CN1296521C - 镀锡用组合物及镀锡方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于在基板上沉积锡和锡合金的电解质组合物，以及利用这种组合物的电镀锡和锡合金的方法。这种电解质组合物适用于高速镀锡。

Description

镀锡用组合物及镀锡方法
技术领域
大体而言，本发明涉及基板上镀覆金属的领域。更具体地，本发明涉及沉积锡和锡合金的电解质组合物及方法。
背景技术
在电镀设备中，用于沉积锡、铅或其合金的电镀浴已被使用多年。高速电镀设备及方法是本领域所公知的，且该设备及方法通常由下列构成：将欲电镀对象从电镀槽一端引入，使该对象通过电镀槽而在另一端离开。将电镀液除去或从电镀槽溢流至储槽并将该溶液从储槽泵送回到电镀槽，以提供剧烈搅拌及溶液循环。这些电镀槽可以有许多变化，但一般的特征如前所述。
一些令人满意的特征为，在这种设备或中，电镀溶液应具有可达到改善操作的特性。该溶液必须能在所需的高速下电镀所要的沉积。该溶液必须沉积能符合可焊锡性或特定应用需求的锡。该溶液应具有稳定性，且该溶液中的添加剂必须能承受强酸溶液及空气的引入(在高速镀覆机中，由于剧烈的溶液移动将会发生空气的引入)。该溶液即使在如120至130(大约48至55℃)的高温下，也应保持清澈而不发生混浊。由于涉及高电流密度，因此通常优选在高温下操作这些溶液。添加剂必须是那些在高温下不会使溶液浑浊的类型的添加剂。
在这种高速电镀过程中，由于剧烈的溶液移动及溶液与空气混合，因此非常易于产生泡沫，该泡沫不利于电镀过程。在极端的情况下，泡沫会在储槽中累积而溢流到地面上，因此会损失大量溶液而成为废弃流。泡沫也会妨害用来产生搅拌的泵的操作。由于泡沫的存在也可能使阳极和阴极之间发生电弧。因此，该电镀溶液中所使用的添加剂在镀覆设备中不应产生泡沫。
作为镀锡、铅及锡/铅合金的许多电解质已被提出。例如，美国专利第5,174,887号(Federman等人)公开了具有表面活性剂与有机化合物(具有至少1个羟基及20个或少于20个碳原子)的环氧烷缩合产物的高速电镀锡的方法。该有机化合物包含1至7个碳原子之间的脂族烃、未取代的芳族化合物或在烷基部分具有6个或少于6个烷基化的芳族化合物。
在使用过程中，可减缓高速镀锡生产线的速度，例如将新的金属线圈焊接至欲电镀的金属条末端。在这种减速的过程中，该金属基板通过电镀浴的速率会减慢。理论上，欲保持一致的锡或锡合金的沉积厚度，亦即外层重量，该电镀浴必须在较低的电流密度下操作。然而，包含以上所讨论的目前的锡和锡合金高速电镀浴，因顾及这种减速的过程，而无法在极宽电流密度范围内制得一致的锡或锡合金的外观。
在低电流密度下，常规光泽锡电镀浴通常产生模糊的锡沉积物，特别是在镍或镍合金的基板上。当这种电镀浴使用在部分浸入的场合时，多数常规锡电镀浴也会在空气-电镀浴界面上产生深色或黑色线条。这种线条是人们不希望的。
已知某些聚烯亚胺类用于锌电镀浴中。例如，参见德国专利DE3121016号。这种聚烯亚胺类可被胺基甲酰基和/或硫代胺基甲酰基取代。聚烯亚胺类的用途并未公开在锡或锡合金电镀浴中的应用。
美国专利第5,282,954号(Opaskar)公开了用于锡电镀浴的烷氧基化二胺表面活性剂。在此专利中并未公开羧基烷基化的聚烯亚胺类。
因此，对于能在宽电流密度范围内沉积锡或锡合金，同时在该电流密度范围内维持均匀的沉积外观的电镀浴，仍有不断的需求。
发明内容
已惊人地发现使用本发明电解质组合物可在宽电流密度范围内均匀地沉积锡或锡合金。并且进一步惊人地发现本发明电解质组合物可在高电流密度和低金属浓度下镀锡或锡合金，并同时在整个电流密度范围内可产生均匀的沉积外观。
本发明一方面提供用于在基板上沉积锡或锡合金的电解质组合物，该组合物含有一种或一种以上的锡化合物、一种或一种以上的酸性电解质，及一种或一种以上的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物。
本发明另一方面提供在基板上沉积锡或锡合金的方法，该方法包含使该基板与上述电解质组合物接触，对该电解质组合物施加足够的电流密度使锡或锡合金沉积在基板上的步骤。
本发明又一方面提供一种基板，该基板具有根据上述方法于其上方所沉积的锡或锡合金。
本发明另一方面提供用于在基板上沉积锡-铜合金的电解质组合物，该组合物含有一种或一种以上的锡化合物、一种或一种以上的铜化合物、一种或一种以上的酸性电解质，及一种或一种以上的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物。
本发明另一方面提供一种高速电镀锡或锡合金的方法，包括下列步骤：a)使用含有电镀槽的高速电镀设备；与该电镀槽相接的溢流储槽；由该储槽将溶液送回该电镀槽的装置；将欲电镀基板从电镀槽一端入口处引导至电镀槽第二端出口的装置；b)引入含有一种或一种以上的锡化合物碱性溶液，一种或一种以上的酸性电解质，及一种或一种以上的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物为主要成分的溶液；c)在可达到高速电镀的足够电流密度及足够温度下，于基板通过该电镀槽电镀内的溶液时，使基板连续电镀锡或锡合金。
本发明另一方面提供一种如上所述在基板上沉积锡或锡合金的方法。
本说明书全文中所使用的下列缩写除非另有文字清楚指明，否则应具有下列意义：℃＝摄氏度；＝华氏度；g＝克；L＝公升；mL＝毫升；m＝微米；wt％＝重量百分比；cm＝厘米；ca＝大约及ASD＝安培每平方分米。在本说明书全文中的术语“沉积”和“镀覆”可替换使用。“卤化物”指氟化物、氯化物、溴化物及碘化物。“烷基”指直链、支链和环状烷基。所有百分比为重量百分比，除非另有注明。所有数值范围均包含在内而且可以任何顺序组合，但此数值范围显然须限制在总计为100％的条件下。
本发明的电解质组合物包含一种或一种以上的锡化合物、一种或一种以上的酸性电解质，及一种或一种以上的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物。该电解质组合物又可包含一种或一种以上的合金化成分与任选用以提高效率和/或镀覆品质之一种或一种以上的添加剂。
用于本发明的一种或一种以上的锡化合物为任何溶液可溶性的锡化合物。适合的锡化合物包含但不限于锡盐，例如锡卤化物；锡硫酸盐；锡烷磺酸盐(例如锡甲烷磺酸盐、锡乙烷磺酸盐和锡丙烷磺酸盐)；锡芳基磺酸盐(锡苯磺酸盐和锡甲苯磺酸盐)；及锡烷醇磺酸盐等。当使用锡卤化物时，该卤化物优选氯化物。该锡化合物优选为锡硫酸盐、锡氯化物、锡烷磺酸盐或锡芳基磺酸盐，更优选为锡硫酸盐或锡甲烷磺酸盐。适合的锡烷磺酸盐包含锡甲烷磺酸盐、锡乙烷磺酸盐和锡丙烷磺酸盐。适合的芳基磺酸盐包含锡苯磺酸盐和锡甲苯磺酸盐。用于本发明的锡化合物通常可由各种来源购得且不需进一步纯化即可使用。或者，用于本发明的锡化合物可利用文献中已知的方法制备。
本发明电解质组合物的锡化合物的使用量为可提供锡含量的任意量，通常在5至100g/L的范围，优选为10至70g/L。当本发明组合物使用在低速镀覆过程时，在电解质组合物的锡总量通常在5至60g/L的范围，优选为10至20g/L。当本发明组合物使用在高速镀覆过程时，在电解质组合物的锡总量通常在20至100g/L的范围，优选为40至70g/L。当本发明组合物使用在钢制品的高速镀锡时，在电解质组合物的锡总量通常在5至50g/L的范围，优选为10至30g/L。锡化合物的混合物亦可用于本发明中，只要锡的总量在5至100g/L的范围即可。
任何可溶且不会对该电解质组合物产生不利影响的酸性电解质的溶液可用于本发明中。适合的酸性电解质包含但不限于烷磺酸(例如甲烷磺酸、乙烷磺酸和丙烷磺酸)、芳基磺酸(例如苯磺酸或甲苯磺酸)、硫酸、氨基磺酸、氢氯酸、氢溴酸及氟硼酸。酸性电解质的混合物特别适用，例如但不限于烷磺酸和硫酸的混合物。因此，本发明中优选使用一种以上的酸性电解质。用于本发明的酸性电解质通常为商业上可购得且不需进一步纯化即可使用。或者，用于本发明的锡化合物可利用文献中已知的方法制备。
通常，酸性电解质的量在10至400g/L的范围，优选为100至200g/L。当本发明组合物使用在钢制品的高速镀锡时，酸性电解质的量通常在20至80g/L的范围，优选为30至60g/L。当锡化合物为卤化物时，该酸性电解质优选为对应的酸。例如，当本发明使用氯化锡时，该酸性电解质优选为氢氯酸。
本发明锡电解质组合物还含有一种或一种以上的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物。羧基烷基化的聚烯亚胺化合物是指含有一种或一种以上的羧基烷基取代基的聚烯亚胺化合物。许多种羧基烷基化的聚烯亚胺化合物适用于本发明，包含但不限于羧基烷基化的聚乙烯亚胺、羧基烷基化的聚丙烯亚胺及羧基烷基化的聚丁烯亚胺。该羧基烷基化的聚烯亚胺化合物优选羧基烷基化的聚乙烯亚胺。一般而言，该羧基烷基化的聚烯亚胺化合物具有大于或等于500道尔顿的分子量，优选为大于或等于1000道尔顿，更优选为大于或等于2500道尔顿。特别适合的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物具有从1000至200,000道尔顿的分子量，更特别是从10,000至150,000道尔顿。一般而言，这种羧基烷基化的聚烯亚胺化合物具有10％或更高的羧基烷基化，优选为20％或更高的羧基烷基化，更优选为30％或更高的羧基烷基化，且甚至更优选为50％或更高的羧基烷基化。特别有用的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物具有75％或更高的羧基烷基化。这种羧基烷基化的聚烯亚胺化合物通常为商业上可购得，例如德国Ludwigshafen，BASF公司以TRILON商品名所销售的。
在另一实施方案中，本发明的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物可进一步被烷氧化，例如与氧化乙烯、氧化丙烯或与两者反应。适合的烷氧化羧基烷基化的聚烯亚胺化合物为含有高达20摩尔的氧化乙烯(“EO”)、高达20摩尔的氧化丙烯(“PO”)或高达40摩尔的EO与PO的混合物。这种化合物的实例包含但不限于与下列任一个反应的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物：5摩尔的EO；8摩尔的EO；10摩尔的EO；12摩尔的EO；3摩尔的PO；5摩尔的PO；8摩尔的PO；10摩尔的PO；3摩尔的EO与5摩尔的PO；8摩尔的EO与5摩尔的PO；15摩尔的EO与8摩尔的PO；15摩尔的EO与12摩尔的PO；10摩尔的EO与10摩尔的PO等。
该锡电解质组合物可进一步含有一种或一种以上的环氧烷化合物。用于本发明的一种或一种以上的环氧烷化合物为任何使沉积具有以下性质的环氧烷化合物：良好的可焊锡性、良好纹路细致化的良好的无光泽或光泽整饰的沉积物，在酸性电镀浴中稳定，可在高速下电镀，实质上低发泡性，且在约110以上(大约43至44℃)可形成云点(cloudpoint)。该环氧烷优选在电镀过程中对于电镀浴不形成泡沫的。适合的环氧烷化合物包含但不限于氧化乙烯/氧化丙烯(“EO/PO”)共聚物、具有至少1个羟基及20个或少于20个碳原子的有机化合物的环氧烷缩合产物、将氧丙烯加成到聚氧乙二醇上等所制备的化合物。一般而言，EO/PO共聚物具有约500至约1000道尔顿，优选为约1000至约5000道尔顿范围的平均分子量。一般而言，该一种或一种以上的环氧化化合物以0.1至15g/L，优选为0.5至10g/L的量存在于本发明电解质中。
具有至少1个羟基及20个或少于20个碳原子的有机化合物的适合的环氧烷缩合产物包含具有1至7个碳原子的脂族烃、未取代的芳族化合物或在烷基部分具有6个或少于6个烷基化的芳族化合物，如美国专利第5,174,887号所述，在此引入本文作为这种化合物制备与使用的参考。该脂族醇类可为饱和或不饱和。适合的芳族化合物为具有达两个芳族环的芳族化合物。该芳族醇类在与环氧烷衍生之前通常具有达20个碳原子。这种脂族与芳族醇类可进一步被取代，例如以硫酸根或磺酸根取代。这种适合的环氧烷化合物包含但不限于：具有12摩尔EO的经乙氧基化聚苯乙烯化的酚、具有5摩尔EO的经乙氧基化的丁醇、具有16摩尔EO的经乙氧基化的丁醇、具有8摩尔EO的经乙氧基化的丁醇、具有12摩尔EO的经乙氧基化的辛醇、具有13摩尔EO的经乙氧基化的β-萘醇、具有10摩尔EO的经乙氧基化的双酚A、具有30摩尔EO的经乙氧基化硫酸化的双酚A及具有8摩尔EO的经乙氧基化的双酚A。
此外，本发明组合物可包含一种或一种以上的聚二醇类。适合的聚二醇类为任何能与该电解质组合物兼容，且能产生具有良好的可焊锡性、良好纹路细致化的良好的无光泽或光泽整饰的沉积物，在酸性电镀浴中稳定，可在高速下电镀，实质上低发泡性，且在约110以上(大约43至44℃)可形成云点。该环氧烷化合物优选在电镀过程中对于电镀浴不形成泡沫的环氧烷化合物。适合的聚二醇类包含但不限于聚乙二醇及聚丙二醇，优选聚乙二醇。这种聚二醇类通常可由各种来源购得且不需进一步纯化即可使用。
一般而言，用于本发明的聚二醇类具有约200至约100,000道尔顿，优选为约900至约20,000道尔顿范围的平均分子量。这种聚二醇类以约0.1至约15g/L，优选为约0.25至约10g/L的量存在于本发明电解质组合物中。
本领域的技术人员应能理解，可将一种或一种以上的其它金属化合物与本发明电解质组合物结合。这种其它的金属化合物为镀覆锡合金所需。适合的其它合金化金属包含但不限于：铅、镍、铜、铋、锌、银、铟等。铜是特别合适的。这种用于本发明的其它金属化合物是任何能以可溶形式提供金属至该电解质组合物的金属化合物。因此，该其它金属化合物包含但不限于盐类(例如金属卤化物)；金属硫酸盐类；金属烷磺酸盐类(例如金属甲烷磺酸盐)；金属芳基磺酸盐类(例如金属苯磺酸盐和金属甲苯磺酸盐)；金属烷醇磺酸盐类等。
其它金属化合物的选择及这种其它金属化合物于电解质组合物中的存在量视所要镀的锡合金而定，这是本领域的技术人员所公知的。例如，当铜存在时，铜优选为0.01至10g/L，更优选为0.02至5g/L。当本发明组合物用于非高速镀覆过程时，电解质组合物中铜的存在量通常在0.01至5g/L，优选为0.02至2g/L的范围内。当这种组合物用于高速镀覆过程时，电解质组合物中铜的存在量通常在0.5至10g/L，优选为0.5至5g/L的范围内。本发明优选使用铜化合物的混合物。
