DE10145152A1 - Tester für integrierte Halbleiterschaltungen und Verfahren zum Testen integrierter Halbleiterschaltungen - Google Patents
Tester für integrierte Halbleiterschaltungen und Verfahren zum Testen integrierter HalbleiterschaltungenInfo
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Abstract
Es wird ein Tester für integrierte Halbleiterschaltungen geschaffen, der in einer integrierten Mischsignal-Halbleiterschaltung (11) mit einer A/D-Umsetzerschaltung (52) und mit einer D/A-Umsetzerschaltung (52) eine A/D-Umsetzerschaltung (51) und eine D/A-Umsetzerschaltung (52) mit hoher Genauigkeit und mit hoher Geschwindigkeit testen kann. In der Nähe einer Testschaltungsplatine (10, 10A), auf der eine zu testende integrierte Halbleiterschaltung (11) angebracht ist, ist eine Testhilfsvorrichtung (20) vorgesehen. Die Testhilfsvorrichtung (20) umfaßt eine Datenschaltung (63) zum Liefern analoger Testsignale an die A/D-Umsetzerschaltung (51) der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11) und digitaler Testsignale an deren D/A-Umsetzerschaltung (52), einen Meßdatenspeicher (66) zum Speichern von Testausgangssignalen von der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11) und einen Analysatorabschnitt (69) zum Analysieren der in dem Meßdatenspeicher (66) gespeicherten Daten.
Description
Die Erfindung betrifft das Gebiet der Tester für integrierte
Halbleiterschaltungen und der Verfahren zum Testen integrier
ter Halbleiterschaltungen und insbesondere einen Tester für
integrierte Halbleiterschaltungen mit einer A/D-Umsetzer
schaltung zum Umsetzen analoger Signale in digitale Signale
und einer D/A-Umsetzerschaltung zum Umsetzen digitaler Si
gnale in analoge Signale sowie ein Verfahren zum Testen inte
grierter Halbleiterschaltungen.
Im folgenden wird der Tester für eine integrierte Halbleiter
schaltung einfach Tester genannt. In den vergangenen Jahren
ist durch Kombination leistungsfähiger hochgenauer digitaler
Schaltungen und analoger Schaltungen (Mischsignalisierung) in
einer System-LSI, die von einer integrierten Einchip-Halblei
terschaltung gebildet wird, die ihrerseits von mehreren Funk
tionssystemmodulen (Einchip-LSI) gebildet wird, oder die von
einer integrierten Hybridschaltung gebildet wird, in der
die Integration rasch fortgeschritten, wobei die Tester für
diese integrierten Halbleiterschaltungen zum Bewältigen die
ser Mischsignalisierung ebenfalls rasch fortgeschritten sind
und von Testerherstellern Tester zum Test integrierter Misch
signal-Halbleiterschaltungen geliefert werden.
Damit die Tester an die Hochleistungsspezifikationen der in
tegrierten Mischsignal-Halbleiterschaltungen angepaßt sind,
neigen sie aber dazu, teuer zu sein. In einer solchen Situa
tion gibt es eine Entwicklung, das Steigen der Testerkosten
durch die Wiederverwendung vorhandener langsamer Tester mit
niedriger Genauigkeit beispielsweise für Logik-LSIs zu ver
meiden.
Ein signifikantes Problem, das in solchen Testern zu lösen
ist, ist der Test von D/A-Umsetzerschaltungen zum Umsetzen
digitaler Signale in analoge Signale und von A/D-Umsetzern
zum Umsetzen analoger Signale in digitale Signale. Das Pro
blem besteht darin, wie bei wachsender Genauigkeit dieser
Umsetzerschaltungen 'Tester für integrierte Halbleiterschal
tungen mit diesen Umsetzerschaltungen bei niedrigen Kosten zu
realisieren sind.
In einem allgemeinen Testereignis für Tester gibt es entlang
eines Meßwegs von einem Meßinstrument in dem Tester zu der
(im folgenden DUT genannten) zu testenden integrierten Halb
leiterschaltung mehrere Haltevorrichtungen, die den Tester
und die DUT verbinden, wie etwa eine DUT-Schaltungsplatine
(DUT-Platine) und ein Kabel, wobei der Meßweg lang ist, was
zum Auftreten von Rauschen und zur Verringerung der Meßgenau
igkeit führt, während es schwierig ist, mehrere DUTs gleich
zeitig zu testen. Da ein langsamer Tester die DUT wegen sei
ner Geschwindigkeitsbeschränkung nicht bei einer praktischen
Geschwindigkeit testen kann, gibt auch die steigende Testzeit
für den Test massenproduzierter DUTs Anlaß zu Besorgnis.
JP 1-316024 schlägt einen Tester mit einem Speicherelement
zum Speichern umgesetzter Daten an der durch die Eingangsda
ten in den D/A-Umsetzer der Testschaltung spezifizierten
Adresse vor, in dem mit dem D/A-Umsetzer umgesetzte analoge
Signale in den A/D-Umsetzer eingegeben werden, die Ausgangs
signale des A/D-Umsetzers nacheinander in dem Speicherelement
gespeichert werden, die in dem Speicherelement gespeicherten
umgesetzten Daten, wenn sämtliche eingegebenen Daten umge
setzt worden sind, nacheinander an den Tester gesendet werden
und die eingegebenen Daten nacheinander mit den umgesetzten
Daten in dem Tester verglichen werden.
Da die in den D/A-Umsetzer eingegebenen Daten, die Adressen
des Speicherelements zum Speichern der umgesetzten Daten und
die Steuersignale von dem Tester geliefert werden müssen,
während außerdem die in dem Speicherelement gespeicherten
Daten an den Tester geliefert werden müssen, kann aber die
Meßgenauigkeit wegen dem Rauschen auf dem langen Meßweg zwi
schen der DUT und dem Tester sinken. Außerdem ist wegen der
Belegung der Anzahl der Testerstiftelektroniken die gleich
zeitige Messung mehr als einer DUT schwierig. Da außerdem die
Kommunikation zum Übertragen umgesetzter Daten an den Tester
viel Zeit benötigt, während die Testergebnisse nach Abschluß
sämtlicher Tests beurteilt werden, ist die Senkung der Zeit
dauer ebenfalls schwierig.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Tester
für integrierte Halbleiterschaltungen und ein Verfahren zum
Testen integrierter Halbleiterschaltungen zu schaffen, die
eine schnelle hochgenaue Messung bei niedrigen Kosten reali
sieren können und die somit die obenerwähnten Nachteile nicht
besitzen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch einen Tester
für integrierte Halbleiterschaltungen nach Anspruch 1 bzw.
