JPS62222653A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPS62222653A
JPS62222653A JP25908985A JP25908985A JPS62222653A JP S62222653 A JPS62222653 A JP S62222653A JP 25908985 A JP25908985 A JP 25908985A JP 25908985 A JP25908985 A JP 25908985A JP S62222653 A JPS62222653 A JP S62222653A
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JP
Japan
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aluminum
layer
insulating film
silicide
wiring
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JP25908985A
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Kiyoshi Harada
繁 原田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の多層配線技術に関するもので
ある。
〔従来の技術) 従来、この種の装置として、第4図に示すものがあった
。図において、(1)はSi基板、(2)は不純物拡散
層、(3)は下地絶縁膜、(4)は一層目アルミ配線、
(5)は層間絶縁膜、(6)は二層目アルミ配線である
次に、従来の半導体装置の製造フローについて、第5図
に説明する。
(1)Si基板(1)トに、写真製版、及び、イオン注
入技術等を用い、不純物拡散層(2)を形成する。
次に、Si界面を保護するT二めの下地絶縁膜(3)を
堆積し、外部と電気的コンタクトをとるためのコンタク
ト孔をあける。その後、一層目アルミ配線(4)を形成
する。
[,1)層間絶縁膜(5)を全面に堆積する。
CI)写真製版技術を用い、一層目アルミ配線(4)と
電気的コンタクトをとるためのスルーホールをあける。
Lfflスパッタリング法昏こ上り、アルミ膜を全面蓼
こデポし、写真製版技術を用いて二層目アルミ配線(6
)を形成する。
〔発明が解決しようとする問題点) 従来の半導体装置は以とのように構成されているので、
スルーホールが微細化され、アスペクト比が大きくなる
につれ、スパッタ法によろ成膜時に、アルミ粒子が、ス
ルーホールの奥まではいってゆかなくなるので、急峻な
スルーホール段差部番こおけろ二層目アルミ配線(6)
のステップカバレッジが十分でなくなる。し1こがって
、この部分の配線電流密度が急増し、エレクトロ・マイ
グレーション等の信頼性との問題をひき起こすという欠
点があつ1こ。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するT
こめになされたもので、スルーホール形成部分に、導電
性をもつアルミニウム以外の金属あるいは半導体層を設
け、これをマスクとして一層目アルミ配線及び下地絶縁
膜上にアルミニウム水和酸化物層を選択成長させろこと
により、スルーホール部の埋込みが、でき、信頼性の高
い半導体装置を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明は一層目と二層目のアルミニウム配線の間に、
アルミニウム以外の金属あるいはシリサイドを設けて多
層配線を行なうとともに1層間絶縁膜としてアルミニウ
ム水和酸化物層を用いTこものである。
〔作用〕
−[のアルミニウム配線と二層目のアルミニウム配線の
接続部に、シリサイド層を設けてから眉間絶縁膜を形成
する。
【実施例) 以下、この発明の一実施例を説明する。第1図において
、(1)はSi基板、(2)は不純物拡散層、(3)は
下地絶縁膜、(4)は一層目アルミ配線、(6ンは二層
目アルミ配線、(7)はアルミニウム以外の金属、シリ
サイドあるいは、半導体層、(8)はアル更ニウム水和
酸化物層である、 第1図に示す本発明の一実施例について@8図に説明す
る。
(,1つ一層目アルミ配線(4)を形成するところまで
は。
従来の半導体装置と同じである。
(鳳〕全面に、導電性をもつTi 、 W 、 (r等
のアルミニウム以外の金属、シリサイドあるいはSi等
の半導体層(7)をスパッタ法により全面に堆積し、写
真製版技術を用い、スルーホール形成部分を除き、エツ
チングにより除去する。
(■)全面をスパッタエッチ処理を行なっTこ後に。
40℃以上の加熱純水または、水蒸気中で表面処理する
ことにより、一層目アルミ配線(4) k。
及び、下地絶縁膜(3)上lζ、アルミニウム水和酸化
物層(8)を選択的fこ形成する。
〔■コスパッタリング法により、アル電膜を全面にデポ
し、写真製版技術を用いて、二層目アルミ配線(6)を
形成する。
なお、上記実施例では、アルミニウム水和酸化物層(8
)を層間絶縁膜として用いたものを示したが、第5図に
示すようにSOG (Spin On (Jass)や
CVD法により形成した絶縁膜(9)との2層構造とし
てもよい、 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によればスルーホール形成部分
に導電性をもつアルミニウム以外の金属。
シリサイド、あるいは半導体層を設け、これをマスクと
して一層目アルミ配線及び、下地絶縁膜とにアルミニウ
ム水和酸化物層を選択成長させることにより、スルーホ
ール部の埋込みができるので。
スルーホール部の二層目アルミ配線のカバレッジが良好
となり、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
@1図は1本発明の一実施例1こよる半導体装置を示す
断面図、第2図は本発明の他の実施例を示す断面図、第
8図は第1図の装置の製造フローを示す図、第4図は従
来の半導体装jMを示す断面図、第5図は第4図の従来
の半導体装置の製造フローを示す図 (1)・・・Si基板、(2)・・・不純物拡散層、(
3)・・・下地絶縁膜、(4)・・・−ノー目アルミ配
線、(5)・・・層間絶縁膜、(6)・・・二層目アル
ミ配線、(7)・・・アルミニウム以外の金属あるいは
半導体層、(8)・・・アルミニウム永和酸化物層、(
9)・・・絶縁膜 なお1図中、同一符号は同一、又(よ相当部分を示で。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、アルミニウム水和酸化物層を層間絶縁膜あるいはそ
    の一部として用いる半導体装置において、アルミニウム
    以外の金属、シリサイドあるいは半導体により、スルー
    ホール部を埋込んだことを特徴とする半導体装置。 2、絶縁膜上のスルーホール形成部分に、導電性をもつ
    アルミニウム以外の金属、シリサイドあるいは、半導体
    層を設けた後、スパッタエッチ処理を行ない、加熱純水
    中にて表面処理することにより、上記スルーホール形成
    部分を除くアルミ配線上及び下地絶縁膜上にアルミニウ
    ム水和酸化物層を選択成長させることを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
JP25908985A 1985-11-18 1985-11-18 半導体装置及びその製造方法 Granted JPS62222653A (ja)

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JPH0584666B2 JPH0584666B2 (ja) 1993-12-02

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100241529B1 (ko) * 1996-12-12 2000-02-01 김영환 플라즈마를 이용한 반도체 소자의 금속배선 부식방지방법

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JPS51150985A (en) * 1975-06-19 1976-12-24 Mitsubishi Electric Corp Fabrication method of semiconductor device
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JPS5648245A (en) * 1979-09-29 1981-05-01 Hidetoshi Tsuchida Oxygen adsorbent/desorbent composed of coordination-type high molecular iron (2) porphirin complex as effective component

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JPH0584666B2 (ja) 1993-12-02

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