JP2864624B2 - コンタクト埋め込み金属構造体およびその製造方法 - Google Patents
コンタクト埋め込み金属構造体およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は不純拡散層表面又は多結晶シリコンから成る
電極、配線表面にチタンシリサイド膜が設けられた、シ
リコン半導体集積回路装置のコンタクト穴を埋め込む金
属構造体とその製造方法に関する。
電極、配線表面にチタンシリサイド膜が設けられた、シ
リコン半導体集積回路装置のコンタクト穴を埋め込む金
属構造体とその製造方法に関する。
［従来の技術］ 従来、この種のコンタクト埋め込み金属構造体として
は、スパッタ法で形成したシリコン含有のアルミ金属が
用いられていた。しかし、コンタクト穴のアスペクト比
が大きくなるにつれて、スパッタ法ではアルミ膜をコン
タクト穴に埋め込むことが難しくなった。
は、スパッタ法で形成したシリコン含有のアルミ金属が
用いられていた。しかし、コンタクト穴のアスペクト比
が大きくなるにつれて、スパッタ法ではアルミ膜をコン
タクト穴に埋め込むことが難しくなった。
そこでこの問題を解決する方法として、次の２つの方
法が試みられている。まずこのコンタクト穴を埋め込む
第１の方法として、六フッ化タングステンガスを用い
た、選択化学気相成長法が用いられ、コンタクト穴の底
部からタングステン膜を成長させ、コンタクト穴をタン
グステン膜で埋め込む方法である。
法が試みられている。まずこのコンタクト穴を埋め込む
第１の方法として、六フッ化タングステンガスを用い
た、選択化学気相成長法が用いられ、コンタクト穴の底
部からタングステン膜を成長させ、コンタクト穴をタン
グステン膜で埋め込む方法である。
第２方法として、第５図（ａ），（ｂ）に示すよう
に、六フッ化タングステンガスとモノシランガスを用い
た、化学気相成長法により、シリコン基板51の上にチタ
ンシリサイド膜52と層間絶縁膜53とが形成された半導体
基板全面にタングステン膜54を成長させる（第5a図）。
その後、リアクティブイオンエッチング技術を用いた、
エッチバック法によりコンタクト部以外のタングステン
膜54を除去し（第5b図）、コンタクト穴にタングステン
膜54を埋め込む方法である。
に、六フッ化タングステンガスとモノシランガスを用い
た、化学気相成長法により、シリコン基板51の上にチタ
ンシリサイド膜52と層間絶縁膜53とが形成された半導体
基板全面にタングステン膜54を成長させる（第5a図）。
その後、リアクティブイオンエッチング技術を用いた、
エッチバック法によりコンタクト部以外のタングステン
膜54を除去し（第5b図）、コンタクト穴にタングステン
膜54を埋め込む方法である。
［発明が解決しようとする問題点］ 上述した従来のコンタクト埋め込み方法は、以下の問
題点を有する。
題点を有する。
1.第１の方法であるタングステン膜の選択化学気相成長
法を用いた方法においては、化学気相成長法の成長条件
によらず、タングステン膜とチタンシリサイド膜との界
面にフッ化チタンが生成し、この物質が絶縁物であるた
めに、タングステン金属とチタンシリサイド膜とのコン
タクトが導通不良になる。
法を用いた方法においては、化学気相成長法の成長条件
によらず、タングステン膜とチタンシリサイド膜との界
面にフッ化チタンが生成し、この物質が絶縁物であるた
めに、タングステン金属とチタンシリサイド膜とのコン
タクトが導通不良になる。
2.第２の方法であるタングステン膜を化学気相成長法に
より半導体基板全面に形成した後、エッチバック法によ
りコンタクト以外のタングステン膜を除去する方法にお
いては、第１の方法で示した問題であるタングステン膜
とチタンシリサイド膜との界面にフッ化チタンが生成す
る問題は化学気相成長法の成長条件を選べば回避でき
る。
より半導体基板全面に形成した後、エッチバック法によ
りコンタクト以外のタングステン膜を除去する方法にお
いては、第１の方法で示した問題であるタングステン膜
とチタンシリサイド膜との界面にフッ化チタンが生成す
る問題は化学気相成長法の成長条件を選べば回避でき
る。
しかし、タングステン膜を半導体基板に全面形成した
後リアクティブイオンエッチング技術を用いた、エッチ
バック技術において、タングステン膜の残さが発生しや
すく、また、コンタクトに埋め込まれたタングステン膜
は、チタンシリサイド膜との接着性が悪いために剥がれ
やすい。
後リアクティブイオンエッチング技術を用いた、エッチ
バック技術において、タングステン膜の残さが発生しや
すく、また、コンタクトに埋め込まれたタングステン膜
は、チタンシリサイド膜との接着性が悪いために剥がれ
やすい。
本発明は上記問題点に鑑み、密着性および導通性のよ
いコンタクト埋め込み金属構造体およびその製造方法を
提供することを目的とする。
いコンタクト埋め込み金属構造体およびその製造方法を
提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明のコンタクト埋め込み金属構造体は、不純物拡
散層表面又は多結晶シリコンから成る電極、配線表面に
チタンシリサイド膜が設けられ、その上部に絶縁層を介
して設けられた金属配線と前記チタンシリサイド膜とを
接続するコンタクト埋め込み金属構造体であって、底部
から順にタングステンシリサイド膜、タングステン膜の
２層構造を有する。
散層表面又は多結晶シリコンから成る電極、配線表面に
チタンシリサイド膜が設けられ、その上部に絶縁層を介
して設けられた金属配線と前記チタンシリサイド膜とを
接続するコンタクト埋め込み金属構造体であって、底部
から順にタングステンシリサイド膜、タングステン膜の
２層構造を有する。
また、本発明のコンタクト埋め込み金属構造体の製造
方法は、不純物拡散層表面上又は、多結晶シリコンから
成る電極、配線表面上にチタンシリサイド膜を形成する
工程と、半導体基板全面に層間絶縁膜を形成する工程
と、上記層間絶縁膜にコンタクト穴を形成する工程と、
六フッ化タングステンガスとモノシランガスを用いた化
学気相成長法により、基板温度500℃以上でタングステ
ン膜を半導体基板全面に形成する工程と、窒素雰囲気
中、又は水素雰囲気又はこれら２種の混合ガス雰囲気中
で熱処理を行い、上記タングステン膜と上記チタンシリ
サイド膜との固相反応を起こさせ、チタンシリサイド膜
上のコンタクト領域に選択的にタングステンシリサイド
膜を形成する工程と、上記チタンシリサイド膜と未反応
のタングステン膜を除去する工程と、コンタクト領域に
選択的に形成したタングステンシリサイド膜上に六フッ
化タングステンガスを用いた選択化学気相成長法により
タングステン膜を形成する工程とを有する。
方法は、不純物拡散層表面上又は、多結晶シリコンから
成る電極、配線表面上にチタンシリサイド膜を形成する
工程と、半導体基板全面に層間絶縁膜を形成する工程
と、上記層間絶縁膜にコンタクト穴を形成する工程と、
六フッ化タングステンガスとモノシランガスを用いた化
学気相成長法により、基板温度500℃以上でタングステ
ン膜を半導体基板全面に形成する工程と、窒素雰囲気
中、又は水素雰囲気又はこれら２種の混合ガス雰囲気中
で熱処理を行い、上記タングステン膜と上記チタンシリ
サイド膜との固相反応を起こさせ、チタンシリサイド膜
上のコンタクト領域に選択的にタングステンシリサイド
膜を形成する工程と、上記チタンシリサイド膜と未反応
のタングステン膜を除去する工程と、コンタクト領域に
選択的に形成したタングステンシリサイド膜上に六フッ
化タングステンガスを用いた選択化学気相成長法により
タングステン膜を形成する工程とを有する。
［作用］ コンタクト埋め込み金属の構造体は、底部から順にタ
ングステンシリサイド膜、タングステン膜という２層構
造を有しており、コンタクト埋め込み金属とチタンシリ
サイド膜との接着性は、チタンシリサイド膜とタングス
テンシリサイド膜及びタングステンシリサイド膜とタン
グステン膜、両方の接着性により決まるが、両方の接着
性もチタンシリサイド膜とタングステン膜との接着性よ
りも強固である。したがって、チタンシリサイド膜と埋
め込み金属との接着性は向上する。
ングステンシリサイド膜、タングステン膜という２層構
造を有しており、コンタクト埋め込み金属とチタンシリ
サイド膜との接着性は、チタンシリサイド膜とタングス
テンシリサイド膜及びタングステンシリサイド膜とタン
グステン膜、両方の接着性により決まるが、両方の接着
性もチタンシリサイド膜とタングステン膜との接着性よ
りも強固である。したがって、チタンシリサイド膜と埋
め込み金属との接着性は向上する。
またその構造に際し、チタンシリサイド膜とタングス
テンシリサイド膜との六フッ化タングステンガスとモノ
シランガスを用いた化学気相成長法を用いて、基板温度
500℃以上でタングステン膜を形成しているため、界面
には絶縁物であるフッ化チタンは生成されない。したが
って埋め込み金属構造体とチタンシリサイド膜とのコン
タクトの良好な導通が得られる。
テンシリサイド膜との六フッ化タングステンガスとモノ
シランガスを用いた化学気相成長法を用いて、基板温度
500℃以上でタングステン膜を形成しているため、界面
には絶縁物であるフッ化チタンは生成されない。したが
って埋め込み金属構造体とチタンシリサイド膜とのコン
タクトの良好な導通が得られる。
［実施例］ 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明のコンタクト埋め込み金属構造体の一
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
シリコン基板10の上にN+拡散層13が形成され、その上
にチタンシリサイド膜15が形成されている。チタンシリ
サイド膜15の上には層間絶縁膜16を介してアルミ配線21
が形成されている。チタンシリサイド膜15とアルミ配線
21とは、コンタクト穴に形成されたコンタクト埋め込み
金属構造体で接続されている。コンタクト埋め込み金属
構造体は、チタンシリサイド膜15上に形成されたタング
ステンシリサイド膜19と、タングステンシリサイド膜19
とアルミ配線21間に形成されたタングステン膜20とから
成っている。
にチタンシリサイド膜15が形成されている。チタンシリ
サイド膜15の上には層間絶縁膜16を介してアルミ配線21
が形成されている。チタンシリサイド膜15とアルミ配線
21とは、コンタクト穴に形成されたコンタクト埋め込み
金属構造体で接続されている。コンタクト埋め込み金属
構造体は、チタンシリサイド膜15上に形成されたタング
ステンシリサイド膜19と、タングステンシリサイド膜19
とアルミ配線21間に形成されたタングステン膜20とから
成っている。
第２図（ａ），（ｂ），〜，（ｊ）は第１図の実施例
の第１の製造方法の各工程を示す断面図である。
の第１の製造方法の各工程を示す断面図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、Ｂイオン注入によ
りチャネルストッパ11が形成された後、LOCOS酸化膜12
が形成され、その後、Asイオンが70keV、５×1015cm-2
の条件で注入され、窒素雰囲気中で900℃、10分の熱処
理が行なわれ、N+拡散層13が形成される。
りチャネルストッパ11が形成された後、LOCOS酸化膜12
が形成され、その後、Asイオンが70keV、５×1015cm-2
の条件で注入され、窒素雰囲気中で900℃、10分の熱処
理が行なわれ、N+拡散層13が形成される。
次に第２図（ｂ）に示すように、スパッタ法によりチ
タン膜14が700Å堆積される。その後、ランプアニール
により窒素雰囲気中で600℃30秒の熱処理が行なわれ、N
+拡散層上にのみチタンシリサイド膜15が形成される。
次に、アンモニア水と過酸化水素水と水との混合液によ
り未反応のチタンが除去され、第２図（ｃ）に示すよう
に、N+拡散層（13）上にのみチタンシリサイド膜15が残
される。
タン膜14が700Å堆積される。その後、ランプアニール
により窒素雰囲気中で600℃30秒の熱処理が行なわれ、N
+拡散層上にのみチタンシリサイド膜15が形成される。
次に、アンモニア水と過酸化水素水と水との混合液によ
り未反応のチタンが除去され、第２図（ｃ）に示すよう
に、N+拡散層（13）上にのみチタンシリサイド膜15が残
される。
次に、第２図（ｄ）に示すように、化学気相成長法に
より膜厚１μｍのシリコン酸化膜が成長され、層間絶縁
膜16が形成される。
より膜厚１μｍのシリコン酸化膜が成長され、層間絶縁
膜16が形成される。
その後、通常のリソグラフィー技術とリアクティブイ
オンエッチング法により第２図（ｅ）に示す様に、1.5
μｍ径のコンタクト穴17が形成される。
オンエッチング法により第２図（ｅ）に示す様に、1.5
μｍ径のコンタクト穴17が形成される。
次に、第２図（ｆ）に示すように、六フッ化タングス
テンガスとモノシランガスを用いた化学気相成長法によ
り、基板全面に500Åの膜厚のタングステン膜18が堆積
される。この時のタングステン膜18の成長はコールドウ
ォールタイプの化学気相成長装置が用いられ、成長条件
は、基板温度が600℃、六フッ化タングステンガス流量
が10sccmモノシランガス流量が20sccm、である。
テンガスとモノシランガスを用いた化学気相成長法によ
り、基板全面に500Åの膜厚のタングステン膜18が堆積
される。この時のタングステン膜18の成長はコールドウ
ォールタイプの化学気相成長装置が用いられ、成長条件
は、基板温度が600℃、六フッ化タングステンガス流量
が10sccmモノシランガス流量が20sccm、である。
次に窒素雰囲気又は水素雰囲気又はこれら２種の混合
ガス雰囲気中で600℃、30秒のアニールがランプアニー
ルを用いて行なわれる。その結果、第２図（ｇ）に示す
ように、タングステン膜18とチタンシリサイド膜15とが
固相反応を起こし、チタンシリサイド膜15上にタングス
テンシリサイド膜19が形成される。
ガス雰囲気中で600℃、30秒のアニールがランプアニー
ルを用いて行なわれる。その結果、第２図（ｇ）に示す
ように、タングステン膜18とチタンシリサイド膜15とが
固相反応を起こし、チタンシリサイド膜15上にタングス
テンシリサイド膜19が形成される。
次に、アンモニア水、過酸化水素水、水との混合液を
用いて、未反応のタングステン膜が除去され、第２図
（ｈ）に示すように、コンタクト穴に選択的にタングス
テンシリサイド膜19が形成される。
用いて、未反応のタングステン膜が除去され、第２図
（ｈ）に示すように、コンタクト穴に選択的にタングス
テンシリサイド膜19が形成される。
その後、第２図（ｉ）に示すように、六フッ化タング
ステンガスとモノシランガスを用いた選択化学気相成長
法により、タングステンシリサイド膜19上に、タングス
テン膜20が形成される。この時の成長は、コールドウォ
ールタイプの化学気相成長装置が用いられ成長条件は基
板温度が200℃、六フッ化タングステンガス流量が10scc
m、モノシランガス流量が10sccmであった。
ステンガスとモノシランガスを用いた選択化学気相成長
法により、タングステンシリサイド膜19上に、タングス
テン膜20が形成される。この時の成長は、コールドウォ
ールタイプの化学気相成長装置が用いられ成長条件は基
板温度が200℃、六フッ化タングステンガス流量が10scc
m、モノシランガス流量が10sccmであった。
本実施例における構造体とチタンシリサイド膜15との
接着性は、1000ケのコンタクトについて剥がれを観察し
たが、剥がれはなく、問題はなかった。
接着性は、1000ケのコンタクトについて剥がれを観察し
たが、剥がれはなく、問題はなかった。
また、このコンタクト埋め込み金属構造体とチタンシ
リサイド膜20とのコンタクト抵抗は、第２図（ｊ）のよ
うにアルミ膜をスパッタにより形成した後、通常のリソ
グラフィー技術とリアクティブイオン技術によりアルミ
配線21を形成し、測定された。測定されたコンタクト抵
抗値は、0.3Ωであり、これからコンタクト抵抗率を求
めると6.8×10-9Ω・cm2である。これは金属シリサイド
と金属シリサイドとのコンタクト抵抗率の通常の値であ
る10-8Ω・cmに近い値である。
リサイド膜20とのコンタクト抵抗は、第２図（ｊ）のよ
うにアルミ膜をスパッタにより形成した後、通常のリソ
グラフィー技術とリアクティブイオン技術によりアルミ
配線21を形成し、測定された。測定されたコンタクト抵
抗値は、0.3Ωであり、これからコンタクト抵抗率を求
めると6.8×10-9Ω・cm2である。これは金属シリサイド
と金属シリサイドとのコンタクト抵抗率の通常の値であ
る10-8Ω・cmに近い値である。
以上から、本実施例のコンタクト埋め込み金属構造体
及びその製造方法は大きな効果があることがわかる。
及びその製造方法は大きな効果があることがわかる。
第３図（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、本発明の
第１図の実施例の第２の製造方法の各工程を示す断面図
である。
第１図の実施例の第２の製造方法の各工程を示す断面図
である。
まず、第２図（ａ），（ｂ），〜，（ｆ）の工程で説
明したのと同じ製造工程により、第３図（ａ）に示す構
造の半導体基板を得る。
明したのと同じ製造工程により、第３図（ａ）に示す構
造の半導体基板を得る。
次に第３図（ｂ）に示すように、シリコンイオン又は
ゲルマニウムイオンが半導体基板全面にエネルギー70ke
V、ドーズ量５×1015cm-2の条件で注入される。
ゲルマニウムイオンが半導体基板全面にエネルギー70ke
V、ドーズ量５×1015cm-2の条件で注入される。
その後、窒素雰囲気、又は水素雰囲気又はこれら２種
の混合ガス雰囲気中で600℃、30秒のアニールがランプ
アニールにより行なわれ、チタンシリサイド膜104とタ
ングステン膜106との固相反応が起き、チタンシリサイ
ド膜104上にタングステンシリサイド膜が形成される。
次に、アニモニア水、過酸化水素、水との混合液によ
り、チタンシリサイド膜104と未反応のタングステン膜
が除去され、第３図（ｃ）に示す構造の半導体基板が得
られる。
の混合ガス雰囲気中で600℃、30秒のアニールがランプ
アニールにより行なわれ、チタンシリサイド膜104とタ
ングステン膜106との固相反応が起き、チタンシリサイ
ド膜104上にタングステンシリサイド膜が形成される。
次に、アニモニア水、過酸化水素、水との混合液によ
り、チタンシリサイド膜104と未反応のタングステン膜
が除去され、第３図（ｃ）に示す構造の半導体基板が得
られる。
次に、第３図（ｄ）に示す様に、六フッ化タングステ
ンガスとモノシランガスを用いた、選択化学気相成長法
により、タングステンシリサイド膜（108）上にタング
ステン膜（109）が形成される。この時の成長はコール
ドウォールタイプの化学気相成長装置が用いられ、成長
条件は基板温度が200℃、六フッ化タングステンガス流
量が10sccm、モノシランガス流量10sccmであった。
ンガスとモノシランガスを用いた、選択化学気相成長法
により、タングステンシリサイド膜（108）上にタング
ステン膜（109）が形成される。この時の成長はコール
ドウォールタイプの化学気相成長装置が用いられ、成長
条件は基板温度が200℃、六フッ化タングステンガス流
量が10sccm、モノシランガス流量10sccmであった。
この様にして、本発明の第２の実施例のコンタクト埋
め込み金属構造体が得られる。
め込み金属構造体が得られる。
本発明の第２の実施例では、タングステン膜とチタン
シリサイド膜との固相反応を起こさせる前に、シリコン
イオン又はゲルマニウムイオンの注入を行なっている
為、タングステン膜とチタンシリサイド膜との界面にお
いて、ミキシングが行なわれ、その後の固相反応により
均一な反応が起こり、均一な膜厚のタングステンシリサ
イド膜が得られる。
シリサイド膜との固相反応を起こさせる前に、シリコン
イオン又はゲルマニウムイオンの注入を行なっている
為、タングステン膜とチタンシリサイド膜との界面にお
いて、ミキシングが行なわれ、その後の固相反応により
均一な反応が起こり、均一な膜厚のタングステンシリサ
イド膜が得られる。
つまり、第１の製造方法の場合、タングステンシリサ
イド膜19とタングステン膜20の接着界面は均一でなく第
４図（ａ）のようであり、第２の製造方法の場合、第４
図（ｂ）のように均一な断面形状を有し、品質的に優れ
ている。
イド膜19とタングステン膜20の接着界面は均一でなく第
４図（ａ）のようであり、第２の製造方法の場合、第４
図（ｂ）のように均一な断面形状を有し、品質的に優れ
ている。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明のコンタクト埋め込み金属
構造体は、コンタクト底部から順にタングステンシリサ
イド膜、タングステン膜という構造を有しているため
に、チタンシリサイド膜と本発明のコンタクト埋め込み
金属構造体との密着性はチタンシリサイド膜と従来用い
られていたコンタクト埋め込みタングステン膜との密着
性よりも優れているという効果がある。
構造体は、コンタクト底部から順にタングステンシリサ
イド膜、タングステン膜という構造を有しているため
に、チタンシリサイド膜と本発明のコンタクト埋め込み
金属構造体との密着性はチタンシリサイド膜と従来用い
られていたコンタクト埋め込みタングステン膜との密着
性よりも優れているという効果がある。
また、本発明の製造方法ではフッ化チタンが発生しな
い化学気相成長法によりタングステン膜を形成している
ため、チタンシリサイド膜とタングステンシリサイド膜
との界面には絶縁物であるフッ化チタンは生成されな
い。したがって、埋め込み金属構造体とチタンシリサイ
ド膜とのコンタクトの導通は得られ、抵抗値が十分低い
コンタクトが得られるという大きな効果もある。
い化学気相成長法によりタングステン膜を形成している
ため、チタンシリサイド膜とタングステンシリサイド膜
との界面には絶縁物であるフッ化チタンは生成されな
い。したがって、埋め込み金属構造体とチタンシリサイ
ド膜とのコンタクトの導通は得られ、抵抗値が十分低い
コンタクトが得られるという大きな効果もある。
第１図は本発明のコンタクト埋め込み金属構造体の一実
施例を示す断面図、第２図（ａ），（ｂ），〜，（ｊ）
は第１図の実施例の第１の製造方法の各工程を示す断面
図、第３図（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は第１図の
実施例の第２の製造方法の各工程を示す断面図、第４図
（ａ），（ｂ）は第１、第２の製造方法の違いを示す断
面図、第５図（ａ），（ｂ）は従来の製造方法を示す断
面図である。 10,100……シリコン基板、 11,101……チャネルストッパー、 12,102……LOCOS酸化膜、 13,103……N+拡散層、 14……チタン膜、 15,104……チタンシリサイド膜、 16,105……層間絶縁膜、 17……コンタクト穴、 18,20,106,109……タングステン膜、 19,108……タングステンシリサイド膜、 21……アルミ配線。
施例を示す断面図、第２図（ａ），（ｂ），〜，（ｊ）
は第１図の実施例の第１の製造方法の各工程を示す断面
図、第３図（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は第１図の
実施例の第２の製造方法の各工程を示す断面図、第４図
（ａ），（ｂ）は第１、第２の製造方法の違いを示す断
面図、第５図（ａ），（ｂ）は従来の製造方法を示す断
面図である。 10,100……シリコン基板、 11,101……チャネルストッパー、 12,102……LOCOS酸化膜、 13,103……N+拡散層、 14……チタン膜、 15,104……チタンシリサイド膜、 16,105……層間絶縁膜、 17……コンタクト穴、 18,20,106,109……タングステン膜、 19,108……タングステンシリサイド膜、 21……アルミ配線。
Claims (2)
- 【請求項１】不純物拡散層表面又は多結晶シリコンから
成る電極、配線表面にチタンシリサイド膜が設けられ、
その上部に絶縁層を介して設けられた金属配線と前記チ
タンシリサイド膜とを接続するコンタクト埋め込み金属
構造体であって、 底部から順にタングステンシリサイド膜、タングステン
膜の２層構造を有するコンタクト埋め込み金属構造体。 - 【請求項２】不純物拡散層表面上又は、多結晶シリコン
から成る電極、配線表面上に、チタンシリサイド膜を形
成する工程と、半導体基板全面に層間絶縁膜を形成する
工程と、上記層間絶縁膜にコンタクト穴を形成する工程
と、六フッ化タングステンガスとモノシランガスを用い
た化学気相成長法により、基板温度500℃以上でタング
ステン膜を半導体基板全面に形成する工程と、窒素雰囲
気中、又は水素雰囲気又はこれらの２種の混合ガス雰囲
気中で熱処理を行い、上記タングステン膜と上記チタン
シリサイド膜との固相反応を起こさせ、チタンシリサイ
ド膜上のコンタクト領域に選択的にタングステンシリサ
イド膜を形成する工程と、上記チタンシリサイド膜と未
反応のタングステン膜を除去する工程と、コンタクト領
域に選択的に形成したタングステンシリサイド膜上に六
フッ化タングステンガスを用いた選択化学気相成長法に
よりタングステン膜を形成する工程とを有するコンタク
ト埋め込み金属構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4611390A JP2864624B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | コンタクト埋め込み金属構造体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4611390A JP2864624B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | コンタクト埋め込み金属構造体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248464A JPH03248464A (ja) | 1991-11-06 |
| JP2864624B2 true JP2864624B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=12737944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4611390A Expired - Lifetime JP2864624B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | コンタクト埋め込み金属構造体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2864624B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5312774A (en) * | 1991-12-05 | 1994-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a semiconductor device comprising titanium |
| JP2851501B2 (ja) * | 1992-12-25 | 1999-01-27 | シャープ株式会社 | チタン薄膜の形成方法 |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP4611390A patent/JP2864624B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03248464A (ja) | 1991-11-06 |
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