CN1484100A - 单层静电成像感光体 - Google Patents

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Abstract

一种单层静电成像感光体，它包括导电载体上的具有至少一种电荷发生材料、一种空穴转移材料、一种电子转移材料和一种粘合剂的光敏层。光敏层包含一种由空穴转移材料和电子转移材料形成的特定电荷转移络合物(CT－络合物)。

Description

单层静电成像感光体
相关申请参照
本申请要求2002年6月7日向韩国知识产权局提交的韩国申请No.2002-3-31993的权益，其内容在此引入以做参考。
发明背景
1.发明领域
本发明涉及一种单层静电成像感光体(single-layered electrophotographicphotoreceptor)，特别是涉及具有高光敏性和低残余电位，并从而能够产生好的静电性能的静电成像感光体。
2.相关技术描述
通常，静电成像感光体包括光敏层(photosensitive layer)，其中光敏层包括形成在导电基板上的电荷发生材料、电荷转移材料和粘合剂树脂。对于光敏层，广泛使用的是具有层合的电荷发生层和电荷转移层的层压结构的功能分离型感光体。
近年来，由于能够以简化的工艺生产的单层感光体由于其高效的可充电性而受到欢迎，所以这种感光体被用于正极电晕放电，并产生少量的臭氧。因此这种单层感光体引起了许多关注，人们也正对它进行着广泛的研究。
通常的单层静电成像感光体的典型实例包括在美国专利No.3,484,237中公开的一种含有PVK/TNF电荷转移络合物(charge transfer complex)的感光体，在美国专利No.3,397,086中公开的一种含有分散在树脂中的光导酞菁染料的感光体，在美国专利No.3,615,440中公开的一种含有分散在树脂中的噻喃鎓和聚碳酸酯的聚集体以及电荷转移材料的感光体。然而，考虑到静电性能，其中所公开的这些感光体并不十分有效，且材料的选择有限。而且，由于这些材料是有害性的，已经不再使用。
如今，如日本专利公开54-1633中所描述的具有分散在树脂中的电荷发生材料、空穴转移材料和电子转移材料的单层感光体，已经成为发展的主体。由于这些感光体的电荷发生与电荷转移的功能是分离的，所以可以选择的材料非常广泛。而且由于电荷发生材料的密度可以降低，所以光敏层的功能持久性和化学持久性能够得到提高。
至今为止，所提出的单层感光体表现了跟层压感光体基本相同的光敏性。然而，通常的单层感光体在低压电场中的光衰减较慢，造成残余电位的升高。升高的残余电位可能会引起图像密度的下降，造成记忆效应，并会限制静电成像设备的设计余量，因此需要进行改进。在低电位区光衰减较慢可以有几个原因。即由于电荷转移材料均匀分布在光敏层中形成陷俘带(trap site)，由传递到一种主要成分为电荷发生材料和树脂的光敏层的固溶体的电荷转移引起的快速放电，以及由陷俘带低密度的电荷陷俘和消陷俘引起的迟缓放电共同作用，就会引起光衰减。
为获得一种具有小残余电位的单层静电成像感光体，本发明的发明人研究了静电成像感光体的组成，发现通过在光敏层中引入一种同时具有空穴转移材料和电子转移材料的特有电荷转移络合物(CT-络合物)就可以有效地减小残余电位，这也使得本发明得以完成。
                         发明概述
本发明包括在导电载体上的具有至少电荷发生材料、空穴转移材料、电子转移材料和粘合剂的光敏层的静电成像感光体，其中光敏层包括一种由分子式1表示的空穴转移材料和分子式2表示的电子转移材料形成的电荷转移络合物(CT-络合物)：
分子式1
Figure A0312779600191
其中R1至R5都各自选自氢原子、C1-C20任选取代的烷基、C6-C20任选取代的芳基、C1-C20任选取代的烷氧基和C8-C20任选取代的苯乙烯基；
分子式2
其中A和B都各自选自氢原子、卤原子、C2-C20任选取代的烷氧羰基和C2-C20的烷氨羰基，其中芳环上的氢原子可以被卤素原子取代。
