JPH04307934A - タングステンプラグの形成方法 - Google Patents
タングステンプラグの形成方法Info
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- JPH04307934A JPH04307934A JP9977291A JP9977291A JPH04307934A JP H04307934 A JPH04307934 A JP H04307934A JP 9977291 A JP9977291 A JP 9977291A JP 9977291 A JP9977291 A JP 9977291A JP H04307934 A JPH04307934 A JP H04307934A
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Landscapes
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細な半導体デバイスの
配線に用いられるタングステンプラグの形成方法に関す
る。
配線に用いられるタングステンプラグの形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】次世代以降の超々ＬＳＩにおいて、微細
なコンタクトホールやビアホールを埋め込む技術として
、カバレージが良くしかも従来のポリプラグと比較して
コンタクト抵抗の低いブランケットタングステンＣＶＤ
法によるタングステンプラグの形成が注目されている。
なコンタクトホールやビアホールを埋め込む技術として
、カバレージが良くしかも従来のポリプラグと比較して
コンタクト抵抗の低いブランケットタングステンＣＶＤ
法によるタングステンプラグの形成が注目されている。
【０００３】このブランケットタングステンＣＶＤは、
コンタクトホール内を含み更に層間絶縁膜上にもタング
ステン層が形成される膜形成方法である。このブランケ
ットタングステンＣＶＤによるタングステン層は、下地
絶縁膜との密着性が問題となるため、通常タングステン
層を形成する前に、チタンナイトライド膜等の密着膜が
形成される。
コンタクトホール内を含み更に層間絶縁膜上にもタング
ステン層が形成される膜形成方法である。このブランケ
ットタングステンＣＶＤによるタングステン層は、下地
絶縁膜との密着性が問題となるため、通常タングステン
層を形成する前に、チタンナイトライド膜等の密着膜が
形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】タングステンプラグの
形成の際には、ブランケットタングステンＣＶＤによる
タングステン層をエッチバックして、さらにタングステ
ン層の下層の密着膜をエッチングする必要がある。とこ
ろが、その密着膜のエッチングの際には、エッチャント
がコンタクトホールの側壁に存在する密着膜の一部に集
中し、側壁の密着膜が大きくオーバーエッチングされて
しまう。図６はオーバーエッチングされた密着膜の様子
を示しており、基体５１上の層間絶縁膜５２に設けられ
たコンタクトホール５３の内壁と、埋め込まれたタング
ステン層５４との間に介在する密着膜としてのチタンナ
イトライド膜５５の上端部は、エッチャントが集中して
削られてしまい、コンタクトホールの内壁に沿った溝５
６が形成される。このような溝５６が形成された状態で
、上層の配線層を形成した場合にはボイドが発生し易く
なる。
形成の際には、ブランケットタングステンＣＶＤによる
タングステン層をエッチバックして、さらにタングステ
ン層の下層の密着膜をエッチングする必要がある。とこ
ろが、その密着膜のエッチングの際には、エッチャント
がコンタクトホールの側壁に存在する密着膜の一部に集
中し、側壁の密着膜が大きくオーバーエッチングされて
しまう。図６はオーバーエッチングされた密着膜の様子
を示しており、基体５１上の層間絶縁膜５２に設けられ
たコンタクトホール５３の内壁と、埋め込まれたタング
ステン層５４との間に介在する密着膜としてのチタンナ
イトライド膜５５の上端部は、エッチャントが集中して
削られてしまい、コンタクトホールの内壁に沿った溝５
６が形成される。このような溝５６が形成された状態で
、上層の配線層を形成した場合にはボイドが発生し易く
なる。
【０００５】従って、コンタクトホール内の側壁に密着
膜を形成しないようにすることで、ボイドの発生を抑え
ることが可能とされるが、この場合、図７に示すように
、層間絶縁膜６２上にチタンナイトライド膜６５を介し
て堆積されたブランケットタングステン層６４は、コン
タクトホール６３内でオーバーハング形状となり、中心
部分に空隙部６６が形成されてしまう。これは、絶縁膜
上よりもチタンナイトライド膜上の方が膜厚の成長速度
が速いためであり、その結果、タングステンをボイドな
しに埋め込むことが困難とされる。
膜を形成しないようにすることで、ボイドの発生を抑え
ることが可能とされるが、この場合、図７に示すように
、層間絶縁膜６２上にチタンナイトライド膜６５を介し
て堆積されたブランケットタングステン層６４は、コン
タクトホール６３内でオーバーハング形状となり、中心
部分に空隙部６６が形成されてしまう。これは、絶縁膜
上よりもチタンナイトライド膜上の方が膜厚の成長速度
が速いためであり、その結果、タングステンをボイドな
しに埋め込むことが困難とされる。
【０００６】そこで、本発明は上述の技術的な課題に鑑
み、ボイド等の発生を抑えて、信頼性の高い配線を得る
ためのタングステンプラグの形成方法の提供を目的とす
る。
み、ボイド等の発生を抑えて、信頼性の高い配線を得る
ためのタングステンプラグの形成方法の提供を目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明のタングステンプラグの形成方法は、まず、
下層配線や拡散層の如き被配線領域を有する基体上に層
間絶縁膜が形成され、その層間絶縁膜に該被配線領域を
露出させるコンタクトホールと、前記コンタクトホール
以外の部分で密着膜が形成される。コンタクトホール以
外の部分に密着膜を形成する目的で、層間絶縁膜上に密
着膜を形成した後に、コンタクトホールを開口するよう
にしても良い。次に、前記コンタクトホールの内壁に薄
い核発生促進膜が形成される。この核発生促進膜は、タ
ングステンの如き高融点金属や高融点金属シリサイド或
いはこれと同様のブランケットタングステン層の成長を
促す膜である。続いてブランケットタングステンＣＶＤ
法により前記コンタクトホールの内部及び前記層間絶縁
膜上にタングステン層が形成され、次に前記タングステ
ン層がエッチバックされて前記コンタクトホールの内部
に該タングステン層が残される。
め、本発明のタングステンプラグの形成方法は、まず、
下層配線や拡散層の如き被配線領域を有する基体上に層
間絶縁膜が形成され、その層間絶縁膜に該被配線領域を
露出させるコンタクトホールと、前記コンタクトホール
以外の部分で密着膜が形成される。コンタクトホール以
外の部分に密着膜を形成する目的で、層間絶縁膜上に密
着膜を形成した後に、コンタクトホールを開口するよう
にしても良い。次に、前記コンタクトホールの内壁に薄
い核発生促進膜が形成される。この核発生促進膜は、タ
ングステンの如き高融点金属や高融点金属シリサイド或
いはこれと同様のブランケットタングステン層の成長を
促す膜である。続いてブランケットタングステンＣＶＤ
法により前記コンタクトホールの内部及び前記層間絶縁
膜上にタングステン層が形成され、次に前記タングステ
ン層がエッチバックされて前記コンタクトホールの内部
に該タングステン層が残される。
【０００８】
【作用】本発明のタングステンプラグの形成方法では、
コンタクトホールの内壁に薄い核発生促進膜が形成され
る。このためコンタクトホール内でも十分にタングステ
ン層が成長し、形成されたタングステン層がオーバーハ
ング形状とならない。従って、ボイド等の発生が抑えら
れ、信頼性の高い配線が得られることになる。
コンタクトホールの内壁に薄い核発生促進膜が形成され
る。このためコンタクトホール内でも十分にタングステ
ン層が成長し、形成されたタングステン層がオーバーハ
ング形状とならない。従って、ボイド等の発生が抑えら
れ、信頼性の高い配線が得られることになる。
【０００９】
【実施例】本発明の好適な実施例を図面を参照しながら
説明する。本実施例は、タングステンプラグをブランケ
ットタングステンＣＶＤ法によって形成する以前に、コ
ンタクトホール内にタングステンシリサイド膜からなる
核成長促進膜を形成するため、ブランケットタングステ
ン層のボイドの発生が抑制される例である。以下、本実
施例を図１〜図５を参照しながらその工程順に説明する
。
説明する。本実施例は、タングステンプラグをブランケ
ットタングステンＣＶＤ法によって形成する以前に、コ
ンタクトホール内にタングステンシリサイド膜からなる
核成長促進膜を形成するため、ブランケットタングステ
ン層のボイドの発生が抑制される例である。以下、本実
施例を図１〜図５を参照しながらその工程順に説明する
。
【００１０】まず、シリコン基板やポリシリコン層の如
きシリコン基体１のコンタクトホールを形成すべき領域
にチタンシリサイド層２を形成しておく。コンタクトホ
ールにより電気的に接続される領域がシリコンでない場
合は、チタンシリサイド層２を形成しなくとも良い。次
に、シリコン基体１上に層間絶縁膜３が形成される。層
間絶縁膜３はシリコン酸化膜であり、例えばＢＰＳＧ膜
の如きシリケートガラス膜である。層間絶縁膜３の膜厚
は５０００Å程度とされる。そして、層間絶縁膜３上の
全面には、図１に示すように、ブランケットタングステ
ン層の密着膜として機能するチタンナイトライド膜４が
堆積される。このチタンナイトライド膜４は、例えば１
０００Å程度の膜厚とされる。
