CN1845351A - 发光二极管 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管包括:具有主表面(15u)的衬底(15);设置在主表面(15u)上的发光二极管器件(16);透明密封树脂部分(18),密封发光二极管器件(16),从而使发光二极管器件(16)实现为从主表面(15u)凸出的单独凸起部分;以及反射器(19),它被设置在主表面(15u)上,以便利用倾斜表面(19f)在离外周长一定距离处环绕密封树脂部分(18)的外周长。

Description

发光二极管
这份非临时申请系基于2005年4月8日向日本专利局提出的日本专利申请No.2005-112292,本文将其引为参考文献。
技术领域
本发明涉及发光二极管,具体地说,涉及一种适用于便携式信息终端等中的闪光灯或各种指示灯的表面安装、顶部发光的发光二极管。
背景技术
日本专利未审公开No.11-087780公开了一种典型的传统表面安装、顶部发光的发光二极管。下面给出该发光二极管的说明。
例如有如图27所示那样,发光二极管100的结构是,将发光二极管器件16安装在自不透光反射盒1上表面凹陷的反转截头体状的凹陷部分1r的底部表面上,并用透光密封树脂部分8完全填充凹陷部分1r,以便密封发光二极管器件。两个金属衬垫部分3a、3b被设置在凹陷部分的底部表面上。发光二极管器件16被安装在金属衬垫部分3a的表面上,同时它借由从它的上表面延伸的金线7与金属衬垫部分3b接合。两个金属衬垫部分3a、3b分别与设置在不透明反射盒1之外的两个端电极部分2a、2b电连接。
例如,日本专利未审公开No.2004-327955和2000-2944838述及其他典型的传统表面安装、顶部发光的发光二极管。
近年来,发出白光的表面安装、顶部发光的发光二极管,或者发出红、绿和蓝组合的多种颜色的表面安装、顶部发光的发光二极管被用于便携式终端中的闪光灯或接收指示灯。对于用在便携式终端中而言,需要不仅能够实现亮度并能发出各种颜色光的发光二极管。
具有散射效果的材料通常被用于上述不透明反射盒1。在这种情况下,虽然光束扩散角较宽,但难以获得高亮度的发光二极管。
发明内容
本发明的目的在于提供一种实现高亮度并且方向性窄到可以被用于便携式终端的闪光灯程度的发光二极管。
为实现上述目的,按照本发明的发光二极管,它包括:具有主表面的衬底;设在主表面上的发光二极管器件;金属线,被布置成使发光二极管器件与主表面互相电连接;透明密封树脂部分,密封发光二极管器件和金属线,从而使发光二极管器件和金属线实现从主表面凸出的单独凸起部分;以及反射器,设置于主表面上,以便利用倾斜表面在离外周长一定距离处环绕密封树脂部分的外周长。
从下面结合附图对本发明的详细说明,可使本发明的上述和其他目的、特征、方面和优点变得显而易见。
附图说明
图1是本发明实施例1的发光二极管的透视图;
图2是本发明实施例1的发光二极管的截面图;
图3是本发明实施例2的发光二极管的透视图;
图4是将本发明实施例2的发光二极管装附反射器之前状态下的平面图;
图5是本发明实施例3的发光二极管中心部分的放大透视图;
图6是本发明实施例3的发光二极管中心部分的放大平面图;
图7是本发明实施例4的发光二极管中心部分的放大透视图;
图8是本发明实施例4的发光二极管中心部分的放大平面图;
图9是本发明实施例1的发光二极管中所用反射器的透视图;
图10是本发明实施例1的发光二极管中所用反射器的平面图;
图11是本发明实施例4的发光二极管中所用反射器的透视图;
图12是本发明实施例4的发光二极管中所用反射器的平面图;
图13是沿图12中线XIII-XIII的截面图;
图14是表示本发明中反射器形状的第一附图;
图15是表示本发明中反射器形状的第二附图;
图16是表示本发明中反射器形状的第三附图;
图17是表示本发明中反射器形状的第四附图;
图18是表示本发明中反射器形状的第五附图;
图19是表示本发明中反射器形状的第六附图;
图20是表示本发明中密封树脂部分形状的第一附图;
图21是表示本发明中密封树脂部分形状的第二附图;
图22是本发明实施例5的正予装配的发光二极管的透视图;
图23是本发明实施例5发光二极管的透视图;
图24是本发明实施例5发光二极管的截面图;
图25是本发明实施例6发光二极管的透视图;
图26是本发明实施例6发光二极管的截面图;
图27是现有技术发光二极管的截面图。
具体实施方式
(实施例1)
以下将结合图1和2说明本发明实施例1的发光二极管。图1和2分别示出发光二极管101的透视图和截面图。发光二极管101包括:具有主表面15u的衬底15;设置于主表面15u上的发光二极管器件16;金属线17,设置成用以使发光二极管器件16与主表面15u互相电连接;透明密封树脂部分18,密封发光二极管器件16和金属线17,从而使发光二极管器件16和金属线17实现为从主表面15u凸出的单独凸起部分;以及反射器19,它被设置在主表面15u上,以便利用倾斜表面19f在离外周长一定距离处环绕密封树脂部分18的外周长。所述衬底15成矩形形状,并在衬底15的相对两侧设置端电极部分11a、11b。图1中的主表面15u用作衬底15的上表面,并在主表面15u上设置金属衬垫12a、12b。金属衬垫12a、12b都由金属薄膜实现,并且覆盖主表面15u上的中间有间隔的不同区域。端电极部分11a与金属衬底部分12a电连接,而端电极部分11b与金属衬垫部分12b电连接。
反射器19的底部具有底部表面开口部分19b,并在底部表面开口部分19b中暴露主表面15u和金属衬垫部分12a、12b。发光二极管器件16的下表面用导电黏合剂黏着于主表面15u上的金属衬垫部分12a。发光二极管器件16的上表面和金属衬垫部分12b通过使用金属线17的引线接合而互相电连接。优选的是,用金线来实现金属线17。
制作发光二极管时,将发光二极管器件16黏着于衬底15上,实现使用金属线17的接合,并且在形成密封树脂部分18之后,装附反射器19。
