CN110828520A - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110828520A
CN110828520A CN201911120801.0A CN201911120801A CN110828520A CN 110828520 A CN110828520 A CN 110828520A CN 201911120801 A CN201911120801 A CN 201911120801A CN 110828520 A CN110828520 A CN 110828520A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
intermediate insulating
insulating layer
pixel defining
array substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201911120801.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110828520B (zh
Inventor
李伟
夏晶晶
周斌
张扬
李广耀
宋威
王轩昂
王庆贺
倪柳松
刘军
闫梁臣
王明
方金钢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201911120801.0A priority Critical patent/CN110828520B/zh
Publication of CN110828520A publication Critical patent/CN110828520A/zh
Priority to US17/417,334 priority patent/US20220077255A1/en
Priority to PCT/CN2020/126753 priority patent/WO2021093666A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110828520B publication Critical patent/CN110828520B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。该阵列基板包括基板和设置在基板上方的平坦层、阳极、发光功能层、阴极和像素界定层，像素界定层用于界定像素开口区，发光功能层设置在像素开口区内，平坦层、阳极、发光功能层和阴极依次远离基板设置，像素界定层位于平坦层和阴极之间，还包括中间绝缘层，中间绝缘层设置于平坦层和像素界定层之间，中间绝缘层的化学极性介于平坦层和像素界定层的化学极性之间。该阵列基板通过设置中间绝缘层，大大缩小了像素界定层与平坦层之间的化学极性差异，能使像素界定层与平坦层能通过中间绝缘层更加牢固地粘附在一起，避免像素界定层发生脱落，确保其品质。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
目前OLED(有机电致发光)显示器件的有机电致发光层的制作方法有：1、采用真空蒸镀技术，即在掩膜版存在下采用真空加热的方法使发光材料蒸发，在像素区成膜。该技术优点是成膜均一性好、不需要溶剂，但存在材料利用率低、仅适用于小分子发光材料、设备投资大、不适用大尺寸产品等缺点。2、采用溶液制程的OLED喷墨打印技术，将发光材料溶液精确滴入像素坑中，溶剂挥发成膜。相对于真空蒸镀技术，喷墨打印适用于大分子发光材料和小分子发光材料，且材料利用率高，设备成本低，高产能，更易于大规模、大尺寸产品的生产。
然而，喷墨打印技术难点在于如何在像素区域内形成厚度均一的发光层。发光层厚度不均匀会导致发光不均匀，严重影响显示效果。工艺上想实现厚度均一的发光层，则首先要保证像素区域的基底是平坦的。当前工艺一般采用亚克力材料作为平坦层，其平坦能力已达不到打印OLED所要求的平坦度。一种流平性较好的有机硅氧烷树脂用于平坦层制作，其平坦度更高，可满足打印OLED要求。有机硅氧烷树脂为外围含羟基的有机硅氧烷经加热脱水聚合形成，其外围不免会存在大量羟基，造成其化学极性较高。
在OLED显示器件中，像素界定层包括未设置像素界定层材料的像素开口区以及设置有像素界定层材料的像素开口区以外的区域(这里称Bank区)。像素界定层材料是设置于像素开口之间的一层有机阻挡物，一般呈现上窄下宽的正梯形结构，以限制喷墨打印的墨水向四周溢出。为避免喷墨溶液在Bank区顶部铺展污染相邻像素，造成串色，Bank区的像素界定层材料需与溶液呈现疏液性质。因此Bank区的像素界定层材料化学极性较小。
目前OLED显示器件的制备工艺，在平坦层工艺后进行阳极工艺，然后进行像素界定层工艺，像素界定层工艺包括膜层涂布、前烘、曝光、显影和后烘工艺。然而，由于像素界定层材料与平坦层材料之间化学极性相差较大，粘附力不足，导致像素界定层在显影工艺后容易发生脱落，造成像素不良，影响显示品质。
发明内容
本发明针对现有OLED显示器件工艺过程中像素界定层与平坦层容易发生脱离的问题，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。该阵列基板通过设置中间绝缘层，对像素界定层与平坦层之间的化学极性差异形成了过渡，从而大大缩小了像素界定层与平坦层之间的化学极性差异，进而使像素界定层与平坦层能通过中间绝缘层更加牢固地粘附在一起，避免像素界定层发生脱落，确保了阵列基板的品质。
本发明提供一种阵列基板，包括：基板和设置在所述基板上方的平坦层、阳极、发光功能层、阴极和像素界定层，所述像素界定层用于界定像素开口区，所述发光功能层设置在所述像素开口区内，所述平坦层、所述阳极、所述发光功能层和所述阴极依次远离所述基板设置，所述像素界定层位于所述平坦层和所述阴极之间，还包括中间绝缘层，所述中间绝缘层设置于所述平坦层和所述像素界定层之间，所述中间绝缘层的化学极性介于所述平坦层和所述像素界定层的化学极性之间。
优选地，所述中间绝缘层的化学极性小于所述平坦层的化学极性且大于所述像素界定层的化学极性。
优选地，所述平坦层采用有机硅树脂材料，所述像素界定层采用有机的、含氟的、且与形成所述发光功能层的溶液呈疏液性质的材料，所述中间绝缘层采用亚克力树脂或者聚酰亚胺树脂材料。
优选地，所述平坦层采用有机硅氧烷树脂材料，所述像素界定层采用含氟亚克力树脂材料。
优选地，所述中间绝缘层的厚度范围为1-4μm。
优选地，所述中间绝缘层位于所述阳极的靠近所述平坦层的一侧。
优选地，所述像素界定层界定的所述像素开口区在所述基板上的正投影位于所述中间绝缘层在所述基板上的正投影内。
优选地，所述中间绝缘层位于所述阳极的靠近所述像素界定层的一侧。
优选地，所述基板包括基底和设置在所述基底上的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括驱动晶体管；
所述平坦层中开设有第一过孔，所述阳极通过所述第一过孔与所述驱动晶体管的漏极连接；
所述中间绝缘层填充于所述第一过孔中，并覆盖所述第一过孔中的所述阳极部分。
优选地，所述中间绝缘层覆盖所述阳极的边缘部分。
本发明还提供一种显示面板，包括上述阵列基板。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
本发明还提供一种上述阵列基板的制备方法，包括在基板上方先后形成平坦层、阳极、像素界定层、发光功能层和阴极，所述发光功能层采用喷墨打印的方法形成，在形成所述平坦层之后且在形成所述像素界定层之前还包括：形成中间绝缘层，所述中间绝缘层的化学极性介于所述平坦层和所述像素界定层的化学极性之间。
优选地，所述中间绝缘层在形成所述阳极之前形成。
优选地，所述中间绝缘层在形成所述阳极之后形成。
优选地，所述形成中间绝缘层包括：
涂布形成中间绝缘层膜；
烘干所述中间绝缘层膜；
对所述中间绝缘层膜进行曝光、显影，以形成所述中间绝缘层的图形；
烘干所述中间绝缘层的图形。
本发明的有益效果：本发明所提供的阵列基板，通过使中间绝缘层的化学极性介于平坦层和像素界定层的化学极性之间，能够使像素界定层与中间绝缘层之间的化学极性差异和平坦层与中间绝缘层之间的化学极性差异远小于像素界定层与平坦层之间的化学极性差异，相对于现有的像素界定层与平坦层直接接触的情况，中间绝缘层的设置，对像素界定层与平坦层之间的化学极性差异形成了过渡，从而大大缩小了像素界定层与平坦层之间的化学极性差异，进而使像素界定层与平坦层能通过中间绝缘层更加牢固地粘附在一起，避免像素界定层发生脱落，确保了阵列基板的品质。
本发明所提供的显示面板，通过采用上述阵列基板，能避免阵列基板中的像素界定层发生脱落，从而确保了该显示面板的品质。
本发明所提供的显示装置，通过采用上述显示面板，能避免显示面板中的像素界定层发生脱落，从而确保了该显示装置的品质。
附图说明
图1为本发明实施例1中阵列基板的局部结构剖视图；
图2为本发明实施例2中阵列基板的局部结构剖视图。
其中附图标记为：
1、基板；2、平坦层；3、阳极；4、像素界定层；5、中间绝缘层；6、第二过孔；7、第一过孔。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置作进一步详细描述。
实施例1
本实施例提供一种阵列基板，如图1所示，包括：基板1和设置在基板1上方的平坦层2、阳极3、发光功能层(图中未示出)、阴极(图中未示出)和像素界定层4，像素界定层4用于界定像素开口区，发光功能层设置在像素开口区内，平坦层2、阳极3、发光功能层和阴极依次远离基板1设置，像素界定层4位于平坦层2和阴极之间，还包括中间绝缘层5，中间绝缘层5设置于平坦层2和像素界定层4之间，中间绝缘层5的化学极性介于平坦层2和像素界定层4的化学极性之间。
其中，化学极性指膜层材料的一根共价键或一个共价分子中电荷分布的不均匀性。极性相近的两种物质，相容性更好。基板1包括基底和设置在基底上的像素驱动电路(图中未示出)，像素驱动电路包括驱动晶体管(图中未示出)；平坦层2和中间绝缘层5中在对应位置开设有轴线重合的第二过孔6，阳极3通过第二过孔6与驱动晶体管的漏极连接；像素驱动电路用于驱动发光功能层发光。发光功能层采用有机电致发光材料。当然，发光功能层也可以采用其他的发光材料。发光功能层发光以实现显示。
通过使中间绝缘层5的化学极性介于平坦层2和像素界定层4的化学极性之间，能够使像素界定层4与中间绝缘层5之间的化学极性差异和平坦层2与中间绝缘层5之间的化学极性差异远小于像素界定层4与平坦层2之间的化学极性差异，相对于现有的像素界定层4与平坦层2直接接触的情况，中间绝缘层5的设置，对像素界定层4与平坦层2之间的化学极性差异形成了过渡，从而大大缩小了像素界定层4与平坦层2之间的化学极性差异，进而使像素界定层4与平坦层2能通过中间绝缘层5更加牢固地粘附在一起，避免像素界定层4发生脱落，确保了阵列基板的品质。
本实施例中，中间绝缘层5的化学极性小于平坦层2的化学极性且大于像素界定层4的化学极性。
优选的，本实施例中，平坦层2采用有机硅树脂材料，像素界定层4采用有机的、含氟的、且与形成发光功能层的溶液呈疏液性质的材料，中间绝缘层5采用亚克力树脂或者聚酰亚胺树脂材料。
进一步优选的，平坦层2采用有机硅氧烷树脂材料，像素界定层4采用含氟亚克力树脂材料。由于有机硅氧烷树脂材料的流平性较好，所以有机硅氧烷树脂用于平坦层2制作，能使平坦层2的平坦度更高，可满足打印有机电致发光功能层的要求。但有机硅氧烷树脂为外围含羟基的有机硅氧烷经加热脱水聚合形成，其外围会存在大量羟基，造成其化学极性较高。采用含氟亚克力树脂材料的像素界定层4，由于含氟亚克力树脂材料与打印发光功能层的溶液呈现疏液性质，所以能避免喷墨打印发光功能层时的溶液在像素界定层4顶部铺展污染相邻像素，从而避免造成像素串色。但含氟亚克力树脂材料化学极性较小。采用亚克力树脂或者聚酰亚胺树脂材料的中间绝缘层5化学极性介于像素界定层4与平坦层2化学极性之间，对像素界定层4与平坦层2之间的化学极性差异形成了过渡，从而大大缩小了像素界定层4与平坦层2之间的化学极性差异，进而使像素界定层4与平坦层2能通过中间绝缘层5更加牢固地粘附在一起，避免像素界定层4发生脱落，确保了阵列基板的品质。