きシリコン基体１のコンタクトホールを形成すべき領域
にチタンシリサイド層２を形成しておく。コンタクトホ
ールにより電気的に接続される領域がシリコンでない場
合は、チタンシリサイド層２を形成しなくとも良い。次
に、シリコン基体１上に層間絶縁膜３が形成される。層
間絶縁膜３はシリコン酸化膜であり、例えばＢＰＳＧ膜
の如きシリケートガラス膜である。層間絶縁膜３の膜厚
は５０００Å程度とされる。そして、層間絶縁膜３上の
全面には、図１に示すように、ブランケットタングステ
ン層の密着膜として機能するチタンナイトライド膜４が
堆積される。このチタンナイトライド膜４は、例えば１
０００Å程度の膜厚とされる。
【００１１】次に、コンタクトホール５を通常のリソグ
ラフィー技術により形成する。コンタクトホール５が形
成される領域は、上記チタンシリサイド層２が形成され
た領域上である。リソグラフィーは、レジストをスピン
コーター等により塗布し、選択的な露光及び現像を経て
、パターン化されたレジストをチタンナイトライド膜４
上にマスクとして形成する。次に、ＲＩＥ等の異方性エ
ッチングにより、マスク以外の領域のチタンナイトライ
ド膜４及び層間絶縁膜３をレジストパターンを反映させ
ながら除去する。チタンナイトライド膜４のエッチング
は、Ｃｌ２ ガスの流量を３０ｓｃｃｍ，圧力０．６Ｔ
ｏｒｒ，ＲＦパワー０．２５Ｗ／ｃｍ２ の条件で行え
ば良い。また、層間絶縁膜３のエッチングは、ＣＨＦ３
ガスの流量を８０ｓｃｃｍ，圧力０．０５Ｔｏｒｒ，
ＲＦパワー０．２５Ｗ／ｃｍ２ の条件で行えば良い。 このコンタクトホール５の形成用のエッチングによって
、コンタクトホール５の底部では、シリコン基体１の表
面のチタンシリサイド層２が露出する。コンタクトホー
ル５の形成後、図２に示すように、マスクとして用いた
レジストを除去する。
ラフィー技術により形成する。コンタクトホール５が形
成される領域は、上記チタンシリサイド層２が形成され
た領域上である。リソグラフィーは、レジストをスピン
コーター等により塗布し、選択的な露光及び現像を経て
、パターン化されたレジストをチタンナイトライド膜４
上にマスクとして形成する。次に、ＲＩＥ等の異方性エ
ッチングにより、マスク以外の領域のチタンナイトライ
ド膜４及び層間絶縁膜３をレジストパターンを反映させ
ながら除去する。チタンナイトライド膜４のエッチング
は、Ｃｌ２ ガスの流量を３０ｓｃｃｍ，圧力０．６Ｔ
ｏｒｒ，ＲＦパワー０．２５Ｗ／ｃｍ２ の条件で行え
ば良い。また、層間絶縁膜３のエッチングは、ＣＨＦ３
ガスの流量を８０ｓｃｃｍ，圧力０．０５Ｔｏｒｒ，
ＲＦパワー０．２５Ｗ／ｃｍ２ の条件で行えば良い。 このコンタクトホール５の形成用のエッチングによって
、コンタクトホール５の底部では、シリコン基体１の表
面のチタンシリサイド層２が露出する。コンタクトホー
ル５の形成後、図２に示すように、マスクとして用いた
レジストを除去する。
【００１２】レジストの除去後、ブランケットタングス
テンＣＶＤによりタングステン層を形成するための装置
に、シリコン基体１を例えばウェハーごとセットする。 そして、その装置によって、図３に示すように、核発生
促進膜であるタングステンシリサイド膜６を薄く形成す
る。そのタングステンシリサイド膜６の形成条件は、必
要に応じて前処理を施した後、例えばＷＦ６ ガスの流
量を１〜１０ｓｃｃｍに対しシランガス（ＳｉＨ４ ）
の流量を１００ｓｃｃｍとし、温度３００〜４００℃、
圧力０．２Ｔｏｒｒの条件とすれば良い。タングステン
シリサイド膜６は、コンタクトホール５の側壁及び底部
に被着され、同時に層間絶縁膜３上のチタンナイトライ
ド膜４上にも堆積する。このタングステンシリサイド膜
６の膜厚は、例えば１００〜２００Å程度とされる。
テンＣＶＤによりタングステン層を形成するための装置
に、シリコン基体１を例えばウェハーごとセットする。 そして、その装置によって、図３に示すように、核発生
促進膜であるタングステンシリサイド膜６を薄く形成す
る。そのタングステンシリサイド膜６の形成条件は、必
要に応じて前処理を施した後、例えばＷＦ６ ガスの流
量を１〜１０ｓｃｃｍに対しシランガス（ＳｉＨ４ ）
の流量を１００ｓｃｃｍとし、温度３００〜４００℃、
圧力０．２Ｔｏｒｒの条件とすれば良い。タングステン
シリサイド膜６は、コンタクトホール５の側壁及び底部
に被着され、同時に層間絶縁膜３上のチタンナイトライ
ド膜４上にも堆積する。このタングステンシリサイド膜
６の膜厚は、例えば１００〜２００Å程度とされる。
【００１３】核発生促進膜であるタングステンシリサイ
ド膜６を薄く形成した後、図４に示すように、ブランケ
ットタングステンＣＶＤ法によりブランケットタングス
テン層７をコンタクトホール５内を含む全面に形成する
。このブランケットタングステンＣＶＤでは、全面に均
一に膜が成長する。特に、コンタクトホール５の内部で
は、前記タングステンシリサイド膜６が核発生促進膜と
して機能し、層間絶縁膜３上と同等の速度で膜が堆積す
る。このためオーバーハング形状とならず、配線のボイ
ドの発生が未然に防止される。ブランケットタングステ
ン層７は、例えば次の２段階の工程で堆積される。第１
段階ではＷＦ６ ガスのみが使用される。このＷＦ６
ガスの流量は、例えば２５ｓｃｃｍである。この第１段
階の工程は省略できる。第２段階では、ＷＦ６ ガスと
水素ガスが使用され、水素還元によりタングステンが堆
積される。この時の流量は、例えばＷＦ６ ガスは６０
ｓｃｃｍに対して水素ガスを３６０ｓｃｃｍとする。な
お、ブランケットタングステンＣＶＤにおいて、温度は
４７５℃、圧力は８０Ｔｏｒｒの各条件とされる。コン
タクトホール５の内部をブランケットタングステン層７
によって十分に埋め込んだ後、ブランケットタングステ
ンＣＶＤを終了する。このようなブランケットタングス
テン層７の形成によって、核発生促進膜として形成した
タングステンシリサイド膜６のシリコンは、ブランケッ
トタングステン層７内に拡散してしまうことになる。
ド膜６を薄く形成した後、図４に示すように、ブランケ
ットタングステンＣＶＤ法によりブランケットタングス
テン層７をコンタクトホール５内を含む全面に形成する
。このブランケットタングステンＣＶＤでは、全面に均
一に膜が成長する。特に、コンタクトホール５の内部で
は、前記タングステンシリサイド膜６が核発生促進膜と
して機能し、層間絶縁膜３上と同等の速度で膜が堆積す
る。このためオーバーハング形状とならず、配線のボイ
ドの発生が未然に防止される。ブランケットタングステ
ン層７は、例えば次の２段階の工程で堆積される。第１
段階ではＷＦ６ ガスのみが使用される。このＷＦ６
ガスの流量は、例えば２５ｓｃｃｍである。この第１段
階の工程は省略できる。第２段階では、ＷＦ６ ガスと
水素ガスが使用され、水素還元によりタングステンが堆
積される。この時の流量は、例えばＷＦ６ ガスは６０
ｓｃｃｍに対して水素ガスを３６０ｓｃｃｍとする。な
お、ブランケットタングステンＣＶＤにおいて、温度は
４７５℃、圧力は８０Ｔｏｒｒの各条件とされる。コン
タクトホール５の内部をブランケットタングステン層７
によって十分に埋め込んだ後、ブランケットタングステ
ンＣＶＤを終了する。このようなブランケットタングス
テン層７の形成によって、核発生促進膜として形成した
タングステンシリサイド膜６のシリコンは、ブランケッ
トタングステン層７内に拡散してしまうことになる。
【００１４】ブランケットタングステン層７を形成した
後、ブランケットタングステン層７のエッチバックを行
う。このエッチバックは、例えばＳＦ６ ガスを３０ｓ
ｃｃｍ，Ｃｌ２ ガスを２０ｓｃｃｍとし、圧力０．０
１５Ｔｏｒｒ、０．２５Ｗ／ｃｍ２ の如き条件で行え
ば良い。次に、図５に示すように、層間絶縁膜３上の露
出したチタンナイトライド膜４がエッチングされるが、
この時、コンタクトホール５の内壁とブランケットタン
グステン層７の間には、チタンナイトライド膜４が介在
していないため、コンタクトホール５の側壁に溝が形成
されることはない。従って、上層配線層を形成してもボ
イドの発生等は抑えられることになり、配線の信頼性は
高いものとなる。
後、ブランケットタングステン層７のエッチバックを行
う。このエッチバックは、例えばＳＦ６ ガスを３０ｓ
ｃｃｍ，Ｃｌ２ ガスを２０ｓｃｃｍとし、圧力０．０
１５Ｔｏｒｒ、０．２５Ｗ／ｃｍ２ の如き条件で行え
ば良い。次に、図５に示すように、層間絶縁膜３上の露
出したチタンナイトライド膜４がエッチングされるが、
この時、コンタクトホール５の内壁とブランケットタン
グステン層７の間には、チタンナイトライド膜４が介在
していないため、コンタクトホール５の側壁に溝が形成
されることはない。従って、上層配線層を形成してもボ
イドの発生等は抑えられることになり、配線の信頼性は
高いものとなる。
【００１５】なお、ブランケットタングステン層７の形
成と、タングステンシリサイド膜６の形成は、別個のＣ
ＶＤ装置によって行うことも可能であるが、同一のＣＶ
Ｄ装置によってブランケットタングステン層７とタング
ステンシリサイド膜６を形成するようにしても良い。ブ
ランケットタングステン層７とタングステンシリサイド
膜６を同一のＣＶＤ装置で形成する場合、スループット
が向上する。
成と、タングステンシリサイド膜６の形成は、別個のＣ
ＶＤ装置によって行うことも可能であるが、同一のＣＶ
Ｄ装置によってブランケットタングステン層７とタング
ステンシリサイド膜６を形成するようにしても良い。ブ
ランケットタングステン層７とタングステンシリサイド
膜６を同一のＣＶＤ装置で形成する場合、スループット
が向上する。
【００１６】
【発明の効果】本発明のタングステンプラグの形成方法
では、ブランケットタングステン層の形成前に、コンタ
クトホール内に核発生促進膜が形成されるため、コンタ
クトホール内でも十分にブランケットタングステン層が
成長する。このためプラグへのボイドの発生が抑制され
、上層配線層も確実に接続されて、本発明を適用した製
造方法により製造される半導体装置は高い信頼性の配線
構造とされる。
では、ブランケットタングステン層の形成前に、コンタ
クトホール内に核発生促進膜が形成されるため、コンタ
クトホール内でも十分にブランケットタングステン層が
成長する。このためプラグへのボイドの発生が抑制され
、上層配線層も確実に接続されて、本発明を適用した製
造方法により製造される半導体装置は高い信頼性の配線
構造とされる。
【図１】本発明のタングステンプラグの形成方法の一例
における密着膜としてのチタンナイトライド膜の形成工
程までの工程断面図
における密着膜としてのチタンナイトライド膜の形成工
程までの工程断面図
【図２】本発明のタングステンプラグの形成方法の一例
におけるコンタクトホールの形成工程までの工程断面図
におけるコンタクトホールの形成工程までの工程断面図
【図３】本発明のタングステンプラグの形成方法の一例
における核発生促進膜としてのタングステンシリサイド
膜の形成工程までの工程断面図
における核発生促進膜としてのタングステンシリサイド
膜の形成工程までの工程断面図
【図４】本発明のタングステンプラグの形成方法の一例
におけるブランケットタングステン層の形成工程までの
工程断面図
におけるブランケットタングステン層の形成工程までの
工程断面図
【図５】本発明のタングステンプラグの形成方法の一例
におけるエッチバック工程までの工程断面図
におけるエッチバック工程までの工程断面図
【図６】従
来のタングステンプラグの形成方法の一例において、密
着膜をコンタクトホール内部に形成しながらタングステ
ンプラグを形成した場合の問題点を説明するためのコン
タクトホール付近の断面図
来のタングステンプラグの形成方法の一例において、密
着膜をコンタクトホール内部に形成しながらタングステ
ンプラグを形成した場合の問題点を説明するためのコン
タクトホール付近の断面図
【図７】従来のタングステンプラグの形成方法の他の一
例において、密着膜をコンタクトホール内部に形成しな
いでタングステンプラグを形成した場合の問題点を説明
するためのコンタクトホール付近の断面図
例において、密着膜をコンタクトホール内部に形成しな
いでタングステンプラグを形成した場合の問題点を説明
するためのコンタクトホール付近の断面図
１…シリコン基体
２…チタンシリサイド層
３…層間絶縁膜
４…チタンナイトライド膜
５…コンタクトホール
６…タングステンシリサイド膜
７…ブランケットタングステン層
Claims (2)
- 【請求項１】 被配線領域を有する基体上に形成され
た層間絶縁膜に該被配線領域を露出させるコンタクトホ
ールを形成する工程と、前記コンタクトホール以外の前
記層間絶縁膜上に密着膜を形成する工程と、前記コンタ
クトホールの内壁に薄い核発生促進膜を形成する工程と
、ブランケットタングステンＣＶＤ法により前記コンタ
クトホールの内部及び前記層間絶縁膜上にタングステン
層を形成する工程と、前記タングステン層をエッチバッ
クして前記コンタクトホールの内部に該タングステン層
を残す工程とを具備することを特徴とするタングステン
プラグの形成方法。 - 【請求項２】 前記核発生促進膜はタングステンシリ
サイド膜であることを特徴とする請求項１記載のタング
ステンプラグの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9977291A JPH04307934A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | タングステンプラグの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9977291A JPH04307934A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | タングステンプラグの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307934A true JPH04307934A (ja) | 1992-10-30 |
Family
ID=14256260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9977291A Withdrawn JPH04307934A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | タングステンプラグの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04307934A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5633201A (en) * | 1992-11-30 | 1997-05-27 | Hyundai Electronics Industries, Co., Ltd. | Method for forming tungsten plugs in contact holes of a semiconductor device |
| US6268657B1 (en) | 1995-09-14 | 2001-07-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor devices and an insulating layer with an impurity |
| US6288438B1 (en) | 1996-09-06 | 2001-09-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device including insulation film and fabrication method thereof |
| US6410420B2 (en) * | 1998-08-19 | 2002-06-25 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating silicide pattern structures |
| US6690084B1 (en) | 1997-09-26 | 2004-02-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device including insulation film and fabrication method thereof |
| US6794283B2 (en) | 1998-05-29 | 2004-09-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US6825132B1 (en) | 1996-02-29 | 2004-11-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device including an insulation film on a conductive layer |
| US6831015B1 (en) | 1996-08-30 | 2004-12-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Fabrication method of semiconductor device and abrasive liquid used therein |
| US6917110B2 (en) | 2001-12-07 | 2005-07-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an interconnect structure with a modified low dielectric insulation layer |
| JP2008227532A (ja) * | 1993-10-22 | 2008-09-25 | At & T Corp | タングステン形成プロセス |
-
1991
- 1991-04-05 JP JP9977291A patent/JPH04307934A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6716745B2 (en) | 1998-08-19 | 2004-04-06 | Micron Technology, Iinc. | Silicide pattern structures and methods of fabricating the same |
| US6881663B2 (en) | 1998-08-19 | 2005-04-19 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating silicide pattern structures |
| US6599832B2 (en) | 1998-08-19 | 2003-07-29 | Micron Technology, Inc. | Silicide pattern structures and methods of fabricating the same |
| US6917110B2 (en) | 2001-12-07 | 2005-07-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an interconnect structure with a modified low dielectric insulation layer |
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