JPH0380533A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置の電極コンタクトホールに形成される電極・
配線のカバレージを良好にする改良、特に、深さの異な
るコンタクトホールに導電体層を選択的に埋め込む方法
の改良に関し、 素子の形成された半導体層上に形成された絶縁膜に形成
されたコンタクトホールの深さが相互に異なっていても
、コンタクトホールに接触して形成される配線のステッ
プカバレージが良好になるようにする半導体装置の製造
方法を提供することを目的とし、 この目的は、下記いずれかの手段をもって達成される。

第１の手段は、半導体基板の表面に被着形成され、中間
に導電層を含んでいる絶縁膜に、半導体基板を露出する
深いコンタクトホール、及び導電層を露出する浅いコン
タクトホールをそれぞれ開孔する工程と、この深いコン
タクトホールと浅いコンタクトホールとのうち、一方の
コンタクトホールをマスクして、他方のコンタクトホー
ル内に導電体層を形成して開孔端まで埋める工程と、こ
の一方のコンタクトホールのマスクを剥離し、他方のコ
ンタクトホールをマスクする工程と、この一方のコンタ
クトホール内に導電体層を形成して開孔端まで埋める工
程と、この導電体層表面から前記の絶縁膜表面に延在す
るように、配線層をパターニング形成する工程とを有す
る半導体装置の製造方法をもって構成される。第２の手
段は、半導体基板の表面に被着形成され、中間に導電層
を含んでいる絶縁膜に、半導体基板を露出する深いコン
タクト水−ル、及び導電層を露出する浅いコンタクトホ
ールをそれぞれ開孔する工程と、この深いコンタクトホ
ールと浅いコンタクトホールとの両方に、浅いコンタク
トホールが開孔端まで埋まるように、導電体層を形成す
る工程と、浅いコンタクトホールをマスクし、深いコン
タクトホール内に第２の導電体層を形成して開孔端まで
埋める工程と、浅いコンタクトホールのマスクを剥離す
る工程と、前記の導電体層及び前記の第２の導電体層表
面から前記の絶縁膜表面に延在するように、配線層をパ
ターニング形成する工程とを有する半導体装置の製造方
法をもって構成される。

第３の手段は、半導体基板の表面に被着形成され、中間
に導電層を含んでいる絶縁膜に、半導体基板を露出する
深いコンタクトホール、及び導電層を露出する浅いコン
タクトホールをそれぞれ開孔する工程と、この浅いコン
タクトホールをマスクし、深いコンタクトホール内に、
深いコンタクトホールと浅いコンタクトホールとの深さ
の差分の厚さだけ、導電体層を形成する工程と、浅いコ
ンタクトホールのマスクを剥離する工程と、浅いコンタ
クトホール内、及び前記の深いコンタクトホール内にそ
れぞれの開孔端まで埋まるように、第２の導電体層を形
成する工程と、前記の第２の導電体層表面から前記の絶
縁膜表面に延在するように、配線層をパターニング形成
する工程とを有する半導体装置の製造方法をもって構成
される。第４の手段は、半導体基板の表面に被着形成さ
れ、中間に導電層を含んでいる絶縁膜に、導電層を露出
する浅いコンタクトホールを開孔する工程と、この浅い
コンタクトホール内に、導電体層を開孔端まで埋まるよ
うに形成する工程と、この浅いコンタクトホールの開孔
端を含む前記の絶縁膜の全面にマスクを形成する工程と
、前記の半導体基板を露出するように、深いコンタクト
ホールを開孔する工程と、前記の浅いコンタクトホール
の表面にのみマスクを形成する工程と、前記の深いコン
タクトホール内に導電体層を開孔端まで埋まるように形
成する工程と、前記の導電体層表面から前記の絶縁膜表
面に延在するように、配線層をパターニング形成する工
程とを有する半導体装置の製造方法をもって構成される
。第５の手段は、半導体基板の表面に被着形成され、中
間に導電層を含んでいる絶縁膜に、半導体基板を露出す
る深いコンタクトホールを開孔する工程と、この深いコ
ンタクトホール内に、深いコンタクトホールと浅いコン
タクトホールとの深さの差分の厚さだけ、導電体層を形
成する工程と、前記の導ｔｉを露出するように、マスク
を用いて浅いコンタクトホールを開孔する工程と、この
浅いコンタクトホール内、及び深いコンタクトホール内
に、第２の導電体層を開孔端まで埋まるように形成する
工程と、前記第２の導電体層表面から前記の絶縁膜表面
に延在するように、配線層をパターニング形成する工程
とを有する半導体装置の製造方法をもって構成される。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体装置の１ｆ極コンタクトホールに形成
される電橋・配線のカバレージを良好にする改良、特に
、深さの異なるコンタクトホールに導電体層を選択的に
埋め込む方法の改良に関する。

〔従来の技術〕

半導体装置の集積度の向上にともない、コンタクトホー
ルのアスペクト比が大きくなり、スパッタリング法等を
使用してアルミニウム等の配線層を形成した時のコンタ
クトホールにおけるステンブカバレージが悪化し、半導
体装置の性能、信頼性、及び、製造歩留りを低下させる
原因となっている。そこで、この問題を解決するために
、コンタクトホール内に金属または金属珪化物を選択的
気相成長法を使用して埋め込み、この導電体層に接触し
て配線層を形成する方法が開発された。

深さの異なるコンタクトホールがある場合に、これらの
コンタクトホールに導電体層を埋め込み、その導電体層
に接触して配線を形成する場合の従来例について第７図
に沿って以下に説明する。具体的には、素子を構成する
要素の一部である半導体層に形成された不純物拡散層と
、絶縁膜を介して形成された導体層とに接触して配線を
形成する場合を例として説明する。

第７図（ａ）参照 第７図（ａ）において２は半導体層１に形成された不純
物拡散層であり、３は絶縁膜４を介して形成されたポリ
シリコン等の導体層である。当初、図において、点線を
もって示すように形成された絶縁膜４０表面は、その上
に形成される配線層のパターニングを容易にし、また、
配線の信頼性を向上するため、メルトなどの方法を使用
して実線で示すように平坦化されている。

第７図（ｂ）参照 第７図（ｂ）に示すように、不純物拡散層２上と導体層
３上とに形成されている絶縁膜４にコンタクトホール６
・７を形成する。コンタクトホールの深さは図に示すよ
うに相互に異なっている。

第７図（ｃ−１）参照 例えば、６フツ化タングステン（ＷＦ６）と水素（Ｈ８
）とシラン（Ｓ　Ｉ　Ｈ４）とを使用してなす選択的気
相成長法を使用してコンタクトホール６・７のみに選択
的にタングステン層１６を埋め込んだ後、スパッタリン
グ法等を使用して全面にアルミニラ五等の配線層を形成
し、これをパターニングして配線１７を形成する。

〔発明が解決しようとする課題〕

選択的気相成長においては、コンタクトホールの深さに
関係なく、その中に成長するタングステン層の成長速度
は同一である。

第７図（ｃ−１）再参照 したがって、第７図（ｃ−１）に示すように、深さの浅
いコンタクトホール７が、ちょうど埋め込まれた時に成
長を終了すると、深さの深いコンタクトホール６は未だ
完全に埋め込まれていない状態となる。この状態で配線
１７を形成すると、深さの深いコンタクトホール６に形
成される配線のステップカバレージが悪くなる。

第７図（ｃ−２）参照 逆に、深さの深いコンタクトホール６が完全に埋め込ま
れるまで成長を続けると、深さの浅いコンタクトホール
７においては第７図（ｃ−２）に示すように、タングス
テン層１６がコンタクトホール７からはみ出てしまい、
そこに形成される配線１７のステップカバレージが同様
に悪くなる。

本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、素子
の形成された半導体層上に形成された絶縁膜に形成され
たコンタクトホールの深さが相互に異なっていても、コ
ンタクトホールに接触して形成される配線のステップカ
バレージが良好になるようにする半導体装置の製造方法
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的は、下記いずれの手段によっても達成される
。第１の手段は、半導体基＠（１）の表面に被着形成さ
れ、中間に導電層（３）を含んでいる絶縁膜（４）に、
半導体基板（１）を露出する深いコンタクトホール（６
）、及び導電層（３）を露出する浅いコンタクトホール
（７）をそれぞれ開孔する工程と、この深いコンタクト
ホール（６）と浅いコンタクトホール（７）とのうち、
一方のコンタクトホールをマスクして、他方のコンタク
トホール内に導電体層（９）を形成して開孔端まで埋め
る工程と、この一方のコンタクトホールのマスクを剥離
し、他方のコンタクトホールをマスクする工程と、この
一方のコンタクトホール内に導電体層（１１）を形成し
て開孔端まで埋める工程と、この導電体層（９）・　（
１１）表面から前記の絶縁膜（４）表面に延在するよう
に、配線層（１２）・　（１３）をパターニング形成す
る工程とを有する半導体装置の製造方法である。第２の
手段は、半導体基板（１）の表面に被着形成され、中間
に導電層（３）を含んでいる絶縁膜（４）に、半導体基
板（１）を露出する深いコンタクトホール（６）、及び
導１ｉｊ！１（３）を露出する浅いコンタクトホール（
７）をそれぞれ開孔する工程と、この深いコンタクトホ
ール（６）と浅いコンタクトホール（７）との両方に、
浅いコンタクトホール（７）が開孔端まで埋まるように
、導電体層　（９１）・　（１１）を形成する工程と、
浅いコンタクトホール（７）をマスクし、深いコンタク
トホール（６）内に第２の導電体層（９２）を形成して
開孔端まで埋める工程と、浅いコンタクトホール（７）
のマスクを剥離する工程と、前記の導電体層（１１）及
び前記の第２の導電体層（９２）表面から前記の絶縁膜
（４）表面に延在するように、配線層（１２）・　（１
３）をパターニング形成する工程とを有する半導体装置
の製造方法である。第３の手段は、半導体基板（１）の
表面に被着形成され、中間に導電層（３）を含んでいる
絶縁１１！！（４）に、半導体基板（１）を露出する深
いコンタクトホール（６）、及び導電層（３）を露出す
る浅いコンタクトホール（７）をそれぞれ開孔する工程
と、この浅いコンタクトホール（７）をマスクし、深い
コンタクトホール（６）内に、深いコンタクトホール（
６）と浅いコンタクトホール（７）との深さの差分の厚
さだけ、導電体層（９１）を形成する工程と、浅いコン
タクトホール（７）のマスクを剥離する工程と、浅いコ
ンタクトホール（７）内、及び前記の深いコンタクトホ
ール（６）内にそれぞれの開孔端まで埋まるように、第
２の導電体層（１１）・　（９２）を形成する工程と、
前記の第２の導電体層（１１）・　（９２）表面から前
記の絶縁膜（４）表面に延在するように、配線層（１２
）・（１３）をパターニング形成する工程とを有する半
導体装置の製造方法である。第４の方法は、半導体基板
（１）の表面に被着形成され、中間に導電層（３）を含
んでいる絶縁膜（４）に、導電層（３）を露出する浅い
コンタクトホール（７）を開孔する工程と、この浅いコ
ンタクトホール（７）内に、導電体層（１１）を開孔端
まで埋まるように形成する工程と、この浅いコンタクト
ホール（７）の開孔端を含む前記の絶縁膜（４）の全面
にマスクを形成する工程と、前記の半導体基板（１）を
露出するように、深いコンタクトホール（６）を開孔す
る工程と、前記の浅いコンタクトホール（７）の表面に
のみマスクを形成する工程と、前記の深いコンタクトホ
ール（６）内に導電体層（９）を開孔端まで埋まるよう
に形成する工程と、前記の導電体層（９）・　（１１）
表面から前記の絶縁膜（４）表面に延在するように、配
線１１　（１２）・　（１３）をパターニング形成する
工程とを有する半導体装置の製造方法である。第５の手
段は、半導体基板（１）の表面に被着形成され、中間に
導電層（３）を含んでいる絶縁膜（４）に、半導体基！
（１）を露出する深いコンタクトホール（６）を開孔す
る工程と、この深いコンタクトホール（６）内に、深い
コンタクトホール（６）と浅いコンタクトホール（７）
との深さの差分の厚さだけ、導電体層（９１）を形成す
る工程と、前記の導電層（３）を露出するように、マス
クを用いて浅いコンタクトホール（７）を開孔する工程
と、この浅いコンタクトホール（７）内、及び深いコン
タクトホール（６）内に、第２の導電体Ｊｉｇ　（１１
）・　（９２）を開孔端まで埋まるように形成する工程
と、前記の第２の導電体層（１１）・　（９２）表面か
ら前記のｗＡ縁膜（４）表面に延在するように、配線層
（１２）・　（１３）をパターニング形成する工程とを
有する半導体装置の製造方法である。

〔作用〕

本発明では、先に示した第７図の従来技術のように深浅
のあるコンタクトホール群のすべてを同じ工程で、導電
体層を一様の厚さ形成することによってホールを埋めよ
うとはしない。

すなわち本発明では、導電体層を各コンタクトホールそ
れぞれの深さに応じた厚さ形成する構成であるから、浅
いコンタクトホールが丁度埋まる厚さだけ導電体層が形
成されても、深いコンタクトホールではまだ完全に埋ま
っていなかったり、一方深いコンタクトホールが丁度埋
まる厚さだけ導電体層が形成されても、浅いコンタクト
ホールでは導電体層がホールからはみ出すまで形成され
るという従来の欠点は一切解消できること＼なる。

理解を容易にするため、深さの異なる２種類のコンタク
トホールの群が存在する場合についてその作用を以下に
説明する。

第１の手段（請求項１に対応）の作用は、浅いコンタク
トホールの群７を被覆して深いコンタクトホールの群６
に導電体層９を埋め込んだ後、深いコンタクトホールの
群６を被覆して浅いコンタクトホールの群７に導電体１
ｉｌｌを埋め込むことによって、すべてのコンタクトホ
ールに過不足なく導電体層を埋め込むことができ、導電
体層に接触して形成される配線のステップカバレージは
良好になる。

第２の手段（請求項２に対応）の作用は、浅いコンタク
トホールの群７を丁度埋め込む量の導電体層をすべての
コンタクトホールに埋め込んだ後、浅いコンタクトホー
ルの群７を被覆して深いコンタクトホールの群６に、不
足分の導電体層を埋め込むことによって、すべてのコン
タクトホールに過不足なく導電体層を埋め込むことがで
きる。

第３の手段（請求項３に対応）の作用は、浅いコンタク
トホールの群７を被覆して深いコンタクトホールの群６
に、浅いコンタクトホールの群７の深さに相当する厚さ
だけ残して導電体層９１を埋め込んだ後、被覆を除去し
て両方のコンタクトホールの群に導電体層９２・１１を
同時に埋め込むことによって、すべてのコンタクトホー
ルに過不足なく導電体層を埋め込むことができる。

第４の手段（請求項４に対応）の作用は、浅いコンタク
トホールの群７を形成して導電体層１１を埋め込んだ後
、深いコンタクトホールの群６を形成し、浅いコンタク
トホールの群７を被覆して深いコンタクトホールの群６
に導電体層９を埋め込むことによって、すべてのコンタ
クトホールに過不足なく導電体層を埋め込むことができ
る。なお、逆に深いコンタクトホールの群を先に形成し
てもよい。

第５の手段（請求項５に対応）の作用は、深いコンタク
トホールの群６を形成し、浅いコンタクトホールの群の
深さに対応する厚さだけ残して導電体層９１を埋め込み
、次いで、浅いコンタクトホールの群７を形成し、両方
のコンタクトホールの群６・７に導電体層９２・１１を
同時に埋め込むことによって、すべてのコンタクトホー
ルに過不足なく導電体層を埋め込むことができる。

〔実施例〕

以下、凹面を参照しつり、本発明に係る五つの実施例に
ついて説明する。

第６図参照 本発明の理解を容易にするため、深さの異なる２つのコ
ンタクトホールに導電体層を埋め込み、その導電体層に
接触して配線を形成する場合について説明する。具体的
には、第６図に示すように、素子を構成する要素の一部
をなす半導体ｔｉｌｌに不純物拡散層２を形成し、この
後、第６図の点線部まで絶縁膜４を例えばＣＶＤ法によ
って堆積し、このあと、導体層３を、この絶ｌ１ＷＡに
重ねて、例えばスパッタリング被着し、パターニングし
て形成し、さらに重ねて、絶縁１ｔ！４を全面に堆積し
て、図示する基板は充放する。以下では、この不純物拡
散層２と導体層３とに接触して配線を形成する場合を五
つの実施例によって説明する。

１１４歿 第１図（ａ）参照 レジスト層を形成し、フォトリソグラフィー法を使用し
て、不純物拡散層２と導体層３との上に開口を有するレ
ジストマスク５を形成し、このレジストマスク５を使用
して絶縁膜４をエツチングし、不純物拡散層２と導体層
３との上にそれぞれコンタクトホール６・７を形成する
。この場合、不純物拡散層２上に形成されたコンタクト
ホール６の深さは導体層３上に形成されたコンタクトホ
ール７の深さより深い。

第１図（ｂ）参照 レジストマスク５を除去し、ポリイミド等の樹脂層を形
威し、これをパターニングして一方のコンタクトホール
、例えばコンタクトホール７上に樹脂層８を形威し、Ｗ
Ｆ、とＨ２とＳ　ｉ　Ｈ４とを使用してなす選択的気相
成長法を使用して他方のコンタクトホール６にタングス
テン層９を選択的に埋め込む。

第１図（ｃ）参照 樹脂層８をアッシング除去し、前記と同様にしてコンタ
クトホール６上に樹脂層１０を形威し、選択的気相成長
法を使用してコンタクトホール７にタングステン層１１
を埋め込む。

第１図（ｄ）参照 樹脂層１０をアッシング除去し、スパッタ法等を使用し
てアルミニウム等の配線層を形成し、これをパターニン
グして配線１２・１３を形成する。

男」口姓 第２図（ａ）参照 レジスト層を形成し、フォトリソグラフィー法を使用し
て、不純物拡散層２と導体層３との上に開口を有するレ
ジストマスク５を形威し、このレジストマスク５を使用
して絶縁膜４をエツチングし、不純物拡散層２と導体層
３との上にそれぞれコンタクトホール６・７を形成する
。この場合、不純物拡散層２上に形威されたコンタクト
ホール６の深さは導体層３上に形威されたコンタクトホ
ール７の深さより深い。

第２図（ｂ）参照 レジストマスク５を除去し、ＷＦ、とＨ！と５ｉＨａと
を使用してなす選択的気相成長法を使用して、導体層３
上に形威された深さの浅いコンタクトホール７が丁度埋
まるまで選択成長をなし、コンタクトホール７にタング
ステン層１１を形成し、コンタクトホール６にタングス
テン層９１を形成する。

第２図（ｃ）参照 ポリイごド等の樹脂層を形威し、これをパターニングし
て深さの浅いコンタクトホール７上に樹脂層８を形成し
、選択的気相成長法を使用して、深さの深いコンタクト
ホール６に形威されているタングステン層９１上にタン
グステン層９２を追加形成し、以下、第１例と同様に配
線を形成する。

第二ｌ歿 第３図（ａ）参照 レジスト層を形威し、フォトリソグラフィー法を使用し
て、不純物拡散層２と導体層３との上に開口を有するレ
ジストマスク５を形威し、このレジストマスク５を使用
して絶縁ｌｌ！４をエツチングし、不純物拡散層２と導
体層３との上にそれぞれコンタクトホール６・７を形成
する。この場合、不純物拡散層２上に形威されたコンタ
クトホール６の深さは導体層３上に形威されたコンタク
トホール７の深さより深い。

第３図（ｂ）参照 レジストマスク５を除去し、ポリイミド等の樹脂層を形
威し、これをパターニングして深さの浅いコンタクトホ
ール７上に樹脂層８を形威し、ＷＦ、とＨ２と５ＩＨ４
とを使用してなす選択的気相成長法を使用して、深さの
深いコンタクトホール６に、深さの浅いコンタクトホー
ル７の深さと同じ厚さを残してタングステン層９１を形
成する。

第３図（ｃ）参照 樹脂層８をアッシング除去する。

第３図（ｄ）参照 選択的気相成長法を使用して、コンタクトホール６にタ
ングステン層９２を形威し、コンタクトホール７にタン
グステン層１１を形威し、以下、第１例と同様に配線を
形成する。

１し１社 第４図（ａ）参照 レジスト層を形威し、フォトリソグラフィー法を使用し
て、１例として導体層３上に開口を有するレジストマス
ク１４を形威し、このレジストマスクＩ４を使用して絶
縁膜４をエツチングし、導体層３上に深さの浅いコンタ
クトホール７を形成する。

第４図（ｂ）参照 レジストマスク１４を除去し、ＷＦ、とＨ３とＳｉＨ，
とを使用してなす選択的気相成長法を使用して、コンタ
クトホール７にタングステン層１１を選択的に埋め込む
。

第４図（ｃ）参照 同様にして、不純物拡散層２上に開口を有するレジスト
マスク１５を形成し、これを使用して絶縁膜４をエツチ
ングし、不純物拡散層２上に深さの深いコンタクトホー
ル６を形成する。

第４図（ｄ）参照 レジストマスク１５を除去し、ポリイミド等の樹脂層を
形成し、これをパターニングして深さの浅いコンタクト
ホール７上に樹脂層８を形成し、選択的気相成長法を使
用して、深さの深いコンタクトホール６にタングステン
層９を選択的に埋め込み、以下、第１例と同様に配線を
形成する。

なお、順序を逆にして最初に不純物拡散層２上に深さの
深いコンタクトホール６を形成して、タングステン層９
を埋め込んでもよいことは云うまでもない。

里工員 第５図（ａ）参照 レジスト層を形成し、フォトリソグラフィー法を使用し
て、これをパターニングし、不純物拡散層２上に開口を
有するレジストマスク１５を形成し、このレジストマス
クを使用して、絶縁膜４をエツチングし、不純物拡散層
２上に深さの深いコンタクトホール６を形成する。

第５図（ｂ）参照 レジストマスク１５を除去し、ＷＦ、とＨ８と５ＩＨ４
とを使用してなす選択的気相成長法を使用して、コンタ
クトホール６に、導体層３上に形成されている絶ａ膜４
の厚さと同じ厚さを残してタングステン層９１を形成す
る。

第５図（ｃ）参照 同様に、導体層３上に開口を有するレジストマスク１４
を形成し、これを使用して絶縁膜４をエツチングし、導
体層３上に深さの浅いコンタクトホール７を形成する。

第５図（ｄ）参照 レジストマスク１４を除去し、選択的気相ｔｃ長法を使
用して、コンタクトホール６のタングステン層９１上に
タングステン層９２を形成し、同時に、コンタクトホー
ル７にタングステン層１１を形成し、以下、第１例と何
様に配線を形成する。

上記の実施例においては、深さの異なる２種類のコンタ
クトホールに導電体層を埋め込んで配線を形成する場合
について説明したが、深さの異なるコンタクトホールが
３種類以上存在する場合にも、上記の工程を順次実行す
ることによって、すべてのコンタクトホールに導電体層
を過不足なく埋め込むことができる。また、深さが同一
でなくても、相互に近似している深さを有するコンタク
トホールを１つの群として扱い、この群に属するコンタ
クトホールには同じ厚さに導電体層を形成するようにし
ても実用上問題はない。

また、タングステンを選択的気相成長をする場合に、Ｗ
Ｆ、を主原料ガスとして使用し、ＳｉｍＨｉ等の高次シ
ラン類を還元材として使用することもできる。この場合
には、成長温度を下げることができるので、樹脂層にポ
リイミド以外の材料を使用することができる。なお、タ
ングステン以外に、モリブデン、チタン、さらには、こ
れらの金属のシリサイドを選択成長することも可能であ
る。

〔発明の効果〕

以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置の製造方
法においては、深さの異なるコンタクトホール群に対し
て、それぞれの深さに応じた厚さに導電体層を埋め込ん
でいるので、深さの異なるすべてのコンタクトホールに
導電体層を過不足なく埋め込むことができ、この導電体
層に接触して形成される配線のステップカバレージは良
好となり、半導体装置の性能、信頼性、及び製造歩留り
を向上することができる。

なお、深さの異なるコンタクトホールの群ごとにコンタ
クトホールを形成する方法（請求項４または５に対応）
を使用する場合には、深いコンタクトホールを十分開口
しようとすると浅いコンタクトホールの下地が多量にオ
ーバーエッチされるという従来の欠点が解消され、下地
の膜減りに起因する半導体装置の不良や信頼性の低下が
抑制されるという付加的効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１の実施例の工程図である。 第２図は、本発明の第２の実施例の工程図である。 第３図は、本発明の第３の実施例の工程図である。 第４図は、本発明の第４の実施例の工程図である。 第５図は、本発明の第５の実施例の工程図である。 第６図は、絶＆！膜中に導体層が埋め込まれている基板
の説明図である。 第７図は従来技術に係る配線形成の工程図である。 １・・・半導体層、 ２・・・不純物拡散層、 ３・・・導体層、 ４・・・絶縁膜、 ５．１４．１５・・・レジストマスク、６・・・深いコ
ンタクトホール、 ７・・・浅いコンタクトホール、 ８、ｌＯ・・・樹脂層、 ９．９１９２．１１．１６・・・導電体層、１２．１３
．１７・・・配線。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］半導体基板（１）の表面に被着形成され、中間に
   導電層（３）を含んでなる絶縁膜（４）に、該半導体基
   板（１）を露出する深いコンタクトホール（６）、及び
   該導電層（３）を露出する浅いコンタクトホール（７）
   をそれぞれ開孔する工程と、 該深いコンタクトホール（６）と該浅いコンタクトホー
   ル（７）とのうち、一方のコンタクトホールをマスクし
   て、他方のコンタクトホール内に導電体層（９）を形成
   して開孔端まで埋める工程と、 該一方のコンタクトホールのマスクを剥離し、該他方の
   コンタクトホールをマスクする工程と、該一方のコンタ
   クトホール内に導電体層（１１）を形成して開孔端まで
   埋める工程と、 該導電体層（９）・（１１）表面から前記絶縁膜（４）
   表面に延在するように、配線層（１２）・（１３）をパ
   ターニング形成する工程と を有する半導体装置の製造方法。 ［２］半導体基板（１）の表面に被着形成され、中間に
   導電層（３）を含んでなる絶縁膜（４）に、該半導体基
   板（１）を露出する深いコンタクトホール（１６）、及
   び該導電層（３）を露出する浅いコンタクトホール（７
   ）をそれぞれ開孔する工程と、 該深いコンタクトホール（６）と該浅いコンタクトホー
   ル（７）との両方に、該浅いコンタクトホール（７）が
   開孔端まで埋まるように、導電体層（９１）・（１１）
   を形成する工程と、 該浅いコンタクトホール（７）をマスクし、該深いコン
   タクトホール（６）内に第２の導電体層（９２）を形成
   して開孔端まで埋める工程と、該浅いコンタクトホール
   （７）のマスクを剥離する工程と、 前記導電体層（１１）及び前記第２の導電体層（９２）
   表面から前記絶縁膜（４）表面に延在するように、配線
   層（１２）・（１３）をパターニング形成する工程と を有する半導体装置の製造方法。 ［３］半導体基板（１）の表面に被着形成され、中間に
   導電層（３）を含んでなる絶縁膜（４）に、該半導体基
   板（１）を露出する深いコンタクトホール（６）、及び
   該導電層（３）を露出する浅いコンタクトホール（７）
   をそれぞれ開孔する工程と、 該浅いコンタクトホール（７）をマスクし、該深いコン
   タクトホール（６）内に、該深いコンタクトホール（６
   ）と該浅いコンタクトホール（７）との深さの差分の厚
   さだけ、導電体層（９１）を形成する工程と、 該浅いコンタクトホール（７）のマスクを剥離する工程
   と、 該浅いコンタクトホール（７）内、及び前記深いコンタ
   クトホール（６）内にそれぞれの開孔端まで埋まるよう
   に、第２の導電体層（１１）・（９２）を形成する工程
   と、 前記第２の導電体層（１１）・（９２）表面から前記絶
   縁膜（４）表面に延在するように、配線層（１２）・（
   １３）をパターニング形成する工程とを有する半導体装
   置の製造方法。 ［４］半導体基板（１）の表面に被着形成され、中間に
   導電層（３）を含んでなる絶縁膜（４）に、該導電層（
   ３）を露出する浅いコンタクトホール（７）を開孔する
   工程と、 該浅いコンタクトホール（７）内に、導電体層（１１）
   を開孔端まで埋まるように形成する工程と、該浅いコン
   タクトホール（７）の開孔端を含む前記絶縁膜（４）の
   全面にマスクを形成する工程と、 前記半導体基板（１）を露出するように、深いコンタク
   トホール（６）を開孔する工程と、前記浅いコンタクト
   ホール（７）の表面にのみマスクを形成する工程と、 前記深いコンタクトホール（６）内に導電体層（９）を
   開孔端まで埋まるように形成する工程と、前記導電体層
   （９）・（１１）表面から前記絶縁膜（４）表面に延在
   するように、配線層（１２）・（１３）をパターニング
   形成する工程と を有する半導体装置の製造方法。 ［５］半導体基板（１）の表面に被着形成され、中間に
   導電層（３）を含んでなる絶縁膜（４）に、半導体基板
   （１）を露出する深いコンタクトホール（６）を開孔す
   る工程と、 該深いコンタクトホール（６）内に、該深いコンタクト
   ホール（６）と該浅いコンタクトホール（７）との深さ
   の差分の厚さだけ、導電体層（９１）を形成する工程と
   、 前記導電層（３）を露出するように、マスクを用いて浅
   いコンタクトホール（７）を開孔する工程と、 該浅いコンタクトホール（７）内、及び深いコンタクト
   ホール（６）内に、第２の導電体層（１１）・（９２）
   を開孔端まで埋まるように形成する工程と、 前記第２の導電体層（１１）・（９２）表面から前記絶
   縁膜（４）表面に延在するように、配線層（１２）・（
   １３）をパターニング形成する工程とを有する半導体装
   置の製造方法。