CN1715239A - 陶瓷原料粉体及其制造方法、电介质陶瓷组合物、电子部件和叠层陶瓷电容器 - Google Patents

陶瓷原料粉体及其制造方法、电介质陶瓷组合物、电子部件和叠层陶瓷电容器 Download PDF

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Abstract

一种陶瓷原料粉体，在由碳酸钡构成的主成分颗粒表面上具有由副成分添加物构成的被覆层，其特征在于，设所述主成分颗粒的平均半径为r，所述被覆层的平均厚度为Δr时，将所述Δr控制在0.015r以上、0.055r以下的范围内。根据本发明，能够提供陶瓷原料粉体，由此可以获得叠层陶瓷电容器等的电子部件，其满足EIAJ标准规定的X7R特性和JIS标准规定的B特性之一的静电电容的温度稳定性良好，并且绝缘电阻值、介电常数等特性良好，绝缘电阻的加速寿命长。

Description

陶瓷原料粉体及其制造方法、 电介质陶瓷组合物、电子部件和叠层陶瓷电容器
技术领域
本发明涉及在钛酸钡等的主成分原料粉体的颗粒(以下简称为“主成分颗粒”)的表面上，具有由副成分添加物构成的被膜状被覆层的陶瓷原料粉体及其制造方法，采用该陶瓷原料粉体制造的、例如用做叠层陶瓷电容器的电介质层等的电介质陶瓷组合物，使用该电介质陶瓷组合物作为电介质层的叠层陶瓷电容器等电子部件。
背景技术
作为小型、大容量、高可靠性的电子部件，叠层陶瓷电容器得到广泛利用，一台电子机器中使用的个数达到多个。近年，随着机器的小型和高性能化，对叠层陶瓷电容器的进一步小型、大容量、低价格、高可靠性的要求越加严格。
叠层陶瓷电容器通常是利用薄片法或印刷法等，叠层内部电极层用的糊料和电介质层用的糊料，一体同时烧结制造的。内部电极层的导电材料使用比较廉价的镍或镍合金等贱金属。内部电极层的导电材料使用贱金属时，如果在大气中进行烧结，则内部电极层发生氧化，所以必须在还原性气氛中同时进行电介质层和内部电极层的烧结。但是，如果在还原性气氛中烧结，则电介质层发生还原，电阻率降低，因此提出非还原性的电介质材料。
目前，作为非还原性电介质材料，满足EIAJ(日本电子机械工业会协约)规定的X7R特性(在-55℃～125℃的温度范围内，以25℃为基准，静电电容变化率在±15％以内)，或者满足JIS标准规定的B特性(在-25～85℃的温度范围内，以20℃为基准，静电电容变化率在±10％以内)的静电电容温度稳定性良好的材料成为主流。
但是，使用非还原性电介质材料的叠层陶瓷电容器，存在绝缘电阻IR的寿命短、可靠性低这样的问题。
在薄层化快速发展的情况下，电介质层中的副成分添加物的分散不均匀或偏析，成为在陶瓷电子部件的特性、品质、可靠性等方面造成重大缺陷的原因。因此，为了保持这种陶瓷电子部件的特性、品质、可靠性，电介质层中的副成分添加物的均匀分散是不可欠缺的。为此，在原料粉体阶段，有目的地制作原料粉体组织是不可欠缺的。
以往，作为抑制副成分添加物偏析的方法，提出过使用微细副成分添加物的方法，或者通过预先加热多种副成分添加物，使其化合物化后，再进行微细粉碎添加的方法。如果使用通过这些方法制造的电介质材料，则可以在某种程度上抑制偏析。
但是，如果减小副成分添加物的粒径，则易于发生凝聚，所以不是根本的解决方法。
为了实现匀质化，使副成分元素确实地分布在每个陶瓷主成分颗粒中是重要的。作为对此的对策，希望制造副成分添加物均匀地被覆在陶瓷主成分颗粒上的陶瓷原料粉体，以及制造通过烧结该被覆的陶瓷原料粉体而成的高性能陶瓷电子部件。
作为使副成分添加物均匀被覆陶瓷主成分颗粒的方法，已经提出几种方案。
例如在专利文献1中提出以下方法，把金属氧化物粉末分散在含有与该金属氧化物粉末成分不同的金属元素成分的金属盐溶液中，使该金属元素成分附着在该金属氧化物表面。
在专利文献2中提出以下方法，在电介质陶瓷基本组合物粉末分散于水的浆料中，在所述浆料中添加硅化合物，沉淀所述电介质陶瓷基本组合物粉末，然后在含有附着所述硅化合物的电介质陶瓷基本组合物粉末的浆料中，一边搅拌该浆料，一边使含有构成所述化合物的金属元素的溶液与该金属元素反应，添加形成沉淀的沉淀剂，在电介质陶瓷基本组合物粉末表面附着期望的金属元素作为副成分元素。
在专利文献3中提出以下方法，有机溶剂和界面活性剂与陶瓷基本组合物粉末共同混合粉碎，形成浆料，然后在该浆料中添加混合含有金属元素的复合醇盐溶液，之后从该浆料中去除有机溶剂，用含有所述金属元素的复合醇盐对表面进行被覆处理。
近年来，要求叠层陶瓷电容器进一步薄层多层化，随之，对于电介质层也要求介电常数和绝缘电阻值、负载寿命特性等诸特性更加优异。作为影响该电介质层特性的要因，可以列举构成电介质层的陶瓷的微细结构。该微细结构据信随原料粉体的状态、烧结时原料粉体之间的反应机理而变化。
但是，很难说以往充分考虑了这种原料粉体的反应机理。如上所述，广泛进行了关于原料粉体被覆状态均匀性改善的试验(参见专利文献1～3)，但是例如就由副成分添加物构成的被覆层的平均厚度和最终获得的电容器的诸特性等而言，很难说充分地了解了，需要对此的了解。
专利文献1特开昭63-141204号公报
专利文献2特许第3397156号公报
专利文献3特开平10-139553号公报
发明内容
本发明的目的在于：提供一种能够获得叠层陶瓷电容器等电子部件的陶瓷原料粉体及其制造方法，所述陶瓷原料粉体的满足EIAJ标准规定的X7R特性和JIS标准规定的B特性任一种的静电电容的温度稳定性良好，并且绝缘电阻值、介电常数等特性良好，以及绝缘电阻的加速寿命长；提供一种采用该陶瓷原料粉体制造的、例如用做叠层陶瓷电容器的电介质层等的电介质陶瓷组合物；提供一种使用该电介质陶瓷组合物作为电介质层的叠层陶瓷电容器等电子部件。
为了实现上述目的，根据本发明，提供一种陶瓷原料粉体，其在主成分颗粒表面具有由副成分添加物构成的被覆层，
其特征在于，设所述主成分颗粒的平均半径为r，所述被覆层的平均厚度为Δr时，将所述Δr控制在r(α-β)以上、r(α+β)以下的范围内。
根据本发明，提供一种陶瓷原料粉体的制造方法，该粉体在主成分颗粒表面具有由副成分添加物构成的被覆层，
其特征在于包括以下步骤，制备粉末状主成分颗粒和溶液状副成分添加物的混合溶液的步骤，和对所述混合溶液进行热处理的步骤，
改变所述热处理的处理温度和处理时间，相对于所述主成分颗粒的平均半径r，将所述被覆层的平均厚度Δr控制在r(α-β)以上至r(α+β)以下的范围内。
这里，α和β的值表示取决于主成分颗粒的组成或构成被覆层的副成分添加物的种类等的常数。
对于主成分颗粒没有特别的限制，但可以例举具有钙钛矿型结晶结构的氧化物等。对于具有钙钛矿型(ABO3型)结晶结构的氧化物没有特别的限制，但除了单纯钙钛矿型之外，可以例举缺陷钙钛矿型、复合钙钛矿型等。对于单纯钙钛矿型没有特别的限制，但可以例举BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3、SrZrO3等。其中，优选使用BaTiO3等钛酸钡作为主成分颗粒。
本发明人通过试验确认，主成分颗粒采用钛酸钡的情形，所述α为0.035，所述β为0.020。
亦即，根据本发明，提供一种陶瓷原料粉体，其在钛酸钡构成的主成分颗粒表面具有由副成分添加物构成的被覆层，
其特征在于，设所述主成分颗粒的平均半径为r，所述被覆层的平均厚度为Δr时，将所述Δr控制在0.015r以上、0.055r以下的范围内。
根据本发明，提供一种陶瓷原料粉体的制造方法，该粉体在钛酸钡构成的主成分颗粒表面具有由副成分添加物构成的被覆层，
其特征在于包括以下步骤，制备粉末状主成分颗粒和溶液状副成分添加物的混合溶液的步骤，和对所述混合溶液进行热处理的步骤，
改变所述热处理的处理温度和处理时间，相对于所述主成分颗粒的平均半径r，将所述被覆层的平均厚度Δr控制在0.015r以上、0.055r以下的范围内。
在主成分颗粒由钛酸钡构成的情形，构成被覆层的副成分添加物优选至少含有氧化镁和/或烧结后形成氧化镁的化合物、氧化锰和/或烧结后形成氧化锰的化合物以及氧化铬和/或烧结后形成氧化铬的化合物之中的至少一种。
进一步作为副成分添加物，优选含有氧化钒和/或烧结后形成氧化钒的化合物、氧化钨和/或烧结后形成氧化钨的化合物、氧化钽和/或烧结后形成氧化钽的化合物、以及氧化铌和/或烧结后形成氧化铌的化合物之中的至少一种。
进一步作为副成分原料，优选含有R氧化物(R是Sc、O、Tm、Yb、Lu、Y、Dy、Ho、Tb、Gd和Eu之中的至少一种)和/或烧结后形成R氧化物的化合物。
作为副成分原料，优选含有氧化硅和/或烧结后形成氧化硅的化合物。
作为副成分原料，优选含有氧化钡和/或烧结后形成氧化钡的化合物、氧化锶和/或烧结后形成氧化锶的化合物、以及氧化钙和/或烧结后形成氧化钙的化合物。
本发明的陶瓷原料粉体可以适用于电容器、PTC元件等电子部件的构成材料。
根据本发明，提供一种电介质陶瓷组合物，其使用上述任意一种陶瓷原料粉体制造，
具有主要由主成分构成的主相，以及作为组成和结晶结构与该主相不同、含按氧化物换算在10重量％以上的副成分的区域的偏析相；
观察所述电介质陶瓷组合物剖面时，所述偏析相的面积比率在观察视野面积的8％以下。
根据本发明的电子部件，如果是具有该电介质层的电子部件，则没有特别限制，例如是具有电介质层与内部电极层一起交互多层叠层的元件本体的叠层陶瓷电容器。本发明中，所述电介质层是由所述电介质陶瓷组合物构成的。对于内部电极层所含的导电材料没有特别限制，例如可以是镍或镍合金。
作为电子部件没有特别限制，但可以例举叠层陶瓷电容器、压电元件、片式电感器、片式变阻器、片式热敏电阻器、片式电阻器、其它表面安装(SMD)片式电子部件。
本发明的效果如下：
根据本发明，对于在钛酸钡等主成分颗粒表面具有由副成分添加物构成的被覆层的陶瓷原料粉体，控制被覆层的平均厚度Δr，使其满足相对于主成分颗粒的平均半径r的预定关系。因此，能够提供可以获得满足EIAJ标准规定的X7R特性和JIS标准规定的B特性之一的静电电容的温度稳定性良好，并且绝缘电阻值、介电常数等的特性良好，进而绝缘电阻的加速寿命长的叠层陶瓷电容器等的电子部件的陶瓷原料粉体；能够提供采用该陶瓷原料粉体制造的、例如用做叠层陶瓷电容器的电介质层等的电介质陶瓷组合物；能够提供使用该电介质陶瓷组合物作为电介质层的叠层陶瓷电容器等电子部件。
根据本发明的陶瓷原料粉体的制造方法，在对粉末状主成分颗粒和溶液状副成分添加物的混合溶液进行热处理时，改变热处理温度和热处理时间。由此，控制所述被覆层的平均厚度Δr，使其满足相对于所述主成分颗粒的平均半径r的预定关系。结果，能够制造可以获得满足EIAJ标准规定的X7R特性和JIS标准规定的B特性之一的静电电容的温度稳定性良好、并且绝缘电阻值、介电常数等的特性良好、进而绝缘电阻的加速寿命长的叠层陶瓷电容器等的电子部件的陶瓷原料粉体。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施方案的叠层陶瓷电容器的剖面示意图。
图2是制造图1的叠层陶瓷电容器所用的陶瓷原料粉末的示意性剖面图。
图3是采用扫描式透射电子显微镜(STEM)拍摄的相当于本发明实施例的试样2的陶瓷原料粉末的明视场观察图像的照片。
图4是针对相当于本发明实施例的试样2的陶瓷原料粉末，从BaTiO3颗粒外侧向内侧线状扫描电子射线时，对检测出的Y的特性X射线(K线)的计数所做的曲线图。
图5是表示采用Y的特性X射线(K线)的相当于本发明实施例的试样2的陶瓷原料粉末的元素测绘(マッピング)图像的照片。
图6是表示采用STEM的相当于实施例2的试样6的烧结体的明视场观察图像的照片。
图7是表示采用Ba的特性X射线(K线)的相当于实施例2的试样6的烧结体的元素测绘图像的照片。
