CN1404625A - 蚀刻方法 - Google Patents

蚀刻方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1404625A
CN1404625A CN01805193A CN01805193A CN1404625A CN 1404625 A CN1404625 A CN 1404625A CN 01805193 A CN01805193 A CN 01805193A CN 01805193 A CN01805193 A CN 01805193A CN 1404625 A CN1404625 A CN 1404625A
Authority
CN
China
Prior art keywords
described method
layer
organic
etching
beneath
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN01805193A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1311532C (zh
Inventor
T·卡瓦斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1404625A publication Critical patent/CN1404625A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1311532C publication Critical patent/CN1311532C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/236—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers using printing techniques, e.g. applying the etch liquid using an ink jet printer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供一种方法用于在材料中精确的目标区内蚀刻图案，它包括在材料上选择性地沉积一种物质用于溶解该材料或与该材料起化学反应。可以从有喷嘴的这类打印头沉积微滴，可以从喷嘴以一系列微滴的形式喷射出该材料，如喷墨打印头。在优选的应用中，可以从覆盖光电发射有机聚合物(6)的有机绝缘体层蚀刻出一系列的脊部(40)。然后沉积导电层(42)和用溶剂清洗溶解有机绝缘体的脊部(40)，以便为电致发光显示装置提供可用作阴极的导电条阵列。通过组合，可以为显示装置制造阳极和阴极两者而不需光刻法，这对制造大面积显示装置是特别有利的。

Description

蚀刻方法
本发明涉及材料的蚀刻。
在许多现代工业方法中，需要在材料上蚀刻复杂的和精确限定的图案。可以将蚀刻限制在该材料的范围内或者可以连续进行蚀刻直到蚀刻穿透该材料，从而露出下面材料。在许多工业应用中，例如制造电子、光学或光电装置，蚀刻工序构成装置制造中非常关键的阶段，因为蚀刻方法通常决定最终制成装置的精度。
在这样的制造技术中众所周知使用蚀刻掩模，如光刻掩模或遮挡掩模。因此，在本发明的内容中将不再详细地描述这些方法。但是，近年来已经提出各种新形式的装置，对这些装置常规的蚀刻技术存在着严重的方法上的忧虑。还有，长期以来蚀刻相对长而极窄的线存在着严重的制造困难，因为很难生产机械上牢固的蚀刻掩模，该掩模在最终的产品上将能提供所需的清晰度。
还知道已知的蚀刻技术有其它的忧虑。例如，在某些过程中需要蚀刻穿透材料层以便露出下面材料如基片的图案，而基片的表面通常有一定程度的不平度，可以将不平度看作是一系列的峰和槽。因此，要蚀刻穿透材料以便露出基片的图案而不留下任何被蚀刻材料的残渣，通常需要在开始露出基片表面上的峰后继续蚀刻过程。所以在蚀刻过程中基片本身也被蚀刻。在许多情况下这可能是不希望的，因为基片表面可能已经装设非常薄的涂层，因此必须非常小心地控制蚀刻过程，从而确保不会发生过度蚀刻。另外，现在正在对电子装置例如显示装置中应用半导体有机材料进行广泛的研究，如在电子装置中装入电致发光有机聚合物发光二极管或在集成电路中装入有机聚合物晶体管。对制造这样的装置，常规的已知蚀刻方法存在更大的忧虑，如下面概述的那样。
电致发光显示器代表一种制造高质量、彩色显示器的新颖方法。在电致发光显示器中将可溶解的聚合物沉积在固体基片上，如玻璃、塑料或硅。已经提出喷墨打印技术来沉积可溶的聚合物，这不仅是因为这种技术相对低的成本，而且因为能够使用喷墨技术加工大的面积，从而制造出相当大面积的显示器。对彩色电致发光显示器来说，许多可溶的有机聚合物每个都可沉积为聚合物点的阵列，从而为显示器提供红、绿和蓝的发光层。应用喷墨技术使这种不同聚合物的沉积成为可能，而没有构图过程中造成的聚合物材料变质。
通常，可以用两种类型的驱动方案来访问显示器的象素。一种是无源矩阵和另一种是有源矩阵方案。有源矩阵构图成多个阳极象素和一个公用的阴极，每个阳极象素带有薄膜驱动晶体管(因为有机聚合物是电流驱动装置，一般每个象素有两个薄膜驱动晶体管)。为了制造构图的阳极象素和薄膜晶体管(TFT)，一般采用常规的光刻技术。在沉积有机层之前进行这个过程，从而使它不会影响有机聚合物材料的性能。不需要很细地构图制造阴极，因为阴极可以是所有象素公用的导电层。因此，可以采用蒸发技术在有机层上制造共同的阴极，并应用金属遮挡掩模限定阴极的边框。
无源矩阵驱动方案采用在有机聚合物发光层的任一侧上排列成互相垂直的行和列的构图的阳极和阴极。利用阴极沉积，使有源矩阵方案比较容易制造，但是由于对每个象素构成TFT生产有源矩阵方案比无源矩阵方案的成本要高得多。所以，驱动这样显示器的优选方式是采用无源矩阵访问方案。但是，为这样的显示器构图阳极，和特别是构图阴极相关的技术问题困难很大。
在沉积任何可溶的有机聚合物层之前可在基片上直接制造阳极。通常用氧化铟锡(ITO)制造阳极，因为这种材料导电并相对透明。在基片上以连续层的形式构成ITO层，然后应用光刻方法构图以便提供阳极阵列。但是，光刻方法需要使用光刻掩模。虽然这样的光刻掩模通常用于制造阳极阵列，但是当显示器面积增加时它们的使用逐渐变得困难，因为在维持整个掩模区域所需的分辨率精度方向遇到了问题。为了用在大面积电致发光显示器上，应用这样的光刻掩模变得极其昂贵，它抵消了由于采用相对便宜的有机聚合物材料所产生的潜在成本效益。
关于阴极，为有机聚合物显示器构图阴极遇到极大的困难。阴极必须重叠在可溶的有机聚合物层上。构图阴极不能采用传统的光刻技术，因为所用的蚀刻剂会严重损害下面的有机材料或使它变质。因此为阴极构图已经提出其他的技术，如采用不锈钢遮挡掩模，但是这样的掩模在制成的阵列中缺乏所需的分辨率。还有，也已经提出采用预构图的的蘑菇状光刻胶分隔器，但是这样的分隔器生产成本太高，同时从它们的制造方法来看，也不适合大面积的构图。
还已经提出通过使用喷墨打印惰性聚合物接着使用粘合剂带脱离的步骤来构图遮挡掩模。但是，这样的方法具有分辨率太差的缺点，且通常在获得的阴极阵列中产生不可接受的高密度的疵点。
因此，可以看到需要一种方法能可靠地制造在材料中精密限定的图案，包括相对较长但又很细的窄线，这种方法不依赖于使用光刻掩模或遮挡掩模。还有，还需要能很容易选择蚀刻的物质，从而对选定的蚀刻物质，下面层对被蚀刻层来说可以很容易地作为蚀刻停止层。这将大大地帮助蚀刻过程，因为蚀刻步骤可以连续从而保证在蚀刻图案中有良好的清晰度，而不用考虑对下面层的损害或污染。这对制造有机聚合物装置如有机聚合物显示器特别有利，因此可以采用这样的方法为显示器制造阳极和阴极，以成本有效的解决办法甚至制造大面积的显示器，而无需忧虑因使用已知的蚀刻方法所产生的污染。
根据本发明的第一方面，提供一种在精确的目标区蚀刻材料的方法，它包括在该材料上选择性地沉积一种物质，该物质用于溶解该材料或与该材料发生化学反应。
通过沉积根据本发明的蚀刻剂，有可能蚀刻精确的目标区而不用掩模，这样避免了上述与使用掩模相关的困难。根据本发明可以非常精确地蚀刻局部的目标区。
优选的是，该物质是从有喷嘴的这类打印头沉积，可以从喷嘴以一系列微滴的形式喷射出该材料。有利的是，该方法包括蚀刻穿透该材料以便露出下面材料的区域。
最有利的是，下面材料包括用于该物质的蚀刻停止层。
在优选的布置中，该方法包括在该材料中蚀刻一批孔，因此提供下面材料的一批露出区域。
在另一种布置中该方法包括露出下面材料的细长条形式的区域。
有利的是，该方法包括露出下面材料的多个细长条。
优选的是，细长条基本上是平行的，以便提供下面材料的露出区的一批基本平行的细长条，由该材料的细长条间隔开。
最优选的是，该细长条或每个细长条的宽度小于沉积到该材料上的该物质的微滴直径。
在优选的布置中，该材料包括限定该细长条或每个细长条的边界部分，和其中该物质另外的微滴沉积到一个边界部分，从而使该一个边界部分朝另一个边界部分移动并使细长条的宽度减小。
有利的是，该方法还包括使用干的或湿的蚀刻方法蚀刻下面材料露出的一个或多个区域。
优选的是，通过从这类打印头沉积另一种物质蚀刻下面材料的一个或多个露出区域，其中该另一种物质是从喷嘴以微滴的形式沉积的。
最优选的是，沉积的另一种材料与下面材料的一个或多个露出区域接触。
该另一种材料可以沉积为覆盖该材料并伸展成与下面材料的一个或多个露出区域接触的一层。
有利的是，该另一种材料选择性地通过蒸发或喷涂进行沉积。
在另一种布置中，该另一种材料从这类打印头以液体的形式沉积到下面材料的一个或多个露出区上，该另一种材料从喷嘴以微滴的形式沉积。
最有利的是，下面材料的一个或多个露出区对另一种材料的可润湿性比该材料对另一种材料的可润湿性大，以便在下面材料的一个或多个露出区上提供该另一种材料的自我对准。
在第一优选的布置中除去该材料以便提供该另一种材料的一个或多个区域。
有利的是，该材料包括有机材料，该物质包括有机材料的溶剂和该另一种材料包括一层导电的材料。
优选的是，导电材料包括选出功小于约4.0电子伏特的材料。
下面材料可以包括聚芴或芴与共轭分子基团的组合的共聚物，而有机材料可以包括聚乙烯酚、聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
有利的是，有机材料可以包括共轭分子或共轭聚合物。
优选的是，溶剂包括甲醇、乙醇、二甲基咪唑啉酮、丁醇、正丙醇或2丙醇中的至少一种。
最优选的是，将下面材料支承在基片上，基片可以包括刚性的玻璃、塑料或硅，或者另一种是，可缠绕的塑料材料的幅面料(web)。
通过使用上述的方法可以为显示装置制造电极阵列，如阴极阵列。
在另一个布置中该材料包括有机材料，另一种材料包括另一种有机材料和该物质包括该有机材料的溶剂。
优选的是，该有机材料包括非极性有机材料和该另一种有机材料包括极性有机材料或悬浮在极性溶剂中的有机材料，以便当从打印头沉积时在下面材料的一个或多个露出的区域上提供该另一种有机材料的自我对准。
有利的是，该另一种有机材料包括导电的有机材料。
优选的是，导电有机材料包括聚3，4亚乙二氧基噻吩。
在优选的布置中，该方法包括在沉积另一种材料之前使用氟化碳等离子体进行干蚀剂，有利的是可以在此之前先进行使用氧等离子体的干蚀剂。
优选的是，用溶剂除去可以包括非极性聚合物的该有机材料，该溶剂可以包括烃溶剂。
在最优选的布置中，下面材料包括基片，它可以包括刚性玻璃、塑料或硅，或另一种是可缠绕的塑料材料的幅面料。
根据上述的另一种布置，可以为显示装置制造电极阵列如阳极阵列。
有利的是，该方法可以进一步包括提供聚乙烯酚、聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的覆盖层。
该覆盖层还可以包括共轭分子或共轭聚合物。
另一种是，该物质可以与该材料发生化学反应以便形成用于通过清洗除去的另一种物质。
优选的是，该材料包括不透明的材料，该物质包括烷基溶液或酸溶液和该材料包括可溶于烷基溶液或酸溶液的金属。在上述的方法中，有可能制造蚀刻掩模或遮挡掩模。
根据本发明的第二方面，提供包括根据上述第一优选布置制造的电极和/或根据上述另一种布置制造的电极的显示装置。
