JPS62222653A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の多層配線技術に関するもので
ある。

〔従来の技術） 従来、この種の装置として、第４図に示すものがあった
。図において、（１）はＳｉ基板、（２）は不純物拡散
層、（３）は下地絶縁膜、（４）は一層目アルミ配線、
（５）は層間絶縁膜、（６）は二層目アルミ配線である
。

次に、従来の半導体装置の製造フローについて、第５図
に説明する。

（１）Ｓｉ基板（１）トに、写真製版、及び、イオン注
入技術等を用い、不純物拡散層（２）を形成する。

次に、Ｓｉ界面を保護するＴ二めの下地絶縁膜（３）を
堆積し、外部と電気的コンタクトをとるためのコンタク
ト孔をあける。その後、一層目アルミ配線（４）を形成
する。

［，１）層間絶縁膜（５）を全面に堆積する。

ＣＩ）写真製版技術を用い、一層目アルミ配線（４）と
電気的コンタクトをとるためのスルーホールをあける。

Ｌｆｆｌスパッタリング法昏こ上り、アルミ膜を全面蓼
こデポし、写真製版技術を用いて二層目アルミ配線（６
）を形成する。

〔発明が解決しようとする問題点） 従来の半導体装置は以とのように構成されているので、
スルーホールが微細化され、アスペクト比が大きくなる
につれ、スパッタ法によろ成膜時に、アルミ粒子が、ス
ルーホールの奥まではいってゆかなくなるので、急峻な
スルーホール段差部番こおけろ二層目アルミ配線（６）
のステップカバレッジが十分でなくなる。し１こがって
、この部分の配線電流密度が急増し、エレクトロ・マイ
グレーション等の信頼性との問題をひき起こすという欠
点があつ１こ。

この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するＴ
こめになされたもので、スルーホール形成部分に、導電
性をもつアルミニウム以外の金属あるいは半導体層を設
け、これをマスクとして一層目アルミ配線及び下地絶縁
膜上にアルミニウム水和酸化物層を選択成長させろこと
により、スルーホール部の埋込みが、でき、信頼性の高
い半導体装置を提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明は一層目と二層目のアルミニウム配線の間に、
アルミニウム以外の金属あるいはシリサイドを設けて多
層配線を行なうとともに１層間絶縁膜としてアルミニウ
ム水和酸化物層を用いＴこものである。

〔作用〕

−［のアルミニウム配線と二層目のアルミニウム配線の
接続部に、シリサイド層を設けてから眉間絶縁膜を形成
する。

【実施例） 以下、この発明の一実施例を説明する。第１図において
、（１）はＳｉ基板、（２）は不純物拡散層、（３）は
下地絶縁膜、（４）は一層目アルミ配線、（６ンは二層
目アルミ配線、（７）はアルミニウム以外の金属、シリ
サイドあるいは、半導体層、（８）はアル更ニウム水和
酸化物層である、 第１図に示す本発明の一実施例について＠８図に説明す
る。

（，１つ一層目アルミ配線（４）を形成するところまで
は。

従来の半導体装置と同じである。

（鳳〕全面に、導電性をもつＴｉ　、　Ｗ　、　（ｒ等
のアルミニウム以外の金属、シリサイドあるいはＳｉ等
の半導体層（７）をスパッタ法により全面に堆積し、写
真製版技術を用い、スルーホール形成部分を除き、エツ
チングにより除去する。

（■）全面をスパッタエッチ処理を行なっＴこ後に。

４０℃以上の加熱純水または、水蒸気中で表面処理する
ことにより、一層目アルミ配線（４）　ｋ。

及び、下地絶縁膜（３）上ｌζ、アルミニウム水和酸化
物層（８）を選択的ｆこ形成する。

〔■コスパッタリング法により、アル電膜を全面にデポ
し、写真製版技術を用いて、二層目アルミ配線（６）を
形成する。

なお、上記実施例では、アルミニウム水和酸化物層（８
）を層間絶縁膜として用いたものを示したが、第５図に
示すようにＳＯＧ　（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　（Ｊａｓｓ）や
ＣＶＤ法により形成した絶縁膜（９）との２層構造とし
てもよい、 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によればスルーホール形成部分
に導電性をもつアルミニウム以外の金属。

シリサイド、あるいは半導体層を設け、これをマスクと
して一層目アルミ配線及び、下地絶縁膜とにアルミニウ
ム水和酸化物層を選択成長させることにより、スルーホ
ール部の埋込みができるので。

スルーホール部の二層目アルミ配線のカバレッジが良好
となり、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

＠１図は１本発明の一実施例１こよる半導体装置を示す
断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す断面図、第
８図は第１図の装置の製造フローを示す図、第４図は従
来の半導体装ｊＭを示す断面図、第５図は第４図の従来
の半導体装置の製造フローを示す図 （１）・・・Ｓｉ基板、（２）・・・不純物拡散層、（
３）・・・下地絶縁膜、（４）・・・−ノー目アルミ配
線、（５）・・・層間絶縁膜、（６）・・・二層目アル
ミ配線、（７）・・・アルミニウム以外の金属あるいは
半導体層、（８）・・・アルミニウム永和酸化物層、（
９）・・・絶縁膜 なお１図中、同一符号は同一、又（よ相当部分を示で。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アルミニウム水和酸化物層を層間絶縁膜あるいはそ
   の一部として用いる半導体装置において、アルミニウム
   以外の金属、シリサイドあるいは半導体により、スルー
   ホール部を埋込んだことを特徴とする半導体装置。 ２、絶縁膜上のスルーホール形成部分に、導電性をもつ
   アルミニウム以外の金属、シリサイドあるいは、半導体
   層を設けた後、スパッタエッチ処理を行ない、加熱純水
   中にて表面処理することにより、上記スルーホール形成
   部分を除くアルミ配線上及び下地絶縁膜上にアルミニウ
   ム水和酸化物層を選択成長させることを特徴とする半導
   体装置の製造方法。