在分子式1中，烷基包括C1-C20的直链或支链的基团，优选C1-C12的直链或支链的基团，更优选C1-C6的低级烷基。它们的实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基。更优选C1-C3的低级烷基基团。在此，“低级烷基”一词指的是直链或支链的C1-C3的烷基，“低级烷基基团”一词指的是直链或支链的C1-C3的烷基基团。
“芳基”一词，无论是单独还是组合使用，都是指含有一个或多个环的C6-C20的碳环芳香系统，其中这些环可以是以侧基的方式结合在一起也可以稠合在一起。芳基的实例包括芳香族基团如苯基、萘基或联苯基。通常优选苯基。芳基可以有一到三个选自羟基、卤素、卤烷基、硝基、烷氧基、氰基和低级烷基氨基等的取代基。
“烷氧基”一词，在此无论是单独还是组合使用，都是指含氧的具有C1-C20烷基的直链或支链的基团，优选C1-C6的低级烷氧基团，其中“低级烷氧基团”指的是直链或支链的C1-C6的烷氧基团。这种基团的实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、叔丁氧基等。烷氧基团进一步被至少一个卤素原子如氟、氯或溴所取代，形成卤代烷氧基团。更优选C1-C3的低级卤代烷氧基团，这里“低级卤代烷氧基团”是指具有卤素原子取代基的直链或支链的C1-C3的烷氧基团。卤代烷基团实例包括氟甲氧基、氯甲氧基、三氟甲氧基、三氟乙氧基、氟乙氧基和氟丙氧基。
在分子式1表示的化合物所用的苯乙烯基中，芳香环中的氢原子可以被任何取代基取代，如选自羟基、卤素、卤烷基、硝基、氰基、烷氧基和低级烷基氨基的一到三种取代基。“低级烷基氨基”一词指的是具有氨基取代基的直链或支链的烷基。
在分子式2表示的化合物所用的烷氧羰基和烷氨羰基中，烷氧基和烷基的定义如前所述。
要达到上述方面，要提供静电成像头(electrophotographic cartridge)，它包括单层静电成像感光体，其中的单层静电成像感光体包括在导电载体上的具有至少电荷发生材料、空穴转移材料、电子转移材料和粘合剂的光敏层，其中光敏层包括由分子式1表示的空穴转移材料和分子式2表示的电子转移材料形成的电荷转移络合物(CT-络合物)：
分子式1
其中R1至R5都各自选自氢原子、C1-C20任选取代的烷基、C6-C20任选取代的芳基、C1-C20任选取代的烷氧基和C8-C20任选取代的苯乙烯基；
分子式2
其中A和B都各自选自氢原子、卤原子、C2-C20任选取代的烷氧羰基和C2-C20的烷氨羰基，其中芳环上的氢原子可以被卤素原子任选取代；还包括给静电成像感光体充电的充电装置、把形成在静电成像感光体上的静电潜象显现出来的显像装置、以及清洁静电成像感光体表面的清洁装置中的至少一个，其中静电成像头与成像装置是可连接/拆卸的。
要达到上述方面，要提供静电成像鼓(electrophotographic drum)，包含可与静电成像设备相连接/拆卸的鼓；且在鼓上有单层静电成像感光体，其中的单层静电成像感光体包括在导电载体上的具有至少电荷发生材料、空穴转移材料、电子转移材料和粘合剂的光敏层，其中光敏层包括由分子式1表示的空穴转移材料和分子式2表示的电子转移材料形成的电荷转移络合物(CT-络合物)：
分子式1
其中R1至R5都各自选自氢原子、C1-C20任选取代的烷基、C6-C20任选取代的芳基、C1-C20任选取代的烷氧基和C8-C20任选取代的苯乙烯基；
分子式2
其中A和B都各自选自氢原子、卤原子、C2-C20任选取代的烷氧羰基和C2-C20的烷氨羰基，其中芳环上的氢原子可以被卤素原子任选取代。
要达到上述方面，要提供成像装置(electrophotographic apparatuss)，它包括含有单层静电成像感光体的感光体单元，其中的单层静电成像感光体包括在导电载体上的具有至少电荷发生材料、空穴转移材料、电子转移材料和粘合剂的光敏层，其中光敏层包括由分子式1表示的空穴转移材料和分子式2表示的电子转移材料形成的电荷转移络合物(CT-络合物)：
分子式1
Figure A0312779600223
其中R1至R5都各自选自氢原子、C1-C20任选取代的烷基、C6-C20任选取代的芳基、C1-C20任选取代的烷氧基和C8-C20任选取代的苯乙烯基；
分子式2
Figure A0312779600231
其中A和B都各自选自氢原子、卤原子、C2-C20任选取代的烷氧羰基和C2-C20的烷氨羰基，其中芳环上的氢原子可以被卤素原子任选取代；还包括给感光体单元充电的充电装置(a charging device)；可以用成像光照射带电感光体以在感光体单元上形成静电潜象的成像光照射装置(an imagewiselight irradiating device)；用调色剂把静电潜象显现出来并在感光体单元上形成调色剂图像的显像单元(a developing unit)；以及可以把调色剂图像转移到接收材料上的转移装置(a transferr device)。
本发明的其它方面与好处部分将在以下的说明中阐明，部分将从描述中显现，或通过实施本发明来了解。
                         附图简述
本发明的这些和/或其它方面与好处将从以下与附图一起对实施例的说明中变得更加明了和更容易理解。
图1是根据本发明的一个实施例的由装在导电基板3上的光敏层2构成的静电成像感光体1的示意图。
图2是根据本发明的选定实施例的成像装置、静电成像鼓和静电成像头的示意图。
                      优选实施例详述
现在将对本发明的优选实施例加以详细介绍，其实例如附图所示，其中相同的指代数字在全文中指的都是同一元件。下面对实施例的描述是为了对照附图对本发明进行说明。
单层感光体降低残余电位的机理如下：
CT-络合物通常是由在电子给予材料(空穴转移材料)和电子接受材料(电子转移材料)之间发生的电子转移和离子化分子形成络合物而产生的。CT-络合物通常既能传递空穴也能传递电子，但其迁移率比单一的空穴转移材料和电子转移材料的迁移率要小。如日本专利公开No.hei 1-206349所公开，在常规单层感光体中用作电子转移材料的二酚合醌化合物(diphenoquinone compound)的电子亲和势低，很少和许多种空穴转移材料形成CT-络合物。因此，在单层感光体中，电子转移材料与电荷产生材料以单分子的形式接触，但是电子亲和势低，所以假定存在于电荷产生材料表面的空穴陷阱上的活性也就很低，陷俘带仍然存在，造成在低电场区域光衰减速度的降低。另一个指标为这样的事实，一种用酞菁染料作电荷产生层和用二酚合醌化合物单独分散在树脂中作电荷转移层的感光体，酞菁染料的电子注入效率不足，且表现出高残余电位，不过具有有效的电子迁移率，如在上述日本专利公开No.hei 1-206349所公开。
在本发明中，电子转移材料看来似乎主要以CT-络合物的形式与电荷产生材料相接触。分子式2的电子转移材料及由此形成的CT-络合物具有有效的电子迁移率，如Journal of Imaging Science Vol.29，No.2，69-72(1985)和公开了用四苯基联苯胺作空穴转移材料的美国专利No.4,559,287中所讲述的一样。在此公开内容中CT-络合物的电子转移能力非常突出。另一方面，在本发明中，当使用了分子式1的空穴转移材料时，基本没有由形成络合物引起的空穴迁移率的降低，而且同时表现出有效的空穴和电子转移能力。本发明中所用的CT-络合物，可以轻易将电子从存在于电荷发生材料表面的陷俘带移走，且空穴陷阱能轻易被电子填充，而不降低低电场区域电位下降的速度。
本发明包括在导电载体上的具有至少电荷发生材料、空穴转移材料、电子转移材料和粘合剂的光敏层的静电成像感光体，其中光敏层包括由分子式1表示的空穴转移材料和分子式2表示的电子转移材料形成的电荷转移络合物(CT-络合物)：
分子式1
其中R1至R5都各自选自氢原子、C1-C20任选取代的烷基、C6-C20任选取代的芳基、C1-C20任选取代的烷氧基和C8-C20任选取代的苯乙烯基；
分子式2
Figure A0312779600251
其中A和B都各自选自氢原子、卤原子、C2-C20任选取代的烷氧羰基和C2-C20的烷氨羰基，其中芳环上的氢原子可以被卤素原子取代。
在分子式1中，烷基包括C1-C20的直链或支链的基团，优选C1-C12的直链或支链的基团，更优选C1-C6的低级烷基。其实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基。更优选C1-C3的低级烷基基团。在此，“低级烷基”一词指的是直链或支链的C1-C3的烷基，“低级烷基基团”一词指的是直链或支链的C1-C3的烷基基团。
“芳基”一词，无论是单独还是组合使用，都是指含有一个或多个环的C6-C20的碳环芳香系统，其中这些环可以是以侧基的方式结合在一起也可以稠合在一起。芳基的实例包括芳香族基团如苯基、萘基或联苯基。通常优选苯基。芳基可以有一到三个选自羟基、卤素、卤烷基、硝基、烷氧基、氰基和低级烷基氨基等的取代基。
在此“烷氧基”一词，无论是单独还是组合使用，都是指含氧的具有C1-C20烷基的直链或支链的基团，优选C1-C6低级烷氧基团，其中“低级烷氧基团”指的是直链或支链的C1-C6的烷氧基团。这种基团的实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、叔丁氧基等。烷氧基团进一步被至少一个卤素原子如氟、氯或溴所取代，形成一种卤代烷氧基团。更优选C1-C3的低级卤代烷氧基团，这里“低级卤代烷氧基团”是指具有卤素原子取代基的直链或支链的C1-C3的烷氧基团。卤代烷基团的实例包括氟甲氧基、氯甲氧基、三氟甲氧基、三氟乙氧基、氟乙氧基和氟丙氧基。
在分子式1表示的化合物所用的苯乙烯基中，芳香环中的氢原子可以被任何取代基取代，如选自羟基、卤素、卤烷基、硝基、氰基、烷氧基和低级烷基氨基的一到三种取代基。“低级烷基氨基”一词指的是具有氨基取代的直链或支链的烷基。
在分子式2表示的化合物所用的烷氧羰基和烷氨羰基中，烷氧基和烷基的定义如前所述。
静电成像感光体是一个涂覆在导电载体上的光敏层。导电载体可以使用例如金属或塑料、鼓形或带状的载体。图1是根据本发明的一个实施方案的包括装在导电基板3上的光敏层2的静电成像感光体1的示意图。
感光体层可以是包括电荷发生材料、空穴转移材料、电子转移材料和粘合剂的单层。
用于光敏层的电荷产生材料的实例包括有机材料如酞菁颜料、偶氮颜料、醌颜料、苝系颜料、靛蓝颜料、二苯并咪唑颜料、喹吖啶酮颜料、薁鎓(azulenium)染料、方酸(squarylium)染料、吡喃鎓染料、三芳基甲烷染料、花青染料，以及无机材料如非晶硅、非晶硒、三方晶系硒、碲、硒-碲合金、硫化镉、硫化锑或硫化锌。电荷产生材料并不仅限于在此列出的这些，且可以单独使用或以其两个或两个以上的混合物的使用。
在光敏层中电荷产生材料的含量占光敏层固体含量总重100重量份中的2到10份。在此，光敏层中的固体含量包括电荷产生材料、电荷转移材料和粘合剂。如果电荷产生材料的含量小于2重量份，则光敏层的光吸收率就会降低，且辐射光的能量损失会升高，造成光敏性降低。如果电荷产生材料的含量超过10重量份，则暗衰减会显著升高，降低传导性，且陷阱密度也会升高，由于电荷迁移率减小而引起光敏性降低。
单层静电成像感光体中含有的CT-络合物，即含有分子式1代表的空穴转移材料和分子式2代表的电子转移材料的CT-络合物，可以通过把这些材料溶解到溶剂中并将其混合而轻易得到。由于在CT-络合物中最高被占用分子轨道(HOMO)-最低空余分子轨道(LUMO)间的迁移能变小且有长波吸收，所以CT-络合物的生成可以很容易地由颜色来辨别。
形成CT-络合物的由分子式1所表示的空穴转移材料的优选例包括：
分子式3
Figure A0312779600271
分子式4
分子式5
分子式6
Figure A0312779600281
分子式7
Figure A0312779600282
这些空穴转移材料记述在美国专利No.5,013,623等中，而且可以由同一专利中所描述的工艺轻易制得。
形成的CT-络合物的由分子式2所表示的电子转移材料的优选例包括：
分子式8
分子式9
Figure A0312779600291
分子式10
Figure A0312779600292
这些电子转移材料记述在美国专利No.4,474,865中，而且它们的制备方法也记述在其中。本发明中所用的由分子式2所表示的电子转移材料很容易溶解，具有有效的电子迁移率，而且由于它缺乏具有诱变效应的硝基，所以很安全。
由分子式1所表示的空穴转移材料和由分子式2所表示的电子转移材料的比例按重量计基本为9∶1到1∶1。如果它们的量超出上述指定重量比，典型的结果是光敏层不能产生足以完全担当感光体的高电子或空穴迁移率。
此外，光敏层还可以包含其它电荷转移材料或电子转移材料，它们可以在不对本发明的效果和益处起反作用的范围内结合使用。
空穴转移材料的实例包括含氮环状化合物或稠环多环化合物如芘化合物、咔唑化合物、腙化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、吡唑啉化合物、芳基胺化合物、芳基甲烷化合物、联苯胺化合物、噻唑化合物或苯乙烯基化合物。
电子转移材料的实例包括(但不仅限于)低分子量电子吸引化合物如苯醌化合物、丙烯腈化合物、氰基醌二甲烷化合物(cyanoquinodimethane)、芴酮化合物、黄原酮(xanthaones)化合物、菲醌化合物、无水酞酸化合物(anhydrous phthalic acid compounds)、噻喃化合物或二酚合醌化合物。也可以使用电子转移聚合物或电子转移颜料。
能用于根据本发明所述的静电成像感光体的电荷转移材料并不仅限于在此列出的这些，且这些材料可以单独使用也可以联合使用。
优选在光敏层中电荷转移材料的含量占光敏层固体含量总100重量份中的10到60份。如果电荷转移材料的含量不到10重量份，会造成电荷转移能力不足，因此光敏性降低，且残余电位升高。如果电荷转移材料的含量超过60重量份，光敏层中树脂的相对含量降低，且不能获得有效的涂覆性能。
电荷产生材料中所用的粘合剂的优选例包括(但并不仅限于)电绝缘性缩聚物如聚碳酸酯、聚酯、甲基丙烯酸树脂(methacryl resin)、丙烯酸树脂(acryl resin)、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚醋酸乙烯酯、硅树脂、硅-醇酸树脂、苯乙烯-醇酸树脂、聚-N-乙烯基咔唑、苯氧基树脂、环氧树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩乙醛、聚乙烯醇缩甲醛、聚砜、聚乙烯醇、乙基纤维素、酚树脂(phenol resin)、聚酰胺、羧基-金属纤维素和聚氨酯。这些缩聚物可以单独使用也可以两个或多个联合使用。
光敏层的厚度通常在5到50μm的范围。
用于涂覆方法中的溶剂的实例包括有机溶剂如醇、酮、酰胺、醚、酯、砜、芳族化合物、脂肪族卤代烃等。涂覆方法的实例包括浸涂法、环涂法或喷涂法，不过任何涂覆方法都可以用于根据本发明所述的静电成像感光体。
另外，在导电载体与光敏层之间可以安置中间层，用来提高附着力或防止电荷从导电载体中注入。中间层的实例包括(但并不仅限于)铝阳极化层、分散有金属氧化物粉末如氧化钛或氧化锡的树脂层，以及树脂层如聚乙烯醇、干酪素(casein)、乙基纤维素、明胶、酚树脂或聚酰胺。
此外，除了粘合剂，光敏层还可以含有增塑剂、匀涂剂(leveling agent)、分散稳定剂、抗氧化剂或光稳定剂。
抗氧化剂的实例包括酚化合物、硫化物、磷化合物或胺化合物。
光稳定剂的实例包括苯并三唑化合物、二苯甲酮化合物或受阻胺化合物。
下面将参照实施例对本发明进行详细说明。但是应该认识到本发明并不仅限于这些实施例。
在以下实施例及对比例中，所有的“份”都是指“重量份”。
实施例1
将3份γ-钛氧基酞菁染料和2份聚碳酸酯Z树脂(PANLITE TS-2020，TAIJIN CHEMICALS生产)与45份氯仿混合，用砂磨机磨1小时并分散。
接着，将35份分子式3所表示的空穴转移材料、15份分子式8所表示的电子转移材料、50份聚碳酸酯Z树脂溶解到300份氯仿中，生成一种深绿色溶液，从而确认了CT-络合物的形成。
将上述分散液和深绿色溶液以1∶8的比例混合并用均质器进行分散直到混合物混合均匀，生成光敏层涂覆液。然后，将得到的涂覆液用环涂法涂在直径30mm的铝鼓上，并干燥得到20μm厚的单层静电成像感光体。
实施例2-3和对比例1-3
用与实施例1相同的方法获得静电成像感光体，只不过改变了由分子式3所表示的空穴转移材料和由分子式8所表示的电子转移材料的组合，如表1所示。
样品 空穴转移材料 电子转移材料 CT-络合物的产生
实施例2 分子式5化合物 分子式9化合物 是
实施例3 分子式6化合物 分子式10化合物 是
对比例1 分子式11化合物 分子式8化合物 是
对比例2 分子式3化合物 分子式12化合物 否
对比例3 分子式11化合物 分子式12化合物 否
分子式11
分子式12
Figure A0312779600322
静电性能
用感光体测定设备(QEA生产的PDT-2000)对各个感光体的静电成像性能进行测定。测量条件如下。施加+7.5kV的电晕电压，在充电器与感光体的相对速度为100mm/sec下对各个静电成像感光体充电，再在照射能在0-10mJ/m2的780nm的单色光下暴光，测量暴光后感光体上残余的表面电位(VL.sub.0.2)。从而测得能量与表面电位之间的关系。在此，还没有进行光辐射时的表面电位用V0表示，在黑暗中停留1秒钟后的表面电位用V1表示时，V1/V0表示电位残余比率。用光辐射使V0衰减一半所需的能量用E1/2表示。在100mJ/m2的光辐射中停留10秒钟之后的残余电位用VR表示。
测量结果如表2所示
样品 V0 V1/V0 E1/2 VR
实施例1  605  95  1.21  18
实施例2  609  96  1.25  20
实施例3  612  97  1.23  23
对比例1  564  84  1.80  46
对比例2  615  97  1.20  38
对比例3  587  86  1.58  53
表2中，跟对比例3中制备的感光体相比，实施例1-3中制备的感光体具有有效的充电特性和光敏性以及约为20V的低残余电位。然而，在对比例1中制备的感光体，其中空穴转移材料被分子式11所表示的四苯基联苯胺代替，与本发明实施例1中用的分子式8所表示的电子转移材料一起形成CT-络合物，对比例1中制备的感光体的充电特性不足。此外，跟对比例3中制备的感光体相比，对比例1中制备的感光体表现出很差的光敏性和残余电位特性，而且跟对比例3中制备的感光体相比其光敏性显著降低。这可能是由于CT-络合物的产生，造成空穴转移材料的浓度下降，使得空穴转移材料的转移能力降低。在用分子式12所表示的二酚合醌作电子转移材料的对比例2和3制备的感光体中，没有产生CT-络合物。在对比例2中制备的感光体，其中感光体与本发明实施例1用的分子式3所表示的空穴转移材料合用，制备的感光体具有有效的充电特性和光敏性。然而对比例2中制备的感光体还存在问题，如由于在低电位区放电的降低造成残余电位高。
如上所述，根据本发明所述的单层静电成像感光体克服了常见的问题，即在低电位区电位降的速度降低，而具有有效的充电特性、灵敏性和残余电位特性，从而实现了一种更加实用的单层感光体。
图2是根据本发明的选定实施例的成像装置30、静电成像鼓28和静电成像头29的图示。静电成像头29通常包括一个静电成像头29、还包括给静电成像头29充电的充电设备25、将形成在静电成像头29上的静电潜像显现出来的冲洗装置24和清洁静电成像头29表面的清洁装置26中的至少一个。静电成像头21与成像装置30是可连接/拆卸的，在上面对静电成像头有更加详细的描述。
成像装置30中的静电成像感光体鼓28、29，通常包括一个可以和成像装置30连接/拆卸的鼓28和一个位于鼓28上的静电成像感光体29，其中上面对静电成像头有更加详细的描述。
通常，成像装置30包括一个感光体单元(例如静电成像感光体28、29)、一个给感光体单元充电的充电设备25、一个可以用成像光照射带电感光体以在感光体单元上形成静电潜象的成像光照射装置22；一个用调色剂把静电潜象显现出来并在感光体单元上形成调色剂图象的显像装置24；以及一个可以把调色剂图象传递到接收材料如纸P上的传递装置27，其中感光体单元包括一个上面更加详细描述的静电成像感光体29。充电设备25作为充电单元可以施加一个电压，且可以与静电成像感光体接触并对它充电。如果需要，此装置还可以包括一个预曝光装置23来消除静电成像感光体表面的剩余电荷为下一个循环做准备。
尽管对本发明的一些实施例进行了展示和说明，本领域的技术人员仍可以在不超出权利要求和它们的等价物的范围，不偏离的本发明的原则和精神的基础上，对这些实施例做出改进。

Claims (25)

1.一种单层静电成像感光体，包括：
在导电载体上的具有至少电荷发生材料、空穴转移材料、电子转移材料和粘合剂的光敏层，其中光敏层包括由分子式1表示的空穴转移材料和分子式2表示的电子转移材料形成的电荷转移络合物(CT-络合物)：
分子式1
Figure A0312779600021
其中R1至R5都各自选自包括下列的组：氢原子、C1-C20任选取代的烷基、C6-C20任选取代的芳基、C1-C20任选取代的烷氧基和C8-C20任选取代的苯乙烯基；
分子式2
其中A和B都各自选自氢原子、卤原子、C2-C20任选取代的烷氧羰基、和C2-C20的烷氨羰基，其中芳环上的氢原子可以被卤素原子任选取代。
2.根据权利要求1所述的感光体，其中分子式1所表示的空穴转移材料和分子式2所表示的电子转移材料的的重量比基本上为9∶1到1∶1。
3.根据权利要求1所述的感光体，其中光敏层中的电荷发生材料是选自酞菁颜料、偶氮颜料、醌颜料、苝系颜料、靛蓝颜料、二苯并咪唑颜料、喹吖啶酮颜料、薁鎓染料、方酸染料、吡喃鎓染料、三芳基甲烷染料、花青染料，以及无机材料如非晶硅、非晶硒、三方晶系硒、碲、硒-碲合金、硒-碲合金、硫化镉、硫化锑和硫化锌中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的感光体，其中电荷产生材料的含量占光敏层固体含量的100份总重中的2-10份。
5.根据权利要求1所述的感光体，其中分子式1所表示的空穴转移材料是以下分子式3、4、5、6和7所表示化合物中的一种：
分子式3
分子式4
分子式5
Figure A0312779600033
分子式6
分子式7
Figure A0312779600042
6.根据权利要求1所述的感光体，其中分子式2所表示的电子转移材料是以下分子式8、9和10所表示化合物中的一种：
分子式8
Figure A0312779600043
分子式9
分子式10
Figure A0312779600052
7.根据权利要求1所述的感光体，其中的空穴转移材料是与选自芘化合物、咔唑化合物、腙化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、吡唑啉化合物、芳基胺化合物、芳基甲烷化合物、联苯胺化合物、噻唑化合物和苯乙烯基化合物中的至少一种联合使用。
8.根据权利要求1所述的感光体，其中的电子转移材料是与选自包括苯醌化合物、丙烯腈化合物、氰基醌二甲烷化合物、芴酮化合物、黄原酮化合物、菲醌化合物、无水酞酸化合物、噻喃化合物或二酚合醌化合物的低分子量电子吸引化合物、电子转移聚合物化合物和电子转移颜料中的至少一种联合使用。
9.根据权利要求1所述的感光体，其中电荷转移材料基本上占光敏层固体含量的总100重量份中的10到60份。
10.根据权利要求1所述的感光体，其中的粘合剂是选自聚碳酸酯、聚酯、甲基丙烯酸类树脂、丙烯酸类树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚醋酸乙烯酯、硅树脂、硅-醇酸树脂、苯乙烯-醇酸树脂、聚-N-乙烯基咔唑、苯氧基树脂、环氧树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩乙醛、聚乙烯缩甲醛、聚砜、聚乙烯醇、乙基纤维素、酚树脂、聚酰胺、羧基-金属纤维素和聚氨酯中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的感光体，其中光敏层的厚度在5到50μm的范围。
12.根据权利要求1所述的感光体，在导电载体与光敏层之间还包括中间层，其中中间层是选自铝阳极化层、分散有金属氧化物粉末的树脂层，以及树脂层包括聚乙烯醇、干酪素、乙基纤维素、明胶、酚树脂和聚酰胺中的至少一种，其中金属氧化物包括氧化钛或氧化锡。
13.根据权利要求1所述的感光体，其中光敏层包括选自增塑剂、匀涂剂、分散稳定剂、抗氧化剂和光稳定剂中的至少一种。
14.一种静电成像头，包括：
一种单层静电成像感光体，包括：
在导电载体上的具有至少电荷发生材料、空穴转移材料、电子转移材料和粘合剂的光敏层，其中光敏层包括由分子式1表示的空穴转移材料和分子式2表示的电子转移材料形成的电荷转移络合物(CT-络合物)：
分子式1
其中R1至R5都各自选自氢原子、C1-C20任选取代的烷基、C6-C20任选取代的芳基、C1-C20任选取代的烷氧基和C8-C20任选取代的苯乙烯基；
分子式2
Figure A0312779600071
其中A和B都各自选自氢原子、卤原子、C2-C20任选取代的烷氧羰基和C2-C20的烷氨羰基，其中芳环上的氢原子可以被卤素原子任选取代；和
还包括下面三个中的至少一个：
给静电成像感光体充电的充电装置；
把形成在静电成像感光体上的静电潜象显现出来的显像装置；
清洁静电成像感光体表面的清洁装置，
其中静电成像头与成像装置是可连接/拆卸的。
15.根据权利要求14所述的静电成像头，其中分子式1所表示的空穴转移材料和分子式2所表示的电子转移材料的重量比基本在9∶1到1∶1。
16.根据权利要求14所述的静电成像头，其中分子式1所表示的空穴转移材料是以下分子式3、4、5、6和7所表示化合物中的一种：
分子式3
Figure A0312779600072
分子式4
分子式5
分子式6
分子式7
Figure A0312779600091
17.根据权利要求14所述的静电成像头，其中分子式2所表示的电子转移材料是以下分子式8、9和10所表示化合物中的一种：
分子式8
Figure A0312779600092
分子式9
分子式10
Figure A0312779600101
18.一种静电成像鼓，包括：
可以和成像装置连接/拆卸的鼓；和
位于鼓上的单层静电成像感光体，这种单层静电成像感光体包括：
在导电载体上的具有至少电荷发生材料、空穴转移材料、电子转移材料和粘合剂的光敏层，其中光敏层包括由分子式1表示的空穴转移材料和分子式2表示的电子转移材料形成的电荷转移络合物(CT-络合物)：
分子式1
Figure A0312779600102
其中R1至R5都各自选自氢原子、C1-C20任选取代的烷基、C6-C20任选取代的芳基、C1-C20任选取代的烷氧基和C8-C20任选取代的苯乙烯基；
分子式2
其中A和B都各自选自氢原子、卤原子、C2-C20任选取代的烷氧羰基和C2-C20的烷氨羰基，其中芳环上的氢原子可以被卤素原子任选取代。
19.根据权利要求18所述的静电成像鼓，其中分子式1所表示的空穴转移材料和分子式2所表示的电子转移材料的重量比基本上在9∶1到1∶1。
20.根据权利要求18所述的静电成像鼓，其中分子式1所表示的空穴转移材料是以下分子式3、4、5、6和7所表示化合物中的一种：
分子式3
分子式4
Figure A0312779600112
分子式5
分子式6
分子式7
21.根据权利要求18所述的静电成像鼓，其中分子式2所表示的电子转移材料是以下分子式8、9和10所表示化合物中的一种：
分子式8
分子式9
分子式10
Figure A0312779600133
22.一种成像装置，包括：感光体单元，包括：
单层静电成像感光体，包括：
在导电载体上的具有至少电荷发生材料、空穴转移材料、电子转移材料和粘合剂的光敏层，其中光敏层包括由分子式1表示的空穴转移材料和分子式2表示的电子转移材料形成的电荷转移络合物(CT-络合物)：
分子式1
Figure A0312779600141
其中R1至R5都各自选自氢原子、C1-C20任选取代的烷基、C6-C20任选取代的芳基、C1-C20任选取代的烷氧基和C8-C20任选取代的苯乙烯基；
分子式2
Figure A0312779600142
其中A和B都各自选自氢原子、卤原子、C2-C20任选取代的烷氧羰基和C2-C20的烷氨羰基，其中芳环上的氢原子可以被卤素原子任选取代；
给静电成像感光体充电的充电装置；
用成像光照射带电感光体以在感光体单元上形成静电潜象的成像光照射装置；
用调色剂把静电潜象显现出来以在感光体单元上形成调色剂图象的显像装置；
将调色剂图象转移到接收材料上的转移装置。
23.根据权利要求22所述的成像装置，其中分子式1所表示的空穴转移材料和分子式2所表示的电子转移材料的重量比基本上在9∶1到1∶1。
24.根据权利要求22所述的成像装置，其中分子式1所表示的空穴转移材料是以下分子式3、4、5、6和7所表示化合物中的一种：
分子式3
分子式4
Figure A0312779600152
分子式5
分子式6
分子式7
25.根据权利要求22所述的成像装置，其中分子式2所表示的电子转移材料是以下分子式8、9和10所表示化合物中的一种：
分子式8
分子式9
分子式10
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