图8是表示采用Ti的特性X射线(K线)的相当于实施例2的试样6的烧结体的元素测绘图像的照片。
图9是表示采用Si的特性X射线(K线)的相当于实施例2的试样6的烧结体的元素测绘图像的照片。
图10是表示采用Y的特性X射线(K线)的相当于实施例2的试样6的烧结体的元素测绘图像的照片。
具体实施方式
以下根据附图所示的实施方案对本发明予以说明。
叠层陶瓷电容器
如图1所示，作为本发明的电子部件的一个例子的叠层陶瓷电容器1，具有层间电介质层2与内部电极层3交互叠层的结构的电容器元件本体10。在电容器元件本体10的两侧端部，形成一对外部电极4，与元件本体10内部交互配置的内部电极层3分别导通。叠层内部电极层3，使其各侧端面在电容器元件本体10的相对两端部表面交互露出面积层。
一对外部电极4与在电容器元件本体10的两端部形成且与交互配置的内部电极层3的露出端面连接，构成电容器电路。
对电容器元件本体10的外形和尺寸没有特别限制，可以根据用途适当地设定。通常，外形大致是长方体形状，尺寸通常可以是纵(0.4～5.6mm)×横(0.2～5.0mm)×高(0.2～1.9mm)左右。
电容器元件本体10中，在内部电极层3和层间电介质层2的叠层方向的两外侧端部，配置外侧电介质层20，保护元件本体10的内部。
对层间电介质层2和外侧电介质层20的组成，本发明没有特别的限制，例如可以由以下的电介质陶瓷组合物构成。
本实施方案的电介质陶瓷组合物，例如是具有钛酸钡作为主成分的电介质陶瓷组合物。
作为电介质陶瓷组合物中与主成分同时含有的副成分，可以例举含有一种以上的Mn、Cr、Ca、Ba、Mg、V、W、Ta、Nb和R(R是一种以上的Y等稀土类元素)的氧化物以及通过烧结形成氧化物的化合物的。通过添加副成分，即使在还原性气氛中烧结也可以获得电容器的特性。作为杂质，可以含有0.1重量％左右以下的C、F、Li、Na、K、P、S、Cl等的微量成分。但是，本发明中，层间电介质层2和外侧电介质层20的组成并不限于以上所述。
在本实施方案中，层间电介质层2和外侧电介质层20优选采用以下组成。
该组成含有作为主成分的钛酸钡，含有作为副成分的氧化镁、氧化锰、和氧化铬之中的至少一种。
并且，作为副成分最好含有氧化钒、氧化钨、氧化钽、和氧化铌之中的至少一种。
并且，作为副成分最好含有R氧化物(R是Sc、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Dy、Ho、Tb、Gd和Eu之中的至少一种)。
并且，作为副成分最好含有氧化硅。
并且，作为副成分最好含有氧化钡、氧化锶和氧化钙。
层间电介质层2的叠层数和厚度等各种条件应根据目的和用途适当决定，但是在本实施方案中，层间电介质层2的厚度在5μm以下，在3μm以下较好，在1μm以下更好，成为薄层化。
而且，层间电介质层2由晶粒和晶界相构成，层间电介质层2的晶粒平均颗粒直径优选在0.1～5μm左右。该晶界相的成分通常是构成电介质材料或内部电极材料的材质的氧化物、或者别途添加的材质的氧化物、甚至工序中作为杂质混入的材质的氧化物，通常由玻璃或玻璃质构成。
特别是，层间电介质层2由主要由主成分构成的主相，以及作为组成和结晶结构与该主相不同、含按氧化物换算在10重量％以上的副成分的区域的偏析相构成。这里，偏析相是指，各种副成分添加物形成的副成分发生偏析，与主要是主成分构成的主相相比，存在比较高浓度的副成分的区域。而且，将偏析相定义为按氧化物换算含“10重量％以上”的副成分的区域的理由是，在不足10重量％的情形，主相中副成分呈现固溶状态，相当于壳体部。
而且，观察所述层间电介质层2的剖面时，所述偏析相的面积比例在观察视野面积的8％以下，在6％以下较好，在4％以下更好。偏析相的面积比例如果超过观察视野面积的8％，则介电常数能获得比较充分的值，但是IR加速寿命趋向于极端的短，并且温度特性趋向于恶化。
可以例如使用扫描型透射电子显微镜(STEM)或者透射型电子显微镜(TEM)附属的EDS装置，通过测定各种元素的存在比例，求得偏析相的组成。例如可以通过使用透射型电子显微镜(TEM)的电子射线衍射法，判断主相与偏析相的结晶结构的差异。
内部电极层3优选由实际上用做电极的贱金属导电材料构成。作为用做导电材料的贱金属，优选镍或镍合金。
作为外部电极4，通常可以使用Ni、Pd、Ag、Au、Cu、Pt、Rh、Ru、Ir等之中的至少一种或它们的合金。通常，使用Cu、Cu合金、Ni或Ni合金等、或Ag、Ag-Pd合金、In-Ga合金等。
叠层陶瓷电容器的制造方法
以下，将说明根据本实施方案的叠层陶瓷电容器1的制造方法的一个例子。
(1)本实施方案中，制备电介质层用糊料和内部电极层用糊料，前者构成烧结前的层间电介质层和烧结前外侧电介质层，用于烧结后形成图1所示的层间电介质层2和外侧电介质层20，后者构成烧结前的内部电极层，用于烧结后形成图1所示的内部电极层3。而且，还制备外部电极用糊料。
混合陶瓷原料粉末和有机载体，调制电介质层用糊料。
陶瓷原料粉末
本实施方案所用的陶瓷原料粉末200，如图2所示，由主成分颗粒201表面上具有副成分添加物构成的被覆层202的复合氧化物构成。
作为主成分颗粒201，使用钛酸钡。钛酸钡是烧结后构成电介质陶瓷组合物的主成分的成分，该组合物用于构成图1所示层间电介质层2和外侧电介质层20。钛酸钡的组成在本发明中没有特别的限定，由组成式(BaO)m·TiO2表示，所述式中的摩尔比m，优选采用m＝0.990～1.020。
作为副成分添加物，至少使用氧化镁和/或烧结后形成氧化镁的化合物、氧化锰和/或烧结后形成氧化锰的化合物、以及氧化铬和/或烧结后形成氧化铬的化合物之中的至少一种。
这种情况下，钛酸钡换算成BaTiO3、氧化镁换算成MgO、氧化锰换算成MnO、氧化铬换算成Cr2O3时，相对于100摩尔的BaTiO3，优选MgO：0～3摩尔(但是0摩尔除外)，MnO+Cr2O3：0～0.5摩尔(但是0摩尔除外)。
并且，作为副成分添加物，优选使用氧化钒和/或烧结后形成氧化钒的化合物、氧化钨和/或烧结后形成氧化钨的化合物、氧化钽和/或烧结后形成氧化钽的化合物、氧化铌和/或烧结后形成氧化铌的化合物之中的至少一种。
这种情况下，氧化钒换算成V2O5、氧化钨换算成WO3、氧化钽换算成Ta2O5、氧化铌换算成Nb2O5时，相对于100摩尔的BaTiO3，优选V2O5+WO3+Ta2O5+Nb2O5：0～0.5摩尔(但是0摩尔除外)。
并且，作为副成分添加物，优选使用R氧化物(这里R是Sc、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Dy、Ho、Tb、Gd和Eu之中的至少一种)和/或烧结后形成R氧化物的化合物。
在这种情况下，R氧化物换算成R2O3时，相对于100摩尔的BaTiO3，优选R2O3的比例是：0～5摩尔(但是0摩尔除外)。
并且，作为副成分添加物，优选使用氧化硅和/或烧结后形成氧化硅的化合物。
在这种情况下，氧化硅换算成SiO2时，相对于100摩尔的BaTiO3，优选SiO2的比例是：0.5～12摩尔。
并且，作为副成分添加物，优选使用氧化钡和/或烧结后形成氧化钡的化合物、氧化锶和/或烧结后形成氧化锶的化合物、以及氧化钙和/或烧结后形成氧化钙的化合物。
在这种情况下，氧化钡换算成BaO、氧化锶换算成SrO、氧化钙换算成CaO时，相对于100摩尔的BaTiO3，BaO+SrO+CaO的比例是：0.5～12摩尔。
以上各副成分添加物是烧结后构成电介质陶瓷组合物副成分的成分，该组合物用于构成图1所示层间电介质层2和外侧电介质层20。
本发明中，根据主成分颗粒201的平均半径，控制被覆层202的平均厚度。具体地讲，主成分颗粒201的平均半径为r、被覆层202的平均厚度为Δr时，控制所述Δr在0.015r以上、0.055r以下的范围内。把被覆层202的平均厚度Δr控制在预定范围内的控制方法没有特别的限定，但本实施方案中，如后续所述，是通过改变热处理工序的处理温度和处理时间来进行的。详见后述。
陶瓷原料粉末的平均粒径优选5μm以下，在0.05～1.00μm左右更好。
如上所述，使用这种特殊的陶瓷原料粉末制造的电介质陶瓷组合物(烧结体)有可能具有主要是主成分构成的主相、以及作为组成和结晶结构与该主相不同、含按氧化物换算在10重量％以上的副成分的区域的偏析相，观察所述电介质陶瓷组合物的剖面时，所述偏析相的面积比例在观察视野面积的8％以下。
陶瓷原料粉末的制造方法
如图2所示，本实施方案所用的陶瓷原料粉末200可以采用如下所述的方法制造。但是，本发明并不限于以下方法。
(1-1)首先，制备粉末状的主成分(主成分粉末)和溶液状的副成分(副成分溶液)。
本实施方案中，作为主成分粉末，优选使用初级颗粒平均粒径在预定范围内的钛酸钡。作为钛酸钡，采用初级颗粒平均粒径在0.01～1.0μm的粉末较好，在0.05～0.5μm更好。如果初级颗粒的平均粒径过小，则获得的电容器的介电常数明显降低。相反，如果初级颗粒的平均粒径过大，则获得的电容器易于发生短路和耐电压不良。
例如，可以对副成分元素进行醇盐化、配合物化或者氯化，成为金属醇盐、金属配合物或者金属盐状态的化合物之后，在溶剂中添加该化合物，获得本实施方案所用的副成分溶液。
作为副成分金属元素，采用镁、锰、铬之中的至少一种。
并且，作为副成分金属元素，最好采用钒、钨、钽、铌之中的至少一种。
并且，作为副成分金属元素，最好采用R(这里R是Sc、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Dy、Ho、Tb、Gd和Eu之中的至少一种)。
并且，作为副成分金属元素，最好采用硅。
并且，作为副成分金属元素，最好采用钡、锶、钙。
醇盐是指用金属元素M置换醇上羟基的氢后的化合物。作为醇盐，可以列举甲醇盐(CH3OM)、乙醇盐(C2H5OM)、丙醇盐、丁醇盐、戊醇盐、乙氧基乙醇盐、甲氧基乙醇盐等。因此，副成分金属元素醇盐化的金属醇盐，例如是Ba(OC2H5)2、Ca(OC2H5)2、Sr(OC2H5)2、Mg(OC2H5)2、Si(OC2H5)4、V(OC2H5)5等。
金属醇盐中的烷氧基配位体数量通常是1～6。而且，同一金属醇盐中，与金属配位的烷氧基配位体通常是相同的，但是根据情况也可以是不同的。
所述Cr、Y、Mn、W、Zr等可以采用乙酸盐、草酸盐等的配合物形式。而且，副成分金属元素可以采用β-二酮化物配合物。
作为溶剂，除了可以使用醇、苯及其衍生物或者氯仿等单一溶剂之外，也可以使用苯或苯衍生物和醇的混合溶剂等。
根据最终获得的电介质陶瓷组合物中的副成分添加物的含有量，适当调整副成分溶液中的各种化合物的含有量(浓度)。
(1-2)其次，在主成分粉末中混合副成分溶液。根据副成分溶液中的各种副成分金属元素的化合物含有量(浓度)和副成分溶液的液量等，适当调整两者的混合比例。
(1-3)然后，对主成分粉末和副成分溶液的混合溶液进行热处理。为了发生热分解反应使副成分金属元素的化合物成为氧化物而进行热处理。通过进行热处理，使混合溶液中的溶剂蒸发，析出与主成分粉末结合的副成分金属元素的氧化物，使其覆盖主成分粉末表面。
本实施方案中，改变热处理工序中的处理温度和处理时间。由此，控制在作为主成分颗粒的钛酸钡表面形成的被覆层202的平均厚度Δr。
本实施方案中，决定热处理温度和热处理时间，以使被覆层的平均厚度Δr在0.015r以上、0.055r以下的范围内。
具体地讲，热处理温度在500～1100℃较好，在600～1050℃更好。如果热处理温度过低，则热分解反应不充分，如果过高，则存在主成分颗粒难以粉碎的倾向。而且，之所以热处理温度的上限为1100℃左右，是因为考虑将热处理温度调整到比颈缩生长(ネックグロ一ス)开始的温度(例如1200℃上下)低100℃左右的温度，可以效率良好地形成被覆层。
