JPH01236658A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01236658A JPH01236658A JP6423288A JP6423288A JPH01236658A JP H01236658 A JPH01236658 A JP H01236658A JP 6423288 A JP6423288 A JP 6423288A JP 6423288 A JP6423288 A JP 6423288A JP H01236658 A JPH01236658 A JP H01236658A
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- Japan
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- gate electrode
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ゲート電極上に形成されたソース・ドレイ
ン金属と、半導体基板上に形成されたソース・ドレイン
金属とがケバ等によって接触しないようにした半導体装
置の製造方法に関するものである。
ン金属と、半導体基板上に形成されたソース・ドレイン
金属とがケバ等によって接触しないようにした半導体装
置の製造方法に関するものである。
第2図(a)〜(h)に従来のこの種の半導体装置の製
造方法を示す。
造方法を示す。
第2図において、1は半導体基板、2はゲート電極、3
は前記半導体基板1上全面に形成された絶縁膜、4は平
坦化用の第1のフォトレジスト、5は低抵抗金属形成時
のマスクとなる第2のフォトレジスト、6は低抵抗金属
膜、7はソースドレイン電極形成時マスクとなる第3の
フォトレジスト、8はソース・ドレイン金属である。
は前記半導体基板1上全面に形成された絶縁膜、4は平
坦化用の第1のフォトレジスト、5は低抵抗金属形成時
のマスクとなる第2のフォトレジスト、6は低抵抗金属
膜、7はソースドレイン電極形成時マスクとなる第3の
フォトレジスト、8はソース・ドレイン金属である。
次に工程について説明する。
まず、半導体基板1上にゲート電極2を形成する(第2
図(a))。次に、全面に絶縁膜3を堆積した後(第2
図(b))、第1のフォトレジスト4を上面が平坦にな
るように塗布する(第2図(C))。次に、RIE法等
により全面をエツチングし、ゲート電極2の上部を露出
せしめる(第2図(d))。次に、所望の領域が開口し
た第2のフォトレジスト5のレジストパターンを形成す
る(第2図(e))。その後、低抵抗金属膜6を蒸着、
リフトオフし、金属パターンを形成する(第2図(f)
)。次いで、ソース・ドレイン電極を形成する領域を開
口した第3のフォトレジストアのレジストパターンを形
成する(第2図(g))。次に、RIE法等により絶縁
膜3をエツチング除去した後、ソース・ドレイン金属を
蒸着、リフトオフし、ソース・ドレイン電極8を形成す
る(第2図(h))。
図(a))。次に、全面に絶縁膜3を堆積した後(第2
図(b))、第1のフォトレジスト4を上面が平坦にな
るように塗布する(第2図(C))。次に、RIE法等
により全面をエツチングし、ゲート電極2の上部を露出
せしめる(第2図(d))。次に、所望の領域が開口し
た第2のフォトレジスト5のレジストパターンを形成す
る(第2図(e))。その後、低抵抗金属膜6を蒸着、
リフトオフし、金属パターンを形成する(第2図(f)
)。次いで、ソース・ドレイン電極を形成する領域を開
口した第3のフォトレジストアのレジストパターンを形
成する(第2図(g))。次に、RIE法等により絶縁
膜3をエツチング除去した後、ソース・ドレイン金属を
蒸着、リフトオフし、ソース・ドレイン電極8を形成す
る(第2図(h))。
(発明が解決しようとする課題)
従来のこの種の半導体装置の製造方法では、第1のフォ
トレジスト3を塗布し、半導体基板1上の凹凸を平坦化
する際、下地パターンの面積によりその平坦性が異なり
、エッチバック法によるゲート電極2の頭出しができな
い部分が発生する。
トレジスト3を塗布し、半導体基板1上の凹凸を平坦化
する際、下地パターンの面積によりその平坦性が異なり
、エッチバック法によるゲート電極2の頭出しができな
い部分が発生する。
また、ソース・ドレイン金属8の蒸着、リフトオフ時に
ゲート電8i2上に堆積されたソース・ドレイン金属8
と半導体基板1上のソース・ドレイン金属8がケバ等で
つながってしまうという問題点があった。
ゲート電8i2上に堆積されたソース・ドレイン金属8
と半導体基板1上のソース・ドレイン金属8がケバ等で
つながってしまうという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、下地パターンの面積に依存することなく、
ゲート電極の頭出しができるとともに、ソース・ドレイ
ン金属がゲート電極と確実に分離できる半導体装置の製
造方法を得ることを目的とする。
れたもので、下地パターンの面積に依存することなく、
ゲート電極の頭出しができるとともに、ソース・ドレイ
ン金属がゲート電極と確実に分離できる半導体装置の製
造方法を得ることを目的とする。
C課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の製造方法は、ゲート電極が
形成された半導体基板上全面に絶縁膜を堆積した後、ゲ
ート電極上部が開口するようにレジストパターンを逆テ
ーパ状に形成し、ゲート電極上部の絶縁膜をゆるやかな
テーパ状にエツチングして開口部を形成し、ゲート電極
上部を露出させた後、前記開口部を少なくとも覆うよう
