DE10158706A1 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren HerstellungInfo
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Abstract
Description
Claims (20)
wenigstens einer Gate-Elektrode, die auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet ist mit wenigstens einem Teil mit einer im Querschnitt betrachtet, hinterschnittenen Form;
einem Maskenisolierfilm, der auf der Oberfläche wenigstens einer Elektrode aus gebildet ist;
einem Seitenflächenisolierfilm, der auf einer Seitenfläche wenigstens einer Gate-Elektrode ausgebildet ist;
einem Seitenwandisolierfilm, der auf einer Seitenfläche des Maskenisolierfilms und der wenigstens einen Gate-Elektrode ausgebildet ist;
einer ersten Fremdatomregion, die in dem Halbleitersubstrat mit wenigstens einer Gate-Elektrode und dem Seitenflächen-Isolierfilm als Maske, und ohne den Seitenwan disolierfilm als Maske ausgebildet ist; und
einer zweiten Fremdatomregion, die in dem Halbleitersubstrat mit wenigstens dem Seitenwandisolierfilm als Maske ausgebildet ist, wobei die zweite Fremdatomregion eine höhere Fremdatomkonzentration als die erste Fremdatomregion hat.
die Gate-Elektrode eine Laminatstruktur hat, die wenigstens eine untere Schicht und eine obere Schicht aufweist, wobei wenigstens die untere Schicht im Schnitt betrachtet eine hinterschnittene Form hat.
die untere Schicht Polysilizium aufweist.
die höhere Schicht ein Silizid aufweist.
der Seitenflächenisolierfilm an der Seite der höheren Schicht dicker als an der Seite der unteren Schicht ist.
eine Linie, die die Außenkante des Seitenflächenisolierfilms an der Seite der höheren Schicht mit der Außenkante des Seitenflächenisolierfilms an der unteren Schicht ver bindet, einen Neigungswinkel nicht größer als 15° bezogen auf die Senkrechte zum Sub strat hat, wenn die Gate-Elektrode im Querschnitt betrachtet wird.
der Neigungswinkel ungefähr 7° beträgt.
der Seitenflächenisolierfilm durch Oxidieren der Gate-Elektrode gebildet ist.
der Seitenflächen-Isolierfilm in einer Atmosphäre, die Sauerstoff enthält und innerhalb eines Temperaturbereiches von ungefähr 1000°C bis 1100°C oxidiert ist.
die Gate-Elektrode eine Laminatstruktur hat, die wenigstens eine untere Schicht, die Polysilizium enthält und wenigstens eine obere Schicht, die Siliziumoxid enthält, aufweist;
der Maskenisolierfilm Siliziumoxid aufweist; und
der Seitenwandisolierfilm Siliziumnitrid aufweist.
einem Kontaktstopfen, der mit der zweiten Fremdatomregion verbunden und neben dem Seitenwandisolierfilm ist.
eine Anzahl von Gate-Elektroden voneinander durch ein vorbestimmtes Raster maß getrennt sind; und
ein Intervall in dem Substrat zwischen dem Ende jeder Gate-Elektrode und einer benachbarten zweiten Fremdatomregion größer als ein entsprechendes Intervall für eine Gate-Elektrode ist, die keine hinterschnittene Form hat.
Ausbilden einer Gate-Elektrode mit einem Maskenisolierfilm darauf, wobei die Gate-Elektrode im Querschnitt betrachtet eine hinterschnittene Form hat;
Ausbilden eines Seitenflächenisolierfilms auf den Seiten der Gate-Elektrode;
Ausbilden einer ersten Fremdatomregion in einem Halbleitersubstrat mit der Gate-Elektrode und dem Seitenflächenisolierfilm als Maske;
Ausbilden eines Seitenwandisolierfilms auf einer Seitenfläche des Maskenisolier films und der Gate-Elektrode; und
Ausbilden einer zweiten Fremdatomregion in dem Halbleitersubstrat mit wenig stens dem Seitenwandisolierfilm als Maske, wobei die zweite Fremdatomregion eine höhere Fremdatomkonzentration als die erste Fremdatomregion hat.
das Ausbilden der Gate-Elektrode das Ausbilden einer laminierten Gate-Elektrode um faßt, die wenigstens eine untere Schicht mit einer hinterschnittenen Form hat.
die laminierte Gate-Elektrode eine höhere Schicht über der unteren Schicht hat; und
das Ausbilden des Seitenflächenisolierfilms das Ausbilden eines dickeren Seiten flächenisolierfilms an den Seiten der höheren Schicht als an den Seiten der unteren Schicht umfaßt.
wenn die Gate-Elektrode im Schnitt betrachtet wird, eine Linie von der Außenkante des Seitenflächenisolierfilms an der Seite der höheren Schicht zur Außenkante des Seiten flächenisolierfilms an der Seite der unteren Schicht gezogen, einen Neigungswinkel von weniger als 16° mit Bezug auf eine Senkrechte zum Substrat hat.
das Ausbilden der ersten Fremdatomregion eine schräge Fremdatomimplantation bei ei nem Winkel im wesentlichen gleich dem Neigungswinkel aufweist.
Ausbilden einer Gate-Elektrode, die im Querschnitt betrachtet, eine hinterschnit tene Form hat; und
schräges Implantieren von Ionen mit der Gate-Elektrode als Implantationsmaske, um eine erste Fremdatomregion zu bilden; und
Implantieren von Ionen mit der Gate-Elektrode und einer isolierenden Seitenwand als Implantationsmaske, um eine zweite Fremdatomregion zu bilden, wobei die isolie rende Seitenwand über der ersten Fremdatomregion gebildet wird und die zweite Fremdatomregion eine höhere Konzentration der implantierten Ionen als die erste Fremdatomregion hat.
das Ausbilden der Gate-Elektrode das Ausbilden einer Laminat-Elektrodenstruktur mit einer unteren Schicht, die zu einer hinterschnittenen Form geätzt wird, umfaßt.
das Ausbilden der Gate-Elektrode das Ausbilden einer Laminat-Elektrodenstruktur und Aufwachsen eines Seitenflächen-Isolierfilms umfaßt, der an der Seitenfläche der höhe ren Gate-Elektrodenschicht eine größere Dicke als an der Seitenfläche der unteren Gate-Elektrodenschicht hat.
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