优选的，中间绝缘层5的厚度范围为1-4μm。
本实施例中，中间绝缘层5位于阳极3的靠近平坦层2的一侧。即中间绝缘层5充当二次平坦层，如此设置，中间绝缘层5在平坦层2的基础上能起到二次平坦作用，从而能进一步提高像素区域的平坦度，进而能提高发光功能层的成膜均一性。
优选的，像素界定层4界定的像素开口区在基板1上的正投影位于中间绝缘层5在基板1上的正投影内。如此设置，使平坦层2的上表面能完全与中间绝缘层5相接触，且能使像素界定层4的下表面除与阳极3接触的部分之外均能完全与中间绝缘层5相接触，从而进一步确保像素界定层4能通过中间绝缘层5与平坦层2更加牢固地粘附在一起，避免像素界定层4发生脱落。
基于阵列基板的上述结构，本实施例还提供一种该阵列基板的制备方法，包括在基板上方先后形成平坦层、阳极、像素界定层、发光功能层和阴极，发光功能层采用喷墨打印的方法形成，在形成平坦层之后且在形成像素界定层之前还包括：形成中间绝缘层，中间绝缘层的化学极性介于平坦层和像素界定层的化学极性之间。
其中，中间绝缘层在形成阳极之前形成。
本实施例中，阵列基板的制备方法具体为：
S101：提供一个基板。该基板包括基底和已形成于基底上的像素驱动电路。
S102：进行平坦层制作。平坦层采用有机硅氧烷树脂材料，平坦层经膜层涂布、前烘、曝光、显影、后烘形成。
S103：进行中间绝缘层制作。中间绝缘层可采用亚克力树脂或者聚酰亚胺树脂材料，制备步骤具体包括：
涂布形成中间绝缘层膜；
烘干中间绝缘层膜；
对中间绝缘层膜进行曝光、显影，以形成中间绝缘层的图形；
烘干中间绝缘层的图形。
S104：进行阳极制作。阳极可以采用ITO材料(底发射型有机电致发光显示器件)，也可以采用Al/ITO的叠层材料(顶发射型有机电致发光显示器件)。经沉积成膜、曝光、显影、湿刻、光刻胶剥离后形成阳极图形。
S105：进行像素界定层制作。像素界定层采用含氟亚克力树脂材料。像素界定层经膜层涂布、前烘、曝光、显影、后烘形成。
以上各膜层的具体制备工艺均为比较成熟的传统工艺，这里不再赘述。
实施例2:
本实施例提供一种阵列基板，与实施例1不同的是，如图2所示，中间绝缘层5位于阳极3的靠近像素界定层4的一侧。
本实施例中，中间绝缘层5充当下层像素界定层，由于下层像素界定层化学极性较上层像素界定层4更大，这样更有利于喷墨打印的有机发光功能层溶液的铺展，从而形成厚度更加均一的发光功能层。
优选的，本实施例中，基板1包括基底和设置在基底上的像素驱动电路(图中未示出)，像素驱动电路包括驱动晶体管(图中未示出)；平坦层2中开设有第一过孔7，阳极3通过第一过孔7与驱动晶体管的漏极连接；中间绝缘层5填充于第一过孔7中，并覆盖第一过孔7中的阳极3部分。进一步优选的，中间绝缘层5覆盖阳极3的边缘部分。如此设置，使像素界定层4的下表面能完全与中间绝缘层5相接触，且能使平坦层2的上表面除与阳极3接触的部分之外均能完全与中间绝缘层5相接触，从而进一步确保像素界定层4能通过中间绝缘层5与平坦层2更加牢固地粘附在一起，避免像素界定层4发生脱落。
本实施例中阵列基板的其他结构及材料与实施例1中相同，此处不再赘述。
基于阵列基板的上述结构，本实施例还提供一种该阵列基板的制备方法，与实施例1中的制备方法不同的是，中间绝缘层在形成阳极之后形成。
本实施例中，阵列基板的制备方法具体为：
S201：提供一个基板。该基板包括基底和已形成于基底上的像素驱动电路。
S202：进行平坦层制作。平坦层采用有机硅氧烷树脂材料，平坦层经膜层涂布、前烘、曝光、显影、后烘形成。
S203：进行阳极制作。阳极可以采用ITO材料(底发射型有机电致发光显示器件)，也可以采用Al/ITO的叠层材料(顶发射型有机电致发光显示器件)。经沉积成膜、曝光、显影、湿刻、光刻胶剥离后形成阳极图形。
S204：进行中间绝缘层制作。中间绝缘层可采用亚克力树脂或者聚酰亚胺树脂材料，制备步骤具体包括：
涂布形成中间绝缘层膜；
烘干中间绝缘层膜；
对中间绝缘层膜进行曝光、显影，以形成中间绝缘层的图形；
烘干中间绝缘层的图形。
S205：进行像素界定层制作。像素界定层采用含氟亚克力树脂材料。像素界定层经膜层涂布、前烘、曝光、显影、后烘形成。
以上各膜层的具体制备工艺均为比较成熟的传统工艺，这里不再赘述。
实施例1-2的有益效果：实施例1-2所提供的阵列基板，通过使中间绝缘层的化学极性介于平坦层和像素界定层的化学极性之间，能够使像素界定层与中间绝缘层之间的化学极性差异和平坦层与中间绝缘层之间的化学极性差异远小于像素界定层与平坦层之间的化学极性差异，相对于现有的像素界定层与平坦层直接接触的情况，中间绝缘层的设置，对像素界定层与平坦层之间的化学极性差异形成了过渡，从而大大缩小了像素界定层与平坦层之间的化学极性差异，进而使像素界定层与平坦层能通过中间绝缘层更加牢固地粘附在一起，避免像素界定层发生脱落，确保了阵列基板的品质。
实施例3
本实施例提供一种显示面板，包括实施例1或2中的阵列基板。
通过采用实施例1或2中的阵列基板，能避免阵列基板中的像素界定层发生脱落，从而确保了该显示面板的品质。
实施例4
本实施例提供一种显示装置，包括实施例3中的显示面板。
通过采用实施例3中的显示面板，能避免显示面板中的像素界定层发生脱落，从而确保了该显示装置的品质。
本发明所提供的显示装置可以为OLED面板、OLED电视、显示器、手机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种阵列基板，包括：基板和设置在所述基板上方的平坦层、阳极、发光功能层、阴极和像素界定层，所述像素界定层用于界定像素开口区，所述发光功能层设置在所述像素开口区内，所述平坦层、所述阳极、所述发光功能层和所述阴极依次远离所述基板设置，所述像素界定层位于所述平坦层和所述阴极之间，其特征在于，还包括中间绝缘层，所述中间绝缘层设置于所述平坦层和所述像素界定层之间，所述中间绝缘层的化学极性介于所述平坦层和所述像素界定层的化学极性之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述中间绝缘层的化学极性小于所述平坦层的化学极性且大于所述像素界定层的化学极性。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层采用有机硅树脂材料，所述像素界定层采用有机的、含氟的、且与形成所述发光功能层的溶液呈疏液性质的材料，所述中间绝缘层采用亚克力树脂或者聚酰亚胺树脂材料。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层采用有机硅氧烷树脂材料，所述像素界定层采用含氟亚克力树脂材料。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述中间绝缘层的厚度范围为1-4μm。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述中间绝缘层位于所述阳极的靠近所述平坦层的一侧。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素界定层界定的所述像素开口区在所述基板上的正投影位于所述中间绝缘层在所述基板上的正投影内。
8.根据权利要求1-5任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述中间绝缘层位于所述阳极的靠近所述像素界定层的一侧。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述基板包括基底和设置在所述基底上的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括驱动晶体管；
所述平坦层中开设有第一过孔，所述阳极通过所述第一过孔与所述驱动晶体管的漏极连接；
所述中间绝缘层填充于所述第一过孔中，并覆盖所述第一过孔中的所述阳极部分。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述中间绝缘层覆盖所述阳极的边缘部分。
11.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-10任意一项所述的阵列基板。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11所述的显示面板。
13.一种如权利要求1-10任意一项所述的阵列基板的制备方法，包括在基板上方先后形成平坦层、阳极、像素界定层、发光功能层和阴极，所述发光功能层采用喷墨打印的方法形成，其特征在于，在形成所述平坦层之后且在形成所述像素界定层之前还包括：形成中间绝缘层，所述中间绝缘层的化学极性介于所述平坦层和所述像素界定层的化学极性之间。
14.根据权利要求13所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述中间绝缘层在形成所述阳极之前形成。
15.根据权利要求13所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述中间绝缘层在形成所述阳极之后形成。
16.根据权利要求14或15所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成中间绝缘层包括：
涂布形成中间绝缘层膜；
烘干所述中间绝缘层膜；
对所述中间绝缘层膜进行曝光、显影，以形成所述中间绝缘层的图形；
烘干所述中间绝缘层的图形。
CN201911120801.0A 2019-11-15 2019-11-15 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 Active CN110828520B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911120801.0A CN110828520B (zh) 2019-11-15 2019-11-15 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
US17/417,334 US20220077255A1 (en) 2019-11-15 2020-11-05 Array substrate, manufacture method thereof, display panel and display device
PCT/CN2020/126753 WO2021093666A1 (zh) 2019-11-15 2020-11-05 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911120801.0A CN110828520B (zh) 2019-11-15 2019-11-15 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110828520A true CN110828520A (zh) 2020-02-21
CN110828520B CN110828520B (zh) 2022-09-09

Family

ID=69556055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911120801.0A Active CN110828520B (zh) 2019-11-15 2019-11-15 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220077255A1 (zh)
CN (1) CN110828520B (zh)
WO (1) WO2021093666A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021093666A1 (zh) * 2019-11-15 2021-05-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

Citations (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030230967A1 (en) * 2002-02-08 2003-12-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Visible image receiving material, conductive pattern material and organic electroluminescence element, using member having surface hydrophilicity
US20060197086A1 (en) * 2005-03-04 2006-09-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
KR100645691B1 (ko) * 2005-07-05 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100658291B1 (ko) * 2005-11-30 2006-12-14 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
KR100707601B1 (ko) * 2005-10-18 2007-04-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
US20070122923A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Kho Sam I Flat panel display and method for making the same
US20100051912A1 (en) * 2006-09-22 2010-03-04 Cambrideg Display Technology Limited Molecular electronic device fabrication methods and structures
US20110229730A1 (en) * 2008-10-02 2011-09-22 Takatoshi Yosomiya Optical film for protecting polarizer, polarizer film, and image display device
US20150333111A1 (en) * 2014-05-13 2015-11-19 Japan Display Inc. Organic electroluminescent display device
US20150364506A1 (en) * 2014-06-16 2015-12-17 Japan Display Inc. Method of manufacturing a display device
CN105206646A (zh) * 2015-09-07 2015-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN104175670B (zh) * 2013-05-22 2017-08-29 富士胶片株式会社 功能性膜及其制造方法
US20170373125A1 (en) * 2016-06-23 2017-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and method of manufacturing the same
WO2018082181A1 (zh) * 2016-11-07 2018-05-11 苏州大学 一种强极性聚合物粘结剂、合成方法及其在锂电池中的应用
US20180184519A1 (en) * 2016-12-28 2018-06-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Substrate assembly, display substrate motherboard, display substrate, and production method, display
CN108735791A (zh) * 2018-07-05 2018-11-02 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制造方法和显示终端
CN109103221A (zh) * 2018-08-17 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制备原料和制备方法、显示基板
CN109103218A (zh) * 2018-08-03 2018-12-28 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN109148533A (zh) * 2018-08-21 2019-01-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器
US20190011831A1 (en) * 2016-11-16 2019-01-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for Manufacturing Display Substrate
CN109272869A (zh) * 2018-09-30 2019-01-25 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN109461760A (zh) * 2018-09-30 2019-03-12 云谷（固安）科技有限公司 有机发光显示面板与显示装置
WO2019059548A1 (ko) * 2016-10-03 2019-03-28 김영수 표면개질 탈부착 시트를 포함하는 디스플레이 장치
