CN1885500A - 半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1885500A
CN1885500A CNA2006100940205A CN200610094020A CN1885500A CN 1885500 A CN1885500 A CN 1885500A CN A2006100940205 A CNA2006100940205 A CN A2006100940205A CN 200610094020 A CN200610094020 A CN 200610094020A CN 1885500 A CN1885500 A CN 1885500A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor wafer
supporting substrates
back side
significant surface
glass substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006100940205A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100405554C (zh
Inventor
原一巳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1885500A publication Critical patent/CN1885500A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100405554C publication Critical patent/CN100405554C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

一种半导体装置的制造方法，准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；所述半导体晶片的所述侧面的至少一部分与所述半导体晶片的所述背面所成角度形成为锐角；朝向所述半导体晶片的所述有效面以及所述半导体晶片的所述侧面吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻。

Description

半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体装置的制造方法。
背景技术
近年来，在PDA(Personal date assistance)等具有便携性的电子设备、传感器、微电机(micro machine)、以及打印机的打印头等设备中，要求小型、轻量化。
因此，要求在上述电子设备的内部配置的半导体装置等各种电子部件的小型化。
而且，实际安装这些电子部件的空间受到极大限制。
以往，为了在被限制的空间实际安装半导体装置，通过磨削构成半导体装置的基板，来实现半导体装置的薄型化以及小型化。
对一般半导体装置的硅基板的薄型化方法进行说明。
首先，为了保护硅基板的表面，在硅基板的表面贴附保护带。
之后，通过背磨削机(back-grinder)磨削硅基板的背面。
接着，实施一边使硅基板旋转，一边在硅基板上滴下蚀刻液的旋转蚀刻，通过磨削，除去在硅基板的背面产生的受损层。
通过以上的工序，硅基板被薄型化。
而且，近年来，作为使硅基板薄型化的方法广泛利用了下述方法，即，为了提高加工时的操作性、防止硅基板受损等，通过由玻璃、SUS板等构成的支承基板来支承硅基板的方法。
例如，公知有一种在特开2004-64040号公报中公开的技术。详细而言，首先经由热光变换层来粘合硅基板和支承基板。
接着，磨削硅基板的背面(与粘合的面相反一侧的面)。
接着，为了除去受损层，对硅基板的背面实施旋转蚀刻。
之后，从支承基板的下方侧照射激光，剥离硅基板和支承基板。
根据该方法，可以提高加工时的操作性、能防止被薄型加工的基板的破损等。
但是，在使用通常的旋转蚀刻装置的情况下，需要防止蚀刻液与被蚀刻面(加工面)的背面(形成有半导体元件的有效面)接触。
作为其对策，通过从硅基板的下方侧吹送空气，来防止蚀刻液与硅基板的有效面接触。
但是，在上述方法中存在着下述问题。
(1)由于旋转蚀刻时硅基板的旋转，大部分的蚀刻液会受到离心力作用而向硅基板的周围飞散，有时一部分蚀刻液流经硅基板的侧面而与基板的有效面接触。
为了避免这样的蚀刻液与硅基板的有效面接触，通过从硅基板的下方侧吹送空气，来促进除去硅基板端部的蚀刻液。
但是，硅基板的侧面由于受到斜边切割(bevel cutting)而弯曲，所以，侧面的一部分与硅基板涂覆有蚀刻液的面所成的角度为钝角。
因此，存在不能高效地吹送空气，而导致蚀刻液与硅基板的有效面接触的问题。
由此，担心会对在基板的有效面形成的电路元件(半导体元件)带来损伤。
(2)另外，在特开2004-64040号公报所公开的方法中，也与上述同样，存在下述情况，即，蚀刻液与粘合有支承基板和硅基板的面相反的面接触，从而对支承基板造成损伤。
该支承基板，在所希望的半导体基板的薄型加工结束后，会在下一个半导体基板的薄型加工时被再次利用。
因此，若在半导体基板的薄型加工中再次利用受损的支承基板，则在通过背磨削对硅基板实施薄型加工时，会引起在硅基板的厚度方向上产生偏差的问题。
而且，还存在由于薄型加工而使硅基板受损的问题。
由于这样的理由，无法再度利用受损的支承基板。
由此，存在半导体装置的制造成本增大的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而做出的发明，其目的在于提供一种在实施旋转蚀刻时，防止了蚀刻液与半导体晶片或支承基板的被蚀刻面相反一侧的面接触的半导体装置制造方法。
为了解决上述课题，本发明的半导体装置的制造方法，准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；所述半导体晶片的所述侧面的至少一部分与所述半导体晶片的所述背面所成角度形成为锐角；朝向所述半导体晶片的所述有效面以及所述半导体晶片的所述侧面吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻。
根据本发明的半导体装置的制造方法，由于朝向半导体晶片的有效面以及半导体晶片的侧面吹送空气，所以，空气被喷射到半导体晶片的侧面的整个面。
与此相对，当半导体晶片的侧面与半导体晶片的背面所成角度为钝角时，空气几乎不会被喷射到半导体晶片的侧面。
因此，在半导体晶片的侧面的角度为锐角的情况下，与半导体晶片的侧面的角度为钝角的情况相比，在半导体晶片的侧面被喷射空气的面积变大。
由此，可以使流经半导体晶片侧面的蚀刻液，与半导体晶片的旋转一起，通过空气向半导体晶片的外侧方向分散。
因此，可以促进除去半导体晶片端部的蚀刻液。
可以防止蚀刻液与半导体晶片的有效面接触。
结果，不会对在半导体晶片的有效面形成的半导体元件造成损伤，可以实现在半导体装置的制造工序中提高半导体装置的成品率。
本发明的半导体装置的制造方法，准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；准备支承基板，该支承基板支承所述半导体晶片，其具有与所述半导体晶片的所述有效面相对向的对向面、侧面、与所述对向面相反一侧的背面，使所述半导体晶片的有效面与所述支承基板的所述对向面相对向，经由粘接剂粘合所述半导体晶片与所述支承基板；将所述半导体晶片的所述侧面的至少一部分与所述半导体晶片的所述背面所成的第一角度、以及所述支承基板的所述侧面的至少一部分与所述支承基板的对向面所成的第二角度的至少一方，形成为锐角或90度；朝向所述支承基板的所述背面以及所述支承基板的所述侧面吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻。
根据本发明的半导体装置的制造方法，由于朝向支承基板的背面以及支承基板的侧面吹送空气，所以，空气被喷射到支承基板侧面的整个面和半导体晶片侧面的整个面。
与此相对，当第一角度以及第二角度为钝角的情况，空气几乎不会被喷射到半导体晶片的侧面和支承基板的侧面。
因此，在第一角度以及第二角度的至少一方为锐角或90度的情况下，与第一角度以及第二角度为钝角的情况相比，在半导体晶片的侧面以及支承基板的侧面被喷射空气的面积变大。
由此，可以使流经半导体晶片以及支承基板侧面的蚀刻液，与半导体晶片的旋转一起，通过空气向半导体晶片的外侧方向分散。
而且，可以促进除去半导体晶片端部的蚀刻液。
可以防止蚀刻液与支承基板的背面接触。
可以防止支承基板的背面受损。
由于防止了支承基板受损，所以，可以再利用支承基板。
可以降低薄型加工半导体晶片时的加工成本。
在本发明的半导体装置的制造方法中，优选以所述半导体晶片的所述侧面以及所述支承基板的所述侧面位于同一面上的方式，形成所述第一角度以及所述第二角度。
根据本发明的半导体装置的制造方法，由于半导体晶片和支承基板的两侧面位于同一面上，所以，在半导体晶片和支承基板的连接部不会形成凹凸(阶梯差)等。
因此，在半导体晶片和支承基板的连接部，不会积存蚀刻液。
另外，由于朝向支承基板的背面以及支承基板的侧面吹送空气，所以，可以高效地将空气喷射到半导体晶片侧面的整个面以及支承基板侧面的整个面。
本发明的制造方法，准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；准备支承基板，该支承基板支承所述半导体晶片，其具有与所述半导体晶片的所述有效面相对向的对向面、侧面、与所述对向面相反一侧的背面；使所述半导体晶片的有效面与所述支承基板的所述对向面相对向，经由粘接剂粘合所述半导体晶片与所述支承基板；在所述半导体晶片的所述侧面以及所述支承基板的所述侧面的至少一方形成突起部，该突起部具有从所述半导体晶片的侧面的一部分向所述半导体晶片的外侧方向延伸的第一面、和从所述支承基板的侧面的一部分延伸至所述第一面的前端部的第二面；以所述突起部的所述第一面与所述第二面所成角度为锐角或90度的方式来形成所述突起部；从所述支承基板的下方朝向所述支承基板吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻。
根据本发明的半导体装置的制造方法，由于形成有突起部，其具有相互角度形成为锐角或90度的第一面和第二面，所以，若从支承基板的下方向支承基板吹送空气，则空气会被喷射到支承基板侧面的整个面和突起部第二面的整个面。
与此相对，在第一面与第二面所成角度为钝角的情况下，空气几乎不会被喷射到突起部的第二面与支承基板的侧面。
因此，第一面与第二面所成角度为锐角或90度的情况，与第一面与第二面所成角度为钝角的情况相比，在突起部的第二面被喷射空气的面积变大。
由此，可以使流经突起部第二面的蚀刻液，与半导体晶片的旋转一起，通过空气向半导体晶片的外侧方向分散。
而且，可以促进除去半导体晶片端部的蚀刻液。
可以防止蚀刻液与支承基板的背面接触。
可以防止支承基板的背面受损。
由于防止了支承基板受损，所以，可以再利用支承基板。
可以降低薄型加工半导体晶片时的加工成本。
在本发明的半导体装置的制造方法中，优选以所述第一面与所述半导体晶片的背面位于同一平面上的方式，形成所述第一面和所述半导体晶片的背面。
根据本发明的半导体装置的制造方法，由于突起部的第一平面与半导体晶片的背面位于同一平面，所以，在对半导体晶片的背面实施背磨削来薄型加工半导体晶片时，可以同时背磨削突起部的第一面。
因此，可以高效且容易地对突起部的第一面实施背磨削，形成突起部。
在本发明的半导体装置的制造方法中，优选所述突起部由树脂构成。
根据本发明的半导体装置的制造方法，由于突起部由树脂构成，所以，可以使用例如紫外线固化性树脂或热固化性树脂，从而，可以容易地形成所希望形状的突起部。
在本发明的半导体装置的制造方法中，优选沿着所述半导体晶片的所述侧面以及所述支承基板的所述侧面的至少一方的外周，形成所述突起部。
根据本发明的半导体装置的制造方法，由于沿着半导体晶片以及支承基板的侧面的外周形成突起部，所以，可以促进除去在半导体晶片的整个面涂覆的蚀刻液。
本发明的半导体装置的制造方法，准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；准备支承基板，该支承基板支承所述半导体晶片，其具有与所述半导体晶片的所述有效面相对向的对向面和侧面；在所述半导体晶片的所述有效面以及所述支承基板的所述对向面的至少一方配置粘接剂，将所述半导体晶片配置在所述支承基板的下侧，经由粘接剂粘合所述半导体晶片和所述支承基板；对从所述半导体晶片和所述支承基板之间漏出的所述粘接剂、和所述半导体晶片的所述背面进行背磨削，在所述半导体晶片的侧面以及所述支承基板的侧面的至少一方形成由所述粘接剂构成的突起部；从所述支承基板的下方朝向所述支承基板吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻；之后，使所述半导体晶片与所述支承基板分离。
根据本发明的半导体装置的制造方法，当在支承基板的下侧配置半导体晶片，来粘合半导体晶片和支承基板时，从半导体晶片和支承基板之间向半导体晶片以及支承基板的两端侧漏出的粘接剂，会附着于配置在支承基板下侧的半导体晶片的侧面。
因此，当对半导体晶片的背面进行背磨削时，可以同时磨削附着于半导体晶片侧面的粘接剂。
可以在半导体晶片的侧面，形成具有相对半导体晶片的背面为锐角或90度的侧面突起部。
在本发明的半导体装置的制造方法中，优选在粘合所述半导体晶片和所述支承基板之后，在所述半导体晶片的所述侧面以及所述支承基板的所述侧面的至少一方配置树脂。
根据本发明的半导体装置的制造方法，可以将形成在半导体晶片以及支承基板的侧面的突起部，形成为所希望的形状，而且，突起部的大小也可以决定为希望的大小。
本发明的半导体装置的制造方法，准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；准备支承基板，该支承基板支承所述半导体晶片，其具有与所述半导体晶片的所述有效面相对向的对向面、和侧面；使所述半导体晶片的有效面与所述支承基板的所述对向面相对向，经由粘接剂粘合所述半导体晶片和所述支承基板，形成层叠结构；对所述半导体晶片的所述背面进行背磨削，使所述半导体晶片的所述背面与工作台对向，将所述层叠结构配置在所述工作台上，在所述半导体晶片的侧面以及所述支承基板的侧面的至少一方配置树脂，形成突起部；从所述工作台分离所述层叠结构；从所述支承基板的下方朝向所述支承基板吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻；之后，使所述半导体晶片与所述支承基板分离。
根据本发明的半导体装置的制造方法，可以沿着由配置在工作台上的半导体晶片以及支承基板构成的层叠结构的侧面来配置树脂。
在从工作台分离层叠结构时，可以在层叠结构的侧面形成具有规定形状的突起部。
在本发明的半导体装置的制造方法中，优选配置有所述层叠结构的所述工作台的面与所述突起部的侧面所成角度为锐角或90度。
根据本发明的半导体装置的制造方法，可以在半导体晶片以及支承基板的侧面，形成配置有半导体晶片的工作台的面与粘接剂的侧面成锐角或90度角那样的突起部。
附图说明
图1A是模式地表示第一实施方式的半导体晶片的俯视图；图1B是沿着图1A的半导体晶片的A-A’线的剖面图；图1C是沿着图1A的半导体晶片的A-A’线的剖面图，是说明对半导体晶片的背面进行旋转蚀刻的工序的图。
图2A是模式地表示第二实施方式的半导体晶片的剖面图；图2B是说明对半导体晶片的背面进行旋转蚀刻的工序的图。
图3是模式地表示第三实施方式的半导体晶片的剖面图。
图4是模式地表示第四实施方式的半导体晶片的剖面图。
图5A是模式地表示第五实施方式的半导体晶片的剖面图；图5B是说明对半导体晶片的背面进行旋转蚀刻的工序的图。
图6A～图6C是表示在第六实施方式的半导体装置的制造方法中，半导体装置的制造工序的剖面图。
图7A～图7D是表示在第六实施方式的半导体装置的制造方法中，半导体装置的制造工序的剖面图。
图8A～图8E是表示在第七实施方式的半导体装置的制造方法中，半导体装置的制造工序的剖面图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
其中，在以下说明所使用的各附图中，为了将各部件做成能认知的大小，故对各部件的比例尺进行适当的调整。
(第一实施方式)
下面，参照附图对本发明的第一实施方式进行说明。
(半导体晶片)
图1A是模式地表示形成有半导体区域60的半导体晶片10的俯视图。
图1B是沿着半导体晶片的A-A’线的剖面图。
图1C是沿着半导体晶片的A-A’线的剖面图，是说明对半导体晶片的背面进行旋转蚀刻的工序的图。
图1A所示的半导体晶片10的材料是硅。
在半导体晶片10形成有多个半导体区域60。
这里，半导体区域60是指通过以每个半导体区域60使半导体晶片10单片化，而成为半导体装置的部位。
另外，在半导体晶片10的有效面10a，在各个半导体区域60分别形成有包括晶体管、存储元件等的半导体元件的集成电路。
另一方面，半导体晶片10的有效面10a相反一侧的背面10b，是被实施了背磨削的面。
在半导体晶片10的背面10b，没有形成上述的半导体元件。
而且，如图1所示，互相相邻的半导体区域60的间隙是切断区域S。
通过在该切断区域S切断半导体晶片10，多个半导体区域60被各自分割，实现单片化。
另外，作为构成半导体元件的晶片材料的种类，除硅以外，还可使用由能够进行薄型加工的GaAs构成的水晶晶片、蓝宝石或玻璃等。
如图1B所示，半导体晶片10被形成为：半导体晶片10的侧面10c与半导体晶片10的背面10b所成角度θ为锐角。
即，半导体晶片10的侧面10c沿着半导体晶片10的圆周，形成为刀刃状。
这样的半导体晶片10的侧面10c的形状例如通过机械加工、蚀刻处理等来形成。
另外，半导体晶片10的侧面10c也可以弯曲成向半导体晶片10的内侧方向陷入。
并且，还可以在半导体晶片10的一部分侧面10c上形成突起部。
在该情况下，突起部的上面和突起部的侧面所成角度可以相对于半导体晶片10的背面10b为锐角。
接着，参照图1C，对旋转蚀刻半导体晶片10的背面10b的工序进行说明。
在旋转蚀刻工序中，使半导体晶片10旋转的同时，在半导体晶片10的背面10b上滴下蚀刻液。
这里，从配置在半导体晶片10的上方的喷嘴26，在半导体晶片10的背面10b上滴下蚀刻液。
被滴到背面10b上的蚀刻液，在由半导体晶片10的旋转而产生的离心力作用下，朝向半导体晶片10的外周涂覆。
在背面10b上，湿润扩展到半导体晶片10的端部的蚀刻液，向半导体晶片10的外周飞散。
在这样的旋转蚀刻工序中，从半导体晶片10的下方，向半导体晶片10吹送空气。
朝向半导体晶片10吹送的空气喷射到有效面10a和侧面10c。
这里，由于半导体晶片10的侧面10c与半导体晶片10的背面10b所成角度θ为锐角，所以，喷射到侧面10c的空气向沿着侧面10c的面的方向流动。
因此，从半导体晶片10的有效面10a的下方侧向半导体晶片10吹送的空气，被喷射到半导体晶片10的侧面10c的整个面上。
根据本实施方式，可以使流经半导体晶片10的侧面10c向半导体晶片10的有效面10a流动的蚀刻液，与半导体晶片10的旋转一起，通过空气而向半导体晶片10的外侧方向飞散。
可以防止蚀刻液流经半导体晶片10的侧面10c，与半导体晶片10的有效面10a接触。
因此，能促进蚀刻液在半导体晶片10的端部飞散，从而防止蚀刻液与半导体晶片10的有效面10a接触。
在对半导体晶片10进行旋转蚀刻的工序结束后，通过切割刀片切断图1A所示的半导体晶片的切断区域S，分别分割半导体晶片10的多个半导体区域60，得到单片化的多个半导体装置。
结果，对于在半导体晶片10的有效面10a形成的半导体区域60所具有的半导体元件来说，可以抑制蚀刻液所带来的损伤，实现在半导体装置的制造工序中提高半导体装置的成品率。
(第二实施方式)
下面，参照附图对本发明的第二实施方式进行说明。
(半导体晶片和玻璃基板的层叠结构)
首先，对层叠有半导体晶片10、和支承半导体晶片10的玻璃基板20的结构进行说明。
图2A是模式地表示半导体晶片10和玻璃基板20的层叠结构的剖面图。
图2B是模式地表示半导体晶片10和玻璃基板20的层叠结构的剖面图，是说明对半导体晶片的背面进行旋转蚀刻的工序的图。
另外，对于半导体晶片10来说，由于其结构与上述的半导体晶片相同，所以省略说明。
而且，在本实施方式中，半导体晶片10的背面10b和半导体晶片10的侧面10c所成角度被称作角度θ1，玻璃基板20的粘接面(对向面)20a和玻璃基板20的侧面20c所成角度被称作θ2。
这里，粘接面20a是指，经由粘接层(粘接剂)30以及剥离层16将半导体晶片10和玻璃基板20粘接的面。
如图2A所示，在玻璃基板(支承基板)20上，通过粘接层30以及剥离层16来粘合半导体晶片10。
这里，玻璃基板20的与粘接层30接触的面为粘接面20a。
玻璃基板20在实施薄型加工时，支承半导体晶片10。
玻璃基板20抑制半导体晶片10翘曲，实现实施薄型加工时的操作性的提高，防止半导体晶片10的破损等。
玻璃基板20的材料由透明材料构成。
由于玻璃基板20由透明材料构成，所以通过向剥离层16照射激光，可以从玻璃基板20将半导体晶片10分开。
而且，玻璃基板20被形成为：玻璃基板20的侧面20c与玻璃基板20的粘接面(对向面)20a所成角度θ2为锐角。
即，与半导体晶片10同样，玻璃基板20的侧面20c沿着玻璃基板20的圆周，被形成为刀刃状。
另外，玻璃基板20的粘接面20a与玻璃基板20的侧面20c所成角度θ2也可以近似为90度。
而且，半导体晶片10的背面10b与半导体晶片10的侧面10c所成角度θ1也可以近似为90度。
另外，作为支承半导体晶片10的支承基板，可以使用丙烯酸板等。
而且，为了提高与剥离层16的密接性，也可以通过硅烷耦合剂等对玻璃基板20的表面进行表面处理。
另外，在使用UV固化型的剥离层16时，玻璃基板20的材料可以是具有紫外线透过性的材料。
在对半导体晶片10进行了薄型加工后，在剥离粘接在一起的半导体晶片10和玻璃基板20时使用剥离层16。
即，通过向剥离层16照射激光，使得剥离层16自身分离，将经由剥离层16粘接在一起的半导体晶片10和玻璃基板20分开。
作为剥离层16的材料，使用光吸收剂和热分解性树脂。
作为光吸收剂，使用碳黑、铁等的微粒金属粉末，染料或颜料。
作为热分解性树脂，使用明胶、纤维素等的材料。
为了经由剥离层16将半导体晶片10固定于玻璃基板20而采用粘接层30。
如后面所述，在使半导体晶片10和玻璃基板20分离后，在半导体晶片10上附着粘接层30。
因此，作为粘接层30的材料，使用能够容易地从半导体晶片10剥离的紫外线固化型、例如环氧树脂。
该环氧树脂是对进行旋转蚀刻时所使用的蚀刻液具有抗性的材料。
另外，作为粘接层30的材料，除了环氧系的树脂以外，还可以使用：以对蚀刻液具有抗性的双面胶橡胶系粘接剂、环氧、氨基甲酸酯等为基础的单组份热固化型粘接剂；以环氧、氨基甲酸酯、丙烯酸等为基础的二组份混合反应型粘接剂；热溶型粘接剂；以丙烯酸、环氧等为基础的紫外线(UV)或电子线固化型粘接剂；水分散型粘接剂。
在本实施方式中，半导体晶片10的侧面10c与半导体晶片10的背面10b所成角度θ1、和玻璃基板20的侧面20c与玻璃基板20的粘接面20a所成角度θ2，都被形成为锐角，角度θ1以及角度θ2为大致相同的角度值。
而且，半导体晶片10的侧面10c和玻璃基板20的侧面20c位于同一面上。
这里，侧面10c和侧面20c位于同一面上是指，使半导体晶片10的侧面10c延长的延长面、和玻璃基板20的侧面20c位于同一面上。
另外，剥离层16以及粘接层30各自的厚度比半导体晶片10或玻璃基板20的厚度薄。
因此，剥离层16以及粘接层30各自的厚度是可以忽略程度的厚度。
接着，参照图2B，对旋转蚀刻半导体晶片10的背面10b的工序进行说明。
在旋转蚀刻工序中，在粘合半导体晶片10和玻璃基板20的状态下，使半导体晶片10旋转，同时在半导体晶片10的背面10b上滴下蚀刻液。
这里，从配置在半导体晶片10的上方的喷嘴26，将蚀刻液滴在半导体晶片10的背面10b上。
被滴到背面10b上的蚀刻液，在由半导体晶片10的旋转而产生的离心力的作用下，向半导体晶片10的外周涂覆。
在背面10b上，湿润扩展到半导体晶片10的端部的蚀刻液向半导体晶片10的外周飞散。
在这样的旋转蚀刻工序中，从玻璃基板20的下方向玻璃基板20吹送空气。
向玻璃基板20吹送的空气，被喷射到与玻璃基板20的粘接面20a相反一侧的背面20b、玻璃基板20的侧面20c、以及半导体晶片10的侧面10c。
这里，由于半导体晶片10的侧面10c与半导体晶片10的背面10b所成角度θ1、和玻璃基板20的侧面20c与玻璃基板20的粘接面20a所成角度θ2都为锐角，所以，喷射到侧面20c以及侧面10c的空气向沿着侧面20c以及侧面10c的面的方向流动。
因此，从玻璃基板20的下方侧向玻璃基板20吹送的空气被喷射到玻璃基板20的侧面20c的整个面以及半导体晶片10的侧面10c的整个面上。
由此，在半导体晶片10的侧面10c以及玻璃基板20的侧面20c，被空气喷射的面积变大。
根据本实施方式，可以使流经半导体晶片10的侧面10c以及玻璃基板20的侧面20c的蚀刻液，与半导体晶片10的旋转一起，通过空气而向半导体晶片10的外侧方向飞散。
由此，通过促进半导体晶片10的端部蚀刻液的除去，可以避免蚀刻液与玻璃基板20的背面20b接触。
因次，可以防止蚀刻液对玻璃基板20的背面20b造成的损伤。
而且，由于通过防止玻璃基板20受损，可以再度利用玻璃基板20，所以，可以降低薄型加工半导体晶片10时的加工成本。
另外，根据本实施方式，由于由半导体晶片10的侧面10c、玻璃基板20的侧面20c形成连续面，所以，在半导体晶片10和玻璃基板20的连接部不会形成凹凸(阶梯差)等。
因此，在半导体晶片10和玻璃基板20的连接部也不会发生蚀刻液积存现象。
另外，通过将来自玻璃基板20下方的空气喷射到玻璃基板20，可以将空气高效地喷射在半导体晶片10的侧面10c的整个面和玻璃基板20的侧面20c的整个面。
在对半导体晶片10进行旋转蚀刻的工序结束后，剥离半导体晶片10和玻璃基板20。
之后，通过切割刀片切断图1A所示的半导体晶片的切断区域S，分别分割半导体晶片10的多个半导体区域60，来得到单片化的多个半导体装置。
结果，对于在半导体晶片10的有效面10a形成的半导体区域60所具有的半导体元件来说，可以抑制蚀刻液所带来的损伤，实现在半导体装置的制造工序中提高半导体装置的成品率。
(第三实施方式)
下面，参照附图对本发明的第三实施方式进行说明。
在本实施方式中，由于旋转蚀刻半导体晶片10的背面10b的工序与上述的第二实施方式相同，所以省略与旋转蚀刻工序有关的说明。
(半导体晶片和玻璃基板的层叠结构)
图3是模式地表示半导体晶片10、和支承半导体晶片10的玻璃基板20的层叠结构的剖面图。
如图3所示，半导体晶片10和玻璃基板20经由粘接层30被相互粘合在一起。
这里，在半导体晶片10上，通过背磨削来磨削半导体晶片10的背面10b，实施薄型加工。
本实施方式与上述实施方式不同，不对半导体晶片10的侧面10c实施机械加工、蚀刻处理等。
半导体晶片10的背面10b和半导体晶片10的侧面10c所成角度近似为90度。
另一方面，玻璃基板20被形成为：玻璃基板20的侧面20c、与玻璃基板20的接触面20a所成角度θ为锐角。
即，玻璃基板20的侧面20c沿着玻璃基板20的圆周形成为刀刃状。
另外，玻璃基板20的侧面20c与玻璃基板20的接触面20a所成角度θ也可以为近似90度。
通过本实施方式，也可以产生与上述的第一实施方式或第二实施方式相同的作用、得到同样的效果。
(第四实施方式)
下面，参照附图对本发明的第四实施方式进行说明。
在本实施方式中，由于旋转蚀刻半导体晶片10的背面10b的工序与上述的第二实施方式相同，所以省略与旋转蚀刻工序有关的说明。
(半导体晶片和玻璃基板的层叠结构)
图4是模式地表示半导体晶片10、和支承半导体晶片10的玻璃基板20的层叠结构的剖面图。
如图4所示，半导体晶片10和玻璃基板20经由粘接层30被相互粘合在一起。
半导体晶片10的背面10b和半导体晶片10的侧面10c所成角度θ1，相对于半导体晶片10的背面10b被形成为锐角。
而且，玻璃基板20通过斜边切割被切割成与半导体晶片10大致相同的大小、形状，该玻璃基板20的侧面20c被弯曲成圆弧状。
在形成这样的半导体晶片10和玻璃基板20的层叠结构时，若经由粘接层30粘合半导体晶片10和玻璃基板20，如图4所示，则存在粘接层30在半导体晶片10的侧面10c上漏出的情况。
这里，由于半导体晶片10的侧面10c被形成为锐角，所以漏出的粘接层30的侧面30b与半导体晶片10的背面10b所成角度θ2为钝角。
因此，若过度磨削半导体晶片10的背面10b，使得背面10b的位置到达图4的加工目标面X的位置，则半导体晶片的侧面10c的锐角部分会被树脂层30覆盖。
这样，若被薄型化的半导体晶片10的侧面10c被树脂层30覆盖，则会相对半导体晶片10的背面10b形成钝角的面(侧面30b)。
因此，当在半导体晶片10以及玻璃基板20的至少一方配置粘接层30的情况下，调整树脂量，使得向半导体晶片10的侧面10c漏出的粘接层30的顶部位置，比图4所示的半导体晶片10的加工目标面X(图4中单点划线)的位置低。
或者，在磨削半导体晶片10的背面10b时，控制背磨削来磨削背面10b，使得背面10b的位置不比加工目标面X低。
通过本实施方式，也能产生与上述的第一实施方式或第二实施方式同样的作用、得到同样的效果。
(第五实施方式)
下面，参照附图对本发明的第五实施方式进行说明。
(半导体晶片和玻璃基板的层叠结构)
首先，对层叠有半导体晶片10、和支承半导体晶片10的玻璃基板20的结构进行说明。
图5A是模式地表示半导体晶片10、和支承半导体晶片10的玻璃基板20的层叠结构的剖面图。
图5B是模式地表示半导体晶片10和玻璃基板20的层叠结构的剖面图，是说明对半导体晶片的背面进行旋转蚀刻的工序的图。
如图5A所示，半导体晶片10和玻璃基板20经由粘接层30被相互粘合在一起。
这里，通过利用背磨削来磨削半导体晶片10的背面10b，由此对半导体晶片10实施薄型加工。
对于半导体晶片10来说，由于结构与上述的半导体晶片相同，所以省略说明。
另外，在半导体晶片10的侧面10c和玻璃基板20的侧面20c形成有突起部18。
玻璃基板20通过斜边切割被切割成与半导体晶片10大致相同的形状，玻璃基板20的侧面20c被弯曲成圆弧状。
突起部18由与粘接层(粘接剂)30相同的树脂材料形成。
突起部18具有第一面18a、第二面(侧面)18b。
第一面18a与半导体晶片10的背面10b(磨削面)形成在同一平面上，并向半导体晶片10的外侧方向延伸。
第二面18b从玻璃基板20的侧面20c的一部分延伸到向半导体晶片10的外侧方向延伸的第一面18a的前端部。
突起部18的第一面18a与突起部18的第二面18b所成角度θ为锐角。
突起部18的第一面18a与半导体晶片10的背面10b形成为位于同一平面上。
在对半导体晶片10的背面10b实施背磨削之际，同时形成这样的突起部18的第一面18a。
因此，可以高效且容易地对突起部18的第一面18a实施背磨削，形成突起部。
另外，上述角度θ也可以近似为90度。
粘接层30的材料以及剥离层16的材料与上述的第二实施方式同样。
接着，参照图5B，对旋转蚀刻半导体晶片10的背面10b的工序进行说明。
在旋转蚀刻工序中，以将半导体晶片10和玻璃基板20粘合在一起的状态，使半导体晶片10旋转，同时将蚀刻液滴在半导体晶片10的背面10b上。
这里，从配置在半导体晶片10的上方的喷嘴26，将蚀刻液滴到半导体晶片10的背面10b上。
滴到背面10b上的蚀刻液，在由半导体晶片10的旋转而产生的离心力作用下，朝向半导体晶片10的外周涂覆。
在背面10b上，湿润扩展到半导体晶片10的端部的蚀刻液，会湿润扩展到突起部18的第一面18a上，从第一面18a的前端部向突起部18的外周飞散。
在这样的旋转蚀刻工序中，从玻璃基板20的下方，向玻璃基板20吹送空气。
朝向玻璃基板20吹送的空气被喷射到与玻璃基板20的粘接面20相反一侧的背面20b、玻璃基板20的侧面20c、以及突起部18的第二面18b。
这里，被喷射到突起部18的第二面18b的空气，向沿着突起部18的第二面18b的方向流动。
因此，从玻璃基板20的下方侧向玻璃基板20吹送的空气被喷射到玻璃基板20的侧面20c的整个面以及突起部18的第二面18b的整个面上。
由此，在突起部18的第二面18b以及玻璃基板20的侧面20c，被喷射空气的面积变大。
根据本实施方式，可以使流经突起部18的第二面18b以及玻璃基板20的侧面20c的蚀刻液，与半导体晶片10的旋转一起，通过空气向半导体晶片10的外侧方向飞散。
由此，通过促进除去突起部18的第一面18a前端部的蚀刻液，可以避免蚀刻液与玻璃基板20的背面20b接触。
即，通过在半导体晶片10的侧面10c以及玻璃基板20的侧面20c形成突起部18，可以促进除去半导体晶片10端部的蚀刻液，从而能够防止蚀刻液与玻璃基板20的背面20b接触。
因而，可以防止蚀刻液对玻璃基板20的背面20b造成的损伤。
而且，由于通过防止玻璃基板20受损，可以再度利用玻璃基板20，所以，可以降低薄型加工半导体晶片10时的加工成本。
另外，通过从玻璃基板20的下方对玻璃基板20喷射空气，可以有效地将空气喷射到突起部18的第二面18b的整个面、和玻璃基板20的侧面20c的整个面。
在旋转蚀刻半导体晶片10的工序结束后，将半导体晶片10和玻璃基板20剥离。并且，除去突起部18。
之后，通过切割刀片切断图1A所示的半导体晶片的切断区域S，分别分割半导体晶片10的多个半导体区域60，来得到单片化的多个半导体装置。
结果，对于在半导体晶片10的有效面10a形成的半导体区域60所具有的半导体元件来说，可以抑制蚀刻液带来的损伤，实现在半导体装置的制造工序中提高半导体装置的成品率。
(第六实施方式)
下面，参照附图对本发明的第六实施方式进行说明。
在本实施方式中，对与上述的第一至第五实施方式相同的构成，赋予同一符号，并省略其说明。
在本实施方式中，对突起部18的形成方法进行详述，来对使半导体晶片10薄膜化的工序进行说明。
图6A～图6C、图7A～图7D是表示本实施方式的半导体装置制造工序的剖面图。
另外，在图6A～图6C、图7A～图7D中，模式地表示了半导体晶片10。
(半导体装置的制造方法)
首先，如图6A所示，在玻璃基板20的粘接面20a形成剥离层16。
进而，采用旋涂法在半导体晶片10的有效面10a形成紫外线固化型的粘接层(树脂)30。
在形成粘接层30的工序中，当粘合玻璃基板20和半导体晶片10时，调节树脂的量，将树脂涂覆在半导体晶片10上，使得树脂从玻璃基板20和半导体晶片10的两端部漏出。
接着，如图6A所示，将半导体晶片10和玻璃基板20搬送至真空室内，以半导体晶片10位于下侧、玻璃基板20位于上侧的方式设置在支承台上。
在支承台配置真空吸附部。
通过真空吸附部将半导体晶片10吸附于支承台，来矫正半导体晶片10的翘曲。
接着，如图6B所示，在使真空室内减压的状态下，使玻璃基板20的粘接面20a与半导体晶片10的有效面10a相对向，来使在玻璃基板20形成的剥离层16与在半导体晶片10形成的粘接层30抵接并粘合。
接着，对粘接层30照射紫外线，使粘接层30的树脂固化。
通过在真空环境下进行粘合，可以防止气泡混入粘接层30。
此时，如图6B所示，预先在半导体晶片10上涂覆比和玻璃基板20的粘接所需的树脂量多的树脂量。
因此，树脂30a会从半导体晶片10和玻璃基板20之间漏出。
漏出的树脂30a沿着配置在下侧的半导体晶片10的侧面10c的外周附着。
另外，当进一步增多涂敷的树脂量来涂覆树脂时，配置在上侧的玻璃基板20的侧面20c的一部分也会附着有树脂。
在本实施方式中，在背磨削半导体晶片10的背面10b之前的工序中，使树脂30a附着于半导体晶片10的侧面10c。
由此，在将玻璃基板20和半导体晶片10粘合在一起的工序中，当树脂的漏出量少、不足以形成树脂30a的情况，也可以在将玻璃基板20和半导体晶片10粘合在一起之后，另外进行使树脂附着于半导体晶片10的侧面10c的工序，来增加树脂30a的量。
另外，当想要将漏出的树脂30a加工成规定形状时，也可以在使半导体晶片10和玻璃基板20粘合之后，另外进行使树脂附着于半导体晶片10的侧面10c的工序，增加树脂30a的量，来将树脂30a加工成规定形状。
作为树脂30a的材料，可以是与上述粘接层30所使用的树脂相同的材料，也可以是不同的材料。
作为树脂30a的附着方法，可以举出通过分配法、浸涂法、喷墨法等，沿着半导体晶片10的侧面10c的外周选择性地或整体地使树脂附着的方法。
在如上所述，使树脂30a附着于半导体晶片10的侧面10c之后，使真空室开放。
之后，使粘接层30固化。
接着，如图6C所示，从半导体晶片10的背面10b实施背磨削(磨削)，来实现半导体晶片10的薄型化。
具体而言，使砂轮等的磨削部件与半导体晶片10的背面10b抵接，通过使磨削部件相对半导体晶片10旋转，来磨削加工半导体晶片10的背面10b。
此时，在磨削半导体晶片10的同时，也磨削附着在半导体晶片10的侧面10c的树脂30a。
即，通过同一工序，来同时磨削半导体晶片10的背面10b、和附着在半导体晶片10的侧面10c的树脂30a。
这样，磨削半导体晶片10的背面10b，使半导体晶片10薄型化，并且，在半导体晶片10的侧面10c以及玻璃基板20的侧面20c形成由树脂构成的突起部18。
突起部18具有：从半导体晶片10的背面(磨削面)10b向外侧方向延伸的第一面18a；和从玻璃基板20的侧面20a的一部分弯曲并延伸至第一面18a的前端部的第二面18b(突起部的侧面)。
突起部18的第一面18a与第二面18b所成角度θ形成为锐角或90度。
而且，也可以在对半导体晶片10的背面10b进行磨削加工后，进行将半导体晶片10的背面10b研磨的研磨工序。
另外，在图6C中，虽然弯曲形成突起部18的侧面18b的剖面形状，但也可以如图5所示，将突起部18的侧面(第二面)18b的剖面形状形成为直线状。
作为将突起部18的侧面18b的剖面形状形成为直线状的方法，能举出在粘合半导体晶片10和玻璃基板20粘合时控制漏出的树脂量的方法、或在粘合半导体晶片10和玻璃基板20之后调整树脂来涂覆的方法。
而且，磨削后的半导体晶片10的厚度，可以使用基于红外线的厚度测量仪一边监视，一边进行管理。
接着，通过旋涂法，沿着玻璃基板20的背面20b的周缘部，以环状形成保护膜。
作为保护膜的材料，使用对后述的蚀刻液具有耐腐蚀性的环氧树脂或聚酰亚胺树脂等。
接着，将如上所述那样进行粘合的半导体晶片10和玻璃基板20搬送至蚀刻装置内，如图7A所示，以玻璃基板20位于半导体晶片10的下侧的方式将玻璃基板20设置在载物台24上。
然后，如图7B所示，按照图中的箭头方向，以旋转速度200～2000rpm使载物台24旋转。
在载物台24的旋转速度稳定后，从配置在半导体晶片10的上方的喷嘴26，将蚀刻液滴到半导体晶片10的背面10b上。
被滴到背面10b上的蚀刻液，在由半导体晶片10的旋转而产生的离心力的作用下向半导体晶片10的外周涂覆。
在背面10b上，湿润扩展到半导体晶片10的端部的蚀刻液，湿润扩展到突起部18上，并从突起部18的前端部向突起部18的外周飞散。
此时，从载物台24的下方侧向半导体晶片10的方向吹送空气。
通过实施这样的旋转蚀刻，防止了蚀刻液与半导体晶片10的有效面10a接触，提高蚀刻液的回收性。
这里，作为蚀刻液使用氟酸和硝酸的混合液。
在混合液中，对于氟酸的含有量来说，其重量浓度在20％以下，尤其是若氟酸的含有量为5～15％，则可提高旋转蚀刻后的半导体晶片10的平坦性。
另外，为了确保旋转蚀刻后的半导体晶片10厚度的均匀性，喷嘴26配置在半导体晶片10上方，能够以规定速度且在规定范围内移动，从而可以调整滴下的蚀刻液的液量。
这样，半导体晶片10的背面10b被化学性地旋转蚀刻。
通过实施这样的旋转蚀刻，可除去由于所述的磨削加工而在半导体晶片10的背面10b产生的裂纹等受损层，对半导体晶片10的背面10b实施收尾加工，来使半导体晶片10薄型化。
接着，实施旋转蚀刻，直至半导体晶片10的厚度变为规定的厚度，并在对半导体晶片10实施薄型化，使其变为规定的厚度之后，停止来自喷嘴26的蚀刻液的供给。
之后，向半导体晶片10的背面10b供给用于除去在半导体晶片10的背面10b上残留的蚀刻液的冲洗液。
作为冲洗液，优选使用纯水、臭氧水等。
接着，在半导体晶片10的背面10b的整个面贴附切割带(dicing tape)。
之后，使玻璃基板20与半导体晶片10分离。
作为使玻璃基板20与半导体晶片10分离的方法，可以举出如图7C所示那样，从玻璃基板20的上方侧向玻璃基板20照射激光的方法。
激光透过透明的玻璃基板20照射剥离层16。
由此，剥离层16的粘接性降低，可以从玻璃基板20分离半导体晶片10。
这里，作为激光，可以使用CO2激光器(波长106nm)、YAG激光器(波长1064nm)、2倍高次谐波YAG激光器(波长532nm)或半导体激光器(波长780～1300nm)等。
接着，剥离粘接在半导体晶片10的有效面10a上的粘接层30。
作为剥离的方法，例如有机械剥离方法。
而且，还有在进行机械剥离之后，通过使用溶剂等，除去在半导体晶片10的有效面10a残留的粘接层30的方法。
另外，为了防止在进行剥离时半导体晶片10破裂，也可以通过溶剂等使粘接层30溶解，来剥离半导体晶片10和玻璃基板20。
最后，剥离在玻璃基板20的背面20b所形成的保护膜。
作为剥离保护膜的方法，与上述剥离粘接层30的方法一样，使用溶剂使保护膜溶解来进行剥离。
这样，从半导体晶片10剥离的玻璃基板20可以再利用，在薄型加工其他的半导体晶片10时能够再度使用。
通过以上的工序，如图7D所示，可以得到被薄型加工了的半导体晶片10。
最后，通过切割刀片切断图1A所示的半导体晶片的切断区域S，分别分割半导体晶片10的多个半导体区域60，来得到单片化的多个半导体装置。
根据本实施方式，由于在粘合半导体晶片10和玻璃基板20时，半导体晶片10被配置在玻璃基板20的下侧，所以，从半导体晶片10和玻璃基板20的两端漏出的粘接剂30a，会沿着配置在下侧的半导体晶片10的侧面10c而附着。
因此，由于在背磨削半导体晶片10的背面10b的工序中，同时磨削在半导体晶片10的侧面10c附着的粘接剂30a，所以，可以在半导体晶片10的侧面10c形成突起部18。
由此，可以避免蚀刻液与玻璃基板20的背面20b接触，防止玻璃基板20的背面20b受损。
而且，由于通过防止玻璃基板20受损，可以再度利用玻璃基板20，所以，可以降低薄型加工半导体晶片10时的加工成本。
(第七实施方式)
下面，参照附图对本发明的第七实施方式进行说明。
在本实施方式中，对上述的第一至第六实施方式相同的结构，赋予相同符号并省略其说明。
而且，对于与上述的第一至第六实施方式相同的制造工序，省略其说明。
在本实施方式中，对突起部18的形成方法详细描述，来对使半导体晶片10薄膜化的工序进行说明。
图8A～图8E是表示本实施方式的半导体装置制造工序的剖面图。
另外，在图8A～图8E中，模式地表示了半导体晶片10。
首先，如图8A所示，经由粘接层30以及剥离层16，将半导体晶片10贴附到玻璃基板20。
接着，对半导体晶片10的背面10b进行背磨削，使半导体晶片10薄型化。
此时，在半导体晶片10的背面10b，会由于背磨削而形成裂纹等的受损层。
接着，如图8B所示，以使半导体晶片10的背面10b(磨削面)朝下，使背面10b抵接在工作台22(table)上的方式来进行设置。
作为工作台22的材料，使用与树脂材料粘接性低的材料。
对配有半导体晶片10的工作台22的表面，实施特氟隆(登录商标)加工，使得容易从工作台22剥离半导体晶片10。
接着，如图8C所示，以覆盖半导体晶片10的侧面10c以及玻璃基板20的一部分侧面20c的方式形成突起部18。
沿着半导体晶片10的侧面10c以及玻璃基板20的侧面20c的一部分外周形成突起部18。
此时，作为形成突起部18的方法，可使用分配法、浸涂法、喷墨法。
在形成突起部18时，将工作台22的上面22a与树脂18的侧面18b所成角度θ形成为锐角。
作为突起部18的材料，优选硅酮树脂、聚酰亚胺树脂、或特氟隆(登录商标)系树脂等的耐药品性出色的材料。
然后，在使突起部18固化后，将半导体晶片10以及玻璃基板20从工作台22剥离。
由此，如图8D所示，在半导体晶片10以及玻璃基板的侧面20c形成突起部18。
突起部18具有：从半导体晶片10的背面(磨削面)10b向外侧方向延伸的第一面18a、从玻璃基板20的侧面20a的一部分延伸至第一面18a的前端部的第二面18b(突起部的侧面)，突起部18的第一面18a和第二面18b所成角度θ被形成为锐角或90度。
接着，如图8E所示，旋转蚀刻半导体晶片10的背面10b。
在旋转蚀刻工序中，以粘合半导体晶片10和玻璃基板20的状态，使半导体晶片10旋转，同时在半导体晶片10的背面10b上滴下蚀刻液。
这里，从配置在半导体晶片10的上方的喷嘴26，将蚀刻液滴在半导体晶片10的背面10b上。
被滴到背面10b上的蚀刻液，在由半导体晶片10的旋转而产生的离心力的作用下，向半导体晶片10的外周涂覆。
在背面10b上，湿润扩展到半导体晶片10的端部的蚀刻液，会湿润扩展到突起部18的第一面18a上，从第一面18a的前端部向突起部18的外周飞散。
在这样的旋转蚀刻工序中，从玻璃基板20的下方向玻璃基板20吹送空气。
向玻璃基板20吹送的空气被喷射到与玻璃基板20的粘接面20a相反一侧的背面20b、玻璃基板20的侧面20c、以及突起部18的第二面18b。
这里，喷射到突起部18第二面18b的空气向沿着突起部18的第二面18b的方向流动。
因此，从玻璃基板20的下方侧向玻璃基板20吹送的空气，被喷射到玻璃基板20的侧面20c的整个面以及突起部18的第二面18b的整个面上。
由此，在突起部18的第二面18b以及玻璃基板20的侧面20c，被喷射空气的面积变大。
接着，除去突起部18。
接着，如在图7C中说明的那样，从玻璃基板20的上方侧向玻璃基板20照射激光，激光透过玻璃基板20，照射剥离层16。
由此，剥离层16的粘接性降低，可以使半导体晶片10从玻璃基板20分离。
接着，剥离粘接在半导体晶片10的有效面10a上的粘接层30。
通过以上的工序，如图7D所示，可以得到被薄型加工了的半导体晶片10。
最后，通过切割刀片切断图1A所示的半导体晶片的切断区域S，分别分割半导体晶片10的多个半导体区域60，来得到单片化的多个半导体装置。
根据本实施方式，通过调整在工作台22上配置的树脂量，可以在半导体晶片10的侧面10c以及玻璃基板20的侧面20c上形成上述那样的具有所希望角度的突起部18。
另外，本申请发明并不限定于上述的例子，在不脱离本申请发明主旨的范围内，当然可以添加各种变更。
而且，在不脱离本申请发明的主旨的范围内，也可以组合上述的实施方式中所说明的结构。
例如，在上述实施方式中，并不限定于在半导体晶片10的侧面10c以及玻璃基板20的侧面20c形成突起部18。也可以在半导体晶片10的侧面10c以及玻璃基板20的侧面20c的至少一方形成突起部18。
另外，也可以使用上述的第一实施方式中所说明的半导体晶片10，在通过旋转蚀刻来蚀刻半导体晶片10的背面10b之后，分别分割在半导体晶片10上形成的多个半导体区域60，来得到单片化的多个半导体装置。
另外，也可以在上述的第二实施方式、第三实施方式、第四实施方式、以及第五实施方式中所说明的使玻璃基板20层叠在半导体晶片10的状态下，在通过旋转蚀刻对半导体晶片10的背面10b进行蚀刻之后，分别分割在半导体晶片10上形成的多个半导体区域60，来得到单片化的多个半导体装置。
并且，虽然在上述的第六实施方式中，在通过背磨削对半导体晶片10进行了薄型加工后，将半导体晶片10配置在工作台22上，但并不限定于此。
例如，能举出如下的方法。
在背磨削半导体晶片10之前，将半导体晶片10配置在工作台22上，使树脂附着于半导体晶片10的侧面10c。
之后，从工作台22分离半导体晶片10，同时背磨削半导体晶片10和树脂。
由此，使半导体晶片10薄型化的同时，在半导体晶片10的侧面10c形成突起部18。

Claims (11)

1.一种半导体装置的制造方法，
准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；
将所述半导体晶片的所述侧面的至少一部分与所述半导体晶片的所述背面所成角度，形成为锐角；
朝向所述半导体晶片的所述有效面以及所述半导体晶片的所述侧面吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻。
2.一种半导体装置的制造方法，
准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；
准备支承基板，该支承基板支承所述半导体晶片，其具有与所述半导体晶片的所述有效面相对向的对向面、侧面、与所述对向面相反一侧的背面；
使所述半导体晶片的有效面与所述支承基板的所述对向面相对向，经由粘接剂粘合所述半导体晶片与所述支承基板；
将所述半导体晶片的所述侧面的至少一部分与所述半导体晶片的所述背面所成的第一角度、以及所述支承基板的所述侧面的至少一部分与所述支承基板的对向面所成的第二角度的至少一方，形成为锐角或90度；
朝向所述支承基板的所述背面以及所述支承基板的所述侧面吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
以所述半导体晶片的所述侧面以及所述支承基板的所述侧面位于同一面上的方式来形成所述第一角度以及所述第二角度。
4.一种半导体装置的制造方法，
准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；
准备支承基板，该支承基板支承所述半导体晶片，其具有与所述半导体晶片的所述有效面相对向的对向面、和侧面；
使所述半导体晶片的有效面与所述支承基板的所述对向面相对向，经由粘接剂粘合所述半导体晶片与所述支承基板；
在所述半导体晶片的所述侧面以及所述支承基板的所述侧面的至少一方形成突起部，该突起部具有：从所述半导体晶片的侧面的一部分向所述半导体晶片的外侧方向延伸的第一面、和从所述支承基板的侧面的一部分延伸至所述第一面的前端部的第二面；
以所述突起部的所述第一面与所述第二面所成角度为锐角或90度的方式来形成所述突起部；
从所述支承基板的下方朝向所述支承基板吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
以所述第一面与所述半导体晶片的背面位于同一平面上的方式来形成所述第一面和所述半导体晶片的背面。
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述突起部的材料包含树脂。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
沿着所述半导体晶片的所述侧面以及所述支承基板的所述侧面的至少一方的外周形成所述突起部。
8.一种半导体装置的制造方法，
准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；
准备支承基板，该支承基板支承所述半导体晶片，其具有与所述半导体晶片的所述有效面相对向的对向面、和侧面；
在所述半导体晶片的所述有效面以及所述支承基板的所述对向面的至少一方配置粘接剂；
将所述半导体晶片配置在所述支承基板的下侧；
经由粘接剂粘合所述半导体晶片和所述支承基板；
对从所述半导体晶片和所述支承基板之间漏出的所述粘接剂、和所述半导体晶片的所述背面进行背磨削；
在所述半导体晶片的侧面以及所述支承基板的侧面的至少一方形成由所述粘接剂构成的突起部；
从所述支承基板的下方朝向所述支承基板吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻；
之后，使所述半导体晶片与所述支承基板分离。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在粘合所述半导体晶片和所述支承基板之后，在所述半导体晶片的所述侧面以及所述支承基板的所述侧面的至少一方配置树脂。
10.一种半导体装置的制造方法，
准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；
准备支承基板，该支承基板支承所述半导体晶片，其具有与所述半导体晶片的所述有效面相对向的对向面、和侧面；
使所述半导体晶片的有效面与所述支承基板的所述对向面相对向，经由粘接剂粘合所述半导体晶片和所述支承基板，形成层叠结构；
对所述半导体晶片的所述背面进行背磨削；
使所述半导体晶片的所述背面与工作台对向，将所述层叠结构配置在所述工作台上；
在所述半导体晶片的侧面以及所述支承基板的侧面的至少一方配置树脂，形成突起部；
从所述工作台分离所述层叠结构；
从所述支承基板的下方朝向所述支承基板吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻；
之后，使所述半导体晶片与所述支承基板分离。
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
配置有所述层叠结构的所述工作台的面、与所述突起部的侧面所成角度为锐角或90度。
CNB2006100940205A 2005-06-24 2006-06-21 半导体装置的制造方法 Expired - Fee Related CN100405554C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005184652 2005-06-24
JP2005184652A JP4613709B2 (ja) 2005-06-24 2005-06-24 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1885500A true CN1885500A (zh) 2006-12-27
CN100405554C CN100405554C (zh) 2008-07-23

Family

ID=37568130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100940205A Expired - Fee Related CN100405554C (zh) 2005-06-24 2006-06-21 半导体装置的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7410908B2 (zh)
JP (1) JP4613709B2 (zh)
KR (1) KR100728153B1 (zh)
CN (1) CN100405554C (zh)
TW (1) TW200715396A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102163559A (zh) * 2010-02-18 2011-08-24 台湾积体电路制造股份有限公司 堆叠装置的制造方法及装置晶片处理方法
CN101499418B (zh) * 2008-01-31 2012-08-15 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及其所使用的基板支撑构件
US8722540B2 (en) 2010-07-22 2014-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Controlling defects in thin wafer handling
CN105190844A (zh) * 2013-05-24 2015-12-23 富士电机株式会社 半导体装置的制造方法
CN107851551A (zh) * 2015-08-21 2018-03-27 Jsr株式会社 基材的处理方法、暂时固定用组合物及半导体装置

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
JP2007109999A (ja) * 2005-10-17 2007-04-26 Tokyo Electron Ltd 貼り合せ方法
JP2010062269A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法
US9093448B2 (en) 2008-11-25 2015-07-28 Lord Corporation Methods for protecting a die surface with photocurable materials
EP2359395B1 (en) * 2008-11-25 2013-08-14 Lord Corporation Methods for protecting a die surface with photocurable materials
DE102008044200B4 (de) * 2008-11-28 2012-08-23 Thin Materials Ag Bonding-Verfahren
US9768305B2 (en) 2009-05-29 2017-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gradient ternary or quaternary multiple-gate transistor
DE102009032486A1 (de) * 2009-07-09 2011-01-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2011061381A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 複合圧電基板および弾性表面波素子
JP5320619B2 (ja) 2009-09-08 2013-10-23 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP5257314B2 (ja) * 2009-09-29 2013-08-07 大日本印刷株式会社 積層体、準備用支持体、積層体の製造方法、及びデバイスの製造方法
DE102010027679A1 (de) 2010-07-20 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8324105B2 (en) * 2010-08-13 2012-12-04 Victory Gain Group Corporation Stacking method and stacking carrier
JP5619542B2 (ja) * 2010-09-08 2014-11-05 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． 半導体基板の処理方法及び半導体装置の製造方法
TWI557786B (zh) * 2011-02-28 2016-11-11 道康寧公司 晶圓膠合系統及其用來膠合和脫膠的方法
JP2013008915A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Toshiba Corp 基板加工方法及び基板加工装置
CN104662652B (zh) * 2012-06-12 2016-12-28 埃里希·塔尔纳 衬底‑产品衬底‑组合以及用于制造衬底‑产品衬底‑组合的设备和方法
US10014202B2 (en) 2012-06-12 2018-07-03 Erich Thallner Device and method for aligning substrates
KR101284220B1 (ko) * 2012-07-06 2013-07-09 (주) 이피웍스 예각 반도체 웨이퍼를 사용한 관통 실리콘 비아 식각방법
US9682539B2 (en) 2012-07-30 2017-06-20 Erich Thallner Substrate composite, method and device for bonding of substrates
JP6188051B2 (ja) * 2012-12-25 2017-08-30 国立研究開発法人産業技術総合研究所 部品製造方法、接合剥離装置、および複合キャリア
KR102077248B1 (ko) 2013-01-25 2020-02-13 삼성전자주식회사 기판 가공 방법
FR3015110B1 (fr) 2013-12-17 2017-03-24 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d’un substrat-poignee destine au collage temporaire d’un substrat
JP6457223B2 (ja) * 2014-09-16 2019-01-23 東芝メモリ株式会社 基板分離方法および半導体製造装置
JP6463664B2 (ja) * 2015-11-27 2019-02-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体及びウエハ加工方法
US10957722B2 (en) * 2016-05-26 2021-03-23 Joled Inc. Method of manufacturing flexible device using multidirectional oblique irradiation of an interface between a support substrate and a flexible substrate
JP6577419B2 (ja) * 2016-06-20 2019-09-18 信越ポリマー株式会社 半導体ウェーハの薬液誘導具及び半導体ウェーハの処理方法
JP6791579B2 (ja) * 2016-09-09 2020-11-25 株式会社ディスコ ウェーハ及びウェーハの加工方法
TW202324523A (zh) * 2021-11-30 2023-06-16 群創光電股份有限公司 電子裝置的製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04163907A (ja) * 1990-10-29 1992-06-09 Fujitsu Ltd 半導体基板
JPH0660323A (ja) * 1992-07-31 1994-03-04 Mitsumi Electric Co Ltd テーパ状エッチング方法
JPH0661477A (ja) * 1992-08-10 1994-03-04 Meidensha Corp 半導体素子および半導体素子の製造方法
EP0678920B1 (en) * 1994-04-20 2003-01-29 GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc. Semiconductor device with mesa structure
JPH09148283A (ja) * 1995-11-28 1997-06-06 Mitsubishi Electric Corp ウエハ薄板化方法及び装置
US6342434B1 (en) * 1995-12-04 2002-01-29 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier
JPH11204493A (ja) * 1998-01-09 1999-07-30 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体ウェハの製造方法
US6573141B1 (en) * 1999-03-12 2003-06-03 Zilog, Inc. In-situ etch and pre-clean for high quality thin oxides
JP3395696B2 (ja) * 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
JP2002064079A (ja) * 2000-08-22 2002-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd エッチング装置
CN1169197C (zh) * 2001-03-28 2004-09-29 华邦电子股份有限公司 一种晶片边缘的蚀刻机及其蚀刻方法
JP4530592B2 (ja) * 2001-09-10 2010-08-25 三益半導体工業株式会社 ウェーハの表面処理装置
JP4565804B2 (ja) 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
KR100629764B1 (ko) * 2002-10-25 2006-09-28 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스를 조립하기 위한수지 바인더
JP2004363154A (ja) 2003-06-02 2004-12-24 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法及び半導体基板

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101499418B (zh) * 2008-01-31 2012-08-15 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及其所使用的基板支撑构件
CN102163559A (zh) * 2010-02-18 2011-08-24 台湾积体电路制造股份有限公司 堆叠装置的制造方法及装置晶片处理方法
US8722540B2 (en) 2010-07-22 2014-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Controlling defects in thin wafer handling
TWI458004B (zh) * 2010-07-22 2014-10-21 Taiwan Semiconductor Mfg 薄化晶圓的方法
CN105190844A (zh) * 2013-05-24 2015-12-23 富士电机株式会社 半导体装置的制造方法
CN107851551A (zh) * 2015-08-21 2018-03-27 Jsr株式会社 基材的处理方法、暂时固定用组合物及半导体装置
CN107851551B (zh) * 2015-08-21 2022-04-05 Jsr株式会社 基材的处理方法及半导体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20060292887A1 (en) 2006-12-28
KR100728153B1 (ko) 2007-06-13
JP2007005596A (ja) 2007-01-11
JP4613709B2 (ja) 2011-01-19
KR20060135506A (ko) 2006-12-29
US7410908B2 (en) 2008-08-12
TW200715396A (en) 2007-04-16
CN100405554C (zh) 2008-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1885500A (zh) 半导体装置的制造方法
CN1198327C (zh) 半导体衬底夹具和半导体器件的制造方法
CN1052339C (zh) 半导体基体材料的制作方法
CN1200793C (zh) 利用激光加工被加工物的方法
CN1967853A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN101079374A (zh) 半导体装置的制造方法
CN1042375C (zh) 半导体基体材料的制作方法
CN1192407C (zh) 按钮电键盖及其制造方法
CN101040023A (zh) 粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置
CN1564730A (zh) 基板分离装置及相关方法
CN1967805A (zh) 半导体器件和半导体基板切分方法
CN1256794A (zh) 薄膜器件的剥离方法、薄膜器件的转移方法、薄膜器件、有源矩阵基板和液晶显示装置
CN1568546A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1646282A (zh) 脆性材料基板的分断方法以及采用该方法的分断装置
CN1503337A (zh) 半导体装置的制造方法以及半导体装置
CN1274083C (zh) 腐蚀方法和腐蚀成形品、压电振动器件及其制造方法
CN1812050A (zh) 基板处理装置
CN1573363A (zh) 光学部件及其制造方法
CN1263169C (zh) 表面发光型元件的制造方法
CN1927543A (zh) 平台表面调整用磨石及表面调整方法
CN1693681A (zh) 摩托车发动机配气机构的凸轮
CN1581500A (zh) 固态成像装置及其制造方法
CN1489218A (zh) 固态成像设备及制造所述固态成像设备的方法
CN1942022A (zh) 电容器传声器、隔膜及它们的制造方法
CN1400854A (zh) 电子器件及其制造方法和设计方法、电路基板以及电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080723

Termination date: 20150621

EXPY Termination of patent right or utility model