JPH053170A - ブランケツトタングステンプラグ形成法 - Google Patents
ブランケツトタングステンプラグ形成法Info
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- JPH053170A JPH053170A JP15166891A JP15166891A JPH053170A JP H053170 A JPH053170 A JP H053170A JP 15166891 A JP15166891 A JP 15166891A JP 15166891 A JP15166891 A JP 15166891A JP H053170 A JPH053170 A JP H053170A
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- Japan
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- thin film
- tungsten
- connection hole
- contact hole
- forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】配線形成のための接続孔６側壁での層剥離の問
題を起こさない安定したブランケットタングステンプラ
グ形成法を提供する。 【構成】基板１上に形成された層間絶縁膜３に接続孔６
を形成する工程、全面にβ−Ｗ及び／又はＷ5Ｓｉ3薄膜
７を被着して上記接続孔６の側壁面に上記薄膜７を形成
する工程、上記薄膜上全面にタングステンを成長させ
て、接続孔６を埋め込む工程、上記薄膜を熱処理して通
常のタングステンに相変化させる工程、上記タングステ
ンをエッチバックして上記接続孔のみにタングステンを
残す工程を含む。
題を起こさない安定したブランケットタングステンプラ
グ形成法を提供する。 【構成】基板１上に形成された層間絶縁膜３に接続孔６
を形成する工程、全面にβ−Ｗ及び／又はＷ5Ｓｉ3薄膜
７を被着して上記接続孔６の側壁面に上記薄膜７を形成
する工程、上記薄膜上全面にタングステンを成長させ
て、接続孔６を埋め込む工程、上記薄膜を熱処理して通
常のタングステンに相変化させる工程、上記タングステ
ンをエッチバックして上記接続孔のみにタングステンを
残す工程を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ブランケットタングス
テンプラグ形成法、特に接続孔の側壁に密着層を有しな
いブランケットタングステンプラグ形成法に関するもの
である。
テンプラグ形成法、特に接続孔の側壁に密着層を有しな
いブランケットタングステンプラグ形成法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置、例えばＬＳＩ等の微細化、
高集積化に伴い、その配線形成の一つの技術である微細
接続孔（コンタクトホールやビアホール）を埋め込む
（プラグ形成）技術として、最近ステップカバレージ
（段差被覆性）の優れた、全面にタングステンを成長さ
せるブランケットタングステン（ＢＬＫ−Ｗ）ＣＶＤ技
術が注目されている。
高集積化に伴い、その配線形成の一つの技術である微細
接続孔（コンタクトホールやビアホール）を埋め込む
（プラグ形成）技術として、最近ステップカバレージ
（段差被覆性）の優れた、全面にタングステンを成長さ
せるブランケットタングステン（ＢＬＫ−Ｗ）ＣＶＤ技
術が注目されている。
【０００３】従来、このブランケットタングステン（以
下、ＢＬＫ−Ｗと記す）ＣＶＤ技術をプラグ形成に利用
する方法は、まず図３（ａ）に示すように、例えばシリ
コン基板１１上のＳｉＯ2からなる層間絶縁膜１３に形
成された開孔（コンタクトホール）１６に、ＴｉＮある
いはＴｉＷ等からなる密着層２０を形成した後、ＢＬＫ
−Ｗ層１８を全面に成長させコンタクトホール１６を埋
め込む。次に、図３（ｂ）に示すように、上方からＢＬ
Ｋ−Ｗ層１８、密着層２０を順次エッチバックしてコン
タクトホール１６内にのみＷプラグ１８ａを形成する。
下、ＢＬＫ−Ｗと記す）ＣＶＤ技術をプラグ形成に利用
する方法は、まず図３（ａ）に示すように、例えばシリ
コン基板１１上のＳｉＯ2からなる層間絶縁膜１３に形
成された開孔（コンタクトホール）１６に、ＴｉＮある
いはＴｉＷ等からなる密着層２０を形成した後、ＢＬＫ
−Ｗ層１８を全面に成長させコンタクトホール１６を埋
め込む。次に、図３（ｂ）に示すように、上方からＢＬ
Ｋ−Ｗ層１８、密着層２０を順次エッチバックしてコン
タクトホール１６内にのみＷプラグ１８ａを形成する。
【０００４】ＢＬＫ−Ｗは、半導体基板（ウエハー）全
面にタングステン（Ｗ）が成長するため、層間絶縁膜と
の密着性、原料ガスのＷＦ6ガス及び耐熱バリア性の点
から上記ＴｉＮ、ＴｉＷ等の密着層を必要とする。
面にタングステン（Ｗ）が成長するため、層間絶縁膜と
の密着性、原料ガスのＷＦ6ガス及び耐熱バリア性の点
から上記ＴｉＮ、ＴｉＷ等の密着層を必要とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く、ＢＬＫ−
Ｗ層１８をエッチバックした後、ＴｉＮ等の密着層２０
を除去するエッチバック工程において、ジャストエッチ
に比べオーバーエッチ時にはＴｉＮの面積が減少するた
め、エッチャントがコンタクトホール１６側壁上部のＴ
ｉＮに集中する。そのためにコンタクトホール１６側壁
上部のＴｉＮが図４のＡ部に示すように集中的にエッチ
ング（剥離）される問題を生ずる。また、この問題はコ
ンタクト抵抗低減のために集積したＴｉが下地のＳｉＯ
2からなる層間絶縁膜１３と反応し、この反応によって
生成された反応生成物のエッチングが困難で、オーバー
エッチ時にコンタクトホール側壁のＴｉＮが集中的にエ
ッチングされてしまうことも考えられる。
Ｗ層１８をエッチバックした後、ＴｉＮ等の密着層２０
を除去するエッチバック工程において、ジャストエッチ
に比べオーバーエッチ時にはＴｉＮの面積が減少するた
め、エッチャントがコンタクトホール１６側壁上部のＴ
ｉＮに集中する。そのためにコンタクトホール１６側壁
上部のＴｉＮが図４のＡ部に示すように集中的にエッチ
ング（剥離）される問題を生ずる。また、この問題はコ
ンタクト抵抗低減のために集積したＴｉが下地のＳｉＯ
2からなる層間絶縁膜１３と反応し、この反応によって
生成された反応生成物のエッチングが困難で、オーバー
エッチ時にコンタクトホール側壁のＴｉＮが集中的にエ
ッチングされてしまうことも考えられる。
【０００６】本発明は、上記接続孔側壁での層剥離の問
題を起こさない安定したブランケットタングステン（Ｂ
ＬＫ−Ｗ）プラグ形成法を提供することを目的とする。
題を起こさない安定したブランケットタングステン（Ｂ
ＬＫ−Ｗ）プラグ形成法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明によ
れば、基板上に形成された層間絶縁膜に該基板に達する
接続孔を形成する工程、全面にβ−Ｗ及び／又はＷ5Ｓ
ｉ3薄膜を被着して前記接続孔側壁面にβ−Ｗ及び／又
はＷ5Ｓｉ3薄膜を形成する工程、前記β−Ｗ及び／又は
Ｗ5Ｓｉ3薄膜上全面にタングステンを成長させて、前記
接続孔を埋め込む工程、前記β−Ｗ及び／又はＷ5Ｓｉ3
薄膜を熱処理して通常のタングステンに相変化させる工
程、及び前記タングステンをエッチバックして前記接続
孔のみにタングステンを残す工程、を含むことを特徴と
するブランケットタングステンプラグ形成法によって解
決される。
れば、基板上に形成された層間絶縁膜に該基板に達する
接続孔を形成する工程、全面にβ−Ｗ及び／又はＷ5Ｓ
ｉ3薄膜を被着して前記接続孔側壁面にβ−Ｗ及び／又
はＷ5Ｓｉ3薄膜を形成する工程、前記β−Ｗ及び／又は
Ｗ5Ｓｉ3薄膜上全面にタングステンを成長させて、前記
接続孔を埋め込む工程、前記β−Ｗ及び／又はＷ5Ｓｉ3
薄膜を熱処理して通常のタングステンに相変化させる工
程、及び前記タングステンをエッチバックして前記接続
孔のみにタングステンを残す工程、を含むことを特徴と
するブランケットタングステンプラグ形成法によって解
決される。
【０００８】
【作用】本発明によれば、接続孔側壁面を含めた全面に
β−Ｗ及び／又はＷ5Ｓｉ3薄膜を被着形成しているた
め、従来必要であった密着層を必要としないで、通常の
Ｗを成長させ接続孔を埋め込むことができる。しかも、
熱処理工程によりβ−Ｗ及び／又はＷ5Ｓｉ3を安定な通
常のタングステン（α−Ｗ）に変化させることができる
ため、接続孔側壁面にも安定したタングステンを形成す
ることができる。本発明ではβ−Ｗ、Ｗ5Ｓｉ3の形成は
シラン（ＳｉＨ4）還元法あるいはジシラン（Ｓｉ
2Ｈ6）還元法によってＷＦ6に対してＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6
の量を制御して行なうことができる。
β−Ｗ及び／又はＷ5Ｓｉ3薄膜を被着形成しているた
め、従来必要であった密着層を必要としないで、通常の
Ｗを成長させ接続孔を埋め込むことができる。しかも、
熱処理工程によりβ−Ｗ及び／又はＷ5Ｓｉ3を安定な通
常のタングステン（α−Ｗ）に変化させることができる
ため、接続孔側壁面にも安定したタングステンを形成す
ることができる。本発明ではβ−Ｗ、Ｗ5Ｓｉ3の形成は
シラン（ＳｉＨ4）還元法あるいはジシラン（Ｓｉ
2Ｈ6）還元法によってＷＦ6に対してＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6
の量を制御して行なうことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１０】図１及び図２は、本発明のＢＬＫ−Ｗプラ
グ形成法の第１実施例を示すそれぞれ前半工程断面図及
び後半工程断面図である。
グ形成法の第１実施例を示すそれぞれ前半工程断面図及
び後半工程断面図である。
【００１１】まず、図１（ａ）に示すように、拡散層２
上にＴｉＳｉｘ膜４とＴｉＮ膜５を形成したＳｉ基板１
上に、通常のＣＶＤ（化学的気相成長）法により二酸化
シリコン（ＳｉＯ2）からなる厚さ８０００オングスト
ロームの層間絶縁膜３及び厚さ１０００オングストロー
ムのＴｉＮ膜１４を順次堆積し、パターニングにより直
径０．４ミクロン（μｍ）、アスペクト比２の接続孔と
しての開孔（コンタクトホール）６を形成する。
上にＴｉＳｉｘ膜４とＴｉＮ膜５を形成したＳｉ基板１
上に、通常のＣＶＤ（化学的気相成長）法により二酸化
シリコン（ＳｉＯ2）からなる厚さ８０００オングスト
ロームの層間絶縁膜３及び厚さ１０００オングストロー
ムのＴｉＮ膜１４を順次堆積し、パターニングにより直
径０．４ミクロン（μｍ）、アスペクト比２の接続孔と
しての開孔（コンタクトホール）６を形成する。
【００１２】コンタクトホール６形成のためのＴｉＮ、
ＳｉＯ2のエッチング条件は、以下の通りである。
ＳｉＯ2のエッチング条件は、以下の通りである。
【００１３】ＴｉＮ：Ｃｌ2＝３０sccm、圧力０．６Tor
r、ＲＦ出力０．２５W/cm2 ＳｉＯ2：ＣＨＮ3＝８０sc
cm、圧力０．０５Torr、ＲＦ出力０．２５W/cm2 次
に、図１（ｂ）に示すように、β−Ｗ及び／又はＷ5Ｓ
ｉ3からなるＷ核薄膜７を、公知のＳｉＨ4（シラン）還
元法によって全面に形成する。形成薄膜はβ−Ｗのみ又
はＷ5Ｓｉ3あるいはβ−ＷとＷ5Ｓｉ3の混合で構成され
てもよい。タングステン（Ｗ）は通常はα−Ｗ相を呈し
ており、Ｓｉの含有量が増大するにつれβ−Ｗ相、Ｗ5
Ｓｉ3、そしてＷＳｉ2に順次変化する。シラン還元法は
Ｗの原料ガスＷＦ6に対してＨ2（水素）還元法よりも反
応性が高い。この工程では密着層が形成されていないコ
ンタクトホール６側壁に、ＢＬＫ−Ｗの形成核となるＷ
核を成長させるために、ＳｉＨ4／ＷＦ6の比を大きく、
すなわちＳｉＨ4量を多くしてβ−Ｗ相を有するＷ及び
／又はＷ5Ｓｉ3を形成する。β−Ｗ及び／又はＷ5Ｓｉ3
からなるＷ核薄膜７は、ＳｉＯ2からなるコンタクトホ
ール６側壁に安定して成長される。また、上記のよう
に、この工程でＳｉＨ4／ＷＦ6の比が大きいため、ＷＦ
6による下地（拡散層等）への侵食を少なくしてＷ核薄
膜形成を行なうことができる。
r、ＲＦ出力０．２５W/cm2 ＳｉＯ2：ＣＨＮ3＝８０sc
cm、圧力０．０５Torr、ＲＦ出力０．２５W/cm2 次
に、図１（ｂ）に示すように、β−Ｗ及び／又はＷ5Ｓ
ｉ3からなるＷ核薄膜７を、公知のＳｉＨ4（シラン）還
元法によって全面に形成する。形成薄膜はβ−Ｗのみ又
はＷ5Ｓｉ3あるいはβ−ＷとＷ5Ｓｉ3の混合で構成され
てもよい。タングステン（Ｗ）は通常はα−Ｗ相を呈し
ており、Ｓｉの含有量が増大するにつれβ−Ｗ相、Ｗ5
Ｓｉ3、そしてＷＳｉ2に順次変化する。シラン還元法は
Ｗの原料ガスＷＦ6に対してＨ2（水素）還元法よりも反
応性が高い。この工程では密着層が形成されていないコ
ンタクトホール６側壁に、ＢＬＫ−Ｗの形成核となるＷ
核を成長させるために、ＳｉＨ4／ＷＦ6の比を大きく、
すなわちＳｉＨ4量を多くしてβ−Ｗ相を有するＷ及び
／又はＷ5Ｓｉ3を形成する。β−Ｗ及び／又はＷ5Ｓｉ3
からなるＷ核薄膜７は、ＳｉＯ2からなるコンタクトホ
ール６側壁に安定して成長される。また、上記のよう
に、この工程でＳｉＨ4／ＷＦ6の比が大きいため、ＷＦ
6による下地（拡散層等）への侵食を少なくしてＷ核薄
膜形成を行なうことができる。
【００１４】β−Ｗ及び／又はＷ5Ｓｉ3からなるＷ核薄
膜７の形成条件は以下の通りとした。
膜７の形成条件は以下の通りとした。
【００１５】温度４００℃、圧力０．３Ｔｏｒｒ、Ｓｉ
Ｈ／ＷＦ6＝３００〜５００／１００〜１５０ｓｃｃ
ｍ、膜厚５００オングストローム次に、図１（ｃ）に示
すように、Ｗの安定相であるα−ＷからなるＢＬＫ−Ｗ
層８によるコンタクトホール６の埋め込みを、ＳｉＨ4
還元法よりもステップカバレージの良いＨ2還元法によ
り行なう。
Ｈ／ＷＦ6＝３００〜５００／１００〜１５０ｓｃｃ
ｍ、膜厚５００オングストローム次に、図１（ｃ）に示
すように、Ｗの安定相であるα−ＷからなるＢＬＫ−Ｗ
層８によるコンタクトホール６の埋め込みを、ＳｉＨ4
還元法よりもステップカバレージの良いＨ2還元法によ
り行なう。
【００１６】この工程でのＷ層形成条件は、以下の通り
とした。
とした。
【００１７】温度４００℃、圧力３０Ｔｏｒｒ、Ｈ2／
ＷＦ6＝６８００／５５０ｓｃｃｍコンタクトホール６
側壁に安定したＷ核を前もって成長させているため、コ
ンタクトホール内に安定してＢＬＫ−Ｗ（α−Ｗ）層８
を埋め込むことができる。
ＷＦ6＝６８００／５５０ｓｃｃｍコンタクトホール６
側壁に安定したＷ核を前もって成長させているため、コ
ンタクトホール内に安定してＢＬＫ−Ｗ（α−Ｗ）層８
を埋め込むことができる。
【００１８】次に、図２（ａ）に示すようにアニールを
行なうことにより、Ｗ核薄膜７をα−Ｗ相のＢＬＫ−Ｗ
に変化させる。アニール条件は、９００℃、１０〜２０
秒間、Ａｒ雰囲気とした。このアニール工程では、結合
的に不安定なβ−Ｗ相及び／又はＷ5Ｓｉ3により形成さ
れているＷ核薄膜において、β−Ｗ相は安定なα−Ｗに
相変化し、一方、Ｗ5Ｓｉ3は分解されてＷとＳｉにな
り、ＳｉはＷ／ＴｉＮ界面に析出するが、その量は少な
くコンタクト抵抗への影響はない（シラン還元反応によ
る選択成長、Ａpplication of Ｔungsten Ｍatersals f
or ＵＬＳＩＴechnology，１９８９年大場ら）。
行なうことにより、Ｗ核薄膜７をα−Ｗ相のＢＬＫ−Ｗ
に変化させる。アニール条件は、９００℃、１０〜２０
秒間、Ａｒ雰囲気とした。このアニール工程では、結合
的に不安定なβ−Ｗ相及び／又はＷ5Ｓｉ3により形成さ
れているＷ核薄膜において、β−Ｗ相は安定なα−Ｗに
相変化し、一方、Ｗ5Ｓｉ3は分解されてＷとＳｉにな
り、ＳｉはＷ／ＴｉＮ界面に析出するが、その量は少な
くコンタクト抵抗への影響はない（シラン還元反応によ
る選択成長、Ａpplication of Ｔungsten Ｍatersals f
or ＵＬＳＩＴechnology，１９８９年大場ら）。
【００１９】コンタクトホール６内にはＷが埋め込まれ
ているため、このアニールによってＷ核薄膜のみが剥離
することはない。また、コンタクトホール６底部にはＴ
ｉＮ膜５／ＴｉＳｉｘ膜４が形成されているため、下地
Ｓｉ基板からのＳｉの拡散も生ぜず、ＷがＷＳｉｘ（タ
ングステンシリサイド）化することも防止できる。
ているため、このアニールによってＷ核薄膜のみが剥離
することはない。また、コンタクトホール６底部にはＴ
ｉＮ膜５／ＴｉＳｉｘ膜４が形成されているため、下地
Ｓｉ基板からのＳｉの拡散も生ぜず、ＷがＷＳｉｘ（タ
ングステンシリサイド）化することも防止できる。
【００２０】次に、図２（ｂ）に示すように、ＢＬＫ−
Ｗ層８を上方からエッチバックし、図２（ｃ）に示した
タングステン（Ｗ）プラグ８ａを形成する。このエッチ
バック工程ではコンタクトホール６内のＷは全て安定な
α−Ｗ相であるため、従来問題であったコンタクトホー
ル６上部側壁での膜剥離を生じない。
Ｗ層８を上方からエッチバックし、図２（ｃ）に示した
タングステン（Ｗ）プラグ８ａを形成する。このエッチ
バック工程ではコンタクトホール６内のＷは全て安定な
α−Ｗ相であるため、従来問題であったコンタクトホー
ル６上部側壁での膜剥離を生じない。
【００２１】なお、Ｗのエッチバック条件は以下の通り
とした。圧力１３５ｍＴｏｒｒ、ＳＦ6／Ｏ2＝２５０／
５０ｓｃｃｍ、２５０〜４００Ｗ 次に、ジシラン（Ｓ
ｉ2Ｈ6）を用いてＷ核薄膜を形成した例を第２実施例と
して説明する。
とした。圧力１３５ｍＴｏｒｒ、ＳＦ6／Ｏ2＝２５０／
５０ｓｃｃｍ、２５０〜４００Ｗ 次に、ジシラン（Ｓ
ｉ2Ｈ6）を用いてＷ核薄膜を形成した例を第２実施例と
して説明する。
【００２２】まず、第１実施例と同様に、図１（ａ）で
示したコンタクトホール６を形成する。
示したコンタクトホール６を形成する。
【００２３】次に、図１（ｂ）で示したＷ核薄膜の形成
工程では、第１実施例で用いたシラン（ＳｉＨ4）より
もＷＦ6の還元反応における生成自由エネルギーが大き
いジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）を用いてＷ核薄膜の形成を行な
う。Ｓｉ2Ｈ6はＳｉＨ4よりもＷＦ6の還元能力が高いた
め、ＳｉＨ4を用いた場合よりも低温かつ約半分の流量
でＷ核が形成できる。また、Ｓｉ2Ｈ6の方がＳｉＨ4よ
りもＳｉリッチなＷ核を形成しやすい。
工程では、第１実施例で用いたシラン（ＳｉＨ4）より
もＷＦ6の還元反応における生成自由エネルギーが大き
いジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）を用いてＷ核薄膜の形成を行な
う。Ｓｉ2Ｈ6はＳｉＨ4よりもＷＦ6の還元能力が高いた
め、ＳｉＨ4を用いた場合よりも低温かつ約半分の流量
でＷ核が形成できる。また、Ｓｉ2Ｈ6の方がＳｉＨ4よ
りもＳｉリッチなＷ核を形成しやすい。
【００２４】なお、Ｗ核薄膜形成条件は、以下の通りと
した。温度２８０℃、圧力０．３Ｔｏｒｒ、Ｓｉ2Ｈ6／
ＷＦ6＝１００／３０〜５０ｓｃｃｍ、厚さ５００オン
グストローム次に、コンタクトホール内へのＷ埋め込み
（図１（ｃ））、アニール（図２（ａ））およびエッチ
バック（図２（ｂ）、（ｃ））工程は、第１実施例と同
一条件で行なう。
した。温度２８０℃、圧力０．３Ｔｏｒｒ、Ｓｉ2Ｈ6／
ＷＦ6＝１００／３０〜５０ｓｃｃｍ、厚さ５００オン
グストローム次に、コンタクトホール内へのＷ埋め込み
（図１（ｃ））、アニール（図２（ａ））およびエッチ
バック（図２（ｂ）、（ｃ））工程は、第１実施例と同
一条件で行なう。
【００２５】なお、上記第１実施例及び第２実施例共
に、アニール工程をＷ核薄膜形成工程直後に行い、その
後でＷのコンタクトホール内への埋め込み工程を行なう
ことができる。
に、アニール工程をＷ核薄膜形成工程直後に行い、その
後でＷのコンタクトホール内への埋め込み工程を行なう
ことができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エッチバック工程時にコンタクトホール側壁での集中的
エッチングを防止でき、安定したタングステンプラグを
密着層なしにコンタクトホール内に形成できる。しか
も、Ｗ核薄膜形成をＷＳｉｘ成膜に近い条件で行なうた
め、Ｗ形成の反応ガスＳｉＨ4／ＷＦ6比が大きく、下地
ＴｉＮ膜へのＷＦ6の侵食がわずかである。
エッチバック工程時にコンタクトホール側壁での集中的
エッチングを防止でき、安定したタングステンプラグを
密着層なしにコンタクトホール内に形成できる。しか
も、Ｗ核薄膜形成をＷＳｉｘ成膜に近い条件で行なうた
め、Ｗ形成の反応ガスＳｉＨ4／ＷＦ6比が大きく、下地
ＴｉＮ膜へのＷＦ6の侵食がわずかである。
【図１】本発明の第１実施例の前半工程断面図である。
【図２】本発明の第１実施例の後半工程断面図である。
【図３】従来工程を示す工程断面図である。
【図４】従来工程で生じた密着層剥離を示す断面図であ
る。
る。
１，１１ Ｓｉ基板 ２ 拡散層 ３，１３ 層間絶縁膜（ＳｉＯ2） ４ ＴｉＳｉｘ膜 ５ ＴｉＮ膜 ６，１６ 開孔（コンタクトホール） ７ β−Ｗ及び／又はＷ5Ｓｉ3からなるＷ核薄膜 ８，１８ ＢＬＫ−Ｗ（α−Ｗ）層 ８ａ タングステン（Ｗ）プラグ １４ ＴｉＮ膜 ２０ 密着層（ＴｉＮ又はＴｉＷ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板上に形成された層間絶縁膜に、該基
板に達する接続孔を形成する工程、全面にβ−Ｗ及び／
又はＷ5Ｓｉ3薄膜を被着して前記接続孔側壁面にβ−Ｗ
及び／又はＷ5Ｓｉ3薄膜を形成する工程、前記β−Ｗ及
び／又はＷ5Ｓｉ3薄膜上全面にタングステンを成長させ
て、前記接続孔を埋め込む工程、前記β−Ｗ及び／又は
Ｗ5Ｓｉ3薄膜を熱処理して通常のタングステンに相変化
させる工程、及び前記タングステンをエッチバックして
前記接続孔のみにタングステンを残す工程、を含むこと
を特徴とするブランケットタングステンプラグ形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15166891A JPH053170A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | ブランケツトタングステンプラグ形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15166891A JPH053170A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | ブランケツトタングステンプラグ形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053170A true JPH053170A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15523629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15166891A Pending JPH053170A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | ブランケツトタングステンプラグ形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053170A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07263546A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5489552A (en) * | 1994-12-30 | 1996-02-06 | At&T Corp. | Multiple layer tungsten deposition process |
| JPH1012732A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US10304743B2 (en) | 2016-06-02 | 2019-05-28 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP15166891A patent/JPH053170A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07263546A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5489552A (en) * | 1994-12-30 | 1996-02-06 | At&T Corp. | Multiple layer tungsten deposition process |
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