DE102006030707B4 - Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement Download PDFInfo
- Publication number
- DE102006030707B4 DE102006030707B4 DE102006030707A DE102006030707A DE102006030707B4 DE 102006030707 B4 DE102006030707 B4 DE 102006030707B4 DE 102006030707 A DE102006030707 A DE 102006030707A DE 102006030707 A DE102006030707 A DE 102006030707A DE 102006030707 B4 DE102006030707 B4 DE 102006030707B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gas
- range
- dielectric layer
- hpa
- standard conditions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02194—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing more than one metal element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/3141—Deposition using atomic layer deposition techniques [ALD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02181—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing hafnium, e.g. HfO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02183—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing tantalum, e.g. Ta2O5
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02186—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing titanium, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02189—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing zirconium, e.g. ZrO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02192—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing at least one rare earth metal element, e.g. oxides of lanthanides, scandium or yttrium
Abstract
Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement, aufweisend: Bilden einer Bodenelektrode über einem Halbleitersubstrat; Bilden einer dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht über der Bodenelektrode unter Verwendung eines atomaren Schichtabscheidungs(ALD)-Verfahrens, wobei die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht eine Zirkonium(Zr)-Komponente, eine Aluminium(Al)-Komponente und eine Sauerstoff (O) Komponente aufweist, gemischt in vorbestimmten Mol-Fraktionen von x, y bzw. z; und Bilden einer oberen Elektrode über der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht, wobei die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht durch Durchführen eines Einheitszyklus aus folgenden, aufeinander folgend ausgeführten sechs Schritten erhalten wird: – Adsorbieren eines Zr-Quellengases auf der Bodenelektrode; – Zuführen eines ersten Ausblasgases, um nicht adsorbierte Teile des Zr-Quellengases auszublasen; – Adsorbieren eines Al-Quellengases auf dem auf dem Target zur Verfügung gestellten Zr-Quellengas; – Zuführen eines zweiten Ausblasgases, um nicht adsorbierte Teile des Al-Quellengases auszublasen; – Zuführen eines Reaktionsgases, um mit den Zr- und Al-Quellengasen, die auf dem Target zur Verfügung gestellt sind, zu reagieren, wodurch...
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements; und weiter insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement.
- Derartige Verfahren sind beispielsweise aus der
US 2005/0054165 A1 US 2005/0212031 A1 US 2005/0054156 A1 JP 2002 0 60944 A DE 10 2005 052322 A1 bekannt geworden. Insbesondere ist aus der US 2005/0054165 A1 ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement bekannt geworden, bei dem eine Bodenelektrode über einem Halbleitersubstrat gebildet wird, eine dielektrische ZrxAlyOz-Schicht über der Bodenelektrode unter Verwendung eines atomaren Schichtabscheidungsverfahrens gebildet wird, wobei die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht eine Zirkoniumkomponente eine Aluminiumkomponente und eine Sauerstoffkomponente aufweist, die in einem vorbestimmten Mol-Verhältnis gemischt ist und wobei eine obere Elektrode über der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht gebildet wird, wobei das sauerstoffhaltige Reaktionsgas zweimal zugeführt wird. - Da Halbleiterbauelemente, wie etwa ein DRAM, hochintegriert sein werden, nimmt die Einheitszellengröße und eine Betriebsspannung ab. Somit wird die Bauelementauffrischzeit oft verkürzt und es kann oft ein Softfehler auftreten. Um diese Beschränkungen zu überwinden, müssen Kondensatoren entwickelt werden, um eine Kapazität von 25 fF pro Zelle oder darüber und einen reduzierten Leckstrom aufzuweisen.
- Im Allgemeinen ist ein Kondensator, der in einer Struktur eines Nitrids und eines Oxids (NO) unter Verwendung von Si3N4 als ein dielektrisches Material gebildet wird, bezüglich der Kapazität nachteilig, wenn es zu einer hohen Integration kommt. Es sind nicht genug Bereiche vorhanden, um die benötigte Kapazität zu erzielen. Statt Si3N4 zu verwenden, wird eine Kondensatorstruktur entwickelt, die ein dielektrisches Material mit hohem K, wie z. B. Tantaloxid (Ta2O5), Lanthanoxid (La2O3) oder Hafniumoxid (HfO2) in einer einzelnen dielektrischen Schicht verwendet, um ausreichende Kapazität zu erhalten. Diese spezielle Kondensatorstruktur wird eine Polysilizium-Isolator-Polysilizium(SIS)-Struktur genannt.
- Eine SIS-Kondensator-Struktur unter Verwendung eines dielektrischen Al2O3 Materials kann jedoch Kapazitätsbeschränkungen bezüglich eines dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAMs) mit einem Niveau von 512 M oder höher aufweisen. Somit sind viele Entwickler entweder auf ein Entwickeln anderer Kondensatorstrukturen fokussiert, wie etwa eine Metall-Isolator-Metall(MIM)-Struktur unter Verwendung einer Titannitrid(TiN)-Elektrode und einer dielektrischen HfO2/Al2O3 oder HfO2/Al2O3/HfO2 Struktur.
- Wenn die zuvor erwähnte Kondensatorstruktur verwendet wird, dann beträgt die erwartete äquivalente Oxiddicke (Tox) etwa 1,2 nm. Um eine Kapazität zu erhöhen ohne eine Oxiddicke zu reduzieren, kann eine Kondensatorfläche mit einer 3D-Elektrodenstruktur vergrößert werden. In DRAM-Produkten mit einem sub-70 nm Niveau mit Metall-Zwischenverbindungstechnologie kann ein Erreichen einer Zellenkapazität von etwa 25 fF/Zelle oder höher in einer komplexen Bodenelektrodenstruktur resultieren. Dementsprechend kann es schwierig sein, die gewünschte Kapazität zu erreichen, wenn die Fläche der Bodenelektrodenstruktur nicht vergrößert wird.
- Zuletzt haben viele Studien bezüglich MIM-Kondensatorstrukturen einen Fortschritt verzeichnet. Diese MIM-Kondensatorstrukturen verwenden ein Edelmetall, beispielsweise Ruthenium (Ru), als ein Elektrodenmaterial, und Ta2O5 oder HfO2 als ein einzelnes dielektrisches Material.
- Wenn die äquivalente Oxiddicke jedoch auf etwa 1,2 nm oder weniger zusammen mit einer Verwendung der Ru-Elektrode reduziert wird, neigt der MIM-Kondensator dazu, einen hohen Leckstrom aufzuweisen; in einigen Fällen etwa 1 fA pro Zelle. Dementsprechend kann es schwierig sein, diesen MIM-Kondensator in einem DRAM, der sub-70 nm Niveau Zwischenverbindungstechnologie verwendet und eine Kapazität von 512 M oder darüber aufweist, zu implementieren.
- Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement, wobei der Leckstrom reduziert wird und eine Kapazität erhöht wird, für DRAM-Produkte, die mit sub-70 nm Niveau Zwischenverbindungstechnologie implementiert sind.
- In Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators mit einer Bodenelektrode mit gegenüber dem Stand der Technik verbesserten elektrischen Eigenschaften in einem Halbleiterbauelement zur Verfügung gestellt, aufweisend: Bilden einer Bodenelektrode; Bilden einer dielektrischen ZrxAly-Oz-Schicht auf der Bodenelektrode unter Verwendung eines atomaren Schichtabscheidungs(ALD)-Verfahrens, wobei die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht eine Zirkonium (Zr) Komponente, eine Aluminium (Al) Komponente und eine Sauerstoff (O) Komponente aufweist, gemischt in vorbestimmten Mol-Fraktionen von x, y bzw. z; und Bilden einer oberen Elektrode auf der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht, wobei die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht durch Durchführen eines Einheitszyklus aus folgenden, aufeinander folgend ausgeführten sechs Schritten erhalten wird: Adsorbieren eines Zr-Quellengases auf der Bodenelektrode; Zuführen eines ersten Ausblasgases, um nicht adsorbierte Teile des Zr-Quellengases auszublasen; Adsorbieren eines Al-Quellengases auf dem auf dem Target zur Verfügung gestellten Zr-Quellengas; Zuführen eines zweiten Ausblasgases, um nicht adsorbierte Teile des Al-Quellengases auszublasen; Zuführen eines Reaktionsgases, um mit den Zr- und Al-Quellengasen, die auf dem Target zur Verfügung gestellt sind, zu reagieren, wodurch die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht gebildet wird; Zuführen eines dritten Ausblasgases, um nicht reagierte Teile des Reaktionsgases zu entfernen.
-
1 ist ein Diagramm, welches eine Kondensatorstruktur in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt; -
2A bis2C sind Querschnitte, die ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen; und -
3 ist ein Diagramm zum Beschreiben sequenzieller Operationen eines Bildens einer dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht, basierend auf einem atomaren Schichtabscheidungs(ALD)-Verfahren in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - Bestimmte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im Detail mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben, wobei gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente in verschiedenen Zeichnungen bezeichnen.
- Gemäß
1 werden eine dielektrische ZrxAlyOz-Schicht16 und eine obere Elektrode17 sequenziell auf einer Bodenelektrode15 gebildet. Die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht16 weist bestimmte Mol-Fraktionen aus Zirkonium (Zr), Aluminium (Al) und Sauerstoff (O) auf. Auch wird die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht16 unter Verwendung eines atomaren Dampfabscheidungs(ALD)-Verfahrens bis zu einer ungefähren Dicke zwischen 5 nm und 10 nm gebildet. - In der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht
16 repräsentieren die Indizes x, y und z in „ZrxAlyOz” Mol-Fraktionen aus Zr, Al bzw. O. Diese Mol-Fraktionen kommen auf etwa 1, wenn sie addiert werden, (d. h. x + y + z). Auch liegt das Verhältnis von x zu y in einem ungefähren Bereich zwischen 1:1 und 10:1. Dieses Verhältnis zeigt an, dass die Mol-Fraktion der Zr-Komponente in der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht16 in einem Bereich von gleich der Al-Komponente bis zum 10-fachen größer als die Al-Komponente liegen kann. - Gemäß
2A wird eine Zwischenschichtisolationsschicht12 über einem Substrat11 gebildet, in welchem Bodenstrukturen einschließlich Bit-Leitungen und Transistoren bereits gebildet sind. Die Zwischenschichtisolationsschicht12 wird geätzt, um Kontaktlöcher13 zu bilden, die Verbindungsregionen des Substrats11 oder Angriffspunktpfropfenpolys (LPPs) exponieren. Ein leitendes Material füllt die Kontaktlöcher13 , um Speicherknotenkontakte14 zu bilden. - Ein Bodenelektrodenmaterial wird über der Zwischenschichtisolationsschicht
14 und den Speicherknotenkontakten14 gebildet. Dann wird ein chemisch-mechanischer Polier(CMP)-Prozess oder ein Zurückätzprozess auf dem Bodenelektrodenmaterial ausgeführt, um jede Bodenelektrode15 , die einen Speicherknotenkontakt14 kontaktiert, zu isolieren und zu erzeugen. - Die Bodenelektroden
15 schließen ein metallbasiertes Material ein, welches entweder aus Titannitrid (TiN), Tantalnitrid (TaN), Wolfram (W), Wolframnitrid (WN), Ruthenium (Ru), Rutheniumoxid (RuO2), Iridium (Ir), Iridiumoxid (IrO2), oder Platin (Pt) besteht. Auch werden die Bodenelektroden15 mit einer Dicke gebildet, die in einem Bereich von etwa 20 nm bis 50 nm liegt. Zusätzlich zu einer zylindrischen Struktur, wie sie in2A dargestellt ist, können die Bodenelektroden15 in einer anderen Struktur, wie etwa einer konkaven Struktur oder einer gestapelten Struktur, gebildet werden. - Wenn die Bodenelektroden
15 beispielsweise TiN verwenden, wird TiCl4 als ein Quellenmaterial und NH3 als ein Reaktionsgas verwendet. Das Quellenmaterial und das Reaktionsgas werden individuell mit einer Rate in einem Bereich von etwa 10 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 1.000 cm3/min (unter Standardbedingungen) (10 bis 1000 sccm) zur Verfügung gestellt. Zu diesem Zeitpunkt wird die Reaktionskammer auf etwa 0,1333 hPa bis 13,332 hPa (0,1 bis 10 Torr) gehalten, und das Substrat11 wird bei etwa 500°C bis 700°C gehalten. Die Bodenelektroden15 (d. h. die TiN-Schicht) werden mit einer Dicke in einem Bereich von etwa 20 nm bis 50 nm ausgebildet. - Nach der Bildung der Bodenelektroden
15 wird ein Ausheilprozess in einem Umgebungsgas durchgeführt, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Stickstoff (N2), Wasserstoff (H2), N2/H2, Sauerstoff (O2), Ozon (O3) und Ammoniak (NH3) besteht. Der Ausheilprozess wird durchgeführt, um die Bodenelektroden15 zu verdichten; verbleibende Störstellen in den Bodenelektroden15 zu entfernen, die oft verursachen, dass ein Leckstrom ansteigt; und im Oberflächenrauheit zu eliminieren, welche eine ungleichmäßige Verteilung eines elektrischen Feldes verursachen kann. - Der Ausheilprozess wird entweder unter Verwendung eines Plasmaausheilprozesses, eines Ofenausheilprozesses oder eines schnellen thermischen Prozesses (RTP) durchgeführt. Der Plasmaausheilprozess wird für etwa 1 bis 5 Minuten unter den folgenden Bedingungen durchgeführt: Radiofrequenz (RF) Leistung von etwa 100 W bis 500 W, um ein Plasma zu erzeugen; Temperatur bei etwa 200°C bis 500°C; Druck von etwa 0,1333 hPa bis 13,332 hPa; und ausgewähltes Umgebungsgas von etwa 5 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 5.000 cm3/min (unter Standardbedingungen). Der Ofenausheilprozess wird bei etwa 600°C bis 800°C unter Verwendung von etwa 5 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 5.000 cm3/min (unter Standardbedingungen) des ausgewählten Umgebungsgases durchgeführt. Der RTP wird unter Verwendung von etwa 5 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 5.000 cm3/min (unter Standardbedingungen) des ausgewählten Umgebungsgases in einer Kammer durchgeführt, die auf einem ansteigenden Druck von etwa 933.24 hPa bis 1013.232 hPa oder einem abfallenden Druck von etwa 1,333 hPa bis 133,32 hPa bei einer Temperatur von etwa 500°C bis 800°C gehalten wird.
- Gemäß
2B wird eine dielektrische ZrxAlyOz-Schicht16 über den Bodenelektroden15 gebildet. Eine dünne Zirkoniumoxid(ZrO2)-Schicht und eine dünne Aluminiumoxid(Al2O3)-Schicht werden miteinander gemischt, um die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht16 zu bilden. Insbesondere wird die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht16 erhalten durch Ausführen eines atomaren Schichtabscheidungs(ALD)-Verfahrens, welches im Detail mit Bezug auf3 beschrieben werden wird. - Gemäß
2C wird eine obere Elektrode17 über der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht16 gebildet. Die obere Elektrode17 schließt TiN, TaN, W, WN, Ru, RuO2, Ir, IrO2, oder Pt ein. Die dargestellte Kondensatorstruktur ist eine MIM-Kondensatorstruktur. - Als ein Beispiel kann die obere Elektrode
17 eine Schicht aus TiN sein, erhalten durch Ausführen einer chemischen Dampfabscheidung (CVD) oder einer physikalischen Dampfabscheidung (PVD). Für das CVD-Verfahren werden TiCl4 und NH3 als das Quellenmaterial, bzw. das Reaktionsgas verwendet. Das Quellenmaterial und das Reaktionsgas werden individuell mit einer Rate in einem Bereich von etwa 10 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 1.000 cm3/min (unter Standardbedingungen) zugeführt. Zu diesem Zeitpunkt wird die Reaktionskammer auf etwa 0,1333 hPa bis 13,332 hPa gehalten, und die Substrattemperatur liegt in einem Bereich von etwa 500°C bis 600°C. Die TiN-Schicht (d. h. die obere Elektrode17 ) wird bis zu einer Dicke von etwa 20 nm bis 40 nm gebildet. - Anschließend können eine Oxidschicht oder eine Metallschicht bis zu einer Dicke von etwa 5 nm bis 20 nm gebildet werden. Die Oxidschicht wird gebildet durch Ausführen eines ALD-Verfahrens und kann ein Material aufweisen, wie etwa AL2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, oder La2O3, und die Metallschicht kann TiN aufweisen. Die Oxidschicht oder die Metallschicht werden als eine Passivierungsschicht oder eine Pufferschicht gebildet, um eine strukturelle Stabilität zu verbessern gegenüber Feuchtigkeit; Temperatur oder elektrischen Schocks, welche während eines thermischen Prozesses und eines Ausheilprozesses eines nachfolgenden Integrationsprozesses (d. h. eines hintenliegenden Prozesses (englisch = back end process)) erzeugt werden können; einem Nassätzprozess; einem Verpackungsprozess; und Umgebungstests bezüglich Zuverlässigkeit werden durchgeführt. Beispielsweise werden der thermische Prozess und der Ausheilprozess in einem Umgebungsgas, wie etwa H2, N2 oder N2/H2, durchgeführt.
-
3 ist ein Diagramm zum Beschreiben der Prozesse, die beim Bilden einer dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht basierend auf einem ALD-Verfahren in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden. - Das ALD-Verfahren schließt wie dargestellt ein Zuführen eines Quellengases, ein Ausblasen nicht reagierter Teile des Quellengases, ein Zuführen eines Reaktionsgases und ein Ausblasen nicht reagierter Teile des Reaktionsgases ein. Das ALD-Verfahren wird wiederholt durchgeführt, bis die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht mit einer gewünschten Dicke gebildet ist.
- Detaillierter gesprochen wird das Quellengas zur Adsorption in einen Target zugeführt und das Ausblasgas wird zugeführt, um überschüssiges Quellengas auszublasen, welches nicht adsorbiert wurde. Dann wird das Reaktionsgas zugeführt und reagiert mit dem adsorbierten Quellengas, um die gewünschte dünne Schicht abzuscheiden. Das Ausblasgas wird dann erneut zugeführt, um nicht reagierte Teile des Reaktionsgases auszublasen.
- Die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht wird erhalten durch Durchführen des zuvor erwähnten Einheitszyklus des ALD-Verfahrens, einschließlich Zuführen eines Zr-Quellengases, eines Al-Quellengases, Zuführen eines Ausblasgases, Zuführen eines Reaktionsgases und erneutes Zuführen des Ausblasgases. Der Einheitszyklus wird wiederholt bis die Dicke der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht in einem Bereich von etwa 5 nm bis 10 nm liegt. Zu diesem Zeitpunkt wird das Substrat auf etwa 200°C bis 500°C gehalten, und die Reaktionskammer wird auf etwa 0,1333 hPa bis 1,333 hPa gehalten.
- Das Zr-Quellengas wird ausgewählt aus ZrCl4, Zr(N(CH3)C2H5)4, Zr(O-tBu)4, Zr(N(CH3)2)4, Zr(N(C2H5)(CH3))4, Zr(N(C2H5)2)4, Zr(TMHD)4, Zr(OiC3H7)3(TMTD), Zr(OtBu)4, oder einer Zr-haltigen Verbindung. Das Zr-Quellengas wird in die Reaktionskammer durch ein Trägergas, beispielsweise Argon (Ar) Gas, zugeführt, welches mit einer Rate in einem Bereich von etwa 150 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 250 cm3/min (unter Standardbedingungen) für etwa 0,1 Sekunden bis 10 Sekunden zugeführt wird.
- Das Ausblasgas, wie etwa N2 oder Ar, wird zugeführt, um nicht adsorbierte Teile des Zr-Quellengases auszublasen. Das Ausblasgas wird mit einer Rate in einem Bereich von etwa 200 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 400 cm3/min (unter Standardbedingungen) für etwa 3 Sekunden bis 10 Sekunden zugeführt.
- Das Al-Quellengas wird ausgewählt aus Al(CH3)3, Al(C2H5)3 oder einer Al-haltigen Verbindung. Das Al-Quellengas wird in die Reaktionskammer mit einem Trägergas, beispielsweise Ar-Gas, zugeführt. Das Ar-Gas wird mit einer Rate in einem Bereich von etwa 20 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 100 cm3/min (unter Standardbedingungen) für etwa 0,1 Sekunden bis 5 Sekunden zugeführt.
- Das Ausblasgas, beispielsweise N2 oder Ar-Gas, wird erneut zugeführt, um nicht reagierte Teile des Al-Quellengases auszublasen. Das Ausblasgas wird mit einer Rate in einem Bereich von etwa 200 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 400 cm3/min (unter Standardbedingungen) für etwa 3 Sekunden bis 10 Sekunden zugeführt.
- Das Reaktionsgas wird aus O3 (mit einer Konzentration von etwa 100 g/m3 bis 500 g/m3), O2, O2-Plasma, N2O, N2O-Plasma, oder Wasserdampf ausgewählt. Das Reaktionsgas reagiert mit dem Zr-Quellengas und dem Al-Quellengas, um die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht zu bilden. Das Reaktionsgas wird mit einer Rate in einem Bereich von etwa 100 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 1000 cm3/min (unter Standardbedingungen) für etwa 3 Sekunden bis 10 Sekunden zugeführt.
- Das Ausblasgas, beispielsweise N2-Gas oder Ar-Gas wird in die Kammer zugeführt, um nicht reagierte Teile des Reaktionsgases, die innerhalb der Kammer verbleiben, auszublasen. Das Ausblasgas wird mit einer Rate in einem Bereich von etwa 50 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 200 cm3/min (unter Standardbedingungen) für etwa 3 Sekunden bis 10 Sekunden zugeführt.
- Der obige Einheitszyklus des ALD-Verfahrens wird wiederholt durchgeführt, bis die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht eine Dicke von etwa 5 nm bis 10 nm erreicht.
- Nachdem die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht gebildet worden ist, wird ein Ausheilprozess in einem Umgebungsgas durchgeführt, welches aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus N2, H2, N2/H2, O2, O3 und NH3 besteht. Der Ausheilprozess wird durchgeführt, um die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht zu verdichten; eine Gleichförmigkeit der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht zu erreichen; oder die verbleibenden Störstellen, welche einen Leckstrom verursachen können, zu volatilisieren. Der Ausheilprozess wird auch durchgeführt, um die Oberflächenrauheit anderer dielektrischer Schichten zu reduzieren und Kristallite zu entfernen.
- Der Ausheilprozess beinhaltet einen Plasmaausheilprozess, einen Ofenausheilprozess oder einen RTP. Der Plasmaausheilprozess wird für etwa 1 Minute bis 5 Minuten unter den folgenden Bedingungen durchgeführt: Radiofrequenz (RF) Leistung bei etwa 100 W bis 500 W, um ein Plasma zu erzeugen; Temperatur von etwa 200°C bis 500°C; Druck von etwa 0,1333 hPa bis 13,332 hPa; und das ausgewählte Umgebungsgas bei etwa 5 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 5.000 cm3/min (unter Standardbedingungen). Der Ofenausheilprozess wird bei etwa 600°C bis 800°C unter Verwendung von etwa 5 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 5.000 cm3/min (unter Standardbedingungen) des ausgewählten Umgebungsgases durchgeführt. Der RTP wird unter Verwendung von etwa 5 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 5.000 cm3/min (unter Standardbedingungen) des Umgebungsgases in einer Kammer durchgeführt, die auf einem ansteigenden Druck von etwa 933.24 hPa bis 1013.232 hPa oder einem abfallenden Druck von etwa 1,333 hPa bis 133,32 hPa bei etwa 500°C bis 800°C gehalten wird. Der Ofenausheilprozess und der RTP erhöhen darüber hinaus die dielektrische Konstante der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht.
- Gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wird die ZrxAlyOz-Schicht als das dielektrische Material eines Kondensators verwendet, und dieser Ansatz erzielt eine benötigte Kapazität (beispielsweise etwa 25 fF pro Zelle) in DRAM-Kondensatoren vom sub-70 nm Niveau; benötigten Leckstrom (beispielsweise etwa 0,5 fF pro Zelle oder weniger); und benötigte Zusammenbruchsspannung (z. B. etwa 2,0 V (bei 1 pA pro Zelle) oder darüber).
- Im Allgemeinen weist eine dünne ZrO2-Schicht eine höhere Bandlückenenergie (Eg) und dielektrische Konstante (ε) als eine dünne Ta2O5 Schicht und eine dünne HfO2 Schicht auf. Beispielsweise weist die dünne ZrO2 Schicht eine Bandlückenenergie von etwa 7,8 eV und eine dielektrische Konstante (ε) von etwa 20 bis 25 auf; die dünne Ta2O5-Schicht weist eine Bandlückenenergie von etwa 4,5 eV und eine dielektrische Konstante von etwa 25 auf, und die dünne HfO2-Schicht weist eine Bandlückenenergie von etwa 5,7 eV und eine dielektrische Konstante von etwa 20 auf. Eine dünne Al2O3-Schicht, welche eine Bandlückenenergie von etwa 8,7 eV und eine dielektrische Konstante von etwa 9 aufweist, weist eine bessere thermische Stabilität als die dünne HfO2 Schicht auf. Basierend auf diesen Fakten kann die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht Beschränkungen bzgl. Leckstrom und thermischer Stabilität verglichen mit der einzelnen dielektrischen Struktur des Kondensators verbessern, wenn die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht die Eigenschaften der dünnen ZrO2-Schicht und der dünnen Al2O3-Schicht aufweist.
- Als ein Ergebnis kann die Dicke der äquivalenten Oxidschicht der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht auf etwa 1,2 nm oder weniger vermindert werden. Somit kann der Kondensator mit der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht eine höhere Kapazität von etwa 30 fF pro Zelle oder darüber in sub-70 nm DRAM Produkten erreichen. Auch kann der Kondensator, wie oben erwähnt, gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung einen Leckstrom und eine gewünschte Zusammenbruchsspannung absenken, wodurch eine Massenproduktion ermöglicht wird.
- Da die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht eine bessere thermische Stabilität als die einzelne dielektrische Schicht, wie etwa HfO2, aufweist, ist es darüber hinaus weniger wahrscheinlich, dass elektrische Eigenschaften während eines in einem Integrationsprozess nach der Bildung des Kondensators durchgeführten hochthermischen Prozesses verschlechtert werden. Dementsprechend kann eine Haltbarkeit und eine Zuverlässigkeit des Kondensators in mit sub-70 nm Halbleitertechnologie (z. B. eines Metallzwischenverbindungsprozesses) implementierten Speicherbauelementen der nächsten Generation verbessert werden.
Claims (19)
- Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement, aufweisend: Bilden einer Bodenelektrode über einem Halbleitersubstrat; Bilden einer dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht über der Bodenelektrode unter Verwendung eines atomaren Schichtabscheidungs(ALD)-Verfahrens, wobei die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht eine Zirkonium(Zr)-Komponente, eine Aluminium(Al)-Komponente und eine Sauerstoff (O) Komponente aufweist, gemischt in vorbestimmten Mol-Fraktionen von x, y bzw. z; und Bilden einer oberen Elektrode über der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht, wobei die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht durch Durchführen eines Einheitszyklus aus folgenden, aufeinander folgend ausgeführten sechs Schritten erhalten wird: – Adsorbieren eines Zr-Quellengases auf der Bodenelektrode; – Zuführen eines ersten Ausblasgases, um nicht adsorbierte Teile des Zr-Quellengases auszublasen; – Adsorbieren eines Al-Quellengases auf dem auf dem Target zur Verfügung gestellten Zr-Quellengas; – Zuführen eines zweiten Ausblasgases, um nicht adsorbierte Teile des Al-Quellengases auszublasen; – Zuführen eines Reaktionsgases, um mit den Zr- und Al-Quellengasen, die auf dem Target zur Verfügung gestellt sind, zu reagieren, wodurch die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht gebildet wird; – Zuführen eines dritten Ausblasgases, um nicht reagierte Teile des Reaktionsgases zu entfernen.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Summe der Mol-Fraktionen von x, y und z in der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht
1 ist, wobei ein Verhältnis der Mol-Fraktion der Zr-Komponente (x) zur der Mol-Fraktion der Al-Komponente (y) in einem Bereich von 1:1 bis 10:1 liegt. - Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Zr-Quellengas ein Gas aufweist, welches ausgewählt ist aus einer Gruppe, die aus ZrCl4, Zr(N(CH3)C2H5)4, Zr(O-tBu)4, Zr(N(CH3)2)4, Zr(N(C2H5)(CH3))4, Zr(N(C2H5)2)4, Zr(TMHD)4, Zr(OiC3H7)3(TMTD), Zr(OtBu)4 und einer Zr-haltigen Verbindung besteht.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Al-Quellengas ein Gas aufweist, welches aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Al(CH3)3, Al(C2H5)3 und einer Al-haltigen Verbindung besteht.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Reaktionsgas ein Gas aufweist, welches aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus O3 mit einer Konzentration von 100 gm–3 bis 500 gm–3, O2, O2-Plasma, N2O, N2O-Plasma und H2O-Dampf besteht, wobei das ausgewählte Reaktionsgas mit einer Flussrate in einem Bereich von 100 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 1.000 cm3/min (unter Standardbedingungen) für 3 Sekunden bis 10 Sekunden zugeführt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei das erste, zweite und dritte Ausblasgas N2-Gas oder Ar-Gas aufweisen.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht mit einer Dicke in einem Bereich von 5 nm bis 10 nm gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht unter Bedingungen einer Substrattemperatur in einem Bereich von 200°C bis 500°C und einem Kammerdruck in einem Bereich von 0,1333 hPa bis 1,333 hPa gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin aufweisend ein Ausführen eines Ausheilprozesses nach dem Bilden der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht.
- Verfahren nach Anspruch 9, wobei der Ausheilprozess mit einem Plasmaausheilprozess voranschreitet, ausgeführt für 1 Minute bis 5 Minuten unter den Bedingungen: Ein Umgebungsgas einschließlich eines Gases, welches aus einer Gruppe ausgewählt wird, die aus N2, H2, N2/H2, NH3, N2O, N2/O2, O2 und O3 besteht, und zugeführt mit einer Flussrate in einem Bereich von 5 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 5.000 cm3/min (unter Standardbedingungen); einer Temperatur in einem Bereich von 200°C bis 500°C; einem Plasma, erzeugt mit einer Radiofrequenzleistung in einem Bereich von 100 W bis 500 W; und einem Druck von 0,1333 hPa bis 1,333 hPa.
- Verfahren nach Anspruch 9, wobei der Ausheilprozess voranschreitet mit einem schnellen thermischen Prozess, ausgeführt unter Bedingungen wie folgt: Eine Temperatur in einem Bereich von 500°C bis 800°C; einem ansteigenden Kammerdruck in einem Bereich von 933,24 hPa bis 1013,232 hPa oder einem abfallenden Druck in einem Bereich von 1,333 hPa bis 133,32 hPa; und einem Gas, ausgewählt aus einer Gruppe, die aus N2, H2, N2/H2, NH3, N2O, N2/O2, O2 und O3 besteht, und zugeführt mit einer Flussrate in einem Bereich von 5 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 5.000 cm3/min (unter Standardbedingungen).
- Verfahren nach Anspruch 9, wobei der Ausheilprozess voranschreitet mit einem Ofenausheilprozess, ausgeführt unter Bedingungen wie folgt: Einem Gas, ausgewählt aus einer Gruppe, die aus N2, H2, N2/H2, NH3, N2O, N2/O2, O2 und O3 besteht, und zugeführt mit einer Flussrate in einem Bereich von 5 cm3/min (unter Standardbedingungen) bis 5.000 cm3/min (unter Standardbedingungen); und eine Temperatur in einem Bereich von 600°C bis 800°C.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Bodenelektrode und die obere Elektrode ein Material aufweisen, welches aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus TiN, TaN, W, WN, Ru, RuO2, Ir, IrO2 und Pt besteht.
- Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin nach dem Bilden der Bodenelektrode ein Ausführen eines Ausheilprozesses in einem Umgebungsgas aufweisend, welches aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus N2, H2, N2/H2, O2, O3 und NH3 besteht.
- Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin nach dem Bilden der oberen Elektrode ein Bilden einer Passivierungsschicht über der oberen Elektrode unter Verwendung eines ALD-Verfahrens aufweisend.
- Verfahren nach Anspruch 15, wobei die Passivierungsschicht mit einer Dicke in einem Bereich von 5 nm bis 20 nm gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 15, wobei die Passivierungsschicht ein Oxid-basiertes Material und ein Metall-basiertes Material aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Oxid-basierte Material ein Material aufweist, welches aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2 und La2O3 besteht.
- Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Metall-basierte Material TiN aufweist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050114367A KR100670747B1 (ko) | 2005-11-28 | 2005-11-28 | 반도체소자의 캐패시터 제조 방법 |
KR10-2005-0114367 | 2005-11-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006030707A1 DE102006030707A1 (de) | 2007-05-31 |
DE102006030707B4 true DE102006030707B4 (de) | 2011-06-22 |
Family
ID=38014072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006030707A Expired - Fee Related DE102006030707B4 (de) | 2005-11-28 | 2006-06-30 | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7825043B2 (de) |
JP (1) | JP5094057B2 (de) |
KR (1) | KR100670747B1 (de) |
CN (1) | CN100514606C (de) |
DE (1) | DE102006030707B4 (de) |
IT (1) | ITMI20061269A1 (de) |
TW (1) | TWI322487B (de) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2008108128A1 (ja) * | 2007-03-08 | 2010-06-10 | 日本電気株式会社 | 誘電体、誘電体を用いたキャパシタ、誘電体を用いた半導体装置、及び誘電体の製造方法 |
JP5133643B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-01-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2009057589A1 (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Nec Corporation | キャパシタとそれを有する半導体装置およびキャパシタの製造方法 |
JP5262233B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2013-08-14 | 日本電気株式会社 | 窒化ジルコニウム界面層を有するキャパシター構造 |
US7704884B2 (en) | 2008-04-11 | 2010-04-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
US7820506B2 (en) * | 2008-10-15 | 2010-10-26 | Micron Technology, Inc. | Capacitors, dielectric structures, and methods of forming dielectric structures |
JP5504663B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2014-05-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5462885B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2014-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
JP5587716B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2014-09-10 | マイクロンメモリジャパン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、並びに吸着サイト・ブロッキング原子層堆積法 |
JP2014017354A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
JP2014218691A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-20 | エア・ウォーター株式会社 | 層状構造体の製造方法 |
KR102364708B1 (ko) * | 2017-07-12 | 2022-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
CN107527806A (zh) * | 2017-09-29 | 2017-12-29 | 睿力集成电路有限公司 | 介电薄膜、介电层结构及制作方法 |
KR20210012808A (ko) | 2019-07-26 | 2021-02-03 | 삼성전자주식회사 | 2종 물질 산화막의 형성 방법, 반도체 소자의 제조 방법, 유전막 형성 방법, 및 반도체 소자 |
US20220216297A1 (en) * | 2021-01-05 | 2022-07-07 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Electrode layer, capacitor and methods for electrode layer and capacitor manufacture |
WO2023163499A1 (ko) * | 2022-02-24 | 2023-08-31 | 주성엔지니어링(주) | 유전막과 그를 포함한 커패시터 및 그들의 제조 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002060944A (ja) * | 2000-04-20 | 2002-02-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成 |
US20020153579A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-24 | Nec Corporation | Semiconductor device with thin film having high permittivity and uniform thickness |
US20050054156A1 (en) * | 2003-09-10 | 2005-03-10 | International Business Machines Corporation | Capacitor and fabrication method using ultra-high vacuum cvd of silicon nitride |
US20050054165A1 (en) * | 2003-03-31 | 2005-03-10 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited ZrAlxOy dielectric layers |
US20050212031A1 (en) * | 2002-12-27 | 2005-09-29 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
DE102005053322A1 (de) * | 2004-11-08 | 2006-06-08 | Hynix Semiconductor Inc., Ichon | Kondensator mit Zirkondioxid und Verfahren zur Herstellung desselben |
Family Cites Families (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6297539B1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-10-02 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Doped zirconia, or zirconia-like, dielectric film transistor structure and deposition method for same |
KR100363084B1 (ko) | 1999-10-19 | 2002-11-30 | 삼성전자 주식회사 | 박막 구조를 위한 다중막을 포함하는 커패시터 및 그 제조 방법 |
US6407435B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-06-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Multilayer dielectric stack and method |
DE10034003A1 (de) | 2000-07-07 | 2002-01-24 | Infineon Technologies Ag | Grabenkondensator mit Isolationskragen und entsprechendes Herstellungsverfahren |
KR100663341B1 (ko) | 2000-08-11 | 2007-01-02 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 캐패시터 제조방법 및 장치 |
US6664186B1 (en) | 2000-09-29 | 2003-12-16 | International Business Machines Corporation | Method of film deposition, and fabrication of structures |
US6660660B2 (en) | 2000-10-10 | 2003-12-09 | Asm International, Nv. | Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit |
US6486080B2 (en) * | 2000-11-30 | 2002-11-26 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method to form zirconium oxide and hafnium oxide for high dielectric constant materials |
KR20020049875A (ko) | 2000-12-20 | 2002-06-26 | 윤종용 | 반도체 메모리 소자의 강유전체 커패시터 및 그 제조방법 |
US6897149B2 (en) * | 2001-01-25 | 2005-05-24 | Tokyo Electron Limited | Method of producing electronic device material |
JP2002222934A (ja) | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6858865B2 (en) | 2001-02-23 | 2005-02-22 | Micron Technology, Inc. | Doped aluminum oxide dielectrics |
US6486057B1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-11-26 | National Science Council | Process for preparing Cu damascene interconnection |
US20020168840A1 (en) * | 2001-05-11 | 2002-11-14 | Applied Materials, Inc. | Deposition of tungsten silicide films |
JP3863391B2 (ja) | 2001-06-13 | 2006-12-27 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US6797525B2 (en) | 2002-05-22 | 2004-09-28 | Agere Systems Inc. | Fabrication process for a semiconductor device having a metal oxide dielectric material with a high dielectric constant, annealed with a buffered anneal process |
KR100476926B1 (ko) | 2002-07-02 | 2005-03-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 듀얼 게이트 형성방법 |
KR100542736B1 (ko) * | 2002-08-17 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착법을 이용한 산화막의 형성방법 및 이를이용한 반도체 장치의 캐패시터 형성방법 |
TWI223329B (en) | 2002-09-10 | 2004-11-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Method for forming high dielectric layer in semiconductor device |
JP2004111447A (ja) | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk | 半導体装置及びその製造方法 |
US6940117B2 (en) | 2002-12-03 | 2005-09-06 | International Business Machines Corporation | Prevention of Ta2O5 mim cap shorting in the beol anneal cycles |
US6753224B1 (en) | 2002-12-19 | 2004-06-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Layer of high-k inter-poly dielectric |
KR20040059536A (ko) | 2002-12-27 | 2004-07-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
KR100493040B1 (ko) | 2002-12-30 | 2005-06-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 커패시터 및 그 제조방법 |
EP2270051B1 (de) | 2003-01-23 | 2019-05-15 | Ono Pharmaceutical Co., Ltd. | Antikörper spezifisch gegen humanes PD-1 und CD3 |
US7092234B2 (en) | 2003-05-20 | 2006-08-15 | Micron Technology, Inc. | DRAM cells and electronic systems |
KR100555543B1 (ko) | 2003-06-24 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착법에 의한 고유전막 형성 방법 및 그고유전막을 갖는 커패시터의 제조 방법 |
KR20050028749A (ko) | 2003-09-19 | 2005-03-23 | 삼성전자주식회사 | 다층 구조의 커패시터들 갖는 반도체 장치 |
KR20050075790A (ko) | 2004-01-16 | 2005-07-22 | (주)바이오빈 | 키토산과 게장이 혼합된 된장의 제조방법 |
KR100542675B1 (ko) | 2004-02-06 | 2006-01-11 | 허차순 | 합성수지 하수관용 고무패킹 소켓 성형장치 |
US20050196917A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-08 | Jingyu Lian | Method for forming a (111) oriented BSTO thin film layer for high dielectric constant capacitors |
KR100587071B1 (ko) | 2004-03-30 | 2006-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
KR100579869B1 (ko) | 2004-04-21 | 2006-05-22 | 김상국 | 다중구동원을 구비한 하부 방류형 어도 겸용 가동보 수문및 그 구동방법 |
KR20050103065A (ko) | 2004-04-24 | 2005-10-27 | 삼성전자주식회사 | Umts 망에서의 통합된 sgsn 및 ggsn에서의터널 설정 방법 및 장치 |
KR20050123428A (ko) | 2004-06-25 | 2005-12-29 | 엘지전자 주식회사 | 컨트롤 패널과 메탈 시트의 결합구조 |
US7492006B2 (en) * | 2004-08-30 | 2009-02-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor transistors having surface insulation layers and methods of fabricating such transistors |
KR100587086B1 (ko) | 2004-10-29 | 2006-06-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
KR100713906B1 (ko) | 2004-11-08 | 2007-05-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
KR20060072338A (ko) | 2004-12-23 | 2006-06-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유전체막 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의캐패시터 형성방법 |
KR100772099B1 (ko) | 2005-06-28 | 2007-11-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
KR100744026B1 (ko) | 2005-06-28 | 2007-07-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자의 제조방법 |
KR100670726B1 (ko) | 2005-06-29 | 2007-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 형성방법 |
KR100717813B1 (ko) | 2005-06-30 | 2007-05-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 나노믹스드 유전막을 갖는 캐패시터 및 그의 제조 방법 |
KR100596805B1 (ko) | 2005-06-30 | 2006-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
KR100772101B1 (ko) | 2005-06-30 | 2007-11-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
KR100655139B1 (ko) | 2005-11-03 | 2006-12-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐패시터 제조 방법 |
KR100655140B1 (ko) | 2005-11-10 | 2006-12-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐패시터 및 그 제조 방법 |
KR100656283B1 (ko) | 2005-12-14 | 2006-12-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
KR100672766B1 (ko) | 2005-12-27 | 2007-01-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
-
2005
- 2005-11-28 KR KR1020050114367A patent/KR100670747B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-06-28 US US11/478,175 patent/US7825043B2/en active Active
- 2006-06-29 TW TW095123522A patent/TWI322487B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-06-30 JP JP2006181112A patent/JP5094057B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-30 IT IT001269A patent/ITMI20061269A1/it unknown
- 2006-06-30 DE DE102006030707A patent/DE102006030707B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-21 CN CNB2006101523079A patent/CN100514606C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002060944A (ja) * | 2000-04-20 | 2002-02-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成 |
US20020153579A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-24 | Nec Corporation | Semiconductor device with thin film having high permittivity and uniform thickness |
US20050212031A1 (en) * | 2002-12-27 | 2005-09-29 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
US20050054165A1 (en) * | 2003-03-31 | 2005-03-10 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited ZrAlxOy dielectric layers |
US20050054156A1 (en) * | 2003-09-10 | 2005-03-10 | International Business Machines Corporation | Capacitor and fabrication method using ultra-high vacuum cvd of silicon nitride |
DE102005053322A1 (de) * | 2004-11-08 | 2006-06-08 | Hynix Semiconductor Inc., Ichon | Kondensator mit Zirkondioxid und Verfahren zur Herstellung desselben |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100514606C (zh) | 2009-07-15 |
US7825043B2 (en) | 2010-11-02 |
KR100670747B1 (ko) | 2007-01-17 |
TWI322487B (en) | 2010-03-21 |
JP5094057B2 (ja) | 2012-12-12 |
CN1976008A (zh) | 2007-06-06 |
JP2007150242A (ja) | 2007-06-14 |
DE102006030707A1 (de) | 2007-05-31 |
TW200721389A (en) | 2007-06-01 |
ITMI20061269A1 (it) | 2007-05-29 |
US20070122967A1 (en) | 2007-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102006030707B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement | |
US6524867B2 (en) | Method for forming platinum-rhodium stack as an oxygen barrier | |
CN100481461C (zh) | 具有纳米复合电介质结构的电容器及其制造方法 | |
DE10055431B4 (de) | Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren eines Halbleiterbauelements | |
KR100546324B1 (ko) | Ald에 의한 금속 산화물 박막 형성 방법, 란탄 산화막 형성 방법 및 반도체 소자의 고유전막 형성 방법 | |
US6875667B2 (en) | Method for forming capacitor | |
KR100672766B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
DE10064067A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungskondensatoren | |
US20080138503A1 (en) | Method For Forming Dielectric Film And Method For Forming Capacitor In Semiconductor Device Using The Same | |
US11417516B2 (en) | Dielectric layer and a semiconductor memory device including the dielectric layer as a capacitor dielectric layer | |
US7425761B2 (en) | Method of manufacturing a dielectric film in a capacitor | |
TW544915B (en) | A capacitor for semiconductor devices and a method of fabricating such capacitors | |
DE10031056B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators für eine Halbleiterspeichervorrichtung | |
DE10055450A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Ta205-Kondensators unter Verwendung einer Ta205-Dünnschicht als dielektrische Schicht | |
DE10032210B4 (de) | Kondensator für Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
KR100772101B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
DE102005053322A1 (de) | Kondensator mit Zirkondioxid und Verfahren zur Herstellung desselben | |
KR100532960B1 (ko) | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 | |
KR100771540B1 (ko) | 커패시터 형성 방법 | |
KR20070027789A (ko) | 캐패시터 및 그의 제조방법 | |
KR20030010852A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR100772100B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
KR100656282B1 (ko) | 캐패시터 제조 방법 | |
KR20040060416A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR100668849B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20110923 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20140101 |