CN1773355A - 液晶显示器的基板、具有该基板的液晶显示器及驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于液晶显示器的基板、一种具有该基板的液晶显示器、以及一种驱动该液晶显示器的方法，并提供一种用于允许液晶显示器达到高的显示特性的用于液晶显示器的基板、一种具有该基板的液晶显示器、以及一种驱动该显示器的方法。该基板包括：两个TFT，它们具有连接至栅极总线的栅极和连接至漏极总线的漏极；连接至源极的像素电极；连接至另一个源极并与该像素电极分离的像素电极；另一个TFT，具有连接至另一条栅极总线的栅极和连接至该像素电极的源极；以及缓冲电容器部分，具有连接至另一个漏极的缓冲电容器电极和连接至储能电容器总线的另一个缓冲电容器。

Description

液晶显示器的基板、具有该基板的液晶显示器及驱动方法
技术领域
本发明涉及一种用在电子设备的显示部分的液晶显示器的基板、具有该基板的液晶显示器、以及驱动该显示器的方法。
背景技术
近来，液晶显示器作为电视接收机和个人计算机的监控装置已投入使用。在这些应用中，必须达到高视角特性以允许从所有方向观看显示屏。图20示出了VA(垂直排列)模式液晶显示器的透射率特性相对于所施加电压(T-V特性)的曲线图。横坐标轴代表施加到液晶层的电压(V)，以及纵坐标轴代表光透射率。线A表示在垂直于显示屏的方向(在下文中称作“直角方向”)上的T-V特性，并且线B表示在关于显示屏的90°方位角和60°极角的方向(在下文中称作“倾斜方向”)上的T-V特性。方位角是关于朝着显示屏右边的方向逆时针方向测量的角度。极角是到垂直于显示屏中心的线的角度。
如图20所示，在圈C包围的区域附近的透射率(亮度)过渡中有失真。例如，在大约2.5V的施加电压处，倾斜方向中的透射率比直角方向中的透射率高一个相对较低的灰度，而在大约4.5V的施加电压处，倾斜方向的透射率比直角方向的透射率低一个相对较高的灰度。结果，当在倾斜方向观察时在驱动电压的有效范围内亮度差变小。这种现象出现在作为色调变化的最显著的方式中。
图21A和21B示出在显示屏上显示的图像是如何随视野变化的。图21A示出在垂直于屏幕的方向上观察的图像，并且图21B示出在倾斜方向上观察的图像。如图21A和21B所示，在倾斜方向上观察显示屏时比在直角方向上观察时图像色调显得更加发白。
图22A到22C示出在微红图像中的三原色，即红色(R)、绿色(G)、和蓝色(B)的灰度直方图。图22A示出红色灰度直方图。图22B示出绿色灰度直方图。图22C示出蓝色灰度直方图。图22A到22C的横坐标轴代表灰度(从0到255的256级灰度)，并且纵坐标轴代表出现率(％)。如图22A到22C所示，相对较高灰度的红色以及相对较低灰度的绿色与蓝色以高出现率出现。当这样的图像显示在VA模式的液晶显示器上并被从倾斜方向观察时，高灰度的红色显得比较暗，而低灰度的绿色和蓝色显得比较亮。由于上述三原色之间的亮度差变小，因而图像总体上呈现发白的色调。
上述现象类似地出现在TN(扭曲向列)模式的液晶显示器中，TN模式是一种依据相关技术的驱动模式。专利文献1到3公开了用于缓和在TN模式液晶显示器中的上述问题的技术。图23示出基于已知技术的液晶显示器的一个像素的基本结构。图24示出沿图23中的线X-X截取的液晶显示器的剖面结构，并且图25示出液晶显示器的一个像素的等效电路。如图23到25所示，液晶显示器具有膜晶体管(TFT)基板102、相对基板104、以及密封在基板102和104之间的液晶层106。
TFT基板102具有形成在玻璃基板110上的多条栅极总线112和与栅极总线112交叉形成的漏极总线114，绝缘膜130插入在它们之间。TFT 120置于栅极总线112和漏极总线114的交叉点附近，TFT 120形成为每一像素的开关元件。栅极总线112的一部分充当TFT 120的栅极，并且TFT 120的漏极电连接至漏极总线114。储能电容器总线118形成为穿过由栅极总线112和漏极总线114限定的像素区域并与栅极总线112平行地延伸。储能电容器电极119形成在每一像素的储能电容器总线118上方，绝缘膜130插入在它们之间。储能电容器总线119通过控制电极125电连接至TFT 120的源极122。储能电容器Cs形成在储能电容器总线118和储能电容器电极119之间。
由栅极总线112和漏极总线114限定的像素区域分割成子像素A和子像素B。像素电极116形成在子像素A上，并且像素电极117与像素电极116分离地形成在子像素B上。像素电极116通过接触孔124电连接至储能电容器电极119和TFT 120的源极122。像素电极117电浮接。像素电极117具有与控制电极125相重叠的区域，保护膜132插入在它们之间，并且由于通过在该区域上形成的控制电容Cc的电容耦合，该像素电极117间接地连接至源极122。
相对基板104具有形成在玻璃基板111上的彩色滤光片(CF)树脂层140和形成在CF树脂层140上的公共电极142。液晶电容Clc1形成在子像素A的像素电极116和公共电极142之间，并且液晶电容Clc2形成在子像素B的像素电极117和公共电极142之间。排列膜136和137分别形成在TFT基板102与液晶层106之间的分界面和相对基板104与该液晶层之间的分界面处。
让我们现在假定TFT 120被打开以把电压施加到像素电极116以及电压Vpx1施加到子像素A的液晶层。那么，因为依据液晶电容Clc2和控制电容Cc之间的比例电势被分割，不同于施加到像素电极116的电压被施加到子像素B的像素电极117。施加到子像素B的液晶层的电压Vpx2由下式给出：
Vpx2＝(Cc/(Clc2+Cc))×Vpx1
实际电压比例Vpx2/Vpx1＝(Cc/(Clc2+Cc))是基于液晶显示器的显示特性而设计的项，并且其理想情况是设置在从0.6到0.8的范围内。
当一个像素包括具有如这样描述的彼此不同的阈值电压的子像素A和B时，如图20所示的T-V特性的失真分布在子像素A和B之间。因此可以抑制从倾斜方向观察时图像的发白现象，并由此提高视角特性。该技术在下文中将称作电容耦合HT(半色调灰度级)方法。
虽然在专利文献1到3中公开的上述技术基于该技术用在TN模式液晶显示器的假定基础上，但该技术用在近来取代TN模式成为主流的VA模式的液晶显示器时是更为有利。
图26A到26D是用于解释依据使用电容耦合HT方法的相关技术的出现在液晶显示器中的粘着(stick)的图解。图26A示出了在粘着测试期间显示在屏幕上的黑白棋盘格图案。参考粘着测试，在持续地显示图26A中示出的棋盘格图案一定的时间(例如，48小时)之后，立即在全部屏幕上显示相同灰度的半色调，然后检查棋盘格图案是否在视觉上被察觉。当棋盘格图案在视觉上被察觉时，沿着棋盘格图案测量屏幕亮度以计算粘着速率。让我们假定a代表在视觉上被察觉的棋盘格图案的低亮度区域的亮度并且用a+b代表高亮度区域的亮度。那么，粘着速率定义为b/a。
图26B示出不使用电容耦合HT方法的液晶显示器的屏幕上半色调的显示。图26C示出使用电容耦合HT方法的液晶显示器的屏幕上半色调的显示。如图26B所示，当半色调显示在不使用电容耦合HT方法的液晶显示器上时，基本上没有一个棋盘格图案在视觉上被察觉。在图26B中沿着线Y-Y’测量亮度，在图26D中得到由线c表示的亮度分布。粘着速率仅是0到5％。反之，如图26C所示，在使用电容耦合HT方法的液晶显示器上棋盘格图案在视觉上被察觉。在图26C中沿着线Y-Y’测量亮度，在图26D中得到由线d表示的亮度分布。粘着速率是10％或更多。如这样描述的，在不使用电容耦合HT方法的液晶显示器上基本上没有粘着出现，反之使用电容耦合HT方法的液晶显示器具有出现比较密集的粘着的问题。
作为对出现粘着的液晶显示器的像素特性分布上的估算和分析的结果，揭示了在具有电浮接的像素电极117的子像素B上出现粘着。像素电极117通过具有非常高的电阻的氮化硅膜(SiN膜)连接至控制电极125，并通过也具有非常高的电阻的液晶层连接至公共电极142。因此，像素电极117上的电荷一旦被充电就不容易被放电。每一帧的电势被写入电连接至TFT 120的源极122的子像素A的像素电极116中，并且像素电极116通过TFT 120的有源半导体层连接至漏极总线114，TFT 120的有源半导体层在电阻上比SiN膜和液晶层低得多。因此，充入像素电极117的电荷将永不变成不可放电的。
图27A示出液晶显示器的电容比、电压比以及液晶介电常数ε变化的曲线图，该液晶显示器是依据使用电容耦合HT方法的相关技术的液晶显示器。图27A的横坐标轴代表施加到子像素A液晶层的电压(V)，纵坐标轴代表电容比、电压比和介电常数。线e表示控制电容Cc和液晶电容Clc2之间的电容比Cc/Clc2。线f表示施加到子像素A的液晶层的电压Vpx1和施加到子像素B的液晶层的电压Vpx2之间的电压比Vpx2/Vpx1。线g表示用在VA模式液晶显示器中的负液晶的介电常数ε。图27B示出具有以放大比例绘制的纵坐标轴的电压比Vpx2/Vpx1中的变化。
如图27A和27B所示，在依据使用电容耦合HT方法的相关技术的液晶显示器中，当施加的电压增大时电压比Vpx2/Vpx1减小。在依据使用电容耦合HT方法的相关技术的液晶显示器中，总体上大约50-80％的像素被比子像素A亮度低的子像素B占据，因为在其中较低的电压被施加到其液晶层。由于这个缘故，即使当用于显示白色的电压(5.5到7V)被施加到像素电极116时在子像素B上也不能达到高透射率。结果，整个像素的亮度低至不使用电容耦合HT方法的液晶显示器亮度的40-80％。亮度过渡的失真出现在如图20所示的低灰度区域和中间灰度区域。因此，理想情况是，当电压低时，使子像素A和B的阈值电压之间的差值较大，而当电压高时，使该差值较小。例如，通过当施加到子像素A的液晶层的电压Vpx1是2.5V时把低至1.5-2V的电压Vpx2施加到子像素B的液晶层(即，有大的电压差(Vpx1-Vpx2))，并且通过当施加到子像素A的液晶层的电压Vpx1是5.5V时把高达5-5.5V的电压Vpx2施加到子像素B的液晶层(即，有小的电压差(Vpx1-Vpx2))，可以提供在视角特性和亮度两方面都优秀的理想的液晶显示器。然而，在具有如图23到25所示的控制电容Cc和液晶电容Clc2串联连接构造的液晶显示器中，电压比Vpx2/Vpx1由电容比Cc/(Clc2+Cc)确定。当电容比Cc/(Clc2+Cc)是常数时，电压比Vpx2/Vpx1是常数。那么，与上述的理想情形相反，电压越高，电压差(Vpx1-Vpx2)会越大。
通过液晶电容Clc2的波动使得上述问题更显著。从图27A中示出的线g明显看出，其中施加到那里的电压越高，液晶的介电常数ε越大。因为液晶电容Clc2随着介电常数ε而增大，电容比Cc/Clc2变小，由Cc/(Clc2+Cc)确定的电压比Vpx2/Vpx1也变小。如图27B所示，在大约0-2V的低电压处电压比Vpx2/Vpx1是0.72，并且在用于显示白色的5V电压处电压比Vpx2/Vpx1变得小至0.62。即，电压差(Vpx1-Vpx2)在高电压时变大。因此，依据使用电容耦合HT方法的相关技术的液晶显示器具有难以获得高亮度的问题。
当胞(cell)厚度变化时液晶电容和电压比之间的关系可以导致更严重的显示不规律。液晶显示器面板的透射率由液晶层的延迟确定，并且，通常来讲，透射率随胞厚度而增大并随胞厚度而减小。就依据使用电容耦合HT方法的相关技术的液晶显示器来说，当胞厚度增大时液晶电容Clc2减小，其导致像素总体上的亮度的增大，因为电压比Vpx2/Vpx1接近1。反之，当胞厚度减小时液晶电容Clc2增大，其导致整体上像素亮度的降低，因为电压比Vpx2/Vpx1接近0。即，依据使用电容耦合HT方法的相关技术的液晶显示器中具有显示不规则是明显可见的问题，因为胞厚度的波动导致可归因于延迟变化的透射率的变化和可归因于电压比变化的透射率的变化之间的协同效应。
专利文献1：JP-A-2-12
专利文献2：美国专利No.4840460
专利文献3：日本专利No.3076938
专利文献4：JP-A-8-146464
专利文献6：JP-A-2001-235766
发明内容
本发明的一个目的是提供一种液晶显示器的基板，其允许达到更好的显示特性，一种利用该基板的液晶显示器以及一种驱动该显示器的方法。
上述目的通过一种用于液晶显示器的基板，其特征在于该基板包括：
多条栅极总线，彼此平行地形成在基板上；
多条漏极总线，与多条栅极总线交叉形成，绝缘膜插入漏极总线与栅极总线之间；
多条储能电容器总线，与栅极总线平行形成；
第一和第二晶体管，各自具有电连接至第n条栅极总线的栅极和电连接至漏极总线的漏极；
第一像素电极，电连接至第一晶体管的源极；
第二像素电极，电连接至第二晶体管的源极，并与第一像素电极分离；
像素区域，包括形成有第一像素电极的第一子像素和形成有第二像素电极的第二子像素；
第三晶体管，具有电连接至第(n+1)条栅极总线的栅极和电连接至第二像素电极的源极；以及
缓冲电容器部分，包括电连接至第三晶体管的漏极的第一缓冲电容器电极和相对于第一缓冲电容器电极设置并电连接至储能电容器总线的第二缓冲电容器电极，绝缘膜插在第一缓冲电容器电极和第二缓冲电容器电极之间。
本发明可以提供能达到高显示特性的液晶显示器。
附图说明
图1示出依据本发明第一实施例的液晶显示器的示意性构造；
图2示出依据本发明第一实施例的液晶显示器的基板的构造；
图3示出依据本发明第一实施例的液晶显示器构造的剖面图；
图4示出依据本发明第一实施例的液晶显示器的一个像素的等效电路；
图5示出依据本发明第一实施例的液晶显示器的驱动波形；
图6A到6C示出在依据本发明第一实施例的液晶显示器中TFT 23的操作和在同一个像素处的电压的变化；
图7示出在依据本发明第一实施例的液晶显示器和依据相关技术的液晶显示器中电容比关于电压比变化的曲线图；
图8示出在依据本发明第一实施例的液晶显示器中电容比、电压比、以及液晶介电常数的变化的曲线图；
图9示出依据本发明第一实施例的MVA型液晶显示器的构造；
图10示出依据本发明第一实施例的MVA型液晶显示器构造的剖面图；
图11示出依据本发明第一实施例的MVA型液晶显示器的包括子像素A和B的每一个像素电极上的电压变化的曲线图；
图12示出电压Vpx1和亮度随时间发生的变化的曲线图；
图13示出该电压Vpx1和亮度随时间发生的变化的曲线图；
图14示出依据本发明第二实施例的液晶显示器的构造；
图15A到15D示出缓冲电容Cb的构造；
图16示出依据本发明第三实施例的液晶显示器的构造；
图17示出依据本发明第三实施例的液晶显示器的构造的改型；
图18示出依据本发明第四实施例的液晶显示器的构造；
图19示出依据本发明第四实施例的液晶显示器的一个像素的等效电路；
图20示出VA模式液晶显示器的T-V特性的曲线图；
图21A和21B示出显示在显示屏上的图像如何在视野中变化；
图22A到22C示出微红图像中红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的灰度直方图；
图23示出基于已知技术的液晶显示器的基本构造；
图24示出基于已知技术的液晶显示器的基本构造的剖面图；
图25示出基于已知技术的液晶显示器的基本等效电路；
图26A到26D是用于解释当使用基于电容耦合的半色调方法时出现的粘着现象的图解；
图27A和27B示出在使用基于电容耦合的半色调方法的液晶显示器中电容比、电压比以及液晶介电常数ε中变化的曲线图；以及
图28示出依据本发明第五实施例的液晶显示器的一个像素的等效电路。
具体实施方式
【第一实施例】
将参考图1-13对依据本发明第一实施例的液晶显示器的基板、具有该基板的液晶显示器、以及驱动该显示器的方法进行描述。图1示出了本实施例的液晶显示器的示意性构造。如图1所示，液晶显示器包括TFT基板2，TFT基板2具有彼此交叉形成的栅极总线和漏极总线，绝缘膜插入在它们之间，以及形成在每一像素上的TFT和像素电极。液晶显示器也包括相对基板4和密封在基板2和4之间的液晶6(图1中未示出)，相对基板4具有彩色滤光片和在其上形成的公共电极，液晶6具有例如负介电常数各向异性。
装载用于驱动多条栅极总线的驱动器IC的栅极总线驱动电路80和装载用于驱动多条漏极总线的驱动器IC的漏极总线驱动电路82连接至TFT基板2。驱动电路80和82基于控制电路84输出的预定信号，将扫描信号和数据信号输出至预定的栅极总线和漏极总线。偏光器87置于TFT基板2的表面，该表面相对于在其上形成TFT元件的表面；偏光器86置于相对基板4的表面，该表面相对于在其上形成公共电极的表面，偏光器86与偏光器87是正交尼科耳(Nicols)关系。背光部件88置于偏光器87的表面上，该表面相对于偏光器87面向TFT基板2的表面。
图2示出TFT基板2的一个像素的构造，TFT基板2作为依据本实施例的液晶显示器的基板。图3示出在相应于图2中线C-C的位置取得的液晶显示器的剖视图。图4示出本实施例的液晶显示器的一个像素的等效电路。如图2-4所示，TFT基板2包括形成在玻璃基板10上的多条栅极总线12和与栅极总线12交叉形成的多条漏极总线14，由SiN膜构成的绝缘膜30插入在这些总线之间。多条栅极总线12例如以行序列基础扫描，并且图2和4示出作为第n条扫描的线的第n条栅极总线12n和作为第(n+1)条扫描的线的第(n+1)条栅极总线12(n+1)。在栅极总线12和漏极总线14之间的交叉点附近的每一像素上彼此邻近地设置第一TFT 21和第二TFT 22。栅极总线12的一部分充当TFT 21和22的栅极。TFT 21和22的有源半导体层(未示出)例如彼此一体地形成在栅极总线12上方，绝缘膜30插入在它们之间。沟道保护膜21d和22d例如彼此整体地形成在有源半导体层上。在TFT 21的沟道保护膜21d的上方，其下有n型掺杂半导体层(未示出)的漏极21a和其下有n型掺杂半导体层(未示出)源极21b以彼此之间留有预定间隔的面对面的关系形成。在TFT 22的沟道保护膜22d的上方，其下有n型掺杂半导体层(未示出)的漏极22a和其下有n型掺杂半导体层(未示出)的源极22b以彼此之间留有预定间隔的面对面的关系形成。TFT 21的漏极21a和TFT 22的漏极22a的每一个电连接至漏极总线14。TFT 21和22彼此并联设置。
与栅极总线12平行延伸的储能电容器总线18穿过由栅极总线12和漏极总线14限定的像素区域形成。图2和图4示出置于栅极总线12n和栅极总线12(n+1)之间的储能电容器总线18n。储能电容器电极19形成在储能电容器总线18n上方，绝缘膜30插入在它们之间，储能电容器电极19设置在每一像素上。储能电容器电极19通过连接电极25电连接至TFT 21的源极21b。第一储能电容Cs1形成在彼此面对的储能电容器总线18n和储能电容器电极19之间，绝缘膜30插入在它们之间。
由栅极总线12和漏极总线14限定的像素区域分割成子像素A和子像素B。在图2中，具有例如梯形形状的子像素A被置于像素区域中部的左侧，子像素B设置为占据除被子像素A占据的区域之外的像素区域上部、下部以及中部的右端。例如，子像素A和B以基本上关于储能电容器总线18n线对称的关系置于像素区域中。像素电极16形成在子像素A上，而像素电极17与像素电极16分离地形成在子像素B上。像素电极16和17都由诸如ITO的透明导电模构成。为了达到高视角特性，希望子像素B对子像素A的面积比在从1/2到4的范围内，包括端值。像素电极16通过接触孔24电连接至储能电容器电极19和TFT 21的源极21b，接触孔24是保护膜32中的开口。像素电极17通过接触孔26电连接至TFT 22的源极22b，接触孔26是保护膜32中的开口。像素电极17包括与储能电容器总线18n重叠的区域，其还插有保护膜32和绝缘膜30。第二储能电容Cs2形成在彼此面对的像素电极17和储能电容器总线18n之间的区域中，保护膜32与绝缘膜30插入在它们之间。
第三TFT 23置于图2的像素区域的下部。TFT 23的栅极23c电连接至邻接该像素的栅极总线12(n+1)。有源半导体层23e形成在栅极23c上方，绝缘膜30插入在它们之间。沟道保护膜23d形成在有源半导体层23e上。在沟道保护膜23d的上方，漏极23a和源极23b以彼此它们之间留有预定间隙的面对面的关系形成，漏极23a下伴随有n型掺杂半导体层23f，源极23b下伴随有n掺杂半导体层23f。源极23b通过接触孔27电连接至像素电极17。在TFT 23附近，缓冲电容器电极28以通过连接电极35与储能电容器总线18n电连接的方式设置。缓冲电容器电极29置于缓冲电容器电极28的上方，绝缘膜30插入在它们之间。缓冲电容器电极29电连接至漏极23a。缓冲电容器Cb形成在彼此面对的缓冲电容器电极28和29之间，绝缘膜30插入在它们之间。
相对基板4具有形成在玻璃基板11上的CF树脂层40和形成在CF树脂层40上的公共电极42。液晶电容Clc1形成在彼此面对的子像素A的像素电极16和公共电极42之间，液晶6插入在它们之间，以及液晶电容Clc2形成在子像素B的像素电极17和公共电极42之间。排列膜(垂直排列膜)36形成在TFT基板2和液晶6的分界面上，并且排列膜37形成在相对基板4和液晶6之间的分界面上。因而，处于没有施加电压状态的液晶6基本上垂直于基板表面排列。
在依据使用电容耦合HT方法的相关技术的液晶显示器中出现比较密集的粘着的因素是子像素B的像素电极连接至控制电极和公共电极的每一个上的事实，而具有非常高的电阻的公共电极不允许累积在该像素电极中的电荷容易地放电。反之，在本实施例中，子像素B的像素电极17通过TFT 22连接至漏极总线14。TFT 22的有源半导体层的电阻比绝缘膜30和保护膜32的电阻低得多，即使处于截止状态。因此，累积在像素电极17的电荷可以被容易地放电。因此，在本实施例中，即使使用半色调方法也不出现密集的粘着。
将描述本实施例的液晶显示器的操作。在图5中，(a)到(c)示出本实施例的液晶显示器的驱动波形。在图5中，(a)示出施加到漏极总线14的数据电压的波形，漏极总线14连接至某个像素的TFT 21和22的漏极21a和22a。在图5中，(b)示出施加到第n条栅极总线12n的栅极电压的波形，栅极总线12n连接至该像素的TFT 21和22的栅极。在图5中，(c)示出施加到第(n+1)条栅极总线12(n+1)的栅极电压的波形，栅极总线12(n+1)连接至该像素的TFT 23的栅极23c。在图5的(a)到(c)中在水平方向上绘制时间，在垂直方向上绘制电压电平。图6A到6C示出像素的TFT 23的操作以及在同一个像素处的电压中的变化。子像素B的液晶电容Clc2和储能电容Cs2的和将称为电容C1，并且缓冲电容Cb将称为电容C2。
图6A代表图5中示出的状态1。如图6A所示，在栅极总线12n和12(n+1)都未被选择的状态1中，电容C1和C2处于相同的电压V1(例如，0V)。此时，累积在电容C1中的电荷Q1等于C1×V1，并且累积在电容C2中的电荷Qb1等于C2×V1。因为栅极总线12(n+1)未被选择，TFT 23处于截止状态。
图6B代表图5中示出的状态2。如图6B所示，在栅极总线12n被选择的状态2中，TFT 21和22处于导通状态。结果，电容C1具有电压V2(例如，V2≠V1)。此时，累积在电容C1中的电荷Q2等于C1×V2。由于TFT23处于截止状态，电容C2的电压V1保持，并且电荷Qb1继续累积在电容C2中。尽管未示出，子像素A的液晶电容Clc1和储能电容Cs1也具有类似于电容C1的电压V2。
图6C代表图5中示出的状态3。如图6C所示，在栅极总线12n未被选择并且下一条栅极总线12(n+1)被选择的状态3中，TFT 21和22处于截止状态，并且TFT 23处于导通状态。当TFT 23处于导通状态时，电荷被重新分配使得电容C1上的电压等于电容C2上的电压。在状态3中累积在电容C1和C2中的电荷的和Q3+Qb2等于在状态2中已累积在电容C1和C2中的电荷的和Q2+Qb1(Q3+Qb2＝Q2+Qb1)。当使用正常驱动(其中，对每一帧反转施加电压的极性)时，流入电容C2的新电荷的极性与已累积的电荷Q2极性相反。因此，电荷的总量减小而导致电压降低。因而，电容C1和C2具有如下表达的电压V3。
V3＝Q3/C1＝Qb2/C2
让我们假定C2/C1＝α。那么，我们得到；
V3＝1/(1+α)×V2+α/(1+α)×V1
由于这种现象不出现在子像素A中，子像素A的液晶电容Clc1上的电压V2保持。结果，子像素A的液晶电容Clc1上的电压V2和子像素B的液晶电容Clc2上的电压V3之间有了差值，在状态3中在电容C1和C2上的电压都变成电压V3之后，TFT 23关闭并进入与状态1相同的状态。此后，状态1、2、3和1以列在每一帧周期中的次序重复。
与依据使用电容耦合HT方法的相关技术的液晶显示器相比，本实施例的液晶显示器的最显著特征是：用于把子像素B上的电压减小至低于子像素A上的电压的电容与液晶电容Clc2并联连接而不是串联连接的事实。结果，响应液晶电容Clc2波动的电压比的波动具有和相关技术的趋势完全相反的趋势。图7是示出了在本实施例的液晶显示器和依据相关技术的液晶显示器中电容比关于电压比变化的曲线图。横坐标轴代表控制电容Cc和依据使用电容耦合HT方法的相关技术的液晶显示器的液晶电容Clc2之间的电容比Cc/Clc2，以及缓冲电容Cb和本实施例的液晶显示器的液晶电容Clc2之间的电容比Cb/Clc2。纵坐标轴代表施加到子像素A的液晶层的电压Vpx1和施加到子像素B的液晶层的电压Vpx2之间的电压比Vpx1/Vpx2。线h表示在依据相关技术的液晶显示器中电压比的变化，并且线i表示本实施例的液晶显示器中电压比的变化。如已描述的，液晶电容Clc2在施加的电压减小时减小并在施加的电压增加时增加。因此，示出高电容比Cc/Clc2或Cb/Clc2的曲线图右侧代表施加低电压的状态，并且示出低电容比Cc/Clc2或Cb/Clc2的曲线图左侧代表施加高电压的状态。
如图7所示，在依据使用电容耦合HT方法的相关技术的液晶显示器中，当施加到液晶层的电压增加时电压比Vpx2/Vpx1接近0，其导致电压差(Vpx1-Vpx2)比所需的大。因此，依据相关技术难以得到具有高亮度的液晶显示器。反之，在本实施例的液晶显示器中，由于当施加到液晶层的电压增加时电压比Vpx2/Vpx1接近1，当施加高电压时电压差(Vpx1-Vpx2)较小。
图8示出在本实施例的液晶显示器的电容比、电压比以及液晶介电常数ε的变化的曲线图。图8的横坐标轴代表施加到子像素A的液晶层的电压(V)，并且纵坐标轴代表电容比、电压比以及介电常数。线j表示电容比Cb/Clc2；线k表示电压比Vpx2/Vpx1；并且线l表示负型的液晶的介电常数ε。如图8中由线k所表示的，当施加的电压增大时电压比Vpx2/Vpx1增大。当施加的电压大约是2V或更小时电压比Vpx2/Vpx1是0.72，反之当施加的电压大约是5V时电压比Vpx2/Vpx1时0.78。因此，当用于显示白色的电压施加到子像素A的液晶层时，比较高的电压会施加到子像素B的液晶层。因此，由于可以在子像素B上得到比较高的透射率，像素总体上的亮度得到显著的提高。因而，本实施例可以提供具有高亮度的液晶显示器。
图9示出使用本实施例的MVA(多畴垂直排列)型液晶显示器的像素的构造。图10示出沿着图9中线D-D截取的液晶显示器的剖视图。如图9和图10所示，倾斜地延伸到像素区域边缘的线性突出44形成在使用诸如感光树脂的相对基板4上。线性突出44充当用于调整液晶6的排列的排列调整结构。可替换地，可以在公共电极(相对电极)42上设置槽来代替线性突出44作为排列调整结构。把像素电极16和像素电极17彼此分开的线性槽46与线性突出44平行地倾斜延伸至像素区域的边缘。槽46也在TFT基板2的一侧充当排列调整结构。
当电压比Vpx2/Vpx1在从大约0.9到大约0.5的范围内时，使用电容耦合HT方法的液晶显示器具有高视角特性是公知的。如图7所示，允许电压比Vpx2/Vpx1在这个范围内的电容比Cb/Clc2(在包括储能电容Cs2的结构造中电容比是Cb/(Clc2+Cs2))的范围基本上从0.05到0.6，包括端值。在本范例中，0.2的电容比Cb/Clc2已被选择作为最佳条件来把电压比Vpx2/Vpx1基本设置在0.72。
图11示出当0V的电压施加到第0帧的像素电极16以显示黑色；±5V的电压施加到第1到第10帧的像素电极16以显示白色；0V的电压施加到第11帧到第20帧的像素电极16以显示黑色时，图9中示出的像素的像素电极16和17上观察的电压变化的曲线图。曲线图的横坐标轴代表帧数，并且纵坐标轴代表施加的电压(V)。线m表示施加到像素电极16的电压Vpx1，线n表示施加到像素电极17的电压Vpx2。通过连接分别在正负极性侧代表电压Vpx1的0.72倍数值的点来绘制该曲线图中的虚线。如图11所示，施加到本实施例的液晶显示器的子像素B除的像素电极的电压Vpx2具有如下所述的特性。
在第2到第10帧和第11到第20帧中，电压Vpx2稳定在基本上是电压Vpx1的0.72倍的数值上。在电压Vpx1从前面帧的数值大幅度波动的第1和第11帧中，电压Vpx2的幅度比电压Vpx1的0.72倍大。原因是，在一帧中累积在缓冲电容Cb内的电荷量由前面帧的灰度确定。当通过在每一帧反转电压的极性来执行驱动时，在第2到第10帧中，因为相反极性的电荷累积在缓冲电容Cb中，电压Vpx2减小。反之，在显示黑色的帧在先的第1帧中，在缓冲电容Cb中累积的电荷基本上是0，其导致过冲(overshoot)，即，电压Vpx2较大。在显示白色的帧在先的第11帧中，在缓冲电容Cb中累积的相反极性的电荷量很大，其导致过冲，即，电压Vpx2较大。
图12示出施加到在第1到第5帧中所关注的像素的像素电极16的电压Vpx1随时间发生的变化的曲线图，该曲线图也示出了亮度。在水平方向上绘制时间，在垂直方向上绘制电压电平和亮度级。线o表示电压Vpx1，并且线p表示亮度。如图12所示，当液晶的响应足够快时，如果有过冲，仅仅在图中被包围的第1帧(1f)的亮度比预期的亮度高。具体地，当显示动态图像时，可能存在边缘过亮的现象。
图13示出当使用驱动依据本实施例的液晶显示器的方法时，电压Vpx1和亮度随时间发生的变化的曲线图。例如，液晶显示器的控制单元比较存储在每一像素的帧存储器中两帧的输入灰度数据(第m帧的输入灰度数据Gm和第(m+1)帧的输入灰度数据G(m+1))。当Gm＜G(m+1)时，如图13所示，第(m+1)帧的输出灰度数据G’(m+1)校正为使其停留在由Gm＜G’(m+1)＜G(m+1)表达的范围内，以执行稍低的电压施加到第(m+1)帧的液晶层的次驱动(under-drive)型驱动。尽管未示出，当Gm＞G(m+1)时，第(m+1)帧的输出灰度数据G’(m+1)校正为使其停留在由Gm＞G’(m+1)＞G(m+1)表达的范围内，以执行稍高的电压施加到第(m+1)帧的液晶层的过驱动(over-drive)型驱动。
如上所述的过冲是出现在本实施例的液晶显示器中的新现象，其不出现在依据使用电容耦合HT方法的相关技术的液晶显示器中。因此，用于消除过冲的驱动依据本发明的液晶显示器的方法是由本实施例第一次公开的一项新颖的技术。
通常，因为粘着的出现，难以把依据使用电容耦合HT方法的相关技术的液晶显示器付诸实施，尽管它们具有相当高的视角特性。本实施例在构造上与相关技术不同点在于，具有较低阈值电压的子像素A的像素电极16和具有较高阈值电压的子像素B的像素电极17都不在浮接状态，并且像素电极16和17分别通过TFT 21和22连接至漏极总线14。结果，可以提供具有优良显示特性和无图像粘着的液晶显示器。在本实施例中，用于减小施加到子像素B的液晶层的电压的缓冲电容Cb并联连接于液晶电容Clc2和储能电容Cs2。由于当施加到液晶层的电压增大时电压比Vpx2/Vpx1变得更接近于1，当施加高电压时电压差(Vpx1-Vpx2)变得比较小。因此，可以提供具有高视角特性和亮度的液晶显示器，并且其中可归因于胞厚度波动的显示不规则较少可能地出现。
【第二实施例】
将参考图14到15D对依据本发明第二实施例的液晶显示器进行描述。在本发明第一实施例的液晶显示器中，尽管可以达到比较高的光透射率，即使在子像素B，但是由于像素孔径比的降低，亮度可能不能提高太多。如图9所示，降低孔径比的最显著的因素是TFT 23。图14示出本实施例的液晶显示器的构造。如图14所示，在本实施例中，TFT 23设置为其穿过属于下一个像素的栅极总线12(n+1)延伸。结果，减小了在所关注的像素区域中由TFT 23占据的面积，从而得以提高像素的孔径比。
然而，当TFT 23设置为穿过下一条栅极总线12(n+1)延伸时，漏极23a或源极23b被置于附近或下一个像素区域。例如，让我们再次假定漏极23a和缓冲电容Cb置于下一个像素区域，并且使用连接电极35(连接电极35用于连接缓冲电容器电极28和储能电容器总线18n)再次穿过栅极总线12(n+1)延伸的构造。这种构造不是所希望的因为其导致孔径比的降低。在这种情况下，使用缓冲电容器电极28通过连接电极35连接至储能电容器总线18(n+1)的构造，储能电容器总线18(n+1)置于栅极总线12(n+1)和栅极总线12(n+2)之间。由于所有储能电容器总线18处于相同的电势，即使当缓冲电容器电极28连接至下一条储能电容器总线18(n+1)时也没有问题出现。
图15A到15D示出缓冲电容Cb的构造。如图15A所示，通过将缓冲电容器电极29与缓冲电容器电极28相重叠来形成缓冲电容Cb，同时在它们之间插入绝缘层30，其中，缓冲电容器电极28与储能电容器总线18在同一层，缓冲电容器电极29与漏极23a在同一层。如图7所示，例如，依据相关技术通过把电容比Cc/Clc2设置在大约2.5，可以达到0.72的电压比Vpx2/Vpx1。反之，电容比Cb/Clc2必须比较小，即，在本实施例中大约为0.2。在本实施例中，提供所希望的电压比Vpx2/Vpx1(例如，在从0.5到0.9的范围内)的电容比Cb/Clc2比较小，并且电压比Vpx2/Vpx1会响应电容比Cb/Clc2的波动更显著地改变。在本实施例中，为了抑制液晶显示器的显示不规则，特别重要的是使缓冲电容Cb的数值在像素之间保持恒定。然而，如15A所示，当缓冲电容器电极28和29设计为具有基本相同的形状和大小时，由于缓冲电容器电极28和29宽度上的不规则以及图案化这些电极时的位置偏差，电极之间的重叠面积会波动。因此问题出现了，其中像素间的缓冲电容Cb的数值可能变得不一致，从而增大了显示不规则的可能性。
图15B到15D示出可以抑制显示不规则的缓冲电容器电极28和29的构造的范例。在图15B示出的构造中，缓冲电容器电极28设计为具有比缓冲电容器电极29更大的宽度。结果，即使当这些电极形成期间缓冲电容器电极28和29之间有相对位置偏差时，重叠面积的波动较小可能地出现。即使当被设计为具有较大宽度的缓冲电容器电极28的宽度上有不规则时，重叠面积的波动也较小可能地出现。在图15C示出的构造中，缓冲电容器电极29设计为具有比缓冲电容器电极28更大的宽度。结果，即使当这些电极形成期间缓冲电容器电极28和29之间有相对位置偏差时，重叠面积的波动较小可能地出现。即使当被设计为具有较大宽度的缓冲电容器电极29的宽度上有不规则时，重叠面积的波动也较小可能地出现。在图15D示出的构造中，缓冲电容器电极28和29具有带状(矩形的)外形，并设计为它们在它们的纵向彼此交叉延伸。因此，即使当这些电极形成期间缓冲电容器电极28和29之间有相对位置偏差时，重叠面积的波动较小可能出现。即使缓冲电容器电极28和29在它们的纵向的宽度上有不规则时，重叠面积的波动也较小可能地出现。从上面明显看出，通过形成图15B到15D示出的构造中的缓冲电容器电极28和29，可以提供具有高显示特性和无显示不规则的液晶显示器。
【第三实施例】
将参考图16和17对依据本发明第三实施例的液晶显示器进行描述。降低依据如图14所示的第二实施例的液晶显示器生产合格率的因素是漏极总线14和连接电极25之间的短路缺陷。由于漏极总线14和连接电极25形成在同一层上并且彼此接近地延伸比较长的距离，可归因于诸如灰尘的短路缺陷可能出现在光刻工艺中。当连接电极25和子像素B的像素电极17设置为重叠关系时，在连接电极25和像素电极17之间形成的电容将减小子像素A的像素电极16上的电压，其导致像素总体上的亮度的降低。当漏极总线14与连接电极25之间的间距增大时，需要像素电极16与漏极总线14之间间距的增大，导致像素孔径比的降低。因此有时难以提高如图14所示的液晶显示器的生产合格率。
图16示出依据本实施例的液晶显示器的像素构造。如图16所示，当与第二实施例的液晶显示器中的位置相比较时，本实施例的子像素A置于像素区域中向上移动的位置中。图中像素电极16和17的上边缘都面向栅极总线12n。像素电极16接近TFT 21，并且像素电极17接近TFT 22。像素电极16通过接触孔31电连接至TFT 21的源极21b。储能电容器电极19通过接触孔24电连接至像素电极16。由于像素电极16在像素区域中向上移动，槽46也被向上移动，结果线性突出44也被向上设置。在本实施例中，由于不需要用于将源极21b与储能电容器电极19和像素电极16电连接的连接电极25，可以抑制归因于短路缺陷的液晶显示器的生产合格率的任何降低。
在图14示出的第二实施例的液晶显示器中，储能电容器总线18(连同储能电容器电极19一起)设置为其与线性突出44的基本上弯曲为直角的弯曲部分44a重叠。储能电容器总线18被置于这个区域是因为液晶显示器6具有在不同方向的排列，这些方向受到经过弯曲部分44a并与栅极总线12平行延伸的直线所约束。即使不提供储能电容器总线18，由于在该区域中液晶6排列的干扰，也能出现光透射率的降低。通过在该区域中设置在一帧周期维持像素电势所需的储能电容器总线18，可以将可归因于储能电容器总线18的阴影效应(shading effect)的亮度降低减到最小。
在图16示出的构造中，不在与栅极总线12平行的直线上的两个弯曲部分44a和44b，由于像素间距而被置于一个像素上。即，除经过弯曲部分44a并与储能电容器总线18重叠的液晶排列的界限之外，在经过弯曲部分44b并与栅极总线12平行延伸的多个液晶排列之间有另一个界限。
图17示出本实施例的液晶显示器构造的改型。如图17所示，在本改型中，与弯曲部分44a重叠并与栅极总线12平行延伸的储能电容器总线18n和与弯曲部分44b重叠并与栅极总线12平行延伸的储能电容器总线18n’置于栅极总线12n和栅极总线12(n+1)之间。储能电容器电极19’形成在储能电容器总线18n’上方，绝缘膜30插入在它们之间。储能电容Cs2形成在彼此面对的储能电容器总线18n’与储能电容器电极19’之间，绝缘膜30插入在它们之间。储能电容器总线18n’通过连接电极38电连接至储能电容器总线18n。储能电容器总线18n和18n’(储能电容器电极19和19’)的宽度比图16示出的构造中的储能电容器总线18n(储能电容器电极19)的宽度小。当不在与栅极总线12平行的直线上的多个弯曲部分被置于如此描述的一个像素上时，多条储能电容器总线18设置为使它们与多个弯曲部分中的至少两个分别重叠，并且多条储能电容器总线18通过连接电极38连接成阶梯的形式。本改型使得即使当在储能电容器总线18上有破裂缺陷时，仍可以提供无面板故障出现的液晶显示器。依据本改型，由于储能电容器总线18n和18n’以及储能电容器电极19和19’的宽度可以比较小，像素的基本孔径比得到提高。此外，依据本改型可以很容易地增大储能电容Cs2的数值。
【第四实施例】
将参考图18和19对依据本发明第四实施例的液晶显示器进行描述。如图18和19所示，在本实施例中，第三TFT 23的源极23b电连接至缓冲电容器电极29。缓冲电容器电极29设置为与子像素B的像素电极17的部分区域重叠。在该区域中，像素电极17充当缓冲电容器电极，并且缓冲电容Cb形成在该电极与面向该电极的缓冲电容器电极29之间，同时诸如SiN膜构成的保护膜32插入在其间。可替换地，可以提供电连接至像素电极17的单独的缓冲电容器电极，并且该缓冲电容器电极和缓冲电容器电极29可以设置为重叠关系，同时绝缘膜插入在它们之间。在这种情况下，缓冲电容Cb形成在该单独提供的缓冲电容器电极和缓冲电容器电极29之间。
TFT 23的漏极23a通过接触孔50电连接至继电器电极52，接触孔50是形成在保护膜32中的开口。继电器电极52形成在与像素电极16和17相同的层上。继电器电极52通过接触孔51电连接至连接电极35和储能电容器总线18n，接触孔51是形成在保护膜32和绝缘膜30中的开口。即，TFT23的漏极电连接至储能电容器总线18n。正如图14中所示的构造，TFT 23可以设置为穿过属于下一个像素的栅极总线12(n+1)延伸，以把漏极23a电连接至储能电容器总线18(n+1)。
本实施例提供类似于第一实施例的那些优点。然而，在本实施例中，由于必须使用继电器电极52执行继电保护，以电连接形成在彼此不同的层上的漏极23a与连接电极35。因此，在像素的孔径比上可能有一些降低。
【第五实施例】
将参考图28描述依据本发明第五实施例的液晶显示器。虽然在上述的实施例中以将像素电极分割成两个区域A和B为例，但为了达到更高的视角特性，像素电极也可以分割成更多数量的区域A、B、C等等。图28示出使用3个分区的范例，其中除了图4中的那些之外，示出的参考符号Clc3和Cs3分别代表像素电容(液晶电容)和辅助电容(储能电容)。缓冲电容Cb2也被设置为用于提供电势差的结构。子像素C通过第四TFT 54连接至漏极总线并且此外通过第五TFT 55连接至缓冲电容Cb2。
在这种情况下，从子像素到子像素必定有电压差，并且比例(Cb1/Clc2+Cs2)和Cb2(Clc3+Cs3)是不同的数值。
可以以类似的方式构造像素被分割成4个或更多的情况。
在50℃的温度条件下，通过在上述第一到第五实施例的液晶显示器的显示屏上连续地显示48小时的黑白棋盘格图案来实施粘着测试。结果，证实这些实施例的液晶显示器完全没有如在依据使用电容耦合HT方法的相关技术的液晶显示器上所遇到的粘着问题。与那些依据相关技术的液晶显示器相同孔径比的情况下，观察到10％的亮度的提高。
本发明不限于上述的实施例并可以以各种方式修改。
例如，虽然在上述实施例中以包括MVA型的VA模式液晶显示器为例描述，但本发明不限于此并可应用于包括TN模式型的其它类型的液晶显示器。
虽然在上述实施例中以透射式液晶显示器为例描述，但本发明不限于此并可应用于诸如反射和半透射半反射式的其它类型的液晶显示器。此外，虽然在上述实施例中以在相对于TFT基板设置的相对基板上形成彩色滤光片的液晶显示器为例描述，但本发明不限于此并可应用于彩色滤光片形成在TFT基板上，具有所谓的CF在TFT上(CF-on-TFT)结构的液晶显示器。

Claims (21)

1、一种用于液晶显示器的基板，包括：
多条栅极总线，彼此平行地形成在基板上；
多条漏极总线，与多条栅极总线交叉形成，绝缘膜插在漏极总线与栅极总线之间；
多条储能电容器总线，与栅极总线平行形成；
第一和第二晶体管，各自具有电连接至第n条栅极总线的栅极和电连接至漏极总线的漏极；
第一像素电极，电连接至第一晶体管的源极；
第二像素电极，电连接至第二晶体管的源极，并与第一像素电极分离；
像素区域，包括形成有第一像素电极的第一子像素和形成有第二像素电极的第二子像素；
第三晶体管，具有电连接至第(n+1)条栅极总线的栅极和电连接至第二像素电极的源极；以及
缓冲电容器部分，包括电连接至第三晶体管的漏极的第一缓冲电容器电极和相对于第一缓冲电容器电极设置并电连接至储能电容器总线的第二缓冲电容器电极，绝缘膜插在第一缓冲电容器电极与第二缓冲电容器电极之间。
2、依据权利要求1所述的用于液晶显示器的基板，其中第二缓冲电容器电极电连接至置于第n条栅极总线和第(n+1)条栅极总线之间的储能电容器总线。
3、依据权利要求1所述的用于液晶显示器的基板，其中：
缓冲电容器部分置于邻近穿过第(n+1)条栅极总线的下一个像素区域的一侧；
第二缓冲电容器电极电连接至置于第(n+1)条栅极总线和第(n+2)条栅极总线之间的储能电容器总线。
4、依据权利要求3所述的用于液晶显示器的基板，其中第三晶体管的漏极置于下一个像素区域的所述一侧。
5、一种用于液晶显示器的基板，包括：
多条栅极总线，彼此平行地形成在基板上；
多条漏极总线，与多条栅极总线交叉形成，绝缘膜插在漏极总线与栅极总线之间；
多条储能电容器总线，与栅极总线平行形成；
第一和第二晶体管，各自具有电连接至第n条栅极总线的栅极和电连接至漏极总线的漏极；
第一像素电极，电连接至第一晶体管的源极；
第二像素电极，电连接至第二晶体管的源极，并与第一像素电极分离；
像素区域，包括形成有第一像素电极的第一子像素和形成有第二像素电极的第二子像素；
第三晶体管，具有电连接至第(n+1)条栅极总线的栅极和电连接至储能电容器总线的漏极；以及
缓冲电容器部分，包括电连接至第三晶体管的源极的第一缓冲电容器电极，相对于第一缓冲电容器电极设置并电连接至第二像素电极的第二缓冲电容器电极，绝缘膜插在第一缓冲电容器电极与第二缓冲电容器电极之间。
6、依据权利要求5所述的用于液晶显示器的基板，其中第三晶体管的漏极电连接至置于第n条栅极总线和第(n+1)条栅极总线之间的储能电容器总线。
7、依据权利要求5所述的用于液晶显示器的基板，其中：
第三晶体管的漏极电连接至置于第(n+1)条栅极总线和第(n+2)条栅极总线之间的储能电容器总线。
8、依据权利要求7所述的用于液晶显示器的基板，其中第三晶体管的漏极置于邻近穿过第(n+1)条栅极总线的下一个像素区域的一侧。
9、依据权利要求1-8任一项所述的用于液晶显示器的基板，其中：
第一像素电极设置为基本邻近于第一晶体管；以及
第二像素电极设置为基本邻近于第二晶体管。
10、依据权利要求1-9任一项所述的用于液晶显示器的基板，其中第一和第二缓冲电容器电极中的一个具有比另一个更大的宽度。
11、依据权利要求1-9任一项所述的用于液晶显示器的基板，其中第一和第二缓冲电容器电极都具有带状外形并以在它们的纵向彼此交叉的方式延伸。
12、依据权利要求1-10任一项所述的用于液晶显示器的基板，其中第二子像素对第一子像素的面积比是1/2或更大。
13、依据权利要求12所述的用于液晶显示器的基板，其中该面积比是4或更小。
14、一种液晶显示器，包括彼此相对设置的一对基板和密封在所述一对基板之间的液晶，其中依据权利要求1-13任一项所述的用于液晶显示器的基板用作所述一对基板的任一个基板。
15、依据权利要求14所述的液晶显示器，其中：
所述一对基板的另一个包括公共电极；以及
缓冲电容器部分对液晶电容与储能电容的和的电容比是0.05或更大，该液晶电容形成在第二像素电极和公共电极之间，且与储能电容并联连接。
16、依据权利要求15所述的液晶显示器，其中电容比是0.6或更小。
17、依据权利要求14-16的任一项所述的液晶显示器，其中液晶具有负介电常数各向异性，并且当没有施加电压时基本垂直于基板表面排列。
18、依据权利要求14-17的任一项所述的液晶显示器，还包括用于调整液晶的排列的线性排列调整结构，其中该线性排列调整结构包括一个像素区域中的多个弯曲部分，所述弯曲部分在与栅极总线平行的直线之外，其中储能电容器总线以与多个弯曲部分的至少两个的每个相重叠的方式设置。
19、依据权利要求14-18的任一项所述的液晶显示器，包括用于将第一和第二像素电极彼此分离的线性槽部分，其中排列调整结构与线性槽部分并联设置。
20、一种驱动液晶显示器的方法，包括以下步骤：
为每一像素比较第m帧的输入灰度数据Gm与第(m+1)帧的输入灰度数据G(m+1)；以及
校正第(m+1)帧的输出灰度数据G’(m+1)，使得当Gm＜G(m+1)时，G’(m+1)位于由Gm＜G’(m+1)＜G(m+1)表达的范围内。
21、依据权利要求20所述的驱动液晶显示器的方法，包括校正第(m+1)帧的输出灰度数据G’(m+1)，使得当Gm＞G(m+1)时，G’(m+1)位于由Gm＞G’(m+1)＞G(m+1)表达的范围内。
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