在本实施例中,将密封树脂部分设置成不完全填充反射器的凹陷部分,而是仅覆盖发光二极管期间和金属线,使之实现为单独的突起部分。由此,从发光二极管器件发射出的光通过密封树脂部分的距离变短,并且光损耗相应地减少。因此增加了发射到外部的光的量,并且发光二极管获得的亮度比传统示例中所能获得的亮度亮。此外,因为用于形成密封树脂部分所需的树脂的量少于传统发光二极管中的量,可以实现成本的缩减。
虽然本实施例中述及在上、下表面当中的每一个面上具有电极的发光二极管器件16,但也可以使用在一个表面上具有两个电极的发光二极管器件。如果发光二极管器件是一种在上表面上具有两个电极的器件,则将两条金属线用于使上表面上的两个电极与主表面15u电连接。在这种情况下,密封树脂部分应该覆盖所述两条金属线。同样地,可以采用在下表面上具有两个电极的发光二极管器件,在这种情况下,可以利用焊锡球等实现与主表面15u的接合。这里,所说的结构可以是在发光二极管器件的上部侧面上不出现金属线,而且可以减少密封树脂部分所需的树脂的量。
(实施例2)
以下结合图3和4说明本发明实施例2的发光二极管。发光二极管102是一种利用树脂共同地密封多个发光二极管器件16的发光二极管。图3示出发光二极管102的透视图,而图4示出在装附反射器之前的状态下的发光二极管102的平面图。图4以双点锁虚线表示反射器中通孔的上和下轮廓形状。如图3所示,发光二极管102包括:具有主表面15u的衬底105h,;设置于主表面15u上的多个发光二极管器件16;多条金属线17,设置成用于分别使多个发光二极管器件16与主表面15u互相电连接;透明密封树脂部分18h,共同地密封多个发光二极管器件16和多条金属线17,从而使多个发光二极管器件16和多条金属线17实现为从主表面15u凸出的单独凸起部分;以及反射器32,它被设置于主表面15u上,以便利用倾斜表面32f在离外周长一定距离处环绕密封树脂部分18h的外周长。如图4所示,衬底15h包括端电极部分,他们是发光二极管器件16数目的两倍数目。沿衬底15h的相对两侧,按照分布式方式设置端电极部分22a、22b、22c、22d、22e、22f、22g和22h。设置在衬底15h的主表面15u上的金属衬垫部分的数目同样也是发光二极管器件16的数目的两倍。例如,金属衬垫部分21a与端电极部分22a电连接,而金属衬垫部分21b与端电极部分22b电连接。
本实施例中,由于设置多个发光二极管器件,使发光二极管可以获得更高的亮度。此外,本实施例中使设置在密封树脂部分18h中的多个发光二极管器件16当中的每一个发出不同颜色的光,因此,整体上可以获得发出各种颜色光的发光二极管。
(实施例3)
下面结合图5和6说明本发明实施例3的发光二极管。发光二极管103是一种利用树脂分别密封多个发光二极管器件16的发光二极管。图5和6分别示出发光二极管103的中心部分的放大透视图和放大平面图。图6示出装附有反射器之后的状态。所述发光二极管103包括:具有主表面15u衬底;设置于主表面15u上的多个发光二极管器件16;多条金属线17,设置成用于分别使多个发光二极管器件16与主表面15u互相电连接;多个透明密封树脂部分18i,分别密封每一组多个发光二极管器件16和多条金属线17,从而使多组发光二极管器件16和多条金属线17当中的各个组实现为从主表面15u凸出的单独凸起部分;以及反射器32,它被设置在主表面15u上,以便利用倾斜表面32f在离外周长一定距离处环绕多个密封树脂部分18i的外周长。这种结构其他部分基本上与实施例2相同。
在本实施例中,如果在多个发光二极管器件中包含发出不同颜色光的发光二极管器件,与如实施例2所述利用树脂共同地密封发光二极管器件的发光二极管相比,可以实现发出更多种颜色光的发光二极管。由于设置有各个密封树脂部分18i,可以根据封装发光二极管器件16的类型选择使用不同类型的树脂。也就是说,可以由不同材料组成的密封树脂部分的组合实现发光二极管中的多个密封树脂部分18i。例如,利用透明树脂或含散射物质树脂来密封发出红、绿或蓝色光的发光二极管器件,而利用含磷树脂来密封发出蓝或近紫外颜色光的发光二极管器件。按照这种方式,增加了可由发光二极管表示的颜色种类。
(实施例4)
下面结合图7和8说明本发明实施例4的发光二极管。就像实施例3所述的那样,发光二极管104也是一种利用树脂分别密封多个发光二极管器件16的发光二极管,然而,实施例4与实施例3的不同之处在于反射器的结构。图7示出发光二极管104中心部分的放大透视图,并且图8示出发光二极管104在装附有反射器之后的状态下的平面图。发光二极管104包括反射器33。反射器33被设置在主表面15u上,以便利用倾斜表面33f在离外周长一定距离处环绕多个密封树脂18I当中每一个的外周长。这种结构的其他部分实质上与实施例3相同。
虽然图8中反射器33的分块部分上的脊线成十字形,所以,中心山形部分的顶部实际上是圆形,有如图7所示那样。因此,图8中在中心周围不能够看见脊线。图7中中心山形部分的顶部可以是圆形的,具有设置曲率的较大半径。作为可供选择的方式,可以在中心山形部分的顶部保持平坦的顶部表面。
按照实施例3的结构,即使以组合的方式布置发出不同颜色光的发光二极管器件16,也会设置具有单个较大凹陷部分的反射器32。在这种情况下,可以在不平衡的方式下直观地辨别颜色。相反地,根据本实施例(实施例4),分别由反射器33的倾斜表面33f在离外周长一定距离处环绕各个密封树脂部分18i,并且可以减轻颜色直观辨别中的不平衡程度。在高亮度和颜色直观辨别中不存在不平衡的方面本实施例尤其有利。如实施例3所述,作为多个密封树脂部分18i,可以组合地使用不同种类的树脂。
实施例1至4示出了表面安装、顶部发光的发光二极管。这里,在这些发光二极管中使用的反射器,按照形状大致被分为两种结构类型。下面将说明反射器的形状。
图9和10分别示出实施例1中所示发光二极管101中所用的反射器19的透视图和平面图。由反射器的倾角和高度并由发光二极管的外周长定义底部表面开口部分19b的直径D1的最大值。由发光二极管器件的芯片大小(引线接合等所需的尺寸)定义直径D1的最小值。优选的是,将直径D1设置为从至少2.5mm到至多2.7mm。把用作反射表面的倾斜表面19f的倾角设定为60°-70°。发光二极管102、103中所用的反射器32同样具有类似的形状。这里的“倾角”指当把反射器装附在衬底上时,衬底的主表面和倾斜表面之间的角。
图11和12分别示出实施例4中所示发光二极管104中使用的反射器33的透视图和平面图。把与各个发光二极管器件相对应的反射器33的底部表面开口部分33b的直径D2设定为至多2.7mm。由外反射表面33f1和内反射表面33f2实现反射器33的倾斜表面33f。图13是沿图12中线XIII-XIII的截面图。把外反射表面33f1的倾角设定为60°-70°,而将内反射表面33f2的倾角设定为55°-70°。
上述反射器具有倾角恒定的反射表面。与在一个发光二极管中设置单个发光二极管器件还是设置了多个发光二极管器件无关,如果环绕发光二极管的反射表面具有恒定的倾角,发光二极管往往具有较宽方向性的特性。这里,有如图14所示那样,通过组合三种斜率,实现反射器的外反射表面,由此获得具有较窄方向性的发光二极管。于是,发光二极管可以具有适用于闪光灯的方向性。图14是具有较大底部表面开口部分32b的反射器32的截面图,反射表面具有倾角α、β、γ的三种斜率。通过图14示出了反射器32,还可以按照类似的方式实现反射器19。
图15是各自环绕发光二极管器件并具有倾角α、β、γ的三种斜率的反射器33的截面图。如图15所示,随着离发光二极管器件的距离变大斜率变大,即可以建立α<β<γ的关系。作为一种可供选择的方式,如图16所示,在各倾角(即外发射表面的三种斜率)中间,可以建立α<β、β>γ的关系。
优选的是,在反射器33中,外反射表面33f1具有满足α<β<γ关系的三种斜率,或者满足α<β、β>γ关系的三种斜率,而内反射表面33f2具有满足δ<ε关系的角,如图17所示。利用这种形状,如果图14所示的反射器32被用于图3所示的发光二极管102,并将其倾角设定为α=45°、β=60°以及γ=70°,可以得到具有高亮度和较窄方向性的发光二极管。也就是说,最好通过以近似45°、近似60°和近似70°的三种斜率的顺序组合,实现倾斜表面。
虽然可斜率数目设为3或更多,但最好使倾角朝向顶部变大。如果反射器的斜率数目无限增多,则反射器具有实质上为弧形的横截面,如图18所示的反射器32的倾斜表面34f的情况,而这种形状同样是可以接受的。换句话说,反射器的倾斜表面可以是其横截面实质上为弧形的形状,并且斜率随着离衬底主表面的距离变大而变大。这对于外反射表面和内反射表面都是适用的。因此,如图19所示反射器35的情况,外反射表面35f1和内发射表面35f2都可以具有实质上为弧形的横截面。在上述每一种实施例中,如果用作倾斜表面的外反射表面或内反射表面的横截面近似为具有半径近似为0.2mm的弧形,可以获得极好的特性。当利用这种反射器制造表面安装、顶部发光的发光二极管时,获得的半角宽度θ1/2为35°。
对于反射器的材料来说,通常使用具有散射效果的材料。另一方面,单独使用这种材料不能够实现具有适用于闪光灯的高亮度的表面安装、顶部发光的发光二极管。因此,要使反射器表面经过镜面加工处理,以便提高反射率,从而可以获得具有适用于闪光灯的高亮度的表面安装、顶部发光的发光二极管。可以通过使用铝或银的镜面加工电镀,实现镜面加工处理。由于可以实现特定的高亮度,所以,使用这种材料的镜面加工电镀是优选的方式。使反射器的整个表面,或者仅使反射器凹陷部分的内表面经过镜面加工电镀。如果在整个表面上的镜面加工电镀的情况和仅在反射器的凹陷部分的内表面上的镜面加工电镀的情况之间实质上同样地能实现高亮度的效果,则由于具有较低成本,而优选地仅使所述凹陷部分的内表面经过镜面加工电镀。
以下说明上述每一种实施例的发光二极管中所用的密封树脂部分。用来形成密封树脂的树脂种类包括:透明树脂、含散射物质树脂以及含磷树脂。尽管存在发出各种颜色光的发光二极管器件,但对于发出任意颜色光的发光二极管器件,可以使用透明树脂和含散射物质树脂。另一方面,仅仅是对于蓝色或近紫外的发光二极管,才可以使用含磷树脂。虽然含磷树脂适用的发光二极管的种类有限,但在发光二极管102、103和104的示例中,所有四个发光二极管器件16都可以由蓝色至近紫外发光二极管器件来实现,并由含磷树脂密封,从而实现具有高亮度的发光二极管。
上述各实施例中,示出有如图20所示的实质上为半球形的密封树脂部分,然而,密封树脂部分的形状不限于此。所述密封树脂部分可以为图21所示的柱状。此外,密封树脂部分可以是基本上呈柱状的形状,而不局限于精确的柱状。可以按照如下的方式形成图21所示形状的密封树脂部分:把具有柱状开口部分的用来成形的板材构件放置于衬底上,将树脂注入开口部分,并随后使之固化,而且从衬底上去除用于成形的板材构件。作为发明人的研究结果发现,当在图20中的密封树脂部分的底部表面与反射器之间存在距离时,光输出变大。这是由于在上述每一实施例中在离密封树脂部分一定距离处设置反射器的缘故。在发明人研究的示例中,发现当把反射器的底部表面开口部分的直径D1设定为2.5mm,并将密封树脂部分的底部表面的直径d1设定为2mm时,光的输出最大。无论密封树脂部分处于基本上呈半球形状或柱状形状,对于密封树脂部分的外周长和反射器的底部表面开口部分的内周长之间的距离的优选条件来说,都是相同的。这时因为发光二极管器件的发光点靠近底部表面,也就是距离底部表面近似为10μm处。可以预期,若发光点位于距离底部表面100μm的高处,根据密封树脂部分的形状,会产生差别。
优选的是,同样把图21中密封树脂部分的底部表面的直径d2设定为至多2mm。作为这种尺寸的设定结果,实现了适用于上述反射器的密封树脂部分。
如果有如图21所示那样密封树脂部分呈柱状,则容易控制外径和高度。确保外径和高度的控制是优选的。具体地说,为了提高反射率,最好在反射器和密封树脂部分之间插入预定距离,以便避免反射器的内周长和密封树脂部分之间的干扰。为了满足这种要求,相对于通过滴落树脂所获得的图20所示形状的密封树脂部分,图21所示的柱状的密封树脂部分是优选的,因为更容易将外径控制为不大于预定值的大小。