に金属パターンを形成し、これをマスクにして絶縁膜を
除去した後、蒸着、リフトオフ法によりソース・ドレイ
ン電極を形成するものである。
形成された半導体基板上全面に絶縁膜を堆積した後、ゲ
ート電極上部が開口するようにレジストパターンを逆テ
ーパ状に形成し、ゲート電極上部の絶縁膜をゆるやかな
テーパ状にエツチングして開口部を形成し、ゲート電極
上部を露出させた後、前記開口部を少なくとも覆うよう
に金属パターンを形成し、これをマスクにして絶縁膜を
除去した後、蒸着、リフトオフ法によりソース・ドレイ
ン電極を形成するものである。
この発明においては、ゲート電極上部の絶縁膜除去時の
マスクとするレジストパターンを逆テーパ状に形成する
ことにより、絶縁膜はゆるやかな傾斜をもつようにエツ
チングされ、後工程で自己整合的に形成されるゲート電
極上のソース・ドレイン金属と半導体基板上のソース・
ドレイン金属が接続してしまうこともなくなる。
マスクとするレジストパターンを逆テーパ状に形成する
ことにより、絶縁膜はゆるやかな傾斜をもつようにエツ
チングされ、後工程で自己整合的に形成されるゲート電
極上のソース・ドレイン金属と半導体基板上のソース・
ドレイン金属が接続してしまうこともなくなる。
第1図(a)〜(i)はこの発明の一実施例を示す半導
体装置の製造方法の工程図である。
体装置の製造方法の工程図である。
この図において、1は半導体基板、2はゲート電極、3
は絶縁膜、4は前記ゲート電極2の頭出し時のマスクと
なる逆テーパ状にパターン形成した第1のフォトレジス
ト、5は低抵抗金属膜の加工時にマスクとなる第2のフ
ォトレジスト、6は低抵抗金属膜、7はソース・ドレイ
ン電極形成時にマスクとなる第3のフォトレジスト、8
はソース・トレイン金属である。
は絶縁膜、4は前記ゲート電極2の頭出し時のマスクと
なる逆テーパ状にパターン形成した第1のフォトレジス
ト、5は低抵抗金属膜の加工時にマスクとなる第2のフ
ォトレジスト、6は低抵抗金属膜、7はソース・ドレイ
ン電極形成時にマスクとなる第3のフォトレジスト、8
はソース・トレイン金属である。
次に、この発明の製造工程について説明する。
まず、第1図(a)のようなゲート電極2が形成された
半導体基板1上全面に第1図(b)のように、絶縁膜3
を厚く堆積する。次に、第1図(e)のように、ゲート
電極2上が開口するように、第1のフォトレジスト4を
逆テーパ状に形成する。その後、第1図(d)のように
、RIE法でゲート電極20頭部が露出するまで絶縁膜
3をエツチングする。この時、第1のフォトレジスト4
のレジストパターンが逆テーパ状になっているため、絶
縁膜3のエツチング形状は図示のようにゆるやかな傾斜
を持ってエツチングされる。次に、低抵抗金属膜6を第
1図(e)のように、全面に堆積する。次に、第2のフ
ォトレジスト5を通常のマスク合わせにより第1図(f
)のように、バターニングする。この時レジストパター
ンの端部は絶縁膜3の傾斜部分より少なくとも大きくな
るようにする。次いで、この第2のフォトレジスト5を
マスクにして低抵抗金属膜6をイオンミリング法等によ
り第1図(g)のように加工する。この時、多少エツチ
ングをオーバにしても差し支えない。次に、第1図(h
)のように、ソース・ドレイン電極を形成すべき領域お
よびゲート電極上部全体が開口するように第3のフォト
レジストアをバターニングする。次に、第1図(i)の
ようにRIE法等により絶縁膜3をエツチングし、ソー
ス・トレイン金属(ソース・ドレイン電極)8を蒸着、
リフトオフする。
半導体基板1上全面に第1図(b)のように、絶縁膜3
を厚く堆積する。次に、第1図(e)のように、ゲート
電極2上が開口するように、第1のフォトレジスト4を
逆テーパ状に形成する。その後、第1図(d)のように
、RIE法でゲート電極20頭部が露出するまで絶縁膜
3をエツチングする。この時、第1のフォトレジスト4
のレジストパターンが逆テーパ状になっているため、絶
縁膜3のエツチング形状は図示のようにゆるやかな傾斜
を持ってエツチングされる。次に、低抵抗金属膜6を第
1図(e)のように、全面に堆積する。次に、第2のフ
ォトレジスト5を通常のマスク合わせにより第1図(f
)のように、バターニングする。この時レジストパター
ンの端部は絶縁膜3の傾斜部分より少なくとも大きくな
るようにする。次いで、この第2のフォトレジスト5を
マスクにして低抵抗金属膜6をイオンミリング法等によ
り第1図(g)のように加工する。この時、多少エツチ
ングをオーバにしても差し支えない。次に、第1図(h
)のように、ソース・ドレイン電極を形成すべき領域お
よびゲート電極上部全体が開口するように第3のフォト
レジストアをバターニングする。次に、第1図(i)の
ようにRIE法等により絶縁膜3をエツチングし、ソー
ス・トレイン金属(ソース・ドレイン電極)8を蒸着、
リフトオフする。
以上説明したように、この発明は、ゲート電極が形成さ
れた半導体基板上全面に絶縁膜を堆積した後、ゲート電
極上部が開口するようにレジストパターンを逆テーパ状
に形成しゲート電極上部の絶縁膜をゆるやかなテーパ状
にエツチングして開口部を形成しゲート電極上部を露出
させた後、前記開口部を少なくとも覆うように金属パタ
ーンを形成し、これをマスクにして絶縁膜を除去した後
、蒸着、リフトオフ法によりソース・ドレイン電極を形
成するので、フォトレジストの平坦化を行う必要がなく
、ゲート電極面積の依存性のない高精度な頭出しが可能
となる。また、ソース・トレイン電極形成時、絶縁膜を
ゆるやかなテーパ状にエツチングすることにより蒸着リ
フトオフが安定に行える効果がある。
れた半導体基板上全面に絶縁膜を堆積した後、ゲート電
極上部が開口するようにレジストパターンを逆テーパ状
に形成しゲート電極上部の絶縁膜をゆるやかなテーパ状
にエツチングして開口部を形成しゲート電極上部を露出
させた後、前記開口部を少なくとも覆うように金属パタ
ーンを形成し、これをマスクにして絶縁膜を除去した後
、蒸着、リフトオフ法によりソース・ドレイン電極を形
成するので、フォトレジストの平坦化を行う必要がなく
、ゲート電極面積の依存性のない高精度な頭出しが可能
となる。また、ソース・トレイン電極形成時、絶縁膜を
ゆるやかなテーパ状にエツチングすることにより蒸着リ
フトオフが安定に行える効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の製造工
程の断面図、第2図は従来の半導体装置の製造方法を示
す工程断面図である。 図において、1は半導体基板、2はゲート電極、3は絶
縁膜、4は第1のフォトレジスト、6は低抵抗金属膜、
7は第3のフォトレジスト、8はソース・ドレイン金属
である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図イの
1 第 1 図 ぞの2 6 ソースドレイン童7L 第 2 図 ゼの1 第2図での2
程の断面図、第2図は従来の半導体装置の製造方法を示
す工程断面図である。 図において、1は半導体基板、2はゲート電極、3は絶
縁膜、4は第1のフォトレジスト、6は低抵抗金属膜、
7は第3のフォトレジスト、8はソース・ドレイン金属
である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図イの
1 第 1 図 ぞの2 6 ソースドレイン童7L 第 2 図 ゼの1 第2図での2
Claims (1)
- ゲート電極が形成された半導体基板上に絶縁膜を形成
する工程、前記絶縁膜上に前記ゲート電極上部が開口し
た逆テーパ状のレジストパターンを形成する工程、この
レジストパターンをマスクにして前記ゲート電極上部の
絶縁膜をゆるやかなテーパ状にエッチングして開口部を
形成し、前記ゲート電極の頭部を露出せしめる工程、前
記開口部を少なくとも覆うように金属パターンを形成す
る工程、さらに前記金属パターンをマスクにして絶縁膜
を除去した後、蒸着、リフトオフ法によりソース・ドレ
イン電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6423288A JPH01236658A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6423288A JPH01236658A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01236658A true JPH01236658A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13252170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6423288A Pending JPH01236658A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01236658A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008016061A1 (fr) | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Asahi Glass Co., Ltd. | Dispositif de circuit électronique et son procédé de fabrication |
US7790358B2 (en) | 2003-11-11 | 2010-09-07 | Asahi Glass Company, Limited | Pattern formation method, electronic circuit manufactured by the same, and electronic device using the same |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP6423288A patent/JPH01236658A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7790358B2 (en) | 2003-11-11 | 2010-09-07 | Asahi Glass Company, Limited | Pattern formation method, electronic circuit manufactured by the same, and electronic device using the same |
WO2008016061A1 (fr) | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Asahi Glass Co., Ltd. | Dispositif de circuit électronique et son procédé de fabrication |
US8418359B2 (en) | 2006-08-02 | 2013-04-16 | Asahi Glass Company, Limited | Method for manufacturing circuit pattern-provided substrate |
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