CN1290161C - 液体处理装置 - Google Patents

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Abstract

一种液体处理装置，具有：配有保持基板的保持机构和使保持机构旋转的旋转装置的基板旋转装置；为使保持在保持机构上的基板基本上垂直或基本上水平、变换基板旋转装置的姿势的姿势变换机构；对保持在保持机构上的基板进行规定的液体处理的处理腔室；为把保持机构容纳在处理腔室内、相对地调节处理腔室与保持机构的位置的位置调节机构。从基本上水平的容纳基板的容器内取出基板将其保持在保持机构上，使保持基板的保持机构变换姿势使基板基本上处于垂直状态，一面旋转基板一面向基板供应处理液体进行液体处理。

Description

液体处理装置
技术领域
本发明涉及对半导体晶片及LCD基板等各种基板进行液体处理及干燥用的液体处理装置。
背景技术
例如，在半导体器片制造工艺中，使用将作为基板的半导体晶片(晶片)用规定的药液及纯水等进行清洗，从晶片上除去颗粒、有机污染物、金属不纯物等去除杂质的晶片清洗装置，以及用氮气(N2)体等惰性气体及挥发性和亲水性高的IPA蒸汽等从晶片上除去液滴对晶片进行干燥的晶片干燥装置。
作为这种清洗装置及干燥装置，已知有将晶片一个个地进行处理的单片式，以及将多个晶片在晶片清洗室及晶片干燥室内进行批处理的装置。
作为这种单片式处理装置，例如，在其周缘部或背面进行保持该晶片，一面使其在水平面内旋转一面向晶片的表面和背面喷射清洗液，同时，一面旋转刷子等对晶片表面进行扫描的所谓擦洗器是知的。
但是，在把晶片保持在水平状态进行清洗处理的情况下，在清洗处理后使晶片旋转将附着在晶片上的清洗液甩掉时，存在着不能令人满意地将清洗液除掉的问题。同时，在把晶片保持在水平状态进行清洗处理时，一般说来清洗处理室的容积大，所以将清洗处理室排气时排气量大。因此，所使用的药液的温度容易下降，存在着难以使用高温药液的问题。进而，将晶片保持在水平状态下进行清洗处理时，在为了对气氛进行控制将清洗处理室制成密闭结构的情况下，存在着对清洗处理室的开闭机构及将晶片向清洗处理室内输送和输出机构的控制等的控制程序复杂的问题。进而难以在将晶片水平载置的场合下，将各个晶片重叠成多层进行处理。
另一方面，作为批量式的清洗处理装置，例如，如图31所示，具有如下结构的晶片清洗装置500是公知，所述清洗装置500的结构为，它具有形成晶片清洗室501的处理腔室502，使可保持晶片W且可旋转地设置的转动部件505可从形成于处理腔室502前方侧的晶片输送口503进退、在使转动部件505进入处理室502的状态下，可在转动部件505与输送臂的晶片夹具509a及509b之间对晶片W进行转送。此外，图31中的参考标号507是表示使转动部件可前进、后退并旋转的驱动机构，508为旋转轴，504为处理腔室502的盖，506为转动部件的保持构件。
但是，在图31中所示的晶片清洗装置中，由于必须使晶片夹具509a，509b以及转动部件505的保持构件506相互之间不会发生冲突，从而存在着工作程序等变得十分复杂的问题。
而近年来，随着半导体器件的微细高集成化及大批量的生成，晶片的尺寸从φ200mm向φ300mm的大口径化发展。与此相应，作为晶片的保存、搬运等容纳容器，在φ200mm的晶片的情况下，采用将晶片以垂直状态存放的存放容器，而对于φ300mm的晶片，由于其尺寸及重量增大，一般采用以水平状态存放晶片的存放容器。
在这种以水平状态搬运晶片的情况下，对晶片的清洗处理本身，也最好是和过去一样使晶片基本上以垂直的方式进行。从而，不仅是晶片清洗装置500，历来在将晶片以基本上垂直的状态进行保持和搬运的装置中，也必须设置将晶片在水平状态与垂直状态之间变换姿势的姿势变换机构等，因此，存在着使晶片搬运机构复杂化的问题，以及由于在晶片的处理机构之间移动的次数增加而容易造成晶片的污染及损伤等问题。
同时，如果不改变现有清洗处理结构，为适应晶片的大小而加大处理晶片的各部分机构及构件时，不可避免地会加大整个清洗处理装置。因此，迫切地需要通过改进装置的结构尽可能地避免装置的大型化。在单片式清洗处理装置中，也同样希望避免这种清洗处理装置的大型化。
发明内容
本发明的第一个目的是提供一种能够高精度且高效率地进行基板的清洗等液体处理的液体处理装置。本发明的第二个目的是提供一种基本上是对一个基板进行液体处理的装置，但对于多个基板的处理也能够很容易地妥善应付的液体处理装置。本发明的第三个目的是提供一种随着为了对外径大的基板进行液体处理而改进设计从而可抑制处理装置大型化的紧凑的液体处理装置。
根据本发明的第一个方案，提供一种液体处理装置，在向基板供应处理液体进行液体处理的液体处理装置中，配备有：具有保持基板的保持机构及使前述保持机构旋转的电机的基板旋转装置；对垂直地保持在前述保持机构上的基板进行液体处理的处理腔室，配置于前述处理腔室的外部，为了使保持在前述保持机构上的基板垂直或水平，在前述处理腔室外变换前述基板旋转装置的姿势的姿势变换机构；为将前述保持机构容纳在前述处理腔室内相对地调节前述处理腔室及前述基板旋转装置的位置的位置调节机构。
根据本发明的第二个方案，提供一液体处理装置，在向基板供应处理液进行液体处理的液体处理装置中，具备有：可将多个基板以规定间隔基本上水平保持的保持机构，将基本上水平地以规定间隔容纳多个基板的容器进行运入、运出的容器运入、运出部，将多个基板以基本上水平的状态在载置于前述容器运出、运入部上的容器与前述保持机构之间进行传送的基板传送装置，容纳前述保持机构，对垂直地保持在该保持机构上的基板进行规定的液体处理的处理腔室，配置于前述处理腔体的外部，为了使前述基板垂直或水平，在前述处理腔体的外部进行前述保持机构的姿势变换的姿势变换机构；为使前述保持机构容纳在前述处理腔室内，使前述保持机构和前述姿势变换机构同时滑动的移动机构，在前述处理腔室内传送前述保持机构使前述保持机构旋转的保持机构转移/旋转驱动机构。
根据本发明的这些液体处理装置，通过采用以能够将基板以基本上水平或基本上垂直的保持的方式来变换保持基板的保持机构的姿势的这种现有技术中所没有采用过的方法，与现有技术中对应于大面积的基板单纯地加大液体处理装置的情况相比，可抑制整体液体处理装置的大型化，能够实现紧凑的液体处理装置。同时，即使在把基板以水平状态容纳在容器的情况下，由于可以变换保持基板的保持机构的姿势，所以，在容器与保持机构之间不必另行设置姿势变换机构，借此可简化基板的传送过程，以至于可以简化整个液体处理装置的机构。进而，由于基板的移换次数少，可抑制在基板上产生颗粒不易对基板造成污染，而且不易造成基板的损伤。同时，由于将基板基本上保持在垂直状态进行液体处理，从而可容易将附着在基板上的处理液除去，并且可以对基板的表面和背面进行均匀地液体处理。此外，由于能够很容易地进行处理腔室内的气氛控制，也容易进行干燥处理。
附图说明
图1、是表示作为本发明的液体处理装置的一种实施形式的单片或清洗处理装置的简略结构的透视图；
图2、是表示图1所示的清洗处理装置的简略结构的侧视图；
图3、是表示图1所示的清洗处理装置的简略结构的平面图；
图4、是表示将图1所示的清洗装置所具备的转盘插入到处理腔室内的状态的一种形式的剖视图；
图5、是表示将图1所示清洗处理装置所具备的转盘插入到处理腔室内的状态的一种形式的另外一个剖视图；
图6、是表示将保持两个晶片的晶片保持构件配置在转盘上的一种形式的说明图；
图7、是表示在采用保持两个晶片的晶片保持构件时的外侧腔室与内侧腔室的一种形式的剖视图；
图8、是表示将图1所示的清洗处理装置与真空处理部组合起来的晶片处理装置的一种形式的平面图；
图9、是表示作为本发明的液体处理装置的另一种实施形式的批量式清洗处理装置的简略结构的透视图；
图10、是表示图9所示的清洗处理装置的简略结构的侧视图；
图11、是表示图9所示的清洗处理装置的简略结构的平面图；
图12、是表示图9所示的清洗处理装置所具备的转动部件的结构的说明图；
图13、是表示配置在构成图9所示的清洗处理装置的液体处理单元上的处理腔室的一种实施形式的剖视图；
图14、是表示配置在构成图9所示的清洗处理装置的液体处理单元上的处理腔室的一种实施形式的另外一个剖视图；
图15、是表示作为本发明的液体处理装置的另外一种实施形式的批量式清洗处理装置的简略结构的侧视图；
图16、是表示图15所示的清洗处理装置的简略结构的平面图；
图17、是表示配置在构成图15所示的清洗处理装置的液体处理单元上的处理腔室的周边结构的一种形式的剖视图；
图18A、是表示在图15所示的清洗处理装置中、向FOUP台上的FOUP上供应清洗空气的机构的说明图；
图18B、是表示在图15所示的清洗处理装置中、向FOUP台上的FOUP供应清洁空气的另一种实施形式的批量式清洗处理装置上供应清洁空气的另一种机构的说明图；
图19、是表示作为本发明的液体处理装置的另外一种实施形式的批量式清洗处理装置的简略结构的透视图；
图20、是表示图19所示的清洗处理装置的简略结构的平面图；
图21、是表示图19所示的清洗处理装置的简略结构的侧视图；
图22、是表示使图19所示的清洗处理装置的一部分机构动作的状态的侧视图；
图23A、是表示图19所示的清洗处理装置所具备的转动部件旋转机构的简略结构的剖视图；
图23B、是表示将图23A所示的转动部件旋转机构插入到外侧腔室内的状态的正视图；
图24、是表示将转动部件插入到图19所示的清洗处理装置的清洗处理单元所具备的处理腔室内的状态的剖视图；
图25、是表示将转动部件插入到图19所示的清洗处理装置的清洗处理单元所具备的处理腔室内的状态的另一个剖视图；
图26A、是表示图19所示的清洗装置的清洗处理单元所具备的转动部件旋转机构的移动轨迹的说明图；
图26B、是表示在图26A中所示的P1点处转动部件旋转机构的姿势的说明图；
图26C、是表示在图26A中所示的P2点处转动部件旋转机构的姿势的说明图；
图26D、是表示在图26A中所示的P3点处转动部件旋转机构的姿势的说明图；
图26E、是表示在图26A中所示的P4点处转动部件旋转机构的姿势的说明图；
图27A，是表示在图26B～E中所示的转动部件旋转机构的移动形式中，转动部件旋转机构所需空间的说明图；
图27B、是表示设置在图19所示的清洗处理装置的清洗单元所具备的处理腔室内的测长传感器的位置的正视图；
图28、是表示图19所示的清洗处理装置的清洗处理单元所具备的转动部件的结构的透视图；
图29A、是表示用于图19所示的清洗处理装置的清洗单元所具备的处理腔室的密封机构的简略结构的剖视图；
图29B、是表示使图29A所示的密封机构动作的状态的剖视图；
图30、是表示作为本发明的液体处理装置的进一步的另一种实施形式的批量式清洗处理装置的简略结构的平面图；
图31、是表示现有技术的批量式清洗装置的简略结构的说明图。
具体实施方式
下面，参考附图对本发明的实施形式进行具体说明。本发明的液体处理装置，可以适用于将各种基板作为被处理体的清洗装置，干燥处理装置，但在本实施形式中，对将半导体晶片(晶片)的运入、清洗、干燥、运出连续进行的方式构成的清洗处理装置的场合进行说明。
图1是表示作为本发明的液体处理装置的一种实施形式的单元式的清洗处理装置1的简略结构的透视图，图2是其侧视图，图3是其平面图。如这些图1至图3所示，清洗装置1主要由以下部分构成；载置能够以水平状态容纳多个，例如，25个晶片W的存放容器(以下简称“FOUP”：Front Opening Unified Pod：前面敞开的整体容器)F用的FOUP台2a，2b；对晶片W进行清洗处理的清洗处理单元3a～3c；设置在FOUP台2a，2b与清洗处理单元3a～3c之间、对晶片W进行传送的传送单元4，贮存清洗处理用药液的药液贮存单元5a～5c，驱动设置在清洗处理装置1内的各种电动驱动机构用的电源单元6。
FOUP台2a，2b为载置FOUP F的部位，形成于FOUP F上的用于运入、运出晶片W的运入、运出口面对设在晶片传送单元4的壁部11上的窗部12a(FOUP台2a侧)、12b(FOUP台2b侧)，FOUP F载置于FOUP台2a，2b上。
在壁部11的内侧(晶片传送单元4侧)上配置具有对开闭窗部12a、12b的闸门和开闭FOUP F的运入、运出口的盖体进行开闭用的盖体开闭机构的开闭装置14a(在FOUP2a侧)、14b(在FOUP台2b侧)，在FOUP F未载置于FOUP台2a，2b上的状态下，闸门处于关闭状态。另一方面，当把晶片W从FOUP F内运出或者运入FOUP F内时，由开闭装置14将闸门及FOUP F的盖体打开。
在晶片传送单元4内，靠近开闭装置14a、14b处，设置对FOUP F内的晶片W的片数进行计量用的检测传感器13a(在FOUP台2a侧)，13b(在FOUP2b侧)。检测传感器13a、13b，例如，一面将红外线传感器头沿Z方向扫描，一面检查在晶片W的X方向端的二个部位处的晶片W的片数。
作为检测传感器13a，13b，更优选地，在检测晶片W的片数的同时，还具有检测出晶片W的存放状态的功能，例如，在FOUP F内晶片W是否按规定的间距相互平行地一片片地存放，晶片W是否以高度相互错开地倾斜存放在FOUPF内，以及晶片W是否脱离FOUP F的规定位置等。此外，也可以，在检测晶片W的存放状态后，用同一个传感器检测出晶片W的片数。同时如果采用将这种检测传感器安装在晶片传送装置7上、可与晶片传送装置7同时移动的结构，可以将检测传感器仅配置在一个部位处。
在晶片传送单元4内，于载置于FOUP台2a、2b之间的FOUP F及配置在转盘31上的晶片保持构件33之间，配置以水平状态传送的晶片传送装置7。晶片传送装置7具有运用未处理的晶片W用的传送臂21a以及传送清洗处理完毕的晶片W用的传送臂21b，各传送臂21a，21b可分别保持一片晶片W。
保持传送臂21a、21b的传送臂保持部22，其内部具有一个图中未示出的Y轴驱动机构，并可沿设在工作台23上的槽部或导轨等导向机构沿Y方向滑动。同时，传送臂保持部22可与传送臂21a、21b一起在X-Y面内(Q方向)旋转。进行该Q方向旋转的图中未示出的Q旋转驱动机构，例如可以安装在传送臂保持部22内，但也可以具有和工作台23一起旋转的结构。
传送臂21a、21b和传送臂保持部23以及工作台23可借助Z轴驱动机构19沿Z方向(垂直方向)移动。在FOUP F内，由于晶片W存放在不同的高度位置处，所以可用该Z轴驱动机构19将传送臂21a与规定的晶片W的高度位置重合。例如，在把存放于FOUP F的规定位置处的晶片W运出时，以可将该传送臂21a插入到该晶片W的下侧的方式、借助Z轴驱动机构19与传送臂21a的高度对齐后，使Y轴驱动机构动作，将传送臂21a插入FOUP F内，然后，借助Z轴驱动机构19将传送臂21a上升到规定的高度处，把晶片W保持在传送臂21a上，在这种状态下，利用Y轴驱动机构将传送臂21a退回到原来的位置处，可把晶片W从FOUP F中运出。
此外，传送臂21a、21b以及传送臂保持部22和工作台23，可借助X轴驱动机构18沿导轨17在X方向移动，晶片传送装置7可触及载置于FOUP台2a、2b上的任何一个FOUP F内。同时，晶片传送装置7可以触及配置在清洗处理单元3a～3c上的任何一个转盘31。
通过采用这种Y轴驱动机构、θ旋转驱动机构、X轴驱动机构18以及Z轴驱动机构19，例如，驱动Y轴驱动机构及Z轴驱动机构19，将传送臂21a向载置与FOUP台2a上的FOUP F插入，将晶片W从FOUP F中运出，然后，驱动θ旋转驱动机构和X轴驱动机构18，将传送臂21a方向旋转180°，将晶片W指向清洗处理单元3a侧，接着，驱动Y轴驱动机构和Z轴驱动机构19，可以进行将晶片W从传送臂21a移送到配置在清洗处理单元3a内的转盘31上的晶片保持构件33上的动作以及与其相反的动作。此外，也可以代替Y轴驱动机构，或者与Y轴驱动机构一起令传送臂21a、21b具有多关节臂等可自由伸缩的形式，在FOUPF和转盘31之间传送晶片W。
在晶片传送单元4的顶板部分上配置过滤风扇(FFU)28a，将去除颗粒的空气向晶片传送单元14内送风。同时，为了在晶片传送装置7与设于清洗处理单元3a～3c上的各转盘31之间移送晶片W，在形成晶片传送单元4和清洗处理单元3a～3c的边界的壁部25上，形成可开闭的窗部26a～26c。在窗部26a～26c上，将对窗部26a～26c进行开闭的闸门27a～27c配置在晶片传送单元4侧，可将晶片传送单元4与清洗处理单元3a～3c的气氛隔离。借助闸门27a～27c，防止在清洗处理单元3a～3c中使用的各种药液的蒸汽流向传送装置4内。闸门27a～27c也可以设置在清洗处理单元3a～3c侧。
清洗处理单元3a～3c采用间隔壁29a、29b间隔开的结构，使得清洗单元3a～3c之间的气氛相互之间不扩散，可以在每个清洗处理单元3a～3c中用不同的清洗液进行清洗处理。由于清洗处理单元3a～3c全部具有相同的结构，从而，下面以清洗处理单元3a为例对其结构进行说明。
在清洗处理单元3a的顶板部分上，配置过滤风扇(FFU)28b，将除去颗粒的空气向清洗处理单元3a内送风。清洗处理单元3a具有一个晶片旋转装置8，该旋转装置8是由中间经过枢轴37把使转盘31旋转的电动机32安装到转盘31上而构成的。在转盘31的表面上设置保持晶片W用的晶片保持构件33，晶片W以其表面和背面与转盘31的表面基本上平行的方式，在转盘31的上方，即，在从转盘31的表面浮起规定的距离的状态下，保持在晶片保持构件33上。
晶片保持构件33优选地具有在周缘部保持晶片W的结构，例如，可以列举出，形成保持晶片W的槽的销。图3表示在四个部位处配置销状晶片保持构件33的状态，在这种情况下，为了能够在晶片保持构件33与传送臂21a、21b之间移送晶片W，在晶片保持构件33靠近窗部26a侧的一个部位处，例如设置在移送晶片W时向不妨碍传送臂21a、21b的动作的位置滑动或翻转机构，并且采用在保持晶片W时将滑动或翻转机构加锁，防止晶片W从晶片保持构件33上脱落的结构。
连接转盘31与电动机32的枢轴37，贯通配置在转盘31下侧的圆盘38的中心部。圆盘38在把转盘31插入处理腔室51内时将处理腔室的转盘插入口54关闭。但是，圆盘38本身不旋转。从而，在枢轴37贯通圆盘38的部分上，采用可使枢轴37转动但不会引起清洗液从处理腔室51中泄漏等的密封结构。
为使圆盘38与晶片旋转装置8在Y-X面内旋转规定的角度，在圆盘38上设置具有腿部34和旋转轴35及圆盘保持构件36的姿势变换机构9。利用该姿势变换机构9，可以把晶片W保持在基本上为水平状态和基本上为垂直状态之间的任意状态。
姿势变换机构9的驱动由电动机及致动器等驱动装置进行。圆盘保持构件36起着枢轴37的盖的作用，例如，当圆盘保持构件36呈把枢轴37和电动机32全部包围起来的形式时，可抑制由电动机32等产生的颗粒等对清洗处理单元3a内的气氛的污染。
姿势变换机构9的腿部34被设置在可于导轨39上沿Y方向移动的Y轴驱动机构10上，从而，晶片旋转装置8和姿势变换机构9可在清洗处理单元3a内沿Y方向移动。利用该Y轴驱动机构10，可将把晶片W变换成基本垂直的姿势的晶片旋转装置8的转盘31的部分插入到处理腔室51内。
在安装导轨39的箱体15内，例如可容纳晶片旋转装置8，姿势变换机构9，Y轴驱动机构10等的控制装置。此外，在图1至图3中没有示出，在配置导轨39的空间与配置处理腔室51的空间之间，设置可开闭的闸门，制成处理腔室51内的气氛不会扩散到整个清洗处理单元3a的结构。
在清洗处理单元3a内，设置对保持在转盘31上的晶片W进行清洗处理用的处理腔室51。图4和图5是表示把转盘31插入到处理腔室51中的状态的一种形式的剖面图。在图4和图5中，图中省略了姿势变换机构9及Y轴驱动机构10，对于处理腔室51，表示出其具有截面基本为梯形的筒状形式的外侧腔室52a及可沿Y方向滑动的内侧腔室52b构成的双重结构。
图4表示使内侧腔室52b退避到图中的右侧，用外侧腔室52a进行清洗处理时的状态，图5表示把内侧腔室52b容纳在外侧腔室52a内，用内侧腔室52b进行清洗处理的状态。在进行维修等时，可将外侧腔室52a滑动到内侧腔室52b的位置处，进行退避。
如图4所示，在外侧腔室52a内的处理，在由垂直壁53a、形成转盘插入口54的垂直壁53b，以及关闭转盘插入口54的晶片旋转装置8的圆盘38形成的处理室70a内进行。在垂直壁53b的上部设置由排气阀65和排气管67构成的排气通路，可调整处理70a内的气氛。此外，在垂直壁53b的下部设置由排液阀61和排液管63构成排液管路(排液通路)，从处理室70a中排出使用过的清洗液。外侧腔室52a，其垂直壁53b侧的外径比垂直壁53a侧的外径大，并且，以垂直壁53b侧的下方形成梯度的方式固定在外侧腔室52a的主体部的下壁上，所以在外侧腔室52a内，可以很容易地将使用过的清洗液从排液阀61通过排液管63排出。
在两个部位处设有喷射口55的喷嘴56以喷射口55沿水平方向并列的方式安装在外侧腔室52a的主体部的上壁上。从喷射口55可以排射出从药液贮存单元5a内的供应源供应的纯水，IPA，N2气等。例如，在图4中，从位于右侧的喷射口55向晶片W右侧的面上喷射纯水等，从位于左侧的喷射口向晶片W左侧的面上喷射纯水等优选地，从喷射口55向晶片W的一个较大的面积上喷射纯水等，例如，以扩展成圆锥形的方式喷射出纯水等。
在垂直壁53b上，设置清洗转盘31的背面用的喷嘴69a，喷嘴69a，主要用于在用各种药液处理后对转盘31的背面用纯水进行清洗。此外，在图4及图5中只表示出一个喷嘴56，但也可以设置多个喷嘴。
内侧腔室52b具有其端外径比外侧腔室52a小的截面基本上为梯形的筒状的形状，可在图4所示的位置与图5所示的位置之间沿Y方向平行移动(滑动)。内侧腔室52b在其小直径侧的端面上具有环状构件59b，在其大直径侧具有环状构件59a，在内侧腔室52b被配置到外侧腔室52a内时，环状构件59a紧贴在垂直壁53a上将其密封，同时，环状构件59b紧贴在垂直壁53b上将其密封，形成处理室70b。
当使内侧腔室52b从外侧腔室52a退开时，通过环状构件59b紧贴着垂直壁53a的同时，环状构件59a紧贴着垂直壁53c，将由外侧腔室52a形成的处理室70a的气氛与内侧腔室52b内的气氛隔离。在环状构件59a与垂直壁53a接触和脱离的部分以及环状构件59b与垂直壁53b接触脱离的部分处设置图中未示出的密封构件。
在内侧腔室52b内的主体部上壁上，安装有在两个部位处形成喷射口57的喷嘴58，在安装时使喷射口57沿水平方向并列配置。从喷射口57喷射从药液贮存单元5a内的供应源供应的各种药液，纯水，IPA等。例如，在图5中，从位于右侧的喷射口57向晶片W右侧的面上喷射药液等，从位于左侧的喷射口57向晶片W械侧的面上喷射药液等。优选地，从喷射口57集中地向晶片W上喷射药液等，例如，以基本上为平面状的扇形扩展地喷射药液等。
在内侧腔室52b的上部内壁上，设置清洗转盘31的表面用的喷嘴69b，可喷射纯水等。优选地，从喷嘴69a、69b向转盘31上大面积地喷射纯水等，例如以扩展成圆锥的形状喷射纯水等。也可以从这些各种喷嘴56，58，69a，69b提供附加超声波的清洗液。
在环状构件59a的上端部设置将排气阀66与排气阀66连通的排气管68，可以调整处理室70b内的气氛，以及当内侧腔室52b处于退避位置时对内侧腔室52b内的气氛进行调整。同时，在环状构件59a的下端形成清洗液排出口4b，并设置用于和该清洗液排出口4b连通的排液引导构件47。排液引导件47向下方延伸，其前端48指向水平方向。
在垂直壁53a的下方单独地配置排液管49，在排液管49的前端上形成套部50。当内侧腔室52b处于退避位置时，排液引导构件47的前端部48与套部50处于相互隔开的状态，当把内侧腔室52b滑动容纳到外侧腔室52a内时，前端48与套部50相配合，并气密性地密封，借此将排液引导构件47与排液管49连通，成为可以将清洗液进行排放的结构。另一方面，在利用内侧腔室52b对晶片W处理完毕、使内侧腔室52b从外侧腔室52a内退出时，前端部48与套部50脱离。
内侧腔室52b，以电机32侧作为小直径侧、在主体部小壁上形成倾斜面的方式配置，并且，清洗液排出口46形成于内侧腔室52b的主体部下壁的倾斜面的下方侧，在处理室70b内使用过的清洗液可很容易地从清洗液排出口46流入排液引导构件47内，通过过排液管49排出。
由于外侧腔室52a与内侧腔室52b沿Y方向的长度，即，主体部的长度，可以根据转盘31与晶片W的间隔设定，从而可以容易地节省处理腔室51和清洗处理单元3a的空间。在这种情况下，由于容易控制处理室70a、70b的处理气氛、降低排气量，即使在使用高温药液的场合也不会降低其温度，从而可以扩大能够使用的药液的种类的范围。同时，可以将清洗液直接从喷嘴55，57向晶片W的表面上喷射，不必使用刷子等，从而可对伴随清洗处理的各种结构的控制更加容易。
下面，以对载置于FOUP台2a上的FOUP F内的晶片W在清洗处理单元3a～3c中进行处理的情况为例对容纳在FOUP F上的晶片W的清洗工艺进行说明。首先，把以预定间隔平行地存放多个晶片W的FOUP F以与在FOUP F上对晶片W进行运入运出的运入、运出口与窗部12a面对的方式载置于FOUP台2a上。
为把FOUP F内的规定的晶片W运出，打开利用开闭装置14a将窗部12a关闭的闸门，同时打开将关闭FOUP F的运入、运出口的盖体打开，将FOUP F的内部与传送单元4的内部连通。然后，使检测传感器13a沿Z方向扫描，检查FOUPF内的晶片W的片数及存放状态。这里，在检测出异常的情况下，将处理中断，例如，在FOUP台2b上载置有另外的FOUPF的情况下，从该另外的FOUPF开始进行同样的处理。
在对FOUPF内的晶片W未检测出异常的情况下，使Z轴驱动机构19动作，将传送臂21a置于运出的规定的晶片W下侧的位置处，在使传送臂21a的高度合适之后，使晶片传送装置7所具有的Y轴驱动机构动作，将传送臂21a插入到FOUPF内，使Z轴驱动机构19上升到规定的高度，将规定一片晶片W保持在传送臂21a上，再次使Y轴驱动机构动作，使传送臂21a返回到原来的位置处。然后，直到下一次将晶片W相对于FOUPF运出、入晶片W为止，使开闭装置14a动作将窗部12a及FOUPF的盖体关闭。
以使保持在传送臂21a上的晶片W面对形成于构成晶片传送单元4与清洗处理单元3a的边界的壁部25上的窗部26a的方式，使晶片传送装置7所具有的旋转驱动机构旋转180°。同时，打开关闭窗部26a的闸门27a，通过Z轴驱动机构19将传送臂21a的高度调节到可将晶片保持构件33保持晶片W的高度。接着，在清洗处理单元3a内，使晶片传送装置7的Y轴驱动机构动作，滑动传送臂21a、使之指向在面对窗部26a的位置处处于待机状态的转盘31上的晶片保持构件33。
在从该传送臂21a向晶片保持构件33上移送晶片W时，位于窗部26a侧的晶片保持构件33退避到规定位置，成为不妨碍传送臂21a的动作的状态。
如果晶片W已被保持在保持构件33上，使晶片传送装置7所具有的Z轴驱动机构19动作，降低传送臂21a的位置，进而，使Y轴驱动机构动作，使传送臂21a返回的位置，将闸门27a关闭。在转盘31上，晶片保持构件33在晶片W的周缘部可靠地对晶片W进行保持。
晶片传送装置7利用和前面从FOUP F传送到清洗处理单元3a内同样的传送方法，接连不断地将FOUP F内其它的晶片W传送到清洗处理单元3b内，然后，进一步将FOUP F内规定的晶片W传送到清洗处理单元3c内，在清洗单元3b，3c内逐次地进行用清洗处理单元3a中相同的清洗方法开始进行清洗处理。
在清洗处理单元3a中按如下的方式清洗处理。首先，用Y轴驱动机构10将晶片旋转装置8按规定的距离滑动到处理腔室51侧之后，利用姿势变换机构9将晶片旋转装置8旋转90°使转盘31面向处理腔室51侧将晶片旋转装置8保持在水平状态。这时，晶片W被保持在基本上垂直的状态。然后，进一步利用Y轴驱动机构10将转盘31容纳到外侧腔室52a内，同时，滑动晶片旋转装置8及姿势变换机构9，用圆盘38将外侧腔室52a的转盘插入口54关闭。
在处理腔室51中，例如，在内侧腔室52b内用药液进行除去聚合物的处理，在外侧腔室52a内用纯水进行处理及其以后的干燥处理时，开始时，以把内侧腔室52b配置到外侧腔室52a内的状态形成处理室70b，一面利用电动机32使转盘31以规定的转数旋转，一面用喷嘴58向晶片W的表面和背面喷射规定的药液。然后，在用药液处理完毕后，从喷嘴58及喷嘴69b喷射纯水，对转盘31的表面及晶片W进行预清洗。
其次，在内侧腔室52b从外侧腔室52a退避开的状态，一面使转盘31以规定的转数旋转，一面从喷嘴56喷射纯水对晶片W进行清洗，同时从喷嘴69a喷射纯水，对转盘31的背面进行水洗处理。然后，不喷射纯水以规定的转数使转盘31旋转，甩掉附着在转盘31及晶片W上的纯水，按照需要，将IPA，N2气体等喷射到晶片W上，对晶片W及转盘31进行干燥处理。
在干燥处理结束后，利用Y轴驱动机构10，滑动晶片旋转装置8使之脱离处理腔室51，将转盘31从处理腔室51中运出。接着，使姿势变换机构9动作，将晶片旋转装置8竖起呈垂直状态，使转盘31返回到面对窗部26a的位置。将保持晶片W的晶片保持构件33的位置调整到可将晶片W运出的恰当的位置处，解除晶片保持构件33中的可动的锁定状态，使之退避。
为了将晶片W从晶片保持构件33上运出，采用传送臂21b。为了能够使传送臂21b将清洗处理完毕的晶片W运出使晶片传送装置7的Z轴驱动机构19动作，调节传送臂21b的高度，将闸门27a打开，利用Y轴驱动机构将传送臂21b插入到转盘31与晶片W之间，使Z轴驱动机构19动作，借助传送臂21b轻轻地将晶片W向上移动，进而借助Y轴驱动机构使传送臂21b返回原位，可将晶片W从转盘31上的晶片保持构件33上运出。
在关闭闸门27a后，驱动晶片传送装置7的Q旋转驱动机构，令传送臂21b指向FOUP台2a侧，用开闭装置14a打开窗部12a的同时，打开FOUP F的盖体，使FOUP F的内部与晶片传送单元4成连通状态，用Z轴驱动机构19将传送臂21b的高度调节到可使晶片W回位的规定高度之后，用Y轴驱动机构将传送臂21b插入到FOUP F内，将晶片W运入，使传送臂21b返回到原来的位置。这样，通过分别用传送臂21a传送清洗处理前的晶片W，用传送臂21b传送清洗处理后的晶片W，传送臂21b不保持清洗处理前的晶片W，从而不会污染清洗处理后的晶片W。
接着，在FOUP F内还有未经处理的晶片W，对其进行清洗处理的情况下，使晶片传送装置7的θ旋转驱动机构动作，使传送臂21a面对窗部12a后，用前述方法反复进行规定的晶片W的运出、向转盘31上的传送、清洗处理、向FOUP F上传送，等一系列的作业。这种作业对于在清洗单元3b、3c内的处理也可以同样地进行。同时，如果把FOUP F载置于FOUP台上的话，继续进行对载置于FOUP台2a上的FOUP F内的晶片W的处理，并开始对载置于FOUP台2b上的FOUPF内的晶片W的处理。
上述清洗处理方法为在三个部位处配置的清洗处理单元3a～3c全部进行相同的清洗处理的情况，但用清洗处理装置1进行清洗处理的方法并不局限于这种方法。例如，对载置于FOUP台2a上的FOUP F内的晶片W，使用规定的药液仅用清洗处理单元3a进行处理，另一方面，对于载置于FOUP台2b上的FOUP F内的晶片W，使用另外的药液用清洗处理单元3b、3c进行处理，根据所使用的药液的种类分别使用清洗处理单元3a～3c，或者也可以根据处理内容的不同分别进行使用。
同时，在清洗处理装置1中，为保持晶片W而设置在转盘31上的晶片保持构件33上，仅可保持一片晶片W，但是当使保持构件33的形式加以改变使之可保持多片、例如2片～5片左右的晶片时，由于保持在晶片保持构件33上的晶片的重量并不增加很多，可以不必改变电动机32及姿势变换机构9等装置的结构，以缩短处理时间。
图6是把保持两片晶片W的晶片保持构件33a配置在转盘31上的结构的说明图。由于晶片传送装置7的传送臂21a可传送一片晶片W，从而通过使传送臂21a在转盘31与FOUP F之间往复两次，可把两片晶片W存放在晶片保持构件33a上，反之，通过使传送臂21b在转盘31与FOUP F之间往复两次，可把两片晶片从保持构件33a上返回到FOUP F内。
由于通常在处理腔室51内进行一次清洗处理的时间比用晶片传送装置传送多片晶片W的时间长，从而，通过一次对多片晶片进行清洗处理，可缩短清洗处理时间。同时，当配置多个传送臂21a、21b，使之与分别保持在转盘31上的晶片W的片数相符合的话，用一次往复输送就可以完成晶片的传送，可进一步缩短处理时间。
图7是类似于图4所示的剖视图，它表示在采用晶片保持构件33a的情况下、由外侧腔室52a′和内侧腔室52b′构成的处理腔室51′的形式。喷嘴56′，58′比喷嘴56、58长，在喷嘴56′、58′上分别于四个部位设置喷射口55、57。此外，外侧腔室52a′与内侧腔室52b′，为了能够在其内部配置喷嘴56′、58′，比外侧腔室52a和内侧腔室52b具有更长的主体部。喷嘴56′、58′的长度与外侧腔室52a′和内侧腔室52b′的主体部的长度，可根据晶片保持构件33a所保持的晶片W的片数决定，垂直壁53a、53c的位置以适合于外侧腔室52a′和内侧壁52b′的形状，配置在适当的位置处。
这样，即使在增加晶片保持构件33a保持的晶片W的片数的情况下。只要不过分地增加晶片的片数，就可以不必改变清洗处理装置1的整体结构。同时，由于用晶片保持构件33a保持更多的晶片W，会对电动机32加大负载，要求电动机32有高的转矩，但在这种情况下，也不必改变清洗处理装置1的整体结构。此外，当保持在晶片保持构件33a上的晶片W的晶片保持间隔狭窄的情况下，最好增加喷射口55、57的数目，但并不一定要加长喷嘴56′，58′的长度，在这种情况下，也不必加长外侧腔室52a′和内侧腔室52b′的主体部的长度。
另外，根据本发明的上述清洗处理装置1，除作为单个的清洗处理装置使用之外，例如，也可以像图8的平面图所示的那样，与真空处理部90组合起来作为晶片处理装置使用。真空处理部90，例如具有第一装载闭锁室91，第二装载闭锁室92，腐蚀处理室93，以及灰化处理室94。
在第一装载闭锁室91与第二闭锁室92之间、第二装载闭锁室92与腐蚀处理室93之间，以及在第二装载闭锁室92与灰化处理室94之间分别气密性地密封并且中间加装可开闭地构成的图中未示出的滑门阀，在腐蚀处理室93和灰化处理室94中，分别进行规定的腐蚀处理及灰化处理。
这样，例如，首先，用晶片传送装置7将FOUP F内的晶片W传送到真空处理部90内、在腐蚀处理室93内进行规定的腐蚀处理后，将晶片W传送到清洗处理单元3a～3c中的任何一个内进行规定的清洗处理，然后将其返回到FOUP F内，反之，可以在清洗处理单元3a～3c的任何一种对晶片W进行清洗、干燥处理后，将晶片W传送到真空处理部90内，进行规定的腐蚀处理及灰化处理。
下面，对本发明的液体处理装置的另外一种实施形式进行说明。
图9是表示作为将多片晶片W进行批量式处理的液体处理装置的一种实施形式的清洗处理装置100的简略结构的透视图，图10是其侧视图，图11是其平面图。如图9至图11所示，清洗处理装置100主要由以下各部分构成：载置能够以基本上水平的状态容纳多片晶片W，例如25片的FOUP(容纳容器)F的FOUP台102a，102b；对晶片W进行清洗处理的清洗处理单元103，设于FOUP台102a，102b和清洗处理单元之间、进行晶片W传送用的晶片传送单元104；贮存处理用药液等的药液贮存单元105；以及用于配置在清洗处理装置100内的各电动驱动机构的电源单元106。
FOUP台102a，102b为载置FOUP F的部位，FOUP F以使运入、运出晶片W用的运入、运出口面对设于晶片传送单元104的壁部111上的窗部112a(FOUP台102a侧)112b(FOUP台102b侧)的方式载置于FOUP台102a，102b上。
在壁部111的内侧(晶片传送单元104侧)上，配置具有将窗部112a，112b开闭的闸门及将FOUP F的运入运出口进行开闭的盖体开闭机构的开闭装置114a(FOUP台102a侧)、114b(FOUP台102b侧)，在不把FOUP F载置于FOUP台102a，102b上的状态下，为把闸门关闭的状态。另一方面，在把晶片W从FOUPF运出时，或者将晶片W运入FOUP F内时，由开闭装置114a，114b将闸门及FOUP F的盖体打开。
在晶片传送单元104内，靠近开闭装置114a，114b处，设置计量FOUP F内的晶片W的片数用的检测传感器113a(FOUP台112a侧)113b(FOUP台102b侧)。检测传感器113a，113b采用与上面所述的用于清洗处理装置1的检测传感器13a，13b具有同样的结构和功能的传感器。
在晶片传送单元104内，在载置于FOUP台102a，102b上的FOUP F与转动部件131之间设置将晶片W以基本上水平的状态传送的晶片传送装置107。晶片传送装置107具有：传送未经处理的晶片W用的传送臂121a；传送液体处理完毕的晶片用的传送臂121b，保持传送臂121a、121b的传送臂保持部122，安装传送臂122的台123，向X方向移动用的X轴驱动机构198及导轨197，以及调节传送臂121a，121b的高度的Z轴驱动机构199。
一个传送臂121a、121b传送一片晶片W，并且，为了能够一次将存放在FOUPF内的25片晶片W进行传送，分别基本上平行地各配置25个传送臂。保持这些共计50个传送臂121a、121b的传送壁保持部122内装图中未示出的Y轴驱动机构，同时，该保持部122可沿着设在台123上的槽部或导轨等导向机构124在Y方向滑动。
传送臂122可在X-Y面内进行θ方向的旋转。进行该θ方向的旋转的图中未示出的θ旋转驱动机构，可内装在传送臂保持部122内，同时，被设计成可与Z轴驱动机构199及通气123同时旋转的结构。
传送臂121a、121b彼此间的间隔，与FOUP F内的晶片W的存放间隔相等，但也可以设置使传送臂121a、121b的间隔变化的传送臂间隔调整机构。在这种情况下，例如，在使传送臂121a彼此间的间隔与FOUP F内的晶片W的存放间隔相吻合、从FOUP F中把晶片W运出后，可以进行将传送臂121a的间隔变换成一半、把晶片W存放在转动部件131的下半部或上半部上的动作。
传送臂121a，121b以及传送臂保持部122和台123可借助Z轴驱动机构199沿Z方向(垂直方向)移动。该Z轴驱动机构199，例如，传送臂121a、121b用于将晶片W从FOUP F或转动部件131中运出，或者将保持在传送臂121a、121b上的晶片W运入FOUP F或转动部件131内时使用。
例如，在把晶片W从FPUP F中运出时，首先，利用Z轴驱动机构199调整高度将各传送臂121a处于FOUP F内各晶片W的下侧，然后，利用Y轴驱动机构将传送臂121a插入FOUP F内，其次用Z轴驱动机构199把传送臂121a上升到规定的高度将晶片W保持在传送臂121a上，在这种状态下借助Y轴驱动机构将传送臂121a一直退回到其原来的位置，可将晶片W从FOUP F内运出。
传送臂121a、121b和传送臂保持部122及台123还可借助X轴驱动机构198沿导轨197在X方向移动，晶片传送装置107可触及载置于FOUP台102a、102b上的FOUP F内的任何一个内。
通过用这种Y轴驱动机构及θ旋转驱动机构、X轴驱动机构198、Z轴驱动机构199，借助传送臂121a从载置于FOUP台102a、102b上的FOUP F将未处理的晶片W传送到配置在清洗处理单元103上的转动部件131上，反之，可借助传送臂121b从转动部件131上将已经处理完的晶片W传送到FOUP F内。此外，优选地，代替Y驱机构，或者与Y驱动机构一起，使传送臂121a、121b具有多关节臂可自由伸缩的形式，制成可传送晶片W的形式。
在晶片传送单元104的顶部，配置过滤风扇单元128a，将除去颗粒等的空气向晶片传送单元104内送风。同时，在形成晶片传送单元104与清洗处理单元103的边界的壁部125上，形成可利用闸门127开闭的窗部126，以便能够在晶片传送装置107和转动部件131之间传送晶片W。闸门127配置在晶片传送单元104侧，将晶片传送单元104与清洗处理单元103的气氛分离开。闸门127可设在清洗单元103侧。
在清洗处理单元103的顶部部分上，配置过滤风扇128b，将除去颗粒等空气向清洗处理单元103内送风。同时，清洗处理单元103具有转动部件旋转机构108，该旋转部件108由中间经过枢轴137将为使晶片W进行面内旋转而使转动部件131旋转的电动机(驱动机构)132安装到能够以规定的间隔保持晶片W的转动部件131上构成。
图12是表示转动部件131的结构的说明图。转动部件131具有在规定的间隔处配置的一对圆盘133a、133b，设在圆盘133a、133b之间的固定构件131a及保持器131b，以及设定在圆盘133a上的保持器锁栓131c。
在固定构件131a上，形成保持晶片W用的槽等，同时固定构件131a固定在圆盘133a、133b上。保持器131b是可开闭的，与固定构件131a一样形成保持晶片W用的槽等。当两个保持器131b处于关闭状态时，保持器131b之间的间隔优选地为能够将传送臂121a、121b插入其间的间隔。
保持器131b的开闭动作，由保持器锁栓131c的状态来限制，例如，在利用保持器131c将保持器131b锁定时，保持器131b成为保持晶片而闭合的状态，在不进行锁定的状态下，可利用保持器旋转圆柱体134将保持器131b闭合，以便保持晶片W，或者可以将其打开以便使晶片W能够运入、运出。
例如，在保持器131b打开的情况下，为解除保持器131b所锁定状态，将保持器释放圆柱体135从转动部件131的上部下降、使之保持在压紧到形成于圆盘133a上的保持器锁栓131c上的状态。这样，保持器131b被解除锁定状态，成为可自由运动的状态，例如，将保持器旋转圆柱体134从圆盘133b侧啮合到圆盘133b与保持器131b的结合部上，将保持器旋转圆柱体134向规定方向旋转时，可将保持器131b打开。
当关闭保持器131b时，在使保持器旋转圆柱体134反向旋转的状态下，通过使保持器释放圆柱体135上升，可自然地借助保持器锁栓131c将保持器131b锁定在闭合状态。
连接转动部件131与电动机132的枢轴137贯通配置在圆盘133b侧的另外的圆盘138的中心部。圆盘138是把转动部件131向处理腔室151(外侧腔室151a)插入时的关闭处理腔室151的插入口153用的构件，不能旋转。枢轴137贯通圆盘138的部分，采用清洗液不会从处理腔室151中泄漏出来的密封结构。
转动部件旋转机构108安装在把保持在转动部件131上的晶片W在基本上水平的状态与基本上垂直的状态之间变换姿势的姿势变换机构109上。姿势变换机构109具有：安装在圆盘138上支持转动部件旋转机构108的支持构件136；旋转轴136a；腿部136b；以及图中未示出的电动机及致动器等旋转驱动装置。
姿势变换机构109可借助旋转驱动装置围绕旋转轴136a使转动部件旋转机构108在Z-X平面内转动规定的角度。支持构件136还起着作为枢轴137的盖的作用。支持构件136的形状，不限于图中所示的形状，例如，也可以采取将枢轴137和电动机132全部包围起来的形式，在这种情况下，可以抑制在电动机132内产生的颗粒等恶化清洗处理单元103内的气氛。
姿势变换机构109的腿部136b，配置在可于导轨139上沿X方向移动的X轴驱动机构110上，借此，转动部件旋转驱动机构108也可以在清洗处理单元103内沿X方向移动。利用该X轴驱动机构110，可以把以基本上垂直地保持晶片W的姿势变换的转动部件旋转机构108中的转动部件131的部分插入到处理腔室151中。
在导轨139的下部空间194内，例如，可以容纳转动部件旋转机构108，姿势变换机构，X轴驱动机构110等控制装置。同时，从图9至图11中没有示出，在配置导轨139的空间与配置处理腔室151的空间之间，设置可开闭的闸门，制成处理腔室151内的气氛不会扩散到整个清洗处理单元103内的结构。
图13和图14是把转动部件131插入处理腔室151内的状态的一种形式的剖视图。这里，在图13和图14中，省略了姿势转换机构109和Y轴驱动机构110，对于处理腔室151，图中表示出具有由截面基本上为梯形的筒状形式的外侧腔室151a及可沿轴方向滑动的内侧腔室151b构成的双重结构。此外，外侧腔室151a在进行维修时可滑动到图13所示的内侧腔室151b的位置进行退避。
图13中表示出使内侧腔室151b退避到图中右侧，用外侧腔室151a进行液体处理的状态，图14表示把内侧腔室151b容纳在外侧腔室151a内、用内侧腔室151b进行液体处理的状态。如图13所示，在外侧腔室151a内的清洗处理，在由垂直壁152a，形成转动部件插入口153的垂直壁152b，以及将转动部件插入口153关闭的转动部件旋转机构108的圆盘138形成的处理室195内进行。
在垂直壁152b的上部设置由排阀165和排气管167构成的排气路径，可以调节处理室195内的气氛。同时，在垂直壁152b的下部，形成由排液阀161与普通管163构成的排液通路(排液路径)，将处理室195中使用过的清洗液排出。
用于外侧腔室151a，其垂直壁152b侧的端面的外径大于垂直壁152b侧端面的外径，同时在外侧腔室151a的主体部下壁上形成向垂直壁152b侧向相反倾斜的倾斜面，所以使用过的清洗液可以很容易地从排液阀通过排液管163排出。
在外侧腔室151a的主体部的上壁上，装有具有多个喷射口154的喷嘴155，喷射口154沿水平方向并列地安装。由喷射口154可喷射出从药液贮存单元105内的供应源供应的纯水、IPA及N2气等。优选地，从喷射口154将纯水以大面积喷射到晶片W上的方式，例如以扩展成大致为圆锥形的方式喷射纯水等。
在垂直壁152a、152b上，配置清洗液喷嘴174a、174b，用于清洗与圆盘133a，133b的各个垂直壁152a、152b对向的面。这些喷嘴174a、174b主要是在用各种药液处理之后，用纯水对圆盘133a、133b进行清洗时使用。优选地，从喷嘴174a、174b以纯水等大面积喷射到圆盘133a、133b上的方式，例如，以扩展成大致为圆锥形的方式喷射纯水等。此外，在图13和图14中表示出一个喷嘴55，但也可设置多个喷嘴。
内侧腔室151b具有比外侧腔室151a的直径小的截面的大致为梯形筒状的形式，可在图13所示的位置与图14所示的位置之间沿X方向移动(滑动)。同时，内侧腔室腔室151b具有在其小直径侧的端面上的环状构件158b，和大直径侧的端面上的环状构件158a。
在把内侧腔室151b配置外侧腔室151a内的处理位置上时，通过环状构件158a紧贴在垂直壁152a上，同时环状构件158b紧贴在垂直壁152b上，形成处理室196。同时，在把内侧腔室151b从外侧腔室151a内退出时，环状构件158b紧贴在垂直壁152a上，且环状构件158a紧贴在垂直壁152c上，借此形成的处理室195的气氛与内侧腔室151b内的气氛隔离。
具有多个喷射口156的喷嘴157，以喷射口156沿水平方向并列的方式安装到内侧腔室151b的上部。从喷射口156中喷射从药液贮存单元105内的供应源内供应的各种药液、纯水、IPA等。优选地，由喷射口156以集中的方式将药液等喷射到晶片W上，例如，以扩展成基本上为平面状的扇形喷射药液等。在这种情况下，特别优选地，配置和保持在转动部件131上的晶片的片数相同数目的向晶片W的表面(形成半导体器件的面)的喷射口156。
为清洗在圆盘133a、133b上与晶片W对向的面，在内侧腔室151b的主体部上壁上设置图中未示出的清洗液喷嘴，可喷射纯水等。作为这种清洗液喷嘴，优选地，以集中地向圆盘133a、133b上喷射纯水等方式，例如，以基本上为平面状扩展成扇形的方式喷射纯水等。此外，在图13和图14中仅表示出一个喷嘴157，但也可设置多个喷嘴。
在环状构件158a的上部，设置由排气阀166和排气管168构成的排气路径，可以调节处理室196内的气氛或者调整处于退避位置的内侧腔室151b内的气氛。同时，在环状构件158a的下端部上形成清洗液排出口146，并配置与该清洗液排出口146连通的排液引导构件147。
内侧腔室151b，作为电动机132侧的小直径侧，同时在其下侧形成倾斜面。因此，由于清洗液排出口146形成于内侧腔室151b的下侧形成的倾斜面的下方，所以在内侧腔室151b内使用过的清洗液可很容易地从清洗液排出口146流入到排液引导部分147内。
排液引导构件147以向下方延伸、其前端部148指向水平方向的方式构成。另一方面，在垂直壁152a的下方配置单独的排液管149，在排液管149的前端，形成作为前端部的套部150。
当内侧腔室151b处于退避位置时，排液引导构件147的前端部148与套部150处于隔离状态，而当把内侧腔室151b容纳在外侧腔室151a中时，前端部148配合到套部150内，成为气密密封的，借此，将排液引导构件147与排液管149连通，成为可进行清洗液排液的结构。另一方面，当使用内侧腔室151b对晶片W处理完毕、内侧腔室从外侧腔室151a退避出来时，前端部148与套部150隔离。
下面，以把载置于FOUP台102上的FOUP F作为F1，载置于FOUP台102b上的FOUP F作为F2，将这两个FOUP F1、F2容纳起来对晶片W成批地用清洗处理装置100进行清洗处理的情况为例，对其清洗处理工艺进行说明。此外，图9～图11中，对FOUP F没有分别标明FOUP F1、F2。
首先，将按规定间隔平行存放25片晶片W的FOUP F1、F2，以在FOUP F1、F2上进行晶片W的出入的运入、出口面对窗部112a、112b的方式，载置于各FOUP台102a、102b上。
最初为传送FOUP F1内的晶片W，用开闭装置114a将关闭的窗部112a的闸门及关闭FOUP F1的运入、出口关闭的盖体的打开，使FOUP F1的内部与晶片传送单元104的内部成连通状态。然后，将检测传感器113a沿Z方向扫描，确认FOUP F1内的晶片及存放状态。这里，在检测出异常时，中断处理，或者转移到从FOUP F2上运出晶片W的动作，或者从生产管理等问题出发，将FOUP F1、F2作为一个批量整批地进行处理的前提下，将FOUP F1、F2从FOUP台102a、102b上撤出，转移到另外的批量的清洗处理。
在对FOUP F1内的晶片W未检测出异常的情况下，在使各传送臂121a位于各晶片W下侧的位置上的方式、利用Z轴前端机构199调整好传送壁121a的高度之后，使晶片传送装置107所具有的Y轴驱动机构动作，将传送壁121a插入到FOUP F1内，使Z轴驱动机构199上升到规定高度，使一片晶片W保持在一个传送臂121a上，再次使Y轴驱动机构动作，将传送臂121a返回到原来的位置。使开闭装置114a动作，将窗部112a将FOUP F1的盖体关闭，结束将全部25个晶片W从FOUP F1上运出的作业。晶片W以和在FOUP F1内的存放间隔相同的间隔保持在传送臂121a上。
保持在传送臂121a上的晶片W，以面对形成于构成晶片传送单元104与清洗处理单元103的边界的壁部125时筒部126的方式，使晶片传送装置107所具有的θ旋转驱动机构旋转180°。同时，打开关闭窗部126的闸门127，使晶片传送装置107的Y轴驱动机构动作，向在清洗处理单元103内面对窗部126的位置处待机的转动部件131内插入保持有晶片W的传送臂121a。
这时，转动部件131处于这样一种状态，即，保持器锁栓131c被保持器释放圆柱体135压紧，使得保持器131b处于可动状态，保持器131b变成借助保持器旋转圆柱体134向外侧打开、可将晶片W运入运出的状态。同时，将晶片W的高度位置调整到可容纳到形成晶片W固定构件131a上的晶片W保持用槽部等内的位置。
在把传送臂121a插入到转动部件131内的状态下，将保持器131b关闭锁定、使晶片传送装置107所具有的Z轴驱动机构199动作，使传送臂121a的位置下降，进而，使Y轴驱动机构动作，令传送臂121a返回到原来位置，关闭字母127。通过上述工序结束将存放在FOUP F1内的晶片W向转动部件131上的传送。
其次，为了进一步把存放在FOUP F2内的晶片W向转动部件131上传送，使传送臂121a再次处于FOUP台102a、102b侧，使晶片传送装置107的θ旋转驱动机构动作。同时，使X轴驱动机构198动作，移动晶片传送装置107，一直到使传送臂121a面对窗部112b的位置处。然后，和从前述从FOUP F1内运出晶片W的情况一样，从FOUP F2内运出晶片W，使θ旋转驱动机构及X轴驱动机构198动作，将保持晶片W的传送臂121a移动到面对窗部126上的位置处。
FOUP F2的晶片W，先插入容纳在转动部件131内的FOUP F1中的晶片W之间。即，晶片W在转动部件131内以在FOUP F1、F2内存放间隔的一半的间隔存放。因此，传送臂121a的高度位置，即晶片W的高度位置，通过使Z轴驱动机构199动作，向上或向下挪动晶片W的保持间隔的一半间隔，然后，利用和上述FOUP 1的晶片W的运入步骤相同的步骤，将晶片W保持在转动部件131上，完成将FOUP F1、F2是晶片W向转动部件131上的运送。在把晶片W向转动部件131上的运送结束之后，利用保持器锁栓131c使保持器131b成为不能自由转动的状态。
利用姿势变换机构109，为使转动部件131面向处理腔室151侧，将转动部件旋转机构108倾斜90°，将转动部件旋转机构108保持在水平状态。这时，晶片W被保持在垂直状态。然后，用X轴驱动机构110将转动部件131容纳到外侧腔室151a内，同时，借助圆盘138，为将外侧腔室151a的转动部件插入口153关闭，使转动部件旋转机构108滑动。
在处理腔室151内，例如，在内侧腔室151b内，用药液进行除去聚合物等的处理，在外侧腔室151a内进行用纯水的处理及其后的干燥处理时，最初，将内侧腔室151b容纳在外侧腔室151a内，一面用电动机132使转动部件131以规定的转数转动，一面从喷嘴157的喷射口156将规定的药液瞄准晶片W进行喷射，对晶片W进行药液处理。然后为了洗掉附着在晶片W和圆盘133a、133b中与晶片W对向面上的药液，用喷嘴157和设于内侧腔室151b的主体部上壁上的清洗液喷嘴向晶片W和圆盘133a，133b上供应纯水或IPA。接下来，使内侧腔室151b从外侧腔室151a中退出，一面使转动部件131按规定的转数旋转，一面从喷嘴155的喷射口154向晶片W上喷射纯水。这时，也可同时由喷嘴174a，174b喷射纯水，将圆盘133a、133b的各自垂直壁152a、152b的对向面进行清洗。然后，不向晶片W供应纯水，使转动部件按规定的转数旋转，甩掉附着在转动部件131及晶片W上的纯水，根据需要，可向晶片W上喷射N2气等进行干燥处理。
在液体处理和干燥处理结束后，为了将转动部件131从处理腔室151运出，用X轴驱动机构110，将转动部件旋转机构108滑动使之离开处理腔室151，接着使姿势变换机构109动作，为使晶片W被保持在水平状态将转动部件旋转机构108竖起，使转动部件131返回到面对窗部126的位置。同时，对于转动部件131进行位置调整使打开保持器131b时的运入、出口面对窗部126。
在对晶片W进行液体处理等的期间内，对于晶片传送装置107，使旋转驱动机构动作，使传送臂121b处于面对窗部126的状态。同时，例如，当先把存放在FOUP F2内的晶片W返回到FOUP F2内时，为使传送臂121b能够将该晶片W运出，使Z轴驱动机构199动作，调节传送臂121b的高度位置，打开闸门127，利用Y轴驱动机构将传送臂121b插入转动部件131内。
然后，使保持器释放圆柱体135下降，压紧到保持器锁栓131c上，使保持器131b处于解除锁定状态，利用保持器旋转圆柱体134使保持器131b旋转，以可将晶片运出的方式打开保持器131b。使Z轴驱动机构199动作，向上移动晶片W，进而利用Y轴驱动机构使传送臂121b返回初始位置，使得可从转动部件131内将该晶片W运出。
为使传送臂121b指向FOUP台102a，102b侧，驱动θ旋转驱动机构，同时利用X轴驱动机构198移动晶片传送装置107以便使传送臂121b面对窗部112b。利用开闭装置114b在打开窗部112b的同时打开FOUP F2的盖体，使FOUP F2的内部与晶片传送单元104成连通状态，利用Z轴驱动机构199调节传送臂121b的整个高度之后，用Y轴驱动机构将传送臂121b插入FOUP F2内，将晶片W运入，并使传送臂121b返回初始位置。当关闭FOUP F2的盖体和窗部112b时，将晶片W向FOUP F2内的存放结束。
利用同样的方法，使传送臂121b返回到面对窗部126的位置后，取出残留在转动部件131上的晶片W，向FOUP F1内存放。当把FOUP F1、F2从FOUP台102a、102b上撤去时，可以开始下一个FOUP F处理。
下面说明清洗处理装置另外一种实施形式。图15是清洗处理装置101的侧视图，图16是其平面图。清洗处理装置101除具有和前述清洗处理装置100的清洗处理单元103具有不同结构的清洗处理单元103a之外，其它部分采用和清洗处理装置100具有相同单元的结构。从而，下面，对清洗处理单元103a的结构以及在清洗处理单元103a中对晶片W的处理方式进行说明。
配置在清洗处理单元103a中的转动部件传递机构180由转动部件181，姿势变换机构109a，X轴驱动机构110a构成。转动部件181可在圆盘133b与结合到姿势变换机构109a上的连接构件182a之间进行装卸地构成，同时在圆盘133a上安装有将转动部件181连接到转动部件传递/旋转驱动机构190上并将这种连接解除的连接构件182b。此外，在转动部件181上，和转动部件131一样，在圆盘133a、133b之间具有啮合构件131a，保持器131b，在圆盘133a上配置有图中未示出的保持器锁栓131c。
优选地，姿势变换机构109a具有为使将晶片W运入用的保持器131b的运入、出口面对窗部126而进行位置调整用的位置调节机构。姿势变换机构109a和X轴驱动机构110a的动作，和前面所描述的清洗处理装置100的姿势变换机构109与X轴驱动机构110的动作一样。
此外，在清洗处理单元103a内设置有转动部件传递/旋转驱动机构190及处理腔室151。表示传递/旋转驱动机构190保持转动部件181的状态的一种形式的剖面图示于图17。转动部件传递/旋转驱动机构190由枢轴183及电动机132a构成。枢轴183的端部具有可装卸的结构，借助电动机132a的旋转可使转动部件181旋转。
配置在清洗处理单元103a中的处理腔室151，和配置在清洗处理装置100的清洗处理单元103中的处理腔室151同样，具有由外侧腔室151a和内侧腔室151b构成的双重结构。从而，和清洗处理装置100的情况同样，可以根据内侧腔室151b的位置分别使用在外侧腔室151a中的清洗处理和在内侧腔室151b内进行的清洗处理。在外侧腔室151a的转动部件插入口153上，安装有闸门153a，在把转动部件181运入、运出外侧腔室151a时，打开该闸门153a，在清洗处理过程中使之是关闭状态。
下面对于在清洗处理单元103a内对晶片W的清洗方法进行说明。晶片W在晶片传送装置107与转动部件181之间的运入，运出，和清洗装置100的情况同样，在晶片W处于水平的状态下进行。当晶片W被装到转动部件181内时，使姿势变换机构109a动作，将转动部件181变换姿势使晶片W被保持在竖立的状态，例如被保持在垂直状态，然后使X轴驱动机构110动作，将转动部件181从转动部件插入口153插入到外侧腔室151a内。
使X轴驱动机构110a，直到把连接构件182b连接到枢轴183上，在连接构件182b与枢轴183连接起来之后，解除圆盘133b与连接构件182a之间的连接。这样，借助转动部件传递/旋转驱动机构190，使转动部件181成为可借助转动部件传递/旋转驱动机构190进行转动的状态。然后，使X轴驱动机构110a动作直到使连接构件182a到达外侧腔室151a的外侧位置处，将闸门153a关闭。
由外侧腔室151a与内侧腔室151b形成处理室195、196的形式与清洗处理装置100的情况没有什么变化，同时，由于使电动机132a转动时转动部件181旋转，例如，在图17所示的状态下，可由外侧腔室151a进行清洗处理。
在一系列的清洗处理结束后，打开闸门153a，使X轴驱动机构动作，在把连接构件182a连接到转动部件181的圆盘133b上之后，解除枢轴183与连接构件182b的连接。然后，使X轴驱动机构110a及姿势变换机构109a动作，把转动部件181返回到使晶片W与筒126面对的位置，然后打开保持器131b，用晶片传送装置107把转动部件181内的晶片W运出。
对于上述批量式清洗处理装置100、101，可以进一步改变成各种形式。
第一，例如，可以在清洗处理装置100的上部安装在清洗处理装置100与其它处理装置等之间、进行FOUP F传送传送的装置。这时，从设置清洗处理装置100的清洗室的顶部方向供应向下流动的清洁空气，可能不会撞击到载置于FOUP台102a、102b上的FOUP F上。在这种情况下，会造成颗粒等容易附着在晶片W上的问题。
因此，可以如图18A所示，采用如下的结构，即，在晶片传送单元104的壁部111的上方设置规定的倾斜部，同时，在壁部111内安装过滤器129a，并且将从配置在晶片传送单元104上的过滤风扇单元(FFU)128a来的清洁空气撞击到FOUP F上。
同时，也可以采用如图18B所示的结构，即，作为开闭装置114a、114b，用过滤器129b构成闸门，即使在关闭闸门的状态下，从过滤风扇单元(FFU)128a来的清洁空气也会流向FOUP F。从而可防止颗粒等向晶片W上附着。
第二，关于转动部件的转动形式，对转动部件131、181以所谓悬臂的方式进行轴支承的状态进行旋转的情况进行了说明，但是，例如，如果将图17中所示的连接构件182a以姿势变换机构109a作为轴承等能够旋转的话，也可以在处理时将圆盘133b与连接构件182a连接，使转动部件181处于两面支承的形式。同时，在清洗处理装置100中，也可以通过从内侧腔室151b侧配置与圆盘133a连接的可旋转连接构件等，实现将转动部件131以两面支承的方式进行保持的形式。
下面，对本发明的液体处理装置的另外一种实施形式进行说明。
图19是表示作为对多片晶片W进行批量式处理的液体处理装置的进一步的一种实施形式的清洗处理装置200的简略结构的透视图。如图19所示，清洗处理装置200主要由以下部分构成：设有载置可容纳多片晶片W的FOUP(容纳容器)F用的FOUP台202a～202c的FOUP运入、运出部202；对晶片W进行清洗处理的清洗处理单元203；设置在FOUP运入、运出部202与清洗处理单元203之间、对晶片W进行传送的晶片传送单元204；贮存清洗处理用药液等的药液贮存单元205。
在清洗处理单元203的上部，设置用于配置在清洗处理装置200中的各种电动驱动机构和电子控制装置的电源箱和对构成清洗处理装置200的各单元进行温度控制用的温度控制箱，在晶片传送单元204的上部，设置对设于清洗处理装置200上的各种显示面板进行控制的显示箱209以及容纳设于晶片传送单元204内的晶片传送装置216(参照后面的图20～图22)的控制装置的传送机构控制箱210。同时，在药液贮存单元205的上部，设置把从上述各箱中排出的热气集中起来的排放热气箱208。
图20表示清洗处理装置200的简略平面图，图21表示清洗处理装置200的简略侧视图，图22表示在图21的简略侧视图中将一部分驱动机构驱动的状态的简略侧视图。这里，在图20～图22中，仅表示出了FOUP运入、运出部202，清洗处理单元203，晶片传送单元204，药液贮存单元205，图中没有示出配置在清洗处理单元203、晶片传送单元204、药液贮存单元205上部的电源箱206及其它各种箱部。同时，如后面所述，清洗处理单元203分成传送部203a与清洗部203b，在图21及图22中，表示出传送部203a的简略结构。
载置于FOUP台202a～202c上的FOUP F，能够以规定的间隔、以主面成水平的方式容纳多片，例如25片晶片，在FOUP F的一个侧面上，设置运入、运出晶片W用的晶片运入、运出口。FOUP F具有开闭晶片运入、运出口的盖体211，该盖体211可借助后面所述的盖体开闭机构115a～115c装卸到FOUP F上。
在晶片传送单元204与晶片运入、运出部202之间的边界壁212上设置窗部212a～212c。如图22所示，形成FOUP F上的晶片运入、运出口的外周部将窗部212a～212c关闭，同时，以可借助盖体开闭机构215a～215使盖体211成为可装卸的状态，将FOUP F载置于FOUP台202a～202c上。
设置在边界壁212内侧(晶片传送单元204侧)的窗部212a～212c的各个位置处的盖体开闭机构215a～215c，具有开闭窗部212a～212c的闸门213a～213c和使闸门213a～213c升降的升降机构214a～214c。盖体开闭机构215a～215c具有图中未示出的吸附垫等盖体夹持机构，借此可使FOUP F的盖体211与闸门213a～213c一起升降。
当FOUP F未载置于FOUP台202a～202c上时，闸门213a～213c处于将窗部212a～212c关闭的状态，防止颗粒等从外部进入晶片传送单元204内。另一方面，当把晶片W从FOUP F内运出或将晶片W运入其内时，为了使后面所述的晶片传送装置216的传送臂217a、217b能够触及FOUP F，利用盖体开闭机构215a～215c使闸门213a～213c和FOUP F的盖体211下降，窗部212a～212c呈敞开状态。
在晶片传送单元204内，在分别靠近盖体开闭机构215a～215c的位置处，设置用于计量FOUP F内的晶片W的片数的晶片检测机构310。该晶片检测机构310，例如，一面利用电动机313将具有采用红外线激光的发射部及接收部的反射式光传感器311沿导轨312在Z方面(铅直方向)扫描，一面接收从晶片W的端面上反射回来的光，检查存放在FOUP F内的晶片W的片数以及存放状态，例如，晶片W是否按规定的间隔基本上平行地一片片地被存放，两片晶片是否被重叠地存放，晶片W是否被高低不平错开地呈倾斜状的被存放，晶片W是否脱离FOUPF内的规定位置等。
此外，如果将晶片检测机构310安装在晶片传送装置216上，使晶片检测机构310可与晶片传送装置216同时移动的结构，则可以仅在一个部位处配置检测机构310。同时，例如，也可以分别设置确认晶片存放数目的传感器和检查晶片W存放状态的传感器。进而，也可以把晶片检测机构310设置在盖体开闭机构215a～215c上。
在晶片传送单元204内，于其顶部设置将清洁空气向晶片传送单元204内送风用的过滤风扇单元(FFU)224a，从该过滤风扇单元(FFU)224a来的向下吹的清洁空气流，从设在晶片传送单元204的下部的图中未示出的排气口排出。同时，在窗部212a～212c敞开的状态，从过滤风扇单元(FFU)224a来的向下流动的清洁空气流的一部分流入FOUP F内，防止颗粒等附着在FOUP F内。此外，在过滤风扇单元(FFU)224a的下部配置图中未示出的电离器，可以对晶片W去静电。
晶片传送装置216配置在晶片传送单元204内，晶片传送装置216具有：具备在X方向延伸的导轨的线性驱动机构219，保持晶片W的传送臂217a、217b，分别保持传送臂217a、217b的保持部218a、218b，其上分别配置传送臂217a、217b和保持部218a、218b的滑动机构220a、220b，其上配置滑动机构220a、220b的可自由旋转的台221，使台221旋转的旋转机构222，以及，使位于旋转机构222的上部部分升降的升降机构223。
通过在晶片传送装置216中设置双系统传送臂217a、217b，例如，可用传送臂217a传送未处理的晶片W，用传送臂217b传送清洗处理过的晶片W。在这种可下，例如，与仅配置单系统的传送臂的情况相比，可以有效地防止附着在未经处理的晶片W上的颗粒等附着在传送臂上之后、再进一步地附着在已经处理好的晶片W上。同时，通过设置双系统传送臂，可以从清洗处理单元203内接受处理完毕之后的晶片W之后，立即传递下一批未经处理的晶片W。
一个传送臂217a传递一片晶片W，为了能够一次将25片晶片W传送到FOUP F内，基本上平行地以规定的间隔将25个传送臂217a保持在保持部218a上，同时也将25个传送臂217b基本上平行地以规定的间隔保持在保持部218b上。在FOUP F或后面所述的转动部件234与传送臂217a、217b之间传送晶片W时，有必要使传送臂217a、217b上升、下降规定的距离，该传送臂217a、217b的升降动作利用升降机构223进行。同时，也可以在保持部218a、218b上另外设置使传送臂217a、217b上升下降的升降机构。
传送臂217a、217b可借助滑动机构220a、220b与保持部218a、218b一起沿传送臂217a、217b的长度方向滑动，台221可借助旋转机构222在水平面内旋转(图20所示的θ方向)。同时，传送臂217a、217b的高度可借助升降机构223调节，传送臂217a、217b可与升降机构223等一起借助线性驱动机构219沿X方向移动。从而，传送臂217a、217b可触及载置于FOUP台202a～202c上的任何一个FOUP F以及设置在清洗处理单元203内的转动部件234，晶片传送装置216可在载置于FOUP台202a～202c上的FOUP F和转动部件234之间将晶片W以水平的状态进行传送。
从而，例如，将传送臂217a用于传送未处理的晶片W，同时在从装载于FOUP台202b上的FOUP F向配置在清洗处理单元203内的转动部件234上传送的场合，最初为了使传送臂217a可进入载置于FOUP台202b上的FOUP F，驱动线性驱动机构219，使传送臂217a沿X方向移动。其次，驱动升降机构223，调节传送臂217a的高度之后，使滑动机构220a动作，将传送臂217a及保持部218a滑动到FOUP台202b侧。通过将晶片W保持在传送臂217a上将传送臂217a和保持部218a返回原位，成为将晶片W从FOUP F内运出的状态。
其次，使转动机构222动作，一面将台221转动180°，一面驱动线性驱动机构219使传送臂217a成为可触及转动部件234的状态。把传送臂217a和保持部218a滑动到转动部件234侧，把晶片W传递到转动部件234上(参见图22)，再将传送臂217a及保持部218a返回到原来的位置，将晶片W向转动部件234上的传送完毕。
此外，图22表示，使滑动机构220a动作，将传送臂217a及保持部218a滑动到转动部件234侧，将晶片W传递到转动部件234上的状态。同时，通过使FOUP F内的晶片W的高度位置与在转动部件234内保持晶片W的高度位置一致，可省略利用升降机构223将传送臂217a、217b的高度调整对齐的工序。
在上面所述的晶片传送装置216中，由于传送臂217a、217b相对于台221的旋转中心配置在点对称的位置处，所以，当在不伸长滑动机构220a，220b的状态下旋转台221时，即使在传送臂217a、217b保持晶片W的状态下，也可使传送臂217a、217b旋转时所通过的轨迹范围变得比较狭窄。从而，在清洗处理装置200内可使晶片传送单元204节省空间。
在把晶片传送单元204与清洗处理单元203隔开的边界壁225上，形成传送晶片W用的窗部225a，该窗部225a利用借助升降机构226b可自由升降的闸门226a开闭。在清洗处理装置200中，闸门226a设置在晶片传送单元204侧，但也可设在清洗处理单元203侧。晶片W在晶片传送单元204与清洗处理单元203之间的传送，中间经由该窗部225a进行。
由于可借助闸门226a将晶片传送单元204与清洗处理单元203的气氛隔开，例如，即使在清洗处理单元203中清洗液飞溅或清洗液的蒸汽扩散等情况下，也可以防止使污染扩大到晶片传送单元204内。
清洗处理单元203由传送部203a与清洗部203b构成，在传送部203a的顶部配置过滤风扇单元(FFU)224b，将除去颗粒的清洁空气向传送部203a内送风。同时，在过滤风扇单元(FFU)224b的下部配置图中未示出的离子发生器，可对晶片W去静电。
如图20～图22所示，在传送部203a上，设置：转动部件旋转机构227；控制转动部件旋转机构227的姿势的姿势变换机构228；将转动部件旋转机构227和姿势变换机构228沿垂直方向移动的Z轴驱动机构229；将Z轴驱动机构229沿水平方向移动的X轴驱动机构230；防止从姿势变换机构228和Z轴驱动机构229产生的颗粒向转动部件旋转机构227侧飞溅、附着在晶片W上等用的盖245；防止由X轴驱动机构230产生的颗粒向转动部件旋转机构227侧飞溅、附着在晶片W上等用的盖246。同时在传送部203a上设置开闭转动部件旋转机构227所具有的转动部件234的保持器236b用的保持器开闭机构280。
在清洗部203b上，配置由外侧腔室271a及内侧腔室271b构成的处理腔室270，以及清洗内侧腔室271b用的清洗机构290，同时还配置图中未示出的内侧腔室271b滑动机构以及清洁机构290的滑动机构。
图23A是表示转动部件旋转机构227的简略结构的剖视图，图23B是表示将转动部件旋转机构227插入到外侧腔室271b内的状态的正视图。此外，图24和图25是表示将转动部件234插入到配置在清洗部203b上的处理腔室270中的状态的剖视图。这里，图24表示把内侧腔室271b退出到外侧腔室271a的外侧的位置时的状态，图25表示把内侧腔室271b容纳在外侧腔室271a中的处理位置的状态。
转动部件旋转机构227具有：能够以规定间隔保持晶片W的转动部件234；以使保持在转动部件234上的晶片W在面内旋转的方式旋转转动部件234的电动机231a；连接电动机231a与转动部件234的枢轴250；电动机231a与枢轴250的电动机连接部231b；围绕枢轴250的枢轴盖232；以及，在把转动部件234插入到外侧腔室271a中将形成于外侧腔室271a上的转动部件运入、运出口262c关闭的盖体233；在枢轴232上安装有把转动部件234插入外侧腔室271a中时与配置在外侧腔室271a内的夹紧把手276a、276b配合的夹紧承座275a、275b。
外侧腔室271a具有：筒状体261a；配置在筒状体261a的端面上的环形构件262a、262b；配置在环形构件262a、262b的内周面上的密封机构263a、263b；设置在环形构件262a上的夹紧把手276a、276b；沿水平方向形成的多个清洗液喷射口254、安装于筒状体261a上的喷嘴253；容纳喷嘴253的喷嘴盒257；设在外侧腔室271a的下部、排出清洗液、同时也可进行排气的排气/排液管265a；以及，测量与转动部件234的距离的侧长传感器262f(参照后面所示的图27B)。在环形构件262a上，配置密封机构263a的内周面，构成转动部件234进入/退出用的转动部件运入、运出口262c。
内侧腔室271b具有：筒状体261b；配设在筒状体261b的端面上的环形构件266a、266b；配置在环形构件266a、266b的内周上分别于两个部位配置的密封机构267a、267b；沿水平方向形成多个清洗液喷射口256、安装到筒状体261b上的喷嘴255；容纳喷嘴255的喷嘴盒258；以及，设于内侧腔室271b的下部、在排出清洗液的同时可进行排气的排气/排液管265b。在环形构件266a上，其上配置密封机构267a的内周面，在内侧腔室271b处于处理位置时，成为转动部件234进入/退出用的转动部件运入、运出口266c。
环形构件290具有：筒状体291；安装到筒状体291的一个端面的圆盘292a；安装到筒状体291的另一个端面上的环形构件292b；以及安装到筒状体291上的气体供应喷嘴293和排气管294；同时在圆盘292a上设置喷嘴273a与排气管273c。
首先，对传送部203a的结构部件进行说明。如图22所示，转动部件旋转机构227，在将晶片W在转动部件234与传送装置216之间传送时，保持将晶片W以水平状态保持的姿势(纵向姿势)，同时，如图23B及图24，图25所示，在进行清洗处理时，变换成将晶片以垂直状态保持的姿势(横向姿势)进行保持。这种转动部件旋转机构227的姿势变换，用姿势变换机构228、Z轴驱动机构229、X轴驱动机构230进行。
控制转动部件旋转机构227的姿势的姿势变换机构228，具有旋转机构242和安装到旋转机构242上的枢轴241，枢轴241固定在转动部件旋转机构227的枢轴盖232上。同时，Z轴驱动机构229，具有：电动机243；将电动机243的旋转驱动力和位移传递给姿势变换机构228的动力传递部244；导轨247；以及支撑导轨247的支撑体248。姿势变换机构228以可沿导轨247移动的方式配合到导轨247上，在使电动机243旋转时，将该旋转驱动力与位移中间经在动力传递部244传递给姿势变换机构228，姿势变换机构228可与转动部件旋转驱动机构227一起沿导轨247在Z方向(垂直方向)移动规定的距离。
作为Z轴驱动机构229，并不限于将电动机243的旋转位移变换成直线位移的变换机构，例如，代替电动机243，也可以采用使发动机等直接产生线性位移的驱动机构。
X轴驱动机构230包括：导轨249；图中未示出的电动机；连接到电动机上的圆头螺栓239a；啮合到圆头螺柱239a上的啮合构件239b；配合到导轨249上、将啮合构件239b与支撑体248连接起来的连接构件238。通过旋转电动机使圆头螺栓239a动作，随着圆头螺栓239a的动作，啮合构件239b沿X方向移动。这时，由于连接构件238将啮合构件239b和支撑体248连接，所以连接构件238和支撑体248也和啮合构件239b一起沿X方向移动。即，在啮合构件239b沿X方向移动时，转动部件旋转机构227和姿势变换机构228及Z轴驱动机构229同时沿X方向移动。为了不使转动部件旋转机构229不会进入清洗部203b侧。比规定位置更远的位置处，在X轴线性移动机构230的导轨249上设置图中未示出的挡块。
图26A～图26E，是表示用姿势变换机构228和Z轴驱动机构229与X轴驱动机构230使转动部件旋转机构227移动时的形式的一个例子的说明图，图26A表示在转动部件227中枢轴盖232和姿势变换机构228的枢轴241的连接点P的移动轨迹，图26B～图26E表示连接点P在各个位置P1～P4时的转动部件旋转状态227的状态(姿势)。进而，图27A再次表示在图26B～图26E所示的位置的P1～P4的转动部件旋转机构227，用于说明转动部件旋转机构227的移动所需的空间。
为了将保持晶片W的转动部件234插入到外侧腔室271a内，以枢轴盖232从位置P1向位置P4移动使转动部件旋转机构227移动时的情况为例进行说明，首先，连接点P在位置P1时，转动部件旋转机构227处于可在转动部件234和晶片传送装置216之间对晶片W进行传送的位置处，这时，转动部件旋转机构227处于纵向姿势的状态。在把晶片W容纳到转动部件234内之后，开始，使Z轴驱动机构229动作，使转动部件旋转机构227和姿势变换机构228以连接点P移动到位置P2的方式上升。在位置P2处，使姿势变换机构228动作，晶片W从水平保持状态变成垂直变成状态，转动部件旋转机构227整体旋转90°，转动部件旋转机构227整体变成横向姿势的状态。
接着，转动部件旋转机构227整体保持横向姿势的状态不变，为使连接点P移动到位置P3，再次使Z轴驱动机构229动作，使转动部件旋转机构227上升。这样，通过在作为使转动部件旋转机构227上升时的起点的位置P1和作为终点的位置P3的中间地点P2处对转动部件旋转机构227进行姿势变换，确保空间278、279，通过将各种控制装置等容纳在该空间279中等有效地加以利用，可以缩小清洗处理装置200整体的大小。
即，在位置P1处进行转动部件旋转机构227的姿势变换的情况下，不能确保空间278，同时，对于空间279，其容积也被限制在处理腔室270侧的狭窄的部分内。另一方面，在位置P3处进行转动部件旋转机构227的姿势的情况下，必须加高安装过滤风扇单元(FFU)224b的顶部的位置，使清洗处理装置大型化，但通过在位置P2处进行转动部件旋转机构227的姿势变换，可以解决这种问题，可使传送部203a所占有的容积变小，可以紧凑地构成清洗处理装置200的整体。
其次，当连接点P到达位置P3之后，使X轴驱动机构230动作，将连接点P的位置水平移动到位置P4。当连接点P处于位置P4时，转动部件234被插入到外侧腔室271a，可进行清洗处理，这样，可将转动部件234从晶片传送装置216的传递位置移动到清洗处理位置。
在使连接点P的位置从位置P3向位置P4水平移动、把转动部件234插入到外侧腔室271a时，利用配置在环形构件262a上的测长传感器262f测定转动部件运入、运出口262c与转动部件234所具备的圆盘235a、235b之间的距离，以便使转动部件234不与环形构件262a发生碰撞。测长传感器262f，例如，如图27B的正视图所示，可沿环形构件262a的外周等间隔地配置在三个部位处。
测长传感器262f的使用方法，例如，如下面所述。首先，当圆盘235a水平移动到测长传感器262f的对向位置处时，暂时停止X轴驱动机构230的动作，利用测长传感器262f测定圆盘235a的位置。由所得到的测定值判断圆盘235a是否可通过转动部件运入、运出口262c，当判断为不能通过时，使转动部件旋转机构227返回原来的位置，停止清洗处理装置的运转，进行维修。
另一方面，当判断为圆盘235a可以通过转动部件运入、运出口262c时，再次开始驱动X轴驱动机构230，当圆盘235b水平移动到面对测长传感器262f的位置处时，再次暂时停止X轴驱动机构230的动作，利用测长传感器262f测定圆盘235b的位置。由所得到的测定值判断圆盘235b能否通过转动部件运入、运出口262c，在判断为不可能时，中止将转动部件234向外侧腔室271a内的运入，使转动部件旋转机构227返回原来的位置，停止清洗处理装置200的运转，进行维修。同时，在判断圆盘235b可以通过转动部件运入、运出口263c时再次驱动X轴驱动机构230，将转动部件234运入外侧腔室271a内。
此外，连接点P处于位置P4、转动部件234插入外侧腔室271a内的状态，由图24、图25详细地进行表示。同时，在晶片W清洗处理结束后，为使连接点P从位置P4移动到位置P1，使前述转动部件旋转机构227的移动路径反转，将转动部件旋转机构227移动到可以将转动部件234内的晶片W可传递到晶片传送装置216上的位置处。
下面，对转动部件旋转机构227的结构部件进行说明。图28是表示转动部件234的结构的透视图，转动部件234包括：在规定的间隔配置的一对圆盘235a、235b；以规定间隔形成保持晶片W用的槽等的固定构件236a；和固定构件236a同样地形成槽等、可开闭的保持器236b；以及控制保持器236b的开闭行与不行的锁栓236c。固定构件236a，可从圆盘235a、235b的外侧用螺旋夹等固定在圆盘235a、235b之间，晶片W被容纳在固定构件236a与保持架236b的槽等之中。圆盘235b向枢轴250上的固定，例如，可用螺丝235c进行。
对保持器236b进行开闭的保持架开闭机构280设在边界壁225的传送部203a侧(参见图21，图22)，保持器开闭机构280，包括锁栓压紧圆柱体281，保持架开闭圆柱体282。保持器开闭机构280，在转动部件234和传送臂217a、217b之间进行晶片W的传递位置处，以锁栓压紧圆柱体281和保持器开闭圆柱体282分别可触及锁栓236c和保持器236b的方式，可在图21所示的退避位置与图22所示的处理位置之间自由旋转。在边界壁225处，于设置保持器开闭机构280的部分上设置盖240，将晶片传送单元204和清洗处理单元203隔离。
锁栓236c，例如在通常状态下处于突出到圆盘235a外侧的状态，在这种状态不能进行保持器236b的开闭动作。另一方面，锁栓压紧圆柱体281具有在处理位置时可将锁栓236c压入到转动部件234的内部的压紧机构，同时，保持器开闭圆柱体282在圆盘235a的外侧可触及保持器236b，对保持器236b进行开闭动作。从而，当保持器开闭机构280触及转动部件234、借助锁栓压紧圆柱体281的压紧力成为将锁栓236c向转动部件234的内侧压入的状态时，保持器236b变成可借助保持器开闭圆柱体282自由开闭的状态。
在保持器236b处于打开的状态时，可将晶片W在转动部件234与传送臂217a、217b之间传递，另一方面，在保持器236b关闭的状态，转动部件234内的晶片W被保持在不能向转动部件234向外部脱落的状态。
根据上述保持器236b，锁栓236c，保持器开闭机构280的状态，在保持器236b打开的情况下，例如，最初将处于退避位置的保持器开闭机构280移动到处理位置，接近转动部件234，利用锁栓压紧圆柱体281将锁栓236c保持在压入到转动部件234的内部的状态。在这种状态下，使保持器开闭圆柱体282动作，打开保持器236b。从而，晶片W的运入、运出成为可能，在晶片W的运入、运出作业结束之后，在使保持器236b处于关闭状态之后，解除锁栓压紧圆柱体281的压紧力，锁栓236c返回到从圆盘235a上突出的状态，即，对保持器236b加锁的状态。其次，如果使保持器开闭机构280返回到退避位置，可转向对晶片W的处理。
成一整体地设置在转动部件旋转机构227上的盖体233，在图24所示的内侧腔室271b处于退避位置的情况下，当转动部件234插入到外侧腔室271a中时，将外侧腔室271a的转动部件运入、运出口262c关闭，盖体233的侧面与转动部件运入、运出口262c之间的间隙部由密封机构263a密封。同时，如图25所示，当内侧腔室271b处于处理位置时，盖体233的侧面进一步将内侧腔室271b的运入、运出口266c关闭，盖体233的侧面与运入、运出口266c之间的间隙部用密封机构267a密封。从而可防止从处理腔室270向传送部203a飞溅清洗液。形成于外侧腔室271a的环构件262a上的转动部件运入、运出口262c，如图20所示，可由盖体262d自由开闭。
将盖体233的侧面制成没有阶梯差及倾斜的圆筒状，同时，通过使转动部件运入、运出口262c、266c具有相同的直径，例如，即使在把转动部件旋转机构227插入内侧腔室271b内时发生误操作，也可以避免盖体233与环构件266a的碰撞。同时，在用内侧腔室271b进行液体处理时，由于盖体233用密封机构263a、267a进行密封，所以可有效地防止内侧腔室271b内的气氛泄漏到传送部203a侧。
作为密封机构263a、267a，在不进行密封时，具有图29A所示的截面大致为M字形，在密封时，如图29B所示，通过供应规定压力的空气等，成中央的凹部凸出的山字形，同时，最好使用通过将其顶点部分与图中未示出的盖体233等贴紧而产生密封功能的橡胶制的管285。密封机构263a、267a相对于环构件262a、266a的转动部件运入、运出口262c、266c分别在两个部位处的形成，可进一步确保其密封性。
橡胶制的管285配合到形成于环构件262a、266a上的槽部286内，在因药液造成的劣化及时效劣化造成橡胶管不能使用的情况下，只要更换橡胶管285即可。也可以制成在环构件262a、266a上安装与橡胶管285配合的另外的环构件，将橡胶管285和该另外的环构件一起更换的结构。
在采用利用密封机构263a、267a这种利用空气压力进行密封的机构的场合，通过加大供应给橡胶管285的空气压力，即使在外侧腔室271a及内侧腔室271b内的处理压力高的情况下，也能够确保良好的密封性。图29A、29B所示的密封机构，相对于密封机构263b、267b也是一样的。此外，也可以采用不使用空气压力的橡胶环等，但这种情况下难以调节密封性的强弱。
在盖体233的电动机231a侧，配置环状液体容器233a，对流入到液体容器233a内的清洗液用强制的方法进行排液。在晶片W清洗结束后，在盖体233的侧面及与盖体233的圆盘235b的对向面上附着清洗液的情况下，这种附着的清洗液，在为使转动部件34从外侧腔室271a退出、使转动部件旋转机构227沿水平方向滑动、进而把转动部件旋转机构227从横向姿势变换到纵向姿势时，变成传递到盖体233的侧面的液滴，有下落到清洗处理单元203的底面的危险，但通过设置液体容器233a，可防止这种清洗液液滴的下落。
在盖体233上，设置喷嘴273b，从喷嘴273b可向与圆盘235b的与盖体233的对向对面上喷射纯水及气体。由于从设在外侧腔室271a上的喷嘴253喷射出的纯水及N2气等，难以直接冲击到圆盘235b与盖体233的对向面上，所以在现有技术中，存在着在前期阶段使用过的药液难以被冲洗掉的问题，但通过设置喷嘴273b，与晶片W的清洗处理工艺相结合，可以对圆盘235b进行水洗和干燥。
在清洗处理装置200中，采用与转动部件234及盖体233和电动机231a成一整体构成的转动部件旋转机构227，由于可以对转动部件旋转机构227的姿势进行变换和移动，从而在晶片传送装置216及转动部件旋转机构227之间没有必要设置变换晶片W的姿势的机构，借此可简化晶片W的传送系统、缩小清洗处理装置100的占地面积。同时，由于可容易地控制转动部件234进入、退出外侧腔室271a，具有传递晶片W的次数少，从而也可以抑制晶片W的损伤及颗粒等的附着等污染。进而，由于转动部件234与盖体233成一整体地构成，从而可将转动部件234与盖体233的上表面之间的距离d可以设定得较窄，从而缩小外侧腔室271a与内侧腔室271b的体积，所以可使处理腔室270小型化并提高液体处理的均匀性。
在转动部件旋转机构227中，在枢轴250与围绕枢轴250的枢轴盖232之间，配置可使枢轴250旋转的轴承232a，枢轴250贯通盖体233的部分，采用防止从处理腔室270来的药液进入枢轴250周围的密封结构。同时，由于枢轴250与枢轴盖232的摩擦部及电动机231a构成颗粒等的产生源，从而设置局部排气机构，使颗粒等不能扩散到传送部203a内。
在枢轴盖232上，于以长度方向的轴为中心基本上点对称的位置处，配置夹具承座275a、275b。另一方面，在外侧腔室271a的环构件262a上，配置夹紧把手276a、276b，夹紧把手276a、276b可在图23B中实线所示的动作位置和虚线所示的退避位置之间转动规定的角度，在动作位置处可配合到夹具承座275a、275b内，夹持枢轴盖232。
通过把夹紧把手276a、276b保持在动作位置、夹持枢轴盖232，例如，在驱动电动机231a使转动部件234旋转时，特别是，在旋转开始时及旋转停止时，旋转速度切换时，使旋转方向反转时等情况下，对转动部件234加上大的加速度时，可以抑制在枢轴50上所产生的振动和摆动，可使转动部件稳定地进行旋转。同时，即使在以一定的速度使转动部件234转动的情况下，也可以使枢轴250的转动稳定。进而，通过抑制转动部件234转动时所发生的振动，可降低加在转动部件旋转机构227的结构部件上的应力，延长部件的寿命。
如前面所述，由于枢轴盖232与姿势变换机构228连接，姿势变换机构228与Z轴驱动机构229配合，Z轴驱动机构229与X轴驱动机构230配合，从而转动部件旋转机构227由X轴驱动机构230保持，但通过利用夹紧把手276a、276b能够将正在进行液体处理的转动部件旋转机构227可靠地固定在外侧腔室271a中。
下面对清洗部203b的结构部件进行说明。从药液贮存单元205等的清洗液供应源向设于构成外侧腔室271a的筒状态261a上的喷嘴253上供应纯水、IPA、N2气等，可从清洗喷射口254向保持在转动部件234上的晶片W喷射纯水等。优选地，从清洗液喷射口254以将纯水等大面积地撞击到晶片W上的方式，例如，以扩展成圆锥形的方式喷射纯水等。
在图24及图25中仅表示出一个喷嘴253，但也可配置多个喷嘴，也不一定必须设置在筒状体261a的正上方。对于喷嘴255情况也是一样。
在筒状体261a中，令环状构件262b侧的外径大于环状构件262a侧的外径，筒状体261a以使环状构件262a比环状构件262b侧的位置低的方式设置倾斜部。从而，从清洗液喷射口254向晶片W喷射的各种清洗液，自然地在筒状体261a的底面上从环状构件262a侧向环状构件262b侧流动，通过排气/排液管265a，排出到排液通道(外部)。
为了防止在把转动部件旋转机构227运出时附着在盖体233及密封机构263a等上的清洗液等转动部件运入、运出口262c泄漏液体，在环状构件262a的外侧下部，设置液体容器262e，借此，可保持清洗部203b的清洁。
构成内侧腔室271b的筒状体261b，与外侧腔室271a的筒状体261a不同，环状构件266a侧与环状构件266b侧为具有相同外径的圆筒状，并水平配置。为了使清洗液能够容易地排出到外部，在筒状体261b的下部形成从筒状体261b突出的具有规定的倾斜度的槽部269。从而，在内侧腔室271b位于处理位置时，从喷嘴255向晶片W喷射的清洗液，流过槽部269，通过排气/排液管265b被排出到排液通道中。
从药液贮存单元205等的清洗液供应源向喷嘴255供应各种清洗液，可从清洗液喷射口256向保持在转动部件234上的晶片W喷射清洗液等。
优选地，从清洗液喷射口256以清洗液集中地撞击在晶片W上的方式，例如，以扩展成基本上为平面状的扇形喷射清洗液。在这种情况下，特别是以清洗液撞击到晶片W的表面上的方式，优选地以和保持在转动部件234上的晶片W的数目相同的数目配置清洗液喷射口256。驱动X轴驱动机构230调整转动部件旋转机构227在X方向滑动时的滑动量，通过微调在内侧腔室271b内的转动部件234的位置，能够可靠地使从清洗液喷射口256喷射出的清洗液射在晶片W上。
同时，在用清洗机构290清洗内侧腔室271b时，可从清洗液喷射口256喷射纯水及N2气等。
在内侧腔室271b位于处理位置的情况下，如图25所示，环形构件266a与盖体233之间借助密封机构267a密封，同时，环状构件266b与环形构件262b之间借助密封机构263b密封，并且，环形构件266b与圆盘292a之间借助密封机构267b密封。从而，在内侧腔室271b处于处理位置时，由筒状体261b，环形构件266a、266b，圆盘292a，盖体233形成处理室252。
在内侧腔室271b处于退避位置的状态下，环形构件266a与环形构件262b之间由密封机构263b密封，并且，环形构件266a与圆盘292a之间由密封机构267a密封。同时，由于在把转动部件234插入到外侧腔室271a内时，盖体233与环形构件262a之间由密封机构263a密封，从而，在内侧腔室271b处于退避位置时，如图24所示，由筒状体261a，环形构件262a、262b，圆盘292a，内侧腔室271b的环形构件266a，转动部件旋转机构227的盖体233，形成由外侧腔室271a进行的处理室251。
在内侧腔室271b处于退避位置的状态下，如上所述，在外侧腔室271a侧形成处理室251的同时，在环形构件266a与圆盘292a之间用密封机构267a密封，在环形构件266b与环形构件292b之间用密封机构267b密封，在筒状体291的外周与筒状体261b的内周之间形成大致为筒状的清洗处理室272。可从设置在筒状体291的多个部位处的气体供应喷嘴293向清洗处理室272喷射N2气及空气等干燥气体。同时，所喷射的干燥气体可从排气管294中排出。
在把内侧腔室271b移动到处理位置、在处理室252中向晶片W供应规定的药液进行药液处理后，如果把内侧腔室271b移动到退避的位置的话，可用干燥气体进行干燥处理。另一方面，在清洗室272中，从喷嘴255向清洗处理室272内喷射纯水，然后，通过从气体供应喷嘴293向清洗处理室272内喷射干燥气体，清扫内侧腔室271b的内部可以准备对下一个晶片W进行药液处理。在从气体供应喷嘴293喷射干燥气体时，也可以从喷嘴255喷射干燥空气，借此，可进行对喷嘴255的干燥。
同时，在转动部件234插入外侧腔室271a的状态，圆盘235a与圆盘292a对向的面和与圆盘235b与盖体233对向的面一样，难以将从喷嘴255喷射出来的纯水及干燥气体直接喷射到这些面上，所以为了清洗、干燥圆盘235a，可从设在圆盘292a上的喷嘴273a喷射纯水及干燥空气。采用喷嘴273a与前述的喷嘴273b，为了使处理室251、252具有规定的气体气氛，可喷射例如氧气(O2)及二氧化碳(CO2)气等。供应给处理室251、252的气体，不仅可从排气/排液管265a、265b而且可从设在圆盘292a上的排气管273c中排出气体。
下面，以在清洗处理装置200中，将载置于FOUP台202a上的FOUP F作为FOUP F1，载置于FOUP台202b上的FOUP F作为FOUP F2，在对容纳在这两个FOUP F1、F2内的晶片W进行清洗处理的情况为例，对其清洗处理工艺进行说明。首先，将以规定的间隔平行地容纳25片晶片W的FOUP F1、F2，在FOUP F1、F2中进行使晶片W出入的运入、运出口面对窗部212a、212b的方式载置于FOUP台202a、202b上。
最初，为了传送容纳在FOUP F1内的晶片W，打开窗部212a，使FOUP F1的内部与晶片传送单元204的内部成为连通的状态。然后，用晶片检查机构310检查FOUP F1内晶片W的片数及存放状态。这里，当检查出晶片W的存放状态异常时，中断对FOUP F1的晶片W的处理，例如，转移到对存放在FOUP F2内的晶片W的处理。
在未检查出FOUP F1内的晶片W的存放状态异常时，使晶片传送装置216动作将存放在FOUP F1内的全部晶片W移送到传送臂217a上，使线性驱动机构219及转动部件222动作，将晶片传送装置216移动到传送臂217a可触及转动部件234的位置。利用升降机构223调节传送臂217a的高度位置，使窗部225a呈打开的状态，将保持晶片W的传送臂217a插入到转动部件234内，用保持器开闭机构280操作保持器236b等，把晶片W转移到转动部件234上。
在把晶片W保持在转动部件234上之后，先按照图26A～图26E所示的转动部件227的移动方式，将转动部件234插入到外侧腔室271a内，同时，为使盖体233位于转动部件运入、运出口262c处，驱动Z轴驱动机构229和姿势变换机构228以及X轴驱动机构230，移动转动部件227。在把转动部件旋转机构移动到规定的位置之后，将夹紧把手276a、276b从退避位置向动作位置移动，夹持夹具承座275a、275b，保持枢轴232。
接着，使密封机构263a动作，将盖体233的侧面与转动部件运入、运出口263c之间的间隙密封，把内侧处理室271b移动到处理位置，使密封机构267a动作将盖体233的侧面与转动部件266c的间隙部密封，同时，使密封机构263b、263b动作，分别将环形构件262b与环形构件266b及圆盘292a的各间隙部密封，形成处理室252。此外，预先将内侧腔室271b移动到处理位置，将转动部件234插入内侧腔室271b内，使密封机构263a、267a动作将盖体233的侧面与转动部件运入、运出口262c、266c的间隙部密封。
如果形成了处理室252，通过驱动电动机231a使转动部件234进行规定的旋转，从清洗液喷射口256向晶片W供应规定的药液，进行药液处理。这时，由于枢轴盖232由夹紧把手276a、276b保持，所以例如，即使在进行变速旋转及反向旋转等时，可防止枢轴250的振动。
药液处理结束后，对于除密封机构263a以外的密封机构263b、267a，267b，进行解除动作，将内侧腔室271b移动到退避位置。此后，分别使密封机构263b、267a、267b动作，分别将环状构件262b与环状构件266a及圆盘292a各自之间密封，同时，将环状构件266b与圆盘292b之间的间隙部密封。在这样形成的清洗处理室272中，进行利用清洗机构290的对内侧腔室271b的水洗、干燥处理，为下一批晶片W的处理作准备。另一方面，在利用外侧腔室271a形成的处理室251中，一面旋转晶片W，一面从喷嘴253及喷嘴273a、273b喷射纯水进行水洗处理，接着，例如用N2气进行干燥处理。
在这样用清洗处理单元203进行晶片W的处理的期间，在晶片传送单元204中，可将处于不保持晶片W的状态的晶片传送装置216以传送臂217a可触及载置FOUP台202b上的FOUP F2的方式进行移动，和从FOUP F1中运出晶片W的方法相同的方法，将容纳在FOUP F2内的晶片W转移到传送臂217a上，在传送臂217a保持未处理的晶片W的状态下，移动晶片传送装置216，将不保持晶片W的传送臂217b移动到中间经过窗部225a接触振动部件234的位置。
在清洗处理单元203中，清洗处理结束后，解除密封机构263a的动作，同时使夹紧把手276a、276b移动到退避位置，解除枢轴盖232的保持驱动X轴驱动机构230等使保持晶片W的转动部件旋转机构227，返回到传送臂217a、217b和转动部件234之间可传递晶片W的位置。
使保存器开闭机构280移动到处理位置，打开窗部225a，然后，在最初使传送臂217b成为可触及转动部件234的状态之后，打开保持器236b，将保持在转动部件234上的晶片W转移到传送臂217b上，接着使旋转驱动机构222动作以便使传送臂217a可触及转动部件234，使台221旋转180°，将保持在传送臂217a上的未处理的晶片W向转动部件234上转移。
对于保持在转动部件234上的FOUP F2的未处理的晶片W，借助与前面所述的容纳在FOUP F1中的晶片W的清洗处理相同的工艺，进行清洗处理，然后将晶片W移动到可在传送臂217a、217b之间转移的位置处。在此期间，对于晶片传送装置216，使传送臂217b以可触及FOUP F1的方式移动，将清洗处理结束的晶片W转移到FOUP F1内，然后使晶片传送装置216成为使传送臂217b可触及转动部件234的状态。
这样，传送臂217b从转动部件234接受处理完毕的FOUP F2的晶片W，如果把该晶片W容纳在FOUP F2内，对容纳在FOUP F1、F2内的晶片W的清洗处理结束。这里，例如，对于在FOUP台202c配置FOUP F3的场合，在FOUP F1的晶片W的处理结束后，将容纳在FOUP F3内的晶片转移到传送臂217a上，在把清洗处理结束的FOUP F2的晶片W从转动部件234运出后，通过将保持在传送臂217a上的晶片W转移到转动部件234上，可连续地进行规定的清洗处理。
上面，对本发明的液体处理装置的实施形式，对清洗处理装置1、100、101、200进行了说明，但本发明并不限于上述实施形式，可进行各种变形。
第一、对于清洗处理装置1、100、101、200，表示出在以基本上垂直的方式保持晶片W的状态，一面旋转晶片W一面进行清洗的形式，但，也可以使晶片W的表面与水平方向构成一定的角度，在例如该角度在45°～90°的范围内的任意角度在使晶片W倾斜状态下加以保持，在该状态下一面进行旋转一面进行清洗。
以清洗处理装置100为例，任意设定姿势变换机构109的倾斜角度，将晶片W容纳在处理腔室151内，可进行液体处理。这种规定的状态，例如，可以通过将处理腔室151的配置状态及转动部件插入口153的状态和晶片W的倾斜角度相一致地进行倾斜。或者在清洗处理装置100中枢轴137垂直地贯穿圆盘138，但改变枢轴137贯穿圆盘138的角度来实现。
第二，作为处理腔室对具有由外侧腔室和内侧腔室构成的双重结构的情况进行了说明，但处理腔室也可以是三个以上，也可以是一个。外侧腔室及内侧腔室，例如，也可将其中之一用于清洗，将其中的另一个仅用于干燥。
第三、表示了把晶片W移动到处理腔室的配置位置进行清洗处理的形式，但对于保持晶片W的转盘31及转动部件131、234，也可以设置向水平方向滑动的滑动机构，而是使处理腔室向保持晶片W的转盘及转动部件131、234侧滑动进行清洗处理。
图30是表示将清洗处理装置200的结构改变之后的清洗处理装置201的简略结构平面图。在清洗处理装置201中，不设置清洗处理装置200所具有的X轴驱动机构230，转动部件旋转机构227不能沿X方向移动。代替该X轴驱动机构230，在外侧腔室271a上安装第一滑动机构351，同时，在内侧腔室271b上安装第二滑动机构352，在清洗机构290上安装第三滑动机构353，外侧腔室271a与内侧腔室271b和清洗机构290变成可沿X方向自由滑动的结构。
在图30中，外侧腔室271a和内侧腔室271b及清洗机构290对晶片W进行清洗处理的位置用虚线表示，不对晶片W进行清洗处理的退避位置用实线表示。
在该清洗处理装置201中，利用Z轴驱动机构229把利用姿势变换机构228保持在横向姿势的转动部件旋转机构227保持在抬高到规定高度的状态，使外侧腔室271a和内侧腔室271b及清洗机构290一起向转动部件234侧移动，把处于静止状态的转动部件234容纳在外侧腔室271a内。
通过从这一状态出发进一步仅驱动第二滑动机构352，把内侧腔室271b容纳在外侧腔室271a内，可用内侧腔室271b进行晶片W的液体处理。
由内侧腔室271b进行液体处理结束后，驱动第二滑动机构352，使内侧腔室271b从外侧腔室271a中退出，对于内侧腔室271b，由清洁机构290进行水洗，干燥处理，对于外侧腔室，进行晶片W的水洗、干燥处理。
从而，在晶片W的清洗处理结束后，驱动第一滑动机构351～第三机构353，使外侧腔室271a与内侧腔室271b及清洁机构290一起同时返回原位，对于转动部件227，变换成纵的姿势，并保持在将晶片W向晶片传送装置216进行转移的位置。
第四，在上述实施形式中，说明了把本发明的液体处理装置用于清洗处理的情况，但并不限于此，本发明的液体处理装置也可适用将规定的涂布液进行涂布的涂布处理装置及腐蚀处理装置。同时，作为基板举出半导体作为例子进行了说明，但并不局限于此，本发明也适用于诸如液晶显示装置(LCD)用基板等其它基板进行处理的液体处理。
上面所说明的实施形式，自始至终都是为了对本发明的技术内容进行阐述，不能理解为本发明仅局限于这些具体的例子，在本发明的主旨及权利要求所述的范围内，可进行各种改变加以实施。

Claims (18)

1、液体处理装置，在向基板供应处理液体进行液体处理的液体处理装置中，配备有：
具有保持基板的保持机构及使前述保持机构旋转的电机的基板旋转装置；
对垂直地保持在前述保持机构上的基板进行液体处理的处理腔室，
配置于前述处理腔室的外部，为了使保持在前述保持机构上的基板垂直或水平，在前述处理腔室外变换前述基板旋转装置的姿势的姿势变换机构；
为将前述保持机构容纳在前述处理腔室内相对地调节前述处理腔室及前述基板旋转装置的位置的位置调节机构。
2、根据权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于，前述位置调节机构同时使前述基板旋转装置和前述姿势变换机构进行移动。
3、根据权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于，前述保持机构保持一个基板。
4、根据权利要求3所述的液体处理装置，其特征在于，前述处理腔室具有由外侧腔室以及可在前述外侧腔室内的处理位置和前述外侧腔室之外的退避位置之间进行移动的内侧腔室构成的双重结构。
5、根据权利要求3所述的液体处理装置，其特征在于，液体处理装置进一步具备：将以规定的间隔水平的容纳多个基板的容器进行运入、运出的容器运入、运出部；在载置于前述容器运入、运出部的容器与前述保持机构之间在水平的状态下传递基板的基板传送装置。
6、根据权利要求5所述的液体处理装置，其特征在于，前述基板传送装置具有传送未处理的基板用的传送臂和传送液体处理完毕之后的基板用的另外的传送臂。
7、根据权利要求5所述的液体处理装置，其特征在于，液体处理装置具有多个前述处理腔室及前述基板旋转装置，前述基板传送装置具有可触及多个前述基板旋转装置的移动机构。
8、根据权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于，前述保持机构平行地保持多个基板。
9、根据权利要求8所述的液体处理装置，其特征在于，前述处理腔室具有由外侧腔室及可在前述外侧腔室内的处理位置和前述外侧腔室外的退避位置之间移动的内侧腔室构成的双重结构。
10、根据权利要求8所述的液体处理装置，其特征在于，液体处理装置进一步具备：将水平地规定间隔容纳多个基板的容器进行运入、运出的容器运入、运出部；以及在载置于前述容器运入、运出部与前述保持机构之间以水平的状态传送基板的基板传送装置。
11、根据权利要求10所述的液体处理装置，其特征在于，前述基板传送装置具有多个保持一个基板的传送臂，多个前述传送臂一次传送容纳在前述容器内的多个基板。
12、根据权利要求11所述的液体处理装置，其特征在于，前述基板传送装置具有调整多个前述传送臂的间隔的机构。
13、根据权利要求10所述的液体处理装置，其特征在于，前述保持机构可一次容纳前述两个容器内的基板。
14、液体处理装置，在向基板供应处理液进行液体处理的液体处理装置中，具备有：
可将多个基板以规定间隔基本上水平保持的保持机构，
将基本上水平地以规定间隔容纳多个基板的容器进行运入、运出的容器运入、运出部，
将多个基板以基本上水平的状态在载置于前述容器运出、运入部上的容器与前述保持机构之间进行传送的基板传送装置，
容纳前述保持机构，对垂直地保持在该保持机构上的基板进行规定的液体处理的处理腔室，
配置于前述处理腔体的外部，为了使前述基板垂直或水平，在前述处理腔体的外部进行前述保持机构的姿势变换的姿势变换机构；
为使前述保持机构容纳在前述处理腔室内，使前述保持机构和前述姿势变换机构同时滑动的移动机构，
在前述处理腔室内传送前述保持机构使前述保持机构旋转的保持机构转移/旋转驱动机构。
15、根据权利要求14所述的液体处理装置，其特征在于，前述腔室具有由外侧腔室及在前述外侧腔室内的处理位置与前述外侧腔室外的退避位置之间移动的内侧腔室构成的双重结构。
16、根据权利要求14所述的液体处理装置，其特征在于，前述基板传送装置具有用于传送未处理的基板用的传送臂以及用于传送处理过的基板的另外的传送臂。
17、根据权利要求14所述的液体处理装置，其特征在于，前述基板传送装置具有多个保持一个基板的传送臂，多个前述传送臂一次传送容纳在前述容器内的多个基板。
18、根据权利要求14所述的液体处理装置，其特征在于，前述容器运入、运出部具有载置前述容器的多个台，前述基板传送装置具有为了可以触及载置前述多个台上的各个容器用的移动机构。
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