热处理时间应在1～12小时，在1～8小时更好。处理时间相同，提高处理温度，或者处理温度相同，延长处理时间，都趋向于使被覆层的平均厚度形成得更厚。因此，随着主成分颗粒的组成或副成分添加物种类等的不同，必须适当调整热处理温度和时间。
其它热处理条件采用以下所示条件。升温速度优选在50～500℃/小时，在100～300℃/小时更好。处理气氛通常在空气(大气)中。
(1-4)随后，采用アルミナ辊等粉碎热处理后的粉末，根据需要，采用球磨机等与纯水等分散介质一起混合，对其进行脱水·干燥，获得本实施方案的陶瓷原料粉末。
干燥条件优选采用以下所示条件。干燥温度在80～120℃较好。干燥时间在5～20小时较好。
可以通过使用透射型电子显微镜(TEM)或者扫描型透射电子显微镜(STEM)的分析，来确认被覆层的平均厚度或被覆状态。通过使用被透射型电子显微镜的高分辨率电子显微镜法、电子能量损失能谱法(EELS)、能量色散型X射线分光法(EDS)，可以确认被覆区域，并且可以测定被覆膜厚。
采用TEM或STEM的观察中，可以使用例如特开2003-294594号公报记载的方法制作的观察用试样。具体地讲，上述陶瓷原料粉末和树脂混合，获得混合体之后，对该混合体施加压力，可以制作存在膜厚在20μm以下的区域的观察用试样。
与陶瓷原料粉末混合的树脂可以采用热固化性树脂、光固化性树脂等。其中，优选采用热固化性树脂。由于热固化性树脂加热到100℃左右，粘度降低，所以在开始固化之前的一段时间内粉体和树脂可以容易混合，并且由于难以残留气泡，所以陶瓷原料粉末相对于树脂的比例可以增大。作为热固化性树脂，可以列举环氧类树脂、酚类树脂、蜜胺类树脂等，但是优选采用具有固化时间短、较耐受电子射线的特征的环氧类树脂。而且，光固化性树脂一般是由单体、低聚物、光聚合引发剂、各种添加剂(稳定剂、填充剂、颜料等)组成的组合物构成。
本实施方案中，陶瓷原料粉末相对于树脂的比例(体积比)在2以上较好。由此，可以大幅度提高试样中的陶瓷原料粉末密度，即使通过TEM观察，也可以增大单位观察面积内的粉末颗粒数。因此，可以充分获取粉末颗粒的信息。陶瓷原料粉末相对于树脂的比例(体积比)，随着树脂的种类、陶瓷原料粉末的尺寸等而改变，但是在2～8较好，在3～8更好，在5～8最好。为了提高试样中的粉末密度，优选尽可能提高粉末相对于树脂的比例(体积比)，粉体相对于树脂的比例(体积比)在2以上较好。另一方面，粉末相对于树脂的比例(体积比)如果过大，则由于起固定粉末的包埋剂功能的树脂量少，存在难以制作试样的倾向。
在将观察用试样用于TEM观察时，在形成上述混合体、施加压力之后，再进行试样切割和离子抛光。
就试样的切割而言，将施加压力后获得的试样切割成TEM试样用尺寸。该切割的操作，例如可以采用刀进行。作为TEM试样，通常采用直径为3mmφ的。因此，可以直接切成3mmφ的TEM试样，或者也可以采用树脂等把例如2mm×2mm左右的矩形形状的试样粘接在外径为3mmφ的单孔网(所谓的TEM用网)的单孔部分，作为TEM试样。
可以采用公知的磨机装置进行离子抛光。离子抛光加工需要的时间也随切割的试样的大小而不同，但通常是1～2小时左右。而且，离子抛光通常可以使用氩离子等。通过这种离子抛光工序，试样的厚度成为100nm以下，可以用做TEM观察用试样。
有机载体含有粘结剂和溶剂。作为粘结剂可以采用例如乙基纤维素、聚乙烯醇缩丁醛、丙烯酸树脂等的通常的各种粘结剂。对溶剂也没有特别的限定，可以采用萜品醇、丁基卡必醇、丙酮、甲苯、二甲苯、乙醇等有机溶剂。
将陶瓷原料粉末和在水中溶解了水溶性粘结剂的有机载体进行混合，可以形成电介质层用糊料。对水溶性粘结剂没有特别的限制，可以采用聚乙烯醇、甲基纤维素、羟乙基纤维素、水溶性丙烯酸树脂、乳液等。
将上述各种导电性金属或合金制成的导电材料或者烧结后成为上述导电材料的各种氧化物、有机金属化合物、树脂酸盐等，和上述有机载体进行混合，可以调制内部电极层用糊料。
外部电极用糊料与该内部电极层用糊料同样地调制。
对各糊料的有机载体的含有量没有特别的限制，通常含有量例如可以是粘结剂为1～5重量％左右，溶剂为10～50重量％左右。而且，各糊料中根据需要也可以含有选自各种分散剂、增塑剂、电介质、绝缘体等的添加物。
(2)然后，使用含有陶瓷原料粉末的电介质层用糊料和内部电极层用糊料，制作烧结前电介质层和烧结前内部电极层叠层的生构片，经过脱粘结剂工序、烧结工序、根据需要进行的退火工序形成由烧结体构成的电容器元件本体10，在其上形成外部电极4，制造叠层陶瓷电容器1。
其中，根据本实施方案，最好按照以下条件进行脱粘结剂后的生构片的烧结。升温速度在50～500℃/小时较好，在100～300℃/小时更好。
烧结保持温度在1200～1350℃较好，在1200～1320℃更好，该保持温度的保持时间在0.5～8小时较好，在1～3小时更好。如果烧结保持温度过低，则即使延长该保持温度的保持时间，也不能充分致密化，如果过高，则内部电极层的异常烧结导致电极断续，构成内部电极层的导电材料扩散导致电容温度特性恶化，构成电介质层的电介质陶瓷组合物易于发生还原。特别是本实施方案中，通过按特定的烧结保持温度和保持时间进行烧结，对于进一步简便地实现上述本发明的目的是有效的。
降温速度在50～500℃/小时较好，在200～300℃/小时更好。
本实施方案中，在还原气氛中进行烧结。还原气氛中的气氛气体采用例如加湿的氮气和氢气的混合气体较好。
烧结气氛中的氧分压为6×10-8～10-4Pa较好。如果氧分压过低，则内部电极层的导电材料发生异常烧结，发生断续，如果过高，则内部电极层存在氧化的倾向。
根据本实施方案获得的叠层陶瓷电容器1，由于是采用本发明的陶瓷原料粉末制造的，所以可靠性的恶化或电容量的降低都较小，具有高容量和高可靠性。
以上，对本发明的实施方案进行了说明，但是本发明并不限制在这些实施方案，在不脱离本发明的主旨的范围内可以按各种方式实施，这是不言而喻的。
制造本实施方案所用的陶瓷原料粉末，除了上述制造方法之外，也可以在陶瓷电介质的基本组合物粉体中，添加希望添加的金属元素的碳酸盐或氧化物或者其混合物，混合粉碎后，采用预烧的干式方法制造。如果采用这种方法，仅通过在陶瓷基本组合物粉体中混合添加金属元素的碳酸盐或氧化物的工序，是不可能细微均匀地分散的。但是，通过随后的预烧工序，发生向副成分添加物向钛酸钡颗粒表面的扩散。在钛酸钡颗粒之间产生缩颈的温度以下，预烧温度越高，预烧时间越长，可以使含有副成分添加物的被覆层生长得越厚。因此，通过适当控制预烧温度、预烧时间以及副成分添加物量，可以控制被覆层厚度。
实施例
以下根据实施例对本发明做进一步详细说明，但本发明并不限于这些实施例。
陶瓷原料粉末的制造
首先，制备平均粒径约为0.2～0.4μm的BaTiO3作为主成分颗粒，制备MgO、MnCO3、V2O5、Y2O3、BaCO3、CaCO3、和SiO2作为副成分添加物。
然后，通过下述组成的副成分溶液，在作为主成分颗粒的BaTiO3中添加各种副成分添加物，以便相对于元素换算的总量为100原子％，使Mg：10原子％、Mn：2原子％、V：1原子％、Y：35原子％、Ba：16原子％、Ca：11原子％、Si：25原子％。主成分颗粒为100重量份时，该副成分添加物的添加量是2.2重量份。
根据本实施例，作为使副成分添加物成为溶液状的溶剂，使用甲醇。并且，下述的Ba是作为副成分添加的钡成分。
各副成分添加物下述的摩尔/L是各添加物的浓度，添加量是相对于作为主成分颗粒的BaTiO3/100克而添加的液量。
Ba(C5H7O2)2：双(2，4-戊二酮化物)、钡浓度：0.65摩尔/L、添加量：850ml。
Ca(C5H7O2)2：双(2，4-戊二酮化物)、钙浓度：0.70摩尔/L、添加量：320ml。
Si(OC2H5)4：四乙氧基硅烷、浓度：0.75摩尔/L、添加量：440ml。
Y2(C2O4)3·9H2O：草酸钇、浓度：0.50摩尔/L、添加量：1250ml。
Mg(C2O4)·2H2O：草酸镁、浓度：0.71摩尔/L、添加量：1580ml。
Cr(C2O4)·6H2O：草酸铬、浓度：0.20摩尔/L、添加量：565ml。
VO(C5H7O2)2：双(2，4-戊二酮化物)、氧化钒浓度：0.10摩尔/L、添加量：323ml。
然后，将获得的副成分溶液按照如下顺序加入到主成分颗粒中，反复进行混合、热处理。
第1，对于主成分颗粒100克，按照上述浓度和添加量，同时加入Ba(C5H7O2)2和Ca(C5H7O2)2，混合搅拌。然后使溶液中的溶剂蒸发，按照表1所示的处理温度和处理时间进行热处理。由此在主成分颗粒表面析出作为副成分添加物的Ba、Ca作为与主成分颗粒结合的氧化物而覆盖主成分。
第2，对于作为在表面结合上述Ba、Ca氧化物的主成分颗粒的BaTiO3，按照上述浓度和添加量加入上述Si(OC2H5)4，混合搅拌。然后使溶液中的溶剂蒸发，按照表1所示的处理温度和处理时间进行热处理。由此在主成分颗粒表面进一步析出上述Si，作为与主成分颗粒和上述副成分添加物结合的氧化物而覆盖主成分。
第3，对于结合上述Ba、Ca、Si的主成分颗粒BaTiO3，按照上述浓度和添加量同时再加入Y2(C2O4)3·9H2O、Mg(C2O4)·2H2O、Cr(C2O4)·6H2O，混合搅拌。然后使溶液中的溶剂蒸发，按照表1所示的处理温度和处理时间进行热处理。由此在主成分颗粒表面进一步形成上述Y、Mg、Cr，作为与主成分颗粒和上述副成分添加物结合的氧化物而覆盖主成分。
第4，对于在表面结合上述Ba、Ca、Si、Y、Mg、Cr的主成分颗粒BaTiO3，按照上述浓度和添加量同时进一步加入VO(C5H7O2)2，混合搅拌。然后使溶液中的溶剂蒸发，按照表1所示的处理温度和处理时间进行热处理。由此在主成分颗粒表面进一步形成上述V，作为与主成分颗粒和上述副成分添加物结合的氧化物而覆盖主成分。
采用纯水作为分散介质，在球磨机中进行湿式混合粉碎后，在100℃进行12小时的脱水干燥，获得陶瓷原料粉末。
主成分颗粒的平均半径、被覆层的平均厚度和被覆状态
为了确认获得的陶瓷原料粉末中的主成分颗粒的平均半径、被覆层的平均厚度和被覆状态，采用以下方法制作观察用试样。首先，在环氧树脂中加入获得的陶瓷原料粉末，陶瓷原料粉末与树脂的比例(体积比)为7左右，混合获得混合体。之后，对获得的混合体施加150℃的温度和适当的压力，展薄，使其固化，使其厚度为10μm。切割试样后，进行离子抛光，制作成具有厚100nm以下部位的观察用试样。
使用制作的观察用试样，确认陶瓷原料粉末的由副成分添加物构成的被覆区域。图3示出了扫描式透射电子显微镜(STEM)形成的明视野观察图像。如图3所示，可以确认在主成分颗粒BaTiO3的表面存在预定厚度的被覆层。
使用STEM附设的EDS(能量色散X射线分光仪)装置，求得主成分颗粒BaTiO3的表面存在的被覆层的平均厚度。具体地讲，从BaTiO3颗粒外侧向内侧线状扫描电子射线，此时检测的Y的特性X射线(K线)的计数如图4所示做曲线图。从图4所示曲线图可以求得主成分颗粒BaTiO3的表面附近图4的曲线轮廓的半值宽(＝峰值高度二分之一高度处的峰幅宽)，判断该值为副成分添加物构成的被覆层平均厚度。在数十个部位进行这种测定，将其平均值作为被覆层的平均厚度。结果如表1所示。图4所示的例子，半值是13计数附近，其宽度为5nm。而且，展示使用Y特性X射线(K线)的试样2的陶瓷原料粉末的元素映像照片如图5所示。如图5所示，可以确认作为主成分颗粒的BaTiO3的表面上，被覆层中存在预定厚度的Y。
通过透射型电子显微镜(TEM)观察主成分颗粒的平均半径r。试样分散在乙醇中，并滴在使胶棉膜张紧在铜制外框的微型网格上，干燥后使用。结果如表1所示。
