CN1658345A - 固态电解电容器、传输线器件、它们的制作方法及采用它们的复合电子元件 - Google Patents
固态电解电容器、传输线器件、它们的制作方法及采用它们的复合电子元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1658345A CN1658345A CN2005100094620A CN200510009462A CN1658345A CN 1658345 A CN1658345 A CN 1658345A CN 2005100094620 A CN2005100094620 A CN 2005100094620A CN 200510009462 A CN200510009462 A CN 200510009462A CN 1658345 A CN1658345 A CN 1658345A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- anode
- connection end
- electrolytic capacitor
- metal
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 140
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 72
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 72
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 106
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 106
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 46
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 42
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 40
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 36
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 36
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000010412 perfusion Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract 2
- 238000007634 remodeling Methods 0.000 description 9
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/10—Housing; Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/236—Terminals leading through the housing, i.e. lead-through
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
- H01G9/028—Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
在固态电解电容器(104)中,封装(5)为一被布置成覆盖电容元件的绝缘树脂件(5a)。绝缘树脂件(5a)具有穿过它而形成的多个通孔部分(6)。阳极接线端(7)包含被置于通孔部分(6)中的金属镀层。阳极接线端(7)通过所述通孔部分(6)与阳极导引部分(1b)电连接。阴极接线端(8)包含被置于通孔部分(6)中的金属镀层。阴极接线端(8)通过所述通孔部分(6)与阴极导体部分(3)电连接。
Description
本申请要求日本申请JP 2004-044303和JP 2004-102436的优先权,本文将它们的说明书结合为参考文献。
技术领域
本发明涉及薄型固态电解电容器、薄型传输线器件、由半导体芯片与所述电容器或传输线器件合成的复合电子元件,以及制作它们的方法。
电子设备正向小型化、薄型化和高功能化发展。这些特点在便携式设备中尤显重要。随着这样的趋势,越来越多地要求这些设备中安装的电子元件要小型化、薄型化和高功能化。
在这些情况下,不仅在各种半导体元件中,而且在无源元件中,特别是在那些用于去耦电源电路的各种固态电解电容器和传输线器件中,小型化和薄型化已有越来越多的需求。
在这种趋势下,以半导体元件与这些无源元件结合的复合元件方式也属于小型化。特别是,由于与陶瓷电容器等相比,固态电解电容器和传输线器件的电容量大,因此,当把它们与半导体芯片结合时,可以预期有极好的去耦效果。
按照惯例,表面安装型固态电解电容器一般被覆盖以固态树脂封装。图1示出这种常规树脂模塑型的固态电解电容器的剖面图。
参照图1,树脂模塑型的固态电解电容器701具有阳极主体1,所述主体是比如铝、铌、钽,或它们为基本金属的合金等有止逆作用的金属片或箔。延展这种基本金属的表面,并以所述基本金属的氧化物构成的介电层覆盖这种延展的基本金属表面。该电容器还包括阻挡层2,它限定两部分,还包括阴极导体层3,它盖住阳极主体1的主要部分。所述电容器进一步包括:阳极接线端71,这个阳极接线端71牢固地固着在阳极主体1上未被覆盖阴极导体层3的部分上;阴极接线端81牢固地固着在所述阴极导体层3上;以及模塑树脂封装91。然而,由于树脂模塑成型所需的厚度之故,所述电容器不能足够地薄。
日本专利未审公开No.2003-249418公开了另一种薄型固态电解电容器的结构。图2表示其中一种普通薄型固态电解电容器的剖面图。
参照图2,薄型固态电解电容器702包括固着在阳极主体1上的阳极接线端72、固着在阴极导体层3上的阴极接线端82、覆盖阴极导体层3的金属板92,以及被所述金属板92覆盖的绝缘部分93。由于去掉树脂模塑封装,可使整个厚度减小。然而,由于加工时对金属板所需的厚度使得难以进一步减小厚度。
为了实现由半导体元件构成的复合电子元件的小型化,要求将固态电解电容器的厚度减小到半导体芯片的厚度那样薄,比如不超过0.3mm。
发明内容
本发明的目的在于提出一种进一步薄型化的电解电容器和传输线器件及其制作方法。
本发明的另一目的在于提出一种薄型化的复合电子元件,其中电解电容器和传输线器件与半导体芯片相结合。
按照本发明,提供一种固态电解电容器,它包括固态电解质电容元件、覆盖该元件的封装和用于与外部目标电连接的阳极接线端及阴极接线端。所述固态电解质电容元件包括:阳极部件,它由有止逆(valve)作用之金属制成,并沿着该电容元件的纵长方向延展;所述阳极部件被提供有阳极部分和阳极导引部分;介电层,它由有止逆作用的金属氧化物制成,并且形成于所述阳极部分的表面上;以及阴极部件,它具有在所述介电层表面上形成的阴极导体部分。所述封装为一绝缘树脂件,被布置成用以覆盖所述电容元件。所述绝缘树脂件具有多个穿过它而形成的通孔部分。所述阳极接线端具有被置于所述通孔部分内的金属镀层。该阳极接线端通过所述通孔部分与阳极导引部分电连接。所述阴极接线端具有被置于所述通孔部分内的金属镀层。该阴极接线端通过所述通孔部分与阴极导体部分电连接。所述有止逆作用的金属可以是铝、铌、钽,或它们的合金。
所述阳极接线端和阴极接线端可以包括突起于绝缘树脂件表面的扩张区,该扩张区与各通孔部分内的金属镀层电连接。所述扩张区可以包含形成于所述绝缘树脂件表面上的金属镀层。该扩张区可以包含与各通孔部分内的金属镀层邻接的焊接球。该扩张区可以是形成于所述绝缘树脂件表面上的金属箔。
所述固态电解电容器可以包括附加的阳极接线端,它被电连接到阳极导引部分的不同位置。该电容器可以包括附加的阴极接线端;它被电连接到所述阴极导体部分的不同位置。可将所述阳极接线端、附加阳极接线端、阴极接线端和附加阴极接线端布置在所述绝缘树脂件的两侧。可将所述阳极接线端、附加阳极接线端、阴极接线端和附加阴极接线端布置在所述绝缘树脂件的一侧。
所述绝缘树脂件可以包含多个树脂片,它们之间夹有所述电容元件。这些树脂片可以热压或借助粘合剂被互相粘合在一起。所述绝缘树脂件可以是通过给元件灌注以环氧树脂液体而形成的树脂覆盖物。
按照本发明,提供一种传输线型电容器件,它包括:传输线型电容元件、覆所述元件的封装,以及用以与外部目标电连接的阳极接线端和阴极接线端。所述传输线型固态电解质电容元件包含阳极元件,该元件由有止逆作用的金属制成,并沿着该电容元件的纵长方向延展;而且所述阳极部件依序被提供有第一阳极导引部分、阳极部分和第二阳极导引部分;介电层,它由有止逆作用的金属氧化物制成,并且形成于所述阳极部分的表面上;以及阴极部件,它具有在所述介电层表面上形成的阴极导体部分。所述封装为一绝缘树脂件,被布置成用以覆盖所述电容元件。所述绝缘树脂件具有多个穿过它所形成的通孔部分。所述阳极接线端具有被置于所述通孔部分内的金属镀层。各阳极接线端通过所述各通孔部分与所述第一和第二阳极导引部分电连接。所述阴极接线端具有被置于所述通孔部分内的金属镀层。各阴极接线端通过所述通孔部分与阴极导体部分电连接。
按照本发明,提供一种复合电子元件,它包括:半导体芯片;固态电解电容器,该电容器包含固态电解质电容元件、覆盖所述元件的封装和用于与半导体芯片电连接的阳极接线端和阴极接线端。所述固态电解质电容元件包括:阳极部件,所述阳极部件由有止逆作用的金属制成,并沿该电容元件的纵长方向延展,并且所述阳极部件设置一个阳极部分和一个阳极导引部分;介电层,由有止逆作用金属的金属氧化物制成并形成于所述阳极部分的表面上;阴极部件,它包含形成于所述介电层表面上的阴极导体部分。所述封装为一绝缘树脂件,该绝缘树脂件被布置成用以覆盖所述固态电解质电容器元件,并且该绝缘树脂件具有多个穿通它形成的通孔部分。所述阳极接线端是被置于所述通孔内的金属镀层。该阳极接线端通过所述通孔部分与阳极导引部分电连接。所述阴极接线端是被置于所述通孔内的金属镀层。该阴极接线端通过所述通孔部分与阴极导体部分电连接。将半导体芯片安装在固态电解电容器上。
按照本发明,提供一种复合电子元件,它包括:半导体芯片;传输线型固态电解电容器,该电容器包含传输线型固态电解质电容元件、覆盖所述元件的封装和用于与半导体芯片电连接的阳极接线端和阴极接线端。所述传输线型固态电解质电容元件包括:阳极部件,所述阳极部件由有止逆作用的金属制成,并沿该电容元件的纵长方向延展,并且所述阳极部件依序设置第一阳极导引部分、阳极部分和第二阳极导引部分;介电层,由有止逆作用金属的金属氧化物制成并形成于所述阳极部分的表面上;阴极部件,它包含形成于所述介电层表面上的阴极导体部分。所述封装为一绝缘树脂件,该绝缘树脂件被被布置成用以覆盖所述固态电解质电容器元件。该绝缘树脂件具有多个穿通它形成的通孔部分。所述阳极接线端是被置于所述各通孔内的金属镀层。该阳极接线端通过所述通孔部分与第一和第二阳极导引部分电连接。所述阴极接线端是被置于所述各通孔内的金属镀层。该阴极接线端通过所述各通孔部分与阴极导体部分电连接。将半导体芯片安装在传输线型固态电解电容器上。
按照本发明,提供一种制作固态电解电容器的方法,所述固态电解电容器包括固态电解质电容元件、覆盖该元件的封装以及用于与外部目标电连接的阳极接线端和阴极接线端。所述固态电解质电容元件包括:阳极部件,所述阳极部件由有止逆作用的金属制成,并沿该电容元件的纵长方向延展,并且所述阳极部件设置有阳极部分和阳极导引部分;介电层,由有止逆作用金属的金属氧化物制成并形成于所述阳极部分的表面上;阴极部件,它包含形成于所述介电层表面上的阴极导体部分,并且所述阴极部件包括形成于所述介电层表面上的阴极导体部分。所述方法包括如下步骤:制备所述固态电解质电容元件;加给绝缘树脂件,以覆盖该电容元件;在所述绝缘树脂件中形成多个通孔部分;以及将金属镀层置于各通孔部分内,以提供阳极接线端和阴极接线端。
按照本发明,提供一种制作传输线型电容器件的方法,所述传输线型电容器件包括传输线型固态电解质电容元件、覆盖该元件的封装,以及用于与外部目标电连接的阳极接线端和阴极接线端。所述传输线型固态电解质电容元件包括:阳极部件,所述阳极部件由有止逆作用的金属制成,并沿该电容元件的纵长方向延展,其中,所述阳极部件依序设置有第一阳极导引部分、阳极部分和第二阳极导引部分;介电层,由有止逆作用金属的金属氧化物制成并形成于所述阳极部分的表面上;阴极部件,它包含形成于所述介电层表面上的阴极导体部分。所述方法包括如下步骤:制备所述传输线型固态电解质电容元件;加给绝缘树脂件,以覆盖该电容元件;在所述绝缘树脂件中形成多个通孔部分;以及将金属镀层置于各通孔部分内,以提供阳极接线端和阴极接线端。
按照本发明,由于电容器和传输线型器件的封装以及阳极和阴极接线端都非常薄,可使固态电解电容器和传输线器件薄型化和小型化。
此外,采用本发明固态电解电容器和传输线器件,可使与半导体芯片构成的复合电子元件薄而且小型。另外所述复合电子元件省去外部电容元件。
另外,本发明的固态电解电容器使各种实用电路能够高速动作。这是因为在固态电解电容器和传输线器件中可以容易形成多个阳极接线端和阴极接线端,而各种实用电路可以使用位于紧靠各实用电路接线端的适宜的阳极接线端和阴极接线端。有多个阳极接线端和阴极接线端可供利用,这用于减小整个电路的感应现象。
因而,本发明对于使电子装置的小型化有所贡献。
附图说明
从以下结合附图的描述可以更完整地理解本发明,其中:
图1是普通树脂模塑型固态电解电容器一种举例的剖面图;
图2是普通薄型固态电解电容器另一种举例的剖面图;
图3A和3B是本发明第一种固态电解电容器的剖面图和仰视图;
图4是本发明第一实施例一种改型的固态电解电容器的剖面图;
图5A和5B是本发明第一实施例另一改型的固态电解电容器的剖面图和仰视图;
图6A和6B是本发明第二实施例固态电解电容器的剖面图和仰视图;
图7是本发明第二实施例一种改型固态电解电容器的的剖面图;
图8是本发明第二实施例另一种改型的固态电解电容器的剖面图;
图9A和9B是本发明第三实施例传输线器件的剖面图和仰视图;
图10A和10B是本发明第四实施例固态电解电容器的透视图和仰视图;
图11是表示本发明制造固态电解电容器方法的制作过程的流程图;
图12是本发明第五实施例复合电子元件的剖面图;
图13是本发明第六实施例复合电子元件的剖面图;
图14是本发明第七实施例复合电子元件的剖面图;
图15是本发明第八实施例复合电子元件的剖面图;
图16是本发明第九实施例复合电子元件的剖面图。
具体实施方式
第一实施例
参照图3A和3B,本发明第一实施例固态电解电容器101包括阳极主体1,这个阳极主体1为由比如铝、铌、钽或以它们为基本金属的合金等有止逆作用之金属制成的片或箔。使阳极主体1的表面延展,并由阻挡层2将其分成两部分。阳极主体1包括被置于一部分内的阳极部分1a和被置于另一部分内的阳极导引部分1b。给阳极部分1a的表面覆盖以介电层(未示出),该介电层由所述基本金属的氧化物制成。所述介电层的表面覆盖有阴极导体层3。阴极导体层3由固态电解质、石墨和银糊制成。这些就构成固态电解质电容元件的基本构造。
由包含下片5a和上片5b的封装5从所述电容元件的下侧面和上侧面夹持该固态电解质电容元件。例如,所述下片和上片5a和5b当中的每一个的厚度为几十微米。所述封装5的厚度不超过0.3mm。
下片5a有两个通孔部分6,它们分别达到所述阳极主体1和阴极导体层3。形成通孔部分6的过程是可以在树脂件中形成穿孔的过程,比如激光穿孔过程。在达到阳极体主1的通孔部分6中,通过在该通孔部分6中形成金属镀层而构成阳极接线端7。同样,在达到阴极导体层3的通孔部分6中,通过在该通孔部分6中形成金属镀层而构成阴极接线端8。这些金属镀层从封装5的表面略有伸出。由比如铜之类的高电导率金属制成所述金属镀层。例如,从封装5伸出的金属镀层的厚度为从几微米到几十微米,阳极接线端7和阴极接线端8提供与外部目标的电连接,所述外部目标就是要与所述电容元件电连接的。
上述实施例中,虽然没有金属镀层形成于所述另一部分中的阳极主体1的表面上,或者形成于阳极导引部分1b的表面上,但最好是在阳极导引部分1b的表面上形成金属镀层。这是因为要防止在封装5中形成通孔6的过程中阳极导引部分1b的表面受到损害。以在阳极导引部分1b的表面上使用导电粘合剂代替所述金属镀层可以制成金属箔。
同样的理由,最好是在阴极导体层3的表面上形成金属镀层或金属箔。
接下去将说明制作电解电容器101的方法。
参照图11,预先制备阳极主体,由比如铝、铌、钽或它们的合金等有止逆作用的金属制成的片或箔所构成,延展该阳极主体的表面(步骤S1)。通过蚀刻所述的片或箔,或者通过给有止逆作用的金属片烧结有止逆作用的金属粉末,使之结合,可以造成表面的延展。所述片或箔包含多个阳极主体;由所述的片或箔切割出每个阳极主体。
然后,通过化学反应处理,在所述片或箔的表面上形成由所述基本金属的氧化物构成的介电层(步骤S2)。这些过程制成所述阳极主体,该主体具有在所述片或箔上形成的介电层。
继而,在所述阳极主体表面的预定部分中加给或形成阻挡层2(步骤S3),以及在阴极的预定部分中形成由固态电解质制成的阴极导体层3(步骤S4)。对二氧化锰或导电聚合物,如聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺或它们的络合物采用公知的过程可以得到所述固态电解质。此外,可在固态电解质的表面上形成比如石墨层、银糊层。然后,去掉部分介电层,给出阳极导引部分1b。
所述阴极导体层3的最外层最好具有金属镀层或者用导电粘合剂粘结的金属箔,以减少因比如激光处理等后加工处理所致的损坏。因同样的理由,所述阳极导引部分1b的最外层最好也具有金属镀层或者金属箔焊层。
此后,给通过上述过程制得的电容元件从该元件的顶部到底部覆盖以封装5,所述封装由下片5a和上片5b组成(步骤S5)。通过固化或部分固化,比如通过加热处理半固化环氧树脂片而制得封装5。作为选择,可以通过把粘合剂加给所述电容元件并由所述树脂片夹住它们制得所述封装5。
此外,通过激光处理在封装5中所形成通孔部分6,使它们的深度足以达到所述阳极导引部分1b和阴极导体层3。电镀各通孔部分6和封装5的预定部分(步骤S7),得到阳极接线端7和阴极接线端8。最后,按各预先确定的部分实行切割,分割出多个元件。
参照图4,固态电解电容器102作为本发明第一实施例的改型,它与图3A和3B的第一实施例不同在于该电容器在固态电解质电容元件的下侧和上侧上面都有多个接线端。因此,将用同样的参考标号表示同样的部件,并省略详细的描述,而将主要描述各不同的部件。
封装5的下片5a和上片5b具有多个通孔部分6,它们分别达到阳极主体1和阴极导体层3。在达到阳极主体1的通孔部分6中,通过在各通孔部分6中形成金属镀层构成阳极接线端7。同样,在达到阴极导体层3的通孔部分6中,通过在各通孔部分6中形成金属镀层构成阴极接线端8。这些金属镀层略为突出于封装5的表面。由诸如铜之类的高电导率金属制成各金属镀层。
参照图5A和5B,固态电解电容器103作为本发明第一实施例的另一改型包含图4所示第一实施例改型之固态电解电容器的各个部件。第一实施例的这两个改型之间的主要不同在于所示接线端的数目方面。主要描述这一不同点。
封装5的下片5a和上片5b有18个通孔部分6,它们分别达到阳极主体1和阴极导体层3。在达到所述阳极主体1的通孔部分6中,通过在各通孔部分6中形成金属镀层而构成各阳极接线端7。同样,在达到所述阴极导体层3的通孔部分6中,通过在各通孔部分6中形成金属镀层而构成各阴极接线端8。这些金属镀层略为突出于封装5的表面。由诸如铜之类的高电导率金属制成各金属镀层。如图图5B所示,在阳极导引部分1b的下表面上,沿着与电容元件的纵长方向平行和垂直的每条线布置所述各阳极接线端7。
第二实施例
参照图6A,本发明第二实施例的固态电解电容器104与图3A和3B的第一实施例主要不同在于阳极接线端7和阴极接线端8分别具有扩张区12和13。因此,将用同样的参考标号表示同样的部件,并省略详细的描述,而将主要描述各不同的部件。
与图6A一起参照图6B,所述电容器104还包括在阳极导引部分1b的表面上形成的金属镀层4。通过在各通孔部分6中和在封装5的部分表面上形成金属镀层,分别构成阳极接线端7和阴极接线端8,以提供与金属镀层4和阴极导体层3的电连接。封装5的部分表面上的金属镀层的区域12和13构成阳极接线端7和阴极接线端8的扩张区12和13。
扩张区12和13略为突出于封装5的表面。例如,从封装5突出的金属镀层厚度为几个微米到几十微米。扩张区12和13用于使所述阳极接线端7和阴极接线端8与外部目标连接,所述外部目标是要与电容元件电连接的。
参照图7,固态电解电容器105作为本发明第二实施例的改型与图6A和6B所示第二实施例主要不同在于阳极接线端和阴极接线端具有焊接球14作为扩张区,分别替代所述金属镀层。因此,将用同样的参考标号表示同样的部件,并省略详细的描述,而将主要描述各不同的部件。
焊接球14由高电导率的金属制成,并通过焊接构成而形成。例如,使焊接球14突出于封装5几百微米的厚度或高度。焊接球14使阳极接线端7和阴极接线端8容易与外部目标连接,所述外部目标是要与电容元件电连接的。这种结构被称为BGA(球栅阵列)结构。
参照图8,固态电解电容器106作为本发明第二实施例的另一改型与图6A和6B的第二实施例主要不同在于阳极接线端和阴极接线端具有金属箔15作为扩张区,分别替代所述金属镀层。因此,将用同样的参考标号表示同样的部件,并省略详细的描述,而将主要描述各不同的部件。
金属箔15由高电导率金属制成,并采用导电粘合剂形成它。例如,使金属箔15从封装5突出几十微米的厚度。
第三实施例