因此，本发明还提供用于在基板上沉积铜合金的电解质组合物，该组合物含有一种或一种以上的锡化合物、一种或一种以上的铜化合物、一种或一种以上的酸性电解质，及一种或一种以上的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物。
本领域的技术人员应能理解，可将一种或一种以上的其它添加剂与本发明电解质组合物结合，例如还原剂、纹路细致剂(如羟基芳族化合物)及其它湿润剂、光泽剂、可扩大电流密度范围的化合物(如羧酸)等。本发明还可使用添加剂的混合物。
可添加还原剂至本发明电解质组合物中，以促使锡保持在可溶性的二价状态。适合的还原剂包含但不限于对苯二酚及羟基化芳族化合物，如间苯二酚、邻苯二酚等。这种还原剂公开于美国专利第4,871,429号，在此引入本文作为这种化合物制备与使用的参考。这种还原剂的量为本领域的技术人员所公知，但通常在约0.1至约5g/L的范围内。
通过将光泽剂添加至本发明的电解质组合物中可获得具有光泽的沉积物。这种光泽剂为本领域的技术人员所公知。适合的光泽剂包含但不限于芳族醛类(如氯苯甲醛)、芳族醛类衍生物(如芐叉丙酮)，及脂族醛类(如乙醛或戊二醛)等。通常将这种光泽剂添加至本发明组合物以改善沉积物的外观与反射性。一般而言，光泽剂是以0.5至3g/L，优选为1至2g/L的量来使用。
本领域的技术人员应能理解，可将羧基芳族化合物或其它湿润剂添加至本发明的电解质组合物中，以提供进一步的纹路细致化。可以这种羧基芳族化合物作为纹路细致剂，并添加至本发明的电解质组合物中，以进一步改善沉积物外观及操作电流密度范围。这种羧基芳族化合物大多数为本领域的技术人员所公知，例如吡啶甲酸、烟酸及异烟酸。适合的其它湿润剂包含但不限于：烷氧化物(例如IIuntsman公司以商品名JEFFAMINE T-403所销售的聚乙氧化酰胺，或TRITON RW)，或经硫酸化的烷基乙氧化物(以商品名TRITON QS-15所销售的)，以及明胶与明胶衍生物。用于本发明的这种纹路细致剂的量为本领域的技术人员所公知，通常在0.01至20g/L，优选为0.5至8g/L，更优选为1至5g/L的范围内。
是否将任何任选的添加剂添加至本发明的电解质组合物中，视所欲沉积物的结果和种类而定。本领域的技术人员应能明了需要何种添加剂及多少量以达到目标沉积物。
含有本发明电解质组合物的电镀浴通常通过将一种或一种以上的酸性电解质加入到容器中，接着再加入一种或一种以上的锡化合物、一种或一种以上的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物及任何任选的加入剂(例如一种或一种以上的环氧烷化合物和/或一种或一种以上的聚二醇类)制备而得。通常还加入水。本发明组合物的成分可利用其它顺序加入。该电镀浴制备完成时，将不希望有的物质除去，然后加入水来调整该电镀浴的最后体积。该电镀浴可通过任何已知装置搅动，例如将该溶液搅拌、泵送、鼓泡或喷射以增加镀覆速度。
本发明的电解质组合物及由该组合物所制备的电镀浴通常呈酸性，即具有低于7，通常为低于1的pH值。本发明电解质组合物的一项优点为该电镀浴不需要调整pH。
本发明电解质组合物适用于任何想要沉积锡或锡合金的镀覆方法。适合的镀覆方法包含但不限于滚镀法、挂镀法及高速镀覆法。通过使基板与上述电解质组合物接触并使电流通过电解质而在基板上沉积锡或锡合金的步骤可将锡或锡合金镀在基板上。任何能以金属电解电镀的基板均适用于本发明的镀覆。适合的基板包含但不限于：钢、铜、铜合金、镍、镍合金、含镍-铁的材料、电子元件、塑料等。适合的塑料包含塑料层压板，例如印刷线路板，特别是镀铜印刷线路板。能以本发明电解质组合物镀覆的适合的电子元件包含连接插头、导线架、封装件、光电元件等。本发明的组合物也可用来沉积锡或锡合金可焊接性组合物，例如半导体晶片上的焊锡凸块(solder bumps)。
本发明的电解质组合物特别适用于电镀钢，特别是高速电镀钢的过程，更特别是镍和/或镍合金的锡和/或锡合金镀覆。在一个实施方案中，在基板上沉积镍或镍合金层，然后在镍或镍合金层上方沉积锡或锡合金层。在此情况中，镍或镍合金作为锡或锡合金沉积物的底层。
可以使用本领域中任何已知的方法使欲电镀基板与电解质组合物接触。通常将基板放置在含有电解质组合物的电镀浴中。在另一实施方案中，可将本发明的电镀浴喷洒或溢流涂布在欲电镀基板上。
一般而言，本发明用于镀锡或锡合金的电流密度在(但不限于)0.1至200ASD的范围内。当使用低速电镀过程时，电流密度通常在0.1至4ASD，优选为0.1至3ASD的范围内。当使用高速电镀覆过程时，电流密度通常在5至200ASD，优选为10至150ASD的范围内。当本发明组合物在高速镀覆过程中用于在连接插头的条带上沉积锡时，适当的电流密度为10至60ASD，会得到具有典型为1至15微米厚度的锡沉积物。
一般而言，可在(但不限于)60至150(大约15至66℃)或较高的温度，优选为60至125(大约15至55℃)，更优选为75至120(大约15至30℃)的范围内沉积本发明的锡或锡合金。对某种光泽沉积物电镀浴而言，该电镀浴的温度优选不超过30℃。
一般而言，基板在含有本发明电解质组合物的电镀浴中的停留时间长度并非关键。对已知温度及电流密度而言，较长的时间通常会导致较厚的沉积物，同时较短的时间通常会导致较薄的沉积物。因此，基板在电镀浴中的停留时间长度可用来控制所得沉积物的厚度。
本发明的电解质组合物对于沉积锡特别有用，但也可用来沉积以该合金重量为基准，含有60至99.5重量％的锡及0.5至40重量％的其它金属(由原子吸收光谱(“AAS”)或诱导偶合等离子体(“ICP”)测量)。本发明组合物是特别适用于沉积含有97至99重量％的锡及1至3重量％的铜的锡-铜合金。
本发明电解质组合物的另一个优点为可在高速电镀过程中成功地沉积锡或锡合金。术语“高速电镀”是指利用上述设备在大约5ASD或更大的电流密度下进行的方法。典型的电流密度在5至200ASD或更大，优选为10至150ASD，更优选为20至50ASD的范围内。一般而言，这种方法也在约70(大约21℃)以上的温度下进行。适当的温度包含但不限于在70至140(大约21至60℃)或更高，优选为高于85(大约29℃)，更优选为高于95(大约35℃)的范围内。
本发明电解质组合物特别适用于钢、铜合金、黄铜、镀镍黄铜的锡电镀，特别是在高速电镀过程中。当本发明组合物使用在镀镍黄铜的高速镀锡时，锡总量通常在5至100g/L的范围内。酸性电解质在这种组合物中以50至250g/L，优选为100至200g/L范围内的量存在。根据本发明，对于镀镍黄铜的高速镀锡，是以10至60ASD的电流密度为宜。适当的温度包含但不限于在70至140(大约21至60℃)或更高，优选为高于85(大约29℃)，更优选为高于95的范围内。
这种例如在钢制品上高速电镀锡或锡合金的方法包含下列步骤：a)使用高速电镀设备，其含有电镀槽、与该电镀槽相接的溢流储槽、由该储槽将溶液送回该电镀槽的装置、将欲电镀基板从电镀槽一端入口处引导至电镀槽第二端出口的装置；b)引入含有一种或一种以上的锡化合物，一种或一种以上的酸性电解质，及一种或一种以上的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物为主要成分的电解质；c)在可达到高速电镀的足够电流密度及足够温度下，于基板通过该电镀槽内的电镀溶液时，使基板连续电镀锡或锡合金。
该送回装置可为任何已知装置，例如管、软管、导管、泵、排水管等。该引导装置可为任何已知装置，例如输送带、传送带、滚轴、机械手臂等。
可利用任何各种高速电镀设备进行本发明的高速电镀过程。这种高速电镀设备为本领域的技术人员所公知，如美国专利第3,819,502号所述，这种设备的内容在此并入本文作为参考。
本发明的锡和锡合金电镀浴提供在极宽电流密度范围中具有增进光泽的、高速的锡沉积物。特别是当使用低电流密度，在镍或镍合金基板沉积时，这种电镀浴也会减少或消除模糊的锡和锡合金沉积物，特别是锡铜合金沉积物。
在本领域中公认，具有大纹路结构的无光泽锡沉积物比具有细致纹路结构的光泽锡沉积物有较好的抗晶须性。出乎意料地，根据本发明沉积的锡和锡合金，特别是光泽锡和锡合金较利用常规电镀浴沉积的锡或无铅锡合金表现出低或减少的晶须作用。术语“晶须作用”是指形成锡晶须。本发明的锡和锡合金沉积物在52℃及98％的相对湿度保存之后不会产生晶须，以扫描式电子显微镜测量显示出无或大幅减少晶须。本发明的锡和锡合金沉积物较佳在这种条件下保存4个月之后显示出无晶须，更优选为保存5个月之后显示出无晶须，又更优选为保存6个月之后显示出无晶须。因此，本发明提供具有在52℃及98％的相对湿度保存4个月之后不会产生晶须的光泽锡或光泽锡无铅合金。
具体实施方式
以下列实施例用来进一步说明本发明的不同方面，但并非用来在任何方面限制本发明的范围。
                      实施例1
结合50g/L以甲烷磺酸锡(II)作为锡、1g/L以甲烷磺酸铜(II)作为铜、160g/L甲烷磺酸、27.4g/L乙氧基化β-萘醇、7.4g/L乙氧基化双酚A、0.2g/L第一光泽剂、0.7g/L第二光泽剂、3.0g/L甲基丙烯酸、0.76g/L纹路细致剂及5.0g/L羧基甲基化聚乙烯亚胺(分子量为50,000道尔顿及羧基甲基化程度为80％，以商品名TRILON ES93000所销售)，制备锡-铜合金电镀浴。
                      实施例2
结合50g/L以甲烷磺酸锡(II)作为锡、160g/L甲烷磺酸、27.4g/L乙氧基化β-萘醇、7.4g/L乙氧基化双酚A、0.2g/L第一光泽剂、0.7g/L第二光泽剂、3.0g/L甲基丙烯酸、0.76g/L纹路细致剂及5.0g/L羧基甲基化聚乙烯亚胺(分子量为50,000道尔顿及羧基甲基化程度为80％的TRILON ES93000)，制备纯锡合金电镀浴。
                  实施例3(对比例)
制备实施例1的电镀浴，但不使用羧基甲基化聚乙烯亚胺，并且将乙氧基化β-萘醇及乙氧基化双酚A的量，分别改为15.6g/L及16.8g/L。
                  实施例4(对比例)
制备实施例2的电镀浴，但不使用羧基甲基化聚乙烯亚胺。
                     实施例5
在5amp的电镀槽电流下，于实施例1至3的电镀浴中镀覆镀镍黄铜Hull电池板，使通过该板的有效电流密度渐渐增加地由小于0.3ASD改变至大于25ASD。
实施例3(对比例)的电镀浴在约0.3ASD至约5ASD的电流密度下提供极为模糊的锡-铜沉积物，而其余的板仍为光泽且不模糊。
相反地，和实施例3的电镀浴所得结果比较，实施例1的电镀浴形成在遍及全部的电流密度范围内具有增进光泽的锡-铜沉积物。并且此锡-铜沉积物完全不模糊。因此，羧基甲基化聚乙烯亚胺的使用可增进锡-铜沉积物的光泽并且在低电流密度下消除该沉积物的模糊度。
实施例2的电镀浴提供完全不模糊的纯锡沉积物，使得该板在0.5ASD至25ASD以上的电流密度下均极为明亮。和实施例4的电镀浴所得锡沉积物比较，改善了该镀纯锡板的整体光泽和明亮度。和实施例4的电镀浴所得结果比较，可获得实施例2的电镀浴中的羧基烷基化聚烯亚胺在完全光泽的锡沉积物的外亦有扩大电流密度范围的效果。
                      实施例6
以锡或锡合金电镀由富含铜的合金(Olin 194)制成的蚀刻导线架样品。该锡或锡合金沉积物厚度为3或10μm。不使用阻隔层或底层。在蚀刻导线架上沉积无光泽锡(对比例1)、具有96％锡和4％铜的无光泽锡-铜合金(对比例2)或光泽锡(对比例3)制备三组比较样品。用于制备比较样品的电镀浴为常规酸性锡或锡合金电镀浴，并利用常规镀覆条件操作。利用常规酸性锡-铅电镀浴及标准镀覆条件，在导线架上沉积具有90％锡和10％铅的无光泽锡-铅合金层，制备一组比较样品。利用实施例1的电镀浴沉积具有98％锡和2％铜的光泽锡-铜合金，制备一组样品(样品1)，并利用实施例2的电镀浴沉积光泽锡层，制备一组样品(样品2)。
镀覆之后，通过扫描式电子显微镜(SEM)从各组样品取一镀覆过的导线架，分析晶须的存在。将各组样品其余镀过的导线架保存在控制条件为52℃及98％相对湿度下的试验箱中。间隔一个月取出各组之一样品并通过SEM分析晶须的存在。所得数据载于下表，其中晶须形成以0至4的等级评估，0表示无晶须，而4表示严重的晶须。
 保存之后观察晶须
 样品组   沉积物  厚度(μm)  0个月   1个月  2个月  3个月  4个月  5个月
 比较样品1   无光泽锡  3  4   4  4  4  4  4
 10  0   0  0  4  4  4
 比较样品2   无光泽锡/铜96/4  3  4   2  2  2  2  2
 10  2   4  4  4  4  4
 比较样品3   光泽锡  3  大约2   大约4  -  大约2  大约4  大约4
 10  0   大约4  大约4  大约4  大约4  大约4
 样品1   光泽锡/铜98/2  3  0   0  0  0  0  0
 10  0   0  0  0  0  0
 样品2   光泽锡  3  0   0  0  0  0  0
 10  0   0  0  0  0  0
 对照样品   无光泽锡/铅90/10  3  0   0  0  0  0  0
 10  0   0  0  0  0  0
由上述数据可清楚看出，和常规光泽锡和锡合金电镀浴相较，本发明的光泽锡和锡合金电镀浴可形成具有减少晶须形成的沉积物。

Claims (7)

1.一种用于在基板上沉积锡或锡合金的电解质组合物，包括一种或一种以上的锡化合物、一种或一种以上的酸性电解质，及一种或一种以上的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物。
2.如权利要求1的电解质组合物，其中该锡化合物选自锡卤化物、锡硫酸盐类、锡烷磺酸盐、锡芳基磺酸盐或锡烷醇磺酸盐。
3.如权利要求1至2项中任一项的电解质组合物，其中该酸性电解质选自烷磺酸、芳基磺酸、硫酸、氨基磺酸、氢氯酸、氢溴酸及氟硼酸。
4.如权利要求1至2项中任一项的电解质组合物，其中该羧基烷基化的聚烯亚胺化合物为羧基烷基化的聚乙烯亚胺。
5.如权利要求1至2项中任一项的电解质组合物，还包括一种或一种以上的合金化金属。
6.一种在基板上沉积锡或锡合金的方法，包括以下步骤：使该基板与权利要求1至5项中任一项的电解质组合物接触，对该电解质组合物施加0.1-200安培每平方分米的电流密度使锡或锡合金沉积在基板上。
7.一种高速电镀锡或锡合金的方法，包括以下步骤：a)使用高速电镀设备，其含有电镀槽、与该电镀槽相接的溢流储槽、由该储槽将溶液送回该电镀槽的装置、将欲电镀基板从电镀槽一端入口处引导至电镀槽第二端出口的装置；b)引入含有一种或一种以上的锡化合物的碱性溶液、一种或一种以上的酸性电解质、及一种或一种以上的羧基烷基化的聚烯亚胺化合物为主要成分的溶液；和c)在高速电镀的5-200安培每平方分米的电流密度及15-66℃的温度下，于基板通过该电镀槽内的电镀溶液时，使基板连续电镀锡或锡合金。
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TW (1) TW593785B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104060309A (zh) * 2014-06-13 2014-09-24 安徽省宁国天成电工有限公司 一种金属铜线的表面镀锡方法

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6679983B2 (en) * 2000-10-13 2004-01-20 Shipley Company, L.L.C. Method of electrodepositing copper
US6797146B2 (en) * 2000-11-02 2004-09-28 Shipley Company, L.L.C. Seed layer repair
JP4897187B2 (ja) * 2002-03-05 2012-03-14 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． スズメッキ方法
DE10227362A1 (de) * 2002-06-19 2004-01-08 Basf Ag Komplexbildner für die Behandlung von Metall- und Kunstoffoberflächen
AU2003272790A1 (en) * 2002-10-08 2004-05-04 Honeywell International Inc. Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials
EP1408141B1 (de) * 2002-10-11 2014-12-17 Enthone Inc. Verfahren und Elektrolyt zur galvanischen Abscheidung von Bronzen
US7156904B2 (en) * 2003-04-30 2007-01-02 Mec Company Ltd. Bonding layer forming solution, method of producing copper-to-resin bonding layer using the solution, and layered product obtained thereby
US7029761B2 (en) * 2003-04-30 2006-04-18 Mec Company Ltd. Bonding layer for bonding resin on copper surface
JP4552468B2 (ja) * 2004-03-12 2010-09-29 パナソニック株式会社 錫めっき皮膜のウイスカ検査方法
TW200632147A (zh) * 2004-11-12 2006-09-16
EP1696052B1 (en) * 2005-02-28 2010-10-06 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Improved fluxing methods
CN100370062C (zh) * 2005-03-24 2008-02-20 广东风华高新科技集团有限公司 镀纯锡溶液组合物及采用该组合物制得的电子元器件
US7615255B2 (en) * 2005-09-07 2009-11-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Metal duplex method
US20070178697A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-02 Enthone Inc. Copper electrodeposition in microelectronics
WO2007131891A1 (en) * 2006-05-15 2007-11-22 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. Lubricating oil composition
US8404160B2 (en) 2007-05-18 2013-03-26 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US10231344B2 (en) 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
TWI341554B (en) * 2007-08-02 2011-05-01 Enthone Copper metallization of through silicon via
US7905994B2 (en) 2007-10-03 2011-03-15 Moses Lake Industries, Inc. Substrate holder and electroplating system
US8506849B2 (en) 2008-03-05 2013-08-13 Applied Nanotech Holdings, Inc. Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks
US9730333B2 (en) 2008-05-15 2017-08-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photo-curing process for metallic inks
US20090286383A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Applied Nanotech Holdings, Inc. Treatment of whiskers
JP5583894B2 (ja) * 2008-06-12 2014-09-03 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 電気錫めっき液および電気錫めっき方法
US20100000762A1 (en) * 2008-07-02 2010-01-07 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic pastes and inks
JP4963490B2 (ja) * 2008-07-03 2012-06-27 トヨタ自動車株式会社 めっき部材
JP5715748B2 (ja) * 2008-10-31 2015-05-13 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 無電解めっき用コンディショナー
EP2221396A1 (en) * 2008-12-31 2010-08-25 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Lead-Free Tin Alloy Electroplating Compositions and Methods
TWI492303B (zh) 2009-03-27 2015-07-11 Applied Nanotech Holdings Inc 增進光及／或雷射燒結之緩衝層
US8262894B2 (en) 2009-04-30 2012-09-11 Moses Lake Industries, Inc. High speed copper plating bath
US8440065B1 (en) 2009-06-07 2013-05-14 Technic, Inc. Electrolyte composition, method, and improved apparatus for high speed tin-silver electroplating
US8422197B2 (en) 2009-07-15 2013-04-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Applying optical energy to nanoparticles to produce a specified nanostructure
WO2011113908A1 (en) * 2010-03-18 2011-09-22 Basf Se Composition for metal electroplating comprising leveling agent
DE102011008836B4 (de) * 2010-08-17 2013-01-10 Umicore Galvanotechnik Gmbh Elektrolyt und Verfahren zur Abscheidung von Kupfer-Zinn-Legierungsschichten
CN101962790B (zh) * 2010-08-20 2012-05-23 河南科技大学 一种半光亮酸性镀锡的电解质组合物
EP2476779B1 (en) * 2011-01-13 2013-03-20 Atotech Deutschland GmbH Immersion tin or tin alloy plating bath with improved removal of cupurous ions
US8834958B2 (en) 2011-07-08 2014-09-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Process of making negative electrode
CN102304732B (zh) * 2011-08-22 2013-05-01 武汉吉和昌化工科技有限公司 耐高温光亮镀锡光亮剂
JP5033979B1 (ja) * 2011-09-29 2012-09-26 ユケン工業株式会社 スズからなるめっき用酸性水系組成物
KR101346021B1 (ko) * 2011-12-09 2013-12-31 주식회사 엠에스씨 주석-은 합금 도금액의 생성방법 및 그 도금액
US9576873B2 (en) * 2011-12-14 2017-02-21 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Integrated circuit packaging system with routable trace and method of manufacture thereof
US9598776B2 (en) 2012-07-09 2017-03-21 Pen Inc. Photosintering of micron-sized copper particles
US10072347B2 (en) 2012-07-31 2018-09-11 The Boeing Company Systems and methods for tin antimony plating
US10633754B2 (en) 2013-07-05 2020-04-28 The Boeing Company Methods and apparatuses for mitigating tin whisker growth on tin and tin-plated surfaces by doping tin with germanium
US10260159B2 (en) 2013-07-05 2019-04-16 The Boeing Company Methods and apparatuses for mitigating tin whisker growth on tin and tin-plated surfaces by doping tin with gold
JP2017504715A (ja) 2013-12-05 2017-02-09 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 調節されたｐＨを有するメタンスルホン酸第一スズ溶液
CN104294326A (zh) * 2014-09-19 2015-01-21 无锡长辉机电科技有限公司 一种在印制板上镀锡液的配方及方法
CN104630833B (zh) * 2015-03-10 2016-11-09 南昌航空大学 一种碱性电镀锡光亮剂的制备方法
CN105755513A (zh) * 2016-04-28 2016-07-13 四川昊吉科技有限公司 一种镀锡防腐剂
JP6620859B2 (ja) * 2017-10-24 2019-12-18 三菱マテリアル株式会社 錫又は錫合金めっき堆積層の形成方法
WO2019082884A1 (ja) * 2017-10-24 2019-05-02 三菱マテリアル株式会社 錫又は錫合金めっき液
DE102019102544A1 (de) * 2019-02-01 2020-08-06 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Verfahren zur vorbehandlung von edelstahlsubstraten vor dem löten mittels nanokristalliner lötfolien
CN111321435B (zh) * 2020-04-17 2022-03-01 广州鑫睿表面技术有限公司 一种酸性电镀锡液及其制备方法与应用
CN112538643B (zh) * 2020-11-17 2022-05-13 珠海松柏科技有限公司 高速镀锡添加剂及镀锡液

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1583923A (en) * 1978-05-15 1981-02-04 Pmd Chemicals Ltd Electrodeposition of tin/nickel alloys
US4376685A (en) * 1981-06-24 1983-03-15 M&T Chemicals Inc. Acid copper electroplating baths containing brightening and leveling additives
JPS5848690A (ja) * 1981-09-18 1983-03-22 Seiko Instr & Electronics Ltd 銅−スズ合金めつき浴
JPS5855587A (ja) * 1981-09-25 1983-04-01 Seiko Instr & Electronics Ltd 銅−スズ合金めつき浴
JPS5935693A (ja) * 1982-08-24 1984-02-27 Seiko Instr & Electronics Ltd 光沢銅−スズ合金めつき浴

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3424790A (en) * 1966-05-11 1969-01-28 Dow Chemical Co Process for preparing carboxymethylated polyethylenimine and products produced by the same
US3838026A (en) * 1971-05-10 1974-09-24 Elektro Plating Patent Holding Acidic zinc electroplating bath
US3769187A (en) * 1971-05-11 1973-10-30 Du Pont Electrophoretic coating of aluminum and tin articles
US3767540A (en) * 1972-02-25 1973-10-23 R O Hull & Co Inc Additive for electrodeposition of bright zinc from aqueous, acid, electroplating baths
SE444822B (sv) 1975-03-11 1986-05-12 Oxy Metal Industries Corp Bad och medel for elektrolytisk utfellning av koppar
US4126524A (en) * 1975-03-12 1978-11-21 Technic, Inc. Silver complex, method of making said complex and method and electrolyte containing said complex for electroplating silver and silver alloys
JPS51143533A (en) 1975-06-06 1976-12-09 Hitachi Ltd Bright tin plating method wherein occurrence of whisker is prevented
JPS5245539A (en) 1975-10-09 1977-04-11 Furukawa Electric Co Ltd Method of preventing occurrence of whiskers on tin plating
JPS5275621A (en) 1975-12-19 1977-06-24 Furukawa Electric Co Ltd Tinnplated coated product
FR2433061A1 (fr) 1978-08-08 1980-03-07 Popescu Francine Bain alcalin pour l'electrodeposition du zinc brillant
JPS5623295A (en) * 1980-06-27 1981-03-05 Kinzoku Kako Gijutsu Kenkyusho:Kk Bright tin-nickel alloy plating liquid
DE3121016C2 (de) 1981-05-27 1986-07-17 G. P. - Chemie GmbH, 5650 Solingen Polymeres Zusatzmittel für galvanische Zinkbäder auf Basis von Polyalkyleniminen, Verfahren zur Herstellung desselben sowie wäßrig-alkalisches, cyanidfreies Zinkbad enthaltend dasselbe
JPS6130656A (ja) 1984-07-23 1986-02-12 Mitsubishi Electric Corp 錫めつき材
US4662999A (en) 1985-06-26 1987-05-05 Mcgean-Rohco, Inc. Plating bath and method for electroplating tin and/or lead
US4749626A (en) * 1985-08-05 1988-06-07 Olin Corporation Whisker resistant tin coatings and baths and methods for making such coatings
JPS642330A (en) * 1987-06-25 1989-01-06 Nippon Mining Co Ltd Film carrier and manufacture thereof
DE3800918A1 (de) 1988-01-14 1989-07-27 Siemens Ag Bad zur stromlosen zinnabscheidung
US4959278A (en) * 1988-06-16 1990-09-25 Nippon Mining Co., Ltd. Tin whisker-free tin or tin alloy plated article and coating technique thereof
JPH01316951A (ja) 1988-06-16 1989-12-21 Nippon Mining Co Ltd フイルムキャリヤ及びその製造方法
JPH02170996A (ja) 1988-12-22 1990-07-02 Kobe Steel Ltd 光沢錫めっき金属板
DE3902042A1 (de) 1989-01-25 1990-07-26 Blasberg Oberflaechentech Waessrige, saure loesungen fuer die elektrolytische abscheidung von zinn und/oder blei/zinnlegierungen
US4885064A (en) 1989-05-22 1989-12-05 Mcgean-Rohco, Inc. Additive composition, plating bath and method for electroplating tin and/or lead
JPH04236796A (ja) * 1991-01-19 1992-08-25 Hitachi Cable Ltd メッキ浴組成物
US5393573A (en) * 1991-07-16 1995-02-28 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of inhibiting tin whisker growth
US5282954A (en) 1991-12-30 1994-02-01 Atotech Usa, Inc. Alkoxylated diamine surfactants in high-speed tin plating
US5417840A (en) 1993-10-21 1995-05-23 Mcgean-Rohco, Inc. Alkaline zinc-nickel alloy plating baths
JPH08176882A (ja) 1994-12-26 1996-07-09 Nippon Steel Corp リフロー処理なしで光沢錫めっきが得られるめっき浴
JP3481020B2 (ja) * 1995-09-07 2003-12-22 ディップソール株式会社 Ｓｎ−Ｂｉ系合金めっき浴
US5750017A (en) * 1996-08-21 1998-05-12 Lucent Technologies Inc. Tin electroplating process
JPH11189894A (ja) * 1997-12-24 1999-07-13 Murata Mfg Co Ltd Ｓｎ合金メッキ皮膜、電子部品およびチップ型セラミック電子部品
JP3486087B2 (ja) 1997-12-29 2004-01-13 日本表面化学株式会社 アルカリ性亜鉛又は亜鉛合金用めっき浴及びめっきプロセス
JPH11193487A (ja) 1997-12-29 1999-07-21 Nippon Hyomen Kagaku Kk アルカリ性亜鉛又は亜鉛合金用めっき液及びめっきプロセス
US6508927B2 (en) * 1998-11-05 2003-01-21 C. Uyemura & Co., Ltd. Tin-copper alloy electroplating bath
JP4359907B2 (ja) 1999-08-11 2009-11-11 石原薬品株式会社 スズ−銅合金メッキ浴
JP4039653B2 (ja) * 1999-11-01 2008-01-30 千住金属工業株式会社 リードメッキ用Ｓｎ合金
US6361823B1 (en) * 1999-12-03 2002-03-26 Atotech Deutschland Gmbh Process for whisker-free aqueous electroless tin plating
US20020166774A1 (en) * 1999-12-10 2002-11-14 Shipley Company, L.L.C. Alloy composition and plating method
CN1407141A (zh) * 2001-03-16 2003-04-02 希普雷公司 镀锡
US20020185716A1 (en) * 2001-05-11 2002-12-12 Abys Joseph Anthony Metal article coated with multilayer finish inhibiting whisker growth
US6860981B2 (en) * 2002-04-30 2005-03-01 Technic, Inc. Minimizing whisker growth in tin electrodeposits

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1583923A (en) * 1978-05-15 1981-02-04 Pmd Chemicals Ltd Electrodeposition of tin/nickel alloys
US4376685A (en) * 1981-06-24 1983-03-15 M&T Chemicals Inc. Acid copper electroplating baths containing brightening and leveling additives
JPS5848690A (ja) * 1981-09-18 1983-03-22 Seiko Instr & Electronics Ltd 銅−スズ合金めつき浴
JPS5855587A (ja) * 1981-09-25 1983-04-01 Seiko Instr & Electronics Ltd 銅−スズ合金めつき浴
JPS5935693A (ja) * 1982-08-24 1984-02-27 Seiko Instr & Electronics Ltd 光沢銅−スズ合金めつき浴

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104060309A (zh) * 2014-06-13 2014-09-24 安徽省宁国天成电工有限公司 一种金属铜线的表面镀锡方法

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Publication number Publication date
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