter Verwendung des Ätzmittels nass verarbeitet wird, können Abschnitte der ersten Formschicht 132 und der zweiten Formschicht 134, die gegenüber dem Ätzmittel freiliegen, entfernt werden. Zum Beispiel wenn die erste Formschicht 132 die BPSG-Schicht umfasst und eine Konzentration des Dotierstoffs B oder des Dotierstoffs P in der BPSG-Schicht in Richtung des Substrats 110 steigt, kann eine geätzte Menge der ersten Formschicht 132 aufgrund des Ätzmittels in Richtung des Substrats 110 steigen. Entsprechend kann die geätzte Menge der ersten Formschicht 132 aufgrund des Ätzmittels in der Nähe einer unteren Fläche der ersten Formschicht 132 größer sein als in der Nähe einer oberen Fläche derselben. Da die untere Stützschicht 142 zwischen der ersten Formschicht 132 und der zweiten Formschicht 134 eine geringere Dicke aufweist als die erste Formschicht 132 und die zweite Formschicht 134, können Abschnitte der unteren Stützschicht 142, die gegenüber dem Ätzmittel während des Nassprozesses freigelegt werden, zusammen mit der ersten Formschicht 132 und der zweiten Formschicht 134 durch das Ätzmittel geätzt werden.
  • Folglich kann ein Formstrukturmuster MSP, das die Mehrzahl von Löchern BH definiert, erhalten werden. Das Formstrukturmuster MSP kann ein erstes Formmuster 132P, ein unteres Stützmuster 142P, ein zweites Formmuster 134P, ein drittes Formmuster 136P und ein oberes Stützmuster 144P umfassen.
  • Eine Ätzselektivität des dritten Formmusters 136P und des oberen Stützmusters 144P bezüglich des Ätzmittels für den nassen Prozess (z. B. Nassätzprozess) kann niedriger sein als eine Ätzselektivität der ersten Formschicht 132 und der zweiten Formschicht 134 bezüglich des Ätzmittels. So können während des Nassätzprozesses, bei dem die resultierende Struktur, die durch anisotropisches Ätzen der Formstruktur MST unter Verwendung des Ätzmittels erhalten wird, geätzt/verarbeitet wird, Mengen des dritten Formmuster 136P und des oberen Stützmusters 144P, die aufgrund des Ätzmittels abgetragen werden, sehr klein oder gering sein im Vergleich zu verbrauchten Mengen der ersten Formschicht 132 und der zweiten Formschicht 134. Zum Beispiel können Ätzraten der dritten Formschicht 136 und der oberen Stützschicht 144 bezüglich des Ätzmittels (z. B. des nassen Ätzmittels) des Nassätzprozesses niedriger sein als Ätzraten der ersten Formschicht 132 und der zweiten Formschicht 134 bezüglich des Ätzmittels des Nassätzprozesses. Nachdem die Mehrzahl von Löchern BH ausgebildet wurden, können jeweilige Seitenwände des ersten Formmusters 132P, des unteren Stützmusters 142P und des zweiten Formmusters 134P, welche die Mehrzahl von Löchern BH in dem Formstrukturmuster MSP definieren, näher an einer normalen Richtung rechtwinklig zu einer Hauptfläche des Substrats 110 sein als Seitenwände der dritten Formschicht 136 und der oberen Stützschicht 144, welche die Mehrzahl von Löchern BH definieren. Zum Beispiel können Seitenwände von unteren Abschnitten der Löcher BH, die mit dem ersten und dem zweiten Formmuster und dem unteren Stützmuster 142P ausgebildet sind, steiler sein (z. B. einen spitzeren Winkel mit der vertikalen Richtung bilden) als Seitenwände von oberen Abschnitten der Löcher BH. Das dritte Formmuster 136P und das obere Stützmuster 144P kann eine Mehrzahl von geneigten Seitenwänden SSW haben, welche die Mehrzahl von Löchern BH definieren. Entsprechend können Abschnitte der Mehrzahl von Löchern BH, die durch die dritte Formschicht 136 und die obere Stützschicht 144 verlaufen, unterschiedliche laterale Querschnittsflächen aufweisen, die allmählich in einer Richtung von dem Substrat 110 weg zunehmen. Zum Beispiel kann eine laterale Querschnittsfläche von jedem der Löcher BH in einer oberen Ebene größer sein als eine laterale Querschnittsfläche des gleichen Lochs BH in einer niedrigeren Ebene. Die Mehrzahl geneigter Seitenwände SSW des oberen Stützmusters 144P kann die Mehrzahl von Löchern 144H definieren.
