JPH01246557A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は２種類の電荷発生物質を用いた電子写真感）を
体に圓するものである。

［発明の背景］ 最近の電子写真複写様の高速化、小型化に伴い、ますま
すこれに用いられる電子写真感光体の高感度化が要求さ
れてきており、このような観点からいわゆる機能分離型
の電子写真感光体が主流になりつつある。

上記の機能分離型電子写真感光体の電荷発生物質として
従来用いられていたアゾ系顔料、特にビスアゾ系顔料（
例えば特開昭４７−３７５４号、同５３−１３３４４５
号、同５８−７０２３２号、同５８−１４０７４５号な
ど）は５７０ｒ＋ｍ以上の長波側感度が良く全体として
も比較的高感度であるが、繰り返し使用した時の特性劣
化が大き（、６１０ｎｉ＋以上の領域にも感度を有して
いるため赤色画像（印かん、アンダーライン等）の再現
性が劣るという欠点がある。また、このようなアゾ系顔
料を電荷発生物質として用いた場合、その電荷輸送能が
低く、長波側感度を生かすためには電荷発生層の膜厚を
０．１〜０．３μｍ程度の薄膜で形成する必要があり、
このような薄膜を一般的な製造方法である浸漬塗布法に
よって塗布すると、段ムラ、液ダレ、凝集などの塗布欠
陥を生じやすく、塗布収率低下、生産性低下、コストア
ップにつながっていた。

また、電荷発生物質としてフタロシアニン系顔料も知ら
れているが（特公昭４９−４３３８号、特開昭５８−１
８２６３９号、同６０−１９１５４号など）、上記のア
ゾ系顔料と同様の問題点を有している。

一方、複写画像再現性の良好な顔料として多環キノン系
顔料が知られている（特開昭５７−６７９３３号参照）
。多環キノン系顔料は５７０ｒ＋＋＋＋以下の短波側感
度が良く、繰り返し特性にも優れている。

しかしながら、この多環キノン系顔ｆｌを用いた場合、
５７０ｎｍ以上の領域で感度低下が大きく、５８０〜６
２０ｎｎ＋付近の領域には殆んど感度を有していないた
め、高感度を要求される高速複写様や小型複写機に用い
るには感度が不充分である。

［発明の目的コ 本発明は上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、
第１に高速複写様や小型複写機に用いても充分な感度を
有する電子写真感光体を提供すること、第２に繰り返し
特性に優れた高感度の電子写真感光体を提供すること、
第３に赤色再現性の良好な高感度の電子写真感光体を提
供することを目的とする。

［発明の構成］ 本発明の上記目的は、導電性支持体上に少なくとも電荷
発生層及び電荷輸送層を有する電子写真感光体において
、前記電荷発生層にはビスアゾ系化合物もしくはフタロ
シアニン系化合物の少なくとも１種と多環キノン系化合
物の少なくとも１種を含有し、かつ前記ビスアゾ系化合
物もしくはフタロシアニン系化合物の平均粒径に対する
前記多環キノン系化合物の平均粒径の比が２以上である
ことを特徴とする電子写真感光体によって達成される。

本発明に用いられるビスアゾ系化合物は、例えば、−数
式Ｂ＋Ｎ＝Ｎ−Ａ）２によって示される。

ここでＡはカプラーを表わし、Ｂはアゾ基の結合した炭
素原子間が共役二重結合系を形成する２価の有［を表わ
す。具体的には例えば下記−数式ＣＩ］〜［■］で示さ
れる化合物が代表的なものとして挙げられる。

一般式［Ｉ］ 式中、Ａｒｔ　、Ａｒ２及びＡｒ３はそれぞれ置換若し
くは未置換の芳香族炭素環残基又は置換若しくは未置換
の芳香族複索環残基を表わず。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ
４はそれぞれ水素原子又は電子吸引性基を表わず。但し
、Ｒ１−Ｒ４のうち少なくとも１つは電子吸引性基であ
る。

Ａ１は −ＮＨ８Ｏ２−Ｒａ　　（ここでＲ６及びＲ７はそれぞ
れ水素原子又は置換若しくは未置換のアルキル基を表わ
し、Ｒ８は置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若
しくは未置換のアリール基を表わす。）を表わす。Ｙｌ
　はハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基、
置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換若しくは未置
換のカルバモイル基、置換若しくは未置換のスルファモ
イル基、カルボキシル基又はスルホ基を表わす。Ｚｌは
置換若しくは未置換の炭素環式芳香族環又は置換若しく
は未置換の複素環式芳香族環を構成するに必要な原子群
を表わす、、Ｒ５は水素原子、置換若しくは未置換のア
ルキル基、置換若しくは未置換のアミノ基、置換若しく
は未置換のカルバモイル基、カルボキシル基又はそのエ
ステル基を表わす。

Ａ′は置換若しくは未置換のアリール基を表わす。

ｎは１，２又は３の整数を表わし、■は０．１又は２の
整数を表わす。

一般式［Ｉ］において、Ａｒｃ　、Ａｒ２又はＡｒ’３
で表わされる残基としては、例えばその点上に置換基を
有する場合、置換基としては例えばハロゲン原子、アル
キル基等が挙げられる。

Ｒ＋　、Ｒ２、Ｒ３又はＲ４で表わされる電子吸引性基
としては、例えばハロゲン原子（塩素原子、ｒＡ索原子
等）、シアノ具、二１〜ロ基等である。

−数式［Ｉ］で示される化合物の代表的具体例を以下に
示ずが、これらに限定されるものではなＮｏ、　　　　
　　　　Ａ。

Ｎｏ、　　　　　　　　　Ａ。

Ｎｏ、　　　　　　　　Ａ。

以下余白 Ｎｏ、　　　　Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ＜　　　　　　Ａ＋ＮＯ
，１−１７ Ｎｏ、　　ｌ−１８ Ｎｏ、ｌ−１９ Ｎｏ、ｌ−２Ｏ Ｎｏ、ｌ−２１ Ｎｏ、　　　　　　　　　　　ＡＩ 番−を上ユタ −数式［ＩＩ　］ ここで、Ａｒ４は芳香族環基又は複素ＩＭ　Ｍを表わｔ
０△ｒ５及びＡｒ６はそれぞれ芳香族環基を表わすａＲ
９及びＲ１＋はそれぞれ水素原子、アルキル基又はアリ
ール基を表わす。Ｒｈｏはアルキル基、カルボキシル基
又はそのニスデル基を表わツ１゜ｚ２は芳香族環又は複
素環を形成づるのに必要／【原子群を表わす。

Ａｒｃ、Ａｒｓ又はＡｒ６で表わされる芳香族環基は例
えばフェニル基、ナフチル基等であり、Ａｒｃで表わさ
れる複素環基は例えばジベンゾフラン環、カルバゾール
環、インドール環等である。

Ｒｓ、Ｒｈｏ又はＲＨで表わされるアルキル基は例えば
メチル基、エチル基等の低級アルキル基であり、Ｒ９又
はＲ＋＋で表わされるアリール基は例えばフェニル基等
である。またＺ２により形成される芳香族環又は複素環
の具体例は゛上記Ａｒ４〜Ａｒｓの具体例と同様なもの
を挙げることができる。

Ａｒ４〜Ａｒ　６、Ｒｓ　〜Ｒｎ及びＺ２で表わされる
各軍は置換基を有していてもよく、置換基としては例え
ばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基
、置換アミン基、アシルアミノ基、シアン基、カルボキ
シル基、スルホン酸基、スルファモイル基等である。

一般式［Ｉ［］で示される化合物の代表的具体例を以下
に示すが、これらに限定されるものではなＮｏ、　　　
　　　　　Ａｒ＜　　　　　　　　　Ｒ＊Ｎｏ、　　　
　　　　　Ａｒ４　　　　　　　Ｒ。

Ｎ　ｏ、　　　　　　　Ａ　ｒ　＋　　　　　　　　Ｒ
ｓ−数式［Ｉ［［］ 式中、Ａ２は前記−数式［Ｉｒ］にお（プるＡ２と同義
である。

一般式［１［［］で示される化合物の代表的具体例を以
下に示すが、これらに限定されるものではなＮｏ、　　
　　　　　　Ａｒ、　　　　　　　　Ｒ５Ｎｏ、　　　
　　　　Ａｒ＜　　　　　　　　ＲｅＣＨ。

Ｎｏ、　　　　　　　Ａｒ４　　　　　　　　Ｒｇ−数
式［ＩＶ　］ 式中、Ｒ＋２及びＲ＋３はそれぞれ水素原子、ハロゲン
原子又はアルキル基を表ねり一０×２は一〇−又は−Ｎ
−（Ｒ＋４は水素原子、アルキル基又はア＾１４ リール基を表わす。）を表ねり。

レン基を表わす。Ｒ１５はアルキル基又はアリール基を
表ねり。ｒｈ６ば水素原子、アルキル基又はアール基を
表わず。Ａｒ７はアリール基を表わす。

Ｙ２は芳香族炭素環又は複素環を形成するに必要な原子
群を表わす。

Ｒ＋２〜Ｒ＋６で表わされるアルキル基としては例えば
メチル基、エチル基等が挙げられ、Ｒ＋４〜Ｒ＋６、Ａ
ｒ７で表わされるアリール基としては例えばフェニル基
、ナフチル基等が挙げられ、これらの塁は置換基を有し
ていてもよい。

ｘ２は特に−〇−である場合が好ましい。

Ｚ３で表わされるアリーレン基どしては例えばフェニレ
ン基、ナフチレン基等が挙げられ、これらの基は置換基
を有していてもよい。置換基としては例えばハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、ヒドロキシ
ル基等が挙げられる。

Ｚ３は特に置換若しくは未置換のフェニレン基が好まし
い。

Ｙ２により形成される芳香族炭素環又は複素環は例えば
ベンゼン環、ナフタレン環、トリアゾール環等である。

一般式［ＴＶ］で示される化合物の代表的具体例を以下
に示すが、これらに限定されるものではない。

Ｎｏ、　　　　　　　　Ｒ１２Ｒ１３Ｒ＋５１’／−７
８Ｈ−ＣＨ。

ＩＶ−８ＨＨ−Ｃ，Ｈ。

ＩＶ−９）（Ｈ−Ｃ２Ｈ，０ＣＨｆｆ ［Ｖ−１０ＨＨ−Ｃ□ＨｓＯＣｉＨｓ ＩＶ−１１８Ｈ−Ｃ，）（、ＯＨ ■−１２−ＣＨ，（３位）　　−ＣＨ，（３位）　　　
　−ＣＨ。

ＩＩ／−１３−ＣＨ，（３位）　　　ＣＨ３（３位）　
　　　−Ｃ，Ｈ。

■−ｔ４　　−ＣＨ，（３位）　　−ＣＨ２（３位）　
　　　−Ｃ２Ｈ４０ＣＨ。

［Ｖ−１５−Ｃ）（３（３位）　　−ＣＨ，（３位）　
　　　−Ｃ，Ｈ，ＯＣ，Ｈ。

ＩＶ−１６−ＣＨ，（３位）　　−ＣＨ，（３位）　　
　　−Ｃ，ＨＪＯＨＮｏ、　　Ｎ　−１７ ＮＯ，Ｒｌｉ　　　Ｒ１）　　　Ｒｌｉ　　　　　Ａｒ
。

Ｎｏ、　　　Ｒ１２Ｒ１−Ｒｌｉ　　　　　Ａｒ７−数
式［Ｖ］ 式中、Ａｒａ及びＡｒｓはそれぞれ置換若しくは未置換
の芳香族炭素環残基又は置換若しくは未置換の芳香族複
素環残基を表わｔ　ａ　Ｒ１７及びＲｌｉはそれぞれ水
素原子又は電子吸引性基を表わす。

但し、Ｒ１７、Ｒ１８の少なくとも１つは電子吸引性基
である。

Ａ斗は −ＮＨ８Ｏ２−Ｒ２２（ここでＲ２０及びＲ２１はそれ
ぞれ水素原子又は置換若しくは未買換のアルキル基を表
わし、Ｒ２２は置換若しくは未置換のアルキル基又は置
換若しくは未置換のアリール基を表わす。）を表わす。

Ｙ３は水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換の
アルキル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換
若しくは未置換のカルバモイル基、置換若しくは未置換
のスルファモイル基、カルボキシル基若しくはそのエス
テル基又はスルホ基を表わす。Ｚ４は置換若しくは未置
換の炭素環式芳香族環又は置換若しくは未置換の複素環
式芳香族環を構成するに必要な原子群を表わす。Ｒ＋ｓ
は水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若
しくは未置換のアミノ基、置換若しくは未置換のカルバ
モイル基、カルボキシル基又はそのエステル基を表わす
。Ａ“は置換若しくは未置換のアリール基を表わす。ｎ
は１．２又は３の整数を表わし、ｍは０．１又は２の整
数を表わす。

一般式［Ｖ］において、Ａｒａ又はＡｒｓで表わされる
残塁としては、例えば その環上に置換基を有する場合、置換基としては例えば
ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアン基等
が挙げられる。

Ｒ＋７又はＲ＋ａで表わされる電子吸引性基としては、
例えばハロゲン原子（塩素原子、臭素原子等）、シアノ
基、ニトロ基等である。

−数式［Ｖ］で示される化合物の代表的具体例を以下に
示すが、これらに限定されるものでは４ｒい。

Ｎｏ、　　　　Ｒ，、Ｒ，、Ａ。

Ｎ　Ｏ，Ｒ＋　ｔ　　　ＲＩ＊　　　　　　　　　　Ａ
　−Ｎｏ、　　　　　Ｒａｔ　　　　Ｒ１１Ａ４一般式
［ＶＴ］ 式中、Ａ５は びＲ２＋はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基又はヒドロキシル基を表わす。Ｒ２５
はアルキル基又はアルコキシカルボニル基を表わず。ｎ
は１，２又は３を表ゎず。

一般式［Ｖｒ　］において、Ｒ２３又はＲ２４で表わさ
れるハロゲン原子としては例えば塩素原子、臭素原子等
が挙げられ、アルキル基としては例えばメチル基、エチ
ル基等が挙げられ、アルコキシ基としては例えばメトキ
シ基、エトキシ基等が挙げられる。またＲ２５で表わさ
れるアルキル基としては例えばメチル基、エチル基等が
挙げられ、アルコキシカルボニル基としては例えばメト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基等が挙げられ
る。

一般式［ＶＩ］で示される化合物の代表的具体例を以下
に示すが、これらに限定されるものではない。

Ｎ　Ｏ，Ｒ２３Ｒ２４ｎ Ｖｌ−１−０ＣＨｓ　　　　　　　Ｈ１■−２−ＣＨ，
Ｈ１ ■−３−ＣＩ　　　　　　　　　ＨＩ Ｖｌ−４−ＣＩ！　　　　−０ＣＨ３（６位）　　　Ｉ
Ｖｌ−５−Ｃ１−ＣＩＣ４位、６位）　　２Ｖｌ−６−
Ｃ１−ＣＩ＜６位）　　　　　ＩＶ［−７−Ｃ４−ＣＩ
Ｃ５位）　　　　　ＩＶ［−８−Ｃ１−Ｃ１（４位）　
　　　　１１／［−９８ｒＨ１ ■−１０−ＯＨＨＩ Ｖｌ−（１−Ｃ１−ＣＨ５（３位、５位）　　２Ｎ　Ｏ
、Ｒ２ｙ　　　　　　Ｒ２−ｎ Ｖｌ　　１２　　　　ＣＩ　　　　　　ＣＨｓ（２位）
　　　　１■−１３ＣＩ　　　　　ＣＨ３（２位、４位
）　　２以下余白゛ ：・　、− 一般式［ｖＩ］ Ｘ□ 式中、×１は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又は
アルコキシ基を表わす。

Ａ６は を表わず。ここで、Ｒ２６は置換若しくは未置換のカル
バモイル ル基を表わず．７５は炭素１１式芳香族環又は複素環式
芳香族環を形成するに必要な原子群を表わす。

ｆ１２７はアルキル基又はアリール基を表わす。

−数式［ＶＩ］において、Ｘ＋で表わされるハロゲン原
子としては例えばｊ８素原子、臭素原子等が挙げられ、
アルキル基としては例えばメチル基、エチル基等が挙げ
られ、アルコキシ基としては例えばメトキシ基、エトキ
シ基等が挙げられる。

Ｒ２６で表わされる置換カルバモイル基としては例えば
Ｎ−フェニルカルバモイル基、Ｎ−エチルカルバモイル Ｎ−フェニル−Ｎ−ニゲルカルバモイルＮ−ジフェニル
カルバモイル基等が挙げられ、これらの基はさらに！ａ
置換基有していても良い。

また、Ｒ２６で表わされるカルボキシルれる。

ｚ５により形成される炭素環式芳香族環又は複素環式芳
香族環は例えばベンゼン環、ナフタレン環、カルバゾー
ル環、ベンゾフランｆｆｉＷであり、その環上に置換基
を有していても良い。

Ｒ２７で表わされるアルキル基としては例えばメチル基
、エチル基等が挙げられ、アリール基としては例えばフ
ェニル基等が挙げられ、これらの基は置換基を有してい
ても良い。

一般式［ＶＩ］ぐ示される化合物の代表的具体例を以下
に示すが、これらに限定されるものではない。

Ｘ＋ Ｎｏ、　　　　　　　　　Ａ、　　　　　　　　　　　
　　　ｘ。

Ｎｏ、Ａｓ　　　　　　　　　　　　　　　Ｘ４Ｎｏ、
　　　　　　　　　Ａｓ　　　　　　　　　　　　　　
Ｘ４置 ＣＨ。

以上−数式［Ｉ］〜［■］で示される化合物の代表的具
体例を挙げたが、この他の具体例として、−数式［Ｉ］
については例えば特開昭５８−７０２３２号、同５８−
１４０７４５号、−数式［ＩＩ］については例えば特開
昭５３−１３３４４５号、−数式［１［１］については
例えば特開昭５４−２２８３４号、−数式［ＩＶ］につ
いては例えば特開昭５９−２２９５６４号、−数式［Ｖ
］についテハ例えハ４８　開Ｖａ　５７−１８２７４７
＠、同５８−１１５４４７号、同５６−１１６０４０号
、−数式［ｖＩ］ニツイては例えば特開昭４７−３７５
４３号、−数式［■コについては例えば特開昭５６−１
７６０３９号にそれぞれ記載された化合物を挙げること
ができる。

また以上の如きビスアゾ系化合物は上記各公報に記載の
方法により容易に合成することができる。

本発明に使用されるフタロシアニン系化合物は無金属フ
タロシアニン化合物、金属フタロシアニン化合物のいず
れも使用でき、例えばα、β、Ｔ、τ、τ′、η、η′
、Ｘ型無金属フタロシアニン化合物及びε型の銅フタロ
シアニン化合物が挙げられる。これらのうち無金属フタ
ロシアニン化合物は、感度、帯電安定性に優れていると
いう特長がある。これらのうちの無金属フタロシアニン
化合物のいくつかの特性値を示すと次のようになる。

以下１白！ １］仁、・三Ｊ なお、これらの無金底フタロシアニン化合物は特公昭４
９−４３３８号公報、特開昭６０−１９１５４号公報、
特開昭５８−１８２６３９号公報に詳細に記載されてい
る。

またε型銅フタロシアニンは特公昭４０−２７８０号公
報に記載されている。

本発明に用いられる多環キノン系化合物としては下記−
数式［Ａ］で示されるア・ントアントロン系顔料、下記
−数式［Ｂ］で示されるジベンズピレンキノン系顔料及
び下記−数式［Ｃ］で示されるビラントロン系顔料から
選ばれる少なくとも一種を挙げることができるが、特に
−数式［Ａ］が好ましい。

−氾勾 −殻：Ａ［Ａ］　　　　　　　　　　　−数式［Ｂ］−
数式［Ｃ］ 式中、Ｘはハロゲン原子、二１〜ロ塁、シアノ基、アシ
ル基又はカルボキシル基を表わし、ｎはＯ〜４の整数を
表わし、ｍはＯ〜６の整数を表わＪ゛。

−数式［Ａ］で示されるアントアントロン系顔料の具体
的化合物を挙げると次の通りである。

［Ａｌ１　　　　　　　　　　　　［Ａ２］［Ａ３］　
　　　　　　　　　　　　［Ａ４］［Ａ５］　　　　　
　　　　　　　　［Ａ６］ｆＡ７Ｊ　　　　　　　　　
　　　　ＥＡ８Ｊ［Ａ９〕 ［Ａ１０］ ［Ａ１１］ 一般式［８］で示されるジベンズピレンキノン系顔料の
具体的化合物例を挙げると次の通りである。

ＢＩＪ ○ ［Ｂ２］ ［Ｂ１１ ［Ｂ４］ ［Ｂ１１ ［Ｂｏ３ ［Ｂ１１ ［Ｂ１１ ［Ｂ９１ 一般式［Ｃ］で示されるピラントロン系顔料の６性５す ［Ｃ１］ ［Ｃ２］ ［Ｃ３］ ［Ｃ４］ ［Ｃ５］ ［Ｃ６］ ［Ｃ７１ ［Ｃ８］ ［Ｃ９］ 以上の如き多環キノン系化合物は公知の方法により合成
することができるが、市販品として入手することもでき
る。

電子写真感光体の構成は種々の形態が知られているが、
本発明の電子写真感光体はそれらのいずれの形態をもと
り得る。

通常は、第１図〜第６図の形態、である。第１図及び第
２図では、導電性支持体１上に前述のビスアゾ系化合物
もしくはフタロシアニン系化合物の少なくとも１種と多
環キノン系化合物の少なくとも１　）Ｕを含有する電荷
発生層２と、後述する電荷輸送物質を主成分として含有
する電荷輸送層３との積層体より成る感光層４を設けて
おり、第１図と第２図では、電荷発生層２と電荷輸送層
３の積層順が異なる。第３図及び第４図に示すようにこ
の感光層４は、Ｓ電性支持体上に、接着層、バリア層な
どの中間層５を介して設けてもよい。このように感光層
４を二層構成としたときに最も優れた電子写真特性を有
する感光体が得られる。

また本発明においては、第５図および第６図に示すよう
に前記ビスアゾ系化合物もしくはフタロシアニン系化合
物の少なくとも１種と多環キノン系化合物の少なくとも
１種を電荷輸送物質を含有する層６中に分散せしめて成
る感光層４を導電性支持体１上に直接、あるいは中間層
５を介して設けてもよい。また本発明においては、最外
層として保護層を設けてもよい。

二層構成の感光層４を構成する電荷発生層２は導電性支
持体１、もしくは電荷輸送層３上に直接、あるいは必要
に応じて接着層もしくはバリヤ層などの中間層５を設け
た上に例えば次の方法によって形成することができる。

Ｍ−１）ビスアゾ系化合物もしくはフタロシアニン系化
合物の少なくとも１種と多環キノン系化合物の少なくと
も１種を一緒に或いは別々に適当な溶媒に溶解した溶液
を、あるいは必要に応じてバインダー樹脂を加え混合溶
解した溶液を塗布する方法。

Ｍ−２）ビスアゾ系化合物もしくはフタロシアニン系化
合物の少なくとも１種と多環キノン系化合物の少なくと
も１種を一緒に或いは別々にボールミル、ホモミキサ等
によって分散媒中で微細粒子（好ましくは粒径５μｍ以
下、更に好ましくは１μｍ以下）とし、必要に応じてバ
インダー樹脂を加え混合分散した分散液を塗布する方法
。

電荷発生層の形成に使用される゛溶媒あるいは分散媒と
しては、ｎ−ブチルアミン、ジエチルアミ、　　ン、エ
チレンジアミン、イソプロパツールアミン、トリエタノ
ールアミン、トリエチレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホ
ルム、１．２−ジクロロエタン、１．２−ジクロロプロ
パン、１゜１．２−１−ジクロロエタン、１．１．１−
トリクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロ
エタン、ジクロロメタン、テ１〜ラヒドロフラン、ジオ
キサン、メタノール、エタノール、イソプロパツール、
酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチ
ルセロソルブ等が挙げられる。

また、電荷輸送層は上記電荷発生層と同様にして形成す
ることができる。

電荷発生層あるいは電荷輸送層の形成に用いられるバイ
ンダー樹脂は任意のものを用いることができるが、疎水
性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性
高分子重合体を用いるのが好ましい。このような高分子
重合体としては、例えば次のものを挙げることができる
が、これらに限定されるものではない。

Ｐ−１）ポリカーボネート Ｐ−２）ポリエステル Ｐ−３）メタクリル酸 Ｐ−４）アクリル樹脂 Ｐ−５）ポリ塩化ビニル Ｐ−６）ポリ塩化ごニリデン Ｐ−７）ポリスチレン Ｐ−８）ポリビニルアセテート Ｐ−９）スチレン−ブタジェン共重合体Ｐ　−１０）塩
化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体 Ｐ　−１１）塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体Ｐ　−１
２）塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 Ｐ　−１３）シリコン樹脂 Ｐ−，１４）シリコン−アルキッド樹脂ｐ　−１５）フ
ェノールホルムアルデヒド樹脂Ｐ　−１６）スチレン−
アルキッド樹脂Ｐ　−１７）ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ
ールＰ−１８）ポリビニルブチラール ｐ　−　１９）ポリビニルフォルマールこれらのバイン
ダー樹脂は、単独であるいは２種以上の混合物として用
いることができる。

本発明に用いる多環キノン系化合物の平均粒径は０．０
５〜０．５μｍの範囲が好ましく、また、ビスアゾ系化
合物もしくはフタロシアニン系化合物の平均粒径は０．
　０２５〜０，２５μｍの範囲が好ましい。本発明にお
いて、ビスアゾ系化合物もしくはフタロシアニン系化合
物の平均粒径に対する多環キノン系化合物の平均粒径の
比は２以上であり、特に好ましくは２〜２０の範囲であ
る。該平均粒径の比が２よりも小さいと感度が低下する
。

また、以上のようにして形成される電荷発生層において
、ビスアゾ系化合物もしくはフタロシアニン系化合物の
少なくとも１種と多環キノン系化合物の少なくとも１種
からなる電荷発生物質とバインダーとの重量比は好まし
くは１００：Ｏ〜１００：５００である。電荷発生物質
の含有割合がこれより少ないと光感度が低く、残留電位
の増加を招き、またこれより多いと暗減衰及び受容電位
が低下する。

また、多環キノン系化合物の少なくとも１種とビスアゾ
系化合物もしくはフタロシアニン系化合物の少なくとも
１種の併用割合は重量比で　１００＝１〜１００：３０
であることが好ましく、ビスアゾ系化合物もしくはフタ
ロシアニン系化合物の割合がこれより多いと、電子写頁
特性が低下する。

形成される電荷発生層の膜厚は好ましくは０．２〜５μ
ｍ１より好ましくは０．５〜３μｍの範囲である。

また、前記のようにして形成される電荷輸送層において
、電荷輸送物質は電荷輸送層中のバインダー樹脂１００
重量部当り２０〜２００重堡部が好ましく、特に好まし
くは３０〜１５０重山部である。

また、形成される電荷輸送層の厚さは、好ましくは５〜
５０μ１１特に好ましくは５〜３０μｌである。

本発明に用いられる前述の電荷°輸送物質としては、特
に制限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキナシ
アゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミ
ダシロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾ
リジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピ
ラゾリン誘導体、アミンＰ　４体、オキサシロン誘導体
、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体
、キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン
誘導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ−１−ビニルピレ
ン、ポリ−９−ビニルアントラセン等である。

本発明において用いられる電荷輸送物質としては光照射
時発生づ゛るボールの支持体側への輸送能力が優れてい
る外、前記多環キノン系化合物、ビスアゾ系化合物、フ
タロシアニン系化合物等との組合Ｕに好適なものが好ま
しく用いられ、かかる電荷輸送物質として好ましいもの
は下記−数式（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）で表わされるも
のが挙げられる。

一般式（Ａ） 但し、Ａｒ＋、八ｒ２、Ａｒ、＋はそれぞれ置換又は未
置換のアリール基を表わし、Ａｒ３は置換又は未置換の
アリーレン基を表わし、Ｒ１は水素原子、置換若しくは
未置換のアルキル基、又は置換もしくは未置換のアリー
ルエ４を表わす。

このような化合物の具体例は特開昭５８−６５４４０号
の第３〜４頁及び同５８−１０８０４３号の第３〜６真
に詳細に記載されている。

一般式（Ｂ） 但し、Ｒ１は置換、未置換のアリール基、置換。

未置換の複素ｒＭ塁であり、Ｒ２は水素原子、置換。

未置換のアルキル基、置換、未置換のアリール基を表わ
し、詳細には特開昭５８−１３４Ｇ４２号及び同５８−
１６６３！＋４号の公報に記載されている。

−数式（Ｃ） Ｒ２ 但し、Ｒ１は謬換、未置換のアリール基であり、Ｒ２は
水素原子、ハロゲン原子、置換、未Ｉは換のアルキル基
、置換、未置換のアルコキシ基、置換。

未置換のアミノ旦、ヒドロキシ基であり、Ｒ３は置換、
未置換のアリール）Ｊ１η換、未置換の複素環基を表わ
す。これらの化合物の合成法及びその例示は特公昭５７
−１４８７５０号公報に詳細に記載されており、本発明
に援用することができる。

本発明のその他の好ましい電荷輸送物質としては、特開
昭５７−６７９４０号、同５９−１５２５２号、同５７
−１０１８４４号公報にそれぞれ記載されているヒドラ
ゾン化合物を挙げることができる。

本発明の電子写真感光体に用いられる導電性支持体とし
ては、合金を含めた金風板、合成ドラムまたは導電性ポ
リマー、酸化インジウム等の導電性化合物や合金を含め
たアルミニウム、パラジウム、金等の金属薄層を塗布、
蒸着あるいはラミネートして、導電性化された組、プラ
スチックフィルム等が挙げられる。接Ｉｌｌあるいはバ
リヤ層などの中間層としては、前記バインダー樹脂とし
て用いられる高分子重合体のほか、ポリビニルアルコー
ル、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロースな
どの有機高分子物質または酸化アルミニウムなどが用い
られる。

本発明の感光層には電荷発生物質の電荷発生機、能を改
善する目的で有機アミン類を添加することができ、特に
２級アミンを添加するのが好ましい。

かかる２級アミンとしては、例えばジメチルアミン、ジ
エチルアミン、ジ−ｎプロピルアミン、ジ−イソプロピ
ルアミン、ジ−ｎブチルアミン、ジ−イソブチルアミン
、ジ−ｎアミルアミン、ジ−イソアミルアミン、ジ−ｎ
ヘキシルアミン、ジ−イソヘキシルアミン、ジ−ｎペン
チルアミン、ジ−イソペンチルアミン、ジ−ｎオクチル
アミン、ジ−イソオクチルアミン、ジ−ｎノニルアミン
、ジ−イソノニルアミン、ジ−ｎデシルアミン、ジ−イ
ソデシルアミン、ジ−ｎモノデシルアミン、ジ−イソモ
ノデシルアミン、ジ−ｎドデシルアミン、ジ−イソドデ
シルアミン等を挙げることができる。

又かかる有機アミン類の添加量としては、電荷発生物質
の１倍以下、好ましくは０．２倍〜ｏ、　ｏｏｓ倍の範
囲のモル数とするのがよい。

又、本発明の感光層には、オゾン劣化防止の目的で酸化
防止剤を添加することができる。

かかる酸化防止剤の代表的具体例を以下に示すが、これ
に限定されるものではない。

（Ｉ　）　Ｐ、￥：ヒンダードフェノール類ジブチルヒ
ドロキシトルエン、２，２′−メチレンビス（６−ｔ−
ブチル−４−メチルフェノール＞、４．４’−ブチリデ
ンビス（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェノール）、４
．４’　−チオビス（６−１−ブチル−３−メチルフェ
ノール）、２．２′−ブチリデンビス（６−ｔ−ブチル
−４−メチルフェノール）、α−トコフェロール、β−
トコフェロール、２．２．４−トリメチル−６−ヒトロ
キシー７−ｔ−ブチルクロマン、ペンタエリスチルテト
ラキス［３−（３，５−ジー【−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート］、２．２’　−チオジエ
チレンビス［３−（３゜５−ジー℃−ブチルー４−ヒド
ロキシフェニル）プロピオネート］、１．６−ヘキサン
ジオールビス［３−（３，５−ジー【−ブチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート］、ブチルヒドロキ
シアニソール、ジブチルヒドロキシアニソール、１−　
［２−（（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−ヒドロ
キシフェニル）プロピオニルオキシ）エチル］　−４−
［３−（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオニルオキシ］−２，２，６，６−
テトラメチルビベリジルなど。

（Ｉｆ）群：パラフエニレンジアミン類Ｎ−フェニル−
Ｎ′−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ
’−ジー５ｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ
−フ゛エニルーＮ−５ｅＣ−ブチル−ｐ−フェニレンジ
アミン、Ｎ＋Ｎ′−ジイソプロピル−ｐ−フェニレンジ
アミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチル−Ｎ、Ｎ’−ジー【−ブチ
ル−ｐ−フェニレンジアミンなど。

（ＩＩＩ）群：ハイドロキノン類 ２．５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２゜６−シ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン
、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−
オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オク
タデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。

（ＩＶ）群：有様硫黄化合物類 ジラウリル−３，３′−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３′−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シルー３．３′−チオジプロピオネートなど。

（Ｖ）群：有鏝燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ
）ホスフィンなど。

これらの化合物はゴム、プラスチック、油脂類等の酸化
防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる
。

これらの酸化防止剤は電荷発生層、電荷輸送層、又は保
護層のいずれに添加されてもよいが、好ましくは電荷輸
送層に添加される。その場合の酸化防止剤の添加通は電
荷輸送物質１００重階部に対して０．１へ・１００重量
部、好ましくは１〜５０重山部、特に好ましくは１〜２
５重偕部である。

本発明において電荷発生層には感度の向上、残留電位乃
至反復使用時の疲労低減等を目的として、一種又は二種
以上の電子受容性物質を含有せしめることができる。

ここに用いることのできる電子受容性物質としては、例
えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、
テトラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、
４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、０−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン
、１．３．５−トリニトロベンゼン、バラニトロベンゾ
ニトリル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、ブルマニル、ジクロロジシアノバラベンゾ
キノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、２
．７−シニトロフルオレノン、２．４．７−トリニトロ
フルオレノン、２゜４．５．７−テトラニトロフルオレ
ノン、９−フルオレニリデン［ジシアノメチレンマロノ
ジニトリル］、ポリニトロ−９−フルオレニリデンー［
ジシアノメチレンマロノジニトリル］、ピクリン酸、０
−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、３．５−ジニ
１−ロ安息香酸、ペンタフルオロ安息ｆｆ１Ｍ、５−ニ
トロサリチル酸、３．５−ジニトロサリチル酸、フタル
酸、メリット酸、その池の電子親和力の大きい化合物を
挙げることができる。

電子受容性物質の添加岱は、重量比で電荷発生物質：電
子受容性物質＝　　１００：　　０．０１〜２００、好
ましくは１００　：　　０．１〜１００である。

電子受容性物質は電荷輸送層に添加してもよい。

かかる層への電子受容性物質の添加１は重量比で電荷輸
送物質：電子受容性物質＝　　１００：　　０．０１〜
１００、好ましくは１００　：　　０．１〜５０である
。

また本発明の感光体には、その他、必要により感光層を
保護する目的で紫外線吸収剤等を含有してもよく、また
感色性補正の染料を含有してもよい。

本発明の電子写真感光体は以上のような構成であって、
後述する実施例からも明らかなように、高感度で、特に
高速複写機や小型複写機に用いても充分な感度を有して
いる。また、本発明の電子写真感光体は繰り返し使用し
たときにも特性が安定しており、赤色画像の複写再現性
も良好なものである。

また、本発明の電子写真感光体は、比較的厚い電荷発生
層を形成しても感光体としての特性が良好であり、従っ
て製造時の塗布欠陥の発生が少なく生産上有利である。

［実施例］ 以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、こ
れにより本発明の実施態様が限定されるものではない。

実施例−１ ポリカーボネート樹脂（パンライトＬ　−１２５０゜今
人化成１１１Ｊ）５ｃ＋を１，２−ジクロロエタン２０
０１ｇに溶解した後、電荷発生物質ＣＧＭ２として例示
多環キノン系化合物（表−２に示す）１０ｇを混合し、
サンドグラインダーで１０時間分散した。これをＡ液と
する。

次に上記ポリカーボネート樹脂１ｇを１，２−ジクロロ
エタン１２０１Ｑに溶解した後、電荷発生物質ＣＧＭＩ
として例示ビスアゾ系化合物（表−２に示す）２（］を
混合し、サンドグラインダーで１０時間分散した。これ
をＢ液とする。

上記のＡ液とＢ液をそれぞれ単独で、或いは両者を撹拌
混合して電荷発生層形成用塗布液とし、これを△ｌ蒸着
を流したポリエステルベース上にワイヤーバーで塗布し
て乾燥後膜厚的１μｍの電荷発生層を形成した。ＣＧＭ
ｌとＣＧＭ２の平均粒径は表−２に示した。

次に下記組成の電荷輸送層形成用塗布液を用いて、ブレ
ードにより、乾燥後膜厚的２０ｔ１ｍの゛電荷輸送層を
上記の電荷発生層上に積層し、感光体を博た。

１゛、２−ジクロロエタン　　　　　　　ｉ　ｏ　ｏ　
１１ポリカーボネート樹脂（表−１に示す）１５０電荷
輸送物質（表−１に示す）１２ｇ こうして得られた感光体試ｎの特性浮面試験を以下の様
にして行なった。

［感度試験］ 静電帯電試験装置ＥＰＡ−８１００（川口電機（１月を
用いて、感光体表面電位が初期帯電電位から半減するの
に必要な露光ＩＥＩ／２　　＜１ｕｘ−ｓｅｃ　）を測
定した。

［繰り返し特性試験］ 上記静電帯電試験装置ＥＰＡ−８１００を用いて、帯電
→露光→除電を１００回繰り返した時の１回目と１００
回目の帯電電位の変化但ΔＶＯ→＋ｎｏ　（ｙ）を測定
した。

［赤色再現性試験１ 電子写真複写ＲｒＵ−Ｂｉｘ　１ｓｓｏ　」（コニカ（
（１）製）を改良し表面電位計を備えた複写機を用い、
コダック力う−コントロールバッチを原稿として、その
中の黒紙電位を−ｅｏｏｖ、白Ｍ１電位を一１００ｖに
合わせてコピーを行なった時の赤バッチに対応する感光
体の表面電位Ｖｒｅｄ　ｍを測定した。

Ｖ　ｒｅｄの値が低いほど赤色画像の再現性が劣ること
を示す。

表−２の結果から、本発明の感光体は比較感光体に比べ
て、感度、繰り返し特性及び赤色画像の複写再現性の全
ての点において優れた性能を示していることが明らかで
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図はそれぞれ本発明の感光体の構成例につ
いて示す断面図である。 １・・・導電性支持体 ２・・・電荷発生層 ３・・・電荷輸送層 ４・・・感光層 ５・・・中間層 ６・・・電荷輸送物質を含有する層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性支持体上に少なくとも電荷発生層及び電荷輸送層
   を有する電子写真感光体において、前記電荷発生層には
   ビスアゾ系化合物もしくはフタロシアニン系化合物の少
   なくとも１種と多環キノン系化合物の少なくとも１種を
   含有し、かつ前記ビスアゾ系化合物もしくはフタロシア
   ニン系化合物の平均粒径に対する前記多環キノン系化合
   物の平均粒径の比が２以上であることを特徴とする電子
   写真感光体。