CN109712930A (zh) * 2018-11-27 2019-05-03 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06250569A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Ricoh Co Ltd 画像支持体の再生方法
KR102365911B1 (ko) * 2014-10-17 2022-02-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104393017B (zh) * 2014-10-31 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
KR20160080994A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102379194B1 (ko) * 2015-05-11 2022-03-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP6817007B2 (ja) * 2016-09-28 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN110828520B (zh) * 2019-11-15 2022-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

Patent Citations (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030230967A1 (en) * 2002-02-08 2003-12-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Visible image receiving material, conductive pattern material and organic electroluminescence element, using member having surface hydrophilicity
US20060197086A1 (en) * 2005-03-04 2006-09-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
KR100645691B1 (ko) * 2005-07-05 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100707601B1 (ko) * 2005-10-18 2007-04-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100658291B1 (ko) * 2005-11-30 2006-12-14 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
US20070122923A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Kho Sam I Flat panel display and method for making the same
US20120074439A1 (en) * 2005-11-30 2012-03-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display and method for making the same
US20100051912A1 (en) * 2006-09-22 2010-03-04 Cambrideg Display Technology Limited Molecular electronic device fabrication methods and structures
US20110229730A1 (en) * 2008-10-02 2011-09-22 Takatoshi Yosomiya Optical film for protecting polarizer, polarizer film, and image display device
CN104175670B (zh) * 2013-05-22 2017-08-29 富士胶片株式会社 功能性膜及其制造方法
US20150333111A1 (en) * 2014-05-13 2015-11-19 Japan Display Inc. Organic electroluminescent display device
US20150364506A1 (en) * 2014-06-16 2015-12-17 Japan Display Inc. Method of manufacturing a display device
CN105206646A (zh) * 2015-09-07 2015-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
US20170373125A1 (en) * 2016-06-23 2017-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and method of manufacturing the same
WO2019059548A1 (ko) * 2016-10-03 2019-03-28 김영수 표면개질 탈부착 시트를 포함하는 디스플레이 장치
WO2018082181A1 (zh) * 2016-11-07 2018-05-11 苏州大学 一种强极性聚合物粘结剂、合成方法及其在锂电池中的应用
US20190011831A1 (en) * 2016-11-16 2019-01-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for Manufacturing Display Substrate
US20180184519A1 (en) * 2016-12-28 2018-06-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Substrate assembly, display substrate motherboard, display substrate, and production method, display
CN108735791A (zh) * 2018-07-05 2018-11-02 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制造方法和显示终端
CN109103218A (zh) * 2018-08-03 2018-12-28 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN109103221A (zh) * 2018-08-17 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制备原料和制备方法、显示基板
CN109148533A (zh) * 2018-08-21 2019-01-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器
CN109272869A (zh) * 2018-09-30 2019-01-25 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN109461760A (zh) * 2018-09-30 2019-03-12 云谷（固安）科技有限公司 有机发光显示面板与显示装置
CN109712930A (zh) * 2018-11-27 2019-05-03 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王文广: "《聚合物改性原理》", 31 March 2018, 北京：中国轻工业出版社 *
程兆瑞，李铮国: "《塑料粘接技术手册》", 30 June 1992, 北京：中国轻工业出版社 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021093666A1 (zh) * 2019-11-15 2021-05-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021093666A1 (zh) 2021-05-20
CN110828520B (zh) 2022-09-09
US20220077255A1 (en) 2022-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11545529B2 (en) Organic light emitting diode (OLED) substrate and manufacturing method thereof, display device
US7122957B2 (en) Organic electroluminescent device and a method of manufacturing thereof
KR101325577B1 (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
US11127798B2 (en) Pixel definition layer and manufacturing method thereof, display substrate, and display panel
JP4998710B2 (ja) 表示装置の製造方法
JP2004531859A (ja) 有機エレクトロルミネセントデバイスとその製造方法
CN108630728B (zh) 像素界定层、有机电致发光器件及其制备方法和显示装置
CN107623021B (zh) Oled显示器的制作方法及oled显示器
JP2004063359A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置および製造方法
CN108573998B (zh) 显示面板及制造方法、显示装置
WO2021174983A1 (zh) 显示面板、其制作方法及显示装置
KR20110055667A (ko) 박막을 갖는 기판, 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치, 컬러 필터 기판 및 박막을 갖는 기판의 제조 방법
CN110164941B (zh) 像素界定层和制作方法、显示面板和制作方法、显示装置
CN217426754U (zh) 显示基板及显示装置
CN110828520B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN101000948A (zh) 像素结构及包括该像素结构的有机发光器件
US20020164415A1 (en) Electroluminescent Device
KR101296651B1 (ko) 유기전계발광 소자의 제조방법
JP2006196298A (ja) 有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN116033795A (zh) 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN106206662A (zh) 一种电致发光显示面板、显示装置
JP2008235066A (ja) 有機ｅｌ素子及びその製造方法
CN211654826U (zh) 一种显示基板、显示面板及显示装置
CN104701466B (zh) 阵列基板及其制备方法和显示装置
JP5125686B2 (ja) 発光装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant