CN1440518A - 形成平版印刷用填隙材料的组合物 - Google Patents
形成平版印刷用填隙材料的组合物 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1440518A CN1440518A CN01812504.2A CN01812504A CN1440518A CN 1440518 A CN1440518 A CN 1440518A CN 01812504 A CN01812504 A CN 01812504A CN 1440518 A CN1440518 A CN 1440518A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- composition
- formula
- polymkeric substance
- repetitive
- expression
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 140
- 239000000945 filler Substances 0.000 title description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 114
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 107
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 77
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 75
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims description 69
- -1 Glycol Monomethyl ether acetic acid esters Chemical class 0.000 claims description 57
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 39
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 28
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 18
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 17
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 7
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001191 butyl (2R)-2-hydroxypropanoate Substances 0.000 claims description 6
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000007942 carboxylates Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 claims description 3
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 75
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 68
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 25
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 22
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- HGAZMNJKRQFZKS-UHFFFAOYSA-N chloroethene;ethenyl acetate Chemical compound ClC=C.CC(=O)OC=C HGAZMNJKRQFZKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 16
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 16
- XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)-3a,6a-dihydroimidazo[4,5-d]imidazole-2,5-dione Chemical compound COCN1C(=O)N(COC)C2C1N(COC)C(=O)N2COC XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 13
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 9
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical class NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229960003742 phenol Drugs 0.000 description 6
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Natural products CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 2-butylphenol Chemical group CCCCC1=CC=CC=C1O GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QZPSOSOOLFHYRR-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCOC(=O)C=C QZPSOSOOLFHYRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 4
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- UZRCGISJYYLJMA-UHFFFAOYSA-N phenol;styrene Chemical group OC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 UZRCGISJYYLJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical class C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YENIOYBTCIZCBJ-UHFFFAOYSA-N acetic acid;1-methoxypropan-2-ol Chemical class CC(O)=O.COCC(C)O YENIOYBTCIZCBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- PAWJTXKFKIOATE-UHFFFAOYSA-N ethylbenzene formaldehyde Chemical group O=C.CCC1=CC=CC=C1 PAWJTXKFKIOATE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Natural products OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 3
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N propionic acid ethyl ester Natural products CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 3
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 3
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 3
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPVRKFOKCKORDP-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylcyclohexa-2,4-dien-1-ol Chemical class CC1=CC(C)(O)CC=C1 QPVRKFOKCKORDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCNMALATRPXTKX-UHFFFAOYSA-N 1,4-dimethylcyclohexa-2,4-dien-1-ol Chemical class CC1=CCC(C)(O)C=C1 PCNMALATRPXTKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZTMADXFOCUXMJE-UHFFFAOYSA-N 2-methylbenzene-1,3-diol Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1O ZTMADXFOCUXMJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 3-Ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=CC(O)=C1 HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAVREABSGIHHMO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC(C=O)=C1 IAVREABSGIHHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCO GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 4-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=C(O)C=C1 HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=C(C=O)C=C1 RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N Carbon disulfide Chemical compound S=C=S QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 2
- KCXZNSGUUQJJTR-UHFFFAOYSA-N Di-n-hexyl phthalate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCC KCXZNSGUUQJJTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N Sorbitan monopalmitate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N 0.000 description 2
- HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N Sorbitan monostearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N 0.000 description 2
- 239000004147 Sorbitan trioleate Substances 0.000 description 2
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- ITKVLPYNJQOCPW-UHFFFAOYSA-N chloro-(chloromethyl)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CCl ITKVLPYNJQOCPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- XSBSXJAYEPDGSF-UHFFFAOYSA-N diethyl 3,5-dimethyl-1h-pyrrole-2,4-dicarboxylate Chemical compound CCOC(=O)C=1NC(C)=C(C(=O)OCC)C=1C XSBSXJAYEPDGSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGWAVDBGNNKXQV-UHFFFAOYSA-N diisobutyl phthalate Chemical compound CC(C)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(C)C MGWAVDBGNNKXQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N furfural Chemical compound O=CC1=CC=CO1 HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940100630 metacresol Drugs 0.000 description 2
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 2
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019337 sorbitan trioleate Nutrition 0.000 description 2
- 229960000391 sorbitan trioleate Drugs 0.000 description 2
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 2
- JNYAEWCLZODPBN-JGWLITMVSA-N (2r,3r,4s)-2-[(1r)-1,2-dihydroxyethyl]oxolane-3,4-diol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O JNYAEWCLZODPBN-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- UDATXMIGEVPXTR-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazolidine-3,5-dione Chemical compound O=C1NNC(=O)N1 UDATXMIGEVPXTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXFSTTJBVAAALW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroimidazole-2-thione Chemical compound SC1=NC=CN1 OXFSTTJBVAAALW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAGVANYWTGRDOU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxonaphthalene-2-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(S(=O)(=O)O)=CC(=O)C2=C1 IAGVANYWTGRDOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHJNEVDNUSFTSG-UHFFFAOYSA-N 1,5-dimethylcyclohexa-2,4-dien-1-ol Chemical class CC1=CC=CC(C)(O)C1 NHJNEVDNUSFTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQAINHDHICKHLX-UHFFFAOYSA-N 1-naphthaldehyde Chemical compound C1=CC=C2C(C=O)=CC=CC2=C1 SQAINHDHICKHLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOVNHINTOHPELQ-UHFFFAOYSA-N 1-o-butyl 2-o-(8-methylnonyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC(C)C IOVNHINTOHPELQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000341 2,3-xylenols Chemical class 0.000 description 1
- 150000000342 2,4-xylenols Chemical class 0.000 description 1
- 150000000343 2,5-xylenols Chemical class 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=CC=C1O IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPYUJUBAXZAQNL-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobenzaldehyde Chemical compound ClC1=CC=CC=C1C=O FPYUJUBAXZAQNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 2-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1Cl ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTCCNERMXRIPTR-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-naphthaldehyde Chemical compound C1=CC=CC2=C(C=O)C(O)=CC=C21 NTCCNERMXRIPTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 2-mercapto-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC(S)=NC2=C1 FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRJSXFWDNMKQT-UHFFFAOYSA-N 2-n-methoxy-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound CONC1=NC(N)=NC(N)=N1 BLRJSXFWDNMKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJKVFARRVXDXAD-UHFFFAOYSA-N 2-naphthaldehyde Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=O)=CC=C21 PJKVFARRVXDXAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMWKITSNTDAEDT-UHFFFAOYSA-N 2-nitrobenzaldehyde Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1C=O CMWKITSNTDAEDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQUPABOKLQSFBK-UHFFFAOYSA-N 2-nitrophenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O IQUPABOKLQSFBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical class OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRWILAKSARHZPR-UHFFFAOYSA-N 3-chlorobenzaldehyde Chemical compound ClC1=CC=CC(C=O)=C1 SRWILAKSARHZPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HORNXRXVQWOLPJ-UHFFFAOYSA-N 3-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=CC(Cl)=C1 HORNXRXVQWOLPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl Chemical group [CH2]CCO QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZETIVVHRRQLWFW-UHFFFAOYSA-N 3-nitrobenzaldehyde Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC(C=O)=C1 ZETIVVHRRQLWFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZZCYNQPHTPPL-UHFFFAOYSA-N 3-nitrophenol Chemical compound OC1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 RTZZCYNQPHTPPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVPYQKSLYISFPO-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobenzaldehyde Chemical compound ClC1=CC=C(C=O)C=C1 AVPYQKSLYISFPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXNZTHHGJRFXKQ-UHFFFAOYSA-N 4-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=C(Cl)C=C1 WXNZTHHGJRFXKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYYZDBDROVLTJU-UHFFFAOYSA-N 4-n-Butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=C(O)C=C1 CYYZDBDROVLTJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXRFQSNOROATLV-UHFFFAOYSA-N 4-nitrobenzaldehyde Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=C(C=O)C=C1 BXRFQSNOROATLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJIUGUIPKRLHP-UHFFFAOYSA-N 4-nitrophenol Chemical compound OC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 BTJIUGUIPKRLHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMESPKYRXBCCSJ-UHFFFAOYSA-N C=O.C(CCC)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C=O.C(CCC)C1=CC=CC=C1 PMESPKYRXBCCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001661 Chitosan Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N Di-Et ester-Fumaric acid Natural products CCOC(=O)C=CC(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTJFFFGAUHQWII-UHFFFAOYSA-N Dibutyl adipate Chemical compound CCCCOC(=O)CCCCC(=O)OCCCC XTJFFFGAUHQWII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N Diethyl maleate Chemical compound CCOC(=O)\C=C/C(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N 0.000 description 1
- RDOFJDLLWVCMRU-UHFFFAOYSA-N Diisobutyl adipate Chemical compound CC(C)COC(=O)CCCCC(=O)OCC(C)C RDOFJDLLWVCMRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N Methylacrylonitrile Chemical compound CC(=C)C#N GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKFRUJSEPGHZFJ-UHFFFAOYSA-N N-trimethylsilylimidazole Chemical compound C[Si](C)(C)N1C=CN=C1 YKFRUJSEPGHZFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCXQQBAXTWHPMK-UHFFFAOYSA-N NC(=O)N.C[SiH](C)C Chemical compound NC(=O)N.C[SiH](C)C NCXQQBAXTWHPMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- DQHZTNBTCPSSQO-UHFFFAOYSA-N OC(Br)=CC1=CC=CC=C1 Chemical compound OC(Br)=CC1=CC=CC=C1 DQHZTNBTCPSSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 229920001213 Polysorbate 20 Polymers 0.000 description 1
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N Propyl levulinate Chemical compound CCCOC(=O)CCC(C)=O QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWGKJDSIEKMTRX-AAZCQSIUSA-N Sorbitan monooleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O NWGKJDSIEKMTRX-AAZCQSIUSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJCWFDPJFXGQBN-RYNSOKOISA-N [(2R)-2-[(2R,3R,4S)-4-hydroxy-3-octadecanoyloxyoxolan-2-yl]-2-octadecanoyloxyethyl] octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC IJCWFDPJFXGQBN-RYNSOKOISA-N 0.000 description 1
- LWZFANDGMFTDAV-BURFUSLBSA-N [(2r)-2-[(2r,3r,4s)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]-2-hydroxyethyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O LWZFANDGMFTDAV-BURFUSLBSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- GTXJFCIRQNFSFP-UHFFFAOYSA-N acetic acid;1-propoxypropan-2-ol Chemical class CC(O)=O.CCCOCC(C)O GTXJFCIRQNFSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKUXAQIIEYXACX-UHFFFAOYSA-N aciclovir Chemical class N1C(N)=NC(=O)C2=C1N(COCCO)C=N2 MKUXAQIIEYXACX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N aminothiocarboxamide Natural products NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229920001585 atactic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- YNKMHABLMGIIFX-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde;methane Chemical compound C.O=CC1=CC=CC=C1 YNKMHABLMGIIFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 229950011260 betanaphthol Drugs 0.000 description 1
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-ol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJFLBOQMPJCWLR-UHFFFAOYSA-N bis(6-methylheptyl) hexanedioate Chemical compound CC(C)CCCCCOC(=O)CCCCC(=O)OCCCCCC(C)C CJFLBOQMPJCWLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000031709 bromination Effects 0.000 description 1
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- UTOVMEACOLCUCK-PLNGDYQASA-N butyl maleate Chemical compound CCCCOC(=O)\C=C/C(O)=O UTOVMEACOLCUCK-PLNGDYQASA-N 0.000 description 1
- ULBTUVJTXULMLP-UHFFFAOYSA-N butyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCCC ULBTUVJTXULMLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWLNAUNEAKQYLH-UHFFFAOYSA-N butyric acid octyl ester Natural products CCCCCCCCOC(=O)CCC PWLNAUNEAKQYLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N chloro-ethenyl-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C=C XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N cinnamic acid Chemical compound OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940031769 diisobutyl adipate Drugs 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(methyl)silicon Chemical compound CO[Si](C)OC PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012972 dimethylethanolamine Substances 0.000 description 1
- PQJYOOFQDXGDDS-ZCXUNETKSA-N dinonyl (z)-but-2-enedioate Chemical compound CCCCCCCCCOC(=O)\C=C/C(=O)OCCCCCCCCC PQJYOOFQDXGDDS-ZCXUNETKSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical class CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- QYDYPVFESGNLHU-UHFFFAOYSA-N elaidic acid methyl ester Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(=O)OC QYDYPVFESGNLHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- HLMAOUJZLUOWAH-UHFFFAOYSA-N ethenyl acetate 2-methylpropanoic acid Chemical compound C(=C)OC(C)=O.C(C(C)C)(=O)O HLMAOUJZLUOWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl butanoate Chemical compound CCCC(=O)OC=C MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-ethoxy-dimethylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C=C JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093499 ethyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- FVKGRHSPCZORQC-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;toluene Chemical compound O=C.CC1=CC=CC=C1 FVKGRHSPCZORQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- UACSZOWTRIJIFU-UHFFFAOYSA-N hydroxymethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCO UACSZOWTRIJIFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003511 macrogol Drugs 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 150000002688 maleic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Natural products C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N methyl 3-ethoxypropanoate Chemical class CCOCCC(=O)OC HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLCAYQIMSMPEBW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-hydroxy-2-methylidenebutanoate Chemical compound COC(=O)C(=C)C(C)O VLCAYQIMSMPEBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical class COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYDYPVFESGNLHU-KHPPLWFESA-N methyl oleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC QYDYPVFESGNLHU-KHPPLWFESA-N 0.000 description 1
- 229940073769 methyl oleate Drugs 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIBFFTLQMKKBLZ-SEYXRHQNSA-N n-butyl oleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCCCC WIBFFTLQMKKBLZ-SEYXRHQNSA-N 0.000 description 1
- UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N n-butyric acid methyl ester Natural products CCCC(=O)OC UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIVIDPPYRINTTH-UHFFFAOYSA-N n-ethylpropan-2-amine Chemical compound CCNC(C)C RIVIDPPYRINTTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZXGMKHVTNJFAA-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-phenylprop-2-enamide Chemical compound C=CC(=O)N(C)C1=CC=CC=C1 IZXGMKHVTNJFAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- CKQVRZJOMJRTOY-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid;propane-1,2,3-triol Chemical compound OCC(O)CO.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O CKQVRZJOMJRTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- FXLOVSHXALFLKQ-UHFFFAOYSA-N p-tolualdehyde Chemical compound CC1=CC=C(C=O)C=C1 FXLOVSHXALFLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229940090668 parachlorophenol Drugs 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003021 phthalic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003053 piperidines Chemical class 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 description 1
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000256 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Substances 0.000 description 1
- 235000010486 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Nutrition 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N pyridinium p-toluenesulfonate Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBCQSNAFLVXVAY-UHFFFAOYSA-N pyrimidine-2-thiol Chemical compound SC1=NC=CC=N1 HBCQSNAFLVXVAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000001570 sorbitan monopalmitate Substances 0.000 description 1
- 235000011071 sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 description 1
- 229940031953 sorbitan monopalmitate Drugs 0.000 description 1
- 239000001587 sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000011076 sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 229940035048 sorbitan monostearate Drugs 0.000 description 1
- 239000001589 sorbitan tristearate Substances 0.000 description 1
- 235000011078 sorbitan tristearate Nutrition 0.000 description 1
- 229960004129 sorbitan tristearate Drugs 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- ZEMGGZBWXRYJHK-UHFFFAOYSA-N thiouracil Chemical compound O=C1C=CNC(=S)N1 ZEMGGZBWXRYJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950000329 thiouracil Drugs 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D125/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D125/18—Homopolymers or copolymers of aromatic monomers containing elements other than carbon and hydrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L25/00—Compositions of, homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L25/18—Homopolymers or copolymers of aromatic monomers containing elements other than carbon and hydrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
Abstract
本发明提供一种形成填隙材料的组合物，作为在具有孔或沟等凹凸的基板上的平坦化性优良、不会与抗蚀剂层发生混合、与抗蚀剂相比具有较大干式蚀刻速度的平版印刷用填隙材料，用于采用下述方法制造半导体装置，即在具有用高度/直径表示的高宽比为1以上的孔的基板上被覆抗蚀剂，利用平版印刷工艺，在基板上复制图像，所述组合物在被覆抗蚀剂前的该基板上被覆，使基板表面平坦，其中含有由聚合物和溶剂构成的聚合物溶液。
Description
技术领域
本发明涉及新型的用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。详细地说，涉及能够形成平版印刷用填隙材料的组合物，该平版印刷用填隙材料在具有孔或沟等凹凸的基板上的平坦化性优良，不会与抗蚀剂层发生混合，能够得到优良的抗蚀剂图案，与抗蚀剂相比具有较大干式蚀刻速度，特别是涉及形成镶嵌工艺(damascene process)用填隙材料的组合物，该填隙材料用于导入近年来为减小半导体装置的配线延迟而使用的配线材料Cu(铜)。
背景技术
在半导体装置的制造中，通过使用光致抗蚀剂的平版印刷进行微细加工。在该微细加工中，在硅晶片上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，通过描绘了半导体装置图案的掩膜在其上照射紫外线等活性光线，进行显像，将得到的抗蚀剂图案作为保护膜，对硅晶片进行蚀刻处理。而且，随着近年来半导体装置的高度集成化，该加工中使用的活性光线有从i线(365nm)短波长化至KrF受激准分子激光(248nm)的趋势。随之，来源于基板的活性光线的漫反射或定波的影响成为严重的问题。因此，作为解决该问题的方法，广泛研究了在光致抗蚀剂和基板之间设置反射防止膜(Bottom Anti-ReflectiveCoating，BARC)的方法。
作为上述反射防止膜，已知钛、二氧化钛、氮化钛、氧化铬、氮氧化硅等构成的无机反射防止膜以及吸光性物质和高分子化合物构成的有机反射防止膜。前者在形成膜时需要真空蒸镀装置、CVD装置、溅射装置等设备，而后者在不需要特殊设备方面是有利的，并进行了大量研究。作为其实例，例如美国专利第5919599号说明书中记载的在同一分子内具有交联形成官能团即羟基和吸光基团的丙烯酸树脂型反射防止膜，美国专利第5693691号说明书中记载的在同一分子内具有交联形成官能团即羟基和吸光基团的酚醛清漆树脂型反射防止膜等。
作为有机类反射防止膜用材料所期望的特性，包括对光或放射线具有较大的吸光度、不溶于抗蚀剂溶剂(不会引起与抗蚀层的混和)、涂覆时或加热干燥时没有由反射防止膜材料扩散到上涂抗蚀剂层中的低分子扩散物、与抗蚀剂相比具有较大的干式蚀刻速度等，这些也记载在例如Proc.SPIE，Vol.3678，800-809、Proc.SPIE，Vol.3678，174-185(1999)、Proc.SPIE，Vol.2195，225-229(1994)中。
但是，如果采用具有0.13μm以下微细度的LSI图案规则，则配线延迟对LSI高速化的影响增多，通过目前的LSI加工技术难于使LSI的高性能化发展。因此，用于减小配线延迟的配线材料之一是Cu。
为了将配线材料由目前的Al变更为Cu，引入的技术为双重镶嵌加工，记载在例如美国专利第6057239号说明书中。在该加工过程中，与以往的配线材料Al的基板相比，在高宽比(凹凸)较大的基板上使用反射防止膜。
对于双重镶嵌加工用的反射防止膜材料，除了上述特性以外，希望控制孔周边部底层基板上的反射防止膜的覆盖性、以一定膜厚涂覆反射防止膜时对光或放射线具有较大的吸光度以及具有不依赖于基板凹凸形状的高平坦化性。但是，难于将有机类反射防止膜用材料作为双重镶嵌加工用的反射防止膜材料使用。
因此，考虑采用对光或放射线具有较大吸光度的无机或有机类反射防止膜和以平坦化为目的的平版印刷用填隙材料的2层的工艺。其中，所述平版印刷用填隙材料是Gap-Filling材料，即填充材料或平坦化材料。这种工艺的优点在于平版印刷工序中具有高分辨率，而且在蚀刻工序中与底层基板的蚀刻选择比变大。平版印刷用填隙材料使基板的凹凸平坦化，同时由于不含有具有吸光度的化合物，因而具有高蚀刻率，在蚀刻工序中，实现与抗蚀剂的较大蚀刻选择比。
作为平版印刷用填隙材料所要求的特性，例如不溶于抗蚀剂溶剂(不会引起与抗蚀剂层的混和)，涂覆时或加热干燥时没有由反射防止膜材料扩散到上涂抗蚀剂中的低分子扩散物，与抗蚀剂相比具有较大的干式蚀刻速度，以及可以使高宽比(凹凸)较大的基板平坦化等。希望开发出满足所有这些要求的平版印刷用填隙材料。
也就是说，本发明的目的在于提供一种镶嵌工艺中使用的形成平版印刷用填隙材料的组合物，所述平版印刷用填隙材料在具有孔或沟等凹凸的基板上的平坦化性优良，不会与抗蚀剂层发生混合，能够得到优良的抗蚀剂图案，与抗蚀剂相比具有较大干式蚀刻速度，并且提供使用该形成平版印刷用填隙材料的组合物形成抗蚀剂图案的方法。
发明公开
鉴于这种现状，本发明人反复悉心研究，结果发现，以一定膜厚涂覆形成平版印刷用填隙材料的组合物时，为了不依赖于基板的凹凸形状提高平坦化性，最好是，形成填隙材料的组合物中含有的聚合物溶液的固体成分浓度和粘度满足特定的关系，聚合物溶液中使用的聚合物和溶剂满足特定的关系，而且聚合物包含对乙烯基苯酚结构，从而完成了本发明。
作为本发明的第1个观点，涉及一种形成填隙材料的组合物，用于采用下述方法制造半导体装置，即在具有用高度/直径表示的高宽比为1以上的孔的基板上覆盖抗蚀剂，利用平版印刷工艺在基板上复制图像的方法，所述组合物在覆盖抗蚀剂前的该基板上覆盖，使基板表面平坦，其特征在于，含有聚合物和溶剂构成的聚合物溶液。
作为第2个观点，涉及如第1个观点所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，关于上述聚合物溶液，用〔粘度(mPas)的对数变化〕/〔固体成分浓度(重量％)的变化〕表示的系数H为0.06以下，而且固体成分浓度为25重量％时测定的粘度为1～80mPas。
作为第3个观点，涉及如第1个观点或第2个观点所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物溶液含有固体成分0.1～30重量％。
作为第4个观点，涉及如第1个观点至第3个观点中任意一项所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述溶剂含有基于全部溶剂为20重量％以上的沸点高于上述聚合物的玻璃化转变温度的溶剂(s)。
作为第5个观点，涉及如第4个观点所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述溶剂(s)的沸点比上述聚合物的玻璃化转变温度高10℃以上。
作为第6个观点，涉及如第1个观点至第5个观点中任意一项所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述溶剂(s)的沸点为145～220℃。
作为第7个观点，涉及如第1个观点至第6个观点中任意一项所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述溶剂(s)是乳酸丁酯、丙二醇一丁基醚、丙二醇一甲基醚乙酸酯、环己酮、二甘醇一甲基醚或它们的混合物。
作为第8个观点，涉及如第1个观点至第7个观点中任意一项所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物的重均分子量为500～30000。
作为第9个观点，涉及如第1个观点至第8个观点中任意一项所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物至少包含下式(1)表示的重复单元，
式(1)〔式中，R1和R2分别独立，表示氢原子、甲基、氟原子、氯原子、溴原子或氰基。〕
作为第10个观点，涉及如第9个观点所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是式(1)表示的重复单元构成的均聚物，或式(1)表示的重复单元与作为侧链包括芳香族部分或羧酸酯部分的乙烯基的重复单元构成的共聚物。
作为第11个观点，涉及如第10个观点所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是下式(2)表示的重复单元构成的聚对乙烯基苯酚。
式(2)
作为第12个观点，涉及如第10个观点所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是下式(3)表示的重复单元构成的聚对乙烯基苯酚的溴化物。式(3)
作为第13个观点，涉及如第10个观点所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是由下式(2)表示的重复单元与下式(4)表示的重复单元构成、且式(2)表示的重复单元基于聚合物中全部重复单元数的含量为20％以上的对乙烯基苯酚和苯乙烯的共聚物。
式(2)
式(4)
作为第14个观点，涉及如第10个观点所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是由下式(2)表示的重复单元与下式(5)表示的重复单元构成，且式(2)表示的重复单元基于聚合物中全部重复单元数的含量为20％以上的对乙烯基苯酚和甲基丙烯酸甲酯的共聚物。
式(2)
式(5)
作为第15个观点，涉及如第10个观点所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是由下式(2)表示的重复单元与下式(6)表示的重复单元构成，且式(2)表示的重复单元基于聚合物中全部重复单元数的含量为20％以上的对乙烯基苯酚和甲基丙烯酸2-羟乙酯的共聚物。式(2)
式(6)
作为第16个观点，涉及如第10个观点所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是由下式(2)表示的重复单元与下式(7)表示的重复单元构成，且式(2)表示的重复单元基于聚合物中全部重复单元数的含量为20％以上的对乙烯基苯酚和丙烯酸丁酯的共聚物。式(2)
式(7)
作为第17个观点，涉及如第1个观点至第16个观点中任意一项所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述形成填隙材料的组合物进一步含有至少具有2个交联形成性官能团的交联剂。
作为第18个观点，涉及第1个观点至第17个观点中任意一项所述的形成填隙材料的组合物的使用方法，其特征在于，在制造半导体装置的平版印刷工艺中，包括，将上述形成填隙材料的组合物涂覆到基板上，然后烧制。
作为第19个观点，涉及在基板上复制图像形成集成电路元件的半导体装置制造方法，其特征在于，包括下述步骤：
(A)步骤：在具有用高度/直径表示的高宽比为1以上的孔的基板上，涂覆含有聚合物和溶剂构成的聚合物溶液的形成填隙材料的组合物，通过干燥，在该基板上形成平坦化的填充层，
(B)步骤：涂覆抗蚀剂，干燥，和
(C)步骤：曝光、显像以及蚀刻。
作为第20个观点，涉及如第19个观点所述的半导体装置制造方法，其特征在于，(A)步骤中使用的形成填隙材料的组合物是第1个观点至第17个观点中任意一项所述的形成填隙材料的组合物。
作为第21个观点，涉及如第19个观点所述的半导体装置制造方法，其特征在于，(A)步骤中采用形成填隙材料的组合物形成填充层之前或之后，还包括形成反射防止膜的(A’)步骤。
附图说明
图1是在具有孔的基板上涂覆了填隙材料的状态的截面图。a表示孔中心处的平版印刷用填隙材料的凹陷深度(μm)，而且b表示使用的基板上当初的孔的深度(μm)。
图2是表示实施例和比较例中使用的聚合物溶液的浓度(重量％)和粘度(mPas)的关系的图。横轴表示浓度值，纵轴用常用对数表示25℃下测定的粘度值。①是表示实施例1和实施例2的系数H的直线，②是表示实施例3的系数H的直线，③是表示实施例5的系数H的直线，④是表示实施例6的系数H的直线，⑤是表示比较例2的系数H的直线，而且⑥是表示比较例3的系数H的直线。
发明的最佳实施方式
双重镶嵌法(dual damascene)是在基板上将配线沟(沟)和接续孔(孔)设置于同一部位、在其中埋入Cu进行利用的方法。这种双重镶嵌法能够克服芯片尺寸小型化和配线延迟的问题。
覆盖光致抗蚀剂，利用平版印刷工艺在基板上复制图像时，为了避免由于来自基板上面的反射，即来自光致抗蚀剂下面的反射，不能得到矩形抗蚀剂图案，在基板和抗蚀剂之间涂覆反射防止膜材料等底层材料。
但是，双重镶嵌工艺中使用的基板由于具有用高度/直径表示的高宽比为1以上，通常为1～20的孔，因而现有的反射防止膜材料等底层材料流动特性不充分，底层材料不能流入到孔的细部。结果，底层材料采用旋涂器涂覆干燥后，在孔中心部产生底层材料的凹陷，有时即使在其上涂覆抗蚀剂，由于抗蚀剂下面的凹凸引起的漫反射，也不能得到良好的图案。
已经明确，底层材料的流动性降低是由于在基板上滴加底层材料采用旋涂器进行涂覆时，由于基板的旋转，底层材料中的溶剂蒸发，底层材料中的固体成分浓度增大，结果导致底层材料的粘度增大而引起的。涂覆前的底层材料的固体成分浓度通常为10重量％左右，但是在旋涂器上底层材料流入孔中时，其固体成分增大至20～50重量％，并根据条件增大至70重量％左右。也就是说，由于与涂覆前的粘度相比，固体成分浓度增大引起的粘度的比例增大，向孔的流入性降低。因此，对于底层材料，要求即使增大固体成分浓度，粘度变化也较少。
而且，上述工艺的底层材料由于同时蚀刻制作孔和沟，因此干式蚀刻速度必需比抗蚀剂大。而反射防止膜材料等底层材料，为了赋予反射防止功能，具有能够吸收曝光用光的吸光系数大的吸光部位(发色团)，因此一般干式蚀刻速度低。因此，为了提高干式蚀刻速度，希望底层材料不含有发色团。
具有孔的基板的平坦化首先在使用旋涂器涂覆底层材料时进行(第1阶段的平坦化)，本发明人发现，为实现上述涂覆时的平坦化所必需的良好底层材料的流动特性，在使固体成分浓度达到25重量％后测定的粘度值为1～80mPas，且〔粘度(mPas)的对数变化〕/〔固体成分浓度(重量％)的变化〕表示的系数H为0.06以下时实现。而且，发现，含有满足这种条件的聚合物溶液的组合物适于形成用于使具有孔的基板平坦的平版印刷用填隙材料。
这里，粘度的对数变化值用常用对数表示。另外，25重量％的固体成分浓度是预测流入孔中时的浓度，1～80mPas的范围是确保流入高宽比为1以上的孔的良好流入性所必需的粘度范围。为了使该粘度值不会随固体成分浓度的变化发生较大变化，使用上述系数H能够保持在0.06以下的聚合物溶液。系数H趋近于零意味着粘度相对于固体成分浓度的(对数)变化变小，H达到零是理想的，但是实际上是0.02≤H≤0.06。系数H，例如通过使用E型粘度计实际测定固体成分浓度8重量％左右至25重量％左右的25℃下的粘度变化率能够容易地算出。
但是，即使是使用旋涂器在基板上涂覆底层材料后，有时底层材料仍然没有填充孔的全部，在孔内部留有空洞。这种情况下，该空洞有必要在加热固化底层材料时使之平坦化(第2阶段的平坦化)。也就是说，第2阶段的平坦化有必要在加热固化底层材料时使固体成分浓度的增大延迟，并且在加热至聚合物的玻璃化转变温度以上时底层材料也具有流动性。
这种特性可以通过下述方案实现，即形成聚合物溶液的溶剂中至少一部分由沸点比聚合物的玻璃化转变温度高，优选高10℃以上的溶剂(s)构成。而且，溶剂(s)的沸点优选在145～220℃的范围内。通过使用这种高沸点的溶剂(s)，能够减小烧制工序中的溶剂挥发速度，使粘度上升延迟。而且，通过粘度上升的延迟，在玻璃化转变温度以上加热聚合物时，发生聚合物溶液的流动，孔内部留有的空洞被完全填充，同时由于使涂覆的底层材料全部流动，即使在孔上部出现由于孔的填充引起的凹陷，也能立即由周围流入底层材料，使基板上形成的底层材料平坦化。
但是，溶剂(s)的沸点过高也不优选。这是由于通常在220℃以下进行的旋转涂覆后的加热固化处理时溶剂不挥发，残留于填隙材料中。因而，上述聚合物溶液中使用的溶剂(s)优选具有145～220℃的范围的沸点。该聚合物溶液的溶剂以高沸点的溶剂(s)为主成分，但混入低沸点的溶剂也无妨。但是，优选在全部溶剂中以20重量％以上，优选30重量％以上的比例含有溶剂(s)。也可以使用仅由高沸点溶剂(s)构成的溶剂，但高沸点的溶剂(s)在全部溶剂中通常以20～80重量％，优选30～80重量％的比例使用。该比例低于20重量％，则烧制时溶剂全部挥发，聚合物的流动性降低，平坦化性恶化。另一方面，超过80重量％时，涂覆的填隙材料的表面性方面存在问题。
本发明的形成填隙材料的组合物用于覆盖基板而使基板表面平坦，另外还发挥封闭从基板脱离的低分子化合物的效果。
本发明的形成填隙材料的组合物除上述聚合物溶液以外，还可以含有至少具有2个交联形成性官能团的交联剂、交联催化剂以及根据需要的其它添加剂。包括聚合物、交联剂、交联催化剂等的全部固体成分为0.1～30重量％，优选为0.1～20重量％。而且，聚合物的含量相对于全部固体成分为30～99重量％，优选为50～90重量％。
本发明的形成填隙材料的组合物中含有的聚合物溶液中的聚合物分子量根据使用的涂覆溶剂、溶液粘度、膜形状等变化，作为重均分子量为1000～100000，优选1000～60000，更优选1000～30000。重均分子量低于1000的聚合物难以得到非结晶状态的膜，而且烧制工序中升华的可能性高，难以得到平坦的膜。另外，重均分子量超过30000的聚合物中满足上述粘度条件的聚合物少。
作为上述聚合物，优选至少每个重复单元含有1个以上交联形成性官能团即羟基的聚合物。其例子有使选自丙烯酸类、丙烯酸羟烷基酯类、甲基丙烯酸羟烷基酯类、苯乙烯类、纤维素类、丁烯酸类等的分子中具有1个加成聚合性不饱和键的化合物聚合得到的热塑性聚合物或热固性酚树脂等。
以下，例举丙烯酸类、丙烯酸羟烷基酯类、甲基丙烯酸羟烷基酯类、苯乙烯类、纤维素类和丁烯酸类的实例。
丙烯酸类：丙烯酸和甲基丙烯酸。
丙烯酸羟烷基酯类：具有碳原子数1至10的侧链烷基的丙烯酸羟烷基酯，例如丙烯酸羟甲酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丙酯和丙烯酸羟丁酯。
甲基丙烯酸羟烷基酯类：具有碳原子数1至10的侧链烷基的甲基丙烯酸羟烷基酯，例如甲基丙烯酸羟甲酯、甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟丙酯和甲基丙烯酸羟丁酯。
苯乙烯类：羟基苯乙烯、羟基溴苯乙烯和羧基苯乙烯。
纤维素类：纤维素、醋酸纤维素、硝酸纤维素、脱乙酰壳多糖(チトサン)。
丁烯酸类：具有碳原子数1至10的烷基的丁烯酸，例如丁烯酸甲酯、丁烯酸乙酯、丁烯酸丙酯和丁烯酸丁酯。
酚树脂可以通过在酸催化剂存在下将酚类和醛类缩聚得到。作为这时能够使用的酚类，例如苯酚、邻甲酚、间甲酚、对甲酚、邻乙基苯酚、间乙基苯酚、对乙基苯酚、邻丁基苯酚、间丁基苯酚、对丁基苯酚、2，3-二甲苯酚、2，4-二甲苯酚、2，5-二甲苯酚、3，4-二甲苯酚、3，5-二甲苯酚、2，3，5-三甲基苯酚、3，4，5-三甲基苯酚、对苯基苯酚、氢醌、儿茶酚、间苯二酚、2-甲基间苯二酚、苯三酚、α-萘酚、β-萘酚、双酚A、二羟基苯甲酸酯、邻硝基苯酚、间硝基苯酚、对硝基苯酚、邻氯苯酚、间氯苯酚、对氯苯酚等。其中优选邻甲酚、间甲酚、对甲酚、2，3-二甲苯酚、2，4-二甲苯酚、2，5-二甲苯酚、2，3，5-三甲基苯酚、间苯二酚和2-甲基间苯二酚。
另外，作为与上述酚类缩聚的醛类，例如甲醛、三聚甲醛、低聚甲醛、苯甲醛、乙醛、丙醛、苯甲醛、α-苯基丙醛、β-苯基丙醛、邻羟基苯甲醛、间羟基苯甲醛、对羟基苯甲醛、邻氯苯甲醛、间氯苯甲醛、对氯苯甲醛、邻硝基苯甲醛、间硝基苯甲醛、对硝基苯甲醛、邻甲基苯甲醛、间甲基苯甲醛、对甲基苯甲醛、邻乙基苯甲醛、间乙基苯甲醛、对乙基苯甲醛、对正丁基苯甲醛、糠醛、1-萘甲醛、2-萘甲醛、2-羟基-1-萘甲醛等。其中特别优选甲醛。
上述聚合物也可以与上述聚合物以外的非交联性单体共聚，从而能够进行干式蚀刻速度、反射率等的微调整。作为这种共聚单体，例如选自丙烯酸酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酸酯类、甲基丙烯酰胺类、烯丙基化合物类、乙烯基醚类、乙烯基酯类、苯乙烯类、丁烯酸酯类等的具有1个加成聚合性不饱和键的化合物。
以下，例举丙烯酸酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酸酯类、甲基丙烯酰胺类、烯丙基化合物类、乙烯基醚类、乙烯基酯类、苯乙烯类、丁烯酸酯类的实例。
丙烯酸酯类：具有碳原子数1至10的烷基的丙烯酸烷基酯。
甲基丙烯酸酯类：具有碳原子数1至10的烷基的甲基丙烯酸烷基酯。
丙烯酰胺类：丙烯酰胺、N-烷基丙烯酰胺、N-芳基丙烯酰胺、N，N-二烷基丙烯酰胺、N，N-二芳基丙烯酰胺、N-甲基-N-苯基丙烯酰胺和N-2-乙酰氨基乙基-N-乙酰基丙烯酰胺。
甲基丙烯酰胺类：甲基丙烯酰胺、N-烷基甲基丙烯酰胺、N-芳基甲基丙烯酰胺、N，N-二烷基甲基丙烯酰胺、N，N-二芳基甲基丙烯酰胺、N-甲基-N-苯基甲基丙烯酰胺和N-乙基-N-苯基甲基丙烯酰胺。
乙烯基醚类：烷基乙烯基醚和乙烯基芳基醚。
乙烯基酯类：丁酸乙烯酯、异丁酸乙烯酯和三甲基醋酸乙烯酯。
苯乙烯类：苯乙烯、烷基苯乙烯、烷氧基苯乙烯和卤代苯乙烯。
丁烯酸酯类：丁烯酸烷基酯，例如丁烯酸丁酯、丁烯酸己酯和甘油单丁烯酸酯。
另外，也可以使用衣康酸二烷基酯类、马来酸或富马酸的二烷基酯类或单烷基酯类、丁烯酸、衣康酸、马来酸酐、马来酰亚胺、丙烯腈、甲基丙烯腈、马来腈等。此外，一般来说，只要是能够与每个重复单元含有至少1个以上交联反应基团即羟基的聚合物共聚的加成聚合性不饱和化合物，就可以使用。
本发明的形成填隙材料的组合物中的聚合物可以是无规聚合物、嵌段聚合物或接枝聚合物中任意一种。可以采用自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合等方法合成。另外，也可以采用溶液聚合、悬浮聚合、乳液聚合、本体聚合等各种形态。
上述聚合物优选至少含有式(1)表示的重复单元。也就是说，优选式(1)表示的重复单元是必需的，优选仅由式(1)表示的重复单元构成的均聚物或其衍生物，或者式(1)表示的重复单元以及能够与其共聚的其它重复单元构成的共聚物。
更优选的上述聚合物是由式(1)的重复单元构成的均聚物，或者式(1)表示的重复单元以及作为侧链包含芳香族部分或羧酸酯部分的乙烯基的重复单元构成的共聚物。
上述芳香族部分是例如苯环、具有取代基的苯环等。另外，上述羧酸酯部分是例如甲基、乙基、丙基、丁基、己基、羟甲基、2-羟乙基、3-羟丙基等的酯。
本发明的形成填隙材料的组合物中使用的聚合物，更具体地说，优选式(2)或(3)表示的重复单元构成的均聚物，或者式(2)表示的重复单元与式(4)至(7)表示的重复单元构成的共聚物。
式(2)表示的重复单元是对乙烯基苯酚，使该重复单元聚合得到的均聚物可以按照常规方法得到。例如，可以通过下述方法得到，即，向对羟基苯乙烯单体溶解于丙二醇得到的溶液(LANCASTER社制)中通入氮气30分钟，将该反应液保持在70℃，同时添加作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈(AIBN，纯正化学(株))，在氮气环境下搅拌48小时。反应物通过在蒸馏水1升中再沉淀，能够作为粉体回收。该聚合物的重均分子量为1000～100000，优选1000～60000，更优选1000～30000。另外，该聚合物也可以作为市售品得到。
式(3)表示的重复单元构成的均聚物是每1单元对乙烯基苯酚中平均1.5个溴原子取代对乙烯基苯酚的苯环邻位和/或间位的氢原子得到的物质。作为获得该聚合物的方法，可以例举将式(2)表示的重复单元构成的均聚物溴化的方法。例如可以通过下述方法得到，即，将式(2)表示的重复单元构成的均聚物溶解于四氯化碳或二硫化碳后，在溶液中通入氮气30分钟，在室温下向该溶液中添加溴，搅拌5小时。反应物通过在蒸馏水1升中再沉淀，能够作为粉体回收。该聚合物的重均分子量为1000～100000，优选1000～60000，更优选1000～30000。另外，该聚合物也可以作为市售品得到。
式(2)表示的重复单元与式(4)表示的重复单元构成的共聚物中，以式(2)表示的对乙烯基苯酚单元为主成分，该重复单元基于共聚物中的全部重复单元数，含量为20％以上，优选20％～80％。另外，该共聚物可以通过例如下述方法得到，即，将市售的对羟基苯乙烯单体和苯乙烯单体溶解于丙二醇后，向反应液中通入氮气30分钟，将该反应液保持在70℃，同时添加作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈(AIBN)，在氮气环境下搅拌48小时。反应物通过在蒸馏水1升中再沉淀，能够作为粉体回收。该聚合物的重均分子量为1000～100000，优选1000～60000，更优选1000～30000。另外，该聚合物也可以作为市售品得到。
式(2)表示的重复单元与式(5)表示的重复单元构成的共聚物中，以式(2)表示的对乙烯基苯酚单元为主成分，该重复单元基于共聚物中的全部重复单元数，含量为20％以上，优选20％～80％。另外，该共聚物可以通过例如下述方法得到，即，将市售的对羟基苯乙烯单体和甲基丙烯酸甲酯溶解于丙二醇后，向反应液中通入氮气30分钟，将该反应液保持在70℃，同时添加作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈(AIBN)，在氮气环境下搅拌48小时。反应物通过在蒸馏水1升中再沉淀，能够作为粉体回收。该聚合物的重均分子量为1000～100000，优选1000～60000，更优选1000～30000。另外，该聚合物也可以作为市售品得到。
式(2)表示的重复单元与式(6)表示的重复单元构成的共聚物中，以式(2)表示的对乙烯基苯酚单元为主成分，该重复单元基于共聚物中的全部重复单元数，含量为20％以上，优选20％～80％。另外，该共聚物可以通过例如下述方法得到，即，将市售的对羟基苯乙烯单体和甲基丙烯酸2-羟乙酯溶解于丙二醇后，向反应液中通入氮气30分钟，将该反应液保持在70℃，同时添加作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈(AIBN)，在氮气环境下搅拌48小时。反应物通过在蒸馏水1升中再沉淀，能够作为粉体回收。该聚合物的重均分子量为1000～100000，优选1000～60000，更优选1000～30000。另外，该聚合物也可以作为市售品得到。
式(2)表示的重复单元与式(7)表示的重复单元构成的共聚物中，以式(2)表示的对乙烯基苯酚单元为主成分，该重复单元基于共聚物中的全部重复单元数，含量为20％以上，优选20％～80％。另外，该共聚物可以通过例如下述方法得到，即，将市售的对羟基苯乙烯单体和甲基丙烯酸丁酯溶解于丙二醇后，向反应液中通入氮气30分钟，将该反应液保持在70℃，同时添加作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈(AIBN)，在氮气环境下搅拌48小时。反应物通过在蒸馏水1升中再沉淀，能够作为粉体回收。该聚合物的重均分子量为1000～100000，优选1000～60000，更优选1000～30000。另外，该聚合物也可以作为市售品得到。
作为本发明的形成平版印刷用填隙材料的组合物中使用的聚合物，优选聚对乙烯基苯酚、聚对乙烯基苯酚的溴化物、对乙烯基苯酚与苯乙烯的共聚物、对乙烯基苯酚与甲基丙烯酸甲酯的共聚物、对乙烯基苯酚与甲基丙烯酸2-羟乙酯的共聚物、对乙烯基苯酚和丙烯酸丁酯的共聚物。这些聚合物均具有100～170℃的玻璃化转变温度。
本发明的形成平版印刷用填隙材料的组合物可以含有至少具有2个交联形成性官能团的交联剂。作为该交联剂，可以例举三聚氰胺类、取代脲类、含有环氧基的聚合物类等。优选甲氧基甲基化甘脲、甲氧基甲基化三聚氰胺等化合物，特别优选四甲氧基甲基甘脲或六甲氧基羟甲基三聚氰胺。交联剂的添加量根据使用的涂覆溶剂、使用的底层基板、要求的溶液粘度、要求的膜形状等变化，相对于全部组合物100重量份为0.001～20重量份，优选0.01～10重量份，更优选0.1～5.0重量份。
本发明的形成平版印刷用填隙材料的组合物可以含有交联催化剂。作为该交联催化剂，是能够控制交联反应进行的化合物，列举利用热产生酸的化合物、利用光产生酸的化合物等。优选对甲苯磺酸、对甲苯磺酸吡啶鎓等化合物。交联催化剂的添加量根据使用的涂覆溶剂、使用的底层基板、要求的溶液粘度、要求的膜形状等变化，相对于交联剂的添加量100重量份为0.01～30重量份，优选0.1～30重量份，更优选0.5～20重量份。
本发明的形成平版印刷用填隙材料的组合物中，作为溶解上述聚合物的溶剂，可以使用乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、二甘醇一甲醚、二甘醇一乙醚、二甘醇一丁醚、丙二醇、丙二醇一甲醚、丙二醇一乙醚、丙二醇一丁醚、丙二醇一甲醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲乙酮、环戊酮、环己酮、2-羟基丙酸乙酯、2-羟基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羟基乙酸乙酯、2-羟基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、环己酮等。这些有机溶剂可以单独使用，或者2种以上组合使用。
本发明的形成平版印刷用填隙材料的组合物的聚合物溶液中使用的溶剂优选至少含有沸点比上述聚合物的玻璃化转变温度高的溶剂(s)。特别是溶剂(s)优选具有比聚合物的玻璃化转变温度高10℃以上的沸点。另外，考虑到将本发明的形成填隙材料的组合物涂覆在基板上之后进行干燥和烧制的温度，这些溶剂的沸点优选在145～220℃的范围内。另外，优选溶剂的蒸气压在20℃下为933Pa(＝7mmHg)以下。
作为满足这些条件的溶剂(s)，可以例举丙二醇一甲醚、丙二醇一丁醚、乳酸丁酯、二甘醇一甲醚、环己酮、丙二醇一甲醚乙酸酯等，其中优选乳酸丁酯、丙二醇一丁醚、丙二醇一甲醚乙酸酯、环己酮、二甘醇一甲醚或其混合物。
本发明的形成平版印刷用填隙材料的组合物除上述成分以外，根据需要还可以含有流变调整剂、粘结助剂、表面活性剂等。
流变调整剂是以提高形成平版印刷用填隙材料的组合物的流动性，特别是在烧制工序中，提高形成填隙材料的组合物向孔内部的填充性为目的而添加的。作为具体实例，可以例举邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二异丁酯、邻苯二甲酸二己酯、邻苯二甲酸丁基异癸基酯等邻苯二甲酸衍生物类，己二酸二正丁酯、己二酸二异丁酯、己二酸二异辛酯、己二酸辛基癸基酯等己二酸衍生物类，马来酸二正丁酯、马来酸二乙酯、马来酸二壬酯等马来酸衍生物类，油酸甲酯、油酸丁酯、油酸四氢呋喃甲基酯等油酸衍生物类，或硬脂酸正丁酯、甘油硬脂酸酯等硬脂酸衍生物类。这些流变调整剂相对于形成平版印刷用填隙材料的组合物100重量份，通常以低于30重量份的比例进行配合。
粘结助剂是以提高基板或抗蚀剂与形成平版印刷用填隙材料的组合物的密合性，特别是在显像时使抗蚀剂不会剥离为目的而添加的。作为具体实例，可以例举三甲基氯硅烷、二甲基乙烯基氯硅烷、甲基二苯基氯硅烷、氯甲基二甲基氯硅烷等氯硅烷类，三甲基甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、二甲基乙烯基乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷等烷氧基硅烷类，六甲基二硅氮烷、N，N’-二(三甲基硅烷)脲、二甲基三甲基甲硅烷基胺、三甲基甲硅烷基咪唑等硅氮烷类，乙烯基三氯硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等硅烷类，苯并三唑、苯并咪唑、吲唑、咪唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噁唑、尿唑硫尿嘧啶、巯基咪唑、巯基嘧啶等杂环化合物类，1，1-二甲基脲、1，3-二甲基脲等脲类或硫脲化合物类等。这些粘结助剂相对于形成平版印刷用填隙材料的组合物100重量份，通常以低于5重量份，优选低于2重量份的比例进行配合。
为了防止针孔、ストレ-シヨン等的发生，进一步提高对表面不均的涂覆性，本发明的形成平版印刷用填隙材料的组合物中还可以配合表面活性剂。作为该表面活性剂，可以例举非离子类表面活性剂，例如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯十六烷基醚、聚氧乙烯油基醚等聚氧乙烯烷基醚类，聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等聚氧乙烯烷基芳基醚类，聚氧乙烯·聚氧丙烯嵌段共聚物类，脱水山梨醇单月桂酸酯、脱水山梨醇单棕榈酸酯、脱水山梨醇单硬脂酸酯、脱水山梨醇单油酸酯、脱水山梨醇三油酸酯、脱水山梨醇三硬脂酸酯等脱水山梨醇脂肪酸酯类，聚氧乙烯脱水山梨醇单月桂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨醇单棕榈酸酯、聚氧乙烯脱水山梨醇单硬脂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨醇三油酸酯、聚氧乙烯脱水山梨醇三硬脂酸酯等聚氧乙烯脱水山梨醇脂肪酸酯类等；氟类表面活性剂，例如エフトツプEF301、EF303、EF352((株)ト一ケムプロダクツ制)、メガフアツクF171、F173、R-08、R-30(大日本油墨(株)制)、フロラ一ド FC430、FC431(住友3M(株)制)、アサヒガ一ドAG710、サ一フロン S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(株)制)等；有机硅氧烷聚合物KP341(信越化学工业(株)制)等。关于这些表面活性剂的配合量，每100重量份本发明的全部组合物，通常为0.2重量份以下，优选0.1重量份以下。这些表面活性剂可以单独添加，也可以2种以上组合添加。
作为在本发明的形成平版印刷用填隙材料的组合物的上层涂覆的抗蚀剂，可以使用负型抗蚀剂、正型抗蚀剂中任意一种，包括酚醛清漆树脂或1，2-重氮萘醌磺酸酯构成的正型抗蚀剂，光致酸发生剂与具有通过酸分解使碱溶解速度上升的基团的粘结剂构成的化学增幅型抗蚀剂，碱可溶性粘结剂、光致酸发生剂与通过酸分解使抗蚀剂的碱溶解速度上升的低分子化合物构成的化学增幅型抗蚀剂，光致酸发生剂、具有通过酸分解使碱溶解速度上升的基团的粘结剂与通过酸分解使抗蚀剂的碱溶解速度上升的低分子化合物构成的化学增幅型抗蚀剂等，例如APEX-E(シプレ一社制)。
作为具有使用本发明的形成平版印刷用填隙材料的组合物形成的平版印刷用填隙材料的正型光致抗蚀剂的显像液，可以使用氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、硅酸钠、偏硅酸钠、氨水等无机碱类，乙胺、正丙胺等伯胺，二乙胺、二正丁胺等仲胺，三乙胺、甲基二乙基胺等叔胺，二甲基乙醇胺、三乙醇胺等醇胺类，氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、胆碱等季铵盐类，吡咯、哌啶等环状胺类等的碱性水溶液。而且，该碱性水溶液中也可以添加适量异丙醇等醇类、阴离子类等表面活性剂等进行使用。其中优选的显像液是季铵盐，更优选氢氧化四甲基铵和胆碱。
在本发明中，通过采用包括下述步骤的方法，可以在基板上复制图像，形成集成电路元件，制造半导体装置。这些步骤包括：
(A)步骤：在具有用高度/直径表示的高宽比为1以上的孔的基板上，涂覆上述形成填隙材料的组合物，通过干燥，在该基板上形成平坦化的填充层，
(B)步骤：涂覆抗蚀剂，干燥，和
(C)步骤：曝光、显像以及蚀刻，而且，上述(A)步骤中采用用于形成填隙材料的组合物形成填充层之前或之后，可以形成反射防止膜。
以下更具体地说明本发明的半导体装置的制造方法，首先，在用于制造精密集成电路元件的基板(例如硅/二氧化硅被覆、硅氮化物被膜、玻璃基板、ITO基板等透明基板)上，采用旋转器、涂布器等适当的涂覆方法，涂覆形成平版印刷用填隙材料的组合物，之后烧制、固化得到填隙材料。其中，作为填隙材料的膜厚优选0.01～3.0μm，作为烧制的条件优选60～250℃下0.3～120分钟。之后，覆盖反射防止膜，烧制固化形成反射防止膜。接着，涂覆光致抗蚀剂，通过给定的掩膜进行曝光，显像，漂洗，干燥，从而能够制备半导体装置。根据需要也可以进行温度不同的2步烧制以及曝光后加热(PEB：Post Exposure Bake)。
另外，作为制造半导体装置的其他方法，在用于制造精密集成电路元件的基板(例如硅/二氧化硅被覆、硅氮化物被膜、玻璃基板、ITO基板等透明基板)上，采用例如CVD法形成无机物构成的反射防止膜，采用旋转器、涂布器等适当的涂覆方法，在其上涂覆形成平版印刷用填隙材料的组合物，之后烧制、固化得到平版印刷用填隙材料。其中，作为填隙材料的膜厚优选0.01～3.0μm，作为烧制的条件优选60～250℃下0.3～120分钟。之后，涂覆光致抗蚀剂，通过给定的掩膜进行曝光，显像，漂洗，干燥，从而能够制备良好的半导体装置。根据需要也可以进行温度不同的2步烧制以及曝光后加热。
通过使用本发明的形成填隙材料的组合物，能够使具有孔的基板良好地进行平坦化。而且，本发明的形成填隙材料的组合物所使用的聚合物中，由于没有引入用于形成反射防止膜的组合物的聚合物中存在的具有吸光性的芳香族基因，因此能够实现较大的干式蚀刻速度。从而，与上层覆盖的光致抗蚀剂以及根据情况设置的反射防止膜相比，具有较大的干式蚀刻性，能够使抗蚀剂的膜厚变薄，能够在基板上复制精密的图像。
另外，作为使本发明的形成平版印刷用填隙材料的组合物平坦化性更优良的方法，可以例举将使用的聚合物的玻璃化转变温度(Tg)稍稍降低，使之在烧制时具有流动性，在完全固化后对抗蚀剂溶剂变得不溶，为此考虑将聚合物的交联点稍稍减少。为了实现这种平坦化的功能，考虑聚合物的聚合度、组合物中具有交联点的聚合物的浓度、在全部固体成分中具有交联点的聚合物的比例、添加成分的选择等各种方法。
以下，结合实施例更详细地说明本发明，但本发明并不受这些实施例的限定。合成例1
在丙二醇中以10重量％的固体成分浓度溶解对乙烯基苯酚单体得到的溶液(LANCASTER社制)300g中溶解苯乙烯单体(东京化成(株)制)11g，然后向该溶液中通入氮气30分钟。将反应液保持在70℃，同时添加作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈(AIBN，纯正化学(株)制)0.7g，在氮气环境下搅拌。将反应物于蒸馏水1升中再沉淀，过滤得到的沉淀物，干燥，从而作为粉体得到聚合物。对得到的聚合物进行GPC分析，按标准聚苯乙烯换算，重均分子量为3000(收率60％)。
得到的聚合物的结构为对乙烯基苯酚和苯乙烯以摩尔比70∶30的比例共聚而成的结构。
另外，将得到的聚合物1g溶解于丙二醇一甲醚3g中，配制25重量％的溶液。采用E型旋转粘度计测定的25℃下该溶液的粘度为15mPas。
用[粘度(mPas)的对数变化]/[固体成分浓度(重量％)的变化]表示的系数H在溶液温度25℃、固体成分浓度8.3～25重量％的测定条件下为0.041。合成例2
在丙二醇中以10重量％的固体成分浓度溶解对乙烯基苯酚单体得到的溶液(LANCASTER社制)100g中溶解甲基丙烯酸甲酯(纯正化学(株)制)8.5g，然后向该溶液中通入氮气30分钟。将反应液保持在70℃，同时添加作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈(AIBN，纯正化学(株)制)0.7g，在氮气环境下搅拌。将反应物于蒸馏水1升中再沉淀，过滤得到的沉淀物，干燥，从而作为粉体得到聚合物。对得到的聚合物进行GPC分析，按标准聚苯乙烯换算，重均分子量为5300。
得到的聚合物的结构为对乙烯基苯酚和甲基丙烯酸甲酯以摩尔比49∶51的比例共聚而成的结构。该聚合物的玻璃化转变温度为135℃。
另外，将得到的聚合物1g溶解于丙二醇一甲醚3g中，配制25重量％的溶液。采用E型旋转粘度计测定的25℃下该溶液的粘度为20mPas。
用[粘度(mPas)的对数变化]/[固体成分浓度(重量％)的变化]表示的系数H在溶液温度25℃、固体成分浓度8.3～25重量％的测定条件下为0.046。合成例3
在丙二醇一甲醚100g中溶解丙烯酸(纯正化学(株)制)20g后，向该溶液中通入氮气30分钟。将该反应液保持在60℃，同时添加作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈(AIBN，纯正化学(株)制)0.2g和作为链转移剂的1-十二烷硫醇(关东化学(株)制)0.04g，在氮气环境下搅拌。搅拌24小时后，添加作为聚合终止剂的4-甲氧基苯酚(东京化成(株)制)0.03g。将反应物于蒸馏水1升中再沉淀，过滤得到的沉淀物，干燥，从而作为粉体得到聚合物。对得到的聚合物进行GPC分析，按标准聚苯乙烯换算，重均分子量为19000。
得到的聚合物为聚丙烯酸。
另外，将得到的聚丙烯酸1g溶解于丙二醇一甲醚3g中，配制25重量％的溶液。采用E型旋转粘度计测定的25℃下该溶液的粘度为98mPa·s。
用[粘度(mPas)的对数变化]/[固体成分浓度(重量％)的变化]表示的系数H在溶液温度25℃、固体成分浓度8.3～25重量％的测定条件下为0.069。合成例4
在丙二醇一甲醚120g中溶解甲基丙烯酸羟丙酯(纯正化学(株)制)30g后，向该溶液中通入氮气30分钟。将反应液保持在70℃，同时添加作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈(AIBN，纯正化学(株)制)0.03g，在氮气环境下搅拌。搅拌24小时后，添加作为聚合终止剂的4-甲氧基苯酚(东京化成(株)制)0.04g。溶液中的固体成分为23％。将该溶液于蒸馏水中再沉淀，从而得到沉淀物。然后，过滤沉淀物，干燥，从而作为粉体得到聚合物。对得到的聚合物进行GPC分析，按标准聚苯乙烯换算，重均分子量为130000。
得到的聚合物为聚甲基丙烯酸羟丙酯。
另外，将得到的聚甲基丙烯酸羟丙酯1g溶解于丙二醇一甲醚3g中，配制25重量％的溶液。采用E型旋转粘度计测定的25℃下该溶液的粘度为225mPas。
用[粘度(mPas)的对数变化]/[固体成分浓度(重量％)的变化]表示的系数H在溶液温度25℃、固体成分浓度8.3～25重量％的测定条件下为0.079。实施例1
在合成例1得到的对乙烯基苯酚和苯乙烯的共聚物20g中混和四甲氧基甲基甘脲3.0g和对甲苯磺酸0.02g，使之溶解于丙二醇一甲基醚173g和丙二醇一甲基醚乙酸酯75g构成的溶剂中，制成8.5％溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。
实施例2
在合成例1得到的对乙烯基苯酚和苯乙烯的共聚物20g中混和六甲氧基羟甲基三聚氰胺4.0g和对甲苯磺酸0.04g，使之溶解于丙二醇一甲基醚190g和丙二醇一甲基醚乙酸酯83g构成的溶剂中，制成8.1％溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。
实施例3
在式(3)表示的重复单元构成的市售聚对乙烯基苯酚的溴化物(丸善石油化学(株)制，マルカリンカ一MB)40g中混和四甲氧基甲基甘脲4.0g和对甲苯磺酸0.02g，使之溶解于丙二醇一甲基醚229g和丙二醇一甲基醚乙酸酯100g构成的溶剂中，制成11.8重量％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。对得到的组合物进行GPC分析，按标准聚苯乙烯换算，重均分子量为6000。
另外，将マルカリンカ一MB1g溶解于丙二醇一甲基醚3g中，配制25重量％的溶液。采用E型旋转粘度计测定的25℃下该溶液的粘度为7.6mPas。
用[粘度(mPas)的对数变化]/[固体成分浓度(重量％)的变化]表示的系数H在溶液温度25℃、固体成分浓度8.3～25重量％的测定条件下为0.029。
实施例4
在式(3)表示的重复单元构成的市售聚对乙烯基苯酚的溴化物(丸善石油化学(株)制，マルカリンカ一MB)40g中混和六甲氧基羟甲基三聚氰胺4.0g和对甲苯磺酸0.02g，使之溶解于丙二醇一甲基醚234g和丙二醇一甲基醚乙酸酯102g构成的溶剂中，制成11.8％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。对得到的组合物进行GPC分析，按标准聚苯乙烯换算，重均分子量为6000。
实施例5
在合成例2得到的对乙烯基苯酚和甲基丙烯酸甲酯的共聚物20g中混和四甲氧基甲基甘脲4.0g和对甲苯磺酸0.08g，使之溶解于丙二醇一甲基醚186.0g和丙二醇一甲基醚乙酸酯75g构成的溶剂中，制成8.5重量％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。
实施例6
在下式(8)表示的重复单元构成的酚醛清漆型酚树脂(群荣化学工业(株)制，レジトツプPSM-4326)40g中混和四甲氧基甲基甘脲14.1g和对甲苯磺酸1.4g，使之溶解于丙二醇一甲基醚371g和丙二醇一甲基醚乙酸酯159g构成的溶剂中，制成9.5重量％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。式(8)
另外，将レジトツプPSM-43261g溶解于丙二醇一甲基醚3g中，配制25重量％的溶液。采用E型旋转粘度计测定的25℃下该溶液的粘度为31.9mPas。
用[粘度(mPas)的对数变化]/[固体成分浓度(重量％)的变化]表示的系数H在溶液温度25℃、固体成分浓度8.3～25重量％的测定条件下为0.053。实施例7
在合成例2得到的对乙烯基苯酚和甲基丙烯酸甲酯的共聚物20g中混和四甲氧基甲基甘脲4.0g和对甲苯磺酸0.08g，使之溶解于丙二醇一甲基醚(沸点：121℃)38.5g和丙二醇一丁基醚(沸点：170.1℃)38.5g构成的溶剂中，制成8.5重量％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。
实施例8
在合成例2得到的对乙烯基苯酚和甲基丙烯酸甲酯的共聚物20g中混和四甲氧基甲基甘脲4.0g和对甲苯磺酸0.08g，使之溶解于丙二醇一甲基醚38.5g和乳酸丁酯(沸点：187℃)38.5g构成的溶剂中，制成8.5重量％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。
实施例9
在合成例2得到的对乙烯基苯酚和甲基丙烯酸甲酯的共聚物20g中混和四甲氧基甲基甘脲4.0g和对甲苯磺酸0.08g，使之溶解于丙二醇一甲基醚38.5g和二甘醇一甲基醚(沸点：194.2℃)38.5g构成的溶剂中，制成8.5重量％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。
实施例10
在合成例2得到的对乙烯基苯酚和甲基丙烯酸甲酯的共聚物20g中混和四甲氧基甲基甘脲4.0g和对甲苯磺酸0.08g，使之溶解于丙二醇一甲基醚38.5g和环己酮(沸点：155.7℃)38.5g构成的溶剂中，制成8.5重量％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。
实施例11
在合成例2得到的对乙烯基苯酚和甲基丙烯酸甲酯的共聚物20g中混和四甲氧基甲基甘脲4.0g和对甲苯磺酸0.08g，使之溶解于丙二醇一甲基醚38.5g和丙二醇一甲基醚乙酸酯(沸点：146℃)38.5g构成的溶剂中，制成8.5重量％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。比较例1
在市售的聚乙二醇(纯正化学(株)制，聚乙二醇2000)40g中混和四甲氧基甲基甘脲14.2g和对甲苯磺酸1.42g，使之溶解于丙二醇一甲基醚457g和丙二醇一甲基醚乙酸酯229g构成的溶剂中，制成6.8％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。比较例2
在合成例3得到的聚丙烯酸40g中混和四甲氧基甲基甘脲14.1g和对甲苯磺酸1.4g，使之溶解于丙二醇一甲基醚371g和丙二醇一甲基醚乙酸酯159g构成的溶剂中，制成9.5重量％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。比较例3
在合成例4得到的聚甲基丙烯酸羟丙酯40g中混和四甲氧基甲基甘脲14.1g和对甲苯磺酸1.4g，使之溶解于丙二醇一甲基醚371g和丙二醇一甲基醚乙酸酯159g构成的溶剂中，制成9.5重量％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。比较例4
在合成例2得到的对乙烯基苯酚和甲基丙烯酸甲酯的共聚物20g中混和四甲氧基甲基甘脲4.0g和对甲苯磺酸0.08g，使之溶解于丙二醇一甲基醚38.5g和四氢呋喃(沸点：65℃)38.5g构成的溶剂中，制成8.5重量％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。比较例5
在合成例2得到的对乙烯基苯酚和甲基丙烯酸甲酯的共聚物20g中混和四甲氧基甲基甘脲4.0g和对甲苯磺酸0.08g，使之溶解于丙二醇一甲基醚38.5g和乙二醇二甲基醚(沸点：82.5℃)38.5g构成的溶剂中，制成8.5重量％的溶液，然后，使用孔径0.05μm的聚乙烯制微孔滤器进行过滤，配制用于形成平版印刷用填隙材料的组合物。试验例1
采用旋涂器将实施例1～11和比较例1～5得到的形成平版印刷用填隙材料的组合物涂覆在硅晶片上，在电热板上205℃下加热1分钟，形成平版印刷用填隙材料(膜厚0.22μm)。将该平版印刷用填隙材料浸渍于抗蚀剂所使用的溶剂例如乳酸乙酯以及丙二醇一甲醚中，确认不溶于这些溶剂。试验例2
采用旋涂器将实施例1～11和比较例1～5得到的形成平版印刷用填隙材料的组合物涂覆在硅晶片上，在电热板上205℃下加热1分钟，形成平版印刷用填隙材料(膜厚0.22μm)。在该平版印刷用填隙材料的上层通过旋涂器涂覆市售的抗蚀剂溶液(シプレ一社制，APEX-E)，在电热板上90℃下加热1分钟，使抗蚀剂曝光后，在90℃下进行曝光后加热1.5分钟。使抗蚀剂显像后，测定平版印刷用填隙材料的膜厚，确认实施例1～4和比较例1得到的平版印刷用填隙材料与抗蚀剂层没有发生混合。试验例3
采用旋涂器将实施例1～4和比较例1得到的形成平版印刷用填隙材料的组合物涂覆在具有孔(直径0.25μm、深度0.9μm)的硅晶片基板上，在电热板上205℃下加热1分钟，形成平版印刷用填隙材料(膜厚约0.24μm)。
接着，使用扫描型电子显微镜(SEM)，观察得到的基板的截面形状，评价平坦化率。平坦化率按照下式求出。能够使基板上的孔完全平坦化时的平坦化率为100％。
平坦化率＝〔1-a/b〕×100
a：孔中心部的平版印刷用填隙材料的凹陷深度
b：孔的深度
使用的基板是图1所示具有Iso和Dense的图案的孔的硅晶片基板。Iso图案是孔中心至相邻孔中心的间隔为该孔直径的3倍的图案。另外，Dense图案是孔中心至相邻孔中心的间隔为该孔直径的1倍的图案。孔的深度为0.9μm，孔的直径为0.25μm。
另外，同时测定在基板的各部分由形成平版印刷用填隙材料的组合物形成的膜厚。
结果如表1所示。
表1
膜厚(单位：nm) 平坦化率(单位：％)
Iso Dense 偏差 Iso Dense 偏差实施例1 190 80 110 98 93 5实施例2 200 100 100 96 91 5实施例3 180 90 90 98 94 4实施例4 180 100 80 89 81 8比较例1 200 80 120 84 53 31
由实施例1～4的形成平版印刷用填隙材料的组合物得到的膜的平坦化率与比较例1的相比大，特别是在条件严格的Dense图案上的平坦化性优良。另外，实施例1～4的形成平版印刷用填隙材料的组合物在Iso部分和Dense部分的膜厚差异小。这表明，即使在有孔基板上单位面积的孔数(孔密度)比Iso部分大的Dense部分，形成填隙材料的组合物也能顺利流入多数孔中，结果Iso部分和Dense部分的膜厚差异小，而且平坦化率大。试验例4
对于实施例1～3、5和6以及比较例2和3得到的形成平版印刷用填隙材料的组合物，与试验例3同样，评价涂覆了形成平版印刷用填隙材料的组合物后基板的平坦化率。对于基板，使用具有孔(直径0.25μm、深度0.9μm)的硅晶片基板，填隙材料的膜厚为约0.23μm。
另外，同时对于各种形成平版印刷用填隙材料的组合物，求出其粘度(mPas)以及在溶液温度25℃、固体成分浓度8.3～25重量％的测定条件下用〔粘度(mPas)的对数变化〕/〔固体成分浓度(重量％)的变化〕表示的系数H。其情况如图2所示。
结果如表2所示。
表2
系数H 聚合物溶液粘度 平坦化率(单位：％)
(单位：mPas) Iso Dense 偏差实施例1 0.041 15 98 93 5实施例2 0.041 15 96 91 5实施例3 0.029 8 98 94 4实施例5 0.046 21 98 97实施例6 0.053 32 89 84 5比较例2 0.069 98 88 72 15比较例3 0.079 225 82 51 31
由实施例1～3、5和6的形成平版印刷用填隙材料的组合物得到的膜的平坦化率与比较例2～3相比大，特别是在Dense图案上的平坦化性优良。认为这是由于随着形成填隙材料的组合物的低粘度化，旋涂和烧制工序中溶液的流动性增大造成的。试验例5
对于实施例7～11以及比较例4和5得到的形成平版印刷用填隙材料的组合物，与试验例3同样，评价涂覆了形成平版印刷用填隙材料的组合物后基板的平坦化率。对于基板，使用具有孔(直径0.35μm、深度1.0μm)的硅晶片基板，填隙材料的膜厚为约0.22μm。
表3
平坦化率(单位：％)
Iso Dense 偏差实施例7 97 94 3实施例8 96 91 5实施例9 97 95 2实施例10 91 73 18实施例11 90 60 30比较例4 87 32 55比较例5 89 45 44
由实施例7～11的形成填隙材料的组合物得到的膜的平坦化率与比较例4～5的膜的平坦化率相比大，特别是在条件严格的Dense图案上的平坦化性优良。另外，比较例4～5的场合，填隙材料沿着基板的台阶状变形附着(保形型)，而实施例7～11的场合，由孔附近流入孔中，因此实施例10～14中被覆盖的基板表面变得平坦。实施例7～11的场合，即使在基板上单位面积的孔数比Iso部分多的Dense部分，形成填隙材料的组合物也能具有更大的流动性，流入多数孔中，因此平坦化率的差异小。与比较例4～5的形成填隙材料的组合物相比，实施例7～11的组合物具有高平坦化率的理由是，含有沸点高于聚合物的玻璃化转变温度的溶剂，或溶剂的沸点为145～220℃。
工业实用性
本发明的形成填隙材料的组合物有助于掩埋具有孔的基板的凹凸使之平坦，提高其上涂覆的光致抗蚀剂等涂膜的膜厚均匀性。而且，能够得到与光致抗蚀剂层相比具有较大干式蚀刻速度、而且不会与光致抗蚀剂层发生混合、在加热干燥时没有扩散到光致抗蚀剂中的扩散物、高分辨率和光致抗蚀剂膜厚依赖性优良的平版印刷用填隙材料，而且能够提供优良的抗蚀剂图案形成方法。
Claims (21)
1、一种形成填隙材料的组合物，用于采用下述方法制造半导体装置，即，在具有用高度/直径表示的高宽比为1以上的孔的基板上被覆抗蚀剂，利用平版印刷工艺在基板上复制图像，所述组合物在被覆抗蚀剂前的该基板上被覆，使基板表面平坦，所述组合物的特征在于，含有由聚合物和溶剂构成的聚合物溶液。
2、如权利要求1所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物溶液用〔粘度(mPas)的对数变化〕/〔固体成分浓度(重量％)的变化〕表示的系数H为0.06以下，而且固体成分浓度为25重量％时测定的粘度为1～80mPas。
3、如权利要求1或2所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物溶液含有固体成分0.1～30重量％。
4、如权利要求1至3中任意一项所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述溶剂含有基于全部溶剂为20重量％以上的沸点高于上述聚合物的玻璃化转变温度的溶剂(s)。
5、如权利要求4所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述溶剂(s)的沸点比上述聚合物的玻璃化转变温度高10℃以上。
6、如权利要求1至5中任意一项所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述溶剂(s)的沸点为145～220℃。
7、如权利要求1至6中任意一项所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述溶剂(s)是乳酸丁酯、丙二醇一丁基醚、丙二醇一甲基醚乙酸酯、环己酮、二甘醇一甲基醚或它们的混合物。
8、如权利要求1至7中任意一项所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物的重均分子量为500～30000。
9、如权利要求1至8中任意一项所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物至少包含下式(1)表示的重复单元，
式(1)式中，R1和R2分别独立，表示氢原子、甲基、氟原子、氯原子、溴原子或氰基。
10、如权利要求9所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是式(1)表示的重复单元构成的均聚物，或式(1)表示的重复单元与作为侧链包括芳香族部分或羧酸酯部分的乙烯基的重复单元构成的共聚物。
11、如权利要求10所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是下式(2)表示的重复单元构成的聚对乙烯基苯酚。
式(2)
12、如权利要求10所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是下式(3)表示的重复单元构成的聚对乙烯基苯酚的溴化物。
式(3)
13、如权利要求10所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是由下式(2)表示的重复单元与下式(4)表示的重复单元构成、式(2)表示的重复单元基于聚合物中全部重复单元数的含量为20％以上的对乙烯基苯酚和苯乙烯的共聚物。式(2)
式(4)
14、如权利要求10所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是由下式(2)表示的重复单元与下式(5)表示的重复单元构成、式(2)表示的重复单元基于聚合物中全部重复单元数的含量为20％以上的对乙烯基苯酚和甲基丙烯酸甲酯的共聚物。
式(2)
式(5)
15、如权利要求10所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是由下式(2)表示的重复单元与下式(6)表示的重复单元构成、式(2)表示的重复单元基于聚合物中全部重复单元数的含量为20％以上的对乙烯基苯酚和甲基丙烯酸2-羟乙酯的共聚物。
式(2)
式(6)
16、如权利要求10所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述聚合物是由下式(2)表示的重复单元与下式(7)表示的重复单元构成、式(2)表示的重复单元基于聚合物中全部重复单元数的含量为20％以上的对乙烯基苯酚和丙烯酸丁酯的共聚物。式(2)
式(7)
17、如权利要求1至16中任意一项所述的形成填隙材料的组合物，其特征在于，上述形成填隙材料的组合物进一步含有至少具有2个交联形成性官能团的交联剂。
18、权利要求1至17中任意一项所述的形成填隙材料的组合物的使用方法，其特征在于，在制造半导体装置的平版印刷工艺中，包括如下步骤：将上述形成填隙材料的组合物涂覆到基板上，然后烧制。
19、在基板上复制图像形成集成电路元件的半导体装置制造方法，其特征在于，包括下述步骤：
(A)步骤：在具有用高度/直径表示的高宽比为1以上的孔的基板上，涂覆含有由聚合物和溶剂构成的聚合物溶液的形成填隙材料的组合物，干燥，在该基板上形成平坦化的填充层，
(B)步骤：涂覆抗蚀剂，干燥，和
(C)步骤：曝光、显像以及蚀刻。
20、如权利要求19所述的半导体装置制造方法，其特征在于，(A)步骤中使用的形成填隙材料的组合物是权利要求1至17中任意一项所述的形成填隙材料的组合物。
21、如权利要求19所述的半导体装置制造方法，其特征在于，在(A)步骤中采用形成填隙材料的组合物形成填充层之前或之后，还包括形成反射防止膜的(A’)步骤。
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP210844/00 | 2000-07-12 | ||
| JP210844/2000 | 2000-07-12 | ||
| JP2000210844 | 2000-07-12 | ||
| JP298044/2000 | 2000-09-29 | ||
| JP2000298044 | 2000-09-29 | ||
| JP298044/00 | 2000-09-29 | ||
| JP167701/2001 | 2001-06-04 | ||
| JP167701/01 | 2001-06-04 | ||
| JP2001167701 | 2001-06-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1440518A true CN1440518A (zh) | 2003-09-03 |
| CN100367111C CN100367111C (zh) | 2008-02-06 |
Family
ID=27344024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB018125042A Expired - Lifetime CN100367111C (zh) | 2000-07-12 | 2001-07-12 | 形成平版印刷用填隙材料的组合物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7517633B2 (zh) |
| EP (1) | EP1315045B1 (zh) |
| JP (1) | JP4654544B2 (zh) |
| KR (3) | KR100875802B1 (zh) |
| CN (1) | CN100367111C (zh) |
| TW (1) | TWI224239B (zh) |
| WO (1) | WO2002005035A1 (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101048705B (zh) * | 2004-11-01 | 2010-11-10 | 日产化学工业株式会社 | 含环糊精化合物的形成光刻用下层膜的组合物 |
| CN102053493A (zh) * | 2009-10-28 | 2011-05-11 | Jsr株式会社 | 放射线敏感性组合物、保护膜、层间绝缘膜以及它们的形成方法 |
| CN101107569B (zh) * | 2005-01-21 | 2011-06-15 | 日产化学工业株式会社 | 含有具有被保护的羧基的化合物的形成光刻用下层膜的组合物 |
| CN101303525B (zh) * | 2008-06-23 | 2012-12-05 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种双重图形曝光工艺 |
| CN102881642A (zh) * | 2012-09-20 | 2013-01-16 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 重新布线图形的形成方法 |
| CN101164014B (zh) * | 2005-04-19 | 2013-06-12 | 日产化学工业株式会社 | 用于形成光交联固化的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成组合物 |
| CN104701238A (zh) * | 2013-11-14 | 2015-06-10 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 间隙填充方法 |
| CN105739236A (zh) * | 2014-12-30 | 2016-07-06 | 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 | 与经外涂布的光致抗蚀剂一起使用的涂层组合物 |
Families Citing this family (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100526983C (zh) * | 2002-02-19 | 2009-08-12 | 日产化学工业株式会社 | 形成防反射膜的组合物 |
| JP2004101794A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Toray Ind Inc | 半導体装置用平坦化組成物 |
| JP4487489B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2010-06-23 | 三菱電機株式会社 | 埋込材およびこの埋込材を用いた半導体集積回路の製造方法 |
| US7361718B2 (en) | 2002-12-26 | 2008-04-22 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Alkali-soluble gap fill material forming composition for lithography |
| TWI310484B (en) * | 2003-02-21 | 2009-06-01 | Nissan Chemical Ind Ltd | Composition containing acrylic polymer for forming gap-filling material for lithography |
| GB2400245B (en) * | 2003-04-01 | 2005-09-28 | Power Gems Ltd | Ignition system for a high-frequency high-intensity discharge lamp system |
| TWI346838B (en) | 2003-04-02 | 2011-08-11 | Nissan Chemical Ind Ltd | Epoxy compound and carboxylic acid compound containing composition for forming sublayer coating for use in lithography |
| WO2004092840A1 (ja) * | 2003-04-17 | 2004-10-28 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 多孔質下層膜及び多孔質下層膜を形成するための下層膜形成組成物 |
| JP2004342751A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Toshiba Corp | Ｃｍｐ用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法 |
| JP4426526B2 (ja) | 2003-07-17 | 2010-03-03 | ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド | 最新式のマイクロエレクトロニクス用途およびデバイス用の平坦化膜およびそれらの製造方法 |
| TWI363251B (en) | 2003-07-30 | 2012-05-01 | Nissan Chemical Ind Ltd | Sublayer coating-forming composition for lithography containing compound having protected carboxy group |
| JP3759526B2 (ja) | 2003-10-30 | 2006-03-29 | 丸善石油化学株式会社 | 半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法 |
| TWI360726B (en) * | 2003-10-30 | 2012-03-21 | Nissan Chemical Ind Ltd | Sublayer coating-forming composition containing de |
| KR100586165B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-06-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 바닥 반사 방지 코팅 방법 |
| US7582555B1 (en) | 2005-12-29 | 2009-09-01 | Novellus Systems, Inc. | CVD flowable gap fill |
| US9257302B1 (en) | 2004-03-25 | 2016-02-09 | Novellus Systems, Inc. | CVD flowable gap fill |
| US7524735B1 (en) | 2004-03-25 | 2009-04-28 | Novellus Systems, Inc | Flowable film dielectric gap fill process |
| US7361455B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-04-22 | Intel Corporation | Anti-reflective coatings |
| EP1780600B1 (en) | 2004-07-02 | 2014-02-26 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Lower layer film forming composition for lithography including naphthalene ring having halogen atom |
| JP5062420B2 (ja) | 2005-05-24 | 2012-10-31 | 日産化学工業株式会社 | ポリシラン化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
| KR100717511B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2007-05-11 | 제일모직주식회사 | 반도체 미세 갭 필용 중합체 및 이를 이용한 조성물 |
| KR100722984B1 (ko) * | 2005-12-05 | 2007-05-30 | 제일모직주식회사 | 반도체 미세 갭 필용 중합체 및 이를 이용한 반도체 미세갭 필용 조성물 |
| US8048615B2 (en) | 2005-12-06 | 2011-11-01 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Silicon-containing resist underlayer coating forming composition for forming photo-crosslinking cured resist underlayer coating |
| KR101423057B1 (ko) * | 2006-08-28 | 2014-07-25 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 액상첨가제를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 |
| TWI427423B (zh) | 2006-10-12 | 2014-02-21 | Nissan Chemical Ind Ltd | 藉由４層系層合物製造半導體裝置之方法 |
| US8227172B2 (en) | 2006-10-12 | 2012-07-24 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Method of producing semiconductor device using resist underlayer film by photo-crosslinking curing |
| US7888273B1 (en) * | 2006-11-01 | 2011-02-15 | Novellus Systems, Inc. | Density gradient-free gap fill |
| US9245739B2 (en) | 2006-11-01 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Low-K oxide deposition by hydrolysis and condensation |
| JP5588095B2 (ja) | 2006-12-06 | 2014-09-10 | 丸善石油化学株式会社 | 半導体リソグラフィー用共重合体とその製造方法 |
| KR101446819B1 (ko) | 2006-12-22 | 2014-10-01 | 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤 | 반도체 리소그래피용 중합체의 제조 방법 |
| KR101426980B1 (ko) | 2007-05-23 | 2014-08-06 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 하층막 형성용 조성물 |
| JP5591465B2 (ja) | 2008-10-30 | 2014-09-17 | 丸善石油化学株式会社 | 濃度が均一な半導体リソグラフィー用共重合体溶液の製造方法 |
| US8557712B1 (en) | 2008-12-15 | 2013-10-15 | Novellus Systems, Inc. | PECVD flowable dielectric gap fill |
| US8278224B1 (en) | 2009-09-24 | 2012-10-02 | Novellus Systems, Inc. | Flowable oxide deposition using rapid delivery of process gases |
| TWI579916B (zh) | 2009-12-09 | 2017-04-21 | 諾菲勒斯系統公司 | 整合可流動氧化物及頂蓋氧化物之新穎間隙填充 |
| US8685867B1 (en) | 2010-12-09 | 2014-04-01 | Novellus Systems, Inc. | Premetal dielectric integration process |
| US9719169B2 (en) | 2010-12-20 | 2017-08-01 | Novellus Systems, Inc. | System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication |
| US20150303103A1 (en) * | 2011-09-09 | 2015-10-22 | Tokyo Electron Limited | Catalyst adsorption method and catalyst adsorption device |
| DE102011115121A1 (de) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Herstellen einer Beschichtung eines Substrats |
| WO2013054702A1 (ja) * | 2011-10-12 | 2013-04-18 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、その製造方法、パターン形成方法及びレジスト下層膜 |
| US8846536B2 (en) | 2012-03-05 | 2014-09-30 | Novellus Systems, Inc. | Flowable oxide film with tunable wet etch rate |
| CN105393172B (zh) * | 2013-07-23 | 2019-08-02 | 日产化学工业株式会社 | 抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂及包含其的抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
| US9847222B2 (en) | 2013-10-25 | 2017-12-19 | Lam Research Corporation | Treatment for flowable dielectric deposition on substrate surfaces |
| JP6014110B2 (ja) | 2013-12-23 | 2016-10-25 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | ギャップ充填方法 |
| US9324604B2 (en) | 2014-07-04 | 2016-04-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Gap-fill methods |
| JP6587068B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2019-10-09 | 日産化学株式会社 | カラーフィルター下層膜形成用樹脂組成物 |
| US10049921B2 (en) | 2014-08-20 | 2018-08-14 | Lam Research Corporation | Method for selectively sealing ultra low-k porous dielectric layer using flowable dielectric film formed from vapor phase dielectric precursor |
| US9508549B2 (en) | 2014-12-26 | 2016-11-29 | Dow Global Technologies Llc | Methods of forming electronic devices including filling porous features with a polymer |
| JP6364544B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2018-07-25 | 三井化学株式会社 | 埋め込み平坦化膜の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
| US10388546B2 (en) | 2015-11-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Apparatus for UV flowable dielectric |
| US9916977B2 (en) | 2015-11-16 | 2018-03-13 | Lam Research Corporation | Low k dielectric deposition via UV driven photopolymerization |
| WO2017150094A1 (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-08 | 富士フイルム株式会社 | 平坦化膜の製造方法、感活性光線性または感放射線性の平坦化膜形成用組成物、平坦化膜、および、電子デバイスの製造方法 |
| CN108713164B (zh) * | 2016-03-09 | 2022-03-18 | 日产化学工业株式会社 | 抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 |
| JP2017215561A (ja) | 2016-05-30 | 2017-12-07 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | ギャップフィリング組成物、およびポリマーを含んでなる組成物を用いたパターン形成方法 |
| US10329452B2 (en) * | 2016-06-21 | 2019-06-25 | Honeywell International Inc. | Materials and spin coating methods suitable for advanced planarization applications |
| JP2018025649A (ja) | 2016-08-09 | 2018-02-15 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 下層反射防止膜形成組成物 |
| KR102646166B1 (ko) * | 2019-02-27 | 2024-03-11 | 동우 화인켐 주식회사 | 하드마스크용 조성물 |
| JP7345317B2 (ja) * | 2019-08-23 | 2023-09-15 | 東京応化工業株式会社 | 充填剤及び基板の処理方法 |
| CN115851004B (zh) * | 2021-09-24 | 2023-12-12 | 宝山钢铁股份有限公司 | 一种耐热刻痕型取向硅钢涂层用涂液、取向硅钢板及其制造方法 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050939A (ja) | 1983-08-30 | 1985-03-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0727216B2 (ja) * | 1985-02-06 | 1995-03-29 | 株式会社日立製作所 | パタ−ン形成方法 |
| KR930010248B1 (ko) * | 1984-09-14 | 1993-10-15 | 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 패턴 형성 방법 |
| JPS6170720A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6256947A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | Fujitsu Ltd | 二層構造レジスト用平坦化層組成物 |
| US4784936A (en) * | 1985-10-24 | 1988-11-15 | General Electric Company | Process of forming a resist structure on substrate having topographical features using positive photoresist layer and poly(vinyl pyrrolidone) overlayer |
| JPH01167767A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-07-03 | Kyocera Corp | 感光体温度制御装置 |
| JPH05107767A (ja) * | 1991-10-17 | 1993-04-30 | Tosoh Corp | 段差基板用塗布溶液 |
| US5276126A (en) | 1991-11-04 | 1994-01-04 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected novolak resin planarization layer for lithographic applications |
| JP2951504B2 (ja) * | 1992-06-05 | 1999-09-20 | シャープ株式会社 | シリル化平坦化レジスト及び平坦化方法並びに集積回路デバイスの製造方法 |
| US5756256A (en) * | 1992-06-05 | 1998-05-26 | Sharp Microelectronics Technology, Inc. | Silylated photo-resist layer and planarizing method |
| JP2525314B2 (ja) * | 1992-07-31 | 1996-08-21 | 花王株式会社 | 混合流体の測定方法および装置 |
| JPH06170720A (ja) * | 1992-12-02 | 1994-06-21 | Speedfam Co Ltd | 定盤のドレッシング装置 |
| JPH0756336A (ja) * | 1993-06-07 | 1995-03-03 | Ajinomoto Co Inc | 樹脂組成物 |
| JPH07333854A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5858547A (en) | 1994-07-06 | 1999-01-12 | Alliedsignal, Inc. | Novolac polymer planarization films for microelectronic structures |
| KR100434133B1 (ko) | 1995-07-14 | 2004-08-09 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 중간층리쏘그래피 |
| CN1124521C (zh) | 1996-03-07 | 2003-10-15 | 克拉里安特国际有限公司 | 正性光刻胶组合物的热处理方法 |
| US5985524A (en) * | 1997-03-28 | 1999-11-16 | International Business Machines Incorporated | Process for using bilayer photoresist |
| JPH1167767A (ja) | 1997-08-20 | 1999-03-09 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6057239A (en) * | 1997-12-17 | 2000-05-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual damascene process using sacrificial spin-on materials |
| JP2000164701A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6316165B1 (en) | 1999-03-08 | 2001-11-13 | Shipley Company, L.L.C. | Planarizing antireflective coating compositions |
| US6365321B1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-04-02 | International Business Machines Corporation | Blends of hydroxystyrene polymers for use in chemically amplified positive resist formulations |
| EP1048980B1 (de) * | 1999-04-28 | 2009-09-30 | Qimonda AG | Bottomresist |
| US6376149B2 (en) * | 1999-05-26 | 2002-04-23 | Yale University | Methods and compositions for imaging acids in chemically amplified photoresists using pH-dependent fluorophores |
| US6461717B1 (en) | 2000-04-24 | 2002-10-08 | Shipley Company, L.L.C. | Aperture fill |
-
2001
- 2001-07-09 JP JP2001207811A patent/JP4654544B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-12 TW TW090117112A patent/TWI224239B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-12 US US10/311,959 patent/US7517633B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-12 EP EP01947988A patent/EP1315045B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-12 KR KR1020087004104A patent/KR100875802B1/ko active IP Right Grant
- 2001-07-12 CN CNB018125042A patent/CN100367111C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-12 KR KR1020087004105A patent/KR100881831B1/ko active IP Right Grant
- 2001-07-12 KR KR1020037000282A patent/KR100820012B1/ko active IP Right Grant
- 2001-07-12 WO PCT/JP2001/006045 patent/WO2002005035A1/ja active Application Filing
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101048705B (zh) * | 2004-11-01 | 2010-11-10 | 日产化学工业株式会社 | 含环糊精化合物的形成光刻用下层膜的组合物 |
| CN101107569B (zh) * | 2005-01-21 | 2011-06-15 | 日产化学工业株式会社 | 含有具有被保护的羧基的化合物的形成光刻用下层膜的组合物 |
| CN101164014B (zh) * | 2005-04-19 | 2013-06-12 | 日产化学工业株式会社 | 用于形成光交联固化的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成组合物 |
| CN101303525B (zh) * | 2008-06-23 | 2012-12-05 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种双重图形曝光工艺 |
| CN102053493A (zh) * | 2009-10-28 | 2011-05-11 | Jsr株式会社 | 放射线敏感性组合物、保护膜、层间绝缘膜以及它们的形成方法 |
| CN102881642A (zh) * | 2012-09-20 | 2013-01-16 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 重新布线图形的形成方法 |
| CN102881642B (zh) * | 2012-09-20 | 2018-04-06 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 重新布线图形的形成方法 |
| CN104701238A (zh) * | 2013-11-14 | 2015-06-10 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 间隙填充方法 |
| CN104701238B (zh) * | 2013-11-14 | 2019-10-08 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 间隙填充方法 |
| CN105739236A (zh) * | 2014-12-30 | 2016-07-06 | 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 | 与经外涂布的光致抗蚀剂一起使用的涂层组合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030146416A1 (en) | 2003-08-07 |
| KR100875802B1 (ko) | 2008-12-26 |
| KR100820012B1 (ko) | 2008-04-07 |
| JP2003057828A (ja) | 2003-02-28 |
| KR20080028497A (ko) | 2008-03-31 |
| US7517633B2 (en) | 2009-04-14 |
| KR20080027954A (ko) | 2008-03-28 |
| KR20030079906A (ko) | 2003-10-10 |
| CN100367111C (zh) | 2008-02-06 |
| EP1315045A1 (en) | 2003-05-28 |
| KR100881831B1 (ko) | 2009-02-03 |
| TWI224239B (en) | 2004-11-21 |
| WO2002005035A1 (fr) | 2002-01-17 |
| EP1315045B1 (en) | 2012-09-05 |
| JP4654544B2 (ja) | 2011-03-23 |
| EP1315045A4 (en) | 2008-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1440518A (zh) | 形成平版印刷用填隙材料的组合物 | |
| CN1273870C (zh) | 形成光刻用防反射膜的组合物 | |
| CN1257435C (zh) | 形成光刻用防反射膜的组合物 | |
| CN1732410B (zh) | 碱溶解型光刻用形成填隙材料的组合物 | |
| CN1196030C (zh) | 用于光致抗蚀剂组合物的抗反射涂料 | |
| CN1545645A (zh) | 形成光刻用防反射膜的组合物 | |
| CN1585097A (zh) | 抗反射硬掩膜及其应用 | |
| CN1768306A (zh) | 含有环氧化合物和羧酸化合物的光刻用形成下层膜的组合物 | |
| CN1636166A (zh) | 形成防反射膜的组合物 | |
| CN1977220A (zh) | 含有具有卤原子的萘环的形成光刻用下层膜的组合物 | |
| CN101048705A (zh) | 含环糊精化合物的形成光刻用下层膜的组合物 | |
| CN1668982A (zh) | 形成防反射膜的组合物 | |
| TWI646118B (zh) | 樹脂組成物 | |
| CN1774673A (zh) | 多孔质下层膜和用于形成多孔质下层膜的形成下层膜的组合物 | |
| CN1751271A (zh) | 含有丙烯酸类聚合物的光刻用形成填隙材料的组合物 | |
| CN101040220A (zh) | 含有硫原子的形成光刻用防反射膜的组合物 | |
| CN1142463C (zh) | 分级酚醛清漆树脂共聚物的生产方法 | |
| US9523916B2 (en) | Photoresist and methods of preparing and using the same | |
| CN111303362B (zh) | 一种酚醛树脂及其制备方法、光刻胶 | |
| US9588426B2 (en) | Negative photoresist and methods of preparing and using the same | |
| CN1108326C (zh) | 由甲酚－甲醛反应混合物分馏的酚醛清漆树脂和由它得到的抗光蚀剂组合物 | |
| CN1108327C (zh) | 分馏酚醛清漆树脂和由其得到的抗光蚀剂组合物 | |
| CN1120190C (zh) | 无需高温蒸馏分离酚醛清漆树脂和由此得到的抗光蚀剂组合物 | |
| CN1774671A (zh) | 光敏树脂组合物 | |
| CN1469198A (zh) | 正型感光性涂料组合物、正型感光性树脂的制造方法及图形的形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20080206 |