参照图9A和9B,本发明第三实施例的传输线器件301包括阳极主体1。除了所述阳极主体1的表面被两部分阻挡层2分成三部分外,传输线型器件301具有图6A和6B中固态电解电容器104同样的结构。这就是说,将由固态电解质、石墨、银糊等所制成的阴极导体层3形成在中心部分,并在两端部分形成金属镀层4。在两端的两个位置处分别构成包含扩张区12的两个阳极接线端7。另外,在中心的一个位置处(两个或多个位置的结构也是可能的)构成包含扩张区13的阴极接线端8。
传输线型器件301为二对一接线端结构,有三个电极接线端:中心处形成的一个阴极接线端8和两侧上形成的两个阳极接线端。
于是,除了阳极接线端7的数目之外,这种电容器以及传输线器件的结构都是类似的。可将本发明第一实施例中参照图11所述的制作过程应用于制作传输线器件。
第四实施例
参照图10A和10B,本发明第四实施例的固态电解电容器401具有多个电解质元件、多个阳极接线端和多个阴极接线端。
更明确地说,电容器401具有阳极主体1,它包含一个有止逆作用的正方形的片或正方形的箔。阳极主体1的下表面和上表面分别被栅格形的阻挡层2分成九部分。被分成的各部分包括四个阳极部分和五个阳极导引部分。所述阳极部分和阳极导引部分互相交替地布置。每个阳极部分的表面被覆盖以有止逆作用金属之氧化物制成的介电层(未示出)。每个介电层的表面覆盖有阴极导体层3。
此外,每个阳极导引部分的表面覆盖有金属镀层4。
由封装5从电容元件的下侧到上侧夹持所述固态电解质电容元件,所述封装5包括下片5a和上片5b。
下片5a有9个通孔部分,分别达到金属镀层4和阴极导体层3。在达到金属镀层4的通孔部分中,通过形成金属镀层而构成阳极接线端7。同样,在达到阴极导体层3的通孔部分中,通过形成金属镀层而构成阴极接线端8。所述阳极接线端7和阴极接线端8分别具有扩张区12和13。
按照这种结构,根据如何连接阴极接线端8和阳极接线端7的方式,可以得到固态电解电容器和传输线器件。
第五实施例
按照本发明第一到第四实施例,可在相关的任意位置形成所述阳极接线端7和阴极接线端8,因为它们是经过金属镀层形成的。因此,通过形成多个阳极接线端7和阴极接线端8,可以减小阳极接线端7和阴极接线端8之间的距离,从而减少感应现象,并能高速地响应。另外,如果需要,可以通过将焊接球14置于阳极接线端7和阴极接线端8上,而造成BGA结构。
本发明的固态电解电容器和传输线器件的优点在于是一种薄的表面安装型元件。
另外,由于薄型结构和大电容的特点,通过与半导体芯片结合,本发明的固态电解电容器和传输线器件能够给出一种小型化的复合电子元件。以下就描述复合电子元件的几种实施例。
参照图12,按照本发明第五实施例的复合电子元件201具有固态电解电容器,比如图6A和6B所示的固态电解电容器104,它被沿着半导体芯片500的厚度方向放置在该芯片500上。焊接球18被置于半导体芯片500的下表面上。带有扩张区12和13的阳极接线端7和阴极接线端8分别与在芯片500上所形成的导引(芯片接线端)电连接。作为选择,也可放置传输线器件,比如放置图9A和9B所示的传输线器件301,以代替所述固态电解电容器104。
第六实施例
参照图13,按照本发明第六实施例的复合电子元件202的结构是将图6A和6B所示的固态电解电容器104沿着半导体芯片500的厚度方向放置在该芯片500的下表面上。带有扩张区12和13的阳极接线端7和阴极接线端8分别经连接线16与在芯片500下表面上所形成的导引17电连接。同样也可以放置图9A和9B所示的传输线器件301,以代替所述固态电解电容器104。
第七实施例
参照图14,按照本发明第七实施例的复合电子元件205依序具有叠置的插入器或插入板600、半导体芯片501、固态电解电容器107和半导体芯片502。
焊接球18被置于插入器600的下侧面上。半导体芯片501沿着插入板600的厚度方向被置于该插入板600的一侧。
固态电解电容器107放置在半导体芯片501上。所述固态电解电容器107的带有扩张区12和13的阳极接线端7和阴极接线端8分别经连接线16与在插入器600一侧上所形成的导引17电连接。
半导体芯片502放置在固态电解电容器107上。所述固态电解电容器107的带有扩张区12和13的部分阳极接线端7和阴极接线端8分别与半导体芯片502上形成的导引17电连接。带有扩张区12和13的阳极接线端7和阴极接线端8的其余部分分别经连接线162与插入器600上形成的导引17电连接。
同样也可以放置传输线器件来代替所述固态电解电容器107。
第八实施例
参照图15,按照本发明第八实施例的复合电子元件203具有多个有如图6A和6B所示的固态电解电容器104以及半导体芯片500,它们被置于插入器600上。焊接球18被置于插入器600的下部侧面上。可以使用多个图9A和9B所示的传输线器件代替固态电解电容器104。
第九实施例
参照图16,按照本发明第九实施例的复合电子元件204具有一个电容器,比如图6A和6B所示的电容器104,它被置于插入器600的安装侧面上,在与半导体芯片500相对的一侧。焊接球18被置于插入器600的与所示固态电解电容器104相同的一侧。可以用传输线器件代替所示固态电解电容器104。
作为本发明的第八和第九实施例,由于在半导体芯片附近放置薄的大容量的固态电解电容器或传输线器件,所以能够提高去耦效果,能够得到高速动作的半导体,并使外部的无源元件成为是不必要的,从而同样给出小型化的电子器件。
虽然已经结合其优选实施例描述了本发明,但对于那些熟悉本领域的人员而言,可对本发明作出各种其它方式的实践而不致脱离所附权利要求书限定的本发明范围。
Claims (44)
1.一种固态电解电容器,它包括固态电解质电容元件、覆盖该元件的封装和用于与外部目标电连接的阴极接线端及阴极接线端;
所述固态电解质电容元件包括:
阳极部件,它由有止逆作用的金属制成,并沿着该电容元件的纵长方向延展;所述阳极部件被提供有阳极部分和阳极导引部分;
介电层,它由有止逆作用的金属氧化物制成,并且形成于所述阳极部分的表面上;以及
阴极部件,它具有在所述介电层表面上形成的阴极导体部分;
其中,所述封装为一绝缘树脂件,被布置成用以覆盖所述电容元件;所述绝缘树脂件具有多个穿过它所形成的通孔部分;
所述阳极接线端具有被置于所述通孔部分内的金属镀层;该阳极接线端通过所述通孔部分与阳极导引部分电连接;并且
所述阴极接线端具有被置于所述通孔部分内的金属镀层;该阴极接线端通过所述通孔部分与阴极导体部分电连接。
2.如权利要求1所述的固态电解电容器,其中,所述有止逆作用的金属是铝、铌、钽,或它们的合金。
3.如权利要求1所述的固态电解电容器,其中,所述阳极接线端和阴极接线端包含突起于绝缘树脂件表面的扩张区,该扩张区与各通孔部分内的金属镀层电连接。
4.如权利要求3所述的固态电解电容器,其中,所述扩张区包含形成于所述绝缘树脂件表面上的金属镀层。
5.如权利要求3所述的固态电解电容器,其中,所述扩张区包含与各通孔部分内的金属镀层邻接的焊接球。
6.如权利要求3所述的固态电解电容器,其中,所述扩张区包含形成于所述绝缘树脂件表面上的金属箔。
7.如权利要求1所述的固态电解电容器,其中,还包括附加的阳极接线端,它被电连接到阳极导引部分的不同位置。
8.如权利要求7所述的固态电解电容器,其中,还包括附加的阴极接线端,它被电连接到所述阴极导体部分的不同位置。
