DE102007034184B4

DE102007034184B4 - Verfahren zum Einstellen einer Programmierstartvorspannung für eine Flash-Speichervorrichtung und Programmierverfahren unter Verwendung desselben

Info

Publication number: DE102007034184B4
Application number: DE102007034184A
Authority: DE
Inventors: Suk Kyung Kim
Original assignee: Hynix Semiconductor Inc
Current assignee: SK Hynix Inc
Priority date: 2006-11-03
Filing date: 2007-07-23
Publication date: 2012-04-26
Anticipated expiration: 2027-07-24
Also published as: CN101174471B; KR100780773B1; CN101174471A; JP5175068B2; US7548464B2; TW200822121A; JP2008117508A; US20080106944A1; DE102007034184A1; TWI344647B

Abstract

Verfahren zum Einstellen einer Programmierstartvorspannung für eine Flash-Speichervorrichtung, wobei das Verfahren die folgenden Verfahrensschritte aufweist: Durchführen eines Vorprogrammierens einer ausgewählten Speicherzelle unter Verwendung einer ersten Progranierspannung; Messen einer höchsten Schwellenspannung der ausgewählten Speicherzelle nach dem Vorprogrammieren; Berechnen einer Differenz zwischen der höchsten Schwellenspannung und einer höchsten Zielschwellenspannung einer Zielschwellenspannungsverteilung; und Einstellen einer Startvorspannung durch Hinzuaddieren der Differenz zu der ersten Programmierspannung für den Programmiervorgang.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Flash-Speichervorrichtung, und insbesondere ein Verfahren zum Einstellen einer Programmierstartvorspannung für eine NAND-Flash-Speichervorrichtung, welche ein Incremental-Step-Pulse-Programming-(ISPP-)Schema verwendet, und ein Verfahren zum Programmieren einer NAND-Flash-Speichervorrichtung unter Verwendung des Einstellverfahrens einer Programmierstartvorspannung.
Im Allgemeinen weist ein NAND-Flashspeicher einen Strang bzw. String von Zellen auf, die in Reihe verbunden sind. Der String kann einen oder mehrere Stringauswahltransistoren besitzen. Ein Vorgang zum Programmieren und/oder Löschen einer NAND-Flash-Speichervorrichtung wird durch ein Tunneln, wie beispielsweise Fowler-Nordheim-(F-N-)Tunneln durchgeführt. In spezieller Weise verwendet der Vorgang zum Programmieren einer NAND-Flash-Speichervorrichtung eine Kopplung zwischen dem Gate und dem Kanal. Zum Beispiel weist eine zu programmierende Zelle eine relativ große Spannungsdifferenz zwischen dem Gate und dem Kanal auf, während eine nicht zu programmierende Zelle eine relativ kleine Spannungsdifferenz zwischen dem Gate und dem Kanal besitzt. Der Vorgang zum Programmieren einer NAND-Flash-Speichervorrichtung weist ach eine Zellenschwellenspannungsverteilung auf.
Im Allgemeinen wird die Zellenschwellenspannungsverteilung unter Verwendung eines Incremental-Step-Pulse-Programming-(ISPP-)Schemas eingestellt. Gemäß dem allgemeinen ISPP-Schema wird ein Programmieren durchgeführt, indem sequenziell Vorspannungen aufgebracht werden, wobei mit einer Startvorspannung begonnen wird, welche in Schritten von ΔV, wie in 1 gezeigt ist, inkrementiert bzw. erhöht wird. Das bedeutet, dass ein Programmieren zuerst mit der ersten Vorspannung V_ISPP1 als Startvorspannung durchgeführt und dann mit der zweiten Vorspannung V_ISPP2 durchgeführt wird, welche dadurch erhalten wird, indem die erste Vorspannung V_ISPP1 um ΔV vergrößert wird. Dieser Prozess wird wiederholt, bis die letzte Vorspannung V_ISPPn aufgebracht wird. Ein Programmierprüfprozess wird mit einer relativ niedrigen Prüfspannung V_verify zwischen jeder Programmierperiode ausgeführt. Im Stand der Technik ist es bekannt, dass ein solches ISPP-Programmieren das Vorkommen von Überprogrammieren unterdrückt. Überprogrammieren ist ein Phänomen, bei welchem ein Lesevorgang einer Zelle fehlerhaft ist, da ein Teil der programmierten Zellenschwellenspannungsverteilung die Lesespannung überschreitet.
Es ist jedoch unter Verwendung des ISPP-Schemas nicht möglich, eine Aufweitung der Zellenschwellenspannungsverteilung aus verschiedenen Gründen zu vermeiden, wie in 2 dargestellt ist. Besonders können Zellenschwellenspannungsverteilungen 220, 230 und 240, welche im Vergleich zu der idealen Zellenschwellenspannungsverteilung 210 aufgeweitet sind, auf Grund von parasitären Einwirkungen, wie zum Beispiel Prüf- gegenüber Lese-Offset, Programmiergeschwindigkeit, Hintergrundmuster- bzw. Back-Pattern-Abhängigkeiten und Floatinggate-Kopplung, auftreten. Zusätzlich kann sich die Zellenschwellenspannungsverteilung auf Grund von zyklischem Durchlaufen von Programmieren und Löschen nach rechts verschieben. Das Aufweiten oder die Rechtsverschiebung der Zellenschwellenspannungsverteilung kann ein Überprogrammier-Phänomen verursachen, welches einen Fehler der Vorrichtung ergibt. Die Druckschrift DE 10 2005 020 797 A1 offenbart ein Programmierverfahren für ein nichtflüchtiges Speicherbauelement, welches in Programmierschleifendurchläufen jeweils eine Programmierspannung schrittweise um einen vorbestimmten Spannungswert erhöht.
KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Ausführungen der vorliegenden Erfindung betreffen ein Verfahren zum Einstellen einer Programmierstartvorspannung für eine Flash-Speichervorrichtung unter Verwendung eines ISPP-Schemas, um das Auftreten eines Überprogrammierphänomens zu verhindern, auch wenn die Zellenschwellenspannungsverteilung aufgeweitet oder nach rechts auf Grund von parasitären Effekten oder Zyklen verschoben worden ist.
Ausführungen der vorliegenden Erfindung betreffen auch ein Verfahren zum Programmieren einer Flash-Speichervorrichtung unter Verwendung des obigen Verfahrens zum Einstellen einer Programmierstartvorspannung.
In einer Ausführung weist ein Verfahren zum Einstellen einer Programmierstartvorspannung für eine Flash-Speichervorrichtung zum Ausführen eines Programmiervorgangs gemäß einem ISPP-Schema folgende Verfahrensschritte auf: Durchführen eines Vorprogrammierens zum Ändern einer Schwellenspannungsverteilung eines ausgewählten Transistors unter Verwendung einer ersten Programmierspannung; Ermitteln einer maximalen Schwellenspannungshöhe der geänderten Schwellenspannungsverteilung; Berechnen einer Differenz zwischen der ermittelten maximalen Schwellenspannungshöhe und einer maximalen Zielschwellenspannungshöhe; und Einstellen einer Startvorspannung auf eine Spannung, welche durch Hinzuaddieren der berechneten Differenz zu der ersten Programmierspannung erhalten wird.
Bei einer weiteren Ausführung weist ein Verfahren zum Programmieren einer Flash-Speichervorrichtung zum Durchführen eines Programmiervorgangs gemäß einem ISPP-Schemas folgende Verfahrensschritte auf: Durchführen eines Vorprogrammierens zum Ändern einer Schwellenspannungsverteilung eines ausgewählten Transistors unter Verwendung einer ersten Programmierspannung; Ermitteln einer maximalen Schwellenspannungshöhe der geänderten Schwellenspannungsverteilung; Berechnen einer Differenz zwischen der ermittelten maximalen Schwellenspannungshöhe und einer maximalen Zielschwellenspannungshöhe; Einstellen einer Startvorspannung auf eine Spannung, welche durch Hinzuaddieren der berechneten Differenz zu der ersten Programmierspannung erhalten wird; und Durchführen eines Programmierens, indem abwechselnd eine Programmierspannung, welche – beginnend mit der Startvorspannung – durch eine vorher festgelegten Höhe inkrementiert wird, und eine Prüfspannung zur Programmierprüfung hinzuaddiert auf den ausgewählten Transistor aufgebracht wird.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist ein Impulsdiagramm, welches ein allgemeines Incremental-Step-Pulse-Programming-(ISPP-)Schema illustriert.
2 ist eine grafische Darstellung, welche eine Aufweitung einer Zellenschwellenspannungsverteilung auf Grund von parasitären Effekten illustriert.
3 ist ein Flussdiagramm, welches ein Verfahren zum Einstellen einer Programmierstartvorspannung für eine Flash-Speichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung illustriert.
4 illustriert Impulswellenformen gemäß einem Incremental-Step-Pulse-Programming-(ISPP-)Schema, welches in einem Programmierverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung benutzt wird.
5 und 6 sind Diagramme von Schwellenspannungsverteilungen, welche ein Verfahren zum Einstellen einer Programmierstartvorspannung gemäß der vorliegenden Erfindung illustrieren.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
3 ist ein Flussdiagramm zur Illustration eines Verfahrens zum Einstellen einer Programmierstartvorspannung für eine Flash-Speichervorrichtung und eines Programmierverfahrens unter Verwendung desselben gemäß der vorliegenden Erfindung. 4 illustriert Impulswellenformen gemäß einem Incremental-Steg-Pulse-Programming-(ISPP-)Schema, welches bei dem Programmierverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung benutzt wird.
Wie in 3 und 4 dargestellt ist, wird ein Vorprogrammieren zuerst mit einer ersten Vorspannung V₁ (Verfahrensschritt 310) durchgeführt.
Die erste Vorspannung V₁, welche zur Durchführung des Vorprogrammierens benutzt wird, weist eine Höhe in dem Bereich von ungefähr 13 V bis 22 V (zum Beispiel 16 V) auf. Wenn das Vorprogrammieren auf diese Weise durchgeführt wird, besitzen ausgewählte Transistoren eine Zellenschwellenspannungsverteilung 510, welche eine Größe und Breite wie in 5 dargestellt aufweist. Die Zellenschwellenspannungsverteilung 510 ist so gebildet, dass sie 0 V einschließt. Wenn zum Beispiel ein Vorprogrammieren mit der ersten Vorspannung V₁ auf einer Höhe in dem Bereich von 13 bis 22 V (zum Beispiel 16 V) durchgeführt wird, überschreitet ein rechter Abschnitt der Zellenschwellenspannungsverteilung 510 die 0 V, wie in 5 gezeigt ist.
Eine zu erreichende Zellenschwellenspannungsverteilung 520 ist auch in 5 gezeigt. Diese zu erreichende Zellenschwellenspannungsverteilung 520 ist vorher so festgelegt, dass sie einen spezifischen Überprogrammierspielraum V_M (zum Beispiel in dem Bereich von 1 V bis 3 V) aufweist. Dieser Spielraum V_M dient zur Kompensation der Verschiebung der Spannungsverteilung 520 zu einer Zellenschwellenspannungsverteilung 530 nach zyklischem Durchlaufen bzw. Betrieb. Das bedeutet, dass die maximale Schwellenspannungshöhe der voreingestellten Zellenschwellenspannungsverteilung 520 auf ungefähr 1 V bis 3 V niedriger einzustellen ist als eine mit einer gestrichelten Linie dargestellten Lesespannung 540, welche bei einem Lesevorgang auf eine Wortleitung aufgebracht ist.
In bestimmten Situationen kann die maximale Schwellenspannungshöhe der voreingestellten Zellenschwellenspannungsverteilung 520 basierend auf einer Programmierprüfspannung eingestellt werden. In diesem Fall kann die maximale Schwellenspannungshöhe der vorher festgelegten Zellenschwellenspannungsverteilung 520 auf den gleichen Wert einer Spannungshöhe eingestellt werden, welche durch Hinzuaddieren einer ISPP-Stufenvorspannung ΔV zu der Programmierprüfspannung erhalten wird. Zum Beispiel beträgt die maximale Schwellenspannungshöhe der voreingestellten Zellenschwellenspannungsverteilung 520 ungefähr 1,5 V, wenn die Programmierprüfspannung 1 V beträgt und die ISPP-Stufenvorspannung ΔV 0,5 V einen Wert von 0,5 V aufweist.
Nachdem ein Vorprogrammieren durchgeführt worden ist, wird eine Abweichung (oder Differenz) (Δ) zwischen der zu erreichenden (oder gewünschten) Zellenschwellenspannungsverteilung 520 und der Zellenschwellenspannungsverteilung 510, welche durch das Vorprogrammieren erlangt worden ist, gebildet (Verfahrensschritte 320, 330, 340, 350). Um dies auszuführen, wird zuerst ein Abtastvorgang zur Feststellung der maximalen Schwellenspannungshöhe der durch das Vorprogrammieren erhaltenen Zellenschwellenspannungsverteilung 510 durchgeführt.
Insbesondere wird ein Impuls einer Abtastvorspannung V_S1 auf Transistoren aufgebracht, welche dem Vorprogrammieren wie in 6 (Verfahrensschritt 320) gezeigt unterzogen worden sind. Da die durch das Vorprogrammieren erlangte Schwellenspannungsverteilung 510 mit Einbeziehen von 0 V gebildet wurde, beginnt das Abtasten bzw. Scannen bei 0 V, und die Abtastvorspannung V_si kann dementsprechend 0 V betragen.
Nachdem der Impuls der Abtastvorspannung V_S1 aufgebracht worden ist, wird festgelegt, ob das Programmieren erfolgreich war oder nicht (das heißt, ob seine Überprüfung positiv verlaufen ist) (Verfahrensschritt 330). Das Programmieren wird als erfolgreich festgelegt, wenn der ausgewählte Transistor beim Aufbringen des Impulses der Abtastvorspannung V_S1 auf eine Wortleitung des ausgewählten Transistors nicht eingeschaltet wird. Das Programmieren wird als fehlgeschlagen festgelegt, wenn der ausgewählte Transistor beim Aufbringen des Impulses der Abtastvorspannung V_S1 eingeschaltet wird.
Wenn das Programmieren als erfolgreich festgelegt worden ist, wird die Höhe der aufgebrachten Abtastvorspannung V_S1 als im Wesentlichen gleich zu derjenigen der maximalen Schwellenspannungshöhe betrachtet, und die Abweichung Δ wird dementsprechend berechnet (Verfahrensschritt 350). Wenn jedoch das Programmieren als fehlgeschlagen festgelegt worden ist, wird angenommen, dass die maximale Schwellenspannungshöhe noch nicht erreicht worden ist, und eine inkrementale Abtastvorspannung ΔV_scan (zum Beispiel mit einer Höhe von 0,05 V bis 0,8 V) wird der Abtastvorspannung V_S1 hinzuaddiert (Verfahrensschritt 340). Das Verfahren kehrt dann zum Verfahrensschritt 320 zurück. Die Vorspannung eines Impulses, der bei diesem Verfahrensschritt aufgebracht wird, ist die Summe aus der Abtastvorspannung V_S1 und der inkrementalen Abtastvorspannung ΔV_scan. Es wird dann erneut festgelegt, ob das Programmieren erfolgreich war oder nicht (Verfahrensschritt 330). Wenn das Programmieren nicht erfolgreich war, werden der Verfahrensschritt 340 des Hinzuaddierens der inkrementalen Abtastvorspannung zu der Abtastvorspannung V_S1 und der Verfahrensschritt 320 des Aufbringens eines Impulses der erhöhten Abtastvorspannung wiederholt, bis das Programmieren erfolgreich ist.
Nachdem die maximale Schwellenspannungshöhe der durch Vorprogrammieren gebildeten Zellenschwellenspannungsverteilung 510 abgetastet worden ist, wird eine Abweichung Δ zwischen der zu erreichenden Zellenschwellenspannungsverteilung 520 und der abgetasteten maximalen Schwellenspannungshöhe der Zellenschwellenspannungsverteilung 510, berechnet (Verfahrensschritt 350). Die Abweichung Δ kann durch Subtrahieren der abgetasteten maximalen Schwellenspannungshöhe von der maximalen Schwellenspannungshöhe der zu erreichenden Zellenschwellenspannungsverteilung 520 erlangt werden. Nach Erhalt der Abweichung Δ wird eine Spannungshöhe, welche durch Hinzuaddieren der Abweichung Δ zu der ersten beim Vorprogrammieren benutzten Vorspannung V1 erhalten wird, als eine Startvorspannung V_ISPP1 wie in 4 gezeigt eingestellt (Verfahrensschritt 360).
Nachdem die Startvorspannung V_ISPP1 im Verfahrensschritt 360 eingestellt worden ist, wird ein Programmieren unter Verwendung eines Impulses mit dieser Startvorspannung V_ISPP1 durchgeführt (Verfahrensschritt 370). Dann wird eine normale Programmierüberprüfung ausgeführt (Verfahrensschritt 380). Insbesondere wird eine Prüfspannung auf die Wortleitung des ausgewählten Transistors aufgebracht, um festzulegen, ob das Programmieren richtig durchgeführt worden ist oder nicht (Verfahrensschritt 380). Wenn festgelegt wird, dass das Programmieren richtig ausgeführt wurde und somit das Programmieren der Zelle erfolgreich ist, wird der Programmiervorgang der Zelle abgeschlossen. Wenn das Programmieren der Zelle jedoch nicht erfolgreich war, wird die Abtastvorspannung ΔV zu der Startvorspannung V_ISPP1 hinzuaddiert, und eine zweite Vorspannung V_ISPP2 wird als Startvorspannung eingestellt (Verfahrensschritt 390). Das Verfahren kehrt dann zu Verfahrensschritt 370 zurück, um ein Programmieren unter Verwendung eines Impulses mit der eingestellten zweiten Vorspannung V_ISPP2 durchzuführen. Das Verfahren wird wiederholt, bis dass alle Zellen korrekt programmiert worden sind.
Wie aus der obigen Beschreibung hervorgeht, hat ein Verfahren zum Einstellen einer Programmierstartvorspannung für eine Flash-Speichervorrichtung und ein Programmierverfahren unter Verwendung desselben gemäß der vorliegenden Erfindung eine Vielzahl von Vorteilen. Es ist zum Beispiel möglich, die Gesamtprogrammierzeit zu reduzieren, da im Vergleich zur Verwendung eines allgemeinen ISPP-Schemas eine relativ kurze Abtast- bzw. Scanzeit erforderlich ist. Auch wenn die Zellenschwellenspannungsverteilung auf Grund von zyklischen Durchläufen nach rechts verschoben ist, ist es möglich, das Auftreten eines Überprogrammier-Phänomens zu unterdrücken, da die Startvorspannung so eingestellt wird, dass die Zellenschwellenspannungsverteilung einen ausreichenden Spielraum aufweist.
Obwohl die obigen Ausführungen der vorliegenden Erfindung für illustrative Zwecke offenbart worden sind, ist es für den Fachmann klar, dass verschiedene Modifikationen, Hinzufügungen und Ersetzungen möglich sind, ohne den Rahmen und Sinn der Erfindung, wie in den begleitenden Ansprüchen offenbart ist, zu verlassen.

Claims

Verfahren zum Einstellen einer Programmierstartvorspannung für eine Flash-Speichervorrichtung, wobei das Verfahren die folgenden Verfahrensschritte aufweist: Durchführen eines Vorprogrammierens einer ausgewählten Speicherzelle unter Verwendung einer ersten Progranierspannung; Messen einer höchsten Schwellenspannung der ausgewählten Speicherzelle nach dem Vorprogrammieren; Berechnen einer Differenz zwischen der höchsten Schwellenspannung und einer höchsten Zielschwellenspannung einer Zielschwellenspannungsverteilung; und Einstellen einer Startvorspannung durch Hinzuaddieren der Differenz zu der ersten Programmierspannung für den Programmiervorgang.
Verfahren nach Anspruch 1, welches weiterhin aufweist: Ausführen des Programmiervorgangs unter Verwendung eines Incremental-Step-Pulse-Programming-(ISPP-)Verfahrens nach Einstellen der Startvorspannung.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Programmierspannung innerhalb eines Bereiches von 13 V bis 22 V liegt.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Programmierspannung 16 V beträgt.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Vorprogrammieren so durchgeführt wird, dass die höchste Schwellenspannung 0 V überschreitet.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Verfahrensschritt Messen der höchsten Schwellenspannung folgende Teilschritte aufweist: Aufbringen einer Abtastvorspannung auf die ausgewählte Speicherzelle nach dem Vorprogrammieren; und Erfolgreiches Überprüfen der ausgewählten Speicherzelle.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Überprüfen der ausgewählten Speicherzelle nicht erfolgreich ist und ein erneutes Überprüfen der ausgewählten Speicherzelle erfolgt, wobei eine Stufenvorspannung der Abtastvorspannung hinzuaddiert wird.
Verfahren nach Anspruch 7, welches weiterhin aufweist: Wiederholen des Aufbringen, Überprüfen und Hinzuaddierens der Stufenvorspannung, bis die ausgewählte Speicherzelle erfolgreich überprüft ist.
Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Stufenvorspannung auf einer Höhe von 0,05 V bis 0,8 V liegt.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei eine anfängliche Höhe der Abtastvorspannung 0 V beträgt.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die höchste Schwellenspannung der Zielschwellenspannungsverteilung so eingestellt wird, dass eine höchste Schwellenspannung einer Schwellenspannungsverteilung, welche durch zyklisches Durchlaufen erhöht worden ist, eine für einen Lesevorgang verwendete Lesespannung nicht überschreitet.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die höchste Schwellenspannung der Zielschwellenspannungsverteilung 1 V bis 3 V niedriger ist als eine Lesespannungshöhe.
Verfahren zum Programmieren einer Flash-Speichervorrichtung, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: Durchführen eines Vorprogrammierens mit einer ausgewählten Speicherzelle unter Verwendung einer ersten Programmierspannung; Messen einer höchsten Schwellenspannung der ausgewählten Speicherzelle nach dem Vorprogrammieren; Berechnen einer Differenz zwischen der höchsten Schwellenspannung und einer höchsten Zielschwellenspannung einer Zielschwellenspannungsverteilung; Einstellen einer Startvorspannung durch Hinzuaddieren der Differenz zu der ersten Programmierspannung; Durchführen des Programmiervorgangs unter Verwendung der Startvorspannung als anfängliche Programmiervorspannung; und Prüfen der ausgewählten Speicherzelle.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Programmiervorspannung mehrmals aufgebracht wird, wobei die Programmiervorspannung jedes Mal, nachdem das Programmieren angewandt worden ist, um eine vorher festgelegte Höhe inkrementiert wird, bis eine letzte Vorspannung erreicht wird.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei eine Prüfspannung zur Prüfung des Programmierens auf die ausgewählte Speicherzelle jedes Mal aufgebracht wird, nachdem die Programmiervorspannung auf die ausgewählte Speicherzelle aufgebracht worden ist.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei die erste Programmierspannung innerhalb eines Bereiches von 13 V bis 22 V liegt.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei die erste Programmierspannung 16 V beträgt.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Vorprogrammieren so durchgeführt wird, dass die höchste Schwellenspannung 0 V überschreitet.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Messen der höchsten Schwellenspannung folgende Teilschritte aufweist: Aufbringen einer Abtastvorspannung auf die ausgewählte Speicherzelle nach dem Vorprogrammieren; Erfolgreiches Überprüfen der ausgewählten Speicherzelle; Erneutes Überprüfen der ausgewählten Speicherzelle, wobei eine Stufenvorspannung der Abtastvorspannung hinzuaddiert wird, wenn das Überprüfen der ausgewählten Speicherzelle nicht erfolgreich ist; und Wiederholen des Aufbringens, Überprüfens und Hinzuaddieren der Stufenvorspannung, bis die ausgewählte Speicherzelle erfolgreich überprüft ist.
Verfahren nach Anspruch 19, wobei eine anfängliche Höhe der Abtastvorspannung 0 V beträgt.
Verfahren nach Anspruch 19, wobei die Stufenvorspannung auf einer Höhe von 0,05 V bis 0,8 V liegt.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei die höchste Schwellenspannung der Zielschwellenspannungsverteilung so eingestellt wird, dass eine höchste Schwellenspannung einer Schwellenspannungsverteilung, welche durch zyklisches Durchlaufen erhöht worden ist, eine für einen Lesevorgang verwendete Lesespannung nicht überschreitet.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei die höchste Schwellenspannung der Zielschwellenspannungsverteilung 1 V bis 3 V niedriger ist als eine Lesespannungshöhe.