CN102881642B - 重新布线图形的形成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种重新布线图形的形成方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，可显影填充材料的填充深度小于硅通孔的深度；在硅通孔内的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料，光刻胶材料与所述可显影填充材料相兼容；以及去除光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内的可显影填充材料。本发明中，利用可显影填充材料填充硅通孔，在填充材料之上再涂布光刻胶进行重新布线层曝光，最后显影去除曝光后的光刻胶和硅通孔内的可显影填充材料，从而避免了通常重新布线光刻工艺中利用光刻胶填充硅通孔时产生的通孔内光刻胶残留，最终提高了硅通孔的电学性能。
Description
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域，具体地说，涉及一种重新布线图形的形成方法。
背景技术
在集成电路设计中，利用3D集成方案，将多层平面型器件芯片进行堆叠，并采用硅通孔（TSV-through silicon via）进行各芯片层间的互连，从而减小芯片面积，缩短整体互连线的长度，降低驱动信号所需的电功率。
硅通孔通常借助于背面后通孔（via last-backside）技术来制作，该技术是在芯片制作结束后在晶圆背面进行制造完成，其制造过程包括硅通孔的隔离和金属化，背面重布线层（RDL-redistribution layer）和凸点布局等。
图4a为现有技术中硅通孔内填充光刻胶的示意图。如图4a所示，提供半导体基片401，该半导体基片401的背面形成硅通孔402，硅通孔402填充有光刻胶406，半导体基片401的背面还设置有隔离层403和铜籽晶层404，硅通孔402底部与半导体基片401中的金属层405接触，其中半导体基片401可以为集成电路或者其他元件的一部分。图4b为现有技术中去除光刻胶后出现光刻胶残留的示意图。如图4b所示，对光刻胶406进行曝光显影处理形成重新布线图形407，但是，由于在形成重新布线图形407的过程中，硅通孔402内的光刻胶406在曝光时光化学反应不充分，导致光刻胶406显影后在通孔底部经常出现残留光刻胶408，从而影响了硅通孔402的性能尤其是金属化后的导电特性。如果利用干法刻蚀去除通孔底部的残留光刻胶408会对通孔侧壁和底部造成损伤，同样会影响使用硅通孔402电特性，如出现漏电等。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种重新布线图形的形成方法，用以解决现有技术中光刻胶残留影响硅通孔电特性。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种重新布线图形的形成方法，该方法包括：
向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，所述可显影填充材料的填充深度小于所述硅通孔的深度；
在所述硅通孔内的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料，所述光刻胶材料与所述可显影填充材料相兼容；
对所述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内的可显影填充材料。
优选地，所述可显影填充材料的填充深度为1/2~2/3的所述硅通孔的深度。
优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料具体为：分次向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料。
优选地，向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料包括：
分次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料；
对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理；
使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理；
每次显影处理后对半导体基片进行冲洗。
优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，随着填充次数的递增，每次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料时，使用的可显影填充材料剂量递减。
优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，每次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料时，使用的可显影填充材料剂量为10毫升~30毫升。
优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的时间随着分次涂布的可显影填充的剂量减少而缩短。
优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的时间为60秒~120秒。
优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，每次对涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的温度为200摄氏度~205摄氏度。
优选地，所述每次对涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的温度为200摄氏度。
优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次使用的显影液的剂量为30毫升~60毫升。
优选地，所述每次使用的显影液的剂量为50毫升。
优选地，所述显影液为四甲基氢氧化铵。
优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次使用的显影液的温度为23摄氏度~26摄氏度。
优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次使用的显影液的温度为25摄氏度。
优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，显影液的浸泡时间随着显影次数的增加而依次递减。
优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次显影液的浸泡时间为2分钟~6分钟。
优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，每次显影处理后使用去离子水对半导体基片进行冲洗。
优选地，所述每次显影处理后使用去离子水对半导体基片进行冲洗，冲洗的时间为25秒~40秒。
优选地，所述每次显影处理后使用去离子水对半导体基片进行冲洗，冲洗的时间为30秒。
优选地，在所述硅通孔中的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料之后还包括：对所述硅通孔中涂布的光刻胶的进行烘烤。
优选地，在所述硅通孔中的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料时，光刻胶材料的剂量为2.5毫升~3.5毫升。
优选地，在所述硅通孔中的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料时，光刻胶材料的剂量为3毫升。
优选地，对所述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图形，以及对可显影填充材料进行显影处理去除硅通孔内可显影填充材料包括：
对曝光处理后的光刻胶进行显影处理，去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图形；
对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料。
优选地，对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料包括：使用显影液分次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料。
优选地，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的剂量为40毫升~60毫升。
优选地，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的剂量为50毫升。
优选地，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的温度为23摄氏度~26摄氏度。
优选地，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的温度为25摄氏度。
优选地，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的浸泡时间为4分钟~8分钟。
优选地，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，随着显影次数的递增，每次显影液的浸泡时间递减。
优选地，对所述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内可显影填充材料之后包括：用去离子水对半导体基片进行冲洗。
优选地，所述可显影填充材料由有机溶剂、抗反射吸收材料、有机酸基团树脂、有机基团树脂，以及交联树脂组成，所述有机基团树脂含氧、氟元素。
与现有的方案相比，本发明中，利用可显影填充材料填充硅通孔，在填充材料之上再涂布光刻胶进行重新布线层曝光，最后显影去除曝光后的光刻胶和硅通孔内的可显影填充材料，从而避免了通常重新布线光刻工艺中利用光刻胶填充硅通孔时产生的通孔内光刻胶残留，最终提高了硅通孔的电学性能。
附图说明
图1为本发明重新布线图形的形成方法实施例流程示意图；
图2为图1实施例中填充可显影材料的流程图；
图3a为本发明处于填充可显影填充材料后的变化示意图；
图3b为图3a之后处于涂布光刻胶过程后的变化示意图；
图3c为对光刻胶进行曝光显影和去除可显影填充材料过程后的变化示意图；
图4a为现有技术中硅通孔内填充光刻胶的示意图；
图4b为现有技术中去除光刻胶后硅通孔内出现光刻胶残留的示意图。
具体实施方式
以下将配合图式及实施例来详细说明本发明的实施方式，藉此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
图1为本发明重新布线图形的形成方法实施例流程示意图。如图1所示，本实施例中，重新布线图形的形成方法包括如下步骤：
步骤101、向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，所述可显影填充材料的填充深度小于所述硅通孔的深度。
本实施例中，为了避免硅通孔内的可显影填充材料太厚导致去除可显影填充材料的时间太长或者太薄可能导致曝光时硅通孔内的光刻胶光化学反应不充分，因此，综合考虑可显影填充材料的去除时间和光刻胶的充分曝光，所述可显影填充材料的填充深度可以为1/2~2/3的所述硅通孔的深度，优选的，可以为2/3的所述硅通孔的深度。在向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料时可以采用：分次向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，对可显影填充材料进行多次涂布、每次涂布后即烘烤、多次显影、冲洗半导体基片，以向半导体基片的硅通孔中填充一定深度的可显影填充材料。本实施例中，可显影填充材料可以由有机溶剂、抗反射吸收材料、有机酸基团树脂、有机基团树脂和交联树脂组成，有机基团树脂含氧、氟元素，这种可显影填充材料可以起到填充通孔和表面平坦化的作用，如果下述步骤中的显影液选用四甲基氢氧化铵的话，该可显影填充材料可溶解于四甲基氢氧化铵，因此，这种可显影填充材料的也就避了干法刻蚀处理。
图2为图1实施例中填充可显影材料的流程图。本实施例中，向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料包括：
步骤111、分次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料；
本实施例中，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，随着填充次数的递增，每次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料时，使用的可显影填充材料剂量可以递减。之所以要递减，是考虑到随着填充的不断进行，硅通孔的深度越来越小，所需的可显影填充材料不断减少，填充精度也越来越高。具体地，每次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料时，使用的可显影填充材料剂量可以为10毫升~30毫升。
步骤121、对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理；
本实施例中，对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的温度可以为200摄氏度~205摄氏度，优选地，烘烤的温度为200摄氏度。本领域普通技术人员可理解，为了兼顾考虑可显影填充材料中溶剂的挥发和可显影填充材料的显影，太低不利于溶剂挥发，太高不利于显影，烘烤的温度可以不局限于这里的范围。
本实施例中，对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的时间随着分次涂布的可显影填充的剂量减少而缩短。优选地，对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的时间为60秒~120秒。
步骤131、使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理；
在经过多次执行步骤111和步骤121之后，完成可显影填充材料的涂布和烘烤后，再对完成烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理。
本实施例中，所述显影液可以但不仅限于为四甲基氢氧化铵。每次对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行显影处理时，每次使用的显影液的剂量可以为30毫升~60毫升，优选地，每次使用的显影液的剂量可以为50毫升。
本实施例中，对每次烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行显影处理时，每次使用的显影液的温度可以为23摄氏度~26摄氏度，优选地，每次使用的显影液的温度可以为25摄氏度。
本实施例中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，显影液的浸泡时间随着显影次数的增加而依次递减。优选地，每次显影液的浸泡时间为2分钟~6分钟。
步骤141、每次显影处理后对半导体基片进行冲洗。
本实施例中，使用去离子水对显影处理后的半导基片进行冲洗，具体地，每次冲洗的时间为25秒~40秒，优选地，每次冲洗的时间为30秒。此处，只要保证冲洗的效果，本领域普通技术人员可以根据实际需求，灵活设置冲洗的时间，以坚固考虑冲洗效果和生产效率（throughput）。
步骤102、在所述硅通孔中的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料，所述光刻胶材料与所述可显影填充材料相兼容。
在所述硅通孔中的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料时，光刻胶材料的剂量可以为2.5毫升~3.5毫升，优选地，光刻胶材料的剂量为3毫升。此处的涂布可采用常用的涂布工艺，并不做具体限定。所述光刻胶材料与所述可显影填充材料相兼容是指可显影填充材料不溶解于所述光刻胶中。
本实施例中，在完成光刻胶的涂布后，还可以对光刻胶的进行烘烤处理，可以根据光刻胶的特性来控制烘烤的时间。
步骤103、对所述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内的可显影填充材料。
本实施例中，步骤103包括：对曝光处理后的光刻胶进行显影处理，去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图形；以及对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料。当可显影填充材料太厚时，可以多次显影处理可显影填充材料的去除，当可显影填充材料时比较薄时，也可以一次显影处理完成可显影填充材料的去除。进一步地，当可显影填充材料太厚时，以充分去除可显影填充材料，对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料可以包括：使用显影液分次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料。具体地，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的剂量为40毫升~60毫升，优选为50毫升。
本实施例中，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的温度可以为23摄氏度~26摄氏度，优选地，显影液的温度为25摄氏度。每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的浸泡时间可以为4分钟~8分钟。
本实施例中，所述分次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，随着显影次数的递增，每次显影液的浸泡时间递减。
本实施例中，对所述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内显影填充材料之后还可以包括：用去离子水对半导体基片进行冲洗。
图3a为本发明处于填充可显影填充材料后的变化示意图。如图3a所示，某集成电路中提供半导体基片301，该半导体基片301的背面形成有硅通孔302，半导体基片301的背面还设置有隔离层303和铜籽晶层304，硅通孔底部与半导体基片301中的金属层305接触，经过多次涂布和烘烤以及最后的多次显影和冲洗工艺，使可显影填充材料307填充硅通孔302深度的2/3。
图3b为图3a之后处于涂布光刻胶过程后的变化示意图。如图3b所示，在可显影填充材料307之上涂布光刻胶306。
图3c为对光刻胶进行曝光显影和去除可显影填充材料过程后的变化示意图。如图3c所示，对所述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶306，以形成重新布线图形308，以及利用多次显影工艺去除硅通孔302内的可显影填充材料307。
本发明的上述实施例中，利用可显影填充材料填充硅通孔，在填充材料之上再涂布光刻胶进行重新布线层曝光，最后显影去除曝光后的光刻胶和硅通孔内的可显影填充材料，从而避免了通常重新布线光刻工艺中利用光刻胶填充硅通孔时产生的通孔内光刻胶残留，最终提高了硅通孔的电学性能。
上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (32)
1.一种重新布线图形的制造方法，其特征在于，包括：
向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，所述可显影填充材料的填充深度为1/2至2/3的所述硅通孔的深度；
在所述硅通孔内的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料，所述光刻胶材料与所述可显影填充材料相兼容；
对所述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内的可显影填充材料。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料具体为：分次向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料包括：
分次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料；
对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理；
使用显影液对经过烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理；
每次显影处理后对半导体基片进行冲洗。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，随着填充次数的递增，每次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料时，使用的可显影填充材料剂量递减。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，每次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料时，使用的可显影填充材料剂量为10毫升～30毫升。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的时间随着分次涂布的可显影填充的剂量减少而缩短。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的时间为60秒～120秒。
8.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，每次对涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的温度为200摄氏度～205摄氏度。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述每次对涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的温度为200摄氏度。
10.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次使用的显影液的剂量为30毫升～60毫升。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述每次使用的显影液的剂量为50毫升。
12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述显影液为四甲基氢氧化铵。
13.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次使用的显影液的温度为23摄氏度～26摄氏度。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次使用的显影液的温度为25摄氏度。
15.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，显影液的浸泡时间随着显影次数的增加而依次递减。
16.根据权利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次显影液的浸泡时间为2分钟～6分钟。
17.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，每次显影处理后使用去离子水对半导体基片进行冲洗。
18.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述每次显影处理后使用去离子水对半导体基片进行冲洗，冲洗的时间为25秒～40秒。
19.根据权利要求18所述的制造方法，其特征在于，所述每次显影处理后使用去离子水对半导体基片进行冲洗，冲洗的时间为30秒。
20.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述硅通孔中的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料之后还包括：对所述硅通孔中涂布的光刻胶的进行烘烤。
21.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述硅通孔中的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料时，光刻胶材料的剂量为2.5毫升～3.5毫升。
22.根据权利要求21所述的制造方法，其特征在于，在所述硅通孔中的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料时，光刻胶材料的剂量为3毫升。
23.根据权利要求22所述的制造方法，其特征在于，对所述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内的可显影填充材料包括：
对曝光处理后的光刻胶进行显影处理，去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图形；
对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料。
24.根据权利要求23所述的制造方法，其特征在于，对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料包括：
使用显影液分次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料。
25.根据权利要求24所述的制造方法，其特征在于，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的剂量为40毫升～60毫升。
26.根据权利要求25所述的制造方法，其特征在于，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的剂量为50毫升。
27.根据权利要求26所述的制造方法，其特征在于，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的温度为23摄氏度～26摄氏度。
28.根据权利要求27所述的制造方法，其特征在于，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的温度为25摄氏度。
29.根据权利要求24所述的制造方法，其特征在于，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的浸泡时间为4分钟～8分钟。
30.根据权利要求24所述的制造方法，其特征在于，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，随着显影次数的递增，每次显影液的浸泡时间递减。
31.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对所述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内可显影填充材料之后包括：用去离子水对半导体基片进行冲洗。
32.根据权利要求1-31任一项所述的制造方法，其特征在于，所述可显影填充材料由有机溶剂、抗反射吸收材料、有机酸基团树脂、有机基团树脂，以及交联树脂组成，所述有机基团树脂含氧、氟元素。
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| CN201210353208.2A CN102881642B (zh) | 2012-09-20 | 2012-09-20 | 重新布线图形的形成方法 |
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