durch ein Verfahren zum Testen integrierter Halbleiterschal
tungen nach Anspruch 10. Weiterbildungen der Erfindung sind
in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Gemäß einem Merkmal der Erfindung wird eine schnelle, hochge
naue Messung realisiert und ein Tester für integrierte Halb
leiterschaltungen und ein Verfahren zum Testen integrierter
Halbleiterschaltungen geschaffen, mit denen mehr als eine
integrierte Halbleiterschaltung gleichzeitig getestet werden
kann.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung umfaßt ein Tester für inte
grierte Halbleiterschaltungen eine Testschaltungsplatine, die
Signale an eine zu testende integrierte Halbleiterschaltung,
die eine A/D-Umsetzerschaltung zum Umsetzen analoger Signale
in digitale Signale und eine D/A-Umsetzerschaltung zum Umset
zen digitaler Signale in analoge Signale enthält, senden und
von ihr empfangen kann, eine Testhilfsvorrichtung, die in der
Nähe der Testschaltungsplatine angeordnet und mit ihr verbun
den ist und eine Testmaschine, die mit der Testhilfsvorrich
tung verbunden ist. Die Testhilfsvorrichtung umfaßt eine Da
tenschaltung zum Erzeugen digitaler Testsignale und zum Lie
fern der digitalen Testsignale an die D/A-Umsetzerschaltung
der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung, eine Test-
D/A-Umsetzerschaltung zum Umsetzen der digitalen Testsignale
von der Datenschaltung in analoge Testsignale und zum Liefern
der analogen Testsignale an die A/D-Umsetzerschaltung der zu
testenden integrierten Halbleiterschaltung, eine Test-A/D-
Umsetzerschaltung zum Umsetzen analoger Testausgangssignale
von der D/A-Umsetzerschaltung der zu testenden integrierten
Halbleiterschaltung in digitale Testausgangssignale, einen
Meßdatenspeicher zum Speichern der digitalen Testausgangssi
gnale von der A/D-Umsetzerschaltung der zu testenden inte
grierten Halbleiterschaltung und der digitalen Testausgangs
signale der Test-A/D-Umsetzerschaltung und einen Analysator
abschnitt zum Analysieren jedes der in dem Meßdatenspeicher
gespeicherten digitalen Testausgangssignale. Der Tester für
integrierte Halbleiterschaltungen ist so konfiguriert, daß er
die digitalen Testsignale und die analogen Testsignale anhand
von Anweisungen von der Testmaschine an die zu testende inte
grierte Halbleiterschaltung liefert, während er die in dem
Meßdatenspeicher gespeicherten Ergebnisse der Analyse jedes
digitalen Testausgangssignals durch den Analysatorabschnitt
an die Testmaschine liefert.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird in einem Ver
fahren zum Testen integrierter Halbleiterschaltungen mit ei
ner A/D-Umsetzerschaltung zum Umsetzen analoger Signale in
digitale Signale und mit einer D/A-Umsetzerschaltung zum Um
setzen digitaler Signale in analoge Signale der Test der in
tegrierten Halbleiterschaltung in folgender Weise durchge
führt. In der Nähe einer Testschaltungsplatine, die Signale
an die zu testende integrierte Halbleiterschaltung senden und
von ihr empfangen kann, wird eine Testhilfsvorrichtung ange
ordnet. Die Testhilfsvorrichtung umfaßt eine Datenschaltung
zum Erzeugen digitaler Testsignale zum Liefern der digitalen
Testsignale an die D/A-Umsetzerschaltung der zu testenden
integrierten Halbleiterschaltung, eine Test-D/A-Umsetzer
schaltung zum Umsetzen der digitalen Testsignale von der Da
tenschaltung in analoge Testsignale und zum Liefern der ana
logen Testsignale an die A/D-Umsetzerschaltung der zu testen
den integrierten Halbleiterschaltung, eine Test-A/D-Umsetzer
schaltung zum Umsetzen analoger Testausgangssignale der D/A-
Umsetzerschaltung der zu testenden integrierten Halbleiter
schaltung in digitale Testausgangssignale, einen Meßdaten
speicher zum Speichern der digitalen Testausgangssignale von
der A/D-Umsetzerschaltung der zu testenden integrierten Halb
leiterschaltung und der digitalen Testausgangssignale der
Test-A/D-Umsetzerschaltung und einen Analysatorabschnitt zum
Analysieren jedes der in dem Meßdatenspeicher gespeicherten
digitalen Testausgangssignale. Die digitalen Testsignale und
die analogen Testsignale werden gemäß Anweisungen von einer
Testmaschine an die zu testende integrierte Halbleiterschal
tung geliefert, während die Ergebnisse der Analyse der jewei
ligen in dem Meßdatenspeicher gespeicherten digitalen Test
ausgangssignale durch den Analysatorabschnitt an die Testma
schine geliefert werden.
Da die in der Nähe der Testschaltungsplatine angeordnete
Testhilfsvorrichtung gemäß der Erfindung mit einer Daten
schaltung, einer Test-D/A-Umsetzerschaltung, einer Test-A/D-
Umsetzerschaltung, einem Speicher für gemessene Daten und
einem DSP-Analyseabschnitt versehen ist, während die Test
hilfsvorrichtung den Test der A/D-Umsetzerschaltung und der
D/A-Umsetzerschaltung einer zu testenden integrierten Halb
leiterschaltung ausführt, kann der Test der integrierten
Mischsignal-Halbleiterschaltung mit einer A/D-Umsetzerschal
tung und einer D/A-Umsetzerschaltung mit hoher Genauigkeit
und hoher Geschwindigkeit ausgeführt werden, während die Ko
stensenkung des Testers erreicht werden kann.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben
sich aus der Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung
anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1A-1C Diagramme der Konfiguration einer ersten Aus
führungsform eines Testers für integrierte
Halbleiterschaltungen und eines Testverfahrens
unter Verwendung der ersten Ausführungsform
des Testers gemäß der Erfindung;
Fig. 2 einen Blockschaltplan der Konfiguration einer
elektrischen Schaltung in der ersten Ausfüh
rungsform;
Fig. 3 eine Seitenansicht des DUT-Abschnitts der
zweiten Ausführungsform eines Testers für in
tegrierte Halbleiterschaltungen gemäß der Erfindung;
Fig. 4A-4C die Konfiguration des DUT-Abschnitts der drit
ten Ausführungsform eines Testers für inte
grierte Halbleiterschaltungen und ein Testver
fahren unter Verwendung der dritten Ausfüh
rungsform des Testers gemäß der Erfindung;
Fig. 5A, 5B den DUT-Abschnitt einer vierten Ausführungs
form eines Testers für integrierte Halbleiter
schaltungen und ein Testverfahren unter Ver
wendung der vierten Ausführungsform des Te
sters gemäß der Erfindung; und
Fig. 6 einen Blockschaltplan der Schaltungskonfigura
tion einer fünften Ausführungsform eines Te
sters für integrierte Halbleiterschaltungen
und ein Testverfahren unter Verwendung der
fünften Ausführungsform des Testers gemäß der
Erfindung.
Fig. 1 ist ein Diagramm der Konfiguration der ersten Ausfüh
rungsform eines Testers für integrierte Halbleiterschaltungen
und eines Testverfahrens unter Verwendung der ersten Ausfüh
rungsform des Testers gemäß der Erfindung. Fig. 1A ist eine
Draufsicht der Testschaltungsplatine (DUT-Platine), während
Fig. 1B eine Seitenansicht der Testschaltungsplatine und
Fig. 1C ein Konfigurationsdiagramm einer Testmaschine (eines
Testers) ist.
Der Tester der ersten Ausführungsform umfaßt eine Testschal
tungsplatine (DUT-Platine) 10, eine Testhilfsvorrichtung
(BOST-Vorrichtung) 20 und eine Testmaschine (Tester) 40.
In der ersten Ausführungsform dient die Testschaltungsplatine
10 zum Test einer gegossenen IC als zu testende integrierte
Halbleiterschaltung (DUT) 11. Die gegossene IC ist ein inte
grierter Halbleiterchip (IC-Chip), der mit einem Preßharz
bedeckt ist und eine Anzahl von Anschlüssen besitzt, die aus
dem Preßharz herausgeführt sind. Der IC-Chip dieser DUT 11
ist beispielsweise eine Einchip-Mischsignal-System-LSI, die
in einem Chip einen D/A-Umsetzer zum Umsetzen digitaler Si
gnale in analoge Signale und einen A/D-Umsetzer zum Umsetzen
analoger Signale in digitale Signale enthält. Die DUT 11 kann
auch eine integrierte Mischsignal-Hybridschaltung (Mischsi
gnal-Hybrid-IC) sein, in der mehrere Chips auf einer gemein
samen Schaltungsplatine integriert sind.
Die Testschaltungsplatine 10 besitzt einen DUT-Sockel 12 zum
Einstecken der Anschlüsse einer integrierten Halbleiterschal
tung (DUT) 11, wobei für den Test um den DUT-Sockel 12 eine
große Anzahl von Verbindungsanschlüssen 13 und Relaiskonden
satoren 14 angeordnet sind.
Unter der Testschaltungsplatine 10 ist ein Testkopf 15 ange
ordnet. Der Testkopf 15 besitzt eine große Anzahl von An
schlußstiften 16, die mit der Testschaltungsplatine 10 ver
bunden werden können, wobei die benötigten Signale über diese
Anschlußstifte 16 zu der DUT 11 übertragen und von ihr emp
fangen werden.
Die Testhilfsvorrichtung (BOST-Vorrichtung) 20 ist in der
Nähe der Testschaltungsplatine 10 angeordnet. In der ersten
Ausführungsform ist die Testhilfsvorrichtung 20 auf einer
Testhilfsplatine (BOST-Platine) 21 ausgebildet, die auf der
DUT-Platine 10 angebracht ist. Auf der DUT-Platine 10 ist ein
Sockel 17 zum Anbringen der BOST-Platine 21 befestigt. Die
BOST-Platine 21 besitzt einen Verbinder 22, der in den Sockel
17 auf der Unterseite gesteckt ist, wobei die BOST-Platine 21
durch die in den Sockel 17 auf der DUT-Platine 10 eingesteck
ten Verbinder 22 abgestützt ist, wobei über diesen Sockel 17
Signale an den Testkopf 15 gesendet oder von ihm empfangen
werden.
Die BOST-Platine (Abkürzung von Built-Off-Self-Test-Platine)
21 ist eine Platine der externen DUT-Testhilfsvorrichtung,
die der Testschaltung beim Durchführen des Selbsttests in der
DUT (BIST: Built-In-Self-Test) hilft, ohne daß sie von dem
Tester 40 abhängt, wobei sie einen AD/DA-Meßabschnitt 23,
einen Controllerabschnitt 24, einen DSP-Analysatorabschnitt
25, einen Speicherabschnitt 26 und einen Stromversorgungsab
schnitt 27 umfaßt.
Der Tester 40 umfaßt einen Testmustergenerator (TPG) 41, ei
nen Stromversorgungsabschnitt 42 und einen Stiftelektronikab
schnitt 43; er liefert die Quellspannung Vd an die BOST-Pla
tine 21; und er sendet BOST-Steuersignale 44 an die BOST-Pla
tine 21 und empfängt: solche von ihr. Die BOST-Steuersignale
44 umfassen nicht nur die Anweisungssignale von dem Tester 40
an die BOST-Platine 21 und an die DUT-Platine 10, sondern
auch die Testanalyse-Ergebnissignale von der BOST-Platine 21
an den Tester 40. Die Steuersignale 44, die die Testanalyse
nummer, den Code und dergleichen enthalten, die von dem Te
ster 40 an die BOST-Platine 21 eingegeben werden, werden von
dem in den Tester 40 integrierten Testmustergenerator 41 an
hand der in dem Testprogramm beschriebenen Testsignalbedin
gungen auf die gleiche Weise wie im Test für andere DUTs 11
als Testmustersignale erzeugt und über den Stiftelektronikab
schnitt 43 des Testers 40 mit mehreren Signal-Ein
gabe/Ausgabe-Stiften an die BOST-Platine 21 und an die DUT-
Platine 10 geliefert. Andererseits wird das von der BOST-Pla
tine 21 ausgegebene Testanalyseergebnis (Bestanden/Nicht-be
standen-Informationen) an den Stiftelektronikabschnitt 43 des
Testers 40 übertragen, wobei die Ergebnisinformationen anhand
des Vergleichs mit den Testmustersignalen und der Beurteilung
des Beurteilungsabschnitts des Stiftelektronikabschnitts 43
in den Tester genommen werden.
Fig. 2 ist ein Blockschaltplan der Konfiguration einer elek
tronischen Schaltung in der ersten Ausführungsform. Die DUT
11 umfaßt eine A/D-Umsetzerschaltung 51, die analoge Signale
in digitale Signale umsetzt, und eine D/A-Umsetzerschaltung
52, die digitale Signale in analoge Signale umsetzt.
Die BOST-Platine 21 umfaßt eine Test-D/A-Umsetzerschaltung
61, die analoge Testsignale an die A/D-Umsetzerschaltung 51
der DUT 11 liefert, und eine Test-A/D-Umsetzerschaltung 62,
die analoge Testausgangssignale von der D/A-Umsetzerschaltung
52 der DUT 11 in digitale Testausgangssignale umsetzt. Ferner
umfaßt die BOST-Platine 21 eine DAC-Eingangsdatenschaltung
(DAC-Zähler) 63, eine Datenschreibsteuerschaltung 64, einen
Meßdatenspeicher-Adressenzähler 65, einen Meßdatenspeicher
66, eine Referenztaktschaltung 67, eine Taktgeneratorschal
tung 68 und einen DSP-Analyseabschnitt 69. Der DSP-Analyseab
schnitt 69 umfaßt einen DSP-Programm-ROM 70.
Die Test-D/A-Umsetzerschaltung 61, die Test-A/D-Umsetzer
schaltung 62, die DAC-Eingangsdatenschaltung 63, die Daten
schreibsteuerschaltung 64 und der Meßdatenspeicher-Adressen
zähler 65 sind in dem D/A- und A/D-Meßabschnitt 23 in Fig. 1
enthalten, während der Meßdatenspeicher 66 in dem Speicherab
schnitt 26 und der DSP-Analyseabschnitt 69 in den DSP-Analy
seabschnitt 25 enthalten ist.
Die digitalen Signale für den Test (die Testdaten) sind in
der DAC-Eingangsdatenschaltung 63 gespeichert und werden von
dieser DAC-Eingangsdatenschaltung 63 anhand des Befehls von
dem Tester 40 an die D/A-Umsetzerschaltung 52 der DUT 11 und
an die Test-D/A-Umsetzerschaltung 61 der BOST-Platine 21 ge
liefert.
Die an die Test-D/A-Umsetzerschaltung 61 gelieferten digita
len Signale für den Test (Testdaten) werden in analoge Test
signale umgesetzt, an die A/D-Umsetzerschaltung 51 der DUT 11
geliefert, in dieser A/D-Umsetzerschaltung 51 der DUT 11 in
digitale Testausgangssignale umgesetzt und an den Meßdaten
speicher 66 geliefert.
Andererseits werden die direkt von der DAC-Eingangsdaten
schaltung 63 an die D/A-Umsetzerschaltung 52 der DUT 11 ge
lieferten digitalen Testsignale in der D/A-Umsetzerschaltung
52 in analoge Testausgangssignale umgesetzt und weiter in der
A/D-Umsetzerschaltung 62 der BOST-Platine 21 in digitale
Testausgangssignale umgesetzt, die an den Meßdatenspeicher 66
geliefert werden.
Der Meßdatenspeicher 66 speichert diese von der A/D-Umsetzer
schaltung 51 der DUT 11 gelieferten digitalen Testausgangssi
gnale sowie die von der D/A-Umsetzerschaltung 52 über die
A/D-Umsetzerschaltung 62 gelieferten digitalen Testausgangs
signale nacheinander an spezifizierten Adressen.
Die A/D-Umsetzerschaltung 51 der DUT 11 und die A/D-Umsetzer
schaltung 62 der BOST-Platine 21 setzen die analogen Signale
nacheinander in digitale Signale um und geben jedesmal, wenn
ein digitales Signal erzeugt ist, jeweils BUSY-Signale aus.
Diese BUSY-Signale werden an die Datenschreibsteuerschaltung
64 auf der BOST-Platine 21 geliefert. Die Datenschreibsteuer
schaltung 64 rückt die digitalen Testdaten der DAC-Eingangs
datenschaltung 63 anhand der gelieferten BUSY-Signale nach
einander für jede Dateneinheit in die nächsten digitalen
Testdaten vor und bewirkt, daß die Adresse des Meßdatenspei
chers 66 für den Meßdatenspeicher-Adressenzähler 65 vorge
rückt wird.
Somit werden die Codes der in der DUT 11 umgesetzte digitalen
Testdaten durch die BUSY-Signale in die DAC-Eingangsdaten
schaltung 63 vorgerückt, wobei die in der DUT 11 umgesetzten
Adressen zum Speichern der digitalen Testausgangssignale in
dem Meßdatenspeicher 66 nacheinander vorgerückt werden und
wobei somit die für den Test erforderliche Umsetzung in der
A/D-Umsetzerschaltung 51 und in der D/A-Umsetzerschaltung 52
in der DUT 11 nacheinander ausgeführt wird, während die umge
setzten Meßdaten nacheinander in dem Meßdatenspeicher 66 ge
speichert werden. Anschließend wird der Umsetzungstest bis
zum letzten Codesatz in dem DSP-Analyseabschnitt 69 der BOST-
Platine 21 fortgesetzt, wobei sämtliche Ergebnisse in dem
Meßdatenspeicher 66 gespeichert werden.
Nach Abschluß des Umsetzungstests durch die A/D-Umsetzer
schaltung 51 und die D/A-Umsetzerschaltung 52 in der DUT 11
liest der DSP-Analyseabschnitt 69 auf der BOST-Platine 21
unter Verwendung des in dem DSP-Programm-ROM 70 gespeicherten
Programms nacheinander die in dem Meßdatenspeicher 66 gespei
cherten umgesetzten Daten und analysiert die Umsetzungseigen
schaften. Diese Analyse umfaßt die Berechnung der Parameter
der A/D-Umsetzungseigenschaften, der Parameter der D/A-Umset
zungseigenschaften, der differentiellen Linearität, des inte
gralen nichtlinearen Fehlers und dergleichen, wobei das Er
gebnis der Analyse (Bestanden/Nicht-bestanden-Informationen)
von der BOST-Platine 21 an den Tester 40 gesendet wird, wo
die Testergebnisse verarbeitet werden.
Da die BOST-Platine 21 in der ersten Ausführungsform in der
Nähe der DUT-Platine 10 angeordnet ist und die Funktion zum
Durchführen des Umsetzungstests der A/D-Umsetzerschaltung 51
und der D/A-Umsetzerschaltung 52 der DUT 11 besitzt, kann
dieser Umsetzungstest auf der BOST-Platine 21 durchgeführt
werden. Im Ergebnis kann die analoge Meßsystemleitung zwi
schen der DUT-Platine 10 und der BOST-Platine 21 verkürzt
werden, das Auftreten von Meßfehlern wegen Rauschens ausrei
chend beschränkt werden, der hochgenaue Test realisiert wer
den und der Test anhand des Sendens und Empfangens der Si
gnale zwischen der DUT-Platine 10 und der nahegelegenen BOST-
Platine 21 mit höherer Geschwindigkeit durchgeführt werden.
Da die analoge Meßsystemleitung zwischen der BOST-Platine 21
und dem Tester 40 weggelassen werden kann, kann die Genauig
keit des Tests verbessert werden. Da außerdem der erforderli
che Umsetzungstest auf der BOST-Platine 21 abgeschlossen wird
und die Ergebnisse an den Tester 40 übertragen werden, kann
die Testgeschwindigkeit im Vergleich dazu, daß die umgesetz
ten Daten an den Tester 40 gesendet werden, verbessert wer
den.
Da die Umsetzungstestfunktion der A/D-Umsetzerschaltung 51
und der D/A-Umsetzerschaltung 52 in der ersten Ausführungs
form auf der BOST-Platine 21 angeordnet ist, braucht die um
fangreiche Funktion hierfür nicht zu dem Tester 40 hinzuge
fügt zu werden, wobei steigende Kosten des Testers 40 vermie
den werden können und sogar ein herkömmlicher langsamer Te
ster verwendet werden kann. Da die Erweiterung der Funktionen
durch eine Hardwarekonfiguration beschränkt ist, während die
Verbesserung des Testers selbst erforderlich ist, können die
Entwicklungskosten bei der Herstellung eines Testers 40 mit
einer Spezialmeßfunktion steigen. Da gemäß der ersten Ausfüh
rungsform der Testmustergenerator und die Stiftelektroniken
verwendet werden, die typischerweise in allgemeinen Testern
eingesetzt werden, kann die BOST-Platine konfiguriert und
gesteuert werden, ohne daß sie durch verschiedene Spezifika
tionen und Beschränkungen der Tester beeinflußt wird, wobei
eine Anwendung auf verschiedene Tester möglich ist.
Fig. 3 ist eine Seitenansicht des DUT-Abschnitts der zweiten
Ausführungsform eines Testers für integrierte Halbleiter
schaltungen und eines Testverfahrens unter Verwendung der
zweiten Ausführungsform des Testers gemäß der Erfindung. In
der zweiten Ausführungsform ist die BOST-Platine 21 der er
sten Ausführungsform auf der Oberseite der DUT-Platine 10
angeordnet. Außerdem wird in der zweiten Ausführungsform eine
gegossene integrierte Halbleiterschaltung, deren A/D-Umsetzer
41 und D/A-Umsetzer 42 getestet werden, in den Sockel 12 auf
der DUT-Platine 10 gesteckt.
In Fig. 3 ist auf der rechten Oberseite der DUT-Platine 10
eine BOST-Platine 21 angeordnet, wobei die beiden Platinen in
diesem Abschnitt verbunden sind, während zwischen den beiden
Platinen und dem Testkopf 15 Signale gesendet und empfangen
werden. Die Konfiguration auf der BOST-Platine 20 ist die
gleiche wie die Konfiguration aus Fig. 1, und ihre Schal
tungskonfiguration ist die gleiche wie die Schaltungskonfigu
ration aus Fig. 2.
Fig. 4 zeigt die Konfiguration des DUT-Abschnitts der dritten
Ausführungsform eines Testers für integrierte Halbleiter
schaltungen und ein Testverfahren unter Verwendung der drit
ten Ausführungsform des Testers gemäß der Erfindung. Fig. 4A
ist eine Draufsicht der BOST-Platine 21A, während Fig. 4B
eine Draufsicht der BOST-Schnittstellenplatine, Fig. 4C eine
Draufsicht der DUT-Platine 10A und Fig. 4D eine Seitenansicht
der DUT-Platine 10A ist. In der dritten Ausführungsform wird
eine integrierte Halbleiterschaltung in einem Waferzustand
dem Test ausgesetzt (DUT). Die DUT-Platine 10A ist eine
kreisförmige Sondenkarte, die auf der Unterseite in ihrem
Mittelabschnitt eine große Anzahl von Sonden 30 für den Wafer
11A besitzt. Auf der DUT-Platine 10A ist über eine Verbin
dungsstruktur 31 eine BOST-Schnittstellenplatine 32 angeord
net, auf der ein Verbinder 33 befestigt ist. Die BOST-Platine
21A, die die BOST-Vorrichtung 20 bildet, ist ebenfalls kreis
förmig, wobei auf der Oberseite dieser BOST-Platine 21A eben
falls der AD/DA-Meßabschnitt 23, ein Controllerabschnitt 24,
ein Speicherabschnitt 26, ein DSP-Analyseabschnitt 25 und
eine Stromversorgung 27 angeordnet sind.
Die Konfiguration der elektrischen Schaltung der dritten Aus
führungsform ist die gleiche wie die Konfiguration aus Fig. 2
in der ersten Ausführungsform, wobei der Test dadurch, daß in
dem Abschnitt, der dem Chip des Wafers 11A entspricht, ein
Kontakt der Sonde 30 zu einer großen Anzahl von Anschlüssen
hergestellt wird, ähnlich wie in der ersten Ausführungsform
durchgeführt wird. Der Abschnitt, der dem Chip des Wafers 11A
entspricht, wird nacheinander verschoben, wobei nacheinander
benachbarte den Chips entsprechende Abschnitte getestet wer
den.
Fig. 5 zeigt den DUT-Abschnitt der vierten Ausführungsform
eines Testers für integrierte Halbleiterschaltungen und ein
Testverfahren unter Verwendung der vierten Ausführungsform
des Testers gemäß der Erfindung, wobei Fig. 5A eine Seitenan
sicht und Fig. 5B eine Draufsicht ist. In der vierten Ausfüh
rungsform sind die BOST-Platine 20A aus der dritten Ausfüh
rungsform sowie die BOST-Schnittstellenplatine 17 und die
Verbindungsstruktur 16 weggelassen. Die erforderliche Verbin
dung ist dadurch ausgeführt, daß ein AD/DA-Meßabschnitt 21,
ein Steuerabschnitt 22, ein Speicherabschnitt 24, ein DSP-
Analyseabschnitt 23 und ein Stromversorgungsabschnitt 25, die
die BOST-Vorrichtung 20 bilden, sämtlich auf der Oberseite
der DUT-Platine 10A mit den Sonden 30 angeordnet sind.
Die Schaltungskonfiguration der vierten Ausführungsform ist
die gleiche wie die Konfiguration aus Fig. 2 in der ersten
Ausführungsform, wobei der Test der A/D-Umsetzerschaltung 51
und der D/A-Umsetzerschaltung 52 der DUT 11A in der gleichen
Weise wie in der ersten Ausführungsform durchgeführt wird.
Da die BOST-Vorrichtung 20 oder die BOST-Platine 21 oder 21A
in der zweiten, dritten und vierten Ausführungsform in der
Nähe der DUT-Platine 10 oder 10A angeordnet sind, während der
Test in der gleichen Weise wie in der ersten Ausführungsform
durchgeführt wird, können wie in der ersten Ausführungsform
ein hochgenauer schneller Test und die Kostensenkung der Vor
richtung erreicht werden.
Fig. 6 ist ein Blockschaltplan der Schaltungskonfiguration
der fünften Ausführungsform eines Testers für integrierte
Halbleiterschaltungen und eines Testverfahrens unter Verwen
dung der fünften Ausführungsform des Testers der Erfindung.
In der fünften Ausführungsform ist die A/D-Umsetzerschaltung
51 von einem Typ, der keine BUSY-Signale erzeugt. Somit wer
den von dem Tester 40 Auslösesignale 74 zum Vorrücken der
digitalen Testdaten der Datenschaltung 63 in die digitale
Einheit und zum Vorrücken der Adresse des Meßdatenspeichers
66 geliefert. Da die A/D-Umsetzerschaltung 62 so konfiguriert
werden kann, daß BUSY-Signale erzeugt werden, können diese
BUSY-Signale zusammen mit den Auslösesignalen 74 verwendet
werden. Die anderen Konfigurationen sind die gleichen wie die
aus Fig. 2.
Da die von dem Tester 40 an die BOST-Vorrichtung 20 gesende
ten Auslösesignale 74 in der fünften Ausführungsform digitale
Signale sind, während zwischen dem Tester 40 und der BOST-
Vorrichtung 20 kein leicht durch Rauschen beeinflußtes analo
ges Signalsystem hinzugefügt ist, kann außerdem wie in der
ersten Ausführungsform ein hochgenauer, schneller Test er
reicht werden.
Da die in der Nähe der Testschaltungsplatine angeordnete
Testhilfsvorrichtung gemäß der Erfindung wie oben beschrieben
mit einer Datenschaltung, einer Test-D/A-Umsetzerschaltung,
einer Test-A/D-Umsetzerschaltung, einem Meßdatenspeicher und
einem DSP-Analyseabschnitt versehen ist, während die Test
hilfsvorrichtung den Test der A/D-Umsetzerschaltung und der
D/A-Umsetzerschaltung einer zu testenden integrierten Halb
leiterschaltung durchführen kann, kann der Test einer inte
grierten Mischsignal-Halbleiterschaltung mit einer A/D-Umset
zerschaltung und mit einer D/A-Umsetzerschaltung mit hoher
Genauigkeit und mit hoher Geschwindigkeit durchgeführt werden
und die Kostensenkung des Testers erreicht werden.
Außerdem wird der Test der A/D-Umsetzerschaltung und der D/A-
Umsetzerschaltung der gegossenen integrierten Halbleiter
schaltung in dem Tester, dessen Testschaltungsplatine mit
einem Sockel zum Anbringen der gegossenen 1C versehen ist,
leicht durchgeführt, während der ähnliche Test unter Verwen
dung der mit Sonden versehenen Testschaltungsplatine eben
falls leicht in dem Waferzustand durchgeführt werden kann.
Außerdem kann in dem Tester, dessen Testhilfsvorrichtung eine
Testhilfsplatine mit einer Datenschaltung, einer Test-D/A-
Umsetzerschaltung, einer Test-A/D-Umsetzerschaltung, einem
Meßdatenspeicher und einem DSP-Analyseabschnitt umfaßt, die
Testhilfsvorrichtung in der Testhilfsplatine konzentriert
sein, um die Vorrichtung zu vereinfachen. In dem Tester, des
sen Testhilfsplatine in den Sockel der Testschaltungsplatine
gesteckt wird, kann dessen Baueinheit vereinfacht werden,
während beim Anordnen der Testhilfsplatine auf der Testschal
tungsplatine sogar der Tester vereinfacht werden kann.
Außerdem kann in dem Tester, dessen Testhilfsvorrichtung di
rekt auf der Testschaltungsplatine angebracht ist, die Konfi
guration des Testers weiter vereinfacht werden.
Außerdem kann in dem Tester, der Vorrücksignale von der Test-
A/D-Umsetzerschaltung und von der A/D-Umsetzerschaltung der
zu testenden integrierten Halbleiterschaltung erzeugt, und
der Vorrücksignale von der Testmaschine erzeugt, durch das
Vorrücken der digitalen Testsignale oder der Adresse des Meß
datenspeichers anhand des Vorrücksignals ein effektiver Test
durchgeführt werden.
Offensichtlich sind im Licht der obengenannten Lehre viele
Abwandlungen und Änderungen der Erfindung möglich. Somit ist
selbstverständlich, daß die Erfindung im Umfang der beigefüg
ten Ansprüche anders als oben beschrieben ausgeführt werden
kann.
Die gesamte Offenbarung von JP 2000-356724-A, eingereicht am
22. November 2000, einschließlich der Beschreibung, der An
sprüche, der Zeichnung und der Zusammenfassung, auf der die
Priorität der vorliegenden Anmeldung beruht, ist hiermit in
ihrer Gesamtheit durch Literaturhinweis eingefügt.
Claims (18)
1. Tester für integrierte Halbleiterschaltungen, mit:
einer Testschaltungsplatine (10, 10A), die Signale an eine zu testende integrierte Halbleiterschaltung (11), die eine A/D-Umsetzerschaltung (51) zum Umsetzen analoger Signale in digitale Signale und eine D/A-Umsetzerschaltung (52) zum Umsetzen digitaler Signale in analoge Signale enthält, senden und von ihr empfangen kann;
einer Testhilfsvorrichtung (20), die in der Nähe der Testschaltungsplatine (10, 10A) angeordnet und mit ihr ver bunden ist; und
einer Testmaschine (40), die mit der Testhilfsvorrich tung (20) verbunden ist,
wobei die Testhilfsvorrichtung (20) umfaßt:
eine Datenschaltung (63) zum Erzeugen digitaler Testsi gnale und zum Liefern der digitalen Testsignale an die D/A- Umsetzerschaltung (52) der zu testenden integrierten Halblei terschaltung (11);
eine Test-D/A-Umsetzerschaltung (61) zum Umsetzen der digitalen Testsignale von der Datenschaltung (63) in analoge Testsignale und zum Liefern der analogen Testsignale an die A/D-Umsetzerschaltung (51) der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11);
eine Test-A/D-Umsetzerschaltung (62) zum Umsetzen analo ger Testausgangssignale von der D/A-Umsetzerschaltung (52) der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11) in digitale Testausgangssignale;
einen Meßdatenspeicher (66) zum Speichern der digitalen Testausgangssignale von der A/D-Umsetzerschaltung (51) der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11) und der digi talen Testausgangssignale der Test-A/D-Umsetzerschaltung (62); und
einen Analysatorabschnitt (69) zum Analysieren jedes der in dem Meßdatenspeicher (66) gespeicherten digitalen Testaus gangssignale, wobei
der Tester für integrierte Halbleiterschaltungen so konfiguriert ist, daß er die digitalen Testsignale und die analogen Testsignale anhand von Anweisungen von der Testma schine (40) an die zu testende integrierte Halbleiterschal tung (11) liefert, während er die in dem Meßdatenspeicher (66) gespeicherten Ergebnisse der Analyse jedes digitalen Testausgangssignals durch den Analysatorabschnitt (69) an die Testmaschine (40) liefert.
einer Testschaltungsplatine (10, 10A), die Signale an eine zu testende integrierte Halbleiterschaltung (11), die eine A/D-Umsetzerschaltung (51) zum Umsetzen analoger Signale in digitale Signale und eine D/A-Umsetzerschaltung (52) zum Umsetzen digitaler Signale in analoge Signale enthält, senden und von ihr empfangen kann;
einer Testhilfsvorrichtung (20), die in der Nähe der Testschaltungsplatine (10, 10A) angeordnet und mit ihr ver bunden ist; und
einer Testmaschine (40), die mit der Testhilfsvorrich tung (20) verbunden ist,
wobei die Testhilfsvorrichtung (20) umfaßt:
eine Datenschaltung (63) zum Erzeugen digitaler Testsi gnale und zum Liefern der digitalen Testsignale an die D/A- Umsetzerschaltung (52) der zu testenden integrierten Halblei terschaltung (11);
eine Test-D/A-Umsetzerschaltung (61) zum Umsetzen der digitalen Testsignale von der Datenschaltung (63) in analoge Testsignale und zum Liefern der analogen Testsignale an die A/D-Umsetzerschaltung (51) der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11);
eine Test-A/D-Umsetzerschaltung (62) zum Umsetzen analo ger Testausgangssignale von der D/A-Umsetzerschaltung (52) der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11) in digitale Testausgangssignale;
einen Meßdatenspeicher (66) zum Speichern der digitalen Testausgangssignale von der A/D-Umsetzerschaltung (51) der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11) und der digi talen Testausgangssignale der Test-A/D-Umsetzerschaltung (62); und
einen Analysatorabschnitt (69) zum Analysieren jedes der in dem Meßdatenspeicher (66) gespeicherten digitalen Testaus gangssignale, wobei
der Tester für integrierte Halbleiterschaltungen so konfiguriert ist, daß er die digitalen Testsignale und die analogen Testsignale anhand von Anweisungen von der Testma schine (40) an die zu testende integrierte Halbleiterschal tung (11) liefert, während er die in dem Meßdatenspeicher (66) gespeicherten Ergebnisse der Analyse jedes digitalen Testausgangssignals durch den Analysatorabschnitt (69) an die Testmaschine (40) liefert.
2. Tester für integrierte Halbleiterschaltungen nach An
spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede integrierte Halb
leiterschaltung (11) als gegossene IC konstruiert ist, bei
der ein integrierter Halbleiterschaltungschip mit einem Preß
harz eingeschlossen ist, aus dem mehrere Anschlüsse geführt
sind, wobei die Testschaltungsplatine (10, 10A) einen Sockel
(12) zum Anbringen der gegossenen IC besitzt.
3. Tester für integrierte Halbleiterschaltungen nach An
spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede integrierte Halb
leiterschaltung (11) in einem Halbleiterwafer (11A) enthalten
ist, während die Testschaltungsplatine (10, 10A) mit mehreren
Sonden (30) versehen ist, die mit den integrierten Halblei
terschaltungen (11, 11A) in Kontakt stehen.
4. Tester für integrierte Halbleiterschaltungen nach einem
vorangehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß die Test
hilfsvorrichtung (20) eine Testhilfsplatine (21, 21A) ent
hält, die die Test-D/A-Umsetzerschaltung (61), die Test-A/D-
Umsetzerschaltung (62), den Meßdatenspeicher (66) und die
Analysatorschaltung (69) trägt.
5. Tester für integrierte Halbleiterschaltungen nach An
spruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Testhilfsplatine
(21, 21A) in der Weise konstruiert ist, daß sie in den Sockel
(17) auf der Testschaltungsplatine (10, 10A) eingesetzt wer
den kann.
6. Tester für integrierte Halbleiterschaltungen nach An
spruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Testhilfsplatine
(21, 21A) auf der Testschaltungsplatine (10, 10A) angebracht
ist.
7. Tester für integrierte Halbleiterschaltungen nach einem
der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Test
hilfsvorrichtung (20) direkt an der Testschaltungsplatine
(10, 10A) befestigt ist.
8. Tester für integrierte Halbleiterschaltungen nach einem
vorangehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß die Test-
A/D-Umsetzerschaltung (62) und die A/D-Umsetzerschaltung (51)
der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11) jedes
mal, wenn ein digitales Testausgangssignal ausgegeben wird,
ein Vorrücksignal ausgeben, wobei das digitale Testsignal von
der Datenschaltung (63) vorrückt und die Adresse des Meßda
tenspeichers (66) vorrückt.
9. Tester für integrierte Halbleiterschaltungen nach einem
der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Test
maschine (40) jedesmal, wenn die A/D-Umsetzerschaltung (51)
der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11) ein
digitales Testausgangssignal ausgibt, ein Vorrücksignal aus
gibt, wobei anhand des Vorrücksignals das digitale Testsignal
von der Datenschaltung (63) vorrückt und die Adresse des Meß
datenspeichers (66) vorrückt.
10. Verfahren zum Testen integrierter Halbleiterschaltungen
mit einer A/D-Umsetzerschaltung (51) zum Umsetzen analoger
Signale in digitale Signale und mit einer D/A-Umsetzerschal
tung (52) zum Umsetzen digitaler Signale in analoge Signale,
wobei der Test der integrierten Halbleiterschaltung in der
Weise durchgeführt wird, daß in der Nähe einer Testschal
tungsplatine (10, 10A), die Signale an die zu testende inte
grierte Halbleiterschaltung (11) senden und von ihr empfangen
kann, eine Testhilfsvorrichtung (20) angeordnet wird, die
umfaßt:
eine Datenschaltung (63) zum Erzeugen digitaler Testsi gnale und zum Liefern der digitalen Testsignale an die D/A- Umsetzerschaltung (52) der zu testenden integrierten Halblei terschaltung (11);
eine Test-D/A-Umsetzerschaltung (61) zum Umsetzen der digitalen Testsignale: von der Datenschaltung (63) in analoge Testsignale zum Liefern der analogen Testsignale an die A/D- Umsetzerschaltung (51) der zu testenden integrierten Halblei terschaltung (11);
eine Test-A/D-Umsetzerschaltung (62) zum Umsetzen analo ger Testausgangssignale der D/A-Umsetzerschaltung (52) der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11) in digitale Testausgangssignale;
einen Meßdatenspeicher (66) zum Speichern der digitalen Testausgangssignale von der A/D-Umsetzerschaltung (51) der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11) und der digi talen Testausgangssignale der Test-A/D-Umsetzerschaltung (62); und
einen Analysatorabschnitt (69) zum Analysieren jedes der in dem Meßdatenspeicher (66) gespeicherten digitalen Testaus gangssignale, wobei
die digitalen Testsignale und die analogen Testsignale gemäß Anweisungen von einer Testmaschine (40) an die zu te stende integrierte Halbleiterschaltung (11) geliefert werden, während die Ergebnisse der Analyse der jeweiligen in dem Meß datenspeicher (66) gespeicherten digitalen Testausgangssi gnale durch den Analysatorabschnitt (69) an die Testmaschine (40) geliefert werden.
eine Datenschaltung (63) zum Erzeugen digitaler Testsi gnale und zum Liefern der digitalen Testsignale an die D/A- Umsetzerschaltung (52) der zu testenden integrierten Halblei terschaltung (11);
eine Test-D/A-Umsetzerschaltung (61) zum Umsetzen der digitalen Testsignale: von der Datenschaltung (63) in analoge Testsignale zum Liefern der analogen Testsignale an die A/D- Umsetzerschaltung (51) der zu testenden integrierten Halblei terschaltung (11);
eine Test-A/D-Umsetzerschaltung (62) zum Umsetzen analo ger Testausgangssignale der D/A-Umsetzerschaltung (52) der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11) in digitale Testausgangssignale;
einen Meßdatenspeicher (66) zum Speichern der digitalen Testausgangssignale von der A/D-Umsetzerschaltung (51) der zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11) und der digi talen Testausgangssignale der Test-A/D-Umsetzerschaltung (62); und
einen Analysatorabschnitt (69) zum Analysieren jedes der in dem Meßdatenspeicher (66) gespeicherten digitalen Testaus gangssignale, wobei
die digitalen Testsignale und die analogen Testsignale gemäß Anweisungen von einer Testmaschine (40) an die zu te stende integrierte Halbleiterschaltung (11) geliefert werden, während die Ergebnisse der Analyse der jeweiligen in dem Meß datenspeicher (66) gespeicherten digitalen Testausgangssi gnale durch den Analysatorabschnitt (69) an die Testmaschine (40) geliefert werden.
11. Verfahren zum Testen integrierter Halbleiterschaltungen
nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die zu testen
den integrierten Halbleiterschaltungen (11) gegossene ICs
sind, bei denen ein integrierter Halbleiterschaltungschip mit
einem Preßharz eingeschlossen ist, aus dem mehrere Anschlüsse
geführt sind, wobei der Test dadurch ausgeführt wird, daß die
gegossene 1C in einem Sockel (12) der Testschaltungsplatine
(10, 10A) angebracht wird.
12. Verfahren zum Testen integrierter Halbleiterschaltungen
nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die zu testen
den integrierten Halbleiterschaltungen (11) in einem Halblei
terwafer (11A) enthalten sind, wobei der Test dadurch durch
geführt wird, daß mehrere auf der Testschaltungsplatine (10,
10A) vorgesehene Sonden (30) mit den zu testenden integrier
ten Halbleiterschaltungen (11, 11A) in Kontakt gebracht wer
den.
13. Verfahren zum Testen integrierter Halbleiterschaltungen
nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet,
daß die Testhilfsvorrichtung (20) eine Testhilfsplatine (21,
21A) enthält, die die Test-D/A-Umsetzerschaltung (61), die
Test-A/D-Umsetzerschaltung (62), den Meßdatenspeicher (66)
und die Analysatorschaltung (69) trägt, wobei der Test da
durch durchgeführt wird, daß die Testhilfsplatine (21, 21A)
in der Nähe der Testschaltungsplatine (10, 10A) angeordnet
wird.
14. Verfahren zum Testen integrierter Halbleiterschaltungen
nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Test da
durch durchgeführt wird, daß die Testhilfsplatine (21, 21A)
in einen Sockel (17) auf der Testschaltungsplatine (10, 10A)
gesteckt wird.
15. Verfahren zum Testen integrierter Halbleiterschaltungen
nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Test da
durch durchgeführt wird, daß die Testhilfsplatine (21, 21A)
auf der Testschaltungsplatine (10, 10A) angebracht wird.
16. Verfahren zum Testen integrierter Halbleiterschaltungen
nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet,
daß der Test dadurch durchgeführt wird, daß die Testhilfsvor
richtung (20) direkt an der Testschaltungsplatine (10, 10A)
befestigt wird.
17. Verfahren zum Testen integrierter Halbleiterschaltungen
nach einem der Ansprüche 10 bis 16, dadurch gekennzeichnet,
daß der Test in der. Weise durchgeführt wird, daß jedesmal,
wenn durch die Test-A/D-Umsetzerschaltung (62) und durch die
A/D-Umsetzerschaltung (51) der zu testenden integrierten
Halbleiterschaltung (11) die digitalen Testausgangssignale
ausgegeben werden, ein Vorrücksignal ausgegeben wird, wobei
anhand des Vorrücksignals das digitale Testsignal von der
Datenschaltung (63) vorrückt und die Adresse des Meßdaten
speichers (66) vorrückt.
18. Verfahren zum Testen integrierter Halbleiterschaltungen
nach einem der Ansprüche 10 bis 16, dadurch gekennzeichnet,
daß der Test in der Weise durchgeführt wird, daß die Testma
schine (40) jedesmal, wenn die A/D-Umsetzerschaltung (51) der
zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (11) ein digi
tales Testausgangssignal ausgibt, ein Vorrücksignal ausgibt,
wobei anhand des Vorrücksignals das digitale Testsignal von
der Datenschaltung (63) vorrückt und die Adresse des Meßda
tenspeichers (66) vorrückt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000356724A JP2002162450A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 半導体集積回路の試験装置および半導体集積回路の試験方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10145152A1 true DE10145152A1 (de) | 2002-06-06 |
Family
ID=18828908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10145152A Ceased DE10145152A1 (de) | 2000-11-22 | 2001-09-13 | Tester für integrierte Halbleiterschaltungen und Verfahren zum Testen integrierter Halbleiterschaltungen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JP2002162450A (de) |
KR (1) | KR20020040545A (de) |
CN (1) | CN1354503A (de) |
DE (1) | DE10145152A1 (de) |
TW (1) | TW518644B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6900627B2 (en) | 2001-02-08 | 2005-05-31 | Renesas Technology Corp. | Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit |
DE102005045183A1 (de) * | 2005-09-21 | 2007-03-22 | Infineon Technologies Ag | Testvorrichtung für digitalisierte Testantworten, Verfahren zum Testen von Halbleiterbauteilen und Diagnoseverfahren für ein Halbleiterbauteil |
Families Citing this family (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10034900C2 (de) * | 2000-07-18 | 2002-07-18 | Infineon Technologies Ag | System zum Test schneller synchroner Digitalschaltungen, insbesondere Halbleiterspeicherbausteinen |
JP2003075515A (ja) | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路の試験装置およびその試験方法 |
JP4291596B2 (ja) | 2003-02-26 | 2009-07-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路の試験装置およびそれを用いた半導体集積回路の製造方法 |
US7496818B1 (en) | 2003-02-27 | 2009-02-24 | Marvell International Ltd. | Apparatus and method for testing and debugging an integrated circuit |
US7444571B1 (en) | 2003-02-27 | 2008-10-28 | Marvell International Ltd. | Apparatus and method for testing and debugging an integrated circuit |
US7216276B1 (en) | 2003-02-27 | 2007-05-08 | Marvell International Ltd. | Apparatus and method for testing and debugging an integrated circuit |
JP2005009942A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路の試験装置 |
US7319340B2 (en) * | 2005-08-01 | 2008-01-15 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit load board and method having on-board test circuit |
US7765424B2 (en) | 2005-08-19 | 2010-07-27 | Micron Technology, Inc. | System and method for injecting phase jitter into integrated circuit test signals |
US7327153B2 (en) * | 2005-11-02 | 2008-02-05 | Texas Instruments Incorporated | Analog built-in self-test module |
US7355387B2 (en) * | 2005-12-08 | 2008-04-08 | Micron Technology, Inc. | System and method for testing integrated circuit timing margins |
TWI338149B (en) * | 2007-05-18 | 2011-03-01 | King Yuan Electronics Co Ltd | An under testing device interface with mixed-signal processing circuit |
CN101339225B (zh) * | 2007-07-06 | 2010-09-29 | 京元电子股份有限公司 | 具有混合信号处理装置的测试界面 |
US20090090908A1 (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | International Business Machines Corporation | Providing A Duplicate Test Signal Of An Output Signal Under Test In An Integrated Circuit |
US7969168B1 (en) | 2008-06-11 | 2011-06-28 | Mediatek Inc. | Integrated circuit with built-in self test circuit |
US8289039B2 (en) * | 2009-03-11 | 2012-10-16 | Teradyne, Inc. | Pin electronics liquid cooled multi-module for high performance, low cost automated test equipment |
WO2011153298A1 (en) | 2010-06-03 | 2011-12-08 | Hsio Technologies, Llc | Electrical connector insulator housing |
US8955215B2 (en) | 2009-05-28 | 2015-02-17 | Hsio Technologies, Llc | High performance surface mount electrical interconnect |
WO2010147939A1 (en) | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Hsio Technologies, Llc | Semiconductor socket |
US9276336B2 (en) | 2009-05-28 | 2016-03-01 | Hsio Technologies, Llc | Metalized pad to electrical contact interface |
US9536815B2 (en) | 2009-05-28 | 2017-01-03 | Hsio Technologies, Llc | Semiconductor socket with direct selective metalization |
US9184145B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-11-10 | Hsio Technologies, Llc | Semiconductor device package adapter |
US8987886B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-03-24 | Hsio Technologies, Llc | Copper pillar full metal via electrical circuit structure |
US9414500B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-08-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed flexible circuit |
WO2014011226A1 (en) | 2012-07-10 | 2014-01-16 | Hsio Technologies, Llc | Hybrid printed circuit assembly with low density main core and embedded high density circuit regions |
WO2010141297A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit wafer level semiconductor package |
US8525346B2 (en) | 2009-06-02 | 2013-09-03 | Hsio Technologies, Llc | Compliant conductive nano-particle electrical interconnect |
US9054097B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-06-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit area array semiconductor device package |
WO2011002709A1 (en) * | 2009-06-29 | 2011-01-06 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit semiconductor tester interface |
US9276339B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-03-01 | Hsio Technologies, Llc | Electrical interconnect IC device socket |
WO2010141264A1 (en) | 2009-06-03 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant wafer level probe assembly |
US9093767B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-07-28 | Hsio Technologies, Llc | High performance surface mount electrical interconnect |
US8912812B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-12-16 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit wafer probe diagnostic tool |
WO2013036565A1 (en) | 2011-09-08 | 2013-03-14 | Hsio Technologies, Llc | Direct metalization of electrical circuit structures |
WO2010141313A1 (en) * | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit socket diagnostic tool |
WO2010141303A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Resilient conductive electrical interconnect |
WO2010141296A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit semiconductor package |
US9320133B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-04-19 | Hsio Technologies, Llc | Electrical interconnect IC device socket |
US9196980B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-11-24 | Hsio Technologies, Llc | High performance surface mount electrical interconnect with external biased normal force loading |
US8970031B2 (en) | 2009-06-16 | 2015-03-03 | Hsio Technologies, Llc | Semiconductor die terminal |
US9930775B2 (en) | 2009-06-02 | 2018-03-27 | Hsio Technologies, Llc | Copper pillar full metal via electrical circuit structure |
US9318862B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-04-19 | Hsio Technologies, Llc | Method of making an electronic interconnect |
US9613841B2 (en) | 2009-06-02 | 2017-04-04 | Hsio Technologies, Llc | Area array semiconductor device package interconnect structure with optional package-to-package or flexible circuit to package connection |
US8610265B2 (en) | 2009-06-02 | 2013-12-17 | Hsio Technologies, Llc | Compliant core peripheral lead semiconductor test socket |
WO2012061008A1 (en) | 2010-10-25 | 2012-05-10 | Hsio Technologies, Llc | High performance electrical circuit structure |
US8955216B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-02-17 | Hsio Technologies, Llc | Method of making a compliant printed circuit peripheral lead semiconductor package |
WO2010141298A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Composite polymer-metal electrical contacts |
US8789272B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-07-29 | Hsio Technologies, Llc | Method of making a compliant printed circuit peripheral lead semiconductor test socket |
US8988093B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-03-24 | Hsio Technologies, Llc | Bumped semiconductor wafer or die level electrical interconnect |
US8981568B2 (en) | 2009-06-16 | 2015-03-17 | Hsio Technologies, Llc | Simulated wirebond semiconductor package |
US8984748B2 (en) | 2009-06-29 | 2015-03-24 | Hsio Technologies, Llc | Singulated semiconductor device separable electrical interconnect |
US8274296B2 (en) | 2009-11-11 | 2012-09-25 | Advantest Corporation | Test apparatus and electronic device that tests a device under test |
CN102207535B (zh) * | 2010-03-30 | 2014-04-30 | 上海摩波彼克半导体有限公司 | 对含adc和dac的模拟基带芯片自动测试的电路结构及方法 |
US8758067B2 (en) | 2010-06-03 | 2014-06-24 | Hsio Technologies, Llc | Selective metalization of electrical connector or socket housing |
US9689897B2 (en) | 2010-06-03 | 2017-06-27 | Hsio Technologies, Llc | Performance enhanced semiconductor socket |
US10159154B2 (en) | 2010-06-03 | 2018-12-18 | Hsio Technologies, Llc | Fusion bonded liquid crystal polymer circuit structure |
US9350093B2 (en) | 2010-06-03 | 2016-05-24 | Hsio Technologies, Llc | Selective metalization of electrical connector or socket housing |
US10069578B2 (en) | 2011-06-13 | 2018-09-04 | Mediatek Inc. | RF testing system with parallelized processing |
US10320494B2 (en) | 2011-06-13 | 2019-06-11 | Mediatek Inc. | RF testing system using integrated circuit |
US20140154997A1 (en) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Mediatek Inc. | Rf testing system |
CN102998611A (zh) * | 2011-09-09 | 2013-03-27 | 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 | 一种对包含adc和dac的电路的快速检测方法 |
CN102394649B (zh) * | 2011-11-08 | 2015-05-20 | 上海捷策创电子科技有限公司 | 基于晶振的高带宽高速模数转换器量产测试装置与方法 |
US9761520B2 (en) | 2012-07-10 | 2017-09-12 | Hsio Technologies, Llc | Method of making an electrical connector having electrodeposited terminals |
CN102768336A (zh) * | 2012-07-20 | 2012-11-07 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 基于片上系统或系统级封装的内建自测试系统 |
CN102818984A (zh) * | 2012-08-15 | 2012-12-12 | 浙江大学 | 一种光纤陀螺信号处理电路的快速检测方法 |
CN104035019B (zh) * | 2013-03-07 | 2016-12-28 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 半导体电路测试装置及其转接模块 |
US10506722B2 (en) | 2013-07-11 | 2019-12-10 | Hsio Technologies, Llc | Fusion bonded liquid crystal polymer electrical circuit structure |
US10667410B2 (en) | 2013-07-11 | 2020-05-26 | Hsio Technologies, Llc | Method of making a fusion bonded circuit structure |
CN103645432B (zh) * | 2013-09-25 | 2016-03-23 | 临安科泰通信科技有限公司 | 信号复现式集成电路板故障检测装置 |
US9482718B2 (en) * | 2014-01-13 | 2016-11-01 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit |
CN103941119B (zh) * | 2014-03-27 | 2016-09-07 | 北京汇德信科技有限公司 | 一种多功能可编程信号发生参数测试系统 |
CN104198917B (zh) * | 2014-08-07 | 2017-04-19 | 兆讯恒达微电子技术(北京)有限公司 | 一种磁卡解码芯片的自动化测试系统及方法 |
CN105652109A (zh) * | 2014-12-01 | 2016-06-08 | 联发科技股份有限公司 | 系统与已校正装置 |
US9755335B2 (en) | 2015-03-18 | 2017-09-05 | Hsio Technologies, Llc | Low profile electrical interconnect with fusion bonded contact retention and solder wick reduction |
CN109343516A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-02-15 | 广西玉柴机器股份有限公司 | 一种测量评估发动机控制器ad转换精度的方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01316024A (ja) | 1988-06-15 | 1989-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | D/a変換器のテスト装置 |
US5509019A (en) * | 1990-09-20 | 1996-04-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated circuit device having test control circuit in input/output area |
KR960000793B1 (ko) * | 1993-04-07 | 1996-01-12 | 삼성전자주식회사 | 노운 굳 다이 어레이 및 그 제조방법 |
JPH07128405A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Hitachi Ltd | Lsiテストボード |
JPH0922929A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-01-21 | Ricoh Co Ltd | Bgaパッケージ半導体素子及びその検査方法 |
JP4414502B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2010-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プロービングカード |
-
2000
- 2000-11-22 JP JP2000356724A patent/JP2002162450A/ja active Pending
-
2001
- 2001-07-16 US US09/904,625 patent/US6642736B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-11 TW TW090122456A patent/TW518644B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-12 KR KR1020010056086A patent/KR20020040545A/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-09-13 DE DE10145152A patent/DE10145152A1/de not_active Ceased
- 2001-09-13 CN CN01133014A patent/CN1354503A/zh active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6900627B2 (en) | 2001-02-08 | 2005-05-31 | Renesas Technology Corp. | Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit |
DE102005045183A1 (de) * | 2005-09-21 | 2007-03-22 | Infineon Technologies Ag | Testvorrichtung für digitalisierte Testantworten, Verfahren zum Testen von Halbleiterbauteilen und Diagnoseverfahren für ein Halbleiterbauteil |
US7720645B2 (en) | 2005-09-21 | 2010-05-18 | Infineon Technologies Ag | Test apparatus for digitized test responses, method for testing semiconductor devices and diagnosis method for a semiconductor device |
DE102005045183B4 (de) * | 2005-09-21 | 2011-03-31 | Infineon Technologies Ag | Testvorrichtung und Verfahren zum Auswerten einer digitalisierten Testantwort |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002162450A (ja) | 2002-06-07 |
US6642736B2 (en) | 2003-11-04 |
US20020062200A1 (en) | 2002-05-23 |
KR20020040545A (ko) | 2002-05-30 |
TW518644B (en) | 2003-01-21 |
CN1354503A (zh) | 2002-06-19 |
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