  • Bezugnehmend auf 8D kann das Maskenmuster MP von der resultierenden Struktur aus 8C entfernt werden und eine obere Abstandhalter-Stützschicht 146 kann ausgebildet werden, um einen oberen Abschnitt des Formstrukturmusters MSP innerhalb und außerhalb jeder der Mehrzahl von Löchern BH zu bedecken.
  • Während der Ausbildung der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146, kann die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 möglicherweise nicht konform auf dem Formstrukturmuster MSP ausgebildet werden, sondern kann mit einer verringerten Stufenbedeckung ausgebildet werden. Zum Beispiel kann die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 in unterschiedlichen Dicken in unterschiedlichen Positionen ausgebildet werden. Zum Beispiel kann die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 auf einem Abschnitt der resultierenden Struktur des vorherigen Schritts, wie in 8D gezeigt, ausgebildet werden.
  • In einigen Ausführungsformen kann die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 unter Verwendung eines Prozesses zur chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) oder eines plasmaunterstützten CVD(PECVD)-Prozesses ausgebildet werden. In diesem Fall kann, durch Steuern einer Abscheideatmosphäre (z. B. einer Temperatur, eines Drucks, einer Plasmaausbildungsbedingung und dergleichen) zur Ausbildung der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146, oder durch Steuern von Durchflussraten von Quellgasen unter Berücksichtigung eines Haftkoeffizienten von jedem Atom, das in der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146 umfasst ist, die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 derart ausgebildet werden, dass sie nur den oberen Abschnitt des Formstrukturmusters MSP bedeckt.
  • Die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 kann derart ausgebildet werden, dass sie nur eine freiliegende Fläche von jeweils des dritten Formmusters 136P und des oberen Stützmusters 144P des Formstrukturmusters MSP innerhalb der Mehrzahl von Löchern BH bedeckt. Die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 kann das Formstrukturmuster MSP mit einer größeren Dicke in einer Richtung von dem Substrat 110 weg bedecken. Zum Beispiel kann die Dicke der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146 allmählich von ihrer Unterseite, die auf der gleichen Ebene ausgebildet ist, wie die untere Fläche des dritten Formmusters 136P, zu einem oberen Abschnitt, der auf der gleichen Ebene wie die obere Fläche des Formstrukturmuster MSP ausgebildet ist, erhöht werden. Eine laterale Breite W11 eines Abschnitts der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146, die die Seitenwand des dritten Formmusters 136P bedeckt und/oder kontaktiert, kann geringer sein als eine laterale Breite W12 eines Abschnitts der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146, die die Seitenwand des oberen Stützmusters 144P bedeckt und/oder kontaktiert.
  • Die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 kann eine Siliciumcarbonitrid-Schicht, eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht oder eine Kombination daraus umfassen.
  • In einigen Ausführungsformen können das obere Stützmuster 144P und die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 das gleiche Material umfassen. Zum Beispiel kann sowohl das obere Stützmuster 144P als auch die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 eine Siliciumcarbonitrid-Schicht umfassen.
  • In einigen anderen Ausführungsformen können das obere Stützmuster 144P und die obere Abstandhalter-Stützschicht 146P ein erstes Material umfassen, das die gleichen Elemente (z. B. die gleichen chemischen Elemente) umfasst. In diesem Fall können das obere Stützmuster 144P und die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 die Elemente, die in dem ersten Material umfasst sind, in unterschiedlichen Gehalten umfassen. Zum Beispiel kann sowohl das obere Stützmuster 144P als auch die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 eine Siliciumcarbonitrid-Schicht umfassen. In diesem Fall kann sich ein erster Kohlenstoffatomgehalt der Siliciumcarbonitrid-Schicht, die in dem oberen Stützmuster 144P umfasst ist, von einem zweiten Kohlenstoffatomgehalt der Siliciumcarbonitrid-Schicht, die in der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146 umfasst ist, unterscheiden. In einigen Ausführungsformen kann der zweite Kohlenstoffatomgehalt der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146 höher sein als der erste Kohlenstoffatomgehalt des oberen Stützmusters 144P. In diesem Fall, wenn das obere Stützmuster 144P und die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 gegenüber einer Ätzatmosphäre zum Ätzen einer anderen Materialschicht oder einer Reinigungsatmosphäre während eines nachfolgenden Prozesses freiliegen, können Ätzwiderstände des oberen Stützmusters 144P und der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146 aufgrund eines relativ hohen Kohlenstoffgehalts der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146, die das obere Stützmuster 144P umgibt, verbessert werden.
  • In einigen Ausführungsformen kann ein Kohlenstoffgehalt des oberen Stützmusters 144P aus dem Bereich von etwa 3,5 At.-% bis etwa 4,5 At.-% auswählt werden, und der Kohlenstoffgehalt der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146 kann aus dem Bereich von etwa 4,5 At.-% bis etwa 5,5 At.-% ausgewählt werden. Zum Beispiel kann das obere Stützmuster 144P eine Siliciumcarbonitrid-Schicht mit einem Kohlenstoffgehalt von etwa 3,7 At.-% bis etwa 4,3 At.-% umfassen, und die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 kann eine Siliciumcarbonitrid-Schicht mit einem Kohlenstoffgehalt von etwa 4,7 At.-% bis etwa 5,3 At.-% umfassen. Wenn das obere Stützmuster 144P und die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 einen übermäßig geringen Kohlenstoffgehalt aufweist, kann das obere Stützmuster 144P und die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 jeweils einen unzureichenden Ätzwiderstand haben, wenn sie der Ätzatmosphäre oder der Reinigungsatmosphäre ausgesetzt werden.
  • In einigen anderen Ausführungsformen können das obere Stützmuster 144P und die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 unterschiedliche Dichten aufweisen. Zum Beispiel können die obere Stützschicht 144 und die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 ein Material umfassen, das die gleichen Elemente (z. B. die gleichen chemischen Elemente) umfasst. In diesem Fall kann eine Dichte des Materials, das in dem oberen Stützmuster 144P umfasst ist, höher sein als eine Dichte des Materials, das in der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146 umfasst ist. Zum Beispiel kann das obere Stützmuster 144P eine Siliciumcarbonitrid-Schicht mit einer ersten Dichte umfassen und die obere Abstandhalter-Stützschicht 146P kann eine Siliciumcarbonitrid-Schicht mit einer zweiten Dichte umfassen, wobei die zweite Dichte niedriger ist als die erste Dichte.
  • In einigen anderen Ausführungsformen können die obere Stützschicht 144 und die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 unterschiedliche Materialien umfassen. In einem Beispiel kann die obere Stützschicht 144 eine Siliciumcarbonitrid-Schicht umfassen und die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 kann eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht umfassen. In einem anderen Beispiel kann die obere Stützschicht 144 eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht umfassen und die obere Abstandhalter-Stützschicht 146 kann eine borhaltige Siliciumcarbonitrid-Schicht umfassen.
  • Allerdings sind Materialien, die in der oberen Stützschicht 144 und der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146 umfasst sind, nicht auf die oben beschriebenen Beispiele beschränkt und können im Rahmen des erfinderischen Konzepts auf unterschiedliche Art und Weise abgewandelt und geändert werden.
  • Bezugnehmend auf 8E kann eine leitfähige Schicht 150 auf der resultierenden Struktur aus 8D ausgebildet werden. Die leitfähige Schicht 150 kann derart ausgebildet werden, dass sie die Mehrzahl von Löchern BH ausfüllt und eine obere Fläche der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146 bedeckt.
  • Die leitfähige Schicht 150 kann eine Metallschicht, eine leitfähige Metalloxidschicht, eine leitfähige Metallnitridschicht, eine leitfähige Metalloxinitridschicht oder eine Kombination aus denselben umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die leitfähige Schicht 150 Titan (Ti), Ti-Oxid, Ti-Nitrid, Ti-Oxinitrid, Cobalt (Co), Co-Oxid, Co-Nitrid, Co-Oxinitrid, Niob (Nb), Nb-Oxid, Nb-Nitrid, Nb-Oxinitrid, Zinn (Sn), Sn-Oxid, Sn-Nitrid, Sn-Oxinitrid, oder eine Kombination aus denselben umfassen. Zum Beispiel kann die leitfähige Schicht 150 TiN, CoN, NbN, SnO2 oder eine Kombination aus denselben umfassen, aber sie ist nicht darauf beschränkt. Die leitfähige Schicht 150 kann unter Verwendung eines CVD-Prozesses, eines PECVD-Prozesses, eines metallorganischen CVD(MOCVD)-Prozesses oder eines Atomlagenabscheidungs(ALD)-Prozesses ausgebildet werden.
  • Bezugnehmend auf 8F können ein Abschnitt der leitfähigen Schicht 150 und ein Abschnitt der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146 von der resultierenden Struktur aus 8E entfernt werden, indem ein Rückätzprozess oder ein chemisch-mechanischer Polier(CMP)-Prozess durchgeführt wird, bis eine obere Fläche des oberen Stützmusters 144P, die eine oberste Schicht des Formstrukturmusters MSP ist, freigelegt wird. Folglich können Abschnitte der leitfähigen Schicht 150, die in der Mehrzahl von Löchern BH verbleiben (siehe 8D) eine Mehrzahl unterer Elektroden LE ausbilden, und Abschnitte der oberen Abstandhalter-Stützschicht 146, welche in der Mehrzahl von Löchern BH verbleiben (siehe 8D), können eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P ausbilden.
  • Die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P können jeweils in einer Mehrzahl von Ringformen zwischen dem Formstrukturmuster MSP und der Mehrzahl unterer Elektroden LE verbleiben.
  • Nachdem die Mehrzahl unterer Elektroden LE ausgebildet wurden, können Freiräume zwischen oberen Enden der Mehrzahl unterer Elektroden LE in einem Zustand verbleiben, in dem sie mit dem oberen Stützmuster 144P, welches die geneigten Seitenwände SSW umfasst, und der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P, welche die geneigten Seitenwände SSW des oberen Stützmusters 144P bedecken, ausgefüllt sind. Da die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P jeweils zwischen dem oberen Stützmuster 144P und der Mehrzahl unterer Elektroden LE verbleiben, können Trennabstände zwischen den oberen Enden der Mehrzahl unterer Elektroden LE größer sein als wenn die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P ausgelassen wird.
  • Bezugnehmend auf 8G können Abschnitte des oberen Stützmusters 144P und der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P von der resultierenden Struktur aus 8F entfernt werden, um eine Mehrzahl oberer Löcher UH auszubilden. Danach können das dritte Formmuster 136P und das zweite Formmuster 134P durch die Mehrzahl oberer Löcher UH, z.B. durch einen Nassätzprozess, entfernt werden. Als nächstes können Abschnitte des unteren Stützmusters 142P, die durch die Mehrzahl oberer Löcher UH freiliegen, entfernt werden, um eine Mehrzahl unterer Löcher LH auszubilden. Danach kann das erste Formmuster 132P durch die Mehrzahl unterer Löcher LH, z. B. durch einen Nassätzprozess entfernt werden, um eine obere Fläche des Isoliermusters 126P freizulegen.
  • Indem eine planare Form der Mehrzahl oberer Löcher UH und der Mehrzahl unterer Löcher LH variiert werden, können planare Formen der oberen Löcher UH und der unteren Löcher LH auf verschiedene Art und Weise modifiziert werden. Zum Beispiel können die oberen Löcher UH und/oder die unteren Löcher LH planare Formen der Mehrzahl oberer Löcher UH, welche die in 2A gezeigte planare Form haben, der Mehrzahl oberer Löcher UH4, welche die in 5A und 5B gezeigte planare Form haben, und/oder der Mehrzahl oberer Löcher UH5, welche die in 6A gezeigte planare Form haben, aufweisen.
  • Nachdem das erste Formmuster 132P, das zweite Formmuster 134P und das dritte Formmuster 136P entfernt wurden, können Seitenwände der Mehrzahl unterer Elektroden LE freigelegt sein, und das obere Stützmuster 144P und die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P, welche in Freiräumen zwischen der Mehrzahl unterer Elektroden LE verbleiben, können eine obere Stützstruktur USS bilden.
  • Der Nassätzprozess, der das dritte Formmuster 136P und das zweite Formmuster 134P entfernt, und der Nassätzprozess, der das erste Formmuster 132P entfernt, können unter Verwendung eines Ätzmittels durchgeführt werden, das Ammoniumfluorid (NH4F), Fluorwasserstoffsäure (HF) und Wasser enthält. Während des Nassätzprozesses, der das dritte Formmuster 136P und das zweite Formmuster 134P entfernt, können Abschnitte des oberen Abstandhalter-Stützmusters 146P, die zwischen dem dritten Formmuster 136P und der unteren Elektrode LE verbleiben, ebenfalls dem Ätzmittel gegenüber freigelegt werden. Da Abschnitte der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P, die zwischen dem dritten Formmuster 136P und der unteren Elektrode LE sind, eine relativ kleine laterale Breite W11 aufweisen, wie oben unter Bezugnahme auf 8D beschrieben, kann ein unterer Abschnitt jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P, die gegenüber dem Ätzmittel freiliegen, ebenfalls durch das Ätzmittel während des Nassätzprozesses entfernt werden, der das dritte Formmuster 136P und das zweite Formmuster 134P entfernt. Folglich können Abschnitte der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P nur zwischen dem oberen Stützmuster 144P und der Mehrzahl unterer Elektroden LE verbleiben.
  • In einigen Ausführungsformen verbleibt die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P möglicherweise nicht zwischen einer oberen Ebene LV1 des unteren Stützmusters 142P und einer unteren Ebene LV2 des oberen Stützmusters 144P, und die Seitenwände der unteren Elektroden LE können freigelegt werden.
  • In einigen anderen Ausführungsformen können in der resultierenden Struktur, die durch einen Nassätzprozess erhalten wird, der das dritte Formmuster 136P und das zweite Formmuster 134P entfernt, mindestens Abschnitte der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P verbleiben, die sich in Richtung des Substrats 110 zu einer Ebene LV3 erstrecken (siehe 3), die niedriger ist als die untere Ebene LV2 des oberen Stützmusters 144P, um die Seitenwände der unteren Elektroden LE zwischen der oberen Ebene LV1 des unteren Stützmusters 142P und der unteren Ebene LV2 des oberen Stützmusters 144P zu bedecken. In diesem Fall können obere Abstandhalter-Stützmuster 246P mit Vorsprüngen PR2, wie in 3 gezeigt, erhalten werden.
  • In noch weiteren Ausführungsformen können während des Nassätzprozesses, der das dritte Formmuster 136P und das zweite Formmuster 134P entfernt, Abschnitte der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P, welche zwischen dem oberen Stützmuster 144P und der Mehrzahl unterer Elektroden LE verbleiben, entfernt werden. Folglich kann, wie in 4 gezeigt, eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 346P mit unteren Flächen RS3, die sich auf einer Ebene LV4 befinden, die höher ist als die untere Ebene LV2 des oberen Stützmusters 144P, erhalten werden.
  • In noch weiteren Ausführungsformen können während des Nassätzprozesses, der das dritte Formmuster 136P und das zweite Formmuster 134P entfernt, ein Abschnitt von jedem der Mehrzahl unterer Elektroden LE, ein Abschnitt des oberen Stützmusters 144P und ein Abschnitt von jedem der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 146P von der resultierenden Struktur aus 8F entfernt werden. Folglich kann, wie in 7 gezeigt, ein oberes Stützmuster 644P mit einer oberen Fläche 644T und einer unteren Fläche 644B, die jeweils eine konvex gekrümmte Fläche umfassen, eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster 646P, die jeweils eine vertikale Länge von weniger als einer vertikalen Länge des oberen Stützmusters 644P aufweisen, und eine Mehrzahl unterer Elektroden LE6, die jeweils eine obere Fläche LE6T aufweisen, die eine konvex gekrümmte Fläche umfasst, erhalten werden.
  • Bezugnehmend auf 8H kann eine dielektrische Schicht 160 ausgebildet werden, um freigelegte Flächen der unteren Elektrode LE zu bedecken.
  • Die dielektrische Schicht 160 kann unter Verwendung eines ALD-Prozesses ausgebildet werden. Die dielektrische Schicht 160 kann HfO2, ZrO2, Al2O3, La2O3, Ta2O3, Nb2O5, CeO2, TiO2, GeO2, oder eine Kombination aus denselben umfassen, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Danach kann eine obere Elektrode UE auf der resultierenden Struktur aus 8H ausgebildet werden, um die dielektrische Schicht 160 zu bedecken, wodurch die IC-Vorrichtung 100, welche den Kondensator CP1 umfasst, gezeigt in 2B, hergestellt wird. Die obere Elektrode UE kann unter Verwendung eines CVD-Prozesses, eines MOCVD-Prozesses, eines physikalischen Gasphasenabscheidungs(PVD)-Prozesses oder eines ALD-Prozesses ausgebildet werden.
  • In dem Verfahren zur Herstellung der IC-Vorrichtung, die unter Bezugnahme auf 8A bis 8H beschrieben wurde, können Freiräume zwischen den oberen Enden der Mehrzahl unterer Elektroden LE mit dem oberen Stützmuster 144P und dem oberen Abstandhalter-Stützmuster 146P ausgefüllt sein. So kann ein ausreichender Trennabstand zwischen den oberen Enden der Mehrzahl unterer Elektroden LE sichergestellt werden. Entsprechend kann, selbst falls Höhen der Mehrzahl unterer Elektroden LE vergrößert sind und Seitenverhältnisse der Mehrzahl unterer Elektroden LE relativ vergrößert sind, um Kapazitäten zu verbessern, die Mehrzahl unterer Elektroden LE daran gehindert werden, zu kippen oder zusammenzufallen. Folglich kann das Auftreten ungewünschter Kurzschlüsse zwischen benachbarten unteren Elektroden LE verhindert/reduziert werden und die Massenproduktionseffizienz und Zuverlässigkeit der IC-Vorrichtung kann verbessert werden.

Claims (19)

  1. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) aufweisend: eine untere Elektrode (LE), die auf einem Substrat (110) ausgebildet ist; und eine obere Stützstruktur (USS), die derart eingerichtet ist, dass sie die untere Elektrode (LE) stützt, wobei die obere Stützstruktur (USS) um die untere Elektrode (LE) herum angeordnet ist, wobei die obere Stützstruktur (USS) aufweist: ein oberes Stützmuster (144P), welches die untere Elektrode (LE) umgibt und sich in einer lateralen Richtung parallel zu dem Substrat (110) erstreckt, wobei das obere Stützmuster (144P) ein Loch aufweist, durch das die untere Elektrode (LE) verläuft; und ein oberes Abstandhalter-Stützmuster (146P), das sich zwischen dem oberen Stützmuster (144P) und der unteren Elektrode (LE) in dem Loch befindet und das eine äußere Seitenwand aufweist, die mit dem oberen Stützmuster (144P) in Kontakt ist, und das eine innere Seitenwand aufweist, die mit der unteren Elektrode (LE) in Kontakt ist, wobei sich eine Breite des oberen Abstandhalter-Stützmusters (146P) in der lateralen Richtung in einer Richtung zum Substrat (110) hin verringert, wobei das obere Abstandhalter-Stützmuster (146P) einen Siliciumcarbonitrid-Film, einen borhaltigen Siliciumnitrid-Film, oder eine Kombination daraus aufweist.
  2. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) nach Anspruch 1, wobei das obere Stützmuster (144P) eine geneigte Seitenwand hat, die sich gegenüber und beabstandet von der unteren Elektrode (LE) befindet, wobei sich das obere Abstandhalter-Stützmuster (146P) dazwischen befindet, und sich die geneigte Seitenwand des oberen Stützmusters (144P) in lateraler Richtung an die untere Elektrode (LE) in der Richtung zum Substrat (110) hin annähert.
  3. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) nach Anspruch 1, wobei das obere Abstandhalter-Stützmuster (146P) eine Ringform aufweist, die konzentrisch zu der unteren Elektrode (LE) angeordnet ist und ein oberes Ende der unteren Elektrode (LE) umgibt.
  4. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) nach Anspruch 1, wobei das obere Abstandhalter-Stützmuster (146P) einen Abschnitt umfasst, der einen trapezförmigen Querschnitt oder einen dreieckigen Querschnitt aufweist, dessen Breite in einer Richtung zum Substrat (110) hin reduziert ist.
  5. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) nach Anspruch 1, wobei das obere Stützmuster (144P) und das obere Abstandhalter-Stützmuster (146P) das gleiche Material aufweisen.
  6. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) nach Anspruch 1, wobei das obere Stützmuster (144P) und das obere Abstandhalter-Stützmuster (146P) unterschiedliche Materialien aufweisen.
  7. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) nach Anspruch 1, wobei das obere Stützmuster (144P) und das obere Abstandhalter-Stützmuster (146P) dieselben chemischen Elemente aufweisen, und der Gehalt der chemischen Elemente, die in dem oberen Stützmuster (144P) und dem oberen Abstandhalter-Stützmuster (146P) umfasst sind, unterschiedlich ist.
  8. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) nach Anspruch 1, wobei das obere Stützmuster (144P) einen Siliciumcarbonitrid-Film mit einem ersten Kohlenstoffatomgehalt aufweist, das obere Abstandhalter-Stützmuster (146P) einen Siliciumcarbonitrid-Film mit einem zweiten Kohlenstoffatomgehalt aufweist, und der zweite Kohlenstoffatomgehalt höher ist als der erste Kohlenstoffatomgehalt.
  9. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) nach Anspruch 1, wobei das obere Stützmuster (144P) einen ersten Kohlenstoffatomgehalt hat, der aus einem Bereich von 3,5 Atomprozent (At.-%) bis 4,5 At.-% ausgewählt ist, und das obere Abstandhalter-Stützmuster (146P) einen zweiten Kohlenstoffatomgehalt hat, der aus einem Bereich von 4,5 At.-% bis 5,5 At.-% ausgewählt ist und der höher ist als der erste Kohlenstoffatomgehalt.
  10. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) nach Anspruch 1, wobei das obere Stützmuster (144P) eine erste Dichte hat und das untere Abstandhalter-Stützmuster (146P) eine zweite Dichte aufweist, wobei die zweite Dichte niedriger ist als die erste Dichte.
  11. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) nach Anspruch 1, wobei das obere Stützmuster (144P) eine obere Fläche aufweist, die eine konvex gekrümmte Fläche in einer Richtung vom Substrat (110) weg umfasst, und eine untere Fläche, die eine konvex gekrümmte Fläche zum Substrat (110) hin umfasst.
  12. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) aufweisend: eine Mehrzahl unterer Elektroden (LE), die auf einem Substrat (110) und voneinander beabstandet angeordnet sind; ein oberes Stützmuster (144P), welches sich in einer lateralen Richtung parallel zu dem Substrat (110) erstreckt, wobei das obere Stützmuster (144P) eine Mehrzahl an Löchern aufweist, durch die die Mehrzahl unterer Elektroden (LE) verläuft; und eine Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P), die eins-zu-eins in der Mehrzahl von Löchern angeordnet ist, und wobei jede der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P) eine äußere Seitenwand in Kontakt mit dem oberen Stützmuster (144P) aufweist und eine innere Seitenwand in Kontakt mit einer entsprechenden der Mehrzahl unterer Elektroden (LE) und eine Breite in der lateralen Richtung aufweist, die sich in einer Richtung zum Substrat (110) hin verringert, wobei jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P) jeweils eine Siliciumcarbonitrid-Schicht, eine borhaltige Siliciumnitrid-Schicht, oder eine Kombination daraus aufweist.
  13. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) nach Anspruch 12, wobei das obere Stützmuster (144P) eine obere Fläche aufweist, die eine Fläche umfasst, die in einer Richtung vom Substrat (110) weg konvex gekrümmt ist, und eine untere Fläche, die eine Fläche umfasst, die in einer Richtung zum Substrat (110) hin konvex gekrümmt ist, und jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P) eine Ringform aufweist, die konzentrisch zu der entsprechenden unteren Elektrode (LE) angeordnet ist und die entsprechende untere Elektrode (LE) entweder in einer geschlossenen Ringform oder in einer offenen Ringform umgibt, wobei ein Abschnitt eines geschlossenen Rings in der offenen Ringform entfernt ist, und mindestens eines der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P) eine offene Ringform aufweist.
  14. Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) nach Anspruch 12, wobei ein Kohlenstoffatomgehalt jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P) höher ist als ein Kohlenstoffatomgehalt des oberen Stützmusters (144P).
  15. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 12, wobei eine Dichte jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P) niedriger ist als eine Dichte des oberen Stützmusters (144P).
  16. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 12, ferner aufweisend ein unteres Stützmuster (142P), das sich in der lateralen Richtung zwischen dem Substrat (110) und dem oberen Stützmuster (144P) erstreckt, wobei das untere Stützmuster (142P) mit der Mehrzahl unterer Elektroden (LE) in Kontakt ist, wobei ein Kohlenstoffatomgehalt jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P) höher ist als ein Kohlenstoffatomgehalt des unteren Stützmusters (142P), und eine Dichte jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P) niedriger ist als eine Dichte des unteren Stützmusters (142P).
  17. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 12, aufweisend: eine obere Stützstruktur (USS) aufweisend das oberes Stützmuster (144P) und die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P); ein unteres Stützmuster (142P), das sich in der lateralen Richtung zwischen dem Substrat (110) und der oberen Stützstruktur (USS) erstreckt, und das in Kontakt mit der Mehrzahl unterer Elektroden (LE) ist, eine dielektrische Schicht, die mit der Mehrzahl unterer Elektroden (LE), dem oberen Stützmuster (144P), der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P) und dem unteren Stützmuster (142P) in Kontakt ist, und eine obere Elektrode (UE), die sich gegenüber von der Mehrzahl unterer Elektroden (LE) befindet, wobei die dielektrische Schicht dazwischen liegt.
  18. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 17, wobei das untere Stützmuster (142P) und das obere Stützmuster (144P) das gleiche Material aufweisen, die Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P) und die oberen und unteren Stützmuster (144P, 142P) Kohlenstoffatome umfassen, ein Kohlenstoffatomgehalt jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P) höher ist als ein Kohlenstoffatomgehalt von jeweils dem unteren Stützmuster (142P) und dem oberen Stützmuster (144P), und eine Dichte jedes der Mehrzahl oberer Abstandhalter-Stützmuster (146P) niedriger ist als eine Dichte von jeweils dem unteren Stützmuster (142P) und dem oberen Stützmuster (144P).
  19. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 17, wobei das untere Stützmuster (142P) und das obere Stützmuster (144P) jeweils eine Siliciumcarbonitrid-Schicht mit einem ersten Kohlenstoffatomgehalt aufweisen, der aus einem Bereich von 3,5 At.-% bis 4,5 At.-% ausgewählt ist, und jedes der Mehrzahl der oberen Abstandhalter-Stützmuster (146P) eine Siliciumcarbonitrid-Schicht mit einem zweiten Kohlenstoffatomgehalt aufweist, der aus einem Bereich von 4,5 At.-% bis 5,5 At.-% ausgewählt ist und der höher ist als der erste Kohlenstoffatomgehalt.
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