CN112968144B - 基于丝网状衬底层的pi柔性基板剥离方法、柔性基板和oled - Google Patents

Abstract

本发明公开了基于丝网状衬底层的PI柔性基板剥离方法、柔性基板和OLED，属于柔性OLED制备领域。本发明通过在PI柔性基板与刚性基板之间增加一层丝网状衬底层，丝网状衬底层和PI柔性基板对刚性基板粘附力的差异，使PI柔性基板粘附力改变；此外丝网状衬底层形成的凹凸结构，使附着在其上的柔性基板在丝网边界处与刚性基板产生空隙，在改变PI柔性基板底表状态的同时，减少柔性基板与刚性基板粘结面积，也可进一步调节PI柔性基板与刚性基板之间的剥离力，实现通过物理、溶液浸泡或者超声震动方式简单方便将柔性基板从刚性基板上剥离，剥离方法简单，剥离效果稳定，且不影响PI柔性基板的完整性。

Description

基于丝网状衬底层的PI柔性基板剥离方法、柔性基板和OLED

技术领域

本发明属于柔性OLED制备领域，更具体地，涉及基于丝网状衬底层的PI柔性基板剥离方法、柔性基板和OLED。

背景技术

柔性OLED(Organic Electroluminesence Display，有机电激光显示)因其特有的自发光、视角好、响应快、耐热耐低温、抗震不拍摔、轻薄可弯曲、省电省成本等优良性能，具备突出的优势和良好的用户体验，需求呈现爆发式增长。柔性OLED的制备，需要在玻璃基板表面先制备PI(Polyimide，聚酰亚胺)柔性基板，用PI材料制作的薄膜，具有耐高温、良好的机械性能、良好的柔韧性、介电常数、透明性等特性，因此目前成为最广泛应用的PI柔性基板材料。然后在其上制作有机光电子器件，再对器件进行薄膜封装，最后再将PI柔性基板从玻璃基板上剥离，才能得到OLED柔性屏。因此，如何将PI柔性基板与玻璃基板简单快速有效剥离是生产柔性OLED的核心技术之一。

目前，主要通过激光、物理和化学三种方式实现剥离。(1)激光方式是通过激光烧蚀PI柔性基板底层的方式进行，即在PI柔性基板和玻璃基板的接合面用高强度的激光烧蚀PI柔性基板底层，最终实现PI柔性基板和玻璃基板的分离。这种方式操作工艺复杂且设备昂贵，高温激光会对柔性OLED造成一定的损坏，同时激光的扫描尺寸也有局限范围，目前还无法制备大尺寸的柔性显示器。(2)物理剥离一般利用机械设备或者是人工通过力学剥离，该法原理与操作简单，但如果没有特殊的工艺，由于PI与玻璃的粘附力很强，直接用物理方式剥离，容易撕裂并损坏柔性OLED光学器件。(3)化学剥离是利用化学腐蚀液腐蚀玻璃基板或者金属刚性基板的方法达到剥离目的。但是上述两种腐蚀玻璃或者不锈钢的化学药液都非常有危险性，不能皮肤接触或者吸入呼吸道，对柔性OLED也有损害和影响。

因此，有必要继续深入研究找到更加简便易行、成本低廉、可大尺寸制备柔性显示器件的PI柔性基板的剥离方法，以解决上述问题。另外，由于柔性显示器的后期制备需要经过真空蒸镀的过程，因此要求PI柔性基板与玻璃基板之间的黏附作用不能过小，以避免制备过程中出现的脱离问题；同时还要考虑到最后剥离的过程，也不能产生过大的黏附作用，以免剥离过程出现撕裂的情况。故需要柔性基板剥离方式使既能提高PI薄膜的衬底刚性和完整性，又要求能有效调控PI柔性基板与玻璃基板的粘附作用。

发明内容

针对现有技术的缺陷和改进需求，本发明提供了基于丝网状衬底层的PI柔性基板剥离方法、柔性基板和OLED，其目的在既能提高PI薄膜的衬底刚性和完整性，又能有效降低和调控PI柔性基板与玻璃基板的粘附作用，能够方便、低成本、快速解离，不影响OLED器件性能，大尺寸制备柔性显示器件。

为实现上述目的，按照本发明的第一方面，提供了一种基于丝网状衬底层的PI柔性基板剥离方法，该方法包括以下步骤：

S1.在刚性基板上制备一层丝网状衬底层，所述刚性基板的材质光滑且耐高温，所述丝网状衬底层至少满足以下条件中的一个：1)丝网状衬底层与PI柔性基板之间的剥离力低于刚性基板与PI柔性基板之间的剥离力；2)所述丝网状衬底层与刚性基板之间的剥离力低于刚性基板与PI柔性基板之间的剥离力；

S2.在丝网状衬底层上制备PI薄膜，固化后得到底部结合丝网状衬底层的PI柔性基板；

S3.在PI柔性基板上制备有机光电子器件，再对器件进行薄膜封装；

S4.将封装后的PI柔性基板从刚性基板上剥离。

优选地，所述刚性基板为玻璃基板、陶瓷基板或者金属基板，所述丝网状衬底层为硅基薄膜、碳基薄膜、金属氧化物薄膜或者金属薄膜。

有益效果：本发明所述丝网状衬底层材料可有效降低柔性基板与刚性基板之间的剥离力，同时通过选择不同丝网衬底材料可优化提升柔性基板的性能，通过优选金属材料作为的丝网衬底的材料，可有效增强PI柔性基板介电、导体与电磁屏蔽性能；通过优选低温多晶氧化物材料作为丝网衬底的材料，可实现PI柔性基板光电子器件更高的电荷迁移率；通过优选无机氧化物材料作为的丝网衬底的材料，可有效增强PI柔性基板的水汽阻隔性能。

优选地，所述丝网状衬底层的丝网图案为方形网格、菱形网格、六边形网格、套圆网格、直线条格、曲线条格、电路图案或者书画图案，所述丝网状衬底层的厚度范围为[10nm,900um]，线宽范围为[1nm,100um]，丝网与刚性基板面积比范围为[0.01％,99％]。

有益效果：本发明通过调控丝网的图案和面积对薄膜的附着力进行调整和控制，进而获得更加符合工艺需求的附着力，丝网的图案越曲折，由于弯曲的衬底，柔性基板的可拉伸性能越强；丝网的经纬密度越细密，由于柔性基板与刚性基板的结合点更小更多且均匀，柔性基板的剥离力就越均衡；丝网的丝网尺寸越宽，柔性基板就越容易脱落。

优选地，步骤S1中，通过以下任意一种方式，在刚性基板上制备一层丝网状衬底层：

方式一、先光刻后沉积：

1)通过光刻技术在刚性基板上制备一层光刻胶网格状结构；

2)在形成有光刻胶网格状结构的刚性基板上沉积一层衬底薄膜；

3)去胶剥离，留下沉积在基板上的丝网状衬底层；

方式二、先沉积后光刻：

1)在刚性基板上沉积一层衬底薄膜；

2)通过光刻技术在衬底薄膜上制备一层光刻胶丝网格状结构；

3)用腐蚀液对衬底薄膜暴露部分刻蚀，留下丝网状衬底层；

方式三、丝网印刷：

1)通过丝网印版制备网格状结构印模；

2)用刮印刮板将调制好的溶胶溶液印制到刚性基板上；

3)加温烘干，留下印制在刚性基板上的丝网状衬底层。

有益效果：本发明的中间层制备工艺方法，使制得的丝网是十分规整，有效减少PI柔性基板发泡起皮的现象；通过优选丝网印刷，使操作过程简单，设备及材料便宜，可有效控制PI柔性基板剥离成本；通过优选先光刻后沉积与先沉积后光刻的方式都能够较好的掌控厚度，制得精密图案，提升其他性能，方便后续PI柔性基板实际应用。

优选地，衬底薄膜的制备方式为以下任意一种：溶胶-凝胶技术、浸渍涂布法、CVD、PVD、液相沉积法、电蒸发、溅射或者丝印。

优选地，步骤S2中，通过以下任意一种方式，在丝网状衬底层上制备PI薄膜：旋涂、刮涂或者流延方式。

优选地，步骤S3中，通过真空蒸镀方式在PI柔性基板上制备有机光电子器件与封装。

优选地，步骤S4中，通过以下任意一种方式，将封装后的PI柔性基板从刚性基板上剥离：物理剥离、溶液浸泡剥离或者超声震动剥离方式。

有益效果：本发明通过物理方式或者溶液浸泡方式或者超声震动方式简单方便将柔性基板从刚性基板上剥离，剥离方法简单，剥离效果稳定，同时可实现大尺寸剥离且不影响PI柔性基板的完整性。

为实现上述目的，按照本发明的第二方面，提供了一种柔性基板，所述柔性基板基底采用如第一方面所述的基于丝网状衬底层的PI柔性基板剥离方法，

当丝网状衬底层与PI柔性基板之间剥离力小于丝网状衬底层与刚性基板之间剥离力时，丝网状衬底层全部留在刚性基板上，PI柔性基板基底从刚性基板以及丝网状衬底层完全剥离，PI柔性基板基底留有丝网图案的坑洼空隙；

当丝网状衬底层与刚性基板之间剥离力小于丝网状衬底层与PI柔性基板之间剥离力时，丝网状衬底层全部脱离刚性基板，PI柔性基板连着丝网状衬底层一起从刚性基板完全剥离，PI柔性基板基底留有完整丝网图案的衬底层；

除上述情形外，丝网状衬底层部分脱离刚性基板，PI柔性基板连着部分丝网状衬底层从刚性基板剥离，PI柔性基板基底留有部分丝网图案的衬底层。

为实现上述目的，按照本发明的第三方面，提供了一种柔性OLED，通过如第一方面所述的基于丝网状衬底层的PI柔性基板剥离方法制备得到。

总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案，能够取得以下有益效果：

(1)本发明通过在PI柔性基板与刚性基板之间增加一层丝网状衬底层，丝网状衬底层和PI柔性基板对刚性基板粘附力的差异，使PI柔性基板粘附力改变；此外，丝网状衬底层形成的凹凸结构，使附着在其上的柔性基板在丝网边界处与刚性基板产生空隙，在改变PI柔性基板底表状态的同时，减少柔性基板与刚性基板粘结面积，也可进一步降低PI柔性基板与刚性基板之间的剥离力，从而通过物理、溶液浸泡或者超声震动方式简单方便将柔性基板从刚性基板上剥离，剥离方法简单，剥离效果稳定，同时可实现大尺寸剥离且不影响PI柔性基板的完整性。

(2)本发明通过在PI柔性基板与刚性基板之间增加一层丝网状衬底层作为结合层，与嵌入整体牺牲层比较，可通过选择不同丝网图案并调节丝网的经纬密度、丝网尺寸，更加灵活有效调节PI柔性基板的刚性以及PI柔性基板与玻璃基板之间的粘附力；通过选用不同丝网衬底材料，使用不同的无机物或者金属所特有的功能，实现诸如导体等其他功能，提升柔性基板的附着力、亲疏水、光学、剥离、力学、拉伸、介电、导体、电荷迁移、水汽阻隔、电磁屏蔽等性能，以满足不同工艺流程的需求；通过选择不同丝网衬底制备工艺，操作过程简单，可有效控制PI柔性基板剥离成本，所制备的丝网状衬底层规整且尺寸精密，使PI薄膜的性能特点和应用领域具有更多的可能性，对未来柔性电子关键技术工艺突破具有重要的应用价值。

附图说明

图1是本发明提供的一种基于丝网状衬底层剥离技术的PI柔性基板示意图；

图2是本发明提供的一种基于丝网状衬底层剥离技术的PI柔性基板结构剥离示意图；

图3是本发明实施例一提供的丝网状衬底层微观结构示意图，其中，a)对应正六边形边长为500μm，线宽为10μm；b)对应正六边形边长为500μm,线宽为5μm；c)对应正六边形边长为200μm，线宽为10μm；d)对应正六边形边长为200μm，线宽为5μm；

图4是本发明实施例一提供的玻璃基板/丝网衬底/柔性基板整体示意图；

图5是本发明实施例一提供的玻璃基板/丝网衬底/柔性基板剥离后基底状态；

图6是本发明实施例一提供的200μm-10μm氮化硅丝网状衬底层柔性基板及其对照组的超声处理脱落时间；

图7是本发明实施例一提供的由于丝网衬底结构材料表面形成空隙示意图；

图8是本发明实施例一提供的可见光透过率示意图，其中，(a)为无丝网衬底PI柔性基板；(b)为氮化硅丝网衬底(200μm-10μm)PI柔性基板。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

薄膜与基体的附着力，起源于离子键、共价键、金属键和范德华力等，影响薄膜附着力的因素主要涉及到表面材料、表面状态、工艺方法、工艺参数等几个因素。

表面材料，薄膜材料与基体材料的适应性是获得良好附着力的前提条件。当薄膜材料与基体的材料组合不能获得满意的附着力时，就需要考虑在两者之间增加一层中间层，作为结合层或者牺牲层，以改善层间的附着力。尽管不同的中间层材料会带来不同的附着力，但诸多实例证实只是简单的增加一层中间层，并不能获得最理想的附着力和解决层与层之间易于发泡起皮的问题。因此，在选择不同材料作为中间层的基础上，进一步的将该中间层通过光刻工艺制作成丝网状衬底，从而改变薄膜材料与基体材料的接触表面状态，并通过调控丝网的图案和面积对薄膜的附着力进行调整和控制，进而获得更加符合工艺需求的附着力。进一步的通过不同的中间层制备工艺和工艺参数，也会对薄膜材料与基体材料的附着力施加影响。所以，本发明研究改进柔性OLED器件剥离的课题，发明原理主要是聚焦到上述中间层材料、中间层表面状态、中间层工艺方法、中间层工艺参数四个关键可改善因素的协同与融合。

实现本发明上述目的的技术方案是：如图1所示的基于丝网状衬底层剥离技术的PI柔性基板，其剥离方法包括以下步骤：

(1)在刚性基板上制备一层丝网状衬底层100，所述刚性基板的材质光滑且耐高温，所述丝网状衬底层至少满足以下条件中的一个：1)丝网状衬底层与PI柔性基板之间的剥离力低于刚性基板与PI柔性基板之间的剥离力；2)所述丝网状衬底层与刚性基板之间的剥离力低于刚性基板与PI柔性基板之间的剥离力；

(2)在丝网状衬底层上制备PI薄膜，固化后得到底部结合丝网状衬底层的PI柔性基板；

(3)在PI柔性基板上制备有机光电子器件，再对器件进行薄膜封装；

(4)如图2所示，将封装后的PI柔性基板300从刚性基板100上剥离。

上述刚性基板可以是玻璃、陶瓷、金属中的一种。

所述步骤(1)无机物或者金属丝网状衬底层制备方式有以下三种：

方式一、先光刻后沉积：

1)通过光刻技术在玻璃基板上制备一层光刻胶网格状结构；

2)在形成有光刻胶网格状结构的基板上沉积一层无机物或者金属薄膜；

3)去胶剥离，留下沉积在基板上的无机物或者金属丝网状衬底层。

方式二、先沉积后光刻：

1)在玻璃基板上沉积一层无机物或者金属制成的薄膜；

2)通过光刻技术在无机物或者金属薄膜上制备一层光刻胶丝网状结构；

3)用腐蚀液对无机物或者金属暴露部分刻蚀，留下无机物或者金属丝网状衬底层。

方式三、丝网印刷：

1)通过丝网印版制备网格状结构印模；

2)用刮印刮板将调制好的无机物或者金属溶胶溶液印制到玻璃基板上；

3)加温烘干，留下印制在玻璃基板上的无机物或者金属丝网状衬底层。

上述无机物或者金属，具体为氧化硅、氮化硅、碳化硅、硫化硅等硅基薄膜材料的任意一种或者一种以上；石墨烯、非晶碳、碳纳米管、富勒烯或者类金刚石等碳基薄膜材料的任意一种或者一种以上；氧化锡、氧化钛、氧化铝、氧化铟锡、氧化钒等金属氧化物薄膜材料的任意一种或者一种以上；金、银、铜、铝等金属薄膜材料的任意一种或者一种以上。

通过优选金属材料作为的丝网衬底的材料，可有效增强PI柔性基板介电、导体与电磁屏蔽性能，例如，金、银、铜、铝。

通过优选低温多晶氧化物材料作为丝网衬底的材料，可实现PI柔性基板光电子器件更高的电荷迁移率，例如，二硫化钼、LTPO。

通过优选无机氧化物材料作为的丝网衬底的材料，可有效增强PI柔性基板的水汽阻隔性能，例如，二氧化锡、三氧化二铝。

所述步骤(1)衬底薄膜的制备方法为采用溶胶-凝胶技术、浸渍涂布法、CVD、PVD、液相沉积法、电蒸发、溅射、丝印等。

所述步骤(1)丝网状衬底层的丝网图案为方形网格、菱形网格、套圆网格、直线条格、曲线条格、电路图案及书画图案等任意图案。

所述步骤(1)所述丝网状衬底层的厚度控制在10nm至900um以内。丝网尺寸以线宽和面积比(丝网面积/基板面积)定义，线宽控制在1nm至100um，面积比0.01％至99％。

所述步骤(2)采用旋涂、刮涂、流延方式在丝网状衬底层上制备聚酰亚胺薄膜PI柔性基板。

所述步骤(3)通过真空蒸镀方式在PI柔性基板上制备有机光电子器件与封装。

所述步骤(4)通过物理、溶液浸泡或者超声震动方式将PI柔性基板整体从玻璃基板上剥离，因选用不同衬底材料、丝网图案、制备工艺，得到的PI柔性基板基底会产生以下3种结构：

第一种是丝网状衬底层全部留在玻璃基板上，PI柔性基板从玻璃基板以及丝网状衬底层完全剥离，PI柔性基板基底会留有丝网图案的坑洼空隙；

第二种是丝网状衬底层全部脱离玻璃基板，PI柔性基板连着丝网状衬底层一起从玻璃基板完全剥离，PI柔性基板基底会留有整体丝网图案的衬底层；

第三种是丝网状衬底层部分脱离玻璃基板，PI柔性基板连着部分丝网状衬底层从玻璃基板剥离，PI柔性基板基底会留有部分丝网图案的衬底层。

上述步骤(4)通过物理、溶液浸泡或者超声震动方式将PI柔性基板整体从玻璃基板上剥离，得到分离了玻璃基板后的成品柔性OLED。

实施例一：一种基于氮化硅丝网状衬底层技术的PI(聚酰亚胺)柔性基板剥离工艺。

步骤(1)：在玻璃基板上制备一层氮化硅丝网状衬底层；

步骤(1)所述基板材料为玻璃基板，也可替换成陶瓷、金属中的一种。

步骤(1)所述的丝网状衬底层沉积材料为氮化硅。

步骤(1)所述氮化硅丝网状衬底层的厚度为230nm～290nm。

步骤(1)所述丝网状衬底层的图案选为六边形网格，丝网线宽分别为200μm-5μm，200μm-10μm，500μm-5μm，500μm-10μm四种规格边长和线宽组合。面积比分别为0.494％，0.975％，0.0199％，0.0386％。

步骤(1)所述丝网状衬底结构采用先光刻后沉积工艺方法制备得到：

对基片进行前处理，将基板使用含有洗洁精的水溶液超声20min后，再分别用去离子水和异丙醇超声30min，去除溶剂放入烘箱，最终使基板表面干净且干燥，保持表面平滑，方便后续光刻胶与基板表面的贴合。

光刻胶涂胶，使用旋涂的方法，采用第一阶段1000r-3s，第二阶段为4000r-35s(加速度均为1100m/s)的工艺，最终在基板表面旋涂一层薄而均匀的光刻胶层。

将基板在110℃下进行前烘，时间为50s，去除胶层内的溶剂，使光刻胶与基板的粘附力提升且光刻胶的抗机械擦伤性增强。

将基板置于光刻机上，准确定位图形在基板表面的位置后，进行1.5s的前曝，使图形转移到光刻胶涂层上。

将基板在125℃下进行后烘，时间为45s。

将基板置于光刻机上进行泛曝光，时间为20s。

在1：4配比的显影液中进行显影，显影时间为50s，将掩膜图案复制到光刻胶上。

在获得的丝网状光刻胶结构表面，沉积一层氮化硅薄膜。

沉积方法具体为PECVD(等离子体增强化学的气相沉积法)，沉积时间为10分48秒，膜厚约200微米。根据器件制备的需要可设置氮化硅沉积工艺，获得目标厚度。

使用超声洗去光刻胶一并去除在前一处理过程中沉积在光刻胶表面的氮化硅材料，留下沉积在基板上的丝网结构得到氮化硅丝网状衬底层。所述超声过程具体为：先在烧杯中加入适量DMF溶液淹没样片。然后把烧杯置于超声清洗机中超声处理，超声5min后取出用去离子水冲洗，得到带有氮化硅丝网状衬底层的玻璃基板。

步骤(1)制备出200μm-5μm，200μm-10μm，500μm-5μm，500μm-10μm四种网格边长和线宽组合的丝网状衬底层(见图3)，通过控制丝网网格的边长形状与线宽进而控制剥离力。

步骤(2)：在氮化硅丝网状衬底层上制备聚酰亚胺薄膜，固化后得到底部结合氮化硅丝网衬底的PI柔性基板。

步骤(2)所述制备聚酰亚胺薄膜过程为：在氮化硅丝网状衬底层上旋涂PAA，制备聚酰亚胺酸湿膜，然后进行退火程序，将聚酰亚胺酸湿膜转化为聚酰亚胺薄膜，如此在基底上依次获得氮化硅丝网状衬底和聚酰亚胺薄膜，完成底部结合氮化硅丝网的PI柔性基板的制备。

步骤(2)中退火程序具体为：在60℃，表干1小时后，转入高温氮气烘箱开始程序升温，所述程序升温包括若干个升温阶段(100℃-150℃-200℃-300℃-450℃)，每阶段升温总时间为30分钟，其中升温速率为3℃/min，直至最后升至450℃，在该温度下脱水成环，完成热亚胺化过程从而获得黄色PI薄膜(见图4)。

步骤(3)：在氮化硅丝网-PI柔性基板上制备有机光电子器件与封装。

步骤(3)所述制备有机光电子器件与封装工艺为真空蒸镀工艺，在此不再赘述。

步骤(4)：将封装后的PI柔性基板从刚性基板上剥离，获得成品OLED。

步骤(4)中剥离程序具体为：将完成有机光电子器件的封装后的氮化硅丝网-聚酰亚胺柔性基板浸入去离子水中，并进行超声处理，实现PI柔性基板与玻璃基板的剥离。

PI柔性基板从玻璃基板剥离后，观察基底状态，氮化硅丝网状衬底层部分脱离玻璃基板，PI柔性基板连着部分氮化硅丝网状衬底层从玻璃基板剥离，PI柔性基板基底留有部分氮化硅丝网图案的衬底层(见图5)，由上述可知实例一为上述第三种结构。

在实施例一中，分别测试了三组PI柔性基板的剥离，分别是：a、无丝网衬底PI柔性基板；b、氮化硅丝网衬底(200μm-10μm)PI柔性基板；c、氮化硅完整衬底PI柔性基板。三组超声处理后脱落时间分别为：a、126分钟；b、98分钟；c、148分钟。

通过以上对照组进行对比(见图6)，可以得出实施例一采用氮化硅丝网状衬底层的工艺，通过调节PI柔性基板的底表状态，可有效降低PI柔性基板与玻璃基板的粘附力，用超声震动方式方便简单地实现PI柔性基板基底剥离。

氮化硅丝网状衬底层会形成凹凸结构，使附着在其上的柔性基板在丝网边界处与刚性基板产生空隙(见图7)，在改变底表状态的同时，减少柔性基板与刚性基板粘结面积，使PI柔性基板粘附力改变。此外，氮化硅和PI柔性基板对玻璃基板粘附力的差异，也可进一步调节剥离力，通过物理、溶液浸泡或者超声震动方式简单方便将柔性基板从刚性基板上剥离。

实施例一采用氮化硅材料制备丝网状衬底层，且衬底层较薄，剥离后的氮化硅丝网状衬底层不会对器件的本身性质造成干扰，使用分光光度计进行透光率的测试得到光学性能对比结果(见图8)。

实施例一的工艺，具有剥离简单、可调节性强且降低制备工艺难度和复杂度的特点。

实施例一通过与对照组拉伸力的对比证明，所述技术可通过氮化硅丝网状衬底层有效降低PI柔性基板与玻璃基板的粘附力，用超声震动方式方便简单地实现PI柔性基板基底剥离。

本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于丝网状衬底层的PI柔性基板剥离方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

S1.在刚性基板上制备一层丝网状衬底层，所述刚性基板的材质光滑且耐高温，所述丝网状衬底层需满足以下条件：丝网状衬底层与PI柔性基板之间的剥离力低于刚性基板与PI柔性基板之间的剥离力；

S2.在丝网状衬底层上制备PI薄膜，固化后得到底部结合丝网状衬底层的PI柔性基板；

S3.在PI柔性基板上制备有机光电子器件，再对器件进行薄膜封装；

S4.通过物理、溶液浸泡或者超声震动方式将封装后的PI柔性基板从刚性基板上剥离。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刚性基板为玻璃基板、陶瓷基板或者金属基板，所述丝网状衬底层为硅基薄膜、碳基薄膜、金属氧化物薄膜或者金属薄膜。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述丝网状衬底层的丝网图案为方形网格、菱形网格、六边形网格、套圆网格、直线条格、曲线条格、电路图案或者书画图案，所述丝网状衬底层的厚度范围为[10nm,900um]，线宽范围为[1nm,100um]，丝网与刚性基板面积比范围为[0.01％,99％]。

4.如权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，步骤S1中，通过以下任意一种方式，在刚性基板上制备一层丝网状衬底层：

方式一、先光刻后沉积：

1)通过光刻技术在刚性基板上制备一层光刻胶网格状结构；

2)在形成有光刻胶网格状结构的刚性基板上沉积一层衬底薄膜；

3)去胶剥离，留下沉积在基板上的丝网状衬底层；

方式二、先沉积后光刻：

1)在刚性基板上沉积一层衬底薄膜；

2)通过光刻技术在衬底薄膜上制备一层光刻胶丝网格状结构；

3)用腐蚀液对衬底薄膜暴露部分刻蚀，留下丝网状衬底层；

方式三、丝网印刷：

1)通过丝网印版制备网格状结构印模；

2)用刮印刮板将调制好的溶胶溶液印制到刚性基板上；

3)加温烘干，留下印制在刚性基板上的丝网状衬底层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，衬底薄膜的制备方式为以下任意一种：溶胶-凝胶技术、浸渍涂布法、CVD、PVD、液相沉积法、电蒸发、溅射或者丝网印刷。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中，通过以下任意一种方式，在丝网状衬底层上制备PI薄膜：旋涂、刮涂或者流延方式。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中，通过真空蒸镀方式在PI柔性基板上制备有机光电子器件与封装。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S4中，通过以下任意一种方式，将封装后的PI柔性基板从刚性基板上剥离：物理剥离、溶液浸泡剥离或者超声震动剥离方式。

9.一种柔性基板，其特征在于，所述柔性基板的基底采用如权利要求1至8任一项所述的基于丝网状衬底层的PI柔性基板剥离方法，

当丝网状衬底层与PI柔性基板之间剥离力小于丝网状衬底层与刚性基板之间剥离力时，丝网状衬底层全部留在刚性基板上，PI柔性基板基底从刚性基板以及丝网状衬底层完全剥离，PI柔性基板基底留有丝网图案的坑洼空隙。

10.一种柔性OLED，其特征在于，通过如权利要求1至8任意一项所述的基于丝网状衬底层的PI柔性基板剥离方法制备得到。

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