CN1794099A - 溶剂去除装置以及溶剂去除方法 - Google Patents

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Abstract

一种溶剂去除装置，具有：基台(23)，其对设置含膜材料与溶剂的液状的膜形成用材料的被膜的基板(W)进行支持；气体导入机构(3)，其将脱溶剂去除用的气体导入基板(W)的中央部；和限制机构，其按照气体从基板(W)的中央部向边缘部流动呈放射状那样，对气体的流动进行限制。通过限制机构，对气体的流动进行限制，同时从被膜中将溶剂去除。由此，本发明能提供使在工件中设置的被膜干燥成为均一的膜厚的溶剂去除装置以及溶剂去除方法。

Description

溶剂去除装置以及溶剂去除方法
技术领域
本发明涉及一种溶剂去除装置以及溶剂去除方法。
背景技术
公知有一种在基板上形成均一膜厚的薄膜(例如光致抗蚀剂膜)的技术。
在形成该薄膜的过程中，需要使在基板上涂布的被膜干燥。作为该干燥方法，公知一种对于被膜整体进行加热使之干燥的方法。
然而在这样的以往方法中，由于被膜中含有的溶剂(液体)，从表面迅速气化，产生与内部的密度差，因此会因对流导致膜表面的平坦度降低。
并且，因流动导致没有充分发挥自动找平(平滑化)的作用，膜厚分布变得恶劣，尤其，与基板的中央部相比由于边缘部的干燥速度较快，因此基板的中央部与边缘部(端部)附近的膜厚差增大。并且存在的问题在于，液体材料内的成分均一性也会降低，产生膜质量的不稳定。
而且，公知一种在减压条件下，通过对在基板上涂布的液体材料进行烘焙(热处理)，从而使被膜的流动性消失的方法(例如参照专利文献1)。
然而，在这样的以往方法中，一旦减压度较高则会引起急剧的溶剂干燥，会使抗蚀剂的材料特性改变，有破坏薄膜表面之虞。
专利文献1：特开平8-194316号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供一种能够使在工件中设置的被膜的膜厚均一的溶剂去除装置以及溶剂去除方法。
这样的目的是通过下述发明实现的。
本发明的溶剂去除装置，其特征在于，具有：
工件支持机构，其对设置含有膜材料和溶剂的液状的膜形成用材料的被膜的工件进行支持；
气体导入机构，其向上述工件的中央部导入脱溶剂去除用的气体；
限制机构，其按照上述气体从上述工件的中央部向边缘部流动呈放射状那样，对该气体的流动进行限制，
通过上述限制机构，对上述气体的流动进行限制，同时从上述被膜中将上述溶剂去除。
这样，便能够使在工件中设置的被膜的膜厚均一。
本发明的溶剂去除装置中，上述限制机构，具备将来自上述气体导入机构的气体导入的开口，具有按照与上述工件对置那样配置的对置板，
优选上述气体，沿着在上述对置板与上述工件之间形成的流路流动。
这样，便能够容易且确切地促进气体从中央部向边缘部的流动(限制)。
本发明的溶剂去除装置中，优选上述对置板，在俯视中按照将上述工件覆盖的方式构成。
这样，便能够使气体散布在工件的大约整个面。
本发明的溶剂去除装置中，优选上述限制机构，具有流动促进机构，其通过使上述工件的中央部与边缘部的压力差增大从而促进上述放射状的气体的流动。
这样，便能够更加确切地制作气体的流动。
本发明的溶剂去除装置中，优选向上述工件的中央部导入的气体中，含有上述溶剂。
这样，便能够容易防止工件的尤其中央部的过分干燥。
本发明的溶剂去除装置中，优选具有：
检测机构，其对从上述工件的中央部到边缘部为止的给定位置中、上述气体中的上述溶剂的浓度进行检测；和
流量调整机构，其基于上述检测机构的检测结果对向上述工件的中央部导入的气体的流量进行调整。
这样，便能够对气体中的溶剂的浓度进行检测，并且，能够对气体的流量进行调整。
本发明的溶剂去除装置中，优选上述流量调整机构，按照在上述气体到达上述工件的边缘部附近时，由气化后的上述溶剂使上述气体成为饱和状态而保持的最大流量的方式，对导入上述工件的中央部的气体的流量进行调整。
这样，便能够使气体的利用效率提高。
优选本发明的溶剂去除装置中，具有：
检测机构，其对从上述工件的中央部至边缘部为止的给定位置中、上述气体中的上述溶剂的浓度进行检测；
比例调整机构，其基于上述检测机构的检测结果，对向上述工件的中央部导入的气体中含有的溶剂的比例进行调整。
这样，便能够对其体中的溶剂的浓度进行检测，并且，能够对气体中含有的溶剂的比例进行调整。
本发明的溶剂去除装置，优选上述比例调整机构，按照当上述气体到达上述工件的边缘部附近时，从由上述溶剂使上述气体处于不饱和状态，变成由气化后的上述溶剂使上述气体处于饱和状态那样，对被导入上述工件的中央部的气体中含有的溶剂的比例进行调整。
这样，便能够使溶剂的利用效率提高。
本发明的溶剂去除装置中，优选上述检测机构，对在上述工件的边缘部附近的上述气体中的上述溶剂的浓度进行检测。
这样，便能够对工件的边缘部附近的气体中的溶剂的浓度进行检测。
本发明的溶剂去除装置中，优选具备气室，其容纳上述工件，对其内部的气氛的条件进行管理。
这样，由于能够使工件周边的气氛(环境)成为所望的气氛，因此能够制造膜厚更加均一的工件。
本发明的溶剂去除装置中，具有减压机构，其使上述气室内成为减压状态，
优选一边对上述气室内进行减压，同时气体从上述工件的中央部向边缘部流动后从上述被膜中将上述溶剂去除。
这样，便能够促进薄膜的干燥。
本发明的溶剂去除装置中，具有加热机构，其对上述工件进行加热，
优选一边由上述加热机构对上述工件进行加热，同时气体从上述工件的中央部向边缘部流动后从上述被膜中将上述溶剂去除。
这样，便能够促进薄膜的干燥。
本发明的溶剂去除装置中，优选具有被膜形成机构，其在上述工件中形成上述被膜，
这样，由于能够在溶剂去除装置中形成液状的膜形成用材料的被膜，因此在工件中形成被膜之后，在进行从被膜中去除溶剂的动作(作业)时，不需要另外进行工件的供给除去材料或对准。这样，可削减作业工序数量，实现吞吐率(生产能率)的提高。并且，能够使系统整体变得小型化。
本发明的溶剂去除方法，其特征在于，具有：
将具有由含膜材料与溶剂的液状的膜形成用材料形成的被膜的工件设置在处理位置的工序；
使气体从所述工件的中央部向边缘部流动，同时将所述溶剂从所述被膜去除的工序。
这样，便能够使在工件中设置的被膜的膜厚变得均一。
本发明的溶剂去除方法，是一种采用本发明的溶剂去除装置从上述被膜中将上述溶剂去除的溶剂去除方法，其特征在于，具有：
由所述工件支持机构支持所述工件的工序；
使气体从所述工件的中央部向边缘部流动，同时将所述溶剂从所述被膜去除的工序。
这样，便能够使在工件中设置的被膜的膜厚变得均一。
附图说明
图1为表示本发明的溶剂去除装置的实施方式的剖面侧面图。
图2为表示本发明的溶剂去除装置的实施方式的剖面侧面图。
图3为表示图1中的基台、对置板、排气口的位置关系的平面图。
图4为说明本发明的溶剂去除装置中的薄膜形成工序的剖面侧面图。
图5为说明本发明的溶剂去除装置中的溶剂去除工序的剖面侧面图。
图6为表示第1控制方法的流程图。
图7为表示第2控制方法的流程图。
图中：1-溶剂去除装置，12-控制机构，13、14-密封部件，2-气室，21-内部空间，22-上壁，23-基台，231-加热器，232-上面，24-对置板，241-开口，25-侧壁，26-流出口，27-气体传感器，28-排气口，29-下壁，3-气体导入机构，31-气体导入管，32a、32b-管道，33-混合单元，34-质量流，35-泵，36-气缸，37-质量流，38-材料源，4-被膜形成机构，6-旋转驱动机构，61-旋转轴，62-主体部，7-流路，9-流动促进机构，90-排气管，91-流路开闭机构，P-泵，W-基板。
具体实施方式
以下，基于附图所示的适当的实施方式对本发明的溶剂去除装置以及溶剂去除方法详细进行说明。
图1以及图2为表示本发明的溶剂去除装置的实施方式的侧面图，图3为表示图1中的基台、对置板、排气口的位置关系的平面图。另外以下，为了方便说明，将图1、2中的上侧叫做“上”、下侧叫做“下”、左侧叫做“左”、右侧叫做“右”。
如图1所示，溶剂去除装置1，具有：气室(减压槽)2、气体导入机构3、被膜形成机构(分配单元)4、基台(工件支持机构)23、与基板23对置的对置板24、侧壁25、对基板23进行旋转驱动的旋转驱动机构(变位机构)6、流动加速机构9、和控制机构12。
以下，关于这些各个构成要素依次进行说明。
该溶剂去除装置1，是一种通过含膜材料(例如光致抗蚀剂等抗蚀剂材料)和溶剂的液状膜形成用材料(吐出液)，从作为在其表面形成(设置)给定图形被膜的工件的基板W中将无用溶剂去除(使被膜干燥)的装置。
另外，以下，将无用溶剂的去除结束后的膜材料称作“薄膜”。
以溶剂去除装置1为对象的基板W的原材料、形状、尺寸，没有被特别限定，作为其原材料，能够以例如硅(Si)基板、玻璃基板、金属制基板、树脂制基板、陶瓷基板等为对象。并且，基板W，呈板状，在俯视中呈大约圆形
气室2，是一种容纳基板W，可将其内部空间21气密性隔断的容器，在内部空间21，分别设置基板23、对置板24、侧壁25、和气体传感器(检测机构)27。
并且，气室2中，具备调节(管理)内部空间21的温度以及湿度的未图示的空调装置。通过该空调装置，对内部空间21(气室内)的气氛条件进行管理。
并且，气室2，具有未图示的开闭门(开闭板)。基板W，通过该开闭门，供给材料或者除去材料(排出材料)。
在气室2中，分别连接有排气管90，其向将内部空间21的气体排出的泵(流动促进机构)P排气；气体导入管31(气体导入机构3)，其用于向内部空间21导入作为脱溶剂去除用的气体(处理气体)的混合气体导入。
气体导入机构3，将混合气体导入基板W的中央部。
该混合气体中，包含：与在上述基板W的表面形成的膜形成用材料中含有的溶剂(液体)共同的溶剂、或者具有对于膜形成用材料中含有的溶剂产生与上述共同的溶剂大约同等作用的性质的溶剂。作为该溶剂，优选采用高沸点溶剂。这里，所谓高沸点溶剂，是指沸点在110～280℃左右。
通过采用高沸点溶剂作为溶剂，从而能够抑制·防止因后述的加热器231的加热使基板W上的溶剂迅速气化。这样，由于能够使膜材料的对流为最佳，因此能够使在基板W上设置的薄膜的膜厚变得均一。
另外，关于混合气体后面详细描述。
并且，向基板W的中央部导入的混合气体的流量，虽依据例如所使用的基板W的尺寸、或被膜的种类、混合气体的种类等各种条件而被适当设定，但优选在10～200ccm左右，更优选在50～300ccm左右。
另外，关于该气体导入机构3，后面详细描述。
在气室2的上壁22上，形成贯通孔，气体导入管31，贯通该贯通孔，被设定为相对气室2可在图1中的上下方向移动。在上述贯通孔中，设置密封部件(背衬)13，通过该密封部件13，将气室2的内部与外部隔断，保持气室2的气密性。
基板23，被设置为用于支持基板W。
并且，基板23呈圆板状，被设置为其中心部被旋转驱动机构6的旋转轴61固定的状态。
旋转驱动机构6的主体部62，被设置在气室2的外部，旋转轴61，处于将气室2的底部贯通的状态。通过在旋转轴61插进的贯通孔中，设置密封部件(背衬)14，从而保持气室2的气密性。
旋转驱动机构6的主体部62，内置未图示的马达、变速机等，通过旋转轴61，对基台23进行旋转驱动。旋转驱动机构6的动作(停止/运转、旋转速度、旋转角度等)，由控制机构12控制。
并且，基台23的上面232(图1中上侧面)、即与对置板24对置的面，为相对水平面(水准面)为大约平行的面。
在基台23的内部，设置将基板W加热至所望的温度的加热器(加热机构)231。
后述的溶剂去除工序(从基板W中将无用溶剂去除的工序)中，通过由加热器231对基板W进行加热，从而使溶剂气化(蒸发)。
并且，通过对基板W进行加热，从而能够使被膜的流动性为最佳，这样，容易使薄膜的厚度为均一。
这种情况下，优选按照基板W的温度，为30～150℃左右的方式进行加热，更优选为35～80℃的方式进行加热。
若上述基板温度比上述上限高，则被膜的变质、或固化之前的时间太短。并且，若上述下限较低，则由于被膜的粘度没有下降，因此其流动性恶化后制造时间变长，并且，有些情况下完成后的薄膜的厚度会产生不均。
在上面232上，形成未图示的多个开口。
在该基台23上，连接有未图示的空吸泵，通过其空吸泵的动作，在基台23的上面232上实现对基板W进行吸空。
如图3所示，对置板24呈圆板状，其下面(图1中的下侧面)即与基台23对置的面为平面。
对置板24，为在俯视中将基板W覆盖的大小，如上述，按照与基台23对置的方式而配置。
这里，对置板24与基板W(基台23)之间的空间，为气体流动的流路7。优选该流路7在图1中上下方向的间隙(对置板24与基板W的距离)，为0.5～20mm程度，更优选为1～5mm程度，例如2mm程度。
该对置板24，如图3所示，在中央部具有开口241。
气体导入管31的一端侧(图1中下侧)，可拆卸那样插入开口241中。这样，便将开口241的内腔与气体导入管31的内腔联通。
来自气体导入管31的气体，通过开口241导入基板W的中央部。
并且，对置板24，通过未图示的移动机构可在图1中上下方向移动，在图1所示的第1位置和图2所示的第2位置(与被膜形成机构4不产生干涉的位置)之间移动。
侧壁25呈圆筒状(筒状)。该侧壁25，如图1所示，其外径与对置板的直径大约相等，对对置板24的外周部进行支持。
如图1所示，在后述的溶剂去除工序中，对置板24，位于第1位置，即载置(保持)在侧壁25上。并且，在后述的被膜形成工序(在处理位置设置工件的工序)中，在与气体导入管31脱离的状态下，位于第2位置，即，避开气室2的上部，通过未图示的保持机构保持。
另外，在使对置板24在第2位置移动时，在这之前，将对置板24与玻璃导入管31的连接解除。
如图1以及图3所示，在气室2的下壁29，形成将气室2内的气体排出的圆环状(环状)的排气口(吸入口)28。
并且，在侧壁25与基台23的外周部之间设置的空间，构成圆环状(环状)的流出口26，混合气体通过流出口26被导向排气口28。
流动促进机构9，具有排气管90、吸入混合气体的泵P、在排气管90的中途设置的流路开闭机构(阀)91。排气管90的一端侧，其内部与气室2的排气口28连接(其内部与排气口28联通)，在排气管90的另一端侧，连接有泵P。
通过该泵P的动作，被导入内部空间21的混合气体等气体，通过排气口28以及排气管90被排出(排气)至气室2的外部。
流路开闭机构91，能对排气管90的流路的开合度逐步地或者连续地进行调整，能够对从气室2的排气口28排出的混合气体的流路进行调整。
该流路开闭机构91，基于来自控制机构12的信号进行动作。
这里，由基台23、对置板24、侧壁25构成对气体的流动进行限制的限制机构的主要部件。
限制机构，其按照由气体导入机构3导入的混合气体，沿着流路7从基板W的中央部向边缘部流动呈放射状那样对混合气体的流动进行限制。
在如后述使被膜干燥时，通过气体导入机构3导入混合气体。这时，采用泵P通过从基板W的端部侧对混合气体进行吸入，从而基板W的中央部与边缘部的压力差增大，促进混合气体从基板W的中央部向边缘部的流动。
气体传感器27，对混合气体中的溶剂(溶剂蒸汽)的浓度进行检测。该气体传感器27，设置在基板W的边缘部(端部)，对基板W的附近的浓度进行检测。
该气体传感器27，与控制机构12电连接。
如图1以及图2所示，溶剂去除装置1，在被膜形成工序与溶剂去除工序中，可与被膜形成机构4与气体导入机构3进行互换。该交换，是通过未图示的机构自动进行的。
如图2所示，被膜形成机构4，在后述的被膜形成工序中，在基板W上形成上述被膜。该被膜形成机构4，在如图5所示的溶剂去除工序中，处于避开给定位置的状态。
如图1所示，气体导入机构3，具有：气体导入管31、管道32a、管道32b、混合单元33、质量流(流量调整机构)34、泵35、气缸36、质量流37、材料源(储存库)38。
如图1所示，气体导入管31，其一端侧与开口241连接，另一端侧与混合单元33连接。
管道32a，其一端侧与气缸36连接，另一端侧与混合单元33连接。
管道23b，其一端侧与材料源38连接，另一端侧与混合单元33连接。
并且，在管道32a的混合单元33与气缸36之间(中途)设置有质量流34以及泵35，在管道32b的混合单元33与材料源38之间(中途)设置有质量流37。
气缸36，在其内部填充气体(以下称作“气缸气体”)。
并且，作为所采用的气缸气体(处理气体)，依据构成液状材料的材料(膜材料、溶剂等)的种类等、各种条件、或目的等适当被设定。
在仅以被膜的干燥为目的的情况下，例如能够将氮气、湿度低的空气(干空气)等单独或者混合采用
或者，在以被膜的干燥以及氧化为目的的情况下，例如能够采用氧气、氧气浓度较高的气体等。
并且，在以被膜的干燥以及还原为目的的情况下，例如能够采用氨气、氨气浓度较高的气体等。
泵35，为将气缸36内部的气缸气体提供给质量流34的供给机构。另外，泵35可省略。
质量流34，为调节气缸气体的流量的装置，该装置，是一种不论到达质量流34的气缸气体的压力等如何，都会将恒定量的气缸气体提供给混合单元33的装置。该质量流34，与控制机构12电连接。
材料源38，将溶剂蓄积在其内部。作为该溶剂，优选与上述的即在基板W上设置的膜形成用材料的溶剂相同。
质量流37，为对来自材料源38的溶剂的流量进行调整的装置，该装置，是一种不论到达质量流37的溶剂的压力、量等如何，都能够将恒定量的溶剂提供给混合单元33的装置。
该质量流37，具备气化器，来自材料源38的溶剂，通过该气化器被气化，成为蒸汽(以下称作“溶剂蒸汽“)，被提供给混合单元33。
该质量流37，与控制机构12电连接。
从这些质量流34以及质量流37给混合单元33提供的气缸气体以及溶剂蒸汽，在混合单元33内，按照其浓度分布为大约均一的那样被混合成为混合气体。
从混合单元33出来的混合气体，通过气体导入管31，被导入基板W的中央部(气室2内)。
控制机构12，是一种对质量流34、37、旋转驱动机构6、流路开闭机构91等各个部分的动作进行控制的机构，具有：CPU(Central ProcessingUnit)，和存储部，其对用于执行溶剂去除装置1的控制动作的程序等各种程序以及各种数据进行存储。图示的构成中，控制机构12，被设置在气室2的外部。
由控制机构12和质量流34构成对气缸气体(气体)的流量进行调整的流量调整机构的主要部分。
并且，由控制机构12和质量流37构成对混合气体(气体)中含有的溶剂的比例进行调整的比例调整机构的主要部分。
接着，对采用溶剂去除装置1的溶剂去除方法(从在基板W上设置的被膜中去除溶剂的方法)进行说明。
首先，在关闭流路开闭机构91的状态下，打开上述开闭门(开闭板)，然后通过未图示的搬送机构，在基台23上载置基板W，关闭开闭门。
通过溶剂去除装置1具备的未图示的基板定位装置(省略说明)的动作在基台23上定位(对准)在给定位置时，通过上述吸入泵的动作，基板W，被基台23吸附、设置(支持)。
(薄膜形成工序)
接着，在基板W的上侧设置被膜形成机构4，在基板W的上面滴下液状的膜形成用材料。
接着，采用旋涂法，在基板W上形成膜形成用材料的被膜。具体来说，通过旋转驱动机构6的动作使基台23旋转后使膜形成用材料在基板W上扩散至给定的膜厚，并使多余的膜形成用材料飞散后形成被膜。
接着，被膜形成机构4避开(移动)气室2，代替将气体导入机构3以及对置板24设置在给定位置。
通过以上，将基板(工件)W设置在处理位置的工序便结束。
(溶剂去除工序)
首先，通过由加热器231对基板W进行加热，从而将在基板W上形成被膜加热。
接着，从气体导入管31将混合气体导入基板W的中央部。
而且，与混合气体的导入大约同时，打开流路开闭机构91，通过泵P，从基板W的边缘部侧吸入气室2内的气氛。
这里，一旦混合气体与基板W上的被膜接触，则通过该混合气体，将该部分的溶剂脱离(气化)后进行被膜的干燥(将被膜的溶剂去除)。
这样，首先，基板W的中央部的被膜，通过混合气体将溶剂脱离后进行干燥。其后，混合气体，沿着流路7，从基板W的中央部向边缘部流动呈放射状，在基板W上的被膜的溶剂，通过该气体从中央部向边缘部依次被去除。
随着混合气体与基板W的边缘部的接近，混合气体中含有的溶剂蒸汽的浓度逐渐增大(混合气体中所占的溶剂蒸汽的比例渐增)。随之，减少通过混合气体将基板W上被膜的溶剂脱离的脱离量。
其后，混合气体，到达基板W的外周部(边缘部)。这时，按照因气化后的溶剂，致使混合气体成为饱和状态而保持的最大流量的方式(按照混合气体中含有的溶剂的浓度变高达到饱和状态那样)，对混合气体的流量进行控制。另外，关于该控制方法(第1控制方法)，后面详细描述。
之后，混合气体，通过流出口26以及排气口28导向排气管90，被排出至气室2的外部。
如此便从基板W上设置的被膜中将溶剂去除。
一旦基板W的干燥结束，则停止混合气体的导入，打开气室2的开闭门，此后通过上述搬送机构将基板W除去，供给接下来的基板W。
图6为表示第1控制方法的流程图。
接着，关于上述的混合气体的流量的控制方法(第1控制方法)，参照图6所示的流程图进行说明。
首先，基于气体传感器27的检测结果，判断混合气体是否为饱和状态。
在混合气体为饱和状态的情况下(步骤S101的是)，判断混合气体的流量较少，通过对质量流34进行控制，从而使给密封单元33供给的气缸气体的流量(来自气缸36的气缸气体的流量)增大(步骤S102)。其后，过渡至步骤S104。
另一方面，在气体未处于饱和状态的情况下(步骤S102的否)，判断混合气体的流量较多，通过对质量流34进行控制，从而使给密封单元33供给的气缸气体的流量(来自气缸36的气缸气体的流量)减少(步骤S103)。其后，过渡至步骤S104。
接着，判断给定时间是否已经过(步骤S104)。
在给定时间已经过的情况下(步骤S104的是)，则视为被膜的干燥结束，并结束溶剂去除工序。
另一方面，在给定时间未经过的情况下(步骤S104的否)，则过渡至步骤S101，同样地执行步骤S101以后。
图7为表示第2控制方法的流程图。
接着，关于溶剂去除工序中的第2控制方法进行说明。
以下，关于第2控制方法，以与上述第1控制方法(混合气体的流量的控制方法)的不同点为中心进行说明，关于同样的事项，省略其说明。
第2控制方法中，对混合气体中含有的溶剂蒸汽(溶剂)的比例(比率)进行控制这点与第1控制方法不同。
本控制方法中，混合气体到达基板W的外周部(边缘部)时，按照从因溶剂使混合气体处于不饱和状态，变成因气化后的溶剂使混合气体成为饱和状态那样(按照混合气体中含有的溶剂的浓度变高达到饱和状态那样)，控制混合气体中含有的溶剂的比例。
以下，关于第2控制方法参照图7所示的流程图进行说明。
首先，基于气体传感器27的检测结果，判断混合气体是否处于饱和状态(步骤S111)。
在气体处于饱和状态的情况下(步骤S111的是)，则判断混合气体中含有的溶剂蒸汽的比例较多，通过对质量流37进行控制，从而使向密封单元33供给的溶剂蒸汽的量减少，使混合气体中含有的溶剂蒸汽的比例减少(步骤S112)。其后，过渡至步骤S114。
另一方面，在气体未处于饱和状态的情况下(步骤S111的否)，则判断混合气体中含有的溶剂蒸汽的比例较少，通过对质量流37进行控制，从而使给密封单元33供给的溶剂蒸汽的量增大，使混合气体中含有的溶剂蒸汽的比例增大(步骤S113)。其后，过渡至步骤S 114。
接着，判断给定时间是否已经过(步骤S114)。
在给定时间已经过的情况下(步骤S114的是)，则视为被膜的干燥结束，并结束溶剂去除工序。
另一方面，在给定时间未经过的情况下(步骤S114的否)，则过渡至步骤S101，同样地执行步骤S101以后。
根据该第2控制方法，得到与上述第1控制方法同样的效果。
并且，也可进行将这些第1控制方法与第2控制方法的特征组合的控制。
如上说明，根据该溶剂去除方法，能够使边缘部的被膜的干燥速度比中央部慢，或者大约相等。
基板W的边缘部，与中央部相比由于露出的部分(表面面积)较广，因此在没有将混合气体吹到基板W上的被膜上的情况下，边缘部的被膜的干燥速度比中央部的被膜的干燥速度快。
本实施方式中，如上述，随着混合气体与基板W的边缘部的接近，混合气体中所含的溶剂蒸汽的浓度渐增(混合气体中所占的溶剂蒸汽的比例渐增)。随之，因混合气体使基板W上被膜的溶剂的脱离量减少。即，因混合气体使边缘部的被膜的每个单位面积的干燥速度，比因混合气体使中央部的被膜的每个单位面积的干燥速度小。
其结果为，由于对基板W上的被膜整体大约均匀地(以大约均一的干燥速度)进行干燥，因此干燥时的被膜的浓度变化率降低(变缓和)，引起溶剂或膜材料从中央部向边缘部的移动等。
这样，便得到所形成的膜的平坦度较高(所形成的膜厚为大约均匀)的基板W。
并且，由于混合气体中含有溶剂蒸汽，因此能够适当地防止基板W的尤其中央部的过分干燥。
并且，因膜形成用材料的物性等，而需要对被膜的干燥速度进行变更，但通过控制机构12的控制，对混合气体的流量或混合气体中所含的溶剂蒸汽的比例进行变更，从而可容易对被膜的干燥速度进行变更，不用对溶剂去除装置1的规格(硬件规格)进行变更，便能够得到最佳的干燥速度。
另外，根据该溶剂去除装置1，通过设置气体传感器(检测机构)27，从而对基板W的边缘部附近的气体浓度进行检测，基于该检测结果，通过对所导入的混合气体的流量或混合气体中所含的溶剂蒸汽的浓度任意进行变更(反馈)，从而能够进一步提高膜厚的均一性。并且，由于能够使所采用的气缸气体以及溶剂蒸汽的使用量为最佳，因此能够实现提高气缸气体以及溶剂蒸汽的利用效率。
并且，由于溶剂去除装置1中能够进行被膜的形成以及干燥，因此减少了供给除去材料或定位的麻烦，这样，便能够实现提高吞吐率(生产能率)。
又，通过由气室2管理内部空间21的温度以及湿度，从而能够防止温度变化引起基板W或装置各个部件的膨胀·收缩致使产生误差。并且，能够防止尘垢、尘土等向内部空间21的入侵，能够将基板W维持干净。
再，本发明的溶剂去除装置以及溶剂去除方法，因其它的因素(例如，当基板W的边缘部侧的温度较高时)，能够使基板W上的被膜的干燥速度，在边缘部一方较高时，也同样对应。
以上，虽然基于图示的实施方式，对本发明的溶剂去除装置以及溶剂去除方法进行了说明，但本发明并非仅限于此，各个部分的构成，还能够置换成具有同样功能的任意构成。并且，本发明中，还可以添加其它任意的构成物。
而且，上述实施方式中，作为形成被膜的方式，虽然采用旋涂方式，但并非仅限于此，例如还可以采用DIP涂敷方式、滚涂方式、喷涂方式等。
并且，上述实施方式中，虽然采用使用加热器(加热板)231使被膜干燥的方法，但并非仅限于此，例如还可采用将IR(红外线)或微波向被膜照射使被膜干燥的方法，或在内部空间21的减压条件下使被膜干燥的方法等。并且，也可以将它们组合使被膜干燥。
尤其，在采用上述高沸点溶剂的情况下，优选溶剂去除工序中基板W的加热，在对气室内进行减压后的状态(减压状态)下进行。这样，便能够缩短基板的制造时间。
这种情况下，减压的程度，即气室2内(加热气氛)的压力，依据所采用的溶剂适当进行调整。这样，便能够进一步提高上述效果。
并且，上述实施方式中，对置板24的形状呈大约圆板状，但并非仅限于此，根据所使用的基板W的形状、或在基板W上设置的膜形成用材料的被膜的膜厚等，通过对对置板24的形状任意进行变更，从而使之能够适应各种制程。
还有，气体导入机构3，并非限于本实施方式的构成，例如，还可以是吸入气室2内的气体(气氛)，将其稀释喷出那样的构成。
加之，上述实施方式中，虽然脱溶剂去除用的气体，采用含有与形成在基板W的表面形成的被膜的膜形成用材料中的溶剂共同的溶剂的、气体，但并非仅限于此，例如还可以采用仅由气缸气体所构成的气体。
还有，本发明的溶剂去除装置中，也可以没有被膜形成机构。
又，本发明中作为对象的基板(工件)，并非限定于板状的部件。
而且，本发明的溶剂去除装置以及溶剂去除方法的用途，没有被特别限定，可列举采用除抗蚀剂材料之外，例如含有以下各种材料的液体(含悬浮液、乳胶等的分散液)的显示体、半导体等各种电子设备的制造中的液相制程中的干燥等。
用于形成有机EL(electroluminescence)装置中的EL发光层的荧光材料、
用于形成电子放射装置中的电极上的荧光体的荧光材料、
用于形成PDP(Plasma Display Panel)装置中的荧光体的荧光材料、
用于形成电泳显示装置中的泳动体的泳动体材料、
用于形成基板W的表面的围堰的围堰材料、
各种涂层材料、
用于形成电极的液状电极材料、
用于构成2块基板之间的微小单元间隙的间隔物的粒子材料、
用于形成金属布线的液状金属材料、
用于形成显微透镜的透镜材料、
含有滤色器的滤器材料的油墨材料、
形成光扩散体的光扩散材料。

Claims (16)

1、一种溶剂去除装置，具有：
工件支持机构，该机构支持工件，在所述工件上设置有包含膜材料和溶剂的液状的膜形成用材料的被膜；
气体导入机构，其向所述工件的中央部导入脱溶剂去除用的气体；
限制机构，其按照使所述气体从所述工件的中央部向边缘部流动呈放射状那样，对该气体的流动进行限制，
由所述限制机构，对所述气体的流动进行限制，同时将所述溶剂从所述被膜中去除。
2、根据权利要求1所述的溶剂去除装置，其特征在于，
所述限制机构，具备将来自所述气体导入机构的气体进行导入的开口，具有按照与所述工件对置的方式配置的对置板，
所述气体，沿着在所述对置板与所述工件之间形成的流路流动。
3、根据权利要求2所述的溶剂去除装置，其特征在于，
所述对置板，按照在俯视中将所述工件覆盖的方式构成。
4、根据权利要求1所述的溶剂去除装置，其特征在于，
所述限制机构，具有流动促进机构，该流动促进机构通过使所述工件的中央部与边缘部的压力差增大从而促进所述放射状的气体的流动。
5、根据权利要求1所述的溶剂去除装置，其特征在于，
向所述工件的中央部导入的气体中，含有所述溶剂。
6、根据权利要求1所述的溶剂去除装置，其特征在于，具有：
检测机构，其对从所述工件的中央部到边缘部为止的给定位置中的、所述气体中的所述溶剂的浓度进行检测；和
流量调整机构，其基于所述检测机构的检测结果对于向所述工件的中央部导入的气体的流量进行调整。
7、根据权利要求6所述的溶剂去除装置，其特征在于，
所述流量调整机构，其按照在所述气体到达所述工件的边缘部附近时，由气化后的所述溶剂使所述气体成为饱和状态而保持的最大流量的方式，对导入所述工件的中央部的气体的流量进行调整。
8、根据权利要求1所述的溶剂去除装置，其特征在于，具有：
检测机构，其对从所述工件的中央部至边缘部为止的给定位置中的、所述气体中的所述溶剂的浓度进行检测；和
比例调整机构，其基于所述检测机构的检测结果，对于向所述工件的中央部导入的气体中含有的溶剂的比例进行调整。
9、根据权利要求8所述的溶剂去除装置，其特征在于，
所述比例调整机构，按照当所述气体到达所述工件的边缘部附近时，从由所述溶剂使所述气体处于不饱和状态，变成由气化后的所述溶剂使所述气体处于饱和状态的方式，对被导入所述工件的中央部的气体中含有的溶剂的比例进行调整。
10、根据权利要求6所述的溶剂去除装置，其特征在于，
所述检测机构，是对于在所述工件的边缘部附近的所述气体中的所述溶剂的浓度进行检测的机构。
11、根据权利要求1所述的溶剂去除装置，其特征在于，
具备容纳所述工件、并且其内部的气氛的条件被管理的气室。
12、根据权利要求11所述的溶剂去除装置，其特征在于，
具有减压机构，其使所述气室内成为减压状态，
对所述气室内进行减压的同时，使气体从所述工件的中央部向边缘部流动，将所述溶剂从所述被膜中去除。
13、根据权利要求1所述的溶剂去除装置，其特征在于，
具有加热机构，其对所述工件进行加热，
由所述加热机构对所述工件进行加热，同时气体从所述工件的中央部向边缘部流动，将所述溶剂从所述被膜中去除。
14、根据权利要求1所述的溶剂去除装置，其特征在于，
具有被膜形成机构，其在所述工件上形成所述被膜，
15、一种溶剂去除方法，包括：
将具有由含膜材料与溶剂的液状的膜形成用材料形成的被膜的工件设置在处理位置的工序；
使气体从所述工件的中央部向边缘部流动，同时将所述溶剂从所述被膜去除的工序。
16、一种溶剂去除方法，其使用权利要求1所述的溶剂去除装置，将所述溶剂从所述被膜去除，其特征在于，包括：
由所述工件支持机构支持所述工件的工序；
使气体从所述工件的中央部向边缘部流动，同时将所述溶剂从所述被膜去除的工序。
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