电介质层用糊料的制作
相对于获得的陶瓷原料粉末100重量份，分别称量作为粘结剂的PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂10重量份、作为增塑剂的DOP(邻苯二甲酸二辛酯)5重量份、作为溶剂的乙醇150重量份，在球磨机中混合，浆化而获得电介质层用糊料。
内部电极层用糊料的制作
相对于平均粒径为0.3μm的镍颗粒100重量份，使用三辊机混合有机载体(乙基纤维素树脂8重量份溶解在丁基卡必醇92重量份中)40重量份和丁基卡必醇10重量份，使其成浆，获得内部电极层用糊料。
外部电极层用糊料的制作
相对于平均粒径为0.5μm的铜颗粒100重量份，混合有机载体(乙基纤维素树脂8重量份溶解在丁基卡必醇92重量份中)35重量份和丁基卡必醇7重量份，使其成浆，获得外部电极层用糊料。
叠层陶瓷片式电容器试样的制作
使用获得的电介质层用糊料和内部电极层用糊料，按如下方式，制造图1所示的叠层片式陶瓷电容器1。
首先，采用刮刀法，在PET薄膜上涂敷预定厚度的电介质层用糊料，经过干燥，形成厚10μm的陶瓷生坯片。根据本实施例，该陶瓷生坯片作为第一生坯片(烧结前层间电介质层)，制备多片。
采用丝网印刷法，在获得的第一生坯片上形成预定图形的内部电极层用糊料，获得具有电极图形(厚2.0μm)的陶瓷生坯片。根据本实施例，该陶瓷生坯片作为第二生坯片(烧结前内部电极层+烧结前层间电介质层)，制备多片。
叠层第一生坯片直至800μm厚，形成生坯片组(烧结前外侧电介质层)。在该生坯片组上，叠层5片第二生坯片，在其上再叠层并形成与上述相同的生坯片组，在温度为80℃和压力为1吨/cm2的条件下加热加压，获得生叠层体(烧结前元件本体)。
然后，把获得的叠层体按预定尺寸切断后，按以下条件进行脱粘结剂处理、烧结和退火，获得烧结体。
按照以下条件进行脱粘结剂处理：升温速度：30℃/小时，保持温度：250℃，保持时间：8小时，降温速度：200℃/小时，处理气氛：空气气氛。
按照以下条件进行烧结：升温速度：200℃/小时，保持温度：1300℃，保持时间：2小时，降温速度：200℃/小时，处理气氛：还原气氛(氧分压：向水蒸气通入N2和H2的混合气体，调整到10-6Pa)。
按照以下条件进行退火：升温速度：200℃/小时，保持温度：1050℃，保持时间：2小时，降温速度：200℃/小时，处理气氛：中性气氛(氧分压：向水蒸气通入N2气，调整到0.1Pa)。
偏析相的面积比例
首先，针对相当于对比例1的试样5、相当于实施例1的试样7-1、相当于实施例2的试样6，沿电介质层和内部电极层的叠层方向，按平行面切断获得的烧结体(电介质陶瓷组合物)，机械抛光该切断面。再对背面进行机械抛光，制作20μm以下厚的区域。之后，进行离子磨，一部分薄化成100nm以下厚度，然后作为STEM观察用试样。然后，使用STEM附设的EDS，对该薄化部位进行Y元素、Ti元素、Ba元素的元素映像的测定，从该结果测定偏析相的面积比例。使用STEM，将照射探针直径在5nmφ以下的电子射线照射在测定部位，使用EDS对从试样产生的X射线的能量进行分析，通过对测定的X射线的强度分布进行计算，算出各元素的存在比例。元素映像测定的观察视野取1μm×1μm(一边为主相的平均粒径的5倍左右)。结果，偏析相的面积比例分别如下，相当于对比例1的试样5为9％，相当于实施例1的试样7-1为6％，相当于实施例2的试样6为2％。
为了参考，展示使用STEM的试样6的烧结体的明视野观察图像的照片如图6所示。并且，对同一试样6的元素映像测定的结果，获得的照片如图7～10所示。图7中颜色越明亮的位置表示钡元素存在量越多。图8中颜色越明亮的位置表示钛元素存在量越多。图9中颜色越明亮的位置表示硅元素存在量越多。图10中颜色越明亮的位置表示钇元素存在量越多。
如果从图10来看，可以确认出构成主相的核芯部及壳体部和偏析相。各区域中各元素的存在比例，换算成氧化物，如下所述。核芯部为BaO：69重量％、TiO2：31重量％、SiO2：0重量％、Y2O3：0重量％。壳体部为BaO：67重量％、TiO2：30重量％、SiO2：0重量％、Y2O3：3重量％。偏析相，BaO：27重量％、TiO2：4重量％、SiO2：17重量％、Y2O3：52重量％。
即，偏析相应理解为按氧化物换算含10重量％以上(17重量％、52重量％)副成分(SiO2或Y2O3)的区域，其组成和结晶结构与主要由主成分构成的主相(是BaTiO3。相当于核芯部和壳体部)大不相同。主相和偏析相的结晶结构的差异，可以通过使用透射型电子显微镜(TEM)的电子射线衍射法判断。
另一方面，壳体部可以理解为按Y2O3换算Y元素仅按不足10重量％(具体的是3重量％)而存在。
即使对于形成主相颗粒的三相共存点等、观察到添加物元素比例在10％以上的微细区域，也作为偏析相计数。
然后，对获得的烧结体端面进行喷砂抛光后，在端面上转印外部电极用糊料，在加湿的N2+H2气氛中，在800℃烧结10分钟，形成外部电极，获得图1所示构成的叠层陶瓷电容器试样。
获得的各试样的尺寸是，长3.2mm×宽1.6mm×高1.2mm，内部电极层所夹的层间电介质层的数量是4，其厚度是6.5μm，内部电极层的厚度是1.5μm。
电容器试样的特性评价
对获得的电容器试样的介电常数(ε)、静电电容的温度特性(TC)和直流电场下的绝缘电阻(IR)寿命进行评价。
在基准温度25℃，采用数字LCR测量仪(YHP社制造4274A)，在频率为1kHz、输入信号电平(测定电压)为1.0Vrms的条件下，测定电容器试样的静电电容，由此算出介电常数ε(无单位)。评价基准按1800以上为良好。
针对静电电容的温度特性TC，评价EIAJ标准的X7R特性和JIS标准的B特性。首先，就X7R特性而言，针对电容器试样，采用数字LCR测量仪(YHP社制造4274A)，在频率为1kHz、输入信号电平(测定电压)为1Vrms的条件下，测定静电电容，基准温度为25℃时，在-55～125℃的温度范围内，考察静电电容随温度的变化率(ΔC/C)是否满足EIAJ标准的X7R特性(±15％以内)，满足的情形为○，不满足的情形为×。然后，就B特性而言，针对电容器试样，在相同的条件下，测定静电电容，基准温度为20℃时，在-25～85℃的温度范围内，考察静电电容随温度的变化率(ΔC/C)是否满足JIS标准的B特性(±10％以内)，满足的情形为○，不满足的情形为×。
就直流电场下的绝缘电阻IR寿命而言，针对电容器试样，在220℃，10V/μm的电场下，进行加速试验，计算绝缘电阻(IR)直到成为2×105Ω以下的时间(单位是小时)，IR寿命在5小时以上，优选10小时以上为良好。
结果如表1所示。
  试样编号   热处理   主成分颗粒   被覆层   介电常数ε   温度特性   IR加速寿命(小时)
  处理温度(℃)   处理时间(小时)   平均半径r(nm)   平均厚度Δr(nm)   Δr与r的比(Δr/r)   X7R   B特性
  1   对比例   700   1   100   1   0.01   4300   ×   ×   0.4
  1-1   实施例   800   1   100   1.5   0.015   2700   ○   ○   12.0
  2   实施例   800   5   100   3   0.03   2600   ○   ○   33.0
  3   实施例   900   5   100   5   0.05   2500   ○   ○   28.0
  3-1   实施例   900   7   100   5.5   0.055   1800   ○   ○   15.6
  4   对比例   1000   7   100   10   0.1   1600   ×   ×   2.2
  5   对比例   600   2   200   1   0.005   4800   ×   ×   0.3
  5-1   实施例   800   3   200   3   0.015   3600   ○   ○   10.5
  6   实施例   900   3   200   5   0.025   3500   ○   ○   14.0
  7   实施例   900   7   200   9   0.045   3100   ○   ○   11.0
  7-1   实施例   1000   5   200   11   0.055   2500   ○   ○   10.0
  8   对比例   1000   10   200   15   0.075   1900   ×   ×   1.3
如表1所示可以确认被覆层的平均厚度Δr在本发明的下限之外的试样1、5，虽然其介电常数足够，但其IR加速寿命非常短，而且温度特性也恶化。
被覆层的平均厚度Δr在本发明的上限之外的试样4、8，其IR加速寿命虽然不象试样1、5那样非常短，但也不充分。试样4的介电常数和温度特性恶化。试样8的介电常数充分，但温度特性恶化。
与此相反，可以确认被覆层的平均厚度Δr在本发明的范围内的各试样中，介电常数、温度特性和IR加速寿命的平衡是优异的。

Claims (8)

1.一种陶瓷原料粉体，在由碳酸钡构成的主成分颗粒表面上具有由副成分添加物构成的被覆层，
其特征在于，设所述主成分颗粒的平均半径为r，所述被覆层的平均厚度为Δr时，将所述Δr控制在0.015r以上至0.055r以下的范围内。
2.一种陶瓷原料粉体，在主成分颗粒表面上具有由副成分添加物构成的被覆层，
其特征在于，设所述主成分颗粒的平均半径为r，所述被覆层的平均厚度为Δr时，将所述Δr控制在r(α-β)以上至r(α+β)以下(其中，α和β的值表示由主成分颗粒的组成或构成被覆层的副成分添加物的种类等决定的常数)的范围内。
3.根据权利要求2的陶瓷原料粉体，其中，所述主成分颗粒由具有钙钛矿型结晶结构的氧化物构成。
4.一种电介质陶瓷组合物，使用权利要求1～3中任意一项所述的陶瓷原料粉体制造，
其特征在于，具有主要由主成分构成的主相，和
作为与该主相的组成和结晶结构不同、按氧化物换算含10重量％以上副成分的区域的偏析相，
观察所述电介质陶瓷组合物的断面时，所述偏析相的面积比例在观察视野面积的8％以下。
5.一种电子部件，具有电介质层，所述电介质层由权利要求4所述的电介质陶瓷组合物构成。
6.一种叠层陶瓷电容器，具有内部电极层和电介质层交互叠层多层的元件本体，
所述电介质层由权利要求4所述的电介质陶瓷组合物构成。
7.一种陶瓷原料粉体的制造方法，该陶瓷原料粉体在钛酸钡构成的主成分颗粒表面上具有由副成分添加物构成的被覆层，
其特征在于包括制备粉末状主成分颗粒和溶液状副成分添加物的混合溶液的步骤，和对所述混合溶液进行热处理的步骤，
改变所述热处理的处理温度和处理时间，相对于所述主成分颗粒的平均半径r，将所述被覆层的平均厚度Δr控制在0.015r以上至0.055r以下的范围内。
8.一种陶瓷原料粉体的制造方法，该陶瓷原料粉体在主成分颗粒表面上具有由副成分添加物构成的被覆层，
其特征在于包括制备粉末状主成分颗粒和溶液状副成分添加物的混合溶液的步骤，和对所述混合溶液进行热处理的步骤，
改变所述热处理的处理温度和处理时间，相对于所述主成分颗粒的平均半径r，将所述被覆层的平均厚度Δr控制在r(α-β)以上至r(α+β)以下(其中，α和β的值表示由主成分颗粒的组成或构成被覆层的副成分添加物的种类等决定的常数)的范围内。
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