DE10034900C2 - System zum Test schneller synchroner Digitalschaltungen, insbesondere Halbleiterspeicherbausteinen - Google Patents
System zum Test schneller synchroner Digitalschaltungen, insbesondere HalbleiterspeicherbausteinenInfo
- Publication number
- DE10034900C2 DE10034900C2 DE10034900A DE10034900A DE10034900C2 DE 10034900 C2 DE10034900 C2 DE 10034900C2 DE 10034900 A DE10034900 A DE 10034900A DE 10034900 A DE10034900 A DE 10034900A DE 10034900 C2 DE10034900 C2 DE 10034900C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- test
- bost
- module
- dut
- signals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/48—Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access [DMA] or using auxiliary access paths
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/319—Tester hardware, i.e. output processing circuits
- G01R31/31903—Tester hardware, i.e. output processing circuits tester configuration
- G01R31/31905—Interface with the device under test [DUT], e.g. arrangements between the test head and the DUT, mechanical aspects, fixture
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
Description
Die Erfindung betriff ein System zum Test schneller synchro
ner Digitalschaltungen gemäß dem Oberbegriff des Patentan
spruchs 1. Ein derartiges Testsystem ist aus DE 199 28 981 A1
bekannt.
Heutige DRAM (Dynamic Random Access Memory)-Chips werden mit
kostspieligen Produktionstestgeräten getestet. Letztere er
lauben es, Signale mit genau definierten Spannungspegeln zu
exakt definierten Zeitpunkten an den zu testenden Speicher
baustein oder DUT (Device Under Test) anzulegen. Während der
Überprüfung der Lesefunktion von dem DUT ist es darüberhinaus
möglich, von dem DUT kommende Signale zu genau definierten
Zeitpunkten in das Testgerät einzulesen und mit erwarteten
Signalwerten zu vergleichen.
Aufgrund der hohen Frequenzen heutiger Speicherbausteine,
z. B. 400 Megaherz Taktfrequenz bei Rambus-DRAMs, erfordert
die Spezifikation dieser Chips hohe zeitliche Genauigkeit der
Signale (bei DDR-Speichern (Double Data Rate) sind Signalspe
zifikationen in der Größenordnung von 500 ps bereits heute
üblich). Deshalb müssen zum Teil verwendete Produktionstest
geräte höchsten technischen Anforderungen genügen, was zu
entsprechend hohen Produktions- und Testkosten führt. Heutige
DRAM-Testgeräte kosten in der Größenordnung von mehreren Mil
lionen Dollar. Aus diesem Grund betragen die Testkosten von
Höchstfrequenzspeicherbausteinen bereits bis zu 30% der Ge
samtherstellungskosten.
In der oben erwähnten DE 199 28 981 A1 wird ein Halbleiter
testsystem beschrieben, bei dem alle Funktionen Teile eines
und desselben Testgeräts sind. Die Besonderheit dieses Testgeräts
besteht darin, dass es eine Phasenmesseinrichtung zum
Messen der Phase eines von jedem einer Mehrzahl von zu te
stenden Halbleiterspeichern ausgegebenen Takts vor dem Beginn
des Tests der zu testenden Halbleiterspeicher und eine Mehr
zahl von variablen Verzögerungsschaltungen aufweist, in denen
jeweils eine Verzögerungszeit entsprechend der von der Pha
senmesseinrichtung gemessenen Phase eingestellt ist, wobei
jede variable Verzögerungsschaltung ein an sie angelegtes
Vergleichszeitsteuerungssignal um die in ihr eingestellte
Verzögerungszeit verzögert und das verzögerte Vergleichs
zeitsteuerungssignal an einen zugehörigen logischen Verglei
cher anlegt, sodass dann die zeitliche Lage des Vergleichs
zeitsteuerungssignals mit der zeitlichen Lage der aus den je
weils zugeordneten zu testenden Speichern ausgelesenen Daten
zur Übereinstimmung gebracht werden.
US 5,640,509 beschreibt eine in einem Speicherchip integrier
te programmierbare Selbsttestschaltung, also ein so genanntes
BIST-Konzept (BIST = Built-in Self Test).
Um den Selbsttest des Speichers durchzuführen, befinden sich
im Speicher programmierbare Register, die mit einer entspre
chenden Befehlsfolge programmiert werden. Dann wird diese Be
fehlsfolge zum Ablauf gebracht, um den Selbsttest des Spei
chers durchzuführen und die Ergebnisse geprüft. Eine derarti
ge in einem Speicherchip integrierte Selbsttestschaltung ist
natürlich teuer, da sie in jedem Chip vorhanden ist. Sie
lässt sich gewönlich nicht als ASIC-Schaltkreis realisieren
und ist auch nicht leicht auswechselbar. Selbstverständlich
lässt sich eine solche in einem Speicherchip integrierte
Selbsttestschaltung auch nicht an unterschiedliche Schaltun
gen, z. B. an verschiedenartige Speicherchips, anpassen.
In dieser Patentanmeldung und weiteren parallelen Patentan
meldungen schlagen die Erfinder die Realisierung eines so ge
nannten BOST-Bausteins (Build Outside Self Test) vor. Ein
möglichst einfacher und kostengünstiger BOST-Baustein kann in
Form eines ASIC-Schaltkreises realisiert werden, der in der
Lage ist, durch verschiedene Methoden einen schnellen DRAM-
Speicher direkt und kostengünstig zu testen, wobei ein sol
cher BOST-Baustein aufgrund seiner kleinen Abmessungen und
billigen Massenproduktion in direkter Nähe des zu testenden
Halbleiterbausteins, d. h. des DRAM-Speichers anbringbar ist.
Da hierdurch die Genauigkeit/Frequenz erhöht werden kann und
die Kosten für einen solchen BOST-Baustein, wenn dieser in
größerer Stückzahl hergestellt wird, nur Bruchteile eines
herkömmlichen Testgeräts betragen, kann ein bislang übliches
langsameres und deshalb preiswerteres Testgerät weiter ver
wendet, und die Gesamttestkosten können reduziert werden.
Der als ASIC-Schaltkreis realisierbare BOST-Baustein über
nimmt Funktionen des üblichen Speichertestgeräts entweder zum
Teil oder vollständig und behebt die bestehenden Einschrän
kungen der bekannten Speichertestgeräte durch eine interne
Signalerzeugung auf dem BOST-Baustein, wie z. B. eine Fre
quenzvervielfachung. Da der BOST-Baustein in der Lage sein
soll, irgendwelche gewünschten algorithmischen und Logikope
rationen z. B. zum Erzeugen einer Folge von Testadressen und
Testdaten auszuführen, wird vorgeschlagen, entsprechende Kon
stanten und Variablen in Register abzulegen, wie z. B. den
Start- und Endwert einer Adressfolge.
Es ist Aufgabe der Erfindung ein gattungsgemäßes Testsystem
so zu verwirklichen, dass in einem BOST-Baustein vorgesehene
programmierbare Speicherregister von einem externen Testgerät
aus in einer Weise programmiert werden können, dass der Test
betrieb des BOST-Bausteins sicher und zuverlässig aufgrund
der vom Testgerät in die Register programmierten Werte durch
führbar ist und auch der Register-Programmierzyklus ungestört
vom Testbetrieb ablaufen kann.
Die obige Aufgabe wird gemäß einem wesentlichen Aspekt der
Erfindung gelöst durch ein System zum Test schneller synchro
ner Digitalschaltungen, insbesondere von Halbleiterspeicher
bausteinen, bei dem Testsignale, wie Testdaten, -Steuer-,
Adress- und Taktsignale auf der Basis von von einem Testgerät
vorgebenenen Signalbedingungen zu einem zu testenden Schalt
kreis übertragen und von dem DUT in Abhängigkeit von den zu
geführten Testsignalen erzeugte Antwortsignale ausgewertet
werden, dadurch gekennzeichnet, dass in den Signalweg zwi
schen dem Testgerät und den zu testenden Schaltkreis DUT ein
vom Testgerät und dem zu testenden Schaltkreis DUT separater
Halbleiterbaustein (BOST-Baustein) eingefügt ist, der Mittel
zum Empfang der vom Testgerät vorgegebenen Signalbedingungen,
zur Erzeugung der Testsignale, zum Senden derselben an den zu
testenden Schaltkreis DUT und zum Empfang der daraufhin von
dem zu testenden Schaltkreis DUT erzeugten Antwortsignale
aufweist, wobei diese Mittel eine Registereinheit mit pro
grammierbaren Registern enthalten, um Konstanten und Variable
zur Erzeugung der Testsignale und Auswertung derselben abzu
legen, und dass der BOST-Baustein weiterhin Umschaltmittel
aufweist, um abhängig von Umschaltkriterien den BOST-Baustein
zwischen zwei Betriebsarten umzuschalten:
- 1. Einer normalen Betriebsart, in der der BOST-Bau stein den zu testenden Schaltkreis DUT ansteuert, und
- 2. einer BOST-Register-Programmierbetriebsart, in der die Register der Registereinheit programmiert wer den.
Somit besteht ein wesentlicher Aspekt der Erfindung darin,
dass neben der normalen Betriebsart in der der BOST-Baustein
die zu testende Halbleiterschaltung, insbesondere den Halb
leiterspeicher DUT testet, eine weitere Betriebsart vorgese
hen ist, in der die programmierbaren Register des BOST-Bau
steins vom externen Testgerät aus programmiert werden und daß
die Umschaltmittel des BOST-Bausteins Detektionsmittel enthalten,
um zwischen diesen beiden Betriebsarten durch externe
Stimuli hin und her zu schalten. Die Umschaltung kann z. B.
durch ein externes separates Steuersignal, das dem BOST-Bau
stein vom Steuergerät zugeführt wird, erfolgen.
Alternativ kann man den hierfür notwendigen Signalkanal ein
sparen, indem die Detektionsmittel ein oder mehrere Signale,
die dem BOST-Baustein vom Testgerät ohnehin zugeführt werden
müssen auf eine bestimmte Signalabfolge hin überprüfen, die
dann als Stimulus für das Umschalten in die jeweils andere
Betriebsart fungiert. Z. B. werden bei nicht-vollständiger
Übernahme aller Funktionen des Testgeräts durch den BOST-Bau
stein in der normalen Betriebsart nach wie vor ein oder meh
rere Signale vom Testgerät an den BOST-Baustein überliefert,
die er dann verändert oder unverändert an den zu testenden
Halbleiterschaltkreis DUT weitergibt.
Weitere Merkmale des erfindungsgemäßen Testsystems werden in
der nachfolgenden Beschreibung deutlich, die sich auf die
einzige Zeichnungsfigur bezieht.
Die Figur zeigt ein Funktionsblockschaltbild eines Ausfüh
rungsbeispiels eines BOST-Bausteins 10 mit der erfindungsge
mäßen Umschaltung zwischen den beiden Betriebsarten, wobei
der BOST-Baustein zwischen eine zu testende Halbleiterschal
tung oder DUT 20, z. B. einen DRAM-Speicher, und ein externes
Testgerät 30 eingefügt ist.
Der BOST-Baustein 10 enthält eine Registereinheit 12 mit vom
externen Testgerät 30 programmierbaren Registern, eine Algo
rithmik/Logikeinheit 13, eine Logikeinheit 14, die nicht re
gistergetrieben ist, eine Schnittstelleneinheit 15, die eine
Schnittstelle zu einem zum DUT 20 führenden Leitungssystem
D10 bildet sowie eine Umschalt/Detektionseinheit 11/11a, die
die Funktion hat, den BOST-Baustein 10 abhängig von Umschalt
kriterien in zwei Betriebsarten zu betreiben:
- 1. Einer normalen Betriebsart, in der der BOST-Baustein 10 den DUT 20 durch die im BOST-Baustein generierten und/oder gespeicherten Testsignale über die Schnitt stelleneinheit 15 und das Leitungssystem D10 ansteu ert, und
- 2. Einer BOST-Register-Programmierbetriebsart, in der die programmierbaren Register der Registereinheit (12) programmiert werden.
Ein Umschaltkriterium zur Umschaltung zwischen den beiden ge
nannten Betriebsarten kann dem BOST-Baustein, d. h. der Um
schalt/Detektionseinheit 11/11a durch ein externes in der Fi
gur gestrichelt gezeichnetes separates Steuersignal D2 von
dem Testgerät 30 zugeführt werden.
Alternativ kann man diesen externen Signalkanal D2 auch ein
sparen, indem ein oder mehrere Signale, die dem BOST-Baustein
vom Testgerät 30 ohnehin zugeführt werden müssen durch die
Umschalt/Detektionseinheit 11/11a auf eine bestimmte Signal
folge hin abgeprüft werden, die für die Umschalteinheit 11
für das Umschalten in die jeweils ändere Betriebsart fun
giert.
Nach dem oben Gesagten, dienen die Funktionseinheiten 12 bis
15 des BOST-Bausteins 10 zum Empfang von vom externen Testge
rät 30 vorgegebenen Signalbedingungen über die Signalkanäle
D1-D4, zur Erzeugung von Testsignalen, die an den DUT 20 über
die Schnittstelleneinheit 15 und den Testsignalkanal D10 ge
sendet werden, sowie zum Empfang der daraufhin von dem DUT 20
erzeugten Antwortsignale, dem im BOST-Baustein 10 direkt z. B.
auf ihre zeitliche Lage und Musterkorrektheit sowie auch hin
sichtlich ihrer Spannungsniveaus überprüft werden können.
Die durch die Umschalt/Detektionseinheit 11/11a vorgenommene
Umschaltung zwischen den beiden Betriebsarten (1) und (2)
kann nach folgenden Möglichkeiten durchgeführt werden:
- a) Betriebsart (1) wird angehalten, während die pro grammierbaren Register der Registereinheit 12 im BOST-Baustein vom Testgerät 30 programmiert werden, d. h. daß der Test des DUT 20 unterbrochen wird.
- b) Der Test des DUT 20 wird während der Programmierung der programmierbaren Register der Registereinheit 12 des BOST-Bausteins nicht unterbrochen und zwar da durch, daß die Programmierung der Register innerhalb von Zeitspannen erfolgt, in der der BOST-Baustein für seine Algorithmik-/Logikoperationen auf keinen der Registerwerte zugreift. Hierfür muß allerdings für die externe Programmierung vom Testgerät 30 aus eine Information vorhanden sein, wann der BOST-Bau stein nicht auf Registerwerte zugreift. Um zu ver meiden, daß hierfür ein weiteres Steuersignal zwi schen dem BOST-Baustein und dem Testgerät 30 benö tigt wird, kann die zeitliche Synchronisation da durch erreicht werden, daß, wenn die Operationen des BOST-Bausteins 10 im externen Testgerät 30 bekannt sind, die für die zeitliche Synchronisation benötig ten Zeiten einmal extern berechnet wurden;
- c) Das Testen des DUT, z. B. eines DRAM wird während der Programmierung der Register in der Registereinheit 12 des BOST-Bausteins 10 nicht unterbrochen und zwar dadurch, daß die programmierbaren Register im BOST gedoppelt sind und die Algorithmik-/Logikoperationen des BOST-Bausteins immer nur auf das oder die Regi ster der Registereinheit 12 zugreifen, das/die ge rade nicht programmiert wird/werden.
Selbstverständlich ist die obige Beschreibung und die schema
tische Darstellung des BOST-Bausteins 10 in der Figur nur
beispielhaft und auf die zur Erläuterung dieses erfindungsge
mäßen Konzepts notwendigen Funktionen beschränkt.
Die externe Ansteuerung, die im obigen Beispiel durch ein
herkömmliches Testgerät 30 erfolgt, kann auch durch ein spe
ziell für die Ausführung der Funktionen im Rahmen der Erfin
dung konzipiertes Gerät oder System ausgeführt werden.
Somit besteht ein wesentlicher Aspekt eines erfindungsgemäßen
Testsystems, welches einen zwischen einem Testgerät 30 und
einem zu testenden Halbleiterschaltkreis oder DUT 20 geschal
teten BOST-Baustein 10 verwendet, darin, daß der BOST-Bau
stein neben der Betriebsart in der er den Halbleiterschalt
kreis oder den Speicherbaustein 20 testet, eine weitere Be
triebsart aufweist, in der die programmierbaren Register der
Registereinheit 12 des BOST-Bausteins 12 programmiert werden
und daß zwischen diesen beiden Betriebsarten durch externe
Stimuli hin und her geschaltet werden kann. Dabei kann die
Umschaltung zwischen den beiden Betriebsarten mittels der
oben beschriebenen verschiedenen Kombinationsmöglichkeiten
(a), (b) und (c) erfolgen.
10
BOST-Baustein
11
/
11
a Umschalt/Detektionseinheit
12
Registereinheit
13
Algorithmik/Logikeinheit
14
Logikeinheiten, die nicht registergetrieben sind
15
Schnittstelle zum DUT
20
DUT
30
Externe Ansteuerung (Testgerät)
D1-D4 Signalkanäle vom Testgerät
D1-D4 Signalkanäle vom Testgerät
30
zum BOST
10
D10 Testsignalkanal zwischen BOST
10
und DUT
20
Claims (8)
1. System zum Test schneller synchroner Digitalschaltungen,
insbesondere von Halbleiterspeicherbausteinen, bei dem Test
signale, wie Testdaten, -Steuer-, -Adress- und Taktsignale
auf der Basis von von einem Testgerät (30) vorgebenenen Si
gnalbedingungen zu einem zu testenden Schaltkreis (DUT) (20)
übertragen und von dem DUT (20) in Abhängigkeit von den zuge
führten Testsignalen erzeugte Antwortsignale ausgewertet wer
den,
dadurch gekennzeichnet, dass
in den Signalweg zwischen dem Testgerät (30) und den zu te
stenden Schaltkreis DUT (20) ein vom Testgerät (30) und dem
zu testenden Schaltkreis (DUT) separater Halbleiterbaustein
(BOST-Baustein) (10) eingefügt ist, der Mittel (12-15) zum
Empfang der vom Testgerät (30) vorgegebenen Signalbedingungen
(D1-D4), zur Erzeugung der Testsignale (D10), zum Senden der
selben an den zu testenden Schaltkreis DUT (20) und zum Emp
fang der daraufhin von dem zu testenden Schaltkreis DUT (20)
erzeugten Antwortsignale aufweist, wobei diese Mittel (12-
15) eine Registereinheit (12) mit programmierbaren Registern
enthalten, um Konstanten und Variable zur Erzeugung der Test
signale und Auswertung derselben abzulegen, und dass der
BOST-Baustein (10) weiterhin Umschaltmittel (11, 11a) auf
weist, um abhängig von Umschaltkriterien den BOST-Baustein
(10) zwischen zwei Betriebsarten umzuschalten:
- 1. Einer normalen Betriebsart, in der der BOST-Bau stein (10) den zu testenden Schaltkreis DUT (20) ansteuert, und
- 2. einer BOST-Register-Programmierbetriebsart, in der die Register der Registereinheit (12) programmiert werden.
2. Testsystem nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine separate Signalleitung (D2) vom externen Testgerät
(30) zu den Umschaltmitteln (11) des BOST-Bausteins (10) zur
Übertragung eines externen Umschaltsignals zur Umschaltung
zwischen den beiden Betriebsarten (1) und (2) führt.
3. Testsystem nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Detektionsmittel (11a) die Umschaltbedingungen für
die Betriebsarten (1) und (2) abhängig von einer bestimmten
Signalabfolge in Signalen erkennen, die das externe Testgerät
(30) ohnehin an den BOST-Baustein (10) überträgt.
4. Testsystem nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Umschaltmittel (11) die normale Betriebsart (1) des
BOST-Bausteins (10) während der Programmierung der Register
der Registereinheit (12) unterbrechen bzw. anhalten.
5. Testsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Umschaltmittel (11) des BOST-Bausteins (10) in die
Programmierbetriebsart (2) nur innerhalb bestimmter Zeitspan
nen umschalten, während der BOST-Baustein auf keines der pro
grammierbaren Register der Registereinheit (12) zur Erzeugung
von Testsignalen zugreift.
6. Testsystem nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichet,
daß das Testgerät (30) die für die Umschaltmittel (11) zum
Umschalten in die Programmierbetriebsart (2) bestimmten Zeit
spannen einmal extern berechnet und speichert.
7. Testsytem nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die in der Programmierbetriebsart (2) programmierbaren
Register der Registereinheit (12) gedoppelt sind, wobei der
BOST-Baustein (10) für die Erzeugung der Testsignale in der
normalen Betriebsart (1) nur auf Register zugreift, die ge
rade nicht programmiert werden.
8. Verwendung des Testsystems nach einem der vorangehenden
Ansprüche für den Test schneller synchroner Speicherbau
steine, insbesondere SDRAMs und SGRAMs.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10034900A DE10034900C2 (de) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | System zum Test schneller synchroner Digitalschaltungen, insbesondere Halbleiterspeicherbausteinen |
US09/907,786 US7062690B2 (en) | 2000-07-18 | 2001-07-18 | System for testing fast synchronous digital circuits, particularly semiconductor memory chips |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10034900A DE10034900C2 (de) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | System zum Test schneller synchroner Digitalschaltungen, insbesondere Halbleiterspeicherbausteinen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10034900A1 DE10034900A1 (de) | 2002-02-07 |
DE10034900C2 true DE10034900C2 (de) | 2002-07-18 |
Family
ID=7649323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10034900A Expired - Fee Related DE10034900C2 (de) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | System zum Test schneller synchroner Digitalschaltungen, insbesondere Halbleiterspeicherbausteinen |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7062690B2 (de) |
DE (1) | DE10034900C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10345980A1 (de) * | 2003-10-02 | 2005-05-12 | Infineon Technologies Ag | Testvorrichtung zum Testen von Speichermodulen |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003036697A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体メモリのテスト回路および半導体メモリデバイス |
TW498476B (en) * | 2001-08-30 | 2002-08-11 | Macronix Int Co Ltd | Synchronization test method and circuit for the segment of memory |
DE10213009A1 (de) * | 2002-03-22 | 2003-10-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum elektronischen Testen von Speichermodulen |
US7830737B2 (en) | 2008-06-27 | 2010-11-09 | International Business Machines Corporation | SMI memory read data capture margin characterization circuits and methods |
KR102377362B1 (ko) * | 2015-07-08 | 2022-03-23 | 삼성전자주식회사 | 보조 테스트 장치, 그것을 포함하는 테스트 보드 및 그것의 테스트 방법 |
CN113945827A (zh) * | 2021-10-13 | 2022-01-18 | 深圳康姆科技有限公司 | 一种异常芯片的识别方法及装置 |
CN115078967B (zh) * | 2022-06-15 | 2024-02-20 | 上海类比半导体技术有限公司 | 一种用于芯片测试的模式生成方法、生成器及测试电路 |
CN115856588B (zh) * | 2023-02-22 | 2023-08-04 | 长鑫存储技术有限公司 | 芯片测试板及测试方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5640509A (en) * | 1995-10-03 | 1997-06-17 | Intel Corporation | Programmable built-in self-test function for an integrated circuit |
DE19928981A1 (de) * | 1998-06-24 | 2000-01-13 | Advantest Corp | Vorrichtung und Verfahren zum Testen von Halbleiterspeichern |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5995424A (en) * | 1997-07-16 | 1999-11-30 | Tanisys Technology, Inc. | Synchronous memory test system |
US6249893B1 (en) * | 1998-10-30 | 2001-06-19 | Advantest Corp. | Method and structure for testing embedded cores based system-on-a-chip |
US6587979B1 (en) * | 1999-10-18 | 2003-07-01 | Credence Systems Corporation | Partitionable embedded circuit test system for integrated circuit |
JP2002162450A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路の試験装置および半導体集積回路の試験方法 |
JP2002236149A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路の試験装置及び試験方法 |
JP2004020230A (ja) * | 2002-06-12 | 2004-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 試験容易化回路およびテスタ |
-
2000
- 2000-07-18 DE DE10034900A patent/DE10034900C2/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-18 US US09/907,786 patent/US7062690B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5640509A (en) * | 1995-10-03 | 1997-06-17 | Intel Corporation | Programmable built-in self-test function for an integrated circuit |
DE19928981A1 (de) * | 1998-06-24 | 2000-01-13 | Advantest Corp | Vorrichtung und Verfahren zum Testen von Halbleiterspeichern |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10345980A1 (de) * | 2003-10-02 | 2005-05-12 | Infineon Technologies Ag | Testvorrichtung zum Testen von Speichermodulen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020070748A1 (en) | 2002-06-13 |
US7062690B2 (en) | 2006-06-13 |
DE10034900A1 (de) | 2002-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10034899C1 (de) | System zum Test schneller synchroner Halbleiterschaltungen | |
DE4328605C2 (de) | Halbleiterspeichereinrichtung | |
DE10053878A1 (de) | Halbleiterprüfsystem | |
DE10321913A1 (de) | System-in-package-Halbleitervorrichtung | |
DE10118141A1 (de) | Anwendungsspezifisches ereignisgestütztes Halbleiter-Speicherprüfsystem | |
DE19639972B4 (de) | Hochgeschwindigkeitstestschaltkreis für eine Halbleiterspeichervorrichtung | |
DE102005034922A1 (de) | Algorithmus-Mustergenerator zum Testen einer Speichervorrichtung und Speichertester, welcher diesen verwendet | |
DE10034900C2 (de) | System zum Test schneller synchroner Digitalschaltungen, insbesondere Halbleiterspeicherbausteinen | |
DE102006030360A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum selektiven Zugreifen auf und zum Konfigurieren von einzelnen Chips eines Halbleiterwafers | |
DE102016116717A1 (de) | Scan-Ketten-Schaltung, die eine Injektion eines logischen Selbsttestmusters während der Laufzeit unterstützt | |
DE19948388A1 (de) | Verfahren und System zum Prüfen eingebetteter Speicher | |
KR100295546B1 (ko) | 반도체디바이스시험장치 | |
DE19807739B4 (de) | Kombinierter Integrierter Speicher- und Logikschaltkreis und Testverfahren hierfür | |
DE10296525B4 (de) | Chipinterne Schaltungen für ein Hochgeschwindigkeitsspeichertesten mit einem langsamen Speichertester | |
DE102005055836B4 (de) | Leistungstestplatte | |
DE112008000937T5 (de) | Prüfgerät und elektronische Vorrichtung | |
DE10034855B4 (de) | System zum Test von schnellen integrierten Digitalschaltungen und BOST-Halbleiterschaltungsbaustein als Testschaltkreis | |
DE10250875B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Konfigurieren einer integrierten Schaltung mit eingebettetem Speicher | |
DE102008013099A1 (de) | Speichertestschaltung | |
CN107068196A (zh) | 用于闪存的内建自测试电路、系统及方法 | |
DE3916811C2 (de) | ||
DE10120668A1 (de) | Verfahren zum Testen der Datenaustausch-Funktionsfähigkeit eines Speichers | |
DE19721516A1 (de) | Mikroprozessor | |
DE10248753B4 (de) | Halbleiterbaustein sowie Verfahren zum Funktionstest und zur Konfiguration eines Halbleiterbausteins | |
EP0966743B1 (de) | Verfahren zum prüfen einer integrierten schaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |