JP6014110B2 - ギャップ充填方法 - Google Patents
ギャップ充填方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6014110B2 JP6014110B2 JP2014259265A JP2014259265A JP6014110B2 JP 6014110 B2 JP6014110 B2 JP 6014110B2 JP 2014259265 A JP2014259265 A JP 2014259265A JP 2014259265 A JP2014259265 A JP 2014259265A JP 6014110 B2 JP6014110 B2 JP 6014110B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gap
- unit
- crosslinkable polymer
- gap filling
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31058—After-treatment of organic layers
Description
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、疎水性高分子は、基板の様々な表面との相互作用に、比較的不活性な特質を有すると考えられている。一方で、ヒドロキシルおよびカルボキシル等の親水性基は、典型的には、基板表面と共有結合または非共有結合で相互作用する。親水性基による表面とのそのような相互作用は、被覆工程中に、組成物の効果的なギャップ充填を阻害すると考えられる。疎水性の程度は、グラジエント・ポリマー溶出クロマトグラフィ(Gradient polymer Elution Chromatography)(GPEC)により決定され得る。本発明の好ましいギャップ充填組成物は、GPEC解析によるポリスチレンの保持時間の90%以内に最大ピークを有する。
ΔTo−g=To−Tg。
十分に高いΔTo−gを有する架橋性高分子の選択により、組成物を加熱した際、例えば以下に説明するソフトベーク工程中に、また随意のギャップ充填ベーク(gap filling bake)工程中に、高分子の早期架橋を回避し得る。さらに、本発明による、十分に高いΔTo−gを有する未架橋の架橋性高分子を含有したギャップ充填組成物は、典型的には、極めて良好な平坦化を有する。未架橋の架橋性高分子は、典型的には、ギャップ充填組成物中に、組成物の総固形物に対して60〜95wt%、例えば85〜95wt%、または90〜95wt%の量で存在する。
Claims (13)
- (a)基板の表面に、充填される複数のギャップを備えたレリーフ画像を有する半導体基板を供給すること;
(b)前記レリーフ画像上に、未架橋の架橋性高分子、酸性触媒、架橋剤、および溶剤を含むギャップ充填組成物を塗布すること、ここで前記架橋性高分子が10,000超の重量平均分子量Mwを有し、かつ以下の一般式(I)の第1単位:
以下の一般式(II)の第2単位:
(c)ギャップ充填組成物を前記架橋性高分子に架橋を引き起こす温度で加熱すること、
を含むギャップ充填方法。 - 前記第1単位が、以下の式(I−A)、(I−B)および(1−C):
から選択される1以上の単位から選択される、請求項1に記載の方法。 - 前記第1単位が:
- 前記第2単位が、以下の単位:
- 第2単位が:
- 前記架橋性高分子が、前記一般式(I)および一般式(II)の単位のみからなる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ギャップが、50nm未満の幅、および2以上のアスペクト比を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ギャップ充填組成物を架橋させる前に、ギャップ充填組成物を、前記複数のギャップに充填させる温度で加熱することをさらに含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数のギャップへの充填のための前記加熱、および架橋のための前記加熱が、単一工程で実施される、請求項8に記載の方法。
- R4は、C1−C12直鎖、分岐、または環状アルキル、およびC6−C15アリールから選択され、このとき少なくとも1水素原子がヒドロキシル基で置換される、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記架橋性高分子が10,000より大きく15,000までの重量平均分子量Mwを有する、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2単位が、架橋性高分子中に、当該高分子に対し1〜10mol%の量で存在する、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- (a)基板の表面に、充填される複数のギャップを備えたレリーフ画像を有する半導体基板を供給すること;
(b)前記レリーフ画像上に、未架橋の架橋性高分子、酸性触媒、架橋剤、および溶剤を含むギャップ充填組成物を塗布すること、ここで前記架橋性高分子が以下の一般式(I)の第1単位:
下記から選択される第2単位:
(c)ギャップ充填組成物を前記架橋性高分子に架橋を引き起こす温度で加熱すること、
を含むギャップ充填方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361920344P | 2013-12-23 | 2013-12-23 | |
US61/920,344 | 2013-12-23 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015122504A JP2015122504A (ja) | 2015-07-02 |
JP2015122504A5 JP2015122504A5 (ja) | 2016-06-23 |
JP6014110B2 true JP6014110B2 (ja) | 2016-10-25 |
Family
ID=53533840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014259265A Active JP6014110B2 (ja) | 2013-12-23 | 2014-12-22 | ギャップ充填方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9558987B2 (ja) |
JP (1) | JP6014110B2 (ja) |
KR (2) | KR20150075046A (ja) |
CN (1) | CN105304550B (ja) |
TW (1) | TWI573844B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10163632B2 (en) * | 2016-12-15 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Material composition and process for substrate modification |
KR20210145986A (ko) * | 2020-05-26 | 2021-12-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 평탄화층 형성 방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW299475B (ja) | 1993-03-30 | 1997-03-01 | Siemens Ag | |
JP3807587B2 (ja) * | 1999-07-12 | 2006-08-09 | 協和化学工業株式会社 | 難燃性熱可塑性樹脂組成物及びその成形品 |
US6461717B1 (en) | 2000-04-24 | 2002-10-08 | Shipley Company, L.L.C. | Aperture fill |
JP4654544B2 (ja) | 2000-07-12 | 2011-03-23 | 日産化学工業株式会社 | リソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物 |
EP1398831A3 (en) | 2002-09-13 | 2008-02-20 | Shipley Co. L.L.C. | Air gaps formation |
CN1732410B (zh) * | 2002-12-26 | 2012-05-02 | 日产化学工业株式会社 | 碱溶解型光刻用形成填隙材料的组合物 |
JP4221610B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2009-02-12 | 日産化学工業株式会社 | アクリル系ポリマーを含有するリソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物 |
WO2006077748A1 (ja) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 保護されたカルボキシル基を有する化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
EP1691238A3 (en) * | 2005-02-05 | 2009-01-21 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
EP1762895B1 (en) * | 2005-08-29 | 2016-02-24 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Antireflective Hard Mask Compositions |
CN101459106B (zh) * | 2007-12-13 | 2011-01-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 浅沟槽隔离结构的形成方法 |
JP5040839B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2012-10-03 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜形成組成物 |
KR101609592B1 (ko) * | 2011-02-17 | 2016-04-06 | 후지필름 가부시키가이샤 | 간극 매입용 조성물, 그것을 사용한 간극 매입 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
-
2014
- 2014-12-22 JP JP2014259265A patent/JP6014110B2/ja active Active
- 2014-12-23 TW TW103144924A patent/TWI573844B/zh active
- 2014-12-23 KR KR1020140187562A patent/KR20150075046A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-12-23 CN CN201410858450.4A patent/CN105304550B/zh active Active
- 2014-12-23 US US14/582,149 patent/US9558987B2/en active Active
-
2016
- 2016-09-29 KR KR1020160125437A patent/KR20160119011A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150075046A (ko) | 2015-07-02 |
US9558987B2 (en) | 2017-01-31 |
KR20160119011A (ko) | 2016-10-12 |
TWI573844B (zh) | 2017-03-11 |
JP2015122504A (ja) | 2015-07-02 |
US20150348828A1 (en) | 2015-12-03 |
CN105304550A (zh) | 2016-02-03 |
CN105304550B (zh) | 2018-05-08 |
TW201536880A (zh) | 2015-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6141913B2 (ja) | ギャップ充填方法 | |
TWI573808B (zh) | 經引導之自組裝圖案形成方法及組成物 | |
JP6742686B2 (ja) | ギャップ充填方法 | |
KR102308361B1 (ko) | 가교성 폴리머와 하부층 조성물 | |
TWI435178B (zh) | 用於微影方法之非共價可交聯材料 | |
CN106565952B (zh) | 用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物,含有其的组合物及使用该组合物制造半导体装置的方法 | |
JP2002047430A (ja) | アパーチャ充填用組成物 | |
CN106432711B (zh) | 用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物,含有其的组合物及使用该组合物制造半导体装置的方法 | |
TW201544539A (zh) | 硬罩幕組成物和使用所述硬罩幕組成物形成圖案的方法 | |
JP6014110B2 (ja) | ギャップ充填方法 | |
TWI834877B (zh) | 光阻劑圖案修整組成物及圖案形成方法 | |
JP7164563B2 (ja) | フォトレジストパターントリミング組成物及びパターン形成方法 | |
KR102092798B1 (ko) | 유기막 제조 방법 및 패턴형성방법 | |
CN105884685B (zh) | 单体、有机层组合物、有机层以及形成图案的方法 | |
TW202330815A (zh) | 抑制半導體基板圖案崩塌用之填充膜形成材料及半導體基板之處理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160509 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20160509 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160527 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160829 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160913 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160923 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6014110 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |