KR20030094728A - 단층형 전자사진 감광체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 단층형의 전자 사진 감광체에 관한 것으로, 특히 고감도에서 잔류전위가 작아서 양호한 정전특성을 발휘하는 단층형 전자 사진 감광체에 관한 것이다.
본 발명의 구성을 따르는 단층형 전자 사진 감광체에 있어서 종래 문제가 된 낮은 전계 영역에 있어서 전위 감소 속도의 저하가 대폭 개선되고, 대전성, 감도 및 잔류 전위의 모든 특성이 우수하였으며, 보다 실용적인 단층형 감광체를 실현할 수 있음을 알 수 있다.

Description

단층형 전자사진 감광체 {Single layered electrophotographic photoreceptor}
본 발명은 단층형의 전자 사진 감광체에 관한 것으로, 특히 고감도이면서 잔류전위가 작아서 양호한 정전특성을 발휘하는 단층형 전자 사진 감광체에 관한 것이다.
일반적으로 전자사진 감광체는 전도성 기판 상에 전하 발생 물질, 전하 수송 물질, 결합제 수지 등으로 구성되는 감광층을 형성하여 이루어진다. 감광층으로서는 전하 발생층과 전하 수송층을 적층하여 얻어지는 기능 분리형의 적층형 감광체가 주로 사용되고 있다.
한편, 단순한 제조공정으로 생산가능한 단층형 감광체가, 오존 발생이 적은 플러스의 코로나 방전에서 사용가능한 양대전성인 이점으로 인해 주목을 받고 있으며, 최근 활발하게 개발 연구가 진행되고 있다.
단층형 전자 사진 감광체로서 종래에는, 예를 들어 미국특허 제3,484,237호에 공지된 PVK/TNF 전하 이동 착체로 된 감광체, 미국특허 제3,397,086호에서 공지된 광전도성 프탈로시아닌을 수지에 분산시킨 감광체, 미국특허 제3,615,414호에서공지된 티아피릴륨(thiapyrylium)과 폴리카보네이트의 응집체를 전하 수송 물질과 함께 수지에 분산시킨 감광체 등이 대표적이지만, 이들 감광체는 정전기 특성이 충분하지 않고, 재료 선택에 제약이 크며 재료의 유해성 등이 문제가 되어 현재는 사용되고 있지 않다.
현재 개발의 주류가 되고 있는 단층형 감광체는 일본공개특허 소54-1633호 등에서 공지된 전하 발생 물질을 정공 수송 물질 및 전자 수송 물질과 함께 수지에 분산시킨 구성으로 된 감광체이다. 이와 같은 감광체는 전하 발생과 전하 수송이 각각의 재료에 기능 분리되어 있으므로 재료 선택의 폭이 크고, 또한 전하 발생 물질의 농도를 낮게 설정할 수 있어 감광층의 기능적, 화학적 내구성을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.
그러나 지금까지 발표된 단층형 감광체는 감도적으로는 적층 감광체에 근접한 특성을 나타내지만, 낮은 전계 영역의 광 감소 속도가 느려 잔류 전위가 커진다고 하는 본질적인 문제가 있다. 이러한 큰 잔류 전위는 화상의 농도저하 및 메모리 현상을 발생시키기 쉽고, 전자 사진 장치의 설계 여유를 좁게 만들어 개선이 요구되고 있다. 단층형 감광체에 있어서 낮은 전계 영역의 광 감소 속도 저하의 원인은 감광층 중에 균일하게 분산된 전하 발생 물질이 잔류하는 트랩 사이트를 형성하고 있으므로 광감소가 감광층의 주체를 형성하는 전하 수송 물질과 수지의 고용체 중을 수송된 전하에 의한 고속의 전위 감소 부분과, 저밀도로 존재하는 트랩에 의한 전하의 포획, 재방출에 의한 느린 전위 감소가 복합되어 있기 때문이라고 여겨진다.
본 발명자들은 잔류 전위가 적은 단층형 전자 사진 감광체를 실현하기 위하여, 감광체의 조성을 예의 검토한 결과, 특정 정공 수송 물질과 전자 수송 물질로 된 전하 이동 착체(이하 CT-complex라고 칭함)를 감광층에 함유시킴으로써 대단히 효과적으로 잔류 전위를 저하시킬 수 있음을 알게 되어 본 발명에 이르렀다.
본 발명은 하기 화학식 1의 정공 수송 물질 및 하기 화학식 2의 전자 수송 물질이 형성하는 CT-complex를 단층형 감광체의 감광층에 함유시킨 것을 특징으로 한다.
(식중 R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 또는 탄소수 8 내지 20의 치환 또는 비치환된 스티릴기를 나타낸다.)
(식중 A 및 B는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 탄소수 2 내지 20의 알콕시카르보닐기 또는 탄소수 2 내지 20의 알킬아미노카르보닐기를 나타내고, 식중 방향족 고리 상의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어도 좋다)
상기 화학식 1의 화합물에서 사용되는 치환기인 알킬기는 탄소수 1 내지 20의 직쇄형 또는 분지형 라디칼을 포함하며, 바람직하게는 1 내지 약 12 탄소원자를 갖는 직쇄형 또는 분지형 라디칼을 포함한다. 더욱 바람직한 알킬 라디칼은 1 내지 6개의 탄소원자를 갖는 저급 알킬이다. 이와 같은 라디칼의 예로서는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸, t-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등을 들 수 있다. 1 내지 3개의 탄소원자를 갖는 저급 알킬 라디칼이 더욱 더 바람직하다.
상기 화학식 1의 화합물에서 사용되는 치환기인 아릴기는 단독 또는 조합하여 사용되어, 하나 이상의 고리를 포함하는 탄소원자수 6 내지 20개의 카보사이클 방향족 시스템을 의미하며 상기 고리들은 펜던트 방법으로 함께 부착되거나 또는 융합될 수 있다. 아릴이라는 용어는 페닐, 나프틸, 테트라히드로나프틸, 인단 및 비페닐(biphenyl)과 같은 방향족 라디칼을 포함한다. 더욱 바람직한 아릴은 페닐이다. 상기 아릴기는 히드록시, 할로, 할로알킬, 니트로, 시아노, 알콕시 및 저급 알킬아미노와 같은 1 내지 3개의 치환기를 가질 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물에서 사용되는 치환기인 알콕시기는 탄소수 1 내지 20의 알킬 부분을 각각 갖는 산소-함유 직쇄형 또는 분지형 라디칼을 포함한다. 1 내지 6개의 탄소원자를 갖는 저급 알콕시 라디칼이 더욱 바람직한 알콕시 라디칼이다. 이와 같은 라디칼의 예로서는 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시 및 t-부톡시를 들 수 있다. 1 내지 3개의 탄소원자를 갖는 저급 알콕시 라디칼이 더욱 더 바람직하다. 상기 알콕시 라디칼은 플루오로, 클로로 또는 브로모와 같은 하나 이상의 할로 원자로 더 치환되어 할로알콕시 라디칼을 제공할 수 있다. 1 내지 3개의 탄소원자를 갖는 저급 할로알콕시 라디칼이 더욱 더 바람직하다. 이와 같은 라디칼의 예로서는 플루오로메톡시, 클로로메톡시, 트리플루오로메톡시, 트리플루오로에톡시, 플루오로에톡시 및 플루오로프로폭시를 들 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물에서 사용되는 치환기인 스티릴기에서 방향족 고리 상의 수소원자는 임의의 치환기, 예를 들어 히드록시, 할로, 할로알킬, 니트로, 시아노, 알콕시 및 저급 알킬아미노와 같은 1 내지 3개의 치환기로 치환될 수 있다.
상기 화학식 2의 화합물에서 사용되는 치환기 중 알콕시카르보닐기 및 알킬아미노카르보닐기에서, 알콕시기 및 알킬기에 대한 정의는 상기 정의한 바와 같다.
본 발명의 구성에 따른 단층형 감광체의 잔류 전위 저감 효과의 메카니즘은 다음과 같다고 여겨진다.
CT-complex는 일반적으로, 전자 공여성 물질(정공 수송 물질)과 전자 수용성 물질(전자 수송 물질)이 만나는 시점에 양자 사이에 전자의 이동이 발생하고, 이온화된 분자들이 착체를 형성함으로써 생성된다. CT-complex는 일반적으로 정공도 전자도 수송할 수 있지만, 그 이동도는 각각 단체의 정공 수송 물질, 또는 전자 수송 물질의 이동도보다도 작은 것이 보통이다. 종래 단층형 감광체에 전자 수송 물질로서 가끔 사용되어 왔으며, 일본공개특허 평1-206349호 공보에 공지된 디페노퀴논계의 화합물은 전자 친화력이 작고, 많은 정공 수송 물질과는 CT-complex를 형성하지 않는다. 이로 인해, 단층형 감광체에서는 전자 수송 물질이 단분자로 전하 발생 물질과 접촉하게 되지만 전자 친화력이 작아서 전하 발생 물질 표면에 존재할 것으로 여겨지는 정공 트랩에 대한 작용도 작으며, 트랩 사이트는 그대로 존재하여 낮은 전계 영역에서의 광감소 속도의 저하를 가져온다. 이것은 예를 들어 상기 평1-206349호 공보에 개시되어 있는 프탈로시아닌을 전하 발생층, 디페노퀴논 화합물을 단독으로 수지에 분자 분산시켜 전하 수송층으로서 사용한 감광체가, 전자의 이동도는 비교적 양호함에도 불구하고, 프탈로시아닌으로부터의 전자 주입 효율이 나빠지고, 큰 잔류 전위를 나타내는 사실로부터도 입증된다.
한편, 본 발명의 구성에 있어서 전자 수송 물질은 그 대부분이 CT-complex로서 전하 발생 물질과 접촉하는 것으로 여겨진다. 본 발명에 사용되는 화학식 2의 전자 수송 물질과 정공 수송 물질에서 형성되는 CT-complex가 양호한 전자 이동도를 가짐은 예를 들면 Journal of Imaging Science, Vol.29, No.2, 69-72(1985) 및 미국특허 4,559,287호 등에 시사되어 있다. 이들 문헌에서는 정공 수송 물질로서 테트라페닐벤지딘을 사용하므로 CT-complex의 전자 수송능만이 주목을 받고 있지만, 본 발명의 화학식 1의 정공 수송 물질을 사용한 경우는 착체 형성에 의한 정공이동도의 저하가 거의 보이지 않고, 정공과 전자의 양자가 효과적으로 수송된다. 본 발명에 사용하는 CT-complex는 전하 발생 물질 표면에 존재하는 트랩 사이트로부터 용이하게 전자를 빼내어 정공 트랩을 채우므로 낮은 전계 영역에서도 감소 속도가 떨어지는 일 없이 잔류 전위를 적게 하는 것을 가능하게 한다고 여겨진다.
다음으로 본 발명의 실시예를 이하에 나타낸다.
전자 사진 감광체는 전도성의 지지체 상에 감광층을 도포한 것이 사용된다.
전도성 지지체로서는 금속, 플라스틱 등으로 된 드럼 또는 벨트 형상을 갖는 것을 사용한다.
감광층은 단일층 중에 전하 발생 물질, 정공 수송 물질 및 전자 수송 물질을 함유한다.
감광층에 사용되는 전하 발생 물질로서는 예를 들면 프탈로시아닌계 안료, 아조계 안료, 퀴논계 안료, 페릴렌계 안료, 인디고계 안료, 비스벤조이미다졸계 안료, 퀴나크리돈계 안료, 아즈레늄계 염료, 스쿠아륨계 염료, 피릴륨계 염료, 트리아릴메탄계 염료, 시아닌계 염료 등의 유기 재료 및, 무정형 실리콘, 무정형 셀렌, 삼방정 셀렌, 텔루륨, 셀렌-텔루륨 합금, 황화카드뮴, 황화안티몬, 황화아연 등의 무기 재료를 예로 들 수 있다. 사용할 수 있는 전하 발생 물질은 본 명세서에 열거한 것에 한정되는 것은 아니며, 또한 이들을 단독으로 병용하는 것도 가능하지만 2종류 이상의 전하 발생 물질을 혼합하는 것도 가능하다.
감광층 중의 전하 발생 물질의 비율은 2 내지 10중량%의 범위 내인 것이 바람직하다. 전하 발생 물질의 비율이 지나치게 적으면, 감광층의 흡광도가 저하되고, 조사광 에너지의 손실이 증대하므로 감도가 저하되어 바람직하지 않다. 전하 발생 물질의 비율이 지나치게 크면 암전도(暗傳導)가 증가하여 대전성이 저하되고, 동시에 트랩 밀도도 증대되므로 이동도 저하에 의해 감도도 나빠지므로 바람직하지 않다.
본 발명의 단층형 전자 사진 감광체에 함유되는 화학식 1의 정공 수송 물질과 화학식 2의 전자 수송 물질로 된 CT-complex는 양자를 용매에 용해하고 혼합하는 것만으로 신속하게 얻어진다. CT-complex에 있어서는 HOMO-LUMO 전이 에너지가 작아지고, 장파장의 광학 흡수가 나타나므로 발색에 의해 생성을 즉시 판별할 수 있다.
CT-complex를 형성하는 화학식 1의 정공 수송 물질로서, 본 발명의 전자 사진 감광체에 바람직한 정공 수송 물질의 구조예를 이하에 나타낸다.
이와 같은 정공 수송 물질은, 재료로서는 미국특허 5,013,623호 등에서 공지되어 있고, 그 명세서의 기재로부터 용이하게 합성할 수 있다.
다음으로 CT-complex를 형성하는 화학식 2의 전자 수송 물질로서 본 발명의 전자 사진 감광체에 바람직한 전자 수송 물질의 구조예를 이하에 나타낸다.
이와 같은 전자 수송 물질은 미국특허 4,474,865호 등에 공지되어 있고, 합성 방법도 분명하게 기재되어 있다. 본 발명에서 사용하고 있는 화학식 2의 전자 수송 물질은 양호한 용해성과 전자 이동도를 나타내고, 또한 변이 원성을 크게 하는 요인이 되는 니트로기를 함유하지 않아 안전성도 우수하다.
화학식 1의 정공 수송 물질과 화학식 2의 전자 수송 물질의 비율은 중량비로 9:1 내지 1:1의 범위가 바람직하다. 상기 중량비를 벗어나는 경우에는 감광체로서 실질적인 성능을 발휘하기에 충분한 감광층의 전자 또는 홀 유동성을 얻기가 곤란하다는 문제가 있어 바람직하지 않다.
또한 감광층에는 본 발명의 효과를 훼손하지 않는 범위 내에서, 다른 정공 수송 물질 혹은 전자 수송 물질을 병용하여 사용하는 것도 좋다.
병용하는 것이 가능한 정공 수송 물질로서는 예를 들어 피렌계, 카르보졸계, 히드라존계, 옥사졸계, 옥사디아졸계, 피라졸렌계, 아릴아민계, 아릴메탄계, 벤지딘계, 티아졸계, 스티릴계 등의 질소 함유 고리 화합물 및 축합 다환식 화합물을 예로 들 수 있다.
병용 가능한 전자 수송 물질로서는 예를 들어 벤조퀴논계, 시아노에틸렌계, 시아노퀴노디메탄계, 플루오레논계, 크산톤계, 페난트라퀴논계, 무수 프탈산계, 티오피란계, 디페노퀴논계 등의 전하 흡인성 저분자 화합물을 예로 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니며, 전자 수송성의 고분자 화합물 및 전자 수송성을 갖는 안료 등이어도 좋다.
본 발명의 전자 사진 감광체에 병용할 수 있는 전하 수송 물질은 본 명세서에 열거한 것에 한정되는 것은 아니며, 그 사용시에는 단독, 또는 2종류 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
감광층 중의, 정공 수송 물질과 전자 수송 물질을 합한 전하 수송 물질의 비율은 10 내지 60중량%의 범위가 바람직하다. 10중량%보다도 작은 경우, 전하 수송능이 불충분해지므로 감도가 부족하고, 잔류 전위가 커지므로 바람직하지 않으며, 또한 60중량%보다도 많은 경우, 감광층 중의 수지의 함유량이 적어지므로 도막 강도를 충분하게 얻을 수 없는 등의 악영향이 있어 바람직하지 않다.
감광층에 사용할 수 있는 결합제 수지로서는 전기 절연성의 고분자 중합체가 바람직하고, 예를 들면 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 메타크릴 수지, 아크릴수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리스티렌, 폴리비닐아세테이트, 실리콘수지, 실리콘-알키드수지, 스티렌-알키드 수지, 폴리-N-비닐카르바졸, 페녹시수지, 에폭시 수지, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐아세탈, 폴리비닐포르말, 폴리술폰, 폴리비닐알콜, 에틸셀룰로스, 페놀수지, 폴리아미드, 카르복시-에틸셀룰로스, 폴리우레탄 등을 예로 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 이들 고분자 중합체는 단독으로 사용할 수 있고, 2종류 이상을 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.
감광층의 두께는 통상 5 내지 50㎛의 범위 내에서 설정된다.
도포법에 사용되는 용매로서는 알콜류, 케톤류, 아미드류, 에테르류, 에스테르류, 술폰류, 방향족류, 지방족 할로겐화 탄화수소류 등의 유기 용매를 예로 들 수 있다.
도포법으로서는 침적도포, 링도포, 롤도포, 스프레이법 등을 예로 들 수 있지만, 본 발명의 전자 사진 감광체는 어떠한 방법을 사용하여 제조하여도 좋다.
또한 도전성 지지체와 감광층의 사이에는 접착성의 향상, 또는 지지체로부터의 전하 주입을 저지하는 목적으로 중간층을 설치하는 것도 가능하다. 이와 같은 중간층으로서는 알루미늄의 양극 산화층; 산화티탄, 산화주석 등의 금속 산화물 분말의 수지 분산층; 폴리비닐알콜, 카제인, 에틸셀룰로스, 젤라틴, 페놀수지, 폴리아미드 등의 수지층을 예로 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한 결합제 수지와 함께, 가소제, 레벨링제, 분산안정제, 산화방지제, 광열화방지제 등의 첨가제를 사용할 수 있다.
산화방지제로서는 예를 들면 페놀계, 유황계, 인계, 아민계 화합물 등의 산화방지제를 예로 들 수 있다.
광열화방지제로서는 예를 들면 벤조트리아졸계 화합물, 벤조페논계 화합물, 힌더드 아민계 화합물 등을 예로 들 수 있다.
이하에서 본 발명을 실시예를 들어 보다 구체적으로 설명하지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
감마형 티타닐프탈로시아닌 3중량부와 폴리카보네이트Z 수지(테이진 케미칼 주식회사제 "Panlite TS-2020") 2중량부를 클로로포름 45중량부와 혼합하고, 샌드밀에서 1시간 동안 연마 분쇄하여 분산하였다.
다음으로 상기 화학식 3의 정공 수송 물질 35중량부 및 상기 화학식 8의 전자 수송 물질 15중량부, 폴리카보네이트Z 수지 50중량부를 클로로포름 300중량부에 용해하였다. 용액은 암록색으로 발색하여 CT-complex의 형성이 확인되었다.
상기 분산액과 용액을 비율 1:8로 혼합하고, 호모믹서로 균일해질 때까지 분산하여 감광층 도포액을 얻었다. 이 도포액을 직경 30mm의 알루미늄제 드럼 상에 링코팅법으로 도포 후 건조하여 두께 20㎛의 단층형 전자 사진 감광체를 얻었다.
실시예 2와 3, 및 비교예 1 내지 3
실시예 1에 있어서, 화학식 3의 정공 수송 물질과 화학식 8의 전자 수송 물질의 조합 대신에 하기 표 1에 나타낸 조합을 사용한 것 이외에는 동일하게 수행하여 전자 사진 감광체를 얻었다.
시료명 정공 수송 물질 전자 수송 물질 CT-complex의 생성
실시예 2 화학식 5의 화합물 화학식 9의 화합물 있음
실시예 3 화학식 6의 화합물 화학식 10의 화합물 있음
비교예 1 화학식 11의 화합물 화학식 8의 화합물 있음
비교예 2 화학식 3의 화합물 화학식 12의 화합물 없음
비교예 3 화학식 11의 화합물 화학식 12의 화합물 없음
(정전 특성)
각 감광체의 전자사진 특성을 드럼 감광체 평가 장치(QEA 주식회자제조 "PDT-2000")를 사용하여 측정하였다. 측정조건은 코로나 전압 +7.5kV에서, 대전기와 감광체의 상대속도 100mm/sec의 조건으로 대전시켜, 직후에 파장 780nm의 단색광을 노광에너지 0 내지 10mJ/m2의 범위 내에서의 일정값으로 조사하여 노광 후의 표면 전위값을 기록하고, 에너지 대 표면 전위의 관계를 측정하였다. 여기에서 광을 조사하지 않은 경우의 표면 전위를 V0[V]로 하고, 암소에서의 1초 후의 전위 V1[V]와의 비율 V1/V0를 전위 유지율로 하였다. 또한 광조사에 의해 V0가 1/2로 감소하는데 필요한 에너지를 E1/2[mJ/m2]로 하였다. 또한 100mJ/m2의 광을 조사 10초 후의 전위를 잔류 전위 VR[V]로 하여 평가하였다.
측정 결과를 표 2에 나타낸다.
시료명 V0[V] V1/V0[%] E1/2[mJ/m2] VR[V]
실시예 1 605 95 1.21 18
실시예 2 609 96 1.25 20
실시예 3 612 97 1.23 23
비교예 1 564 84 1.80 46
비교예 2 615 97 1.20 38
비교예 3 587 86 1.58 53
표 2에 있어서, 종래 공지된 재료의 조합으로 된 비교예 3의 감광체와 비교하여, 실시예의 감광체는 양호한 대전성과 감도를 나타내고, 잔류전위도 20V 전후로 낮은 수치를 나타내었다. 한편 정공 수송 물질을 화학식 11의 테트라페닐벤지딘계 화합물로 치환한 비교예 1의 감광체는 본 발명에 사용하는 전자 수송 물질과 CT-complex를 형성하는 것이 확인되었지만, 대전성이 낮고, 감도, 잔류 전위 모두 나빠지며, 비교예 3의 감광체와 비교해도 큰 감도 저하가 발견되었다. 이것은 CT-complex의 생성에 의해 정공 수송 물질의 수송능이 저하되고, 실질적으로 정공 수송 물질 농도가 저하됨에 의한 것이라고 여겨진다. 또한 전자 수송 물질로서 화학식 12의 디페노퀴논계 화합물을 사용한 비교예 2와 3의 감광체는 CT-complex의 형성이 발견되지 않고, 본 발명에 사용되는 정공 수송 물질과 조합한 비교예 2의 감광체에서는 대전성과 감도는 양호한 특성을 나타내지만, 잔류 전위가 크고, 낮은 전계영역에 있어서 감소 속도가 저하되는 문제점이 개선되어 있지 않다는 점을 알 수 있다.
이상의 결과로부터, 본 발명의 구성을 따르는 단층형 전자 사진 감광체에 있어서 종래 문제가 된 낮은 전계 영역에 있어서 전위 감소 속도의 저하가 대폭 개선되고, 대전성, 감도 및 잔류 전위의 모든 특성이 우수하였으며, 보다 실용적인 단층형 감광체를 실현할 수 있음을 알 수 있다.

Claims (14)

  1. 전도성 지지체 상에 적어도 전하 발생 물질, 정공 수송 물질 및 전자 수송 물질을 함유하는 감광층을 포함하며, 상기 감광층이 하기 화학식 1의 정공 수송 물질과 하기 화학식 2의 전자 수송 물질이 형성하는 전하 이동 착체를 함유하는 것을 특징으로 하는 단층형 전자 사진 감광체.
    <화학식 1>
    (식중 R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 또는 탄소수 8 내지 20의 치환 또는 비치환된 스티릴기를 나타낸다.)
    <화학식 2>
    (식중 A 및 B는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 탄소수 2 내지 20의 알콕시카르보닐기 또는 탄소수 2 내지 20의 알킬아미노카르보닐기를 나타내고, 식중 방향족 고리 상의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어도 좋다)
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 정공 수송 물질과 화학식 2의 전자 수송 물질의 중량비율이 9:1 내지 1:1의 범위인 것을 특징으로 하는 감광체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 감광층 중의 전하 발생 물질이 프탈로시아닌계 안료, 아조계 안료, 퀴논계 안료, 페릴렌계 안료, 인디고계 안료, 비스벤조이미다졸계 안료, 퀴나크리돈계 안료, 아즈레늄계 염료, 스쿠아륨계 염료, 피릴륨계 염료, 트리아릴메탄계 염료, 또는 시아닌계 염료의 유기 재료; 및 무정형 실리콘, 무정형 셀렌, 삼방정 셀렌, 텔루륨, 셀렌-텔루륨 합금, 황화카드뮴, 황화안티몬 또는 황화아연의 무기 재료로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 감광체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 감광층 중의 전하 발생 물질의 비율이 2 내지 10중량%인 것을 특징으로 하는 감광체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물이 하기 화학식 3, 4, 5, 6, 또는 7의 화합물인 것을 특징으로 하는 감광체.
    <화학식 3>
    <화학식 4>
    <화학식 5>
    <화학식 6>
    <화학식 7>
  6. 제1항에 있어서, 상기 화학식 2의 화합물이 하기 화학식 8, 9 또는 10의 화합물인 것을 특징으로 하는 감광체.
    <화학식 8>
    <화학식 9>
    <화학식 10>
  7. 제1항에 있어서, 상기 정공 수송 물질로서 피렌계, 카르보졸계, 히드라존계, 옥사졸계, 옥사디아졸계, 피라졸렌계, 아릴아민계, 아릴메탄계, 벤지딘계, 티아졸계, 스티릴계 등의 질소 함유 고리 화합물 및 축합 다환식 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광체.
  8. 제1항에 있어서, 상기 전자 수송 물질로서 벤조퀴논계, 시아노에틸렌계, 시아노퀴노디메탄계, 플루오레논계, 크산톤계, 페난트라퀴논계, 무수 프탈산계, 티오피란계, 디페노퀴논계의 전하 흡인성 저분자 화합물, 전자 수송성의 고분자 화합물 및 전자 수송성을 갖는 안료로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광체.
  9. 제1항에 있어서, 상기 감광층에서 정공 수송 물질과 전자 수송 물질을 합한 전자 수송 물질의 비율이 10 내지 60중량%인 것을 특징으로 하는 감광체.
  10. 제1항에 있어서, 상기 감광층이 결합제 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광체.
  11. 제10항에 있어서, 상기 결합제 수지가 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 메타크릴 수지, 아크릴수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리스티렌, 폴리비닐아세테이트, 실리콘수지, 실리콘-알키드수지, 스티렌-알키드 수지, 폴리-N-비닐카르바졸, 페녹시수지, 에폭시 수지, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐아세탈, 폴리비닐포르말, 폴리술폰, 폴리비닐알콜, 에틸셀룰로스, 페놀수지, 폴리아미드, 카르복시-에틸셀룰로스, 및 폴리우레탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 감광체.
  12. 제1항에 있어서, 상기 감광층의 두께가 5 내지 50㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 감광체.
  13. 제1항에 있어서, 상기 도전성 지지체와 감광층 사이에 중간층을 더 포함하며, 상기 중간층이 알루미늄의 양극 산화층; 산화티탄, 산화주석 등의 금속 산화물 분말의 수지 분산층; 및 폴리비닐알콜, 카제인, 에틸셀룰로스, 젤라틴, 페놀수지, 폴리아미드의 수지층으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 한 층 이상인 것을 특징으로 하는 감광체.
  14. 제1항에 있어서, 상기 감광층이 가소제, 레벨링제, 분산안정제, 산화방지제, 및 광열화방지제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광체.
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