(实施例5)
此外,作为密封树脂部分的改型,可以使用层压部分的结构。结合图22至24来说明本发明实施例5的发光二极管。在装配发光二极管的过程中,最初如图22所示,将所谓层压部分20的板材构件层压到衬底15上。层压部分20具有柱状开口部分23。把层压部分20层压于衬底15的主表面15u上,由此,在开口部分23暴露衬底15的主表面15u。虽然这里首先实行对层压部分20的层压,但发光二极管器件16的设置可以先于层压部分20的层压,或者反之亦可。在这种情况下,提供透明树脂,以填充开口部分23中的内部空间,从而密封发光二极管器件16。于是,形成了由透明树脂实现的密封树脂部分18j。这之后如图23所示,设置反射器19,并且得到发光二极管105。图24示出了发光二极管105的截面视图。
发光二极管105包括:具有主表面15u的衬底;被层压在衬底15上的层压部分20,而且由具有用来暴露主表面15u之开口部分25的板材构件实现;设置在开口部分23中的主表面15u上的发光二极管器件16;透明密封树脂部分18j,它按照填充开口部分23中空间的方式密封发光二极管器件16;以及反射器19,它被设置在与衬底15相对的层压部分20的表面上,以便在离外周长一定距离处利用倾斜表面19f环绕开口部分23的外周长。
在本实施例的发光二极管105中,由利用树脂填充开口部分23中的空间来形成密封树脂部分18j。也就是说,容易利用树脂来密封。此外,由于发光二极管器件16发射的光有效地进入反射器19,所以使得发光二极管能够获得更窄的方向性。在发光二极管105中,提高了光收集性能,并且半角宽度θ1/2为30°。代替反射器19,在所述结构中可以使用上述任意一种反射器。所述发光二极管105的示例包括单个发光二极管器件16,然而,可以安装多个发光二极管器件。
虽然实施例2至4示出了在一个发光二极管中设置四个发光二极管器件的示例,但实施例2至5中要设置的发光二极管器件的数目可以比4更多或更少。
(实施例6)
在上述每一种实施例中,注意力主要集中于并入发光二极管的反射器的内反射表面的形状。如果注意反射器的外部形状,下面的改型也是可以的。结合图25和26说明本发明实施例6的发光二极管。图25和26分别示出发光二极管106的透视图和截面图。发光二极管106是实施例1中所示发光二极管101(参见图1和2)的改型,而且,它包含反射器36,用以代替发光二极管101的反射器109。如图25和26所示,反射器36具有上表面25,该上表面在倾斜表面36f的外部上没,与衬底15的主表面15u平行地延伸,反射器36还具有比上表面25低的环绕上表面25的外周长的段差部分24。
在规模生产反射器时,以在矩阵中设置大量反射器的集合衬底的状态形成反射器,这之后通过切割将该衬底划分为独立产品。如果在反射器表面上按照镜面加工处理实行利用金属膜的电镀,在通过切割划分之前,在上述集合衬底上执行电镀。在这种情况下,如果反射器不具有段差部分24,在切割期间在上表面上的金属膜过程中,会引起破碎(即破裂),并且外观较差。而在本实施例中,设置了比上表面低的段差部分24,并且在集合衬底的状态中段差部分24被实现为凹槽。此处,切割刀片通过凹槽的底部进行切割,将衬底划分为独立反射器。由此,即使由切割刀片引起金属膜的破碎,破碎仍然处于段差部分24中,并且可以避免破碎延伸到上表面25。因此可以避免较差的外观和反射表面上的金属膜的剥落。上述段差部分不仅适用于实施例1中的发光二极管101,而且适用于上述其他发光二极管。如果通过在矩阵(即二维)中设置反射器来实现反射器的集合衬底,则优选的是在各个反射器的所有四个侧面上设置段差部分。另一方面,如果通过在一行中设置反射器来实现反射器的集合衬底,则可以仅在各个反射器的相对两侧上设置段差部分。
虽然详细说明并表示了本发明,但可以清楚地理解,这仅是为了描述和示例,而不作为限制,本发明的精神和范围仅由所附各权利要求予以限定。

Claims (16)

1.一种发光二极管,它包括:
具有主表面(15u)的衬底(15);
设置于所述主表面上的发光二极管器件(16);
透明密封树脂部分(18),它密封所述发光二极管器件,使所述发光二极管器件实现成为从所述主表面凸出的单独凸起部分;以及
反射器(19、32、33),设置在所述主表面上,以便利用倾斜表面(19f)在离外周长一定距离处环绕所述密封树脂部分的外周长。
2.一种发光二极管,包括:
具有主表面(15u)的衬底(15h);
设置于所述主表面上的多个发光二极管器件(16);
透明密封树脂部分(18h),共同地密封所述多个发光二极管器件,从而使所述多个发光二极管器件被实现成为从所述主表面凸出的单独凸起部分;以及
反射器(32),设置在所述主表面上,以便利用倾斜表面(32f)在离外周长一定距离处环绕所述密封树脂部分的外周长。
3.一种发光二极管,包括:
具有主表面(15u)的衬底;
设置于所述主表面上的多个发光二极管器件(16);
多个透明密封树脂部分(18i),分别密封所述多个发光二极管器件,从而使所述多个发光二极管器件被实现成为从所述主表面凸出的单独凸起部分;以及
反射器(32、33),设置在所述主表面上,以便利用倾斜表面(32f、33f)在离外周长一定距离处环绕所述多个密封树脂部分的外周长。
4.根据权利要求3所述的发光二极管,其中
所述反射器(33)被设置在所述主表面上,以便利用倾斜表面(33f)在离所述多个密封树脂部分当中每一个的外周长一定距离处环绕所述多个密封树脂部分的每一个。
5.一种发光二极管,包括:
具有主表面(15u)的衬底(15);
层压部分(20),它被层压在所述衬底上,并由具有用于暴露所述主表面的开口部分(23)的板材构件实现;
发光二极管器件(16),设置在所述开口部分中的所述主表面上;
透明密封树脂部分(18j),以填充所述开口部分中的空间的方式密封所述发光二极管器件;以及
反射器(19),设置在与所述衬底相对的所述层压部分的表面上,以便利用倾斜表面(19f)在离外周长一定距离处环绕所述开口部分的外周长。
6.根据权利要求1所述的发光二极管,其中
由至少三种斜率的组合实现所述倾斜表面(32f,33f1)。
7.根据权利要求6所述的发光二极管,其中
由近似45°、近似60°和近似70°的三种斜率的顺序组合实现所述倾斜表面。
8.根据权利要求1所述的发光二极管,其中
所述倾斜表面的形状是其横截面实质上为弧形并且斜率随着离所述主表面距离变大而变大。
9.根据权利要求1所述的发光二极管,其中
所述反射器具有经过镜面加工处理的被倾斜表面。
10.根据权利要求9所述的发光二极管,其中
由使用铝或银的镜面加工电镀实现所述镜面加工处理。
11.根据权利要求1所述的发光二极管,其中
由透明树脂实现所述密封树脂部分。
12.根据权利要求1所述的发光二极管,其中
由含磷树脂实现所述密封树脂部分。
13.根据权利要求1所述的发光二极管,其中
由含散射物质树脂实现所述密封树脂部分。
14.根据权利要求1所述的发光二极管,其中
所述密封树脂部分实质上为半球形状。
15.根据权利要求1所述的发光二极管,其中
所述密封树脂部分实质上为柱状形状。
16.根据权利要求1所述的发光二极管,其中
所述反射器(36)具有在所述倾斜表面的外部上与主表面(15u)平行地延伸的上表面(25),以及比所述上表面低的环绕所述上表面的外周长的段差部分(24)。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102210030A (zh) * 2008-11-10 2011-10-05 夏普株式会社 发光装置、面光源以及显示装置
CN101465300B (zh) * 2007-12-18 2011-11-16 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管光条及其制造方法
CN101803047B (zh) * 2007-09-20 2012-04-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 准直器
CN104160331A (zh) * 2012-02-16 2014-11-19 高通Mems科技公司 闪光灯照明系统
CN105874620A (zh) * 2014-01-08 2016-08-17 皇家飞利浦有限公司 用作完整led封装的深模制反射器杯体
CN112189256A (zh) * 2018-05-25 2021-01-05 克利公司 具有单独可控发光二极管芯片的发光二极管封装

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6359360A (ja) * 1986-08-29 1988-03-15 Koito Mfg Co Ltd ヘツドランプクリ−ナ用超広角ノズル
JP4744178B2 (ja) * 2005-04-08 2011-08-10 シャープ株式会社 発光ダイオード
JP4880927B2 (ja) * 2005-07-01 2012-02-22 日本特殊陶業株式会社 配線基板
JP5130680B2 (ja) * 2006-03-02 2013-01-30 日亜化学工業株式会社 半導体装置およびその形成方法
US20080049445A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Backlight Using High-Powered Corner LED
JP2008060129A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Nec Lighting Ltd フルカラー発光ダイオード
KR101090575B1 (ko) * 2006-09-29 2011-12-08 로무 가부시키가이샤 반도체 발광 장치
DE102006048592A1 (de) * 2006-10-13 2008-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Moduls
JP5205773B2 (ja) * 2006-11-07 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5106094B2 (ja) * 2007-02-22 2012-12-26 シャープ株式会社 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
US8604506B2 (en) 2007-02-22 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same
US8421088B2 (en) 2007-02-22 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode
US7843060B2 (en) * 2007-06-11 2010-11-30 Cree, Inc. Droop-free high output light emitting devices and methods of fabricating and operating same
US8390207B2 (en) * 2007-10-09 2013-03-05 Koninklijke Philipe Electronics N.V. Integrated LED-based luminare for general lighting
US9041042B2 (en) 2010-09-20 2015-05-26 Cree, Inc. High density multi-chip LED devices
JP2009141254A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
US7888688B2 (en) * 2008-04-29 2011-02-15 Bridgelux, Inc. Thermal management for LED
US8080827B2 (en) * 2008-07-31 2011-12-20 Bridgelux, Inc. Top contact LED thermal management
US7859190B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-28 Bridgelux, Inc. Phosphor layer arrangement for use with light emitting diodes
JP2010171379A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
JP2010171294A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Rohm Co Ltd 発光装置
US8120250B2 (en) * 2009-01-27 2012-02-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitter
DE102009001061B4 (de) * 2009-02-23 2016-01-07 Margit Weghenkel Reflektoranordnung für flächige Beleuchtungskörper
US20100237379A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 Wu-Cheng Kuo Light emitting device
US20110062470A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reduced angular emission cone illumination leds
EP2332490B1 (de) * 2009-12-10 2017-10-11 Ivoclar Vivadent AG Lichthärtgerät für Dentalzwecke
KR101245715B1 (ko) * 2010-01-18 2013-03-25 에스디아이 코퍼레이션 발광 장치 패키지 프레임
KR101298406B1 (ko) * 2010-05-17 2013-08-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP2012023184A (ja) * 2010-07-14 2012-02-02 Sharp Corp 発光装置
DE102010047303A1 (de) * 2010-10-01 2012-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Reflektorelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Reflektorelements und eines optoelektronischen Bauelements
KR101803746B1 (ko) * 2010-12-01 2017-12-04 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 칩, 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법
DE102011107893A1 (de) 2011-07-18 2013-01-24 Heraeus Noblelight Gmbh Optoelektronisches Modul mit verbesserter Optik
JP5885701B2 (ja) * 2013-05-21 2016-03-15 三菱電機株式会社 半導体装置の評価装置
JP6165537B2 (ja) * 2013-07-22 2017-07-19 ローム株式会社 Led照明装置
US9532464B2 (en) 2013-07-22 2016-12-27 Rohm Co., Ltd. LED lighting apparatus
JP2015149515A (ja) * 2015-05-28 2015-08-20 シャープ株式会社 発光装置および照明機器
KR102385941B1 (ko) * 2015-06-15 2022-04-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
JP6788375B2 (ja) * 2016-05-11 2020-11-25 スタンレー電気株式会社 発光装置および照明装置
CN109791968A (zh) 2016-07-26 2019-05-21 克利公司 发光二极管、组件和相关方法
DE102016117523A1 (de) 2016-09-16 2018-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelements
US11522108B2 (en) * 2017-06-14 2022-12-06 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Package structure
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
USD902448S1 (en) 2018-08-31 2020-11-17 Cree, Inc. Light emitting diode package
JP2020058713A (ja) * 2018-10-12 2020-04-16 株式会社エンプラス 紫外線照射ユニット及び紫外線殺菌装置
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51124388A (en) * 1975-04-24 1976-10-29 Toshiba Corp Solid state light emitting display unit
FR2574616B1 (fr) * 1984-12-07 1987-01-23 Radiotechnique Compelec Matrice d'element electro-luminescents et son procede de fabrication
CN85104012B (zh) 1985-05-22 1987-12-02 复旦大学 具有金属反射腔的半导体平面发光器件
GB8612065D0 (en) * 1986-05-17 1986-06-25 Lucas Ind Plc Transducer control
JPH0451493Y2 (zh) * 1986-07-29 1992-12-03
DE8713875U1 (de) * 1987-10-15 1988-02-18 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Optisches Senderbauelement
JPH04354384A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Nec Corp 発光ダイオードアレイ
US5331512A (en) * 1992-04-16 1994-07-19 Orton Kevin R Surface-mount LED
JPH0677540A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置
JPH0736459U (ja) * 1993-12-20 1995-07-04 株式会社小糸製作所 発光ダイオード
JPH10308535A (ja) * 1997-05-02 1998-11-17 Citizen Electron Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
DE19727633C2 (de) * 1997-06-28 2001-12-20 Vishay Semiconductor Gmbh Bauteil zur gerichteten, bidirektionalen, optischen Datenübertragung
JP3900606B2 (ja) * 1997-07-17 2007-04-04 シチズン電子株式会社 赤外線データ通信モジュール
JPH1146018A (ja) 1997-07-28 1999-02-16 Citizen Electron Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP3472450B2 (ja) 1997-09-04 2003-12-02 シャープ株式会社 発光装置
JP2000012204A (ja) 1998-06-25 2000-01-14 Canon Inc 加熱装置および画像形成装置
JP2000058924A (ja) 1998-08-06 2000-02-25 Shichizun Denshi:Kk 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP4215306B2 (ja) 1998-08-27 2009-01-28 シチズン電子株式会社 半導体のパッケージおよびその製造方法
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP2000216443A (ja) 1999-01-25 2000-08-04 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオ―ド及びその製造方法
JP2000269551A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
JP2000294838A (ja) * 1999-04-07 2000-10-20 Matsushita Electronics Industry Corp チップ型発光ダイオードアレイ
KR20010111231A (ko) * 2000-06-09 2001-12-17 김윤철 칩 엘이디의 구조 및 그 제조방법
AU2002218796A1 (en) * 2000-07-12 2002-01-21 Tridonic Optoelectronics Gmbh Led light source
DE10041686A1 (de) * 2000-08-24 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einer Vielzahl von Lumineszenzdiodenchips
US6534799B1 (en) * 2000-10-03 2003-03-18 Harvatek Corp. Surface mount light emitting diode package
US6547416B2 (en) * 2000-12-21 2003-04-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Faceted multi-chip package to provide a beam of uniform white light from multiple monochrome LEDs
JP4904623B2 (ja) 2001-01-29 2012-03-28 日亜化学工業株式会社 光半導体素子
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2002314139A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
US20040256630A1 (en) 2001-08-24 2004-12-23 Densen Cao Illuminating light
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
JPWO2003034508A1 (ja) 2001-10-12 2005-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR100439402B1 (ko) * 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
CN2544416Y (zh) 2002-05-17 2003-04-09 葛世潮 大功率发光二极管
JP4289027B2 (ja) * 2002-07-25 2009-07-01 豊田合成株式会社 発光装置
US6686609B1 (en) * 2002-10-01 2004-02-03 Ultrastar Limited Package structure of surface mounting led and method of manufacturing the same
JP4263905B2 (ja) * 2002-12-11 2009-05-13 パナソニック株式会社 Led光源、led照明装置、およびled表示装置
JP4336153B2 (ja) * 2003-02-19 2009-09-30 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP4504662B2 (ja) * 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ledランプ
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
US7029935B2 (en) 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
JP4289144B2 (ja) * 2003-12-15 2009-07-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
JP2005183531A (ja) 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置
TWI286393B (en) 2004-03-24 2007-09-01 Toshiba Lighting & Technology Lighting apparatus
JP4441309B2 (ja) * 2004-03-31 2010-03-31 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP4831958B2 (ja) 2004-12-06 2011-12-07 スタンレー電気株式会社 表面実装型led
JP4744178B2 (ja) 2005-04-08 2011-08-10 シャープ株式会社 発光ダイオード
WO2007002644A2 (en) 2005-06-27 2007-01-04 Lamina Lighting, Inc. Light emitting diode package and method for making same
US8044418B2 (en) 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US8421088B2 (en) 2007-02-22 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode
US8604506B2 (en) 2007-02-22 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101803047B (zh) * 2007-09-20 2012-04-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 准直器
CN101465300B (zh) * 2007-12-18 2011-11-16 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管光条及其制造方法
CN102210030A (zh) * 2008-11-10 2011-10-05 夏普株式会社 发光装置、面光源以及显示装置
CN102210030B (zh) * 2008-11-10 2014-04-23 夏普株式会社 发光装置、面光源以及显示装置
CN104160331A (zh) * 2012-02-16 2014-11-19 高通Mems科技公司 闪光灯照明系统
CN104160331B (zh) * 2012-02-16 2016-03-02 高通Mems科技公司 闪光灯照明系统
CN105874620A (zh) * 2014-01-08 2016-08-17 皇家飞利浦有限公司 用作完整led封装的深模制反射器杯体
CN105874620B (zh) * 2014-01-08 2019-03-29 亮锐控股有限公司 用作完整led封装的深模制反射器杯体
CN112189256A (zh) * 2018-05-25 2021-01-05 克利公司 具有单独可控发光二极管芯片的发光二极管封装
CN112189256B (zh) * 2018-05-25 2024-04-05 科锐Led公司 具有单独可控发光二极管芯片的发光二极管封装

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