9.如权利要求8所述的固态电解电容器,其中,所述阳极接线端、附加阳极接线端、阴极接线端和附加阴极接线端布置在所述绝缘树脂件的两侧。
10.如权利要求8所述的固态电解电容器,其中,所述阳极接线端、附加阳极接线端、阴极接线端和附加阴极接线端布置在所述绝缘树脂件的一侧。
11.如权利要求1所述的固态电解电容器,其中,所述绝缘树脂件包含多个树脂片,将所述电容元件夹持在它们之间。
12.如权利要求11所述的固态电解电容器,其中,所述树脂片被热压或借助粘合剂被互相粘合在一起。
13.如权利要求1所述的固态电解电容器,其中,所述绝缘树脂件为通过给元件灌注以环氧树脂液体而形成的树脂覆盖物。
14.一种传输线型电容器件,它包括:传输线型固态电解质电容元件、覆所述元件的封装,以及用以与外部目标电连接的阳极接线端和阴极接线端;
所述传输线型固态电解质电容元件包括:
阳极元件,该元件由有止逆作用的金属制成,并沿着该电容元件的纵长方向延展;而且所述阳极部件依序被提供有第一阳极导引部分、阳极部分和第二阳极导引部分;
介电层,它由有止逆作用的金属氧化物制成,并且形成于所述阳极部分的表面上;以及
阴极部件,它具有在所述介电层表面上形成的阴极导体部分;
其中,所述封装为一绝缘树脂件,被布置成用以覆盖所述电容元件;所述绝缘树脂件具有多个穿过它所形成的通孔部分;
所述阳极接线端具有被置于所述通孔部分内的金属镀层;各阳极接线端通过所述各通孔部分与所述第一和第二阳极导引部分电连接;
所述阴极接线端具有被置于所述通孔部分内的金属镀层;各阴极接线端通过所述通孔部分与阴极导体部分电连接。
15.如权利要求14所述的传输线型电容器件,其中,所述有止逆作用的金属是铝、铌、钽,或它们的合金。
16.如权利要求14所述的传输线型电容器件,其中,所述阳极接线端和阴极接线端包含突起于绝缘树脂件表面的扩张区,该扩张区与各通孔部分内的金属镀层电连接。
17.如权利要求16所述的传输线型电容器件,其中,所述扩张区包含形成于所述绝缘树脂件表面上的金属镀层。
18.如权利要求16所述的传输线型电容器件,其中,所述扩张区包含与各通孔部分内的金属镀层邻接的焊接球。
19.如权利要求16所述的传输线型电容器件,其中,所述扩张区包含形成于所述绝缘树脂件表面上的金属箔。
20.如权利要求16所述的传输线型电容器件,其中,还包括附加的阳极接线端,它们被电连接到所述第一和第二阳极导引部分的不同位置。
21.如权利要求16所述的传输线型电容器件,其中,还包括附加的阴极接线端,它们被电连接到所述阴极导体层的不同位置。
22.如权利要求21所述的传输线型电容器件,其中,所述阳极接线端、附加阳极接线端、阴极接线端和附加阴极接线端布置在所述绝缘树脂件的两侧。
23.如权利要求21所述的传输线型电容器件,其中,所述阳极接线端、附加阳极接线端、阴极接线端和附加阴极接线端布置在所述绝缘树脂件的一侧。
24.如权利要求14所述的传输线型电容器件,其中,所述绝缘树脂件包含多个树脂片,所述电容元件夹持在它们之间。
25.如权利要求24所述的传输线型电容器件,其中,所述树脂片被热压或借助粘合剂被互相粘合在一起。
26.如权利要求14所述的固态电解电容器,其中,所述绝缘树脂件为通过给元件灌注以环氧树脂液体而形成的树脂覆盖物。
27.一种复合电子元件,它包括:半导体芯片;固态电解电容器,该电容器包含固态电解质电容元件、覆盖所述元件的封装和用于与半导体芯片电连接的阳极接线端和阴极接线端;
所述固态电解质电容元件包括:
阳极部件,所述阳极部件由有止逆作用的金属制成,并沿该电容元件的纵长方向延展,并且所述阳极部件设置阳极部分和阳极导引部分;
介电层,由有止逆作用金属的金属氧化物制成并形成于所述阳极部分的表面上;
阴极部件,它包含形成于所述介电层表面上的阴极导体部分;
其中,所述封装为一绝缘树脂件,该绝缘树脂件被被布置成用以覆盖所述固态电解质电容器元件,并且该绝缘树脂件具有多个穿通它形成的通孔部分;
所述阳极接线端是被置于所述通孔内的金属镀层;该阳极接线端通过所述通孔部分与阳极导引部分电连接;
所述阴极接线端是被置于所述通孔内的金属镀层;该阴极接线端通过所述通孔部分与阴极导体部分电连接;并且
将半导体芯片安装在所述固态电解电容器上。
28.如权利要求27所述的复合电子元件,其中,所述半导体芯片安装在固态电解电容器的封装的上侧面或者下侧面上。
29.如权利要求27所述的复合电子元件,其中,所述半导体芯片安装在电解电容器的封装的上侧面和下侧面上。
30.如权利要求27所述的复合电子元件,其中,所述半导体芯片和电解电容器安装插入器的侧面上,用以调节到衬底的电极间距。
31.如权利要求27所述的复合电子元件,其中,所述半导体芯片和电解电容器安装在插入器的两个侧面上,用以调节到衬底的电极间距。
32.一种复合电子元件,它包括:半导体芯片;传输线型固态电解电容器,所述固态电解电容器包含传输线型固态电解质电容元件、覆盖所述元件的封装和用于与所述半导体芯片电连接的阳极接线端和阴极接线端;
所述传输线型固态电解质电容元件包括:
阳极部件,所述阳极部件由有止逆作用的金属制成,并沿该电容元件的纵长方向延展,并且所述阳极部件依序设置第一阳极导引部分、阳极部分和第二阳极导引部分;
介电层,由有止逆作用金属的金属氧化物制成并形成于所述阳极部分的表面上;
阴极部件,它包含形成于所述介电层表面上的阴极导体部分;
其中,所述封装为一绝缘树脂件,该绝缘树脂件被布置成用以覆盖所述固态电解质电容元件,该绝缘树脂件具有多个穿通它形成的通孔部分;
所述阳极接线端是被置于所述各通孔内的金属镀层,该阳极接线端通过所述通孔部分与第一和第二阳极导引部分电连接;并且
所述阴极接线端是被置于所述各通孔内的金属镀层,该阴极接线端通过所述各通孔部分与阴极导体部分电连接;并且
将半导体芯片安装在所述传输线型固态电解电容器件上。
33.如权利要求32所述的复合电子元件,其中,所述半导体芯片安装在传输线型固态电解电容器件的封装的上侧面或着下侧面上。
34.如权利要求32所述的复合电子元件,其中,所述半导体芯片安装在传输线型固态电解电容器件的封装的上侧面和下侧面上。
35.如权利要求32所述的复合电子元件,其中,所述半导体芯片和传输线型固态电解电容器件安装在插入器的侧面上,用以调节到衬底的电极间距。
36.如权利要求32所述的复合电子元件,其中,所述半导体芯片和传输线型固态电解电容器件安装在插入器的两个侧面上,用以调节到衬底的电极间距。
37.一种制作固态电解电容器的方法,所述固态电解电容器包括固态电解质电容元件、覆盖该元件的封装,以及用于与外部目标电连接的阳极接线端和阴极接线端;
所述固态电解质电容元件包括:
阳极部件,所述阳极部件由有止逆作用的金属制成,并沿该电容元件的纵长方向延展,并且所述阳极部件设置有阳极部分和阳极导引部分;
介电层,由有止逆作用金属的金属氧化物制成并形成于所述阳极部分的表面上;
阴极部件,它包含形成于所述介电层表面上的阴极导体部分;并且所述制作方法包括如下步骤:
制备所述固态电解质电容元件;
加给绝缘树脂件,以覆盖该电容元件;
在所述绝缘树脂件中形成多个通孔部分;以及
将金属镀层置于各通孔部分内,以提供阳极接线端和阴极接线端。
38.如权利要求37所述的制作固态电解电容器的方法,其中,所述加给步骤包含将所述电容元件夹持在树脂片之间的步骤。
39.如权利要求38所述的制作固态电解电容器的方法,其中,所述树脂片被热压或借助粘合剂被互相粘合在一起。
40.如权利要求38所述的制作固态电解电容器的方法,其中,所述加给步骤包含以环氧树脂液体灌注所述元件的步骤。
41.一种制作传输线型电容器件的方法,所述传输线型电容器件包括传输线型固态电解质电容元件、覆盖该元件的封装,以及用于与外部目标电连接的阳极接线端和阴极接线端;
所述传输线型固态电解质电容元件包括:
阳极部件,所述阳极部件由有止逆作用的金属制成,并沿该电容元件的纵长方向延展,所述阳极部件依序设置有第一阳极导引部分、阳极部分和第二阳极导引部分;
介电层,由有止逆作用金属的金属氧化物制成并形成于所述阳极部分的表面上;
阴极部件,它包含形成于所述介电层表面上的阴极导体部分;所述制作方法包括如下步骤:
制备所述传输线型固态电解质电容元件;
加给绝缘树脂件,以覆盖该电容元件;
在所述绝缘树脂件中形成多个通孔部分;以及
将金属镀层置于各通孔部分内,以提供阳极接线端和阴极接线端。
42.如权利要求41所述的制作传输线型固态电解电容器的方法,其中,所述加给步骤包含将所述电容元件夹持在树脂片之间的步骤。
43.如权利要求42所述的制作传输线型固态电解电容器的方法,其中,所述树脂片被热压或借助粘合剂被互相粘合在一起。
44.如权利要求41所述的制作传输线型固态电解电容器的方法,其中,所述加给步骤包括以环氧树脂液体灌注所述元件的步骤。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004044303A JP2005236090A (ja) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | 固体電解コンデンサ及び伝送線路素子とそれらの製造方法とそれらを用いた複合電子部品 |
JP2004044303 | 2004-02-20 | ||
JP2004102436A JP2005294291A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 固体電解コンデンサ、その製造方法、および複合電子部品 |
JP2004102436 | 2004-03-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1658345A true CN1658345A (zh) | 2005-08-24 |
CN100565735C CN100565735C (zh) | 2009-12-02 |
Family
ID=34425429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005100094620A Expired - Fee Related CN100565735C (zh) | 2004-02-20 | 2005-02-18 | 固态电解电容器和传输线器件及其制法、复合电子元件 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7009834B2 (zh) |
KR (1) | KR100610462B1 (zh) |
CN (1) | CN100565735C (zh) |
GB (1) | GB2411294B (zh) |
TW (1) | TWI264744B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101996774A (zh) * | 2010-11-09 | 2011-03-30 | 钰邦电子(无锡)有限公司 | 具有多点焊接结构的堆栈式固态电解电容器及其制造方法 |
CN101188163B (zh) * | 2006-10-31 | 2012-06-27 | Avx公司 | 低型面固体电解电容器组件 |
CN101627450B (zh) * | 2007-03-08 | 2013-10-30 | 日本电气株式会社 | 电容元件、印刷布线板、半导体封装以及半导体电路 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006147606A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Nec Toppan Circuit Solutions Inc | シート状コンデンサとその製造方法 |
JP2006237520A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Nec Tokin Corp | 薄型多端子コンデンサおよびその製造方法 |
JP4683968B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-05-18 | ボイス ペ−パ− パテント ゲ−エムベ−ハ− | カーテン式コータ |
GB0517952D0 (en) * | 2005-09-02 | 2005-10-12 | Avx Ltd | Method of forming anode bodies for solid state capacitors |
JP2007096147A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Toshiba Corp | コンデンサ |
JP2008098394A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ |
JP4440911B2 (ja) * | 2006-10-13 | 2010-03-24 | ニチコン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
US8035954B2 (en) * | 2006-11-29 | 2011-10-11 | Nec Tokin Corporation | Surface-mount type electrolytic capacitor and method of producing the same |
JP4803744B2 (ja) * | 2007-05-22 | 2011-10-26 | Necトーキン株式会社 | 薄型固体電解コンデンサ |
JP5210672B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2013-06-12 | Necトーキン株式会社 | コンデンサ部品 |
JP4962368B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2012-06-27 | 富士通株式会社 | タンタルコンデンサおよびタンタルコンデンサの製造方法 |
US20100268292A1 (en) * | 2009-04-16 | 2010-10-21 | Vishay Sprague, Inc. | Hermetically sealed wet electrolytic capacitor |
US9013893B2 (en) | 2010-12-29 | 2015-04-21 | Industrial Technology Research Institute | Embedded capacitor module |
TWI405322B (zh) | 2010-12-29 | 2013-08-11 | Ind Tech Res Inst | 內藏電容基板模組 |
TWI483352B (zh) | 2012-03-12 | 2015-05-01 | Ind Tech Res Inst | 固態電解電容基板模組及包括該固態電解電容基板模組的電路板 |
US9437756B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-09-06 | Sunpower Corporation | Metallization of solar cells using metal foils |
JP6991974B2 (ja) * | 2015-12-18 | 2022-01-13 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | コンデンサ及び封止材厚さ規制用薄膜を用いた製造方法 |
JP6747512B2 (ja) * | 2016-10-06 | 2020-08-26 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
CN109804445B (zh) * | 2016-10-06 | 2021-07-02 | 株式会社村田制作所 | 固体电解电容器 |
US11869727B2 (en) | 2021-08-31 | 2024-01-09 | Kemet Electronics Corporation | Device and process for forming membrane type capacitor devices |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2951102B2 (ja) | 1991-05-23 | 1999-09-20 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路 |
JPH08275983A (ja) | 1995-04-06 | 1996-10-22 | Yano Yasuchika | エアーマッサージ装置 |
JPH10125558A (ja) | 1996-10-15 | 1998-05-15 | Nitsuko Corp | 導電性機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサ |
JPH10289838A (ja) | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Nitsuko Corp | 固体電解コンデンサ |
JPH11204372A (ja) | 1997-11-14 | 1999-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ |
JP3568432B2 (ja) | 1999-09-30 | 2004-09-22 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP4479050B2 (ja) | 2000-04-20 | 2010-06-09 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP2001307946A (ja) | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Hitachi Aic Inc | チップ形コンデンサ |
US7247932B1 (en) * | 2000-05-19 | 2007-07-24 | Megica Corporation | Chip package with capacitor |
TW533758B (en) * | 2000-07-31 | 2003-05-21 | Ngk Spark Plug Co | Printed wiring substrate and method for manufacturing the same |
JP3509733B2 (ja) | 2000-10-23 | 2004-03-22 | 日立エーアイシー株式会社 | 電子部品 |
JP2002237431A (ja) | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2002260967A (ja) | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Seiko Epson Corp | 基板密着型固体電解コンデンサ、固体電解コンデンサ内蔵型配線基板、およびこの配線基板を用いた電子機器 |
JP2002299161A (ja) | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合電子部品 |
JP2002343686A (ja) | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP4810772B2 (ja) | 2001-07-31 | 2011-11-09 | パナソニック株式会社 | 回路モジュール |
JP2003168627A (ja) | 2001-09-20 | 2003-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ、積層型コンデンサおよびコンデンサ内蔵基板 |
US6836401B2 (en) * | 2001-09-20 | 2004-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor, laminated capacitor, and capacitor built-in-board |
JP3966402B2 (ja) | 2001-10-24 | 2007-08-29 | 日本カーリット株式会社 | 薄型固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP3888522B2 (ja) | 2001-11-02 | 2007-03-07 | 日本カーリット株式会社 | 薄型固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP3888523B2 (ja) | 2001-11-21 | 2007-03-07 | 日本カーリット株式会社 | 三端子薄型アルミ固体電解コンデンサ |
JP3492348B2 (ja) | 2001-12-26 | 2004-02-03 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用パッケージの製造方法 |
JP4142878B2 (ja) | 2002-02-22 | 2008-09-03 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2003274642A (ja) | 2002-03-12 | 2003-09-26 | Tdk Corp | スイッチング電源 |
JP4019837B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2007-12-12 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2004104048A (ja) | 2002-09-13 | 2004-04-02 | Nec Tokin Corp | チップ型固体電解コンデンサ |
DE60335074D1 (de) * | 2002-12-27 | 2011-01-05 | Panasonic Corp | Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung, und Leiterplatte mit einem eingebauten Kondensator und Verfahren zu deren Herstellung |
-
2005
- 2005-02-17 KR KR1020050013018A patent/KR100610462B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-02-18 US US11/062,006 patent/US7009834B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-18 TW TW094104749A patent/TWI264744B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-18 CN CNB2005100094620A patent/CN100565735C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-21 GB GB0503578A patent/GB2411294B/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-23 US US11/337,315 patent/US7595235B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101188163B (zh) * | 2006-10-31 | 2012-06-27 | Avx公司 | 低型面固体电解电容器组件 |
CN101627450B (zh) * | 2007-03-08 | 2013-10-30 | 日本电气株式会社 | 电容元件、印刷布线板、半导体封装以及半导体电路 |
CN101996774A (zh) * | 2010-11-09 | 2011-03-30 | 钰邦电子(无锡)有限公司 | 具有多点焊接结构的堆栈式固态电解电容器及其制造方法 |
CN101996774B (zh) * | 2010-11-09 | 2016-01-27 | 钰邦电子(无锡)有限公司 | 具有多点焊接结构的堆栈式固态电解电容器及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2411294B (en) | 2008-03-26 |
TWI264744B (en) | 2006-10-21 |
TW200532725A (en) | 2005-10-01 |
US20050185362A1 (en) | 2005-08-25 |
KR20060042030A (ko) | 2006-05-12 |
KR100610462B1 (ko) | 2006-08-08 |
GB2411294A (en) | 2005-08-24 |
US7595235B2 (en) | 2009-09-29 |
CN100565735C (zh) | 2009-12-02 |
GB0503578D0 (en) | 2005-03-30 |
US20060130301A1 (en) | 2006-06-22 |
US7009834B2 (en) | 2006-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1658345A (zh) | 固态电解电容器、传输线器件、它们的制作方法及采用它们的复合电子元件 | |
CN1266764C (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
CN1178243C (zh) | 电容器 | |
CN1767104A (zh) | 表面安装型电容器及其制造方法 | |
CN1665027A (zh) | 半导体器件 | |
CN1918677A (zh) | 固体电解电容器 | |
CN1198486C (zh) | 具有用于安装电子部件的空腔的印刷线路板 | |
CN1484840A (zh) | 多层阵列电容及其制作方法 | |
CN101065817A (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
CN1577662A (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
CN1343007A (zh) | 半导体装置及其制造方法,电路基板及电子设备 | |
CN1577813A (zh) | 电路模块及其制造方法 | |
CN1479330A (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
CN1926649A (zh) | 固体电解电容器 | |
CN1617271A (zh) | 固态电解电容器及其制造方法 | |
CN101010800B (zh) | 安装基板、安装体及使用安装基板和安装体的电子设备 | |
CN1496571A (zh) | 电容器、层叠型电容器及电容器内置基板 | |
CN1993012A (zh) | 能以简单结构减小宽频带上的噪声的多层接线板 | |
CN100350526C (zh) | 固体电解电容器 | |
JP5007677B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
CN1862727A (zh) | 可易于降低esl的固体电解电容器 | |
CN1765162A (zh) | 多层陶瓷基板 | |
CN1529891A (zh) | 固体电子元件的制造 | |
CN1574133A (zh) | 芯片式固体电解质电容器及其制造方法 | |
CN101329950A (zh) | 一种多层迭合固态电解电容器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20091202 Termination date: 20170218 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |