CN1812050A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理装置，具有分度器区、反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区、浸液曝光用处理区以及接口区。以相邻于接口区的方式配置曝光装置。浸液曝光用处理区具有抗蚀剂盖膜用涂敷处理部以及抗蚀剂盖膜用除去处理部。在曝光处理之前，在浸液曝光用处理区形成抗蚀剂盖膜。在曝光处理之后，在浸液曝光用处理区除去抗蚀剂盖膜。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置。
背景技术
为了对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等各种基板进行各种处理，使用着基板处理装置。
在这样的基板处理装置中，一般连续对一张基板进行多个不同的处理。JP特开2003-324139号公报所记载的基板处理装置由分度器区、反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区以及接口区构成。以相邻于接口区的方式配置有与基板处理装置另设的作为外部装置的曝光装置。
在上述基板处理装置中，从分度器区运入的基板在反射防止膜用处理区以及抗蚀膜用处理区中进行反射防止膜的形成以及抗蚀膜的涂敷处理之后，经由接口区运送到曝光装置中。在曝光装置中，对基板上的抗蚀膜进行曝光处理之后，基板经由接口区被运送到显影处理区中。通过在显影处理区中对基板上的抗蚀膜进行显影处理来形成抗蚀剂图形之后，基板被运送到分度器区。
近年来，伴随着器件的高密度化以及高集成化，抗蚀剂图形的微细化成为重要的课题。在以往的一般的曝光装置中，通过将标线(レチクル)的图形经由投影透镜缩小投影在基板上，进行曝光处理。可是，在这样的以往的曝光装置中，因为曝光图形的线宽由曝光装置的光源的波长决定，所以抗蚀剂图形的微细化是有限制的。
因此，作为可将曝光图形进一步微细化的投影曝光方法，提出有浸液法(例如参照国际公开第99/49504号手册)。在国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置中，在投影光学系统和基板之间充满液体，能够将基板表面的曝光用光短波长化。由此，可将曝光图形进一步微细化。
可是，在上述国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置中，在基板和液体接触的状态下进行曝光处理，所以涂敷在基板上的抗蚀剂的成分的一部分稀出到液体中。稀出到该液体中的抗蚀剂的成分残留在基板的表面，可能成为不良的原因。
另外，稀出到液体中的抗蚀剂的成分污染曝光装置的透镜。由此，可能产生曝光图形的尺寸不良以及形状不良。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够以低成本防止在曝光装置中曝光处理时的基板的处理不良的基板处理装置。
(1)本发明的一个方面的基板处理装置，以相邻于曝光装置的方式配置，其中，具有：处理部，其用于对基板进行处理；交接部，其以相邻于处理部的一端部的方式设置，用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接，处理部包括：第一处理单位，其包含在基板上形成由感光材料构成的感光膜的第一处理单元、对基板进行热处理的第一热处理单元以及运送基板的第一运送单元；第二处理单位，其包含在由曝光装置进行曝光处理之后进行基板的显影处理的第二处理单元、对基板进行热处理的第二热处理单元以及运送基板的第二运送单元；第三处理单位，其包含在由曝光装置进行曝光处理之前进行用于防止曝光装置中基板上的感光膜的恶化的处理的第三处理单元、在由曝光装置进行曝光处理之后并在由第二处理单元进行显影处理之前进行用于使曝光处理后的基板成为最佳状态的处理的第四处理单元、对基板进行热处理的第三热处理单元以及运送基板的第三运送单元，第三处理单位以相邻于交接部的方式配置。
该基板处理装置中，在第一处理单位中，通过第一处理单元而在基板上形成由感光材料构成的感光膜。然后，基板由第一运送单元运送到第一热处理单元，通过第一热处理单元对基板进行规定的热处理。然后，基板由第一运送单元运送到相邻的其他的处理单位。
接着，在第三处理单位中，由第三处理单元进行用于防止曝光装置中的基板上的感光膜的恶化的处理。然后，基板经由交接部而从第三处理单位运送到曝光装置。在曝光装置中，对基板进行曝光处理。曝光处理后的基板经由交接部而从曝光装置运送到第三处理单位。
接着，在第三处理单位由第三热处理单元对基板进行曝光后烘干(PEB)。然后，基板由第三运送单元运送到第四处理单元，由第四处理单元进行用于使曝光处理后的基板成为最佳状态的处理。然后，基板由第三运送单元运送到相邻的其他的处理单位。
接着，在第二处理单位中，通过第二处理单元对基板进行显影处理。然后，基板由第二运送单元运送到第二热处理单元，通过第二热处理单元对基板进行规定的热处理。然后，基板由第二运送单元运送到相邻的其他的处理单位。
像这样，在曝光处理之前由第三处理单元进行用于防止曝光装置中的基板上的感光膜的恶化的处理。由此，能够防止由感光材料导致的曝光装置内的污染。其结果是，能够降低曝光装置中曝光处理时的基板的处理不良。
另外，在曝光处理之后且在显影处理之前，由第四处理单元进行用于使基板成为最佳状态的处理。由此，能够降低在曝光处理之后的处理工序中产生的基板的处理不良。
另外，第三处理单位以相邻于交接部的方式配置，所以能够在曝光处理之前以及曝光处理之后由第三处理单元以及第四处理单元进行规定的处理。由此，能够充分降低在曝光处理时以及曝光处理后产生的基板的处理不良。
还有，由于该基板处理装置具有在具备第一以及第二处理单位的已有的基板处理装置中追加了第三处理单位的结构。因此能够以低成本降低曝光处理时以及曝光处理后发生的基板的处理不良。
(2)也可以是第三处理单元形成保护感光膜的保护膜。此时，即使在曝光处理中在基板和液体接触的状态下进行曝光处理，也能防止感光材料的成分稀出到液体中。由此，减小曝光装置内的污染的同时，也能防止感光材料的成分残留在基板的表面。其结果是，能够充分降低在曝光装置中曝光处理时的基板的处理不良。
(3)也可以是第四处理单元除去保护膜。此时，由于能确实地进行显影处理，所以能够充分降低曝光处理后的显影处理时的基板的处理不良。
(4)也可以是交接部包括：第五处理单元，其对基板进行规定的处理；装载部，其用于暂时装载基板；第四运送单元，其在处理部、第五处理单元以及装载部之间运送基板；第五运送单元，其在装载部以及曝光装置元之间运送基板。
此时，在处理部对基板进行了规定的处理后，基板由第四运送单元从处理部运送到第五处理单元。在第五处理单元对基板进行了规定的处理后，基板由第四运送单元运送到装载部。然后，基板由第五运送单元从装载部运送到曝光装置。在曝光装置中对基板进行曝光处理后，基板由第五运送单元从曝光装置运送到装载部。然后，基板由第四运送单元从装载部运送到处理部。
如此，在交接部配置第五处理单元，通过由两个运送单元进行基板的运送，从而能够不使基板处理装置的占有空间增加而增加处理内容。
(5)也可以是第四运送单元包含有保持基板的第一和第二保持部，第四运送单元，在运送由曝光装置进行曝光处理之前的基板时，由第一保持部保持基板，在运送由曝光装置进行曝光处理之后的基板时，由第二保持部保持基板，第五运送单元包含有保持基板的第三和第四保持部，第五运送单元，在运送由曝光装置进行曝光处理之前的基板时，由第三保持部保持基板，在运送由曝光装置进行曝光处理之后的基板时，由第四保持部保持基板。
此时，第一以及第三保持部在运送曝光处理前的未附着液体的基板时使用，第二以及第四保持部在运送曝光处理后的附着有液体的基板时使用。因此，因为液体不会附着在第一以及第三保持部上，所以能够防止液体附着在曝光处理前的基板上。由此，由于能够防止环境中的尘埃等附着在曝光处理前的基板上，所以能够防止曝光处理前的基板的污染。其结果，能够防止曝光装置内的污染，能够充分降低在曝光装置中曝光处理时的基板的处理不良。
(6)也可以是第二保持部设置在第一保持部的下方，第四保持部设置在第三保持部的下方。此时，即使液体从第二和第四保持部以及它们保持的基板落下，液体也不会附着在第一和第三保持部以及它们保持的基板上。由此，能够可靠地防止液体附着在曝光处理前的基板上。
(7)也可以是第四处理单元进行基板的干燥处理。此时，在曝光装置中，即使附着了液体，也能防止该液体落在基板处理装置内。其结果是，能够防止基板处理装置的电气系统的异常等的动作不良。另外，通过使基板干燥，防止环境中的尘埃等附着在基板上，所以能够防止基板的污染。由此，能够充分降低曝光处理后的处理工序中产生的基板的处理不良。
(8)也可以是第四处理单元在基板的干燥处理前还进行基板的清洗处理。
此时，将曝光时附着了液体的基板从曝光装置运送到第四处理单元的过程中，环境中的尘埃等即使附着在基板上，也能确实除去该附着物。由此，能够确实防止基板的处理不良。
(9)也可以是第四处理单元包括：基板保持装置，其大致水平地保持基板；旋转驱动装置，其使由基板保持装置保持的基板在垂直于该基板的轴的周围进行旋转；清洗液供给部，其将清洗液供给到由基板保持装置保持的基板上；惰性气体供给部，其在由清洗液供给部向基板上供给了清洗液之后，向基板上供给惰性气体。
在该第四处理单元中，基板由基板保持装置保持成大致水平，且基板通过旋转驱动装置而在垂直于该基板的轴的周围进行旋转。还有，由清洗液供给部供给清洗液到基板上，接着，由惰性气体供给部供给惰性气体。
此时，使基板旋转的同时向基板上供给清洗液，因此，基板上的清洗液通过离心力而向基板的周边部移动而飞散。从而，能够确实防止被清洗液除去了的尘埃等的附着物残留在基板上。还有，使基板旋转的同时向基板上供给惰性气体，因此，可以高效的排除对基板进行清洗后残留在基板上的清洗液。由此，能够确实防止在基板上残留尘埃等的附着物，同时能够确实地使基板干燥。从而，能够确实防止在干燥处理后的基板被运送到第二处理单元为止的过程中，基板上的感光材料的成分稀出到残留在基板上的清洗液中。由此，能够确实防止形成在感光膜上的曝光图形的变形。其结果，能够确实防止在第二处理单元中显影处理时的基板的处理不良。
(10)也可以是惰性气体供给部，以使由清洗液供给部供给到基板上的清洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使清洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
此时，能够防止清洗液残留在基板上的中心部，因此，能够确实防止在基板的表面产生干燥后的水斑。还有，能够确实防止在干燥处理后的基板被运送到第二处理单元为止的过程中感光材料的成分稀出到残留在基板上的清洗液中。由此，能够更加确实防止形成在感光膜上的曝光图案的变形。其结果，能够确实防止在第二处理单元中显影处理时的基板的处理不良。
(11)也可以是第四处理单元还具有冲洗液供给部，该冲洗液供给部在由清洗液供给部供给了清洗液之后，且在由惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
此时，能够由冲洗液确实地冲洗清洗液，因此能够更加确实防止尘埃等的附着物残留在基板上。
(12)也可以是惰性气体供给部，以使由冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
此时，能够防止冲洗液残留在基板上的中心部，因此能够确实防止在基板的表面产生干燥后的水斑。还有，能够确实防止在干燥处理后的基板被运送到第二处理单元为止的过程中，感光材料的成分稀出到残留在基板上的冲洗液中。由此，能够确实防止形成在感光膜上的曝光图案发生变形。
(13)也可以是第四处理单元通过由流体喷嘴向基板供给含有清洗液和气体的混合流体来进行基板的清洗处理。
这时，从流体喷嘴喷射的混合流体含有清洗液的微细液滴，因此，即使在基板表面上存在凹凸的情况下，通过该微细液滴也可以去除附着在基板表面的污垢。另外，即使基板表面的易湿性低的情况下，通过清洗液的细微液滴也可以去除基板表面的污垢，因此，可以确实除去基板表面的污垢。这些结果是，能够防止由曝光处理后的基板的污染导致的基板的处理不良。
另外，通过调节气体的流量，可以容易的调节清洗基板时的清洗能力。因而，在基板上形成的膜具有易损的性质的情况下，通过降低清洗能力而可以防止基板上的膜的破损。另外，在基板表面的污垢牢固的情况下，通过增强清洗能力而可以确实除去基板表面的污垢。这样，通过按照基板上的膜的性质以及污垢的程度调节清洗能力，从而防止基板上的膜的破损的同时可以确实清洗基板。
(14)气体可以是惰性气体。这时，在使用了药液作为清洗液的情况下，也防止对形成在基板上的膜以及清洗液带来化学性的影响，同时可以更确实的除去基板表面的污垢。由此，能够充分防止由曝光处理后的基板的污染导致的基板的处理不良。
(15)也可以是第四处理单元包括惰性气体供给部，该惰性气体供给部通过向基板上供给惰性气体而进行基板的干燥处理。此时，因为使用惰性气体，所以能够防止对在基板上形成的膜的化学影响的同时确实使基板干燥。
(16)流体喷嘴也可以具有惰性气体供给部的功能。此时，惰性气体由流体喷嘴供给到基板上，而进行对基板的干燥处理。由此，不必相对于流体喷嘴而另外单独设置惰性气体供给部。其结果，能够以简单的构造确实地进行基板的清洗以及干燥处理。
(17)也可以是第四处理单元还包括：基板保持装置，其大致水平地保持基板；旋转驱动装置，其使由基板保持装置保持的基板在垂直于该基板的轴的周围进行旋转。
在该第四处理单元中，基板由基板保持装置保持成大致水平，且基板通过旋转驱动装置而在垂直于该基板的轴的周围进行旋转。还有，由流体喷嘴将混合流体供给到基板上，接着，由惰性气体供给部供给惰性气体。
此时，使基板旋转的同时混合流体被供给到基板上，所以基板上的混合流体通过离心力而向基板的周边部移动分散。因此，可以确实防止通过混合流体而除去的尘埃等的附着物残留在基板上。另外，由于旋转基板的同时将惰性气体供给到基板上，所以可以高效的排除在基板的清洗后残留在基板上的混合流体。由此，可以确实防止尘埃等的附着物残留在基板上的同时，能够可靠的使基板干燥。其结果，可以确实防止基板的处理不良。
(18)也可以是第四处理单元，以使从流体喷嘴供给到基板上的混合流体从基板上的中心部向外侧移动从而使混合流体从基板上排除的方式，供给惰性气体。
此时，由于可以防止混合流体残留在基板上的中心部，所以可以确实防止在基板的表面产生干燥水斑。由此，可以可靠的防止基板的处理不良。
(19)也可以是第四处理单元还包括冲洗液供给部，该冲洗液供给部在从流体喷嘴供给了混合流体之后，且在由惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
这时，通过冲洗液可以可靠的冲洗混合流体，所以可以更可靠的防止尘埃等的附着物残留在基板上。
(20)流体喷嘴也可以具有冲洗液供给部的功能。这时，冲洗液从流体喷嘴供给到基板上。由此，不需要相对于流体喷嘴另外单独设置冲洗液供给部。其结果，用简单的结构就可以可靠的进行基板的清洗以及干燥处理。
(21)也可以是第四处理单元，以使由冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
这时，由于可以防止冲洗液残留在基板上的中心部，所以可以可靠的防止在基板的表面产生干燥水斑。由此，可以确实防止基板的处理不良。
(22)也可以是流体喷嘴具有：流通液体的液体流路；流通气体的气体流路；与液体流路连通并开口的液体喷射口；设置在液体喷射口的附近的同时与气体流路连通并开口的气体喷射口。
这时，通过清洗液在液体流路流通并从液体喷射口喷射，气体在气体流路流通并从气体喷射口喷射，从而能够在流体喷嘴的外部混合清洗液和气体。由此，可以生成雾状的混合流体。
这样，混合流体在流体喷嘴的外部通过混合清洗液和气体而生成。因此，在流体喷嘴的内部不需要设置用于混合清洗液和气体的空间。其结果，流体喷嘴可小型化。
(23)也可以是第三处理单元进行基板的清洗处理。此时，基板上的感光材料的成分的一部分通过清洗处理而稀出并被冲洗。由此，在曝光装置中，即使在基板和液体接触了的状态下进行曝光处理，基板上的感光材料的成分也几乎不稀出。由此，能够防止曝光装置内的污染的同时，也能够防止感光材料的成分残留在基板的表面。其结果是，能够降低曝光装置中曝光处理时的基板的处理不良。
(24)也可以是第三处理单元在基板的清洗处理后还进行基板的干燥处理。
此时，能够防止环境中的尘埃等附着在清洗处理后的基板上。另外，当清洗液残留在清洗处理后的基板上时，存在感光材料的成分稀出到残留的清洗液中的情况。因此，通过在基板的清洗之后使基板干燥，从而能够防止感光材料的成分稀出到残留在基板上的清洗液中。由此，能够确实防止在基板上形成的感光膜的形状不良的发生的同时，能够确实防止曝光装置内的污染。这些结果是，能够确实防止基板的处理不良。
(25)也可以是第三处理单元包括：基本保持装置，其大致水平地保持基板；旋转驱动装置，其使由基板保持装置保持的基板在垂直于该基板的轴的周围进行旋转；清洗液供给部，其将清洗液供给到由基板保持装置保持的基板上；惰性气体供给部，其在由清洗液供给部向基板上供给了清洗液之后，向基板上供给惰性气体。
在该第三处理单元中，基板由基板保持装置保持成大致水平，且基板通过旋转驱动装置而在垂直于该基板的轴的周围进行旋转。还有，由清洗液供给部供给清洗液到基板上，接着，由惰性气体供给部供给惰性气体。
此时，使基板旋转的同时向基板上供给清洗液，因此，基板上的清洗液通过离心力而向基板的周边部移动而飞散。从而，能够防止稀出到清洗液中的感光材料的成分残留在基板上。还有，由于使基板旋转的同时向基板上供给惰性气体，因此，可以高效的排除对基板进行清洗后残留在基板上的清洗液。由此，能够确实防止感光材料的成分残留在基板上，同时能够确实地使基板干燥。从而，能够确实防止在清洗处理后的基板被运送到曝光装置为止的过程中，基板上的感光材料的成分再稀出到残留在基板上的清洗液中。这些结果是，能够确实防止涂敷形成在基板上的感光膜的形状不良的发生的同时，能够确实防止曝光装置内的污染。
(26)也可以是惰性气体供给部，以使由清洗液供给部供给到基板上的清洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使清洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
此时，能够防止清洗液残留在基板上的中心部，因此，能够确实防止在基板的表面发生干燥后的水斑。还有，能够确实防止在清洗后的基板被运送到曝光装置为止的过程中，感光材料的成分再稀出到残留在基板上的清洗液中。这些结果是，能够更加确实防止基板的处理不良。
(27)也可以是第三处理单元还具有冲洗液供给部，该冲洗液供给部在由清洗液供给部供给了清洗液之后，且在由惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
此时，能够由冲洗液确实地冲洗清洗液，因此能够更加确实防止稀出到清洗液中的感光材料的成分残留在基板上。
(28)也可以是惰性气体供给部，以使由冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
此时，能够防止清洗液残留在基板上的中心部，因此，能够确实防止在基板的表面发生干燥后的水斑。还有，能够确实防止在清洗后的基板被运送到曝光装置为止的过程中，基板上的感光材料的成分再稀出到残留在基板上的清洗液中。这些结果是，能够更加确实防止基板的处理不良。
(29)也可以是第三处理单元通过由流体喷嘴向基板供给含有清洗液和气体的混合流体来进行基板的清洗处理。
这时，由于从流体喷嘴喷射的混合流体含有清洗液的微细液滴，因此，即使在基板表面存在凹凸的情况下，通过该微细液滴也可以去除附着在基板表面的污垢。另外，即使形成在基板上的膜的易湿性低的情况下，通过清洗液的细微液滴也可以去除基板表面的污垢，因此，可以确实除去基板表面的污垢。
因而，即使在曝光处理前，在基板上形成的膜的溶剂等升华，其升华物再次附着在基板的情况下，在第三处理单元中，该附着物也可以确实除去。由此，能够确实防止曝光装置内的污染。其结果是，能够确实降低基板的处理不良。
另外，通过调节气体的流量，可以容易的调节清洗基板时的清洗能力。因而，在基板上形成的膜具有易损的性质的情况下，通过减弱清洗能力而可以防止基板上的膜的破损。另外，在基板表面的污垢牢固的情况下，通过增强清洗能力而可以确实除去基板表面的污垢。这样，通过按照基板上的膜的性质以及污垢的程度调节清洗能力，从而防止基板上的膜的破损的同时可以确实清洗基板。
(30)气体可以是惰性气体。这时，使用了药液作为清洗液的情况下，防止对形成在基板上的膜以及清洗液带来化学性的影响，同时可以更确实的除去基板表面的污垢。
(31)也可以是第三处理单元在基板的清洗处理之后还进行基板的干燥处理。
这时，可以防止环境中的尘埃等附着在清洗处理后的基板上。另外，若清洗液残留在清洗处理后的基板上，则有时形成在基板上的膜的成分会稀出到残留的清洗液中。因此，通过在基板的清洗后使基板干燥，从而可防止基板上的膜的成分稀出到残留在基板上的清洗液中。由此，可确实防止形成在基板上的感光膜的形状不良的产生，同时可以确实防止曝光装置内的污染。这些的结果是，可以确实防止基板的处理不良。
(32)也可以是第三处理单元包括惰性气体供给部，该惰性气体供给部通过向基板上供给惰性气体而进行基板的干燥处理。这时，由于使用惰性气体，在防止给在基板上形成的膜带来化学性的影响的同时可使基板确实干燥。
(33)流体喷嘴可以具有惰性气体供给部的功能。这时，从流体喷嘴向基板上供给惰性气体，而进行基板的干燥处理。由此，不需要将惰性气体供给装置和流体喷嘴分别单独设置。其结果，用简单的结构可以确实进行基板的清洗以及干燥处理。
(34)也可以是第三处理单元还包括：基板保持装置，其大致水平地保持基板；旋转驱动装置，其使由基板保持装置保持的基板在与该基板垂直的轴的周围进行旋转。
在该第三处理单元中，通过基板保持装置将基板大致水平地保持，通过旋转驱动装置使基板在与该基板垂直的轴的周围进行旋转。另外，通过流体喷嘴将混合流体供给到基板上，然后，通过惰性气体供给部供给惰性气体。
这时，由于旋转基板的同时将混合流体供给到基板上，所以基板上的混合流体通过离心力而向基板的周边部移动分散。因此，可以确实防止通过混合流体而除去的尘埃等的附着物残留在基板上。另外，由于旋转基板的同时将惰性气体供给到基板上，所以可以高效排除在基板的清洗后残留在基板上的混合流体。由此，可以确实防止尘埃等的附着物残留在基板上的同时，能够可靠的使基板干燥。其结果是，可以确实防止基板的处理不良。
(35)也可以是第三处理单元，以使从流体喷嘴供给到基板上的混合流体从基板上的中心部向外侧移动从而使混合流体从基板上排除的方式，供给惰性气体。
这时，由于可以防止混合流体残留在基板上的中心部，所以可以确实防止在基板的表面产生干燥水斑。由此，可以可靠的防止基板的处理不良。
(36)也可以是第三处理单元还包括冲洗液供给部，该冲洗液供给部在从流体喷嘴供给了混合流体之后，且在由惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
这时，通过冲洗液可以可靠的冲洗混合流体，所以可以更可靠的防止尘埃等的附着物残留在基板上。
(37)流体喷嘴也可以具有冲洗液供给部的功能。这时，冲洗液从流体喷嘴供给到基板上。由此，不需要将冲洗液供给部与流体喷嘴分别设置。其结果是，用简单的结构就可以可靠的进行基板的清洗以及干燥处理。
(38)也可以是第三处理单元，以使由冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
这时，由于可以防止冲洗液残留在基板上的中心部，所以可以可靠的防止在基板的表面产生干燥水斑。由此，可以确实防止基板的处理不良。
(39)也可以是流体喷嘴具有：流通液体的液体流路；流通气体的气体流路；与液体流路连通并开口的液体喷射口；设置在液体喷射口的附近的同时与气体流路连通并开口的气体喷射口。
这时，通过清洗液在液体流路流通并从液体喷射口喷射，气体在气体流路流通并从气体喷射口喷射，从而能够在流体喷嘴的外部混合清洗液和气体。由此，可以生成雾状的混合流体。
这样，混合流体在流体喷嘴的外部通过混合清洗液和气体而生成。因此，在流体喷嘴的内部不需要设置用于混合清洗液和气体的空间。其结果是，流体喷嘴可小型化。
(40)也可以是第三处理单元形成保护感光膜的保护膜。此时，即使在曝光处理中在基板和液体接触了的状态下进行曝光处理，也能防止感光材料的成分稀出到液体中。由此，减小曝光装置内的污染的同时，也能防止感光材料的成分残留在基板的表面。其结果是，能够充分降低在曝光装置中曝光处理时的基板的处理不良。
(41)也可以是第二处理单位还包括在由第二处理单元进行显影处理之前除去保护膜的第六处理单元。此时不使基板处理装置的占有空间增加而能够降低显影处理时的基板的处理不良。
(42)也可以是第三处理单位还包括第七处理单元，该第七处理单元在由第三处理单元形成保护膜之后，在由曝光处理进行曝光处理之前，对基板进行清洗处理。此时，在曝光处理之前的处理工序中，在曝光处理之前除去附着在基板上的尘埃等，所以能够确实防止曝光装置内的污染。
(43)也可以是第七处理单元在基板的清洗处理后还进行基板的干燥处理。
此时，能够防止环境中的尘埃等附着在清洗处理后的基板上。由此，能够确实防止曝光装置内的污染。其结果是，能够确实防止基板的处理不良。
(44)也可以是第七处理单元包括：基本保持装置，其大致水平地保持基板；旋转驱动装置，其使由基板保持装置保持的基板在垂直于该基板的轴的周围进行旋转；清洗液供给部，其将清洗液供给到由基板保持装置保持的基板上；惰性气体供给部，其在由清洗液供给部向基板上供给了清洗液之后，向基板上供给惰性气体。
在该第七处理单元中，基板由基板保持装置保持成大致水平，且基板通过旋转驱动装置而在垂直于该基板的轴的周围进行旋转。还有，由清洗液供给部供给清洗液到基板上，接着，由惰性气体供给部供给惰性气体。
此时，由于使基板旋转的同时向基板上供给清洗液，因此，基板上的清洗液通过离心力而向基板的周边部移动而飞散。从而，能够确实防止被清洗液除去了的尘埃等的附着物残留在基板上。还有，由于使基板旋转的同时向基板上供给惰性气体，因此，可以高效的排除对基板进行清洗后残留在基板上的清洗液。由此，能够确实防止基板上残留尘埃等的附着物，同时能够确实地使基板干燥。其结果是，能够确实防止基板的处理不良。
(45)也可以是惰性气体供给部，以使由清洗液供给部供给到基板上的清洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使清洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
此时，能够确实防止清洗液残留在基板上的中心部，因此，能确实防止环境中的尘埃等附着在基板上。其结果是，能更确实的防止基板的处理不良。
(46)也可以是第七处理单元还具有冲洗液供给部，该冲洗液供给部在由清洗液供给部供给了清洗液之后，且在由惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
此时，能够由冲洗液确实地冲洗清洗液，因此能够确实防止尘埃等的附着物残留在基板上。由此，能够确实防止基板的处理不良。
(47)也可以是惰性气体供给部，以使由冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
此时，由于能确实防止冲洗液残留在基板上的中心部，所以能确实防止环境中的尘埃等附着在基板上。由此，能够更确实的防止基板的处理不良。
(48)也可以是第七处理单元通过由流体喷嘴向基板供给含有清洗液和气体的混合流体来进行基板的清洗处理。
这时，从流体喷嘴喷射的混合流体含有清洗液的微细液滴，因此，即使在基板表面存在凹凸的情况下，通过该微细液滴也可以去除附着在基板表面的污垢。另外，即使形成在基板上的膜的易湿性低的情况下，通过清洗液的细微液滴也可以去除基板表面的污垢，因此，可以确实除去基板表面的污垢。
因而，即使在曝光处理前，在基板上形成的膜的溶剂等升华，其升华物再次附着在基板上的情况下，在第七处理单元中，该附着物也可以确实除去。由此，可以确实防止曝光装置内的污染。其结果是，可以确实降低基板的处理不良。
另外，通过调节气体的流量，可以容易的调节清洗基板时的清洗能力。因而，在基板上形成的膜具有易损的性质的情况下，通过降低清洗能力而可以防止基板上的膜的破损。另外，在基板表面的污垢牢固的情况下，通过增强清洗能力而可以确实除去基板表面的污垢。这样，通过按照基板上的膜的性质以及污垢的程度调节清洗能力，从而防止基板上的膜的破损的同时可以确实清洗基板。
(49)气体可以是惰性气体。这时，使用了药液作为清洗液的情况下，防止对形成在基板上的膜以及清洗液带来化学性的影响，同时可以更确实的除去基板表面的污垢。
(50)也可以是第七处理单元在基板的清洗处理之后还进行基板的干燥处理。
这时，可以防止环境中的尘埃等附着在清洗处理后的基板上。另外，若清洗液残留在清洗处理后的基板上，则有时形成在基板上的膜的成分会稀出到残留的清洗液中。因此，通过在基板的清洗后干燥基板，从而可以防止基板上的膜的成分稀出到残留在基板上的清洗液中。由此，可以确实防止形成在基板上的感光膜的形状不良的产生，同时可以确实防止曝光装置内的污染。这些的结果是，可以确实防止基板的处理不良。
(51)也可以是第七处理单元包括惰性气体供给部，该惰性气体供给部通过向基板上供给惰性气体而进行基板的干燥处理。此时，因为使用惰性气体，所以能够防止对在基板上形成的膜的化学影响的同时确实使基板干燥。
(52)流体喷嘴也可以具有惰性气体供给部的功能。此时，惰性气体由流体喷嘴供给到基板上，而进行基板的干燥处理。由此，不需将惰性气体供给部与流体喷嘴另外单独设置。其结果是，能够以简单的构造对基板确实地进行清洗以及干燥处理。
(53)也可以是第七处理单元还包括：基板保持装置，其大致水平地保持基板；旋转驱动装置，其使由基板保持装置保持的基板在与该基板垂直的轴的周围进行旋转。
在该第七处理单元中，基板由基板保持装置保持成大致水平，且基板通过旋转驱动装置而在垂直于该基板的轴的周围进行旋转。还有，由流体喷嘴将混合流体供给到基板上，接着，由惰性气体供给部供给惰性气体。
此时，由于使基板旋转的同时混合流体被供给到基板上，所以基板上的混合流体通过离心力而向基板的周边部移动分散。因此，可以确实防止通过混合流体而被除去的尘埃等的附着物残留在基板上。另外，由于旋转基板的同时将惰性气体供给到基板上，所以可以高效排除在基板的清洗后残留在基板上的混合流体。由此，可以确实防止尘埃等的附着物残留在基板上的同时，能够可靠的干燥基板。其结果是，可以确实防止基板的处理不良。
(54)也可以是第七处理单元，以使从流体喷嘴供给到基板上的混合流体从基板上的中心部向外侧移动从而使混合流体从基板上排除的方式，供给惰性气体。
此时，由于可以防止混合流体残留在基板上的中心部，所以可以确实防止在基板的表面产生干燥水斑。由此，可以可靠的防止基板的处理不良。
(55)也可以是第七处理单元还包括冲洗液供给部，该冲洗液供给部在从流体喷嘴供给了混合流体之后，且在由惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
这时，通过冲洗液可以可靠的冲洗混合流体，所以可以更可靠的防止尘埃等的附着物残留在基板上。
(56)流体喷嘴也可以具有冲洗液供给部的功能。这时，冲洗液从流体喷嘴供给到基板上。由此，不需要将冲洗液供给部与流体喷嘴另外单独设置。其结果是，用简单的结构就可以可靠的进行基板的清洗以及干燥处理。
(57)也可以是第七处理单元，以使由冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
这时，由于可以防止冲洗液残留在基板上的中心部，所以可以可靠的防止在基板的表面产生干燥水斑。由此，可以确实防止基板的处理不良。
(58)也可以是流体喷嘴具有：流通液体的液体流路；流通气体的气体流路；与液体流路连通并开口的液体喷射口；设置在液体喷射口的附近的同时与气体流路连通并开口的气体喷射口。
这时，通过清洗液在液体流路流通并从液体喷射口喷射，气体在气体流路流通并从气体喷射口喷射，从而能够在流体喷嘴的外部混合清洗液和气体。由此，可以生成雾状的混合流体。
这样，混合流体在流体喷嘴的外部通过混合清洗液和气体而生成。因此，在流体喷嘴的内部不需要设置用于混合清洗液和气体的空间。其结果是，流体喷嘴可小型化。
(59)也可以是交接部包括：第五处理单元，其对基板进行规定的处理；装载部，其用于暂时装载基板；第四运送单元，其在处理部、第五处理单元以及装载部之间运送基板；第五运送单元，其在装载部、曝光装置以及第四处理单元之间运送基板。
此时，在处理部对基板进行规定的处理之后，基板由第四运送单元从处理部运送到第五处理单元。在第五处理单元对基板进行了规定的处理之后，基板由第四运送单元运送到装载部。然后，基板由第五运送单元从装载部运送到曝光装置。在曝光装置对基板进行了曝光处理之后，基板由第五运送单元从曝光装置运送到第四处理单元。由第四处理单元对基板进行了干燥处理之后，基板由第五运送单元运送到装载部。然后，基板由第四运送单元从装载部运送到处理部。
如此，在交接部配置第五处理单元，由两个运送单元进行基板的运送，从而能够不使基板处理装置的占有空间增加而增加处理内容。
另外，曝光处理后的基板立刻被运送到第四处理单元，由第四处理单元进行干燥处理。此时，即使在曝光装置中液体附着在基板上，该液体也在曝光处理之后被除去。因此，能够充分防止液体落到曝光装置内以及基板的处理不良。
(60)也可以是第五运送单元包括保持基板的第三以及第四保持部，第五运送单元，在从装载部将基板运送到曝光装置时以及从第四处理单元将基板运送到装载部时，由第三保持部保持基板，在从曝光装置将基板运送到第四处理单元时，由第四保持部保持基板。
此时，第三保持部在运送曝光处理前及干燥处理后的未附着液体的基板时使用，第四保持部在运送曝光处理后的附着了液体的基板时使用。因此，因为液体没有附着在第三保持部，所以能够防止液体附着在曝光处理前的基板上。由此，因为能够防止环境中的尘埃等附着在曝光处理前的基板上，所以能够防止曝光装置内的污染。其结果是，能够降低曝光装置中曝光处理时的基板的处理不良。
(61)也可以是第四保持部设置在第三保持部的下方。此时，液体即使从第四保持部以及其保持的基板落下，液体也不会附着在第三保持部以及其保持的基板上。由此，可以确实防止液体附着在曝光处理前及干燥处理后的基板上。
(62)也可以是处理部还具有第四处理单位，该第四处理单位包括在由第一处理单元形成感光膜之前在基板上形成反射防止膜的第八处理单元、对基板进行热处理的第四热处理单元以及运送基板的第六运送单元。此时，由于由第八处理单元在基板上形成反射防止膜，所以能够减少在曝光处理时产生的驻波以及光晕。由此，能够进一步降低曝光装置中曝光处理时的基板的处理不良。
(63)也可以是还具有基板运入运出部，该基板运入运出部以相邻于处理部的另一端部的方式配置，而向处理部运入基板以及从处理部运出基板，第四处理单位以相邻于基板运入运出部的方式配置。此时，基板运送到处理部之后，立刻在第四处理单位形成反射防止膜，然后，可以在第一处理单位依次形成感光膜。由此，可以顺利地在基板上进行反射防止膜以及感光膜的形成。
根据本发明，通过在具有第一以及第二处理单位的已有的基板处理装置上增加第三处理单位，从而能够以低成本降低曝光处理时以及曝光处理后的基板的处理不良。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的基板处理装置的俯视图；
图2是从+X方向看到的图1的基板处理装置的侧视图；
图3是从-X方向看到的图1的基板处理装置的侧视图；
图4是用于说明接口用运送机构的结构以及动作的图；
图5是第二实施方式的基板处理装置的侧视图；
图6是用于说明清洗处理单元的结构的图；
图7A～图7C是用于说明清洗处理单元的动作的图；
图8是一体设置清洗处理用喷嘴与干燥处理用喷嘴的情况的示意图；
图9是表示干燥处理用喷嘴的其他的例子的示意图；
图10A～图10C是用于说明使用了图9的干燥处理用喷嘴的情况下的基板的干燥处理方法的图；
图11是表示干燥处理用喷嘴的其他的例子的示意图；
图12是表示清洗处理单元的其他的例子的示意图；
图13是用于说明使用了图12的清洗处理单元的情况下的基板的干燥处理方法的图；
图14是第三实施方式的基板处理装置的侧视图；
图15是第四实施方式的基板处理装置的侧视图；
图16是表示用于清洗以及干燥处理的2流体喷嘴的内部结构的一个例子的纵向剖视图。
图17A～图17C是用于说明使用了图16的2流体喷嘴的情况下的基板的清洗以及干燥处理方法的图。
具体实施方式
下面，针对本发明实施方式的基板处理装置，使用附图进行说明。在下面的说明中，所谓基板是指半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等。
另外，在下面的附图中，为了明确位置关系，标有表示相互垂直的X方向、Y方向以及Z方向的箭头。X方向以及Y方向在水平面内相互垂直，Z方向相当于铅垂方向。此外，在各方向中，将箭头指向的方向设为+方向，其相反的方向设为-方向。另外，将以Z方向为中心的旋转方向设为θ方向。
(第一实施方式)
下面，针对本发明第一实施方式的基板处理装置，参照图1～图4进行说明。
图1是本发明第一实施方式的基板处理装置的示意俯视图。
如图1所示，基板处理装置500包括分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、浸液曝光用处理区13、以及接口区14。以相邻于接口区14的方式配置曝光装置15。在曝光装置15中，通过浸液法对基板W进行曝光处理。
下面，将各个分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、浸液曝光用处理区13、以及接口区14称为处理区。
分度器区9包括控制各处理区的动作的主控制器(控制部)30、多个搬运器装载台40以及分度器机械手IR。在分度器机械手IR设置了用于交接基板W的手部IRH。
反射防止膜用处理区10包括反射防止膜用热处理部100、101、反射防止膜用涂敷处理部50以及第一中心机械手CR1。反射防止膜用涂敷处理部50，隔着第一中心机械手CR1与反射防止膜用热处理部100、101相对向而设置。在第一中心机械手CR1，上下设置有用于交接基板W的手部RH1、CRH2。
在分度器区9和反射防止膜用处理区10之间设置有隔离环境用的隔断壁17。在该隔断壁17上，上下接近设置有基板装载部PASS1、PASS2，该基板装载部PASS1、PASS2用于在分度器区9和反射防止膜用处理区10之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS1在将基板W从分度器区9运送到反射防止膜用处理区10时使用，而下侧的基板装载部PASS2在将基板W从反射防止膜用处理区10运送到分度器区9时使用。
另外，在基板装载部PASS1、PASS2中设置有检测出有无基板W的光学式的传感器(未图示)。由此，在基板装载部PASS1、PASS2可以进行有无装载基板W的判定。另外，在基板装载部PASS1、PASS2设有被固定设置的多个支撑销。此外，上述光学式的传感器以及支撑销，也同样设置在如后所述的基板装载部PASS3～PASS12上。
抗蚀膜用处理区11包括抗蚀膜用热处理部110、111、抗蚀膜用涂敷处理部60以及第二中心机械手CR2。抗蚀膜用涂敷处理部60隔着第二中心机械手CR2与抗蚀膜用热处理部110、111相对向而设置。在第二中心机械手CR2，上下设置了用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。
在反射防止膜用处理区10和抗蚀膜用处理区11之间设置有隔离环境用的隔断壁18。在该隔断壁18上，上下接近设置有基板装载部PASS3、PASS4，该基板装载部PASS3、PASS4用于在反射防止膜用处理区10和抗蚀膜用处理区11之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS3在将基板W从反射防止膜用处理区10运送到抗蚀膜用处理区11时被使用，而下侧的基板装载部PASS4在将基板W从抗蚀膜用处理区11运送到反射防止膜用处理区10时使用。
显影处理区12包括显影用热处理部120、121、显影处理部70、以及第三中心机械手CR3。显影处理部70，隔着第三中心机械手CR3与显影用热处理部120、121相对向而设置。在第三中心机械手CR3，上下设置了用于交接基板W的手部CRH5、CRH6。
在抗蚀膜用处理区11和显影处理区12之间设置有隔离环境用的隔断壁19。在该隔断壁19，上下接近设置了基板装载部PASS5、PASS6，该基板装载部PASS5、PASS6用于在抗蚀膜用处理区11和显影处理区12之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS5在将基板W从抗蚀膜用处理区11运送到显影处理区12时使用，而下侧的基板装载部PASS6在将基板W从显影处理区12运送到抗蚀膜用处理区11时使用。
浸液曝光用处理区13包括抗蚀剂盖膜用热处理部130、曝光后烘干(PEB)用热处理部131、抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200、抗蚀剂盖膜除去处理部250以及第四中心机械手CR4。曝光后烘干用热处理部131相邻于接口区14，如后面所述，具有基板装载部PASS9、PASS10。抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200以及抗蚀剂盖膜除去处理部250隔着第四中心机械手CR4与抗蚀剂盖膜用热处理部130以及曝光后烘干用热处理部131相对向而设置。在第四中心机械手CR4，上下设置了用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。
在显影处理区12和浸液曝光用处理区13之间设置有隔离环境用的隔断壁20。在该隔断壁20上，上下接近设置有基板装载部PASS7、PASS8，该基板装载部PASS7、PASS8用于在显影处理区12和浸液曝光用处理区13之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS7在将基板W从显影处理区12运送到浸液曝光用处理区13时使用，而下侧的基板装载部PASS8在将基板W从浸液曝光用处理区13运送到显影处理区12时使用。
接口区14包括第五中心机械手CR5、输送缓冲贮存部SBF、接口用运送机构IFR以及边缘曝光部EEW。另外，在边缘曝光部EEW的下侧设置有后面所述的返回缓冲贮存部RBF、基板装载部PASS11、PASS12。在第五中心机械手CR5，上下设置了用于交接基板W的手部CRH9、CRH10。在接口用运送机构IFR上下设置了用于交接基板W的手部H5以及手部H6。
在本实施方式的基板处理装置500中，沿Y方向依次并排设置有分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、浸液曝光用处理区13以及接口区14。
图2是从+X方向观察图1中的基板处理装置500的侧视图。
在反射防止膜用处理区10的反射防止膜用涂敷处理部50(参照图1)，上下层叠配置有3个涂敷单元BARC。各涂敷单元BARC具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘51以及向被保持在旋转卡盘51上的基板W供给反射防止膜的涂敷液的供给喷嘴52。
在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用涂敷处理部60(参照图1)，上下层叠配置有3个涂敷单元RES。各涂敷单元RES具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘61以及向被保持在旋转卡盘61上的基板W供给抗蚀膜的涂敷液的供给喷嘴62。
在显影处理区12的显影处理部70(参照图1)，上下层叠配置有5个显影处理单元DEV。各显影处理单元DEV具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘71以及向被保持在旋转卡盘71上的基板W供给显影液的供给喷嘴72。
在浸液曝光用处理区13上下层叠配置有抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200以及抗蚀剂盖膜除去处理部250。在抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200上下层叠配置有2个涂敷单元COV。各涂敷单元COV具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘201以及向被保持在旋转卡盘201上的基板W供给抗蚀剂盖膜的涂敷液的供给喷嘴202。作为抗蚀剂盖膜的涂敷液，可以使用和抗蚀剂以及水的亲和力低的材料(与抗蚀剂以及水的反应性低的材料)。例如氟树脂。涂敷单元COV，通过使基板W旋转的同时在基板W上涂敷涂敷液，由此在形成于基板W上的抗蚀膜上形成抗蚀剂盖膜。
在浸液曝光用处理区13的抗蚀剂盖膜除去处理部250配置有1个除去单元REM。除去单元REM具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘251以及向保持在旋转卡盘251上的基板W供给剥离液(例如氟树脂)的供给喷嘴252。除去单元REM，通过使基板W旋转的同时在基板W上涂敷剥离液，除去形成于基板W上的抗蚀剂盖膜。
此外，除去单元REM中的抗蚀剂盖膜的除去方法不限于上述的例子。例如，可以通过在基板W的上方使细缝喷嘴移动的同时向基板W上供给剥离液来除去抗蚀剂盖膜。
在接口区14，上下层叠配置有2个边缘曝光部EEW、返回缓冲贮存部RBF、以及基板装载部PASS11、PASS12，同时配置有第五中心机械手CR5(参照图1)以及接口用运送机构IFR。各边缘曝光部EEW具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘98以及对被保持在旋转卡盘98上的基板W的周边进行曝光的光照射器99。
图3是从-X方向观察图1中的基板处理装置500的侧视图。
在反射防止膜用处理区10的反射防止膜用热处理部100，层叠配置有两个冷却单元(冷却板)CP，在反射防止膜用热处理部101，上下层叠配置有4个加热单元(加热板)HP以及两个冷却单元CP。另外，在反射防止膜用热处理部100、101，分别在最上部配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用热处理部110，上下层叠配置有4个冷却单元CP，在抗蚀膜用热处理部111，上下层叠配置有4个加热单元HP。另外，在抗蚀膜用热处理部110、111，分别在最上部配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。
在显影处理区12的显影用热处理部120，上下层叠配置有4个冷却单元CP，在显影用热处理部121，上下层叠配置有4个加热单元HP。另外，在显影用热处理部120、121，分别在最上部配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。
在浸液曝光用处理区13的抗蚀剂盖膜用热处理部130，上下层叠配置有4个加热单元HP以及4个冷却单元CP，在曝光后烘干用热处理部131上下层叠配置有4个加热单元HP、1个冷却单元CP、基板装载部PASS9、PASS10以及1个冷却单元CP。在抗蚀剂盖膜用热处理部130以及曝光后烘干用热处理部131，分别在最上部配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。
接着，针对本实施方式的基板处理装置500的动作进行说明。
在分度器区9的搬运器装载台40上，运入多层容纳有多张基板W的搬运器C。分度器机械手IR使用手部IRH取出容纳在搬运器C内的未处理的基板W。然后，分度器机械手IR沿±X方向移动的同时沿±θ方向旋转移动，将未处理的基板W移载到基板装载部PASS1上。
在本实施方式中，采用FOUP(front opening unified pod：前开式统一标准箱)作为搬运器C，但是不限于此，也可以使用SMIF(Standard MechanicalInter Face：标准机械界面)盒和将容纳基板W曝露在外部空气中的OC(opencassette：开放式盒子)等。进一步，在分度器机械手IR、第一～第五中心机械手CR1～CR5以及接口用运送机构IFR，分别使用相对基板W直线滑动而进行手部的进退动作的直线运动型运送机械手，但是不限于此，可以使用通过使关节动作来直线地进行手部的进退动作的多关节型运送机械手。
移载到基板装载部PASS1上的未处理的基板W，由反射防止膜用处理区10的第一中心机械手CR1接受。第一中心机械手CR1将基板W运入到反射防止膜用热处理部100。然后，第一中心机械手CR1从反射防止膜用热处理部100取出热处理过的基板W，并运入到反射防止膜用涂敷处理部50。在该反射防止膜用涂敷处理部50中，为了减少曝光时产生的驻波和光晕，通过涂敷单元BARC在基板W上涂敷形成反射防止膜。
然后，第一中心机械手CR1从反射防止膜用涂敷处理部50取出涂敷处理过的基板W并运入反射防止膜用热处理部100、101。接着，第一中心机械手CR1从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理过的基板W，移载到基板装载部PASS3。
移载到基板装载部PASS3的基板W由抗蚀膜用处理区11的第二中心机械手CR2接受。第二中心机械手CR2将基板W运入到抗蚀膜用热处理部110。然后，第二中心机械手CR2从抗蚀膜用热处理部110取出热处理过的基板W，并运入到抗蚀膜用涂敷处理部60。在该抗蚀膜用涂敷处理部60中，通过涂敷单元RES在涂敷形成了反射防止膜的基板W上涂敷形成抗蚀膜。
然后，第二中心机械手CR2从抗蚀膜用涂敷处理部60取出涂敷处理过的基板W，运入到抗蚀膜用热处理部110、111。接着，第二中心机械手CR2从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理过的基板W，移载到基板装载部PASS5。
移载到基板装载部PASS5的基板W由显影处理区12的第三中心机械手CR3接受。第三中心机械手CR3将基板W移载到基板装载部PASS7。
移载到基板装载部PASS7的基板W，由浸液曝光用处理区13的第四中心机械手CR4接受。第四中心机械手CR4将基板W运入到抗蚀剂盖膜用热处理部130。然后，第四中心机械手CR4从抗蚀剂盖膜用热处理部130取出热处理过的基板W，运入到抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200。在该抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200中，像上述那样，通过涂敷单元COV在抗蚀膜上涂敷形成抗蚀剂盖膜。
然后，第四中心机械手CR4从抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200取出涂敷处理过的基板W，运入抗蚀剂盖膜用热处理部130。
接着，第四中心机械手CR4从抗蚀剂盖膜用热处理部130取出热处理过的基板W，移载到基板装载部PASS9。移载到基板装载部PASS9的基板W由接口区14的第五中心机械手CR5的上侧的手部CRH9接受。第五中心机械手CR5通过手部CRH9将基板W运入边缘曝光部EEW。在该边缘曝光部EEW，在基板W的周边部实施曝光处理。
接着，第五中心机械手CR5通过手部CRH9从边缘曝光部EEW取出边缘曝光处理过的基板W。然后，第五中心机械手CR5由手部CRH9将基板W移载到基板装载部PASS11。
移载到基板装载部PASS11的基板W由接口用运送机构IFR运入曝光装置15。在曝光装置15中对基板W实施了曝光处理后，接口用运送机构IFR将基板W移载到PASS12。此外，关于接口用运送机构IFR的具体结构，在后面叙述。
移载到基板装载部PASS12的基板W由接口区1的第五中心机械手CR5的下侧的手部CRH10接受。第五中心机械手CR5通过手部CRH10将基板W运入到浸液曝光用处理区13的曝光后烘干用热处理部131。在曝光后烘干用热处理部131中，对基板W进行曝光后烘干(PEB)。然后，第五中心机械手CR5从曝光后烘干用热处理部131取出热处理过的基板W，移载到基板装载部PASS10。
移载到基板装载部PASS10的基板W由浸液曝光用处理区13的第四中心机械手CR4接受。第四中心机械手CR4将基板W运入到抗蚀剂盖膜除去处理部250。在该抗蚀剂盖膜除去处理部250中，像上述那样，通过除去单元REM除去抗蚀剂盖膜。
然后，第四中心机械手CR4从抗蚀剂盖膜除去处理部250取出处理过的基板W，移载到基板装载部PASS8。
移载到基板装载部PASS8的基板W由显影处理区12的第三中心机械手CR3接受。第三中心机械手CR3将基板W运入到显影处理部70。在显影处理部70中，通过显影处理单元DEV，对基板W实施显影处理。
然后，第三中心机械手CR3从显影处理部70取出显影处理过的基板W，运入到显影用热处理部120、121。接着，第三中心机械手CR3从显影用热处理部120、121取出热处理后的基板W，移载到基板装载部PASS6。
移载到基板装载部PASS6的基板W由抗蚀膜用处理区11的第二中心机械手CR2移载到基板装载部PASS4。移载到基板装载部PASS4的基板W由反射防止膜用处理区10的第一中心机械手CR1移载到基板装载部PASS2。
移载到基板装载部PASS2的基板W通过分度器区9的分度器机械手IR而容纳在搬运器C内。由此，基板处理装置500中的基板W的各个处理结束。
此外，由于故障等，在抗蚀剂盖膜除去处理部250暂时不能接受基板W时，在曝光后烘干用热处理部131中对基板W实施了热处理之后，可以暂时将基板W容纳保管在接口区14的返回缓冲贮存部RBF中。
如上所述，在本实施方式的基板处理装置500中，在曝光装置15中对基板W进行曝光处理之前，通过浸液曝光用处理区13的涂敷单元COV，在形成于基板W上的抗蚀膜上形成抗蚀剂盖膜。此时，即使在曝光处理15中基板W和液体接触，也因为可以由抗蚀剂盖膜防止抗蚀膜和液体接触，所以能够防止抗蚀剂的成分稀出到液体中。因此，防止曝光装置15内的污染的同时，也能防止在基板W的表面残留抗蚀剂的成分。由此，能够降低在曝光装置15中曝光处理时的基板W的处理不良。
另外，在显影处理区12对基板W进行显影处理之前，通过浸液曝光用处理区13的除去单元REM，进行抗蚀剂盖膜的除去处理。此时，因为在显影处理之前可靠的除去抗蚀剂盖膜，所以能够可靠的进行显影处理。由此，能够降低在显影处理单元DEV中曝光处理后的基板W的处理不良。
另外，因为浸液曝光用处理区13以相邻接口区14的方式配置，所以能够在曝光处理之前或之后进行抗蚀剂盖膜的形成以及抗蚀剂盖膜的除去。
另外，在本实施方式中，因为将用于对曝光处理前的基板W进行处理的处理单元(涂敷单元COV)和用于对曝光处理之后的基板W进行处理的处理单元(除去单元REM)配置在一个处理区内，所以能够降低基板处理装置500的占有空间。
进一步，本实施方式的基板处理装置500具有对已有的基板处理装置追加浸液曝光用处理区13的结构，所以能够以低成本降低在曝光处理时以及曝光处理后的处理工序中产生的基板W的处理不良。
接着，针对接口用运送机构IFR进行说明。图4是用于说明接口用运送机构IFR的构成以及动作的图。
首先，针对接口用运送机构IFR的构成进行说明。如图4所示，接口用运送机构IFR的可动台31与螺杆轴32螺合。螺杆轴32以在X方向上延伸的方式由支撑台33可旋转地支撑着。在螺杆轴32的一端部设置有马达M1，通过该马达M1，螺杆轴32旋转，可动台31在±X方向上水平移动。
另外，在可动台31，在±θ方向可旋转并且在±Z轴方向可升降地装载有手部支撑台34。手部支撑台34经由旋转轴35与可动台31内的马达M2连接，通过该马达M2，手部支撑台34旋转。在手部支撑台34，在上下可自由进退地设置有以水平姿势保持基板W的两个手部H5、H6。
接着，针对接口用运送机构IFR的动作进行说明。接口用运送机构IFR的动作由图1的主控制器30控制。
首先，接口用运送机构IFR，在图4的位置A使手部支撑台34旋转的同时，沿+Z方向上升，使上侧的手部H5进入基板装载部PASS11。在基板装载部PASS11中，当手部H5接受到基板W时，接口用运送机构IFR使手部H5从基板装载部PASS11后退，使手部支撑台34沿-Z方向下降。
接着，接口用运送机构IFR沿-X方向移动，在位置B，使手部支撑台34旋转的同时，使手部H5进入曝光装置15的基板运入部15a(参照图1)。将基板W运入基板运入部15a之后，接口用运送机构IFR使手部H5从基板运入部15a后退。
接着，接口用运送机构IFR使下侧的手部H6进入曝光装置15的基板运出部15b(参照图1)。在基板运出部15b中，当手部H6接受到曝光处理后的基板W时，接口用运送机构IFR使手部H6从基板运出部15b后退。
然后，接口用运送机构IFR沿+X方向移动，在位置A使手部支撑台34旋转的同时，使手部H5进入基板装载部PASS12，将基板W移载到基板装载部PASS12。
此外，将基板W从基板装载部PASS11运送到曝光装置15时，在曝光装置15不能接受基板W的情况下，基板W暂时被容纳保管在输送缓冲贮存部SBF中。
如上所述，在本实施方式中，在将基板W从基板装载部PASS11运送到曝光装置15时，使用接口用运送机构IFR的手部H5，在将基板W从曝光装置15运送到基板装载部PASS12时，使用手部H6。即，手部H6使用于曝光处理之后的附着有液体的基板W的运送，手部H5使用于未附着液体的基板W的运送。因此，基板W的液体不会附着在手部H5上。
另外，因为手部H6设置在手部H5的下方，所以液体即使从手部H6以及其保持的基板W落下，液体也不会附着在手部H5以及其保持的基板W上。
进一步，如上所述，在第五中心机械手CR5同样，下侧的手部CRH10使用于曝光处理之后的附着有液体的基板W的运送(在基板装载部PASS12和曝光后烘干用热处理部131之间)，上侧的手部CRH9使用于曝光处理之前的未附着液体的基板W的运送(在基板装载部PASS9和边缘曝光部EEW之间以及边缘曝光部EEW和基板装载部PASS11之间)。因此，在第五中心机械手CR5，液体也不会附着在曝光处理之前的基板W上。
这些结果，因为可以可靠的防止液体附着在曝光处理之前的基板W上，所以可以充分的防止由环境中的尘埃等的附着导致的基板W的污染。由此，可以防止在曝光装置15中曝光处理时的基板W的处理不良的产生。
此外，在本实施方式中，通过1台接口用运送机构IFR进行从基板装载部PASS11向曝光装置15的运送、从曝光装置15向基板装载部PASS12的运送，但是也可以使用多个接口用运送机构IFR来进行基板W的运送。
另外，可以根据曝光装置15的基板运入部15a以及基板运出部15b的位置，变更接口用运送机构IFR的动作以及构成。例如，曝光装置15的基板运入部15a以及基板运出部15b处在与图4的位置A相对向的位置时，可以不设置图4的螺杆轴32。
另外，涂敷单元BARC、RES、COV、显影处理单元DEV、除去单元REM、加热单元HP以及冷却单元CP的个数可以对应于各处理区的处理速度而适当变更。
(第二实施方式)
图5是第二实施方式的基板处理装置501的侧视图。图5的基板处理装置501和图2的基板处理装置500不同的是这一点：取代浸液曝光用处理区13的抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200以及抗蚀剂盖膜除去处理部250而上下层叠配置清洗处理部300以及干燥处理部350。
在浸液曝光用处理区13的清洗处理部300，上下层叠配置有2个清洗处理单元SOAK。在该清洗处理单元SOAK中，对基板W进行清洗以及干燥处理。关于清洗处理单元SOAK的具体机构在后面叙述。
浸液曝光用处理区13的干燥处理部350配置有1个干燥处理单元。此外，干燥处理单元DRY具有和清洗处理单元SOAK相同的结构，对基板W进行清洗以及干燥处理。
下面，针对本实施方式的基板处理装置501的动作进行说明。此外，分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11以及显影处理区12的动作和第一实施方式相同。
经由分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11以及显影处理区12而被移载到基板装载部PASS7(图1)的基板W由浸液曝光用处理区13的第四中心机械手CR4(图1)接受。第四中心机械手CR4将基板W运入图5的清洗处理部300。在该清洗处理部300中，像上述那样，通过清洗处理单元SOAK对基板W进行清洗处理以及干燥处理。
接着，第四中心机械手CR4从清洗处理部300取出清洗处理后的基板W，并移载到基板装载部PASS9(图1)。移载到基板装载部PASS9的基板W由接口区14的第五中心机械手CR5(图1)接受。然后，第五中心机械手CR5将基板W运入图5的边缘曝光部EEW。在该边缘曝光部EEW中，对基板W的周边部实施曝光处理。
接着，第五中心机械手CR5从边缘曝光部EEW取出边缘曝光处理过的基板W，移载到基板装载部PASS11。然后，接口用运送机构IFR通过上侧的手部H5将基板W从基板装载部PASS11运送到曝光装置15。在该曝光装置15中，通过浸液法对基板W进行曝光处理。
接着，接口用运送机构IFR通过下侧的手部H6将曝光处理过的基板W从曝光装置15运送到干燥处理部350。在该干燥处理部350中，如上所述，由干燥处理单元DRY对基板W进行干燥处理。
接着，接口用运送机构IFR通过手部H5将干燥处理过的基板W从干燥处理部350移载到基板装载部PASS12。
移载到基板装载部PASS12的基板W由接口区14的第五中心机械手CR5接受。第五中心机械手CR5将基板W运入浸液曝光用处理区13的曝光后烘干用热处理部131(图1)。在曝光后烘干用热处理部131中，对基板W进行曝光后烘干(PEB)。然后，第五中心机械手CR5从曝光后烘干用热处理部131取出热处理后的基板W，移载到基板装载部PASS10(图1)。
移载到基板装载部PASS10的基板W由浸液曝光用处理区13的第四中心机械手CR4接受。第四中心机械手CR4将基板W移载到基板装载部PASS8。
移载到基板装载部PASS8的基板W经由显影处理区12、抗蚀膜用处理区11、反射防止膜用处理区10以及分度器区9而运送到搬运器C。
在这里，对上述的清洗处理单元SOAK利用附图进行详细说明。
首先，对清洗处理单元SOAK的结构进行说明。图6是用于说明清洗处理单元SOAK的结构的图。
如图6所示，清洗处理单元SOAK具有用于将基板W水平保持的同时在通过基板W的中心的垂直的旋转轴的周围使基板W旋转的旋转卡盘621。
旋转卡盘621固定在通过卡盘旋转驱动机构636而旋转的旋转轴625的上端。另外，在旋转卡盘621上形成有吸气路径(未图示)，通过在将基板W装载到旋转卡盘621上的状态下在吸气路径内排气，从而将基板W的下表面与旋转卡盘621真空吸附，可以将基板W以水平姿势保持。
在旋转卡盘621的外侧设置有第一旋转马达660。在第一旋转马达660连接有第一旋转轴661。另外，第一臂部662以向水平方向延伸的方式连接在第一旋转轴661上，并在第一臂部662的前端设置有清洗处理用喷嘴650。
通过第一旋转马达660旋转第一旋转轴661的同时使第一臂部662旋转，清洗处理用喷嘴650移动到由旋转卡盘621保持的基板W的上方。
以通过第一旋转马达660、第一旋转轴661以及第一臂部662的内部的方式设置有清洗处理用供给管663。清洗处理用供给管663是通过阀门Va以及阀门Vb连接清洗液供给源R1以及冲洗液供给源R2。通过控制该阀门Va、Vb的开闭，从而可以进行供给到清洗处理用供给管663的处理液的选择以及供给量的调整。在图6的结构中，通过打开阀门Va，可以将清洗液供给到清洗处理用供给管663，通过打开阀门Vb，可以将冲洗液供给到清洗处理用供给管663。
将清洗液或者冲洗液通过清洗处理用供给管663从清洗液供给源R1或者冲洗液供给源R2供给到清洗处理用喷嘴650。由此，可以向基板W的表面供给清洗液或者冲洗液。清洗液可以使用例如纯水、在纯水中溶解了络合物(离子化的物质)的液体或者氟类药液等。冲洗液可以使用例如纯水、碳酸水、含氢水、电解离子水以及HFE(氢氟醚)的任一种。
在旋转卡盘621的外侧设置有第二旋转马达671。在第二旋转马达671连接有第二旋转轴672。另外，第二臂部673以向水平方向延伸的方式连接在第二旋转轴672上，并在第二臂部673的前端设置有干燥处理用喷嘴670。
通过第二旋转马达671旋转第二旋转轴672的同时使第二臂部673旋转，干燥处理用喷嘴670移动到由旋转卡盘621保持的基板W的上方。
以通过第二旋转马达671、第二旋转轴672以及第二臂部673的内部的方式设置有干燥处理用供给管674。干燥处理用供给管674经由阀门Vc连接于惰性气体供给源R3。通过控制该阀门Vc的开闭，从而可以调整供给到干燥处理用供给管674的惰性气体的供给量。
惰性气体经由干燥处理用供给管674而从惰性气体供给源R3供给到干燥处理用喷嘴670。由此，可以向基板W的表面供给惰性气体。惰性气体可以使用例如氮气(N2)。
在向基板W的表面供给清洗液或者冲洗液时，消洗处理用喷嘴650位于基板的上方，在向基板W的表面供给惰性气体时，清洗用喷嘴650退避到规定的位置。
另外，在向基板W的表面供给清洗液或者冲洗液时，干燥处理用喷嘴670退避到规定的位置，在向基板W的表面供给惰性气体时，干燥处理用喷嘴670位于基板W的上方。
由旋转卡盘621保持的基板W被容纳于处理杯623内。在处理杯623的内侧，设置有筒状的间隔壁633。另外，以包围旋转卡盘621的周围的方式形成有用于排出基板W的处理中使用的处理液(清洗液或者冲洗液)的排液空间631。进一步，以包围排液空间631的方式形成有用于在处理杯623和间隔壁633之间回收基板W的处理中使用的处理液的回收液空间632。
在排液空间631，连接着用于向排液处理装置(未图示)引导处理液的排液管634，在回收液空间632连接着用于向回收处理装置(未图示)引导处理液的回收管635。
在处理杯623的上方设置有用于防止来自基板W的处理液向外侧飞散的防护装置624。该防护装置624由相对于旋转轴625而旋转对称的形状构成。在防护装置624上端部的内面，环状形成截面“＜”字状的排液引导槽641。
另外，在防护装置624的下端部的内面，形成有由向外侧下方倾斜的倾斜面构成的回收液引导部642。在回收液引导部642的上端附近，形成有用于容纳处理杯623的间隔壁633的间隔壁容纳槽643。
该防护装置624上设置有用滚珠丝杠机构等构成的防护装置升降驱动机构(未图示)。防护装置升降驱动机构，使防护装置624在回收液引导部642与保持在旋转卡盘621上的基板W的外周端面相对向的回收位置、和排液引导槽641与保持在旋转卡盘621上的基板W的外周端面相对向的排液位置之间上下移动。在防护装置624位于回收位置(如图6所示的防护装置的位置)的情况下，将从基板W向外侧飞散的处理液通过回收液引导部642引导到回收液空间632，而通过回收管635进行回收。另一方面，在防护装置624位于排液位置时，将从基板W向外侧飞散的处理液通过排液引导槽641引导到排液空间631，通过排液管634排液。根据以上的结构，进行处理液的排液以及回收。
接着，对具有上述结构的清洗处理单元SOAK的处理动作进行说明。此外，以下说明的清洗处理单元SOAK的各构成要件的动作通过图5的主控制器30进行控制。
首先，在运入基板W时，防护装置624下降的同时，将基板W装载到旋转卡盘621上。装载在旋转卡盘621上的基板W，通过旋转卡盘621而被吸附保持。
然后，防护装置624移动到上述排液位置的同时，清洗处理用喷嘴650向基板W的中心部上方移动。其后，旋转轴625旋转，伴随着该旋转而被保持在旋转卡盘621上的基板W旋转。其后，将清洗液从清洗处理用喷嘴650喷到基板W的上表面。由此，进行基板W的清洗，基板W上的抗蚀剂的成分稀出到清洗液中。在这里，基板W的清洗中，使基板W旋转的同时向基板W上供给清洗液。这时，基板W上的清洗液由于离心力而总是向基板W的周边部分移动飞散。因而，可以防止稀出到清洗液中的抗蚀剂的成分残留在基板W上。此外，上述抗蚀剂的成分也可以例如通过在基板W上盛满纯水并保持一定时间来稀出。还有，向基板W上的清洗液的供给，也可以通过使用2流体喷嘴的柔性喷射(ソフトスプレ一)方式进行。
经过规定时间后，停止清洗液的供给，从清洗处理用喷嘴650喷射冲洗液。由此，冲洗基板W上的清洗液。其结果，可以可靠的防止稀出到清洗液中的抗蚀剂液的成分残留在基板W上。
进一步，经过规定时间后，旋转轴625的旋转速度降低。由此，通过基板W的旋转而甩开的冲洗液的量减少，如图7A所示，在基板W的表面整体上形成冲洗液的液层L。此外，也可以使旋转轴625的旋转停止而在基板W的表面整体上形成液层L。
在本实施方式中，采用下述结构：以可以从清洗液处理用喷嘴650任意供给清洗液以及冲洗液的方式，采用在清洗液的供给以及冲洗液的供给中共用清洗液处理用喷嘴650的结构。但也可以采用清洗液供给用的喷嘴和冲洗液处理用的喷嘴分别分开的结构。
另外，在供给冲洗液时，为了使冲洗液不漫延到基板W的背面，对基板W的背面从未图示的防冲洗用喷嘴供给纯水也可以。
此外，在清洗基板W的清洗液使用纯水的情况下，不需要进行冲洗液的供给。
接着，停止冲洗液的供给，清洗处理用喷嘴650退避到规定的位置的同时，干燥处理用喷嘴670移动到基板W的中心部上方。其后，从干燥处理用喷嘴670喷射惰性气体。由此，如图7B所示变为以下状态：基板W的中心部的冲洗液移动到基板W的周边部，仅基板W的周边部存在液层L。
接着，旋转轴625(参照图6)的转速上升的同时，如图7C所示，干燥处理用喷嘴670从基板W的中心部上方向周边部上方缓缓移动。由此，在基板W上的液层L作用很大离心力的同时，可以对基板W的表面整体喷射惰性气体，因此，可以确实除去基板W上的液层L。其结果，可以使基板W确实干燥。
接着，停止惰性气体的供给，干燥处理喷嘴670退避到规定的位置的同时使旋转轴625的旋转停止。其后，防护装置624下降的同时将基板W从清洗处理单元SOAK运出。由此，清洗处理单元SOAK中的处理动作结束。
此外，清洗以及干燥处理中的防护装置624的位置最好是按照处理液的回收或者排液的需要而适当变更。
此外，在图6所示的清洗处理单元SOAK中，将清洗处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670分别单独设置，但如图8所示，也可以将清洗处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670一体设置。这时，由于不需要在基板W的清洗处理时或者干燥处理时将清洗处理用喷嘴650以及干燥处理用喷嘴670分别各自移动，所以可以使驱动机构简单化。
另外，代替干燥处理用喷嘴670，而使用如图9所示的干燥处理用喷嘴770也是可以的。
图9的干燥处理用喷嘴770具有向垂直下方延伸的同时从侧面向斜下方延伸的分支管771、772。在干燥处理用喷嘴770的下端以及分支管771、772的下端形成喷射惰性气体的气体喷射口770a、770b、770c。从各喷射口770a、770b、770c分别如图9的箭头所示向垂直下方以及斜下方喷射惰性气体。即，在干燥处理用喷嘴770中，以向下方扩大喷射范围的方式喷射惰性气体。
在这里，使用干燥处理用喷嘴770时，清洗处理单元SOAK通过以下说明的动作进行基板W的干燥处理。
图10A～图10C是用于说明使用了干燥处理用喷嘴770的情况下的基板W的干燥处理方法的图。
首先，通过在图7A中说明的方法在基板W的表面形成液层L之后，如图10A所示，干燥处理用喷嘴770向基板W的中心部上方移动。其后，从干燥处理用喷嘴770喷射惰性气体。由此，如图10B所示变为以下状态：基板W的中心部的冲洗液移动到基板W的周边部，仅基板W的周边部存在液层L。此外，这时，干燥处理用喷嘴770接近基板W的表面，以使存在于基板W的中心部的冲洗液确实移动。
然后，在旋转轴625(参照图6)的转速上升的同时，如图10C所示干燥处理用喷嘴770向上方移动。由此，在基板W上的液层L作用很大的离心力的同时，基板W上的惰性气体喷射的范围扩大。其结果，可以确实除去基板W上的液层L。另外，干燥处理用喷嘴770通过设置在图6的第二旋转轴672上的旋转轴升降机构(未图示)而使第二旋转轴672上下升降，从而可以上下移动。
另外，代替干燥处理用喷嘴770，而使用如图11所示的干燥处理用喷嘴870也可以。图11的干燥处理用喷嘴870具有向下方缓慢扩大直径的喷射口870a。从该喷射口870a沿图11所示的箭头向垂直下方以及斜下方喷射惰性气体。即，即使在干燥处理用喷嘴870，也与图9的干燥处理用喷嘴770相同，以向下方喷射的范围扩大的方式喷射惰性气体。因而，使用干燥处理用喷嘴870的情况下，也通过与使用干燥处理用喷嘴770的情况相同的方法从而可以进行基板W的干燥处理。
另外，代替图6所示的清洗处理单元SOAK，也可以使用如图12所示的清洗处理单元SOAKa。
图12所示的清洗处理单元SOAKa与图6所示的清洗处理单元SOAK的不同点为以下所说明的点。
在图12的清洗处理单元SOAKa中，在旋转卡盘621的上方设置有在中心部具有开口的圆板状的遮断板682。从臂部688的前端附近向垂直下方设置支承轴689，在该支承轴689的下端，遮断板682以与保持在旋转卡盘621上的基板W的上表面相对向的方式安装着。
在支承轴689的内部，贯通有与遮断板682的开口连通着的气体供给路径690。在气体供给路径690例如供给氮气(N2)。
在臂部688，连接着遮断板升降驱动机构697以及遮断板旋转驱动机构698。遮断板升降驱动机构697使遮断板682在与保持在旋转卡盘621上的基板W的上表面接近的位置和从旋转卡盘621离开到上方的位置之间上下移动。
在图12的清洗处理单元SOAKa中，在基板W的干燥处理时，如图13所示，在使遮断板682接近基板W的状态下，对基板W和遮断板682之间的间隙从气体供给路径690供给惰性气体。这时，从基板W的中心部向周边部可以高效的供给惰性气体，因此，可以确实除去基板W上的液层L。
另外，上述实施方式中，在清洗处理单元SOAK中通过旋转干燥方法对基板W执行干燥处理，但也可以通过减压干燥方法、风刀干燥方法等其他的干燥方法对基板W实施干燥处理。
另外，在上述实施方式中，是在形成冲洗液的液层L的状态下，从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体，但在没有形成冲洗液的液层L的情况或者没有使用冲洗液的情况下，使基板W旋转而将清洗液的液层一旦甩开之后，立即从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体而使基板W完全干燥也是可以的。
另外，如上所述，作为干燥处理单元DRY，可以使用和上述的清洗处理单元SOAK、SOAKa相同的结构的单元。此外，在干燥处理单元DRY中，为了防止基板W上的抗蚀剂的成分的稀出，最好是调整清洗液以及冲洗液的供给量以及供给时间等。由此，能够防止在曝光装置15中形成在基板W上的曝光图形的变形。
如上所述，在本实施方式的基板处理装置501中，在曝光装置15中对基板W进行曝光处理之前，在清洗处理单元SOAK中对基板W进行清洗处理。在该清洗处理时，基板W上的抗蚀剂液的成分的一部分稀出到清洗液或者冲洗液中，而被冲洗掉。因此，即使在曝光处理15中基板W和液体接触，基板W上的抗蚀剂的成分几乎没有稀出到液体中。由此，防止曝光装置15内的污染的同时，也能防止在基板W的表面残留抗蚀剂的成分。
另外，在清洗处理单元SOAK中，在清洗处理后，通过旋转基板W，同时将惰性气体从基板W中心部向周边部吹拂，从而进行基板W的干燥处理。这时，由于可以确实除去基板W上的清洗液以及冲洗液，所以可以确实防止环境中的尘埃等附着在清洗后的基板W上。由此，在可以确实防止基板W的污染的同时，可以防止在基板W的表面产生干燥后的水斑。
另外，由于可以确实防止在清洗后的基板W上残留清洗液以及冲洗液，所以在从清洗处理单元SOAK将基板W运送到曝光装置15时，可以确实防止抗蚀剂的成分进一步稀出到清洗液以及冲洗液中。由此，可以确实防止抗蚀膜的形状不良的产生的同时，可以确实防止曝光装置15内的污染。
这些的结果是，可以降低曝光装置15中的曝光处理时的基板W的处理不良。
另外，在曝光装置15中对基板W进行曝光处理之后，在干燥处理单元DRY中，通过一边旋转基板W一边从基板W的中心部向周边部喷射惰性气体，而对基板W进行干燥处理。此时，能够确实地除去基板W上的清洗液以及冲洗液，因此，能够确实地防止环境中的尘埃等附着在清洗后的基板W上。由此，能够确实地防止对基板W的污染的同时，能够防止在基板W表面产生干燥后的水斑。
还有，由于能够确实防止在清洗后的基板W上残留清洗液以及冲洗液，因此，能够确实防止基板W从干燥处理单元DRY被运送到显影处理部70的过程中，抗蚀剂的成分稀出到清洗液以及冲洗液中。由此，能够防止形成在抗蚀膜上的曝光图形的变形。其结果，能确实防止显影处理时的线宽精度的降低。
另外，在干燥处理单元DRY中，在对基板W进行干燥处理之前，进行基板W的清洗处理。此时，在曝光时附着了液体的基板W从曝光装置15向干燥处理单元DRY运送的过程中，环境中的尘埃等即使附着在该基板W上，也能确实除去该附着物。
它们的结果是，能够确实地防止基板W的处理不良。
另外，浸液曝光用处理区13以相邻于接口区14的方式配置，所以可以将曝光处理后的基板W马上运送到干燥处理单元DRY。因此，在基板W从干燥处理单元DRY运送到接口区14、浸液曝光用处理区13、显影处理区12、抗蚀膜用处理区11、反射防止膜用处理区10以及分度器区9时，可防止液体落下到基板处理装置501内。其结果，可防止基板处理装置501的电气系统的异常等的动作不良。
另外，在本实施方式中，因为将用于对曝光处理前的基板W进行处理的处理单元(清洗处理单元SOAK)和用于对曝光处理之后的基板W进行处理的处理单元(干燥处理单元DRY)配置在一个处理区内，所以能够降低基板处理装置501的占有空间。
进一步，本实施方式的基板处理装置501具有对已有的基板处理装置追加浸液曝光用处理区13的结构，所以能够以低成本降低在曝光处理时以及曝光处理后的处理工序中产生的基板W的处理不良。
另外，在本实施方式中，在将基板W从基板装载部PASS11运送到曝光装置15时以及从干燥处理部350运送到基板装载部PASS12时，使用接口用运送机构IFR的手部H5，在将基板W从曝光装置15运送到干燥处理部350时，使用手部H6。即，在运送曝光处理后的附着了液体的基板W时使用手部H6，在运送未附着液体的基板W时使用手部H5。由此，基板W的液体不会附着在手部H5上。
另外，因为手部H6设置在手部H5的下方，所以液体即使从手部H6以及其保持的基板W落下，液体也不会附着在手部H5以及其保持的基板W上。
这些结果是，由于能确实的防止液体附着在干燥处理后的基板W上，所以能够更确实防止液体落下到基板处理装置501内导致的基板处理装置501的动作不良。
另外，由于能防止环境中的尘埃附着在曝光处理前以及干燥处理后的基板W上，所以可以防止由环境中的尘埃等的附着导致的基板W的污染。由此，能更确实防止曝光处理时以及曝光处理后的基板W的处理不良的产生。
此外，涂敷单元BARC、RES、显影处理单元DEV、清洗处理单元SOAK、干燥处理单元DRY、加热单元HP以及冷却单元CP的个数可以对应各处理区的处理速度而适当变更。
(第三实施方式)
图14是第三实施方式的基板处理装置502的侧视图。图14的基板处理装置502和图2的基板处理装置500不同的是这一点：取代显影处理区12的显影处理部70的一部分而设置抗蚀剂盖膜除去处理部250，取代浸液曝光用处理区13的抗蚀剂盖膜除去处理部250而设置干燥处理部350。
下面，针对本实施方式的基板处理装置502的动作进行说明。此外，分度器区9、反射防止膜用处理区10、以及抗蚀膜用处理区11的动作和第一
实施方式相同。
经由分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11而移载到基板装载部PASS5的基板W由显影处理区12的第三中心机械手CR3接受。第三中心机械手CR3将基板W移栽到基板装载部PASS7(图1)。
移载到基板装载部PASS7的基板W由浸液曝光用处理区13的第四中心机械手CR4(图1)接受。第四中心机械手CR4将基板W运入抗蚀剂盖膜用热处理部130(图1)。然后，第四中心机械手CR4从抗蚀剂盖膜用热处理部130取出热处理过的基板W，运入图14的抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200。在该抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200中，像上述那样，通过涂敷单元COV在抗蚀膜上涂敷形成抗蚀剂盖膜。
然后，第四中心机械手CR4从抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200取出涂敷处理过的基板W，运入抗蚀剂盖膜用热处理部130(图1)。
接着，第四中心机械手CR4从抗蚀剂盖膜用热处理部130取出热处理过的基板W，移载到基板装载部PASS9(图1)。移载到基板装载部PASS9的基板W由接口区14的第五中心机械手CR5(图1)接受。第五中心机械手CR5将基板W运入到图14的边缘曝光部EEW。
接着，第五中心机械手CR5从边缘曝光部EEW取出边缘曝光处理过的基板W，移载到基板装载部PASS 11。然后，接口用运送机构IFR通过上侧的手部H5将基板W从基板装载部PASS11运送到曝光装置15。在该曝光装置15中，通过浸液法对基板W进行曝光处理。
接着，接口用运送机构IFR通过下侧的手部H6将曝光处理过的基板W从曝光装置15运入到干燥处理部350。在该干燥处理部350，如上述那样，由干燥处理单元DRY对基板W进行干燥处理。
接着，接口用运送机构IFR通过手部H5将干燥处理过的基板W从干燥处理部350移载到基板装载部PASS12。
移载到基板装载部PASS12的基板W由第五中心机械手CR5(图1)接受。第五中心机械手CR5将基板W运入浸液曝光用处理区13的曝光后烘干用热处理部131(图1)。然后，第五中心机械手CR5从曝光后烘干用热处理部131取出热处理过的基板W，移载到基板装载部PASS10(图1)。
移载到基板装载部PASS10的基板W由浸液曝光用处理区13的第四中心机械手CR4接受。第四中心机械手CR4将基板W移载到基板装载部PASS8。
移载到基板装载部PASS8的基板W由显影处理区12的第三中心机械手CR3接受。第三中心机械手CR3将基板W运入到抗蚀剂盖膜除去处理部250。在该抗蚀剂盖膜除去处理部250中，像上述那样，由除去单元REM除去抗蚀剂盖膜。
然后，第三中心机械手CR3从抗蚀剂盖膜除去处理部250取出处理过的基板W，运入到显影处理部70。接着，第三中心机械手CR3从显影处理部70取出显影处理过的基板W，运入到显影用热处理部120、121。然后，第三中心机械手CR3从显影用热处理部120、121取出热处理后的基板W，移载到基板装载部PASS6。
移载到基板装载部PASS6的基板W经由显影处理区12、抗蚀膜用处理区11、反射防止膜用处理区10以及分度器区9而运送到搬运器C。
如上所述，在本实施方式的基板处理装置502中，在曝光装置15中对基板W进行曝光处理之前，通过浸液曝光用处理区13的涂敷单元COV，在形成于基板W上的抗蚀膜上形成抗蚀剂盖膜。此时，即使在曝光处理15中基板W和液体接触，也能够防止抗蚀剂的成分稀出到液体中。由此，在防止曝光装置15内的污染的同时，也能防止在基板W的表面残留抗蚀剂的成分。其结果是，能够降低曝光装置15中的基板W的处理不良。
另外，在曝光装置15中对基板W进行曝光处理之后，在干燥处理单元DRY中对基板W进行干燥处理。此时，在曝光处理时附着在基板W上的液体在于燥处理单元DRY中被除去。由此，可以防止环境中的尘埃等附着在曝光处理后的基板W上。其结果是，由于能够防止基板W的污染，所以能够降低在曝光处理后的处理工序中产生的基板W的处理不良。
另外，在基板W从干燥处理单元DRY运送到接口区14、浸液曝光用处理区13、显影处理区12、抗蚀膜用处理区11、反射防止膜用处理区10以及分度器区9时，可防止液体落下到基板处理装置502内。其结果，可防止基板处理装置502的电气系统的异常等的动作不良。
进一步，在显影处理区12中对基板W进行显影处理之前，由除去单元REM进行抗蚀剂盖膜的除去处理。此时，因为能在显影处理前确实除去抗蚀剂盖膜，所以能确实进行显影处理。由此，能够降低显影处理单元DEV中的曝光处理后的基板W的处理不良。
另外，在本实施方式中，因为将用于对曝光处理前的基板W进行处理的处理单元(涂敷单元COV)和用于对曝光处理之后的基板W进行处理的处理单元(干燥处理单元DRY)配置在一个处理区内，所以能够降低基板处理装置502的占有空间。
进一步，本实施方式的基板处理装置502具有对已有的基板处理装置追加浸液曝光用处理区13并在显影处理区12内还设置有抗蚀剂盖膜除去处理部250的结构，所以能够以低成本降低在曝光处理时以及曝光处理后的处理工序中产生的基板W的处理不良。
另外，在本实施方式中，在将基板W从基板装载部PASS11运送到曝光装置15时以及从干燥处理部350运送到基板装载部PASS12时，使用接口用运送机构IFR的手部H5，在将基板W从曝光装置15运送到干燥处理部350时，使用手部H6。即，在运送曝光处理后的附着了液体的基板W时使用手部H6，在运送未附着液体的基板W时使用手部H5。由此，基板W的液体不会附着在手部H5上。
另外，因为手部H6设置在手部H5的下方，所以液体即使从手部H6以及其保持的基板W落下，液体也不会附着在手部H5以及其保持的基板W上。
这些结果是，由于能确实防止液体附着在干燥处理后的基板W上，所以能够更确实防止液体落下到基板处理装置502内导致的基板处理装置502的动作不良。
另外，由于能防止环境中的尘埃等附着在曝光处理前以及干燥处理后的基板W上，所以可防止由于环境中的尘埃等的附着导致的基板W的污染。由此，能更确实防止曝光处理时以及曝光处理后的基板W的处理不良的发生。
此外，涂敷单元BARC、RES、COV、显影处理单元DEV、除去单元REM、干燥处理单元DRY、加热单元HP以及冷却单元CP的个数可以对应各处理区的处理速度而适当变更。
(第四实施方式)
图15是第四实施方式的基板处理装置503的侧视图。图15的基板处理装置503和图14的基板处理装置502不同的是这一点：取代显浸液曝光用处理区13的抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200的一部分而设置清洗处理部300。
下面，针对本实施方式的基板处理装置503的动作进行说明。此外，分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11以及显影处理区12的动作和第三实施方式相同。
经由分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11以及显影处理区12而移载到基板装载部PASS7(图1)的基板W由浸液曝光用处理区13的第四中心机械手CR4(图1)接受。第四中心机械手CR4将基板W运入抗蚀剂盖膜用热处理部130(图1)。然后，第四中心机械手CR4从抗蚀剂盖膜用热处理部130取出热处理过的基板W，运入图15的抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200。在该抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200中，像上述那样，通过涂敷单元COV在抗蚀膜上涂敷形成抗蚀剂盖膜。
然后，第四中心机械手CR4从抗蚀剂盖膜用涂敷处理部200取出涂敷处理过的基板W，运入抗蚀剂盖膜用热处理部130。接着，第四中心机械手CR4从抗蚀剂盖膜用热处理部130取出热处理过的基板W，运入图15的清洗处理部300。在该清洗处理部中，由清洗处理单元SOAK对基板W进行清洗处理和干燥处理。此外，在本实施方式中，清洗处理单元SOAK中的清洗处理并不是为了使基板W上的抗蚀剂的成分的一部分稀出而进行的，而是为了除去附着在曝光处理前的基板W上的尘埃等而进行的。
接着，第四中心机械手CR4从清洗处理部300取出清洗处理后的基板W，移载到基板装载部PASS9(图1)。移载到基板装载部PASS9的基板W由接口区14的第五中心机械手CR5接受。然后，第五中心机械手CR5将基板W运入到图15的边缘曝光部EEW。在该边缘曝光部EEW，对基板W的边缘部实施曝光处理。
接着，第五中心机械手CR5从边缘曝光部EEW取出边缘曝光处理过的基板W，移载到基板装载部PASS11。然后，接口用运送机构IFR通过上侧的手部H5将基板W从基板装载部PASS11运送到曝光装置15。在该曝光装置15中，通过浸液法对基板W进行曝光处理。
接着，接口用运送机构IFR通过下侧的手部H6将曝光处理过的基板W从曝光装置15运入到干燥处理部350。在该干燥处理部350，如上述那样，由干燥处理单元DRY对基板W进行干燥处理。
接着，接口用运送机构IFR通过手部H5将干燥处理过的基板W从干燥处理部350移载到基板装载部PASS12。
移载到基板装载部PASS12的基板W由接口区14的第五中心机械手CR5接受。第五中心机械手CR5将基板W运入浸液曝光用处理区13的曝光后烘干用热处理部131(图1)。在曝光后烘干用热处理部131中对基板W进行曝光后烘干(PEB)。然后，由第五中心机械手CR5从曝光后烘干用热处理部131取出热处理后的基板W，移载到基板装载部PASS10(图1)。
移载到基板装载部PASS10的基板W由浸液曝光用处理区13的第四中心机械手CR4接受。第四中心机械手CR4将基板W移载到基板装载部PASS8。
移载到基板装载部PASS8的基板W由显影处理区12的第三中心机械手CR3接受。第三中心机械手CR3将基板W运入到抗蚀剂盖膜除去处理部250。在该抗蚀剂盖膜除去处理部250中，像上述那样，由除去单元REM除去抗蚀剂盖膜。
然后，第三中心机械手CR3从抗蚀剂盖膜除去处理部250取出处理过的基板W，运入到显影处理部70。接着，第三中心机械手CR3从显影处理部70取出显影处理过的基板W，运入到显影用热处理部120、121。然后，第三中心机械手CR3从显影用热处理部120、121取出热处理后的基板W，移载到基板装载部PASS6。
移载到基板装载部PASS6的基板W经由显影处理区12、抗蚀膜用处理区11、反射防止膜用处理区10以及分度器区9而运送到搬运器C。
如上所述，在本实施方式的基板处理装置503中，在曝光装置15中对基板W进行曝光处理之前，通过浸液曝光用处理区13的涂敷单元COV，在形成于基板W上的抗蚀膜上形成抗蚀剂盖膜。此时，即使在曝光处理15中基板W和液体接触，也能够防止抗蚀剂的成分稀出到液体中。由此，防止曝光装置15内的污染的同时，也能防止在基板W的表面残留抗蚀剂的成分。
另外，在抗蚀剂盖膜形成之后、曝光处理前，由清洗处理单元SOAK对基板W进行清洗处理。此时，因为能够除去曝光处理前附着在基板W上的尘埃等，所以能够防止基板W的污染的同时也能防止曝光装置15内的污染。另外，在清洗处理单元SOAK中，由于在清洗处理后进行干燥处理，所以也可以防止在将清洗处理后的基板W运送到曝光装置15时环境中的尘埃等附着在基板W上。
这些结果是，能够充分降低曝光装置15中的曝光处理时的基板W的处理不良。
另外，在曝光装置15中对基板W进行曝光处理之后，在干燥处理单元DRY中对基板W进行干燥处理。此时，在曝光处理时附着在基板W上的液体在干燥处理单元DRY被除去。由此，可以防止环境中的尘埃等附着在曝光处理后的基板W上。其结果是，由于能够防止基板W的污染，所以能够降低在曝光处理后的处理工序中产生的基板W的处理不良。
另外，在基板W从干燥处理单元DRY运送到接口区14、浸液曝光用处理区13、显影处理区12、抗蚀膜用处理区11、反射防止膜用处理区10以及分度器区9时，可防止液体落下到基板处理装置503内。其结果，可防止基板处理装置503的电气系统的异常等的动作不良。
进一步，在显影处理区12中对基板W进行显影处理之前，由除去单元REM进行抗蚀剂盖膜的除去处理。此时，因为能在显影处理前确实除去抗蚀剂盖膜，所以能确实进行显影处理。由此，能够降低显影处理单元DEV中的曝光处理后的基板W的处理不良。
另外，在本实施方式中，因为将用于对曝光处理前的基板W进行处理的处理单元(涂敷单元COV以及清洗处理单元SOAK)和用于对曝光处理之后的基板W进行处理的处理单元(干燥处理单元DRY)配置在一个处理区内，所以能够降低基板处理装置503的占有空间。
进一步，本实施方式的基板处理装置503具有对已有的基板处理装置追加浸液曝光用处理区13并在显影处理区12还设置有抗蚀剂盖膜除去用处理部250的结构，所以能够以低成本降低在曝光处理时以及曝光处理后的处理工序中发生的基板W的处理不良。
另外，在本实施方式中，在将基板W从基板装载部PASS11运送到曝光装置15时以及从干燥处理部350运送到基板装载部PASS12时，使用接口用运送机构IFR的手部H5，在将基板W从曝光装置15运送到干燥处理部350时，使用手部H6。即，在运送曝光处理后的附着了液体的基板W时使用手部H6，在运送未附着液体的基板W时使用手部H5。由此，基板W的液体不会附着在手部H5上。
另外，因为手部H6设置在手部H5的下方，所以液体即使从手部H6以及其保持的基板W落下，液体也不会附着在手部H5以及其保持的基板W上。
这些结果是，由于能确实防止液体附着在干燥处理后的基板W上，所以能够更确实防止液体落下到基板处理装置503内导致的基板处理装置503的动作不良。
另外，由于能防止环境中的尘埃等附着在曝光处理前以及干燥处理后的基板W上，所以可防止由于环境中的尘埃等的附着导致的基板W的污染。由此，能更确实防止曝光处理时以及曝光处理后的基板W的处理不良的发生。
此外，涂敷单元BARC、RES、COV、显影处理单元DEV、除去单元REM、清洗处理单元SOAK、干燥处理单元DRY、加热单元HP以及冷却单元CP的个数可以对应于各处理区的处理速度而适当变更。
(使用了2流体喷嘴的清洗处理单元以及干燥处理单元的例子)
在上述实施方式中，在清洗处理单元SOAK以及干燥处理单元DRY中，针对使用了图6所示的清洗处理用喷嘴650以及干燥处理用喷嘴670的情况进行了说明，但是，可以代替清洗处理用喷嘴650以及干燥处理用喷嘴670的其中一方或双方而使用图16所示的2流体喷嘴。
图16是表示用于清洗以及干燥处理的2流体喷嘴950的内部结构的一个例子的纵向剖视图。从2流体喷嘴950可以选择性喷射气体、液体以及气体和液体的混合流体。
本实施方式的2流体喷嘴950被称为外部混合型。如图16所示的外部混合型的2流体喷嘴950是由内部主体部311及外部主体部312构成的。内部主体部311例如由石英等构成，外部主体部312例如由PTFE(聚四氟乙烯)等的氟树脂构成。
沿内部主体部311的中心轴形成圆筒状的液体导入部311b。在液体导入部311b安装有图6的清洗处理用供给管663。由此，将从清洗处理用供给管663供给的清洗液或者冲洗液导入到液体导入部311b。
在内部主体部311的下端，形成有与液体导入部311b连通的液体喷射口311a。内部主体部311插入到外部主体部312内。另外，内部主体部311以及外部主体部312的上端相互接合，而下端没有接合在一起。
在内部主体部311和外部主体部312之间形成有圆筒状的气体通过部312b。在外部主体部312的下端形成有与气体通过部312b连通的气体喷射口312a。在外部主体部312的圆周壁上，以与气体通过部312b连通的方式安装着图6的干燥处理用供给管674。由此，将从干燥处理用供给管674供给的惰性气体导入到气体通过部312b中。
气体通过部312b，在气体喷射口312a附近，随着向下方而直径变小。其结果是，惰性气体的流速加速，由气体喷射口312a喷射出。
从液体喷射口311a喷射的清洗液和从气体喷射口312a喷射的惰性气体在2流体喷嘴950的下端附近的外部混合，生成含有清洗液的微细液滴的雾状的混合流体。
图17A～图17C是用于说明使用了图16的2流体喷嘴950时的基板W的清洗以及干燥处理方法的图。
首先，如图6所示，基板W由旋转卡盘621吸附保持，伴随着旋转轴625的旋转而旋转。这时，旋转轴625的转速例如约为500rpm。
在该状态下，如图17A所示，从2流体喷嘴950向基板W的上表面喷射由清洗液以及惰性气体构成的雾状的混合流液的同时，2流体喷嘴950从基板W的中心部上方向周边部上方缓缓移动。由此，混合流体从2流体喷嘴950向基板W的表面全体喷射，进行基板W的清洗。
接着，如图17B所示，停止混合流体的供给，在旋转轴625的旋转速度降低的同时，向基板W上从2流体喷嘴喷射冲洗液。这时，旋转轴625的旋转速度例如约为10rpm。由此，在基板W的表面全体形成冲洗液的液层L。另外，也可以使旋转轴625的旋转停止而在基板W的表面整体形成液层L。另外，使用纯水作为清洗基板W的混合流体中的清洗液的情况下，也可以不供给冲洗液。
形成液层L之后，停止冲洗液的供给。然后，如图17C所示，向基板W上从2流体喷嘴950喷射惰性气体。由此，基板W的中心部的清洗液移动到基板W的周边部，变为液层L仅存在于基板W的周边部的状态。
此后，旋转轴625的旋转速度上升。这时，旋转轴625的旋转速度例如约为100rpm。由此，由于在基板W上的液层L作用很大的离心力，所以可以除去基板W上的液层L。其结果，使基板W干燥。
另外，在除去基板W上的液层L时，2流体喷嘴950也可以从基板W的中心部上方向周边部上方缓缓移动。由此，可以向基板W的表面整体喷射惰性气体，因此可以确实除去基板W上的液层L。其结果，可以确实使基板W干燥。
(使用了2流体喷嘴的情况下的效果)
在图16的2流体喷嘴中，从2流体喷嘴950喷射的混合流体包含清洗液的细微液滴，因此即使在基板W表面存在凹凸的情况下，也可以通过清洗液的细微液滴去除附着在基板W上的污垢。由此，可以确实除去基板W表面的污垢。另外，在基板W上的膜的濡湿性低的情况下，也可以通过清洗液的微细液滴去除基板W表面的污垢，因此可以确实除去基板W表面的污垢。
因而，特别是在清洗处理单元SOAK使用了2流体喷嘴的情况下，曝光处理前通过加热单元HP对基板W实施热处理时，抗蚀膜或者抗蚀剂盖膜的溶剂等在加热单元HP内升华，即使其升华物再次附着在基板W上的情况下，在清洗处理单元SOAK中，可以确实除去该附着物。由此，可以确实防止曝光装置15内的污染。
另外，通过调节惰性气体的流量，可以容易地调节清洗基板W时的清洗能力。由此，在基板W上的有机膜(抗蚀膜或者抗蚀剂盖膜)具有易损的性质的情况下，通过使清洗能力减弱而可以防止基板W上的有机膜的破损。另外，基板W表面的污垢牢固的情况下通过增强清洗能力而可以确实除去基板W表面的污垢。这样，通过按照基板W上的有机膜的性质以及污垢的程度调节清洗能力，从而可以防止基板W上的有机膜的破损，同时可确实清洗基板W。
另外，在外部混合型的2流体喷嘴950中，混合流体是在2流体喷嘴950的外部通过混合清洗液和惰性气体而生成的。在2流体喷嘴950的内部，惰性气体和清洗液在分别不同的流路中区分流通。由此，在气体通过部312b内不会残留清洗液，而可以将惰性气体单独的从2流体喷嘴950喷射。进一步，通过从清洗处理用供给管663供给冲洗液，而可以将冲洗液从2流体喷嘴950单独喷射。因而，可以将混合流体、惰性气体以及冲洗液从2流体喷嘴950选择性喷射。
另外，在使用了2流体喷嘴950的情况下，不需要分别设置用于向基板W供给清洗液或者冲洗液的喷嘴、和用于向基板W供给惰性气体的喷嘴。由此，用简单的结构就可以确实进行基板W的清洗以及干燥。
此外，在上述的说明中，通过2流体喷嘴950而向基板W供给冲洗液，但也可以用另外的喷嘴向基板W供给冲洗液。
另外，在上述的说明中，通过2流体喷嘴950而向基板W供给惰性气体，但也可以用另外的喷嘴向基板W供给惰性气体。
(实施方式的各部和权利要求的各构成要素的对应)
在第一～第四实施方式中，反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12以及浸液曝光用处理区13相当于处理部，接口区14相当于交接部，分度器区9相当于基板运入运出部，涂敷单元RES相当于第一处理单元，抗蚀膜用处理区11相当于第一处理单位，第二中心机械手CR2相当于第一运送单元，显影处理单元DEV相当于第二处理单元，显影处理区12相当于第二处理单位，第三中心机械手CR3相当于第二运送单元，涂敷单元COV或者清洗处理单元SOAK、SOAKa相当于第三处理单元，除去单元REM或者干燥处理单元DRY相当于第四处理单元，第四中心机械手CR4相当于第三运送单元，浸液曝光用处理区13相当于第三处理单位，抗蚀膜相当于感光膜，抗蚀剂盖膜相当于保护膜。
另外，边缘曝光部EEW相当于第五处理单元，基板装载部PASS11、PASS12相当于装载部，第五中心机械手CR5相当于第四运送单元，接口用运送机构IFR相当于第五运送单元，手部CRH9相当于第一保持部，手部CRH10相当于第二保持部，手部H5相当于第三保持部，手部H6相当于第四保持部，除去单元REM相当于第六处理单元，清洗处理单元SOAK、SOAKa相当于第七处理单元，涂敷单元BARC相当于第八处理单元，第一中心机械手CR1相当于第六运送单元，反射防止膜用处理区10相当于第四处理单位，加热单元HP以及冷却单元CP相当于第一～第四热处理单元。
另外，旋转卡盘621相当于基板保持装置，旋转轴625以及卡盘旋转驱动机构636相当于旋转驱动装置，清洗处理用喷嘴650相当于清洗液供给部以及冲洗液供给部，干燥处理用喷嘴670、770、870相当于惰性气体供给部。
另外，2流体喷嘴950相当于流体喷嘴，液体导入部311b相当于液体流路，气体通过部312b相当于气体流路。

Claims (63)

1.一种基板处理装置，以相邻于曝光装置的方式配置，其特征在于，具有：
处理部，其用于对基板进行处理；
交接部，其以相邻于上述处理部的一端部的方式设置，用于在上述处理部和上述曝光装置之间进行基板的交接，
上述处理部包括：
第一处理单位，其包含在基板上形成由感光材料构成的感光膜的第一处理单元、对基板进行热处理的第一热处理单元以及运送基板的第一运送单元；
第二处理单位，其包含在由上述曝光装置进行曝光处理之后进行基板的显影处理的第二处理单元、对基板进行热处理的第二热处理单元以及运送基板的第二运送单元；
第三处理单位，其包含在由上述曝光装置进行曝光处理之前进行用于防止上述曝光装置中基板上的上述感光膜的恶化的处理的第三处理单元、在由上述曝光装置进行曝光处理之后并在由上述第二处理单元进行显影处理之前进行用于使曝光处理后的基板成为最佳状态的处理的第四处理单元、对基板进行热处理的第三热处理单元以及运送基板的第三运送单元，
上述第三处理单位以相邻于上述交接部的方式配置。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元形成保护上述感光膜的保护膜。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四处理单元除去上述保护膜。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述交接部包括：
第五处理单元，其对基板进行规定的处理；
装载部，其用于暂时装载基板；
第四运送单元，其在上述处理部、上述第五处理单元以及上述装载部之间运送基板；
第五运送单元，其在上述装载部以及上述曝光装置之间运送基板。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四运送单元包含有保持基板的第一和第二保持部，
上述第四运送单元，在运送由上述曝光装置进行曝光处理之前的基板时，由上述第一保持部保持基板，在运送由上述曝光装置进行曝光处理之后的基板时，由上述第二保持部保持基板，
上述第五运送单元包含有保持基板的第三和第四保持部，
上述第五运送单元，在运送由上述曝光装置进行曝光处理之前的基板时，由上述第三保持部保持基板，在运送由上述曝光装置进行曝光处理之后的基板时，由上述第四保持部保持基板。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二保持部设置在上述第一保持部的下方，上述第四保持部设置在上述第三保持部的下方。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四处理单元进行基板的干燥处理。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四处理单元在基板的干燥处理前还进行基板的清洗处理。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四处理单元包括：
基板保持装置，其大致水平地保持基板；
旋转驱动装置，其使由上述基板保持装置保持的基板在垂直于该基板的轴的周围进行旋转；
清洗液供给部，其将清洗液供给到由上述基板保持装置保持的基板上；
惰性气体供给部，其在由上述清洗液供给部向基板上供给了清洗液之后，向基板上供给惰性气体。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述清洗液供给部供给到基板上的清洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使上述清洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
11.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四处理单元还具有冲洗液供给部，该冲洗液供给部在由上述清洗液供给部供给了清洗液之后，并且在由上述惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使上述冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
13.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四处理单元通过由流体喷嘴向基板供给含有清洗液以及气体的混合流体来进行基板的清洗处理。
14.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，上述气体是惰性气体。
15.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四处理单元包括惰性气体供给部，该惰性气体供给部通过向基板上供给惰性气体而进行基板的干燥处理。
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有上述惰性气体供给部的功能。
17.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四处理单元还包括：
基板保持装置，其大致水平地保持基板；
旋转驱动装置，其使由上述基板保持装置保持的基板在垂直于该基板的轴的周围进行旋转。
18.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四处理单元，以使从上述流体喷嘴供给到基板上的混合流体从基板上的中心部向外侧移动从而使上述混合流体从基板上排除的方式，供给惰性气体。
19.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四处理单元还包括冲洗液供给部，该冲洗液供给部在从上述流体喷嘴供给了混合流体之后，且在通过上述惰性气体供给部供给上述惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有上述冲洗液供给部的功能。
21.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四处理单元，以使由上述冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使上述冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
22.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有：流通液体的液体流路；流通气体的气体流路；与上述液体流路连通并开口的液体喷射口；设置在上述液体喷射口的附近的同时与上述气体流路连通并开口的气体喷射口。
23.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元进行基板的清洗处理。
24.如权利要求23所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元在基板的清洗处理之后还进行基板的干燥处理。
25.如权利要求24所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元包括：
基板保持装置，其大致水平地保持基板；
旋转驱动装置，其使由上述基板保持装置保持的基板在垂直于该基板的轴的周围进行旋转；
清洗液供给部，其将清洗液供给到由上述基板保持装置保持的基板上；
惰性气体供给部，其在由上述清洗液供给部向基板上供给了清洗液之后，向基板上供给惰性气体。
26.如权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述清洗液供给部供给到基板上的清洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使上述清洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
27.如权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元还具有冲洗液供给部，该冲洗液供给部在由上述清洗液供给部供给了清洗液之后，且在由上述惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
28.如权利要求27所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使上述冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
29.如权利要求23所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元通过由流体喷嘴向基板供给含有清洗液以及气体的混合流体来进行基板的清洗处理。
30.如权利要求29所述的基板处理装置，其特征在于，上述气体是惰性气体。
31.如权利要求29所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元在基板的清洗处理之后还进行基板的干燥处理。
32.如权利要求31所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元包括有惰性气体供给部，该惰性气体供给部通过向基板上供给惰性气体而进行基板的干燥处理。
33.如权利要求32所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有上述惰性气体供给部的功能。
34.如权利要求32所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元还包括：
基板保持装置，其大致水平地保持基板；
旋转驱动装置，其使由上述基板保持装置保持的基板在垂直于该基板的轴的周围进行旋转。
35.如权利要求32所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元，以使从上述流体喷嘴供给到基板上的混合流体从基板上的中心部向外侧移动从而使上述混合流体从基板上排除的方式，供给惰性气体。
36.如权利要求32所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元还包括冲洗液供给部，该冲洗液供给部在从上述流体喷嘴供给了混合流体之后，且在通过上述惰性气体供给部供给上述惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
37.如权利要求36所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有上述冲洗液供给部的功能。
38.如权利要求36所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元，以使由上述冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使上述冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
39.如权利要求29所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有：流通液体的液体流路；流通气体的气体流路；与上述液体流路连通并开口的液体喷射口；设置在上述液体喷射口的附近的同时与上述气体流路连通并开口的气体喷射口。
40.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元形成保护上述感光膜的保护膜。
41.如权利要求40所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单位还包括在由上述第二处理单元进行显影处理之前除去上述保护膜的第六处理单元。
42.如权利要求40所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单位还包括第七处理单元，该第七处理单元在由上述第三处理单元形成保护膜之后，并在由上述曝光装置进行曝光处理之前，进行基板的清洗处理。
43.如权利要求42所述的基板处理装置，其特征在于，上述第七处理单元在基板的清洗处理之后还进行基板的干燥处理。
44.如权利要求43所述的基板处理装置，其特征在于，上述第七处理单元包括：
基板保持装置，其大致水平地保持基板；
旋转驱动装置，其使由上述基板保持装置保持的基板在垂直于该基板的轴的周围进行旋转；
清洗液供给部，其将清洗液供给到由上述基板保持装置保持的基板上；
惰性气体供给部，其在由上述清洗液供给部向基板上供给清洗液之后，向基板上供给惰性气体。
45.如权利要求44所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述清洗液供给部供给到基板上的清洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使上述清洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
46.如权利要求44所述的基板处理装置，其特征在于，上述第七处理单元还具有冲洗液供给部，该冲洗液供给部在由上述清洗液供给部供给了清洗液之后，且在由上述惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
47.如权利要求46所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使上述冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
48.如权利要求42所述的基板处理装置，其特征在于，上述第七处理单元通过由流体喷嘴向基板供给含有清洗液以及气体的混合流体来进行基板的清洗处理。
49.如权利要求48所述的基板处理装置，其特征在于，上述气体是惰性气体。
50.如权利要求48所述的基板处理装置，其特征在于，上述第七处理单元在基板的清洗处理之后还进行基板的干燥处理。
51.如权利要求50所述的基板处理装置，其特征在于，上述第七处理单元包括惰性气体供给部，该惰性气体供给部通过向基板上供给惰性气体而进行基板的干燥处理。
52.如权利要求51所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有上述惰性气体供给部的功能。
53.如权利要求51所述的基板处理装置，其特征在于，上述第七处理单元还包括：
基板保持装置，其大致水平地保持基板；
旋转驱动装置，其使由上述基板保持装置保持的基板在垂直于该基板的轴的周围进行旋转。
54.如权利要求51所述的基板处理装置，其特征在于，上述第七处理单元，以使从上述流体喷嘴供给到基板上的混合流体从基板上的中心部向外侧移动从而使上述混合流体从基板上排除的方式，供给惰性气体。
55.如权利要求51所述的基板处理装置，其特征在于，上述第七处理单元还包括冲洗液供给部，该冲洗液供给部在从上述流体喷嘴供给了混合流体之后，且在由上述惰性气体供给部供给上述惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
56.如权利要求55所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有上述冲洗液供给部的功能。
57.如权利要求55所述的基板处理装置，其特征在于，上述第七处理单元，以使由上述冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使上述冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
58.如权利要求48所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有：流通液体的液体流路；流通气体的气体流路；与上述液体流路连通并开口的液体喷射口；设置在上述液体喷射口的附近的同时与上述气体流路连通并开口的气体喷射口。
59.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述交接部包括：
第五处理单元，其对基板进行规定的处理；
装载部，其用于暂时装载基板；
第四运送单元，其在上述处理部、上述第五处理单元以及上述装载部之间运送基板；
第五运送单元，其在上述装载部、上述曝光装置以及上述第四处理单元之间运送基板。
60.如权利要求59所述的基板处理装置，其特征在于，上述第五运送单元包括保持基板的第三以及第四保持部，
上述第五运送单元，在从上述装载部将基板运送到上述曝光装置时以及从上述第四处理单元将基板运送到上述装载部时，由上述第三保持部保持基板，在从上述曝光装置将基板运送到上述第四处理单元时，由上述第四保持部保持基板。
61.如权利要求60所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四保持部设置在上述第三保持部的下方。
62.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理部还具有第四处理单位，该第四处理单位包括在由上述第一处理单元形成上述感光膜之前而在基板上形成反射防止膜的第八处理单元、对基板进行热处理的第四热处理单元以及运送基板的第六运送单元。
63.如权利要求62所述的基板处理装置，其特征在于，还具有基板运入运出部，该基板运入运出部以相邻于上述处理部的另一端部的方式配置，向上述处理部运入基板以及从上述处理部运出基板，
上述第四处理单位以相邻于上述基板运入运出部的方式配置。
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