DE102006030377A1 - Verzögerungsregelschleifenschaltung - Google Patents

Verzögerungsregelschleifenschaltung Download PDF

Info

Publication number
DE102006030377A1
DE102006030377A1 DE102006030377A DE102006030377A DE102006030377A1 DE 102006030377 A1 DE102006030377 A1 DE 102006030377A1 DE 102006030377 A DE102006030377 A DE 102006030377A DE 102006030377 A DE102006030377 A DE 102006030377A DE 102006030377 A1 DE102006030377 A1 DE 102006030377A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
clock
signal
clock signal
output
delay
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102006030377A
Other languages
English (en)
Inventor
Hoon Ichon Chol
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hynix Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020050127734A external-priority patent/KR100753101B1/ko
Application filed by Hynix Semiconductor Inc filed Critical Hynix Semiconductor Inc
Publication of DE102006030377A1 publication Critical patent/DE102006030377A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/081Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
    • H03L7/0812Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
    • H03L7/0814Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the phase shifting device being digitally controlled
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1072Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for memories with random access ports synchronised on clock signal pulse trains, e.g. synchronous memories, self timed memories
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • G11C7/222Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/0805Details of the phase-locked loop the loop being adapted to provide an additional control signal for use outside the loop
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/081Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
    • H03L7/0812Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
    • H03L7/0816Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the controlled phase shifter and the frequency- or phase-detection arrangement being connected to a common input

Abstract

Eine synchrone Speichervorrichtung, die einen normalen Modus und einen Abschaltmodus aufweist, schließt einen Abschaltmodus-Controller zum Erzeugen eines Abschaltmodus-Steuersignals im Ansprechen auf ein Taktfreigabesignal ein, wodurch ein Beginn oder eine Beendigung eines Abschaltmodus bestimmt wird. Eine Taktpuffereinheit puffert ein externes Taktsignal im Ansprechen auf das Abschaltmodus-Steuersignal und gibt erste und zweite interne Taktsignale aus. Eine Taktauswahleinheit wählt eines der ersten und zweiten internen Taktsignale auf der Grundlage des Abschaltmodus-Steuersignals, um das ausgewählte Signal als ein Zwischenausgangs-Taktsignal auszugeben. Eine Phasenaktualisierungseinheit führt einen Phasenaktualisierungsbetrieb unter Verwendung des Zwischenausgangs-Taktsignals durch, um ein Verzögerungsregelschleifen-(DLL-)Taktsignal auszugeben, wobei sich das erste interne Taktsignal in der Frequenz von dem zweiten internen Taktsignal unterscheidet.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verzögerungsregelschleifen-(DLL-, Delay Locked Loop)-Schaltung eines synchronen DRAM; und insbesondere eine DLL-Schaltung zum Durchführen eines stabilen Betriebs bei einem Abschaltmodus für einen Niedrigenergiebetrieb einer Halbleitervorrichtung.
  • Beschreibung des verwandten Sachstands
  • Eine synchrone Halbleiterspeichervorrichtung, wie etwa ein Doppeldatenraten-synchroner DRAM (DDR SDRAM), führt eine Datenübertragung mit externer Vorrichtung unter Verwendung eines internen Taktsignals durch, das synchron zu einem externen Taktsignal gekoppelt ist, das von einer externen Vorrichtung, wie etwa einem Speichercontroller, eingegeben wird. Um Daten stabil zu senden, sollten die Daten genau an einer Flanke oder einer Mitte des Takts positioniert sein, indem eine Verzögerungszeit kompensiert wird, die unvermeidbar durch die Zeitdifferenz zwischen der Datenübertragung jedes Elements und derjenigen, zu der die Daten in einen Bus geladen werden, auftritt.
  • Eine taktsynchrone Schaltung, die verwendet wird, um eine Verzögerungszeit zu kompensieren, ist eine Phasenregelschleife (PLL, Phase Locked Loop) oder eine Verzögerungsregelschleife (DLL, Delay Locked Loop). Wenn das externe Taktsignal in der Frequenz unterschiedlich von einem internen Taktsignal ist, ist es notwendig, eine Frequenzmultiplizierfunktion einzusetzen. Somit wird in diesem Fall hauptsächlich die PLL verwendet. Im Gegensatz dazu wird, wenn das externe Taktsignal in der Frequenz gleich dem internen Taktsignal ist, die DLL verwendet. Die DLL-Schaltung erzeugt das interne Taktsignal durch ein Kompensieren einer Taktverzögerungskomponente, die auftritt, während das Taktsignal, das durch jedes Element durchläuft, zu einem Datenausgangsanschluss innerhalb der Halbleiterspeichervorrichtung gesendet wird. Dementsprechend ermöglicht es die DLL-Schaltung, dass das Taktsignal zum endgültigen Eingeben/Ausgeben der mit dem externen Taktsignal zu synchronisierenden Daten verwendet wird. Die DLL-Schaltung weist Vorteile auf, dass das Rauschen niedrig ist, und dass sie innerhalb einer kleinen Fläche im Vergleich zu der PLL-Schaltung ausgeführt werden kann. Deswegen ist es im Allgemeinen wünschenswert, die DLL-Schaltung als eine synchrone Schaltung in der Halbleiterspeichervorrichtung einzusetzen. Unter verschiedenen Arten von DLLs stellt die neuere Technologie eine Register-gesteuerte DLL-Schaltung bereit, die in der Lage ist, eine Zeit zu verringern, die zum Verriegeln eines ersten Takts benötigt wird.
  • Eine Register-gesteuerte DLL-Schaltung, die ein Register aufweist, das in der Lage ist, einen verriegelten Verzögerungswert zu speichern, speichert den verriegelten Verzögerungswert in dem Register, wenn eine Energie unterbrochen wird, und lädt den verriegelten Verzögerungswert, der in dem Register gespeichert ist, wenn die Energie wieder eingeschaltet ist, so dass der verriegelte Verzögerungswert unmittelbar zum Verriegeln des Takts verwendet wird.
  • 1 ist eine Konzeptansicht, die einen grundlegenden Betrieb einer üblichen Verzögerungsregelschleifen-(DLL-)-Schaltung veranschaulicht.
  • Die DLL-Schaltung empfängt ein externes Taktsignal und kompensiert eine Verzögerung bei einer Erzeugung eines internen Takts des DRAM. Die DLL-Schaltung stellt sicher, dass ein Ausgangssignal des DRAM in Phase mit dem externen Taktsignal ist. Wenn der externe Takt und der Ausgang des DRAM die gleiche Phase aufweisen, können die Daten zu einem Chipsatz ohne Fehler übertragen werden.
  • 2 ist ein Blockdiagramm einer Register-gesteuerten DLL-Schaltung des verwandten Sachstands.
  • Die DLL-Schaltung schließt einen Taktpuffer 10, einen Abschaltmodus-Controller 20, einen Phasenkomparator 30, einen Verzögerungscontroller 40, eine Verzögerungsleitung 50, eine Blindverzögerungsleitung 60 und ein Verzögerungsreplikamodell 70 ein. Ein DLL-Taktsignal DLL_CLK, das aus der DLL-Schaltung ausgegeben wird, wird zu einem Ausgangspuffer 90 über eine Taktsignalleitung 80 übertragen, um eine Ausgangszeitgebung der Daten zu steuern.
  • Der Taktpuffer 10 erzeugt ein internes Taktsignal REF_CLK durch ein Empfangen eines externen Taktsignals CLK und eines externen Takt-Komplementsignals CLKB und ein Puffern derselben.
  • Der Abschaltmodus-Controller 20 schaltet den Taktpuffer 10 ab, wenn der DRAM in einen Abschaltmodus eintritt. Für einen Nied rigenergiebetrieb des DRAM, wenn kein Lese/Schreibbetrieb vorhanden ist, tritt der DRAM in den Abschaltmodus ein, wenn ein Taktfreigabesignal CKE ein logischer Pegel „NIEDRIG" wird. Zu dieser Zeit wird, weil der Taktpuffer 10 das interne Taktsignal REF_CLK nicht erzeugt, der Taktpuffer 10 zum Sichern eines gegenwärtigen Zustands der DLL-Schaltung abgeschaltet.
  • Der Phasenkomparator 30 erfasst eine Phasendifferenz zwischen Eingangs- und Ausgangstakten der DLL-Schaltung durch ein Vergleichen von Phasen der Eingangs- und Ausgangstakte miteinander. In typischer Weise wird, um einen Energieverbrauch der DLL-Schaltung zu verringern, eine Frequenz einer externen Takteingabe in eine vorbestimmte Frequenz durch einen Taktteiler geteilt, und der geteilte Takt wird dann durch den Phasenkomparator 30 verglichen. In 2 ist um einer zweckmäßigen Veranschaulichung willen der Taktteiler weggelassen. Das interne Taktsignal REF_CLK, das durch den Taktpuffer 10 läuft, und ein Rückkopplungstaktsignal FB_CLK, das nach einem Durchlaufen durch eine interne Schaltung der DLL-Schaltung zurückgekoppelt wird, werden miteinander an dem Phasenkomparator 30 verglichen. Der Phasenkomparator 30 steuert den Verzögerungscontroller 40 auf der Grundlage des Vergleichsergebnisses.
  • Der Verzögerungscontroller 40 ist mit einer Logikschaltung zum Bestimmen eines Eingangspfads der Verzögerungsleitung 50 und einem bidirektionalen Schieberegister zum Verschieben der Richtung des Pfads versehen. Das Schieberegister, das vier Eingangssignale aufnimmt und einen Schiebebetrieb durchführt, weist eine maximale oder minimale Verzögerung auf, indem sein Anfangseingabezustand derart ausgeführt wird, dass das am weitesten rechts angeordnete Signal oder am weitesten links angeordnete Signal in einem logischen Pegel "HOCH" ist. Die Signa le, die in das Schieberegister eingegeben werden, weisen zwei rechts verschobene Signale und zwei links verschobene Signale auf. Für einen Schiebebetrieb sollten sich zwei der Signale in einem logischen Pegel "HOCH" einander nicht überlappen.
  • Die Verzögerungsleitung 50 verzögert eine Phase, des internen Taktsignals REF_CLK, das aus dem Taktpuffer 10 ausgegeben wird. Der Betrag der Verzögerung wird durch den Phasenkomparator 30 bestimmt. Zusätzlich bestimmt die Verzögerungsleitung 50 einen Verzögerungspfad, der die Phasenverzögerung unter der Steuerung des Verzögerungscontrollers 40 bestimmt. Die Verzögerungsleitung 50 schließt eine Anzahl von Einheitsverzögerungszellen ein, die aneinander seriell gekoppelt sind. Jede der Einheitsverzögerungszellen schließt zwei NAND-Gatter ein, die seriell aneinander gekoppelt sind. Ein Eingang jeder der Einheitsverzögerungszellen ist mit dem Schieberegister in dem Verzögerungscontroller 40 in einer 1-zu-1-Abbildung verbunden. Ein Bereich, wo ein Ausgang des Schieberegisters ein logischer Pegel "HOCH" wird, wird als ein Pfad bestimmt, durch welchen das Taktsignal, das durch den Taktpuffer 10 läuft, eingegeben wird. Die Verzögerungsleitung 50 ist mit zwei Verzögerungsleitungen, einer Verzögerungsleitung für den ansteigenden Takt und der anderen Verzögerungsleitung für den abfallenden Takt in dem DDR-SDRAM aufgebaut, um eine Zyklusverhältnis-Störung weitest möglich zu unterdrücken, indem die ansteigende Flanke und die abfallende Flanke identisch verarbeitet werden.
  • Die Blindverzögerungsleitung 60 ist eine Verzögerungsleitung zum Erzeugen eines Rückkopplungstaktsignals FB_CLK, das an den Phasenkomparator 30 angelegt wird. Die Blindverzögerungsleitung 60 ist identisch zu der Verzögerungsleitung 50, wie sie oben stehend veranschaulicht ist.
  • Das Verzögerungsreplikamodell 70 ist eine Schaltung zum Modellieren der Verzögerungsfaktoren, die eine Taktzeitgebung beeinflussen, aus einer Eingabe des externen Takts in dem Chip über die Verzögerungsleitung 50 bis zu einer Taktausgabe aus dem Chip. Die genauen Verzögerungsfaktoren bestimmen den Verschlechterungswert in der Funktion der DLL-Schaltung. Das Verzögerungsreplikamodell 70 wird durch ein Verfahren erzielt, das eine grundlegende Schaltung verkleinert, vereinfacht, oder so benutzt wird, wie sie ist, ohne Modifikation. Tatsächlich modelliert das Verzögerungsreplikamodell 70 den Taktpuffer, den DLL-Takttreiber, den RF-Teiler und den Ausgangspuffer, so wie sie sind.
  • Die Taktsignalleitung 80 ist ein Pfad, auf welchem das DLL-Taktsignal DLL_CLK der DLL_Schaltung zu dem Ausgangspuffer 90 übertragen wird.
  • Der Ausgangspuffer 90 empfängt die Daten von einem Speicherkern und gibt die Daten zu einem Datenausgangskissen synchronisiert zu dem DLL-Taktsignal DLL_CLK der DLL-Schaltung aus.
  • 3 ist ein Zeitgebungsdiagramm für einen Betrieb der DLL der 2.
  • Wie gezeigt, geht, wenn ein Abschaltmodus eingegeben wird, das Taktfreigabesignal CKE von einem logischen Pegel "HOCH" in einen logischen Pegel "NIEDRIG" über. Zu dieser Zeit stoppt die DLL-Schaltung ein Durchführen eines Phasenaktualisierungsbetriebs, um den gegenwärtigen Zustand zu sichern, und speichert zuvor verriegelte Information, um in einen eingefrorenen Zustand einzutreten. Hier bedeutet der Ausdruck Phasenaktuali sierungsbetrieb, dass das Rückkopplungstaktsignal FB_CLK der DLL-Schaltung in Phase mit dem internen Taktsignal REF_CLK verglichen wird, um bestimmt und kontinuierlich nachverfolgt zu werden. Der Ausdruck gefrorener Zustand bedeutet einen Zustand, bei welchem die zuvor verriegelte Information gespeichert wird und die Phase nicht mehr aktualisiert wird.
  • Unterdessen ist die Zeit in dem Fall eines Vorlade-Abschaltmodus, die in dem Abschaltmodus bleibt, in einem Bereich von minimal drei Takten bis maximal 7,8 μs. In dieser Zeit wird der Taktpuffer 10 von dem Abschaltmodus-Controller 20 abgeschaltet, um so das DLL-Taktsignal DLL_CLK der DLL-Schaltung nicht zu erzeugen.
  • Wenn der Abschaltmodus für eine lange Zeit aufrechterhalten wird, von ungefähr MIN.3CLK bis MAX.7,8 μs, gezeigt in 3, während welcher die Phase nicht aktualisiert wird, kann sich die gegenwärtig verriegelte Information der DLL-Schaltung von der zuvor verriegelten Information vor dem Abschaltmodus aufgrund einer Änderung in Verhältnissen der Halbleitervorrichtung wie etwa einer externen Temperatur unterscheiden.
  • Wenn der Abschaltmodus in einem derartigen Zustand angeregt wird, d.h. die gegenwärtig verriegelte Information und die zuvor verriegelte Information nicht zueinander passen, unterscheidet sich die Phase des DLL-Taktsignal DLL_CLK der DLL-Schaltung von der Phase eines zu verriegelnden Zieltakts. Folglich ist es schwierig, Daten zu/von dem DRAM zu empfangen/zu senden, weil eine Phase des externen Taktsignals unterschiedlich von jener des DLL-Taktsignals DLL_CLK der DLL-Schaltung ist.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Es ist deswegen eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Verzögerungsregelschleifen-(DLL)-Schaltung einer Halbleitervorrichtung zum Verhindern eines Verriegelungsfehlers bereitzustellen, der bei einer Änderung von Verhältnissen der Halbleitervorrichtung, wie etwa einer externen Temperatur während einer relativ langen Abschaltmodusperiode, auftritt.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine synchrone Halbleiterspeichervorrichtung bereitgestellt, die einen normalen Modus und einen Abschaltmodus aufweist, umfassend: einen Abschaltmodus-Controller zum Erzeugen eines Abschaltmodus-Steuersignals im Ansprechen auf ein Taktfreigabesignal, wodurch ein Beginn oder eine Beendigung eines Abschaltmodus bestimmt wird; eine Taktpuffereinheit zum Puffern eines externen Taktsignals im Ansprechen auf das Abschaltmodus-Steuersignal und zum Ausgeben erster und zweiter interner Taktsignale; eine Taktauswahleinheit zum Auswählen eines der ersten und zweiten internen Taktsignale auf der Grundlage des Abschaltmodus-Steuersignals, um das ausgewählte Signal als ein Zwischenausgangs-Taktsignal auszugeben; und eine Phasenaktualisierungseinheit zum Durchführen eines Phasenaktualisierungsbetriebs unter Verwendung des Zwischenausgang-Taktsignals, um ein Verzögerungsregelschleifen-(DLL)-Taktsignal auszugeben, wobei das erste interne Taktsignal eine unterschiedliche Frequenz von jener des zweiten internen Taktsignals aufweist.
  • In Übereinstimmung mit einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Verzögerungsregelschleife (DLL) bereitgestellt, umfassend:
    einen Abschaltmodus-Controller zum Erzeugen eines Abschaltmodus-Steuersignals im Ansprechen auf ein Taktfreigabesignal, wodurch ein Beginn oder eine Beendigung eines Abschaltmodus bestimmt wird; eine erste Taktpuffereinheit zum Puffern eines externen Taktsignals im Ansprechen auf das Abschaltmodus-Steuersignal und zum Ausgeben des gepufferten Taktsignals als ein erstes internes Taktsignal; eine zweite Taktpuffereinheit zum Puffern des externen Taktsignals im Ansprechen auf das Abschaltmodus-Steuersignal und zum Ausgeben des gepufferten Taktsignals als ein zweites internes Taktsignal, das eine Frequenz niedriger als das erste interne Taktsignal aufweist; eine Taktauswahleinheit zum Ausgeben eines Zwischenausgangs-Taktsignals durch ein Auswählen des ersten internen Taktsignals in einem normalen Modus und des zweiten internen Taktsignals in dem Abschaltmodus auf der Grundlage des Abschaltmodus-Steuersignals; und eine Phasenaktualisierungseinheit zum Durchführen eines Phasenaktualisierungsbetriebs unter Verwendung des Zwischenausgangs-Taktsignals, um ein Verzögerungsregelschleifen-(DLL)-Taktsignal auszugeben.
  • In Übereinstimmung mit einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Erzeugen eine Verzögerungsregelschleifen-(DLL)-Takts einer synchronen Speichervorrichtung, die einen normalen Modus und einen Abschaltmodus bereitgestellt, umfassend: Erzeugen eines ersten internen Taktsignals durch ein Puffern eines externen Takts; Erzeugen eines zweiten internen Taktsignals durch ein Puffern des externen Takts, wobei das zweite interne Taktsignal eine unterschiedliche Frequenz von jener des ersten internen Taktsignals aufweist; Auswählen eines der ersten und der zweiten internen Taktsignale gemäß einem Modussteuersignal; Durchführen eines DLL- Phasenaktualisierungsbetriebs auf der Grundlage des ersten internen Taktsignals in dem normalen Modus; und Durchführen eines DLL-Phasenaktualisierungsbetriebs auf der Grundlage des zweiten internen Taktsignals in dem Abschaltmodus.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die obigen und anderen Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden hinsichtlich der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen besser verstanden werden, die in Verbindung mit den zugehörigen Zeichnungen gegeben sind.
  • In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 eine Konzeptansicht, die einen grundlegenden Betrieb einer üblichen Verzögerungsregelschleifen-(DLL)-Schaltung veranschaulicht;
  • 2 ein Blockdiagramm einer DLL-Schaltung;
  • 3 ein Zeitgebungsdiagramm für einen Betrieb der DLL der 2;
  • 4 ein Blockdiagramm einer DLL-Schaltung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 5 ein detailliertes Schaltungsdiagramm eines Abschaltmodus-Controllers und eines zweiten Taktpuffers, die in 4 gezeigt sind;
  • 6 ein detailliertes Schaltungsdiagramm einer Taktkonversionseinheit, die in 5 gezeigt ist;
  • 7 ein detailliertes Schaltungsdiagramm eines 2-Taktteilers, der in 6 gezeigt ist; und
  • 8 ein Zeitgebungsdiagramm, das Simulationsergebnisse veranschaulicht, wenn die DLL der 4 auf eine Halbleiterspeichervorrichtung angewandt wird, in Übereinstimung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Eine Verzögerungsregelschleifen-(DLL)-Schaltung in Übereinstimmung mit beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wird im Detail unter Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen beschrieben werden.
  • 4 ist ein Blockdiagramm einer DLL-Schaltung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Die DLL-Schaltung 600 schließt einen Abschaltmodus-Controller 100, einen ersten und zweiten Taktpuffer 200 und 300, eine Taktauswahleinheit 400 und eine Phasenaktualisierungseinheit 500 ein.
  • Der Abschaltmodus-Controller 100 erzeugt ein Abschaltmodus-Steuersignal CTRL, das einen Beginn oder eine Beendigung eines Abschaltmodus im Ansprechen auf ein Taktfreigabesignal CKE bestimmt.
  • Der erste Taktpuffer 200 empfängt und puffert ein externes Taktsignal CLK und ein externes Takt-Komplementsignal CLKB im Ansprechen auf das Abschaltmodus-Steuersignal CTRL, um das gepufferte Signal als ein erstes internes Taktsignal ICLK_NM auszugeben.
  • Der zweite Taktpuffer 300 empfängt und puffert das externe Taktsignal CLK und das externe Takt-Komplementsignal CLKB im Ansprechen auf das Abschaltmodus-Steuersignal CTRL, um das gepufferte Signal als ein zweites internes Taktsignal ICLK_PD auszugeben. Das zweite interne Taktsignal ICLK_PD weist eine Frequenz niedriger als das erste interne Taktsignal ICLK_NM auf.
  • Die Taktauswahleinheit 400 gibt ein Zwischenausgangs-Taktsignal CLKOUT durch ein Auswählen eines von dem ersten internen Taktsignal ICLK_NM und dem zweiten internen Taktsignals ICLK_PD auf der Grundlage des Abschaltmodus-Steuersignals CTRL aus. In dem Fall eines normalen Modus wird das erste interne Taktsignal ICLK_NM ausgewählt; in dem Fall eines Abschaltmodus wird das zweite interne Taktsignal ICLK_PD ausgewählt.
  • Die Phasenaktualisierungseinheit 500 führt einen Phasenaktualisierungsbetrieb durch, um ein DLL-Taktsignal CLL_CLK unter Verwendung des von der Taktauswahleinheit 400 ausgewählten Taktsignals auszugeben.
  • Die Phasenaktualisierungseinheit 500 ist eine Registergesteuerte DLL, die eine Verzögerungsleitung 520, eine Blindverzögerungsleitung 530, ein Verzögerungsreplikamodell 540, einen Phasenkomparator 550 und einen Verzögerungscontroller 560 einschließt.
  • Die Verzögerungsleitung 520 empfängt das Zwischenausgangs-Taktsignal CLKOUT der Taktauswahleinheit 400, um eine Phase des Zwischenausgangs-Taktsignals CLKOUT um eine vorbestimmte Zeit zu verzögern. Die Blindverzögerungsleitung 530 ist im Wesentlichen identisch zu der Verzögerungsleitung 520. Das Verzögerungsreplikamodell 540 gibt ein Rückkopplungstaktsignal FB_CLK durch ein Modulieren eines Ausgangssignals der Blindverzögerungsleitung 530 mit Verzögerungsfaktoren des externen Taktsignals CLK und des externen Takt-Komplementsignals CLKB in einer Halbleiterspeichervorrichtung aus. Der Phasenkomparator 550 erfasst eine Phasendifferenz zwischen dem Zwischenausgangs-Taktsignal CLKOUT der Taktauswahleinheit 400 und dem Rückkopplungstaktsignal FB_CLK des Verzögerungsreplikamodells 540. Der Verzögerungscontroller 560 steuert die Verzögerungsleitung 520 und die Blindverzögerungsleitung 530 auf der Grundlage eines Ausgangssignals des Phasenkomparators 550.
  • Das DLL-Taktsignal DLL_CLK der DLL-Schaltung 600 wird zu einem Ausgangspuffer 800 über eine Taktsignalleitung 700 übertragen, um eine Ausgangszeitgebung der Daten zu steuern.
  • Die DLL-Schaltung 600 schließt den ersten Taktpuffer 200, der in dem normalen Modus arbeitet, und den zweiten Taktpuffer 300, der in dem Abschaltmodus arbeitet, ein. Zusätzlich schließt die DLL-Schaltung 600 den zweiten Taktpuffer 300 ein, dessen Frequenz niedriger als jene des ersten Taktpuffers 200 ist. Dementsprechend führt die DLL-Schaltung in dem normalen Modus den Phasenaktualisierungsbetrieb unter Verwendung des ersten internen Taktsignals ICLK_NM des ersten Taktpuffers 200 durch, und in dem Abschaltmodus führt die DLL-Schaltung 600 den Phasenaktualisierungsbetrieb unter Verwendung des zweiten internen Taktsignals ICLK_PD des zweiten Taktpuffers 300 durch.
  • Deswegen wird in der DLL-Schaltung 600 der vorliegenden Erfindung die Taktauswahleinheit 400 durch den Abschaltmodus-Controller 100 auf der Grundlage des Abschaltmodus-Steuersignals CTRL gesteuert. Die Phasenaktualisierungseinheit 500 führt den Phasenaktualisierungsbetrieb im Ansprechen auf das Zwischenausgangs-Taktsignal CLKOUT aus, das aus der Taktauswahleinheit 400 ausgegeben wird, die eines des ersten internen Taktsignals ICLK_NM und des zweiten internen Taktsignals ICLK_PD auswählt.
  • Aus diesem Grund führt die DLL-Schaltung der vorliegenden Erfindung zumindest einen Phasenaktualisierungsbetrieb in dem Abschaltmodus auf der Grundlage des zweiten internen Taktsignals ICLK_PD im Vergleich zu der DLL-Schaltung des verwandten Sachstands durch, die einen Phasenaktualisierungsbetrieb in dem Abschaltmodus nicht durchführt.
  • 5 ist ein detailliertes Schaltungsdiagramm des Abschaltmodus-Controllers 100 und des zweiten Taktpuffers 300, die in 4 gezeigt sind.
  • Der Abschaltmodus-Controller 100 schließt einen ersten und einen zweiten Invertierer INV1 und INV2 und ein erstes NAND-Gatter NAND1 ein.
  • Der erste Invertierer INV1 invertiert das Taktfreigabesignal CKE; das erste NAND-Gatter NAND1 führt einen NAND-Betrieb eines Ausgangssignals des ersten Invertierers INV1 und eines Wartesignals IDLE durch, das in der Phase gegenüber jener des Taktfreigabesignals CKE in dem Abschaltmodus entgegengesetzt ist. Der zweite Invertierer INV2 invertiert ein Ausgangssignal des ersten NAND-Gatters NAND1, um das invertierte Signal als das Abschaltmodus-Steuersignal CTRL auszugeben. In dem Abschaltmodus weist das Taktfreigabesignal CKE einen logischen Pegel "NIEDRIG" auf, und das Wartesignal IDLE weist einen logischen Pegel "HOCH" auf.
  • Der zweite Taktpuffer 300 schließt einen Differenzverstärker 320, eine Taktkonversionseinheit 340 und eine Ausgabeeinheit 360 ein.
  • Der Differenzverstärker 320 vergleicht das externe Taktsignal CLK mit dem externen Takt-Komplementsignal ICLK_PD, um das Vergleichsergebnis zu verstärken; die Taktkonversionseinheit führt eine Frequenztransformation eines Ausgangssignals des Differenzverstärkers 320 durch. Die Ausgabeeinheit 360 gibt ein Ausgangssignal der Taktkonversionseinheit 340 als das zweite interne Taktsignal ICLK_PD im Ansprechen auf das Abschaltmodus-Steuersignal CTRL aus.
  • Der Differenzverstärker 320 des zweiten Taktpuffers 300 schließt einen Freigabe-NMOS-Transistor N1, Eingangs-NMOS-Transistoren N2 und N3 und Ausgangs-PMOS-Transistoren P1 und P2 ein.
  • Der Freigabe-NMOS-Transistor N1 steuert einen Betrieb des Differenzverstärkers 320 im Ansprechen auf ein Freigabesignal ENABLE. Die Eingangs-NMOS-Transistoren N2 und N3 steuern ein Ausgangssignal des Differenzverstärkers 320, d.h. ein vorübergehendes Taktsignal TMP_CLK im Ansprechen auf das externe Taktsignal CLK und das externe Takt-Komplementsignal CLKB. Die Ausgangs-PMOS-Transistoren P1 und P2 sind zwischen einer Quellenspannung und einem Knoten des vorübergehenden Taktsignals TMP_CLK zum Bestimmen des vorübergehenden Taktsignals TMP_CLK gemäß der Eingangs-NMOS-Transistoren N2 und N3 verbunden.
  • Der zweite Taktpuffer 300 schließt die Taktkonversionseinheit 340 zwischen dem Differenzverstärker 320 und der Ausgabeeinheit 360 im Vergleich mit dem ersten Taktpuffer 200 ein. Die Taktkonversionseinheit 340 kann zumindest einen Taktteiler einschließen, der in Reihe verbunden ist.
  • Die Ausgabeeinheit 360 schließt ein Transfergatter 362, einen dritten Invertierer 364 und ein zweites NAND-Gatter ND2 ein.
  • Das Transfergatter 362 überträgt das Abschaltmodus-Steuersignal CTRL im Ansprechen auf ein Ausgangssignal der Taktkonversionseinheit 340. Der dritte Invertierer 364 schließt eine Mehrzahl von Invertierern ein, die in Reihe verbunden sind, um das Ausgangssignal der Taktkonversionseinheit 340 mit einer Inversion um eine vorbestimmte Zeit zu verzögern. Das zweite NAND-Gatter ND2 führt einen NAND-Betrieb des Abschaltmodus-Steuersignals CTRL, das von dem Transfergatter 362 übertragen wird, und eines Ausgangssignals des dritten Invertierers 364 durch, um das NAND-betriebene Signal als das zweite interne Taktsignal ICLK_PD auszugeben.
  • 6 ist ein detailliertes Schaltungsdiagramm der Taktkonversionseinheit 340, wie in 5 gezeigt ist, und 7 ist ein detailliertes Schaltungsdiagramm eines Einheits-2-Taktteilers 810A, der in 6 gezeigt ist.
  • Unter Bezugnahme auf 6 schließt die Taktkonversionseinheit 340 der vorliegenden Erfindung eine Mehrzahl von Einheits-2-Taktteilern 810A bis 810N und eine Mehrzahl von Sicherungseinheiten 820A bis 820N ein.
  • Die Mehrzahl von Einheits-2-Taktteilern 810A bis 810N sind in Reihe verbunden, um eine Mehrzahl von Takten zu erzeugen, die unterschiedliche Takteinheiten aufweisen, z.B. 2-Takt bis 2n-Takt; und die Mehrzahl von Sicherungseinheiten 810A bis 810N wählen einen der Ausgangstakte der mehrfachen Einheits-2-Taktteiler durch ein Durchtrennen einer ausgewählten Sicherung aus.
  • Ein Einheits-2-Taktteiler 810A unter den Einheits-2-Taktteilern 810A bis 810N ist als ein beispielhafter Aufbau in 7 gezeigt. Der Einheits-2-Taktteiler 810A erzeugt einen Ausgangstakt OUT durch ein Teilen eines Eingangstakts IN durch 2.
  • Dementsprechend wird die Taktkonversionseinheit 340 der vorliegenden Erfindung als ein 2-Taktteiler, ein 4-Taktteiler, der aus zwei Einheits-2-Taktteilern in Reihe zusammengesetzt ist, oder ein 2n-Taktteiler, der aus einer Anzahl von n der Einheits-2-Taktteiler in Reihe zusammengesetzt ist, verwendet. Folglich kann die Taktkonversionseinheit 340 in dem Abschaltmodus einen gewünschten Takt gemäß einem gewünschten Bereich des Phasenaktualisierungsbetriebs unter Verwendung der Mehrzahl der 2-Taktteiler einstellen.
  • Das heißt, dass in der vorliegenden Erfindung die Taktkonversionseinheit 340 so implementiert ist, eine Mehrzahl von geteilten Takten zu erzeugen, und einer der mehrfachen geteilten Takte wird zur Verwendung durch ein Testen ausgewählt. Alternativ ist es möglich, eine Metalloptions-Prozesseinheit anstelle der mehrfachen Sicherungseinheiten 820A bis 820 zu verwenden.
  • 8 ist ein Zeitgebungsdiagramm, das Simulationsergebnisse veranschaulicht, wenn die DLL-Schaltung der 4 auf eine Halbleiterspeichervorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • Wie gezeigt, wird in Übereinstimmung mit der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, in einem Fall eines Vorlade-Abschaltmodus, auch wenn der Abschaltmodus für eine lange Zeit wie etwa 7,8 μs aufrecht erhalten wird, ein DLL-Phasenaktualisierungsbetrieb durch das zweite interne Taktsignal ICLK_PD des zweiten Taktpuffers 300 für den Abschaltmodus zumindest einmal mehr durchgeführt.
  • Deswegen ist es möglich, einen Verriegelungsfehler zu verhindern, bei dem sich eine vorherige Verriegelungsinformation von einer gegenwärtigen Verriegelungsinformation unterscheidet, was aus einer Änderung in Verhältnissen der Halbleitervorrichtung, wie etwa einer Variation der externen Temperatur während einer langen Abschaltmodusperiode herrührt.
  • Wie oben stehend beschrieben wird in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung, auch wenn die Halbleiterspeichervorrichtung in dem Abschaltmodus für eine lange Zeit verbleibt, der DLL-Verriegelungsfehler durch ein Durchführen des DLL-Phasenaktualisierungsbetriebs mehr als einmal wirksam verhindert. Folglich arbeitet die DLL-Schaltung stabiler.
  • Die vorliegende Erfindung enthält Gegenstände, die sich auf die koreanische Patentanmeldung Nr. KR 2005-9659 & 2005-127734, eingereicht beim Koreanischen Patentamt am 29. September 2005 bzw. am 22. Dezember 2005 beziehen, wobei der gesamte Inhalt davon hierin unter Bezugnahme eingeschlossen ist.
  • Während die vorliegende Erfindung hinsichtlich bestimmter bevorzugter Ausführungsformen beschrieben worden ist, wird es für Fachleute offensichtlich sein, dass verschiedene Änderungen und Modifikationen ausgeführt werden können, ohne von dem Grundgedanken und Umfang der Erfindung abzuweichen, wie sie in den folgenden Ansprüchen definiert ist.

Claims (20)

  1. Synchrone Speichervorrichtung, die einen normalen Modus und einen Abschaltmodus aufweist, umfassend: einen Abschaltmodus-Controller zum Erzeugen eines Abschaltmodus-Steuersignals im Ansprechen auf ein Taktfreigabesignal, wodurch ein Beginn oder eine Beendigung eines Abschaltmodus bestimmt wird; eine Taktpuffereinheit zum Puffern eines externen Taktsignals im Ansprechen auf das Abschaltmodus-Steuersignal und zum Ausgeben erster und zweiter interner Taktsignale; eine Taktauswahleinheit zum Auswählen eines der ersten und zweiten internen Taktsignale auf der Grundlage des Abschaltmodus-Steuersignals, um das ausgewählte Taktsignal als ein Zwischenausgangs-Taktsignal auszugeben; und eine Phasenaktualisierungseinheit zum Durchführen eines Phasenaktualisierungsbetriebs unter Verwendung des Zwischenausgangs-Taktsignals, um ein Verzögerungsriegelschleifen-(DLL)-Taktsignal auszugeben, wobei sich das erste interne Taktsignal in der Frequenz von dem zweiten internen Taktsignal unterscheidet.
  2. Synchrone Speichervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Taktauswahleinheit das erste interne Taktsignal in dem normalen Modus und das zweite interne Taktsignal in dem Abschaltmodus auf der Grundlage des Abschaltmodus-Steuersignals ausgibt.
  3. Synchrone Speichervorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Taktpuffereinheit einschließt: einen ersten Taktpuffer zum Puffern des externen Taktsignals im Ansprechen auf das Abschaltmodus-Steuersignal, wodurch das gepufferte Taktsignal als das erste interne Taktsignal ausgegeben wird; und einen zweiten Taktpuffer zum Puffern des externen Taktsignals im Ansprechen auf das Abschaltmodus-Steuersignal, wodurch das gepufferte Taktsignal als das zweite interne Taktsignal ausgegeben wird, das eine niedrigere Frequenz als das erste interne Taktsignal aufweist.
  4. Synchrone Speichervorrichtung nach Anspruch 3, wobei der zweite Taktpuffer einschließt: einen Differenzverstärker zum Vergleichen des externen Taktsignals mit einem invertierten externen Taktsignal, um das Vergleichsergebnis zu verstärken; eine Taktkonversionseinheit zum Durchführen einer Frequenztransformation eines Ausgangssignals des Differenzverstärkers; und eine Ausgabeeinheit zum Ausgeben des zweiten internen Taktsignals auf der Grundlage des Abschaltmodus-Steuersignals und eines Ausgangssignals der Taktkonversionseinheit.
  5. Synchrone Speichervorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Taktkonversionseinheit einen Taktteiler einschließt.
  6. Synchrone Speichervorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Taktkonversionseinheit einschließt: eine Mehrzahl von Einheits-2-Taktteilern, die in Reihe verbunden sind, zum Erzeugen einer Mehrzahl von Takten, wobei jeder einen unterschiedlichen Einheitstakt aufweist; und eine Mehrzahl von Sicherungseinheiten zum Auswählen eines der Takte, die aus der Mehrzahl von Einheits-2-Taktteilern ausgegeben werden, indem eine ausgewählte Sicherung unter der Mehrzahl von Sicherungen durchgebrannt wird.
  7. Synchrone Speichervorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Taktkonversionseinheit einschließt: eine Mehrzahl von Einheits-2-Taktteilern, die in Reihe verbunden sind, zum Erzeugen einer Mehrzahl von Takten, wobei jeder einen unterschiedlichen Einheitstakt aufweist; und eine Mehrzahl von Optionsprozesseinheiten zum Auswählen eines der Takte, die aus der Mehrzahl von Einheits-2- Takteilern ausgegeben werden, durch eine Metalloptions-Prozesseinheit.
  8. Synchrone Speichervorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Ausgabeeinheit einschließt: ein Transfergatter zum Übertragen des Abschaltmodussteuersignals im Ansprechen auf einen Ausgang der Taktkonversionseinheit; eine ungerade Anzahl von Invertierern, die in Reihe verbunden sind, zum Verzögern des Ausgangs der Taktkonversionseinheit um eine vorbestimmte Zeit, mit einem Invertieren, um ein invertiertes Verzögerungssignal auszugeben; und ein NAND-Gatter zum Durchführen eines logischen NAND-Betriebs des invertierten Verzögerungssignals und des Abschaltmodus-Steuersignals, das von dem Transfergatter übertragen wird, wodurch das zweite interne Taktsignal ausgegeben wird.
  9. Synchrone Speichervorrichtung nach Anspruch 2, wobei der Abschaltmodus-Controller einschließt: einen ersten Invertierer zum Invertieren des Taktfreigabesignals; ein NAND-Gatter zum Durchführen eines NAND-Betriebs eines Ausgangssignals des ersten Invertierers und eines Wartesignals, das in dem Abschaltmodus in der Phase entgegengesetzt zu dem Taktfreigabesignal ist; und einen zweiten Invertierer zum Invertieren eines Ausgangssignals des NAND-Gatters und zum Ausgeben des invertierten Signals als das Abschaltmodus-Steuersignal.
  10. Synchrone Speichervorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Phasenaktualisierungseinheit einschließt: eine Verzögerungsleitung zum Verzögern einer Phase des Zwischenausgangs-Taktsignals und zum Ausgeben eines verzögerten Zwischenausgangs-Taktsignals; eine Blindverzögerungsleitung, die einen Aufbau aufweist, der im Wesentlichen der gleiche wie jener der Verzögerungsleitung ist; ein Verzögerungsreplikamodell zum Modellieren eines Ausgangssignals der Blindverzögerungsleitung als Verzögerungsfaktoren eines Taktsignals in der Speichervorrichtung und zum Ausgeben eines Rückkopplungssteuersignals; einen Phasenkomparator zum Vergleichen des Zwischenausgangs-Taktsignals mit dem Rückkopplungstaktsignal, um eine Phasendifferenz dazwischen zu erfassen; und einen Verzögerungscontroller zum Empfangen eines Ausgangssignals des Phasenkomparators, um Phasenverzögerungen der Verzögerungsleitung und der Blindverzögerungsleitung zu steuern, wodurch das DLL-Taktsignal ausgegeben wird.
  11. Verzögerungsregelschleife (DLL), umfassend: einen Abschaltmodus-Controller zum Erzeugen eines Abschaltmodus-Steuersignals im Ansprechen auf ein Taktfreigabesignal, wodurch ein Beginn oder eine Beendigung eines Abschaltmodus bestimmt wird; eine erste Taktpuffereinheit zum Puffern eines externen Taktsignals im Ansprechen auf das Abschaltmodus-Steuersignal und zum Ausgeben des gepufferten Taktsignals als ein erstes internes Taktsignal; eine zweite Puffereinheit zum Puffern des externen Taktsignals im Ansprechen auf das Abschaltmodus-Steuersignal und zum Ausgeben des gepufferten Taktsignals als ein zweites internes Taktsignal, das eine Frequenz niedriger als das erste interne Taktsignal aufweist; eine Taktauswahleinheit zum Ausgeben eines Zwischenausgangs-Taktsignals durch ein Auswählen des ersten internen Taktsignals in einem normalen Modus und des zweiten internen Taktsignals in dem Abschaltmodus auf der Grundlage des Abschaltmodus-Steuersignals; und eine Phasenaktualisierungseinheit zum Durchführen eines Phasenaktualisierungsbetriebs unter Verwendung des Zwischenausgangs-Taktsignals, um ein Verzögerungsregelschleifen-(DLL)-Taktsignal auszugeben.
  12. DLL nach Anspruch 11, wobei die zweite Taktpuffereinheit einschließt: einen Differenzverstärker zum Vergleichen des externen Taktsignals mit einem invertierten externen Taktsignal, um das Vergleichsergebnis zu verstärken; eine Taktkonversionseinheit zum Durchführen einer Frequenztransformation eines Ausgangssignals des Differenzverstärkers; und eine Ausgabeeinheit zum Ausgeben des zweiten internen Taktsignals im Ansprechen auf das Abschaltmodus-Steuersignal und ein Ausgangssignal der Taktkonversionseinheit.
  13. DLL nach Anspruch 12, wobei die Taktkonversionseinheit einen Taktteiler einschließt.
  14. DLL nach Anspruch 12, wobei die Taktkonversionseinheit einschließt: eine Mehrzahl von Einheits-2-Taktteilern, die in Reihe verbunden sind, zum Erzeugen einer Mehrzahl von Takten, wobei jeder einen unterschiedlichen Einheitstakt aufweist; und eine Mehrzahl von Sicherungseinheiten zum Auswählen eines der Takte, die aus der Mehrzahl von Einheits-2-Taktteilern ausgegeben werden, indem eine ausgewählte Sicherung unter der Mehrzahl von Sicherungen durchgebrannt wird.
  15. DLL nach Anspruch 12, wobei die Ausgabeeinheit einschließt: ein Transfergatter zum Übertragen des Abschaltmodus-Steuersignals im Ansprechen auf einen Ausgang der Taktkonversionseinheit; und eine ungerade Anzahl von Invertierern, die in Reihe verbunden sind, zum Verzögern des Ausgangs der Taktkonversionseinheit um eine vorbestimmte Zeit, mit einem Invertieren, um ein invertiertes Verzögerungssignal auszugeben; und ein NAND-Gatter zum Durchführen eines logischen NAND-Betriebs des invertierten Verzögerungssignals und des Abschaltmodus-Steuersignals, das von dem Transfergatter übertragen wird, wodurch das zweite interne Taktsignal ausgegeben wird.
  16. Synchrone Speichervorrichtung nach Anspruch 11, wobei der Abschaltmodus-Controller einschließt: einen ersten Invertierer zum Invertieren des Taktfreigabesignals; ein NAND-Gatter zum Durchführen eines NAND-Betriebs eines Ausgangssignals des ersten Invertierers und eines Wartesignals, das in dem Abschaltmodus in der Phase entgegengesetzt zu jener des Taktfreigabesignals ist; und einen zweiten Invertierer zum Invertieren eines Ausgangssignals des NAND-Gatters und zum Ausgeben des invertierten Signals als das Abschaltmodus-Steuersignal.
  17. Synchrone Speichervorrichtung nach Anspruch 11, wobei die Phasenaktualisierungseinheit einschließt: eine Verzögerungsleitung zum Verzögern einer Phase des Zwischenausgangs-Taktsignals und zum Ausgeben eines verzögerten Zwischenausgangs-Taktsignals; eine Blindverzögerungsleitung, die einen Aufbau aufweist, der im Wesentlichen der gleiche wie jener der Verzögerungsleitung ist; ein Verzögerungsreplikamodell zum Modellieren eines Ausgangssignals der Blindverzögerungsleitung als Verzögerungsfaktoren eines Taktsignals in der Speichervorrichtung und zum Ausgeben eines Rückkopplungstaktsignals; einen Phasenkomparator zum Empfangen des Zwischenausgangs-Taktsignals und des Rückkopplungstaktsignals, um einen Phasendifferenz dazwischen zu erfassen; und einen Verzögerungscontroller zum Empfangen eines Ausgangssignals des Phasenkomparators, um Phasenverzögerungen der Verzögerungsleitung und der Blindverzögerungsleitung zu steuern, wodurch das DLL-Taktsignal ausgegeben wird.
  18. Verfahren zum Erzeugen eines Verzögerungsregelschleifen(DLL-)-Takts einer synchronen Speichervorrichtung, die einen normalen Modus und einen Abschaltmodus aufweist, umfassen: Erzeugen eines ersten internen Taktsignals durch ein Puffern eines externen Takts; Erzeugen eines internen Taktsignals durch ein Puffern des externen Takts, wobei der zweite interne Takt eine unterschiedliche Frequenz zu jener des ersten internen Taktsignals aufweist; Auswählen eines der ersten und der zweiten internen Taktsignale gemäß einem Modussteuersignal; Durchführen eines DLL-Phasenaktualisierungsbetriebs auf der Grundlage des ersten internen Taktsignals in dem normalen Modus; und Durchführen eines DLL-Phasenaktualisierungsbetriebs auf der Grundlage des zweiten internen Taktsignals in dem Abschaltmodus.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, wobei das zweite interne Taktsignal eine niedrigere Frequenz als das erste interne Taktsignals aufweist.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, wobei das Modussteuersignal eine Information einschließt, die zeigt, ob die Speichervorrichtung in dem normalen Modus oder in dem Abschaltmodus ist.
DE102006030377A 2005-09-29 2006-06-30 Verzögerungsregelschleifenschaltung Withdrawn DE102006030377A1 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2005-0091659 2005-09-29
KR20050091659 2005-09-29
KR1020050127734A KR100753101B1 (ko) 2005-09-29 2005-12-22 락킹 페일 방지 위한 지연고정루프 클럭 생성 방법 및 장치
KR10-2005-0127734 2005-12-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102006030377A1 true DE102006030377A1 (de) 2007-04-05

Family

ID=37852874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006030377A Withdrawn DE102006030377A1 (de) 2005-09-29 2006-06-30 Verzögerungsregelschleifenschaltung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7501866B2 (de)
JP (1) JP4764270B2 (de)
DE (1) DE102006030377A1 (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4775141B2 (ja) * 2005-09-29 2011-09-21 株式会社ハイニックスセミコンダクター 遅延固定ループ回路
KR100801741B1 (ko) * 2006-06-29 2008-02-11 주식회사 하이닉스반도체 지연고정루프
KR100784907B1 (ko) * 2006-06-30 2007-12-11 주식회사 하이닉스반도체 Dll 회로 및 그 제어 방법
KR100896182B1 (ko) * 2007-02-22 2009-05-12 삼성전자주식회사 지연 동기 회로의 파워 다운 모드를 제어하는 장치 및 그제어 방법
KR100881401B1 (ko) * 2007-11-02 2009-02-02 주식회사 하이닉스반도체 클럭 동기화 회로 및 클럭 동기화 방법
KR100873624B1 (ko) * 2007-11-09 2008-12-12 주식회사 하이닉스반도체 파워 다운 모드 제어 장치 및 이를 포함하는 dll 회로
KR100902058B1 (ko) * 2008-01-07 2009-06-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 집적 회로 및 그의 제어 방법
US8116254B2 (en) * 2008-01-31 2012-02-14 Powerwave Technologies, Inc. Wireless repeater with smart uplink
US8089318B2 (en) * 2008-10-17 2012-01-03 Marvell World Trade Ltd. Methods, algorithms, circuits, and systems for determining a reference clock frequency and/or locking a loop oscillator
KR101062743B1 (ko) 2009-04-15 2011-09-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 집적 회로 및 그 제어 방법
KR101040243B1 (ko) 2009-07-30 2011-06-09 주식회사 하이닉스반도체 Dll 회로의 업데이트 제어 장치
JP2011061457A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Elpida Memory Inc クロック生成回路及びこれを備える半導体装置並びにデータ処理システム
US8248124B2 (en) 2010-06-03 2012-08-21 Intel Corporation Methods and apparatuses for delay-locked loops and phase-locked loops
KR101153805B1 (ko) 2010-08-18 2012-07-03 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 이를 이용한 dll 회로
KR101923023B1 (ko) * 2011-08-10 2018-11-28 에스케이하이닉스 주식회사 지연고정루프
JP6179206B2 (ja) * 2013-06-11 2017-08-16 株式会社リコー メモリ制御装置
KR102099406B1 (ko) * 2013-12-30 2020-04-09 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
US11942954B2 (en) * 2022-06-20 2024-03-26 Gigadevice Semiconductor (Shanghai) Inc. Delay locked loop circuitry and memory device

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996025796A1 (en) * 1995-02-17 1996-08-22 Intel Corporation Power dissipation control system for vlsi chips
JP4006072B2 (ja) 1997-12-16 2007-11-14 富士通株式会社 半導体集積回路装置
JP3789629B2 (ja) * 1998-01-27 2006-06-28 富士通株式会社 半導体装置
US6154821A (en) 1998-03-10 2000-11-28 Rambus Inc. Method and apparatus for initializing dynamic random access memory (DRAM) devices by levelizing a read domain
JP2002093167A (ja) * 2000-09-08 2002-03-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
KR100374641B1 (ko) 2000-11-24 2003-03-04 삼성전자주식회사 스탠바이 모드에서 지연동기 루프회로의 전력소모를감소시키기 위한 제어회로를 구비하는 반도체 메모리장치및 이의 파우워 다운 제어방법
US6438060B1 (en) 2001-02-12 2002-08-20 Micron Technology, Inc. Method of reducing standby current during power down mode
KR100422572B1 (ko) * 2001-06-30 2004-03-12 주식회사 하이닉스반도체 레지스터 제어 지연고정루프 및 그를 구비한 반도체 소자
US6754132B2 (en) * 2001-10-19 2004-06-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Devices and methods for controlling active termination resistors in a memory system
US6650594B1 (en) 2002-07-12 2003-11-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Device and method for selecting power down exit
KR100518226B1 (ko) 2003-04-23 2005-10-04 주식회사 하이닉스반도체 Ddl 장치의 클락 분주기 및 그 클락 분주 방법
KR100529041B1 (ko) 2003-05-16 2005-11-17 주식회사 하이닉스반도체 동기식 반도체 메모리 장치의 지연 고정 루프 및 위상고정 방법
KR100528788B1 (ko) 2003-06-27 2005-11-15 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프 및 그 구동 방법
KR100543460B1 (ko) 2003-07-07 2006-01-20 삼성전자주식회사 지연동기루프회로

Also Published As

Publication number Publication date
JP4764270B2 (ja) 2011-08-31
US7501866B2 (en) 2009-03-10
US20070069773A1 (en) 2007-03-29
JP2007097135A (ja) 2007-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006030377A1 (de) Verzögerungsregelschleifenschaltung
DE102006045254B4 (de) Verzögerungsregelschleife für Hochgeschwindigkeits-Halbleiterspeichervorrichtung
DE102008008194A1 (de) Speicherbauelement und Verfahren zum Betreiben eines Speicherbauelements
DE602004004533T2 (de) Phasenmischschaltung mit verzögertem regelkreis
DE102004032478A1 (de) Verzögerungsregelkreis in Halbleiterspeichervorrichtung und sein Taktsynchronisierverfahren
DE10084993B3 (de) Ausgabeschaltung für einen mit doppelter Datenrate arbeitenden dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DDR DRAM), ein mit doppelter Datenrate arbeitender dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DDR DRAM), ein Verfahren zum getakteten Auslesen von Daten aus mit doppelter Datenrate arbeitenden dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DDR DRAM)
DE19752161C2 (de) Halbleiterspeichersystem, unter Verwendung einer taktsynchronen Halbleitervorrichtung, und Halbleiterspeichervorrichtung zur Verwendung in demselben
DE69838852T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur kopplung von signalen zwischen zwei schaltungen, in verschiedenen taktbereichen arbeitend
DE102006020857A1 (de) Integrierter Halbleiterspeicher zur Synchronisierung eines Signals mit einem Taktsignal
DE10043650A1 (de) Takterzeugerschaltung und Halbleiterspeichervorrichtung
DE10340588A1 (de) Delay Locked Loop und Verfahren zum Treiben derselben
DE10300540A1 (de) Digitale DLL-Vorrichtung zum Korrigieren des Tastverhältnisses und dessen Verfahren
DE102006048390B4 (de) Taktschaltung für Halbleiterspeicher
DE102005010906A1 (de) Taktsignalerzeugungsvorrichtung zur Verwendung in einer Halbleiterspeichervorrichtung und ihr Verfahren
DE10300690A1 (de) Digitale DLL-Vorrichtung zum Korrigieren des Tastverhältnisses und dessen Verfahren
DE102005027452A1 (de) Digitaler Tastverhältniskorrektor
DE10023248A1 (de) Schaltung und Verfahren zur Taktsignalsynchronisation und Zeit/Digital-Wandler hierfür
DE10330796A1 (de) Registergesteuerter Delay Locked Loop mit Beschleunigungsmodus
DE102007016318B4 (de) Belastungszykluskorrektor und Verfahren zum Korrigieren des Belastungszyklus eines Signals
DE10049029B4 (de) Schaltung und Verfahren zur Latenzbestimmung, Pufferschaltung mit variabler Latenz und Speicherbauelement
DE102015106701A1 (de) Verzögerungsleitungsschaltung
DE60317796T2 (de) Synchrone Spiegelverzögerungseinrichtung (SMD) und Verfahren mit einem Zähler und bidirektionale Verzögerungsleitung mit verringerter Grösse
DE10235740A1 (de) Register, das zum Korrespondieren mit einem Breitfrequenzband geeignet ist, und Signalerzeugungsverfahren, das dasselbe verwendet
DE102004031450A1 (de) Verzögerungsregelkreis-Vorrichtung
DE10064206B4 (de) Verzögerungsverriegelungsschleife zur Verwendung bei Halbleiterspeichergeräten

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
R016 Response to examination communication
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20140101