CN1506731A - 用于附着起偏振片的设备 - Google Patents

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Abstract

附着起偏振片的设备包括基体、第一切除模块、第一保护薄片剥离模块以及第一起偏振片附着模块。该第一切除模块从第一母起偏振片中切除第一起偏振片。该第一切除模块布置在基体上。该第一保护薄片剥离模块从该第一起偏振片剥离第一保护薄片。第一起偏振片被剥离第一保护薄片而成为第一剥离起偏振片。第一保护薄片剥离模块布置在基体上。该第一起偏振片附着模块将第一剥离起偏振片附着到装配基底的液晶显示单位晶格的第一面上。该第一起偏振片附着模块布置在该基体上。

Description

用于附着起偏振片的设备
技术领域
本发明涉及用于附着起偏振片的设备，特别涉及用于在包括多个液晶显示单位晶格的装配基底上附着起偏振片的设备。
背景技术
通常，液晶显示器件相对其它显示器件更亮和更小。液晶显示器件是通过许多制造工序制造的。
用于制造液晶显示器件的第一个工序包括在第一母基底上形成薄膜晶体管(TFT)单位晶格和在第二母基底上形成滤色器单位晶格。用于制造液晶显示器件第一工序的一个例子在美国专利号6391137(名称为“用于制造显示器件的方法”)中公开。
用于制造液晶显示器件的第二工序包括研磨工序(rubbing process)。在薄膜晶体管单位晶格和滤色器单位晶格之间布置的液晶层是通过对薄膜晶体管单位晶格和滤色器单位晶格的研磨工序来对准的。第二工序的一个例子在美国专利号5879497(名称为“用于相对于液晶显示器件所用基底对准的对准器件和研磨布，以及用于制造液晶显示器件的方法”)中公开。由具有绒面的绒状织物(或者研磨布)覆盖的圆柱滚筒在对准膜上碾轧，使得在对准膜上形成对准凹槽。对准凹槽产生液晶层之液晶分子的预先倾斜角。
用于制造液晶显示器件第三工序的一个例子在美国专利号6397137中公开。第三工序包括用于组装第一母基底和第二母基底的组装工序。第一母基底和第二母基底被组装成使得第一母基底的薄膜晶体管单位晶格面对第二母基底单位晶格的滤色器单位晶格。以后，第一母基底和第二母基底被称为“装配基底”，薄膜晶体管单位晶格和滤色器单位晶格被称为“液晶显示器件单位晶格”。
用于制造液晶显示器件第四工序的一个例子在美国专利号6397137中公开。第四工序包括用于从装配基底上划线和分离液晶显示器件单位晶格的划线折断工序(scribe-and-break process)。从装配基底上分离的一个液晶显示器件单位晶格被称为“液晶显示板”。
用于制造液晶显示器件的第五工序包括测试工序。测试驱动信号施加到液晶显示板用来测试该液晶显示板。
用于制造液晶显示器件的第六工序包括用于将液晶注射到在第一母基底和第二母基底之间布置的晶格缝隙中的液晶注射工序，以及用于调整晶格缝隙大小的晶格缝隙调整工序。
用于制造液晶显示器件的第七工序包括起偏振片附着工序和模块工序。一个起偏振片(或者若干起偏振片)通过起偏振片附着工序被附着在液晶显示板上。用于驱动液晶显示板的驱动模块通过模块工序被安装在液晶显示板上。以后，具有驱动模块的液晶显示器件被称为“液晶显示板组件”。
通常，已经保留了传统制造工序的序列，并且已经减少了在每个工序期间发生的故障。
但是，传统制造工序具有一些严重的问题。
例如，每个工序的工序速度是彼此不同的。详细说，第一到第三工序的工序速度是与第四到第七工序的工序速度不同。通常，第一到第三工序的工序速度快于第四到第七工序的工序速度。即，制造薄膜晶体管单位晶格、滤色器单位晶格和装配基底之工序的工序速度快于划线工序、分离工序、测试工序、液晶注射工序、起偏振片附着工序和模块工序的工序速度。
因此，已经通过第三工序的装配基底应当等待预定时间以便进行第四工序。装配基底等待的愈长，液晶显示器件的生产率愈低。
为了解决上述问题，在第四到第七工序中可以建立更多的设备。换言之，扩充设备可以增加液晶显示器件的生产率。但是，设备的数目愈多，制造成本愈高。
而且，传统制造工序具有许多问题。
第一个问题发生在研磨工序。用于对准液晶分子的研磨工序具有如下问题。由具有绒面的绒状织物覆盖的滚筒在对准膜上碾轧，使得在对准膜上形成对准凹槽。对准凹槽产生液晶层之液晶分子的预先倾斜角。
但是，在传统研磨工序中产生许多颗粒作为副产品。这些颗粒可以诱发研磨工序期间的故障。为了消除这些颗粒，需要清洁工序。清洁工序包括其中化学清洁剂溶解颗粒和去除颗粒的化学清洁工序，通过纯净水去除化学清洁剂的工序，以及去除纯净水的干燥工序。因此，由于清洁工序可导致增加用于制造液晶显示器件的时间。
而且，根据传统研磨工序，研磨布被新研磨布或者被周期清洁的研磨布替换。因此，传统研磨工序不能够成功进行，制造液晶显示器件的效率下降。
而且，在传统研磨工序中，具有绒面的绒织物(研磨布)在对准膜上形成对准凹槽。因此，当对准凹槽已经形成时，很少检测到对准凹槽的缺陷。对准凹槽的缺陷可以在液晶显示器件完全被制造之后的液晶显示器件可靠性测试中被检测到。具有对准凹槽缺陷的液晶显示器件降低了图像显示质量。
第二个问题发生在装配基底被制造之后。当装配基底被制造时，液晶显示器件单位晶格被从装配基底分离，并且利用每一个液晶显示器件单位晶格制造每一个液晶显示板。输入端子和(或)输出端子暴露于空气中，并且输入/输出端子被氧化，使得在输入/输出端子的表面上可以形成薄氧化物膜。薄氧化物膜恶化了输入/输出端子的电特性。因此，液晶显示器件的显示质量下降。
第四个问题发生在模块工序。液晶被注射到液晶显示板中以及起偏振片被附着在液晶显示板上。起偏振片被附着在一个接一个地从装配基底上分离的每一个液晶显示板上。因此，要求更多的时间以便将起偏振片附着到装配基底上。
为了克服上述问题，起偏振片可以被附着到装配基底上。然后，切断附着在装配基底上的起偏振片，以便制造其上具有起偏振片的液晶显示器件单位晶格。但是，很难在切断装配基底之前检测液晶显示器件单位晶格的缺陷。当起偏振片被附着到有缺陷的液晶显示单位晶格时，起偏振片被浪费了。
发明内容
本发明提供了用于附着起偏振片的设备。该设备将起偏振片附着在包括多个液晶显示单位晶格的装配基底上。
该设备包括基体(base body)，第一切除模块，第一保护薄片剥离模块和第一起偏振片附着模块。第一切除模块从第一母起偏振片上切除第一起偏振片。第一切除模块被布置在基体上。第一起偏振片被剥落第一保护薄片成为第一剥离起偏振片。第一保护薄片剥离模块被布置在基体上。第一起偏振片附着模块将第一剥离起偏振片附着到装配基底之液晶显示单位晶格的第一面上。第一起偏振片附着模块被布置在基体上。
根据本发明，起偏振片被附着在其上形成了至少一个液晶显示单位晶格的装配基底上，该至少一个液晶显示单位晶格从装配基底上分离，制造液晶显示板，且驱动模块被安装在液晶显示板上，使得用于制造液晶显示器件的时间减少和制造液晶显示器件的生产率提高。
附图说明
通过参考附图详细说明实施例，本发明的上述和其它特点及优点将变得更加清楚。
图1是表示根据第一示例实施例制造液晶显示器件方法的流程图；
图2是表示根据第一示例实施例的第一母基底和在第一母基底上形成的薄膜晶体管单位晶格区域的示意图；
图3是表示在图2的薄膜晶体管单位晶格区域中形成的薄膜晶体管单位晶格的像素电极和薄膜晶体管的示意图；
图4是表示图3的像素电极和薄膜晶体管的横截面视图；
图5是表示根据第一示例实施例的第二母基底和在第二母基底上形成的滤色器单位晶格区域的示意图；
图6是表示图5的一部分滤色器单位晶格的横截面视图；
图7是表示根据第一示例实施例在第一母基底或者第二母基底上形成的对准膜的横截面视图；
图8是表示根据本发明第一示例实施例通过非接触方法在对准膜上对准液晶的方法的流程图；
图9是表示图8的产生第一离子束的方法的流程图；
图10是表示根据第一示例实施例之非接触对准装置的示意图；
图11是表示图10的第一离子束产生模块，第二离子束产生模块和原子束产生模块的示意图；
图12是表示非接触对准装置和用于形成类金刚石碳薄膜的装置的示意图；
图13是表示根据第二示例实施例通过非接触方法对准液晶的方法的流程图；
图14是表示根据第二示例实施例在类金刚石碳薄膜中形成极化功能团的方法的流程图；
图15是表示把羟基官能团(OH-)引入极化功能团的工序的流程图；
图16是表示根据本发明第三示例实施例将氢离子引入极化功能团的工序的流程图；
图17是表示根据本发明第四示例实施例将氮离子引入极化功能团的工序的流程图；
图18是表示根据本发明第五示例实施例的非接触对准装置的示意图；
图19是表示根据本发明第六示例实施例的非接触对准装置的示意图；
图20是表示根据本发明第七示例实施例的非接触对准装置的示意图；
图21是表示根据本发明第八示例实施例的非接触对准装置的示意图；
图22是表示根据本发明第九示例实施例用于产生原子束的方法的流程图；
图23是表示根据本发明第十示例实施例的原子束产生装置的示意图；
图24是表示根据本发明第十一实施例在对准膜上对准液晶分子的非接触对准方法的流程图；
图25是表示根据本发明第十二示例实施例的非接触对准装置的示意图；
图26是表示在母基底上形成的透明薄膜的横截面视图；
图27是表示在图26的透明薄膜上形成的碳聚合物的横截面视图；
图28是表示用于检测其中没有填充液晶之未填充区域的方法的流程图；
图29是表示用于检测未填充区域之检测装置的例子的示意图；
图30A是表示检查液晶显示单位晶格之非接触检查方法的流程图；
图30B是表示驱动图30A液晶显示单位晶格的方法的流程图；
图30C是表示检查图30A液晶显示单位晶格的方法的流程图；
图31是表示非接触检查装置的例子的示意图；
图32是表示用于将起偏振片附着到液晶显示单位晶格的附着器件的例子的示意图；
图33是表示第一母起偏振片的横截面图；
图34是表示第二母起偏振片的横截面图；
图35是表示图32的第一切除模块的例子的示意图；
图36A是表示图35的通过第一X轴刀片切除之第一(或者第二)母起偏振片的示意图；
图36B是表示图35的通过第一X轴刀片部分切除之第一(或者第二)母起偏振片的示意图；
图36C是表示图35的通过第一X轴刀片部分切除之第一(或者第二)母起偏振片的示意图；
图37A是表示图35的通过第一X轴刀片切除之后通过第一y轴刀片切除之第一(或者第二)母起偏振片的示意图；
图37B是表示图35的通过第一X轴刀片部分切除之后通过第一y轴刀片切除之第一(或者第二)母起偏振片的示意图；
图37C是表示图35的通过第一X轴刀片部分切除之后通过第一y轴刀片切除之第一(或者第二)母起偏振片的示意图；
图38是表示图32的第一保护薄片剥离模块的示意图；和
图39是表示图32的起偏振片附着模块的示意图。
具体实施方式
下面，参考附图详细说明本发明优选实施例。
图1是表示根据第一示例实施例制造液晶显示器件方法的流程图。
参考图1，至少一个薄膜晶体管单位晶格被形成在第一母基底上，至少一个滤色器单位晶格被形成在第二母基底上(步骤S100)。在第一母基底上形成的薄膜晶体管单位晶格和在第二母基底上形成的滤色器单位晶格是通过相互不同的工艺形成的。
图2是表示根据第一示例实施例的第一母基底和在第一母基底上形成的薄膜晶体管单位晶格区域的示意图。
参考图2，至少一个薄膜晶体管单位晶格区域20被形成在第一母基底10上。
例如，第一母基底10的大小是大约1600mm×1400mm。第一母基底10可以包括是透明的和具有良好抗热特性的玻璃基底。
薄膜晶体管单位晶格区域20被虚线包围。例如，六个薄膜晶体管单位晶格区域20形成在第一母基底10上。薄膜晶体管单位晶格30形成在每一个薄膜晶体管单位晶格区域20中。
图3是表示在图2的薄膜晶体管单位晶格区域中形成的薄膜晶体管单位晶格的像素电极和薄膜晶体管的示意图，和图4是表示图3的像素电极和薄膜晶体管的横截面视图。
参考图3和4，薄膜晶体管单位晶格30包括至少一个薄膜晶体管40、栅极线50、数据线60和像素电极70。
例如，当液晶显示器件的分辨率是1024×768时，在图2薄膜晶体管单位晶格区域20中形成的薄膜晶体管40的数目是1024×768×3。薄膜晶体管40以矩阵形式被配置在图2的薄膜晶体管单位晶格区域20中。
参考图4，薄膜晶体管40包括栅电极42，栅绝缘层43，源电极44，漏电极46和沟道层48。
再次参考图3，栅极线50是通过形成栅电极42的相同工艺形成的。薄膜晶体管40的栅电极42通过栅极线50相互电连接。
数据线60是通过与形成薄膜晶体管40的源电极44和漏电极46的相同工艺形成的。薄膜晶体管40的源电极44通过数据线60相互电连接。
像素电极70包括具有高透光性和高导电性的材料。例如，像素电极70包括氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)。一个像素电极70形成在每一个薄膜晶体管40中，并且与薄膜晶体管40的漏电极46电连接。
图5是表示根据第一示例实施例的第二母基底和在第二母基底上形成的滤色器单位晶格区域的示意图。
参考图5，第二母基底80的大小是大约1600mm×1400mm，例如，第二母基底80可以包括是透明的和具有良好抗热特性的玻璃基底。
滤色器单位晶格区域90在图5中被虚线包围。至少一个滤色器单位晶格区域90形成在第二母基底80上。例如，六个滤色器单位晶格区域90形成在第二母基底80上。滤色器单位晶格100形成在每一个滤色器单位晶格区域90中。
图6是表示图5的一部分滤色器单位晶格的横截面视图。
参考图6，图5的滤色器单位晶格100包括滤色器110和公共电极120。
滤色器110包括红色滤光器112、绿色滤光器114和蓝色滤光器116。红色滤光器112过滤白光，使得仅仅具有对应于红色可见光之波长的光可以通过红色滤光器112。绿色滤光器114过滤白光，使得仅仅具有对应于绿色可见光之波长的光可以通过绿色滤光器114。蓝色滤光器116过滤白光，使得仅仅具有对应于蓝色可见光之波长的光可以通过蓝色滤光器116。红色滤光器112、绿色滤光器114和蓝色滤光器116的每一个都面对图3的像素电极70。
公共电极120包括具有良好透光性和良好导电性的材料。例如，公共电极120包括氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)。公共电极120形成在滤色器110上，并且其形成在图5滤色器单位晶格区域90的整个区域中。
再次参考图1，在薄膜晶体管单位晶格30形成在第一母基底10上和滤色器单位晶格100形成在第二母基底80上之后，液晶分子通过非接触对准方法被对准(步骤S200)。液晶的分子取向是通过非接触对准方法设置的。
非接触对准方法解决了当使用聚酰亚胺膜作为对准膜通过传统研磨工艺对准液晶分子时发生的问题。
包括至少一个薄膜晶体管单位晶格30的第一母基底10和包括至少一个滤色器单位晶格100的第二母基底80被竖立以被布置为平行于重力方向和被自动制导载体(AGV)或者手动制导载体(MGV)转移到完成下一工序的地方。
第一母基底10和第二母基底80具有大的表面积，结果由于第一母基底10和第二母基底80之大的表面积导致可以发生诸如下垂(sagging)的许多问题。因此，第一母基底10和第二母基底80被竖立和被转移以便解决这些问题。例如，当第一母基底10和第二母基底80被放下以基本上垂直于重力方向被布置和被转移时，因为重力导致第一母基底10和第二母基底80可以下垂，使得在薄膜晶体管单位晶格30上或者在滤色器单位晶格100上形成的图形被损坏和被电短路。
当第一母基底10和第二母基底80被竖立和被转移时可以解决该问题。当第一母基底10和第二母基底80被竖立和被转移时，可以最小化第一母基底10和第二母基底80的下垂现象。
而且，当第一母基底10和第二母基底80被竖立和被转移时，从清洁室天花板流向清洁室底部的空气与第一母基底10和第二母基底80进行最小接触。因此，当第一母基底10和第二母基底80被竖立和被转移时，第一母基底10和第二母基底80的污染被最小化。
而且，在大多数用于制造液晶显示器件的器材中，基底被竖立和装载到这些器材中，然后，在基底在这些器材中进行任何处理之前，基底被放下以垂直于重力方向布置。因此，当基底以竖立状态转移时，用于竖立基底以便将基底装入器材中的附加时间是不必要的。
下面，公开非接触对准方法和用于对准液晶分子的装置。
<液晶分子之非接触类型对准的第一实施例>
为了在图2的薄膜晶体管单位晶格30上或者图5的滤色器单位晶格100上对准液晶分子，需要对准膜和施加到对准膜的原子束。
图7是表示根据第一示例实施例在第一母基底或者第二母基底上形成的对准膜的横截面视图。
参考图7，对准膜130包括在薄膜晶体管单位晶格的表面上和在滤色器单位晶格上形成的类金刚石碳薄膜(DLC膜)。除类金刚石碳薄膜之外，对准膜130可以包括SiO2，Si3N4和TiO2。
下面，类金刚石碳薄膜是通过附图标记130参考的。
类金刚石碳薄膜130用作为对准膜，因为类金刚石碳薄膜130具有碳碳双键。
当碳原子的碳碳双键被断开成碳碳单键时，碳原子具有变成原子团的极性。
当液晶分子布置在包括碳官能团的类金刚石碳薄膜130上时，由于包括碳官能团的类金刚石碳薄膜130导致液晶分子自对准，这是因为液晶分子具有晶体和液体两个特性，并且具有根据外部电磁场对准的液晶分子方向子(director)。
本实施例中，原子束感应类金刚石碳薄膜130表面上的碳官能团。预倾斜角影响着液晶显示器件的视角。当液晶显示板第一区域中液晶分子的预倾斜角不同于液晶显示板第二区域中液晶分子的预倾斜角时，斑点被显示在液晶显示板上，结果液晶显示器件显示差的图像。
在原子束感应类金刚石碳薄膜130上碳官能团的情况下，当原子束和类金刚石碳薄膜130表面之间的角度改变时，液晶分子的预倾斜角变化。因此，原子束的照射角(或者扫描角)就与显示质量相关。
图8是表示根据本发明第一示例实施例通过非接触方法在对准膜上对准液晶的方法的流程图。
参考图8，为了通过非接触对准方法在类金刚石碳薄膜上对准液晶分子，产生第一离子束(步骤S205)。
图9是表示图8的产生第一离子束的方法的流程图。
参考图9，为了产生第一离子束，提供源气体(步骤S206)和源气体被分离为离子(步骤S207)。然后，加速离子(步骤S208)。
例如，氩气(Ar)用作为源气体。通过等离子体产生电场或者在高于大约2500K的高温下，氩气可以被分离成氩离子。
本实施例中，氩气在高于大约2500K的高温下分离。
当源气体被分离和转变成离子时，源气体的离子被朝向靶子加速(步骤S208)。当具有与离子极性之相反极性的电压被施加到靶子时，源气体的离子被加速。
例如，氩离子具有正(+)极性和被施加到类金刚石碳薄膜的负(-)电压以便加速氩离子。
根据库仑定律，氩离子被吸向具有负(-)电压的类金刚石碳薄膜。随着施加到类金刚石碳薄膜的电压的绝对值变得较大，离子的加速度变得愈快。
当第一离子束通过离子束产生装置的缝隙时，控制相对于类金刚石碳薄膜表面形成的离子束的照射角。第二离子束截面的形状依赖于离子束产生装置的缝隙的形状。
但是，当第一离子束被直接施加到类金刚石碳薄膜时，很难控制第一离子束相对于类金刚石碳薄膜的照射角。
因此，第一离子束被变换成第二离子束(步骤S210)，如图8中表示。
通过电子方法或者物理方法，第一离子束被变换成第二离子束。第二离子束具有带状，其具有矩形横截面。
为了产生具有上述形状的第二离子束，允许第一离子束通过其入口是宽的和其出口具有矩形形状的腔(housing)。
第二离子束相对于类金刚石碳薄膜表面的角度确定了液晶分子的预倾斜角。第二离子束相对于类金刚石碳薄膜表面的角度是在从大约0°到大约90°的范围。例如，当液晶是扭曲列向液晶时，第二离子束相对于类金刚石碳薄膜表面的角度是在从大约0°到大约45°的范围。当液晶以垂直对准模式被垂直对准时，第二离子束相对于类金刚石碳薄膜表面的角度是在从大约45°到大约90°的范围，最好为从大约80°到大约90°的范围。
再次参考图8，朝向类金刚石碳薄膜130前进的第二离子束被变换成原子束(步骤S215)。原子束的方向和速度基本上与第二离子束相同。
电子被提供给第二离子束，使得第二离子束的离子被转变成为电中性的源气体。第二离子束的离子是非常不稳定的。因此，离子接收电子以转变成为电中性和稳定的原子束。
因为原子束保持与第二离子束相同形状，其横截面为矩形的原子束被照射到类金刚石碳薄膜上。因此，原子束在类金刚石碳薄膜上扫描，目的是照射到整个类金刚石碳薄膜130上(步骤S220)。
为了在类金刚石碳薄膜130上扫描原子束，原子束可以移动而同时类金刚石碳薄膜的位置不动，或者类金刚石碳薄膜可以移动而同时原子束的束源位置不动。
在本发明的示例实施例中，原子束移动而同时类金刚石碳薄膜的位置不动。
图10是表示根据第一示例实施例之非接触对准装置的示意图，图11是表示图10的第一离子束产生模块、第二离子束产生模块和原子束产生模块的示意图。
参考图10，用于对准液晶分子的非接触对准设备包括第一离子束产生模块150、第二离子束产生模块160、原子束产生模块170和转移模块180。
参考图11，第一离子束产生模块150包括第一离子束腔152、源气体提供单元154、源气体分离单元156和离子加速单元158。
第一离子束腔152提供其中产生第一离子束的空间。该空间与外部隔离开。第一离子束腔152包括离子产生区域和离子加速区域。
第一离子束腔152的离子产生区域与源气体提供单元154连接。源气体提供单元154通过管道155给第一离子束腔152提供氩气(Ar)。氩具有大的原子量。因此，当氩被加速时氩容易断开碳碳双键。
源气体分离单元156分离从源气体提供单元154提供的氩气。源气体分离单元156可以具有各种部件(element)。
例如，源气体分离单元156可以包括阴极电极、阳极电极和用于给所述阴极和阳极供电的电源。
电源将预定电压施加到阴极电极和阳极电极上使得氩气被分离成氩离子和电子。
源气体分离单元156可以包括发射电子的钨(W)灯丝156a和用于加热钨灯丝156a的电源156b。
当钨灯丝156a被加热到高于大约2500K的温度时，钨灯丝156a发射电子。从钨灯丝156a发射的电子与氩原子碰撞，结果氩原子被转变成氩离子。离子加速单元158安装在第一离子束腔152的离子加速区域中。离子加速单元158加速氩离子到具有足够的速度使氩离子断开类金刚石碳薄膜的碳碳双键。
离子加速单元158包括离子加速电极158a和第一电源158b。离子加速电极158a具有网状结构。第一电源158b施加具有与离子极性相反极性的电压，以便将离子朝向离子加速电极158a加速。
例如，当具有正极性的离子通过源气体分离单元156在第一离子束腔152中产生时，第一电源158b将负电压施加到离子加速电极158a。然后，库仑力朝向离子加速电极158a加速具有正极性的离子。
离子的速度是根据施加到离子加速电极158a的电压大小调节的。
当电压太高时，离子具有如此大的能量使得原子束穿透类金刚石碳薄膜表面和注入到类金刚石碳薄膜中。当电压太低时，离子可以不具有足够的能量使得原子束不会断开类金刚石碳薄膜的碳碳双键。因此，电压具有适当的电平使得原子束不被注入到类金刚石碳薄膜中和不会断开类金刚石碳薄膜的碳碳双键。
如上所述，从第一离子束产生模块150产生的第一离子束通过离子加速电极158a加速，并且向第二离子束产生模块160前进。
第二离子束产生模块160包括第二离子束腔162、第二离子束产生主体164、第一离子束加速装置166和第二电源168。
第二腔162包括非导电材料以与第一离子束腔152电绝缘。第二离子束产生主体164安装在第二离子束腔162上。第二离子束产生主体164包括让第一离子束进入的第一离子束入口164a和让第二离子束出去的第二离子束出口164b。
第一离子束入口164a是大的以使得第一离子束容易进入第二离子束产生模块160。第一离子束入口164a可以具有各种形状。第一离子束加速装置166安装在第一离子束入口164a。第一离子束加速装置166包括导电材料。第二电源168给第一离子束加速装置166提供与第一离子束极性相反的电源电压。布置在第一离子束入口164a的第一离子束加速装置166再次加速第一离子束。
第二离子束出口164b具有矩形形状。第二离子束出口164b的宽度是窄的，第二离子束出口164b的长度是长的。第一离子束进入第一离子束入口164a和到达第二离子束出口164b。当第一离子束通过第二离子束出口164b时，第一离子束的横截面具有矩形形状。第二离子束从第二离子束出口164b出去。
原子束产生模块170安装在原子束产生区域中。详细地，原子束产生模块170安装在靠近第二离子束腔162。原子束产生模块170包括电子产生单元172和电子加速单元174。电子产生单元172产生电子。电子加速单元174移动电子。
电子产生单元172包括钨灯丝172a和第三电源172b。第三电源172b给钨灯丝172a提供电源电压使得钨灯丝172a被加热和具有高于大约2500K的温度，电子从钨灯丝172a中发射。
电子加速单元174面对电子产生单元172。电子加速单元174通过库仑力吸引从电子产生单元172产生的电子。
电子加速单元174包括第四电源174a和电极174b。第四电源174a将与电子极性相反的正(+)电压施加到电极174b。
从电子产生单元172产生的电子向电子加速单元174运动。电子的路径与第二离子束的路径相交。第二离子束的离子与从电子产生单元172产生的电子结合。因此，氩离子被转变成氩原子(Ar)，使得产生了氩原子束。第二离子束的氩离子基本上具有与氩原子束的氩原子相同的速度，并且第二离子束在与氩原子束相同的方向上运动。下面，将与第二离子束相同速度和方向运动的源气体称为原子束。
从原子束产生模块170产生的原子束具有矩形横截面和被照射到类金刚石碳薄膜的一部分上。为了使原子束照射到整个类金刚石碳薄膜上，原子束移动而同时类金刚石碳薄膜固定，或者类金刚石碳薄膜移动而原子束固定。
转移模块180选择性地移动基底130或者包括第一离子束产生模块150、第二离子束产生模块160和原子束产生模块170的组合主体。
在通过非接触对准方法对准液晶分子的上述非接触对准装置140中，原子束相对于类金刚石碳薄膜形成了从大约0°到大约90°范围内的角度。
当液晶是扭曲列向液晶时，原子束形成从大约0°到大约45°范围内的角度。
当液晶以垂直对准模式被垂直对准时，原子束形成从大约45°到大约90°范围内的角度，最好为从大约80°到大约90°的范围。
非接触对准装置140可以具有至少两个第二离子束出口164b以便提供至少两个原子束。非接触对准装置140可以产生多个原子束，其每一个都向类金刚石碳薄膜运动和进入类金刚石碳薄膜以形成相对于类金刚石碳薄膜的不同角度。因此，在原子束和类金刚石碳薄膜之间的角度可以改变。
如图12表示，用于形成类金刚石碳薄膜的装置在母基底上形成类金刚石碳薄膜，并且母基底被传送到用于形成类金刚石碳薄膜的装置，以及液晶分子通过非接触对准装置140对准。即，类金刚石碳薄膜和液晶分子可以通过原位(in-situ)工艺进行处理。图12是表示非接触对准装置和用于形成类金刚石碳薄膜的装置的示意图。
用于形成类金刚石碳薄膜的装置190包括腔室191、用于支持第一母基底10或者第二母基底80的基底支持单元192、反应气体供给模块193、真空泵194和等离子体发生器。
基底支持单元192被布置在腔室191中。具有图2的薄膜晶体管单位晶格30的第一母基底10被传送和布置在基底支持单元192上。具有图5的滤色器单位晶格100的第二母基底80被传送和布置在基底支持单元192上。
反应气体供给模块193可以给腔室191提供氦(He)、氢气(H2)、甲烷(CH4)或者乙炔(C2H2)。
真空泵194给腔室191提供大约60Torr的高真空。因此，杂质或者除了反应气体之外的气体可以不参与形成类金刚石碳薄膜的工序。
等离子体发生器用反应气体形成类金刚石碳薄膜。等离子体发生器包括阴极电极195、阳极电极196和电源197。高电压施加在阴极电极195和阳极电极196之间，使得氦或者氩气被电离。
用于形成类金刚石碳薄膜的装置190可以直接与对准装置140结合。
相反，负载锁定腔室200可以安装在装置190和对准装置140之间。第一母基底10或者第二母基底80临时等待在负载锁定腔室200中。
当用于形成类金刚石碳薄膜的装置190、负载锁定腔室200和对准装置140被安装使得类金刚石碳薄膜和液晶分子可以被原位工艺处理时，用于对准液晶分子的时间被减少了。而且，第一母基底10和第二母基底80的污染被降低了。
<液晶分子之非接触类型对准的第二实施例>
图13是表示根据第二示例实施例通过非接触方法对准液晶的方法的流程图。
在前面工序中，具有碳碳双键的类金刚石碳薄膜被形成在具有图2薄膜晶体管单位晶格30的第一基底10上或者在具有图5滤色器单位晶格100的第二基底80上。类金刚石碳薄膜是通过化学气相沉积(CVD)形成的。
参考图13，原子束与类金刚石碳薄膜碰撞，结果产生用于对准液晶分子的极化功能团(步骤S225)。
图14是表示根据第二示例实施例在类金刚石碳薄膜中产生极化功能团的方法的流程图。
参考图14，第一离子束被产生和朝向类金刚石碳薄膜加速(步骤S226)。
然后，第一离子束被转变成其横截面是正方形形状的第二离子束(步骤S227)。第二离子束的速度类似于第一离子束的速度。第二离子束相对于类金刚石碳薄膜形成从大约0°到大约90°范围内的角度。
当第二离子束向类金刚石碳薄膜前进时，第二离子束与交叉第二离子束的电子碰撞，使得第二离子束被转换成原子束(步骤S228)。第二离子束的速度和方向基本上被保持，因为离子的质量远远大于电子的质量。因此，原子束的速度和方向基本上等于第二离子束的速度和方向。
原子束到达类金刚石碳薄膜的表面和与类金刚石碳薄膜碰撞。原子束扫描类金刚石碳薄膜的表面(步骤S229)。
与类金刚石碳薄膜碰撞的原子束改变了类金刚石碳薄膜的表面。详细地，原子束断开了碳碳双键以产生具有碳碳单键结构和官能团状态的子链。即，在类金刚石碳薄膜中形成的官能团形成了用于对准液晶分子的极化功能团。
极化功能团是非常不稳定的。因此，极化功能团趋于重新产生碳碳双键结构。
当稳定的碳碳单键结构被恢复到不稳定的碳碳双键结构时，在类金刚石碳薄膜中产生的极化功能团消失。
当用于对准液晶分子的极化功能团没有显示时，液晶分子可以不维持预倾斜角度，使得液晶显示器件的显示质量恶化。
因此，为了维持液晶显示器件的显示质量，用于对准液晶分子的极化功能团应当永久地保持在类金刚石碳薄膜上。
因此，在极化功能团产生之后，极化保持物质与极化功能团结合，使得极化功能团永久地存在于类金刚石碳薄膜上(步骤S230)。
当碳碳双键断开时，产生碳碳单键和子链。为了使极化功能团永久地存在，子链与其它功能团结合。
图15是表示把羟基官能团(OH-)引入极化功能团的工序的流程图。
为了使极化功能团永久地存在，极化功能团的子链与羟基官能团(-OH)结合，使得C-OH键形成在类金刚石碳薄膜中。
首先，去离子水(DI水)被加热成蒸气(步骤S231)。蒸气施加到类金刚石碳薄膜的表面(步骤S232)。
加热去离子水形成蒸气不是必要的，但被蒸发的去离子水激活了去离子水和子链的结合。
当羟基官能团(-OH)与类金刚石碳薄膜的子链结合时，子链可以不与碳重新结合。因此，类金刚石碳薄膜上的碳原子具有碳碳单键，使得电不稳定的极化功能团被维持。
根据上述实施例，与羟基官能团(-OH)结合的极化功能团防止了类金刚石碳薄膜被电中性化。
<液晶分子之非接触类型对准的第三实施例>
图16是表示根据本发明第三示例实施例将氢离子引入极化功能团的工序的流程图。
为了使氢离子(H+)与子链结合，去离子水被提供给类金刚石碳薄膜的表面(步骤S233)。
然后，为了使氢离子(H+)与子链结合，紫外线照射到类金刚石碳薄膜的表面(步骤S234)。
当紫外线照射到去离子水时，产生两个氢离子和一个氧离子，如下面的化学式中表示。
<化学式1>
被紫外线分离的氢离子(H+)与子链结合形成C-H键。
当氢离子(H+)与在其中形成了极化功能团的类金刚石碳薄膜中形成的子链结合时，子链可以不与碳原子重新结合。因此，将电不稳定的电不稳定极化功能团维持在类金刚石碳薄膜中。
通过紫外线和去离子水将氢离子(H+)与子链键合可以在低温下进行。
相反，当氢气通过具有高于大约2500K温度的区域时，质子(H+)和电子(e-)被从氢气中分离。质子(H+)可以与子链结合形成C-H键。
<液晶分子之非接触类型对准的第四实施例>
图17是表示根据本发明第四示例实施例将氮离子引入极化功能团的工序的流程图。
为了使极化功能团可以维持在类金刚石碳薄膜上，氮离子(N-)与通过原子束在类金刚石碳薄膜中形成的子链结合。
提供氮气(N2)(步骤S235)和分离氮气形成氮离子(N-)(步骤S236)。高于氮电离电压的电压施加到氮气(N2)以便形成氮离子(N-)。
氮离子(N-)与在类金刚石碳薄膜中形成的极化功能团结合以形成C-N键(步骤S237)。
当氮离子(N-)与子链结合时，子链可以不与碳原子重新结合，并且碳原子维持为碳碳单键。因此，电不稳定的极化功能团被保持。
在上述第一实施例到第三实施例中，羟基官能团、氢离子或者氮离子被与极化功能团结合以便维持极化功能团。
下面，示出了根据液晶分子之非接触对准的第二示例实施例用于液晶之非接触对准的装置。
<液晶分子之非接触类型对准的第五实施例>
图18是表示根据本发明第五示例实施例的非接触对准装置的示意图；
参考图18，用于非接触对准液晶分子的非接触对准装置210包括原子束照射部件220和极性保持部件240。
而且，非接触对准装置210可以包括用于在第一母基底10上或者在第二母基底80上形成类金刚石碳薄膜的薄膜形成部件230。
参考图18，薄膜形成部件230包括腔室231，基底支持单元232，反应气体供给模块233，真空泵234和具有阴极电极235、阳极电极236以及电源237的等离子体发生器。
基底支持单元232被布置在腔室231中。其上形成薄膜晶体管单位晶格的第一母基底10和其上形成滤色器单位晶格的第二母基底80是通过基底支持单元232支持的。
反应气体供给模块233给腔室231提供诸如氦(He)、氩(Ar)、氢气(H2)、甲烷(CH4)或者乙炔(C2H2)的反应气体。
真空泵234在腔室231中产生大约60Torr的高真空，使得除了反应气体之外的其他气体可以不参与形成类金刚石碳薄膜的工序。
类金刚石碳薄膜是通过等离子体发生器用反应气体形成的。
等离子体发生器包括阴极电极235、阳极电极236和电源237。足够的电压施加在阴极电极235和阳极电极236之间，使得氦(He)或者氩(Ar)可以被电离。
薄膜形成部件230可以直接与原子束照射部件220结合。
但是，负载锁定腔室289可以介入在薄膜形成部件230和原子束照射部件220之间。第一母基底10或者第二母基底80等待在负载锁定腔室289中，如图18中表示。
当薄膜形成部件230、负载锁定腔室289、原子束照射部件220和极性保持部件240被串联组合时，用于对准液晶分子的工序只需要减少的时间，并且第一母基底10和第二母基底80的污染降低了。
其上形成类金刚石碳薄膜的第一母基底10或者第二母基底80被传送到原子束照射部件220。
从原子束照射部件220产生的原子束与在第一母基底10或者第二母基底80上形成的类金刚石碳薄膜碰撞，并且碳碳双键断开，使得在类金刚石碳薄膜中形成碳碳单键和子链。因此，形成用于对准液晶分子的极化功能团。
极性保持部件240保持极化功能团，使得极化功能团维持在类金刚石碳薄膜中。
下面，公开各种极性保持部件240。
参考图18，极性保持部件240包括腔室241、水提供模块242和喷射模块243。
用于维持极化功能团的处理是在腔室241中实现的。
提供模块243给腔室241提供去离子水。提供模块243还可以包括加热单元244，其用于加热去离子水以转变成蒸气。
喷射模块243均匀地将去离子水或者蒸气喷射到第一母基底10或者第二母基底80上。喷射模块243包括喷射喷嘴243a。
<液晶分子之非接触类型对准的第六实施例>
图19是表示根据本发明第六示例实施例的非接触对准装置的示意图。
参考图19，极性保持部件250包括水提供部件260和紫外线照射部件270。
水提供部件260包括腔室261、水提供模块262和喷射模块263。
水被喷射在腔室261中的类金刚石碳薄膜上。水提供模块262给腔室261提供水。喷射模块263均匀地将水或者蒸气喷射到第一母基底10或者第二母基底80上。喷射模块263包括喷射喷嘴263a。
紫外线照射部件270包括腔室271和紫外线照射模块272。紫外线照射模块272将紫外光束照射到类金刚石碳薄膜上。紫外光束将水分离成氢离子(H+)和氧离子(O2-)。氢离子(H+)与类金刚石碳薄膜中形成的子链结合。
子链与氢离子(H+)结合。因此，子链可以不与碳原子重新结合。因此，维持了极化功能团。
水分离成氢离子(H+)和氧离子(O2-)可以在室温下实现。
薄膜形成部件230和原子束照射部件220与图18中公开的相同。因此，省略具体部件的说明。
<液晶分子之非接触类型对准的第七实施例>
图20是表示根据本发明第七示例实施例的非接触对准装置的示意图。
参考图20，极性保持部件280包括腔室281、氢提供模块283、氢分离模块285。
真空泵284在腔室281中保持大约60Torr的低压，使得除了反应气体之外的其它气体可以不参与形成类金刚石碳薄膜的工序。
具体说，用于维持极化功能团的材料是诸如氢的不稳定材料，腔室281的压力被保持在低压。
氢提供模块283给腔室281提供预定量的氢气。
氢分离模块285将氢气转换成氢离子。
氢分离模块285包括加热器287和电源286。加热器287加热氢气，使得氢气的温度高于大约2500K。电源286给加热器287供电。
加热器287包括钨(W)，并且加热器287具有网状。
当氢气被加热使得氢气的温度高于大约2500K时，氢气被分离成氢离子和电子。
氢离子与在类金刚石碳薄膜中形成的子链结合，结果形成C-H键。
当氢离子与子链结合时，子链可以不与碳原子重新结合，结果维持了极化功能团。
薄膜形成部件230和原子束照射部件220与图18中公开的相同。因此，省略具体部件的说明。
<液晶分子之非接触类型对准的第八实施例>
图21是表示根据本发明第八示例实施例的非接触对准装置的示意图。
参考图21，极性保持部件290包括腔室291、氮提供模块293和氮分离模块295。
真空泵294在腔室281中保持低压，使得除了反应气体之外的其它气体可以不参与形成类金刚石碳薄膜的工序。
氮提供模块293给腔室291提供预定量的氮气。
氮分离模块295将氮气转换成氮离子。
氮分离模块295包括加热器297和电源296。加热器297加热氮气，使得氮气的温度高于大约2500K。电源296给加热器297供电。
加热器297包括钨(W)，并且加热器297具有网状。
当氮气被加热使得氮气的温度高于大约2500K时，氮气被分离成氮离子和电子。
氮离子与在类金刚石碳薄膜中形成的子链结合，结果形成C-N键。
当氮离子与子链结合时，子链可以不与碳原子重新结合，结果维持了极化功能团。
薄膜形成部件230和原子束照射部件220与图18中公开的相同。因此，省略相同部件的说明。
在上述<液晶分子之非接触类型对准的第一实施例>到<液晶分子之非接触类型对准的第八实施例>中，原子束在类金刚石碳薄膜中形成极化功能团，用于对准液晶分子。
原子束的方向和原子束的横截面形状是重要的，因为方向和横截面形状影响液晶分子的预倾斜角。
<液晶分子之非接触类型对准的第九实施例>
图22是表示根据本发明第九示例实施例用于产生原子束的方法的流程图。
参考图22，首先形成离子(步骤S235)。分离源气体形成离子。氩气(Ar)可以用作源气体。氩气是惰性气体的一种，其具有低的化学活性和不可以包含在任何化学化合物中，并且氩气重，使得氩气可以施加重的冲击给碳碳双键和断开碳碳双键。
为了从源气体获得离子，使用两种方法。
首先，当电压施加到源气体时，源气体被分离成离子、电子和中子。第二，当源气体被加热使得源气体的温度高于2500K时，源气体被分离和形成离子。
当离子形成时，离子被加速形成第一离子束(步骤S240)。第一电极具有与离子极性相反的极性，并且第一电极吸引离子，使得离子加速。
然后，离子束被转变成其横截面具有矩形或者圆形的第二离子束(步骤S245)。
第二离子束横截面的形状影响液晶分子的对准质量。
第二离子束的横截面可以具有矩形形状。矩形第二离子束的宽度确定被对准液晶分子的间隔。宽度愈小，间隔愈小。
第一离子束被聚焦形成第二离子束。第一离子束是离子流，不是光子流。作为光子流的光可以被透镜聚焦，但第一离子束不可以被透镜聚焦，因为第一离子束的前进可以被透镜中断。腔(housing)聚焦第一离子束。腔的入口面积大，但腔的出口面积小和为矩形形状。因此，当离子束通过腔时，第一离子束被聚焦。具有与第一离子束极性相反极性的第二电极在靠近出口处形成，使得第一离子束被加速。
在第二离子束形成之后，电子与第二离子束结合以便形成原子束(步骤S250)。电子与第二离子束交叉，使得电子与第二离子束结合。
原子束可以在各种场合使用。例如，将电中性的原子束注入到薄膜以改变薄膜的特性，或者原子束被用来维持液晶分子的预倾斜角。
<液晶分子之非接触类型对准的第十实施例>
图23是表示根据本发明第十示例实施例的原子束产生装置的示意图。
参考图23，原子束产生装置300包括离子产生部件310、第一离子束产生部件320、第二离子束产生部件330和原子束产生部件340。
离子产生部件310包括腔室312、源气体提供单元314和源气体分离单元316。
腔室312提供其中形成离子的空间。腔室312具有开口313。腔室312中形成的离子通过开口313流出。
开口313可以具有圆形形状或者为具有宽度和长度的矩形形状。该长度大于该宽度。
源气体提供单元314和源气体分离单元316形成在腔室312中。
源气体提供单元314给腔室312提供氩气(Ar)。氩气是惰性气体的一种，其具有低的化学活性和不可以包含在任何化合物中。而且，氩气重。因此，氩气适合于撞击在两个碳原子之间形成的碳碳双键使得断开碳碳双键。
源气体分离单元316分离氩气。
源气体分离单元316可以包括阴极电极、阳极电极和电源318。
源气体分离单元316可以包括用于加热诸如氩气之源气体的钨灯丝317，以及用于给钨灯丝317提供电源电压的电源。源气体分离单元316加热源气体使得氩气的温度变成高于大约2500K。当源气体被加热使得源气体的温度变成高于大约2500K时，源气体分离成离子。
第一离子束产生部件320加速离子。第一离子束产生部件320包括第一电极322和用于给第一电极322供电的第一电源324。
第一电极322具有网状形状。第一电极322吸引离子，使得离子被加速和通过第一电极322。
第一电源324将具有与离子相反极性的电压施加到第一电极322。
电压的绝对值确定加速度的幅值。当绝对值变成较大时，加速度的幅值变得较大。电压的绝对值愈大，加速度的幅值愈大。
第二离子束产生部件330调节第一离子束的形状。详细地，第二离子束产生部件330减小了第一离子束的横截面面积，但不减少第一离子束的量。因此，第二离子束产生部件330聚焦第一离子束。
第二离子束产生部件330包括第二离子束腔332、第二电极334和第二电源336。
第二离子束腔332为具有三个面的中空棱镜形状(hollow prismshape)。第二离子束腔332为空的。第一离子束入口333a形成在第二离子束腔332面对第一离子束产生部件320的面上。第二离子束出口333b形成在第二离子束腔332面对第一离子束入口333a的边缘上。第一离子束被第二离子束出口333b聚焦和通过第二离子束出口333b出去以形成第二离子束。
第二电极334安装在第二离子束腔332的第一离子束入口333a中。第二电极334具有网状形状和包括导电材料。
第二电源336给第二电极334提供具有与第一离子束极性相反极性的电压，使得第一离子束再次被加速。
原子束产生部件340包括电子产生单元342和电子加速单元346。
电子产生单元342包括钨灯丝343以及用于给钨灯丝343提供电源电压的电源344。钨灯丝343被电源344加热。当钨灯丝343的温度高于大约2500K时，电子从钨灯丝343中发出。
电子加速单元346包括电子加速电极347以及用于给电子加速单元346提供电源电压的电源348。电子加速单元346面对钨灯丝343和吸引从钨灯丝343产生的电子，从而形成电子束。
安排电子产生单元342和电子加速单元346，使得将电子产生单元342与电子加速单元346连接的有效线路相交第二电子束前进的方向。因此，由电子产生单元342产生和通过电子加速单元346加速的电子束相交第二离子束。电子束的电子与第二离子束结合，使得第二离子束转变成基本上具有与第二离子束相同速度和方向的原子束。
第一离子束产生部件和第二离子束产生部件330的顺序可以改变。仅仅第二离子束产生部件330可以被布置在离子产生部件310和原子束产生部件340之间。第二离子束产生部件330可以具有各种形状。第一离子束入口333a可以具有圆形形状，并且第二离子束出口333b可以具有矩形形状。
<液晶分子之非接触类型对准的第十一实施例>
图24是表示根据本发明第十一实施例在对准膜上对准液晶分子的非接触对准方法的流程图，图26是表示在母基底上形成的透明薄膜的横截面视图，和图27是表示在图26的透明薄膜上形成的碳聚合物的横截面视图。
参考图24、26和27，透明薄膜365形成在第一母基底10的薄膜晶体管单位晶格30上以便对准第一母基底10上的液晶分子。透明薄膜365也形成在第二母基底80的滤色器单位晶格100上以便对准第二母基底80上的液晶分子(步骤S255)。
首先，将第一母基底10或者第二母基底80装入被密封的真空空间中以便形成透明薄膜。非晶硅薄膜可以用作为透明薄膜。
为了在密封真空空间中在第一母基底10或者第二母基底80上形成透明薄膜，硅烷气(SiH4)和氢气被提供在该空间中。然后，硅烷气和氢气相互反应形成非晶硅。非晶硅被沉积在第一母基底10的薄膜晶体管单位晶格30上或者在第二母基底80的滤色器单位晶格100上，结果形成透明的非晶硅薄膜。
当透明薄膜形成在第一母基底10或者第二母基底80上时，用于对准液晶分子的对准凹槽被形成在第一母基底10或者第二母基底80上(步骤S260)。
当聚合物被沉积在第一母基底10或者第二母基底80上时，对准凹槽被形成在聚合物上。
为了将聚合物沉积在第一母基底10或者第二母基底80上，将碳氟化合物(CF4)、三氟甲烷(CHF3)和氧气(O2)提供给具有低压的该密封空间。然后，碳氟化合物(CF4)、三氟甲烷(CHF3)和氧气(O2)通过化学气相沉积(CVD)形成碳聚合物。
碳聚合物沉积在第一母基底10或者第二母基底80上，如同雪沉积在地上。碳聚合物是以相互被隔开的岛形状沉积。即，碳聚合物不沉积在第一母基底10或者第二母基底80的整个表面上。碳聚合物的岛是通过与其中用于形成半球晶粒(HSG)的晶种被均匀散开的工艺相类似工艺而形成的。
最好是，岛具有足够的间隔使得液晶分子可以沉积在岛之间，并且岛的高度是在大约10埃到大约100埃的范围。碳聚合物从第一母基底10或者在第二母基底80上直接向上生长。
<液晶分子之非接触类型对准的第十二实施例>
图25是表示根据本发明第十二示例实施例的非接触对准装置的示意图。图26是表示在母基底上形成的透明薄膜的横截面视图。图27是表示在图26的透明薄膜上形成的碳聚合物的横截面视图。
参考图25到27，非接触对准装置369包括薄膜形成部件360和凹槽形成部件350。
薄膜形成部件360包括薄膜形成腔室361，反应气体提供模块362，具有阴极电极364和阳极电极366的等离子体发生器，以及真空泵368。
反应气体提供模块362给薄膜形成腔室361提供硅烷气(SiH4)和氢气(H2)。
等离子体发生器包括阴极电极364和阳极电极366。高电压施加在阴极电极364和阳极电极366之间，使得硅烷气(SiH4)和氢气(H2)相互反应。
参考图26，借助硅烷气(SiH4)和氢气(H2)，诸如非晶硅薄膜的透明薄膜365被形成在第一母基底10或者在第二母基底80上。
参考图25，具有透明薄膜的第一母基底10或者在第二母基底80被传送到负载锁定腔室363。第一母基底10或者在第二母基底80在负载锁定腔室363中等待下一道工序。
凹槽形成部件350包括凹槽形成腔室351，反应气体供给模块353，具有阴极电极355和阳极电极357的反应气体聚合单元。
凹槽形成腔室351中的压力被维持在高真空。具有透明薄膜的第一母基底10或者具有透明薄膜的第二母基底80被传送到凹槽形成腔室351。
透明薄膜包括非晶硅薄膜。
反应气体供给模块353给凹槽形成腔室351提供反应气体。反应气体在透明薄膜上形成碳聚合物。
参考图27，碳聚合物358形成在透明薄膜365上。碳聚合物358形成为如同岛似的相互隔开。碳聚合物358的纵向方向基本上垂直于透明薄膜365的表面。最好是，碳聚合物358的高度是在大约10埃到大约100埃的范围。反应气体包括碳氟化合物(CF4)、三氟甲烷(CHF3)和用于聚合碳氟化合物(CF4)与三氟甲烷(CHF3)的氧气(O2)。
再次参考图25，反应气体聚合单元355和357允许反应气体相互反应以便产生图27的碳聚合物358。反应气体聚合单元包括阴极电极355、阳极电极357和电源(未表示)。阴极电极355和阳极电极357将氧转变成等离子体。
电源(未表示)给阴极电极355和阳极电极357提供足够的电压以将氧转变成等离子体状态。
凹槽形成部件350形成碳聚合物。碳聚合物的岛是通过与其中用于形成半球晶粒(HSG)的晶种被均匀散开的工艺相类似工艺形成的。
再次参考图1，岛形碳聚合物被称为对准膜。对准膜是按上述方法形成的(步骤S200)。
当对准膜形成在第一母基底10的薄膜晶体管单位晶格30上和在第二母基底80的滤色器单位晶格100上时，第一母基底10和第二母基底80被组装成装配基底(步骤S300)。
第一母基底10和第二母基底80被平行于重力方向竖立布置和装入自动制导载体(AGV)或者手动制导载体(MGV)，并且被传送到装配基底制造装置。
为了形成装配基底，在薄膜晶体管单位晶格30和滤色器单位晶格100的一个上形成栅栏(fence)(步骤S305)。在第一母基底10上形成的薄膜晶体管单位晶格30的数目等于在第二母基底80上形成的滤色器单位晶格100的数目。
栅栏包括可固化材料(curable material)和粘性材料。当紫外线束照射到可固化材料时，可固化材料被固化。粘性材料将第一母基底10与第二母基底80结合。栅栏为具有窄宽度的带形状，并且栅栏包围着薄膜晶体管单位晶格30的边缘或者滤色器单位晶格100的边缘以形成一个闭环。
液晶被滴到由栅栏限定的内部区域以便装满由栅栏限定的内部区域(步骤S310)。
装入内部区域的液晶量是以由栅栏包围的面积和当组装薄膜晶体管单位晶格30与滤色器单位晶格100时作为在薄膜晶体管单位晶格30和滤色器单位晶格100之间距离的晶格缝隙为基础计算的。
当液晶被滴入内部区域时，液晶被滴到在内部区域中布置的多个区域上。
然后，第一母基底10与第二母基底80在真空中被组装在一起。栅栏在第一母基底10与第二母基底80之间起媒介作用。下面，第一母基底10的薄膜晶体管单位晶格30和第二母基底80的滤色器单位晶格100被称为液晶显示单位晶格。
包括液晶显示单位晶格的第一母基底10和第二母基底80被留在大气压力下一个小时，以便滴在多个区域上的液晶被均匀地铺开。
但是，即使当包括液晶显示单位晶格的第一母基底10和第二母基底80被留在大气压力下一个小时，一些液晶显示单位晶格的液晶也没有铺开。当液晶没有被均匀地铺开在整个液晶显示单位晶格时，在液晶显示单位晶格的不存在液晶的液晶未填充区域中不显示图像。
因此，在包括液晶显示单位晶格的第一母基底10和第二母基底80被留在大气压力下一个小时之后，完成用于检测液晶未填充区域的检测工序。
检测工序不是必要的。检测工序仅仅是为了降低产品故障而进行的。
图28是表示用于检测其中没有填充液晶之未填充区域的方法的流程图。
参考图28，产生第一光(步骤S315)以便检测液晶未填充区域。第一光到达第一母基底10的底面和通过第一母基底10、布置在第一母基底上的液晶。当第一光通过液晶时，第一光被转变成具有与第一光不同特性的第二光。
第二光通过第二母基底80和从第二母基底80的上面出去。
检测从第二母基底80出去的第二光(步骤S320)。
所检测的第二光产生模拟信号。模拟信号被转变成作为数字信号的图像数据。图像数据与基准数据比较(步骤S325)。
当图像数据不同于基准数据时，在液晶显示单位晶格中存在液晶未填充区域。因此，包括液晶显示单位晶格的第一母基底10和第二母基底80被在大气压力下等待另外两个小时(步骤S335)。
为了铺开液晶，外力可以施加到液晶显示单位晶格。
当没有检测液晶未填充区域时，紫外线束照射到将第一母基底10与第二母基底80结合在一起的栅栏上以便固化该栅栏。
下面，详细说明用于检测液晶未填充区域的检测装置。
图29是表示用于检测未填充区域之检测装置的例子的示意图。
参考图29，用于检测液晶未填充区域的检测装置包括基体371，背光单元373，未填充区域检测器375和控制单元378。
背光单元373、未填充区域检测器375和控制单元378安装在基体371上。
背光单元373包括用于产生第一光374a的灯374，和用于给灯供电的电源374b。传递单元374c形成在背光单元373上。传递单元374c向/从基体371上装载/卸载相互组装的第一母基底10与第二母基底80。传递单元374c包括沿线配置的滚筒374d和用于驱动滚筒374d的滚筒驱动单元(未示出)。滚筒374d做成与第一母基底10接触。
未填充区域检测器375面对背光单元373。
未填充区域检测器375检测第二光375a和第三光375b。当第一光374a通过液晶时，第一光374a被转变成第二光375a。当第一光374a通过未填充区域时，第一光374a转变成第三光375b。
第二光375a与第三光375b相比具有不同的亮度和不同的颜色。因此，第二光375a与第三光375b可以通过亮度和颜色来检测。
电荷耦合器件摄像机(CCD摄像机)可以用作未填充区域检测器375。电荷耦合器件摄像机接收第二光375a与第三光375b，以产生模拟图像和将该模拟图像转变为图像数据。该图像数据被存储在控制单元378的数据存储模块377中。下面，将被检查的装配基底所检测的图像数据称为检测数据。下面，将没有未填充区域的装配基底所检测的图像数据称为基准数据。
比较单元376将检测数据与基准数据进行比较。
基准数据不包括从第三光375b获得的数据。当装配基底具有未填充区域时，从装配基底所检测的检测数据包括从第二光375a获得的数据和从第三光375b获得的数据。
比较单元376将在数据存储模块377中存储的检测数据与基准数据进行比较。当检测数据基本上等于基准数据时，比较单元376推断该装配基底没有未填充区域。当检测数据不同于基准数据时，比较单元376推断装配基底具有未填充区域。
当检测过程完成时，装配基底以平行于重力方向被竖立布置和通过自动制导载体(AGV)或者手动制导载体(MGV)被传送到检查液晶显示单位晶格的非接触检查装置。
再次参考图1，当供给液晶时(步骤S500)，在液晶显示单位晶格被从第一母基底10和第二母基底80分离之前，检查该液晶显示单位晶格，确认液晶显示单位晶格是否正常(步骤S400)。
通常，在液晶显示单位晶格被从第一母基底10和第二母基底80分离之后，检查该液晶显示单位晶格，确认液晶显示单位晶格是否有缺陷。
但是，在本发明中，顺序被改变。根据本发明示例实施例，在液晶显示单位晶格被从第一母基底10和第二母基底80分离之前，检查该液晶显示单位晶格，确认液晶显示单位晶格是否有缺陷。
在液晶显示单位晶格被分离之前检查液晶显示单位晶格是困难的，因为用于接收驱动液晶显示单位晶格之信号的输入端子被布置在第一母基底10和第二母基底80之间。
下面，解释通过将测试信号施加到被布置在第一母基底和第二母基底之间的输入端子来检查液晶显示单位晶格的方法。
图30A是表示检查液晶显示单位晶格之非接触检查方法的流程图。
参考图30A，为了驱动液晶显示单位晶格，将光电原动力施加到液晶显示单位晶格(步骤S410)。
图30B是表示驱动图30A液晶显示单位晶格的方法的流程图。
参考图3、6和30B，第一光施加到栅极线，使得第一光电原动力施加到薄膜晶体管单位晶格50的栅极线50(步骤S412)。第二光施加到数据线，使得第二光电原动力施加到薄膜晶体管单位晶格50的数据线60(步骤S414)。可以施加第三光，使得第三光电原动力施加到滤色器单位晶格100的公共电极(未示出)(步骤S416)。
第一光电原动力可以同时施加到至少两个栅极线50。第一光电原动力可以施加到栅极线50之一上。第一光电原动力足够大以导通薄膜晶体管40。但是，第一光电原动力不能太大以免损坏薄膜晶体管40的沟道层48。
第二光电原动力可以同时施加到至少两个数据线60。另外，第二光电原动力可以施加到数据线60之一上。第二光电原动力施加到薄膜晶体管40的源电极44上。第二光电原动力可以不同地施加到每一个数据线60上以便显示测试图像。
第三光电原动力可以施加到图6的公共电极120上。第三光电原动力的大小不同于第一光电原动力和第二光电原动力。第三光电原动力可以连接到地电势。当第三光电原动力连接到地电势时，可以不施加第三光。
当第一光电原动力施加到栅极线时，薄膜晶体管40导通。然后，被施加到数据线60的第二光电原动力被传递到像素电极70，使得在像素电极70和公共电极120之间布置的液晶分子的对准被改变。当在第一母基底10和第二母基底80之间布置的液晶分子的对准被改变时，通过液晶显示器件的光被转变成测试图像。
通过该测试图像来检查液晶显示单位晶格，以确定该液晶显示单位晶格是否正常(步骤S420)。
图30C是表示检查图30A的液晶显示单位晶格的方法的流程图。
参考图30A和30C，电荷耦合器件(CCD)摄像机检测该测试图像和将测试图像变换成图像数据(步骤S422)。通过将图像数据与基准数据比较(步骤S424)，液晶显示单位晶格确定液晶显示单位晶格是否正常(步骤S430)。
当液晶显示单位晶格不正常时，液晶显示单位晶格被标记为异常单位晶格以表示液晶显示单位晶格是不正常的。
如上所述，通过非接触对准方法检查液晶显示单位晶格，确定液晶显示单位晶格是否正常，目的是将起偏振片仅仅附着到正常液晶显示单位晶格上。
图31是表示非接触检查装置的例子的示意图。
参考图3和图31，检查装置380包括基体390，光电原动力施加部件400，显示光施加部件410，检测器420和控制单元430。
形成了液晶显示单位晶格的第一母基底10和第二母基底80被装载在基体390上(或者从基体390卸载)。
光电原动力施加部件400包括第一光电原动力施加部件402、第二光电原动力施加部件404和第三光电原动力施加部件406。
第一光电原动力施加部件402将第一光电原动力施加到薄膜晶体管单位晶格30的栅极线50上以导通该薄膜晶体管40。第一光电原动力可以同时施加到至少两个栅极线50上或者施加到一个栅极线50上。
第二光电原动力施加部件404将第二光电原动力施加到薄膜晶体管单位晶格30的数据线60使得将第二光电原动力施加到源电极44。第二光电原动力通过漏电极46被传递到像素电极70。
参考图6和图31，第三光电原动力施加部件406将第三光电原动力施加到滤色器单位晶格的公共电极120。然后，在图3的公共电极120和像素电极之间形成电场以改变液晶分子的对准。
但是，当缺乏显示光411时，不可以感觉到液晶显示单位晶格的工作。
显示光施加部件410施加朝第一母基底10前进的显示光411。
检测器80检测测试图像412。当显示光411通过第一母基底10、在第一母基底10和第二母基底80上布置的液晶时，显示光411被变换成测试图像412。检测器420将模拟信号变换成数字信号。例如，电荷耦合器件(CCD)摄像机可以用作为检测器420。
通过将数字信号与基准信号比较，控制单元430检查液晶显示单位晶格的工作。
当检查液晶显示单位晶格以确认该液晶显示单位晶格是否正常时，装配基底被竖立和传递到将起偏振片附着到正常液晶显示单位晶格的下一个工序。
图32是表示用于将起偏振片附着到液晶显示单位晶格的附着装置的例子的示意图。
参考图32，附着装置440包括基体450，第一起偏振片附着模块460，第二起偏振片附着模块470，第一切除模块480，第二切除模块490，第一保护薄片剥离模块500和第二保护薄片剥离模块510。
基体450提供安装第一起偏振片附着模块460、第二起偏振片附着模块470、第一切除模块480、第二切除模块490、第一保护薄片剥离模块500和第二保护薄片剥离模块510的空间。
例如，基体450可以具有箱形状。基体450的纵向方向称为x方向，基体450的横向方向称为y方向。
装配基底装载机(loader)520形成在基体450上。被检查装配基底是否正常的装配基底被装载到装配基底装载机520上。
第一起偏振片装载机530和第二起偏振片装载机540布置在基体450上。第一起偏振片装载机530和第二起偏振片装载机540被隔开远离装配基底装载机520。第一起偏振片装载机530和第二起偏振片装载机540相互平行和沿y方向布置。
第一起偏振片基本上等于装配基底的大小。被附着到薄膜晶体管单位晶格的第一起偏振片被装载到第一起偏振片装载机530。
图33是表示第一母起偏振片的横截面图。
参考图33，第一母起偏振片534包括第一基膜531，第一起偏振片532和第一保护薄片533。
第一母起偏振片534可以具有比装配基底更小的尺寸。例如，液晶显示单位晶格以3×2矩阵形状配置，第一母起偏振片534可以在尺寸上足够大以形成三个第一起偏振片532或者两个第一起偏振片532。
再次参考图32，第二起偏振片具有基本上等于装配基底的尺寸。被附着到滤色器单位晶格的第二起偏振片被装载到第二起偏振片装载机540。
第二母起偏振片544可以具有比装配基底更小的尺寸。例如，液晶显示单位晶格以3×2矩阵形状配置，第二母起偏振片544可以在尺寸上足够大以形成三个第一起偏振片532或者两个第一起偏振片532。
图34是表示第二母起偏振片的横截面图。
参考图34，第二母起偏振片544包括第二基膜541，第二起偏振片542和第二保护薄片543。
再次参考图32，第一切除模块480和第二切除模块490形成在基体450上。
第一切除模块480布置在靠近第一起偏振片装载机530。第二切除模块490布置在靠近第二起偏振片装载机540。
第一切除模块480根据薄膜晶体管单位晶格的尺寸切除第一母起偏振片。第一切除模块480切除第一母起偏振片534，使得第一母起偏振片534的数目和尺寸等于薄膜晶体管单位晶格的数目和尺寸。第一切除模块480可以切除第一母起偏振片534，其被包括在以矩阵形状配置的薄膜晶体管单位晶格的一列或者一行中。
第二切除模块490根据滤色器单位晶格的尺寸切除第二母起偏振片。第二切除模块490切除第二母起偏振片534，使得第二母起偏振片544的数目和尺寸等于薄膜晶体管单位晶格的数目和尺寸。第二切除模块490可以切除第二母起偏振片544，其被包括在以矩阵形状配置的薄膜晶体管单位晶格的一列或者一行中。图35是表示图32的第一切除模块例子的示意图。
参考图35，第一切除模块480包括x轴刀片模块481和y轴刀片模块486。
x轴刀片模块481包括第一x轴刀片482和第一x轴刀片驱动单元483。第一x轴刀片482的长度等于薄膜晶体管单位晶格的x方向长度。第一x轴刀片驱动单元483推拉第一x轴刀片482，使得完全切割第一保护薄片533和第一起偏振片532，以及切割一部分第一基膜531。
图36A是表示通过图35的第一x轴刀片切除的第一(或者第二)母起偏振片的示意图。
参考图36A，第一母起偏振片534被图35的第一x轴刀片模块481切割。
图36B和36C是表示通过图35的第一x轴刀片部分切除的第一(或者第二)母起偏振片的示意图。
参考图36B和36C，第一x轴刀片切除具有大尺寸的第一起偏振片的左边部分。第一x轴刀片切除第一起偏振片的右边部分，使得第一起偏振片的水平边缘被完全从第一母起偏振片中切除。
当第一x轴刀片驱动单元推动具有大的第一x轴刀片以便切割具有大尺寸的第一起偏振片时，可以损坏第一母起偏振片。因此，第一起偏振片被切除两次。
当第一起偏振片被切除多次时，可以较小损坏起偏振片但增加切割时间。
当第一起偏振片大时，第一x轴刀片的第一长度对沿第一方向的第一起偏振片水平边缘长度的第一比率在从大约0.5到大约1的范围内。
再次参考图35，y轴刀片模块486包括第一y轴刀片484和第一y轴刀片驱动单元485。第一y轴刀片484的长度等于薄膜晶体管单位晶格的y方向长度。第一y轴刀片驱动单元485推拉第一y轴刀片484使得完全切割第一保护薄片533和第一起偏振片532，以及切割一部分第一基膜531。
图37A是表示通过图35的第一x轴刀片切除之后通过第一y轴刀片切除的第一(或者第二)母起偏振片的示意图。
参考图33和37A，第一母起偏振片534被图35的第一y轴刀片模块486切割，使得第一母起偏振片534的第一起偏振片532被切割成具有基本上等于薄膜晶体管单位晶格的尺寸。
图37B和37C是表示通过图35的第一x轴刀片部分切除之后通过第一y轴刀片切除的第一(或者第二)母起偏振片的示意图。
参考图37B和37C，第一y轴刀片切除具有大尺寸的第一起偏振片的上面部分。第一y轴刀片切除第一起偏振片的下面部分，使得第一起偏振片的垂直边缘被完全从第一母起偏振片中切除。
当第一y轴刀片驱动单元推动具有大的第一y轴刀片以便切割具有大尺寸的第一起偏振片时，可以损坏第一母起偏振片。因此，第一起偏振片被切除两次。
当第一起偏振片被切除多次时，可以较小损坏起偏振片但增加切割时间。
当第一起偏振片大时，第一y轴刀片的第一长度对在第一方向之第一起偏振片垂直边缘长度的第一比率在从大约0.5到大约1的范围内。
再次参考图32，第二切除模块490具有与第一切除模块480相同的元件。因此，省略对第二切除模块490的说明。
第一保护薄片剥离模块500和第二保护薄片剥离模块510形成在基体450上。第一保护薄片剥离模块500布置在靠近第一切除模块480。第二保护薄片剥离模块510布置在靠近第二切除模块490。
图38是表示图32的第一保护薄片剥离模块的示意图。
参考图38，在图33的第一保护薄片533和第一起偏振片532被图32的第一切除模块480切割之后，第一保护薄片剥离模块500剥离被附着在第一起偏振片532a上的第一保护薄片533a。
第一保护薄片剥离模块500包括拾取器501和拾取器驱动模块503。
拾取器驱动模块503推动拾取器501使得拾取器501与第一保护薄片533a接触。
拾取器501利用真空压力吸引第一保护薄片533a。然后，拾取器驱动模块503拉动拾取器501。当拾取器501吸引第一保护薄片533a要远远强于将第一保护薄片533a结合到第一起偏振片532a的粘结力时，第一保护薄片533a就从第一起偏振片532a上分离。
当第一保护薄片533a从第一起偏振片532a上分离时，第一起偏振片被附着到液晶显示单位晶格的薄膜晶体管单位晶格。
再次参考图32，第二保护薄片剥离模块510与第一保护薄片剥离模块500具有相等的元件。因此，省略对第二保护薄片剥离模块510的解释。
第一翻转模块560和第二翻转模块570形成在基体450上。第一翻转模块560布置在靠近第一保护薄片剥离模块500。第二翻转模块570布置在靠近第二保护薄片剥离模块510。
第一翻转模块560和第二翻转模块570分别翻转第一母起偏振片和第二母起偏振片，使得第一母起偏振片之暴露的第一起偏振片面对薄膜晶体管单位晶格以及第二母起偏振片之暴露的第二起偏振片面对滤色器单位晶格。
第一起偏振片附着模块460和第二起偏振片附着模块470形成在基体450上。第一起偏振片附着模块460布置在靠近第一翻转模块560。第二起偏振片附着模块470布置在靠近第二翻转模块570。
第一起偏振片附着模块460将第一母起偏振片附着在装配基底上。第二起偏振片附着模块470将第二母起偏振片附着在装配基底上。
图39是表示图32的起偏振片附着模块的示意图。
参考图39，第一起偏振片附着模块460包括第一装配基底支持单元461和第一起偏振片附着单元466。
第一装配基底支持单元461支持装配基底85。第一装配基底支持单元461包括第一装配基底支持板462和第一装配基底吸引部件463。
第一装配基底支持板462包括多个第一穿过孔462a。
第一装配基底吸引部件463包括第一真空管道463a和第一真空产生构件463b。第一真空管道463a的第一端与第一装配基底支持板462的第一穿过孔462a相连，第一真空管道463a的第二端与第一真空产生构件463b相连。第一真空产生构件463b形成基本的真空状态，使得装配基底85被固定到第一装配基底支持板462。
第一起偏振片附着单元466包括第一推板468和第一推板驱动模块467。
第一推板驱动模块467推动第一推板468使得第一母起偏振片534的第一起偏振片532a与第一母基底10的薄膜晶体管单位晶格(未示出)接触。因此，被图32第一切除模块480切割的第一起偏振片532a被附着到第一母基底10的薄膜晶体管单位晶格(未示出)上。
再次参考图32，第二起偏振片附着单元470等于第一起偏振片附着单元460。因此，省略对第二起偏振片附着单元470的解释。
第三翻转模块580布置在第一起偏振片附着模块460和第二起偏振片附着模块470之间。
第三翻转模块580翻转其上附着了第一起偏振片的装配基底，目的是使第二起偏振片可以被附着在滤色器单位晶格上。
当第一起偏振片被附着在薄膜晶体管单位晶格上和第二起偏振片被附着在滤色器单位晶格上时，传送臂将装配基底传送到装配基底卸载模块590。形成两个装配基底卸载模块590。
再次参考图1，当第一极化单位晶格被附着在装配基底的薄膜晶体管单位晶格上和第二极化单位晶格被附着在装配基底的滤色器单位晶格上时，通过使用激光束的非接触方法或者通过使用金刚石刀片的接触方法，液晶显示单位晶格被从装配基底中分离(步骤S500)。
被从装配基底中分离的液晶显示单位晶格称为液晶显示板。
柔性带运载封装(flexible tape carrier package)(TCP)和印刷电路板(PCB)被附着在液晶显示板上以便制造液晶显示板组件(步骤S600)。
液晶显示板组件与背光组件结合，以便制造液晶显示器件。
尽管已经详细描述了本发明的示例实施例及其优点，但应当理解，在不脱离所附权利要求限定的本发明精神和范围的情况下，在这里能够进行各种改变、替换和变更。

Claims (29)

1.一种用于将起偏振片附着到液晶显示单位晶格的设备，包括：
基体；
第一切除模块，其被布置在该基体上和从第一母起偏振片上切除第一起偏振片；
第一保护薄片剥离模块，其被布置在该基体上和从该第一起偏振片剥离第一保护薄片以产生第一剥离起偏振片；和
第一起偏振片附着模块，其被布置在该基体上和将该第一剥离起偏振片附着到装配基底之液晶显示单位晶格的第一面上。
2.根据权利要求1的设备，还包括：布置在第一保护薄片剥离模块和第一起偏振片附着模块之间的第一翻转模块，该第一翻转模块布置在基体上，该第一剥离起偏振片通过该第一翻转模块而被完全翻转颠倒。
3.根据权利要求1的设备，还包括：给第一切除模块提供第一母起偏振片的第一起偏振片装载机，该第一起偏振片装载机布置在该基体上。
4.根据权利要求1的设备，还包括：给第一起偏振片模块提供装配基底的装配基底装载机，该装配基底装载机布置在该基体上。
5.根据权利要求1的设备，还包括：卸载其上附着有第一起偏振片的装配基底的装配基底卸载模块。
6.根据权利要求1的设备，其中该第一切除模块包括沿第一方向切除第一起偏振片的第一x轴刀片模块，以及沿基本上垂直于该第一方向的第二方向切除第一起偏振片的第一y轴刀片模块。
7.根据权利要求6的设备，其中该第一x轴刀片模块包括第一x轴刀片和通过推拉该第一x轴刀片驱动第一x轴刀片的第一x轴刀片驱动单元，该第一y轴刀片模块包括第一y轴刀片和通过推拉该第一y轴刀片而驱动该第一y轴刀片的第一y轴刀片驱动单元。
8.根据权利要求7的设备，其中该第一x轴刀片的第一长度基本上等于沿第一方向的第一起偏振片的边缘的长度，并且该第一y轴刀片的第二长度基本上等于沿第二方向的第一起偏振片的边缘。
9.根据权利要求7的设备，其中该第一x轴刀片的第一长度对沿第一方向的第一起偏振片的边缘长度的第一比率在从大约0.5到大约1的范围内，并且该第一x轴刀片的第二长度对沿第二方向的第一起偏振片的边缘长度的第二比率在从大约0.5到大约1的范围内。
10.根据权利要求1的设备，其中该第一保护薄片剥离模块包括通过真空吸引拾取该第一保护薄片的第一拾取器，以及通过朝向该第一保护薄片推拉拾取器来驱动该拾取器的第一拾取器驱动模块。
11.根据权利要求1的设备，其中该第一起偏振片附着模块包括支持装配基底的第一装配基底支持单元，以及将第一剥离起偏振片附着到液晶显示单位晶格第一面的第一起偏振片附着单元。
12.根据权利要求11的设备，其中该第一装配基底支持单元包括具有多个孔的第一装配基底支持板，以及真空吸引布置在第一装配基底支持板上的装配基底的第一装配基底吸引部件。
13.根据权利要求12的设备，其中该第一装配基底吸引部件包括第一真空管道和与该第一真空管道连接的第一真空产生构件。
14.根据权利要求11的设备，其中该第一起偏振片附着单元包括将第一起偏振片推向液晶显示单位晶格的第一推板，以及驱动该第一推板的第一推板驱动模块。
15.根据权利要求1的设备，其中该装配基底包括以矩阵形状配置的多个液晶显示单位晶格，该第一切除模块通过列或者通过行切除该第一起偏振片。
16.根据权利要求1的设备，还包括：
第二切除模块，其被布置在该基体上并从第二母起偏振片上切除第二起偏振片；
第二保护薄片剥离模块，其被布置在该基体上和从该第二起偏振片剥落第二保护薄片以产生第二剥离起偏振片；和
第二起偏振片附着模块，其被布置在该基体上和将第二剥离起偏振片附着到装配基底之液晶显示单位晶格的第二面上。
17.根据权利要求16的设备，还包括：布置在第二保护薄片剥离模块和第二起偏振片附着模块之间的第二翻转模块，该第二翻转模块布置在该基体上，该第二剥离起偏振片通过该第二翻转模块被完全翻转颠倒。
18.根据权利要求16的设备，还包括：给该第二切除模块提供第二母起偏振片的第二起偏振片装载机，该第二起偏振片装载机布置在该基体上。
19.根据权利要求16的设备，还包括：给该第二起偏振片模块提供装配基底的装配基底装载机，该装配基底装载机布置在该基体上。
20.根据权利要求16的设备，还包括：用于卸载其上附着有第二起偏振片的装配基底的装配基底卸载模块。
21.根据权利要求16的设备，其中该第二切除模块包括沿第一方向切除第二起偏振片的第二x轴刀片模块，以及沿基本上垂直于该第一方向的第二方向切除第二起偏振片的第二y轴刀片模块。
22.根据权利要求21的设备，其中该第二x轴刀片模块包括第二x轴刀片和通过推拉该第二x轴刀片驱动第二x轴刀片的第二x轴刀片驱动单元，该第二y轴刀片模块包括第二y轴刀片和通过推拉该第二y轴刀片驱动第二y轴刀片的第二y轴刀片驱动单元。
23.根据权利要求22的设备，其中该第二x轴刀片的第一长度基本上等于沿第一方向的第一起偏振片的边缘的长度，并且该第二y轴刀片的第二长度基本上等于沿第二方向的第一起偏振片的边缘。
24.根据权利要求22的设备，其中该第二x轴刀片的第一长度对沿第一方向的第二起偏振片的边缘长度的第一比率在从大约0.5到大约1的范围内，并且该第一x轴刀片的第二长度对沿第二方向的第一起偏振片的边缘长度的第二比率在从大约0.5到大约1的范围内。
25.根据权利要求16的设备，其中该第二保护薄片剥离模块包括通过真空吸引拾取第二保护薄片的第二拾取器，以及通过朝向第二保护薄片推拉拾取器来驱动该拾取器的第二拾取器驱动模块。
26.根据权利要求16的设备，其中该第二起偏振片附着模块包括支持装配基底的第二装配基底支持单元，以及将第二剥离起偏振片附着到液晶显示单位晶格第二面的第二起偏振片附着单元。
27.根据权利要求26的设备，其中该第二装配基底支持单元包括具有多个孔的第二装配基底支持板，以及真空吸引布置在第二装配基底支持板上的装配基底的第二装配基底吸引部件。
28.根据权利要求27的设备，其中该第二装配基底吸引部件包括第二真空管道和与该第二真空管道连接的第二真空产生构件。
29.根据权利要求26的设备，其中该第二起偏振片附着单元包括将第二起偏振片推向液晶显示单位晶格的第二推板，以及驱动该第二推板的第二推板驱动模块。
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