该显示装置可以有利地包括有机聚合物发射层，该层包括聚芴或芴与共轭分子基团的组合的共聚物。
在第三代替的布置中，该材料可以包括氟化聚合物层和该物质包括用于溶解氟化聚合物层的氟化有机溶剂，从而提供在氟化聚合物层中的反润湿的板状结构(dewetting bank structure)。
根据本发明的另一方面，提供通过根据第三替换布置的方法制造的反润湿的板状结构。
在本发明的又一方面，该另一种材料可以包括DNA或蛋白质。
现在仅通过进一步的实例和参考附图描述本发明的各实施例，附图有：
图1是有机聚合物显示装置的示意图；
图2是已知的光刻构图技术的示意图；
图3是表示为阴极构图使用金属遮挡掩模的示意图；
图4是用于阴极构图的预构图蘑菇形分隔器的示意图；
图5是用喷墨沉积制造的聚合物掩模的示意图；
图6A到6F示意地表示喷墨蚀刻有机聚合物层的方法；
图7A和7B示意地表示由某种物质蚀刻产生的好处之一，对该物质来说下层可以作为蚀刻停止层；
图8是说明在喷墨蚀刻期间所获得的层厚度的曲线图；
图9A和9B说明可以怎样应用本发明在材料中制成相对长而很窄的蚀刻线；
图10到10H示意说明用于制造图1中表示的显示装置阴极的本发明实施例；
图11A到11F示意说明用于制造图1中表示的显示装置阳极的本发明另一个实施例；
图12是装入根据本发明带有驱动器的显示装置的移动个人电脑的示意图；
图13是装入根据本发明带驱动器的显示装置的移动电话的示意图；
图14是装入根据本发明带驱动器的显示装置的数字相机的示意图。
参考通过使用喷墨蚀刻为有机聚合物电致发光和光致发光显示装置制造阳极和阴极，现在将描述本发明的各个方面。
参考图1，有机聚合物显示装置包括如玻璃或塑料材料的基片2，它支承导电材料如ITO、ZnO2的水平的行电极的阵列，或半透明的薄金属膜形式的阳极4。装设有机聚合物层6以覆盖阳极4。层6一般可以包括Alq3的小分子或F8/F8BT/TFB的共轭聚合物混合物，式中F8是[聚(9，9-二辛基芴)]，F8BT是[聚(9，9-二辛基芴-共-2，1，3-苯并噻二唑)]和TFB是[聚(9，9-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)二苯胺)]。这些共轭聚合物是聚芴的衍生物，它们能溶解于如氯仿、甲苯和二甲苯的有机溶剂中。使用旋涂制造单色显示器，和已经开发喷墨沉积技术给彩色显示器沉积不同的聚合物。在聚合物层6上装设导电材料垂直的列电极的阵列形式的阴极8。为了帮助将电子注射到聚合物材料中，阴极电极使用通常其逸出功小于约4.0电子伏特的低逸出功元素，如Ca、Li、Mg、Al、Ti，和稀土元素。这些元素通常是化学不稳定的。
在一般的显示装置中可以通过将一层ITO沉积在基片2上然后用常规的光刻方法蚀刻ITO层来制造阳极4。这样的方法可以获得很高的分辨率并使用方便，因为阳极4是直接形成在通常是玻璃、塑料或硅的基片上。但是，光刻技术执行起来相对复杂而且费时、成本高。此外，随着显示器尺寸的增加这种复杂性也提高，因为在掩模的整个面积上要达到所需的清晰度光刻掩模的制造就变得极其困难。因此，这样的技术甚至不能理想地适合制造有机聚合物显示器中的阳极，因为不能全部实现有机聚合物材料特别是大尺寸显示器生产中的低成本效益。
通过使用光刻胶与干的或湿的蚀刻组合以便在光刻胶10的构图层中选择性地除去不要的区域12和留下需要的图案，在常规的LCD或LED显示器中可以获得一层的光刻构图，如在图2中示意表示的构图层10，它通常可以包括在图1中表示的阴极。另一种是，可以使用光刻胶层与蒸发或“脱离”技术组合以便获得所需的图案。这样的技术在先有技术中是众所周知的，因此在本发明的上下文中将不再进一步描述。但是，如在图1中可见，在有机聚合物电致发光显示器中，阴极8覆盖在有机聚合物层6上并与其接触。因此，为了制造阴极8，如果使用光刻技术将会遇到严重的困难和缺陷。
因为层6是有机材料，它将与光刻过程中用的化学试剂起反应，这些化学试剂如光刻胶溶液、显影剂、和用于该层构图之后剥离光刻胶层的剥离剂。例如，层6的有机材料可能被光刻胶材料溶解和/或可能被搀上杂质。搀上杂质可以有各种形式，但一般可以产生有机材料内的猝灭或位点陷阱。还有，用于光刻胶曝光的UV光可以在有机层中产生光氧化或粘连缺陷。由有机聚合物材料对常规光刻过程的反应所造成的这些不小的困难，比光刻过程本身的实际成本负担更为严重，因为使用该过程使有机材料实际性能质量大大降低；即用很高的生产成本制成性能很差的显示器。
也已经提出使用金属遮挡掩模进行阴极构图。如从图3中可见，这个方法包括使用通常是不锈钢的带孔的金属掩模14。通过蒸发沉积来沉积阴极材料，但使掩模14与有机层略有距离以便防止金属掩模污染有机层和在有机层中产生缺陷。由于蒸发的材料通过掩模中的孔18，它的沉积角在方向上可能改变，使沉积的材料分布在比掩模中定义的区域更宽的区域上，使得到的沉积阴极分辨率差。还有，掩模必须是实际所需阴极图案的负象，所以该掩模包括仅是布置在相当大的孔之间的相当窄的金属条(对应于阴极阵列中各元件之间的间距)。因此该掩模机械上不牢固和不能用于制造大面积显示器的阴极。如果通过装设较宽的金属条使掩模比较牢固，那么就相应增加了阴极相邻电极之间的距离，也就减小了发射面积和显示器的分辨率。另外，需要平行的沉积束来覆盖显示器的整个面积。将能理解，当显示面积增加时就需要增加阴极材料源和目标基片之间的距离，以便确保在整个相对较大的沉积面积上提供平行材料束。所以沉积室的尺寸变得很大，大部分蒸发材料沉积在该室的壁上而不是在目标基片上。这两个因素增加了加工成本，因此也增加了最终显示装置的成本。此外，为了能使遮挡掩模重复使用，必须除去沉积在遮挡掩模上的材料以便能维持所需的掩模中孔18的清晰度。清洗遮挡掩模也可能成为问题，使显示器装置的生产成本进一步增加。
也已经提出如图4中所示的预构图的蘑菇状分隔器20用于阴极构图。在基片上形成蘑菇状分隔器，并顺序沉积有机聚合物材料6和阴极8。用这些蘑菇状分隔器，可以形成电气上互相隔离的阴极列，而不使用金属遮挡掩模。但是，蘑菇状分隔器20通常是用光刻法和各向同性蚀刻法组合制造，需要掩模并且时间相当长，因此是费用很高的方法。还有，从沉积阴极材料所需的沉积束的角度来说，由于偶然倾斜的沉积束可能发生材料沉积到蘑菇状分隔器20的侧表面22上，从而造成阴性柱之间的短路。随着显示器面积的尺寸增加这些困难也增加，因为大面积的蒸发沉积方法要求比小面积更加倾斜的沉积束。因此结论是，这样的分隔器不适合大面积的阴极构图。
为在发射的有机聚合物层上制造构图的阴极还提出了使用惰性聚合物的喷墨打印的遮挡掩模。在图5中示出其一部分的聚合物掩模24是以一系列的线打印在有机聚合物层上，在喷墨打印线之间的间距确定接着沉积的阴极中的电极的宽度。用弱的粘合剂带使图5中表示的突起区中的惰性聚合物掩模24脱离。但是，在这样的布置中喷墨沉积的掩模的线宽是相对较大的，一般大于100微米，这就减小了最终显示器中发射的面积。这是很不希望的，特别是在高清晰度的显示器中。这个线宽增加，因为沉积的溶液在表面上扩散使得采用喷墨构图技术很难画出细的线。惰性聚合物溶液的扩散还造成沉积材料的厚度很薄，使得很难应用常规的脱离技术。此外，该方法还产生相对高密度的缺陷，同样影响图象的分辨率。
不仅对有机聚合物显示器存在上述问题，而且对其他电子装置的制造，特别是结合有机半导体材料的那些装置的制造也存在上述问题。还有，如上所述，相对长而极窄的线的构图已经证明是有问题的，因为不能提供有足够机械强度的蚀刻掩模来精确限定这样的线。本发明寻求提供解决这些已知技术中的问题的办法，即通过以微滴的形式将蚀刻剂沉积在要蚀刻的材料上来解决。如果可以适当地控制微滴的沉积，和选择蚀刻剂以便使蚀刻剂溶解要蚀刻的材料或与其发生化学反应，那么就可能在材料中或透过材料蚀刻出很精细和精确限定的图案，而不需要光刻或遮挡掩模。
用本发明已经实现，通过使用有喷嘴的这类打印头可以方便地获得这样精确的蚀刻剂沉积，材料可从喷嘴成一系列的微滴喷出。很容易得到的这类打印头是喷墨打印头，接着将参照这样的打印头描述本发明。但是，应该认识到也可以使用其他的机构来实现本发明的方法，如使用很细的微型滴管在计算机控制下在要蚀刻的材料表面上移动。通常用来实行本发明方法的喷嘴具有的喷射小孔的直径小于约100微米。
另外，下面还参考使用一种溶剂作为蚀刻剂材料的方法描述本发明。但是，也应该理解蚀刻剂可以等同地包含一种物质，它与要蚀刻的材料产生化学反应而生成另一种材料，例如该另一种材料可以通过冲洗除去。
现在参考图6A到6F，参考喷墨蚀刻在有机层中的构图孔或线的原理描述本发明。已经发现这种蚀刻原理，特别是通过使用喷墨打印头是特别有利的，因为从下面的描述中将会很清楚，使用这样的喷墨打印头进行蚀刻能为显示器制造阳极和阴极两者，而不需使用光刻或遮挡掩模。特别是对有机聚合物显示器这显得尤其重要，因为随着显示器面积增加困难也增加，从而使用已知的采用光刻或遮挡掩模的方法其成本显著增加。
图6A到6F图解说明相对于材料层的这种喷墨蚀刻的原理，该材料层可能包括在有机聚合物显示器中使用的有机聚合物材料。但是，应该理解喷墨蚀刻的原理并不限于制造这样的材料或这样的显示器，而是可以用于任何的应用中，这些应用里需要在材料中限定精确的图案，如在掩模(例如光学遮挡掩模)的制造中或反润湿板状结构的制造中，还使用在电致发光显示器的制造中。
从图6A中可见，基片2支承光致发光非极性有机聚合物材料层6，该材料包括聚芴或氟与共轭分子基团的组合的共聚物，如F8、F8BT或TFB或它们的任何掺混物。可以通过旋涂或溶液的喷墨沉积施加层6，溶液中使用非极性有机溶剂，如甲苯、二甲苯、或环己基苯。极性有机材料的另一层26，如聚乙烯酚、(PVP)、聚乙烯醇(PVA)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，共轭分子或共轭聚合物或它们的共聚物沉积在光电发射层6上。层26一般厚度为约1微米。将极性溶剂，如甲醇、乙醇、丁醇、异丙醇、正丙醇、2丙醇、丙酮或二甲基咪唑啉酮从喷墨打印头28以一系列微滴的形式沉积到层26，其中的两滴30和32表示在图6A到6F中。
在本发明中已经发现，当蚀刻剂已经干燥或蒸发时蚀刻物质的喷墨沉积形成相当独特的厚度分布。在微滴沉积在固体表面之后大部分被蚀刻的材料包含在微滴的边缘区，和只有相对很少的材料在微滴的中间区。用溶剂点滴成孔的物理现象与常规的湿蚀刻技术的现象不同。在常规的情况下，大部分蚀刻剂和清洗液体将目标材料蚀刻和清洗掉。在这样的蚀刻过程中，材料扩散到液体中或从基片流走。在本发明中，材料并没有随溶剂的总体流动从基片流走。材料是从孔的中心区局部转移到边缘。借助固着的微滴中的微流体流可以理解这种蚀刻机理。已经提出这种微流体流来解释由在固体表面上的一滴溶液形成环形的“咖啡污点(coffee stain)”。当该滴溶液在有固定接触线的表面上干燥时，发生这样的流动是为了补偿微滴范围内体积变化和蒸发速率的差异。在微滴的边缘区溶剂的蒸发速率高，但体积变化被固定的接触线限制。另一方面，在中心区产生较大的体积变化而蒸发率较低。径向的微流体流将溶液从中心供给边缘区以便补偿这种差别。结果，在边缘区增加了溶质的沉积而在中心区形成比预想的要薄的层。相信同样的机理发生在孔的形成中。当溶剂微滴沉积在绝缘体上时，绝缘体部分溶解在其中。溶解在溶剂滴中的绝缘体被该流动从中心带到边缘，并在那里固化，结果形成火山口状的孔。脊部中的聚合物被溶解在沉积的溶剂微滴中，但它不能扩散到中心区，因为很快的微流体流将包含聚合物的溶剂推回来。换句话说，聚合物的净质量流总是发生在从中心到边缘的方向，造成材料完全从中心区移走。
当第一滴溶剂30沉积到层26上时，微滴倾向于侧向扩散并有部分的层26溶解到溶剂中，如图6B所示。当溶剂蒸发时，围绕微滴30的边缘建立起层26的聚合物材料的环34，如图6C中所示。这是由于聚合物被径向微流体流携带。携带的聚合物重新沉积在图6B中所示的边缘区。如图6D中所示，溶剂的第二滴32接着沉积在由第一滴沉积所产生的环34内。从图6E可见，环34的作用是包含第二滴32并防止溶剂的侧向扩散。第二微滴32进一步蚀刻到层26中，并随着溶剂蒸发，环34的高度增加，如图6F所示。任何接着的溶剂微滴同样都被保留在环34内直到层26被蚀刻穿透以露出包括层6的下面材料的区域36。还应该注意，当仅用第一滴溶剂就能溶解聚合物直接通到该层的底部和用一滴已经有效地获得蚀刻到下面材料的情况时，第二滴和接着的微滴并不是必需的。但是，接着的微滴在到达蚀刻的孔底之后，从产生的孔的底部完全除去聚合物材料可能是有用的。当下面材料有不平的表面时这可能是特别有利的，如图7A和7B中所示。
从图7A和7B可见层6有不平的表面。当溶剂微滴到达层6的区域36时，层6的小峰如在图7A中所示的峰6a首先露出。但是，如在图7A中由黑的区域26a表示的层26的小区仍存在于层6的峰6a之间。因为选择的溶剂是会溶解层26的材料但不会溶解层6的材料，即层6的材料对溶剂蚀刻剂来说起自然的蚀刻停止作用，所以可以用接着的溶剂微滴从区域36内除去区域26a，而不用考虑会蚀刻层6，从而留下在层26中有底部的孔，包括层6表面的底部没有被层26材料的区域所污染，如图7B所示。
图8表示扫描过由喷墨沉积形成的集结环(nucleation ring)所获得的测量值，集结环分别是由1、3和8微滴溶剂在相对厚的有机绝缘体层如图6A到6F中表示的层26上喷墨沉积而形成，该有机绝缘体层可能包含PVP。从图8中表示的曲线注意到有兴趣的东西是，当溶剂的更多的微滴喷墨沉积到该层上时，蚀刻入该层中的孔的宽度倾向于用具有相对大角度的壁结构更好地限定。还有，蚀刻孔尺寸在孔或环内一深度上倾向于随着更多微滴的沉积而减小，该深度与环外部的层的表面的水平接近。这是因为在蚀刻孔的最底部分中溶解在溶剂中的某些材料，当溶剂蒸发时又重新沉积在孔的壁表面上。认为这是喷墨蚀刻特别有利的方面，因为在要构图的层中可以蚀刻出很窄而又很好限定的图案。
通过利用喷墨蚀刻这方面，可以蚀刻的图案或线条其宽度小于溶剂沉积到层26上时的溶剂微滴的直径。应该注意可以使用喷墨蚀刻这方面的溶剂有两种，它们是溶解要蚀刻材料的溶剂或溶解通过与要蚀刻材料起化学反应进行蚀刻的物质的溶剂。
用目前的喷墨头，从头的喷嘴可以喷射的溶剂微滴其直径约为30微米。但是，这样的溶剂通常有约8°的接触角，所以沉积的溶剂微滴一般假定为这样，一旦沉积到材料层上就有约60到70微米的直径。
参考图9A，图中表示由喷墨蚀刻在层26中形成的槽或通道，通道有表示为A的宽度，宽度基本上由溶剂沉积微滴的直径、溶剂的类型、和层26表面的可润湿性决定。当接着的溶剂微滴选择性地沉积以覆盖通道的边界部分37a时，形成边界部分37a的层26的材料溶解在接着的溶剂微滴中。层26的材料在微滴内流动并向微滴的边缘集中—这就是在层26中蚀刻该通道时产生边界部分37a(也称为集结边缘)的原理。因此，当接着的溶剂微滴沉积在边界部分37a时，可以使该边界部分朝向位于该通道相对侧上的边界部分37b移动，从而减小通道的宽度A。在图9B中由移动量B表示。以这种方式通过蚀刻可以制造很窄的线或通道，其宽度小于溶剂沉积微滴的直径。还有，一旦通过上述技术将通道减小到所需的宽度，在偏离该通道的位置上可以重复该过程，例如在图9A中所示的接着的微滴的右边，以便在邻近的通道之间造成层26材料的很窄的脊部，而每个通道的宽度都小于沉积到层26表面上时的溶剂微滴的直径。
下面的例子解释通过喷墨蚀刻和脱离技术在有机发光装置中的光电发射有机层上的条状阴极的构图。
图10A到10D说明在有机绝缘材料例如PVP的层26中构图很窄的线，层26覆盖在光电发射有机聚合物层6上，而层6支承在基片2上。如从图10B可见，在层26的表面上移动喷墨打印头(未表示)，以便沉积溶剂如甲醇、乙醇、和丙醇的许多微滴。最好，这样沉积微滴使邻近的微滴互相部分重叠。以这种方式在层26中产生窄的槽或通道并重复该过程直到溶剂完全蚀刻穿透层26以露出层6的细长条形区38。然后侧向移动喷墨头跨过层26的表面和重复该过程以蚀刻出层26中接着的槽，邻近的槽被PVP有机绝缘材料的细长脊部40分离。在图10F中表示所获得的结构。应该注意，因为层26的PVP有机绝缘材料是极性有机材料，而层6的光电发射的有机材料如F8是非极性有机材料，用于溶解和蚀刻穿透层26的溶剂将不会溶解层6。因此，对喷墨蚀刻方法来说层6的作用如自然的蚀刻停止层。通过使用如上述的层26的喷墨蚀刻，在底部可以很容易获得宽度小于10微米的脊部40。
原理上，可以通过喷墨沉积材料的溶液来沉积材料的线条。但是实践上通过喷墨沉积要沉积出约10微米宽度的窄的材料线是极其困难的。即使沉积微滴的直径是10微米，对目前技术水平的喷墨头来说也是非常小的尺寸，在基片上这个10微米的微滴扩散到大于20微米。由水基的溶液得到的线的宽度大于50微米，水基溶液有很大的表面张力使扩散较小，而基于非极性有机溶剂的溶液则得到大于100微米的线宽。溶液扩散这方面是不利的，但通过适当控制打印头的定位，可以提供对这种限制的解决办法，如参考图9A和9B已经描述的那样，能够获得这样很窄的线。
还有，在某些情况下在光电发射层6上脊部40之间可能留下很薄的PVP层。当阴极金属沉积到这个薄层上时这个薄的PVP层可能会降低光电发射装置的效率。但是，通过多次沉积溶剂到脊部40之间的区域可以除去这个薄层。将少量的光电发射层6的溶剂，如甲苯或二甲苯加入到PVP的溶剂中的方案也能非常有效地从层6的表面除去极薄的PVP层。例如，可以使用98％异丙醇和2％甲苯的混合物作为喷墨蚀刻的溶剂。在混合物中的甲苯非常轻微地蚀刻光电发射层6，这有助于从光电发射层6的表面完全除去PVP层。
然后将导电材料层42，如其逸出功小于约4.0电子伏特的钙和铝双层，沉积到PVP有机绝缘材料的脊部40上面。可以看到层6的喷墨蚀刻产生有陡的侧部的细长的脊部40。因此沉积的层42在脊部40之间的槽底部区域的厚度比脊部40陡的侧壁上的区域44的厚度要大得多，如从图10G中可见。可以使用任何合适的方法沉积导电层42，如通过喷涂或蒸发沉积。接着将图10G中表示的结构在用于脊部40的PVP材料的极性溶剂，如甲醇、乙醇、丙酮或丙醇中清洗。这种脱离过程是可能的，因为层42在区域44内相对很薄并可能含有小孔，所以溶剂能够到达和溶解脊部40，从而产生重叠在光电发射有机聚合物层6上的导电条46的阵列，如图10H所示。如果需要，该脱离过程可以在声波浴槽中进行，在浴槽中可以施加超声波搅拌使区域44中的导电层42破裂并有助于使脊部40暴露于溶剂中。
可以理解，可以使用导电条46作为光电发射有机聚合物层6的阴极，和通过采用喷墨蚀刻已经制成阴极，而不需费用昂贵和困难的光掩模或遮挡掩模。在喷墨蚀刻中使用的溶剂不会影响发射层6的表面，因为发射层6的有机材料不溶解在蚀刻溶剂中和因为如上所述有可能从发射层6的表面除去构图材料(如PVP)。还有，因为脊部可以限定在小于10微米的宽度，所以显示面积损失极小。例如，条节距为100微米的阴极条之间有20微米宽的隔离区，这通过喷墨蚀刻和脱离技术可以很容易地做到，这样得到发射面积比是80％，足够提供很亮和有效的有机光电发射显示器。
也可以使用喷墨蚀刻原理非常有利地制造电致发光显示器的阳极，如前所述，阳极通常是由常规的光刻技术使用光掩模制造，光掩模并不适合容易地制造大面积的显示器。现在将参考图11A到11F描述这个方法。
在本发明的上述例子中，使用聚乙烯酚(PVP)作为构图的材料，但这并不意味着PVP是喷墨蚀刻仅有的使用材料。对任何可溶材料或材料的混合物制成的层，通过使用对该层有良好的溶解性的溶剂就可采用喷墨蚀刻。对构图材料的主要考虑是使用的材料的溶剂基本上不会溶解和影响下层或基片。具备这种条件，那么下层或基片可以作为蚀刻停止层，所以可以在有不用考虑过度蚀刻或欠蚀刻的附加优点的情况下执行喷墨蚀刻。还有，通过控制蚀刻剂的喷射和喷墨头的平移，不仅可以蚀刻条状，而且可以蚀刻点、或任意的图案。
参考图11A，为制造阳极电极，基片2带有非极性有机材料层48，如聚苯乙烯、聚乙烯、聚异丁烯、聚(P-甲基苯乙烯)、聚丙烯或F8。基片2一般是玻璃基片或塑料基片，虽然也可使用硅作基片。通常可以用旋涂提供层48。与上述参考图10A到10H构成阴极的程序一样，用喷墨打印头可选择地沉积层48的溶剂微滴。从图11A到11C可见，将非极性烃溶剂如甲苯或二甲苯的微滴50沉积到层48上，从而在层48中蚀刻出一系列的槽以便产生由基片2支承的非极性材料的脊部52。到这个阶段，该方法与上述关于制造阴极的方法相同只是使用的材料不同。在图11C中可见所获得的结构。可以用氧进行等离子体处理以便使基片的表面对极性溶液更加湿润。然后使用喷墨打印头28沉积导电极性聚合物的微滴54，如聚(3，4亚乙二氧基噻吩)(PEDOT)或聚吡咯、聚苯胺，它们在极性溶剂如水中溶解或悬浮。脊部52是非极性材料，所以微滴54不会溶解脊部或与脊部起反应而是被限制在脊部52之间的槽内。在脊部52之间的区域对极性溶剂有湿润的表面，这可以通过用氧进行等离子体处理给予增强，另一方面非极性的脊部52对极性溶剂表现反润湿的特性。当导电极性聚合物溶液的微滴沉积到反润湿的脊部52之间的基片上(有良好的湿润表面)时，由于基片和脊部的表面之间润湿特性的差异使极性溶液自然被限制在脊部之间。即使当脊部52的宽度很小时，这种自我对准的机理对防止在导电条之间形成短路是有利的，因为导电极性聚合物被限制在脊部之间的区域并不会沉积到脊部上。
在喷墨蚀刻之后可以施加采用氟化碳如CF4蒸汽的等离子体干蚀刻，以便从基片2的表面上除去任何非极性材料的很薄的残留层。等离子体可以蚀刻掉极薄的残留层。还有，有机材料的脊部52的表面被氟化碳的蒸汽氟化，从而得到对极性溶液非常反润湿的表面。当基片是无机材料如玻璃时，其表面不会氟化。这产生在脊部之间的区域的可润湿的表面。这就进一步提高在脊部之间导电极性聚合物的自我对准，进一步减小邻近电极之间短路的可能性。因此，通过使用这种等离子体蚀刻步骤可以提高由于可润湿性的差别产生的自我对准的性能。
极性溶剂蒸发之后，留下由该材料的脊部52分开的导电材料的条56，如图11E中所示。然后可在非极性溶剂中清洗图11E所示的结构，以便使非极性材料的脊部52溶解而在基片2上留下导电极性材料的细长条56，如图11F中所示。
可以使用相对透明和导电的传导聚合物材料如PEDOT制造条56，因此可以用它作为显示装置特别是电致发光显示装置的阳极。
将能理解，可以在图11F中表示的结构上涂复一层光电发射有机聚合物，如图10A到10H的F8层6，接着涂复一层惰性聚合物，如图8A的PVP层26。如参考图10A到10H描述的那样，然后采用喷墨打印头和合适的溶剂可以蚀刻层26，以便为显示器提供阴极。
从上面的描述中可见，通过使用喷墨打印头，使用合适选择的沉积溶剂进行蚀刻，可以达到各层良好限定的构图。因此，可以使用这样的喷墨蚀刻为显示器制造阴电极或阳电极，或者两种电极，而不需使用蚀刻掩模或遮挡掩模。
在喷墨蚀刻之后，干或湿的蚀刻也可用于在基片或下层中制造图案。例如，当一个结构如带有脊部52的基片用氧等离子体进行干蚀刻时，在基片中形成槽。通过喷墨蚀刻和常规蚀刻的组合，甚至可在不可溶材料中在低成本下构成图案。
还能理解，本发明的方法在制造大面积显示器中特别有利。所以，本发明并不局限于蚀刻支承在刚性基片如玻璃上的各层，而是可以同样用于塑料基片上。还有，如采用喷墨打印头蚀刻各层中的图案一样，可以在支承于可缠绕的塑料基片的幅面料或卷上的材料中使用本发明。这样的基片可以由供应卷筒供给到接纳卷筒，中间经过各加工站，在那里将各层放下，可以通过使用喷墨打印头，和接着蚀刻，也可以通过使用喷墨打印头，在材料的幅面料上提供连续制造的显示器装置。然后可以将塑料幅面料再分开以便提供各个显示器。
还有，应该认识到，喷墨蚀刻并不局限于在可以溶解于由喷墨打印头沉积的溶剂中的材料中构图。也可以使用与要蚀刻的层起某些化学反应的各种物质的形式的蚀刻剂。例如，用氢氧化钠可与钙和铝的双层反应。因此，通过喷墨打印头在铝上选择性地沉积氢氧化钠将在表面上留下氢氧化铝的图案，可以用水冲洗该表面。所以通过合适选择用作蚀刻剂的物质，可以使用喷墨蚀刻在金属层上构图或制造掩模。可以采用喷墨蚀刻的掩模在下层作进一步干或湿的蚀刻或化学掺杂。还有，通过喷墨蚀刻不透明的可溶层也可以制造光学遮挡掩模。
另外，已知应用板状结构制造有机聚合物LED显示器。通常，反润湿板状结构采取板状材料中井的阵列形式，它可以限制均匀沉积的包括非极性溶剂的溶液，该溶液通常有低的接触角并倾向于在它们沉积的表面上扩散。例如，通过用喷墨沉积氟化有机溶剂蚀刻氟化的聚合物层以提供反润湿的板状结构，也能有利地形成板状结构。
也已经提议采用亲水和疏水的构图表面作为DNA或蛋白质阵列的模板。应用自动的销针工具装载策略，亲水区有助于保持放在其上面的小容量的不同的DNA或蛋白质溶液。该方法允许阵列表面上DNA链或蛋白质的有效连接、操作和混杂。但是，尽管DNA链或蛋白质连接到表面的化学机理是关键，但构图的基片的形成也是重要的方面，以便保证可以将要试验的物质精确地放到阵列元件上。通常，已经提议用光刻技术制造这样的阵列元件。但是，也可以用本发明的方法制造这样的阵列元件的构图表面，还有，还可以使用本发明的方法将试验的DNA或蛋白质样品沉积到构图的表面上。
虽然已经参考各种例子描述了本发明，在例子中将材料蚀刻穿透，以便露出下面材料或基片的区域，但应该理解也可以应用本发明有利地实现，在仅需蚀刻入材料中而不需蚀刻穿透时，提供伸展到材料中的蚀刻图案。接着也可以布置这样产生的图案，以使用本发明的方法例如通过使用喷墨打印头接纳另外的材料。
可以使用本发明的方法制造装入各种设备中的显示器装置，这些设备例如移动显示器如移动电话、膝上型个人电脑、DVD播放机、照相机、野外设备；便携式显示器如台式计算机、CCTV或摄影集；或工业显示器如控制室设备显示器。
现在将描述使用上述显示器装置的几种电子设备。<1.移动电脑>
现在将描述将根据上述一个实施例的显示器装置装入移动个人电脑的例子。
图12是等比例视图，说明这种个人电脑的结构。在图中，个人电脑1100装设包括键盘1102和显示单元1106的本体1104。显示单元1106是采用如上所述的、根据本发明制造的显示屏实现的。<2.便携电话>
接着将描述将显示装置装入便携电话显示部分的例子。图13是等比例图，说明便携电话的结构。在图中，便携电话1200装设许多操作键1202、耳机1204、送话口1206、和显示屏100。这个显示屏100是采用如上述的、根据本发明制造的显示屏实现的。<3.数字静物照相机>
接着将描述应用OEL显示装置作为取景器的数字静物照相机。图14是等比例图，简单说明数字静物照相机的结构和与外部装置的连接。
一般的照相机是根据物体的光学图像使胶卷感光，而数字静物照相机1300通过光电转换，如使用电荷耦合装置(CCD)从物体的光学图像产生图像信号。数字静物照相机1300在壳体1302的背面装设OEL元件100以便根据从CCD来的图像信号进行显示。这样，显示屏100的作用如显示物体的取景器。包括光学镜头和CCD的光接受单元1304装设在壳体1302的前侧(在图的后面)。
当摄影师确定显示在OEL元件屏幕100中的物体图像和释放快门时，将从CCD来的图像信号传送和存储在电路板1308中的存储器中。在数字静物照相机1300中，在壳体1302的侧边装设用于数据通讯的视频信号输出端1312和输入/输出端1314。如图中所示，如果需要，将电视监视器1430和个人电脑1440分别连接到视频信号端1312和输入/输出端1314。将存储在电路板1308的存储器中的图像信号通过给定的操作输出到电视监视器1430和个人电脑1440。
除了表示在图12中的个人电脑、表示在图13中的便携电话、表示在图14中的数字静物照相机之外，电子设备的实例包括OEL元件电视机、取景器型和监视型带式录像机、汽车导航系统、寻呼机、电子笔记本、便携计算器、文字处理器、工作站、TV电话、销售点系统(POS)终端、和装设接触屏幕的装置。当然，可以将上述的OEL装置加到这些电子设备的显示部分。
已经仅通过实例给出上面的描述，对所属技术领域的普通技术人员来说，将能理解可以进行各种修改而不会背离本发明的范畴。

Claims (62)

1.一种在精确的目标区域中蚀刻材料的方法，其包括选择性地在该材料上沉积一物质，该物质用于溶解该材料或与该材料起化学反应。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，从具有喷嘴的这类打印头沉积该物质，从该喷嘴以一系列的微滴喷射出该材料。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，喷嘴的喷射小孔的直径小于约100微米。
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其包括蚀刻穿透该材料以便露出下面材料的区域。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，下面材料包括用于该物质的蚀刻停止层。
6.如权利要求4或5所述的方法，其包括在该材料中蚀刻一批孔，从而提供下面材料的一批露出区域。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该批露出区域的形状基本是圆的。
8.如权利要求4或5所述的方法，其包括使细长条形式的下面材料的区域露出。
9.如权利要求8所述的方法，其包括使下面材料的多个细长条露出。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，细长条是基本平行的，以便提供下面材料的露出区域的一批基本平行的细长条，这些露出区域的细长条被该材料的细长条间隔开。
11.如权利要求8至10中任一项所述的方法，其特征在于，该细长条或每个细长条的宽度小于该物质沉积到该材料上时的微滴的直径。
12.如权利要求8至11中任一项所述的方法，其特征在于，该材料包括限定一细长条的细长侧边的边界部分，并且其中将该物质的另外的微滴沉积到一个边界部分上，从而使所述一个边界部分朝其它边界部分移动并减小细长条的宽度。
13.如权利要求4至12中任一项所述的方法，其包括用干蚀刻方法蚀刻下面材料的一个或多个露出区域。
14.如权利要求4至12中任一项所述的方法，其包括用湿蚀刻方法蚀刻下面材料的一个或多个露出区域。
15.如权利要求14所述的方法，其包括通过从这类打印头沉积另外的物质蚀刻下面材料的一个或多个露出区域，其中将该另外的物质以微滴的形式从喷嘴沉积。
16.如权利要求4至15中任一项所述的方法，其包括沉积与下面材料的一个或多个露出区域接触的另外的材料。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，将另外的材料沉积成为覆盖该材料并延伸成与下面材料的一个或多个露出区域接触的层。
18.如权利要求15所述的方法，其特征在于，该另外的材料是通过蒸发或喷涂沉积的。
19.如权利要求16所述的方法，其特征在于，从这类打印头将另外的材料以液体的形式选择性地沉积到下面材料的一个或多个露出区域上，在该打印头中将该另外的材料从喷嘴以微滴的形式沉积。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，下面材料的一个或多个露出区域对该另外的材料的可润湿性大于该材料对该另外的材料的可润湿性，以便在下面材料的一个或多个露出区域上提供该另外的材料的自对准。
21.如权利要求16至20中任一项所述的方法，其包括除去该材料以便提供该另外的材料的一个或多个区域。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，通过在溶剂中清洗除去该材料。
23.如权利要求4至17中任一项所述的方法，其包括化学掺杂下面材料的一个或多个区域。
24.如从属于权利要求16至18的权利要求21所述的方法，其特征在于，该材料包括有机材料，该物质包括用于有机材料的溶剂，并且该另外的材料包括导电材料层。
25.如权利要求24所述的方法，其特征在于，导电材料包括具有的逸出功小于约4.0电子伏特的材料。
26.如权利要求24或25所述的方法，其特征在于，下面材料包括聚芴或芴与共轭分子基团的组合的共聚物。
27.如权利要求24至26中任一项所述的方法，其特征在于，该有机材料包括聚乙烯酚、聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
28.如权利要求24至26中任一项所述的方法，其特征在于，该有机材料包括共轭的分子或共轭的聚合物。
29.如权利要求27或28所述的方法，其特征在于，溶剂包括甲醇、乙醇、二甲基咪唑啉酮、丁醇、正丙醇或2丙醇中的至少一种。
30.如权利要求24至29中任一项所述的方法，其包括将导电材料暴露在超声搅拌中以便有助于除去有机材料。
31.如权利要求24至30中任一项所述的方法，其特征在于，将下面材料支承在基片上。
32.如权利要求31所述的方法，其特征在于，基片包括刚性的玻璃、塑料或硅。
33.如权利要求31所述的方法，其特征在于，基片包括可缠绕的塑料材料的幅面料。
34.如从属于权利要求19或20的权利要求21所述的方法，其特征在于，该材料包括有机材料，该另外的材料包括另外的有机材料，并且该物质包括用于该有机材料的溶剂。
35.如权利要求34所述的方法，其特征在于，该有机材料包括非极性有机材料，并且该另外的有机材料包括极性有机材料或在极性溶剂中悬浮的有机材料，以便当从打印头沉积时在下面材料的一个或多个露出区域上提供该另外的有机材料的自对准。
36.如权利要求34或35所述的方法，其特征在于，该另外的有机材料包括导电的有机材料。
37.如权利要求36所述的方法，其特征在于，该另外的有机材料包括聚3，4亚乙二氧基噻吩。
38.如权利要求34至37中任一项所述的方法，其包括在沉积该另外的材料之前使用氟化碳等离子体进行干蚀剂。
39.如权利要求38所述的方法，其包括在使用氟化碳等离子体进行干蚀刻之前使用氧等离子体进行干蚀刻。
40.如权利要求34至39中任一项所述的方法，其特征在于，用溶剂除去该有机材料。
41.如权利要求34至40中任一项所述的方法，其特征在于，该有机材料包括在烃溶剂中可溶的非极性聚合物。
42.如权利要求34至41中任一项所述的方法，其特征在于，下面材料包括基片。
43.如权利要求42所述的方法，其特征在于，基片包括刚性的玻璃、塑料或硅的基片。
44.如权利要求43所述的方法，其特征在于，基片包括可缠绕的塑料材料的幅面料。
45.如权利要求42至44中任一项所述的方法，其特征在于，基片的表面提供有氧等离子体的预处理。
46.如权利要求34至45中任一项所述的方法，其包括提供聚乙烯酚、聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的覆盖层。
47.如权利要求34至35中任一项所述的方法，其包括提供共轭分子或共轭聚合物的覆盖层。
48.一种为显示装置制造电极的方法，其包括如权利要求34至47中任一项所述的方法。
49.一种为显示装置制造电极的方法，其包括如权利要求24至33中任一项所述的方法。
50.如权利要求1至23中任一项所述的方法，其特征在于，该物质与该材料起化学反应从而形成用于通过清洗除去的另外的物质。
51.如权利要求50所述的方法，其包括通过清洗除去另外的物质。
52.如权利要求50或51所述的方法，其特征在于，该材料包括不透明的材料。
53.如权利要求52所述的方法，其特征在于，该物质包括烷基溶液或酸溶液，并且该材料包括可溶于烷基溶液或酸溶液中的金属。
54.一种蚀刻掩模，其采用如权利要求51至53中任一项所述的方法，或如从属于权利要求4至15中任一项的权利要求50所述的方法制造。
55.一种遮挡掩模，其采用如权利要求51至53中任一项所述的方法，或如从属于权利要求4至15中任一项的权利要求50所述的方法制造。
56.一种包括根据如权利要求48所述的方法制造的电极的显示装置。
57.一种包括根据如权利要求49所述的方法制造的电极的显示装置。
58.一种包括根据如权利要求48所述的方法制造的电极和根据如权利要求49所述的方法制造的电极的显示装置。
59.如权利要求56至58中任一项所述的显示装置，其包括有机聚合物发射层，该层包括聚芴或芴与共轭分子基团的组合的共聚物。
60.如权利要求4至7中任一项所述的方法，其特征在于，该材料包括氟化聚合物层，并且该物质包括用于溶解氟化聚合物层的氟化有机溶剂，从而在氟化聚合物层中提供反润湿的板状结构。
61.一种通过如权利要求60所述的方法制造的反润湿的板状结构。
62.如权利要求16、19或20所述的方法，其特征在于，该另外的材料包括DNA或蛋白质。
CNB018051936A 2000-10-16 2001-10-15 蚀刻方法、由该方法制造的掩模、显示装置以及板状结构 Expired - Fee Related CN1311532C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0025342.7 2000-10-16
GB0025342A GB2367788A (en) 2000-10-16 2000-10-16 Etching using an ink jet print head

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1404625A true CN1404625A (zh) 2003-03-19
CN1311532C CN1311532C (zh) 2007-04-18

Family

ID=9901387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB018051936A Expired - Fee Related CN1311532C (zh) 2000-10-16 2001-10-15 蚀刻方法、由该方法制造的掩模、显示装置以及板状结构

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7431860B2 (zh)
EP (1) EP1327259B1 (zh)
JP (2) JP4269680B2 (zh)
KR (1) KR100496473B1 (zh)
CN (1) CN1311532C (zh)
DE (1) DE60142916D1 (zh)
GB (1) GB2367788A (zh)
WO (1) WO2002033740A1 (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100338746C (zh) * 2004-01-05 2007-09-19 财团法人工业技术研究院 一种形成导电栓柱的方法
CN100394558C (zh) * 2004-07-27 2008-06-11 精工爱普生株式会社 接触孔的形成方法、电路基板和电光学装置的制造方法
CN100429802C (zh) * 2004-03-05 2008-10-29 东芝松下显示技术有限公司 显示装置的制造方法
CN101590775A (zh) * 2008-05-28 2009-12-02 Icf科技有限公司 塑胶元件表面处理方法
US7703412B2 (en) 2004-09-08 2010-04-27 Seiko Epson Corporation Liquid discharging apparatus, method of cleaning head, electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
CN101728547A (zh) * 2008-10-10 2010-06-09 原子能委员会 利用不混溶液体局部喷射的薄膜表面结构化
CN101202328B (zh) * 2006-12-13 2011-06-29 三星移动显示器株式会社 电子器件及其制造方法
US7993960B2 (en) 2006-12-13 2011-08-09 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electronic device and method of manufacturing the same
CN102206892A (zh) * 2011-05-26 2011-10-05 姚先均 织袜机的落袜筒及其生产方法
CN108281467A (zh) * 2018-01-22 2018-07-13 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层、显示基板及其制作方法、显示装置
CN109212827A (zh) * 2018-08-31 2019-01-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种柔性lcd及其制备方法
CN109972128A (zh) * 2019-03-29 2019-07-05 南昌大学 喷墨打印结合无电镀工艺制备超薄金属网格柔性透明电极的方法
CN115038588A (zh) * 2020-02-12 2022-09-09 J·F·巴伯兰拉托雷 用于产生浮雕的方法和机器，以及包含所述浮雕的面板

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
JP3932099B2 (ja) * 2002-02-06 2007-06-20 セイコーエプソン株式会社 エッチング方法
US8044517B2 (en) * 2002-07-29 2011-10-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic component comprising predominantly organic functional materials and a method for the production thereof
GB0218202D0 (en) 2002-08-06 2002-09-11 Avecia Ltd Organic light emitting diodes
US7781850B2 (en) 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
JP2004172389A (ja) 2002-11-20 2004-06-17 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
KR100955438B1 (ko) * 2002-11-26 2010-05-04 이 잉크 코포레이션 가요성 전자 회로 및 디스플레이
JP2007505485A (ja) * 2003-09-09 2007-03-08 シーエスジー ソーラー アクチェンゲゼルシャフト シリコンをエッチングする方法の改良
WO2005024959A1 (en) 2003-09-09 2005-03-17 Csg Solar, Ag Adjustment of masks by re-flow
CN100561668C (zh) 2003-09-09 2009-11-18 Csg索拉尔有限公司 在有机树脂材料中形成开口的改进方法
AU2004271223B2 (en) * 2003-09-09 2010-02-18 Csg Solar Ag Improved method of etching silicon
AU2004271225B2 (en) * 2003-09-09 2010-01-21 Csg Solar Ag Improved method of forming openings in an organic resin material
DE10358830B3 (de) * 2003-12-16 2005-08-18 Framatome Anp Gmbh Brennelement für einen Druckwasserkernreaktor und mit solchen Brennelementen aufgebauter Kern eines Druckwasserreaktors
US7036220B2 (en) * 2003-12-18 2006-05-02 The Regents Of The University Of California Pin-deposition of conductive inks for microelectrodes and contact via filling
JP2006019672A (ja) * 2004-06-02 2006-01-19 Seiko Epson Corp トランジスタの製造方法、電気光学装置の製造方法、および電子デバイスの製造方法
KR101255691B1 (ko) * 2004-07-29 2013-04-17 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법
US7105375B2 (en) * 2004-07-30 2006-09-12 Xerox Corporation Reverse printing
US8691667B1 (en) * 2004-12-30 2014-04-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method and apparatus for depositing a pattern on a substrate
TW200628877A (en) * 2005-02-04 2006-08-16 Prime View Int Co Ltd Method of manufacturing optical interference type color display
US7691280B2 (en) * 2005-03-25 2010-04-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ink jet printing of etchants and modifiers
US7667929B2 (en) * 2005-04-04 2010-02-23 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Apparatus, method and system for fabricating a patterned media imprint master
JP4341579B2 (ja) * 2005-05-19 2009-10-07 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズの製造方法
JP2008544509A (ja) * 2005-06-16 2008-12-04 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 有機ライン検出器および有機ライン検出器の製造方法
EP2495212A3 (en) * 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
JP2009503565A (ja) * 2005-07-22 2009-01-29 クアルコム，インコーポレイテッド Ｍｅｍｓデバイスのための支持構造、およびその方法
US7795061B2 (en) * 2005-12-29 2010-09-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process
KR100753959B1 (ko) * 2006-01-12 2007-08-31 에이펫(주) 기판 건조장치를 이용한 기판 건조방법
US7382515B2 (en) * 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US7450295B2 (en) * 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US20070249078A1 (en) * 2006-04-19 2007-10-25 Ming-Hau Tung Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
GB2439594A (en) * 2006-06-07 2008-01-02 Seiko Epson Corp A method for forming a predetermined pattern of an organic semiconductor
US7763546B2 (en) * 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
US7733552B2 (en) * 2007-03-21 2010-06-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc MEMS cavity-coating layers and methods
US7719752B2 (en) * 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
JP5501225B2 (ja) * 2007-05-24 2014-05-21 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 薄層型光電池の背面コンタクト形成方法
US7838062B2 (en) 2007-05-29 2010-11-23 Sunpower Corporation Array of small contacts for solar cell fabrication
EP2245655A4 (en) * 2008-02-01 2012-11-21 Newsouth Innovations Pty Ltd METHOD FOR STRUCTURED HEATING OF CHOSEN MATERIAL
US20090261067A1 (en) * 2008-04-22 2009-10-22 Robert Alan Dietrich Methods and apparatus for prototyping three dimensional objects from a plurality of layers
US7851239B2 (en) * 2008-06-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices
JP5396916B2 (ja) * 2009-03-03 2014-01-22 コニカミノルタ株式会社 透明電極の製造方法、透明電極および有機エレクトロルミネッセンス素子
US7864403B2 (en) * 2009-03-27 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity
CN102449112B (zh) * 2009-06-04 2014-09-24 默克专利股份有限公司 双组分蚀刻
WO2011032218A1 (en) * 2009-09-18 2011-03-24 Newsouth Innovations Pty Limited Method for texturing surfaces
WO2011048347A1 (en) * 2009-10-23 2011-04-28 M-Solv Limited Capacitive touch panels
US8415183B2 (en) * 2010-11-22 2013-04-09 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level conformal coating for LED devices
WO2012099607A1 (en) * 2011-01-21 2012-07-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Copolymers for luminescence enhancement in reflective display applications
US9680097B2 (en) 2013-04-06 2017-06-13 Indian Institute Of Technology Kanpur Organic thin film transistors and methods for their manufacturing and use
KR102135275B1 (ko) 2013-07-29 2020-07-20 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101577900B1 (ko) * 2014-06-24 2015-12-29 동국대학교 산학협력단 국부적 에칭공정을 이용한 유기박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
NO2750604T3 (zh) 2015-06-25 2018-03-03
WO2017004703A1 (en) * 2015-07-03 2017-01-12 National Research Council Of Canada Method of printing ultranarrow-gap lines
DE102016224870A1 (de) * 2016-12-13 2018-06-14 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Leiterbildstruktur auf einem mit Metall beschichteten Substrat und Bauteil
EP3415316B1 (de) 2017-06-13 2020-04-08 Hymmen GmbH Maschinen- und Anlagenbau Verfahren und vorrichtung zur erzeugung einer strukturierten oberfläche
KR20190111547A (ko) * 2018-03-23 2019-10-02 엘지전자 주식회사 가전제품용 외장패널 및 그 제조방법
IT201900007377A1 (it) * 2019-05-28 2020-11-28 Giorgio Macor Metodo e apparato per generare una struttura superficiale
IT201800008133A1 (it) * 2018-08-22 2020-02-22 Giorgio Macor Metodo e apparato per generare una struttura tridimensionale
EP3844603A4 (en) 2018-08-30 2022-05-18 Interface, Inc. DIGITAL PRINTING FOR FLOORING AND DECORATIVE STRUCTURES
DE102019206431A1 (de) 2019-05-03 2020-11-05 Hymmen GmbH Maschinen- und Anlagenbau Verfahren zum Herstellen einer Struktur auf einer Oberfläche
KR102260364B1 (ko) * 2019-12-11 2021-06-02 가천대학교 산학협력단 물방울의 공명주파수를 이용한 에칭장치 및 이를 이용한 에칭방법
JP7404878B2 (ja) * 2020-01-09 2023-12-26 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1521965A1 (de) * 1964-10-12 1969-05-14 Siemens Ag Verfahren zum Zerteilen metallbeschichteter Si-Scheiben
DE3047884A1 (de) * 1980-12-18 1982-07-15 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zur automatisierbaren bearbeitung in der halbleitertechnologie, z.b. von leiterplatten
DE3338717A1 (de) * 1983-10-25 1985-05-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung einer roentgenmaske mit metalltraegerfolie
US4849066A (en) * 1988-09-23 1989-07-18 Rca Licensing Corporation Method for selectively etching integral cathode substrate and support utilizing increased etchant turbulence
JPH0325937A (ja) * 1989-06-22 1991-02-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH04225231A (ja) * 1990-12-26 1992-08-14 Kawasaki Steel Corp シリコンウエハのエッチング方法及びその装置
US5275658A (en) * 1991-12-13 1994-01-04 Tokyo Electron Limited Liquid supply apparatus
JPH05303009A (ja) * 1992-04-28 1993-11-16 Dainippon Printing Co Ltd マイクロレンズアレー原版およびマイクロレンズアレー作製方法
GB2294909B (en) * 1994-11-14 1996-10-23 High End Systems Inc Acid etched gobo
JP3370459B2 (ja) * 1994-11-15 2003-01-27 積水化学工業株式会社 撥水性被膜の製造方法
JPH08279484A (ja) * 1995-04-07 1996-10-22 Hitachi Cable Ltd 半導体ウェハのエッチング方法及び装置
JP3753194B2 (ja) * 1995-12-14 2006-03-08 セイコーエプソン株式会社 プラズマ処理方法及びその装置
JP4112007B2 (ja) * 1996-03-04 2008-07-02 デュポン ディスプレイズ， インコーポレイテッド フォトルミネセンスおよびエレクトロルミネセンス用材料としてのポリフルオレン
US5882489A (en) * 1996-04-26 1999-03-16 Ulvac Technologies, Inc. Processes for cleaning and stripping photoresist from surfaces of semiconductor wafers
US6106907A (en) * 1996-06-25 2000-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Electrode plate, liquid crystal device and production thereof
US5677237A (en) * 1996-06-21 1997-10-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Process for removing seams in tungsten plugs
JPH10106747A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Mitsubishi Electric Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製法
JP3612158B2 (ja) * 1996-11-18 2005-01-19 スピードファム株式会社 プラズマエッチング方法及びその装置
JP3785710B2 (ja) * 1996-12-24 2006-06-14 株式会社デンソー Ｅｌ表示装置
JP2001521269A (ja) * 1997-10-17 2001-11-06 ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ カリフォルニア インクジェット印刷技術を使って有機半導体装置を製造する方法、およびこれを利用した装置およびシステム
JP4003273B2 (ja) * 1998-01-19 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法および基板製造装置
GB9808061D0 (en) * 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
JP3564294B2 (ja) 1998-04-20 2004-09-08 シャープ株式会社 薄膜ｅｌパネルおよびその製造方法およびカラーｅｌパネル装置
US6033939A (en) * 1998-04-21 2000-03-07 International Business Machines Corporation Method for providing electrically fusible links in copper interconnection
JP2000104182A (ja) * 1998-09-30 2000-04-11 Seiko Epson Corp ウェットエッチング方法および装置、インクジェットヘッドの振動板の製造方法、インクジェットヘッド、並びにインクジェット記録装置
JP2000171814A (ja) 1998-12-07 2000-06-23 Hitachi Ltd 液晶パネル基板の導電性薄膜パターニング方法および装置
JP5073141B2 (ja) * 1999-12-21 2012-11-14 プラスティック ロジック リミテッド 内部接続の形成方法
GB2373095A (en) * 2001-03-09 2002-09-11 Seiko Epson Corp Patterning substrates with evaporation residues

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100338746C (zh) * 2004-01-05 2007-09-19 财团法人工业技术研究院 一种形成导电栓柱的方法
CN100429802C (zh) * 2004-03-05 2008-10-29 东芝松下显示技术有限公司 显示装置的制造方法
CN100394558C (zh) * 2004-07-27 2008-06-11 精工爱普生株式会社 接触孔的形成方法、电路基板和电光学装置的制造方法
US7703412B2 (en) 2004-09-08 2010-04-27 Seiko Epson Corporation Liquid discharging apparatus, method of cleaning head, electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
US8598572B2 (en) 2006-12-13 2013-12-03 Samsung Display Co., Ltd. Electronic device with an insulating layer including a groove and a protrusion, and method of manufacturing the same
CN101202328B (zh) * 2006-12-13 2011-06-29 三星移动显示器株式会社 电子器件及其制造方法
US7993960B2 (en) 2006-12-13 2011-08-09 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electronic device and method of manufacturing the same
CN101590775A (zh) * 2008-05-28 2009-12-02 Icf科技有限公司 塑胶元件表面处理方法
CN101728547A (zh) * 2008-10-10 2010-06-09 原子能委员会 利用不混溶液体局部喷射的薄膜表面结构化
CN102206892A (zh) * 2011-05-26 2011-10-05 姚先均 织袜机的落袜筒及其生产方法
CN108281467A (zh) * 2018-01-22 2018-07-13 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层、显示基板及其制作方法、显示装置
CN109212827A (zh) * 2018-08-31 2019-01-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种柔性lcd及其制备方法
CN109972128A (zh) * 2019-03-29 2019-07-05 南昌大学 喷墨打印结合无电镀工艺制备超薄金属网格柔性透明电极的方法
CN115038588A (zh) * 2020-02-12 2022-09-09 J·F·巴伯兰拉托雷 用于产生浮雕的方法和机器，以及包含所述浮雕的面板

Also Published As

Publication number Publication date
GB0025342D0 (en) 2000-11-29
US7431860B2 (en) 2008-10-07
JP2004512642A (ja) 2004-04-22
CN1311532C (zh) 2007-04-18
JP4269680B2 (ja) 2009-05-27
EP1327259A1 (en) 2003-07-16
DE60142916D1 (de) 2010-10-07
JP4544343B2 (ja) 2010-09-15
EP1327259B1 (en) 2010-08-25
KR20020062757A (ko) 2002-07-29
KR100496473B1 (ko) 2005-06-22
US20030029831A1 (en) 2003-02-13
GB2367788A (en) 2002-04-17
WO2002033740A1 (en) 2002-04-25
JP2008235284A (ja) 2008-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1311532C (zh) 蚀刻方法、由该方法制造的掩模、显示装置以及板状结构
JP5421778B2 (ja) 分子電子素子の製造方法及び構造体
EP1340261B1 (en) Organic electroluminescent device and a method of manufacturing thereof
CN100565307C (zh) 半导体器件及其制备方法，液晶电视系统，和el电视系统
US7122954B2 (en) Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
CN1463472A (zh) 构图方法
CN1499907A (zh) 具有倾斜分隔带的有机电致发光器件以及涂覆制造技术
JP4918752B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
CN1496198A (zh) 衬底和采用该衬底的有机电致发光器件
CN1353866A (zh) 有机电致发光器件及其制造方法
CN101043776A (zh) 显示装置及其制造方法
KR20030072227A (ko) 액적 토출 장치와 그 구동 방법, 제막 장치와 제막 방법,컬러 필터의 제조 방법, 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법, 및전자 기기
JP2004063359A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置および製造方法
CN1893108A (zh) 平板显示装置及其制造方法
JP2007123234A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子基板及び有機エレクトロルミネッセンス素子
CN1799292A (zh) 基板及其制造方法
JP2006134624A (ja) 電気光学装置、及び、それを用いた電子機器
CN1868073A (zh) 电致发光显示面板
JP2006261026A (ja) 電気光学装置の製造方法および電気光学装置
JP2007533091A (ja) 基板に機能材料をパターン形成する方法
JP2008235066A (ja) 有機ｅｌ素子及びその製造方法
CN110828520A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
JP5050518B2 (ja) 樹脂凸版の製造方法及び現像装置並びに印刷物の製造方法及び有機ｅｌ素子の製造方法
JP2007035484A (ja) 膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法
JP2005266682A (ja) 電気光学装置の製造方法及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070418

Termination date: 20171015

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee