JPH03198341A - 電極ラインの形成方法 - Google Patents
電極ラインの形成方法Info
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- JPH03198341A JPH03198341A JP33969289A JP33969289A JPH03198341A JP H03198341 A JPH03198341 A JP H03198341A JP 33969289 A JP33969289 A JP 33969289A JP 33969289 A JP33969289 A JP 33969289A JP H03198341 A JPH03198341 A JP H03198341A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は低抵抗な電極ラインの形成方法に関する。
半導体素子の分野においては、集積化技術が重要な技術
の１つである。その中でも電流も多量に流す素子の集積
化では、電極ラインでの電圧降下を防ぐために電極ライ
ンを厚膜化し、低抵抗化する必要がある。
の１つである。その中でも電流も多量に流す素子の集積
化では、電極ラインでの電圧降下を防ぐために電極ライ
ンを厚膜化し、低抵抗化する必要がある。
基板上に点在する各素子の電極間を厚膜の電極ラインで
接続する技術として、メッキを利用した方法が考えられ
ている。第３図に従来知られているメッキによる電極の
形成方法を示す。基板１上に形成されている５μｍ角の
電極２に５ 、ｖ ｍ幅の厚膜電極ラインを形成するな
めに、電極ラインを形成する場所以外をフォトレジスト
工程によりマスク３（厚さ約１μｍ）を形成する。その
後メッキを行うためにメッキ電極４として全面にＣｒ５
００人、Ａｕ１５００人を連続して真空蒸着を行った。
接続する技術として、メッキを利用した方法が考えられ
ている。第３図に従来知られているメッキによる電極の
形成方法を示す。基板１上に形成されている５μｍ角の
電極２に５ 、ｖ ｍ幅の厚膜電極ラインを形成するな
めに、電極ラインを形成する場所以外をフォトレジスト
工程によりマスク３（厚さ約１μｍ）を形成する。その
後メッキを行うためにメッキ電極４として全面にＣｒ５
００人、Ａｕ１５００人を連続して真空蒸着を行った。
その後電極ライン形成部以外にメッキ時に電極が形成さ
れないようにフォトレジスト工程によりマスク７を形成
した。その後、メッキ電極４を負の電極に、また対向す
る位置に正の電極を配置し、Ａｕメッキ液中でメッキを
施し、５μｍ幅、２μｍ厚の金配線８を形成した。その
後アッシャ−の酸素プラズマによりマスク７を除去し、
リアクティブ・イオン・エツチング装置のアルゴンプラ
ズマにより基板全面にわたり２０００人除去した。それ
によりメッキ電極４を完全に除去する。
れないようにフォトレジスト工程によりマスク７を形成
した。その後、メッキ電極４を負の電極に、また対向す
る位置に正の電極を配置し、Ａｕメッキ液中でメッキを
施し、５μｍ幅、２μｍ厚の金配線８を形成した。その
後アッシャ−の酸素プラズマによりマスク７を除去し、
リアクティブ・イオン・エツチング装置のアルゴンプラ
ズマにより基板全面にわたり２０００人除去した。それ
によりメッキ電極４を完全に除去する。
その後アッシャ−の酸素プラズマ及びフォトレジストの
パクリ液でマスク３を除去した。これにより金による低
抵抗な電極ラインが形成された。
パクリ液でマスク３を除去した。これにより金による低
抵抗な電極ラインが形成された。
上記に示した従来の電極ラインの形成方法により得られ
た電極ラインの断面図を第４図に示す。
た電極ラインの断面図を第４図に示す。
この図より、メッキにより形成された金配線８の断面形
状は下部がくぼんだマツシュルーム型となっている。素
子集積化では効率的に配線を施すために、配線ラインが
交叉する状況が生じるが、その場合断面形状がこの様な
マツシュルーム型となる電極では絶縁膜で被覆されない
部分が生じ、電極ライン同志でショートする問題が生じ
ていた。また絶縁膜を厚くすることでこの問題を回避し
ようとすると、熱膨張の差により素子にストレスが加わ
り、素子特性が劣化する問題や、光素子では無反射膜の
膜厚と絶縁膜の膜厚が異なるために工程が複雑となる様
な問題がかえって付加される欠点があった。
状は下部がくぼんだマツシュルーム型となっている。素
子集積化では効率的に配線を施すために、配線ラインが
交叉する状況が生じるが、その場合断面形状がこの様な
マツシュルーム型となる電極では絶縁膜で被覆されない
部分が生じ、電極ライン同志でショートする問題が生じ
ていた。また絶縁膜を厚くすることでこの問題を回避し
ようとすると、熱膨張の差により素子にストレスが加わ
り、素子特性が劣化する問題や、光素子では無反射膜の
膜厚と絶縁膜の膜厚が異なるために工程が複雑となる様
な問題がかえって付加される欠点があった。
本発明の目的は従来のかかる問題点を解決し、金属配線
の断面形状がマツシュルーム型とならず電極ライン間で
の絶縁を容易にするための電極ラインの形成方法を提供
することにある。
の断面形状がマツシュルーム型とならず電極ライン間で
の絶縁を容易にするための電極ラインの形成方法を提供
することにある。
本発明は、電極ライン形成部以外に第１のマスクを形成
する工程と、メッキを行うための電極となる全面電極形
成工程と、電極ライン形成部以外に第２のマスクを形成
し、その後メッキにより厚膜とする工程と、第１．第２
のマスク及びマスク上の電極を除去する工程とを少くと
も有する電極ライン形成方法において、第２のマスクを
逆メサ形状、すなわち、マスク開口部断面形状を底部が
広く上部が狭い、いわゆる台形状とすることを特徴とす
る電極ラインの形成方法である。
する工程と、メッキを行うための電極となる全面電極形
成工程と、電極ライン形成部以外に第２のマスクを形成
し、その後メッキにより厚膜とする工程と、第１．第２
のマスク及びマスク上の電極を除去する工程とを少くと
も有する電極ライン形成方法において、第２のマスクを
逆メサ形状、すなわち、マスク開口部断面形状を底部が
広く上部が狭い、いわゆる台形状とすることを特徴とす
る電極ラインの形成方法である。
メッキによる金属の成膜は、金属表面に金属が付着して
いくために等友釣に広がっていくが、第２のマスクがあ
るためにそのマスクのエッチに沿って成膜することにな
る。従来技術ではフォトレジストマスクをそのまま用い
ているために順メサ形状のマスクとなり得られた電極ラ
インはマツシュルーム型となる。そこで本発明では第２
のマスクの形状を逆メサとすることによりそのエツジに
沿って成膜する金属は順メサ構造となり、絶縁膜での被
覆が完全に行えるため電極ラインの絶縁が容易となる。
いくために等友釣に広がっていくが、第２のマスクがあ
るためにそのマスクのエッチに沿って成膜することにな
る。従来技術ではフォトレジストマスクをそのまま用い
ているために順メサ形状のマスクとなり得られた電極ラ
インはマツシュルーム型となる。そこで本発明では第２
のマスクの形状を逆メサとすることによりそのエツジに
沿って成膜する金属は順メサ構造となり、絶縁膜での被
覆が完全に行えるため電極ラインの絶縁が容易となる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。第１図は本発明の一実施例の電極ラインの形成
方法を示す、第３図に示す従来方法と同様に、基板１上
に形成されている５μｍ角の電極２にマスク３．メッキ
電極４を形成した。
明する。第１図は本発明の一実施例の電極ラインの形成
方法を示す、第３図に示す従来方法と同様に、基板１上
に形成されている５μｍ角の電極２にマスク３．メッキ
電極４を形成した。
その後、ポジ型のフォトレジスト液を塗布し幅４μｍの
マスクにより露光後、Ｃ６Ｈ，ＣＩ （モノクロルベン
ゼン）中に５分間浸し、表面処理後１００°Ｃのベーク
炉で３０分間加熱する。その後、現像を行うことにより
逆メサ形状をもつマスク５を形成した。その後、従来技
術と同様にメッキを行い、電極ライン６を形成しアッシ
ャ−によりマスク５を、リアクティブ・イオン・エツチ
ングによりメッキ電極４を、またアッシャ−及びハクリ
液によりマスク３を除去した。これにより金の電極ライ
ン（５μｍ幅、１μｍ厚）が形成された（第２図）。
マスクにより露光後、Ｃ６Ｈ，ＣＩ （モノクロルベン
ゼン）中に５分間浸し、表面処理後１００°Ｃのベーク
炉で３０分間加熱する。その後、現像を行うことにより
逆メサ形状をもつマスク５を形成した。その後、従来技
術と同様にメッキを行い、電極ライン６を形成しアッシ
ャ−によりマスク５を、リアクティブ・イオン・エツチ
ングによりメッキ電極４を、またアッシャ−及びハクリ
液によりマスク３を除去した。これにより金の電極ライ
ン（５μｍ幅、１μｍ厚）が形成された（第２図）。
この実施例による方法で得られた電極ライは順メサ形状
を有しているため、１５００人厚のＳｉＯ□膜で絶縁が
行え、電極ラインの交叉部でのショートが無くなり、集
積素子の歩留りが向上しな、ここで本実施例では逆メサ
形状のマスクをフォトレジストと、Ｃ６Ｈ，ＣＩで行っ
たが、他の方法で得られたマスクでも本発明は有効であ
る。
を有しているため、１５００人厚のＳｉＯ□膜で絶縁が
行え、電極ラインの交叉部でのショートが無くなり、集
積素子の歩留りが向上しな、ここで本実施例では逆メサ
形状のマスクをフォトレジストと、Ｃ６Ｈ，ＣＩで行っ
たが、他の方法で得られたマスクでも本発明は有効であ
る。
以上詳細に述べた通り、本発明によれ、従来技術で問題
となっていた交叉部でのショートを無くす電極ラインの
低抵抗化が行える効果を有する。
となっていた交叉部でのショートを無くす電極ラインの
低抵抗化が行える効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す電極ラインの形成方法
を示す図、第２図は第１図に示した実施例により得られ
た電極ラインの断面を示す図、第３図は従来知られてい
る電極ラインの形成方法を示す図、第４図は第３図に示
した従来方法により得られた電極ラインの断面を示す図
である。 １・・・基板、２・・・電極、３，５．７・・・マスク
、４・・・メッキ電極、６，８・・・電極ライン。
を示す図、第２図は第１図に示した実施例により得られ
た電極ラインの断面を示す図、第３図は従来知られてい
る電極ラインの形成方法を示す図、第４図は第３図に示
した従来方法により得られた電極ラインの断面を示す図
である。 １・・・基板、２・・・電極、３，５．７・・・マスク
、４・・・メッキ電極、６，８・・・電極ライン。
Claims (1)
- 電極ライン形成部に開口を有する第１のマスクを形成す
る工程と、メッキを行うための電極となる電極を前記マ
スク上及び開口部を含む全面に形成する工程と、電極ラ
イン形成部に開口を有する第２のマスクを形成する工程
と、メッキにより電極ラインを厚膜とする工程と、前記
第１、第２のマスク及びマスク上の電極を除去する工程
とを少くとも有する電極ライン形成方法において、前記
第２のマスクを逆メサ形状とすることを特徴とする電極
ラインの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33969289A JPH03198341A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 電極ラインの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33969289A JPH03198341A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 電極ラインの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03198341A true JPH03198341A (ja) | 1991-08-29 |
Family
ID=18329894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33969289A Pending JPH03198341A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 電極ラインの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03198341A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100319889B1 (ko) * | 1999-06-23 | 2002-01-10 | 윤종용 | 이방성 패시트를 갖는 물질막을 구비하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP33969289A patent/JPH03198341A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100319889B1 (ko) * | 1999-06-23 | 2002-01-10 | 윤종용 | 이방성 패시트를 갖는 물질막을 구비하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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