CN1286151C - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种对基板(W)提供处理流体并处理的基板处理装置，具有保持基板(W)的保持部件(60)、支撑保持部件(60)的卡盘部件(61)、和接近基板(W)并覆盖其表面的上面部件(62)，通过由上述卡盘部件(61)支撑上面部件(62)，一体转动保持部件(60)和上面部件(62)。因此，可以抑制颗粒对基板的影响，并且可以实现节省空间和低成本。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及对例如半导体晶片和LCD基板用玻璃等基板进行清洗处理等的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
例如，半导体设备的制造工艺中，使用对半导体晶片(以下，称为“晶片”)的表面进行清洗，去除保护膜等处理的处理系统。作为可用的处理系统具有的基板处理装置，公知的有对保持水平的晶片提供处理液并进行处理的片叶式基板处理装置。现有的片叶式基板处理装置从防止颗粒附着导致的污染和降低处理流体的消耗量的观点，在晶片处理时，在使板状的上面部件与晶片上面接近，用上面部件覆盖整个晶片上面的状态下进行处理。该上面部件构成为可与晶片上面接近和分离，在搬入搬出晶片时，从基板处理装置退避，在处理时接近基板上面并与晶片上面之间形成间隙，对该间隙提供药液和干燥气体等。这样，利用少量处理液处理晶片的上面，从而抑制处理流体的消耗量。
在上述基板处理装置中，上面部件构成为可转动。这样，具有提高晶片的清洗处理、干燥处理的性能的效果。但是，除了转动晶片的转动驱动机构之外，还设置转动上面部件的转动驱动机构具有基板处理装置大型化、成本增加的问题。另外，若将转动上面部件的转动驱动机构配置在晶片的处理位置上部，则转动驱动机构产生的颗粒会侵入到基板周围。并且，若将升降上面部件的柱体也配置在晶片的处理位置的上部，则柱体产生的颗粒会侵入到晶片的周围。另外，具有希望采用在上面部件接近晶片时对晶片上面提供处理流体的方法时，若不贯通转动驱动机构的转轴，则不能对晶片提供处理液等问题。
发明内容
本发明的目的在于抑制颗粒对基板的影响，并实现节省空间和低成本的基板处理装置和基板处理方法。
为了实现上述目的，第1项所述的发明是一种对基板提供处理流体并处理的基板处理装置，具有保持上述基板的旋转卡盘、和接近上述基板并覆盖其上面的上面部件，其特征在于，通过用上述旋转卡盘支撑上述上面部件，使上述上面部件与上述旋转卡盘一体转动。
第2项所述的发明的特征在于，上述旋转卡盘具有保持上述基板的保持部件、和支撑该保持部件的卡盘部件，上述上面部件一体不可分地固定在上述卡盘部件，
这些基板处理装置中，由于减少转动驱动机构的个数，所以可以小型化基板处理装置，降低转动驱动机构所需的成本。另外，减少了转动驱动机构产生的颗粒。
第3项所述的发明的特征在于，具有将上述上面部件下降至接近上述基板的位置、和上升至离开上述基板的位置的上面部件升降机构。此时，与采用柱体等的现有的情况相比，可以在上面部件和基板上面之间容易地形成更小的间隙，同时可以稳定间隙的间隔。从而，由于可以对比现有的情况更狭窄的、稳定的间隙提供处理流体，所以，可以抑制处理流体的使用量并且进行高效的处理。
第4项所述的发明的特征在于，具有设置在上述卡盘部件的导栓，和对于该导栓可滑动、同时在上述基板的上方支撑上述上面部件的上面部件支撑部件，上述上面部件升降机构具有挤压上述上面部件支撑部件的挤压部件。
第5项所述的发明的特征在于，设置转动上述卡盘部件的转动驱动机构，将该转动驱动机构和上述上面部件升降机构配置在上述基板的下方。此时，由于在基板上方不存在颗粒的产生源，所以可以抑制颗粒的影响。
第6项所述的发明的特征在于，具有对上述基板提供处理流体的处理流体供给喷嘴，在上述上面部件的中央设置使上述处理流体供给喷嘴提供给基板的处理流体通过的供给孔。
第7项所述的发明的特征在于，上述处理流体供给喷嘴的最低点位于偏离上述供给孔上方的位置，上述供给孔的周边部可接收从上述处理流体供给喷嘴落下的处理流体。在此，可以将处理液供给后残留在处理流体供给喷嘴的处理液不落到基板而排出。
第8项所述的发明的特征在于，具有对上述上面部件的上部提供气体的纯化用气体喷嘴。
第9项所述的发明的特征在于，具有从下方接近上述基板并覆盖基板下面的下面部件、和将上述下面部件在接近上述基板的位置、和离开基板的位置升降的下面部件升降机构。
第10项所述的发明的特征在于，具有转动上述卡盘部件的转动驱动机构，该转动驱动机构具有支撑上述卡盘部件的筒体，具有贯插该筒体内部形成的空洞，支撑上述下面部件的下面部件轴，
具有对上述卡盘部件和上述下面部件之间和/或上述空洞提供惰性气体的惰性气体供给路径。此时，防止卡盘部件上部成为负压，并防止转动驱动机构产生的颗粒侵入卡盘部件的上部。
第11项所述的发明的特征在于，设置在与转动的基板同一高度开口的排出口，将流向上述基板的周围的流体从上述排出口排出。此时，可以顺利排出因离心力流向周围的处理流体等。
第12项所述的发明的特征在于，上述上面部件对于上述旋转卡盘自由吻合和脱离，将上述上面部件吻合到上述旋转卡盘，并一体转动上述上面部件和上述旋转卡盘。有关的基板处理装置中，可进行将上面部件接近晶片上面并与晶片一起转动的处理、和在上面部件和晶片分离的状态下的处理。
第13项所述的发明的特征在于，上述上面部件对于上述旋转卡盘自由升降，在上述上面部件和上述旋转卡盘的某一方设置吻合凹部、在另一方设置吻合凸部，在上述上面部件相对于上述旋转卡盘下降了时，上述吻合凹部和上述吻合凸部吻合，在上升了时，上述吻合凹部和上述吻合凸部脱离，在上述吻合凹部和/或上述吻合凸部设置有用于容易插入到上述吻合凸部的圆锥部。在此，利用上面部件的自重，上面部件可以被旋转卡盘支撑。另外，在将吻合凸部从上方或下方吻合到吻合凹部时，在旋转卡盘在水平面内转动的情况下，也可以维持吻合凸部和吻合凹部吻合的状态。
第14项所述的发明的特征在于，具有将上述上面部件在下降并吻合到上述旋转卡盘的位置、和上升并脱离上述旋转卡盘的位置升降的上面部件升降机构。
第15项所述的发明的特征在于，上述上面部件升降机构具有支撑从上述旋转卡盘脱离的上述上面部件的支撑部件，在上述上面部件设置有可与上述支撑部件吻合和脱离的吻合部，在上述上面部件吻合到上述旋转卡盘的状态下，使上述吻合部和上述支撑部件脱离。
第16项所述的发明的特征在于，上述吻合部和上述支撑部件的吻合和脱离是通过相对旋转上述上面部件和上述旋转卡盘来进行的。此时，由于采用旋转卡盘的转动驱动机构使上述吻合部和上述支撑部件脱离，所以不需要额外设置用于该脱离的驱动机构。
第17项所述的发明的特征在于，上述上面部件升降机构具有把持上述上面部件的夹持机构。
第18项所述的发明的特征在于，在上述上面部件的中央设置使提供给基板的处理流体通过的供给孔。在此，可以在将上面部件接近晶片而形成间隙的状态下，对间隙提供处理流体。
第19项所述的发明的特征在于，具有1个或2个以上吐出提供给基板的处理流体的处理流体供给喷嘴，具有将上述处理流体供给喷嘴在上述基板的上方中至少从上述基板的中心移动至边缘的臂。这样，在将上面部件从旋转卡盘脱离的状态下，可以一边利用旋转卡盘转动晶片，一边在晶片上面和上面部件之间移动处理流体供给喷嘴。从而，例如通过从在转动中的晶片上方移动的处理流体供给喷嘴吐出处理液，可以对整个晶片上面提供处理液。
第20项所述的发明的特征在于，至少具有1个对处理液混合气体并吐到基板的上述处理流体供给喷嘴。
第21项所述的发明的特征在于，上述臂在上述上面部件从上述旋转卡盘脱离的状态下，将上述处理流体供给喷嘴移动到上述基板的上方。即，通过一边从处理流体供给喷嘴吐出处理流体，一边转动晶片，可以对整个晶片上面提供处理流体。
第22项所述的发明的特征在于，具有包围上述基板、上述旋转卡盘和上述上面部件的腔、和密闭上述处理流体供给喷嘴并存储的处理流体供给喷嘴存储部，设置了用于将上述处理流体供给喷嘴从上述处理流体供给喷嘴存储部移动至上述腔内的自由开闭的开口。
第23项所述的发明的特征在于，设置了对上述基板的背面，相对上升接近，下降离开的下面部件。
第24项所述的发明是一种对基板提供处理流体并进行处理的基板处理方法，其特征在于，使接近上述基板并覆盖上述基板的表面的上面部件上升，利用保持部件保持上述基板，下降上述上面部件，在接近上述基板的表面的状态下，对在上述上面部件和上述基板之间形成的间隙提供处理流体，一体转动上述基板、上述保持部件以及上述上面部件来处理上述基板，之后，停止上述基板、上述保持部件以及上述上面部件的转动，上升上述上面部件并搬出上述基板。
第26项所述的发明的特征在于，在处理中，对上述上面部件的上部提供气体。
第27项所述的发明的特征在于，在处理中，将下面部件与上述基板的背面接近。
第28项所述的发明是一种对基板提供处理流体并处理的基板处理方法，其特征在于，在上升了上面部件的状态下，由旋转卡盘保持基板，下降上述上面部件并与上述基板的上面接近，成为吻合到上述旋转卡盘的状态，对上述上面部件和基板之间形成的间隙提供处理流体，进行一体转动上述基板、上述旋转卡盘以及上述上面部件的第1转动，并处理基板，停止上述基板、上述旋转卡盘以及上述上面部件的第1转动，进行在上升上述上面部件并脱离了上述旋转卡盘的状态下一体转动上述基板和旋转卡盘的第2转动，并处理基板，停止上述基板和旋转卡盘的第2转动，解除上述旋转卡盘对基板的保持。
第29项所述的发明的特征在于，在停止上述基板和旋转卡盘的第2转动之后，再次下降上述上面部件而接近上述基板的上面，成为吻合到上述旋转卡盘的状态，对上述上面部件和基板间形成的间隙提供处理流体，进行一体转动上述基板、旋转卡盘以及上面部件的第3转动，并处理基板，停止上述基板、旋转卡盘以及上面部件的第3转动，上升上述上面部件而从上述旋转卡盘脱离，解除上述旋转卡盘对基板的保持。
第30项所述的发明的特征在于，对上述上面部件和基板间形成的间隙提供处理流体时，使上述上面部件与提供给上述基板上面的处理流体接触。
第31项所述的发明的特征在于，对上述上面部件和基板间形成的间隙提供处理流体时，使上述上面部件不与提供给上述基板上面的处理流体接触。
第32项所述的发明的特征在于，在上升上述上面部件并从上述旋转卡盘脱离的状态下，一体转动上述基板和旋转卡盘而处理基板时，在上述上面部件和基板之间，使处理流体供给喷嘴至少从上述基板的中心移动至边缘，从上述处理流体供给喷嘴向转动的基板提供处理流体。
第33项所述的发明的特征在于，在处理上述基板时，进一步上升下面部件而接近上述基板的下面，对上述下面部件和上述基板间形成的间隙提供处理流体，处理上述基板的下面。
附图说明
图1是清洗处理系统的平面图。
图2是清洗处理系统的侧视图。
图3是本发明的实施例1的基板清洗单元的平面图。
图4是本发明的实施例1的基板清洗单元的纵截面图。
图5是说明顶板、底板、内室、保持部件等的工作的说明图。
图6是顶板的平面图。
图7是顶板的立视图。
图8是说明内室的升降和排液或排气流程的说明图。
图9是另一实施例的挤压部件的说明图。
图10是本发明的实施例2的基板清洗单元的平面图。
图11是图10所示的基板清洗单元的纵截面图。
图12是说明旋转卡盘的周边结构的基板清洗单元的纵截面图。
图13A和图13B是说明保持部件和支撑栓的工作的说明图。
图14是顶板的平面图。
图15是顶板的立视图。
图16是说明吻合凸部件和吻合凹部件的吻合的说明图。
图17是说明顶板的升降的、基板清洗单元的纵截面图。
图18A是说明顶板升降支撑部件和顶板侧吻合部的吻合的平面图，图18B是其正截面图，图18C是其侧截面图。
图19是说明处理液供给喷嘴、2流体混合喷嘴以及干燥气体供给喷嘴的结构的向视图。
图20是说明使顶板与晶片接近，从供给口提供处理流体的状态的说明图。
图21是说明使顶板从晶片离开，一边移动2流体混合喷嘴，一边提供处理流体的状态的说明图。
图22是说明内室的升降和排液或排气的流程的说明图。
图23是说明另一实施例的的顶板升降机构具有的夹持机构、吻合凹部和吻合凸部的说明图。
图24是说明在顶板和液膜间形成间隙的处理方法的说明图。
具体实施方式
以下，基于清洗作为基板一例的晶片的基板处理装置，即基板清洗单元进行说明。图1是组合本实施例的基板清洗单元12、13、14、15的清洗处理系统1的平面图。图2是其侧视图。该清洗处理系统1由对晶片W进行清洗处理和清洗处理后的热处理的清洗处理部2、和对清洗处理部2搬入搬出晶片W的搬入出部3构成。
搬入出部3由设置有用于载置能以规定间隔约水平地容纳例如25个晶片W的容器(容器C)的载置台6的入出口4、具有在载置台6载置的容器C和清洗处理部2间传递晶片的晶片搬送装置7的晶片搬送部5构成。
晶片W经容器C的一侧面搬入搬出，在容器C的侧面设置有可开闭的盖体。另外，在内壁设置有用于以规定间隔保持晶片W的搁板，形成收纳晶片W的25个缝隙。各缝隙各收纳1个以表面(形成半导体设备的面)为上面(在水平保持晶片W时成为上侧的面)的状态的晶片W。
在入出口4的载置台6上，可以例如将3个容器在水平面的Y方向并列地载置在规定位置。可以将设置有盖体的侧面朝向入出口4和晶片搬送部5的边界壁8侧载置容器C。边界壁8中，在对应容器C的载置场所的位置形成窗部9，在窗部9的晶片搬送部5侧设置有利用挡板等开闭的窗部开闭机构10。
该窗部开闭机构10还可开闭设置在容器C的盖体，开闭窗部9的同时还开闭容器C的盖体。若打开窗部9而连通容器C的晶片搬入搬出口和晶片搬送部5，则可进入配设在晶片搬送部5的晶片搬送装置7的容器C，可进行晶片W的搬送。
配设在晶片搬送部5的晶片搬送装置7构成为可在Y方向和Z方向移动，并且在X-Y平面内(θ方向)可自由转动。另外，晶片搬送装置7具有把持晶片W的取出收纳臂11，该取出收纳臂11可在X方向自由滑动。这样，晶片搬送装置7可接入载置在载置台6的所有容器C的任意高度的缝隙，并接入配设清洗处理部2的上下2台晶片传递单元16、17，从入出口4侧向清洗处理部2侧，相反从清洗处理部2侧向入出口4侧搬送晶片W。
清洗处理部2具有主晶片搬送装置18、为了与晶片搬送部5之间传递晶片W而暂时载置晶片W的晶片传递单元16、17、和本实施例的4台基板清洗单元12、13、14、15、和由对清洗处理完的晶片W进行加热处理的3台加热单元和对加热完的晶片W进行冷却的冷却单元构成的加热·冷却部19。主晶片搬送装置18配设为可接入晶片传递单元16、17、基板清洗单元12、13、14、15、加热·冷却部19的所有单元。
另外，清洗处理部2配设有作为用于运转整个清洗处理系统1的电源的电装单元23、控制配设在清洗处理系统1内的各种装置和整个清洗处理系统1的工作的机械控制单元24、对基板清洗单元12、13、14、15提供液体的、存贮规定处理液的药液存贮单元25。电装单元23与未图示的主电源连接。在清洗处理部2的顶点部配设有用于向各单元和主晶片搬送装置18溢流干净的空气的风扇过滤单元(FFU)26。
通过将电装单元23、药液存贮单元25和机械控制单元24设置在清洗处理部2的外侧，或引伸到外部，可以容易从该面(Y方向)进行对传递单元16、17、主晶片搬送装置18、加热·冷却部19的维护。
晶片传递单元16、17都是为了与晶片搬送部5之间传递晶片W而暂时载置晶片W的单元，这些晶片传递单元16、17层积上下2层配置。例如，下层的晶片传递单元17可以用于载置从入出口4侧搬送到清洗处理部2侧的晶片W，上层的晶片传递单元6可以用于载置从清洗处理部2侧搬送到入出口4侧的晶片W。
来自风扇过滤单元(FFU)26的溢流的一部分构成为经由晶片传递单元16、17、和其上部空间流向晶片搬送部5。这样，可以防止颗粒等从晶片搬送部5侵入到清洗处理部2，可以保持清洗处理部2的清洁度。
主晶片搬送装置18具有可利用未图示的马达的转动驱动力进行转动的筒状支撑体30、和沿着筒状支撑体30的内侧、在Z方向自由升降地设置的晶片搬送体31。晶片搬送体31具有伴随筒状支撑体30的转动而一体转动，可分别独立地进退移动的、配置为多层的3根搬送臂34、35、36。
如图2所示，基板清洗单元12、13、14、15在上下2层的各层分别配设2台。如图1所示，基板清洗单元12、13和基板清洗单元14、15的结构为对于构成其边界的壁面41对称，除了对称之外，各基板清洗单元12、13、14、15具有同样的结构。因此，以基板清洗单元12为例，以下具体说明其结构。
图3是本发明的实施例1的基板清洗单元12的平面图。在基板清洗单元12的单元腔45内具有收纳晶片W并利用处理流体进行处理的、作为基板处理部的外腔46。外腔46从上方和周围包围晶片W。即，外腔46具有包围晶片W周围的环状的侧壁46a、和覆盖晶片W上面的上方的顶点部46b，密闭晶片W的周围和上方流体，从外腔46的外部的流体隔离。在单元腔45形成开口50，在外腔46的侧壁46a形成开口52，开口50和开口52由开口部47连通。在外腔46设置有由气柱等构成的柱体驱动机构54开闭的外腔用机械挡板53，例如利用搬送臂34从开口部47对外腔46搬入搬出晶片W时，该外腔用机械挡板53打开。外腔用机械挡板53从外腔46的内部开闭开口52。即，在外腔46内成为正压的情况下，外腔46内部的流体也不会漏到外部。
如图4所示，在外腔46内具有约水平地保持晶片W的保持部件60、作为支撑保持部件60的卡盘部件的卡盘板61、后述的转动筒体96、和作为接近由保持部件60支撑的晶片W并覆盖晶片W上面的上面部件的顶板62。接着，保持部件60、卡盘板61、转动筒体96构成旋转卡盘199。晶片W例如将作为形成半导体设备的处理面的表面保持为上面。在外腔46的侧壁46a，在由保持部件60保持的晶片W所处的高度形成倾斜部65，晶片W被倾斜部65包围。另外，外腔用机械挡板53成为倾斜部65的一部分。在对旋转卡盘199接受晶片W时，打开外腔用机械挡板53，水平移动晶片W。
如图3所示，保持部件60在卡盘板61的周围以中心角成为120o地配置在3处，利用这些3个保持部件60，可以从边缘保持晶片W。另外，保持部件60通过成为L字形状，将弯曲部分自由转动地安装在卡盘板61的边缘，可以在卡盘板61的约垂直面内自由摇动。在保持部件60的水平部上面和卡盘板61下面之间设置有为使保持部件60的垂直部分的内部保持晶片W边缘而赋能的压缩弹簧。如图5所示，3个保持部件60由保持解除机构67切换为保持晶片W的状态(实线)、和解除了保持的状态(虚线)。保持解除机构67通过利用未图示的气柱等构成的升降机构提升保持部件开闭栓68，挤压保持部件60的水平部，同时相互打开3个保持部件60的垂直部，解除晶片W的保持。
在卡盘板61中，在卡盘板61的上方具有用于支撑晶片W的背面的3个支撑栓69。如图3所示，3个支撑栓69在晶片W的背面中心角成为120°地配置在3处。例如搬入晶片W时，解除保持部件60的保持状态，利用支撑栓69从背面支撑晶片W的边缘部，之后，利用保持部件60从边缘保持。另外，卡盘板61约水平地配置，晶片W由3个支撑栓69平行于卡盘板61地支撑，由3个保持部件60保持为平行于卡盘板61。
顶板62形成的大小为可覆盖晶片W表面，在中央设置有使提供给晶片W的处理流体通过的供给孔70。在对晶片W提供处理流体时，从供给孔70的上方向晶片W的中央附近提供处理流体。在供给孔70的周围形成从顶板62的中央侧朝向外周侧向下方倾斜的锥部71。另外，顶板62具有设置在顶板26的外缘的对置位置的2个顶板支撑部件75。如图6和图7所示，顶板支撑部件75由垂直连接于顶板62的下面的垂直支撑部件76、和连接到该垂直支撑部件76的下端并设置在顶板62的平行方向的平行支撑部件77构成。在平行支撑部件77设置有用于贯插设置在卡盘板61的底部的导栓83的导孔81。
平行支撑部件77构成为在卡盘板61下面和制动器84的上面之间可沿着导栓83滑动。垂直支撑部件76配置在晶片W的外周侧，平行支撑部件77即使沿着导栓83滑动，也不会接触晶片W。如图5所示，导栓83垂直于卡盘板61设置，上端与卡盘板61的下面连接，贯插导孔81的内部，在下端具有制动器84。平行支撑部件77位于导栓83的下部时，平行支撑部件77的下面与制动器84的上面直接接触，顶板支撑部件75不会从导栓83落下。这样，导栓83由卡盘板61支撑顶板支撑部件75，顶板62经顶板支撑部件75由卡盘板61支撑。另外，83对各平行部件77分别设置2个导孔81和导栓。这样，平行支撑部件77被支撑为平行于卡盘板61，垂直支撑部件76被支撑为垂直于卡盘板61下面和晶片W上面，顶板62被支撑为晶片W上面和顶板62下面成为平行。另外，平行支撑部件77保持一直平行于卡盘板61下面的状态进行升降移动，垂直支撑部件76保持一直垂直于卡盘板61下面和晶片W上面的状态进行升降移动，顶板62保持晶片W上面和顶板62下面一直平行的状态进行升降移动。
如图4所示，在基板清洗单元12内具有由使顶板62升降的气柱等构成的顶板升降机构90、和转动卡盘板61的马达95。顶板升降机构90和马达95配置在由保持部件60保持的晶片W的下方形成的驱动机构收纳腔97的内部。驱动机构收纳腔97包围顶板升降机构90、马达95以及保持解除机构67的周围和上部，防止顶板升降机构90、马达95以及保持解除机构67产生的颗粒侵入到晶片W侧。另外，底板升降机构105配置在驱动机构收纳腔97的下方，底板升降机构105产生的颗粒不会侵入到晶片W侧。
顶板升降机构90具有挤压顶板支撑部件75的挤压部件91，将挤压部件91对于平行支撑部件77进行上下移动。挤压部件91贯通驱动机构收纳腔97，配置在平行支撑部件77的下方。如图5所示，若挤压部件91上升，则由于平行支撑部件77沿着导栓83上升，所以顶板62上升并离开晶片W。若挤压部件91下降，则由于平行支撑部件77与制动器84直接接触，所以顶板62下降到接近晶片W的位置(处理位置)。像这样，升降顶板升降机构90通过升降挤压部件91将顶板62下降到接近晶片W的位置、和上升到离开晶片W的位置(退避位置)。另外，通过构成为从晶片W的下方升降挤压部件91而升降顶板62，可以将顶板升降机构90配置在晶片W的下方。从而，可以防止顶板升降机构90产生的颗粒落下并附着到晶片W。另外，通过构成为在将顶板62接近于晶片W上面时，由导栓83支撑顶板62，与采用柱体等将顶板62接近于晶片W上面的现有的场合相比，可以容易在顶板62和晶片W上面之间形成更窄的间隙，同时还可以稳定间隙的间隔。从而，由于可以对比现有的更狭窄的稳定的间隙提供处理流体，所以可以抑制处理流体的使用量，并进行高效处理。
马达95具有与卡盘板61的底部连接的转动筒体96，通过使转动筒体96转动，转动卡盘板61。由于在卡盘板61支撑有保持部件60和顶板62，所以通过转动筒体96的转动，一体转动保持部件60、卡盘板61、以及顶板62。另外，在保持部件60保持晶片W时，保持部件60、晶片W、卡盘板61、以及顶板62一体转动。这样，由于利用马达95一体转动晶片W和顶板62，所以不需要除了马达95之外还额外设置转动顶板62的马达等转动驱动机构。从而，与分别设置转动驱动机构的场合相比，可以大幅度削减转动驱动机构所需的成本。另外，还降低马达产生的颗粒。还有，由于在外腔46上部(例如顶点部46b的上面等)不设置转动顶板62的马达，所以可以缩小基板清洗单元12上部的空间。从而，可以降低基板清洗单元12的高度并实现小型化。另外，由于在晶片W的保持位置的上方不设置转动驱动机构，所以与分别设置马达95和顶板62的转动驱动机构的场合相比，可以抑制颗粒对晶片W的影响。
在卡盘板61的上方具有作为从下方接近晶片W并覆盖晶片W的背面(下面)的下面部件的底板100。另外，在转动筒体96的内部具有贯插设置在转动筒体96的内部的空洞，支撑底板100的底板轴101。如图4所示，底板轴101固定在水平板104的上面，该水平板104由气柱等构成的底板升降机构105与底板轴101一体地在垂直方向升降。从而，底板100如图4所示，在下降而离开由保持部件60保持的晶片W下面并等待的状态(退避位置)、和上升而对由保持部件60保持的晶片W下面进行处理的状态(处理位置)间上下自由移动。
下面，说明基板清洗单元12的处理流体等的供给单元。在外腔46的上部具有对晶片W作为处理流体提供例如药液、纯水(DIW)等处理液、作为惰性气体的N2气体等的处理流体供给喷嘴110。另外，还具有将干燥用的N2气体提供给晶片W的N2气体供给喷嘴111、将N2气体或空气等惰性气体提供给顶板62的上部的纯化用气体喷嘴112。
处理流体供给喷嘴110以相对于顶板62倾斜的状态设置，朝向供给孔70倾斜吐出处理流体。例如，对晶片W提供药液、纯水等处理液时，从处理流体供给喷嘴110朝向供给孔70吐出处理液，对晶片W上面的中央附近提供处理液。处理流体供给喷嘴110的前端的最低点偏离供给孔70上方，图示的例子中，最低点位于锥部71的上方。即，处理流体供给喷嘴110停止供给处理液时，由于即使残留在处理流体供给喷嘴110内部的处理液等从前端落下，供给孔70周边的锥部71也接收落下的处理液，所以处理液不会从供给孔70落下并附着到晶片W上面。另外，落到顶板62上部的处理液在顶板62转动时流向顶板62的外周侧，排出到顶板62的周边。
另外，处理流体供给喷嘴110提供的处理流体由切换开闭阀115切换到药液、纯水、N2气体等的某一个。例如，从处理流体供给喷嘴110对晶片W提供了药液、纯水等处理液之后，对切换开闭阀115进行切换，向处理流体供给喷嘴110内部送出N2气体等液体除去用流体，利用N2气体挤压排出切换开闭阀115至处理流体供给喷嘴110前端间的残留在处理流体供给喷嘴110内部的处理液。此时，调节N2气体的流量并送出，以便残留的处理液不落到供给孔70内，即，处理液从处理流体供给喷嘴110前端落到顶板62上，并可由锥部71接收。
N2气体供给喷嘴111朝供给孔70向下吐出干燥用的N2气体。例如干燥处理晶片W时，从N2气体供给喷嘴111吐出干燥用N2气体。干燥用N2气体通过供给孔70提供给晶片W上面的中心，通过顶板62和晶片W上面间并流向晶片W的周边部。
纯化用气体喷嘴112从外腔46内上方向顶板62的上部吐出例如N2气体等惰性气体、和空气等气体，在外腔46内形成溢流。另外，通过由惰性气体、空气等气体充满顶板62上面和外腔46间的空间而进行纯化，防止例如处理液蒸发而从顶板62的周围回绕上部空间。从而，可以防止在外腔46内的上部残留处理液。纯化用气体喷嘴112在处理疏水性晶片W时，作为溢流(纯化)用气体提供N2气体。此时，具有防止在疏水性晶片W的表面产生水印的效果。另一方面，也可以在处理亲水性晶片W时提供空气，降低溢流(纯化)用气体的成本。
在底板100具有对晶片W作为处理流体提供例如药液、纯水等处理液、作为干燥用气体的N2气体等的下面供给路118。下面供给路118贯通底板轴101和底板100内设置。在底板100上面设置有下面吐出口，吐出从下面供给路118送出的例如药液、纯水、N2气体等处理流体。另外，设置在底板100中央的下面吐出口朝上指向晶片W中心，设置在中央的下面吐出口的周边部4处的下面吐出口向晶片W周边倾斜，可以向晶片W的外周部有效流动处理流体。
另外，在底板100的下方具有对卡盘板61和底板100间提供作为惰性气体的N2气体的N2气体供给路120。N2气体供给路120贯通底板轴101内设置。N2气体供给路120通过由N2气体充满卡盘板61和底板100下面间的空间而进行纯化。此时，防止在转动晶片W时，卡盘板61和底板100间的空气成为负压。从而，可以防止由马达95的转动驱动产生的颗粒通过转动筒体96内部的空洞而侵入到卡盘板61和底板100间。另外，N2气体供给路120通过对设置在转动筒体96内部的空洞内也提供N2气体，由N2气体充满转动筒体96和底板轴101间的空间而进行纯化。此时，防止由马达95的转动驱动产生的颗粒通过转动筒体96内部的空洞而侵入到卡盘板61和底板100间。
如图4和图8所示，在外腔46内具有包围晶片W的内室125。另外，还具有在与转动的晶片W相同高度开口的外腔排出口130、排液外腔46内的液滴的外腔排出管133、排液内室125内的液滴的内室排出管135。
内室125在下降而使保持部件60在内室125的上端的上方突出并接受晶片W的状态、和上升而包围晶片W，防止提供给晶片W两面的处理液等吹散到周围的状态间上下自由移动。
外腔排出口130设置在外腔46的侧壁46a，通过晶片W、卡盘板61和顶板62的转动，顺利排出流向晶片W周围的处理液、干燥用N2气体、和溢流(纯化)用气体、从N2气体供给路120提供的纯化用N2气体等。外腔排出管133在外腔46的下部连接到外腔46和内室125间，从外腔46的侧壁46a和内室125外壁间的外腔46底部排出处理液。内室排出管135在外腔46的下部连接到内室125的内侧，从内室125内排出处理液。另外，外腔排出口130在晶片W周围的2处开口。
如图8所示，若内室125上升，则内室125包围保持的晶片W，可以防止提供给晶片W两面的处理液等向周围吹散。此时，内室125上部接近于外腔46的倾斜部65，内室125内的液滴由内室排出管135排液。另外，溢流(纯化)用气体、纯化用N2气体等在内室125的内侧流向下方，并由内室排出管135排气。若内室125下降，则如图4所示，保持的晶片W比内室125的上端还向上方突出。此时，外腔46内的液滴在内室125的外侧下降，由外腔排出管133排液。另外，干燥用N2气体、溢流(纯化)用气体、纯化用N2气体等向外腔46的侧壁46a吹散，由外腔排出口130排气。
以上是基板清洗单元12的结构，但清洗处理系统1具有的其它基板清洗单元13、14、15也可以具有与基板清洗单元12相同的结构，利用药液同时清洗晶片W两面。
另外，该清洗处理系统1中，首先在入出口4载置分别收纳了例如25个还没有由未图示的搬送自动装置清洗的晶片W的容器C。接着，从载置在该入出口4的容器C利用取出收纳臂11逐个取出晶片W，从取出收纳臂11将晶片W传递给主晶片搬送装置18。还有，例如由搬送臂34，晶片W适当搬入各基板清洗单元12、13、14、15，清洗并去除附着在晶片W的颗粒等污染物质。这样，进行完规定的清洗处理的晶片W再次由主晶片搬送装置18从各基板清洗单元12、13、14、15适当搬出，传递给取出收纳臂11，再次收纳到容器C。
在此，作为代表说明基板清洗单元12的清洗。如图4所示，首先打开基板清洗单元12的外腔用机械挡板53。接着，在装置内放入保持了晶片W的搬送臂34。此时，内室125下降并在保持部件60上部向上方相对突出。底板100预先下降并处于退避位置。顶板62预先上升并处于退避位置。即，卡盘板61将顶板支撑部件75移动至由顶板升降机构90挤压的位置，之后，顶板升降机构90由挤压部件91上升顶板支撑部件75，保持使顶板62上升的状态。
主晶片搬送装置18水平移动搬送臂34并将晶片传递给支撑栓69。支撑栓69将形成半导体设备的晶片W表面作为上面支撑晶片W。此时，由于将底板100位于退避位置，远离支撑的晶片W的位置(高度)，所以搬送臂34可以将晶片W有余地地传递给支撑栓69。将晶片W传递给支撑栓69之后，搬送臂34从外腔46的内部退出，退出后，关闭外腔用机械挡板53。
接着，保持部件60保持由支撑栓69支撑的晶片W的边缘。另一方面，内室125上升并围绕支撑的晶片W。顶板62下降至处理位置并接近晶片W。即，顶板升降机构90使挤压部件下降，平行支撑部件77下降至导栓83的下部，挤压部件91下降至与顶板支撑部件75不接触的位置时，平行支撑部件77的下面与制动器84的上面直接接触，顶板62经顶板支撑部件75被卡盘板61支撑。在移动至处理位置的顶板62和保持的晶片W上面(表面)之间例如形成1mm左右的间隙。另外，底板100上升至处理位置。在移动到处理位置的底板100和保持的晶片W下面(晶片W背面)之间形成例如1mm左右的间隙。
接着，利用马达95的转动驱动使转动筒体96转动，一体转动保持部件80、由保持部件80保持的晶片W、顶板62。接着，从处理流体供给喷嘴110和下面供给路101对晶片W提供药液，对晶片W进行药液处理。
如图5所示，处理流体供给喷嘴110将药液朝向晶片W中心部附近倾斜吐出。药液通过供给孔70提供给晶片W的中心部附近，由晶片W的转动产生的离心力流向晶片W的外周方向。由于在顶板62和晶片W上面(晶片W表面)之间、以及底板100和晶片W下面(晶片W背面)之间形成狭窄的间隙，所以可以在这些间隙只放入药液。从而，可以用少量的药液处理晶片W。如图8所示，流向晶片W的外周方向的药液被排液到内室125中，由内室排出管135从内室125排液。
药液处理中，从纯化用气体喷嘴112向顶板62的上部提供溢流(纯化)用气体并形成溢流。在晶片W为疏水性时，作为溢流(纯化)用气体提供N2气体等惰性气体，在晶片W为亲水性时，也可以提供空气。纯化用气体喷嘴112提供的溢流(纯化)用气体从顶板62的外周方向流向晶片W的外周方向，如图8所示，流入内室125中，由内室排出管135从内室125排气。另外，药液处理中，从N2气体供给路120对卡盘板61上面和底板100下面间的空间、以及设置在转动筒体96的内部的空洞内作为纯化用惰性气体提供N2气体，利用N2气体进行纯化。N2气体供给路120提供的纯化用N2气体通过卡盘板61上面和底板100下面之间并流向晶片W的外周方向，如图8所示，流入内室125中，由内室排出管135从内室125排液。
晶片W两面的药液处理一结束，就由切换开闭阀115停止从处理流体供给喷嘴110吐出药液。另外，停止从下面供给路101吐出药液。从N2气体供给路120继续提供纯化用N2气体，防止卡盘板61和底板100间成为负压。另外，从纯化用气体喷嘴112继续提供溢流(纯化)用气体，形成排出药液的溢流。保持部件80、由保持部件80保持的晶片W、顶板62、卡盘板61继续转动，利用转动，从保持部件80、晶片W、顶板62、卡盘板61、底板100甩掉药液并排出到内室125内。另外，在药液处理后甩掉药液时，也可以从处理流体供给喷嘴110和下面供给路101提供N2气体等惰性气体或IPA等，挤压流出药液并排出。
药液处理结束后，即使从停止吐出处理液的处理流体供给喷嘴110的前端落下残留在处理流体供给喷嘴110的内部的药液，也由于在供给孔70周边的锥部71接收落下的处理液，所以落下的药液不会附着到晶片W的上面。另外，也可以在药液处理结束后净化处理开始前，对切换开闭阀115进行切换而送出N2气体，从切换开闭阀115到处理流体供给喷嘴110前端间，利用N2气体挤压排出残留在处理流体供给喷嘴110内部的药液。此时，调节N2气体的流量并送出，以便可以由锥部71接收挤出的药液。落到转动的顶板62上部的药液的液滴由离心力流到顶板62的外周侧，排液到内室125内。另外，从切换开闭阀115到处理流体供给喷嘴110前端间，利用药液的自重排出残留在处理流体供给喷嘴110内部的药液。
若药液从保持部件60、晶片W、顶板62、卡盘板61充分甩掉，排出到内室125内，则下降内室125。使内室125下降之后，利用切换开闭阀115，将来自处理流体供给喷嘴110吐出的处理流体替换为纯水，从下面供给路101提供纯水，开始晶片W两面的净化处理。净化处理中，以比药液处理时更高的速度转动保持部件80、由保持部件80保持的晶片W、顶板62、卡盘板61。
处理流体供给喷嘴110将纯水朝向晶片W中心部附近倾斜吐出。纯水通过供给孔70提供给晶片W的中心部附近，由晶片W的转动产生的离心力流向晶片W的外周方向。由于在顶板62和晶片W上面(晶片W表面)之间、以及底板100和晶片W下面(晶片W背面)之间形成狭窄的间隙，所以可以在这些间隙只放入纯水。从而，可以用少量的纯水处理晶片W。流向晶片W的外周方向的纯水被排液到外腔46中，流到内室125的外侧，由内室排出管135从外腔46排液。
净化处理中，从纯化用气体喷嘴112向顶板62的上部提供溢流(纯化)用气体并形成溢流，防止水蒸气围绕外腔46上部。另外，由于在净化处理比药液处理时提高顶板62的转速，所以纯化用气体喷嘴112提供的、对应顶板62的转动流动的溢流(纯化)用气体比药液处理时更高速流动。流向晶片W的外周方向的溢流(纯化)用气体流向外腔46的侧壁46a，从外腔排出口130排气。
另外，由于净化处理比药液处理时提高了卡盘板61的转速，所以具有卡盘板61和底板100间的流体成为比药液处理时更低的负压的倾向。因此，比药液处理时增加N2气体供给路120提供的纯化用N2气体供给量。N2气体供给路120提供的、流向晶片W的外周方向的纯化用N2气体比药液处理时进一步增加流量，向外腔46的侧壁46a吹散。由于外腔排出口130通过将流向晶片W的外周方向的气体从外腔46的侧壁46a排气，可以顺利进行排气，所以可以增加N2气体供给路120的纯化用N2气体供给量。
晶片W两面的净化处理一结束，由切换开闭阀115停止从处理流体供给喷嘴110吐出纯水。另外，停止从下面供给路101吐出纯水。N2气体供给路120继续提供纯化用N2气体，防止在卡盘板61和底板100之间的气体成为负压。另外，从纯化用气体喷嘴112继续提供溢流(纯化)用气体，形成排出水蒸气的溢流。保持部件80、晶片W、顶板62、卡盘板61继续转动。接着，从N2气体供给喷嘴111提供干燥用的N2气体，从下面供给路101提供N2气体，进行晶片W的干燥处理。
干燥处理中，N2气体供给喷嘴111将干燥用N2气体朝向晶片W中心部附近向下吐出。干燥用N2气体通过供给孔70提供给晶片W的中心部附近，由晶片W的转动产生的离心力流向晶片W的外周方向。由于在顶板62和晶片W上面之间、以及底板100和晶片W下面之间形成狭窄的间隙，所以可以在这些间隙只放入干燥用N2气体。从而，可以用少量的N2气体处理晶片W。流向晶片W的外周方向的干燥用N2气体被排出到外腔46中，流到内室125的外侧，由外腔排出管133从外腔46排气。另外，流向晶片W的外周方向并朝向外腔46的侧壁46a的干燥用N2气体从外腔排出口130顺利排气。
干燥处理中，也从纯化用气体喷嘴112向顶板62的上部提供溢流(纯化)用气体并形成溢流。另外，从N2气体供给路120对卡盘板61和底板100间提供纯化用N2气体。从顶板62的上部流向晶片W的外周方向的溢流(纯化)用气体、以及从卡盘板61和底板100间流向晶片W的外周方向的纯化用N2气体流向内室125的外侧，由外腔排出管122从外腔46内排气。另外，流向晶片W的外周方向并朝向外腔46的侧壁46a的溢流(纯化)用N2气体从外腔排出口130排气。
另一方面，干燥处理中即使从停止吐出处理液的处理流体供给喷嘴110的前端落下残留在处理流体供给喷嘴110的内部的纯水，也由于供给孔70周边的锥部71接收落下的纯水，所以落下的纯水不会附着到晶片W的上面。另外，也可以在净化处理结束后，对切换开闭阀115进行切换而送出N2气体，从切换开闭阀115到处理流体供给喷嘴110前端间，利用N2气体挤压排出残留在处理流体供给喷嘴110内部的纯水。此时，调节N2气体的流量并送出，以便可以由锥部71接收挤出的纯水。落到转动的顶板62上部的纯水的液滴由离心力流到顶板62的外周侧，排液到外腔46内。另外，也可以从切换开闭阀115到处理流体供给喷嘴110前端间，利用药液的自重排出残留在处理流体供给喷嘴110内部的药液。
干燥处理一结束，就N2气体供给喷嘴111停止吐出干燥用N2气体。另外，停止从下面供给路101吐出N2气体。接着，将底板77下降至退避位置。另外，将顶板62上升至退避位置。即，卡盘板61将顶板支撑部件75移动至由顶板升降机构90挤压的位置，之后，通过顶板升降机构90利用挤压部件91提升顶板支撑部件75，平行支撑部件77上升到导栓83上部，保持使顶板62上升的状态。接着，从基板清洗单元12内搬出晶片W。打开外腔用机械挡板53，主晶片搬送装置18使搬送臂34进入装置内并支撑晶片W下面。另一方面，解除保持部件对晶片W的保持，利用支撑栓69支撑晶片W下面。接着，搬送臂34从支撑栓69接收晶片W，并从装置内退出。此时，由于顶板62和底板100移动至退避位置，所以与搬入时同样，在底板100和由支撑栓69支撑的晶片W位置之间形成充分的间隙，搬送臂34可以有余地地从支撑栓69接受晶片W。
根据有关的基板清洗单元12，由于利用马达95一体转动晶片W和顶板62，所以不需要除了马达95之外还设置转动顶板62的转动驱动机构。从而，与现有的基板处理装置相比，可以减少转动驱动机构产生的颗粒。还有，可以小型化基板处理装置，并大幅度削减转动驱动机构所需的成本。而且，由于在晶片W的保持位置上方不设置转动驱动机构和柱体等升降机构，所以可以抑制颗粒对晶片W的影响。另外，由于可以在晶片W和顶板62之间稳定地形成狭窄的间隙，所以可以进行高效处理。可以将药液供给后残留在处理流体供给喷嘴110内的药液不落到晶片W而从处理流体供给喷嘴110内排出。
以上说明了适用本发明的一实施例，但本发明不限于此。例如，本发明不限于提供处理液的基板清洗装置，也可以采用其它各种处理液等对基板进行清洗以外的其它处理。另外，基板不限于半导体晶片，也可以是其它LCD基板用玻璃、CD基板、印刷基板、陶瓷基板等。
保持部件60也可以构成为利用转动产生的离心力保持晶片W。此时，由于不需要设置保持解除机构67，所以可以减少颗粒的产生。
如图9所示，也可以在挤压部件91贯通驱动机构收纳腔97的部分设置上室140和下室141。上室140在挤压部件91从驱动机构收纳腔97突出的部分，围绕挤压部件91的周围固定，在下部设置有环状的密合部件145。上室140在挤压部件91下降时，将密合部件145与驱动机构收纳腔97上面密合，从贯通口146的上方和周围围绕挤压部件91的贯通口146。从而，在挤压部件91下降时，驱动机构收纳腔97内的流体不会通过贯通口146而落到驱动机构收纳腔97外，防止颗粒侵入到晶片W周围。另外，驱动机构收纳腔97外的处理液、干燥用气体和溢流(纯化)用气体、纯化用N2气体等不侵入到驱动机构收纳腔97内，驱动机构收纳腔97内的顶板升降机构90、马达95和保持解除机构67不会被处理液污染。另外，下室141在挤压部件91上升时，将密合部件148密合到驱动机构收纳腔97下面，从贯通口146的下方和周围围绕挤压部件91的贯通口146。从而，在挤压部件91上升时，驱动机构收纳腔97内的流体不会通过贯通口146而落到驱动机构收纳腔97外，防止颗粒侵入到晶片W周围。另外，驱动机构收纳腔97外的处理液、干燥用气体和溢流(纯化)用气体、纯化用N2气体等不侵入到驱动机构收纳腔97内，驱动机构收纳腔97内的顶板升降机构90、马达95和保持解除机构67不会被处理液污染。
晶片W的药液处理也可以利用在顶板61和晶片W上面之间形成的药液的液膜进行。例如，使顶板61向由保持部件60保持的晶片W上面接近，在顶板61和晶片W上面之间形成例如0.5～3mm程度的间隙。接着，从处理流体供给喷嘴110将药液提供给晶片W的中心部附近，由晶片W的转动产生的离心力流向晶片W的外周方向并将药液提供给整个间隙。在这样在整个晶片W上面形成了药液的液膜之后，处理流体供给喷嘴110停止提供药液，利用液膜的药液对晶片W上面进行药液处理。此时，以不破坏药液的液膜形状的较低的转速(例如10～30rpm程度)转动晶片W和顶板61。由晶片W的转动在药液的液膜内产生液流，利用该液流防止药液沉淀在液膜内，并同时提高处理效率。另外，只有在不破坏药液的液膜形状时等提供新液并适当修复药液的液膜形状，控制液膜形成后提供新液。这样，可以节约药液的消耗量。另外，在晶片W下面也可以利用在底板100和晶片W下面之间形成的药液的液膜进行药液处理。
下面说明本发明的实施例2的基板清洗单元。
图10是本发明的实施例2的基板清洗单元212的平面图，图11是其纵截面图。在基板清洗单元212的单元腔245内具有收纳晶片W并利用处理流体进行处理的外腔246。在单元腔245形成开口250，在外腔246的侧壁246a形成开口252，开口250和开口252由开口部247连通。另外，设置有由气柱等构成的柱体驱动机构254升降、开闭开口252的机械挡板253。例如利用搬送臂234从开口部247对外腔246搬入搬出晶片W时，打开该机械挡板253。机械挡板253从外腔246的内部开闭开口252。即，构成为在外腔246内成为正压的情况下，外腔246内部的流体也不漏到外部。
如图11所示，在外腔246内配置有约水平保持晶片W的旋转卡盘260。晶片W将例如作为形成半导体设备的处理面的表面保持为上面，由旋转卡盘260保持边缘部分。
如图12所示，旋转卡盘260由卡盘板265、与卡盘板265的底部连接的转动筒体267、和与晶片的边缘直接接触的3个保持部件270构成。另外，与转动筒体267的下部连接的马达272通过使转动筒体267转动，转动整个旋转卡盘260。保持在旋转卡盘260的晶片W与旋转卡盘260成为一体地在水平面内转动。
如图10所示，保持部件270在卡盘板265的周围，以约圆盘形状的晶片W的中央为中心，中心角为120o地配置在3处，利用这些3个保持部件270的里面可以从边缘保持晶片W。另外，在卡盘板265具有用于在保持晶片W的高度支撑晶片W的3个支撑栓271。如图10所示，3个支撑栓271与晶片W的背面直接接触，中心角为120o地配置在3处。另外，在保持部件270的里面如图13A、图13B所示，形成朝向晶片W的中心向相互分离的方向倾斜的上斜面270a和下斜面270b，在3个保持部件270的里面从外侧夹持晶片W的边缘并保持时，成为在上斜面270a和下斜面270b之间夹持晶片W的边缘部并保持的结构。此时，可以从上下可靠保持晶片W的边缘部。
在将晶片W搬入到基板清洗单元212时，如图13A所示，首先由支撑栓271从背面支撑晶片W的边缘部。此时，3个保持部件270的上部相互分离并向外侧移动，在不会解除搬送臂234传递给支撑栓271的晶片W的位置等待。晶片W若由3个支撑栓271支撑，则如图13B所示，将3个保持部件270向内侧移动，在上斜面270a和下斜面270b之间夹持晶片W的边缘部并保持。此时，成为基板W从支撑栓271抬起的状态。另外，在从基板清洗单元212搬出晶片W时，首先将3个保持部件270向外侧移动，解除保持部件270的保持。这样，成为晶片W由支撑栓271载置的状态。这样，将由支撑栓271支撑的晶片W传给搬送臂234。
如图12所示，马达272配置在由旋转卡盘260保持的晶片W下方形成的驱动机构收纳腔274的内部。驱动机构收纳腔274围绕马达272的周围和上部，防止马达272产生的颗粒侵入到晶片W侧。
外腔246从上方和周围围绕由旋转卡盘260保持的晶片W。即，外腔246具有包围晶片W的周围的环状的侧壁246a、和覆盖晶片W上面的上方的顶点部246b，密闭晶片W的周围和上方，从外腔246的外部隔离。
另外，在外腔246的侧壁246a在由旋转卡盘260保持的晶片W所处的高度形成倾斜部246c，晶片W被倾斜部246c包围。倾斜部246c由于从晶片W所处的高度的上方朝向下方向外侧倾斜，所以向晶片W的周围飞散的处理液的液滴等被倾斜部246c落到下方。另外，开口250、252在由旋转卡盘260保持的晶片W所处的高度开口，机械挡板253成为倾斜部246c的一部分。例如由搬送臂234使旋转卡盘260接受晶片W时，打开机械挡板253，从开口部247将晶片W和搬送臂234向水平方向移动。
如图10和图11所示，在单元腔245内设置有与外腔246邻接的密闭结构的喷嘴存储腔277。在喷嘴存储腔277内收纳有臂279、处理流体供给器280、以及臂转动装置282。另外，在喷嘴存储腔277和外腔246之间设置有开口284，还设置有从喷嘴存储腔277内自由开闭开口284的喷嘴存储腔用机械挡板286。喷嘴存储腔用机械挡板286由设置在喷嘴存储腔277内的马达等构成的转动驱动机构288驱动。
处理流体供给器280安装在臂279的前端，在臂279的基端安装有具有未图示的马达的臂转动装置282。臂279由未图示的马达的驱动，以臂转动装置282为中心在水平面内旋转，从开口284移动到外腔246内，处理流体供给器280可以至少转动到晶片W中心的上方。这样，利用臂279的转动，将处理流体供给器280至少从外腔246内的晶片W的中心移动到边缘。处理流体供给器280作为处理晶片W的处理流体例如可以吐出SC-1液(胺水和过氧化氢水和纯水的混合溶液)等药液、N2气体、纯水(DIW)、以及N2气体和纯水的混合流体等。
如图11所示，在外腔246内，在晶片W由旋转卡盘260保持的位置的上方具有接近晶片W而覆盖上面的作为上面部件的顶板290。顶板290形成为可覆盖由旋转卡盘260保持的晶片W上面的大小。
如图14和图15所示，在顶板290的下面形成用于覆盖整个晶片W上面的、向下方突出的面291。面291的边缘部(边缘)291’形成在比晶片W上面的边缘端部稍微靠外侧。另外，在顶板290的边缘的以顶板290中央为中心对置的2处设置有吻合凸部件295。吻合凸部件295是垂直于顶板290并连接的柱状部件，在各下端与后述的吻合凹部件297吻合。另外，在将顶板290配置在晶片W上方时，设置成在各吻合凸部件295和由旋转卡盘260保持的晶片W的边缘间形成充分的间隙，另外，配置成在顶板290相对于旋转卡盘260、和由旋转卡盘260保持的晶片W进行升降时，各吻合凸部件不干扰旋转卡盘260和晶片W。
另一方面，吻合凹部件297固定在卡盘板265周围的2处。各吻合凹部件297是具有如图16所示的在上侧开口的凹部298的部件，配置为将各吻合凸部件295的下端从上方分别插入各凹部298。另外，各吻合凹部件297配置在低于由旋转卡盘260保持的晶片W的边缘部高度的地方。另外，凹部298的内侧的侧面成为从下侧向上侧扩展的锥面，可以从上方顺利插入角柱形的各吻合凸部件295的下端。
若是各吻合凸部件295的下面直接接触各凹部298下面的状态，则各吻合凸部件295由各吻合凹部件297支撑并可以吻合。各吻合凸部件295和各吻合凹部件297由于在以顶板290中央为中心对置的2处分别吻合，所以顶板290被稳定支撑在由旋转卡盘260保持的晶片W上方。像这样，利用顶板290的自重，使顶板290吻合到旋转卡盘260。另外，顶板290构成为对于旋转卡盘260可自由吻合和脱离。
将顶板290吻合到旋转卡盘260，由上述的马达272转动旋转卡盘260时，可以使顶板290与旋转卡盘260一体转动。另外，在旋转卡盘260保持晶片W时，旋转卡盘260、晶片W、以及顶板290一体转动。像这样，顶板290由马达272转动，不需要除了马达272之外还额外设置转动顶板290的马达等转动驱动机构。即，与分别设置顶板290和旋转卡盘260的转动驱动机构的场合相比，可以大幅度削减转动驱动机构所需的成本。另外，可以减少马达产生的颗粒。另外，由于将转动顶板290的转动驱动机构设置在晶片W的处理位置(保持位置)的上方，例如外腔246上部(顶点部246b的上面)等，所以转动驱动机构产生的颗粒不会侵入到晶片的周围，可以防止颗粒对晶片W的影响。
如图17所示，在外腔246的外侧配设有在将顶板290降低并吻合到旋转卡盘260的位置、和提升并从旋转卡盘260脱离的位置间升降的顶板升降机构300。顶板升降机构300由以下所述的顶板升降柱体302、升降杆304、支撑杆306、升降部件308、顶板升降支撑部件310构成。另外，即使由顶板升降机构300的驱动产生颗粒，也不会侵入到在外腔246内部收纳的晶片W的周围。
顶板升降柱体302配置在单元腔245的下部，使配置在外腔246的侧方的升降杆304纵向升降。另外，在夹持外腔246与升降杆304对置的位置设置有支撑杆306。支撑杆306构成为在设置在外腔246的外侧面的导杆307内自由升降。另外，在外腔246的上方配置有由升降杆304上端和支撑杆306上端分别支撑两端的升降部件308。即，升降部件308由顶板升降柱体302的驱动在单元腔245的顶点面和外腔246的顶点部246b上方之间上下移动。另外，从顶点部246b向外腔246内部贯通2根顶板升降支撑部件310，2根顶板升降支撑部件310配置为上端固定在升降部件308，下端在外腔246内部升降。
在2个顶板升降支撑部件310的下端分别具有如图18A、18B、18C所示的法兰盘311。另一方面，如图14和图15所示，在顶板290的上面设置有可与各法兰盘自由吻合和脱离的、2个顶板侧吻合部313。这些一对顶板侧吻合部313和顶板升降支撑部件310下端的法兰盘311构成为在以顶板290上面的中央为中心对置的位置分别吻合，可以稳定地支撑顶板290。还有，若将顶板290吻合到顶板升降支撑部件310，则利用顶板升降柱体302的驱动，可以将顶板290与升降杆304、支撑杆306、升降部件308、顶板升降支撑部件310一体转动。
另外，在外腔246的上方没有设置转动顶板290的转动驱动机构等。另外，顶板升降柱体302配置在单元腔245的下部，与在晶片W的处理位置的上方配置顶板290的转动驱动机构、一体升降顶板290和顶板290的转动驱动机构的柱体的场合相比，顶板290的转动驱动机构和柱体产生的颗粒不会侵入到晶片周围，可以抑制颗粒对晶片W的影响。
如图18A、图18B、图18C所示，在顶板290上面设置有插入法兰盘311的孔321。孔321以能将法兰盘311在内部向顶板290的转动方向相对移动的大小形成。在孔321上部固定有覆盖固定孔321的一部分的盖部323。另外，还设置有将盖部323从上面贯通到下面的切口部324。在盖部323的侧面形成有使法兰盘311和顶板升降支撑部件310对于切口部324相对入出的入出口326。入出口326的两侧成为从入出口326内向外侧扩展的锥部311，可以容易从入出口326对切口部324插入法兰盘311。
另外，在切口部324的内部形成有嵌合顶板升降支撑部件310的侧面的嵌合槽328。在嵌合槽328的下部设置有嵌合法兰盘311的法兰盘嵌合槽333。例如，若通过从入出口326往切口部324内插入了法兰盘311和顶板升降支撑部件310之后，在孔321内降低法兰盘311而转动旋转卡盘260，向逆时针方向转动顶板290，则顶板升降支撑部件310相对嵌合槽328向正时针方向移动，嵌合到嵌合槽328。接着，若提升法兰盘311，则法兰盘311嵌合到法兰盘嵌合槽333。若以将顶板升降支撑部件310嵌合到嵌合槽328、将法兰盘311嵌合到法兰盘嵌合槽333的状态提升顶板升降支撑部件310，则由于嵌合槽328的大小不能通过法兰盘311，所以法兰盘311上面与法兰盘嵌合槽333上面吻合。
上述2个顶板侧吻合部313分别由孔321、盖部323、切口部324、入出口326、嵌合槽328、锥部331、法兰盘嵌合槽333构成。以下，说明使顶板升降支撑部件310和顶板侧吻合部313吻合和脱离的方法。
在吻合顶板升降支撑部件310和顶板侧吻合部313时，首先，将各顶板升降支撑部件310置于吻合的各顶板侧吻合部313的逆时针方向(CCW)侧的正面位置，即各入出口326的正面位置。即，使旋转卡盘260和顶板290静止，以便各顶板侧吻合部313置于规定位置，同时降低各顶板升降支撑部件310，使各法兰盘311的下面与顶板290上面接近。接着，通过将旋转卡盘260和顶板290向逆时针方向一体转动规定量，将各法兰盘311和各顶板升降支撑部件310相对于各顶板侧吻合部313向正时针方向(CW)移动，从各入出口326相对插入到各切口部324。另外，通过降低各顶板升降支撑部件310而使各法兰盘311在各孔321内下降。之后，若将旋转卡盘260和顶板290再稍微向逆时针方向转动，则各法兰盘311在各孔321内相对向正时针方向移动，同时各顶板升降支撑部件310相对各嵌合槽328向正时针方向移动并嵌合。接着，若提升各顶板升降支撑部件310，则各法兰盘311从各孔321内上升并嵌合到各法兰盘嵌合槽333。这样，各顶板侧吻合部313和各顶板升降支撑部件310吻合，可以使顶板290上升。另外，也可以从切口部324的上方使顶板升降支撑部件310和法兰盘311下降并插入到各孔321内。
另外，将顶板290吻合到旋转卡盘260，使顶板升降支撑部件310和顶板侧吻合部313脱离时，首先将顶板290吻合到旋转卡盘260。即，利用旋转卡盘260的转动，将各吻合凹部件297移动至规定的吻合位置，降低由顶板升降支撑部件310支撑的顶板290，吻合各吻合凸部件295和各吻合凹部件297。接着，在孔321内降低顶板升降支撑部件310的法兰盘311并解除嵌合。接着，向与吻合时相反的方向将各法兰盘311在各孔311内相对移动。即，通过例如将旋转卡盘260和顶板290向正时针方向一体稍微转动，各法兰盘311在各孔321内向逆时针方向相对移动，同时各顶板升降支撑部件310相对各嵌合槽328向逆时针方向移动并解除嵌合。另外，利用顶板升降机构300的驱动，将顶板升降支撑部件310和法兰盘311从孔321内上升到切口部324内，原样上升至切口部324的上方并退出。这样，可以使各顶板升降支撑部件310和各顶板侧吻合部313脱离。另外，也可以在将顶板升降支撑部件310和法兰盘311从切口部324内退出时，通过将旋转卡盘260和顶板290进一步向正时针方向转动，可以向相对逆时针方向通过各入出口326。
像这样，顶板升降支撑部件310构成为对于顶板290可自由吻合和脱离。另外，各顶板升降支撑部件310和各顶板侧吻合部313的吻合和脱离可以通过吻合旋转卡盘260和顶板290并一体转动旋转卡盘260和顶板290来进行。
若吻合顶板升降支撑部件310和顶板290而驱动顶板升降机构300，则可以使顶板290相对于旋转卡盘260升降。另外，若在旋转卡盘260保持了晶片W的状态下使顶板290相对于旋转卡盘260升降，则可以将顶板290在下降至接近于晶片W的位置(虚线)和上升至离开晶片W的位置(实线)之间升降。另外，利用顶板290的升降，将各吻合凸部件295插入到各吻合凹部件297的凹部298。即，可以使顶板290和旋转卡盘260吻合和脱离。
以下，说明使顶板290和旋转卡盘260吻合和脱离的方法。在吻合顶板290和旋转卡盘260时，首先将各吻合凹部件297向由顶板升降机构300上升的各吻合凸部件295的下方移动。即，转动旋转卡盘260，将各吻合凹部件297移动到规定的吻合位置。接着，若下降顶板290，则可以将各吻合凸部件295的下端分别插入到各吻合凹部件297的凹部298。这样，吻合各吻合凸部件295和各吻合凹部件297。即，成为将顶板290吻合到旋转卡盘260的状态。另一方面，在使顶板290和旋转卡盘260脱离时，首先吻合各顶板升降支撑部件310和各顶板侧吻合部313。接着，若由顶板升降机构300的驱动提升顶板290，则各吻合凸部件295从各凹部298退出，可以使各吻合凸部件295和吻合凹部件297脱离。即，成为将顶板290从旋转卡盘260脱离的状态。
若将顶板290吻合到旋转卡盘260，再将各顶板升降支撑部件310从各顶板侧吻合部313脱离，则顶板290只被旋转卡盘260支撑。若在该状态下转动旋转卡盘260，则可以一体转动顶板290和旋转卡盘260。另一方面，在将顶板290从旋转卡盘260脱离的状态下，可以不转动顶板290而一体转动旋转卡盘260和晶片W。
另外，若在旋转卡盘260保持晶片W的状态下将顶板290吻合到旋转卡盘260，则成为顶板290接近于晶片W上面的状态。此时，在顶板290下面和晶片W上面之间形成例如1mm左右的狭窄的间隙。另一方面，若将顶板290从旋转卡盘260脱离而上升顶板290，则顶板290下面从晶片W上面离开。此时，在顶板290下面和晶片W上面之间形成例如100mm左右高的空间。像这样，通过在顶板290下面和晶片W上面之间形成充分空间，在顶板290下面和晶片W上面之间移动处理流体供给器280，可以对晶片W上面提供处理流体。另外，利用搬送臂234、235或236的任一个使旋转卡盘260接受晶片W时，可以使旋转卡盘260有余地地接受晶片W。
另外，在将处理流体供给器280和臂279向晶片W上方移动时，例如如图10所示，将吻合凸部件295和吻合凹部件297配置成臂279可以从在晶片W的边缘对置的2个吻合凸部件295间向晶片W上方转动。即，利用顶板290和旋转卡盘260的转动，将吻合凸部件295和吻合凹部件297移动到不接触处理流体供给器280和臂279的位置，转动停止后，将顶板290从旋转卡盘260脱离，将处理流体供给器280从2个吻合凸部件295的停止位置间移动到晶片W上方。另外，也可以将2个吻合凸部件295上升至不接触处理流体供给器280和臂279的高度。同样，在使旋转卡盘260接受晶片W时，将吻合凸部件295或吻合凹部件297配置在不接触搬送臂234、235或236或接受的晶片W的位置。
如图14和图15所示，在顶板290的中央设置有使提供给晶片W的处理流体通过的供给孔340。即，在向晶片W提供处理流体时，可以从供给孔340的上方向晶片W的中央附近提供处理流体。在供给孔340的周围形成从顶板290的中央侧朝向外周侧向下方倾斜的锥部342。
在从处理流体供给器280向晶片W上面提供药液、纯水等处理流体时，将处理流体供给器280吐出的处理流体从供给孔340提供给晶片W的中心部附近，另一方面，一体转动旋转卡盘260、与旋转卡盘260吻合的顶板290、以及由旋转卡盘260保持的晶片W。即，利用晶片W的转动产生的离心力，处理流体从晶片W的中心部附近流向外周方向。由于顶板290在顶板290下面和晶片W上面间形成狭窄的间隙的状态下与旋转卡盘260吻合，所以在间隙可以只放入处理流体。从而，可以用少量的处理流体处理晶片W。此时，若使在顶板290下面形成的面291的边缘部291’形成在比晶片W的边缘端部稍微靠外侧的位置，则容易将药液的液膜形成至晶片W的边缘部。
如图19所示，处理流体供给器280作为处理流体供给喷嘴具有提供药液和净化液的处理液供给喷嘴351、提供混合流体的2流体混合喷嘴355、和干燥气体供给喷嘴357。处理液供给喷嘴351、2流体混合喷嘴355、干燥气体供给喷嘴357由臂297的前端支撑。
处理液供给喷嘴351作为药液提供例如SC-1液(胺和过氧化氢和水的混合溶液)。另外，作为净化液提供例如纯水。处理液供给喷嘴351提供的处理液由未图示的切换单元切换到SC-1和纯水的某一个。另外，处理液供给喷嘴351由臂279的转动向晶片W的上方或顶板290的上方移动。在对晶片W提供药液或净化液时，如图20所示，在下降顶板290的状态下，将处理液供给喷嘴351向供给孔340的上方移动，从处理液供给喷嘴351向晶片W中心部附近吐出药液或净化液。
在2流体混合喷嘴355的内部配设有用于使纯水通过的纯水送液路361，在2流体混合喷嘴265的前端设置有吐出口362。从纯水供给路361送出的纯水从吐出口362向下方吐出。另外，在2流体混合喷嘴355的内部，在纯水送液路361的中途设置有送出N2气体的N2气体送出路364。纯水送液路361和N2气体送出路364连接的部分成为混合纯水和N2气体的混合部，在此由N2气体对纯水施压，从吐出口362吐出混合了N2气体和由N2气体加压的纯水的混合流体。即，可以从吐出口362向晶片W喷射提供纯水。2流体混合喷嘴355由臂279的转动向晶片W的上方移动。另外，也可以在纯水送液路361提供的纯水溶解CO2。此时，具有降低静电的效果。
采用混合流体处理晶片W时，如图21所示，将顶板290从旋转卡盘260脱离，一边将晶片W与旋转卡盘260一体转动，一边由臂279的转动将2流体混合喷嘴355至少从晶片W的中心移动至边缘，将混合流体提供给整个晶片W上面。像这样，通过将混合流体喷射提供给整个晶片W上面，晶片W上面的颗粒被混合流体吹散并被有效去除。
另外，2流体混合喷嘴355、处理液供给喷嘴351配置为在将臂279收纳在喷嘴存储腔277内状态下，从晶片W的边缘部朝向外侧依次排列。即，构成为在臂279从晶片W的中心侧向边缘侧转动时，2流体混合喷嘴355追随处理液供给喷嘴351并移动。这样，例如由处理液供给喷嘴351提供净化液并处理之后，利用2流体混合喷嘴355提供的混合流体从晶片W去除净化液和颗粒等时，即使在混合流体的处理中从处理液供给喷嘴351落下净化液等处理液，也可以利用混合流体将落下的处理液吹散到晶片W的外侧。从而，可以防止落下的处理液附着并残留在晶片W。
干燥气体供给喷嘴357作为干燥气体提供例如N2气体。另外，干燥气体供给喷嘴357由臂279的转动向晶片W的上方移动。
该基板清洗单元212中，在顶板290和晶片W上面之间形成狭窄的间隙，若对间隙提供处理流体，则可以一边转动晶片W，一边将处理流体供给器280向晶片W上面的上方移动并提供处理流体。
晶片W上面除了供给孔340部分之外都由顶板290覆盖。SC-1供给后或作为净化液的纯水供给后，在处理液供给喷嘴351内残留SC-1或纯水，处理液供给喷嘴351从供给孔340的上方退避的移动中，从处理液供给喷嘴351会落下SC-1或纯水的液滴，但这些液滴由于被顶板290上面接受，所以不会附着在晶片W。特别是，由于供给孔340的周围成为将供给孔340的边缘作为高位置并向顶板290的外周渐渐倾斜的锥部342，所以例如即使液滴落到锥部342的上面，液滴也沿着锥部342流向顶板290上面的外周并落下。从而，液滴不会侵入供给孔340中。另外，在锥部342的外侧，即使液滴落到顶板290的上面，也由于锥部342围绕供给孔340形成凸状，所以液滴不会侵入供给孔340中。并且，落到顶板290上部的SC-1、纯水在顶板290转动时流向顶板290的外周侧，排出到顶板290的周边。
如图11所示，在由旋转卡盘260保持的晶片W的下方配设有作为从下方接近晶片W并覆盖晶片W下面(背面)的下面部件的底板370。如图12所示，在转动筒体267的内部具有贯插设置转动筒体267的内部的空洞、并支撑底板370的底板轴371。底板轴371固定在水平板374上面，该水平板374与底板轴371成为一体，利用由气柱等构成的底板升降机构375在垂直方向升降。从而，底板370在下降而离开由旋转卡盘260保持的晶片W下面并等待的位置、和上升而对由旋转卡盘260保持的晶片W下面进行处理的位置间上下自由移动。另外，底板升降机构375配置在外腔246的下方，底板升降机构375产生的颗粒不会侵入到晶片周围。
底板370上面的边缘部(边缘)370’形成在比由旋转卡盘260保持的晶片W的边缘端部稍微靠外侧。即，底板370上面可以覆盖整个晶片W下面。另外，如图13A、图13B所示，在底板370上面的边缘形成有稍微凹状的漏部377。如图13B所示，底板370上面与晶片W下面接近了时，支撑栓271进入漏部377中，不与底板370接触。从而，可以在底板370上面和晶片W下面间形成更窄的间隙。另外，漏部377沿着底板370上面的整个边缘形成，即使相对转动底板370和晶片W，支撑栓271也不会接触到底板370。
在底板370具有对晶片W下面作为处理流体提供例如SC-1、HF等药液、纯水、作为干燥用气体的N2气体等的下面供给路378。下面供给路378贯通底板轴371和底板370内并设置。若从下面供给路378提供药液并转动晶片W，则药液在底板370上面和晶片W下面之间扩散并可以形成液膜。此时，若底板370的边缘部370’形成在比晶片W的边缘端部稍微靠外侧，则容易将药液的液膜由药液的表面张力形成至晶片W的边缘部。
另外，在底板370的下方具有提供作为惰性气体的纯化用N2气体的N2气体供给路380。N2气体供给路380设置为贯通底板轴371内。N2气体供给路380通过对旋转卡盘265上面和底板370下面间的空间、和设置在转动筒体267内部的空洞内提供N2气体，由N2气体充满这些空间来进行纯化。这样，在转动晶片W时，可以防止旋转卡盘265和底板370间成为负压，可以防止由马达272的转动驱动产生的颗粒通过转动筒体267内部的空洞并侵入旋转卡盘265和底板370间。
如图11所示，在外腔246的上部具有将N2气体等惰性气体或空气提供给外腔246内的纯化用气体喷嘴382。纯化用气体喷嘴382配置在侧壁246a上部和顶点部246b的多处，在顶板290下降时，对顶板290的上部吐出例如N2气体等惰性气体和空气等气体，在外腔246内形成溢流。另外，由N2气体、空气等气体充满顶板290上面和外腔246间的空间并进行纯化。这样，可以防止例如蒸发的处理液从顶板290的周围围绕上部空间。像这样，通过在对晶片W提供处理液时、晶片W处理中等时，从纯化用气体喷嘴382提供溢流(纯化)用气体，可以防止在外腔246内的上部残留药液、水蒸气等处理液。
纯化用气体喷嘴382在处理疏水性的晶片W时，作为溢流用气体提供N2气体。此时可以防止在疏水性晶片W表面产生水印。另一方面，也可以在处理亲水性晶片W时提供空气，降低溢流用气体的成本。另外，设置在顶板290的供给孔340的正上方的纯化用气体喷嘴382a配置为在顶板290上升了时，通过供给孔340并向顶板290的下方突出。另外，在侧壁246a上部在顶板290上升了时，在向顶板290的下方吐出气体的位置配设纯化用气体喷嘴382b。从而，在顶板290上升了时，在外腔246内形成溢流，同时由惰性气体、空气等气体充满顶板290下面和晶片W间的空间。
如图11所示，在外腔246内具有包围晶片W的内室385。另外，具有在低于转动的晶片W的地方开口的外腔排出口390、排液外腔246内的液滴的外腔排出管393、和排液内室385内的液滴的内室排出管395。
内室385在下降并突出于内室385上端的上方并接受晶片W的位置、和上升并包围晶片W，防止提供给晶片W两面的处理液等飞散到周围的位置上下自由移动。
外腔排出口390在晶片W的周围2处在外腔246的侧壁246a开口，利用晶片W、卡盘板265以及顶板290的转动，顺利排出流向晶片W周围的处理液、干燥用N2气体、溢流用气体、纯化用N2气体等。外腔排出管393将排液到外腔246的侧壁246a和内室385外壁间的处理液从外腔246底部排出。内室排出管395从内室385排出处理液。
如图22所示，若成为由内室385包围晶片W的状态(实线)，内室385的上部的倾斜部接近外腔246的倾斜部246c，从晶片W的边缘落下的液滴、处理液、处理流体、溢流用气体、纯化用N2气体等在内室385的内侧向下流，并由内室排出管395排出。另一方面，若成为使晶片W在内室385的上端的上方突出的状态(虚线)，则液滴、处理液、处理流体、溢流用气体、纯化用N2气体等在内室385的外侧下降，并由外腔排出管393排出。另外，在晶片W高速转动时，面向外腔246的侧壁246a吹散的处理液、处理流体、干燥用N2气体、溢流用气体、纯化用N2气体等由外腔排出管390排出。
以上是基板清洗单元212的结构，但清洗处理系统1具有的其它基板清洗单元13、14、15也具有与基板清洗单元212相同的结构，可以同时清洗晶片W的两面。
另外，在该清洗处理系统1中，首先利用未图示的搬送自动装置将分别收纳了例如25个尚未由清洗的晶片W的容器C装载到入出口4。接着，利用取出收纳臂11从装载在入出口4的容器C逐个取出晶片W，从取出收纳臂11将晶片W传递给主晶片搬送装置18。接着，例如利用搬送臂34将晶片W适当搬入到各基板清洗单元12、13、14、15，清洗并去除附着在晶片W的颗粒等污染物质。之后，将结束了规定清洗处理的晶片W再次利用主搬送装置18从各基板清洗单元12、13、14、15适当搬出，传递给取出收纳臂11并再次收纳到容器C。
在此，作为代表说明基板清洗单元212的清洗。如图11所示，首先打开基板清洗单元212的机械挡板253。接着，保持了晶片W的搬送臂234进入外腔246内。此时，顶板290预先上升，晶片W从由旋转卡盘260保持的位置离开。即，顶板290被顶板升降支撑部件310支撑，从旋转卡盘260脱离，在顶板290下面和旋转卡盘260上部之间形成可充分接受晶片W的空间。另外，内室385下降并在旋转卡盘260上部向上方突出。底板370预先下降，晶片W从由旋转卡盘260保持的位置离开。底板370上面和旋转卡盘260上部之间形成可充分接受晶片W的空间。处理流体供给器280收纳在喷嘴存储腔277内。
主晶片搬送装置218水平移动搬送臂234并将晶片W传递给支撑栓271。支撑栓271将形成半导体设备的晶片W表面为上面并支撑晶片W。此时，顶板290和底板370从支撑的晶片W的位置(高度)离开，顶板290边缘的2个吻合凸部件295移动到不与搬送臂234和搬入的晶片W接触的位置。从而，搬送臂234可以将晶片W有余地地传给支撑栓271。将晶片W传给支撑栓271之后，搬送臂234从外腔246的内部退出，退出后，机械挡板253关闭。
接着，保持部件270提起由支撑栓271支撑的晶片W边缘并保持。另外，顶板升降机构300降低顶板290并接近于晶片W。此时，由于吻合凹部件297预先移动到吻合位置，所以吻合凸部件295从吻合位置的上方下降并可以与吻合凹部件297吻合。移动到接近位置的顶板290和保持的晶片W上面之间例如形成1mm左右的间隙。吻合凸部件295和吻合凹部件297吻合之后，稍微转动旋转卡盘260，使顶板升降支撑部件310和顶板侧吻合部313脱离。这样，将顶板290传递给旋转卡盘260之后，顶板升降支撑部件310由顶板升降机构300的驱动而上升并从顶板290离开。
另一方面，底板370上升至接近晶片W的位置。在移动到接近位置的底板370和保持的晶片W下面(晶片W背面)之间形成例如1mm左右的间隙。另外，内室385上升并包围由旋转卡盘260保持的晶片W。
首先，采用SC-1液对晶片W进行药液处理。利用臂279的转动，处理流体供给器280从喷嘴存储腔279内向顶板290的上方移动。接着，如图20所示，从处理液供给喷嘴351向晶片W中心部附近作为药液吐出SC-1液。药液通过供给孔340提供给晶片W的中心部附近。另一方面，旋转卡盘260一体低速转动由旋转卡盘260保持的晶片W、顶板290。提供给晶片W中心部附近的药液因晶片W的转动产生的离心力流向晶片W的外周方向。另外，从下面供给路378也向晶片W作为药液提供SC-1液。由于在顶板290和晶片W上面之间、以及底板370和晶片W下面之间形成狭窄的间隙，所以可以在这些之间只放入药液。这样，在晶片W的两面形成药液的液膜，处理流体供供给器280和下面供给路378停止提供药液，将晶片W以不破坏液膜的程度低速转动规定时间。此时，可以用少量的药液处理晶片W。
晶片W两面的药液处理结束之后，利用转动，从旋转卡盘260、晶片W、顶板290、底板370甩掉药液，排出到内室385内。另外，在药液处理后甩掉药液时，从干燥气体供给喷嘴357和下面供给路378提供N2气体，挤出并排出药液。
接着，降低内室385并开始晶片W两面的净化处理。处理液供给喷嘴351向供给孔340吐出纯水，将供给孔340提供给晶片W上面的中心部附近的纯水用离心力流向晶片W的外周方向。另外，从下面供给路378也提供纯水，进行晶片W两面的净化处理。通过在顶板290和晶片W之间、以及底板370和晶片W之间形成狭窄的间隙，可以在这些之间只放入药液，可以用少量的纯水处理晶片W。另外，在进行晶片W的净化处理的同时，可以利用纯水清洗顶板290下面和底板370上面。净化处理中，能以比药液处理时更高的速度转动旋转卡盘260、晶片W、顶板290。
晶片W两面的净化处理结束之后，处理液供给喷嘴351、下面供给路378停止吐出纯水，使处理流体供给器280从喷嘴存储腔277内退避。接着，利用旋转卡盘260的转动，从旋转卡盘260、晶片W、顶板290、底板370甩掉纯水，排出到外腔246内。
接着，为了从2流体混合喷嘴355向晶片W上面提供混合流体，使顶板290和旋转卡盘260脱离。首先，停止晶片W、旋转卡盘26和顶板290的转动。接着，使各顶板升降支撑部件310相对于顶板290下降，吻合各顶板侧吻合部313和各顶板升降支撑部件310。接着，使顶板290与顶板升降支撑部件310一起上升。另外，由顶板290的上升，各吻合凸部件295上升并从各吻合凹部件297脱离。即，提升顶板290并从晶片W离开。这样，在顶板290下面和旋转卡盘260上部之间形成用于移动2流体混合喷嘴355的充分的空间。
之后，将2流体混合喷嘴355移动到晶片W上方。接着，如图21所示，一边从2流体混合喷嘴355吐出混合流体，一边一体转动旋转卡盘260和晶片W。2流体混合喷嘴355在转动中至少从晶片W上面的中心移动到边缘。另一方面，从下面供给路378向晶片W下面提供纯水。
采用混合流体进行处理之后，采用干燥用N2气体进行干燥处理。一边从干燥气体供给喷嘴357吐出干燥用N2气体，一边将干燥气体供给喷嘴357在转动中至少从中心移动到边缘。另一方面，从下面供给路378向晶片W下面提供干燥用N2气体。干燥处理中，以比净化处理时更高的速度转动晶片W。另外，在开始提供干燥用N2气体之前，预先由纯化用气体喷嘴382作为纯化用气体提供N2气体，使外腔246内充满N2气体。像这样，若在N2气体中进行利用干燥用N2气体的扫描将纯水从晶片W中心部赶到边缘部的干燥，则可以防止水印。当然，纯化用气体喷嘴382的N2气体供给不限于干燥处理期间进行，最好在之前的药液处理、净化处理等各处理中开始进行，在外腔246内一直形成N2气体的溢流或纯化。
干燥处理结束之后，停止晶片W、旋转卡盘260、顶板290的转动，将处理流体供给器280从喷嘴存储腔277内退避，将底板370下降到退避位置。接着，从基板清洗单元212内搬出晶片W。打开机械挡板253，主晶片搬送装置218使搬送臂234进入外腔246内并支撑晶片W下面。另一方面，保持部件270解除保持晶片W，利用支撑栓271支撑晶片W下面。接着，搬送臂234从支撑栓271接受晶片W。这样，解除旋转卡盘260对晶片W的保持。之后，保持了晶片W的搬送臂234从装置内退出。
根据有关的基板清洗单元212，由于利用旋转卡盘260一体转动晶片W和顶板290，所以不需要除了马达272之外额外设置转动顶板290的转动驱动机构。从而，与现有的基板处理装置相比，可以减少从转动驱动机构产生的颗粒。另外，可以大幅度削减转动驱动机构所需的成本。另外，由于在晶片W的保持位置的上方没有设置转动驱动机构和柱体等升降机构，所以可以抑制颗粒对晶片W的影响。
另外，在下降顶板290时，由于在晶片W和顶板290之间可以稳定地形成狭窄的间隙，所以可以进行高效处理。另外，可以防止从处理流体供给器280往晶片W上面落下药液、净化液等处理流体。在使顶板290从旋转卡盘260脱离时，可以一体转动旋转卡盘260和晶片W，同时可以在晶片W上面和顶板290下面之间移动处理液供给喷嘴351和2流体混合喷嘴355。可以实施将顶板290与晶片W一起转动处理的方法、和将处理液供给喷嘴351和2流体混合喷嘴355移动到晶片上方并提供处理流体的方法。
以上示出了本发明适用的一实施例，但本发明不限于该实施例。例如，本发明不限于提供处理液的基板清洗装置，也可以采用其它各种处理液等对基板进行清洗以外的处理。另外，基板不限于半导体晶片，也可以是其它的LCD基板用玻璃、CD基板、印刷基板、陶瓷基板等。
本实施例中说明了分别设置2个吻合凸部件295和吻合凹部件297的情况，但也可以设置3个以上吻合凸部件295、和与吻合凸部件95相同个数的吻合凹部件297，在3处以上进行吻合。这样，可以进一步稳定旋转卡盘260和顶板290的吻合，可以进一步稳定地一体转动旋转卡盘260和顶板290。
使顶板290和旋转卡盘260吻合和脱离的吻合凹部和吻合凸部在顶板290和旋转卡盘260的某一方设置吻合凹部、另一方设置吻合凸部即可。例如，如图23所示，若在顶板290下面设置吻合凹部件401，将吻合凸部件402分别设置在多个保持部件270的上面，则在晶片W和顶板290下面形成更狭窄的间隙。
对将顶板290吻合到旋转卡盘260的结构也可以利用磁石等。例如，在各吻合凸部件295下面、和各吻合凹部件297的凹部298下面具有磁石，利用它吻合各吻合凸部件295和各吻合凹部件297，可以支撑顶板290。另外，也可以具有检测是否将顶板290吻合到旋转卡盘260的传感器。例如，设置检测各吻合凸部件295的下面、和各吻合凹部件297的凹部298的下面接触的传感器，可以利用该传感器可靠地吻合各吻合凸部件295和各吻合凹部件297。
通过在卡盘板265的与吻合凹部件297不同的高度设置与各吻合凸部件295吻合的多个吻合凹部件组，选择吻合到各吻合凸部件295的某一个吻合凹部件组，可以将顶板290下面和晶片W上面之间形成的间隙幅度调整为多个大小。例如，在卡盘板265的边缘2处具有在比吻合凹部件组297更高的位置与各吻合凸部件295吻合的第2吻合凹部件。即，配置由2个吻合凹部件297构成的第1吻合凹部件组、和由2个第2吻合凹部件构成的第2吻合凹部件组。另外，对吻合凸部件295分别吻合各吻合凹部件297时的间隙高度例如1mm左右，分别吻合第2吻合凹部件时的高度例如5mm左右。即，分别吻合了各第2吻合凹部件和各吻合凸部件295时，比分别吻合了各吻合凹部件297和各吻合凸部件295时，在顶板290下面和晶片W上面之间形成的间隙幅度(高度)更大。像这样，通过可以调整间隙高度，可以进行例如使顶板290下面与由提供给晶片W上面的药液形成的液膜上面接触的处理、和使顶板290下面不与液面上面接触的处理。在进行高温处理时，在与顶板290接触的状态下温度会下降，但考虑到该问题，将吻合凸部件295和第2吻合凹部进行组合，如图24所示，在顶板290和液面之间形成间隙。即，通过在顶板290和液面之间例如形成空气层，可以防止液膜温度下降。另外，通过将顶板290与液膜接近，可以防止药液蒸发。
另外，通过在顶板290设置长度与吻合凸部件295不同的柱状的多个吻合凸部件组，选择某一个吻合到各吻合凹部件297的吻合凸部件，可以将顶板290下面和晶片W上面之间形成的间隙幅度调整为多个高度。例如，在顶板290的边缘2处配设长度比吻合凸部件295长的柱状的第2吻合凸部件，使对吻合凹部件297分别吻合了吻合凸部件295时的间隙高度例如1mm左右，分别吻合了第2吻合凸部件时的间隙高度例如5mm左右。此时，也可以对由提供给晶片W的药液形成的液膜进行与顶板290下面接触的处理、和使液膜不与顶板290下面接触的处理。
另外，也可以在顶板升降机构300具有夹持机构305。图23所示的夹持机构305把持设置在顶板290的凸部406，由顶板升降机构300升降。另外，在顶板290吻合在旋转卡盘260的状态下，夹持机构405对设置在顶板290的凸部406进行把持或解除把持。另外，也可以构成为形成包围供给口340的、垂直于顶板290上面的圆筒状的壁面，将该圆筒部分作为凸部406，使夹持机构405与圆筒部分的外壁直接接触并把持凸部406。
也可以将处理液供给喷嘴351设置成倾斜于顶板290的状态。此时，通过将处理液供给喷嘴351前端的最低点停止在锥部342的上方并倾斜吐出处理液，使处理液通过供给孔340提供给晶片W中心部。这样，在药液或净化液供给停止后，将处理液供给喷嘴351从供给孔340上方移动之前，即使残留在处理液供给喷嘴351内部的处理液从最低点落下，供给孔340周边的锥部342也可以接受落下的液滴。
另外，从处理液供给喷嘴351提供氟酸(HF)，利用未图示的切换单元，将吐出的处理液切换到SC-1、纯水或HF的任一个。以下，说明作为第1药液采用SC-1液、作为第2药液采用HF的晶片W的清洗处理。
首先，对晶片W采用SC-1液进行处理。如图20所示，对晶片W的两面接近顶板290和底板370，从处理液供给喷嘴351向供给孔340提供SC-1液，在晶片W的两面形成SC-1液膜，将晶片W低速转动规定时间。晶片W两面的SC-1处理结束之后，利用转动从旋转卡盘260、晶片W、顶板290、底板370甩掉SC-1，排出到内室385内。接着，降低内室385，采用处理液供给喷嘴351提供给供给孔340的纯水进行晶片W两面的净化处理。接着，利用旋转卡盘260的转动，从旋转卡盘260、晶片W、顶板290、底板370甩掉纯水，排出到外腔246内。接着，停止晶片W、旋转卡盘260、顶板290的转动，如图21所示，提升顶板290，从旋转卡盘260脱离。接着，从2流体混合喷嘴355对转动的晶片W上面提供混合流体并处理。供给晶片W的处理的混合流体排出到外腔246内。
接着，采用HF进行处理。首先，如图20所示，停止晶片W和旋转卡盘260的转动，顶板290下降，在接近于晶片W的状态下吻合到旋转卡盘260。接着，顶板升降支撑部件310从顶板290脱离并退避。另一方面，底板370接近晶片W。接着，处理流体供给器280从喷嘴存储腔277内向顶板290的上方移动，从处理液供给喷嘴351作为药液吐出HF。HF通过供给孔340提供给晶片W的中心部附近。另一方面，一体转动旋转卡盘260、由旋转卡盘260保持的晶片W、顶板290。提供给晶片W中心部附近的HF因晶片W的转动产生的离心力流向晶片W的外周方向。另外，从下面供给路378也作为药液提供HF，在晶片W的两面形成HF的液膜。接着，处理流体供给器280和下面供给路378停止HF供给，以不破坏液膜的程度低速转动晶片W规定时间。之后，利用旋转卡盘260的转动，从旋转卡盘260、晶片W、顶板290、底板370甩掉HF，并排出到外腔246内。
接着，采用处理液供给喷嘴351提供给供给孔340的纯水对晶片W两面进行净化处理。之后，通过一体高速转动旋转卡盘260、晶片W、顶板290，从旋转卡盘260、晶片W、顶板290、底板370甩掉纯水。即，通过高速转动晶片W进行干燥。接着，将顶板290上升并从旋转卡盘260脱离，下降底板370。接着，从基板清洗单元212内搬出晶片W。
在晶片W形成SC-1、HF等药液的液膜时，在顶板290和底板370之间，使整个晶片W被药液包围。即，使提供给晶片W两面的药液绕到晶片W的侧面(外周面)，如图16所示，在晶片W的两面和侧面也形成药液的液膜。此时，对晶片W的侧面也可以进行药液处理，可以进一步提高处理品质。另外，若在顶板290下面形成的面291的边缘部291’位于晶片W上面边缘部的稍微外侧，底板270上面的边缘部370’位于晶片W的下面边缘部的稍微外侧，则由于在边缘部291’和370’之间可以形成药液的液膜，所以可以容易形成包围晶片W的边缘部的液膜。另外，在液膜形成后，从处理流体供给器280和下面供给路378继续提供药液，一边在晶片W两面形成从中心向外周流动的液膜，一边提供药液。
晶片W上面的SC-1、HF等药液的液膜能以将顶板290从晶片W上面离开的状态形成。例如，在将顶板290从晶片W上面离开的状态下，将处理流体供给器280移动到晶片W的上方。接着，通过将晶片W和旋转卡盘260一体静静转动，将处理液供给喷嘴351至少从晶片W的中心移动到边缘，将从处理液供给喷嘴351吐出的SC-1提供给整个晶片W上面。这样，在晶片W上面形成了SC-1液膜之后，将处理流体供给器280从晶片W上方退避，下降顶板290。接着，通过将顶板290下面与液膜接触，可以在顶板290和晶片W上面之间只放入SC-1。另外，顶板290下面如图24所示，可以与液膜上面之间形成间隙并接近。此时，具有用顶板290防止药液蒸发的效果。
净化处理、干燥处理可以在将顶板290从晶片W上面离开的状态下进行。例如，一边将晶片W与旋转卡盘260一体转动，一边将2流体混合喷嘴355至少从晶片W的中心移动到边缘，将纯水或干燥用N2气体提供给整个晶片W上面。
根据本发明的基板处理装置和基板处理方法，可以减少转动驱动机构的个数，减少转动驱动机构产生的颗粒。另外，可以小型化基板处理装置，降低转动驱动机构所需的成本。由于在基板上方不存在颗粒的产生源，所以可以抑制颗粒的影响。由于可以在基板和上面部件之间稳定形成狭窄的间隙，所以可以进行高效处理。
另外，根据本发明的基板处理装置和基板处理方法，可以实施将上面部件吻合到旋转卡盘，将上面部件与旋转卡盘和基板一体转动并处理的方法、和将上面基板从旋转卡盘脱离，将处理流体供给喷嘴在上面部件和基板之间移动并提供处理流体的方法。

Claims (32)

1.一种对基板提供处理流体并处理的基板处理装置，具有保持上述基板的旋转卡盘和接近上述基板并覆盖其上面的上面部件，其特征在于：上述旋转卡盘支撑上述上面部件，并且上述上面部件与上述旋转卡盘一体转动。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：上述旋转卡盘具有保持上述基板的保持部件、和支撑该保持部件的卡盘部件，上述上面部件一体不可分地固定于上述卡盘部件。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：具有将上述上面部件下降至接近上述基板的位置和上升至离开上述基板的位置的上面部件升降机构。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：具有设置在上述卡盘部件的导栓，和相对于该导栓可滑动、同时在上述基板的上方支撑上述上面部件的上面部件支撑部件，上述上面部件升降机构具有挤压上述上面部件支撑部件的挤压部件。
5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：设置转动上述卡盘部件的转动驱动机构，将该转动驱动机构和上述上面部件升降机构配置在上述基板的下方。
6.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：具有对上述基板提供处理流体的处理流体供给喷嘴，在上述上面部件的中央设置使上述处理流体供给喷嘴提供给基板的处理流体通过的供给孔。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：上述处理流体供给喷嘴的最低点位于偏离上述供给孔上方的位置，上述供给孔的周边部可接收从上述处理流体供给喷嘴落下的处理流体。
8.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：具有对上述上面部件的上部提供气体的纯化用气体喷嘴。
9.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：具有从下方接近上述基板并覆盖上述基板的下面的下面部件、和将上述下面部件在接近上述基板的位置、和离开基板的位置升降的下面部件升降机构。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于：具有转动上述卡盘部件的转动驱动机构，该转动驱动机构具有支撑上述卡盘部件的筒体，具有贯插该筒体内部形成的空洞，支撑上述下面部件的下面部件轴，具有对上述卡盘部件和上述下面部件之间和/或上述空洞提供惰性气体的惰性气体供给路径。
11.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：设置在与转动的基板同一高度开口的排出口，将流向上述基板的周围的流体从上述排出口排出。
12.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：上述上面部件相对于上述旋转卡盘自由吻合和脱离，将上述上面部件吻合到上述旋转卡盘，并一体转动上述上面部件和上述旋转卡盘。
13.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于：上述上面部件相对于上述旋转卡盘自由升降，在上述上面部件和上述旋转卡盘的一方设置吻合凹部、在另一方设置吻合凸部，在上述上面部件相对于上述旋转卡盘下降时，上述吻合凹部和上述吻合凸部吻合，在上升了时，上述吻合凹部和上述吻合凸部脱离，在上述吻合凹部和/或上述吻合凸部设置有用于容易插入上述吻合凸部的圆锥部。
14.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于：具有将上述上面部件在下降并吻合到上述旋转卡盘的位置、和上升并脱离上述旋转卡盘的位置升降的上面部件升降机构。
15.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于：上述上面部件升降机构具有支撑从上述旋转卡盘脱离的上述上面部件的支撑部件，在上述上面部件设置有可与上述支撑部件吻合和脱离的吻合部，在上述上面部件吻合到上述旋转卡盘的状态下，使上述吻合部和上述支撑部件脱离。
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于：上述吻合部和上述支撑部件的吻合和脱离是通过相对旋转上述上面部件和上述旋转卡盘来进行的。
17.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于：上述上面部件升降机构具有把持上述上面部件的夹持机构。
18.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于：在上述上面部件的中央设置使提供给基板的处理流体通过的供给孔。
19.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于：具有1个或2个以上吐出提供给基板的处理流体的处理流体供给喷嘴，具有将上述处理流体供给喷嘴在上述基板的上方中至少从上述基板的中心移动至边缘的臂。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于：至少具有1个在处理液中混合气体并吐到基板的上述处理流体供给喷嘴。
21.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于：上述臂在上述上面部件从上述旋转卡盘脱离的状态下，将上述处理流体供给喷嘴移动到上述基板的上方。
22.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于：具有包围上述基板、上述旋转卡盘和上述上面部件的腔、和密闭上述处理流体供给喷嘴并存储的处理流体供给喷嘴存储部，设置了用于将上述处理流体供给喷嘴从上述处理流体供给喷嘴存储部移动至上述腔内的自由开闭的开口。
23.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于：设置了相对于上述基板的背面相对上升接近、下降离开的下面部件。
24.一种对基板提供处理流体并进行处理的基板处理方法，其特征在于：使接近上述基板并覆盖上述基板的表面的上面部件上升，利用保持部件保持上述基板，下降上述上面部件，在接近上述基板的表面的状态下，对在上述上面部件和上述基板之间形成的间隙提供处理流体，一体转动上述基板、上述保持部件以及上述上面部件来处理上述基板，之后，停止上述基板、上述保持部件以及上述上面部件的转动，上升上述上面部件并搬出上述基板。
25.如权利要求24所述的基板处理方法，其特征在于：在处理中，对上述上面部件的上部提供气体。
26.如权利要求24所述的基板处理方法，其特征在于：在处理中，将下面部件与上述基板的背面接近。
27.一种对基板提供处理流体并进行处理的基板处理方法，其特征在于：在上升了上面部件的状态下，由旋转卡盘保持基板，下降上述上面部件并与上述基板的上面接近，成为吻合于上述旋转卡盘的状态，对上述上面部件和基板之间形成的间隙提供处理流体，进行一体转动上述基板、上述旋转卡盘以及上述上面部件的第1转动，并处理基板，停止上述基板、上述旋转卡盘以及上述上面部件的第1转动，在上升上述上面部件并脱离了上述旋转卡盘的状态下，进行一体转动上述基板和旋转卡盘的第2转动，并处理基板，停止上述基板和旋转卡盘的第2转动，解除上述旋转卡盘对基板的保持。
28.如权利要求27所述的基板处理方法，其特征在于：在停止上述基板和旋转卡盘的第2转动之后，再次下降上述上面部件而接近上述基板的上面，成为吻合到上述旋转卡盘的状态，对上述上面部件和基板间形成的间隙提供处理流体，进行一体转动上述基板、旋转卡盘以及上面部件的第3转动，并处理基板，停止上述基板、旋转卡盘以及上面部件的第3转动，上升上述上面部件而从上述旋转卡盘脱离，解除上述旋转卡盘对基板的保持。
29.如权利要求27所述的基板处理方法，其特征在于：对上述上面部件和基板间形成的间隙提供处理流体时，使上述上面部件与提供给上述基板上面的处理流体接触。
30.如权利要求27所述的基板处理方法，其特征在于：对上述上面部件和基板间形成的间隙提供处理流体时，使上述上面部件不与提供给上述基板上面的处理流体接触。
31.如权利要求27所述的基板处理方法，其特征在于：在上升上述上面部件并从上述旋转卡盘脱离的状态下，一体转动上述基板和旋转卡盘而处理基板时，在上述上面部件和基板之间，使处理流体供给喷嘴至少从上述基板的中心移动至边缘，从上述处理流体供给喷嘴向转动的基板提供处理流体。
32.如权利要求27所述的基板处理方法，其特征在于：在处理上述基板时，进一步上升下面部件而接近上述基板的下面，对上述下面部件和上述基板间形成的间隙提供处理流体，处理上述基板的下面。
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