KR100541534B1 - 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (35)
- 기판 상에 일 방향으로 연장된 다수의 게이트 배선과;상기 게이트 배선과 수직하게 교차하여 다수의 화소 영역을 정의하는 다수의 데이터 배선과;상기 다수의 화소영역 중 이웃한 화소 영역에 각각 구성되고, 동일한 데이터 배선에서 신호를 인가받도록 구성된 구동 박막트랜지스터에 있어서,상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과 이와는 이격된 드레인 전극과, 소스 및 드레인 전극의 하부에 구성된 각 반도체층과, 반도체층의 하부에 위치하여 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극을 포함하는 구동 박막트랜지스터와;상기 데이터 배선을 중심으로 일 측 화소 영역에 위치한 구동 박막트랜지스터에만 연결되어 구성된 동기 조절용 박막트랜지스터에 있어서,게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부에 구성된 반도체층과, 상기 반도체층의 상부에 구성되고, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극에서 신호를 인가받는 소스 전극과 이와는 이격된 드레인 전극을 포함하는 동기 조절용 박막트랜지스터와;상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 상기 동기 조절용 박막트랜지스터의 소스 전극을 연결하면서, 상기 데이터 배선의 상부에 유기 절연막을 사이에 두고 위치한 투명한 연결배선과;상기 데이터 배선을 중심으로, 일 측 화소영역에 위치한 것은 상기 구동 조절용 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하고, 타측 화소영역에 위치한 것은 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하여 각각 구성된 투명한 화소 전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 구동 박막트랜지스터와 연결된 게이트 배선과 상기 동기 조절용 박막트랜지스터의 게이트 전극은 서로 다른 게이트 배선과 연결된 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 투명한 화소 전극과 상기 투명한 연결배선은 동일층 동일물질로 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기 절연막은 유전율이 3이하인 투명한 유기절연물질로 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 배선과 평행하게 이격된 위치에 공통신호를 인가되는 공통 배선이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 5 항에 있어서,상기 공통 배선의 상부에 상기 화소 전극과 접촉하는 금속패턴이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 6 항에 있어서,상기 화소 전극과 접촉하는 금속 패턴을 제 1 전극으로 하고, 금속패턴 하부의 상기 공통 배선을 제 2 전극으로 하는 스토리지 캐패시터가 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 기판 상에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와;상기 화소 영역의 일 측과 이에 평행한 타 측에 제 1 및 제 2 게이트 배선을 형성하고,상기 제 1 게이트 배선에서 이웃한 제 1 및 제 2 화소 영역으로 각각 돌출된 제 1 게이트 전극과 제 2 게이트 전극과, 상기 제 2 게이트 배선에서 상기 제 1 화소 영역으로 돌출된 제 3 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 내지 제 3 게이트 전극의 상부에 각각 절연막을 사이에 두고 제 1 내지 제 3 액티브층과 제 1 내지 제 3 오믹 콘택층을 적층하는 단계와;상기 제 1 및 제 2 화소 영역 사이에 데이터 배선과, 상기 데이터 배선에서 상기 제 1 오믹 콘택층과 제 2 오믹 콘택층의 상부로 각각 연장된 제 1및 제 2 소스 전극과, 상기 제 1 소스 전극과 이격된 제 1 드레인 전극과, 상기 제 2 소스 전극과 이격된 제 2 드레인 전극과, 상기 제 3 오믹 콘택층의 상부에 이격된 제 3 소스 전극과 제 3 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 내지 제 3 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선이 형성된 기판의 전면에 유기절연막을 형성하고, 상기 제 1 및 제 2 소스 전극과, 상기 제 3 소스 및 드레인 전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계와;상기 제 3 드레인 전극과 접촉하면서 제 1 화소 영역에 위치한 투명한 제 1 화소 전극과, 상기 제 3 소스 전극과 접촉하면서 상기 데이터 배선의 상부로 연장되어 상기 제 1 드레인 전극과 접촉하는 투명한 연결배선과, 상기 제 2 드레인 전극과 접촉하면서 제 2 화소 영역에 위치한 투명한 제 2 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 게이트 전극과, 제 1 액티브층 및 오믹 콘택층과 제 1 소스 및 드레인 전극은 제 1 구동박막트랜지스터을 구성하고, 상기 제 2 게이트 전극과 제 2 액티브층 및 오믹 콘택층과 상기 제 2 소스 및 드레인 전극은 제 2 구동박막트랜지스터를 구성하고, 상기 제 3 게이트 전극과 제 3 액티브층 및 오믹 콘택층과 상기 제 3 소스 전극과 드레인 전극은 동기조절용 박막트랜지스터를 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 투명한 제 1 및 제 2 화소 전극과 상기 투명한 연결배선은 동일층 동일물질로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 투명한 제 1 및 제 2 화소 전극과 투명한 연결배선은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 유기막절막은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유전율이 3이하인 투명한 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 기판 상에 일 방향으로 연장된 다수의 게이트 배선과;상기 게이트 배선과 수직하게 교차하여 다수의 화소 영역을 정의하는 다수의 데이터 배선과;상기 화소 영역에 구성되고, 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부에 반도체층과, 상기 반도체층의 상부에 상기 데이터 배선과 접촉하는 소스 전극과 이와 이격된 드레인 전극을 포함하는 구동 박막트랜지스터와;상기 게이트 배선과 접촉하는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부에 구성된 반도체층과, 상기 반도체층의 상부에 위치하고 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극으로부터 신호를 인가받는 소스 전극과, 이와 이격된 드레인 전극을 포함하는 동기 조절용 박막트랜지스터와,상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과, 상기 동기 조절용 박막트랜지스터의 소스 전극을 연결하는 투명한 연결배선과;상기 동기 조절용 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하면서 화소 영역에 위치한 투명한 화소 전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 13 항에 있어서,상기 게이트 배선을 중심으로 일 측의 화소영역에 각각 위치하는 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극과, 타측의 화소영역에 위치하는 동기 조절용 박막트랜지스터의 게이트 전극이 동일한 게이트 배선에 연결되어 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 13 항에 있어서,상기 투명한 화소 전극과 상기 투명한 연결배선은 동일층 동일물질로 형성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 13 항에 있어서,상기 연결배선과, 이에 근접한 데이터 배선과의 사이에 유기절연막이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 13 항에 있어서,상기 게이트 배선과 평행하게 이격되고, 공통 신호가 인가되는 공통 배선이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 17 항에 있어서,상기 공통 배선의 상부에 상기 동기 조절용 박막트랜지스터의 드레인 전극에서 연장되고, 상기 화소 전극과 접촉하는 연장부가 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 18 항에 있어서,상기 연장부를 제 1 전극으로 하고, 그 하부의 공통 배선을 제 2 전극으로 하는 스토리지 캐패시터가 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 기판 상에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와;상기 화소 영역의 일 측과 이에 평행한 타 측에 제 1 및 제 2 게이트 배선을 형성하고, 상기 제 1 게이트 배선과 제 2 게이터 배선에서 동일한 화소 영역으로 돌출된 제 1 게이트 전극과 제 2 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 게이트 전극과 제 2 게이트 전극의 상부에 각각 게이트 절연막을 사이에 두고 제 1액티브층 및 오믹 콘택층과 제 2 액티브층 및 오믹 콘택층을 형성하는 단계와;상기 제 1 및 제 2 게이트 배선과 교차하는 화소영역의 일 측에 위치한 데이터 배선과, 상기 데이터 배선에서 상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택층의 상부로 연장된 제 1 소스 전극과 제 2 소스 전극과, 상기 제 1 소스 전극과 이격된 제 1 드레인 전극과, 상기 제 2 소스 전극과 이격된 제 2 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 소스 및 드레인 전극과 제 2 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선이 형성된 기판의 전면에 보호막을 형성하고, 상기 제 1 드레인 전극과, 상기 제 2 소스 및 드레인 전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계와;상기 제 1 드레인 전극과 상기 제 2 소스 전극과 접촉하는 연결배선과, 상기 제 2 드레인 전극과 접촉하면서 화소 영역에 위치한 투명한 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 삭제
- 제 20 항에 있어서,상기 투명한 화소 전극과 상기 투명한 연결배선은 동일층 동일물질로 형성된 정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 투명한 연결배선은 상기 데이터 배선과 유기막절연막을 사이에 두고 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 유기막절연막은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유전율이 3이하인 투명한 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 기판 상에 일 방향으로 연장된 다수의 게이트 배선과;상기 게이트 배선과 수직하게 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 배선과;상기 화소 영역에 각각 구성되고, 동일한 데이터 배선에서 신호를 인가받도록 구성된 구동 박막트랜지스터에 있어서,상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과 이와는 이격된 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극의 하부에 구성된 각 반도체층과, 상기 반도체층의 하부에 위치하고 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극을 포함하는 구동 박막트랜지스터와;상기 데이터 배선을 중심으로 일 측 화소영역에 위치한 구동박막트랜지스터에만 연결되어 구성된 동기 조절용 박막트랜지스터에 있어서,게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부에 구성된 반도체층과, 상기 반도체층의 상부에 구성되고, 상기 구동박막트랜지스터의 드레인 전극에서 신호를 인가받는 소스 전극과 이와는 이격된 드레인 전극을 포함하는 동기 조절용 박막트랜지스터와;상기 데이터 배선을 중심으로, 일 측 화소영역에 위치한 것은 상기 동기조절용 박막트랜지스터의 소스 전극과 접촉하고, 타측 화소 영역에 위치한 것은 상기 구동박막트랜지스터의 드레인 전극 접촉하여 구성되는 화소 전극과;상기 화소 전극과 평행하게 이격하여 구성된 공통전극과;상기 구동박막트랜지스터의 드레인 전극과 상기 동기 조절용 박막트랜지스터의 소스 전극을 연결하고, 상기 공통 전극과는 유기절연막을 사이에 두고 위치한 투명한 연결배선을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 25 항에 있어서,상기 구동 박막트랜지스터와 연결된 게이트 배선과 상기 동기 조절용 박막트랜지스터의 게이트 전극은 서로 다른 게이트 배선과 연결된 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 25 항에 있어서,상기 유기절연막은 유전율이 3이하인 투명한 유기절연물질로 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 25 항에 있어서,상기 동기 조절용 박막트랜지스터의 드레인 전극에서 연장된 연장부를 제 1 전극으로 하고, 상기 연장부의 하부에 위치하여 상기 공통 전극에서 연장된 연장부를 제 2 전극으로 하는 스토리지 캐패시터가 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 기판 상에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와;상기 화소 영역의 일 측과 이에 평행한 타 측에 제 1 및 제 2 게이트 배선을 형성하고,상기 제 1 게이트 배선에서 이웃한 제 1 및 제 2 화소 영역으로 각각 돌출된 제 1 게이트 전극과 제 2 게이트 전극과, 상기 제 2 게이트 배선에서 상기 제 1 화소 영역으로 돌출된 제 3 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 내지 제 3 게이트 전극의 상부에 각각 절연막을 사이에 두고 제 1 내지 제 3 액티브층과 제 1 내지 제 3 오믹 콘택층을 적층하는 단계와;상기 제 1 및 제 2 화소 영역 사이에 데이터 배선과, 상기 데이터 배선에서 상기 제 1 오믹 콘택층과 제 2 오믹 콘택층의 상부로 각각 연장된 제 1및 제 2 소스 전극과, 상기 제 1 소스 전극과 이격된 제 1 드레인 전극과, 상기 제 2 소스 전극과 이격된 제 2 드레인 전극과, 상기 제 3 오믹 콘택층의 상부에 이격된 제 3 소스 전극과 제 3 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 내지 제 3 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선이 형성된 기판의 전면에 유기절연막을 형성하고, 상기 제 1 및 제 2 소스 전극과, 상기 제 3 소스 및 드레인 전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계와;상기 제 3 드레인 전극과 접촉하면서 제 1 화소 영역에 위치한 투명한 제 1 화소 전극과 상기 제 1 화소 전극과 이격하여 구성된 제 1 공통 전극과, 상기 제 3 소스 전극과 접촉하면서 상기 데이터 배선의 상부로 연장되어 상기 제 1 드레인 전극과 접촉하는 투명한 연결배선과, 상기 제 2 드레인 전극과 접촉하면서 제 2 화소 영역에 위치한 투명한 제 2 화소 전극과, 상기 제 2 화소 전극과 이격하여 구성된 투명한 제 2 공통전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 화소 전극은 단일 화소영역에 대응하여 다수개의 막대 형상으로 형성되고, 상기 제 1 및 제 2 공통 전극은 상기 제 1 및 제 2 화소 전극과 평행하게 이격하여 형성된 막대 형상으로 구성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 유기절연막은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유전율이 3이하인 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 연결 배선은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 제 1 게이트 전극 제 1 액티브층과 제 1 소스 및 드레인 전극은 구동박막트랜지스터를 구성하고, 상기 제 2 게이트 전극과 제 2 액티브층과 제 2 소스 및 드레인 전극은 동기 조절용 박막트랜지스터를 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
- 제 33 항에 있어서,상기 구동 박막트랜지스터가 구성된 제 1 게이트 배선의 타 측에는 동기 조절용 박막트랜지스터가 형성되고, 상기 동기 조절용 박막트랜지스터가 구성된 제 2 게이트 배선의 타 측에는 구동 박막트랜지스터가 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 제 1 게이트 전극과, 제 1 액티브층 및 오믹 콘택층과 제 1 소스 및 드레인 전극은 제 1 구동박막트랜지스터를 구성하고, 상기 제 2 게이트 전극과 제 2 액티브층 및 오믹 콘택층과 상기 제 2 소스 및 드레인 전극은 제 2 구동박막트랜지스터를 구성하고, 상기 제 3 게이트 전극과 제 3 액티브층 및 오믹 콘택층과 상기 제 3 소스 전극과 드레인 전극은 동기조절용 박막트랜지스터를 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
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