JP2924085B2 - 電極ラインの製造方法 - Google Patents
電極ラインの製造方法Info
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- JP2924085B2 JP2924085B2 JP13178290A JP13178290A JP2924085B2 JP 2924085 B2 JP2924085 B2 JP 2924085B2 JP 13178290 A JP13178290 A JP 13178290A JP 13178290 A JP13178290 A JP 13178290A JP 2924085 B2 JP2924085 B2 JP 2924085B2
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- electrode
- forming
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は低抵抗な電極ラインの形成方法に関する。
半導体素子の分野においては、集積化技術が重要な技
術の１つである。その中でも電流を多量に流す素子の集
積化では電極ラインでの電圧降下を防ぐために、電極ラ
インを厚膜化し低抵抗化する必要がある。基板上に点在
する各素子の電極間を厚膜の電極ラインで接続する技術
としてメッキを利用した方法が考えられている。
術の１つである。その中でも電流を多量に流す素子の集
積化では電極ラインでの電圧降下を防ぐために、電極ラ
インを厚膜化し低抵抗化する必要がある。基板上に点在
する各素子の電極間を厚膜の電極ラインで接続する技術
としてメッキを利用した方法が考えられている。
第３図に従来知られているメッキによる電極の形成方
法を示す。基板２上に形成されている５μｍ角の電極２
に５μｍ幅の厚膜電極ラインを形成するために電極ライ
ンを形成する場所以外をフォトレジスト工程によりマス
ク７（厚さ約１μｍ）を形成する。ここで、ポストベー
ク温度は130℃以上の高温が必要であった。その理由
は、後で金属膜を全面に蒸着するため揮発性ガスが残っ
ていると、マスクであるフォトレジストの下の蒸着膜が
変質して剥離工程が非常に困難であるからである。その
後メッキするためにメッキ電極４として全面にCr500Å,
Au1500Åを連続して真空蒸着する。その後、電極ライン
形成部位外にメッキ時に電極が形成されないようにフォ
トレジスト工程により、マスク７と同じパターンのマス
ク５を形成する。その後メッキ電極４を負の電極に、ま
た対向する位置に正の電極を配置し、Auメッキ液中でメ
ッキを施し、５μｍ幅、１μｍ厚の金配線８を形成す
る。その後、アッシャーの酸素プラズマによりマスク５
を除去し、リアクティブイオンエッチング装置のアルゴ
ンプラズマにより基板全面にわたり2000Å除去する。そ
れによりメッキ電極４を完全に除去する。その後アッシ
ャーの酸素プラズマ及びフォトレジストのハクリ液でマ
スク７を除去する。これにより金による低抵抗な電極ラ
インが形成される。
法を示す。基板２上に形成されている５μｍ角の電極２
に５μｍ幅の厚膜電極ラインを形成するために電極ライ
ンを形成する場所以外をフォトレジスト工程によりマス
ク７（厚さ約１μｍ）を形成する。ここで、ポストベー
ク温度は130℃以上の高温が必要であった。その理由
は、後で金属膜を全面に蒸着するため揮発性ガスが残っ
ていると、マスクであるフォトレジストの下の蒸着膜が
変質して剥離工程が非常に困難であるからである。その
後メッキするためにメッキ電極４として全面にCr500Å,
Au1500Åを連続して真空蒸着する。その後、電極ライン
形成部位外にメッキ時に電極が形成されないようにフォ
トレジスト工程により、マスク７と同じパターンのマス
ク５を形成する。その後メッキ電極４を負の電極に、ま
た対向する位置に正の電極を配置し、Auメッキ液中でメ
ッキを施し、５μｍ幅、１μｍ厚の金配線８を形成す
る。その後、アッシャーの酸素プラズマによりマスク５
を除去し、リアクティブイオンエッチング装置のアルゴ
ンプラズマにより基板全面にわたり2000Å除去する。そ
れによりメッキ電極４を完全に除去する。その後アッシ
ャーの酸素プラズマ及びフォトレジストのハクリ液でマ
スク７を除去する。これにより金による低抵抗な電極ラ
インが形成される。
上述した従来の電極ラインの形成方法により得られた
電極ラインの断面図を第４図に示す。この図よりわかる
ように、メッキにより形成された金配線８は高温ポスト
ベークのため、エッヂのだれたフォトレジストマスク７
に沿って逆メサ状に成長し、断面形状はオーバーハング
を持った形になっている。
電極ラインの断面図を第４図に示す。この図よりわかる
ように、メッキにより形成された金配線８は高温ポスト
ベークのため、エッヂのだれたフォトレジストマスク７
に沿って逆メサ状に成長し、断面形状はオーバーハング
を持った形になっている。
素子集積化では効率的に配線を施すために配電ライン
が交差する状況が生じるが、その場合断面形状が、第４
図の様な、オーバーハングを持った電極では絶縁膜で被
覆されない部分が生じ、電極ライン間でショートする問
題が生じていた。また、基板を傾斜させて、オーバーハ
ング部を被覆するように絶縁膜をつけた場合でも、絶縁
膜と金配線（電極ライン）の熱膨張係数の差によりオー
バーハング部で絶縁膜が浮き上がり、その後の製造プロ
セス途中で絶縁膜が破れ、ショートがおきる問題があっ
た。
が交差する状況が生じるが、その場合断面形状が、第４
図の様な、オーバーハングを持った電極では絶縁膜で被
覆されない部分が生じ、電極ライン間でショートする問
題が生じていた。また、基板を傾斜させて、オーバーハ
ング部を被覆するように絶縁膜をつけた場合でも、絶縁
膜と金配線（電極ライン）の熱膨張係数の差によりオー
バーハング部で絶縁膜が浮き上がり、その後の製造プロ
セス途中で絶縁膜が破れ、ショートがおきる問題があっ
た。
本発明の目的は、従来のかかる問題点を解決し電極ラ
インの断面形状にオーバーハングを生じず、電極ライン
間での絶縁を容易にするための電極ラインを提供するこ
とにある。
インの断面形状にオーバーハングを生じず、電極ライン
間での絶縁を容易にするための電極ラインを提供するこ
とにある。
本発明は、電極ライン形成部に開口を有する第１のマ
スクを形成する工程と、メッキを行うための電極となる
金属膜を前記マスク上及び開口部を含む全面に形成する
工程と、電極ライン形成部に開口を有する第２のマスク
を形成する工程と、メッキにより電極ラインに金属厚膜
を形成する工程と、前記第1,第２のマスク及び第１のマ
スク上の金属膜を除去する工程とを少くとも有する電極
ラインの形成方法において、前記第２のマスクに100℃
以下の低温ポストベークを行い、かつ、前記第１のマス
クの開口部を前記第２のマスクの開口部より大きく形成
することを特徴とする電極ラインの製造方法である。
スクを形成する工程と、メッキを行うための電極となる
金属膜を前記マスク上及び開口部を含む全面に形成する
工程と、電極ライン形成部に開口を有する第２のマスク
を形成する工程と、メッキにより電極ラインに金属厚膜
を形成する工程と、前記第1,第２のマスク及び第１のマ
スク上の金属膜を除去する工程とを少くとも有する電極
ラインの形成方法において、前記第２のマスクに100℃
以下の低温ポストベークを行い、かつ、前記第１のマス
クの開口部を前記第２のマスクの開口部より大きく形成
することを特徴とする電極ラインの製造方法である。
メッキによる金属の成膜は、金属表面に金属が付着し
ていくために、等方的に広がっていくが、メッキの電極
となるCr/Auの蒸着膜の厚みの分だけ電極ライン形成部
の開口部は狭くなり、第１のマスクと同じ幅の第２のマ
スクでは、第１のマスクのエッヂ部分を覆えなくなる。
第１のマスクは揮発性ガスを抜くため高温（130℃以
上）でポストベークをする必要があるため角がだれて、
断面形状が順メサ型を示す。それに沿って成長したメッ
キにより電極ラインは、オーバーハングを持つ形状とな
る。それに対して、第２のマスクはその上部に何もつけ
ないで低温ポストベークですみ、だれが少なくなり、そ
のエッヂに沿ってメッキが成長するならばオーバーハン
グの程度は小さくなる。そこで本発明では第２のマスク
の開口部を第１のマスクの開口部より小さくする。そし
て第２のマスクを低温（100℃以下）でポストベークす
ることによってメッキによる金属膜は、だれの少ない第
２のマスクに沿って成長するので形成された電極ライン
はオーバーハングが少なくなり、絶縁膜による被覆が容
易になる。
ていくために、等方的に広がっていくが、メッキの電極
となるCr/Auの蒸着膜の厚みの分だけ電極ライン形成部
の開口部は狭くなり、第１のマスクと同じ幅の第２のマ
スクでは、第１のマスクのエッヂ部分を覆えなくなる。
第１のマスクは揮発性ガスを抜くため高温（130℃以
上）でポストベークをする必要があるため角がだれて、
断面形状が順メサ型を示す。それに沿って成長したメッ
キにより電極ラインは、オーバーハングを持つ形状とな
る。それに対して、第２のマスクはその上部に何もつけ
ないで低温ポストベークですみ、だれが少なくなり、そ
のエッヂに沿ってメッキが成長するならばオーバーハン
グの程度は小さくなる。そこで本発明では第２のマスク
の開口部を第１のマスクの開口部より小さくする。そし
て第２のマスクを低温（100℃以下）でポストベークす
ることによってメッキによる金属膜は、だれの少ない第
２のマスクに沿って成長するので形成された電極ライン
はオーバーハングが少なくなり、絶縁膜による被覆が容
易になる。
以下、本発明の実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。第１図は本発明の一実施例の電極ラインの
形成方法を示す。第３図に示す従来方法と異なる点は５
μｍ角の電極２上のマスク３の開口部を、電極の左右両
側に１μｍずつ広くとり、７μｍ幅とすることである。
その後メッキ電極４を全面に形成し、ポジ型のフォトレ
ジスト液を塗布し、第１のマスク３の内側に、幅５μｍ
のマスクにより露光した。その後、マスク３の内側に開
口を有するマスク５を形成した。その後従来技術と同様
にメッキを行い、電極ライン６を形成し、アッシャーに
よりマスク５を、リアクティブイオンエッチングにより
メッキ電極４を、また、アッシャー及び剥離液によりマ
スク３を除去した。これにより、第２図に示すような断
面形状の金の電極ライン６（５μｍ幅,1μｍ厚）が形成
された。
に説明する。第１図は本発明の一実施例の電極ラインの
形成方法を示す。第３図に示す従来方法と異なる点は５
μｍ角の電極２上のマスク３の開口部を、電極の左右両
側に１μｍずつ広くとり、７μｍ幅とすることである。
その後メッキ電極４を全面に形成し、ポジ型のフォトレ
ジスト液を塗布し、第１のマスク３の内側に、幅５μｍ
のマスクにより露光した。その後、マスク３の内側に開
口を有するマスク５を形成した。その後従来技術と同様
にメッキを行い、電極ライン６を形成し、アッシャーに
よりマスク５を、リアクティブイオンエッチングにより
メッキ電極４を、また、アッシャー及び剥離液によりマ
スク３を除去した。これにより、第２図に示すような断
面形状の金の電極ライン６（５μｍ幅,1μｍ厚）が形成
された。
この実施例による方法で得られた電極ラインはオーバ
ーハングが小さいため1500ÅのSiN膜で絶縁が行え電極
ラインの交叉部でショートがなくなり、集積素子の歩留
りが向上した。ここで本実施例では、金メッキによる配
線と特定のポストベーク温度について行ったが他の方法
で得られた配線でも本発明は有効である。さらに、本実
施例では第１のマスクの開口部を広げたが第２のマスク
の開口部を小さくする方法でも本発明は有効である。
ーハングが小さいため1500ÅのSiN膜で絶縁が行え電極
ラインの交叉部でショートがなくなり、集積素子の歩留
りが向上した。ここで本実施例では、金メッキによる配
線と特定のポストベーク温度について行ったが他の方法
で得られた配線でも本発明は有効である。さらに、本実
施例では第１のマスクの開口部を広げたが第２のマスク
の開口部を小さくする方法でも本発明は有効である。
以上詳細に述べた通り本発明によれば従来技術で問題
となっていた交叉部でのショートを無くす電極ラインの
低抵抗化が行える。
となっていた交叉部でのショートを無くす電極ラインの
低抵抗化が行える。
第１図は本発明の一実施例を示す電極ラインの形成方法
を示す図、第２図は第１図に示した実施例により得られ
た電極の断面を示す図、第３図は従来知られている電極
ラインの形成方法を示す図、第４図は第３図に示した従
来方法により得られた電極ラインの断面を示す図であ
る。 １……基板、２……電極、3,5,7……マスク、４……メ
ッキ電極、6,8……電極ライン。
を示す図、第２図は第１図に示した実施例により得られ
た電極の断面を示す図、第３図は従来知られている電極
ラインの形成方法を示す図、第４図は第３図に示した従
来方法により得られた電極ラインの断面を示す図であ
る。 １……基板、２……電極、3,5,7……マスク、４……メ
ッキ電極、6,8……電極ライン。
Claims (1)
- 【請求項１】電極ライン形成部に開口を有する第１のマ
スクを形成する工程と、前記マスク上及び開口部を含む
全面に金属膜を形成する工程と、電極ライン形成部に開
口を有する第２のマスクを前記金属膜上に形成する工程
と、メッキにより電極ラインに金属厚膜を形成する工程
と、前記第1,第２のマスク及び第１のマスク上の金属膜
を除去する工程とを少くとも有する電極ラインの形成方
法において、前記第２のマスクに100℃以下の低温ポス
トベークを行い、かつ、前記第１のマスクの開口部を前
記第２のマスクの開口部より大きく形成することを特徴
とする電極ラインの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13178290A JP2924085B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 電極ラインの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13178290A JP2924085B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 電極ラインの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426127A JPH0426127A (ja) | 1992-01-29 |
| JP2924085B2 true JP2924085B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=15066024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13178290A Expired - Lifetime JP2924085B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 電極ラインの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924085B2 (ja) |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP13178290A patent/JP2924085B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0426127A (ja) | 1992-01-29 |
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