JPH0325937A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0325937A JPH0325937A JP16233889A JP16233889A JPH0325937A JP H0325937 A JPH0325937 A JP H0325937A JP 16233889 A JP16233889 A JP 16233889A JP 16233889 A JP16233889 A JP 16233889A JP H0325937 A JPH0325937 A JP H0325937A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、レジス１・を用いることなく開口部をエッ
チングにより形成する半導体装置の製造方法に関するも
のである。
チングにより形成する半導体装置の製造方法に関するも
のである。
第４図（ａ）〜（ｆ）は、例えば第２０回ＰＶｓｃ（
ＩＥＥＥ．Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｐｅｃｉａｌ
ｉｓｔｓ Ｃｏｎ（ｅｒｅｎｃｅ）に示された従来の太
陽電池の製造工程のうちで、Ｓｉ基板上に形成された酸
化シリコン薄膜に開口部を形成する各工程毎の素子の断
面図である。
ＩＥＥＥ．Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｐｅｃｉａｌ
ｉｓｔｓ Ｃｏｎ（ｅｒｅｎｃｅ）に示された従来の太
陽電池の製造工程のうちで、Ｓｉ基板上に形成された酸
化シリコン薄膜に開口部を形成する各工程毎の素子の断
面図である。
第４図において、１はＳｉ基板、２はこの８１基板１上
に熱ＣＶＤもしくはプラズマＣＶＤにより形成された酸
化シリコン薄膜、３はこの酸化シリコン薄膜２上に塗布
されたレジスｌ・、４ａは前記酸化シリコン薄膜２を選
択的に除去するためにレジスｌ− ３を露光し、除去す
ることによって形成した開口部、４ｂはさらに前記酸化
シリコ″／薄膜２をエッチングして形成した開口部、４
ｃは前記レジス１・３を除去することにより、得られた
開口部である。
に熱ＣＶＤもしくはプラズマＣＶＤにより形成された酸
化シリコン薄膜、３はこの酸化シリコン薄膜２上に塗布
されたレジスｌ・、４ａは前記酸化シリコン薄膜２を選
択的に除去するためにレジスｌ− ３を露光し、除去す
ることによって形成した開口部、４ｂはさらに前記酸化
シリコ″／薄膜２をエッチングして形成した開口部、４
ｃは前記レジス１・３を除去することにより、得られた
開口部である。
次に製造工程について説明する。
まず、第４図（ａ）のＳｉ基板１上に、熱ＣＶＤもしく
はプラズマＣＶＤによって酸化シリコン薄膜２を形成す
る〔第４図（ｂ）〕。次いで、酸化シリコン薄膜２上に
スピナーを用いて、レジス１・３を回転塗布する〔第４
図（Ｃ）〕。次いで、レジス１・３を乾燥させ、フォ１
・マスクを密着させて露光し、レジス１・３を除去する
ことにより，開口部４ａが形成される〔第４図（ｄ）〕
。次に開口部４ａ部分の酸化シリコン薄Ｐ！Ａ２をＮ８
４ Ｆ＋ＨＦのエッチング液を用いてエッチングを行い
、開口部４ｂを形成する〔第４図（．））．Ｒ後に酸化
シリコン薄膜２のエッチングマスクとして用いたレジス
１・３を除去することによって開口部４ｃが形成され、
エッチング工程が終了する〔第４図（ｆ））Ｏレジス１
・工程は、Ｌ／ジス１・３の密着性を高めるために、Ｓ
ｉ基板１の洗浄を入念に行う必要があることや、レジス
１・３の乾燥には、乾燥する温度と時間の管理を厳重に
行う必要があり、フォ１・マスク，Ｎ光装置を用いるこ
とが不可欠で、工程数が増加し、その管理にも十分に注
意する必要があるなどの問題点を有している，。
はプラズマＣＶＤによって酸化シリコン薄膜２を形成す
る〔第４図（ｂ）〕。次いで、酸化シリコン薄膜２上に
スピナーを用いて、レジス１・３を回転塗布する〔第４
図（Ｃ）〕。次いで、レジス１・３を乾燥させ、フォ１
・マスクを密着させて露光し、レジス１・３を除去する
ことにより，開口部４ａが形成される〔第４図（ｄ）〕
。次に開口部４ａ部分の酸化シリコン薄Ｐ！Ａ２をＮ８
４ Ｆ＋ＨＦのエッチング液を用いてエッチングを行い
、開口部４ｂを形成する〔第４図（．））．Ｒ後に酸化
シリコン薄膜２のエッチングマスクとして用いたレジス
１・３を除去することによって開口部４ｃが形成され、
エッチング工程が終了する〔第４図（ｆ））Ｏレジス１
・工程は、Ｌ／ジス１・３の密着性を高めるために、Ｓ
ｉ基板１の洗浄を入念に行う必要があることや、レジス
１・３の乾燥には、乾燥する温度と時間の管理を厳重に
行う必要があり、フォ１・マスク，Ｎ光装置を用いるこ
とが不可欠で、工程数が増加し、その管理にも十分に注
意する必要があるなどの問題点を有している，。
従来の太陽電池の製造方法は、以上のような工程で製造
するので、酸化シリコン薄膜２に開口部４Ｃを形成する
ときにレジスｌ・３を用いる必要があり、レジメ１・３
に開口部４ａを形成するには露光装置を用いる乙とによ
ってパターンを描写する必要もあり、また、開口部４ｂ
を形成後、レジス１・３を剥離することが必要で、各工
程毎にそれぞれ基板洗浄が必翠であるなどレジス１・３
を用いるために工程数が増加するという問題点があった
。
するので、酸化シリコン薄膜２に開口部４Ｃを形成する
ときにレジスｌ・３を用いる必要があり、レジメ１・３
に開口部４ａを形成するには露光装置を用いる乙とによ
ってパターンを描写する必要もあり、また、開口部４ｂ
を形成後、レジス１・３を剥離することが必要で、各工
程毎にそれぞれ基板洗浄が必翠であるなどレジス１・３
を用いるために工程数が増加するという問題点があった
。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、レジス１・工程を用いることなく、８１基
板上の酸化シリコン薄膜に開口部を形成できる半導体装
置の製造方法を得ることを目的とする。
れたもので、レジス１・工程を用いることなく、８１基
板上の酸化シリコン薄膜に開口部を形成できる半導体装
置の製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る請求項（１）に記載の半導体装置の製造
方法は、導体あるいは半導体の基板上に絶縁膜を形成し
、この絶縁膜に開口部を設けることにより基板の一部を
露出させる絶縁膜のエッチング工程において、絶縁膜上
に、ほぼ均一な粒径のエッチング液滴を所定の間隔で付
着せしめ、この付着したエッチング液滴によって絶縁膜
をエッチングして開口部を形成するものである。
方法は、導体あるいは半導体の基板上に絶縁膜を形成し
、この絶縁膜に開口部を設けることにより基板の一部を
露出させる絶縁膜のエッチング工程において、絶縁膜上
に、ほぼ均一な粒径のエッチング液滴を所定の間隔で付
着せしめ、この付着したエッチング液滴によって絶縁膜
をエッチングして開口部を形成するものである。
また、この発明の請求項（２）に記載の半導体装置の製
造方法は、導体あるいは半導体の基板上に絶縁膜を形成
し、この絶縁膜に開口部を設けることにより基板の一部
を露出させる絶縁膜のエッチング工程において、絶縁膜
に対するエッチング液を冷凍固化した氷粒を絶縁膜上に
所要間隔で配置した後、冷凍固化したエッチング液の氷
粒を加熱することにより融解せしめ、絶縁膜をエッチン
グし、開口部を形成するものである。
造方法は、導体あるいは半導体の基板上に絶縁膜を形成
し、この絶縁膜に開口部を設けることにより基板の一部
を露出させる絶縁膜のエッチング工程において、絶縁膜
に対するエッチング液を冷凍固化した氷粒を絶縁膜上に
所要間隔で配置した後、冷凍固化したエッチング液の氷
粒を加熱することにより融解せしめ、絶縁膜をエッチン
グし、開口部を形成するものである。
この発明の請求項（１）に記載の発明においては、酸化
シリコン薄膜上にほぼ均一な粒径のフッ化水素酸滴を所
定間隔で付着せしめ、このフッ化水素酸滴の付着した部
分の酸化シリコン薄膜をエッチングすることによってシ
リコン基板と発電素子層を電気的に接続する開口部を形
成する。
シリコン薄膜上にほぼ均一な粒径のフッ化水素酸滴を所
定間隔で付着せしめ、このフッ化水素酸滴の付着した部
分の酸化シリコン薄膜をエッチングすることによってシ
リコン基板と発電素子層を電気的に接続する開口部を形
成する。
また、この発明の請求項（２）に記載の発明においては
、エッチング液を冷凍固化して絶縁膜上に適宜な間隔で
配置した後、加熱することにより融解せしめ、これらエ
ッチング液として絶縁膜のエッチングが行われ、開口部
が形成される。
、エッチング液を冷凍固化して絶縁膜上に適宜な間隔で
配置した後、加熱することにより融解せしめ、これらエ
ッチング液として絶縁膜のエッチングが行われ、開口部
が形成される。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図面について説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の一実施例を示す工程
断面図で、１はＳｉを主材料とする導体あるいは半導体
の基板、２は熱ＣＶＤもしくはプラズマＣＶＤによって
形成された絶縁膜、例えば酸化シリコン薄膜であり、こ
こまでは従来の製造方法と同様である。５は前記酸化シ
リコン薄膜２上に付着したフッ化水素酸滴、１４ａはこ
のフッ化水素酸滴５によ，ってエッチングされる開口部
である。
断面図で、１はＳｉを主材料とする導体あるいは半導体
の基板、２は熱ＣＶＤもしくはプラズマＣＶＤによって
形成された絶縁膜、例えば酸化シリコン薄膜であり、こ
こまでは従来の製造方法と同様である。５は前記酸化シ
リコン薄膜２上に付着したフッ化水素酸滴、１４ａはこ
のフッ化水素酸滴５によ，ってエッチングされる開口部
である。
次に製造工程について説明ずろ。
第１図（ａ）に示す基板１上に酸化シリコン薄膜２を形
成し〔第１図（ｂ）〕、この酸化シリコン薄膜２上に数
百μｍの粒径で霧状のフ・ソ化水素酸を噴霧することが
可能な噴霧装置（図示せず）によって数百μｍのほぼ等
しい間隔でフフ化水素酸滴５を付着させる〔第１図（Ｃ
））ｏ８６｛ヒシリコン薄膜２上に付着したフッ化水素
酸ｉＴ１ｉ５によって酸化シリコン薄膜２がエッチング
され、開口部１ｄａが形成されろ〔第１図（ｄ）〕。
成し〔第１図（ｂ）〕、この酸化シリコン薄膜２上に数
百μｍの粒径で霧状のフ・ソ化水素酸を噴霧することが
可能な噴霧装置（図示せず）によって数百μｍのほぼ等
しい間隔でフフ化水素酸滴５を付着させる〔第１図（Ｃ
））ｏ８６｛ヒシリコン薄膜２上に付着したフッ化水素
酸ｉＴ１ｉ５によって酸化シリコン薄膜２がエッチング
され、開口部１ｄａが形成されろ〔第１図（ｄ）〕。
なわ、第１図では噴霧装置によって直接酸化ンリコン薄
膜２上にフツ化水素酸滴５を付着せしめたが、第２図に
示す・ように、フ・ソ化水素酸滴５を噴霧ずるときに所
定の開口部を備えたマスク６を用いることによって任意
の位置にフツ化水素酸滴５を付着させろことも可能であ
る。
膜２上にフツ化水素酸滴５を付着せしめたが、第２図に
示す・ように、フ・ソ化水素酸滴５を噴霧ずるときに所
定の開口部を備えたマスク６を用いることによって任意
の位置にフツ化水素酸滴５を付着させろことも可能であ
る。
第３図（．）〜（０）はこの発明の他の実施例を示す工
程断面図で、第１図，第２図と同一符号は同じものを示
し、７は粒径１０〜１００μｍ程度の冷凍固化されたエ
ッチング液の氷粒、８は加熱されて融解したエッヂング
液である。
程断面図で、第１図，第２図と同一符号は同じものを示
し、７は粒径１０〜１００μｍ程度の冷凍固化されたエ
ッチング液の氷粒、８は加熱されて融解したエッヂング
液である。
次にこの発明による開口部の作製方法について説明する
。
。
第３図（ａ），（ｂ）の工程で基板１上に酸化シリコン
薄膜２を形成し、次に第１図（Ｃ）に示すように、酸化
シリコン薄膜２のエッチング除去したい部分に開口部が
バターニングされたマスク６を酸化シリコン薄膜２上に
配置１／ 、その上からエッチング液を粒径１０〜１．
Ｏ Ｏμｍ程度に冷凍固化した氷粒７をふりまき、そ
の後、マスク６を取り除いて第３図（ｄ）に示すように
、氷粒７を加熱融解させ、エッチング液８とする。
薄膜２を形成し、次に第１図（Ｃ）に示すように、酸化
シリコン薄膜２のエッチング除去したい部分に開口部が
バターニングされたマスク６を酸化シリコン薄膜２上に
配置１／ 、その上からエッチング液を粒径１０〜１．
Ｏ Ｏμｍ程度に冷凍固化した氷粒７をふりまき、そ
の後、マスク６を取り除いて第３図（ｄ）に示すように
、氷粒７を加熱融解させ、エッチング液８とする。
これにより、酸化シリコン薄膜２は氷粒７の配置された
所のみエッチングされ、第３図（ｅ）に示す如く、開口
部１４ｂが形成されろ。
所のみエッチングされ、第３図（ｅ）に示す如く、開口
部１４ｂが形成されろ。
なお、エッチング液として一般に用いられているフッ化
水素酸の場合、凝固点はその濃度に応（；で変化するが
、５０％のもので、−．−３５．６℃であり、１００％
でも約−８０℃であるため、液体空気を用いることによ
り安価に冷凍固化させろことができる。また、氷粒７は
、冷凍子化したエツ千ング液８を粉枠ずることにより、
容易に作製できる。
水素酸の場合、凝固点はその濃度に応（；で変化するが
、５０％のもので、−．−３５．６℃であり、１００％
でも約−８０℃であるため、液体空気を用いることによ
り安価に冷凍固化させろことができる。また、氷粒７は
、冷凍子化したエツ千ング液８を粉枠ずることにより、
容易に作製できる。
また、上記実施例では、氷粒７の配置のためにマスク６
を用いたが、特に正確な位置への配置が必要とされない
場合においては、エッチング液８を冷凍固化させた氷粒
７を酸化シリコン薄膜２上に散布した後、加熱融解させ
ろのみでよい。
を用いたが、特に正確な位置への配置が必要とされない
場合においては、エッチング液８を冷凍固化させた氷粒
７を酸化シリコン薄膜２上に散布した後、加熱融解させ
ろのみでよい。
さらに、上記実施例は、′ｒ４膜シリコン太陽電池の場
合に限らず他の半導体装置においても同様の開口部形成
に使用できるのは言うまでもない。
合に限らず他の半導体装置においても同様の開口部形成
に使用できるのは言うまでもない。
以上説明したように、この発明の請求項（１）に記載の
発明は、シリコン基板上に形成された酸化シリコン薄膜
上に、ほぼ均一な粒径のフッ化水素酸滴を所定の間隔で
付着せしめ、この付着したフッ化水素酸滴によって酸化
シリコン薄膜をエッチングして開口部を形成したので、
レジス１・工程を用いる必要がないため、工程が簡単に
なり、製造設備が安価にでき、また、製造時間を大幅に
短縮できろという効果が得られる。
発明は、シリコン基板上に形成された酸化シリコン薄膜
上に、ほぼ均一な粒径のフッ化水素酸滴を所定の間隔で
付着せしめ、この付着したフッ化水素酸滴によって酸化
シリコン薄膜をエッチングして開口部を形成したので、
レジス１・工程を用いる必要がないため、工程が簡単に
なり、製造設備が安価にでき、また、製造時間を大幅に
短縮できろという効果が得られる。
一また、この発明の請求項（２）に記載の発明は、絶！
ｉ膜に対するエッチング液を冷凍固化した氷粒を絶縁膜
上に所要間隔で配置した後、冷凍固化したエッチング液
の氷粒を加熱することにより融解せしめ、絶縁膜をエッ
チングし、開口部を形成するので、レジス１・塗布工程
およびレジス１・除去工程等を省くことができ、工程の
簡略化が図れるため、製造コス１−の低減および歩留り
の向上が図れる効果がある。
ｉ膜に対するエッチング液を冷凍固化した氷粒を絶縁膜
上に所要間隔で配置した後、冷凍固化したエッチング液
の氷粒を加熱することにより融解せしめ、絶縁膜をエッ
チングし、開口部を形成するので、レジス１・塗布工程
およびレジス１・除去工程等を省くことができ、工程の
簡略化が図れるため、製造コス１−の低減および歩留り
の向上が図れる効果がある。
第１図はこの発明の請求項（１１に記載の発明の一実施
例による製造工程を工程順に示す素子の断面図、第２図
は同じく他の実施例を示す断面図、第３図はこの発明の
請求項（２）に記載の発明の一実施例を示す半導体装置
の製造方法の工程断面図、第４図は従来の製造方法を工
程順に示す素子の断面図である。 図において、１はＳｉ基板、２は酸化シリコン傳膜、５
はフッ化水素酸滴、６ばマスク、７は水粒、 ８はエッチング液、 １ ４ａ， １ ４ ｂは開口部 である。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
例による製造工程を工程順に示す素子の断面図、第２図
は同じく他の実施例を示す断面図、第３図はこの発明の
請求項（２）に記載の発明の一実施例を示す半導体装置
の製造方法の工程断面図、第４図は従来の製造方法を工
程順に示す素子の断面図である。 図において、１はＳｉ基板、２は酸化シリコン傳膜、５
はフッ化水素酸滴、６ばマスク、７は水粒、 ８はエッチング液、 １ ４ａ， １ ４ ｂは開口部 である。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）導体あるいは半導体の基板上に絶縁膜を形成し、
この絶縁膜に開口部を設けることにより前記基板の一部
を露出させる前記絶縁膜のエッチング工程において、前
記絶縁膜上に、ほぼ均一な粒径のエッチング液滴を所定
の間隔で付着せしめ、この付着したエッチング液滴によ
って前記絶縁膜をエッチングして開口部を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）導体あるいは半導体の基板上に絶縁膜を形成し、
この絶縁膜に開口部を設けることにより前記基板の一部
を露出させる前記絶縁膜のエッチング工程において、前
記絶縁膜に対するエッチング液を冷凍固化した氷粒を前
記絶縁膜上に所要間隔で配置した後、前記冷凍固化した
エッチング液の氷粒を加熱することにより融解せしめ、
前記絶縁膜をエッチングし、開口部を形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16233889A JPH0325937A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16233889A JPH0325937A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0325937A true JPH0325937A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15752657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16233889A Pending JPH0325937A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0325937A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5348615A (en) * | 1992-10-21 | 1994-09-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective planarization method using regelation |
| EP0620585A1 (en) * | 1993-04-14 | 1994-10-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus and method for flattening an insulating layer by etching in a semiconductor device |
| WO2002033740A1 (en) * | 2000-10-16 | 2002-04-25 | Seiko Epson Corporation | Etching process |
| WO2002082561A1 (en) * | 2001-04-03 | 2002-10-17 | Seiko Epson Corporation | Patterning method |
| JP2003518755A (ja) * | 1999-12-21 | 2003-06-10 | プラスティック ロジック リミテッド | 内部接続の形成方法 |
| WO2009094711A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Newsouth Innovations Pty Limited | Method for patterned etching of selected material |
-
1989
- 1989-06-22 JP JP16233889A patent/JPH0325937A/ja active Pending
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