CN204793617U - 激光二极管器件 - Google Patents

激光二极管器件 Download PDF

Info

Publication number
CN204793617U
CN204793617U CN201520096855.9U CN201520096855U CN204793617U CN 204793617 U CN204793617 U CN 204793617U CN 201520096855 U CN201520096855 U CN 201520096855U CN 204793617 U CN204793617 U CN 204793617U
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
laser
laser diode
carrier
epitaxial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201520096855.9U
Other languages
English (en)
Inventor
迈尔文·麦克劳林
亚历山大·施泰因
许博善
埃里克·古坦
丹·施泰格瓦尔德
詹姆斯·W·拉林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera SLD Laser Inc
Original Assignee
Soraa Laser Diode Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US14/176,403 external-priority patent/US9362715B2/en
Application filed by Soraa Laser Diode Inc filed Critical Soraa Laser Diode Inc
Application granted granted Critical
Publication of CN204793617U publication Critical patent/CN204793617U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
    • H01S5/4093—Red, green and blue [RGB] generated directly by laser action or by a combination of laser action with nonlinear frequency conversion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0203—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0217—Removal of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/0234—Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/3013—AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0215—Bonding to the substrate
    • H01S5/0216—Bonding to the substrate using an intermediate compound, e.g. a glue or solder

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种激光二极管器件，所述激光二极管器件包括：载体芯片，从载体基板上单一化；一个或多个外延材料晶片，从基板上被转移至所述载体基板；所述外延材料包括n型包覆层区域、包括与所述n型包覆层区域重叠的至少一个有源层的有源区以及与所述有源层区域重叠的p型包覆层区域；以及一个或多个激光二极管带区域，形成在所述外延材料晶片中。

Description

激光二极管器件
技术领域
本实用新型涉及一种激光二极管器件、包括激光二极管器件的照明装置和光学装置。
背景技术
在1960年，TheodoreH.Maiman在Malibu(马里布)的Hughes研究实验室首次演示了激光器。
实用新型内容
本实用新型涉及一种激光二极管器件，包括：提供基板，该基板具有表面区域并且形成与表面区域重叠的外延材料；所述外延材料，包括n型包覆层区域；有源区，包括与n型包覆层区域重叠的至少一个有源层；以及p型包覆层区域，与有源层区域重叠。图案化外延材料以形成多个晶片，该晶片的每一个对应于至少一个激光器器件，特征在于一对晶片之间的第一节距，该第一节距小于设计宽度。多个晶片中的每一个转移至载体晶圆，使得每对晶片以在每对晶片之间的第二节距配置，该第二节距大于第一节距。
本实用新型提供了一种激光二极管器件，所述激光二极管器件包括：载体芯片，从载体基板上单一化；一个或多个外延材料晶片，从基板上被转移至所述载体基板；所述外延材料包括n型包覆层区域、包括与所述n型包覆层区域重叠的至少一个有源层的有源区以及与所述有源层区域重叠的p型包覆层区域；以及一个或多个激光二极管带区域，形成在所述外延材料晶片中。
在上述器件中，所述激光二极管器件包括一对面。
在上述器件中，所述外延材料包括GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN、InAlN、InAlGaN中的一种或多种或者AlAs、GaAs、GaP、InP、AlP、AlGaAs、AlInAs、InGaAs、AlGaP、AlInP、InGaP、AlInGaP、AlInGaAs和AlInGaAsP中的一种或多种。
在上述器件中，所述载体基板包括碳化硅、氮化铝、氧化铍、金、银、铜或石墨、碳纳米管或石墨烯或者它们的复合材料中的一种或多种。
在上述器件中，所述载体基板包括单晶硅、多晶硅、蓝宝石和多晶氮化铝中的至少一个。
在上述器件中，电气绝缘层被布置为覆盖所述载体基板。
在上述器件中，所述晶片中的每一个包括一个或多个部件，所述一个或多个部件单独或以任意组合的方式选自于电气接触、电流散布区域、光学包覆层区域、激光器脊形、激光器脊形钝化或者一对面中的至少一个。
在上述器件中，接合垫位于所述载体的与所接合的外延材料相对的一侧上；其中，所述激光二极管器件包括能够以约1W以上的光学输出功率操作的一个或多个含镓和氮的发紫光或蓝光的激光二极管；其中，由所述载体基板产生的所述载体芯片由碳化硅、氮化铝、氧化铍、金、银、铜或石墨、碳纳米管或石墨烯或者它们的复合材料中的一种或多种构成；并且其中，所述光学输出被配置为激发波长转换材料。
在上述器件中，所述波长转换材料是荧光体材料。
在上述器件中，所述激光二极管器件是包括一个或多个含镓和氮的发蓝光和绿光的激光二极管和一个或多个含镓和砷的发红光的激光二极管的RGB器件。
在上述器件中，所述载体芯片被配置为与所述封装件直接接合。
本实用新型还提供了一种包括激光二极管器件的照明装置，所述装置包括：外延材料，包括n型包覆层区域、包括与所述n型包覆层区域重叠的至少一个有源层的有源区以及与所述有源层区域重叠的p型包覆层区域；至少一个晶片，由多个晶片配置，每一个所述晶片对应于至少一个激光二极管器件；一个或多个载体，包括由所述多个晶片中的每一个至所述一个或多个载体基板的转移配置的所述多个晶片中的一个或多个；波长转换元件，光学耦接至所述晶片以在白色光谱中发射电磁辐射，所述电磁辐射通过所述波长转换元件被部分转换或通过所述波长转换元件被完全转换。
在上述装置中，所述多个晶片中的每一个在所述一个或多个载体基板上配置至少一对晶片之间的从第一节距(pitch，间距)到第二节距的空间间隔。
在上述装置中，所述晶片是在所述载体基板上以阵列布置的多个晶片中的一个；其中，所述晶片被配置为发射440nm和460nm范围的波长；并且其中，所述波长转换元件是荧光体材料。
在上述装置中，所述波长转换元件包括荧光体、石榴石基质材料、掺杂元素、钇铝石榴石基质材料和稀土掺杂元素中的至少一个。
在上述装置中，所述波长转换元件包括荧光体、选自Ce、Nd、Er、Yb、Ho、Tm、Dy和Sm、它们的组合中的一种或多种的稀土掺杂元素。
在上述装置中，所述波长转换元件包括具有大于90％纯基质晶体的密度的高密度荧光体元件。
在上述装置中，所述波长转换元件被配置有与所述晶片对齐的几何特征；并且进一步包括在基板构件附近的光学反射材料，所述基板构件针对电磁辐射的传输是光学透明的。
上述装置进一步包括封闭所述晶片和所述载体的封装件，所述封装件进一步包括密封元件以封闭所述晶片防止向周边环境的暴露。
上述装置进一步包括波束成型元件，被配置为提供大于80％的发射光被包含在30度的发射角内的光学波束，或者其中，所述波束成型元件提供大于80％的发射光优选包含在10度的发射角内的光学波束。
在上述装置中，所述晶片和所述载体被封装以配置为MR型、PAR型或AR111型灯并且所述装置进一步包括集成的电子电源。
本实用新型提供了一种光学装置，选自灯泡、显示器和其他装置中的一个，所述光学装置包括：外延生长材料，在基台装置的表面区域上接合至具有界面区域的所述基台装置，所述外延生长材料与生长所述外延材料的基板分开；至少一个激光器器件，由所述外延生长材料配置，所述一个激光器器件包括以所述外延生长材料制备的激光器脊；所述基台装置的外围区域，由单一化的载体配置以提供所述基台装置，所述外围区域由锯切、划线和折断或者切割处理来配置；以及至少一对接合垫，配置在所述基台装置上以电连接至所述激光器器件，并且被配置为将电流注入所述激光器器件中。
在上述装置中，所述外延生长材料包括含镓和氮的材料；其中，所述界面区域包括接合材料的接合区域。
在上述装置中，所述外延生长材料、所述激光器器件和所述基台被配置在模块器件内。
本实用新型还提供了一种光学装置，所述装置包括：共用载体构件，包括表面区域；发红光的AlInGaAsP外延激光器结构(RED)，被配置在含镓和砷的基板构件上并且从含镓和砷的基板构件转移到所述表面区域的第一部分上，或者发红光的AlInGaAsP激光器外延结构形成在所述共用载体构件的表面区域上；发绿光的含镓和氮的激光器外延结构(GREEN)，被配置在含镓和氮的基板构件上并且从含镓和氮的基板构件转移到所述表面区域的第二部分上；发蓝光的含镓和氮的激光器外延结构(BLUE)，被配置在含镓和氮的基板构件上并且从含镓和氮的基板构件转移到所述表面区域的第三部分上；以及红色激光器器件，即RED激光器、绿色激光器器件，即GREEN激光器和蓝色激光器器件，即BLUE激光器，经由所述发红光的AlInGaAsP外延激光器结构、所述发绿光的含镓和氮的激光器外延结构和所述发蓝光的含镓和氮的激光器外延结构的处理分别从所述发红光的AlInGaAsP外延激光器结构、所述发绿光的含镓和氮的激光器外延结构和所述发蓝光的含镓和氮的激光器外延结构配置为形成波导区域、面区域和接触区域。
上述装置进一步包括：第一连接结构，在所述RED激光器的所述配置之后被处理到所述共用载体构件上；第二连接结构，在所述GREEN激光器的所述配置和转移之后被处理到所述共用载体构件上；第三连接结构，在所述BLUE激光器的所述配置和转移之后被处理到所述共用载体构件上；以及模块壳，被配置为容纳所述GREEN激光器、所述BLUE激光器和所述RED激光器，其中，所述GREEN激光器、所述BLUE激光器和所述RED激光器统称为RGB激光器。
在上述装置中，所述模块壳以投影显示装置或激光器显示器来配置。
在上述装置中，所述模块壳以照明装置或灯泡来配置。
在上述装置中，至少所述发蓝光的含镓和氮的激光器外延结构和所述发绿光的含镓和氮的激光器外延结构使用p侧向下的配置体接合至所述共用载体构件，所述激光器器件的每一个使用设置在所述共用载体构件上的共用p型电极彼此耦接；并且所述光学装置进一步包括电气钝化材料，所述电气钝化材料在暴露针对单独的n型电极的区域的同时覆盖所述激光器器件的每一个。
在上述装置中，所述激光器器件的每一个被配置为减少激光器瑕疵；并且所述RGB激光器的每一个是独立可访问的。
在上述装置中，所述RGB激光器的每一个耦接至共用光学元件。
附图说明
图1是根据本实用新型的实施例的激光二极管的简化示图。
图2是根据本实用新型的实施例的晶片(die)扩展的激光二极管的简化示图。
图3是实施例中具有利用切割或蚀刻的反射镜沿c方向的投影对齐的腔体的半极性激光二极管的示意图。
图4是实施例中脊形激光二极管的示意性截面。
图5是实施例中选择性区域接合处理的顶视图。
图6是实施例中用于外延制备的简化过程流。
图7是实施例中选择性区域接合的简化侧视图。
图8是实施例中具有有源区(activeregion)保护的外延制备的简化过程流。
图9是实施例中在接合之前具有有源区保护并且具有脊形构形的外延制备的简化过程流。
图10是实施例中的固定(anchored，锚定)PEC下切的简化示图(顶视图)。
图11是实施例中的固定PEC下切的简化示图(侧视图)。
图12是被处理为用作基台的载体晶圆的简化示图。
图13是实施例中具有两种尺寸的晶片扩展的选择性区域接合处理的顶视图。
图14是实施例中针对典型激光二极管器件的处理步骤和材料输入的流程图。
图15是实施例中针对利用外延转移至载体晶圆制备的低成本激光器器件的处理步骤和材料输入的流程图。
图16是示出能够以给定晶片节距在基板上处理的激光器器件的数量的表。
图17是在100mm直径载体晶圆上针对各种基板尺寸的可接合区域的示意图。
图18是示出用于将小区域GaN基板制备为芯片规模封装件的过程流的示图。
图19是将由GaN晶圆制备的典型激光器晶片与在转移的激光器晶片上制备并且从载体晶圆单一化的激光器器件相比较的示意图。
图20是根据本实用新型的实施方式的RGB激光器芯片的示图。
图21是根据本实用新型的实施方式的RGB激光器芯片的示图。
图22是根据本实用新型的实施方式的用于将来自多个外延晶圆的晶片接合至相同载体晶圆的处理的示意图。
图23是根据本实用新型的实施方式的用于将来自多个外延晶圆的晶片接合至相同载体晶圆的处理的示意图。
图24示出了根据本实用新型的实施方式的用于将是独立可访问的包含多个晶片的激光器芯片的布局的示意图。
图25示出了根据本实用新型的实施方式的用于将是独立可访问的包括包含多个晶片的金属通孔的激光器芯片的布局的示意图。
图26示出了根据本实用新型的实施方式的用于将是独立可访问的包含多个晶片的激光器芯片的布局的示意图。
图27示意性地描述了实施例中针对GaN基发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的能量转换效率vs输入功率密度。
图28示意性地描述了本实用新型的实施例。
图29示意性地描述了本实用新型的替代实施例。
图30示意性地描述了本实用新型的替代实施例。
图31是实施例中集成的、低成本的激光基光模块的示意性截面图。
图32示意性地描述了来自一种或多种蓝色激光器的光的实施例。
图33示意性地描述了本实用新型的替代实施例中的集成的、低成本的激光基光模块的一种替代。
图34示意性地描述了本实用新型的实施例中的集成照明装置。
具体实施方式
本实用新型的实施方式提供了半导体激光二极管。以下是这些器件的典型构造和制备的总体描述。
图1是处理之后的本技术领域的GaN基激光二极管的状况的侧视图。在包含原始的镓和氮的外延基板100上制备激光二极管，通常，该激光二极管具有外延n-GaN和n-侧包覆层101、有源区102、p-GaN和p-侧包覆层103、绝缘层104、以及接触/垫片(pad)层105。标记了激光器晶片节距。在该器件设计中，浪费了未直接位于激光器脊形下方的所有外延材料。在实施例中，n型包覆层可以由GaN、AlGaN、或InAlGaN构成。
图2是在晶片扩展处理之前的含镓和氮的外延晶圆100以及在晶片扩展处理之后的载体晶圆106的侧视图。该图示出了大概五倍的扩展和由此从仅含镓和氮的基板能够制备的并且覆盖了外延材料的激光二极管的数目的五倍的增加。出于示例性之目的，包括典型的外延和处理层，且典型的外延和处理层包括n-GaN和n-侧包覆层101、有源区102、p-GaN和p-侧包覆层103、绝缘层104、以及接触/垫片层105。此外，在晶片扩展处理期间，使用牺牲区域107和接合材料108。
图3是具有利用切割或蚀刻的反射镜沿c方向的投影对齐的腔体的半极性激光二极管的示意图，并且给出了示出腔体架构和反射镜的在半极性基板上制备的脊形类激光二极管的示意图。所示出的是具有利用切割或蚀刻的反射镜沿c方向的投影对齐的腔体的半极性激光二极管的简化示图。激光带区域通过基本上沿着基本垂直于a方向的c方向的投影的腔体取向而表征。激光带区域具有第一端107和第二端109，并且沿c方向的投影形成在具有面向彼此的一对切割的反射镜结构的含{20-21}镓和氮的基板上。
图4是实施例中脊形激光二极管的示意性截面，并且是示出与器件相关联的各种特征的脊形类激光二极管的示意性截面，示出了示出本技术领域的激光二极管结构的状况的简化示意性截面图。该图仅是一种实施例，其不应当在本文中过度地限制权利要求的范围。如所示出的，激光器器件包括氮化镓基板203，该氮化镓基板203具有在下面的n型金属背部接触区域201。在实施方式中，金属背部接触区域由诸如以下所述的适宜材料和其他材料制成。在实施方式中，该器件也具有覆盖的n型氮化镓层205、有源区207、以及被构造成激光带区域211的覆盖的p型氮化镓层。此外，在其他特征中，该器件也可以包括n侧单独限制异质结构(SCH)、p侧引导层或SCH、p-AlGaNEBL。在实施方式中，该器件也具有p++型氮化镓材料213以形成接触区域。
图5是选择性区域接合的简化顶视图(选择性区域接合-顶视图)并且示出了经由选择性区域接合的晶片扩展。含原始镓和氮的外延晶圆201已具有外延材料的独立晶片以及通过处理限定的释放层。单独的外延材料晶片被标记202并且以节距1间隔开。圆形载体晶圆200已制备有图案化的接合垫203。这些接合垫以节距2间隔开，该节距2是节距1的偶数倍，使得在选择性区域接合处理的各个反复操作中能够接合所选择组的外延晶圆。选择性区域接合处理反复操作继续，直到所有外延晶圆已被转移至载体晶圆204。现在，可选地，能够制备含镓和氮的外延基板201以用于再利用。
在实施例中，图6是用于外延制备的简化示图(过程流：外延制备)，包括针对晶片扩展的示例性外延制备流程的侧视图。含镓和氮的外延基板100和叠置的外延材料被限定在单个晶片中，接合材料108被沉积，并且下切牺牲区域107。出于示例性之目的，包括典型的外延层，并且典型的外延层是n-GaN和n-侧包覆层101、有源区102、以及p-GaN和p-侧包覆层103。
在实施例中，图7是实施例中的选择性区域接合的侧视图的简化示图。所制备的含镓和氮的外延晶圆100和所制备的载体晶圆106是该处理的起始部件。第一选择性区域接合反复操作转移外延晶圆的部分，且根据需要重复另外的反复操作以转移所有外延晶圆。一旦完成晶片扩展处理，则能够继续在载体晶圆上执行本技术领域的激光器处理的状态。出于示例性之目的，包括典型的外延和处理层，且典型的外延和处理层为n-GaN和n-侧包覆层101、有源区102、p-GaN和p-侧包覆层103、绝缘层104、以及接触/垫片层105。此外，在晶片扩展处理期间，使用牺牲区域107和接合材料108。
在实施例中，图8是具有有源区保护的外延制备的简化示图(外延制备过程流：具有有源区保护)。所示出的是可替代的外延晶圆制备过程流的侧视图，在该处理期间，在任何PEC下切蚀刻步骤期间使用侧壁钝化来保护有源区。该过程流允许更广泛地选择牺牲区域材料和成分。出于示例性之目的，包括典型的基板、外延层以及处理层，并且典型的基板、外延层以及处理层是含镓和氮的基板100、n-GaN和n-侧包覆层101、有源区102、p-GaN和p-侧包覆层103、绝缘层104、以及接触/焊盘垫层105。此外，在晶片扩展处理期间，使用牺牲区域107和接合材料108。
在实施例中，图9是在接合之前具有有源区保护和脊形构形的外延制备的简化示图(外延制备过程流：在接合之前具有有源区保护+脊形)。所示出的是可替代的外延晶圆制备过程流的侧视图，在该处理期间，在任何PEC下切蚀刻步骤期间使用侧壁钝化来保护有源区并且在转移之前在密集的外延晶圆上限定激光器脊形。通过在密集的外延晶圆上执行另外的处理步骤，该过程流潜在地允许节约成本。出于示例性之目的，包括典型的基板、外延层以及处理层，并且典型的基板、外延层以及处理层是含镓和氮的基板100、n-GaN和n-侧包覆层101、有源区102、p-GaN和p-侧包覆层103、绝缘层104、以及接触/垫片层105。此外，在晶片扩展处理期间，使用牺牲区域107和接合材料108。
图10是固定(anchored，锚定)PEC下切的简化示例(顶视图)。所示出的是在窄台面的选择性区域接合期间的可替代释放处理的顶视图。在本实施方式中，在沉积接合金属303之前，使用自上向下的蚀刻来蚀刻掉区域300。然后，使用PEC蚀刻来下切比牺牲层的横向蚀刻距离更宽的区域301。在选择性区域接合处理期间，牺牲区域302保持完整并且用作机械支撑。如在“狗骨式”版本中，诸如这些的固定能够被放置在窄台面的末端。固定也能够被放置在台面的多侧(参见半岛固定)，使得它们经由下切并且将在转移期间优先折断的窄连接304附接至台面。用作应力集中器305的几何特征能够被增加至将发生折断的该固定处以进一步限制。接合媒介也能够部分地延伸至该固定上以防止靠近台面的折断。
图11是实施例中的固定PEC下切的简化示图(侧视图)。所示出的是固定PEC下切的侧视图。为便于机械支撑，在外延晶圆的各端处包括牺牲区域支柱，直至完成该接合处理。在接合之后，外延材料将切割在接合垫与完整的牺牲区域之间的未支撑的薄膜区域，使能够执行选择性区域接合处理。出于示例性之目的，包括典型的外延层和处理层，且该典型的外延层和处理层为n-GaN和n-侧包覆层101、有源区102、p-GaN和p-侧包覆层103、绝缘层104、以及接触/垫片层105。此外，在晶片扩展处理中，使用牺牲区域107和接合材料108。外延材料从含镓和氮的外延晶圆100被转移至载体晶圆106。在下文中能够更具体地发现本方法和结构的进一步细节。
图12是被处理以用作基台的载体晶圆的实施例的简化示图。处理载体晶圆402，使得背侧包含可以是环氧树脂、金-锡焊料等的接合媒介401。还利用使载体晶圆与覆盖层电气绝缘的第一钝化层403来处理载体。导电性接合垫405在激光器晶片转移处理期间覆盖钝化层并且允许经由接合到所使用的接合垫108的探针或线电气接入。在激光器晶片406的转移之后，加入覆盖在晶片上图案化的激光器器件以及底侧接触片405的一部分的第二电气接触和接合垫层407。第二钝化层408使两个接合垫分隔开。
图13是实施例中具有两种尺寸(dimension，维度)的晶片扩展的选择性区域接合处理的顶视图，示出了以两种尺寸在载体晶圆上晶片扩展的实施例。基板901利用可转移的晶片903图案化。载体晶圆902在基板上以大于晶片节距的第二和第四节距两者利用接合垫904图案化。在第一接合之后，激光器晶片的子组被转移到载体。在第二接合之后，转移完整行的晶片。
图14是实施例中针对典型激光二极管器件的处理步骤和材料输入的流程图(典型过程流)。
图15是实施例中针对利用外延转移至载体晶圆制备的低成本GaN激光器器件的处理步骤和材料输入的流程图。
图16是示出能够以给定晶片节距在基板上处理的激光器器件的数量的表，示出了对于各种晶片尺寸的每个晶圆的器件数量。
图17是在100mm直径的载体晶圆1001上针对各种基板尺寸的可接合区域的示图，示出了在100mm载体晶圆上针对各种基板尺寸的可转移区域。
表1是示出能够在以各种第二节距外延转移至载体之后在约50微米宽的晶片上处理的激光器器件的数量的表，示出了对于各种晶片尺寸的每个载体的器件数量。
表1
图18示出了从基板上的外延薄膜至最终应用的制备GaN基激光二极管器件的过程流的绘画图示(制备的绘画流程图)。
图19示出了在基台上的典型激光器晶片1102和本实用新型的器件1101的示意图，并且示出了典型激光器晶片与在激光器晶片的转移之后经由晶圆级处理制备的在集成基台上的激光器件的比较。在基台上的晶片可以是在薄型化为约75微米并且切割为约1.2mm长和约150微米宽的激光器晶片的GaN基板上制备的约1.2mm长乘以约30微米宽的激光器脊。然后，这些晶片被附接至利用电气隔离的引线接合垫图案化的更大基台。引线接合垫经由引线接合和焊料连接分别电气连接至激光器晶片的顶部和底部。在芯片规模的器件中，约50微米宽乘以约1.2mm长乘以约2微米厚的激光器晶片的阵列被转移至SiC载体晶圆，使用晶片规模的光刻处理制备电连接和引线接合垫。所获得的芯片为约1.2mm长乘以约0.5mm宽，然而应注意，能够通过调整在载体晶圆上的激光器晶片阵列的节距来缩放所获得的芯片的尺寸。在两个器件中，能够通过引线接合或经由诸如弹簧针(pogo-pin)、弹簧卡子等的可拆卸连接进行对垫片的电气接触。
图20是如根据实施方式使用选择性区域接合处理制备的RGB激光器芯片的示图(RGB激光器芯片的实施例)。三个激光器芯片316被接合至载体晶圆310并且被处理成具有激光器特征(脊、钝化、电气接触等)，使得激光器脊是平行的。将晶片与载体晶圆材料电气隔离。提供独立的顶侧电气接触311、312和313的同时在晶片之间共享共同的底部接触314，使得能够单独地操作在每个晶片上的激光器器件。在每一个晶片上的激光器器件的发射锥315基本上重叠，仅以小于或等于由激光器晶片跨越的总宽度的距离横向偏离。在此图中，激光器芯片已从原始的载体晶圆中单一化。
图21是根据实施方式使用选择性区域接合制备的RGB激光器芯片的示图(RGB激光器芯片的实施例)。三个激光器晶片316被接合至载体晶圆310并且被处理成具有激光器特征(脊、钝化、电气接触等)，使得激光器脊是平行的。将晶片与载体晶圆材料电气隔离。针对每个晶片的顶侧电气接触311、312和313被用作针对下一个晶片的接合层，使得晶片被叠置。钝化层324用于从顶侧电气接触分离激光器晶片体，使得电流仅能够穿过蚀刻的激光器脊。在此构造中，不存在对所有激光器晶片的共同电极，而是针对一个晶片的阳极用作针对下一个的阴极。由于叠置激光器晶片，脊能够靠近地被放置在一起。如所示出的，脊不重叠，但是应当认识到，其他构造是可能的。例如，脊能够在光刻处理的容差范围内侧向对齐。
图22示出了在实现此的处理中的各个步骤期间载体晶圆的示意性截面，并且示出了晶片从多个基板的转移的实施例。
图23示出了在实现此的处理中的各个步骤期间载体晶圆的示意性截面，并且示出了晶片从多个基板的转移的实施例。
图24示出了根据本实用新型的实施方式的三个多晶片激光器芯片的示意性布局，并且示出了具有一个共同电极的多晶片芯片的布局的实施例。
图25示出了根据本实用新型的实施方式的多晶片激光器芯片的示意性布局，并且示出了具有包含金属填充的通孔的载体晶圆的多晶片芯片的布局的实施例。布局(A)和附带截面(B)示出了由单一化块的载体晶圆701、从外延基板转移的三个激光器晶片702、以及用于电气连接至晶片的金属迹线和导电性通孔703构成的激光器芯片。通孔穿过载体晶圆并且可以由未示出的接合垫覆盖。激光器晶片经由共用电极704接合至载体，然而对于激光器器件的脊侧接触与共用电极金属电气隔离并且被连接至与共用电极隔离的通孔。钝化层705将激光器晶片和共用电极与位于晶片以下的在晶片以下提供较高导热性的区域以促进热提取但是与激光器晶片电气隔离的金属填充通孔隔离。在该实施方式中，载体晶圆必须是电气绝缘的。
图26示出了根据本实用新型的实施方式的多晶片激光器芯片的示意性布局和制备，并且示出了具有共用电极和经由切割载体晶圆产生的面的多晶片芯片的布局的实施例。布局(A)示出了在晶片的接合之后、但是在激光器器件的单一化和制备之前的芯片。激光器晶片801经由接合垫802接合至载体晶圆804。载体晶圆是导电性的并且用作共用电极。接合垫805被叠置在载体晶圆的后侧上以提供将芯片附接至散热片、基台或封装件的装置，以及提供电气连接至该器件的装置。钝化层803从对独立激光器晶片上的器件进行电接触的导电层807分隔开载体晶圆。第二钝化层806被叠置在晶片上，并且导电层被叠置在第二钝化层上以提供与中间晶片的电气隔离的电接触。这种布置允许形成连接到激光器脊的全部长度且同时足够宽以便可接入引线接合的接合垫。平面视图(C)示出了在载体晶圆上制备的这些器件的阵列的一部分。线808和809示出了用于使载体晶圆单一化为独立的激光器芯片以及形成激光器器件的正面和后面的切割的位置。激光器跳划线810用于提供针对切割的引线。为了引导切割，这种构造将需要单晶体的载体晶圆。
图27示意性地描述了实施例中针对GaN基发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的能量转换效率vs输入功率密度。
图28示意性地描述了本实用新型的实施例。
图29示意性地描述了本实用新型的替代实施例。
图30示意性地描述了本实用新型的替代实施例。
图31是实施例中集成的、低成本的激光器基光模块(3001)的示意性截面图。一种或多种蓝色激光二极管(3002)和波长转换元件(3003)附接至共用基板(3004)。金属迹线(3005)允许电气互连。导热和导电附接材料(3009)用于将激光二极管和波长转换元件两者附接至共用基板(3004)。可选的反射元件(3010)可以插入波长转换元件和附接材料之间。如果共用基板是导电的，则可选的电气绝缘层(3011)可以应用于共用基板。
图32示意性地描述了来自一种或多种蓝色激光二极管(3002)的光通过几何特征(3013)耦合到波长转换元件(3003)中的实施例。可以利用可选的光学元件(3014)来提高耦合效率。可选的光学反射元件(3009)可以利用与特征(3013)对齐的伴随几何特征附接至波长转换元件的多侧。
图33示意性地描述了集成的、低成本的激光器基光模块(3015)的替代实施例，其中，共用基板(3004)是光学透明的。来自一种或多种蓝色激光二极管(3002)的光通过在覆盖波长转换元件的大部分暴露表面的可选的反射元件(3010)中的孔(3013)耦合到波长转换元件(3003)中。如箭头(3017)所示，光学出口孔(3016)允许光通过透明共用基板向下发射。
图34示意性地描述了实施例中集成的照明装置(3019)，其包括一种或多种集成的、低成本的激光器基光源(3020)、散热器(3021)和用于成型或修改出射光束的频谱内容的可选的光学元件(3022)、以及可选的集成电子电源(3023)以及可选的电子连接元件(3024)。
图10示出了“半岛”固定。
图13示出了在载体晶圆上的包括第二和第四节距两者的转移处理的示意图。
在类似于TO密封罐的常用激光器封装件中，激光器器件间接地附接至本身被焊接的封装件的主体或以提供高导热性的方法另外附接至散热器。为了防止激光二极管到封装件的短路，基台设置在激光二极管材料和封装件之间。该基台是作为良好热导体和电气绝缘的材料的薄层。基台材料包括提供良好导热率但低电导率的氮化铝、蓝宝石(Al2O3)、氧化铍和化学气相沉积的金刚石。
图12示出了用作载体晶圆和基台两者的SiC晶圆402的示意性截面图。
图23示出了在实现此的处理中在各种步骤期间的载体晶圆的示意性截面图。晶片502使用上述方法从第一外延晶圆转移至载体晶圆106。在晶片上制备激光器脊形、钝化层104和脊形电气接触105。随后接合垫503沉积覆盖脊形电气接触。然后，可能包含不同颜色、尺寸、材料和其他这类差异的晶片的第二基板506被用于以与第一组的晶片相同的节距将第二组的晶片507转移至载体。然后，能够在第二组的晶片上制备激光器脊形、钝化层和脊形电气接触。随后，能够执行晶片接合和激光器器件制备循环来有效地生产由如在图21的截面图中示出的任意数量的激光器晶片和器件构成的多终端器件。
作为实施例，图24示出了来自相同或不同基板的三个晶片能够独立地被电气访问使得能够独立地操作在每个晶片上制备的激光器器件的各种方法。图24的(A)和(B)示出了在载体晶圆上的单个重复单元的平面视图和截面图，在此称为“芯片”。为接合来自一个或多个基板的晶片而提供三个导电性的接合垫602。接合垫经由导电性载体晶圆电气连接至还用作用于焊接至基台、散热器或者集成至系统中的接合垫的共用电极。顶侧电气接触被沉积并且从激光器晶片延伸至位于不包含激光器晶片的芯片的区域的引线接合垫603。金属迹线和垫片通过绝缘层606与载体晶圆隔离。图24的(C)和(D)示出了底侧电气接触由沉积在芯片正面侧上的导电层604制成的类似芯片。在此实施例中，顶侧电气连接和芯片通过绝缘层606彼此以及与载体晶圆隔离，并且在芯片底部上的接合垫仅用于安装和提供良好的导热性。图24的(E)和(F)示出了激光器晶片经由载体晶圆在它们的底侧上连接至共用电极的类似芯片。在此构造中，通过顶侧引线接合垫604而不是通过载体晶圆的底侧进行对载体晶圆的电气接入。
作为实施例，图25示出了转移至载体晶圆的多个激光器晶片的类似构造。图25的(A)示出了在激光器晶片801的转移之后的一个激光器芯片的截面图。图26示出了此构造的示意图。
作为实施例，来自发红光的AlInGaAsP激光器器件晶圆、发绿光的GaN激光器器件晶圆和发蓝光的GaN激光器器件晶圆的激光器晶片能够被转移至单个载体晶圆。能够采用类似于上述和在图25和27中示出的那些的结构使用标准光刻处理在晶片和载体晶圆上处理激光器腔体、反射镜和电气接触，使得在每个晶片上的激光器器件是独立可访问的并且能够单独地驱动。利用干法蚀刻处理(例如，RIE、ICP或CAIBE)或通过切割载体晶圆来制备多个面。在单一化之后，所获得的激光器芯片将具有类似于标准激光二极管器件的有效发射极尺寸(即，小于200微米)并且将允许红-绿-蓝颜色混合。针对每种颜色的多个激光器晶片能够从多个基板转移，允许每种颜色的工程化去瑕疵(speckle，斑点)。这类RGB激光器芯片将大大地简化用于投影和显示器应用的激光器光源的设计和制备。激光器器件将处于很近的距离(即，在10-100微米内)从而产生更小光学器件的需求。激光器器件均彼此对齐，从而通过消除所有发射极与系统光学器件分别对齐的需要而降低制备成本。
在图20中示出了针对激光器晶片的这类发红光、绿光和蓝光的光电器件的实例。这种RGB激光器芯片由能够由多种不同材料构成的载体晶圆310组成。各自具有制备成它们的单个激光器器件结构的三个激光器晶片316接合至载体。激光器晶片接合至p侧向下的载体，并且接合垫形成共用p电极314。使用光刻处理选择性地沉积电气钝化层(例如，二氧化硅、氮化硅等)，并且随后沉积单独的n电极311、312和313。图20示出了在单一化之后的单个激光器芯片，然而由于接合处理的本质，能够在任意尺寸的载体晶片上平行地制备许多激光器芯片。载体晶圆材料的选择取决于应用。在一些实施方式中，其中针对激光器器件的光学功率很低(100mW以下)，由于大直径、低成本的Si晶圆的可用性，Si可以被选择为载体晶圆。在实施方式中，其中发射功率很大(例如，大于1W)并且器件的热电阻必须保持很低以确保高效率，由于SiC的高导热率，SiC将是合适的载体晶圆材料。
图14示出了针对传统的激光二极管制备处理的过程流和材料输入。
在图15中示出了由本实用新型能够实现的改善的制备处理。图16示出了能够在各种尺寸的基板上处理的器件的数量。
图17示出了在100mm直径的圆形载体晶圆上针对小基板的接合构造的若干实施例。
表1示出了能够转移至100mm直径载体晶圆的器件的数量的表。
在实施例中，本实用新型公开了基于高效率、低成本的蓝色激光二极管和致密的波长转换器的集成阵列的集成低成本激光基光源，其在维持从固态光源期望的高能量效率和长产品使用寿命的优势的同时能够产生超过LED基光源的光源亮度水平。此外，公开了提供超过LED基产品的产品性能的基于集成低成本激光基光源的照明系统。
在实施例中，我们发现由于被限定为每单位立体角的光密度的光源亮度而限制了传统的GaN基固态光源和产品。考虑扩展的光学概念，熟知的是在光学组件中不能增加亮度；因此通过光源的亮度限制照明系统的亮度或强度。针对GaNLED光源，存在已知为“跌落”的众所周知的现象，其中，随着在输入功率密度方面的增加能量效率迅速下降。由于在LED(自发发射)和激光二极管(受激发射)之间的载流子重组机制的不同，在GaN激光二极管中看不到这种效率跌落的现象。这在针对GaN基LED和激光二极管而示意性地示出了能量转换效率的图27中被显示。清晰的是，当以高功率密度操作时激光二极管能够实现显著高于LED的转换效率。此外，来自LED的发光图案在器件的表面上方是各向同性的，然而针对激光二极管，在较好限定的连贯的波束中光从小出射面发射。针对激光二极管的发射区域小了若干量级，从而产生高于LED若干量级的光源亮度。光源亮度的这种优势可以通过例如灯泡或灯具的光学系统来维持，从而产生针对激光二极管的固有优势。
在实施例中，参考激光二极管在下文中提供了针对LED的诸如荧光体的波长转换材料的简要总结。针对LED，荧光体与LED光源一样大或者大于LED光源。针对激光二极管模块，荧光体尺寸独立于晶片尺寸，并且可以从若干激光二极管光源泵哺。针对LED，荧光体位于晶片上或晶片周围。散热很弱，或直接通过LED晶片散热。针对激光二极管，荧光体与晶片相邻或远离晶片，能使其较好地散热，能实现高输入功率密度。针对LED，荧光体向后发射至LED晶片，导致显著的效率和成本的折中。针对激光二极管模块，能够独立地调整荧光体的环境以产生具有少量或不增加成本的高效率。针对激光二极管模块的荧光体优化能够包括高度透明的、非分散的、陶瓷荧光体板。能够通过掺杂水平确定降低的温度敏感度。反射器能够被加入陶瓷荧光体的后侧，从而降低损失。荧光体能够被成形为增加耦合(in-coupling)并且降低后反射。当然，能够存在额外的改变、修改和替代。
在实施例中，本实用新型提供了包含一种或多种低成本的激光二极管的激光基光模块、一种或多种波长转换元件、以及提供在激光二极管和波长转换元件之间的电气和热连接的共用基板。在实施例中，低成本的激光二极管由包含GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInGaN、其组合物等的外延材料构成。在实施例中，其中，低成本的激光二极管的发射波长处于200nm和520nm的范围中。
在实施例中，低成本的激光二极管的优选发射波长处于440nm和460nm的范围中。在实施例中，波长转换元件是荧光体材料。在实施例中，波长转换元件是包含石榴石基质材料和掺杂元素的荧光体。在实施例中，波长转换元件是包含钇铝石榴石基质材料和稀土掺杂元素以及其他的荧光体。在实施例中，波长转换元件是包含选自以下一种或多种的稀土掺杂元素的荧光体：Ce、Nd、Er、Yb、Ho、Tm、Dy和Sm、其组合等。在实施例中，波长转换元件是高密度荧光体元件。在实施例中，波长转换元件是具有大于90％纯基质晶体的密度的高密度荧光体元件。
在实施例中，从一种或多种低成本激光二极管发射的光通过波长转换元件部分地被转换。在实施例中，在波长转换元件中产生的部分转换的光发射产生外观上是白色的颜色点。
在实施例中，一种或多种低成本的激光二极管和波长转换材料利用类似焊料的材料(优选选自AuSn、AgCuSn、PbSn或In中的一种或多种)附接至共用基板上的金属迹线。在实施例中，两个或更多个低成本激光二极管附接至具有以电气系列方式布置的二极管的共用基板。在实施例中，波长转换元件包含插入波长转换元件和与共用基板上的金属迹线的导热性连接之间的光学反射材料。
在实施例中，波长转换元件包含与一种或多种低成本激光二极管的每一个对齐的几何特征。在实施例中，波长转换元件在垂直于共用基板和一种或多种低成本激光二极管的边缘的主要部分上进一步包含光学反射材料，并且其中，与低成本激光二极管的每一个对齐的几何特征不包括光学反射材料。在实施例中，共用基板是光学透明的。在实施例中，波长转换元件部分地附接至透明的共用基板。在实施例中，波长转换的光通过共用基板来引导。在实施例中，波长转换器在至少上表面上包含光学反射材料。在实施例中，一种或多种低成本激光二极管和波长转换元件包含在密封元件内以降低向周边环境的暴露。在实施例中，一种或多种低成本激光二极管和波长转换元件包含在密封元件内以降低对周边环境的曝光。
在实施例中，包含至少激光基光模块的固态照明元件具有波束成型元件。在实施例中，波束成型元件提供光学波束，其中，大于80％的发射光包含在30度的发射角内。在实施例中，波束成型元件提供光学波束，其中，大于80％的发射光优选包含在10度的发射角内。在实施例中，该形式处于现有的MR、PAR和AR111灯的通常接受的标准形状和尺寸内。在实施例中，固态照明元件进一步包含集成的电子电源以使激光基光模块电气通电。在实施例中，固态照明元件进一步包含具有在通常接受的标准内的输入功率的集成电子电源。当然，还会存在其他的变形、修改和替代。
如本文中所使用，术语载体或载体晶圆是指外延器件材料被转移至其的晶圆。载体可以由单个材料组成并且是单晶体或多晶体。载体也可以是多种材料的复合材料。例如，载体能够是标准尺寸的硅晶圆，或者其能够由多晶AlN构成。
如本文中所使用，术语基台是指为了促进封装、接合至散热器和电气接触，激光器器件接合至其的材料目标。基台与基板、载体晶圆和封装件或散热器分隔开。
如所示出的，本装置能够封闭在适宜的封装件中。这类封装件能够包括诸如在TO-38和TO-56标头中的封装件。也可以存在诸如TO-9或平坦包的其他适宜的封装设计和方法，其中，光纤耦合是所需要的并且甚至是非标准的封装。在具体实施方式中，能够在封装构造中实现本装置。

Claims (8)

1.一种激光二极管器件，所述激光二极管器件包括：
载体芯片，从载体基板上单一化；
一个或多个外延材料晶片，从基板上被转移至所述载体基板；所述外延材料包括n型包覆层区域、包括与所述n型包覆层区域重叠的至少一个有源层的有源区以及与所述有源层区域重叠的p型包覆层区域；以及
一个或多个激光二极管带区域，形成在所述外延材料晶片中。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述激光二极管器件包括一对面。
3.根据权利要求1所述的器件，其中，电气绝缘层被布置为覆盖所述载体基板。
4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述晶片中的每一个包括一个或多个部件，所述一个或多个部件单独或以任意组合的方式选自于电气接触、电流散布区域、光学包覆层区域、激光器脊形、激光器脊形钝化或者一对面中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的器件，其中，接合垫位于所述载体的与所接合的外延材料相对的一侧上；其中，所述激光二极管器件包括能够以1W以上的光学输出功率操作的一个或多个发紫光或蓝光的激光二极管；并且其中，所述光学输出被配置为激发波长转换材料。
6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述波长转换材料是荧光体材料。
7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述激光二极管器件是包括一个或多个含镓和氮的发蓝光和绿光的激光二极管和一个或多个含镓和砷的发红光的激光二极管的RGB器件。
8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述载体芯片被配置为与封装件直接接合。
CN201520096855.9U 2014-02-10 2015-02-10 激光二极管器件 Active CN204793617U (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/176,403 US9362715B2 (en) 2014-02-10 2014-02-10 Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material
US14/176,403 2014-02-10
US14/312,427 US9379525B2 (en) 2014-02-10 2014-06-23 Manufacturable laser diode
US14/312,427 2014-06-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN204793617U true CN204793617U (zh) 2015-11-18

Family

ID=53775777

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520826757.6U Active CN205509229U (zh) 2014-02-10 2015-02-10 光学装置
CN201520096855.9U Active CN204793617U (zh) 2014-02-10 2015-02-10 激光二极管器件
CN201520096866.7U Active CN204760748U (zh) 2014-02-10 2015-02-10 光学装置
CN201520758768.5U Active CN205508818U (zh) 2014-02-10 2015-02-10 照明装置
CN201520095427.4U Active CN204732675U (zh) 2014-02-10 2015-02-10 光学装置
CN201520095428.9U Active CN204732408U (zh) 2014-02-10 2015-02-10 照明装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520826757.6U Active CN205509229U (zh) 2014-02-10 2015-02-10 光学装置

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520096866.7U Active CN204760748U (zh) 2014-02-10 2015-02-10 光学装置
CN201520758768.5U Active CN205508818U (zh) 2014-02-10 2015-02-10 照明装置
CN201520095427.4U Active CN204732675U (zh) 2014-02-10 2015-02-10 光学装置
CN201520095428.9U Active CN204732408U (zh) 2014-02-10 2015-02-10 照明装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9379525B2 (zh)
CN (6) CN205509229U (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9762032B1 (en) 2014-02-07 2017-09-12 Soraa Laser Diode, Inc. Semiconductor laser diode on tiled gallium containing material
CN107578709A (zh) * 2016-07-05 2018-01-12 群创光电股份有限公司 显示装置与显示装置的制造方法
US9871350B2 (en) 2014-02-10 2018-01-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB laser diode source
US10141714B2 (en) 2014-02-10 2018-11-27 Soraa Laser Diode, Inc. Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material
US10439364B2 (en) 2013-10-18 2019-10-08 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode formed on c-plane gallium and nitrogen material
US10446604B2 (en) 2016-07-05 2019-10-15 Innolux Corporation Display apparatus and fabricating method for display apparatus
US10566767B2 (en) 2014-02-10 2020-02-18 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable multi-emitter laser diode

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9800017B1 (en) 2009-05-29 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Laser device and method for a vehicle
US9088135B1 (en) * 2012-06-29 2015-07-21 Soraa Laser Diode, Inc. Narrow sized laser diode
US9379525B2 (en) 2014-02-10 2016-06-28 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode
US9520695B2 (en) 2013-10-18 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser device having confinement region
US9246311B1 (en) 2014-11-06 2016-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of manufacture for an ultraviolet laser diode
US9653642B1 (en) 2014-12-23 2017-05-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB display based on thin film gallium and nitrogen containing light emitting diodes
US9666677B1 (en) 2014-12-23 2017-05-30 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable thin film gallium and nitrogen containing devices
US11437775B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. Integrated light source using a laser diode
US11437774B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. High-luminous flux laser-based white light source
US10879673B2 (en) 2015-08-19 2020-12-29 Soraa Laser Diode, Inc. Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package
US10938182B2 (en) 2015-08-19 2021-03-02 Soraa Laser Diode, Inc. Specialized integrated light source using a laser diode
DE102015118715A1 (de) 2015-11-02 2017-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaseranordnung und Projektor
KR102504290B1 (ko) 2015-12-04 2023-02-28 삼성전자 주식회사 수소 플라스마 어닐링 처리 준비 방법, 수소 플라스마 어닐링 처리 방법, 및 수소 플라스마 어닐링 장치
CN108511575B (zh) * 2017-02-28 2023-03-17 日亚化学工业株式会社 光学部件的制造方法
CN108573960B (zh) * 2017-03-08 2019-11-05 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 显示装置与磊晶晶圆
DE102017108385A1 (de) 2017-04-20 2018-10-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbarren und Halbleiterlaser sowie Verfahren zur Herstellung von Laserbarren und Halbleiterlasern
US10771155B2 (en) 2017-09-28 2020-09-08 Soraa Laser Diode, Inc. Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source
US10222474B1 (en) 2017-12-13 2019-03-05 Soraa Laser Diode, Inc. Lidar systems including a gallium and nitrogen containing laser light source
KR102433873B1 (ko) 2018-01-29 2022-08-19 삼성전자주식회사 Led 패널 및 led 패널의 제조 방법
TWI688317B (zh) * 2018-10-31 2020-03-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 發光二極體晶片的固接方法及固接裝置
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
US12000552B2 (en) 2019-01-18 2024-06-04 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle
US11228158B2 (en) 2019-05-14 2022-01-18 Kyocera Sld Laser, Inc. Manufacturable laser diodes on a large area gallium and nitrogen containing substrate
US10903623B2 (en) 2019-05-14 2021-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method and structure for manufacturable large area gallium and nitrogen containing substrate
CN110265864B (zh) * 2019-07-08 2020-06-19 厦门大学 一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法
US10718491B1 (en) * 2019-07-16 2020-07-21 Soraa Laser Diode, Inc. Infrared illumination device configured with a gallium and nitrogen containing laser source
US11236889B2 (en) 2019-07-16 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Violet and ultraviolet illumination device configured with a gallium and nitrogen containing laser source
US11757250B2 (en) 2019-12-23 2023-09-12 Kyocera Sld Laser, Inc. Specialized mobile light device configured with a gallium and nitrogen containing laser source
US11906121B1 (en) 2022-10-21 2024-02-20 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser high beam and low beam headlamp apparatus and method

Family Cites Families (228)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4341592A (en) 1975-08-04 1982-07-27 Texas Instruments Incorporated Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment
FR2596070A1 (fr) 1986-03-21 1987-09-25 Labo Electronique Physique Dispositif comprenant un suscepteur plan tournant parallelement a un plan de reference autour d'un axe perpendiculaire a ce plan
US4911102A (en) 1987-01-31 1990-03-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Process of vapor growth of gallium nitride and its apparatus
US5334277A (en) 1990-10-25 1994-08-02 Nichia Kagaky Kogyo K.K. Method of vapor-growing semiconductor crystal and apparatus for vapor-growing the same
US5157466A (en) 1991-03-19 1992-10-20 Conductus, Inc. Grain boundary junctions in high temperature superconductor films
JP3148004B2 (ja) 1992-07-06 2001-03-19 株式会社東芝 光ｃｖｄ装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US5474021A (en) 1992-09-24 1995-12-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Epitaxial growth of diamond from vapor phase
US5578839A (en) 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
US5331654A (en) 1993-03-05 1994-07-19 Photonics Research Incorporated Polarized surface-emitting laser
JPH06267846A (ja) 1993-03-10 1994-09-22 Canon Inc ダイヤモンド電子装置およびその製造法
WO1995004652A1 (en) 1993-08-06 1995-02-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Multilayered tubing
JP3623001B2 (ja) 1994-02-25 2005-02-23 住友電気工業株式会社 単結晶性薄膜の形成方法
JPH07254732A (ja) 1994-03-15 1995-10-03 Toshiba Corp 半導体発光装置
US5821555A (en) 1995-03-27 1998-10-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semicoductor device having a hetero interface with a lowered barrier
US5985687A (en) 1996-04-12 1999-11-16 The Regents Of The University Of California Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials
JP3360265B2 (ja) 1996-04-26 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
TW393521B (en) 1996-05-23 2000-06-11 Ebara Corp Vaporizer apparatus and film deposition apparatus therewith
US6183565B1 (en) 1997-07-08 2001-02-06 Asm International N.V Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
WO1998039827A1 (fr) 1997-03-07 1998-09-11 Sharp Kabushiki Kaisha Element electroluminescent semi-conducteur a base de nitrure de gallium muni d'une zone active presentant une structure de multiplexage a puits quantique et un dispostif semi-conducteur a sources de lumiere utilisant le laser
EP0871228A3 (en) 1997-04-09 2001-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same
WO1998047170A1 (en) 1997-04-11 1998-10-22 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device
US5926493A (en) 1997-05-20 1999-07-20 Sdl, Inc. Optical semiconductor device with diffraction grating structure
JPH11135891A (ja) 1997-10-31 1999-05-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法、発光素子付き光ファイバ、光通信モジュールならびに光通信システム
JP3653169B2 (ja) 1998-01-26 2005-05-25 シャープ株式会社 窒化ガリウム系半導体レーザ素子
US20030135414A1 (en) 1998-02-19 2003-07-17 Tai Roland D. Promotion processor and management system
US6147953A (en) 1998-03-25 2000-11-14 Duncan Technologies, Inc. Optical signal transmission apparatus
US6108937A (en) 1998-09-10 2000-08-29 Asm America, Inc. Method of cooling wafers
US6785447B2 (en) * 1998-10-09 2004-08-31 Fujitsu Limited Single and multilayer waveguides and fabrication process
JP2000138168A (ja) 1998-10-29 2000-05-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハ及び気相成長装置
JP2000209705A (ja) 1999-01-13 2000-07-28 Shinko Electric Co Ltd 無人搬送車システム
JP3659621B2 (ja) 1999-02-08 2005-06-15 株式会社東芝 窒化物系半導体レーザ装置の製造方法
EP1168539B1 (en) 1999-03-04 2009-12-16 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser device
US6239454B1 (en) 1999-05-10 2001-05-29 Lucent Technologies Inc. Net strain reduction in integrated laser-modulator
JP3854508B2 (ja) 1999-09-07 2006-12-06 株式会社シクスオン ＳｉＣウエハ、ＳｉＣ半導体デバイス、およびＳｉＣウエハの製造方法
US6451157B1 (en) 1999-09-23 2002-09-17 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
TW580735B (en) 2000-02-21 2004-03-21 Hitachi Ltd Plasma treatment apparatus and treating method of sample material
WO2001064591A1 (en) 2000-03-01 2001-09-07 Heraeus Amersil, Inc. Method, apparatus, and article of manufacture for determining an amount of energy needed to bring a quartz workpiece to a fusion weldable condition
EP1306944B1 (en) 2000-06-08 2007-07-04 Nichia Corporation Semiconductor laser device, and method of manufacturing the same
US6586762B2 (en) 2000-07-07 2003-07-01 Nichia Corporation Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power
US6680959B2 (en) 2000-07-18 2004-01-20 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor laser
US7053413B2 (en) 2000-10-23 2006-05-30 General Electric Company Homoepitaxial gallium-nitride-based light emitting device and method for producing
US6489636B1 (en) 2001-03-29 2002-12-03 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
US6635904B2 (en) 2001-03-29 2003-10-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
KR100853410B1 (ko) * 2001-04-11 2008-08-21 소니 가부시키가이샤 소자의 전사방법 및 이를 이용한 소자의 배열방법,화상표시장치의 제조방법
US6939730B2 (en) 2001-04-24 2005-09-06 Sony Corporation Nitride semiconductor, semiconductor device, and method of manufacturing the same
US6734530B2 (en) 2001-06-06 2004-05-11 Matsushita Electric Industries Co., Ltd. GaN-based compound semiconductor EPI-wafer and semiconductor element using the same
JP3639807B2 (ja) 2001-06-27 2005-04-20 キヤノン株式会社 光学素子及び製造方法
US6379985B1 (en) 2001-08-01 2002-04-30 Xerox Corporation Methods for cleaving facets in III-V nitrides grown on c-face sapphire substrates
JP3785970B2 (ja) 2001-09-03 2006-06-14 日本電気株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造方法
CN100423296C (zh) 2001-09-03 2008-10-01 松下电器产业株式会社 半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法
US7303630B2 (en) 2003-11-05 2007-12-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of growing GaN crystal, method of producing single crystal GaN substrate, and single crystal GaN substrate
MY148924A (en) 2001-09-29 2013-06-14 Cree Inc Apparatus for inverted multi-wafer mocvd fabrication
US6833564B2 (en) 2001-11-02 2004-12-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices
JPWO2003058726A1 (ja) 2001-12-28 2005-05-19 サンケン電気株式会社 半導体発光素子、発光表示体、半導体発光素子の製造方法及び発光表示体の製造方法
US6562127B1 (en) 2002-01-16 2003-05-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of making mosaic array of thin semiconductor material of large substrates
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3898537B2 (ja) 2002-03-19 2007-03-28 日本電信電話株式会社 窒化物半導体の薄膜形成方法および窒化物半導体発光素子
US7063741B2 (en) 2002-03-27 2006-06-20 General Electric Company High pressure high temperature growth of crystalline group III metal nitrides
JP4250904B2 (ja) 2002-04-08 2009-04-08 パナソニック株式会社 半導体の製造方法
DE10392519T5 (de) 2002-04-19 2005-08-04 Mattson Technology Inc., Fremont System zur Abscheidung eines Films auf einem Substrat unter Verwendung eines Gas-Precursors mit niedrigem Dampfdruck
US7008484B2 (en) 2002-05-06 2006-03-07 Applied Materials Inc. Method and apparatus for deposition of low dielectric constant materials
US6927382B2 (en) 2002-05-22 2005-08-09 Agilent Technologies Optical excitation/detection device and method for making same using fluidic self-assembly techniques
US6995032B2 (en) 2002-07-19 2006-02-07 Cree, Inc. Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same
JP3861036B2 (ja) 2002-08-09 2006-12-20 三菱重工業株式会社 プラズマｃｖｄ装置
TW560120B (en) 2002-09-20 2003-11-01 Chung Shan Inst Of Science Nitride based semiconductor laser diode device including a selective growth mask
US6809781B2 (en) 2002-09-24 2004-10-26 General Electric Company Phosphor blends and backlight sources for liquid crystal displays
US7009199B2 (en) 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
TWI233154B (en) 2002-12-06 2005-05-21 Soitec Silicon On Insulator Method for recycling a substrate
JP2004241570A (ja) 2003-02-05 2004-08-26 Fujitsu Ltd 半導体レーザ
US7068905B2 (en) 2003-03-12 2006-06-27 Daryoosh Vakhshoori Extended optical bandwidth semiconductor source
WO2004084275A2 (en) 2003-03-18 2004-09-30 Crystal Photonics, Incorporated Method for making group iii nitride devices and devices produced thereby
JP2004304111A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Sharp Corp 多波長レーザ装置
US7187185B2 (en) 2004-09-29 2007-03-06 Loadstar Sensors Inc Area-change sensing through capacitive techniques
US7118781B1 (en) 2003-04-16 2006-10-10 Cree, Inc. Methods for controlling formation of deposits in a deposition system and deposition methods including the same
WO2004111297A1 (ja) 2003-06-10 2004-12-23 Tokyo Electron Limited 処理ガス供給機構、成膜装置および成膜方法
US6913985B2 (en) 2003-06-20 2005-07-05 Oki Data Corporation Method of manufacturing a semiconductor device
JP4229005B2 (ja) 2003-06-26 2009-02-25 住友電気工業株式会社 ＧａＮ基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子
JP4011569B2 (ja) 2003-08-20 2007-11-21 株式会社東芝 半導体発光素子
US7009215B2 (en) 2003-10-24 2006-03-07 General Electric Company Group III-nitride based resonant cavity light emitting devices fabricated on single crystal gallium nitride substrates
US7128849B2 (en) 2003-10-31 2006-10-31 General Electric Company Phosphors containing boron and metals of Group IIIA and IIIB
US7384481B2 (en) 2003-12-29 2008-06-10 Translucent Photonics, Inc. Method of forming a rare-earth dielectric layer
JP4279698B2 (ja) 2004-01-30 2009-06-17 シャープ株式会社 Ｌｅｄ素子の駆動方法及び駆動装置、照明装置並びに表示装置
US20050285128A1 (en) 2004-02-10 2005-12-29 California Institute Of Technology Surface plasmon light emitter structure and method of manufacture
US7408201B2 (en) 2004-03-19 2008-08-05 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Polarized semiconductor light emitting device
JP2007529910A (ja) 2004-03-19 2007-10-25 アリゾナ ボード オブ リージェンツ 横モード制御による高出力ｖｃｓｅｌ
JP4671617B2 (ja) 2004-03-30 2011-04-20 三洋電機株式会社 集積型半導体レーザ素子
US8035113B2 (en) 2004-04-15 2011-10-11 The Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
DE102004021233A1 (de) 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
EP1598681A3 (de) 2004-05-17 2006-03-01 Carl Zeiss SMT AG Optische Komponente mit gekrümmter Oberfläche und Mehrlagenbeschichtung
US8227820B2 (en) 2005-02-09 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor light-emitting device
US7361938B2 (en) 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US20080092812A1 (en) 2004-06-10 2008-04-24 Mcdiarmid James Methods and Apparatuses for Depositing Uniform Layers
US7288679B2 (en) 2004-08-06 2007-10-30 Agfa-Gevaert Device provided with a dedicated dye compound
TWI241036B (en) 2004-08-18 2005-10-01 Formosa Epitaxy Inc GaN LED structure with enhanced light emitting luminance
JP2006108435A (ja) 2004-10-06 2006-04-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体ウエハ
US7550395B2 (en) 2004-11-02 2009-06-23 The Regents Of The University Of California Control of photoelectrochemical (PEC) etching by modification of the local electrochemical potential of the semiconductor structure relative to the electrolyte
US7858408B2 (en) 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7751455B2 (en) 2004-12-14 2010-07-06 Palo Alto Research Center Incorporated Blue and green laser diodes with gallium nitride or indium gallium nitride cladding laser structure
US7358542B2 (en) 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7932111B2 (en) 2005-02-23 2011-04-26 Cree, Inc. Substrate removal process for high light extraction LEDs
JP2006270028A (ja) 2005-02-25 2006-10-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光素子
CN101845670A (zh) 2005-03-10 2010-09-29 加利福尼亚大学董事会 用于生长平坦半极性氮化镓的技术
US20090159869A1 (en) 2005-03-11 2009-06-25 Ponce Fernando A Solid State Light Emitting Device
US7483466B2 (en) 2005-04-28 2009-01-27 Canon Kabushiki Kaisha Vertical cavity surface emitting laser device
US7574791B2 (en) 2005-05-10 2009-08-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method to fabricate side shields for a magnetic sensor
US7358543B2 (en) 2005-05-27 2008-04-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device having a layer of photonic crystals and a region of diffusing material and method for fabricating the device
TWI377602B (en) 2005-05-31 2012-11-21 Japan Science & Tech Agency Growth of planar non-polar {1-100} m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)
JP5743127B2 (ja) 2005-06-01 2015-07-01 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置
US20060288928A1 (en) 2005-06-10 2006-12-28 Chang-Beom Eom Perovskite-based thin film structures on miscut semiconductor substrates
US8148713B2 (en) 2008-04-04 2012-04-03 The Regents Of The University Of California Method for fabrication of semipolar (Al, In, Ga, B)N based light emitting diodes
DE102005061828B4 (de) 2005-06-23 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070081857A1 (en) 2005-10-07 2007-04-12 Yoon Jung H Four parts manhole enabling an easy install and height adjustment
US20070086916A1 (en) 2005-10-14 2007-04-19 General Electric Company Faceted structure, article, sensor device, and method
US7508466B2 (en) 2005-11-14 2009-03-24 Cree, Inc. Laser diode backlighting of LC display with at least one diode generating light beam having divergence angle and with display panel having beam spreader to increase divergence
JP4879563B2 (ja) 2005-11-16 2012-02-22 パナソニック株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光装置
JP2009519202A (ja) 2005-12-12 2009-05-14 キーマ テクノロジーズ， インク． Ｉｉｉ族窒化物製品及び同製品の作製方法
JP5191650B2 (ja) 2005-12-16 2013-05-08 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP4534978B2 (ja) 2005-12-21 2010-09-01 トヨタ自動車株式会社 半導体薄膜製造装置
EP1965416A3 (en) 2005-12-22 2009-04-29 Freiberger Compound Materials GmbH Free-Standing III-N layers or devices obtained by selective masking of III-N layers during III-N layer growth
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
KR101510461B1 (ko) 2006-01-20 2015-04-08 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 반극성 (Ａｌ,Ｉｎ,Ｇａ,Ｂ)Ｎ의 개선된 성장 방법
JP4804930B2 (ja) 2006-01-23 2011-11-02 ローム株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
KR20080104148A (ko) 2006-02-17 2008-12-01 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 반극성 (Ａｌ,Ｉｎ,Ｇａ,Ｂ)Ｎ 광전자 소자들의 성장 방법
JP4660400B2 (ja) 2006-03-14 2011-03-30 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
WO2007133766A2 (en) 2006-05-15 2007-11-22 The Regents Of The University Of California Electrically-pumped (ga,in, ai) n vertical-cavity surface-emitting laser
JP4819577B2 (ja) 2006-05-31 2011-11-24 キヤノン株式会社 パターン転写方法およびパターン転写装置
US20090273005A1 (en) 2006-07-24 2009-11-05 Hung-Yi Lin Opto-electronic package structure having silicon-substrate and method of forming the same
US7374960B1 (en) 2006-08-23 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Stress measurement and stress balance in films
JP2008109066A (ja) 2006-09-29 2008-05-08 Rohm Co Ltd 発光素子
CN101535532A (zh) 2006-10-08 2009-09-16 迈图高新材料公司 用于形成氮化物晶体的方法
US20100104495A1 (en) 2006-10-16 2010-04-29 Mitsubishi Chemical Corporation Method for producing nitride semiconductor, crystal growth rate increasing agent, single crystal nitride, wafer and device
KR100837404B1 (ko) 2006-10-18 2008-06-12 삼성전자주식회사 반도체 광전 소자
US7598104B2 (en) 2006-11-24 2009-10-06 Agency For Science, Technology And Research Method of forming a metal contact and passivation of a semiconductor feature
JP2008141118A (ja) 2006-12-05 2008-06-19 Rohm Co Ltd 半導体白色発光装置
WO2008073435A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Lead frame for transparent and mirrorless light emitting diode
TW201448263A (zh) 2006-12-11 2014-12-16 Univ California 透明發光二極體
WO2009002365A1 (en) 2006-12-15 2008-12-31 University Of South Carolina Pulsed selective area lateral epitaxy for growth of iii-nitride materials over non-polar and semi-polar substrates
US20080217745A1 (en) 2006-12-19 2008-09-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nitride Semiconductor Wafer
CA2673660C (en) 2006-12-28 2012-07-24 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same
KR101464227B1 (ko) 2007-01-12 2014-11-21 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 가스 처리 시스템
WO2008100504A1 (en) 2007-02-12 2008-08-21 The Regents Of The University Of California Cleaved facet (ga,al,in)n edge-emitting laser diodes grown on semipolar {11-2n} bulk gallium nitride substrates
JP2010518626A (ja) 2007-02-12 2010-05-27 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 無極性および半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎダイオードレーザのためのレーザ棒配向の最適化
WO2008100502A1 (en) 2007-02-12 2008-08-21 The Regents Of The University Of California Al(x)ga(1-x)n-cladding-free nonpolar iii-nitride based laser diodes and light emitting diodes
JP2008252069A (ja) 2007-03-06 2008-10-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子
US8085825B2 (en) * 2007-03-06 2011-12-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor laser diode apparatus and semiconductor laser diode apparatus
JP5162926B2 (ja) 2007-03-07 2013-03-13 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置の製造方法
JP2008235802A (ja) 2007-03-23 2008-10-02 Rohm Co Ltd 発光装置
US7929587B2 (en) 2007-04-27 2011-04-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser diode element and method of manufacturing the same
JP2008311640A (ja) 2007-05-16 2008-12-25 Rohm Co Ltd 半導体レーザダイオード
US20080303033A1 (en) 2007-06-05 2008-12-11 Cree, Inc. Formation of nitride-based optoelectronic and electronic device structures on lattice-matched substrates
JP5118392B2 (ja) 2007-06-08 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
EP2003230A2 (en) 2007-06-14 2008-12-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. GaN substrate, substrate with an epitaxial layer, semiconductor device, and GaN substrate manufacturing method
KR101459752B1 (ko) 2007-06-22 2014-11-13 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP4714712B2 (ja) 2007-07-04 2011-06-29 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
US7733571B1 (en) 2007-07-24 2010-06-08 Rockwell Collins, Inc. Phosphor screen and displays systems
JP5212686B2 (ja) 2007-08-22 2013-06-19 ソニー株式会社 半導体レーザアレイの製造方法
JP4584293B2 (ja) 2007-08-31 2010-11-17 富士通株式会社 窒化物半導体装置、ドハティ増幅器、ドレイン電圧制御増幅器
JP2009065048A (ja) 2007-09-07 2009-03-26 Rohm Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
US7727874B2 (en) 2007-09-14 2010-06-01 Kyma Technologies, Inc. Non-polar and semi-polar GaN substrates, devices, and methods for making them
US8750688B2 (en) 2007-09-21 2014-06-10 Echostar Technologies L.L.C. Systems and methods for selectively recording at least part of a program based on an occurrence of a video or audio characteristic in the program
JP4809308B2 (ja) 2007-09-21 2011-11-09 新光電気工業株式会社 基板の製造方法
US7792171B2 (en) 2007-11-12 2010-09-07 Rohm Co., Ltd. Nitride semiconductor laser device
JP5003527B2 (ja) 2008-02-22 2012-08-15 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物発光素子、及びｉｉｉ族窒化物系半導体発光素子を作製する方法
US8144743B2 (en) 2008-03-05 2012-03-27 Rohm Co., Ltd. Nitride based semiconductor device and fabrication method for the same
JP5053893B2 (ja) 2008-03-07 2012-10-24 住友電気工業株式会社 窒化物半導体レーザを作製する方法
JP4640427B2 (ja) 2008-03-14 2011-03-02 ソニー株式会社 ＧａＮ系半導体発光素子、発光素子組立体、発光装置、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法、ＧａＮ系半導体発光素子の駆動方法、及び、画像表示装置
JP2009283912A (ja) 2008-04-25 2009-12-03 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体素子およびその製造方法
KR100998011B1 (ko) 2008-05-22 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 화학기상 증착장치
KR101428719B1 (ko) 2008-05-22 2014-08-12 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법, 상기 방법을이용하여 제조한 발광 소자 및 발광 장치
JP2009286652A (ja) 2008-05-28 2009-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶、ｉｉｉ族窒化物結晶基板および半導体デバイスの製造方法
US20090301388A1 (en) 2008-06-05 2009-12-10 Soraa Inc. Capsule for high pressure processing and method of use for supercritical fluids
US20110180781A1 (en) 2008-06-05 2011-07-28 Soraa, Inc Highly Polarized White Light Source By Combining Blue LED on Semipolar or Nonpolar GaN with Yellow LED on Semipolar or Nonpolar GaN
US8097081B2 (en) 2008-06-05 2012-01-17 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US20090309127A1 (en) 2008-06-13 2009-12-17 Soraa, Inc. Selective area epitaxy growth method and structure
US8847249B2 (en) 2008-06-16 2014-09-30 Soraa, Inc. Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions
US8303710B2 (en) 2008-06-18 2012-11-06 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US20100006873A1 (en) 2008-06-25 2010-01-14 Soraa, Inc. HIGHLY POLARIZED WHITE LIGHT SOURCE BY COMBINING BLUE LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN WITH YELLOW LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN
CN101621101A (zh) 2008-06-30 2010-01-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
US20100003492A1 (en) 2008-07-07 2010-01-07 Soraa, Inc. High quality large area bulk non-polar or semipolar gallium based substrates and methods
US8259769B1 (en) 2008-07-14 2012-09-04 Soraa, Inc. Integrated total internal reflectors for high-gain laser diodes with high quality cleaved facets on nonpolar/semipolar GaN substrates
US8143148B1 (en) 2008-07-14 2012-03-27 Soraa, Inc. Self-aligned multi-dielectric-layer lift off process for laser diode stripes
JP2010027935A (ja) 2008-07-23 2010-02-04 Sony Corp 半導体レーザ、光ディスク装置および光ピックアップ
US8124996B2 (en) 2008-08-04 2012-02-28 Soraa, Inc. White light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and phosphors
WO2010017316A1 (en) 2008-08-05 2010-02-11 The Regents Of The University Of California Linearly polarized backlight source in conjunction with polarized phosphor emission screens for use in liquid crystal displays
US8979999B2 (en) 2008-08-07 2015-03-17 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
JP2010067858A (ja) 2008-09-11 2010-03-25 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体素子およびその製造方法
KR101142672B1 (ko) 2008-09-11 2012-05-11 스미토모덴키고교가부시키가이샤 질화물계 반도체 광소자, 질화물계 반도체 광소자용의 에피택셜 웨이퍼, 및 반도체 발광 소자를 제조하는 방법
US8461071B2 (en) 2008-12-12 2013-06-11 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US7923741B1 (en) 2009-01-05 2011-04-12 Lednovation, Inc. Semiconductor lighting device with reflective remote wavelength conversion
JP2010177651A (ja) 2009-02-02 2010-08-12 Rohm Co Ltd 半導体レーザ素子
US8422525B1 (en) 2009-03-28 2013-04-16 Soraa, Inc. Optical device structure using miscut GaN substrates for laser applications
US8252662B1 (en) 2009-03-28 2012-08-28 Soraa, Inc. Method and structure for manufacture of light emitting diode devices using bulk GaN
DE112010001615T5 (de) 2009-04-13 2012-08-02 Soraa, Inc. Stuktur eines optischen Elements unter Verwendung von GaN-Substraten für Laseranwendungen
JP2010267871A (ja) 2009-05-15 2010-11-25 Sony Corp 半導体レーザおよびその製造方法
US8247887B1 (en) 2009-05-29 2012-08-21 Soraa, Inc. Method and surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates
US8427590B2 (en) 2009-05-29 2013-04-23 Soraa, Inc. Laser based display method and system
US20100309943A1 (en) 2009-06-05 2010-12-09 The Regents Of The University Of California LONG WAVELENGTH NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al,Ga,In)N BASED LASER DIODES
US7933303B2 (en) 2009-06-17 2011-04-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device
US8409888B2 (en) 2009-06-30 2013-04-02 Joseph John Rumpler Highly integrable edge emitting active optical device and a process for manufacture of the same
US20110001126A1 (en) 2009-07-02 2011-01-06 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor chip, method of fabrication thereof, and semiconductor device
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US20110056429A1 (en) 2009-08-21 2011-03-10 Soraa, Inc. Rapid Growth Method and Structures for Gallium and Nitrogen Containing Ultra-Thin Epitaxial Structures for Devices
US8314429B1 (en) 2009-09-14 2012-11-20 Soraa, Inc. Multi color active regions for white light emitting diode
US8355418B2 (en) * 2009-09-17 2013-01-15 Soraa, Inc. Growth structures and method for forming laser diodes on {20-21} or off cut gallium and nitrogen containing substrates
US20110186887A1 (en) 2009-09-21 2011-08-04 Soraa, Inc. Reflection Mode Wavelength Conversion Material for Optical Devices Using Non-Polar or Semipolar Gallium Containing Materials
JP5387302B2 (ja) 2009-09-30 2014-01-15 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子、及びｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
US20110103418A1 (en) 2009-11-03 2011-05-05 The Regents Of The University Of California Superluminescent diodes by crystallographic etching
FR2953492B1 (fr) 2009-12-09 2012-04-06 Airbus Operations Sas Nacelle d'aeronef incorporant un dispositif de rapprochement de capots independant du mecanisme de verrouillage
US20110186874A1 (en) 2010-02-03 2011-08-04 Soraa, Inc. White Light Apparatus and Method
US20110204376A1 (en) 2010-02-23 2011-08-25 Applied Materials, Inc. Growth of multi-junction led film stacks with multi-chambered epitaxy system
WO2011109754A1 (en) 2010-03-04 2011-09-09 The Regents Of The University Of California Semi-polar iii-nitride optoelectronic devices on m-plane substrates with miscuts less than +/-15 degrees in the c-direction
JP2011204983A (ja) 2010-03-26 2011-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 集積型半導体レーザ装置の製造方法
US20110247556A1 (en) 2010-03-31 2011-10-13 Soraa, Inc. Tapered Horizontal Growth Chamber
US9048170B2 (en) 2010-11-09 2015-06-02 Soraa Laser Diode, Inc. Method of fabricating optical devices using laser treatment
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
US9287684B2 (en) 2011-04-04 2016-03-15 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters with color wheel
WO2013123241A1 (en) 2012-02-17 2013-08-22 The Regents Of The University Of California Method for the reuse of gallium nitride epitaxial substrates
DE202013012940U1 (de) 2012-05-04 2023-01-19 Soraa, Inc. LED-Lampen mit verbesserter Lichtqualität
US9136673B2 (en) 2012-07-20 2015-09-15 The Regents Of The University Of California Structure and method for the fabrication of a gallium nitride vertical cavity surface emitting laser
US9362715B2 (en) 2014-02-10 2016-06-07 Soraa Laser Diode, Inc Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material
US9379525B2 (en) 2014-02-10 2016-06-28 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode
US9520695B2 (en) 2013-10-18 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser device having confinement region
US9368939B2 (en) 2013-10-18 2016-06-14 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode formed on C-plane gallium and nitrogen material
US9520697B2 (en) 2014-02-10 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable multi-emitter laser diode
US9871350B2 (en) 2014-02-10 2018-01-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB laser diode source
US9246311B1 (en) 2014-11-06 2016-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of manufacture for an ultraviolet laser diode
US9666677B1 (en) 2014-12-23 2017-05-30 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable thin film gallium and nitrogen containing devices
US9653642B1 (en) 2014-12-23 2017-05-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB display based on thin film gallium and nitrogen containing light emitting diodes

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10439364B2 (en) 2013-10-18 2019-10-08 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode formed on c-plane gallium and nitrogen material
US11569637B2 (en) 2013-10-18 2023-01-31 Kyocera Sld Laser, Inc. Manufacturable laser diode formed on c-plane gallium and nitrogen material
US10903625B2 (en) 2013-10-18 2021-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode formed on c-plane gallium and nitrogen material
US10693279B1 (en) 2014-02-07 2020-06-23 Soraa Laser Diode, Inc. Semiconductor laser diode on tiled gallium containing material
US9762032B1 (en) 2014-02-07 2017-09-12 Soraa Laser Diode, Inc. Semiconductor laser diode on tiled gallium containing material
US10431958B1 (en) 2014-02-07 2019-10-01 Soraa Laser Diode, Inc. Semiconductor laser diode on tiled gallium containing material
US10044170B1 (en) 2014-02-07 2018-08-07 Soraa Laser Diode, Inc. Semiconductor laser diode on tiled gallium containing material
US11342727B1 (en) 2014-02-07 2022-05-24 Kyocera Sld Laser, Inc. Semiconductor laser diode on tiled gallium containing material
US11139637B2 (en) 2014-02-10 2021-10-05 Kyocera Sld Laser, Inc. Manufacturable RGB laser diode source and system
US11658456B2 (en) 2014-02-10 2023-05-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Manufacturable multi-emitter laser diode
US10566767B2 (en) 2014-02-10 2020-02-18 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable multi-emitter laser diode
US10749315B2 (en) 2014-02-10 2020-08-18 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB laser diode source
US10658810B2 (en) 2014-02-10 2020-05-19 Soraa Laser Diode, Inc. Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material
US9871350B2 (en) 2014-02-10 2018-01-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB laser diode source
US11011889B2 (en) 2014-02-10 2021-05-18 Kyocera Sld Laser, Inc. Manufacturable multi-emitter laser diode
US11088505B2 (en) 2014-02-10 2021-08-10 Kyocera Sld Laser, Inc. Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material
US10141714B2 (en) 2014-02-10 2018-11-27 Soraa Laser Diode, Inc. Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material
US11710944B2 (en) 2014-02-10 2023-07-25 Kyocera Sld Laser, Inc. Manufacturable RGB laser diode source and system
US11705689B2 (en) 2014-02-10 2023-07-18 Kyocera Sld Laser, Inc. Gallium and nitrogen bearing dies with improved usage of substrate material
CN107578709B (zh) * 2016-07-05 2020-12-15 群创光电股份有限公司 显示装置与显示装置的制造方法
CN107578709A (zh) * 2016-07-05 2018-01-12 群创光电股份有限公司 显示装置与显示装置的制造方法
US10446604B2 (en) 2016-07-05 2019-10-15 Innolux Corporation Display apparatus and fabricating method for display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20150229107A1 (en) 2015-08-13
CN204732408U (zh) 2015-10-28
US20160294162A1 (en) 2016-10-06
CN205509229U (zh) 2016-08-24
CN204732675U (zh) 2015-10-28
CN205508818U (zh) 2016-08-24
US10367334B2 (en) 2019-07-30
US9379525B2 (en) 2016-06-28
CN204760748U (zh) 2015-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN204793617U (zh) 激光二极管器件
US11658456B2 (en) Manufacturable multi-emitter laser diode
US11837585B2 (en) Wafer level packaging of light emitting diodes (LEDs)
CN101615647B (zh) 发光器件及其制造方法
US9472729B2 (en) Method of manufacturing semiconductor light emitting device package including light transmissive substrate having wavelength conversion regions
TWI630733B (zh) 發光元件封裝及其製造方法
US11404599B2 (en) Method of forming a p-type layer for a light emitting device
KR20110128545A (ko) 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR102135836B1 (ko) 발광 디바이스를 위한 p형 층을 형성하는 방법
KR20150138479A (ko) 발광 소자 패키지의 제조 방법
KR20120013758A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR100670929B1 (ko) 플립칩 구조의 발광 소자 및 이의 제조 방법
US20170292071A1 (en) Phosphor composition, light emitting element package comprising same, and lighting system
WO2009035218A2 (en) Gan-based light emitting diode and method for fabricating the same
US20110284901A1 (en) Light emitting device, method of fabricating the same and light emitting device package
KR20120011198A (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자의 제조방법
KR101103675B1 (ko) 발광 소자, 그 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR20160066319A (ko) 발광소자 패키지
CN118202192A (zh) 光电转换元件、光电半导体构件和用于制造光电构件的方法
KR20130064429A (ko) 광원 모듈 및 이를 포함한 조명 시스템
KR20170044404A (ko) 매립형 산화물층을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant